Транзистор y1 параметры – Marking of electronic components, SMD Codes H1, H1**, H1***, H1-, H1-***, H11, H14, H15, H15B**, H15D**, H16B**, H16D**, H17B**, H17D**, H18B**, H18D**, H19B**, H19D**, H1A, H1A**, H1B**, H1C**, H1D**, H1E**, H1F**, H1G**, H1H**, H1J**, H1K**, H1L**, H1M**, H1N**, H1O, H1P**, H1Q**, H1R, H1R**, H1S**, H1T**, H1U**, H1V**, H1W, H1W**, H1X**, H1Y, H1Y**, H1Z**, H1p, H1t. Datasheets APE9101AN-HF-3, AX8101, BCW69, BR3DG3904M, BZX585-C6V2, EMH1, EMH11, EMH15, IMH11A, IMH14A, IMH15A, IMH1A, KSC2755, MMBT3904, MMSZ5241, PZU2.7B2, R1162D151B, R1162D151D, R1162D161B, R1162D161D, R1162D171B, R1162D171D, R1162D181B, R1162D181D, R1162D191B, R1162D191D, RP130N121B, RP130N131B, RP130N141B, RP130N151B, RP130N161B, RP130N171B, RP130N181B, RP130N181B5, RP130N191B, RP130N201B, RP130N211B, RP130N221B, RP130N231B, RP130N241B, RP130N251B, RP130N261B, RP130N271B, RP130N281B, RP130N281B5, RP130N291B, RP130N301B, RP130N311B, RP130N321B, RP130N331B, RT9170-33PV, SST4416, TC1189-TECT, UMH11N, UMH14N, UMH1N.

Содержание

smd-код y1

Подробная информация о производителях — в GUIDE’е, о типах корпусов — здесь
код наименование функция корпус производитель примечания
Y1 BZX84-C11 стабилитрон 11В, 250мВт sot23 Fairchild, Taiwan Semi, Diodes  
Y1 SS8050/W npn: 25В/1,5А sot23/323 Galaxy Semi  
Y1## R1210N512C повышающий dc-dc: 5,1В 100кГц +LTD sot23-5 Ricoh ## — lot-код
Y10 BZX84-C27 стабилитрон 27В, 250мВт sot23 Taiwan Semi, NXP  
Y11 BZX84-C30 стабилитрон 30В, 250мВт sot23 Taiwan Semi, NXP  
Y12 BZX84-C33 стабилитрон 33В, 250мВт sot23 Taiwan Semi, NXP  
Y13 BZX84-C36 стабилитрон 36В, 250мВт sot23 Taiwan Semi, NXP  
Y14 BZX84-C39 стабилитрон 39В, 250мВт sot23 Taiwan Semi, NXP  
Y15 BZX84-C43 стабилитрон 43В, 250мВт sot23 Taiwan Semi, NXP  
Y16 BZX84-C47 стабилитрон 47В, 250мВт sot23 Taiwan Semi, NXP  
Y1766 2SC1766 npn: 50В/2А h31=180…390 sot89 Galaxy Semi  
Y17 BZX84-C51 стабилитрон 51В, 250мВт sot23 Taiwan Semi, NXP  
Y18 BZX84-C56 стабилитрон 56В, 250мВт sot23 NXP  
Y19 BZX84-C62 стабилитрон 62В, 250мВт sot23 NXP  
Y1p BZX84-C11 стабилитрон 11В, 250мВт sot23 NXP @Hong Kong
Y1t BZX84-C11 стабилитрон 11В, 250мВт sot23 NXP @Malaysia
Y1W BZX84-C11 стабилитрон 11В, 250мВт sot23 NXP @China

Основные параметры транзистора | Практическая электроника

Основные параметры биполярного транзистора описаны в любом даташите. Для того, чтобы понять характеристики транзистора, надо научиться читать его основные параметры. Не зная этих параметров, можно накосячить при конструировании своих радиоэлектронных безделушек. Погнали!

Виды транзисторов

Из первой ст атьи про биполярный транзистор, мы помним, что его производят из двух веществ – это германий и кремний. Следовательно, по материалу, из которых их производят, все биполярные транзисторы делятся на кремниевые и германиевые. Почему же идет такая классификация? Как вы помните из предыдущих статей, для того, чтобы транзистор “открылся” на германиевый транзистор надо подать 0,2-0,3 Вольта, а на кремниевый 0,6-0,7 Вольт. Кремниевый транзистор выдерживает температуру эксплуатации до 150 градусов по Цельсию, тогда как германиевый только до 70 градусов. Обратный коллекторный ток у кремниевого транзистора намного меньше, чем у германиевого, что кстати, тоже немаловажный параметр.

Проводимость транзистора

Проводимость NPN или PNP. С этим, думаю, уже все понятно

Коэффициент усиления по току

Коэффициент усиления по  току в схеме с Общим Эмиттером (ОЭ)

Основные параметры транзистора

Обратный коллекторный ток

Обратный коллекторный ток  IКБО (ICBO)

Обозначения и индексы

Откуда вообще берутся эти обозначения индексов? Снизу синим маркером я пометил эти индексы:

Основные параметры транзистора

Оказывается, все до боли просто.

Первая буква индекса – первый вывод транзистора, вторая буква – второй вывод транзистора, ну а третья буква обозначает оставшийся вывод и его условие, при котором производится этот замер. Самая распространенная третья буква – это “О”. Но скорее всего это даже и не буква, а цифра “ноль”. Она говорит о том, что на третьем выводе напряжение равняется нулю. Это достигается тем, что оставшийся третий вывод никуда не подключен и висит в воздухе.

Например, IКБО говорит нам о том, что это ток (сила тока), между коллектором и базой, при условии, что напряжение на эмиттере равняется нулю. То есть эмиттер отключен.

Есть также более интересные условия, но они встречаются редко. Например, буква “К” от слова “короткий” (в англ.варианте “Shot”). Такой параметр как

UКЭК говорит нам о том, что это напряжение между коллектором и эмиттером, при условии, что база и эмиттер замкнуты накоротко, или детским языком, база  с эмиттером соединены проводочком. Здесь последняя буква говорит нам об оставшемся выводе и условии, которое происходит между этим выводом и буковкой-выводом которая рядом.

Также иногда встречается буква “R”, которая обозначает, как ни странно, сопротивление. Например UКЭR говорит о том, что это напряжение между коллектором и эмиттером при условии что база и эмиттер соединены сопротивлением. И рядышком в справочнике приводится номинал этого сопротивления.

Также часто встречается вместо третьей буквы индекса обозначение “нас” или на буржуйский манер “sat”. “Нас” – кратко от “насыщение”, то же самое и “”sat” – saturation  в переводе на русский  – насыщение. Например, UКЭ нас (VCEsat) – это напряжение насыщения коллектор-эмиттер.

И еще один нюанс… порядок индексов совпадает с положительным направлением тока. Что это значит? Например, UКЭ напряжение между коллектором и эмиттером. Значит ток движется от коллектора к эмиттеру. Но если мы поменяем индексы вот так UЭК у нас это будет уже обозначать, что электрический ток движется от эмиттера к коллектору. Справедливы также следующие выражения:

UКЭ= – UЭК и так далее.

Максимальное допустимое обратное напряжение между коллектором и базой

Максимальное допустимое обратное напряжение между коллектором и базой UКБ макс (VCBO – это максимальное обратное напряжение, которое может выдержать коллекторный P-N переход при открытом эмиттере (эмиттер ни с чем не связан и его ножка болтается в воздухе, короче говоря, на эмиттере ноль)

Для NPN транзистора это будет выглядеть так:

Основные параметры транзистора

Для NPN транзистора этот параметр показан с плюсом. Оно и понятно, индексы  идут как “КБ”, что означает коллектор “плюсовый” а база “минусовая”.

Вот, например, этот параметр для транзистора BC337 структуры NPN:

Основные параметры транзистора

Как вы видите, параметр VCBO показан с плюсом.

Чтобы не мудрить с индексами, для PNP транзистора ставят просто тупо минус перед циферками в даташите, которое говорит нам о том, что напряжение подаем в обратной полярности. В некоторых даташитах знак “минус” не указан, но все равно имейте ввиду, что это обратное напряжение на P-N переходе.

Например как в этом даташите на транзистор S8550 PNP структуры. Видите перед цифрой “30” знак минус? Если бы мы поменяли индексы, то получили бы, что VBCO =30 Вольт. Знак “минус” тогда бы исчез, но в то же время у нас индексы поменялись (я их даже выделил жирным шрифтом).

Основные параметры транзистора

То есть тут мы видим, что это напряжение тоже обратное.

Основные параметры транзистора

Максимальное допустимое значение напряжения между эмиттером и базой

Максимальное допустимое напряжение между эмиттером и базой UЭБ макс (VЕВО)  – это напряжение, которое может выдержать эмиттерный P-N переход, если приложить напряжение в обратном направлении, при условии, что коллектор у нас никуда не цепляется. Похожий параметр, но только  уже для эмиттерного перехода.

Для NPN транзистора это выглядит вот так и напряжение в даташите указывается с плюсом:

Основные параметры транзистора

Основные параметры транзистора

А для PNP как-то так:

Основные параметры транзистора

Для PNP этот параметр также идет с минусом, чтобы не переставлять индексы:

Основные параметры транзистора

Максимальное допустимое напряжение между коллектором и эмиттером

Максимальное допустимое напряжение между коллектором и эмиттером UКЭ макс (UКЭО). Максимальное напряжение между коллектором и эмиттером по направлению стрелочки эмиттера , при условии что база  никуда не цепляется. Для PNP транзистора этот параметр также идет с минусом.

Основные параметры транзистора

Максимальная рассеиваемая мощность

Максимальная мощность, рассеиваемая на коллекторе PK макс (P

C max). Это максимальная мощность, которую транзистор может рассеять на себе в окружающее пространство.

Например, для транзистора S8550 это значение равняется 1 Ватту.

Основные параметры транзистора

Чтобы его не превысить, нужно рассчитать какую мощность будет рассеивать ваш транзистор по формуле:

P=UK x IK

где

P – это мощность, которая рассеивается на транзисторе

U– напряжение на коллекторе относительно минуса

I– ток коллектора

Рассеивание мощности транзистором означает, что на нем будет выделяться тепло, которое рассеивается в окружающее пространство. Поэтому, чтобы отвести это тепло от транзистора, применяют радиаторы:

Основные параметры транзистора

Особенно это касается мощных транзисторов, через которые текут большие токи и напряжения. Как я уже говорил, для кремниевых транзисторов критическая температура нагрева это 150 градусов по Цельсию, для германиевых 70. Так что следите за температурой, если не хотите получить в результате уголек с дымом. Иными словами если Р превысит PК макс, то вашему транзистору придет жопа.

Максимальный допустимый коллекторный ток

Максимально допустимый коллекторный ток IK макс (Ic max). Превышение этого номинала приводит к пробою переходов, выгоранию тонких токоведущих проводов, которые соединяют ножку транзистора с кристаллом полупроводника. Ну и чем больше ток, тем разумеется и больше мощность, выделяемая транзистором, значит  будет больше нагрев.

Граничная частота передачи тока

Граничная частота передачи тока fгр .  Это частота, на которой коэффициент β (коэффициент усиления по току) становится равным единице. Так что отсюда вывод, что не каждый транзистор будет усиливать высокочастотные колебания. Поэтому в радиоприемной и радиопередающей аппаратуре используются транзисторы с высокой граничной частотой.

Различных других параметров транзистора туева куча. Здесь же я привел те параметры, на которые следует обращать внимание при проектировании своих электронных безделушек. Некоторые параметры в одной книге обозначают так, в другой эдак, в третьей совсем по-другому. Не могу сказать, что мои названия и обозначение параметров образцовые, но все-таки старался обозначить как в большинстве учебной литературы, чтобы было понятно каждому начинающему электронщику.

Продолжение——>

<——-Предыдущая статья

Все транзисторы. Даташиты. Описания. Основные характеристики. Справочник транзисторов

 

В справочнике приведены описания, характеристики и даташиты более 100 000 транзисторов

BJT. TOP50: 2N2222 — 2N3055 — BC547 — 2N3904 — 2N2222A — BC107 — C945 — BC548 — BD139 — 8050 — S8050 — BC557 — BC337 — TIP31 — D882 — AC128 — BC108 — S9014 — C1815 — BD140 — 2N3906 — S8550 — 8550 — 2SC945 — 2SC5200 — BC547B — 2N5551 — MJE13003 — 9014 — BC549 — BC148 — TIP122 — 9013 — 2N2907 — BC558 — BC327 — C102 — A733 — 2SC1815 — 2N60C — 2N222 — 2N4401 — BC109 — BD135 — S9013 — BC546 — A1015 — 9012 — 431 — 2N3773 —

MOSFET. TOP30: IRF3205 — IRFZ44N — IRF740 — IRF540 — IRF840 — BS170 — IRFZ44 — IRF640 — IRF540N — 2N7000 — IRF630 — IRFP460 — IRFZ46N — IRF530 — IRF1404 — IRF3710 — IRFZ34N — IRFP250 — BUZ11 — RFP50N06 — IRF520 — IRFP450 — IRFB3306 — IRF510 — IRF830 — 2N5484 — IRF730 — IRF150 — STF5N52U — IRF2807 —

IGBT. TOP15: IRGP4086 — CT60AM-18F — FGPF4633 — G40N60B3 — IRG7IC28U — G20N60B3D — IXGR40N60C2D1 — G7N60C3D — RJP30h2DPD — IKW50N60h4 — 10N40F1D — GT60M303 — FGh50N60SFD — IRG4BC30W-S — IRG4PC50UD —
 

 

BUY TRANSISTORS

 

Подбор биполярного транзистора по параметрам. Поиск аналогов

Material =

Struct =

Pc > W

Ucb > V

Uce > V

Ueb > V

Ic > A

Tj > C

Ft > MHz

Cc pF

Hfe >

Caps =

R1 = kOhm

R2 = kOhm

R1/R2 =

Пустые или нулевые поля игнорируются при поиске

Как подобрать замену для биполярного транзистора 🔗

Сейчас в справочнике описаны 119271 транзисторов.

 

 
Back to Top

 

h-параметры и особенности включений биполярного транзистора

Транзисторы относятся  к сложным электронным приборам. Для их исследования, а также для расчёта электронных схем, где применяют транзисторы, разработана особая методика.

В этой методике транзистор рассматривают как «чёрный ящик», не обращая внимания на его внутреннюю структуру, с двумя входными и двумя выходными зажимами, то есть как четырёхполюсник. Транзистор способен усиливать по мощности подводимые к нему сигналы, поэтому он относится к группе активных четырёхполюсников, для эквивалентных схем которых характерно наличие генераторов тока или напряжения.

Ниже,на рисунке 1, изображены теоретически рассматриваемые варианты включений биполярного транзистора.

Схемы включения биполярных транзисторов с общим эмиттером, общим коллектором и общей базойРисунок 1

На приведенных выше схемах включений изображено по четыре клеммы (две входных и две выходных), то есть можно сказать что каждая из них представляет собой четырёхполюсник.

При работе на малых сигналах транзистор рассматривают как линейный активный четырёхполюсник который может быть охарактеризован при помощи z, y или h – параметров. Малым сигналом считают, если при увеличении его амплитуды на 50% измеряемый параметр (z,y или h) изменяется на малую величину согласно заданной степени точности. Обычно это изменение не должно превышать 10%. Между z, y или h – параметрами есть связи, которые описываются специальными формулами перехода, в соответствующей справочной литературе. Поскольку h-параметры получили наибольшее распостранение на них и акцентируем наше внимание.

Эквивалентная схема биполярного транзистора с применением h-параметров приведена ниже, на рисунке 2.

Эквивалентная схема h-параметров биполярного транзистораРисунок 2

Принимая для этой схемы, что независимыми переменными являются входной ток Im1  и выходное напряжение Um2 , а зависимыми переменными входное напряжение Um1 и выходной ток Im2  можно составить систему уравнений (1), задействуя  h-параметры:

Система уравнений для биполярного транзистора

где:

                                h11 = Um1/Im1, при Um2 = 0, входное сопротивление;

                            h12 = Um1/Um2, при Im1 = 0, коэффициент обратной связи по напряжению;

                            h21 = Im2/Im1, при Um2 = 0, коэффициент передачи тока;

                            h22 = Im2/Um2, при Im1 = 0, выходная проводимость.

Входное сопротивление, h11 — сопротивление транзистора входному переменному току при коротком замыкании на выходе. Изменение входного тока является результатом изменения входного напряжения, без влияния обратной связи от выходного напряжения.

Коэффициент обратной связи по напряжению, h12 – безразмерная величина, показывающая какая доля выходного переменного напряжения передаётся на вход транзистора вследствие обратной связи в нём. Во входной цепи транзистора нет переменного тока (холостой ход), и изменение напряжения на входе происходит только в результате изменения выходного напряжения.

Коэффициент передачи тока (коэффициент усиления по току), h21 — безразмерная величина, показывающая усиление переменного тока при нулевом сопротивлении нагрузки. Выходной ток зависит только от входного тока без влияния выходного напряжения.

Выходная проводимость, h22 — внутренняя проводимость для переменного тока между выходными зажимами. Выходной ток изменяется под влиянием выходного напряжения.

При обозначении h – параметров, внизу, в зависимости от схемы включения, к цифровым индексам добавляется буква. Для схемы с общим эмиттером это h11Э, h12Э,h21Э,h22Э ; для схемы с общим коллектором — h11К, h12К,h21К,h22К  ; для схемы с общей базой это h11б, h12б,h21б,h22б .

Особенности при различных схемах включения

Разработчики успешно создают радиоэлектронные схемы, используя в своих сложных расчётах и опытах различные комбинации из схем включения транзистора.

На рисунке 3, приведенном ниже, показаны применяемые на практике основные схемы включений.

Схемы включения биполярных транзисторов с общим эмиттером, общим коллектором и общей базой реальное применениеРисунок 3

С общим эмиттером (ОЭ)

Это наиболее распостранённая схема включения, которая даёт высокое усиление как по напряжению, так и по току, а следовательно и по мощности, благодаря чему она имеет преимущества перед схемами с ОК и ОБ. Схема имеет невысокое (порядка сотен Ом) входное сопротивление, но это всё же позволяет применять в ней переходные конденсаторы относительно небольшой ёмкости. Выходное сопротивление высокое, и достигает порядка десятков кОм, что можно отнести к недостаткам. Схема с ОЭ изменяет фазу сигнала на выходе по сравнению с фазой сигнала на входе на 180 градусов. Для её работы достаточно иметь всего лишь один источник питания. Применяется в усилителях низкой частоты, различных устройствах автоматики и т.п..

С общим коллектором (ОК)

Схему с общим коллектором часто называют “эмиттерным повторителем”. Она имеет высокое входное (порядка >200кОм) и низкое выходное (порядка <10кОм) сопротивления. Эта схема не даёт усиления по напряжению. Схему с общим коллектором используют во входных каскадах усилителей для согласования двух каскадов усилителя, из которых предыдущий имеет высокое выходное, а последующий, обычно выходной каскад, — малое входное сопротивление.  Схема с ОК не изменяет фазы входного сигнала. Выходное напряжение на выходе схемы с ОК (рисунок 3, общий коллектор), практически повторяет напряжение на базе транзистора, с учётом величины незначительного падения напряжения на переходе эмиттер-база, отсюда и название “эмиттерный повторитель”. Благодаря высокому усилению по току, схему с ОК применяют также и для управления токами различных устройств, например соленоидов.

С общей базой (ОБ)

Схема с ОБ имеет малое входное (порядка <100 Ом) и большое выходное (порядка до 1 Мом) сопротивления. В связи с большой разницей входного и выходного сопротивлений последовательное соединений целесообразно только при трансформаторной связи между каскадами., Усиление по току отсутствует, а усиление по мощности несколько ниже чем в схеме с ОЭ. Выходное напряжение по фазе повторяет входной сигнал. Преимуществом схемы является большая линейность характеристик и большая предельная частота усиления. Поэтому схему с ОБ наиболее часто применяют для усиления высоких частот особенно в антенных усилителях, где её параметры очень хорошо согласуются при работе с использованием так называемых «коаксиальных» несимметричных высокочастотных кабелей, волновое сопротивление которых, как правило, не превышает 100 ом.

Следует отметить, что для биполярных транзисторов характерны следующие режимы работы:

— нормальный активный режим;

— инверсный активный режим;

— режим насыщения;

— режим отсечки;

— барьерный режим.

Но, это уже отдельная и весьма ёмкая тема.

Схемы включения транзистора и их характеристики: схемы, ВАХ. формулы, подключение

рис. 1.56Рассмотрим характерные схемы включения транзистора и соответствующие характеристики.

Схема с общей базой.

Приведенная схема включения транзистора в электрическую цепь называется схемой с общей базой, так как база является общим электродом для источников напряжения. Изобразим ее с использованием условного графического обозначения транзистора (рис. 1.56).

Транзисторы традиционно характеризуют их так называемыми входными и выходными характеристиками. Для схемы с общей базой входной характеристикой называют зависимость тока iэ от напряжения и 6э при заданном напряжении uбэ, т. е. зависимость вида iэ= f (uбэ) |uкэ= const, где f — некоторая функция.

Входной характеристикой называют и график соответствующей зависимости (это справедливо и для других характеристик).

Выходной характеристикой для схемы с общей базой называют зависимость тока iк от напряжения uкб при заданном токе iэ, т. е. зависимость вида iк = f (uкб) |iэ= const, где f — некоторая функция.

Входные характеристики для схемы с общей базой.

Каждая входная характеристика в значительной степени определяется характеристикой эмиттерного перехода и поэтому аналогична характеристике диода. Изобразим входные характеристики кремниевого транзистора КТ603А (максимальный постоянный ток коллектора — 300 мА, максимальное постоянное напряжение коллектор-база — 30

B при t < 70° С) (рис. 1.57) . Сдвиг характеристик влево при увеличении напряжения uкб объясняется проявлением так называемого эффекта Эрли (эффекта модуляции толщины базы).

рис. 1.57

Указанный эффект состоит в том, что при увеличении напряжения uкб коллекторный переход расширяется (как и всякий обратно смещенный p-n-переход). Если концентрация атомов примеси в базе меньше концентрации атомов примеси в коллекторе, то расширение коллекторного перехода осуществляется в основном за счет базы. В любом случае толщина базы уменьшается. Уменьшение толщины базы и соответствующее уменьшение ее сопротивления приводит к тому, что при неизменном токе iэ напряжение uбэ уменьшается. Как было отмечено при рассмотрении диода, при малом по модулю обратном напряжении на p-n-переходе это напряжение влияет на ширину перехода больше, чем при большом напряжении. Поэтому различные входные характеристики, соответствующие различным напряжениям uкб, независимо от типа транзистора практически сливаются, если uкб > 5 В (или даже если uкб> 2 В).

Входные характеристики часто характеризуют дифференциальным сопротивлением rдиф, определяемым аналогично дифференциальному сопротивлению диода.

rдиф= (duбэ/diэ) |iэ– заданный, uкб=const

Выходные характеристики для схемы с общей базой.

Изобразим выходные характеристики для транзистора КТ603А (рис. 1.58). рис. 1.58

Как уже отмечалось, если коллекторный переход смещен в обратном направлении (uкб> 0), то ток коллектора примерно равен току эмиттера: iк ~ iэ

Это соотношение сохраняется даже при uкб= 0 (если ток эмиттера достаточно велик), так как и в этом случае большинство электронов, инжектированных в базу, захватывается электрическим полем коллекторного перехода и переносится в коллектор.

Только если коллекторный переход смещают в прямом направлении ( uкб< 0), ток коллектора становится равным нулю, так как при этом начинается инжекция электронов из коллектора в базу (или дырок из базы в коллектор). Эта инжекция компенсирует переход из базы в коллектор тех электронов, которые были инжектированы эмиттером. ток коллектора становится равным нулю при выполнении условия uкб< 0,75 В.

Режим, соответствующий первому квадранту характеристик (uкб> 0, iк > 0, причем ток эмиттера достаточно велик), называют активным режимом работы транзистора. На координатной плоскости ему соответствует так называемая область активной работы.

Режим, соответствующий второму квадранту (uкб< 0), называют режимом насыщения. Ему соответствует область насыщения.

Обратный ток коллектора iкомал (для КТ603Аiко < 10 мкА при t < 25°С). Поэтому выходная характеристика, соответствующая равенствам iэ= 0ik- αст ·iэ+iко=iко,практически сливается с осью напряжений.

При увеличении температуры ток iко возрастает (для КТ603 i ко ~ 100 мкА при t < 85° С) и все выходные характеристики несколько смещаются вверх.

Режим работы транзистора, соответствующий токам коллектора, сравнимым с током i ко, называют режимом отсечки. Соответствующую область характеристик вблизи оси напряжений называют областью отсечки.

В активном режиме напряжение  u кби мощность Pк= iк ·uкб, выделяющаяся в виде тепла в коллекторном переходе, могут быть значительны. Чтобы транзистор не перегрелся, должно выполняться неравенство Рк < Рк макс где Рк макс — максимально допустимая мощность (для КТ603А Рк мак c= 500 мВт при t < 50° С).

График зависимости iк = Рк макс / uкб (гипербола) изображен на выходных характеристиках пунктиром.

Таким образом, в активном режиме эмиттерный переход смещен в прямом направлении, а коллекторный — в обратном. В режиме насыщения оба перехода смещены в прямом направлении, в режиме отсечки коллекторный переход смещен в обратном направлении, а эмиттерный или смещен в обратном направлении, или находится под очень малым прямым напряжением.

Транзистор часто характеризуют так называемым дифференциальным коэффициентом передачи эмиттерного тока α, который определяется выражением α= dik / di э| ik–заданный, uкб= const.

Для приращения тока коллектора ∆iк и приращения тока эмиттера ∆iэ можно записать: ∆iк ≈ α · ∆iэ

Коэффициент α несколько изменяется при изменении режима работы транзистора. Важно учитывать, что у различных (вполне годных) экземпляров транзистора одного и того же типа коэффициента может заметно отличаться. Для транзистора КТ603А при t = 25° С α = 0,909 … 0,988.

Наличие наклона выходных характеристик, отражающее факт увеличения тока коллектора при заданном токе эмиттера при увеличении напряжения uкб, объясняется проявлением эффекта Эрли: при уменьшении толщины базы все большее количество электронов, инжектированных эмиттером, переходит в коллектор.

Наклон выходных характеристик численно определяют так называемым дифференциальным сопротивлением коллекторного перехода (с учетом эффекта Эрли): rк=duкб/diэ|uкб– аданный, iэ=constiк=αст· iэ+ iко+ 1/rк· uкб

Схема с общим эмиттером

Очень часто транзистор характеризуют характеристиками, соответствующими схеме, представленной на рис. 1.59. Эту схему называют схемой с общий эмиттером, так как эмиттер является общим электродом для источников напряжения. рис. 1.59

Для этой схемы входной характеристикой называют зависимость тока iб от напряжения uбэ при заданном напряжении uкэ , т. е. зависимость вида iб= f (uбэ) |кэ = const , где f — некоторая функция.

Выходной характеристикой называют зависимость тока iк от напряжения uкэ при заданном токе iб, т. е. зависимость вида i к = f (u кэ ) |б = const,где f — некоторая функция.

Очень важно уяснить следующих два факта.

  1. Характеристики для схемы с общим эмиттером не отражают никакие новые физические эффекты по сравнению с характеристиками для схемы с общей базой и не несут никакой принципиально новой информации о свойствах транзистора. Для объяснения особенностей характеристик с общим эмиттером не нужна никакая информация кроме той, что необходима для объяснения особенностей характеристик схемы с общей базой. Тем не менее характеристики для схемы с общим эмиттером очень широко используют на практике (и приводят в справочниках), так как ими удобно пользоваться.
  2. При расчетах на компьютерах моделирующие программы вообще никак не учитывают то, по какой схеме включен транзистор. Программы используют математические модели транзисторов, являющиеся едиными для всевозможных схем включения. Тем не менее, очень полезно уметь определить тип схемы включения транзистора. Это облегчает понимание принципа работы схемы.

Входные характеристики для схемы с общим эмиттером.

Изобразим характеристики уже рассмотренного транзистора КТ603А (рис. 1.60).

рис. 1.60

Теперь эффект Эрли проявляется в том, что при увеличении напряжения uкэ характеристики сдвигаются вправо. Дифференциальное сопротивление теперь определяется выражением rдиф= (duбэ/diб) |iб– заданный , uкэ= const

Выходные характеристики для схемы с общим эмиттером.

Изобразим эти характеристики для транзистора КТ603А (рис. 1.61). рис. 1.61

Обратимся к ранее полученному выражению iк=αст·iэ+iко В соответствии с первым законом Кирхгофа iэ=iк+iб и с учетом предыдущего выражения получим iкαст· (iк+iб) +iко откуда iк=αст/ (1 -αст) ·iб+ 1 / (1 -αст) ·iко

Введем обозначение: βст ≡ αст / (1- αст )

Коэффициент αст называют статическим коэффициентом передачи базового тока. Его величина обычно составляет десятки — сотни (это безразмерный коэффициент).

Легко заметить, что 1 / (1 -αст) = βст + 1 Введем обозначение i′ко ≡ (βст + 1) ·iко В итоге получаемiк= βст ·iб+i′ко Это выражение в первом приближении описывает выходные характеристики в области активной работы, не учитывая наклона характеристик.

Для учета наклона выражение записывают в виде iк= βст ·iб+i′ко +uкб· ( 1 /r′к ),гдеr′к =duкэ/diк|uкэ – заданное, iб=const

В первом приближении r′к = ( 1 / 1 + β) · rк (сопротивление rк определено выше). Часто пользуются так называемым дифференциальным коэффициентом передачи базового тока β.

Для приращения тока коллектора ∆iк и тока базы ∆iб можно записать:

∆iк ≈ β · ∆ iб

По определению β=diк/diб|iк – заданный, uкэ=const

Для транзистора КТ603А при t = 25°С β = 10…80.

Величина β зависит от режима работы транзистора. Приведем типичный график зависимости β от тока эмиттера (он практически равен току коллектора) для uкб= 2 В (рис. 1.62). рис. 1.62

Для нормальной работы транзистора на постоянном токе, кроме рассмотренного выше условия Pк< Рк макс, должны выполняться условия iк<iк максиuкэ≤u кэ макс где iк макси u кэ макс — соответственно максимально допустимый постоянный ток коллектора и максимально допустимое постоянное напряжение между коллектором и эмиттером.

Для рассмотренного выше транзистора КТ603А iк макс= 300 мА,uкэ макс = 30 В (при t < 70° С).

Изобразим схематически на выходных характеристиках для схемы с общим эмиттером так называемую область безопасной работы, в которой указанные условия выполняются (рис. 1.63). рис. 1.63

Обычно допустимо предполагать (с той или иной погрешностью), что выходные характеристики для схемы с общим эмиттером расположены на отрезках прямых, расходящихся веерообразно из одной точки на оси напряжений (рис. 1.64). рис. 1.64

Напряжение Uэ (это положительная величина) называют напряжением Эрли. Для транзистора КТ603А Uэ ~ 40 В.

Инверсное включение транзистора.

Иногда транзистор работает в таком режиме, что коллекторный переход смещен в прямом направлении, а эмиттерный — в обратном. При этом коллектор играет роль эмиттера, а эмиттер — роль коллектора. Это так называемый инверсный режим. Ему соответствует так называемый инверсный коэффициент передачи базового тока βi. Из-за отмеченных выше несимметрии структуры транзистора и различия в концентрациях примесей в слоях полупроводника обычно βi << β. Часто βi >>1.

Изобразим выходные характеристики для схемы с общим эмиттером и для прямого, и для инверсного включения (рис. 1.65). рис. 1.65

MJE13007 транзистор характеристики, российские аналоги, цоколевка

 

В данной статье разберем характеристики транзистора MJE13007, который используется в качестве одного из ключевых элементов пускорегулирующих аппаратов, источников вторичного питания, схем управления моторами и реле. Производится в пластиковом крепком корпусе с жесткими выводами. Вся маркировка указана на самом устройстве. Имеет следующие физические параметры:

  • Рабочая температура от -65 до +150 градусов Цельсия;
  • Биполярный;
  • Тип корпуса —  ТО-220АВ;
  • Масса транзистора не более 2,5 г.

Параметры и Цоколевка

Нумерация контактов на транзисторе:

  1. База;
  2. Эмиттер;
  3. Коллектор.

На корпус нанесены обозначения по которым можно узнать следующую информацию:

  • A —  место изготовления;
  • Y — Год;
  • WWW — неделя изготовления;
  • G — свинца не содержит.
Маркировка MJE 13007Распиновка 13007

Перейдем к описанию основных характеристик MJE13007 (все замеры делались при Токр. среды = 25 °С.) :

  • Корпус: TO-220;
  • Ток коллектора, не более: 8 А;
  • Напряжение коллектор-база, не более: 700 В;
  • Напряжение эмиттер-база, не более: 9 V;
  • Структура — n-p-n;
  • Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 400 В;
  • Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 8 до 60;
  • Граничная частота коэффициента передачи тока: 4 МГц;
  • Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 80 Вт.

Российские аналоги MJE13007:

  • FJP13007;
  • KSE13007;
  • STD13007F;
  • MJE13007G;
  • MJE13007A;
  • KSE13007F.

Полную информацию можно узнать в Datasheet выпускаемой производителем для данного транзистора.

 

Транзистор как линейный четырехполюсник

31

Транзистор является электропреобразовательным прибором, физические процессы в котором используются для преобразования энергии внешних источников постоянных напряжений в энергию преобразуемого сигнала. Токи и напряжения в транзисторе в общем случае связаны нелинейными функциональными зависимостями, поэтому четырехполюсник, эквивалентный транзистору, следует рассматривать как активный нелинейный четырехполюсник.

Однако для большого класса электронных схем, называемых линейными, токи и напряжения складываются из сравнительно больших постоянных составляющих (I, U) и малых переменных составляющих (I = I, U = U). Переменные составляющие в этих схемах представляют основной интерес. Примером таких схем являются усилители (см. «Рабочий режим транзистора»). В пределах малых изменений напряжений и токов статические характеристики транзистора приблизительно являются линейными, поэтому функциональные зависимости переменных составляющих также будут линейными. Для линейных схем характерна работа транзистора в активном режиме.

Когда транзистор работает в линейном режиме, для расчетов удобнее пользоваться не характеристиками, а параметрами. Параметры широко применяются на практике также для контроля качества транзисторов.

Характеристические параметры – величины, дающие связь между малыми изменениями токов и напряжений в транзисторе. При введении параметров транзистор рассматривают как четырехполюсник, на входе которого действует напряжениеU1 и ток I1, а на выходе – напряжение U2 и ток I2. Направление токов I1 и I2 и напряжений U1 и U2 эквивалентного четырехполюсника выбирают так, как показано на рис. 14.

При рассмотрении функциональной связи между четырьмя переменными возможны шесть вариантов выбора независимых и зависимых переменных, как показано в таблице.

Независимые переменные

I1, I2

U1, U2

I1,U2

U1, I2

U2, I2

U1, I1

Зависимые переменные

U1, U2

I1, I2

U1, I2

I1,U2

U1, I1

U2, I2

Практическое применение находят первые три варианта. В соответствии с этим получаем три системы параметров транзистора: система Z– параметров, системаY– параметров, системаH– параметров.

Система z – параметров

Если функциональная зависимость между токами и напряжениями транзистора задана в виде , то получим системуZ– параметров. В этом случае:; (4)

. (5)

Если приращения рассматривать как малые переменные токи с комплексными амплитудами, то приращенияпредставляют собой малые переменные напряжения с комплексными амплитудамии частные производные в уравнениях (4), (5) должны быть заменены комплексными сопротивлениями. Обозначим ихсоответственно, тогда уравнения (4) и (5) можно записать в следующем виде:

Здесь (и в дальнейшем) индекс 11 (читается «один — один») означает входной параметр (характеризующий входную цепь), индекс 12 (читается «один — два») – параметр обратной связи, индекс 21 (читается «два — один») – параметр прямой передачи и индекс 22 (читается «два — два») – выходной параметр.

Выясним физический смысл этих параметров.

или — входное сопротивление транзистора для разомкнутой выходной цепи по переменному току.

или — сопротивление обратной связи транзистора при разомкнутой входной цепи по переменному току.

или — сопротивление прямой передачи транзистора при разомкнутой выходной цепи по переменному току.

или — выходное сопротивление при разомкнутой входной цепи по переменному току.

Чтобы измерить Z– параметры, необходимо осуществить режим холостого хода по переменному току, для получения которого в цепь (входную или выходную) включают сопротивление, значительно большее, чем соответствующее сопротивление четырехполюсника (входное или выходное). При экспериментальном определении параметров транзистора необходимо обеспечить питание его электродов постоянным напряжением либо через очень большое активное сопротивление от достаточно высоковольтного источника питания, либо через индуктивные элементы.

Осуществление режима холостого хода в цепи эмиттера (для схемы с общей базой) или базы (для схемы с общим эмиттером) при определении параметров ине представляет особого труда, т.к. входное сопротивление по эти схемам включения мало, а при определенииисоздание режима холостого хода в выходной цепи (коллекторной) затруднено тем, что выходное сопротивление транзистора велико (в схеме с общей базой достигает МОм). Следовательно, определить экспериментальноZ– параметры транзистора трудно.

Отправить ответ

avatar
  Подписаться  
Уведомление о