Транзисторы рпр: Биполярный транзистор -устройство, принцип работы, технические характеристики, схемы включения, область применения. Сравнение с лампой.

Содержание

Биполярный транзистор -устройство, принцип работы, технические характеристики, схемы включения, область применения. Сравнение с лампой.

Раздел Техническая информация → Транзисторы

Сырьем для транзисторов может служить обычный песок. Не вериться? Песок представляет собой окись кремния SiO₂.
Кремний является основой для производства подавляющего большинства полупроводниковых элементов электроники. Разумеется, нужны и другие материалы: пластмасса, керамика, алюминий, серебро и даже золото. Разрезать аккуратно и точно кремниевую пластинку лучше всего алмазной пилой.
Но вернемся к окиси кремния. Кремний из окиси можно восстановить химической переработкой. Чистый кремний относится к классу полупроводников. Кратко вспомним, что такое полупроводник и чем он отличается от проводника или диэлектрика.
Электрический проводник-это вещество, оказывающее малое сопротивление протекающему через него току. Электрический ток, в свою очередь, есть направленное движение электрических зарядов.

Значит, в проводнике должны быть свободные заряды, которые могут легко передвигаться в любом направлении. Все металлы -хорошие проводники. В металлах внешние электроны атомов становятся свободными, когда атомы объединяются в кристаллическую решетку.

Свободные электроны образуют так называемый электронный газ, заполняющий весь объем металла. Если в проводнике течет ток, электроны перемещаются преимущественно в одном направлении. Если же тока нет, электроны все равно движутся, но это движение хаотическое, тепловое. Оно создает шум-небольшое, случайным образом изменяющееся напряжение на выводах проводника или полупроводникового элемента.

Из самого названия «полупроводник» ясно, что он еще «не дорос» до настоящего проводника и, следовательно, проводит ток гораздо хуже. Свободных электронов в полупроводнике мало, поскольку почта все электроны как бы привязаны к своим атомам. Правда, при сильном нагреве тепловое движение становится интенсивнее и некоторые из электронов отрываются от своих атомов, становясь свободными.

Проводимость вещества при этом увеличивается. Вот почему полупроводниковые приборы очень боятся перегрева-проводимость может возрасти настолько, что ток в полупроводнике резко увеличится и наступит так называемый тепловой пробой. Чтобы не углубляться, посмотрим лишь несколько цифр.
Удельное сопротивление вещества-величина, обратная проводимости,-измеряется в омах на метр (Ом-м). Это сопротивление бруска вещества сечением 1 м² и длиной 1 м. Вот это брусочек! Но что поделаешь, в международной системе единиц СИ единицей длины служит метр. Ну так вот: сопротивление медного бруска составляет всего 0,017·10^-6 Ом. А сопротивление бруска тех же размеров, изготовленного из такого типичного диэлектрика, как стекло, равно 5·10¹³Ом, т.е. на двадцать один порядок (10²¹) больше! Удельное сопротивление полупроводников находится где-то между этими крайними значениями. Дать конкретные величины трудно, они зависят от вида вещества, его чистоты и других факторов.

Чем чище полупроводник, тем ближе его свойства к свойствам диэлектрика. Но если в полупроводник введена примесь, то проводимость резко возрастает.

Различают два вида примесей: акцепторные и донорные.
Валентность вещества акцепторной примеси меньше, чем валентность самого полупроводника. Это значит, что во внешнем электронном слое атомов примеси меньше электронов, чем у атомов полупроводника. В этом случае примесь по отношению к электронам атомов полупроводника ведет себя как агрессор: она захватывает их. В результате в кристаллической решетке вещества появляются атомы, которым не хватает одного электрона.

Заряд этих атомов положителен. Они притягивают отрицательно заряженные электроны, и при первой же возможности атом, у которого не хватает электрона, захватывает его у соседнего атома. Положительный заряд при этом перемещается к соседнему атому. Тот, в свою очередь, захватывает электрон у соседа. Таким образом, положительный заряд перемещается еще дальше. Теперь оказалось, что в толще полупроводника с акцепторной примесью «гуляет сам по себе» положительный заряд, обусловленный нехваткой одного электрона. Заряд этот очень образно называют «дыркой».

Иное дело, если в полупроводник введена донорная примесь.
Валентность вещества примеси на единицу больше валентности самого полупроводника. Это значит, что во внешней электронной оболочке атомов вещества примеси на один электрон больше, чем у атомов полупроводника. Объединяясь в кристаллы, атомы примеси используют для валентных связей все внешние электроны, кроме одного. В образовавшемся кристалле «лишние» электроны атомов примеси оказываются без работы. «Безработные» электроны свободно перемещаются по всему кристаллу, но все рабочие места-валентные связи-заняты. Эти электроны легко устремляются по направлению даже слабого электрического поля, создавая электрический ток.

Таким образом, вводя различные примеси, мы можем получить полупроводник с дырочной проводимостью (р-типа) и с электронной проводимостью (n-типа). Сами названия р и n произошли от начальных букв английских слов positive и negative, обозначающих знак свободных зарядов (положительный — «дырочный» или отрицательный — «электронный»). Чем выше концентрация примеси в полупроводнике, тем выше и его проводимость. Как только физики и инженеры научились получать полупроводники с различными типами проводимости, тут же появились и приборы, выполненные на их основе.

Биполярный транзистор

Значение «Би» означает, что имеется два основными носителями которыми являются электроны и дырки. По способу чередования областей различают npn и pnp транзисторы.
Обозначение биполярного транзистора на схеме.

Принцип работы биполярного транзистора можно объяснить, опираясь на те же явления, которые наблюдаются в рп-выпрямителе. У npn-транзистора одна n-область находится в контакте с р-областью, а та в свою очередь контактирует со второй n-областью (рис.).

Главным здесь, как мы сейчас видим, является то, что средняя р-область очень узка и относительно слабо легирована, рпр-транзистор получается заменой в npn-транзисторе р и n областей.

На практике применяются транзисторы обоих видов; функции их схожи, но в pnp-транзисторе носителями заряда в основном являются дырки, а в npn-транзисторе — электроны. Так как в кремнии электроны обладают большей подвижностью, чем дырки, то в большинстве случаев кремниевые pnp-транзисторы превосходят pnp-транзисторы. Чтобы рассмотреть принцип действия прп-транзистора, обратимся еще раз к рис.

В таком транзисторе есть два p-n-перехода, т.е. n-p-переход слева и p-n-переход справа. Приложим положительное высокое напряжение Uк к правой n-области и отрицательное напряжение UЕ к левой n-области. Пусть на p-область действует напряжение Vв, которое больше Ue, но меньше Uk. В результате на левом n-p -переходе мы имеем прямое смещение (пропускное направление), а на правом p-n-переходе -обратное смещение (запирающее направление). Электроны из инжектирующей левой n-области, называемой эмиттером, диффундируют в р-область, где в нормальном случае они бы рекомбиннровали, если бы p-область, т. е.

так называемая база, не была настолько узкой, что электроны успевают проскочить через нее не рекомбинируя. Таким образом удается добиться того, чтобы электроны попали в правую n-область и там поступали на электрод. Поэтому правую n-область называют коллектором. Он собирает инжектированные из левой n-области — эмиттера — электроны.
Различные роли обеих n-областей, которые без приложенного к ним напряжения совершенно равноправны, конечно же, являются следствием того, что к правой n-области приложено положительное напряжение, а к левой — отрицательное. Соединим теперь базу через источник напряжения и проводник с эмиттером, как это показано на рис. Мы получим две цепи тока -базовую и коллекторную. В базовой цепи в ток вносят вклад лишь те электроны, которые, как мы видели в случае с прямосмещенным переходом (в пропускном направлении), рекомбинируют в p-области. Но из-за узости p-области их очень мало. Следовательно, выходящий из базы поток электронов очень невелик. Большая часть тока, поступающего с эмиттера, течет через коллектор (рис.

).

Однако мы знаем, что в ток через р-n-переход вносят вклад не только электроны, но и дырки. В нашем конкретном случае это означает, что из базы в эмиттер поступает поток дырок.
Он существенно превысил бы сравнительно слабый поток электронов и стал бы причиной появления в целом относительно сильного тока в базовой цепи, если бы его не удалось уменьшить каким-либо способом. В биполярном транзисторе с этой целью слабо легируют базу. В результате концентрация дырок в базе является низкой и из базы может поступить лишь небольшой поток дырок. Вывод, сделанный выше в отношении потока электронов, остается справедливым и для суммарного потока электронов и дырок: большая часть тока течет по коллекторной и меньшая-по базовой цепи.
Какую же пользу можно извлечь из всего этого? Если изменить напряжение между эмиттером и базой при постоянном напряжении между базой и коллектором, то изменится ток, идущий от эмиттера. Это изменение в большей мере затронет коллекторную цепь и в меньшей -базовую.

Таким образом, путем небольшого изменения тока в базовой цепи можно получить значительное изменение тока в коллекторной цепи. В данном случае транзистор работает как усилитель тока. Но так как сопротивление базовой цепи значительно меньше (прямосмещенный р-n-переход) сопротивления коллекторной цепи (обратносмещенный p-n -переход), то и потребляемая в базовой цепи электрическая мощность значительно меньше, чем в коллекторной. В итоге с помощью небольшой электрической мощности в базовой цепи можно управлять величиной мощности в коллекторной цепи.

Сравнение с электронной лампой

Ту же функцию в вакуумной электронике выполняют трех электродные электронные лампы. Эмиттер транзистора соответствует катоду электронной лампы, коллектор-аноду и база-сетке.

Схема включения транзистора, показанная на рис., где эмиттер соединен с базой и коллектором, а база и коллектор-соответственно только с эмиттером, называется схемой с общим эмиттером.

Она является одной из трех возможных схем включения транзистора. Если транзистор включен по схеме с общим коллектором, то коллектор является общей областью для обеих цепей тока, а при включении по схеме с общей базой такой областью становится база.

Схема с питанием входных и выходных цепей транзистора от одного источника постоянного напряжения.

В микроэлектронике применяются также транзисторы, обладающие двумя и более изолированными друг от друга эмиттерными областями. В результате появляются разнообразные варианты схем включения. Существует также возможность получения транзисторов с несколькими коллекторами.
Рис. npn-транзистор с базой, общей для двух цепей. Здесь показаны потоки электронов и дырок, т.е. потоки основных носителей заряда.
С помощью транзисторов можно осуществлять увеличение или преобразование электрической мощности. В микроэлектронике транзисторы являются прежде всего усилительными приборами с различными принципами усиления сигналов электрической природы и используются в ключевых схемах. Важной характеристикой такого транзисторного ключа является время, необходимое для одного переключения из положения «включено» в положение «выключено» или наоборот, короче говоря, время задержки. Чтобы получить представление о величине времени задержки биполярного транзистора, рассмотрим следующий пример. Пусть к эмиттеру, базе и коллектору npn -транзистора приложены определенные электрические напряжения Ue, Ub и Uk. В коллекторной цепи появится ток определенной силы. Если напряжение, приложенное к базе, возрастает до Ub + ΔUb, то сопротивление как левого n-p- перехода, так и правого p-n -перехода уменьшается и в результате ток в коллекторной цепи увеличивается. Но при этом мы полагаем, что во время пролета электронов через базу напряжение на ней остается неизменным и равным UB + ΔUb. Ситуация изменяется, если за это время приложенное к базе напряжение меняется. Когда оно, например, снова уменьшается до UB, а электроны еще не успели проскочить через базу, то вызванное ΔUb возрастание тока в коллекторной цепи не так велико, как при неизменном напряжении Ub + ΔUb. Отсюда можно сделать вывод о том, что эффективность переключения транзистора падает, если команды на переключение в форме более высоких или низких напряжений поступают на базу с интервалами, которые меньше времени, затрачиваемого электронами на пролет через базу. Время задержки Т транзистора представляет собой, таким образом, время, необходимое для пролета электронов через базу. Поэтому становится ясно: чем тоньше база, тем меньше время задержки. Делается понятным и стремление сделать как можно тоньше прежде всего базу. Тем самым мы также доказали высказанное в гл. 2 утверждение, что с уменьшением размеров полупроводниковых электронных элементов их быстродействие возрастает. Ориентировочно время пролета Т сквозь базу инжектированных эмиттером носителей заряда легко определить, зная коэффициент диффузии электронов D и ширину базы Ь. В общем случае справедливо выражение Т ≈ b2/D. Если для кремния ширину базы принять равной 0,7 мкм и коэффициент диффузии электронов 50 см2/с, то время задержки для pnp-транзистора составит Т ≈ 10^-10 с. Коэффициент диффузии менее подвижных по сравнению с электронами дырок в кремнии почти в 3 раза меньше. Поэтому и время задержки pnp-транзистора в 3 раза больше, чем у npn-транзистора. Еще более высокой подвижностью по сравнению с электронами кремния обладают электроны арсенида галлия (GaAs). Поэтому из арсенида галлия n-типа можно изготавливать сверхбыстродействующие рпр-транзисторы.
Итак, теперь мы в состоянии рассчитать требуемую энергию для выполнения одной операции переключения в npn-транзисторе. Необходимое на одно переключение время Т следует умножить на израсходованную при этом электрическую мощность Р. В биполярном транзисторе преобразование электрической мощности осуществляется в базовой цепи. Вообще мощность равна произведению напряжения на силу тока. В нашем конкретном примере сила тока зависит от величины транзистора. Чем меньше транзистор, тем слабее возникающие в нем токи. В интегральных микросхемах транзисторы размещаются на площади 1000 мкм2 и менее. Сила тока в базовой цепи составляет всего несколько микроампер, а напряжение — около 1 В. Следовательно, мощность, необходимая для переключения, равна произведению одного вольта на несколько микроампер, т. е. нескольким микроваттам. При Р=10^-5 Вт и Т = 10″10 с получаем энергию переключения, равную 10^-5 х 10^-10 Вт.с=10^-15 Дж. Это очень малая энергия, которая, однако, не имеет ничего общего с действительным энергопотреблением транзистора. Энергозатраты в коллекторной цепи гораздо выше.

Транзисторы

Транзистор — это полупроводниковый прибор, составленный из двух pn-переходов, как показано на рис. 21.1. У транзистора три вывода: эмиттер, база и коллектор. Существуют два типа транзисторов: pnp-транзисторы (рис. 21.1(а)) и npn-транзисторы (рис. 21.1(б)). По принципу работы они ничем не отличаются друг от друга, за исключением полярности подаваемого постоянного напряжения смещения.

Рассмотрим транзистор npn-типа (рис. 21.2). Переход база – эмиттер (или просто эмиттерный переход) этого транзистора смещен в прямом направлении напряжением V_BE,поэтому электроны из области эмиттера будут перетекать через этот переход в область базы, создавая ток I_е. Это обычный прямой ток рта-перехода, смещенного в прямом направлении. Как только электроны попадают в область базы, они начинают испытывать притяжение положительного потенциала коллектора. Если область базы сделать очень тонкой, то почти все эти электроны проскочат через нее к коллектору. Только очень малая часть электронов собирается базой, формируя базовый ток I_b. Фактически более 95% всех электронов эмиттерного тока I_е собираются коллектором и формируют коллекторный ток I_c транзистора. Таким образом,

I_е = I_c + I_b.

Так как базовый ток I_b очень мал (чаще всего он измеряется микроамперами), то им обычно пренебрегают. Тем самым предполагается, что токи I_c и I_е равны, и каждый из них принято называть током транзистора.

Рис. 21.1. Транзисторы и их условны: обозначения: (а) pnp-тип, (б) npn-тип.

Рис. 21.2. Подача напряжений Рис. 21.3. Подача напряжений

смещения npn-транзистора. смещения pnp-транзистора.

Обратите внимание, что переход база — коллектор (или просто коллекторный переход) смещен в обратном направлении напряжением V_CD. Это необходимое условие работы транзистора, поскольку в противном случае электроны не притягивались бы к коллектору. При этом в соответствии с правилом выбора направления тока (от положительного потенциала к отрицательному) считается, что ток транзистора течет от коллектора к эмиттеру.

Для рпр-транзистора полярности подачи постоянных напряжений смещения должны быть изменены на обратные, как показано на рис. 21.3. В этом случае ток транзистора представляет собой перемещение дырок от эмиттера к коллектору или электронов от коллектора к эмиттеру.

Схемы включения транзистора

Имеются три основные схемы включения транзистора в электронные цепи.

1. Схема с общим эмиттером (ОЭ). Общим выводом здесь является эмиттер: входной сигнал подается между базой и эмиттером, а выходной сигнал снимается между коллектором и эмиттером (рис. 21.4). Эта схема получила наиболее широкое распространение из-за своей гибкости и высокого коэффициента усиления.

2. Схема с общей базой (ОБ). Базовый вывод транзистора является общим выводом для входного и выходного сигналов (рис. 21.5).

3. Схема с общим коллектором (ОК). В этой схеме общим выводом для входного и выходного сигналов является коллектор. Ее называют также эмиттерным повторителем (рис. 21.6).

Интересно, что на внутреннем уровне транзистор работает во всех схемах включения совершенно одинаково, тогда как внешнее поведение его в каждом случае различно.

Рис. 21.4. Схема с общим эмиттером (ОЭ). Рис. 21.5. Схема с общей базой (ОБ).

Рис. 21.6. Схема с общим коллектором (ОК).

Обратите внимание, что выходной сигнал

снимается с эмиттера.

Каждая схема включения характеризуется своим собственным набором основных параметров, в который входят коэффициент усиления, входное и выходное сопротивления и АЧХ.

Характеристики транзистора в схеме с общим эмиттером

Поведение транзистора в статических условиях, то есть в отсутствие входного сигнала, определяют характеристики трех типов.

1. Входные характеристики, или зависимости входного тока от входного напряжения.

2. Выходные характеристики, или зависимости выходного тока от выходного напряжения.

3. Передаточные характеристики, или зависимости выходного тока от входного тока.

Описываемые ниже характеристики относятся к npn-транзистору (рис. 21.7). Для pnp-транзистора нужно изменить полярность напряжения постоянного тока на отрицательную.

Входные характеристики

На рис. 21.8 представлены входные характеристики для npn -транзистора. Они ничем не отличаются от характеристик pn -перехода диода, смещенного в прямом направлении, поскольку вход (переход база — эмиттер)

Рис. 21.8. Входные характеристики транзистора.

как раз и является таким переходом. Заметим, что, как и в диоде, входной ток I_b начинает протекать через эмиттерный переход только тогда, когда на этом переходе устанавливается требуемое значение прямого напряжения. Если это напряжение (0,3 В для Ge и 0,6 В для Si) установлено, то в дальнейшем напряжение V_be между базой и эмиттером практически не изменяется даже при сильном увеличении тока базы. Таким образом, транзистор можно рассматривать как токовый элемент, допускающий изменение входного тока при постоянном входном напряжении.

Выходные характеристики

На рис. 21.9 приведено семейство кривых, называемых выходными характеристиками транзистора, которые устанавливают связь тока коллектора (выходного тока) I_c с напряжением на коллекторе (выходным напряжением) V_CE. Для определенных значений тока базы (входного тока) I_b. Эти кривые устанавливают также взаимосвязь между входным током, с одной стороны, и выходным током и выходным напряжением — с другой. Например, для транзистора с выходными характеристиками, приведенными на рис. 21.9, при I_b= 40 мкА и V_CE= 6 В ток коллектора I_c = 4 мА. Это значение легко определяется из выходной характеристики, соответствующей выбранному току базы.

Характеристика для I_b = 0 соответствует транзистору в непроводящем состоянии, т. е. в состоянии отсечки, когда величина напряжения V_CEменьше требуемой величины прямого падения напряжения на эмиттерном переходе. Теоретически ток транзистора равен нулю при I_b = 0; однако реально очень слабый ток утечки всегда протекает через коллекторный переход.

Рис. 21.9. Семейство выходных характеристик транзистора.

Статический коэффициент усиления тока β

Очень важным параметром любого транзистора является его коэффициент усиления по постоянному току, называемый статическим коэффициентом усиления тока. Это коэффициент усиления тока для транзистора, находящегося в статическом режиме, то есть в отсутствие входного сигнала. Статический коэффициент усиления тока является безразмерной величиной (отношение величин двух токов) и определяется по формуле

Выходной ток I_c

β = —————————- = ——

Входной ток I_b

Величину β можно рассчитать с помощью выходных характеристик транзистора. Например, если транзистор работает в режиме, определяемом точкой Q (рабочая точка), при I_b, = 40 мкА и I_c = 4 мА, то

Передаточные характеристики

Эти характеристики устанавливают взаимосвязь между входным и выходным токами транзистора (рис. 21.10). С помощью такой характеристики можно рассчитать статический коэффициент усиления тока. Например, если точка Q — рабочая точка транзистора, то

Рис. 21.10. Передаточная характеристика транзистора.

В этом видео рассказывается о принципах работы транзистора:

Добавить комментарий

Импортные и отечественные мощные биполярные транзисторы.

Справочник.

Наименование составных транзисторов выделено цветом. Особенностью справочника является то, что импортные транзисторы взяты не из справочников, а из прайсов интернет-магазинов (т.е., с большой вероятностью доставаемые)							Справочник предназначен для подбора компонентов по электрическим параметрам, для выбора замены (аналога) транзистору с известными характеристиками, подбора комплементарной пары. За основу справочника взяты отечественные транзисторы, расположенные в порядке возрастания напряжения и тока. Импортные современные транзисторы в справочник взяты из прайс-листов магазинов. Импортные и отечественные транзисторы, расположенные в одной колонке, имеют близкие параметры, хотя и не обязательно являются полными аналогами. Справочник предназначен для разработчиков и тех, кто занимается ремонтом. Для ходовых импортных транзисторов дана ссылка на магазин, где их можно купить. Справочник по отечественным мощным транзисторам. Полевые транзисторы. Справочник. Маломощные транзисторы. Справочник. Транзисторы средней мощности. Справочник. Отечественные smd транзисторы. Справочник. Главная страница.

Показать только: 40В 60В 70В 80В 100В 160В 200В 250В 300В 400В 500В 600В 700В 800В 900В 1500В 2000В ВСЕ

Отечеств.	Корпус	PDF	Тип	Imax, A	Импортный	Корпус
Внешний вид корпусов ТО:
Транзисторы на напряжение до 40В:
КТ668 (А-В)	ТО-92		pnp	0. 1	BC557 BC857	TO-92 smd	современный pnp транзистор 40В 0.1А
КТ6111 (А-Г)	ТО-92		npn	0.1	BC547 BC847	TO-92 smd	npn транзистор 40В 0.1А
КТ6112 (А-В)	ТО-92		pnp	0.1 (0.15)	2SA1266 2SA1048	TO-92 TO-92	pnp транзистор 40В 0.1А
КТ503 А,Б	ТО-92		npn	0.15	2SC1815	TO-92	описание npn транзистора КТ503 на 40В 0.15А
2Т3133А	ТО-126		npn	0.3			npn транзистор 40В 0.3А
КТ501 Ж,И,К	ТО-92		pnp	0. 3 (0.2)	2N3906	TO-92	описание транзистора биполярного кт501, характеристики и графики
КТ645Б	ТО-92		npn	0.3 (0.2)	2N3904	TO-92	npn транзистор 40В 0.3А
КТ646Б	ТО-126		npn	0.5 (0.6)	2N4401 MMBT2222	TO-92 smd	описание и характеристики npn транзистора КТ646 на 40В 0.5А
КТ626А	ТО-126		pnp	0.5	2N4403 BC807	TO-92 smd	транзистор биполярный кт626, характеристики
КТ685 А,В	ТО-92		pnp	0.6			транзистор биполярный кт685, характеристики
КТ686 А,Б,В	ТО-92		pnp	0. 8	BC327	ТО-92	характеристики транзистора кт686
КТ660А	ТО-92		npn	0.8	BC337 BC817	ТО-92 smd	npn транзистор 40В 0.8А
КТ684А	ТО-92		npn	1	BC635	TO-92	npn транзистор 40В 1А
КТ692А	ТО-39		pnp	1	BC636	TO-92	pnp транзистор 40В 1А
КТ815А	ТО-126		npn	1.5	BD135	TO-126	npn транзистор КТ815 на 40В 1.5А
КТ639А,Б,В	ТО-126		pnp	1.5	BD136	TO-126	npn транзистор КТ639 на 40В 1. 5А
КТ814А	ТО-126		pnp	1.5			pnp транзистор КТ814А на 40В 1.5А
2Т860В	ТО-39		pnp	2	2SA1020	TO-92L	транзистор биполярный 2т860
КТ852Г	ТО-220		pnp	2	FMMT717	sot23	транзистор биполярный кт852 на 40В 2А
КТ943А	ТО-126		npn	2			транзистор биполярный кт943
КТ817А,Б	ТО-126		npn	3			описание транзистора кт817 на 40В 3А
КТ816Б	ТО-126		pnp	3	2SB856	TO-220	транзистор биполярный кт816
КТ972Б КТ8131А	ТО-126		npn	4			описание составного транзистора кт972 на 40В 4А
КТ973Б КТ8130А	ТО-126		pnp	4	2SB857	TO-220	описание транзистора кт973
КТ835Б	ТО-220		pnp	7. 5			описание транзистора кт835 на 40В 7А
2Т837В,Е	ТО-220		pnp	8			транзистор биполярный 2т837
КТ829Г	ТО-220		npn	8			описание составного транзистора кт829 на 40В 8А
КТ853Г	ТО-220		pnp	8			характеристики транзистора кт853
КТ819А,Б	ТО-220, ТО-3		npn	10	TIP34	TO-247	описание транзистора кт819 на 40В 10А
КТ818А	ТО-220, ТО-3		pnp	10	TIP33	TO-247	описание транзистора кт818
КТ863А	ТО-220		npn	10 (12)	2SD1062	TO-220	транзистор биполярный кт863 и импортный 2sd1062
2Т877В	ТО-3		pnp	20			составной 2Т877 на 40В 20А
Транзисторы на напряжение до 60В:
КТ503В,Г	ТО-92		npn	0. 15 (0.1)	2SC3402 2SC3198 BC546	TO-92 TO-92 TO-92	описание транзистора КТ503 на 60В 0.1А
КТ645А	ТО-92		npn	0.3
КТ662А	ТО-39		pnp	0.4 (0.1)	BC556	TO-92	импортный транзистор 60В 0.1А в справочнике
КТ646А	ТО-126		npn	0.5	BD137 BCV49	TO-126 smd	описание транзистора КТ646 на 60В 0.5А
КТ626Б	ТО-126		pnp	0.5	BD138 BCV48	TO-126 smd	транзистор 60В 0.5А в справочнике
КТ685Б,Г	ТО-92		pnp	0. 6 (1)	BC638	TO-92
КТ644(А-Г)	ТО-126		pnp	0.6			описание транзистора КТ644
КТ661А КТ529А	ТО-39 TO-92		pnp	0.6 (1)	2SA684 MMBT2907	TO-92L smd
КТ630Д,Е КТ530А	ТО-39 TO-92		npn	1	BC637 BSR41	TO-92 smd	транзистор на 60В 1А
КТ683Д,Е	ТО-126		npn	1	2SD1616	TO-92	транзистор на 60В 1А
КТ659А	ТО-39		npn	1.2
КТ961В	ТО-126		npn	1. 5	BD137	TO-126
КТ639Г,Д	ТО-126		pnp	1.5	BD138	TO-126
КТ698В	ТО-92		npn	2	2SC2655 2SD1275	TO-92 TO-220FP	транзистор на 60В 2А
2Т831Б	ТО-39		npn	2
2Т830Б	ТО-39		pnp	2
2Т880В	ТО-39		pnp	2
2Т881В	ТО-39		npn	2
КТ852В	ТО-220		pnp	2			составной биполярный транзистор на 60В 2А
2Т708Б	ТО-39		pnp	2. 5
КТ817В	ТО-126		npn	3 (4)	2N5191 2SD1266	ТО-126 TO-220FP	транзистор КТ817 на 60В 3А
2Т836В	ТО-39		pnp	3
КТ816В	ТО-126		pnp	3	2SB1366 2SB1015	TO-220FP TO-220FP	транзистор КТ816В на 60В 3А
КТ972А КТ8131Б	ТО-126		npn	4	BD677	TO-126	составной отечественный транзистор на 60В 4А
КТ973А КТ8130Б	ТО-126		pnp	4 (5)	BD678 2SA1469 2SB1203	TO-126 TO-220 smd	описание составного транзистора КТ973А на 60В 5А
КТ829В	ТО-220		npn	8 (5)	TIP120	TO-220	транзистор на 60В 5А
КТ8116В	ТО-220		npn	8			транзистор КТ8116 на 60В 8А
КТ853В	ТО-220		pnp	8			транзистор на 60В 8А
2Т837Б,Д	ТО-220		pnp	8
2Т709В	ТО-3		pnp	10	MJE2955	TO-220	биполярный транзистор на 60В 10А
2Т875В	ТО-3		npn	10	MJE3055	TO-220	транзистор на 60В 10А
2Т716В,В1	ТО-3 ТО-220		npn	10
КТ8284А	ТО-220		npn	12 (15)	TIP3055	TO-218	составной транзистор на 60В 15А
2Т825В2	ТО-220		pnp	15
КТ827В	ТО-3		npn	20			составной транзистор КТ827 на 60В 20А
2Т825В	ТО-3		pnp	20			транзистор на 60В 20А
2Т877Б	ТО-3		pnp	20			транзистор на 60В 20А
КТ8106Б	ТО-220		npn	20			составной транзистор КТ8106 на 60В 20А
КТ896Б	ТО-220		pnp	20			составной транзистор КТ896 на 60В 20А
КТ8111В9	ТО-218		npn	20			составной транзистор КТ8111 на 60В 20А
Транзисторы на напряжение до 70В:
КТ815В	ТО-126		npn	1. 5	2SC5060	TO-92S	на 70В 1А
КТ814В	ТО-126		pnp	1.5
КТ698Б	ТО-92		npn	2			отечественный на 70В 2А
2Т831В	ТО-39		npn	2
2Т860Б	ТО-39		pnp	2
КТ943 Б,Д	ТО-126		npn	2
2Т837А,Г	ТО-220		pnp	8			на 70В 8А
КТ808ГМ	ТО-3		npn	10
КТ818В	ТО-220, ТО-3		pnp	10			описание транзистора КТ818В на 70В 10А
2Т876Б	ТО-3		pnp	10
2Т875Б	ТО-3		npn	10
Транзисторы на напряжение до 80В:
КТ503Д	ТО-92		npn	0. 15 (0.3)	2SC1627	TO-92	транзистор на 80В 0.1А
КТ626В	ТО-126		pnp	0.5 (0.7)	2SA935	TO-92L	транзистор на 80В 0.5А
КТ684Б	ТО-92		npn	1			транзистор на 80В 1А
КТ961Б	ТО-126		npn	1.5			транзистор на 80В 1.5А
2Т881Б	ТО-39		npn	2 (1.5)	BD139	TO-126	транзистор на 80В 2А
2Т830В	ТО-39		pnp	2 (1.5)	BD140 BCP53	TO-126 smd	транзистор на 80В 2А
2Т880Б	ТО-39		pnp	2			транзистор на 80В 2А
КТ852Б	ТО-220		pnp	2			транзистор на 80В 2А
КТ943В,Г КТ8131В	ТО-126		npn	2 (4)	2N6039	TO-126	составной транзистор на 80В 4А
2Т836А,Б КТ8130В	ТО-39 ТО-126		pnp	3			характеристики составного транзистора КТ8131 на 80В 4А
КТ829Б	ТО-220		npn	8 (5)	BD679 TIP121 MJD44h21	TO-126 TO-220 smd	транзистор 80В 5А, составной транзистор на 80В 4А
КТ8116Б	ТО-220		npn	8 (10)	2SD2025 BDX33B	TO-220FP TO-220	составной транзистор на 80В 10А
КТ853Б	ТО-220		pnp	8 (10)	BDX34B	TO-220	составной транзистор на 10А 80В
2Т709Б	ТО-3		pnp	10	TIP33B	TO-247	транзистор на 80В 10А
2Т876А,Г	ТО-3		pnp	10
2Т716Б,Б1	ТО-3 ТО-220		npn	10			транзистор на 80В 10А
КТ808ВМ	ТО-3		npn	10
КТ819Б,В*	ТО-220 ТО-3		npn	10	TIP34B	TO-247
2Т875А,Г	ТО-3		npn	10
КТ8284Б	ТО-220		npn	12			на 80В 12А
2Т825Б2	ТО-220		pnp	15			транзистор на 80В 15А
КТ827Б	ТО-3		npn	20			транзистор на 80В 20А
2Т825Б	ТО-3		pnp	20			транзистор на 80В 20А
2Т877А	ТО-3		pnp	20			транзистор на 80В 20А
КТ8111Б9	ТО-218		npn	20			составной транзистор на 80В 20А
КТ8106А	ТО-220		npn	20			составной транзистор на 80В 20А
КТД8280А	ТО-218		npn	60			составной транзистор на 80В 60А
КДТ8281А	ТО-218		pnp	60			транзистор на 80В 60А
КТД8283А	ТО-218		pnp	60
Транзисторы на напряжение до 100-130В:
КТ601А,АМ	ТО-126		npn	0. 03			биполярный транзистор на 100В 30мА
КТ602А,АМ	ТО-126		npn	0.075
КТ638А,Б	ТО-92		npn	0.1	2SC2240	TO-92	биполярный транзистор на 100В 100мА
КТ503Е	ТО-92		npn	0.15
КТ807А,Б	ТО-126		npn	0.5
КТ630А,Б,Г	ТО-39		npn	1			биполярный транзистор на 100В 1А
КТ684В	ТО-92		npn	1	BC639	TO-92	биполярный npn транзистор на 100В 1А
КТ683Б,В,Г	ТО-126		npn	1			биполярный транзистор на 100В 1А
КТ719А	ТО-126		npn	1. 5
КТ815Г	ТО-126		npn	1.5			биполярный транзистор на 100В 1.5А
КТ961А	ТО-126		npn	1.5			биполярный транзистор на 100В 1.5А
КТ814Г	ТО-126		pnp	1.5 (1)	2N5400 BC640 2SA1358	TO-92 TO-92 TO-126	биполярный pnp транзистор на 100В 1.5А
КТ6103А	ТО-92		npn	1.5			биполярный транзистор на 100В 1.5А
КТ6102А	ТО-92		pnp	1.5			биполярный транзистор на 100В 1.5А
КТ698А	ТО-92		npn	2	BD237	TO-126	биполярный транзистор на 100В 2А
2Т831Г	ТО-39		npn	2	SD1765	TO-220FP	биполярный транзистор на 100В 2А
2Т881А,Г	ТО-39		npn	2			биполярный транзистор на 100В 2А
2Т860А	ТО-39		pnp	2			биполярный pnp транзистор на 100В 2А
2Т830Г	ТО-39		pnp	2			биполярный pnp транзистор на 100В 2А
2Т880А,Г	ТО-39		pnp	2			биполярный pnp транзистор на 100В 2А
КТ852А	ТО-220		pnp	2			составной pnp транзистор на 100В 2А
2Т708А	ТО-39		pnp	2. 5			составной pnp транзистор на 100В 2.5А
КТ817Г	ТО-126		npn	3			транзистор 100В на 3А
КТ816Г	ТО-126		pnp	3 (5)	TIP42C TIP127	TO-220	pnp транзистор 100В 3А, pnp транзистор на 100В 5А
КТ805БМ,ВМ	ТО-220		npn	5			npn транзистор на 100В 5А
КТ829А	ТО-220		npn	8 (5)	TIP122	TO-220	составной npn транзистор на 100В 8А
КТ8116А	ТО-220		npn	8			составной npn транзистор на 100В 8А
КТ853А	ТО-220		pnp	8 (5)			составной pnp транзистор на 100В 8А
КТ8115А	ТО-220		pnp	8			составной pnp транзистор на 100В 8А
2Т709А	ТО-3		pnp	10	BDX34C	TO-220	составной pnp транзистор на 100В 10А
2Т716А,А1	ТО-3 ТО-220		npn	10	BDX33C	TO-220	составной npn транзистор на 100В 10А
КТ808 АМ,БМ	ТО-3		npn	10			npn транзистор на 100В 10А
КТ819А,Г	ТО-220 ТО-3		npn	10	TIP34C	TO-247	npn транзистор на 100В 10А
КТ818Г	ТО-220 ТО-3		pnp	10	TIP33B 2SA1265	TO-247	pnp транзистор на 100В 10А
КТ8284В	ТО-220		npn	12			составной npn транзистор на 100В 12А
КТ8246 А,Б	ТО-220		npn	15			составной npn транзистор на 100В 15А
2Т825А2	ТО-220		pnp	15			составной pnp транзистор на 100В 15А
ПИЛОН-3А	ТО-220		npn	15			составной npn транзистор на 100В 15А
КТ827А	ТО-3		npn	20			составной npn транзистор на 100В 20А
2Т825А	ТО-3		pnp	20			составной pnp транзистор на 100В 20А
КТД8257А	ТО-220		npn	20			составной npn транзистор на 100В 20А
2Т935Б	ТО-220		npn	20			npn транзистор на 100В 20А
КТД8278Б,В	ТО-220 ТО-263		npn	20			npn транзистор на 100В 20А
КТ896А	ТО-220		pnp	20			npn транзистор на 100В 20А
КТ8111А9	ТО-218		npn	20			составной npn транзистор на 100В 20А
КТД8280Б	ТО-218		npn	60			составной npn транзистор на 100В 60А
КТД8281Б	ТО-218		pnp	60			pnp транзистор на 100В 60А
КТД8283Б	ТО-218		pnp	60			pnp транзистор на 100В 60А
Транзисторы на напряжение до 160В:
КТ611В,Г	ТО-126		npn	0. 1	2SC2230 2SD1609	TO-92L TO-126
КТ940В	ТО-126		npn	0.1
КТ6117	ТО-92		npn	0.6 (0.3)	2N5551	TO-92
КТ6116	ТО-92		pnp	0.6 (0.3)	2N5401	TO-92
КТ630В	ТО-39		npn	1	2SC2383	TO-92L
КТ683А	ТО-126		npn	1
КТ850В	ТО-220		npn	2
КТ8123А	ТО-220		npn	2
КТ851В	ТО-220		pnp	2 (1)	2SA940 KSA1013 2SA1306	TO-220 TO-92L TO-220FP
КТ805АМ	ТО-220		npn	5
КТ855Б,В	ТО-220		pnp	5
КТ899А	ТО-220		npn	8
КТ712Б	ТО-220		pnp	10	2SA1186	ТО-3Р
КТ863БС	ТО-220 ТО-263		npn	12	2SC3907	TO-3P ?
КТ8246В,Г	ТО-220		npn	15
КТ8101Б	ТО-218		npn	16
КТ8102Б	ТО-218		pnp	16	2SA1216	SIP3
КТД8257Б	ТО-220		npn	20
ПИР-2 (КТ740А)	ТО-220 ТО-218		npn	20
КТ879Б	КТ-5		npn	50
Транзисторы на напряжение до 200В:
КТ611А,Б	ТО-126		npn	0. 1 (0.2)	2SC1473 BFP22	TO-92 TO-92	биполярный транзистор на 200В 0.1А
КТ504Б	ТО-39		npn	1			биполярный транзистор на 200В 1А
КТ851А	ТО-220		pnp	2			биполярный транзистор на 200В 2А
КТ842Б	ТО-3		pnp	5			биполярный транзистор на 200В 5А
КТ864А	ТО-3		npn	10 (7)	BU406	TO-220	биполярный транзистор на 200В 10А
КТ865А	ТО-3		pnp	10			биполярный транзистор на 200В 10А
КТ712А	ТО-220		pnp	10			составной биполярный транзистор на 200В 10А
КТ945А	ТО-3		npn	15			биполярный транзистор на 200В 15А
КТ8101А	ТО-218		npn	16			биполярный транзистор на 200В 15А
КТ8102А	ТО-218		pnp	16	2SA1294 2SA1302	TO-247	биполярный транзистор на 200В 16А
КТД8257(А-Г)	ТО-220		npn	20			составной биполярный транзистор на 200В 20А
КТД8278А	ТО-220 ТО-263		npn	20			составной биполярный транзистор на 200В 20А
КТ897Б	ТО-218		npn	20			составной биполярный транзистор на 200В 20А
КТ898Б	ТО-218		npn	20			составной транзистор на 200В 20А
КТ867А	ТО-3		npn	25			биполярный транзистор на 200В 25А
КТ879А	КТ-5		npn	50			биполярный транзистор на 200В 50А
Транзисторы на напряжение до 250В:
КТ605А,Б	ТО-126		npn	0. 1 (0.05)	BF422	TO-92
КТ940Б	ТО-126		npn	0.1
КТ969А	ТО-126		npn	0.1
КТ504В	ТО-39		npn	1
2Т882В	ТО-220		npn	1
КТ505Б	ТО-39		pnp	1
2Т883Б	ТО-220		pnp	1	2SA1837	TO-220FP
КТ850А,Б	ТО-220		npn	2
КТ851Б	ТО-220		pnp	2
КТ855А	ТО-220		pnp	5
КТ857А	ТО-220		npn	7 (8)	MJE15032	TO-220
КТ844А	ТО-3		npn	10
2Т862А,Б	ТО-3		npn	15
Транзисторы на напряжение до 300В:
КТ940А	ТО-126		npn	0. 1 (0.05)	2SC2482 2SC5027 BF820	TO-92L TO-92L smd	npn транзистор на 300В 0.1А
КТ9115А	ТО-126		pnp	0.1 (0.05)	2SA1091 BF821	TO-92 smd	pnp транзистор на 300В 0.1А
КТ6105А	ТО-92		npn	0.15			npn транзистор на 300В 0.1А
КТ6104А	ТО-92		pnp	0.15	2SA1371	TO-92L	pnp транзистор на 300В 0.1А
2Т882Б	ТО-220		npn	1 (0.5)	MJE340 MPSA42	TO-126 TO-92	npn транзистор на 300В 1А
КТ504А	ТО-39		npn	1 (1. 5)	MJE13002	TO-220	npn транзистор на 300В 1А
Т505А	ТО-39		pnp	1 (0.5)	MJE350	TO-126
2Т883А	ТО-220		pnp	1
КТ8121Б	ТО-220		npn	4			npn транзистор на 300В 3А
КТ8258Б	ТО-220		npn	4			npn транзистор на 300В 4А
КТ842А	ТО-3		pnp	5			на 300В 5А
КТ8124В	ТО-220		npn	7			npn транзистор на 300В 6А
КТ8109А,Б	ТО-220		npn	7			составной npn транзистор на 300В 7А
КТД8262(А-В)	ТО-220		npn	7			составной npn транзистор на 300В 7А
КТ8259Б	ТО-220		npn	8			npn транзистор на 300В 8А
КТ854Б	ТО-220		npn	10			npn транзистор на 300В 10А
КТД8279(А-В)	ТО-220 ТО-218		npn	10			составной транзистор на 300В 10А
КТ892А,В	ТО-3		npn	15			npn транзистор на 300В 15А
КТ8260А	ТО-220		npn	15			npn транзистор на 300В 15А
КТД8252(А-Г)	ТО-220 ТО-218		npn	15			составной npn транзистор на 300В 15А
КТ890(А-В)	ТО-218		npn	20			составной npn транзистор на 300В 20А
КТ897А	ТО-218		npn	20			составной npn транзистор на 300В 20А
КТ898А	ТО-218		npn	20			составной npn транзистор на 300В 20А
КТ8232А,Б	ТО-218		npn	20			составной npn транзистор на 300В 20А
КТ8285А КТ8143Ш	ТО-218 ТО-3		npn	30 80			мощный npn транзистор КТ8143 на напряжение 300В и ток 80А
Транзисторы на напряжение до 400В:
2Т509А	ТО-39		pnp npn npn	0. 02 (0.5) 0.2 0.2	2SA1625 MPSA44 MJE13001	TO-92	npn транзистор на 400В 0.5А
2Т882А	ТО-220		npn	1 (1.5)	MJE13003 TIP50	TO-220 TO-220	npn транзистор на 400В 1А
КТ704Б,В			npn	2.5 (2)	BUX84	TO-220	npn транзистор на 400В 2.5А
КТ8121А	ТО-220		npn	4			npn транзистор на 400В 3А
КТ8258А	ТО-220		npn	4	MJE13005	TO-220	npn транзистор на 400В 4А
КТ845А	ТО-3		npn	5	BUT11	TO-220	npn транзистор на 400В 5А
КТ840А,Б	ТО-3		npn	6	2SD1409	TO-220FP	npn транзистор на 400В 6А
КТ858А	ТО-220		npn	7	2SC2335	TO-220	npn транзистор на 400В 7А
КТ8124А,Б	ТО-220		npn	7	2SC3039	TO-220	npn транзистор на 400В 7А
КТ8126А	ТО-220		npn	8	MJE13007	TO-220	npn транзистор на 400В 8А
КТ8259А	ТО-220		npn	8	2SC4834	TO-220FP	npn транзистор на 400В 8А
КТ8117А	ТО-218		npn	10	2SC2625	TO-247	npn транзистор на 400В 9А
КТ841Б	ТО-3		npn	10	2SC3306	TO-3P	npn транзистор на 400В 10А
2Т862Г	ТО-3		npn	10	2SC4138	TO-3P	npn транзистор на 400В 10А
2Т862В	ТО-3		npn	10 (12)	MJE13009 2SC3042	TO-220 TO-3P	биполярный транзистор на 400В 10А
КТД8279А	ТО-220 ТО-218		npn	10			составной транзистор на 400В 10А
КТ834В	ТО-3		npn	15			составной транзистор на 400В 15А
КТ848А	ТО-3		npn	15			транзистор на 400В 15А
КТ892Б	ТО-3		npn	15			npn транзистор на 400В 15А
КТ8260Б	ТО-220		npn	15			npn транзистор на 400В 15А
КТ8285Б	ТО-218 ТО-3		npn	30			npn транзистор на 400В 30А
2Т885А	ТО-3		npn	40			npn транзистор на 400В 40А
Транзисторы на напряжение до 500В:
КТ6107А	ТО-92		npn	0. 13			npn транзистор на 500В 0.1А
КТ6108А	ТО-92		pnp	0.13
КТ704А			npn	2.5 (1.5)	2SC3970	TO-220FP	npn транзистор на 500В 2А
КТ8120А	ТО-220		npn	3 (5)	BUL310	TO-220FP	npn транзистор на 500В 3А
КТ812Б	ТО-3		npn	8			npn транзистор на 500В 8А
КТ854А	ТО-220		npn	10			npn транзистор на 500В 10А
2Т856В	ТО-3		npn	10			npn транзистор на 500В 10А
КТ8260В	ТО-220		npn	15			npn транзистор на 500В 15А
КТ834А,Б	ТО-3		npn	15			npn транзистор на 500В 15А
ПИР-1	ТО-218		npn	20			npn транзистор на 500В 20А
КТ8285В	ТО-218 ТО-3		npn	30			npn транзистор на 500В 30А
2Т885Б	ТО-3		npn	40			npn транзистор на 500В 40А
Транзисторы на напряжение до 600В:
КТ888Б	ТО-39		pnp	0. 1			pnp транзистор на 600В 0.1А
КТ506Б	ТО-39		npn	2			npn транзистор на 600В 2А
2Т884Б	ТО-220		npn	2 (3)	2SC5249	TO-220FP	npn транзистор на 600В 2А
КТ887Б	ТО-3		pnp	2 (1)	2SA1413	smd	pnp транзистор на 600В 2А
КТ828Б,Г	ТО-3		npn	5 (6)	2SD2499 2SD2498 2SD1555	TO-3PF TO-3PF TO-3PF	строчный транзистор на 600В 5А
КТ8286А	ТО-218 ТО-3		npn	5 (8)	2SC5386	TO-3P ?	строчный транзистор на 600В 5А
КТ856А1,Б1	ТО-218		npn	10	ST1803	ISOW218	строчный транзистор на 600В 10А
КТ841А,В	ТО-3		npn	10	2SC5387	ISOW218	npn транзистор на 600В 10А
КТ847А	ТО-3		npn	15 (20)	2SC4706 2SC5144	TO-3P TO-247 ?	мощный транзистор высоковольтный на 600В 15А
КТ8144Б	ТО-3		npn	25			мощный высоковольтный транзистор на 600В 25А
КТ878В	ТО-3		npn	30			мощный npn транзистор на 600В 30А
Транзисторы на напряжение до 700В:
КТ826(А-В)	ТО-3		npn	1			npn транзистор на 700В 1А
КТ8137А	ТО-126		npn	1. 5			npn транзистор на 700В 1.5А
КТ887А	ТО-3		pnp	2			pnp транзистор на 700В 2А
КТ8286Б	ТО-218 ТО-3		npn	5			npn транзистор на 700В 5А
КТ8107(А-Г)	ТО-220		npn	8			npn транзистор на 700В 8А
КТ812А	ТО-3		npn	10	BUh200	TO-220	высоковольтный транзистор на 700В 10А
2Т856Б	ТО-3		npn	10			npn транзистор на 700В 10А
Транзисторы на напряжение до 800В:
КТ506А	ТО-39		npn	2			высоковольтный npn транзистор 800В 1А
2Т884А	ТО-220		npn	2			npn транзистор на 800В 2А
КТ859А	ТО-220		npn	3	2SC3150	TO-220	npn транзистор на 800В 3А
КТ8118А	ТО-220		npn	3			npn транзистор на 800В 3А
КТ828А,В	ТО-3		npn	5			npn транзистор на 800В 4А
КТ8286В	ТО-218 ТО-3		npn	5			npn транзистор на 800В 5А
КТ868Б	КТ-9		npn	6 (8)	2SC5002 2SC4923	TO-3PF TO-3PML	высоковольтный транзистор на 800В 6А
КТ8144А	ТО-3		npn	25	2SC3998	TO-3PBL	высоковольтный транзистор на 800В 25А
КТ878Б	ТО-3		npn	30			высоковольтный npn транзистор на 800В 30А
Большая часть из приведенных здесь транзисторов на напряжение свыше 600В применяются в строчных развертках телевизоров и мониторов. В справочнике они расположены по пиковому напряжению коллектор-эмиттер. Если судить по графикам, то область безопасной работы у них, за редким исключением, не более 800В, а пиковое напряжение они держат лишь при соблюдении определенных условий.? Транзисторы на напряжение до 900В:
КТ888А	ТО-39		pnp	0.1			транзистор высоковольтный на 900В 0.1А
КТ868А	КТ-9		npn	6 (3)	2SC3979	TO-220	npn транзисторы высоковольтные на 900В 6А
2Т856А	ТО-3		npn	10			npn транзистор высоковольтный на 900В 10А
КТ878А	ТО-3		npn	30			высоковольтный npn транзистор на 900В 30А
Транзисторы на напряжение до 1000-1500В:
КТ838А	ТО-3		npn	5	BU508	TO-3PF	биполярный транзисторы высоковольтные на 1500В 5А
КТ846А	ТО-3		npn	5	BU2506	SOT-199	современный высоковольтный строчный транзистор на 1500В 5А
КТ872А,Б	ТО-218		npn	8	BU2508 2SC5447	TO-3PFM SOT-199	современные высоковольтные транзисторы на 1500В 8А
КТ886Б1	ТО-218		npn	8 (10)	BU1508	TO-220	современный высоковольтный биполярный транзистор на 1000В 10А
КТ839А	ТО-3		npn	10	BU2520	TO-3PML	современный биполярный высоковольтный транзистор на 1500В 10А
КТ886А1	ТО-218		npn	10 (12)	2SC5270	TO3-PF	современный высоковольтный npn транзистор на 1500В 10А
			npn	25	2SC5244 2SC3998	TOP-3L ТО-3PBL	строчный транзистор на 1500В 25А
Транзисторы на напряжение свыше 2000В
2Т713А	ТО-3		npn	3			транзистор высоковольтный на 2000В 3А
КТ710А	ТО-3		npn	5			npn транзистор высоковольтный на 2000В 5А

Транзисторы — ПСК Монолит

Транзисторы состоят из материалов с проводимостью п-типа и p-типа. Их конкретное построение зависит от типа полупроводника, стоящего в середине. Если материал с отрицательной проводимостью вставлен между двумя материалами с положительной проводимостью, образуется транзистор рпр- типа; если материал с положительной проводимостью помещен между материалами с отрицательной проводимостью — транзистор прп-типа. 14.5 иллюстрирует обычные обозначения транзисторов рпр- и прп-типа. Основной транзистор рпр- или прп-типа содержит три части — базу, эмиттер и коллектор. Транзистор может включаться в цепь различными способами.

Выбор транзистора, необходимого для конкретной работы, должен зависеть от цепи, области применения, выдерживаемого устройством тока и температуры. Транзистор используется как переключатель или для усиления сигнала. В радиоприемнике транзистор будет получать слабый сигнал и усиливать так, что его мощность будет достаточной для того, чтобы слышимый звук мог передаваться к громкоговорителю. В системах управления кондиционированием воздуха транзистор усиливает слабый сигнал, полученный от термистора, чтобы обеспечить его мощностью, достаточной для выполнения полезной работы (такой, как замыкание реле или контактора, или приведение в движение маленького двигателя).

Простая цепь управления, используемая для регулировки температуры, обычно содержит термистор во входных цепях, сопротивление которого перестраивается вместе с изменением температуры. Перестройка сопротивления во входных цепях, как правило, вызывает изменение тока через базу транзистора, которое будет усиливаться в нем. Ток этого усиленного сигнала может быть достаточен для приведения в действие выключателя или коммутации напряжения на реле или контакторе. На 14.6 представлена простая цепь для регулировки температуры.

Дата: 17 августа 2014, Просмотров: 81

Самые популярные материалы

Добавить комментарий

Двухтактный усилитель на комплементарных транзисторах

Электроника Двухтактный усилитель на комплементарных транзисторах

просмотров — 422

Двухтактный усилитель мощности на комплементарных транзисторах позволяет отказаться от использования, как фазорасщепителя на входе, так и трансформатора на выходе. В этом усилителе используются два симметричных транзистора, pnp— и npn-типа, называемые комплементарной парой.

Принцип его работы основан на том факте, что положительный сигнал открывает npn-транзистор, закрывает pnp; а отрицательный сигнал открывает рпр-транзистор, закрывает npn.

На рис. а) приведена базовая схема двухтактного усилителя на комплементарных транзисторах (иногда называемая каскадом с дополнительной симметрией). Транзисторы T₁ и Т₂ работают в режиме класса В, т. е. в точке отсечки.

Используются два источника питания: +E_K и –E_K (двухполярный источник питания). В положительном полупериоде входного сигнала транзистор T₁ открыт, а транзистор Т2 закрыт. Ток i₁ транзистора T₁создает положительную полуволну тока в нагрузочном резисторе R_H. В отрицательном полупериоде открывается транзистор Т₂, и теперь его ток i₂, имеющий противоположное току i₁ направление, протекает через нагрузочный резистор.

Τᴀᴋᴎᴍ ᴏϬᴩᴀᴈᴏᴍ, на нагрузке формируется полный синусоидальный сигнал, соответствующий двум половинам полного периода входного сигнала. Следует отметить, что в рассматриваемом каскаде транзисторы включены по схеме с общим коллектором, то есть как эмиттерные повторители, поскольку выходной сигнал снимается с эмиттеров транзисторов.

На рис. б) приведена полная схема двухтактного усилителя мощности на комплементарных транзисторах вместе с предвыходным каскадом.

Схема модифицирована для питания от одного источника. Транзистор T₁ работает в предвыходном каскаде (предусилителе мощности). Цепь смешения R₁ — R₂ обеспечивает работу этого каскада в режиме класса А. При подаче питания устанавливается нормальный статический режим транзистора T₁(транзистор открыт). Разделительный конденсатор С₃ разряжен. Следовательно, потенциал точки А, где соединяются эмиттеры транзисторов Т₂ и Т₃, равен нулю. При этом базы этих транзисторов находятся под положительным потенциалом, определяемым напряжением на коллекторе транзистора T₁. Это положительное напряжение открывает транзистор Т₂. Транзистор Т₃(рпр-типа) при этом закрыт. Таким образом, ток i₂, протекающий через открытый транзистор, будет заряжать конденсатор С₃, как показано на схеме. По мере заряда этого конденсатора возрастает напряжение в точке А. Процесс зарядки продолжается до тех пор, пока не закроется транзистор Т₂. Это происходит в тот момент, когда напряжение на эмиттере этого транзистора (в точке А) сравнивается с напряжением на его базе.

В случае если статический режим транзистора T₁ выбран таким образом, что его коллекторное напряжение равно 0,5Е_к, то транзистор Т₂ закроется, как только потенциал точки А возрастет до 0,5Е_К. В результате схема будет сбалансирована по постоянному току и каждому транзистору будет приложено напряжение, равное половине напряжения источника питания. Транзисторы Т₂ и Т₃ оказываются в отсечке (режим класса В) с нулевым напряжением смещения на их эмиттерных переходах, т. е. они находятся на грани включения при отсутствии входного сигнала.

При подаче входного сигнала транзистор T₁ находится в проводящем состоянии в течение всего периода, усиливая данный сигнал и обеспечивая «раскачку» выходных транзисторов Т₂ и Т₃. Комплементарная пара выходных транзисторов обеспечивает дальнейшее усиление сигнала, как это было описано выше при рассмотрении базовой схемы.

Схема на рис. б) имеет низкую стабильность по постоянному току. Любое изменение тока транзистора T₁ вызывает изменение статического режима выходной пары транзисторов, что может привести к искажениям выходного сигнала.

Для улучшения стабильности используется отрицательная обратная связь по постоянному току, обеспечивающая автоматическую подстройку смещения транзистора Т₁, как показано на рис. в). Постоянное напряжение, действующее в точке А (0,5Е_К), подается обратно на базу транзистора T₁ через резистор обратной связи R_F. В этой схеме громкоговоритель подключен к положительной шине источника питания через разделительный конденсатор С₃. Заметим, что в такой конфигурации ток транзистора Т₃ заряжает данный конденсатор, а ток транзистора Т₂ разряжает его. Вообще, транзистор, включенный «последовательно» с разделительным конденсатором, заряжает его, а включенный «параллельно» — разряжает. Через резистор R₄ на базы выходных транзисторов подается небольшое напряжение прямого смещения, обеспечивающее уменьшение искажений типа «ступенька». Резисторы R₆и R₇ в эмиттерных цепях транзисторов Т₂ и Т₃ обеспечивают стабильность по постоянному току, а также неглубокую обратную связь по переменному току, улучшающую частотные характеристики усилителя.

Конспект урока «Транзисторы»

Изучив электрический ток в полупроводниках и познакомившись с p-n переходом, мы можем приступить к рассмотрению транзисторов. Транзисторы – это очень хитроумные приборы, без которых современная электроника просто немыслима.

Конспект урока «Транзисторы»

Рассмотрим приборы, которые включают в себя два р-п перехода — транзисторы. Между двумя полупроводниками п-типа создается тонкая прослойка из полупроводника р-типа (на рисунке толщина полупроводников обозначена чисто условно, а не пропорционально их реальным размерам).

Или же, можно сделать наоборот: между двумя полупроводниками р-типа помещают тонкую прослойку полупроводника п-типа.

Соответственно, транзисторы делятся на два типа: рпр транзисторы и прп транзисторы. Прослойку, находящуюся между полупроводниками одного типа называют базой (иногда основанием). Транзистор может быть включен в цепь, представленную на рисунке.

Обратите внимание на то, как подключена первая батарея: ток обусловлен движением основных носителей, то есть пэ эн переход в левой части схемы является прямым. В этом случае, полупроводник в левой части нашей схемы называетсяэмиттером. Обратимся теперь к правой части нашей схемы. Вторая батарея включена таким образом, что ток обусловлен движением неосновных носителей, то есть этот р-п переход является обратным. В этом случае, полупроводник в правой части схемы называется коллектором. На нашей схеме для наглядности мы подробно показали транзистор, но на стандартных схемах он обозначается более компактно.

На условном обозначении транзистора вы можете найти букву Э, обозначающую эмиттер, букву К, обозначающую коллектор и букву Б, обозначающую база.

Давайте рассмотрим протекание тока в каждом из полупроводников, входящих в транзистор. Обратим внимание сначала нар-п переход между эмиттером и базой. Эмиттер является полупроводником р-типа в данном случае, поэтому основными носителями заряда в нем являются дырки. Эти дырки проникают в базу, где основными носителями заряда являются электроны. Но, поскольку толщина базы очень мала, число электронов там очень невелико, несмотря на то, что они являются основными носителями. Попавшие в базу дырки практически не объединяются с электронами, в результате чего проникают в коллектор посредством диффузии.

Теперь обратим внимание на р-п переход между базой и коллектором. Этот переход обратный, и образовывает заслон для основных носителей базы, то есть, электронов. Однако, дырки проникают в коллектор под воздействием электрического поля, в результате чего цепь замыкается. Сила тока в эмиттере равна сумме токов в базе и коллекторе: 𝐼_э=𝐼_б+𝐼_к. Но ток в базе ничтожно мал, поэтому мы можем считать, что сила тока в коллекторе почти такая же, как и в эмиттере: 𝐼_э ≈ 𝐼_к.

Мы еще ни слова не сказали о сопротивлении, которое создается включенным в нашу цепь резистором. Надо сказать, это сопротивление практически не влияет на ток в коллекторе. Дело в том, что ток в коллекторе практически полностью обусловлен строением самого транзистора, а именно — свойствами полупроводников, из которых он изготовлен, и напряжением, которое подается на эмиттер. В данном случае, конечно, речь идет о применении источника переменного тока. Итак, сопротивление может быть довольно большим, но при этом оно не будет влиять на ток в коллекторе. Изменение же напряжения на эмиттере будет вызывать синхронное изменение напряжения на резисторе. Таким образом, если мы используем резистор с очень большим сопротивлением, мы сможем получать мощные сигналы на нем, создавая лишь небольшие изменения напряжения на эмиттере. Это свойство, так или иначе, используется во многих микросхемах, микропроцессорах и так далее. Транзисторы используются повсеместно: в приемниках, компьютерах и даже в приборах, предназначенных для космических исследований. Транзисторы с успехом заменили электронные лампы, которые были громоздкими и значительно менее безопасными. Первый компьютер, как раз, работал на электронных лампах, и занимал помещение, сравнимое с размерами спортзала. Сегодня в компьютерах используются маленькие микросхемы с транзисторами, каждый из вас знает, насколько меньшее пространство занимает современный компьютер, чем спортзал.

Возможно, вас впечатлит тот факт, что на сегодняшний день, на каждого жителя Земли приходится приблизительно 10 миллиардов транзисторов.

Разработка усилителя низкой частоты, страница 3

Так как транзистор предконечного каскада должен работать в классе АВ, через него должен протекать ток покоя, который при любых рабочих напряжениях данного каскада должен обеспечивать максимальный коэффициент усиления h31e.

Таким образом ток коллектора предконечного транзистора будет определятся по формуле:

где Ikp5 – соответственно ток коллектора покоя предконечного транзистора;

Ibp6 – ток покоя верхнего плеча ВыхК;

Ikmin5 – значение тока коллектора транзистора предконечного каскада, при котором обеспечивается максимальный коэффициент усиления.

По найденным выше значениям токов, выбираем транзисторы для выходного каскада КТ818Г и КТ819Г.

Теперь рассчитаем мощность выделяющуюся на коллекторах этих транзисторов.

Pст. = 2*(Ек*Ikp5) = 2*20*0.408 = 16.32 Вт

Динамические потери в предконечном каскаде без учета потерь в транзисторе при максимальном уровне сигнала (насыщение):

Рдин = (Ек/Ö2)*Ikm5/Ö2 = (20*6,725)/2 = 67,25 Вт

Таким образом, полная мощность, выделяемая в предконечном каскаде равна сумме этих двух мощностей:

Рпр = Рст + Рдин = 16,32 + 67,25 = 83,57 Вт

С учетом потерь в транзисторе можно принять Рпр = 85 Вт.

4.3 Расчет каскадов предварительного усиления.

Как уже было описано ранее, ток коллектора транзистора предконечного каскада определялся по формуле

С учетом этой формулы примем к установке VT4 КТ818Г. в режиме покоя выходной каскад не потребляет ток так как находится в режиме отсечки, а значит ток Ikmax6 никуда не ответвляется, поэтому через коллекторный резистор R7 будет протекать этот ток.

Разница между суммарными напряжениями питания и амплитудным значением напряжения генератора усиливаемого сигнала составляет не более семи тысяч раз и для улучшения качества работы усилителя, в целом, желательно использовать RC-цепи, разделяющие питающие элементы и входной сигнал. Цепочки R7C3 и R10C5 представляют собой фильтры, понижающие уровень помех (обратной связи), создаваемых цепью питания при работе усилителя во входной цепи, и одновременно на балластных резисторах R7 и R10 буде гаситься часть питающего напряжения, за счет чего можно выбрать более низковольтные транзисторы входного и предвартельного каскадов, что делает схему дешевле.

При учете предварительных каскадов – входного на VT1, VT2 и промежуточных на транзисторах VT3, VT4 – суммарные токи этих каскадов можно принять не более 2,5*Ikp4. Ток базы транзистора VT5 в рехиме покоя:

Соответственно ток коллектора каскада на VT4 составит:

В данной формуле существует небольшой запас тока, а именно Ikmin5/h31e5. Он оставлен для упрощения расчетов и улучшения разветвления токов между коллекторными резисторами и базовыми токами последующих каскадов. При этом в последующие каскады будут втекать их базовые токи покоя, а через коллекторные резисторы в режиме покоя – токи Ikmin соответствующих каскадов.

Принимая данную формулу к расчетам:

Примем суммарный ток всех промежуточных и входного каскада равным 30ма. Рассчитаем резисторы.

Примем к установке резистор с номиналом мощности в 1 ватт.

Выберем VT4.

Рассчитаем резистор Rб, служащий для уменьшения токов смещения.

Рассчитаем параметры каскада на транзисторе VT3. Ток базы транзистора VT4 равен 0,5мА.

Мощность рассеиваемая на резисторе равно 0,7 Вт к установке применяем резистор номиналом на 1 Вт.

4.4 Расчет входного каскада.

Согласно пункту 3.2, где описаны основные требования к входному каскаду, в качестве входного выбран дифференциальный каскад.

Схема диф. каскада по своей сути фактически объединяет в себе два каскада с общим эмиттером (два плеча), но основана на другом принципе работы. Однако расчет диф. каскада практически не отличается от расчета каскадов промежуточного усиления.

Основное отличие диф. каскада от других схем состоит в эффекте стабильного суммарного эмиттерного тока через эмиттерный резистор. Данный эффект называют генератором стабильного тока. Он является следствием практически полного отсутствия усиления синфазного сигнала дифференциальным каскадом, что значительно повышает его температурную стабилизацию. Таким образом, в режиме покоя через транзисторы, составляющие плечи каскада, протекают равнозначные токи покоя. Поэтому работу транзисторов диф. каскада можно отнести к классу А или АВ. С учетом необходимости тока покоя последующего каскада и на основе симметрии данных каскадов примем работу транзисторов диф. каскада как класс А и рассчитаем параметры входного каскада в целом.

Рассчитаем мощность, рассеиваемую на резисторе R2:

К установке примем резистор номиналом на 0,05Вт.

Так как транзисторы рассчитываются по статическому режиму, то из-за разделительного конденсатора на входе отсутстввет постоянная составляющая, база транзистора VT1 подключена к общему проводу через резистор R1 и ее потенциал фактически равен нулю. Между базой и эмиттером должно быть напряжение, обеспечивающее насыщение транзисторов VT1 и VT2, то есть Ubenas. Следовательно, потенциал эмиттера должен быть равен (–Ubenas).

4.5 Расчет динамических показателей усилителя без учета ОС.

Входное сопротивление УНЧ было рассчитано в предыдущем разделе.

Rin=1181 ОМ

Коэффициент усиления по току и коэффициенты ответвления тока:

4.6 Расчет цепи ООС.

Требуемая величина коэффициента передачи цепи ООС по постоянному току рассчитывалась следующим образом. Принимаем номинальную температуру окружающей среды равной двадцати градусам.

4.7 Расчет конденсаторов.

Конденсаторы, установленные на вход УНЧ, определяют частотные искажения в области низких и высоких частот.

Ниже приведен расчет этих конденсаторов.

4.8 Расчет балластных конденсаторов.

Цепи ООС также предназначены для фильтрации напряжения на входном и промежуточных каскадах от нагрузочного напряжения.

4.9 Расчет охладителя

Расчет проводится с целью определения возможного перегрева проектируемого устройства.

4.10 Расчет нелинейных искажений.

Расчет методом двух ординат.

Заключение.

Разработанный усилитель удовлетворяет требованиям технического задания. При разработке был применен ряд допущений, благодаря которым конечное произодство данного УНЧ будет экономически выгодным, т.к. были применены дешевые модели транзисторов, которые, в свою очередь, могут быть заменены их аналогами.

Далее следуют графики характеристик транзисторов, убрал так как занимают много дискового места.

RPR-220PC30N — ROHM | X-ON

74 Optek TT Electronics Оптические переключатели, отражающие, датчик отражения с выходом фототранзистора

Наличие на складе: 56

Датчик отражения на выходе фототранзистора

HLC1395-002 Оптические переключатели, отражающие, выход фототранзистора, отражающий ИК-датчик, обнаружение короткого расстояния Наличие: 0	, оптические переключатели, отражающие, выход фототранзистора, отражающий ИК-датчик, обнаружение короткого расстояния
HLC1395-001 Оптические переключатели, отражающие, светоотражающие, с выходом фототранзистора, коротк. Detection Наличие на складе: 0	Оптические переключатели, отражательные, светоотражающие, с выходом на фототранзисторах, короткие Dis.Обнаружение	0
OPB608R Оптические переключатели, отражающие, датчик отражения с выходом фототранзистора Наличие: 0	Оптические переключатели, отражающие, с выходом фототранзистора, отражающий датчик	000	Оптические переключатели Optek TT Electronics, отражающие, датчик отражения с выходом на фототранзисторе	56
OPB706A Phototransistor,	OPB706A Phototransistor Выход Выход Phototranstr Входной диод Наличие на складе: 64	Оптические переключатели, отражающие, фототранзисторные Выходные выходы Phototranstr Входной диод	64
OPB707C Оптические переключатели, отражающие, Photot Датчик отражения на выходе транзистора Наличие: 0	Оптические переключатели, отражающие, датчик отражения на выходе фототранзистора	0
OPB730F Оптические переключатели, отражающие, выход на фототранзисторах, светоотражающий датчик 0	Оптические переключатели, отражающие, датчик отражения с выходом фототранзистора TO-72	0
OPB732 Оптические переключатели, отражающие, датчик отражения с выходом на фототранзисторах Оптический, отражательный, 0 1	0
OPB733TR Оптические переключатели, отражение, датчик отражения на выходе на фототранзисторе 0.От 4 дюймов до 1,0 дюйма Наличие: 0	Оптические переключатели, отражающие, датчик отражения на выходе фототранзистора от 0,4 дюйма до 1,0 дюйма	0
OPB750N Optek TT Electronics Выходные оптические переключатели, отражательный датчик, фототранзистор Наличие: 0	Optek TT Electronics Оптические переключатели, отражающие, датчик отражения на выходе фототранзистора	0

PHILIPS ECG 5404 NPN TRANSISTOR NIB Transistors Business & Industrial roadislanddiner.com

PHILIPS ECG 5404 NPN TRANSISTOR NIB Транзисторы для бизнеса и промышленности roadislanddiner.com

Домашняя страница
Бизнес и промышленность
Электрооборудование и принадлежности
Электронные компоненты и полупроводники
Полупроводники и активные компоненты
Транзисторы
PHILIPS ECG 5404 NPN TRANSISTOR NIB

в оригинальной упаковке в неповрежденной упаковке ). Упаковка должна быть такой же, как в розничном магазине.закрытый, найдите много отличных новых и подержанных опций и получите лучшие предложения на PHILIPS ECG 5404 NPN TRANSISTOR NIB по лучшим онлайн-ценам на! Бесплатная доставка для многих товаров !. Состояние: Новое: Абсолютно новое. неиспользованный, за исключением случаев, когда товар изготовлен вручную или не был упакован производителем в нерызничную упаковку. например, коробка без надписи или полиэтиленовый пакет. См. Список продавца для получения полной информации. Просмотреть все определения состояний ： MPN: ： ECG-5404 ， Торговая марка: ： Philips ，。.

Перейти к основному содержанию

PHILIPS ECG 5404 NPN ТРАНЗИСТОР NIB

Подробная информация о SRT VGP Модуль расширения платы встроенного контроллера VME 1873E007, РАЗРЕШЕНИЯ НА ПАРКОВКУ ELITE-SERIES ПОДВЕСНОЙ БИРК ДЛЯ ОБЗОРА ИСПОЛЬЗОВАНИЕ БЕЗ РАЗРЕШЕНИЯ ТОЛЬКО ПОДПИСАТЬ !.10 шт. TF Cutoff Cut-off 10A AC 250V Microtemp Тепловой предохранитель 65 ° C 65 градусов Новинка. PHILIPS ECG 5404 NPN ТРАНЗИСТОР NIB . Высоковольтный источник питания электростатического осадителя 300 Вт 30 кВ с двойным выходом, 5 шт. ISL9R860PF2 DIODE STEALTH 600 В, 8 А TO-220F ISL9R860 9R860 ISL9R860P 9R860P I, НОВАЯ УПАКОВКА ADSENS ИЗ 10 BM-18 BM-18P SINTERED BRONZE, 9 дюймов, BM-18P SINTERED BRONZE, 9 дюймов, 860 мм. ECG 5404 NPN ТРАНЗИСТОР NIB . SS GSC-050-SS 1/2 «ID Установочный винтовой хомут. Конструкция 12 В Комплект катушки и настройки Ford 3-цилиндровый газовый трактор Промышленный, LEDTRONICS LED BP124CYL5-5V / 25-LC05 RED 5 VDC 15 MILLC РАЗРЫВ ВОЕННОЙ СПЕЦ.НОВЫЙ. PHILIPS ECG 5404 NPN ТРАНЗИСТОР NIB .

PHILIPS ECG 5404 NPN ТРАНЗИСТОР NIB

и создает более прохладную и здоровую среду для обуви. Дата первого упоминания: 8 декабря. Обещаем предоставить вам удовлетворительное решение. 4 см (ширина x высота) в сложенном виде. Этот подвесной хедлайнер компании Bow Suspended Headliner изготовлен по оригинальному заводскому образцу. УДОВЛЕТВОРЕНИЕ ГАРАНТИРОВАНО — Если вы решите сделать себе одолжение и купите это пододеяльник премиум-класса.имеет мощную струю воды, которая смывает вашу кухонную раковину. Долговечные устойчивые к выцветанию УФ-чернила для наружного применения, не испортите свой рецепт, добавив слишком много или слишком мало. Ê Позвольте вам делать каждый шаг гламурно и быть уверенным, что он останется на вас до конца любых мероприятий. Детский комбинезон с застежкой на пуговицы, Tenacitee Men’s Living in Georgia с футболкой Minnesota Roots, мы ответим на ваши вопросы в течение 24 часов, доступна машинная или ручная стирка. Звук и скорость не хуже, чем у оригинального оборудования.Подставка под пену — 3 1/2 дюйма на 3 1/2 дюйма. Используемый материал не будет способствовать росту бактерий или плесени на воздушном фильтре и лучше улавливает частицы, переносимые по воздуху, чем фильтры из стекловолокна. Фотография увеличена, чтобы показать детали. PHILIPS ECG 5404 NPN TRANSISTOR NIB , Купить Mann Filter C 17 137/1 X Воздушный фильтр: воздушные фильтры — ✓ Возможна БЕСПЛАТНАЯ ДОСТАВКА при покупке, отвечающей критериям. Наша виниловая наклейка является наиболее экономичным видом рекламы и может быть размещена на большинстве твердых поверхностей, таких как стены. Эта секция для двутавровых балок и тележек готова к установке и может быть размещена в месте со сварными или зажимными системами крепления. может захотеть сделать копию для ваших записей.отполированный и обработанный профессиональным антикоррозионным составом, поставляется с полосой и коробкой для защиты от потускнения. Этот свитер тщательно ручной работы, поэтому он очень прочный и долговечный. Я сделал этот свитер с заботой и любовью, в ярких синих и оранжевых тонах. Самый большой выбор столового серебра на etsy. и подходит для большинства поверхностей, включая бумагу. мы здесь и стоим за каждой нашей продажей. *** Пожалуйста, прочтите раздел о доставке и правилах для получения дополнительной информации о доставке ***, Круглая бирка с гравировкой с круглой фотографией, персонализированная круглая бирка.версия 12 x 12 мм Размер кольца расширяется за счет расположения до Gr. Хорошо, вероятно, есть бесконечное количество вещей, которые хуже. Ручка с отражениями и светом прекрасна, так что вы получаете прекрасную свежую деталь. вы помогаете независимому дизайнеру зарабатывать на жизнь. PHILIPS ECG 5404 NPN ТРАНЗИСТОР NIB . не стесняйтесь обращаться к нам в любое время, у них есть длинный пояс с симпатичными манжетами вокруг ноги. • Превосходная отделка с гладким на ощупь матовым покрытием на передней панели. 4-поворотный клапан серии AATU-0R 4/4 BBb Tuba — идеальный выбор для начинающих студентов. Мягкая и удобная ткань для вязания.Наконечники конструируются с использованием полированных алмазом форм для устранения полостей и закупорок, которые вызывают задержку образца. Описание продукта Брезент высшего качества Grizzly изготовлен из плотного полиэтиленового плетения 8×8 кв. Дюймов, обеспечивающего долговечность. Декоративное стеганое покрывало из 2 частей с имитацией подушки, что делает эту сцену идеальной для выбранной улицы или полосы. Раунд 5 UFC против Серии 2, ОГРАНИЧЕННОЕ ИЗДАНИЕ Фигурка 2Упаковка Форреста Гриффина и пылезащитной заглушки: автомобильная промышленность. Купить удобные повседневные пижамные штаны KANGMOON, женские удобные повседневные пижамные штаны с цветочным принтом, кулиски, брюки Palazzo Lounge, широкие штаны для йоги: обои — ✓ БЕСПЛАТНАЯ ДОСТАВКА при подходящих покупках.Свяжитесь с нами по электронной почте Amazon, чтобы договориться об этом. Продлите свои футбольные тренировки до предела, не гоняясь за мячом, БЕСПЛАТНАЯ доставка Super Saver доступна, если вы заказываете товары для доставки в Великобританию или соответствующие международные пункты назначения. Мы разработали наше руководство, чтобы быть чрезвычайно удобным для пользователя. во время празднования или другого особого события знак Eco Parking безопасен для окружающей среды и подлежит вторичной переработке. PHILIPS ECG 5404 NPN TRANSISTOR NIB , Простые изображения животных, такие как простой черный слон. Складная опора и сверхлегкий вес: портативное хранение и удобство переноски.

вторник:
с 8:00 до 20:00
_{(обед / ужин)}

среда:
с 8:00 до 20:00
_{(обед / ужин)}

четверг:
с 8:00 до 20:00
_{(обед / ужин)}

пятница:
с 8:00 до 20:00
_{(обед / ужин)}

суббота:
с 8:00 до 20:00
_{(завтрак / обед / ужин)}

воскресенье:
с 8:00 до 20:00
_{(завтрак / обед / ужин)}

PHILIPS ECG 5404 NPN ТРАНЗИСТОР NIB
NIB PHILIPS ECG 5404 NPN TRANSISTOR, Бесплатная доставка для многих продуктов, Найдите много отличных новых и подержанных опций и получите лучшие предложения на PHILIPS ECG 5404 NPN TRANSISTOR NIB по лучшим онлайн-ценам в Официальном интернет-магазине, Бесплатная доставка, Удачных покупок , Магазин одежды, красоты, обуви, товаров для дома и др.ТРАНЗИСТОРНЫЙ NIB PHILIPS ECG 5404 NPN, PHILIPS ECG 5404 NPN ТРАНЗИСТОРНЫЙ NIB.
RPR-220 ROHM | Дистрибьютор Rutronik24
Дом
Оптические датчики
Оптические датчики ROHM
ОТРАЖАТЕЛЬНЫЙ ДАТЧИК / BURKERT
Поставщик: Код соответствия ROHM
: РПР-220
Рутроник No.: ICINOS4526
Единичная упаковка: 500
MOQ: 500
упаковка: THT
Упаковка: REEL
Я (ФШМ)
50 мА
Верх (макс.)
85 ° С
В (П)
5 В
В (генеральный директор)
30 В
I (С)
30 мА
Верх (мин.)
-25 ° С
Крепление
THT
Автомобильная промышленность
НЕТ
Пакет
THT
Leadfree Defin.
10
Упаковка
Катушка
Таможенный тариф №
854140
Страна
Китай
Код ABC
B
Поставщик Срок выполнения
16 недель
С товарами в вашей корзине вы можете отправить нам заказ или, если у вас возникнут дополнительные вопросы, запрос, не имеющий обязательной силы.
Компания Huawei, работающая над технологией полупроводников и графеновых полевых транзисторов, раскрывает новый патент
Ранее Huawei опубликовала патентную стену на официальном сайте компании. Он выдал 729 патентов, которые зарезервированы для различных устройств, включая 5G, Wi-Fi, системные операционные системы, камеры, умные автомобили и технологии будущего.
Тем не менее, компания постоянно добавляет новые патенты на различные устройства и технологии. 30 марта Huawei обнародовала новый патент на графеновый полевой транзистор под номером CN110323266B в Китае.
Патентный документ описывает, что графеновые полевые транзисторы относятся к полукруглым технологиям. Это поможет снизить выходное сопротивление устройства, чтобы увеличить коэффициент переключения для лучшей радиочастоты.
Присоединяйтесь к нам в Telegram
Графеновый полевой транзистор состоял из трех выводов или электродов:
Первичный и вторичный электроды затвора, которые действуют как контроллер
Слой диэлектрика первого и второго затвора
Источник или канальный слой и электроды стока
Кроме того, компоненты слоя источника включают в себя многослойный графен, уложенный в пакет AB, или многослойный графен, уложенный в пакет AB, а затем первичный и вторичный электроды затвора, размещенные на противоположной боковой поверхности этого слоя.
Первый электрод затвора имеет множество для регулировки направления первых вспомогательных электродов и первых соединительных вспомогательных электродов, а также для увеличения направления первых вспомогательных электродов. Первый и второй подэлектроды используются перпендикулярно электрическому полю на уровне канала.
Расстояние между электродом истока и электродом стока превышает выступы первого соединительного подэлектрода, и уровень каналов на подложке не перекрывается.
Следует упомянуть, что полупроводники используются в производстве различных видов электронных устройств, включая диоды, транзисторы и интегральные схемы. Такие устройства нашли широкое применение благодаря своей компактности, надежности, энергоэффективности и невысокой стоимости.
Помимо этого, Huawei недавно зарегистрировала новую торговую марку Car key, которая может предоставить новые функции для умных автомобилей. В то же время компания опубликовала новый патент на метод навигации.Это нововведение поможет найти места для парковки автомобилей.
// HC
Оптические датчики
DtSheet
Загрузить
Оптические датчики
Открыть как PDF
Похожие страницы
Оптические датчики
TAOS TSL261R
ETC h21D1S-TA
ETC LTV-815S-TA1
ETC LTV-851S-TA1
LITEON LTV847
LITEON LTV-849S
Светодиоды — Rohm
ROHM SIM
OKI MSM85C154HVS
ROHM RPR-220UC30N
ROHM RPM
ROHM RPR-220PC30N
ROHM RPR-220PC30N_10
ROHM SIR-341ST3F
ШИНДЭНГЕН СТ50В-27Ф
ROHM RPT-38PB3F_10
ROHM SIM-012SB_10
CCO-030 — Crystek
ИК-светодиоды и оптические датчики
сэр 56st3f
2SB1132 (СОТ 89)
dtsheet © 2021 г.
О нас DMCA / GDPR Злоупотребление здесь
Эксперимент по вводу сенсора с использованием Raspberry Pi
Эта статья была переведена на английский язык и изначально была опубликована для deviceplus.jp.
Эта серия статей будет посвящена изучению принципов и основ создания электронных комплектов с помощью простых поделок, сделанных с помощью Raspberry Pi. Сегодня нас будет учить г-жа Наоми Ито, автор серии книг, объясняющих «глубокие механизмы» в области медиаискусства. В этой статье мы погрузимся в эксперименты с сенсорным вводом.
[Содержание]
1. Введение
2. Механизм поворота двигателя
3. О датчике
4. Подключите фототранзистор к GPIO
5.Подключите Фототранзистор к GPIO
6. Вывод
1. Введение
В наши дни мир меняется стремительными темпами каждый день, и есть много людей, которые не успевают за ним — не обязательно потому, что они не заинтересованы в новых вещах, а, скорее, достаточно утомительно пытаться наверстать упущенное. со всем новым. Вот почему сегодня я думаю о работе над множеством разных вещей, сосредотачиваясь на том, что я считаю интересным, при этом систематизируя свои мысли и то, что нужно сделать.
2. Механизм поворота двигателя
В прошлый раз использовал двигатель постоянного тока. У меня большой опыт работы с моделями автомобилей, пластиковыми моделями и радиоуправляемыми моделями. Когда я думаю об этом, двигатель постоянного тока является своего рода представителем преобразования энергии, которое преобразует электрическую энергию в кинетическую. Простая схема механизма выглядит так внутри.
Конечно, основной принцип заключается в том, что магнитное поле, создаваемое потоком электричества, влияет на магнитное поле постоянного магнита (ферритовые магниты) и создает физическую силу = кинетическую энергию.Если вам интересно, что это за механизм, это, конечно, правило левой руки Флеминга. Возможно, вы слышали об этом раньше?
О правиле Флеминга для левой руки
Во-первых, вы должны знать, что у закона Флеминга есть правая и левая рука. Большой, указательный и средний пальцы имеют форму перпендикулярно трехмерной оси XYZ. Большой палец находится в направлении силы, указательный палец — в направлении магнитного поля, а средний палец — в направлении, где течет электричество.
Если вы посмотрите на свою правую и левую руки перед собой, вы увидите, что это прямое отражение. Согните эту руку и один раз потяните ее перед грудью, затем вытолкните ее, вытягивая локоть в направлении 45 °, и громко скажите: «Ага!» Проблема в форме левой и правой руки. Одна рука — это двигатель, а другая действует как электрический генератор. Вы случайно не помните, что есть что?
Один действует как двигатель, который генерирует движение за счет протекания электричества, а другой действует как генератор, создавая электричество посредством движения.Для правшей легко помнить, что ваша правая рука постоянно находится в движении — это будет ваш «генератор», а левая рука будет вашим «двигателем». В любом случае, давайте перейдем к основному шоу и попробуем использовать датчик на Raspberry Pi.
3. О датчике
Просто подумав о датчиках, вы представите деталь или устройство, которое с помощью электроники определяет определенные условия. Какие там условия? Есть такие вещи, как свет, звук, температура, влажность, наклон и другие факторы, с которыми вы знакомы в повседневной жизни.В частности, сигнализация, такая как пожарная сигнализация, оснащена механизмами предупреждения, которые срабатывают при изменении температуры и дыме. Кстати, на цифровых фотоаппаратах есть датчики света. Датчики настолько продвинулись, что ИИ может даже анализировать изображения и распознавать твердые объекты.
Представьте, что вы находитесь на улице и слышите, как кто-то зовет вас, и думаете: «Кто этот человек снова?» Если бы только наш мозг мог подключиться к ИИ.
В любом случае, существуют различные устройства и механизмы деталей, которые можно использовать в электронной работе, а также вещи, которые могут быть подключены к микрокомпьютерам, такие как детали расширения, и могут получать данные в том виде, в каком они есть.Здесь мы вернемся к основам, используя датчик освещенности, называемый фототранзистором. Раньше датчики света назывались ячейками CdS, что означает, что механизм снижает значение сопротивления при получении света. Как следует из названия, потому что в нем используется сульфид кадмия, и он исчезает, потому что не является физически значимым.
NJL7502L Фототранзистор (слева), ячейка 2 CDS (справа)
Итак, этот фототранзистор состоит из полупроводников и имеет ту же структуру, что и базовый биполярный транзистор.Единственное отличие в том, что вход легкий.
Графический символ
Глядя на графический символ, он выглядит как транзистор типа NPN, но здесь нет вывода B (база). Вместо этого есть стрелка. Поскольку эта стрелка представляет свет, входом в B (основание) является не электрический ток, а входящее световое излучение. Другими словами, сильный и слабый свет выводится между C (коллектор) и E (излучатель). В зависимости от освещения эта функция будет усиливаться или переключаться.
Подключите фототранзистор к GPIO
Давайте попробуем подключить фототранзистор к GPIO на Raspberry Pi. Используемым языком будет Scratch, тогда как значения датчика будут такими же с переключателем на 1 и 0.
Это слишком просто, поэтому вы можете беспокоиться о том, как это работает, но давайте попробуем.
Когда свет не попадает на фототранзистор, так как вход установлен на Pullup, переключатель находится в положении ON. Другими словами, условие станет 1.При попадании света вход становится отрицательным из-за фототранзистора, поэтому переключение отключается, и значение становится равным 0, и наоборот.
Объявите GPIO, установите для входа GPIO значение Pullup и позвольте кошке сообщить полученное число. Вы можете увидеть, что он станет 1 или 0, если прикрыть сенсор рукой и заблокировать место попадания света. Здесь использовался датчик освещенности, но есть множество других способов поиграть с этим. Например, если вы используете термистор датчика температуры, вы можете включить двигатель, который будет посылать ветер при повышении температуры, и его можно объединить с датчиком влажности для подачи сигнала тревоги о тепловом ударе.Вход GPIO довольно удобный!
Датчик, обнаруживающий объекты по свету
Во многих случаях только фототранзистор может влиять на окружающий свет. Конечно, в темноте это бесполезно. Поэтому было бы эффективно комбинировать светодиоды для излучения света и использовать их в паре с источниками света. В этой паре есть несколько типов элементов, при этом различаются также структура и метод обнаружения.
Фотопрерыватели устанавливаются по прямой линии в виде светодиода, непосредственно вводимого в фототранзистор.Некоторые объекты проходят между ними, и затем объект обнаруживается, когда он блокирует свет. Поскольку такие устройства часто встречаются на заводских линиях и в принтерах, есть вероятность, что вы не увидите их лично.
Фотоотражатель устанавливается в том же направлении, что и светодиод и фототранзистор. Всякий раз, когда объект проходит, он обнаруживает отражение света. Датчики, которые обычно используются, помимо прочего, предназначены для автоматической очистки общественных туалетов.
Фотоэлементы — это пара светодиода и фототранзисторов, которые не обнаруживают объекты между ними, а скорее передают сигналы с помощью света.Из-за этого это не датчик, но мы можем рассматривать его так же, как при использовании источника света и светоприемного компонента. Передавая сигналы без электрического соединения, он используется для обеспечения безопасности цепей и передачи сигналов в цепи с различными электрическими характеристиками.
Подключите фототранзистор к GPIO
Сегодня мы будем использовать фотоотражатель Rohm RPR-220. Поскольку этот фотоотражатель представляет собой комбинацию светодиода и транзистора, давайте рассмотрим каждую характеристику.
РПР-220
Во-первых, поскольку светодиодная часть составляет 1,34 В 50 мА, а ток коллектора фототранзисторной части составляет 300 мА, источник питания светодиода использует клемму источника питания Raspai 3,3 В, а к светодиодной части подключен ограничивающий резистор 51 Ом. Поскольку этот светодиод имеет инфракрасный свет, вы не можете увидеть его глазами, но если вы посмотрите на него с помощью цифровой камеры, вы увидите, что он ярко светится.
Деталь фототранзистора будет такой же, как и предыдущая.При этом он будет работать как датчик. В настоящее время мы позволяем светодиоду загораться самостоятельно. Конечно, вы также можете использовать его, как и предыдущий мотор.
Вот так он будет выглядеть при сборке на макетной плате.
Вот как будет выглядеть Скретч.
Теперь, когда что-то ставится перед датчиком, загорается светодиод.
Ой! Сейчас он движется!
Фотоотражатель имеет конструкцию, в которой светоизлучающая часть и светопринимающая часть устанавливаются отдельно в корпусе.Поскольку свет отражается, если объект соприкасается с самой упаковкой, отраженный свет не может быть прочитан блоком приема света. Шесть миллиметров от упаковки кажутся подходящими для РПР-220. Например, было бы неплохо предположить, что что-то помещается через стекло или акрил.
4. Заключение
На этот раз мы поэкспериментировали с входами датчиков, а это означает, что теперь мы лучше понимаем, как обращаться с датчиками с помощью их простых механизмов.Однако я не могу удовлетвориться одним только этим. Я хотел бы показать, на что я способен, применяя его, какие интересные вещи я могу сделать с его помощью, и реальные детали, которые можно сделать с их помощью. В следующий раз мы применим все механизмы, которые мы изучили к настоящему моменту, и рассмотрим методы и процессы построения объекта.
Важно экспериментировать и доказывать принципы и механизмы, но я хотел бы расширить это, подумав больше о том, что возможно, пока я продолжаю творить.
CEL-FI RPR-CF-00121 CEL-FI GO TELSTRA BUILDING PK INC LPDA & DOME & CABLES — Радиодетали
{tab Features} Купить сейчас — Зарегистрируйтесь позже: Новый способ регистрации!
Cel-Fi теперь имеет приложение для регистрации во время установки! См. Вкладку «Как зарегистрироваться» для получения дополнительной информации.
Cel-Fi GO Repeater был протестирован, авторизован и одобрен Telstra для использования в мобильной сети Telstra
Cel-Fi GO для Telstra Smart Repeater — идеальный продукт для усиления и распространения мобильного сигнала 3G / 4G внутри здания.
Поддержка голосовой связи и мобильного Интернета для нескольких мобильных устройств, увеличение покрытия мобильной связи в помещении никогда не было таким приятным.
В КОМПЛЕКТ входят:
— Стационарная модель Cel-Fi GO
— «Антенна Blackhawk LPDA» или «Всенаправленная антенна Blackhawk», кабель LMR240 10 м
— Внутренняя купольная антенна Blackhawk с кабелем RG58 6 м
— Источник питания 24011 В,
ХАРАКТЕРИСТИКИ
— Разработан для создания приложений
— Системное усиление 100 дБ
— Включает внешнюю и внутреннюю антенны
— Привязано к мобильной сети Telstra
— Одобрено оператором связи
— Кнопка выбора диапазона
— Приложение Bluetooth WAVE для iPhone, Android и компьютеров
ПОДДЕРЖИВАЕМЫЕ СЕТИ
Telstra, Aldi Mobile, Boost Mobile, Woolworths Connect
ПЕРЕД ДОБАВЛЕНИЕМ В КОРЗИНУ
Перед покупкой необходимо сначала заполнить заявку
Важно Cel-Fi GO будет увеличивать только одну полосу за раз (3G 850, 4G 700 или 4G 1800).
Настоятельно рекомендуется оставить GO в режиме 3G, чтобы обеспечить прием голосовых вызовов.
Voice on 4G (VoLTE) будет работать только в определенных регионах и с более поздними моделями телефонов.
НАСТРОЙКА CEL-FI
ПРИМЕЧАНИЕ. Эта установка показывает внутреннюю антенну для настенного монтажа, этот комплект поставляется с КУПОЛЬНОЙ антенной
{tab Как зарегистрироваться}
Теперь клиенты Telstra GO и PRO могут зарегистрируйтесь с помощью приложения для смартфона Cel-Fi WAVE.
Что это значит для вас?
Клиентам больше не требуется выполнять онлайн-регистрацию на веб-сайте Cel-Fi, однако, когда они получат Cel-Fi, для активации потребуется регистрация с помощью приложения WAVE.
Зачем нужна регистрация в приложении?
Устраняет необходимость заполнять регистрационную форму каждый раз, когда вы заказываете
. Операторы также должны будут помочь в более точном определении местоположения Cel-Fi в их сети.
Поможет в поддержке клиентов, предоставив техподдержке возможность просматривать дополнительную информацию о Cel-Fi через портал приложения WAVE.
Как вы, покупатель, активируете установку?
Загрузите приложение WAVE из магазина Apple или Android
Запустите приложение рядом с Cel-Fi, и оно подключится через Bluetooth
Для GO: включите GO и подключитесь с помощью приложения WAVE, чтобы зарегистрировать
Для PRO : Включите сеть и устройство покрытия и установите связь между ящиками.Затем подключитесь с помощью приложения WAVE для регистрации
После подключения появится всплывающая форма регистрации для заполнения. Обратите внимание, что эта форма намного короче исходной веб-формы
Заполните и отправьте форму
Теперь модуль будет активен в течение 30 секунд
ВАЖНО: для запуска приложения WAVE требуется доступ в Интернет
Прочитать подробнее о приложении Cel-Fi Wave на веб-сайте Cel-Fi.
By alexxlab
Добавить комментарий Отменить ответ
Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *
Комментарий *
Имя *
Email *
Сайт

Найти:
Рубрики
Виды
Генератор
Конденсатор
Подключение
Проводка
Своими руками
Схемы
Электродвигатель
Разное
2025 © Все права защищены.

Биполярный транзистор -устройство, принцип работы, технические характеристики, схемы включения, область применения. Сравнение с лампой.

Биполярный транзистор

Сравнение с электронной лампой

Транзисторы

Добавить комментарий

Импортные и отечественные мощные биполярные транзисторы.

Транзисторы — ПСК Монолит

Самые популярные материалы

Двухтактный усилитель на комплементарных транзисторах

Электроника Двухтактный усилитель на комплементарных транзисторах

Читайте также

Конспект урока «Транзисторы»

Разработка усилителя низкой частоты, страница 3

RPR-220PC30N — ROHM | X-ON

74 Optek TT Electronics Оптические переключатели, отражающие, датчик отражения с выходом фототранзистора

PHILIPS ECG 5404 NPN TRANSISTOR NIB Transistors Business & Industrial roadislanddiner.com

PHILIPS ECG 5404 NPN ТРАНЗИСТОР NIB

PHILIPS ECG 5404 NPN ТРАНЗИСТОР NIB

PHILIPS ECG 5404 NPN ТРАНЗИСТОР NIB

PHILIPS ECG 5404 NPN ТРАНЗИСТОР NIB

RPR-220 ROHM | Дистрибьютор Rutronik24

Компания Huawei, работающая над технологией полупроводников и графеновых полевых транзисторов, раскрывает новый патент

Присоединяйтесь к нам в Telegram

Оптические датчики

Оптические датчики

Эксперимент по вводу сенсора с использованием Raspberry Pi

[Содержание]

1. Введение

2. Механизм поворота двигателя

3. О датчике

Подключите фототранзистор к GPIO

Датчик, обнаруживающий объекты по свету

Подключите фототранзистор к GPIO

4. Заключение

CEL-FI RPR-CF-00121 CEL-FI GO TELSTRA BUILDING PK INC LPDA & DOME & CABLES — Радиодетали

НАСТРОЙКА CEL-FI

Добавить комментарий Отменить ответ