Транзисторы рпр: Биполярный транзистор -устройство, принцип работы, технические характеристики, схемы включения, область применения. Сравнение с лампой.

Содержание

Биполярный транзистор -устройство, принцип работы, технические характеристики, схемы включения, область применения. Сравнение с лампой.

Раздел Техническая информация → Транзисторы

 

Сырьем для транзисторов может служить обычный песок. Не вериться? Песок представляет собой окись кремния SiO2.
Кремний является основой для производства подавляющего большинства полупроводниковых элементов электроники. Разумеется, нужны и другие материалы: пластмасса, керамика, алюминий, серебро и даже золото. Разрезать аккуратно и точно кремниевую пластинку лучше всего алмазной пилой.
Но вернемся к окиси кремния. Кремний из окиси можно восстановить химической переработкой. Чистый кремний относится к классу полупроводников. Кратко вспомним, что такое полупроводник и чем он отличается от проводника или диэлектрика.
Электрический проводник-это вещество, оказывающее малое сопротивление протекающему через него току. Электрический ток, в свою очередь, есть направленное движение электрических зарядов.

Значит, в проводнике должны быть свободные заряды, которые могут легко передвигаться в любом направлении. Все металлы -хорошие проводники. В металлах внешние электроны атомов становятся свободными, когда атомы объединяются в кристаллическую решетку.

 

Свободные электроны образуют так называемый электронный газ, заполняющий весь объем металла. Если в проводнике течет ток, электроны перемещаются преимущественно в одном направлении. Если же тока нет, электроны все равно движутся, но это движение хаотическое, тепловое. Оно создает шум-небольшое, случайным образом изменяющееся напряжение на выводах проводника или полупроводникового элемента.

Из самого названия «полупроводник» ясно, что он еще «не дорос» до настоящего проводника и, следовательно, проводит ток гораздо хуже. Свободных электронов в полупроводнике мало, поскольку почта все электроны как бы привязаны к своим атомам. Правда, при сильном нагреве тепловое движение становится интенсивнее и некоторые из электронов отрываются от своих атомов, становясь свободными. Проводимость вещества при этом увеличивается. Вот почему полупроводниковые приборы очень боятся перегрева-проводимость может возрасти настолько, что ток в полупроводнике резко увеличится и наступит так называемый тепловой пробой. Чтобы не углубляться, посмотрим лишь несколько цифр.
Удельное сопротивление вещества-величина, обратная проводимости,-измеряется в омах на метр (Ом-м). Это сопротивление бруска вещества сечением 1 м2 и длиной 1 м. Вот это брусочек! Но что поделаешь, в международной системе единиц СИ единицей длины служит метр. Ну так вот: сопротивление медного бруска составляет всего 0,017·10-6 Ом. А сопротивление бруска тех же размеров, изготовленного из такого типичного диэлектрика, как стекло, равно 5·1013Ом, т.е. на двадцать один порядок (1021) больше! Удельное сопротивление полупроводников находится где-то между этими крайними значениями. Дать конкретные величины трудно, они зависят от вида вещества, его чистоты и других факторов.

Чем чище полупроводник, тем ближе его свойства к свойствам диэлектрика. Но если в полупроводник введена примесь, то проводимость резко возрастает.

Различают два вида примесей: акцепторные и донорные.
Валентность вещества акцепторной примеси меньше, чем валентность самого полупроводника. Это значит, что во внешнем электронном слое атомов примеси меньше электронов, чем у атомов полупроводника. В этом случае примесь по отношению к электронам атомов полупроводника ведет себя как агрессор: она захватывает их. В результате в кристаллической решетке вещества появляются атомы, которым не хватает одного электрона.

Заряд этих атомов положителен. Они притягивают отрицательно заряженные электроны, и при первой же возможности атом, у которого не хватает электрона, захватывает его у соседнего атома. Положительный заряд при этом перемещается к соседнему атому. Тот, в свою очередь, захватывает электрон у соседа. Таким образом, положительный заряд перемещается еще дальше. Теперь оказалось, что в толще полупроводника с акцепторной примесью «гуляет сам по себе» положительный заряд, обусловленный нехваткой одного электрона. Заряд этот очень образно называют «дыркой».

Иное дело, если в полупроводник введена донорная примесь.
Валентность вещества примеси на единицу больше валентности самого полупроводника. Это значит, что во внешней электронной оболочке атомов вещества примеси на один электрон больше, чем у атомов полупроводника. Объединяясь в кристаллы, атомы примеси используют для валентных связей все внешние электроны, кроме одного. В образовавшемся кристалле «лишние» электроны атомов примеси оказываются без работы. «Безработные» электроны свободно перемещаются по всему кристаллу, но все рабочие места-валентные связи-заняты. Эти электроны легко устремляются по направлению даже слабого электрического поля, создавая электрический ток.

Таким образом, вводя различные примеси, мы можем получить полупроводник с дырочной проводимостью (р-типа) и с электронной проводимостью (n-типа). Сами названия р и n произошли от начальных букв английских слов positive и negative, обозначающих знак свободных зарядов (положительный — «дырочный» или отрицательный — «электронный»). Чем выше концентрация примеси в полупроводнике, тем выше и его проводимость. Как только физики и инженеры научились получать полупроводники с различными типами проводимости, тут же появились и приборы, выполненные на их основе.

Биполярный транзистор

Значение «Би» означает, что имеется два основными носителями которыми являются электроны и дырки. По способу чередования областей различают npn и pnp транзисторы.
Обозначение биполярного транзистора на схеме.

Принцип работы биполярного транзистора можно объяснить, опираясь на те же явления, которые наблюдаются в рп-выпрямителе. У npn-транзистора одна n-область находится в контакте с р-областью, а та в свою очередь контактирует со второй n-областью (рис.).

Главным здесь, как мы сейчас видим, является то, что средняя р-область очень узка и относительно слабо легирована, рпр-транзистор получается заменой в npn-транзисторе р и n областей.

На практике применяются транзисторы обоих видов; функции их схожи, но в pnp-транзисторе носителями заряда в основном являются дырки, а в npn-транзисторе — электроны. Так как в кремнии электроны обладают большей подвижностью, чем дырки, то в большинстве случаев кремниевые pnp-транзисторы превосходят pnp-транзисторы. Чтобы рассмотреть принцип действия прп-транзистора, обратимся еще раз к рис.

В таком транзисторе есть два p-n-перехода, т.е. n-p-переход слева и p-n-переход справа. Приложим положительное высокое напряжение Uк к правой n-области и отрицательное напряжение UЕ к левой n-области. Пусть на p-область действует напряжение Vв, которое больше Ue, но меньше Uk. В результате на левом n-p -переходе мы имеем прямое смещение (пропускное направление), а на правом p-n-переходе -обратное смещение (запирающее направление). Электроны из инжектирующей левой n-области, называемой эмиттером, диффундируют в р-область, где в нормальном случае они бы рекомбиннровали, если бы p-область, т. е.
так называемая база, не была настолько узкой, что электроны успевают проскочить через нее не рекомбинируя. Таким образом удается добиться того, чтобы электроны попали в правую n-область и там поступали на электрод. Поэтому правую n-область называют коллектором. Он собирает инжектированные из левой n-области — эмиттера — электроны.
Различные роли обеих n-областей, которые без приложенного к ним напряжения совершенно равноправны, конечно же, являются следствием того, что к правой n-области приложено положительное напряжение, а к левой — отрицательное. Соединим теперь базу через источник напряжения и проводник с эмиттером, как это показано на рис. Мы получим две цепи тока -базовую и коллекторную. В базовой цепи в ток вносят вклад лишь те электроны, которые, как мы видели в случае с прямосмещенным переходом (в пропускном направлении), рекомбинируют в p-области. Но из-за узости p-области их очень мало. Следовательно, выходящий из базы поток электронов очень невелик. Большая часть тока, поступающего с эмиттера, течет через коллектор (рис.
).

Однако мы знаем, что в ток через р-n-переход вносят вклад не только электроны, но и дырки. В нашем конкретном случае это означает, что из базы в эмиттер поступает поток дырок.
Он существенно превысил бы сравнительно слабый поток электронов и стал бы причиной появления в целом относительно сильного тока в базовой цепи, если бы его не удалось уменьшить каким-либо способом. В биполярном транзисторе с этой целью слабо легируют базу. В результате концентрация дырок в базе является низкой и из базы может поступить лишь небольшой поток дырок. Вывод, сделанный выше в отношении потока электронов, остается справедливым и для суммарного потока электронов и дырок: большая часть тока течет по коллекторной и меньшая-по базовой цепи.
Какую же пользу можно извлечь из всего этого? Если изменить напряжение между эмиттером и базой при постоянном напряжении между базой и коллектором, то изменится ток, идущий от эмиттера. Это изменение в большей мере затронет коллекторную цепь и в меньшей -базовую. Таким образом, путем небольшого изменения тока в базовой цепи можно получить значительное изменение тока в коллекторной цепи. В данном случае транзистор работает как усилитель тока. Но так как сопротивление базовой цепи значительно меньше (прямосмещенный р-n-переход) сопротивления коллекторной цепи (обратносмещенный p-n -переход), то и потребляемая в базовой цепи электрическая мощность значительно меньше, чем в коллекторной. В итоге с помощью небольшой электрической мощности в базовой цепи можно управлять величиной мощности в коллекторной цепи.

Сравнение с электронной лампой

Ту же функцию в вакуумной электронике выполняют трех электродные электронные лампы. Эмиттер транзистора соответствует катоду электронной лампы, коллектор-аноду и база-сетке.

Схема включения транзистора, показанная на рис., где эмиттер соединен с базой и коллектором, а база и коллектор-соответственно только с эмиттером, называется схемой с общим эмиттером.

Она является одной из трех возможных схем включения транзистора. Если транзистор включен по схеме с общим коллектором, то коллектор является общей областью для обеих цепей тока, а при включении по схеме с общей базой такой областью становится база.

Схема с питанием входных и выходных цепей транзистора от одного источника постоянного напряжения.

В микроэлектронике применяются также транзисторы, обладающие двумя и более изолированными друг от друга эмиттерными областями. В результате появляются разнообразные варианты схем включения. Существует также возможность получения транзисторов с несколькими коллекторами.
Рис. npn-транзистор с базой, общей для двух цепей. Здесь показаны потоки электронов и дырок, т.е. потоки основных носителей заряда.
С помощью транзисторов можно осуществлять увеличение или преобразование электрической мощности. В микроэлектронике транзисторы являются прежде всего усилительными приборами с различными принципами усиления сигналов электрической природы и используются в ключевых схемах. Важной характеристикой такого транзисторного ключа является время, необходимое для одного переключения из положения «включено» в положение «выключено» или наоборот, короче говоря, время задержки. Чтобы получить представление о величине времени задержки биполярного транзистора, рассмотрим следующий пример. Пусть к эмиттеру, базе и коллектору npn -транзистора приложены определенные электрические напряжения Ue, Ub и Uk. В коллекторной цепи появится ток определенной силы. Если напряжение, приложенное к базе, возрастает до Ub + ΔUb, то сопротивление как левого n-p- перехода, так и правого p-n -перехода уменьшается и в результате ток в коллекторной цепи увеличивается. Но при этом мы полагаем, что во время пролета электронов через базу напряжение на ней остается неизменным и равным UB + ΔUb. Ситуация изменяется, если за это время приложенное к базе напряжение меняется. Когда оно, например, снова уменьшается до UB, а электроны еще не успели проскочить через базу, то вызванное ΔUb возрастание тока в коллекторной цепи не так велико, как при неизменном напряжении Ub + ΔUb. Отсюда можно сделать вывод о том, что эффективность переключения транзистора падает, если команды на переключение в форме более высоких или низких напряжений поступают на базу с интервалами, которые меньше времени, затрачиваемого электронами на пролет через базу. Время задержки Т транзистора представляет собой, таким образом, время, необходимое для пролета электронов через базу. Поэтому становится ясно: чем тоньше база, тем меньше время задержки. Делается понятным и стремление сделать как можно тоньше прежде всего базу. Тем самым мы также доказали высказанное в гл. 2 утверждение, что с уменьшением размеров полупроводниковых электронных элементов их быстродействие возрастает. Ориентировочно время пролета Т сквозь базу инжектированных эмиттером носителей заряда легко определить, зная коэффициент диффузии электронов D и ширину базы Ь. В общем случае справедливо выражение Т ≈ b2/D. Если для кремния ширину базы принять равной 0,7 мкм и коэффициент диффузии электронов 50 см2/с, то время задержки для pnp-транзистора составит Т ≈ 10-10 с. Коэффициент диффузии менее подвижных по сравнению с электронами дырок в кремнии почти в 3 раза меньше. Поэтому и время задержки pnp-транзистора в 3 раза больше, чем у npn-транзистора. Еще более высокой подвижностью по сравнению с электронами кремния обладают электроны арсенида галлия (GaAs). Поэтому из арсенида галлия n-типа можно изготавливать сверхбыстродействующие рпр-транзисторы.
Итак, теперь мы в состоянии рассчитать требуемую энергию для выполнения одной операции переключения в npn-транзисторе. Необходимое на одно переключение время Т следует умножить на израсходованную при этом электрическую мощность Р. В биполярном транзисторе преобразование электрической мощности осуществляется в базовой цепи. Вообще мощность равна произведению напряжения на силу тока. В нашем конкретном примере сила тока зависит от величины транзистора. Чем меньше транзистор, тем слабее возникающие в нем токи. В интегральных микросхемах транзисторы размещаются на площади 1000 мкм2 и менее. Сила тока в базовой цепи составляет всего несколько микроампер, а напряжение — около 1 В. Следовательно, мощность, необходимая для переключения, равна произведению одного вольта на несколько микроампер, т. е. нескольким микроваттам. При Р=10-5 Вт и Т = 10″10 с получаем энергию переключения, равную 10-5 х 10-10 Вт.с=10-15 Дж. Это очень малая энергия, которая, однако, не имеет ничего общего с действительным энергопотреблением транзистора. Энергозатраты в коллекторной цепи гораздо выше.

Транзисторы

Транзистор — это полупроводниковый прибор, составленный из двух pn-переходов, как показано на рис. 21.1. У транзистора три вывода: эмиттер, база и коллектор. Существуют два типа транзисторов: pnp-транзисторы (рис. 21.1(а)) и npn-транзисторы (рис. 21.1(б)). По принципу работы они ничем не отличаются друг от друга, за исключением полярности подава­емого постоянного напряжения смещения.

Рассмотрим транзистор npn-типа (рис. 21.2). Переход база – эмиттер (или просто эмиттерный переход) этого транзистора смещен в прямом направлении напряжением VBE, поэтому электроны из области эмитте­ра будут перетекать через этот переход в область базы, создавая ток Iе. Это обычный прямой ток рта-перехода, смещенного в прямом направлении. Как только электроны попадают в область базы, они начинают испыты­вать притяжение положительного потенциала коллектора. Если область базы сделать очень тонкой, то почти все эти электроны проскочат через нее к коллектору. Только очень малая часть электронов собирается ба­зой, формируя базовый ток Ib. Фактически более 95% всех электронов эмиттерного тока Iе собираются коллектором и формируют коллектор­ный ток Ic транзистора. Таким образом,

Iе = Ic + Ib.

Так как базовый ток Ib очень мал (чаще всего он измеряется микроампе­рами), то им обычно пренебрегают. Тем самым предполагается, что токи Ic и Iе равны, и каждый из них принято называть током транзистора.

 

   

Рис. 21.1. Транзисторы и их условны: обозначения: (а) pnp-тип, (б) npn-тип.

             Рис. 21.2. Подача напряжений                               Рис. 21.3. Подача напряжений

               смещения npn-транзистора.                                      сме­щения pnp-транзистора.      

 

Обратите внимание, что переход база — коллектор (или просто кол­лекторный переход) смещен в обратном направлении напряжением VCD. Это необходимое условие работы транзистора, поскольку в противном случае электроны не притягивались бы к коллектору. При этом в со­ответствии с правилом выбора направления тока (от положительного по­тенциала к отрицательному) считается, что ток транзистора течет от кол­лектора к эмиттеру.

Для рпр-транзистора полярности подачи постоянных напряжений смещения должны быть изменены на обратные, как показано на рис. 21.3. В этом случае ток транзистора представляет собой перемещение дырок от эмиттера к коллектору или электронов от коллектора к эмиттеру. 

Схемы включения транзистора

Имеются три основные схемы включения транзистора в электронные цепи.

1. Схема с общим эмиттером (ОЭ). Общим выводом здесь является эмиттер: входной сигнал подается между базой и эмиттером, а вы­ходной сигнал снимается между коллектором и эмиттером (рис. 21.4). Эта схема получила наиболее широкое распространение из-за своей гибкости и высокого коэффициента усиления.

2. Схема с общей базой (ОБ). Базовый вывод транзистора является об­щим выводом для входного и выходного сигналов (рис. 21.5).

3. Схема с общим коллектором (ОК). В этой схеме общим выводом для входного и выходного сигналов является коллектор. Ее называют так­же эмиттерным повторителем (рис. 21.6).

Интересно, что на внутреннем уровне транзистор работает во всех схе­мах включения совершенно одинаково, тогда как внешнее поведение его в каждом случае различно.

         

           

 

Рис. 21.4. Схема с общим эмитте­ром (ОЭ).                      Рис. 21.5. Схема с общей базой (ОБ).

                          

Рис. 21.6. Схема с общим коллек­тором (ОК).

Обратите внимание, что выходной сигнал

снимается с эмит­тера.

Каждая схема включения характеризует­ся своим собственным набором основных параметров, в который входят коэффициент усиления, входное и выходное сопротивления и АЧХ.

 

Характеристики транзистора в схеме с общим эмиттером

Поведение транзистора в статических условиях, то есть в отсутствие вход­ного сигнала, определяют характеристики трех типов.

1. Входные характеристики, или зависимости входного тока от входного напряжения.

2. Выходные характеристики, или зависимости выходного тока от выход­ного напряжения.

3. Передаточные характеристики, или зависимости выходного тока от входного тока.

Описываемые ниже характеристики относятся к npn-транзистору (рис. 21.7). Для pnp-транзистора нужно изменить полярность напряже­ния постоянного тока на отрицательную.

Входные характеристики

На рис. 21.8 представлены входные характеристики для npn -транзистора. Они ничем не отличаются от характеристик pn -перехода диода, смещен­ного в прямом направлении, поскольку вход (переход база — эмиттер)


Рис. 21.8. Входные характеристики транзистора.

как раз и является таким переходом. Заметим, что, как и в диоде, вход­ной ток Ib начинает протекать через эмиттерный переход только тогда, когда на этом переходе устанавливается требуемое значение прямого на­пряжения. Если это напряжение (0,3 В для Ge и 0,6 В для Si) уста­новлено, то в дальнейшем напряжение Vbe между базой и эмиттером практически не изменяется даже при сильном увеличении тока базы. Таким образом, транзистор можно рассматривать как токовый элемент, допускающий изменение входного тока при постоянном входном напря­жении.

Выходные характеристики

На рис. 21.9 приведено семейство кривых, называемых выходными харак­теристиками транзистора, которые устанавливают связь тока коллектора (выходного тока) Ic с напряжением на коллекторе (выходным напряже­нием) VCE. Для определенных значений тока базы (входного тока) Ib. Эти кривые устанавливают также взаимосвязь между входным током, с одной стороны, и выходным током и выходным напряжением — с другой. На­пример, для транзистора с выходными характеристиками, приведенными на рис. 21.9, при    Ib = 40 мкА и VCE= 6 В ток коллектора Ic = 4 мА. Это значение легко определяется из выходной характеристики, соответству­ющей выбранному току базы.

Характеристика для Ib = 0 соответствует транзистору в непроводя­щем состоянии, т. е. в состоянии отсечки, когда величина напряжения VCEменьше требуемой величины прямого падения напряжения на эмиттерном переходе. Теоретически ток транзистора равен нулю при Ib = 0; однако реально очень слабый ток утечки всегда протекает через коллекторный переход.

 

Рис. 21.9. Семейство выходных характеристик транзистора.

Статический коэффициент усиления тока β

Очень важным параметром любого транзистора является его коэффициент усиления по постоянному току, называемый статическим коэффициентом усиления тока. Это коэффициент усиления тока для транзистора, находящегося в статическом режиме, то есть в отсутствие входного сигнала. Статический коэффициент усиления тока является без­размерной величиной (отношение величин двух токов) и определяется по формуле

                                                             Выходной ток                 Ic 

                                                 β =       —————————-     =   ——

                                                             Входной ток                    Ib

Величину β можно рассчитать с помощью выходных характеристик транзистора. Например, если транзистор работает в режиме, определяемом точкой Q (рабочая точка), при                    Ib, = 40 мкА и Ic = 4 мА, то

 

Передаточные характеристики

Эти характеристики устанавливают взаимосвязь между входным и вы­ходным токами транзистора (рис. 21.10). С помощью такой характери­стики можно рассчитать статический коэффициент усиления тока. На­пример, если точка Q — рабочая точка транзистора, то

Рис. 21.10. Передаточная характеристика транзистора.

В этом видео рассказывается о принципах работы транзистора:

Добавить комментарий

Импортные и отечественные мощные биполярные транзисторы.

Справочник.

Наименование составных транзисторов выделено цветом.

Особенностью справочника является то, что импортные транзисторы взяты не из справочников, а из прайсов интернет-магазинов (т.е., с большой вероятностью доставаемые)


 Справочник предназначен для подбора компонентов по электрическим параметрам, для выбора замены (аналога) транзистору с известными характеристиками, подбора комплементарной пары. За основу справочника взяты отечественные транзисторы, расположенные в порядке возрастания напряжения и тока. Импортные современные транзисторы в справочник взяты из прайс-листов магазинов. Импортные и отечественные транзисторы, расположенные в одной колонке, имеют близкие параметры, хотя и не обязательно являются полными аналогами. Справочник предназначен для разработчиков и тех, кто занимается ремонтом. Для ходовых импортных транзисторов дана ссылка на магазин, где их можно купить.
  • Справочник по отечественным мощным транзисторам.

  • Полевые транзисторы. Справочник.

  • Маломощные транзисторы. Справочник.

  • Транзисторы средней мощности. Справочник.

  • Отечественные smd транзисторы. Справочник.

  • Главная страница.

  • Показать только:
    40В 60В 70В 80В 100В 160В 200В 250В 300В 400В 500В 600В 700В
    800В 900В 1500В 2000В ВСЕ







    Отечеств. Корпус PDF Тип Imax, A Импортный Корпус
    Внешний вид корпусов ТО:  
    Транзисторы на напряжение до 40В:
    КТ668 (А-В) ТО-92 pnp 0. 1 BC557
    BC857
    TO-92
    smd
    современный pnp транзистор 40В 0.1А
    КТ6111 (А-Г) ТО-92 npn 0.1 BC547
    BC847
    TO-92
    smd
    npn транзистор 40В 0.1А
    КТ6112 (А-В) ТО-92 pnp 0.1 (0.15) 2SA1266
    2SA1048
    TO-92
    TO-92
    pnp транзистор 40В 0.1А
    КТ503 А,Б ТО-92 npn 0.15 2SC1815 TO-92 описание npn транзистора КТ503 на 40В 0.15А
    2Т3133А ТО-126 npn 0.3   npn транзистор 40В 0.3А
    КТ501 Ж,И,К ТО-92 pnp 0. 3 (0.2) 2N3906 TO-92 описание транзистора биполярного кт501, характеристики и графики
    КТ645Б ТО-92 npn 0.3 (0.2) 2N3904 TO-92 npn транзистор 40В 0.3А
    КТ646Б ТО-126 npn 0.5 (0.6) 2N4401
    MMBT2222
    TO-92
    smd
    описание и характеристики npn транзистора КТ646 на 40В 0.5А
    КТ626А ТО-126 pnp 0.5 2N4403
    BC807
    TO-92
    smd
    транзистор биполярный кт626, характеристики
    КТ685 А,В ТО-92 pnp 0.6     транзистор биполярный кт685, характеристики
    КТ686 А,Б,В ТО-92 pnp 0. 8 BC327 ТО-92 характеристики транзистора кт686
    КТ660А ТО-92 npn 0.8 BC337
    BC817
    ТО-92
    smd
    npn транзистор 40В 0.8А
    КТ684А ТО-92 npn 1 BC635 TO-92 npn транзистор 40В 1А
    КТ692А ТО-39 pnp 1 BC636 TO-92 pnp транзистор 40В 1А
    КТ815А ТО-126 npn 1.5 BD135 TO-126 npn транзистор КТ815 на 40В 1.5А
    КТ639А,Б,В ТО-126 pnp 1.5 BD136 TO-126 npn транзистор КТ639 на 40В 1.
    КТ814А ТО-126 pnp 1.5     pnp транзистор КТ814А на 40В 1.5А
    2Т860В ТО-39 pnp 2 2SA1020 TO-92L транзистор биполярный 2т860
    КТ852Г ТО-220 pnp 2 FMMT717 sot23 транзистор биполярный кт852 на 40В 2А
    КТ943А ТО-126 npn 2   транзистор биполярный кт943
    КТ817А,Б ТО-126 npn 3     описание транзистора кт817 на 40В 3А
    КТ816Б ТО-126 pnp 3 2SB856 TO-220 транзистор биполярный кт816
    КТ972Б
    КТ8131А
    ТО-126
    npn 4   описание составного транзистора кт972 на 40В 4А
    КТ973Б
    КТ8130А
    ТО-126
    pnp 4 2SB857 TO-220 описание транзистора кт973
    КТ835Б ТО-220 pnp 7. 5     описание транзистора кт835 на 40В 7А
    2Т837В,Е ТО-220 pnp 8     транзистор биполярный 2т837
    КТ829Г ТО-220 npn 8     описание составного транзистора кт829 на 40В 8А
    КТ853Г ТО-220 pnp 8     характеристики транзистора кт853
    КТ819А,Б ТО-220,
    ТО-3
    npn 10 TIP34 TO-247 описание транзистора кт819 на 40В 10А
    КТ818А ТО-220,
    ТО-3
    pnp 10 TIP33 TO-247 описание транзистора кт818
    КТ863А ТО-220 npn 10 (12) 2SD1062 TO-220 транзистор биполярный кт863 и импортный 2sd1062
    2Т877В ТО-3 pnp 20     составной 2Т877 на 40В 20А
    Транзисторы на напряжение до 60В:
    КТ503В,Г ТО-92 npn 0. 15 (0.1) 2SC3402
    2SC3198
    BC546
    TO-92
    TO-92
    TO-92
    описание транзистора КТ503 на 60В 0.1А
    КТ645А ТО-92 npn 0.3  
    КТ662А ТО-39 pnp 0.4 (0.1) BC556 TO-92 импортный транзистор 60В 0.1А в справочнике
    КТ646А ТО-126 npn 0.5 BD137
    BCV49
    TO-126
    smd
    описание транзистора КТ646 на 60В 0.5А
    КТ626Б ТО-126 pnp 0.5 BD138
    BCV48
    TO-126
    smd
    транзистор 60В 0.5А в справочнике
    КТ685Б,Г ТО-92 pnp 0. 6 (1) BC638 TO-92
    КТ644(А-Г) ТО-126 pnp 0.6     описание транзистора КТ644
    КТ661А
    КТ529А
    ТО-39
    TO-92

    pnp 0.6 (1) 2SA684
    MMBT2907
    TO-92L
    smd
    КТ630Д,Е
    КТ530А
    ТО-39
    TO-92

    npn 1 BC637
    BSR41
    TO-92
    smd
    транзистор на 60В 1А
    КТ683Д,Е ТО-126 npn 1 2SD1616 TO-92 транзистор на 60В 1А
    КТ659А ТО-39 npn 1.2    
    КТ961В ТО-126 npn 1. 5 BD137 TO-126
    КТ639Г,Д ТО-126 pnp 1.5 BD138 TO-126
    КТ698В ТО-92 npn 2 2SC2655
    2SD1275
    TO-92
    TO-220FP
    транзистор на 60В 2А
    2Т831Б ТО-39 npn 2    
    2Т830Б ТО-39 pnp 2    
    2Т880В ТО-39 pnp 2    
    2Т881В ТО-39 npn 2    
    КТ852В ТО-220 pnp 2     составной биполярный транзистор на 60В 2А
    2Т708Б ТО-39 pnp 2. 5    
    КТ817В ТО-126 npn 3 (4) 2N5191
    2SD1266
    ТО-126
    TO-220FP
    транзистор КТ817 на 60В 3А
    2Т836В ТО-39 pnp 3    
    КТ816В ТО-126 pnp 3 2SB1366
    2SB1015
    TO-220FP
    TO-220FP
    транзистор КТ816В на 60В 3А
    КТ972А
    КТ8131Б
    ТО-126
    npn 4 BD677 TO-126 составной отечественный транзистор на 60В 4А
    КТ973А
    КТ8130Б
    ТО-126
    pnp 4 (5) BD678
    2SA1469
    2SB1203
    TO-126
    TO-220
    smd
    описание составного транзистора КТ973А на 60В 5А
    КТ829В ТО-220 npn 8 (5) TIP120 TO-220 транзистор на 60В 5А
    КТ8116В ТО-220 npn 8     транзистор КТ8116 на 60В 8А
    КТ853В ТО-220 pnp 8     транзистор на 60В 8А
    2Т837Б,Д ТО-220 pnp 8    
    2Т709В ТО-3 pnp 10  MJE2955 TO-220 биполярный транзистор на 60В 10А
    2Т875В ТО-3 npn 10 MJE3055 TO-220 транзистор на 60В 10А
    2Т716В,В1 ТО-3
    ТО-220

    npn 10    
    КТ8284А ТО-220 npn 12 (15) TIP3055 TO-218 составной транзистор на 60В 15А
    2Т825В2 ТО-220 pnp 15    
    КТ827В ТО-3 npn 20     составной транзистор КТ827 на 60В 20А
    2Т825В ТО-3 pnp 20     транзистор на 60В 20А
    2Т877Б ТО-3 pnp 20     транзистор на 60В 20А
    КТ8106Б ТО-220 npn 20     составной транзистор КТ8106 на 60В 20А
    КТ896Б ТО-220 pnp 20     составной транзистор КТ896 на 60В 20А
    КТ8111В9 ТО-218 npn 20     составной транзистор КТ8111 на 60В 20А
    Транзисторы на напряжение до 70В:
    КТ815В ТО-126 npn 1. 5 2SC5060 TO-92S на 70В 1А
    КТ814В ТО-126 pnp 1.5    
    КТ698Б ТО-92 npn 2     отечественный на 70В 2А
    2Т831В ТО-39 npn 2    
    2Т860Б ТО-39 pnp 2    
    КТ943 Б,Д ТО-126 npn 2  
    2Т837А,Г ТО-220 pnp 8     на 70В 8А
    КТ808ГМ ТО-3 npn 10    
    КТ818В ТО-220,
    ТО-3
    pnp 10     описание транзистора КТ818В на 70В 10А
    2Т876Б ТО-3 pnp 10     
    2Т875Б ТО-3 npn 10    
    Транзисторы на напряжение до 80В:
    КТ503Д ТО-92 npn 0. 15 (0.3) 2SC1627 TO-92 транзистор на 80В 0.1А
    КТ626В ТО-126 pnp 0.5 (0.7) 2SA935 TO-92L транзистор на 80В 0.5А
    КТ684Б ТО-92 npn 1   транзистор на 80В 1А
    КТ961Б ТО-126 npn 1.5   транзистор на 80В 1.5А
    2Т881Б ТО-39 npn 2 (1.5) BD139 TO-126 транзистор на 80В 2А
    2Т830В ТО-39 pnp 2 (1.5) BD140
    BCP53
    TO-126
    smd
    транзистор на 80В 2А
    2Т880Б ТО-39 pnp 2     транзистор на 80В 2А
    КТ852Б ТО-220 pnp 2     транзистор на 80В 2А
    КТ943В,Г
    КТ8131В
    ТО-126
    npn 2 (4) 2N6039 TO-126 составной транзистор на 80В 4А
    2Т836А,Б
    КТ8130В
    ТО-39
    ТО-126

    pnp 3     характеристики составного транзистора КТ8131 на 80В 4А
    КТ829Б ТО-220 npn 8 (5) BD679
    TIP121
    MJD44h21
    TO-126
    TO-220
    smd
    транзистор 80В 5А, составной транзистор на 80В 4А
    КТ8116Б ТО-220 npn 8 (10) 2SD2025
    BDX33B
    TO-220FP
    TO-220
    составной транзистор на 80В 10А
    КТ853Б ТО-220 pnp 8 (10) BDX34B TO-220 составной транзистор на 10А 80В
    2Т709Б ТО-3 pnp 10 TIP33B TO-247 транзистор на 80В 10А
    2Т876А,Г ТО-3 pnp 10    
    2Т716Б,Б1 ТО-3
    ТО-220

    npn 10     транзистор на 80В 10А
    КТ808ВМ ТО-3 npn 10
    КТ819Б,В* ТО-220
    ТО-3
    npn 10 TIP34B TO-247
    2Т875А,Г ТО-3 npn 10    
    КТ8284Б ТО-220 npn 12     на 80В 12А
    2Т825Б2 ТО-220 pnp 15     транзистор на 80В 15А
    КТ827Б ТО-3 npn 20     транзистор на 80В 20А
    2Т825Б ТО-3 pnp 20     транзистор на 80В 20А
    2Т877А ТО-3 pnp 20     транзистор на 80В 20А
    КТ8111Б9 ТО-218 npn 20     составной транзистор на 80В 20А
    КТ8106А ТО-220 npn 20     составной транзистор на 80В 20А
    КТД8280А ТО-218 npn 60     составной транзистор на 80В 60А
    КДТ8281А ТО-218 pnp 60     транзистор на 80В 60А
    КТД8283А ТО-218 pnp 60    
    Транзисторы на напряжение до 100-130В:
    КТ601А,АМ ТО-126 npn 0. 03     биполярный транзистор на 100В 30мА
    КТ602А,АМ ТО-126 npn 0.075  
    КТ638А,Б ТО-92 npn 0.1 2SC2240 TO-92 биполярный транзистор на 100В 100мА
    КТ503Е ТО-92 npn 0.15    
    КТ807А,Б ТО-126 npn 0.5    
    КТ630А,Б,Г ТО-39 npn 1     биполярный транзистор на 100В 1А
    КТ684В ТО-92 npn 1 BC639 TO-92 биполярный npn транзистор на 100В 1А
    КТ683Б,В,Г ТО-126 npn 1   биполярный транзистор на 100В 1А
    КТ719А ТО-126 npn 1. 5    
    КТ815Г ТО-126 npn 1.5     биполярный транзистор на 100В 1.5А
    КТ961А ТО-126 npn 1.5   биполярный транзистор на 100В 1.5А
    КТ814Г ТО-126 pnp 1.5 (1) 2N5400
    BC640
    2SA1358
    TO-92
    TO-92
    TO-126
    биполярный pnp транзистор на 100В 1.5А
    КТ6103А ТО-92 npn 1.5     биполярный транзистор на 100В 1.5А
    КТ6102А ТО-92 pnp 1.5     биполярный транзистор на 100В 1.5А
    КТ698А ТО-92 npn 2 BD237 TO-126 биполярный транзистор на 100В 2А
    2Т831Г ТО-39 npn 2 SD1765 TO-220FP биполярный транзистор на 100В 2А
    2Т881А,Г ТО-39 npn 2     биполярный транзистор на 100В 2А
    2Т860А ТО-39 pnp 2     биполярный pnp транзистор на 100В 2А
    2Т830Г ТО-39 pnp 2     биполярный pnp транзистор на 100В 2А
    2Т880А,Г ТО-39 pnp 2     биполярный pnp транзистор на 100В 2А
    КТ852А ТО-220 pnp 2     составной pnp транзистор на 100В 2А
    2Т708А ТО-39 pnp 2. 5     составной pnp транзистор на 100В 2.5А
    КТ817Г ТО-126 npn 3     транзистор 100В на 3А
    КТ816Г ТО-126 pnp 3 (5) TIP42C
    TIP127
    TO-220 pnp транзистор 100В 3А, pnp транзистор на 100В 5А
    КТ805БМ,ВМ ТО-220 npn 5     npn транзистор на 100В 5А
    КТ829А ТО-220 npn 8 (5) TIP122 TO-220 составной npn транзистор на 100В 8А
    КТ8116А ТО-220 npn 8     составной npn  транзистор на 100В 8А
    КТ853А ТО-220 pnp 8 (5)   составной pnp транзистор на 100В 8А
    КТ8115А ТО-220 pnp 8     составной pnp транзистор на 100В 8А
    2Т709А ТО-3 pnp 10  BDX34C TO-220 составной pnp транзистор на 100В 10А
    2Т716А,А1 ТО-3
    ТО-220

    npn 10 BDX33C TO-220 составной npn транзистор на 100В 10А
    КТ808 АМ,БМ ТО-3 npn 10     npn транзистор на 100В 10А
    КТ819А,Г ТО-220
    ТО-3
    npn 10 TIP34C TO-247 npn транзистор на 100В 10А
    КТ818Г ТО-220
    ТО-3
    pnp 10 TIP33B
    2SA1265
    TO-247 pnp транзистор на 100В 10А
    КТ8284В ТО-220 npn 12     составной npn транзистор на 100В 12А
    КТ8246 А,Б ТО-220 npn 15     составной  npn транзистор на 100В 15А
    2Т825А2 ТО-220 pnp 15      составной pnp транзистор на 100В 15А
    ПИЛОН-3А ТО-220 npn 15      составной npn транзистор на 100В 15А
    КТ827А ТО-3 npn 20     составной  npn транзистор на 100В 20А
    2Т825А ТО-3 pnp 20     составной pnp транзистор на 100В 20А
    КТД8257А ТО-220 npn 20     составной npn транзистор на 100В 20А
    2Т935Б ТО-220 npn 20     npn транзистор на 100В 20А
    КТД8278Б,В ТО-220
    ТО-263
    npn 20     npn транзистор на 100В 20А
    КТ896А ТО-220 pnp 20     npn транзистор на 100В 20А
    КТ8111А9 ТО-218 npn 20     составной npn транзистор на 100В 20А
    КТД8280Б ТО-218 npn 60     составной npn транзистор на 100В 60А
    КТД8281Б ТО-218 pnp 60     pnp транзистор на 100В 60А
    КТД8283Б ТО-218 pnp 60     pnp транзистор на 100В 60А
    Транзисторы на напряжение до 160В:
    КТ611В,Г ТО-126 npn 0. 1 2SC2230
    2SD1609
    TO-92L
    TO-126
    КТ940В ТО-126 npn 0.1  
    КТ6117 ТО-92 npn 0.6 (0.3) 2N5551 TO-92
    КТ6116 ТО-92 pnp 0.6 (0.3) 2N5401 TO-92
    КТ630В ТО-39 npn 1 2SC2383 TO-92L
    КТ683А ТО-126 npn 1  
    КТ850В ТО-220 npn 2    
    КТ8123А ТО-220 npn 2    
    КТ851В ТО-220 pnp 2 (1) 2SA940
    KSA1013
    2SA1306
    TO-220
    TO-92L
    TO-220FP
    КТ805АМ ТО-220 npn 5    
    КТ855Б,В ТО-220 pnp 5    
    КТ899А ТО-220 npn 8    
    КТ712Б ТО-220 pnp 10 2SA1186 ТО-3Р
    КТ863БС ТО-220
    ТО-263
    npn 12 2SC3907 TO-3P ?
    КТ8246В,Г ТО-220 npn 15    
    КТ8101Б ТО-218 npn 16    
    КТ8102Б ТО-218 pnp 16 2SA1216 SIP3
    КТД8257Б ТО-220 npn 20    
    ПИР-2 (КТ740А) ТО-220
    ТО-218
    npn 20    
    КТ879Б КТ-5 npn 50    
    Транзисторы на напряжение до 200В:
    КТ611А,Б ТО-126 npn 0. 1 (0.2) 2SC1473
    BFP22
    TO-92
    TO-92
    биполярный транзистор на 200В 0.1А
    КТ504Б ТО-39 npn 1     биполярный транзистор на 200В 1А
    КТ851А ТО-220 pnp 2     биполярный транзистор на 200В 2А
    КТ842Б ТО-3 pnp 5     биполярный транзистор на 200В 5А
    КТ864А ТО-3 npn 10 (7) BU406 TO-220 биполярный транзистор на 200В 10А
    КТ865А ТО-3 pnp 10     биполярный транзистор на 200В 10А
    КТ712А ТО-220 pnp 10      составной биполярный транзистор на 200В 10А
    КТ945А ТО-3 npn 15     биполярный транзистор на 200В 15А
    КТ8101А ТО-218 npn 16     биполярный транзистор на 200В 15А
    КТ8102А ТО-218 pnp 16 2SA1294
    2SA1302
    TO-247 биполярный транзистор на 200В 16А
    КТД8257(А-Г) ТО-220 npn 20     составной биполярный транзистор на 200В 20А
    КТД8278А ТО-220
    ТО-263
    npn 20     составной биполярный транзистор на 200В 20А
    КТ897Б ТО-218 npn 20     составной биполярный транзистор на 200В 20А
    КТ898Б ТО-218 npn 20     составной  транзистор на 200В 20А
    КТ867А ТО-3 npn 25     биполярный транзистор на 200В 25А
    КТ879А КТ-5 npn 50     биполярный транзистор на 200В 50А
    Транзисторы на напряжение до 250В:
    КТ605А,Б ТО-126 npn 0. 1 (0.05) BF422 TO-92
    КТ940Б ТО-126 npn 0.1  
    КТ969А ТО-126 npn 0.1  
    КТ504В ТО-39 npn 1    
    2Т882В ТО-220 npn 1    
    КТ505Б ТО-39 pnp 1    
    2Т883Б ТО-220 pnp 1 2SA1837 TO-220FP
    КТ850А,Б ТО-220 npn 2    
    КТ851Б ТО-220 pnp 2    
    КТ855А ТО-220 pnp 5    
    КТ857А ТО-220 npn 7 (8) MJE15032 TO-220
    КТ844А ТО-3 npn 10    
    2Т862А,Б ТО-3 npn 15    
    Транзисторы на напряжение до 300В:
    КТ940А ТО-126 npn 0. 1 (0.05) 2SC2482
    2SC5027
    BF820
    TO-92L
    TO-92L
    smd
    npn транзистор на 300В 0.1А
    КТ9115А ТО-126 pnp 0.1 (0.05) 2SA1091
    BF821
    TO-92
    smd
    pnp транзистор на 300В 0.1А
    КТ6105А ТО-92 npn 0.15     npn транзистор на 300В 0.1А
    КТ6104А ТО-92 pnp 0.15 2SA1371 TO-92L pnp транзистор на 300В 0.1А
    2Т882Б ТО-220 npn 1 (0.5) MJE340
    MPSA42
    TO-126
    TO-92
    npn транзистор на 300В 1А
    КТ504А ТО-39 npn 1 (1. 5) MJE13002 TO-220 npn транзистор на 300В 1А
    Т505А ТО-39 pnp 1 (0.5) MJE350 TO-126
    2Т883А ТО-220 pnp 1    
    КТ8121Б ТО-220 npn 4     npn транзистор на 300В 3А
    КТ8258Б ТО-220 npn 4     npn транзистор на 300В 4А
    КТ842А ТО-3 pnp 5     на 300В 5А
    КТ8124В ТО-220 npn 7     npn транзистор на 300В 6А
    КТ8109А,Б ТО-220 npn 7     составной npn транзистор на 300В 7А
    КТД8262(А-В) ТО-220 npn 7     составной npn транзистор на 300В 7А
    КТ8259Б ТО-220 npn 8     npn транзистор на 300В 8А
    КТ854Б ТО-220 npn 10     npn транзистор на 300В 10А
    КТД8279(А-В) ТО-220
    ТО-218
    npn 10     составной транзистор на 300В 10А
    КТ892А,В ТО-3 npn 15     npn транзистор на 300В 15А
    КТ8260А ТО-220 npn 15     npn транзистор на 300В 15А
    КТД8252(А-Г) ТО-220
    ТО-218
    npn 15     составной npn транзистор на 300В 15А
    КТ890(А-В) ТО-218 npn 20     составной npn транзистор на 300В 20А
    КТ897А ТО-218 npn 20     составной npn транзистор на 300В 20А
    КТ898А ТО-218 npn 20     составной npn транзистор на 300В 20А
    КТ8232А,Б ТО-218 npn 20     составной npn транзистор на 300В 20А
    КТ8285А
    КТ8143Ш
    ТО-218
    ТО-3

    npn 30
    80
        мощный npn транзистор КТ8143 на напряжение 300В и ток 80А
    Транзисторы на напряжение до 400В:
    2Т509А ТО-39 pnp
    npn
    npn
    0. 02 (0.5)
    0.2
    0.2
    2SA1625
    MPSA44
    MJE13001
    TO-92 npn транзистор на 400В 0.5А
    2Т882А ТО-220 npn 1 (1.5) MJE13003
    TIP50
    TO-220
    TO-220
    npn транзистор на 400В 1А
    КТ704Б,В   npn 2.5 (2) BUX84 TO-220 npn транзистор на 400В 2.5А
    КТ8121А ТО-220 npn 4     npn транзистор на 400В 3А
    КТ8258А ТО-220 npn 4 MJE13005 TO-220 npn транзистор на 400В 4А
    КТ845А ТО-3 npn 5 BUT11 TO-220 npn транзистор на 400В 5А
    КТ840А,Б ТО-3 npn 6 2SD1409 TO-220FP npn транзистор на 400В 6А
    КТ858А ТО-220 npn 7 2SC2335 TO-220 npn транзистор на 400В 7А
    КТ8124А,Б ТО-220 npn 7 2SC3039 TO-220 npn транзистор на 400В 7А
    КТ8126А ТО-220 npn 8 MJE13007 TO-220 npn транзистор на 400В 8А
    КТ8259А ТО-220 npn 8 2SC4834 TO-220FP npn транзистор на 400В 8А
    КТ8117А ТО-218 npn 10 2SC2625 TO-247 npn транзистор на 400В 9А
    КТ841Б ТО-3 npn 10 2SC3306 TO-3P npn транзистор на 400В 10А
    2Т862Г ТО-3 npn 10 2SC4138 TO-3P npn транзистор на 400В 10А
    2Т862В ТО-3 npn 10 (12) MJE13009
    2SC3042
    TO-220
    TO-3P
    биполярный транзистор на 400В 10А
    КТД8279А ТО-220
    ТО-218
    npn 10     составной транзистор на 400В 10А
    КТ834В ТО-3 npn 15     составной транзистор на 400В 15А
    КТ848А ТО-3 npn 15     транзистор на 400В 15А
    КТ892Б ТО-3 npn 15     npn транзистор на 400В 15А
    КТ8260Б ТО-220 npn 15     npn транзистор на 400В 15А
    КТ8285Б ТО-218
    ТО-3
    npn 30     npn транзистор на 400В 30А
    2Т885А ТО-3 npn 40     npn транзистор на 400В 40А
    Транзисторы на напряжение до 500В:
    КТ6107А ТО-92 npn 0. 13     npn транзистор на 500В 0.1А
    КТ6108А ТО-92 pnp 0.13    
    КТ704А   npn 2.5 (1.5) 2SC3970 TO-220FP npn транзистор на 500В 2А
    КТ8120А ТО-220 npn 3 (5) BUL310 TO-220FP npn транзистор на 500В 3А
    КТ812Б ТО-3 npn 8   npn транзистор на 500В 8А
    КТ854А ТО-220 npn 10     npn транзистор на 500В 10А
    2Т856В ТО-3 npn 10     npn транзистор на 500В 10А
    КТ8260В ТО-220 npn 15     npn транзистор на 500В 15А
    КТ834А,Б ТО-3 npn 15     npn транзистор на 500В 15А
    ПИР-1 ТО-218 npn 20     npn транзистор на 500В 20А
    КТ8285В ТО-218
    ТО-3
    npn 30     npn транзистор на 500В 30А
    2Т885Б ТО-3 npn 40     npn транзистор на 500В 40А
    Транзисторы на напряжение до 600В:
    КТ888Б ТО-39 pnp 0. 1     pnp транзистор на 600В 0.1А
    КТ506Б ТО-39 npn 2   npn транзистор на 600В 2А
    2Т884Б ТО-220 npn 2 (3) 2SC5249 TO-220FP npn транзистор на 600В 2А
    КТ887Б ТО-3 pnp 2 (1) 2SA1413 smd pnp транзистор на 600В 2А
    КТ828Б,Г ТО-3 npn 5 (6) 2SD2499
    2SD2498
    2SD1555
    TO-3PF
    TO-3PF
    TO-3PF
    строчный транзистор на 600В 5А
    КТ8286А ТО-218
    ТО-3
    npn 5 (8) 2SC5386 TO-3P ? строчный транзистор на 600В 5А
    КТ856А1,Б1 ТО-218 npn 10 ST1803 ISOW218 строчный транзистор на 600В 10А
    КТ841А,В ТО-3 npn 10 2SC5387 ISOW218 npn транзистор на 600В 10А
    КТ847А ТО-3 npn 15 (20) 2SC4706
    2SC5144
    TO-3P
    TO-247 ?
    мощный транзистор высоковольтный на 600В 15А
    КТ8144Б ТО-3 npn 25     мощный высоковольтный транзистор на 600В 25А
    КТ878В ТО-3 npn 30     мощный npn транзистор на 600В 30А
    Транзисторы на напряжение до 700В:
    КТ826(А-В) ТО-3 npn 1     npn транзистор на 700В 1А
    КТ8137А ТО-126 npn 1. 5     npn транзистор на 700В 1.5А
    КТ887А ТО-3 pnp 2     pnp транзистор на 700В 2А
    КТ8286Б ТО-218
    ТО-3
    npn 5 npn транзистор на 700В 5А
    КТ8107(А-Г) ТО-220 npn 8 npn транзистор на 700В 8А
    КТ812А ТО-3 npn 10 BUh200 TO-220 высоковольтный транзистор на 700В 10А
    2Т856Б ТО-3 npn 10     npn транзистор на 700В 10А
    Транзисторы на напряжение до 800В:
    КТ506А ТО-39 npn 2     высоковольтный npn транзистор 800В 1А
    2Т884А ТО-220 npn 2     npn транзистор на 800В 2А
    КТ859А ТО-220 npn 3 2SC3150 TO-220 npn транзистор на 800В 3А
    КТ8118А ТО-220 npn 3 npn транзистор на 800В 3А
    КТ828А,В ТО-3 npn 5     npn транзистор на 800В 4А
    КТ8286В ТО-218
    ТО-3
    npn 5     npn транзистор на 800В 5А
    КТ868Б КТ-9 npn 6 (8) 2SC5002
    2SC4923
    TO-3PF
    TO-3PML
    высоковольтный транзистор на 800В 6А
    КТ8144А ТО-3 npn 25 2SC3998 TO-3PBL высоковольтный транзистор на 800В 25А
    КТ878Б ТО-3 npn 30 высоковольтный npn транзистор на 800В 30А
    Большая часть из приведенных здесь транзисторов на напряжение свыше 600В применяются в строчных развертках телевизоров и мониторов. В справочнике они расположены по пиковому напряжению коллектор-эмиттер. Если судить по графикам, то область безопасной работы у них, за редким исключением, не более 800В, а пиковое напряжение они держат лишь при соблюдении определенных условий.?
    Транзисторы на напряжение до 900В:
    КТ888А ТО-39 pnp 0.1     транзистор высоковольтный на 900В 0.1А
    КТ868А КТ-9 npn 6 (3) 2SC3979 TO-220 npn транзисторы высоковольтные на 900В 6А
    2Т856А ТО-3 npn 10     npn транзистор высоковольтный на 900В 10А
    КТ878А ТО-3 npn 30     высоковольтный npn транзистор на 900В 30А
    Транзисторы на напряжение до 1000-1500В:
    КТ838А ТО-3 npn 5 BU508 TO-3PF биполярный транзисторы высоковольтные на 1500В 5А
    КТ846А ТО-3 npn 5 BU2506 SOT-199 современный высоковольтный строчный транзистор на 1500В 5А
    КТ872А,Б ТО-218 npn 8 BU2508
    2SC5447
    TO-3PFM
    SOT-199
    современные высоковольтные транзисторы на 1500В 8А
    КТ886Б1 ТО-218 npn 8 (10) BU1508 TO-220 современный высоковольтный биполярный транзистор на 1000В 10А
    КТ839А ТО-3 npn 10 BU2520 TO-3PML современный биполярный высоковольтный транзистор на 1500В 10А
    КТ886А1 ТО-218 npn 10 (12) 2SC5270 TO3-PF современный высоковольтный npn транзистор на 1500В 10А
          npn 25 2SC5244
    2SC3998
    TOP-3L
    ТО-3PBL
    строчный транзистор на 1500В 25А
    Транзисторы на напряжение свыше 2000В
    2Т713А ТО-3 npn 3     транзистор высоковольтный на 2000В 3А
    КТ710А ТО-3 npn 5     npn транзистор высоковольтный на 2000В 5А

    Транзисторы — ПСК Монолит

    Транзисторы состоят из материалов с проводимостью п-типа и p-типа. Их конкретное построение зависит от типа полупроводника, стоящего в середине. Если материал с отрицательной проводимостью вставлен между двумя материалами с положительной проводимостью, образуется транзистор рпр- типа; если материал с положительной проводимостью помещен между материалами с отрицательной проводимостью — транзистор прп-типа.  14.5 иллюстрирует обычные обозначения транзисторов рпр- и прп-типа. Основной транзистор рпр- или прп-типа содержит три части — базу, эмиттер и коллектор. Транзистор может включаться в цепь различными способами.

    Выбор транзистора, необходимого для конкретной работы, должен зависеть от цепи, области применения, выдерживаемого устройством тока и температуры. Транзистор используется как переключатель или для усиления сигнала. В радиоприемнике транзистор будет получать слабый сигнал и усиливать так, что его мощность будет достаточной для того, чтобы слышимый звук мог передаваться к громкоговорителю. В системах управления кондиционированием воздуха транзистор усиливает слабый сигнал, полученный от термистора, чтобы обеспечить его мощностью, достаточной для выполнения полезной работы (такой, как замыкание реле или контактора, или приведение в движение маленького двигателя).

    Простая цепь управления, используемая для регулировки температуры, обычно содержит термистор во входных цепях, сопротивление которого перестраивается вместе с изменением температуры. Перестройка сопротивления во входных цепях, как правило, вызывает изменение тока через базу транзистора, которое будет усиливаться в нем. Ток этого усиленного сигнала может быть достаточен для приведения в действие выключателя или коммутации напряжения на реле или контакторе. На  14.6 представлена простая цепь для регулировки температуры.

    Дата: 17 августа 2014, Просмотров: 81

    Самые популярные материалы

    Добавить комментарий


     

    Двухтактный усилитель на комплементарных транзисторах

    Электроника Двухтактный усилитель на комплементарных транзисторах

    просмотров — 422

    Двухтактный усилитель мощности на комплементарных транзисторах по­зволяет отказаться от использования, как фазорасщепителя на входе, так и трансформатора на выходе. В этом усилителœе используются два симметричных транзистора, pnp— и npn-типа, называемые комплементарной парой.

    Принцип его работы основан на том факте, что положитель­ный сигнал открывает npn-транзистор, закрывает pnp; а отрицательный сигнал открывает рпр-транзистор, закрывает npn.

    На рис. а) приведена базовая схема двухтактного усили­теля на комплементарных транзисторах (иногда называемая каскадом с дополнительной симметрией). Транзисторы T1 и Т2 работают в режи­ме класса В, т. е. в точке отсечки.

    Используются два источника пи­тания: +EK и –EK (двухполярный источник питания). В положительном полупериоде входного сигнала транзистор T1 открыт, а транзистор Т2 закрыт. Ток i1 транзистора T1создает положительную полуволну тока в нагрузочном резисторе RH. В отрицательном полупериоде открывается транзистор Т2, и теперь его ток i2, имеющий противоположное току i1 направление, протекает через нагрузочный резистор.

    Τᴀᴋᴎᴍ ᴏϬᴩᴀᴈᴏᴍ, на нагрузке формируется полный синусоидальный сигнал, соответствующий двум половинам полного пери­ода входного сигнала. Следует отметить, что в рассматриваемом каскаде транзисторы включены по схеме с общим коллектором, то есть как эмиттерные повторители, поскольку выходной сигнал снимается с эмиттеров транзисторов.

    На рис. б) приведена полная схема двухтактного усилителя мощности на комплементарных транзисторах вместе с предвыходным каскадом.

    Схема модифицирована для питания от одного источника. Транзистор T1 работает в предвыходном каскаде (предусилителœе мощности). Цепь смешения R1 — R2 обеспечивает работу этого каскада в режиме класса А. При подаче питания устанавливается нормальный статический режим транзистора T1 (транзистор открыт). Разделительный конденсатор С3 разряжен. Следовательно, потенциал точки А, где соединяются эмиттеры транзисторов Т2 и Т3, равен нулю. При этом базы этих транзисторов находятся под положительным потенциалом, определяемым напряжением на коллекторе транзистора T1. Это положительное напряжение открывает транзистор Т2. Транзистор Т3 (рпр-типа) при этом закрыт. Таким обра­зом, ток i2, протекающий через открытый транзистор, будет заряжать конденсатор С3, как показано на схеме. По мере заряда этого конденса­тора возрастает напряжение в точке А. Процесс зарядки продолжается до тех пор, пока не закроется транзистор Т2. Это происходит в тот момент, когда напряжение на эмиттере этого транзистора (в точке А) сравнива­ется с напряжением на его базе.

    В случае если статический режим транзистора T1 выбран таким образом, что его коллекторное напряжение равно 0,5Ек, то транзистор Т2 закроется, как только потенциал точки А возрастет до 0,5ЕК. В результате схе­ма будет сбалансирована по постоянному току и каждому транзистору будет приложено напряжение, равное половинœе напряжения источника питания. Транзисторы Т2 и Т3 оказываются в отсечке (режим класса В) с нулевым напряжением смещения на их эмиттерных переходах, т. е. они находятся на грани включения при отсутствии входного сигнала.

    При подаче входного сигнала транзистор T1 находится в проводящем состоянии в течение всœего периода, усиливая данный сигнал и обеспечивая «раскачку» выходных транзисторов Т2 и Т3. Комплементарная пара выходных транзисторов обеспечивает дальнейшее усиление сигнала, как это было описано выше при рассмотрении базовой схемы.

    Схема на рис. б) имеет низкую стабильность по постоянному то­ку. Любое изменение тока транзистора T1 вызывает изменение статиче­ского режима выходной пары транзисторов, что может привести к иска­жениям выходного сигнала.

    Для улучшения стабильности использует­ся отрицательная обратная связь по постоянному току, обеспечивающая автоматическую подстройку смещения транзистора Т1, как показано на рис. в). Постоянное напряжение, действующее в точке А (0,5ЕК), по­дается обратно на базу транзистора T1 через резистор обратной связи RF. В этой схеме громкоговоритель подключен к положительной шинœе источ­ника питания через разделительный конденсатор С3. Заметим, что в та­кой конфигурации ток транзистора Т3 заряжает данный конденсатор, а ток транзистора Т2 разряжает его. Вообще, транзистор, включенный «последовательно» с разделительным конденсатором, заряжает его, а включен­ный «параллельно» — разряжает. Через резистор R4 на базы выходных транзисторов подается небольшое напряжение прямого смещения, обеспе­чивающее уменьшение искажений типа «ступенька». Резисторы R6 и R7 в эмиттерных цепях транзисторов Т2 и Т3 обеспечивают стабильность по постоянному току, а также неглубокую обратную связь по переменному току, улучшающую частотные характеристики усилителя.


    Читайте также


  • — Двухтактный усилитель на комплементарных транзисторах

    Двухтактный усилитель мощности на комплементарных транзисторах по­зволяет отказаться от использования, как фазорасщепителя на входе, так и трансформатора на выходе. В этом усилителе используются два симметричных транзистора, pnp- и npn-типа, называемые комплементарной… [читать подробенее]


  • — Двухтактный усилитель на комплементарных транзисторах

    Двухтактный усилитель мощности на комплементарных транзисторах по­зволяет отказаться от использования, как фазорасщепителя на входе, так и трансформатора на выходе. В этом усилителе используются два симметричных транзистора, pnp- и npn-типа, называемые комплементарной… [читать подробенее]


  • Конспект урока «Транзисторы»

    Изучив электрический ток в полупроводниках и познакомившись с p-n переходом, мы можем приступить к рассмотрению транзисторов. Транзисторы – это очень хитроумные приборы, без которых современная электроника просто немыслима.

    Конспект урока «Транзисторы»

      

    Рассмотрим приборы, которые включают в себя два р-п перехода — транзисторы. Между двумя полупроводниками п-типа создается тонкая прослойка из полупроводника р-типа (на рисунке толщина полупроводников обозначена чисто условно, а не пропорционально их реальным размерам).

    Или же, можно сделать наоборот: между двумя полупроводниками р-типа помещают тонкую прослойку полупроводника п-типа.

    Соответственно, транзисторы делятся на два типа: рпр транзисторы и прп транзисторы. Прослойку, находящуюся между полупроводниками одного типа называют базой (иногда основанием). Транзистор может быть включен в цепь, представленную на рисунке.

    Обратите внимание на то, как подключена первая батарея: ток обусловлен движением основных носителей, то есть пэ эн переход в левой части схемы является прямым. В этом случае, полупроводник в левой части нашей схемы называетсяэмиттером. Обратимся теперь к правой части нашей схемы. Вторая батарея включена таким образом, что ток обусловлен движением неосновных носителей, то есть этот р-п переход является обратным. В этом случае, полупроводник в правой части схемы называется коллектором. На нашей схеме для наглядности мы подробно показали транзистор, но на стандартных схемах он обозначается более компактно.

    На условном обозначении транзистора вы можете найти букву Э, обозначающую эмиттер, букву К, обозначающую коллектор и букву Б, обозначающую база.

    Давайте рассмотрим протекание тока в каждом из полупроводников, входящих в транзистор. Обратим внимание сначала нар-п переход между эмиттером и базой. Эмиттер является полупроводником р-типа в данном случае, поэтому основными носителями заряда в нем являются дырки. Эти дырки проникают в базу, где основными носителями заряда являются электроны. Но, поскольку толщина базы очень мала, число электронов там очень невелико, несмотря на то, что они являются основными носителями. Попавшие в базу дырки практически не объединяются с электронами, в результате чего проникают в коллектор посредством диффузии.

    Теперь обратим внимание на р-п переход между базой и коллектором. Этот переход обратный, и образовывает заслон для основных носителей базы, то есть, электронов. Однако, дырки проникают в коллектор под воздействием электрического поля, в результате чего цепь замыкается. Сила тока в эмиттере равна сумме токов в базе и коллекторе: 𝐼э=𝐼б+𝐼к. Но ток в базе ничтожно мал, поэтому мы можем считать, что сила тока в коллекторе почти такая же, как и в эмиттере: 𝐼э ≈ 𝐼к.

    Мы еще ни слова не сказали о сопротивлении, которое создается включенным в нашу цепь резистором. Надо сказать, это сопротивление практически не влияет на ток в коллекторе. Дело в том, что ток в коллекторе практически полностью обусловлен строением самого транзистора, а именно — свойствами полупроводников, из которых он изготовлен, и напряжением, которое подается на эмиттер. В данном случае, конечно, речь идет о применении источника переменного тока. Итак, сопротивление может быть довольно большим, но при этом оно не будет влиять на ток в коллекторе. Изменение же напряжения на эмиттере будет вызывать синхронное изменение напряжения на резисторе. Таким образом, если мы используем резистор с очень большим сопротивлением, мы сможем получать мощные сигналы на нем, создавая лишь небольшие изменения напряжения на эмиттере. Это свойство, так или иначе, используется во многих микросхемах, микропроцессорах и так далее. Транзисторы используются повсеместно: в приемниках, компьютерах и даже в приборах, предназначенных для космических исследований. Транзисторы с успехом заменили электронные лампы, которые были громоздкими и значительно менее безопасными. Первый компьютер, как раз, работал на электронных лампах, и занимал помещение, сравнимое с размерами спортзала. Сегодня в компьютерах используются маленькие микросхемы с транзисторами, каждый из вас знает, насколько меньшее пространство занимает современный компьютер, чем спортзал.

    Возможно, вас впечатлит тот факт, что на сегодняшний день, на каждого жителя Земли приходится приблизительно 10 миллиардов транзисторов.


     

    Разработка усилителя низкой частоты, страница 3


              Так как транзистор предконечного каскада должен работать в классе АВ, через него должен протекать ток покоя, который при любых рабочих напряжениях данного каскада должен обеспечивать максимальный коэффициент усиления h31e. Таким образом ток коллектора предконечного транзистора будет определятся по формуле:

    где  Ikp5 – соответственно ток коллектора покоя предконечного транзистора;

    Ibp6 – ток покоя верхнего плеча ВыхК;

    Ikmin5 – значение тока коллектора транзистора предконечного каскада, при котором обеспечивается максимальный коэффициент усиления.

    По найденным выше значениям токов, выбираем транзисторы для выходного каскада КТ818Г и КТ819Г.

    Теперь рассчитаем мощность выделяющуюся на коллекторах этих транзисторов.

    Pст. = 2*(Ек*Ikp5) = 2*20*0.408 = 16.32 Вт

    Динамические потери в предконечном каскаде без учета потерь в транзисторе при максимальном уровне сигнала (насыщение):

    Рдин = (Ек/Ö2)*Ikm5/Ö2 = (20*6,725)/2 = 67,25 Вт

    Таким образом, полная мощность, выделяемая в предконечном каскаде равна сумме этих двух мощностей:

    Рпр = Рст + Рдин = 16,32 + 67,25 = 83,57 Вт

    С учетом потерь в транзисторе можно принять Рпр = 85 Вт.

    4.3 Расчет каскадов предварительного усиления.


    Как уже было описано ранее, ток коллектора транзистора предконечного каскада определялся по формуле

    С учетом этой формулы примем к установке VT4 КТ818Г. в режиме покоя выходной каскад не потребляет ток так как находится в режиме отсечки, а значит ток Ikmax6 никуда не ответвляется, поэтому через коллекторный резистор R7 будет протекать этот ток.

    Разница между суммарными напряжениями питания и амплитудным значением напряжения генератора усиливаемого сигнала составляет не более семи тысяч раз и для улучшения качества работы усилителя, в целом,  желательно использовать RC-цепи, разделяющие питающие элементы и входной сигнал. Цепочки R7C3 и R10C5 представляют собой фильтры, понижающие уровень помех (обратной связи), создаваемых цепью питания при работе усилителя во входной цепи, и одновременно на балластных резисторах R7 и R10 буде гаситься часть питающего напряжения, за счет чего можно выбрать более низковольтные транзисторы входного и предвартельного каскадов, что делает схему дешевле.


    При учете предварительных каскадов – входного на VT1, VT2 и промежуточных на транзисторах VT3, VT4 – суммарные токи этих каскадов можно принять не более 2,5*Ikp4. Ток базы транзистора VT5 в рехиме покоя:

    Соответственно ток коллектора каскада на VT4 составит:


    В данной формуле существует небольшой запас тока, а именно Ikmin5/h31e5. Он оставлен для упрощения расчетов и улучшения разветвления токов между коллекторными резисторами и базовыми токами последующих каскадов. При этом в последующие каскады будут втекать их базовые токи покоя, а через коллекторные резисторы в режиме покоя – токи Ikmin соответствующих каскадов.

    Принимая данную формулу к расчетам:

    Примем суммарный ток всех промежуточных и входного каскада равным 30ма. Рассчитаем резисторы.

    Примем к установке резистор с номиналом мощности в 1 ватт.

    Выберем VT4.

    Рассчитаем резистор Rб, служащий для уменьшения токов смещения.


    Рассчитаем параметры каскада на транзисторе VT3. Ток базы транзистора VT4 равен 0,5мА.

    Мощность рассеиваемая на резисторе равно 0,7 Вт к установке применяем резистор номиналом на 1 Вт.

    4.4 Расчет входного каскада.

    Согласно пункту 3.2, где описаны основные требования к входному каскаду, в качестве входного выбран дифференциальный каскад.

    Схема диф. каскада по своей сути фактически объединяет в себе два каскада с общим эмиттером (два плеча), но основана на другом принципе работы. Однако расчет диф. каскада практически не отличается от расчета каскадов промежуточного усиления.

    Основное отличие диф. каскада от других схем состоит в эффекте стабильного суммарного эмиттерного тока через эмиттерный резистор. Данный эффект называют генератором стабильного тока. Он является следствием практически полного отсутствия усиления синфазного сигнала дифференциальным каскадом, что значительно повышает его температурную стабилизацию. Таким образом, в режиме покоя через транзисторы, составляющие плечи каскада, протекают равнозначные токи покоя. Поэтому работу транзисторов диф. каскада можно отнести к классу А или АВ. С учетом необходимости тока покоя последующего каскада и на основе симметрии данных каскадов примем работу транзисторов диф. каскада как класс А и рассчитаем параметры входного каскада в целом.



    Рассчитаем мощность, рассеиваемую на резисторе R2:


    К установке примем резистор номиналом на 0,05Вт.

    Так как транзисторы рассчитываются по статическому режиму, то из-за разделительного конденсатора на входе отсутстввет постоянная составляющая, база транзистора VT1 подключена к общему проводу через резистор R1 и ее потенциал фактически равен нулю. Между базой и эмиттером должно быть напряжение, обеспечивающее насыщение транзисторов VT1 и VT2, то есть Ubenas. Следовательно, потенциал эмиттера должен быть равен      (–Ubenas).


    4.5 Расчет динамических показателей усилителя без учета ОС.

    Входное сопротивление УНЧ было рассчитано в предыдущем разделе.

    Rin=1181 ОМ

    Коэффициент усиления по току и коэффициенты ответвления тока:


    4.6 Расчет цепи ООС.


    Требуемая величина коэффициента передачи цепи ООС по постоянному току рассчитывалась следующим образом. Принимаем номинальную температуру окружающей среды равной двадцати градусам.

    4.7 Расчет конденсаторов.

    Конденсаторы, установленные на вход УНЧ, определяют частотные искажения в области низких и высоких частот.


    Ниже приведен расчет этих конденсаторов.

    4.8 Расчет балластных конденсаторов.


    Цепи ООС также предназначены для фильтрации напряжения на входном и промежуточных каскадах от нагрузочного напряжения.

    4.9 Расчет охладителя


    Расчет проводится с целью определения возможного перегрева проектируемого устройства.

    4.10 Расчет нелинейных искажений.

    Расчет методом двух ординат.



    Заключение.

    Разработанный усилитель удовлетворяет требованиям технического задания. При разработке был применен ряд допущений, благодаря которым конечное произодство данного УНЧ будет экономически выгодным, т.к. были применены дешевые модели транзисторов, которые, в свою очередь, могут быть заменены их аналогами.

    Далее следуют графики характеристик транзисторов, убрал так как занимают много дискового места.

    RPR-220PC30N — ROHM | X-ON

    74 Optek TT Electronics Оптические переключатели, отражающие, датчик отражения с выходом фототранзистора


    Наличие на складе: 56

    Датчик отражения на выходе фототранзистора
    HLC1395-002

    Оптические переключатели, отражающие, выход фототранзистора, отражающий ИК-датчик, обнаружение короткого расстояния
    Наличие: 0

    , оптические переключатели, отражающие, выход фототранзистора, отражающий ИК-датчик, обнаружение короткого расстояния
    HLC1395-001

    Оптические переключатели, отражающие, светоотражающие, с выходом фототранзистора, коротк. Detection
    Наличие на складе: 0

    Оптические переключатели, отражательные, светоотражающие, с выходом на фототранзисторах, короткие Dis.Обнаружение 0
    OPB608R

    Оптические переключатели, отражающие, датчик отражения с выходом фототранзистора
    Наличие: 0

    Оптические переключатели, отражающие, с выходом фототранзистора, отражающий датчик 000 Оптические переключатели Optek TT Electronics, отражающие, датчик отражения с выходом на фототранзисторе 56
    OPB706A Phototransistor, OPB706A Phototransistor Выход Выход Phototranstr Входной диод
    Наличие на складе: 64

    Оптические переключатели, отражающие, фототранзисторные Выходные выходы Phototranstr Входной диод 64
    OPB707C

    Оптические переключатели, отражающие, Photot Датчик отражения на выходе транзистора
    Наличие: 0

    Оптические переключатели, отражающие, датчик отражения на выходе фототранзистора 0
    OPB730F

    Оптические переключатели, отражающие, выход на фототранзисторах, светоотражающий датчик 0

    Оптические переключатели, отражающие, датчик отражения с выходом фототранзистора TO-72 0
    OPB732

    Оптические переключатели, отражающие, датчик отражения с выходом на фототранзисторах
    Оптический, отражательный, 0

    1
    0
    OPB733TR

    Оптические переключатели, отражение, датчик отражения на выходе на фототранзисторе 0.От 4 дюймов до 1,0 дюйма
    Наличие: 0

    Оптические переключатели, отражающие, датчик отражения на выходе фототранзистора от 0,4 дюйма до 1,0 дюйма 0
    OPB750N

    Optek TT Electronics Выходные оптические переключатели, отражательный датчик, фототранзистор
    Наличие: 0

    Optek TT Electronics Оптические переключатели, отражающие, датчик отражения на выходе фототранзистора 0

    PHILIPS ECG 5404 NPN TRANSISTOR NIB Transistors Business & Industrial roadislanddiner.com

    PHILIPS ECG 5404 NPN TRANSISTOR NIB Транзисторы для бизнеса и промышленности roadislanddiner.com
    1. Домашняя страница
    2. Бизнес и промышленность
    3. Электрооборудование и принадлежности
    4. Электронные компоненты и полупроводники
    5. Полупроводники и активные компоненты
    6. Транзисторы
    7. PHILIPS ECG 5404 NPN TRANSISTOR NIB

    в оригинальной упаковке в неповрежденной упаковке ). Упаковка должна быть такой же, как в розничном магазине.закрытый, найдите много отличных новых и подержанных опций и получите лучшие предложения на PHILIPS ECG 5404 NPN TRANSISTOR NIB по лучшим онлайн-ценам на! Бесплатная доставка для многих товаров !. Состояние: Новое: Абсолютно новое. неиспользованный, за исключением случаев, когда товар изготовлен вручную или не был упакован производителем в нерызничную упаковку. например, коробка без надписи или полиэтиленовый пакет. См. Список продавца для получения полной информации. Просмотреть все определения состояний : MPN: : ECG-5404 , Торговая марка: : Philips , 。.








    Перейти к основному содержанию

    PHILIPS ECG 5404 NPN ТРАНЗИСТОР NIB


    Подробная информация о SRT VGP Модуль расширения платы встроенного контроллера VME 1873E007, РАЗРЕШЕНИЯ НА ПАРКОВКУ ELITE-SERIES ПОДВЕСНОЙ БИРК ДЛЯ ОБЗОРА ИСПОЛЬЗОВАНИЕ БЕЗ РАЗРЕШЕНИЯ ТОЛЬКО ПОДПИСАТЬ !.10 шт. TF Cutoff Cut-off 10A AC 250V Microtemp Тепловой предохранитель 65 ° C 65 градусов Новинка. PHILIPS ECG 5404 NPN ТРАНЗИСТОР NIB . Высоковольтный источник питания электростатического осадителя 300 Вт 30 кВ с двойным выходом, 5 шт. ISL9R860PF2 DIODE STEALTH 600 В, 8 А TO-220F ISL9R860 9R860 ISL9R860P 9R860P I, НОВАЯ УПАКОВКА ADSENS ИЗ 10 BM-18 BM-18P SINTERED BRONZE, 9 дюймов, BM-18P SINTERED BRONZE, 9 дюймов, 860 мм. ECG 5404 NPN ТРАНЗИСТОР NIB . SS GSC-050-SS 1/2 «ID Установочный винтовой хомут. Конструкция 12 В Комплект катушки и настройки Ford 3-цилиндровый газовый трактор Промышленный, LEDTRONICS LED BP124CYL5-5V / 25-LC05 RED 5 VDC 15 MILLC РАЗРЫВ ВОЕННОЙ СПЕЦ.НОВЫЙ. PHILIPS ECG 5404 NPN ТРАНЗИСТОР NIB .


    PHILIPS ECG 5404 NPN ТРАНЗИСТОР NIB

    PHILIPS ECG 5404 NPN ТРАНЗИСТОР NIB

    и создает более прохладную и здоровую среду для обуви. Дата первого упоминания: 8 декабря. Обещаем предоставить вам удовлетворительное решение. 4 см (ширина x высота) в сложенном виде. Этот подвесной хедлайнер компании Bow Suspended Headliner изготовлен по оригинальному заводскому образцу. УДОВЛЕТВОРЕНИЕ ГАРАНТИРОВАНО — Если вы решите сделать себе одолжение и купите это пододеяльник премиум-класса.имеет мощную струю воды, которая смывает вашу кухонную раковину. Долговечные устойчивые к выцветанию УФ-чернила для наружного применения, не испортите свой рецепт, добавив слишком много или слишком мало. Ê Позвольте вам делать каждый шаг гламурно и быть уверенным, что он останется на вас до конца любых мероприятий. Детский комбинезон с застежкой на пуговицы, Tenacitee Men’s Living in Georgia с футболкой Minnesota Roots, мы ответим на ваши вопросы в течение 24 часов, доступна машинная или ручная стирка. Звук и скорость не хуже, чем у оригинального оборудования.Подставка под пену — 3 1/2 дюйма на 3 1/2 дюйма. Используемый материал не будет способствовать росту бактерий или плесени на воздушном фильтре и лучше улавливает частицы, переносимые по воздуху, чем фильтры из стекловолокна. Фотография увеличена, чтобы показать детали. PHILIPS ECG 5404 NPN TRANSISTOR NIB , Купить Mann Filter C 17 137/1 X Воздушный фильтр: воздушные фильтры — ✓ Возможна БЕСПЛАТНАЯ ДОСТАВКА при покупке, отвечающей критериям. Наша виниловая наклейка является наиболее экономичным видом рекламы и может быть размещена на большинстве твердых поверхностей, таких как стены. Эта секция для двутавровых балок и тележек готова к установке и может быть размещена в месте со сварными или зажимными системами крепления. может захотеть сделать копию для ваших записей.отполированный и обработанный профессиональным антикоррозионным составом, поставляется с полосой и коробкой для защиты от потускнения. Этот свитер тщательно ручной работы, поэтому он очень прочный и долговечный. Я сделал этот свитер с заботой и любовью, в ярких синих и оранжевых тонах. Самый большой выбор столового серебра на etsy. и подходит для большинства поверхностей, включая бумагу. мы здесь и стоим за каждой нашей продажей. *** Пожалуйста, прочтите раздел о доставке и правилах для получения дополнительной информации о доставке ***, Круглая бирка с гравировкой с круглой фотографией, персонализированная круглая бирка.версия 12 x 12 мм Размер кольца расширяется за счет расположения до Gr. Хорошо, вероятно, есть бесконечное количество вещей, которые хуже. Ручка с отражениями и светом прекрасна, так что вы получаете прекрасную свежую деталь. вы помогаете независимому дизайнеру зарабатывать на жизнь. PHILIPS ECG 5404 NPN ТРАНЗИСТОР NIB . не стесняйтесь обращаться к нам в любое время, у них есть длинный пояс с симпатичными манжетами вокруг ноги. • Превосходная отделка с гладким на ощупь матовым покрытием на передней панели. 4-поворотный клапан серии AATU-0R 4/4 BBb Tuba — идеальный выбор для начинающих студентов. Мягкая и удобная ткань для вязания.Наконечники конструируются с использованием полированных алмазом форм для устранения полостей и закупорок, которые вызывают задержку образца. Описание продукта Брезент высшего качества Grizzly изготовлен из плотного полиэтиленового плетения 8×8 кв. Дюймов, обеспечивающего долговечность. Декоративное стеганое покрывало из 2 частей с имитацией подушки, что делает эту сцену идеальной для выбранной улицы или полосы. Раунд 5 UFC против Серии 2, ОГРАНИЧЕННОЕ ИЗДАНИЕ Фигурка 2Упаковка Форреста Гриффина и пылезащитной заглушки: автомобильная промышленность. Купить удобные повседневные пижамные штаны KANGMOON, женские удобные повседневные пижамные штаны с цветочным принтом, кулиски, брюки Palazzo Lounge, широкие штаны для йоги: обои — ✓ БЕСПЛАТНАЯ ДОСТАВКА при подходящих покупках.Свяжитесь с нами по электронной почте Amazon, чтобы договориться об этом. Продлите свои футбольные тренировки до предела, не гоняясь за мячом, БЕСПЛАТНАЯ доставка Super Saver доступна, если вы заказываете товары для доставки в Великобританию или соответствующие международные пункты назначения. Мы разработали наше руководство, чтобы быть чрезвычайно удобным для пользователя. во время празднования или другого особого события знак Eco Parking безопасен для окружающей среды и подлежит вторичной переработке. PHILIPS ECG 5404 NPN TRANSISTOR NIB , Простые изображения животных, такие как простой черный слон. Складная опора и сверхлегкий вес: портативное хранение и удобство переноски.

    вторник:
    с 8:00 до 20:00
    (обед / ужин)

    среда:
    с 8:00 до 20:00
    (обед / ужин)

    четверг:
    с 8:00 до 20:00
    (обед / ужин)

    пятница:
    с 8:00 до 20:00
    (обед / ужин)

    суббота:
    с 8:00 до 20:00
    (завтрак / обед / ужин)

    воскресенье:
    с 8:00 до 20:00
    (завтрак / обед / ужин)

    PHILIPS ECG 5404 NPN ТРАНЗИСТОР NIB

    NIB PHILIPS ECG 5404 NPN TRANSISTOR, Бесплатная доставка для многих продуктов, Найдите много отличных новых и подержанных опций и получите лучшие предложения на PHILIPS ECG 5404 NPN TRANSISTOR NIB по лучшим онлайн-ценам в Официальном интернет-магазине, Бесплатная доставка, Удачных покупок , Магазин одежды, красоты, обуви, товаров для дома и др.ТРАНЗИСТОРНЫЙ NIB PHILIPS ECG 5404 NPN, PHILIPS ECG 5404 NPN ТРАНЗИСТОРНЫЙ NIB.

    RPR-220 ROHM | Дистрибьютор Rutronik24

    1. Дом
    2. Оптические датчики
    3. Оптические датчики ROHM

    ОТРАЖАТЕЛЬНЫЙ ДАТЧИК / BURKERT
    Поставщик: Код соответствия ROHM
    : РПР-220
    Рутроник No.: ICINOS4526
    Единичная упаковка: 500
    MOQ: 500
    упаковка: THT
    Упаковка: REEL
    Я (ФШМ)
    50 мА
    Верх (макс.)
    85 ° С
    В (П)
    5 В
    В (генеральный директор)
    30 В
    I (С)
    30 мА
    Верх (мин.)
    -25 ° С
    Крепление
    THT
    Автомобильная промышленность
    НЕТ
    Пакет
    THT
    Leadfree Defin.
    10
    Упаковка
    Катушка
    Таможенный тариф №
    854140
    Страна
    Китай
    Код ABC
    B
    Поставщик Срок выполнения
    16 недель

    С товарами в вашей корзине вы можете отправить нам заказ или, если у вас возникнут дополнительные вопросы, запрос, не имеющий обязательной силы.

    Компания Huawei, работающая над технологией полупроводников и графеновых полевых транзисторов, раскрывает новый патент

    Ранее Huawei опубликовала патентную стену на официальном сайте компании. Он выдал 729 патентов, которые зарезервированы для различных устройств, включая 5G, Wi-Fi, системные операционные системы, камеры, умные автомобили и технологии будущего.

    Тем не менее, компания постоянно добавляет новые патенты на различные устройства и технологии. 30 марта Huawei обнародовала новый патент на графеновый полевой транзистор под номером CN110323266B в Китае.

    Патентный документ описывает, что графеновые полевые транзисторы относятся к полукруглым технологиям. Это поможет снизить выходное сопротивление устройства, чтобы увеличить коэффициент переключения для лучшей радиочастоты.

    Присоединяйтесь к нам в Telegram

    Графеновый полевой транзистор состоял из трех выводов или электродов:

    • Первичный и вторичный электроды затвора, которые действуют как контроллер
    • Слой диэлектрика первого и второго затвора
    • Источник или канальный слой и электроды стока

    Кроме того, компоненты слоя источника включают в себя многослойный графен, уложенный в пакет AB, или многослойный графен, уложенный в пакет AB, а затем первичный и вторичный электроды затвора, размещенные на противоположной боковой поверхности этого слоя.

    Первый электрод затвора имеет множество для регулировки направления первых вспомогательных электродов и первых соединительных вспомогательных электродов, а также для увеличения направления первых вспомогательных электродов. Первый и второй подэлектроды используются перпендикулярно электрическому полю на уровне канала.

    Расстояние между электродом истока и электродом стока превышает выступы первого соединительного подэлектрода, и уровень каналов на подложке не перекрывается.

    Следует упомянуть, что полупроводники используются в производстве различных видов электронных устройств, включая диоды, транзисторы и интегральные схемы. Такие устройства нашли широкое применение благодаря своей компактности, надежности, энергоэффективности и невысокой стоимости.

    Помимо этого, Huawei недавно зарегистрировала новую торговую марку Car key, которая может предоставить новые функции для умных автомобилей. В то же время компания опубликовала новый патент на метод навигации.Это нововведение поможет найти места для парковки автомобилей.

    // HC

    Оптические датчики

    DtSheet
      Загрузить

    Оптические датчики

    Открыть как PDF
    Похожие страницы
    Оптические датчики
    TAOS TSL261R
    ETC h21D1S-TA
    ETC LTV-815S-TA1
    ETC LTV-851S-TA1
    LITEON LTV847
    LITEON LTV-849S
    Светодиоды — Rohm
    ROHM SIM
    OKI MSM85C154HVS
    ROHM RPR-220UC30N
    ROHM RPM
    ROHM RPR-220PC30N
    ROHM RPR-220PC30N_10
    ROHM SIR-341ST3F
    ШИНДЭНГЕН СТ50В-27Ф
    ROHM RPT-38PB3F_10
    ROHM SIM-012SB_10
    CCO-030 — Crystek
    ИК-светодиоды и оптические датчики
    сэр 56st3f
    2SB1132 (СОТ 89)

    dtsheet © 2021 г.

    О нас DMCA / GDPR Злоупотребление здесь

    Эксперимент по вводу сенсора с использованием Raspberry Pi

    Эта статья была переведена на английский язык и изначально была опубликована для deviceplus.jp.

    Эта серия статей будет посвящена изучению принципов и основ создания электронных комплектов с помощью простых поделок, сделанных с помощью Raspberry Pi. Сегодня нас будет учить г-жа Наоми Ито, автор серии книг, объясняющих «глубокие механизмы» в области медиаискусства. В этой статье мы погрузимся в эксперименты с сенсорным вводом.

    [Содержание]

    1. Введение
    2. Механизм поворота двигателя
    3. О датчике
    4. Подключите фототранзистор к GPIO
    5.Подключите Фототранзистор к GPIO
    6. Вывод

    1. Введение

    В наши дни мир меняется стремительными темпами каждый день, и есть много людей, которые не успевают за ним — не обязательно потому, что они не заинтересованы в новых вещах, а, скорее, достаточно утомительно пытаться наверстать упущенное. со всем новым. Вот почему сегодня я думаю о работе над множеством разных вещей, сосредотачиваясь на том, что я считаю интересным, при этом систематизируя свои мысли и то, что нужно сделать.

    2. Механизм поворота двигателя

    В прошлый раз использовал двигатель постоянного тока. У меня большой опыт работы с моделями автомобилей, пластиковыми моделями и радиоуправляемыми моделями. Когда я думаю об этом, двигатель постоянного тока является своего рода представителем преобразования энергии, которое преобразует электрическую энергию в кинетическую. Простая схема механизма выглядит так внутри.

    Конечно, основной принцип заключается в том, что магнитное поле, создаваемое потоком электричества, влияет на магнитное поле постоянного магнита (ферритовые магниты) и создает физическую силу = кинетическую энергию.Если вам интересно, что это за механизм, это, конечно, правило левой руки Флеминга. Возможно, вы слышали об этом раньше?

    О правиле Флеминга для левой руки
    Во-первых, вы должны знать, что у закона Флеминга есть правая и левая рука. Большой, указательный и средний пальцы имеют форму перпендикулярно трехмерной оси XYZ. Большой палец находится в направлении силы, указательный палец — в направлении магнитного поля, а средний палец — в направлении, где течет электричество.

    Если вы посмотрите на свою правую и левую руки перед собой, вы увидите, что это прямое отражение. Согните эту руку и один раз потяните ее перед грудью, затем вытолкните ее, вытягивая локоть в направлении 45 °, и громко скажите: «Ага!» Проблема в форме левой и правой руки. Одна рука — это двигатель, а другая действует как электрический генератор. Вы случайно не помните, что есть что?

    Один действует как двигатель, который генерирует движение за счет протекания электричества, а другой действует как генератор, создавая электричество посредством движения.Для правшей легко помнить, что ваша правая рука постоянно находится в движении — это будет ваш «генератор», а левая рука будет вашим «двигателем». В любом случае, давайте перейдем к основному шоу и попробуем использовать датчик на Raspberry Pi.

    3. О датчике

    Просто подумав о датчиках, вы представите деталь или устройство, которое с помощью электроники определяет определенные условия. Какие там условия? Есть такие вещи, как свет, звук, температура, влажность, наклон и другие факторы, с которыми вы знакомы в повседневной жизни.В частности, сигнализация, такая как пожарная сигнализация, оснащена механизмами предупреждения, которые срабатывают при изменении температуры и дыме. Кстати, на цифровых фотоаппаратах есть датчики света. Датчики настолько продвинулись, что ИИ может даже анализировать изображения и распознавать твердые объекты.

    Представьте, что вы находитесь на улице и слышите, как кто-то зовет вас, и думаете: «Кто этот человек снова?» Если бы только наш мозг мог подключиться к ИИ.
    В любом случае, существуют различные устройства и механизмы деталей, которые можно использовать в электронной работе, а также вещи, которые могут быть подключены к микрокомпьютерам, такие как детали расширения, и могут получать данные в том виде, в каком они есть.Здесь мы вернемся к основам, используя датчик освещенности, называемый фототранзистором. Раньше датчики света назывались ячейками CdS, что означает, что механизм снижает значение сопротивления при получении света. Как следует из названия, потому что в нем используется сульфид кадмия, и он исчезает, потому что не является физически значимым.

    NJL7502L Фототранзистор (слева), ячейка 2 CDS (справа)

    Итак, этот фототранзистор состоит из полупроводников и имеет ту же структуру, что и базовый биполярный транзистор.Единственное отличие в том, что вход легкий.

    Графический символ

    Глядя на графический символ, он выглядит как транзистор типа NPN, но здесь нет вывода B (база). Вместо этого есть стрелка. Поскольку эта стрелка представляет свет, входом в B (основание) является не электрический ток, а входящее световое излучение. Другими словами, сильный и слабый свет выводится между C (коллектор) и E (излучатель). В зависимости от освещения эта функция будет усиливаться или переключаться.

    Подключите фототранзистор к GPIO

    Давайте попробуем подключить фототранзистор к GPIO на Raspberry Pi. Используемым языком будет Scratch, тогда как значения датчика будут такими же с переключателем на 1 и 0.

    Это слишком просто, поэтому вы можете беспокоиться о том, как это работает, но давайте попробуем.
    Когда свет не попадает на фототранзистор, так как вход установлен на Pullup, переключатель находится в положении ON. Другими словами, условие станет 1.При попадании света вход становится отрицательным из-за фототранзистора, поэтому переключение отключается, и значение становится равным 0, и наоборот.

    Объявите GPIO, установите для входа GPIO значение Pullup и позвольте кошке сообщить полученное число. Вы можете увидеть, что он станет 1 или 0, если прикрыть сенсор рукой и заблокировать место попадания света. Здесь использовался датчик освещенности, но есть множество других способов поиграть с этим. Например, если вы используете термистор датчика температуры, вы можете включить двигатель, который будет посылать ветер при повышении температуры, и его можно объединить с датчиком влажности для подачи сигнала тревоги о тепловом ударе.Вход GPIO довольно удобный!

    Датчик, обнаруживающий объекты по свету

    Во многих случаях только фототранзистор может влиять на окружающий свет. Конечно, в темноте это бесполезно. Поэтому было бы эффективно комбинировать светодиоды для излучения света и использовать их в паре с источниками света. В этой паре есть несколько типов элементов, при этом различаются также структура и метод обнаружения.

    Фотопрерыватели устанавливаются по прямой линии в виде светодиода, непосредственно вводимого в фототранзистор.Некоторые объекты проходят между ними, и затем объект обнаруживается, когда он блокирует свет. Поскольку такие устройства часто встречаются на заводских линиях и в принтерах, есть вероятность, что вы не увидите их лично.

    Фотоотражатель устанавливается в том же направлении, что и светодиод и фототранзистор. Всякий раз, когда объект проходит, он обнаруживает отражение света. Датчики, которые обычно используются, помимо прочего, предназначены для автоматической очистки общественных туалетов.

    Фотоэлементы — это пара светодиода и фототранзисторов, которые не обнаруживают объекты между ними, а скорее передают сигналы с помощью света.Из-за этого это не датчик, но мы можем рассматривать его так же, как при использовании источника света и светоприемного компонента. Передавая сигналы без электрического соединения, он используется для обеспечения безопасности цепей и передачи сигналов в цепи с различными электрическими характеристиками.

    Подключите фототранзистор к GPIO

    Сегодня мы будем использовать фотоотражатель Rohm RPR-220. Поскольку этот фотоотражатель представляет собой комбинацию светодиода и транзистора, давайте рассмотрим каждую характеристику.

    РПР-220

    Во-первых, поскольку светодиодная часть составляет 1,34 В 50 мА, а ток коллектора фототранзисторной части составляет 300 мА, источник питания светодиода использует клемму источника питания Raspai 3,3 В, а к светодиодной части подключен ограничивающий резистор 51 Ом. Поскольку этот светодиод имеет инфракрасный свет, вы не можете увидеть его глазами, но если вы посмотрите на него с помощью цифровой камеры, вы увидите, что он ярко светится.

    Деталь фототранзистора будет такой же, как и предыдущая.При этом он будет работать как датчик. В настоящее время мы позволяем светодиоду загораться самостоятельно. Конечно, вы также можете использовать его, как и предыдущий мотор.

    Вот так он будет выглядеть при сборке на макетной плате.

    Вот как будет выглядеть Скретч.

    Теперь, когда что-то ставится перед датчиком, загорается светодиод.

    Ой! Сейчас он движется!

    Фотоотражатель имеет конструкцию, в которой светоизлучающая часть и светопринимающая часть устанавливаются отдельно в корпусе.Поскольку свет отражается, если объект соприкасается с самой упаковкой, отраженный свет не может быть прочитан блоком приема света. Шесть миллиметров от упаковки кажутся подходящими для РПР-220. Например, было бы неплохо предположить, что что-то помещается через стекло или акрил.

    4. Заключение

    На этот раз мы поэкспериментировали с входами датчиков, а это означает, что теперь мы лучше понимаем, как обращаться с датчиками с помощью их простых механизмов.Однако я не могу удовлетвориться одним только этим. Я хотел бы показать, на что я способен, применяя его, какие интересные вещи я могу сделать с его помощью, и реальные детали, которые можно сделать с их помощью. В следующий раз мы применим все механизмы, которые мы изучили к настоящему моменту, и рассмотрим методы и процессы построения объекта.

    Важно экспериментировать и доказывать принципы и механизмы, но я хотел бы расширить это, подумав больше о том, что возможно, пока я продолжаю творить.

    CEL-FI RPR-CF-00121 CEL-FI GO TELSTRA BUILDING PK INC LPDA & DOME & CABLES — Радиодетали

    {tab Features} Купить сейчас — Зарегистрируйтесь позже: Новый способ регистрации!

    Cel-Fi теперь имеет приложение для регистрации во время установки! См. Вкладку «Как зарегистрироваться» для получения дополнительной информации.

    Cel-Fi GO Repeater был протестирован, авторизован и одобрен Telstra для использования в мобильной сети Telstra

    Cel-Fi GO для Telstra Smart Repeater — идеальный продукт для усиления и распространения мобильного сигнала 3G / 4G внутри здания.

    Поддержка голосовой связи и мобильного Интернета для нескольких мобильных устройств, увеличение покрытия мобильной связи в помещении никогда не было таким приятным.

    В КОМПЛЕКТ входят:
    — Стационарная модель Cel-Fi GO
    — «Антенна Blackhawk LPDA» или «Всенаправленная антенна Blackhawk», кабель LMR240 10 м
    — Внутренняя купольная антенна Blackhawk с кабелем RG58 6 м
    — Источник питания 24011 В,
    ХАРАКТЕРИСТИКИ
    — Разработан для создания приложений
    — Системное усиление 100 дБ
    — Включает внешнюю и внутреннюю антенны
    — Привязано к мобильной сети Telstra
    — Одобрено оператором связи
    — Кнопка выбора диапазона
    — Приложение Bluetooth WAVE для iPhone, Android и компьютеров

    ПОДДЕРЖИВАЕМЫЕ СЕТИ
    Telstra, Aldi Mobile, Boost Mobile, Woolworths Connect

    ПЕРЕД ДОБАВЛЕНИЕМ В КОРЗИНУ
    Перед покупкой необходимо сначала заполнить заявку

    Важно Cel-Fi GO будет увеличивать только одну полосу за раз (3G 850, 4G 700 или 4G 1800).

    Настоятельно рекомендуется оставить GO в режиме 3G, чтобы обеспечить прием голосовых вызовов.

    Voice on 4G (VoLTE) будет работать только в определенных регионах и с более поздними моделями телефонов.

    НАСТРОЙКА CEL-FI

    ПРИМЕЧАНИЕ. Эта установка показывает внутреннюю антенну для настенного монтажа, этот комплект поставляется с КУПОЛЬНОЙ антенной

    {tab Как зарегистрироваться}

    Теперь клиенты Telstra GO и PRO могут зарегистрируйтесь с помощью приложения для смартфона Cel-Fi WAVE.

    Что это значит для вас?
    Клиентам больше не требуется выполнять онлайн-регистрацию на веб-сайте Cel-Fi, однако, когда они получат Cel-Fi, для активации потребуется регистрация с помощью приложения WAVE.

    Зачем нужна регистрация в приложении?

    • Устраняет необходимость заполнять регистрационную форму каждый раз, когда вы заказываете
    • . Операторы также должны будут помочь в более точном определении местоположения Cel-Fi в их сети.
    • Поможет в поддержке клиентов, предоставив техподдержке возможность просматривать дополнительную информацию о Cel-Fi через портал приложения WAVE.

    Как вы, покупатель, активируете установку?

    1. Загрузите приложение WAVE из магазина Apple или Android
      1. Запустите приложение рядом с Cel-Fi, и оно подключится через Bluetooth
      2. Для GO: включите GO и подключитесь с помощью приложения WAVE, чтобы зарегистрировать
      3. Для PRO : Включите сеть и устройство покрытия и установите связь между ящиками.Затем подключитесь с помощью приложения WAVE для регистрации
    2. После подключения появится всплывающая форма регистрации для заполнения. Обратите внимание, что эта форма намного короче исходной веб-формы
    3. Заполните и отправьте форму
    4. Теперь модуль будет активен в течение 30 секунд

    ВАЖНО: для запуска приложения WAVE требуется доступ в Интернет

    Прочитать подробнее о приложении Cel-Fi Wave на веб-сайте Cel-Fi.

    Добавить комментарий

    Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *

    2021 © Все права защищены.