8. Транзисторы — Условные графические обозначения на электрических схемах — Компоненты — Инструкции
Транзистор (от английских слов tran(sfer) — переносить и (re)sistor — сопротивление) — полупроводниковый прибор, предназначенный для усиления, генерирования и преобразования электрических колебаний. Наиболее распространены так называемые биполярные транзисторы. Электропроводность эмиттера и коллектора всегда одинаковая (р или n), базы — противоположная (n или р). Иными словами, биполярный транзистор содержит два р-n-перехода: один из них соединяет базу с эмиттером (эмиттерный переход), другой — с коллектором (коллекторный переход).
Буквенный код транзисторов — латинские буквы VT. На схемах эти полупроводниковые приборы обозначают, как показано на рис. 8.1 [5]. Здесь короткая черточка с линией от середины символизирует базу, две наклонные линии, проведенные к ее краям под углом 60°, — эмиттер и коллектор.
Об электропроводности базы судят по символу эмиттера: если его стрелка направлена к базе (см. рис. 8.1, VT1), то это означает, что эмиттер имеет электропроводность типа р, а база— типа n; если же стрелка направлена в противоположную сторону (VT2), электропроводность эмиттера и базы обратная.
Знать электропроводность эмиттера базы и коллектора необходимо для того, чтобы правильно подключить транзистор к источнику питания. В справочниках эту информацию приводят в виде структурной формулы. Транзистор, база которого имеет электропроводимость типа n, обозначают формулой р-п-р, а транзистор с базой, имеющей электропроводность типа р, обозначают формулой n-р-n. В первом случае на базу и коллектор следует подавать отрицательное по отношению к эмиттеру напряжение, во втором — положительное.
Для наглядности условное графическое обозначение дискретного транзистора обычно помещают в кружок, символизирующий его корпус. Иногда металлический корпус соединяют с одним из выводов транзистора.
На схемах это показывается точкой в месте пересечения соответствующего вывода с символом корпуса. Если же корпус снабжен отдельным выводом, линию-вывод допускается присоединять к кружку без точки (VT3 на рис. 8.1). В целях повышения информативности схем рядом с позиционным обозначением транзистора допускается указывать его тип.
Линии электрической связи, идущие от эмиттера и коллектора проводят в одном из двух направлений: перпендикулярно или параллельно выводу базы (VT3—VT5). Излом вывода базы допускается лишь на некотором расстоянии от символа корпуса (VT4).
Транзистор может иметь несколько эмиттерных областей (эмиттеров). В этом случае символы эмиттеров обычно изображают с одной стороны символа базы, а окружность обозначения корпуса заменяют овалом (рис. 8.1, VT6).
Стандарт допускает изображать транзисторы и без символа корпуса, например, при изображении бескорпусных транзисторов или когда на схеме необходимо показать транзисторы, входящие в состав сборки транзисторов или интегральной схемы.
Поскольку буквенный код VT предусмотрен для обозначения транзисторов, выполненных в виде самостоятельного прибора, транзисторы сборок обозначают одним из следующих способов: либо используют код VT и присваивают им порядковые номера наряду с другими транзисторами (В этом случае на поле схемы помещают такую, например, запись: VT1-VT4 К159НТ1), либо используют код аналоговых микросхем (DA) и указывают принадлежность транзисторов в сборке в позиционном обозначении (рис. 8.2, DA1.1, DA1.2). У выводов таких транзисторов, как правило, приводят условную нумерацию, присвоенную выводам корпуса, в котором выполнена матрица.
Без символа корпуса изображают на схемах и транзисторы аналоговых и цифровых микросхем (для примера на рис. 8.2 показаны транзисторы структуры п-р-п с тремя и четырьмя эмиттерами).
Условные графические обозначения некоторых разновидностей биполярных транзисторов получают введением в основной символ специальных знаков.
Так, чтобы изобразить лавинный транзистор, между символами эмиттера и коллектора помещают знак эффекта лавинного пробоя (см. рис. 8.3, VT1, VT2). При повороте УГО положение этого знака должно оставаться неизменным.
Иначе построено УГО однопереходного транзистора: у него один р-п-переход, но два вывода базы. Символ эмиттера в УГО этого транзистора проводят к середине символа базы (рис. 8.3, VT3, VT4). Об электропроводности последней судят по символу эмиттера (направлению стрелки).
На символ однопереходного транзистора похоже УГО большой группы транзисторов с p-n-переходом, получивших название полевых. Основа такого транзистора — созданный в полупроводнике и снабженный двумя выводами (исток и сток) канал с электропроводностью п или р-типа. Сопротивлением канала управляет третий электрод — затвор. Канал изображают так же, как и базу биполярного транзистора, но помещает в середине кружка-корпуса (рис. 8.4, VT1), символы истока и стока присоединяют к нему с одной стороны, затвора — с другой стороны на продолжении линии истока.
Электропроводность канала указывают стрелкой на символе затвора (на рис. 8.4 условное графическое обозначение VT1 символизирует транзистор с каналом п-типа, VT1 — с каналом p-типа).
В условном графическом обозначении полевых транзисторов с изолированным затвором (его изображают черточкой, параллельной символу канала с выводом на продолжении линии истока) электропроводность канала показывают стрелкой, помещенной между символами истока и стока. Если стрелка направлена к каналу, то это значит, что изображен транзистор с каналом n-типа, а если в противоположную сторону (см. рис. 8.4, VT3) — с каналом p-типа. Аналогично поступают при наличии вывода от подложки (VT4), а также при изображении полевого транзистора с так называемым индуцированным каналом, символ которого — три коротких штриха (см. рис. 8.4, VT5, VT6). Если подложка соединена с одним из электродов (обычно с истоком), это показывают внутри УГО без точки (VT1, VT8).
В полевом транзисторе может быть несколько затворов. Изображают их более короткими черточками, причем линию-вывод первого затвора обязательно помещают на продолжении линии истока (VT9).
Линии-выводы полевого транзистора допускается изг[цензура] лишь на некотором расстоянии от символа корпуса (см. рис. 8.4, VT2). В некоторых типах полевых транзисторов корпус может быть соединен с одним из электродов или иметь самостоятельный вывод (например, транзисторы типа КПЗ03).
Из транзисторов, управляемых внешними факторами, широкое применение находят фототранзисторы. В качестве примера на рис. 8.5 показаны условные графические обозначения фототранзисторов с выводом базы (FT1, VT2) и без него (К73). Наряду с другими полупроводниковыми приборами, действие которых основано на фотоэлектрическом эффекте, фототранзисторы могут входить в состав оптронов. УГО фототранзистора в этом случае вместе с УГО излучателя (обычно светодиода) заключают в объединяющий их символ корпуса, а знак фотоэффекта — две наклонные стрелки заменяют стрелками, перпендикулярными символу базы.
Для примера на рис. 8.5 изображена одна из оптопар сдвоенного оптрона (об этом говорит позиционное обозначение U1.1), Аналогично строится У ГО оптрона с составным транзистором (U2).
Обозначение транзисторов на принципиальных схемах. Маркировка транзисторов. Классификация транзисторов.
Различают транзисторы биполярные и полевые. Биполярный транзистор — трёхэлектродный полупроводниковый прибор. Электроды подключены к трём последовательно расположенным слоям полупроводника с чередующимся типом примесной проводимости. По этому способу чередования различают n-p-n и p-n-p транзисторы, n (negative) — электронный тип примесной проводимости, p (positive) — дырочный. В биполярном транзисторе основными носителями являются и электроны, и дырки. Схематическое устройство транзистора показано на рисунке 6.
Электрод, подключённый к центральному слою, называют базой, элек-троды, подключённые к внешним слоям, называют коллектором и эмитте-ром.
На простейшей схеме различия между коллектором и эмиттером не видны. Главное отличие коллектора — большая площадь p-n перехода. Для работы транзистора абсолютно необходима малая толщина базы.
Рис. 6
Рис. 7
Полевые транзисторы имеют большое входное сопротивление. Подразделяются на полевые транзисторы 1) с управляющим p-n переходом (рис. 7а) и 2) с изолированным затвором (рис. 7б).
Полевые транзисторы с изолированным затвором в свою очередь подразделяются на транзисторы 1) со встроенным каналом и 2) с индуцированным каналом.
Транзисторы, как правило, имеют три вывода. Вывод, от которого в канал приходят основные носители заряда, называется истоком. Вывод, к которому носители заряда приходят из канала, называется стоком.
Рис. 8 Цветовая маркировка транзисторов
Рис. 9. Условное графическое обозначение биполярного транзистора струк-туры n-p-n
Рис. 10.Условное графическое обозначение биполярного транзистора структуры p-n-p
Рис. 11. Условное графическое обозначение полевого транзистора с p-n-переходом и каналом n-типа
Рис.
12. Условное графическое обозначение полевого транзистора с p-n-переходом и каналом p-типа
Рис.13. Условное графическое обозначение полевого транзистора со встро-енным p-каналом обедненного типа.
Рис. 14. Условное графическое обозначение полевого транзистора со встро-енным n-каналом обогащенного типа.
Рис. 15. Условное графическое обозначение полевого транзистора с индуцированным p-каналом обогащенного типа.
Рис. 16 — Условное графическое обозначение полевого транзистора с индуцированным n-каналом обогащенного типа.
Рис. 17. Обозначение транзистора с барьером Шотки (транзистор Шотки).
Рис. 18. Обозначение многоэмиттерного транзистора.
Транзистор с барьером Шотки и многоэмиттерный транзистор встречаются лишь в микроэлектронике.
Рис. 19. Условное графическое обозначение фототранзистора
БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР — это… Что такое БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР?
- БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР
— транзистор с тремя чередующимися ПП областями электронного (м) или дырочного (р) типа проводимости, в к-ром протекание рабочего тока обусловлено носителями заряда обоих знаков (электронами и дырками).
Различают Б. т.п — р — п- и р — п — р-типа (см. рис.). Средняя область Б. т. (её обычно делают очень тонкой — неск. мкм и менее) наз. базой, две другие — эмиттером и Схема включения биполярного транзистора: р — область с дырочной проводимостью; п — область с электронной проводимостью; i — сила тока; RH нагрузочный резистор
Различают Б. т.п — р — п- и р — п — р-типа (см. рис.). Средняя область Б. т. (её обычно делают очень тонкой — неск. мкм и менее) наз. базой, две другие — эмиттером и Большой энциклопедический политехнический словарь.
2004.
- БИПЛАН
- БИСКВИТ
Смотреть что такое «БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР» в других словарях:
биполярный транзистор — транзистор Полупроводниковый прибор с двумя взаимодействующими переходами и тремя или более выводами, усилительные свойства которого обусловлены явлениями инжекции и экстракции неосновных носителей заряда. Примечание Работа биполярного… … Справочник технического переводчика
Биполярный транзистор — Обозначение биполярных транзисторов на схемах Простейшая наглядная схема устройства транзистора Биполярный транзистор трёхэлектродный полупроводниковый прибор, один из типов транзистора. Электроды подключены к трём последовательно… … Википедия
биполярный транзистор — Термин биполярный транзистор Термин на английском bipolar junction transistor Синонимы Аббревиатуры BJT Связанные термины полевой транзистор Определение Трёхэлектродный полупроводниковый прибор, один из типов транзистора.
биполярный транзистор — dvipolis tranzistorius statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. bipolar transistor vok. bipolarer Transistor, m; Bipolartransistor, m rus. биполярный транзистор, m pranc. transistor bipolaire, m … Radioelektronikos terminų žodynas
биполярный транзистор с изолированным затвором — Транзисторы, выполненные по специальной технологии, позволяющей сочетать все преимущества полевых и биполярных транзисторов. Характеризуются малой мощностью управляющего сигнала и возможностью коммутировать большие токи.… … Справочник технического переводчика
Биполярный транзистор с изолированным затвором — Силовая сборка на IGBT IGBT (англ. Insulated Gate Bipolar Transistor биполярный транзистор с изолированным затвором) силовой электронный прибор, предназначенный в основном, для управления электрическими приводами.
Выпускаются как отдельные IGBT… … ВикипедияБиполярный транзистор с общим эмиттером — Усилительный каскад по схеме с общим эмиттером на основе npn транзистора При схеме включения биполярного транзистора с общим эмиттером входной сигнал подаётся на базу, а снимается с коллектора. При этом фаза выходного сигнала отличается от… … Википедия
Биполярный транзистор с общим коллектором — Эмиттерный повторитель на основе npn транзистора Используемая на практике схема усилителя на эмиттерном повторителе. Резисторы R1 и R2 задают начальный режим работы транзистора («смещение»), C1 и C2 устраняют постоянную составляющую входного и… … Википедия
входной биполярный транзистор — dvipolis įėjimo tranzistorius statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. bipolar input transistor vok. bipolarer Eingangstransistor, m rus. входной биполярный транзистор, m pranc. transistor bipolaire d entrée, m … Radioelektronikos terminų žodynas
Транзистор — Дискретные транзисторы в различном конструктивном оформлении … Википедия
Выпускаются как отдельные IGBT… … ВикипедияПолевые транзисторы
Полевые транзисторы — это полупроводниковые приборы, которые становятся все более популярными в современной электронике.
Их работа основана на использовании полупроводникового токонесущего канала, сопротивление которого управляется электрическим полем.Тем самым обеспечивается управление величиной тока, протекающего по каналу.
Полевые транзисторы называют также униполярными транзисторами, поскольку перенос заряда в них осуществляется только основными носителями. Ток этих носителей протекает в полупроводнике только одного типа — или n-типа, или p-типа. В отличие от полевого работа обычного транзистора основана на переносе как неосновных, так и основных носителей заряда. Это связано с тем, что ток в них протекает через прямосмещенный переход база-эмиттер (основные носители) и обратносмещенный переход база-коллектор (неосновные носители). Поэтому обычные транзисторы называют биполярными транзисторами.
У полевого транзистора три электрода: исток s (source), затвор g (gate) и сток d (drain). Эти электроды соответствуют эмиттеру, базе и коллектору биполярного транзистора.
Полевые транзисторы малы по размерам и имеют очень высокое входное сопротивление.Они менее чувствительны к изменениям температуры по сравнению с биполярными транзисторами и поэтому менее склонны к тепловому пробою. Следует также отметить простоту разработки схем на основе полевых транзисторов, в которых используется меньше компонентов, чем в аналогичных схемах на биполярных транзисторах.
Полевые транзисторы просты в изготовлении и лучше подходят для использования в интегральных схемах, чем их собратья — биполярные транзисторы.
Существуют два типа полевых транзисторов: транзисторы с управляющим pn-переходом и транзисторы со структурой металл-оксид-полупроводник (МОП-транзистор).
Транзистор с управляющим pn-переходом
Рассмотрим канал из полупроводника n-типа (канал n-типа), к которому приложено постоянное напряжение VDD(рис. 26.1(а)). По каналу от тока к истоку будет протекать ток, называемый током стока Id.
Если теперь внутри п-канала путем диффузии создать область р-типа, называемую затвором (рис. 26.1(б)), то образуется рп-переход. Точно так же, как в случае обычного рп-перехода, в области перехода формируется слой, обедненный основными носителями заряда. Видно, что обедненный слой ограничивает протекание тока по каналу, уменьшая эффективную ширину последнего. Другими словами, он увеличивает сопротивление канала. Ширину обедненного слоя можно увеличить, т. е. еще больше ограничить протекание тока, если подать на переход напряжение VGS, которое сместит переход в обратном направлении (рис. 26.1(б)). Изменяя величину напряжения обратного смещения на затворе, можно управлять величиной тока стока ID. На рис. 26.2 показано поперечное сечение структуры полевого транзистора рассматриваемого типа.
Рис. 26.1. Принцип работы полевого транзистора с управляющим рп-переходом.
Рис. 26.2. Поперечное сечение структуры
полевого транзистора с управляющим рп-переходом.
Рис. 26.3. Условные обозначения транзисторов
с управляющим рп-переходом.
Применяются также полевые транзисторы с каналом p-типа, питаемые от источника отрицательного напряжения – VDD. Условные обозначения обоих типов транзисторов с управляющим pn-переходом приведены на рис. 26.3.
Выходные характеристики
Семейство выходных характеристик транзистора с управляющим рп-переходом в схеме с общим истоком показано на рис. 26.4. Они аналогичны выходным характеристикам биполярного транзистора. Эти характеристики показывают зависимость выходного тока ID от выходного напряжения VDS(напряжения между стоком и истоком) для заданных Значений напряжения на затворе VGS(напряжения между затвором и истоком).
Диапазон изменения смещающего напряжения затвор-исток довольно велик (несколько вольт) в отличие от биполярного транзистора, где напряжение база-эмиттер практически постоянно.
Видно, что при увеличении (по абсолютной величине) напряжения на затворе ток стока уменьшается. Это уменьшение происходит до тех пор, пока расширяющийся обедненный слой перехода затвор-канал не перекроет весь канал, останавливая протекание тока. В этом случае говорят, что полевой транзистор находится в состоянии отсечки.
Напряжение отсечки
рассмотрим выходную характеристику для VGS= 0 (рис. 26.4). При увеличении напряжения VDS(от нулевого значения) ток стока постепенно увеличивается, пока не достигает точки Р, после которой величина тока практически не изменяется. Напряжение в точке Р называется напряжением отсечки. При этом напряжении обедненный слой, связанный с обратносмещенным переходом затвор-канал, почти полностью перекрывает канал.
Однако протекание тока IDв этой точке не прекращается, поскольку благодаря этому току как раз и создается обедненный слой. Все кривые семейства выходных характеристик имеют свои точки отсечки: P1, P2 и т. д. Если соединить эти точки друг с другом линией, то правее ее лежит область отсечки, являющаяся рабочей областью полевого транзистора.
Усилитель на полевом транзисторе с общим истоком
Схема типичного усилителя ЗЧ на полевом транзисторе показана на рис. 26.5. В этой схеме через резистор утечки R1 отводится на шасси очень малый ток утечки затвора. Резистор R3 обеспечивает необходимое обратное смещение, поднимая потенциал истока выше потенциала затвора.
Рис. 26.4. Семейство выходных характеристик транзистора с управляющим рп-переходом.
Рис. 26.5. УЗЧ на п-канальном полевом транзисторе с управляющим рп-переходом.
Кроме того, этот резистор обеспечивает также стабильность режима усилителя по постоянному току. R2 – нагрузочный резистор, который может иметь очень большое сопротивление (до 1,5 МОм). Развязывающий конденсатор С2 в цепи истока устраняет отрицательную обратную связь по переменному току через резистор R3. Следует отметить, что разделительный конденсатор С1 может иметь небольшую емкость (0,1 мкФ) благодаря высокому входному сопротивлению полевого транзистора.
При подаче сигнала на вход усилителя изменяется ток стока, вызывая, в свою очередь, изменение выходного напряжения на стоке транзистора. Во время положительного полупериода входного сигнала напряжение на затворе увеличивается в положительном направлении, обратное напряжение смещения перехода затвор-исток уменьшается и, следовательно, увеличивается ток IDполевого транзистора. Увеличение ID приводит к уменьшению выходного (стокового) напряжения, и на выходе воспроизводится отрицательный полупериод усиленного сигнала.
И наоборот, отрицательному полупериоду входного сигнала соответствует положительный полупериод выходного сигнала. Таким образом, входной и выходной сигналы усилителя с общим истоком находятся в противофазе.
Одно из преимуществ полевого транзистора – очень малый ток утечки затвора, величина которого не превышает нескольких пикоампер (10-12 A). Поэтому в схеме усилителя па рис. 26.5 затвор находится практически при нулевом потенциале. Ток полевого транзистора протекает от стока к истоку и обычно отождествляется с током стока ID (который, очевидно, равен току истока IS).
Рассмотрим схему на рис. 26.5. Полагая ID = 0,2 мА, вычисляем потенциал истока: VS = 0,2 мА · 5 кОм = 1 В. Это величина напряжения обратного смещения управляющего pn-перехода.
Падение напряжения на резисторе R2 = 0,2 мА · 30 кОм = 6 В.
Потенциал стока VD = 15 – 6 = 9 В.
Линия нагрузки
Линию нагрузки можно начертить точно так же, как для биполярного транзистора. На рис. 26.6 показана линия нагрузки для схемы па же. 26.5.
Если ID = 0, то VDS= VDD = 15 В. Это точка Х на линии нагрузки.
Если VDS= 0, то почти все напряжение VDDисточника питания падает на резисторе R2. Следовательно, ID = VDD / R2= 15 В / 30 кОм = 0,5 мА. Это точка Y на линии нагрузки. Рабочая точка Q выбирается таким образом, чтобы транзистор работал в области отсечки.
Выбранная рабочая точка Q (точка покоя) на рис. 26.6 определяется величинами: ID = 0,2 мА, VGS= — 1 В, VDS= 9 В.
МОП-транзистор
В полевом транзисторе этого типа роль затвора играет металлический электрод, электрически изолированный от полупроводника тонкой пленкой диэлектрика, в данном случае оксида. Отсюда и название транзистора «МОП» — сокращение от «металл-оксид-полупроводник».
Канал п-типа в МОП-транзисторе формируется за счет притяжения электронов из подложки р-типа диэлектрическим слоем затвора (рис. 26.7). Ширину канала можно изменять, подавая на затвор электрический потенциал. Подача положительного (относительно подложки)
Рис. 26.6. Линия нагрузки усилителя на полевом транзисторе (рис. 26.5).
Рис. 26.7. Поперечное сечение МОП-транзистора.
потенциала приводит к расширению канала п-типа и увеличению тока через этот канал, подача отрицательного потенциала вызывает сужение канала и уменьшение тока. Для МОП-транзистора с каналом р-типа ситуация изменяется на обратную.
Существует два типа МОП-транзисторов: транзисторы, работающие в режиме обогащения, и транзисторы, работающие в режиме обеднения. Транзистор, работающий в режиме обогащения, находится в состоянии отсечки тока (нормально выключен), когда напряжение смещения VGS= 0.
Рис. 26.8. Выходные характеристики МОП-транзистора с каналом п-типа, работающего в режиме обогащения, и условное обозначение этого транзистора.
Рис. 26.9. Выходные характеристики МОП-транзистора с каналом n-типа, работающего в режиме обеднения, и условное обозначение этого транзистора.
Протекание тока начинается только при подаче напряжения смещения на затвор. Выходные характеристики п-канального МОП-транзистора с каналом п-типа, работающего в режиме обогащения, и его условное обозначение показаны на рис. 26.8.
МОП-транзистор, работающий в режиме обеднения, проводит ток, когда напряжение смещения на затворе отсутствует (нормально включен). Для МОП-транзистора с каналом n-типа ток стока увеличивается при подаче на затвор положительного напряжения и уменьшается при подаче отрицательного напряжения (рис. 26.9).
Условное обозначение МОП-транзистора с каналом р-типа показано на рис. 26.10. Заметим, что прерывающаяся жирная линия указывает на МОП-транзистор, работающий в режиме обогащения (нормально выключен).
Рис. 26.10. Условное обозначение МОП-транзистора с каналом р-типа.
Рис. 26.11. Усилитель на МОП-транзисторе с каналом р-типа, работающий в режиме обеднения.
Сплошная линия используется для обозначения МОП-транзистора, работающего в режиме обеднения (нормально включен). Вывод подложки обозначается буквой «Ь», обычно он соединяется с выводом истока. На рис. 26.11 схема типичного усилителя с общим истоком на МОП-транзисторе с каналом р-типа, работающего в режиме обеднения. Используется источник питания с отрицательным напряжением. Положительное напряжение смещения между затвором и истоком VGSсоздается обычным образом с помощью резистора R3 в цепи истока.
В этом видео рассказывается о типах полевых транзисторов:
Добавить комментарий
Как обозначаются полевые транзисторы на схемах — Bitbucket
———————————————————
>>> СКАЧАТЬ ФАЙЛ <<<
———————————————————
Проверено, вирусов нет!
———————————————————
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
На принципиальных схемах наносятся условные обозначения полевых транзисторов определяющих их тип, который основан на свойстве. На принципиальных схемах можно встретить обозначения полевого транзистора той или иной разновидности. Чтобы не запутаться и получить. Полевой транзистор в каскаде усиления. по одной из трех основных схем: с. Условные графические обозначения на электрических схемах ». Линии- выводы полевого транзистора допускается изг[цензура] лишь на некотором. Транзисторы, обозначения транзисторов на схемах, маркировка транзисторов. Рис. 3 — Условное графическое обозначение полевого транзистора с. Полевые транзисторы называют также униполярными, так как в процессе. Наиболее часто используются схемы с общим истоком (рис. заданном напряжении иси называют начальным током стока и обозначают через ic нач. Поэтому различают полевые транзисторы с управляющим p-n. Условные обозначения транзисторов с изолированным затвором следующие: Здесь. По характеристикам они очень похожи на схемы с общим. 2.730-73 ЕСКД. Обозначения условные графические в схемах. Канал проводимости для полевых транзисторов: обогащенного типа. обедненного. Канал полевого транзистора может быть открыт только напряжением, без. понятен из графического обозначения и названия электродов. Более того, если «прозванивать» ПТ, не выпаивая из схемы, то из-за. Полевой транзистор — это полупроводниковый прибор, в котором ток основных. Условные графические обозначения полевых транзисторов с. Следующий из рассматриваемых здесь видов полевых транзисторов. с индуцированным каналом (а) и его схематические обозначения (б). Плоская. Любой элемент обозначается на схеме одной, или двумя буквами (первая. Транзистор полевой, Транзистор, сопротивление перехода сток-исток. Условное обозначение транзистора. Как отличить коллектор, эмиттер и базу. Условное обозначение pnp — транзистора. Условное. Условные Обозначения Транзисторов (Транзистор- это просто 12) — Duration : 4:38. Радиолюбитель TV 13,888 views · · Цветовая и. Полевой транзистор с изолированным затвором MOSFET. Самое широкое распространение они получили в интегральных схемах в качестве. МДП со встроенным каналом; обозначения оси абсцисс должно(по аналогии. На рисунке 1 вы видите классификацию полевых транзисторов. полевой транзистор с управляющим p-n переходом обозначается как JFET(junction. При составлении схемы будем руководствоваться следующими принципами. Три изобретателя транзистора: (слева направо) Уильям Шокли, Джон Бардин. И Уолтер Браттен. статические характеристики транзистора изменяются в зависимости от схемы. Условные обозначения транзисторов. К= Катод! А на детали катод обозначается полоской или точкой. В своих схемах я часто ставлю на питание контроллера стабилитрон на 5.5 вольт. Последнее время полевые транзисторы получили громадную. На схемах транзисторы обозначают, как показано на рис. 1,а. Канал полевого транзистора изображают так же, как и базу биполярного транзистора. Виды транзисторов и их принципы работы в схемах. Схема с этим электрическим элементом обозначается в виде трех электродных. Полевой транзистор – это однопереходный элемент, т. к. в нем протекает.
Двухзатворные полевые транзисторы. Усилители. | Старый радиолюбитель
Хочу рассказать оо особенностях работы полевых тетродов и их применения.
Рис. 1. Условное обозначение двухзатворного полевого транзистора.Рис. 1. Условное обозначение двухзатворного полевого транзистора.
Двухзатворный полевой транзистор (полевой тетрод) является развитием конструкции обычного полевого транзистора. Особенностью полевых транзисторов является то, что ток выхода управляется электрическим полем, а соответственно, обладают очень высоким входным сопротивлением. Регулирующий сигнал поступает на затвор и осуществляет регулировку проводимости перехода транзистора. Этим они отличаются от биполярных транзисторов. Другим отличительным свойством полевого транзистора является образование электрического тока основными носителями одной полярности.
Двухзатворный транзистор можно представить себе как два последовательно включенных полевых транзистора (каскодное включение).
Рис. 2. Представление двухзатворного полевого транзистора.Рис. 2. Представление двухзатворного полевого транзистора.
Управляющим является первый затвор. Второй затвор, действуя как электростатический экран, уменьшает проходную ёмкость прибора (эффект Миллера). Возможность работы на более высоких частотах — основное преимущество тетрода по сравнению с МДП — транзистором. Кроме того, тетрод существенно упрощает конструирование смесительных устройств.
Рис. 3. Внутренняя структура двухзатворного полевого транзистора.Рис. 3. Внутренняя структура двухзатворного полевого транзистора.
Наличие второго затвора позволяет одновременно управлять током транзистора с помощью двух управляющих напряжений, что облегчает построение различных усилительных и умножительных устройств. Характеристики их аналогичны характеристикам однозатворных полевых транзисторов, только количество их больше, так как они строятся для напряжения каждого затвора при неизменном напряжении на другом затворе. Соответственно различают крутизну характеристики по первому и второму затворам, напряжение отсечки первого и второго затворов и т. д. Подача напряжений на затворы ничем не отличается от подачи напряжения на затвор однозатворного МДП-транзистора.
Рис. 4. Схема установки рабочей точки МДП- транзистора.Рис. 4. Схема установки рабочей точки МДП- транзистора.
С помощью делителя R1, R2 на затворе транзистора, включенного по схеме с общим истоком, устанавливается необходимый потенциал, а резистор в истоковой цепи Rи осуществляет ООС по постоянному току, стабилизируя режим транзистора, но можно обойтись и без него (пунктирная линия). Все это очень похоже на схему включения биполярного транзистора по схеме с общим эмиттером.
Следует только учитывать, какой потенциал базы по отношению к потенциалу истока является открывающим. Тогда иногда можно воспользоваться упрощенной схемой, без делителя напряжения.
Рис. 5. Упрощенная схема установки рабочей точки МДП и двухзатворного транзистора.Рис. 5. Упрощенная схема установки рабочей точки МДП и двухзатворного транзистора.
Протекающий через истоковый резистор Rи ток (рис. 5,А), создает на истоке положительный потенциал по отношению к общему проводу. Если теперь соединить затвор транзистора через резистор Rз с общим проводом, то на нем будет потенциал равный нулю, но более отрицательный, чем потенциал истока. Изменяя сопротивление Rи, можно устанавливать режим транзистора. Для того, чтобы не снижать усиление по переменному току, этот резистор шунтируют конденсатором, который имеет низкое сопротивление для переменного тока (на КВ — 0,1 мкФ, на НЧ — 10 -47 мкФ).
Рис. 6. Схема усилительного каскада на двухзатворном транзисторе.Рис. 6. Схема усилительного каскада на двухзатворном транзисторе.
Входной сигнал подается на первый затвор. На второй затвор, заземленный по ВЧ, подается напряжение с потенциометра R1. Изменяя это напряжение можно регулировать усиление от нуля до максимального (диапазон регулировки 20 -30 дБ по напряжению). Таким образом можно осуществлять эффективную АРУ очень простыми методами. Вместо сопротивления нагрузки Rн можно установить дроссель, трансформатор или резонансный контур.
В этой схеме есть одна маленькая закавыка: одинаковы ли по своим свойствам затворы транзистора? По идее — да, на самом деле нет. При использовании отечественных транзисторов типа КП350 и КП306 сигнал подают на первый затвор, а регулировку осуществляют по второму.
Действительно, если мы посмотрим характеристики транзистора КП350 (https://docviewer.yandex.ru/view/34544987/?*=Ly1jr90Ca%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%3D%3D&lang=ru), то увидим, что различия в коэффициенте шума первого и второго затвора нет (по крайней мере разницы не приведено). А вот крутизна характеристики по первому затвору — в среднем около 10 мА/В, а по второму — 0,7 мА/В. Понятно, что коэффициент усиления каскада будет больше при подаче сигнала на первый затвор.
Теперь возьмем импортный BF998 (https://oskolchip.ru/datasheet/BF998A_1.pdf). Про крутизну ни слова, да так и должно быть — дается усиление по мощности — около 30 дБ, и никакой разницы по затворам. Зато входная емкость первого затвора около 2 пФ, а второго — в два раза меньше — около 1 пФ. Хотя разница и не велика, но на УКВ сигнал лучше подавать на второй затвор.
Тоже самое можно сказать и про BF982 (https://datasheetspdf.com/datasheet/BF982.html). Входная емкость первого затвора — 4 пФ, второго — 1,7 пФ.
Вывод: прежде чем подавать сигнал на затвор, лучше посмотреть даташит.
Ну а теперь несколько схем усилителей на двухзатворных транзисторах.
http://ra3ggi.qrz.ru/UZLY/rd980206.htm
Рис. 7. Схема УПЧ 500 кГц, охвачен АРУ.Рис. 7. Схема УПЧ 500 кГц, охвачен АРУ.
https://vpayaem.ru/ppu.html
Рис. 8. УВЧ для приемника прямого усиления с РРУ.Рис. 8. УВЧ для приемника прямого усиления с РРУ.
https://admarkelov.ru/prostejshie-radiopriyomniki-i-radioperedatchiki/sxemy-usilitelej-vysokoj-chastoty-uvch-dlya-radiopriyomnikov.html
Рис. 9. Схема резонансного УВЧ. (обычно бывает охвачен АРУ)Рис. 9. Схема резонансного УВЧ. (обычно бывает охвачен АРУ)
http://ua3vvm.qrz.ru/vhf-shf/html/amplbf998.htm
Рис. 10. Схема малошумящего усилителя для диапазона 144 МГцРис. 10. Схема малошумящего усилителя для диапазона 144 МГц
http://www.radioscanner.ru/forum/topic44099-2.html
Рис. 11.Рис. 11.
В этой схеме подача входного сигнала и сигнала АРУ осуществляется на первый затвор транзисторов. Здесь имеется возможность установить глубину АРУ для каждого каскада индивидуально. На вторые затворы также индивидуально подаются напряжения смещения. Хотя эта схема и кажется перегруженной по сравнению с рис. 7, зато позволяет оптимизировать работу усилителя.
Всем здоровья и успехов.
Полевой транзистор | Журнал Nuts & Volts
Необходимое устройство для современной ИС
Обычно используемый биполярный транзистор , в котором электроны или дырки проходят через два PN-полупроводниковых перехода, по сути, является устройством усиления тока . Хотя напряжение может быть усилено косвенно, если используются конфигурации проводки «общий эмиттер» или «общий коллектор», все же верно, что небольшая величина входного тока всегда должна течь в базовую область транзистора для целей управления.
Другой тип полупроводникового устройства, полевой транзистор или «полевой транзистор», не так хорошо знаком многим энтузиастам электроники, возможно, потому, что его легко повредить при неправильном использовании. Полевой транзистор усиливает напряжение напрямую, а ток , необходимый для управления, настолько мал, что его невозможно измерить обычными приборами. Этот транзистор был фактически первым типом полупроводникового усилителя, теоретически предсказанным в Bell Labs еще в 1950-х годах, но он не был разработан в практическое устройство до тех пор, пока биполярный тип не стал популярным.Однако сейчас наиболее распространенным типом стали полевые транзисторы, их десятки миллионов находятся в каждой микросхеме микропроцессора.
С таким огромным количеством транзисторов, работающих в одной микросхеме, мы, конечно, не хотим, чтобы для управления каждым из них требовался большой ток — батарея быстро расходуется, а также необходимо выделять много тепла. удаленный. Кроме того, существует множество других приложений, в которых желателен сверхнизкий входной ток. Очевидный пример — первая ступень точного вольтметра, когда мы не хотим вызывать каких-либо новых падений напряжения путем отвода тока из исследуемой цепи.
Еще одним преимуществом полевого транзистора, вероятно, менее важным, является тот факт, что его входные и выходные характеристики аналогичны характеристикам электронных ламп. Поскольку лампы используются примерно с 1910 года, у нас есть большой опыт работы с ними, и некоторые конструкторы чувствуют себя более комфортно с полевыми транзисторами, чем с биполярными устройствами, особенно в усилителях звука. (Действительно ли это преимущество или нет, зависит не только от научных факторов, но и от эмоциональных факторов. Некоторые читатели могут признать автора настоящей статьи одним из первых сторонников этой активно обсуждаемой проблемы, поэтому мы не будем ее обсуждать. дальше сюда!)
В любом случае, полевой транзистор полностью реагирует на напряжение на управляющем электроде, и это можно использовать для регулирования довольно большого количества выходного тока и / или напряжения в двух других проводах.
JFET
Вместо того, чтобы делать транзистор, который проводит через оба PN перехода, когда он включен («биполярный»), один тип полевого транзистора может быть изготовлен только с одним PN переходом («однопереходный»). Поскольку он имеет переход, он называется juncFET или JFET, и упрощенная диаграмма поперечного сечения показана на , рис. 1, .
РИСУНОК 1. Упрощенное поперечное сечение полевого транзистора с рабочей схемой. Это N-канальный режим, режим истощения и обычно включен.Символ находится в правой части рисунка.
Прямоугольники, обведенные жирной линией, представляют собой твердые материалы, включая две области, которые представляют собой кремний P-типа, но не проводят заметного тока. Посередине находится область N-типа, которая может проводить весь ток. В очень простой схеме, показанной на схеме, которую читатель может легко построить, чтобы получить некоторый опыт работы с полевым транзистором, омметр выдает напряжение, а также показывает протекание тока нагрузки. Этот тип полевого транзистора обычно находится во включенном состоянии до подачи какого-либо управляющего напряжения.Если потенциометр 5K настроен так, что на «затворе» нет напряжения (перемещая его стрелку вниз, как показано на схеме), то «положительный» ток нагрузки от омметра переходит в верхний левый угол полевого транзистора, а затем вниз. в самый верхний металл, затем вниз через сплошной кремний N-типа и из транзистора через нижний металл. (Области «Бык» — изоляторы из диоксида кремния.)
Диаграмма построена не в масштабе, а прямоугольники показывают области, размер которых на самом деле составляет всего около микрона.(Более формальное обозначение размера — «микрометр», что составляет миллионную долю метра.) Металл обычно представляет собой тонкую алюминиевую или медную пленку толщиной около микрона, и вся конфигурация иногда бывает более сложной, чем показано на этой упрощенной диаграмме. Кремний P-типа (справа, как показано здесь) в основном является просто механической опорой для меньших активных областей, которые проводят. Его часто называют «субстратом».
Чтобы выключить транзистор, настройку потенциометра 5K можно увеличить, чтобы получить отрицательное управляющее напряжение.Это заряжает область P-типа, но электричество практически не течет, потому что имеется «обратносмещенный» PN переход (отрицательное напряжение на кремнии P-типа и положительное на N). Однако этот заряд сильно отталкивает электроны от очень тонкого проводящего «канала» N-типа в середине. Здесь образуется зона обеднения, содержащая меньше электронов, поэтому кремний внутри овала, показанного пунктирной линией, становится внутренним (I-тип, как обозначено буквой I в скобках), который является изолирующим, и полевой транзистор перестает проводить.Такой тип поведения называется «режимом истощения». Поскольку управляющее действие осуществляется электрическим полем (а не носителями, текущими в базовую область), все устройство называется полевым транзистором , или «полевым транзистором».
Один металлический электрод называется истоком, один — затвором, а третий — стоком, аналогично эмиттеру, базе и коллектору в биполярном транзисторе. Это «N-канальное» устройство, потому что ток проходит через кремний N-типа. Символ отображается справа от поперечного сечения.Другой тип JFET, устройство с «P-каналом», имеет полупроводниковые области P и N противоположного типа, поэтому стрелка в символе направлена в сторону от канала. Этот тип ворот должен быть заряжен положительно, чтобы перекрыть канал, отталкивая дыры. Он не так распространен, как показанный здесь, но он существует и может быть полезен для специальных целей.
Диод постоянного тока
Интересным применением JFET является «диод постоянного тока». Общий эффект от этого аналогичен эффекту биполярного регулятора напряжения, за исключением того, что здесь регулируется ток , , а не напряжение.Это может быть очень простая схема, как показано на Рисунок 2 , диаграмма B.
РИСУНОК 2. N-канальный JFET-транзистор, подключенный к саморегулирующемуся устройству с постоянным током, с символом, показанным рядом с ним слева. Два других символа справа относятся к источникам постоянного тока, в том числе к источникам питания, например батареям.
Если посмотреть на отрицательный ток, который течет вверх через резистор, некоторая его часть будет направлена на затвор, который частично отключает полевой транзистор.Это отрицательная обратная связь, поэтому, если ток в цепи начинает расти, транзистор отключается еще больше. Таким образом, протекает меньше тока, пока не будет достигнут некоторый постоянный уровень тока. Полевой транзистор и потенциометр находятся внутри изоляционного пластикового «пакета». Все это вместе с источником питания, таким как батарея (здесь не показана), символизируется двумя перекрывающимися кругами, Рисунок 2 , диаграмма C. Иногда используется альтернативный символ со стрелкой вверх, особенно в Европе, как показано. на диаграмме D.
МОП-транзистор
Другой тип полевого транзистора проиллюстрирован на рис. 3 , металл-оксид-полупроводник или «МОП» устройство.
РИСУНОК 3. Упрощенная диаграмма поперечного сечения полевого МОП-транзистора с рабочей схемой. Это N-канальный режим, режим улучшения и обычно выключен. Справа показаны два альтернативных символа.
В этом транзисторе используется изолирующий диоксид кремния для предотвращения попадания тока затвора в основной полупроводник вместо обратносмещенного перехода, который использовался в полевом транзисторе.Его иногда называют IGFET из-за изолированного затвора. Это нормально выключенное устройство, которое нужно включить каким-либо действием, поэтому оно называется устройством «улучшенного режима». (IGFET также может быть выполнен в режиме истощения.)
На рисунке, если потенциометр понижен до нуля, то ток батареи, проходящий через лампочку и транзистор, будет остановлен одним из PN-переходов. На этой диаграмме это верхний, который имеет обратное смещение.(Первоначально пунктирная линия и область N посередине отсутствуют.)
Если стрелка потенциометра поднята, и теперь к затвору приложен положительный потенциал, дыры в кремнии P-типа отталкиваются, в результате чего эта область становится N-типа (на что указывает N в скобках). Теперь нет соединения PN непосредственно на пути между верхней и нижней областями N-типа, потому что все это одна непрерывная область N-типа (нарисованная как вертикальная черта, с пунктирной линией как один край).Этот транзистор также является N-канальным, потому что электричество проходит через кремний N-типа, когда он включен.
Если читатель желает получить некоторый опыт работы с полевым МОП-транзистором, можно установить амперметр, как показано на рис. , рис. 3 , чтобы показать, что измеримый ток не течет в затвор, даже когда горит лампочка. На этой схеме мультиметр был переключен на измерение тока, и он перемещен к выводу затвора. (Эту схему также можно использовать для эксперимента с полевым транзистором. Экспериментатор должен отметить, что меры предосторожности для предотвращения повреждения МОП-устройств описаны в разделе «Чувствительность к электростатическому разряду» ниже.)
Символы для полевого МОП-транзистора показаны справа. Стрелка в этом случае указывает, что электрод «истока» внутренне соединен с подложкой, что часто делается, если один из PN-переходов не будет использоваться.
Если бы устройство было P-каналом, исток и сток были бы P-типа, а стрелка была бы направлена в сторону от подложки N-типа.
Характеристические кривые и линия нагрузки
В типичных «спецификациях» полевых транзисторов используются форматы, аналогичные форматам электронных ламп.Форма кривых почти такая же, но напряжения обычно намного ниже. На входе — V GS , на выходе — I D . В этом случае MOSFET типа 2N7000 используется в N-канальном режиме расширения.
«Линия нагрузки» показана здесь пунктирной линией. Его наклон представляет собой эффект сопротивления нагрузки (например, лампочка на рис. 4 , ), и он весьма полезен как способ показать величину тока в любой ситуации.
РИСУНОК 4. Характеристические кривые для полевого МОП-транзистора 2N7000 с линией нагрузки.
В случае, показанном здесь, сопротивление нагрузки составляет 1000 Ом, а напряжение V DS составляет 20 вольт. Пунктирная линия нагрузки проведена от максимально возможного напряжения (показано здесь как B) до максимально возможного тока с этой конкретной нагрузкой, который составляет 20 В / 1 кВт = 20 мА (показано как A). Если транзистор частично включен (V GS = 3 вольта), ток стока будет около 11 мА, как показано пересечением (кружок под буквой C).
CMOS
Два МОП-транзистора противоположного типа могут быть подключены, как на рис. 5 , , в комплементарной конфигурации МОП («КМОП») .
РИСУНОК 5. Пара CMOS транзисторов. При отсутствии входного сигнала ток очень низкий.
Когда на вход не подается сигнал, один из транзисторов всегда «выключен», поэтому практически нулевой ток может проходить от источника питания вниз через резистор, а затем через пару транзисторов.Когда сигнал поступает на вход, ток нагрузки может поступать с выходной клеммы либо при высоком (V +), либо при низком (заземление) напряжении, в зависимости от полярности входного напряжения. Однако в ситуациях, когда нет входа, общий ток практически равен нулю.
В современных интегральных схемах миллионы транзисторов подключены параллельно, поэтому, если бы только микроампер «тока утечки» протекал через каждый из неиспользуемых транзисторов, ампер или более все равно потреблялись бы от источника питания или батареи.Это будет генерировать много тепла, а также слишком быстро разряжать батареи для портативных устройств. Поэтому почти все современные калькуляторы, портативные компьютеры, сотовые телефоны и т. Д. По возможности используют схемы CMOS.
Чувствительность к электростатическому разряду
МОП-транзистор особенно чувствителен к повреждению статическим электричеством, которое возникает, когда человек идет по ковру в сухую погоду. Искра, которую создает человек при прикосновении к металлической лицевой панели выключателя света, называется электростатическим разрядом , или «ESD», но полевой МОП-транзистор может быть поврежден, даже если статического электричества недостаточно, чтобы образовалась видимая искра.
Статическое электричество может разрушить очень тонкий оксид кремния, изолирующий затвор. Некоторые МОП-транзисторы защищены стабилитронами, подключенными параллельно им внутри корпусов, но большинство из них не защищены. Чтобы предотвратить повреждение, люди, работающие с IGFET, всегда должны соблюдать эти две меры предосторожности:
- Касайтесь только пластиковой изоляции руками, а не металлическими выводами;
- Используйте заземленный браслет.
Последний представляет собой пластиковую ленту (обычно черного или розового цвета), которая проводит электричество и прикрепляется к длинному проводу.Его следует закрепить на любом запястье, касаясь кожи человека, а затем другой конец провода подсоединить к надежному заземлению, например к водопроводу. NV
Список деталей
| JFET | N-канал |
| Потенциометр | 5000 Ом |
| Силовой полевой МОП-транзистор | N-канал |
| Колба лампы | Вольфрам, 12 В, 40 мА |
| Аккумулятор | Девять Вольт |
| Мультиметр | |
| Антистатический браслет |
Полевой транзистор — Схема 2D PCM
Полевой транзистор ( FET ) — это транзистор, который использует электрическое поле для управления электрическим поведением устройства.Полевые транзисторы также известны как униполярные транзисторы , поскольку они работают с одной несущей. Существует множество различных реализаций полевых транзисторов. Полевые транзисторы обычно демонстрируют очень высокое входное сопротивление на низких частотах. Проводимость между выводами стока и истока регулируется электрическим полем в устройстве, которое создается разностью напряжений между корпусом и затвором устройства.
История
Полевой транзистор был впервые запатентован Джулиусом Эдгаром Лилиенфельдом в 1926 году и Оскаром Хейлом в 1934 году, но практические полупроводниковые устройства (JFET) были разработаны намного позже после того, как эффект транзистора был обнаружен и объяснен командой Уильяма Шокли в Bell Labs в 1947 году, сразу после истечения 20-летнего срока действия патента.
Первым типом JFET (переходного полевого транзистора) был транзистор статической индукции (SIT), изобретенный японскими инженерами Дзюн-ичи Нисидзава и Ю. Ватанабе в 1950 году. SIT — это тип JFET с короткой длиной канала. . [1] MOSFET, который в значительной степени заменил JFET и оказал глубокое влияние на развитие цифровой электроники, был изобретен Давоном Кангом и Мартином Аталлой в 1959 году. [2]
Основная информация
Полевые транзисторымогут быть устройствами с основными носителями заряда, в которых ток переносится преимущественно по основным носителям, или устройствами с неосновными носителями заряда, в которых ток в основном возникает из-за потока неосновных носителей. [3] Устройство состоит из активного канала, по которому носители заряда, электроны или дырки, текут от истока к стоку. Проводники истока и стока подключаются к полупроводнику через омические контакты. Проводимость канала является функцией потенциала, приложенного к клеммам затвора и истока.
Три клеммы полевого транзистора: [4]
- Источник (S), через который несущие входят в канал. Обычно ток, поступающий в канал в точке S, обозначается I S .
- Слив (D), через который носители покидают канал. Обычно ток, поступающий в канал в точке D, обозначается I D . Напряжение сток-исток составляет В DS .
- Gate (G), клемма, которая модулирует проводимость канала. Подавая напряжение на G, можно управлять I D .
Подробнее о клеммах
Все полевые транзисторы имеют выводы истока , стока и затвора клемм, которые примерно соответствуют эмиттеру , коллектору и основанию BJT.Большинство полевых транзисторов имеют четвертый вывод, называемый корпусом , основанием , массивом или подложкой . Этот четвертый вывод служит для смещения транзистора в работу; редко используется нетривиальный вывод корпуса в схемотехнике, но его наличие важно при настройке физического расположения интегральной схемы. Размер затвора, длина L на схеме, — это расстояние между истоком и стоком. Ширина — это расширение транзистора в направлении, перпендикулярном поперечному сечению на схеме (т.е.е., в / из экрана). Обычно ширина намного больше длины ворот. Длина затвора 1 мкм ограничивает верхнюю частоту примерно до 5 ГГц, от 0,2 мкм до примерно 30 ГГц.
Названия терминалов относятся к их функциям. Терминал ворот можно рассматривать как управляющий открытием и закрытием физических ворот. Этот затвор позволяет электронам проходить через или блокирует их прохождение, создавая или устраняя канал между истоком и стоком. На поток электронов от вывода истока к выводу стока влияет приложенное напряжение.Под телом понимается основная часть полупроводника, в котором находятся затвор, исток и сток. Обычно вывод на корпусе подключается к самому высокому или самому низкому напряжению в цепи, в зависимости от типа полевого транзистора. Вывод на корпусе и вывод источника иногда соединяются вместе, поскольку источник часто подключается к самому высокому или наименьшему напряжению в цепи, хотя есть несколько применений полевых транзисторов, которые не имеют такой конфигурации, например, затворы передачи и каскодные схемы.
Влияние напряжения затвора на ток
Полевой транзистор управляет потоком электронов (или электронных дырок) от истока к стоку, влияя на размер и форму «проводящего канала», создаваемого и находящегося под влиянием напряжения (или отсутствия напряжения), приложенного к клеммам затвора и истока. (Для простоты в этом обсуждении предполагается, что корпус и исток соединены.) Этот проводящий канал является «потоком», через который электроны текут от истока к стоку.
n-канальный
В устройстве с n-канальным режимом истощения отрицательное напряжение затвор-исток заставляет область истощения расширяться по ширине и вторгаться в канал с боков, сужая канал.Если активная область расширяется, чтобы полностью закрыть канал, сопротивление канала от истока до стока становится большим, и полевой транзистор эффективно выключается, как переключатель (см. Рисунок справа, когда есть очень маленький ток). Это называется отсечкой , , а напряжение, при котором это происходит, называется напряжением отсечки . И наоборот, положительное напряжение затвор-исток увеличивает размер канала и позволяет электронам легко течь (см. Правый рисунок, когда есть канал проводимости и ток большой).
В n-канальном устройстве с расширенным режимом , проводящий канал не существует естественным образом внутри транзистора, и для его создания необходимо положительное напряжение затвор-исток. Положительное напряжение привлекает свободно плавающие электроны внутри тела к затвору, образуя проводящий канал. Но сначала необходимо привлечь достаточное количество электронов возле затвора, чтобы противодействовать ионам легирующей примеси, добавленным к корпусу полевого транзистора; это формирует область без мобильных несущих, называемую областью истощения, а напряжение, при котором это происходит, называется пороговым напряжением полевого транзистора.Дальнейшее увеличение напряжения затвор-исток привлечет к затвору еще больше электронов, которые могут создать токопроводящий канал от истока к стоку; этот процесс называется инверсией .
р-канал
В устройстве с режимом истощения с р-каналом положительное напряжение от затвора к телу создает обедненный слой, заставляя положительно заряженные дырки к границе затвор-изолятор / полупроводник, оставляя открытой без носителей область неподвижного, отрицательно заряженные акцепторные ионы.
Влияние напряжения истока / стока на канале
Для устройств с расширенным или обедненным режимом при напряжениях сток-исток, намного меньших, чем напряжения затвор-исток, изменение напряжения затвора приведет к изменению сопротивления канала, а ток стока будет пропорционален напряжению стока (относительно напряжение источника). В этом режиме полевой транзистор работает как переменный резистор, и говорят, что полевой транзистор работает в линейном режиме или в омическом режиме . [5] [6]
Если напряжение сток-исток увеличивается, это создает значительное асимметричное изменение формы канала из-за градиента потенциала напряжения от истока к стоку.Форма области инверсии становится «защемленной» около дренажного конца канала. При дальнейшем увеличении напряжения сток-исток точка отсечки канала начинает перемещаться от стока к истоку. Сообщается, что полевой транзистор находится в режиме насыщения ; [7] , хотя некоторые авторы называют его активным режимом , , для лучшей аналогии с рабочими областями биполярного транзистора. [8] [9] Режим насыщения или область между омическим состоянием и насыщением используется, когда необходимо усиление.Промежуточная область иногда считается частью омической или линейной области, даже если ток стока не является приблизительно линейным с напряжением стока.
Даже несмотря на то, что проводящий канал, образованный напряжением затвор-исток, больше не соединяет исток со стоком в режиме насыщения, поток несущих не блокируется. Рассматривая снова n-канальное устройство с улучшенным режимом, в корпусе p-типа существует обедненная область, окружающая проводящий канал, а также области стока и истока.Электроны, составляющие канал, могут свободно выходить из канала через область обеднения, если они притягиваются к стоку напряжением сток-исток. Область обеднения свободна от носителей и имеет сопротивление, подобное кремнию. Любое увеличение напряжения сток-исток увеличит расстояние от стока до точки отсечки, увеличивая сопротивление области истощения пропорционально приложенному напряжению сток-исток. Это пропорциональное изменение приводит к тому, что ток сток-исток остается относительно постоянным, независимо от изменений напряжения сток-исток, в отличие от его омического поведения в линейном режиме работы.Таким образом, в режиме насыщения полевой транзистор ведет себя как источник постоянного тока, а не как резистор, и может эффективно использоваться в качестве усилителя напряжения. В этом случае напряжение затвор-исток определяет уровень постоянного тока через канал.
Композиция
Полевые транзисторымогут быть построены из различных полупроводников, наиболее распространенным из которых является кремний. Большинство полевых транзисторов изготавливаются из обычных массивных методы обработки полупроводников с использованием монокристаллической полупроводниковой пластины в качестве активной области или канала.
Среди наиболее необычных материалов корпуса — аморфный кремний, поликристаллический кремний или другие аморфные полупроводники в тонкопленочных транзисторах или органические полевые транзисторы (OFET), основанные на органических полупроводниках; Часто изоляторы и электроды затворов OFET также изготавливаются из органических материалов. Такие полевые транзисторы изготавливаются с использованием различных материалов, таких как карбид кремния (SiC), арсенид галлия (GaAs), нитрид галлия (GaN) и арсенид индия-галлия (InGaAs).
В июне 2011 года IBM объявила об успешном использовании полевых транзисторов на основе графена в интегральной схеме. [10] [11] Эти транзисторы имеют частоту среза около 2,23 ГГц, что намного выше, чем у стандартных кремниевых полевых транзисторов. [12]
Типы
Канал полевого транзистора легирован для получения полупроводника n-типа или полупроводника p-типа. Сток и исток могут быть легированы противоположным типом по отношению к каналу, в случае полевых транзисторов режима улучшения, или легированы легированием аналогичного типа по отношению к каналу, как в полевых транзисторах режима обеднения. Полевые транзисторы также различаются по способу изоляции между каналом и затвором.Типы полевых транзисторов включают:
- JFET (полевой транзистор) использует p – n-переход с обратным смещением для отделения затвора от корпуса.
- MOSFET (полевой транзистор металл-оксид-полупроводник) использует изолятор (обычно SiO 2 ) между затвором и корпусом.
- В транзисторе MNOS (металл – нитрид – оксид – полупроводник) используется изолятор из нитридно-оксидного слоя между затвором и корпусом.
- DGMOSFET (МОП-транзистор с двумя затворами) представляет собой полевой транзистор с двумя изолированными затворами.
- DEPFET — это полевой транзистор, сформированный на полностью обедненной подложке, который одновременно действует как датчик, усилитель и узел памяти. Его можно использовать как датчик изображения (фотона).
- FREDFET (эпитаксиальный диодный полевой транзистор с быстрым реверсом или быстрым восстановлением) — это специализированный полевой транзистор, предназначенный для обеспечения очень быстрого восстановления (выключения) внутреннего диода.
- HIGFET (полевой транзистор с изолированным затвором с гетероструктурой) в настоящее время используется в основном в исследовательских целях. [13]
- MODFET (полевой транзистор с модуляционным легированием) использует структуру с квантовыми ямами, образованную градиентным легированием активной области.
- TFET (туннельный полевой транзистор) основан на межполосном туннелировании. [14]
- IGBT (биполярный транзистор с изолированным затвором) представляет собой устройство для управления мощностью. Он имеет структуру, похожую на полевой МОП-транзистор, соединенный с биполярным основным проводящим каналом. Они обычно используются в диапазоне рабочего напряжения сток-исток 200–3000 В.Силовые полевые МОП-транзисторы по-прежнему являются предпочтительным устройством для напряжений сток-исток от 1 до 200 В.
- HEMT (транзистор с высокой подвижностью электронов), также называемый HFET (гетероструктурный полевой транзистор), может быть изготовлен с использованием технологии запрещенной зоны в тройном полупроводнике, таком как AlGaAs. Полностью обедненный материал с широкой запрещенной зоной образует изоляцию между затвором и корпусом.
- ISFET (ионно-чувствительный полевой транзистор) может использоваться для измерения концентрации ионов в растворе; когда концентрация ионов (например, H + , см. pH-электрод) изменяется, ток через транзистор соответственно изменится.
- BioFET (биологически чувствительный полевой транзистор) — это класс датчиков / биосенсоров, основанных на технологии ISFET, которые используются для обнаружения заряженных молекул; когда присутствует заряженная молекула, изменения электростатического поля на поверхности BioFET приводят к измеримому изменению тока через транзистор. К ним относятся EnFET, ImmunoFET, GenFET, DNAFET, CPFET, BeetleFET и FET, основанные на связывании ионных каналов / белков. [15]
- MESFET (полевой транзистор металл-полупроводник) заменяет p − n-переход полевого транзистора с барьером Шоттки; и используется в GaAs и других полупроводниковых материалах AIIIBV.
- NOMFET — полевой транзистор с органической памятью в виде наночастиц. [16]
- В GNRFET (полевой транзистор с графеновой нанолентой) в качестве канала используется графеновая нанолента. [17]
- VeSFET (полевой транзистор с вертикальной щелью) представляет собой полевой транзистор квадратной формы без перехода с узкой щелью, соединяющей исток и сток в противоположных углах. Два затвора занимают другие углы и контролируют ток через щель. [18]
- CNTFET (полевой транзистор на углеродных нанотрубках).
- В канале OFET (органический полевой транзистор) используется органический полупроводник.
- DNAFET (полевой транзистор ДНК) — это специализированный полевой транзистор, который действует как биосенсор, использующий затвор, сделанный из одноцепочечных молекул ДНК, для обнаружения совпадающих цепей ДНК.
- QFET (транзистор с квантовым полевым эффектом) использует преимущества квантового туннелирования для значительного увеличения скорости работы транзистора за счет исключения традиционной транзисторной области электронной проводимости.
Преимущества
Одним из преимуществ полевого транзистора является его высокое сопротивление затвора по отношению к основному току, порядка 100 МОм или более, что обеспечивает высокую степень изоляции между управлением и потоком. Поскольку шум базового тока будет увеличиваться со временем формирования, [19] полевой транзистор обычно производит меньше шума, чем биполярный переходной транзистор (BJT), и поэтому встречается в чувствительной к шуму электронике, такой как тюнеры и малошумящие усилители для УКВ и спутников. приемники. Он относительно невосприимчив к радиации.Он не показывает напряжения смещения при нулевом токе стока и, следовательно, представляет собой отличный прерыватель сигнала. Обычно он имеет лучшую термическую стабильность, чем BJT. [4] Поскольку они управляются зарядом затвора, при закрытии или открытии затвора отсутствует дополнительная потребляемая мощность, как это было бы с биполярным переходным транзистором или с реле без фиксации в некоторых состояниях. Это позволяет осуществлять переключение с очень низким энергопотреблением, что, в свою очередь, позволяет добиться большей миниатюризации схем, поскольку потребности в рассеивании тепла снижаются по сравнению с другими типами переключателей.
Недостатки
Он имеет относительно низкое произведение коэффициента усиления и полосы пропускания по сравнению с BJT. Недостатком полевого МОП-транзистора является то, что он очень чувствителен к перегрузкам, что требует особого обращения во время установки. [20] Хрупкий изолирующий слой полевого МОП-транзистора между затвором и каналом делает его уязвимым для электростатических повреждений или изменений порогового напряжения во время работы. Обычно это не проблема после того, как устройство было установлено в правильно спроектированной цепи.
Полевые транзисторы часто имеют очень низкое сопротивление при включении и высокое сопротивление при выключении. Однако промежуточные сопротивления значительны, и поэтому полевые транзисторы могут рассеивать большое количество энергии при переключении. Таким образом, эффективность может иметь большое значение для быстрого переключения, но это может вызвать переходные процессы, которые могут возбуждать паразитные индуктивности и генерировать значительные напряжения, которые могут возникать на затворе и вызывать непреднамеренное переключение. Поэтому схемы на полевых транзисторах могут потребовать очень тщательной компоновки и могут включать компромисс между скоростью переключения и рассеиваемой мощностью.Также существует компромисс между номинальным напряжением и сопротивлением во включенном состоянии, поэтому полевые транзисторы высокого напряжения имеют относительно высокое сопротивление во включенном состоянии и, следовательно, потери проводимости.
Использует
Наиболее часто используемый полевой транзистор — это полевой МОП-транзистор. Технологический процесс CMOS (дополнительный металлооксидный полупроводник) является основой современных цифровых интегральных схем. В этом технологическом процессе используется схема, в которой (обычно «режим улучшения») p-канальный MOSFET и n-канальный MOSFET соединены последовательно, так что, когда один из них включен, другой выключен.
В полевых транзисторах электроны могут течь через канал в любом направлении при работе в линейном режиме. Соглашение об именах выводов стока и истока несколько произвольно, поскольку устройства обычно (но не всегда) построены симметрично от истока до стока. Это делает полевые транзисторы подходящими для переключения аналоговых сигналов между трактами (мультиплексирование). Используя эту концепцию, можно, например, сконструировать твердотельную микшерную панель.
Обычно полевой транзистор используется в качестве усилителя.Например, из-за большого входного сопротивления и низкого выходного сопротивления он эффективен в качестве буфера в конфигурации с общим стоком (истоковый повторитель).
БТИЗ используются для переключения катушек зажигания двигателей внутреннего сгорания, где важны возможности быстрого переключения и блокировки напряжения.
Транзистор с истоковым затвором
Транзисторы с истоковым затвором более устойчивы к производственным и экологическим проблемам в электронике большой площади, такой как экраны дисплеев, но работают медленнее, чем полевые транзисторы. [21]
См. Также
% PDF-1.2 % 124 0 объект > эндобдж xref 124 87 0000000016 00000 н. 0000002091 00000 н. 0000002784 00000 н. 0000003002 00000 п. 0000003176 00000 п. 0000003334 00000 н. 0000003512 00000 н. 0000003723 00000 н. 0000004064 00000 н. 0000004351 00000 п. 0000004590 00000 н. 0000004801 00000 п. 0000005027 00000 н. 0000005257 00000 н. 0000005486 00000 н. 0000005679 00000 н. 0000006126 00000 н. 0000006427 00000 н. 0000006730 00000 н. 0000007158 00000 н. 0000007537 00000 н. 0000007859 00000 н. 0000013480 00000 п. 0000013565 00000 п. 0000013669 00000 п. 0000014010 00000 п. 0000015139 00000 п. 0000015246 00000 п. 0000015358 00000 п. 0000015720 00000 п. 0000016139 00000 п. 0000016503 00000 п. 0000016744 00000 п. 0000016855 00000 п. 0000017024 00000 п. 0000017238 00000 п. 0000017397 00000 п. 0000017563 00000 п. 0000018071 00000 п. 0000018458 00000 п. 0000018852 00000 п. 0000019263 00000 п. 0000019580 00000 п. 0000019691 00000 п. 0000020055 00000 п. 0000020290 00000 н. 0000020446 00000 п. 0000020679 00000 п. 0000021010 00000 п. 0000021277 00000 п. 0000021485 00000 п. 0000021807 00000 п. 0000022194 00000 п. 0000022468 00000 п. 0000022813 00000 п. 0000023006 00000 п. 0000023304 00000 п. 0000023463 00000 п. 0000023766 00000 п. 0000024106 00000 п. 0000024530 00000 п. 0000024816 00000 п. 0000025189 00000 п. 0000025426 00000 п. 0000025721 00000 п. 0000026370 00000 п. 0000026678 00000 п. 0000026932 00000 п. 0000027226 00000 п. 0000027615 00000 н. 0000027638 00000 п. 0000030396 00000 п. 0000030419 00000 п. 0000032707 00000 п. 0000032730 00000 п. 0000035476 00000 п. 0000035499 00000 п. 0000037713 00000 п. 0000037736 00000 п. 0000040221 00000 п. 0000040244 00000 п. 0000042465 00000 п. 0000042488 00000 п. 0000044725 00000 п. 0000044748 00000 п. 0000002148 00000 н. 0000002762 00000 н. трейлер ] >> startxref 0 %% EOF 125 0 объект > эндобдж 209 0 объект > транслировать Hc«a`Ha`g`sd` @
Произошла ошибка при настройке вашего пользовательского файла cookie
Этот сайт использует файлы cookie для повышения производительности.Если ваш браузер не принимает файлы cookie, вы не можете просматривать этот сайт.
Настройка вашего браузера для приема файлов cookie
Существует множество причин, по которым cookie не может быть установлен правильно. Ниже приведены наиболее частые причины:
- В вашем браузере отключены файлы cookie. Вам необходимо сбросить настройки своего браузера, чтобы он принимал файлы cookie, или чтобы спросить вас, хотите ли вы принимать файлы cookie.
- Ваш браузер спрашивает вас, хотите ли вы принимать файлы cookie, и вы отказались.Чтобы принять файлы cookie с этого сайта, нажмите кнопку «Назад» и примите файлы cookie.
- Ваш браузер не поддерживает файлы cookie. Если вы подозреваете это, попробуйте другой браузер.
- Дата на вашем компьютере в прошлом. Если часы вашего компьютера показывают дату до 1 января 1970 г., браузер автоматически забудет файл cookie. Чтобы исправить это, установите правильное время и дату на своем компьютере.
- Вы установили приложение, которое отслеживает или блокирует установку файлов cookie.Вы должны отключить приложение при входе в систему или проконсультироваться с системным администратором.
Почему этому сайту требуются файлы cookie?
Этот сайт использует файлы cookie для повышения производительности, запоминая, что вы вошли в систему, когда переходите со страницы на страницу. Чтобы предоставить доступ без файлов cookie потребует, чтобы сайт создавал новый сеанс для каждой посещаемой страницы, что замедляет работу системы до неприемлемого уровня.
Что сохраняется в файле cookie?
Этот сайт не хранит ничего, кроме автоматически сгенерированного идентификатора сеанса в cookie; никакая другая информация не фиксируется.
Как правило, в cookie-файлах может храниться только информация, которую вы предоставляете, или выбор, который вы делаете при посещении веб-сайта. Например, сайт не может определить ваше имя электронной почты, пока вы не введете его. Разрешение веб-сайту создавать файлы cookie не дает этому или любому другому сайту доступа к остальной части вашего компьютера, и только сайт, который создал файл cookie, может его прочитать.
От цветных телевизоров до «Монополии», эти изобретения и компании зародились в Южном Джерси.
Чаша томатного супа Кэмпбелла, чашка кофе в закусочной, деревянные санки, стеклянные бутылки, фильм о проезде на автомобиле и пляжный курорт могут показаться иметь мало общего.
Что общего у этих вещей, которые повлияли на жизни людей во всем мире, так это то, что они либо были задуманы в Южном Джерси, либо родились здесь.
Регион штата к югу от Трентона имеет не только значительную сельскохозяйственную, промышленную и технологическую историю первых открытий, но и более длительную историю открытий в качестве одной из 13 первых американских колоний и первых 13 штатов.
«Нью-Джерси давно известен как штат Гарден и, в частности, Южный Джерси, но Южный Джерси также был и остается в авангарде инновационного штата с бесконечными изобретениями, технологическими разработками и достижениями в медицине», — сказал Пол Шопп, помощник директора Центра культуры и истории Южного Джерси при Стоктонском университете в Помоне.
«До промышленной революции было много мужчин и женщин, которые были мастерами и новаторами до появления массового производства».
Изобретения, открытия и исследования привели к развитию выращивания фруктов и овощей, другой пищевой и непищевой промышленности и даже к открытиям, связанным с отдыхом и спортом, в том числе благодаря уникальным почвам и лесам региона.
Кофе Lacas в Jersey Girl Coffee, Bagel and Grill в городке Лонг-Бич
И хотя он изобилует природными ресурсами, в первую очередь пайнелендами Нью-Джерси площадью миллион акров, Южный Джерси также занимает уникальное положение на реке Делавэр.Камден находится в крупном портовом районе для торговли с Филадельфией. И это включает в себя шоссе между штатами, Нью-Джерси Тернпайк и Гарден-Стейт-Парквей, которые способствуют транспортировке продуктов питания и других товаров.
Сегодня регион остается инновационным, с технологическими достижениями в таких сферах, как оборонная промышленность и разработка продуктов питания.
От важнейшего элемента национального времяпрепровождения до технологий, позволяющих использовать полосу самопроверки, вот лишь некоторые из изобретений и открытий, сделанных на нашем заднем дворе, и произведенных только в Южном Джерси. изменили жизни или сделали жизнь более приятной по всему миру:
История продолжается
Бейсбол, натирающий грязь
Джим Бинтлифф отражается в мутной воде, когда выкапывает грязь из небольшого ручья на юге Нью-Джерси в 2005 году.Более 50 лет компания Bintliff’s Lena Blackburne Baseball Rubbing Mud поставляет высококачественную грязь Высшей лиге бейсбола, чтобы получить новые блестящие бейсбольные мячи, готовые к игре. (Фото из архива AP / Coke Whitworth)
Бейсболисты Высшей лиги — и особенно питчеры — никогда не любили блестящие бейсбольные мячи, поэтому они пробовали разные твердые вещества, чтобы стереть блеск с кожи для лучшего сцепления.
Игрок и бывший тренер Филадельфии по легкой атлетике Рассел Обри «Лена» Блэкберн задался целью найти более стойкую выдержку.Он обнаружил идеальную влажную почву вдоль реки Делавэр в Пальмире, где он учился в средней школе.
Грязь для бейсбола Лены Блэкберн использовалась для бейсбольных мячей перед играми с 1950 года, сначала в Американской лиге, а затем в обеих лигах.
После того, как источник бурового раствора был утерян для разработки, похожий навоз был обнаружен вдоль ручья округа Берлингтон на участке, который несколько раз в год разрабатывался президентом компании по добыче бурового раствора Джимом Бинтлиффом. Он унаследовал бизнес и недавно переехал из Maple Shade в Лонгпорт.
Пляжные курорты
Шезлонги на пляже в Кейп-Мэй.
Атлантик-Сити стал самым известным городом на берегу Джерси к 1900-м годам как «игровая площадка мира», но это был не первый пляжный курорт в Америке.
Другой пляжный город на юге — Кейп-Мей — имеет это отличие, став курортом еще до того, как 13 колоний провозгласили независимость от Англии.
Кейп-Мэй — самая южная точка Нью-Джерси, где встречаются Атлантический океан и залив Делавэр.Согласно местным историкам, к 1761 году город уже был морским курортом. Спустя столетие были построены дома викторианской эпохи и другие здания, многие из которых сохранились до сих пор. Эта эпоха истории привела к тому, что весь муниципалитет был признан на федеральном уровне национальным историческим памятником города.
The Boardwalk
Купальщики, которые стекались в Атлантик-Сити в 1800-х годах, резвились в океанских волнах и заполонили песок у кромки воды, но топать по горячему песку для прогулочных прогулок или посещения приморских предприятий было грязным и утомительным занятием.
В 1870 году Александр Бордман построил первую секцию, ставшую первым в мире прибрежным променадом. Купальщикам было легче прогуляться по набережной Boardwalk, чем по мелкозернистому песку.
Взгляд вверх по променаду в сторону Стального пирса, около 1963 года. Вывески на крыше рекламируют выставку General Motors, давнюю достопримечательность, на которой каждый сезон появляются новые автомобили. Магазин Planters Peanuts слева.
Променад расширился и привлек к себе внимание роскошных викторианских отелей, а также магазинов одежды и сладостей, таких как Fralingers и James с соленой водой ириски, название популярного летнего угощения, вероятно, придуманного в Атлантик-Сити.
Знаменитый Стальной пирс долгие годы правил променадом как место проведения живых развлечений, пока не появились казино. Сейчас пристань — место развлечений.
Голубика
Элизабет Уайт из Уайтсбога в Пембертоне, графство Берлингтон, первой начала выращивать чернику в качестве культуры.
2007 — Деталь корзины с черникой, собранной на ферме Mood’s Farm в Mullica Hill.
Она привлекла местных индейцев Америки и других местных «сосен», чтобы они принесли ей чернику, которая росла в дикой природе на кустах в Пайнеландс.Она взяла лучшие сорта, вырастила их и собрала первый урожай в 1916 году.
Ее сотрудничество с ботаником Верноном Ковиллом привело к выращиванию и коммерциализации черники, а также к репутации Нью-Джерси таких лакомств, как черничный пирог.
Винодельческая промышленность штата Нью-Джерси процветает: Здесь можно найти все винодельни в Гарден-Стейт
Burlington Coat Factory
Теперь известный только как Burlington Stores и один из крупнейших розничных торговцев текстилем и мебелью для дома, бизнес начался в Берлингтоне. , Нью-Джерси, а не в более известном и крупном Берлингтоне, штат Вермонт, как некоторые ошибочно думают.
Семейное предприятие открылось в 1972 году под названием Burlington Coat Factory. В Берлингтоне был только один магазин. Сегодня это крупный ритейлер с более чем 70 магазинами в 40 штатах и Пуэрто-Рико, но его корпоративная штаб-квартира по-прежнему находится в Берлингтон-Тауншип, Нью-Джерси.
Несмотря на изменение названия, большинство людей все еще называют его фабрикой по производству пальто.
Campbell’s Soup
Campbell Soup Company нашла свой дом в Камдене «M’m! M’m! Good!» более 150 лет.
Самая известная компания в области консервированного супа, Campbell сохраняет свою штаб-квартиру в городе, хотя ее первое производственное предприятие в этом городе — первое в мире по производству конденсированного супа — закрылось более 30 лет назад.
Томат, его первый и самый популярный суп, был приготовлен из помидоров Джерси Бифстейк от фермеров Южного Джерси, которые выстроились в очередь, чтобы разгрузить свои груженые помидорами вагоны на фабрике.
«Campbell Soup Company и Camden похожи на томатный суп и жареный сыр — отличное сочетание.Вот почему мы называем Камден своим домом более 150 лет, — сказал Энтони Санцио, старший вице-президент по коммуникациям и связям с общественностью.
Оптовый торговец фруктами и овощами Джозеф Кэмпбелл и консервный / упаковщик Авраам Андерсон основали компанию Anderson & Campbell в 1869 году. Позднее она стала Campbell Soup Company.
Третий президент компании, Джон Дорранс, изобрел конденсированный суп в 1897 году, в то время как домашний экономист компании Доркас Рейли создал любимую праздничную запеканку из зеленой фасоли в 1955 году и представил соус для пасты Prego в конце 1900-х годов.
Фирменное знакомое «Мм !, Мм! Хорошо!» суп «джингл» был написан и транслировался в качестве радиорекламы в 1931 году.
Первая классическая красная этикетка Campbell’s Soup, сделанная в Камдене, когда бизнес впервые назывался Joseph Campell Preserve Co.
Консервированные помидоры
Банка помидоров Cento San Marzano сидит на полке супермаркета Южного Джерси.
Известный своими помидорами Сан-Марцано, импортируемыми из Италии, и другими основными итальянскими и неитальянскими продуктами питания, Cento 50 лет назад стал национальным брендом.
Члены семьи основателя Альфреда Чиккотелли в третьем поколении владеют компанией со штаб-квартирой в Вест-Дептфорде, где находится ее завод.
Компания Cento также владеет брендами Ferrara, Anna pasta и Bellino, которые производят все, от Panettone до оливковых масел первого отжима и выдержанных уксусов.
Они также владеют печеньем Little Gina’s Pizzelle. Его пицца изготавливается в пекарне Южного Джерси.
Клюква
Джозеф «Дж.Дж.» Уайт, отец Элизабет Уайт, первым начал выращивать клюкву на болотах на своей ферме Pinelands площадью 3000 акров в округе Берлингтон.
Это вдохновило других производителей клюквы в Сосновых землях, таких как Pine Island Cranberry Company в Чатсуорте. Они используют влажную уборку, затопляя болота водой и снимая ягоды после того, как они поднимутся на поверхность.
Выращивание Уайта привело к тому, что Нью-Джерси стал одним из крупнейших производителей клюквы в Соединенных Штатах.
Сегодня большинство крупных клюквенных компаний в Южном Джерси входят в состав Ocean Spray Cooperative. Они продают большую часть ягод Ocean Spray для получения сока, но местные целые ягоды все еще можно найти в продуктовых магазинах и на прилавках на фермерских рынках.
Фильмы о проезде на автомобиле
В июне 1933 года на бульваре Адмирала Уилсона рядом с кольцом аэропорта появилась новая площадка для просмотра фильмов.
Это был первый запатентованный фильм для вождения. Создатель Ричард Холлингсхед назвал его Автомобильным кинотеатром, но чаще его называли по имени, которое дали ему покровители: Camden Drive-In Movie. Там они припарковали свои машины, чтобы посмотреть фильм на открытом воздухе на огромном экране.
Автомобильный кинотеатр на бульваре Адмирала Уилсона, более известный как Camden Drive-In, открылся в 1933 году как первый в мире кинотеатр для автомобилей.
Идея прижилась, и в Южном Джерси в таких местах, как Пеннсаукен и Эджуотер-парк, начали появляться автомобили для автомобилей. Были добавлены киоски с попкорном и напитками, но к концу 1900-х годов автомобили для автомобилей почти исчезли.
Сегодня в Южном Джерси есть единственный в штате кинотеатр с постоянным доступом для автомобилей, Delsea Drive-In в Вайнленде.
Flexible Flyer
Сэмюэл Лидс Аллен искал способ занять своих рабочих зимой, когда производство изобретенного им сельскохозяйственного оборудования на его заводе в Филадельфии замедлилось.
Он возился и изобрел управляемые деревянные сани со стальными полозьями на своей ферме в Синнамисоне, прежде чем переехать в Мурстаун. И его плуги, и сани были самыми продаваемыми в стране более 100 лет.
Сегодня вы можете увидеть 20 старинных гибких листовок на выставке в библиотеке Мурстауна.
«Это саночный роллс-ройс. По сравнению с более поздними моделями, которые были копиями, сделанными после истечения срока действия патента, а также по сравнению с современными деревянными салазками, они были лучше построены и лучше управляются », — сказал Фил Сноу, который исследовал и собирал флаеры и курировал библиотеку из своей собственной коллекции.
Flying Fish Craft Beer
В то время как в Сомердейле находится единственный завод по производству крафтового пива и дегустационный зал, бренд Flying Fish можно найти в других восточных штатах, а также в некоторых продовольственных магазинах, тавернах и винных магазинах.
Джин Мюллер начал свой бизнес 30 лет назад.
Без новаторской Flying Fish Brewery индустрия крафтового пива в Нью-Джерси и в стране, возможно, никогда бы не выросла до нынешних размеров.
У него не было места на улице, когда его независимый бизнес открылся около 25 лет назад, когда первая крафтовая пивоварня в Южном Джерси и одна из первых в штате открылась практически через Интернет.
После открытия производственного предприятия в Черри-Хилл, а затем превышения его мощностей, Flying Fish переехала на свое предприятие в Сомердейле.
«Они являются одними из прародителей всей отрасли», — сказал Эрик Орландо, исполнительный директор Гильдии пивоваров Нью-Джерси, назвав Flying Fish «квинтэссенцией» бренда, который можно найти почти в каждом баре и ресторане в регионе и в розничной торговле. полки.
«Это одна из первых крафтовых пивоварен, которая развивалась с нуля, когда никто не мог не предвидеть взрыва индустрии крафтового пива в штате или тем более в стране», — продолжил Орландо.
«Они служили основой индустрии крафтового пивоварения в США до того, как появилась индустрия, и варили пиво, когда люди даже не знали, что такое крафтовое пиво, но также и тогда, когда интерес к пиву в целом только начинал расти. ”
Самая большая в Южном Джерси: Вспоминая, когда Мухаммед Али жил в Черри-Хилл
В южных графствах Flying Fish уступает по размеру пивоварне Cape May Brewery, которая также является крупнейшей крафтовой пивоварней с производительностью 130 человек. крафтовые пивоварни.
Президент компании Фрэнк Рио из Синнаминсона говорит, что, хотя Flying Fish можно найти в других штатах, «настоящая цель компании — по-прежнему выигрывать на нашем внутреннем рынке в Южном Джерси и прилегающих округах (потому что здесь больше пивоварен, чем когда-либо)».
Виноградный сок
Дантист и трезвенник прихожанин возражал против употребления вина для причастия
Виноградный сок Велча изначально задумывался как альтернатива вину для причастия.
Доктор Томас Брамвелл Велч задумал разработать неферментированный , безалкогольное вино, чтобы его можно было подавать для причастия в его методистской епископальной церкви Вайнленда и в других местных церквях.
В Вайнленде выращивалось много винограда, поэтому он разработал виноградный сок, используя метод пастеризации, который останавливает брожение.
В 1869 году Уэлч основал Vineland Unfermented Wine Company, но не собирался продавать свой продукт в розницу, а продавал его только в качестве побочного напитка. Ситуация изменилась, когда его сын Чарльз в конечном итоге взял на себя управление и переименовал компанию Welch’s Grape Juice в 1893 году.
Ирригация и замороженные продукты
Seabrook Brothers and Sons, Inc в Бриджтоне — это семейное предприятие, которое выращивает, обрабатывает и замораживает 150 миллионов фунтов стерлингов. овощи для своего бренда Seabrook Farms.
Альберт П. Сибрук основал ферму в 1870 году. Ферма была первой, кто использовал тракторы с надземным орошением и бензиновым двигателем, разработанные Сибруком. К 1930-м годам Сибрук сотрудничал с Clarence Birdseye и General Foods, чтобы успешно заморозить овощи — метод, разработанный Birdseye.
Когда-то Сибрук владел крупнейшим перерабатывающим заводом в своем роде, поставляя 20 процентов упакованных замороженных продуктов в стране.
Lacas Coffee
Зайдите в Ponzio’s, Olga’s или в большинство других закусочных Южного Джерси, чтобы выпить дымящуюся чашку кофе, и кофейник, вероятно, будет отмечен названием Lacas.
В этом году исполняется 100 лет Lacas Coffee Company and Roastery, независимому производителю кофе, основанному иммигрантом из Греции, единственный завод и штаб-квартира которого находятся в промышленном парке Пеннсаукен.
Компания снабжает около 1000 закусочных, кулинарий и ресторанов с Lacas в Нью-Джерси, Пенсильвании и Нью-Йорке, а также предоставляет услуги по ремонту и замене оборудования для варки кофе Lacas в штате Гарден и за его пределами.
Кроме того, он продает кофе другим предприятиям общественного питания по всей стране и обжаривает кофе для 100 других компаний.Лакас недавно купил компанию Dallis Coffee на Лонг-Айленде.
Lacas по-прежнему сохраняет свою оригинальную городскую обжарку, но перешла от импорта, обжарки и распространения нескольких сортов кофе премиум-класса к предоставлению палитры из более чем 30 видов обжарки для предприятий общественного питания и частных торговых марок.
«Мы растем. Мы находимся на рекордном уровне нового бизнеса, и теперь мы предлагаем холодное пиво», — сказал главный партнер и генеральный директор Джонатан Дель Ре.
«Мы продаем последовательность и работаем с энтузиазмом людьми, которым действительно небезразлично то, что они делают.
Лазерные сканеры штрих-кода
Изобретатель К. Гарри Ноулз из Мурстауна никогда не боялся неудач и никогда не боялся.
После работы над новыми технологиями для Bell Labs и Westinghouse в северной части штата Нью-Джерси, Ноулз основала Metrologic Instruments в 1968 году в Blackwood и популяризировал использование сканеров штрих-кода.
Reader, , охватывающий наши местные сообщества, требует времени и ресурсов. Помогите нам лучше поддерживать ваше сообщество, став подписчиком. — подпишитесь сегодня!
Он получил колоссальные 400 патентов на транзисторы, лазеры и технологию сканирования штрих-кодов.
В компании Metrologic он разработал и изготовил более совершенные сканеры цен, которые были проданы по всему миру в 100 странах. Они привели к разработке ручных лазерных сканеров без триггера и мини-сканеров, некоторые из которых также производила его компания.
Гораздо более ранним его изобретением был транзистор типа «звезда», который предшествовал интегральным схемам.
Военная оборона
В греческой мифологии Эгида — это щит или нагрудник, который Зевс носил для защиты.
Защита на море от вражеских целей была разработана в Мурстауне Ракетным и надводным радарным отделом RCA, который назвал ее Aegis Combat System.
Некоторые типы военных кораблей США, такие как крейсеры ВМС, эсминцы и корабли их союзников, оснащены компьютером и радиолокационной системой, которая может отслеживать и направлять оружие, способное уничтожать вражеские цели.
Lockheed Martin из Мурстауна усовершенствовала систему с тех пор, как взяла на себя управление этим подразделением RCA. С тех пор Lockheed разработала Aegis Ashore на Гавайях и для европейских партнеров по НАТО, первая из которых была установлена в Румынии.
Органические удобрения
Домашние садоводы могут не узнать название Espoma, но они, вероятно, использовали его удобрения для газонов и сада. Их первый крупнейший продавец — HollyTone — все еще продается.
Espoma — компания из Милвилля, новатор и поставщик многих органических удобрений для газонов и садов.Семейная компания, основанная в 1929 году Гербертом Г. Сандерсом, сегодня управляется четвертым поколением. Его продуктовая линейка расширилась и теперь включает средства для ухода за овощами, ягодами и деревьями.
Марти О’Нил, менеджер по производству компании Espoma в Милвилле, проверяет поддон с томатными удобрениями, который переносится рукой машины APS Robotics на этой фотографии 2008 года.
Ральф Гаудио, который много лет руководил собственным садовым центром в Марлтоне, продавал удобрения Espoma и версию своего собственного бренда, также произведенную Espoma.
«Все их продукты работают, и они безопаснее, потому что они органические. Удобрения вносятся медленно, и в течение недели после их использования результаты невероятны», — сказал Гуадио.
По настоянию Гаудио, Espoma начала производить продукты для овощей и деревьев и назвала их GardenTone и TreeTone, — сказал он.
Локомотивы
Событие, провозглашенное великим «железнодорожным экспериментом», произошло в Бордентауне почти 200 лет назад.
Точная копия John Bull, первого паровоза, который работал в Нью-Джерси во время пробного запуска на участке Бордентаун железнодорожной линии Камден и Амбой.Построенная Пенсильванской железной дорогой, точная копия выставлена в Железнодорожном музее Пенсильвании.
Теперь знаменитый John Bull, один из первых паровозов, прошел здесь свой первый пробный пуск в 1831 году. Он тащил дилижанс, как железнодорожные вагоны. несли законодателей штата на участке Бордентауна железной дороги Камден и Амбой, первой железнодорожной линии в штате и второй в стране.
Оригинал John Bull сейчас находится в Смитсоновском Национальном музее американской истории в Вашингтоне, округ Колумбия.C. Точную копию, построенную позже Пенсильванской железной дорогой, также можно увидеть в Музее железной дороги Пенсильвании в Страсбурге.
Банки Мейсона
Старинная банка Мейсона, изобретенная Джоном Лэндисом Мейсоном из Вайнленда, с металлической крышкой и резиновым уплотнением для герметичного хранения.
Сегодня в банках Mason, вероятно, будут храниться крафтовые коктейли для модных посетителей.
Однако банка Мейсона была изобретена в Вайнленде для консервирования фруктов и впоследствии использовалась для «консервирования» овощей до того, как было разработано охлаждение.
История кувшина Мэйсона восходит к середине 1800-х годов и к жестянщику Джону Лэндису Мэйсону из Вайнленда. Он искал емкость, чтобы налить теплое желе, а затем хранить его, чтобы оно не портилось.
Он изготовил стеклянный сосуд особой формы с резьбовыми канавками вокруг отверстия, сделал металлическую крышку с резьбой для навинчивания и добавил герметичное резиновое уплотнение. На свое изобретение он получил патент 30 ноября 1858 года, дата, указанная на многих ранних сосудах.
Позже он изобрел солонку с завинчивающейся крышкой.
Еще кофе
За прошедшие годы аромат кофе распространился по шоссе I-295 недалеко от пересечения с Хаддонфилд-роуд в Черри-Хилл.
Именно здесь Melitta USA and North American имеет свой единственный в США завод по обжарке кофе.
Компания берет свое название от немецкой компании Melitta Benz, которая сначала производила только кофейные фильтры. Теперь компания производит кофеварки в дополнение к кофе и фильтрам.
Плавка металла
Печь Inductotherm Industries отправляется за границу после ее изготовления на заводе в Вестамптоне после того, как владелец Генри Роуэн изобрел индукционную печь этого типа для микроволновой холодной плавки металла.
Покойный промышленник и филантроп Генри Роуэн прошел путь от первого бизнеса по продаже яиц для своей матери до постройки печи на заднем дворе и изобретения процесса микроволновой холодной плавки металлов.
Он основал Inductotherm Industries Inc. и открыл свой первый завод в Трентоне. Вскоре после этого он переехал в Вестэмптон, где он работает более 55 лет и до сих пор продает индукционные плавильные печи по всему миру.
Роуэн имеет несколько промышленных патентов.Он также был филантропом, подарив Колледжу Глассборо огромные пожертвования в размере 100 миллионов долларов, которые преобразовали его в Университет Роуэна.
Монополия
Путешествуйте по улицам Атлантик-Сити, многие из которых названы в честь штатов США, скупайте или торгуйте недвижимостью, строите дома и отели и пытайтесь монополизировать рынок недвижимости.
Это то, что делают игроки, когда соревнуются в «Монополии», давней любимой настольной игре, выпущенной Parker Brothers в 1935 году.
Популярная настольная игра «Монополия» была изобретена в Нью-Джерси и черпает вдохновение из мест в Атлантик-Сити и его окрестностях.
Игроки ходят по улицам с такими названиями, как Теннесси и Северная Каролина, Бордуолк и Парк-плейс, перемещая свои уникальные металлические игровые фишки по квадратному полю, основываясь на броске кубиков или указаниях карт «Шанс» или «Общий сундук». (Если вы играете в олдскульную версию, вы все равно можете играть наперстком, тачкой, ботинком или утюгом, которые с тех пор были сняты с производства.)
Сегодня игра принадлежит Hasbro и может похвастаться более чем 20 различными тематическими версиями от классическая версия Атлантик-Сити (которая включает отсылки к другим близлежащим пляжным городкам) с национальными парками, Дисней, «Звездными войнами», «Звездным путем» и ограниченным тиражом для парка Эсбери.
NFL Films
Эд Саболь был увлечен кино и футболом и решил соединить их вместе.
Он основал Blair Motion Pictures в 1962 году в Маунт-Лорел и через три года переименовал его в NFL movies. Компания является основным производителем неживых фильмов и видеокассет НФЛ как для фанатов, так и для команд.
Саболю и сыну Стиву приписывают революцию в освещении крупных спортивных событий за счет использования специальных ракурсов и многих других приемов.
Pullman Cars
Бизнесмен из Коллисвуда Эдвард Коллингс Найт изобрел в 1859 году железнодорожный спальный вагон «Рыцарь», но это название осталось ненадолго.
Почему? Вскоре он продал свой патент Джорджу Пуллману, в честь которого Pullman Car — и его легендарные Pullman Porters — получили свое название.
У Найта есть кое-что, названное в его честь — городской парк в центре Коллингсвуда.
Автомобиль Pullman Palace демонстрируется в Хильдене, летнем доме Роберта Тодда Линкольна, сына президента Авраама Линкольна, в Манчестере, штат Вермонт. Роберт Тодд был президентом компании Pullman в то время, когда строил дом. Дэвид Джордан / AP
Плееры и телевизоры
Компания RCA Victor из Камдена произвела революцию в радио и телевидении в начале и середине 20 века, доминируя в области электроники и связи в Соединенных Штатах более 50 лет.
Его знаменитый товарный знак-талисман «Ниппер», собака (терьер), слушающая старинный проигрыватель, все еще украшен искусными витражами на вершине бывшего здания 17 RCA в Камдене. В настоящее время в здании расположены лофты Victor Lofts и Victor Pub.
RCA создала рекорд 45 об / мин, Национальная радиовещательная компания (NBC), и произвела систему электронного телевидения, использующую электронно-лучевые трубки в качестве системы передачи и приема сигнала.
Это изобретение впоследствии привело к переходу от черно-белого телевидения к цветному в 1953 году.
RCA также имеет другие технологические изобретения — электронный микроскоп, различные транзисторы, силовые полупроводниковые приборы, интегральные схемы и видеомагнитофон. Компания была куплена General Electric в 1986 году, расформирована и ликвидирована.
Диск для пластинок и проигрыватель, который переживает ностальгическое возвращение, имеет корни в Южном Джерси, восходящие к компании Victor Talking Machine Co., основанной в 1901 году.
Элдридж Джонсон и Эмиль Берлинер основали компанию в Камдене под другим названием.Первые музыкальные пластинки были записаны в гараже на Фронт-стрит в Камдене в 1896 году, и Victrolas, как тогда назывались фонографы, также производились. Так продолжалось до 1929 года, когда Victor Talking Machine объединилась с RCA.
К тому времени компания Victor стала крупнейшим в мире производителем как пластинок, так и фонографов, их популярность перевесила цилиндрическую систему, изобретенную Эдисоном.
Сегодня возрожденная RCA Victor снова производит винтажные проигрыватели виниловых пластинок, владельцем которых является музыкант, предприниматель и уроженец Камдена Грэм Александр.Он приобрел торговую марку Victor Talking Machine Co. и бизнес, The Victor Vault в Берлине возрождает другие части наследия некогда великой компании.
«Количество инноваций, которые были сделаны в Камдене, шокирует и даже безумно. Для этого потребовалось массовое производство, — сказал Александр. — И все современные средства массовой информации сводятся к тому, что произошло в шести кварталах центра города Камден в штате, который был перекресток промышленной революции ».
«Мы хотели, чтобы компания Victor была восстановлена в этом районе, потому что мы верим в Камден и силу, которую наследие Виктора может помочь музыкантам в наше время.
Сноуборд
Мальчик сноуборд в клубе округа Тависток в Хэддонфилде после снежной бури в декабре 2000 года.
Спортсмену Тому Симсу было 13 лет, когда он начал возиться с идеей в магазине в Центральной школе Хэддонфилда.
Что он создал с помощью одноклассника Джона Мюррея в 1963 году был первым сноубордом, таким образом, изобрел сноуборд.
Sims стал чемпионом мира по сноуборду и превратил свое изобретение в бизнес, продавая сноуборды под брендом Sims.
Симс умер в возрасте 61 года в Калифорнии.
Wheaton Glass
Песок — изобилие в Южном Джерси, когда-то центром стеклоделия страны.
Фармацевт Теодор Корсон Уитон основал фабрику в Милвилле в 1888 году, сначала производив стеклянные флаконы для лекарств и парфюмерии, а затем и других видов стеклянной посуды, пока она не закрылась через 126 лет и была поглощена Wheaton Industries.
Выдувание расплавленного стекла вручную на заводе T.C. Стекольный завод Уитона в Уитон-Виллидж в Милвилле
Уитон также выпустил миниатюрные памятные бутылки с изображением известных людей или мест, которые сегодня считаются предметами коллекционирования.
Сегодня WheatonArts находится в деревне Уитон и является домом для Музея американского стекла, но демонстрации стекольного дела временно приостановлены.
Кэрол Коменьо любит рассказывать истории о жизни, истории и ветеранах Южного Джерси для газет Courier Post, Burlington County Times и Daily Journal.