Транзистор mosfet как проверить: Как проверить полевой транзистор, MOSFET-транзистор.

Содержание

AVR-STM-C++: Как мультиметром проверить MOSFET

Как проверить полевой транзистор мультиметром?
Исходя из особенностей конструкции полевых транзисторов способ проверки отличается от способа проверки биполярных транзисторов. Тем не менее есть один надежный способ проверки.
Транзистор должен быть выпаян, на распаяном транзисторе в большинстве случаев этот способ не сработает за счет обвязки (окружающих деталей). Мультиметр ставим на режим прозвонки диодов.
Сам полевой транзистор может содержать в себе встроенный диод, он будет между Drain и Source. Поэтому для начала ищем даташит на наш полевик — чтобы точно знать с чем имеем дело.
Для примера возьмем MOSFET IRLZ44N. Из даташита на него мы узнаем где у него какие ноги. IRLZ44N цоколевка
Из этого же даташита мы видим, что есть диод, а это значит, что между Drain и Source мы увидим вместо бесконечного сопротивления — некое падение напряжения.

Итак, ставим черный щуп на Drain, красный на Gate. Прибор должен показать бесконечное сопротивление, тоесть показатели просто не поменяются.

Меняем щупы местами — картина та же. Переставляем красный с Drain на Source, потом меняем местами (Красный на Gate, черный на Source) — показания меняться не должны. Gate, он же затвор, отделен от Drain и Source, если звониться в какую-либо сторону — затвор пробит, мосфет неисправен.


Теперь нам надо прозвонить Drain и Source, но для начала коротим все ноги щупом — дабы те напряжения, которые мы ему передали при прозвонке, уравнять. Ставим черный щуп на Drain, красный — на Source. Тут мы должны увидеть тот самый диод — тоесть падение напряжения. Меняем щупы местами — бесконечное сопротивление, как и в случае с Gate. Если видим что-то иное — коротим ноги щупом и повторяем замер. Если результат не бесконечное сопротивление — наш полевой транзистор вышел из строя.
Дальше ставим черный щуп на Source, красным касаемся Gate и ставим после этого на Drain. MOSFET должен открыться, тоесть показать низкое сопротивление. Так как напряжение, которым мы открыли полевой транзистор — низкое, то и сопротивление транзистора будет велико.
По сути Gate-Source — это конденсатор, который мы только что зарядили. Пока он заряжен — полевой транзистор открыт.
Если ваш мосфет ведет себя не так — скорей всего он вышел из строя.
Такой способ проверки полевых транзисторов поможет проверить фактически все широко распространенные MOSFET-транзисторы.

Как проверять на исправность полевые транзисторы без тестера | Электронные схемы

как проверять полевые транзисторы

как проверять полевые транзисторы

Полевые транзисторы можно проверять на исправность очень простым способом,которому не нужны мультиметр или тестер.Проверять буду два вида полевых транзисторов: с изолированным затвором и с затвором на основе p-n перехода.

Проверка мосфета с изолированным затвором.У таких транзисторов между затвором и истоком есть конденсатор,его емкость указывают в даташитах как Ciss input.У транзистора irf3205 емкость этого конденсатора равна около 3247 пФ.Если начать заряжать этот конденсатор,транзистор постепенно начнет открываться и сопротивление канала сток-исток начнет уменьшаться,и лампа накаливания начнет светить.

как проверять мосфеты с помощью лампочки и источника питания

как проверять мосфеты с помощью лампочки и источника питания

Подключаем плюс к лампе и цепляем лампу на сток,минус цепляем на исток,питание 10 Вольт.Вначале лампа не светит.

заряжаю входную емкость полевого mosfet транзистора

заряжаю входную емкость полевого mosfet транзистора

Далее касаемся пальцем затвора и стока,конденсатор заряжается и лампа светит.

проверка на исправность полевых транзисторов без мультиметра

проверка на исправность полевых транзисторов без мультиметра

Чтобы выключить лампочку,касаемся пальцем затвора и истока.Конденсатор будет разряжен и лампа не светит.Вот и вся проверка.Если не разрядить конденсатор,то лампа будет светить пока этот конденсатор не разрядиться.

Проверяю полевой транзистор с затвором на p-n переходе.Таким транзистором является КП103. Берем светодиод и подключаем анодом к стоку а катодом к минус питания. Плюс питания цепляем на исток,питание 5 Вольт.Светодиод будет светить.

как проверить полевой транзистор с затвором на p-n переходе

как проверить полевой транзистор с затвором на p-n переходе

Теперь кратковременно касаемся пальцем только до затвора и светодиод погаснет примерно на одну секунду если убрать палец.Если есть такая реакция,значит транзистор исправен.

транзистор кп103 чует проводку в стене и другие источники помех

транзистор кп103 чует проводку в стене и другие источники помех

Затворы таких транзисторов очень чувствительны к различным источникам помех,такие как фон 50 Гц или высоковольтные разряды.На транзисторе кп103 изготавливают детекторы для поиска проводки в стене.Но надо учесть,что затворы также чувствительны к статике,поэтому желательно перед касанием дотронуться пальцем до заземления или до батареи центрального отопления.Таким способом нельзя проверять транзисторы типа кп350,кп305. Для их проверки уже нужен мультиметр или тестер

Метод проверки полевого транзистора (MOSFET) на плате

Добавил: STR2013,Дата: 25 Мар 2021

Доброго времени суток! Сегодня я хочу поделиться методом, позволяющим оценить работоспособность MOSFET прямо на плате, ничего не отпаивая.

Бывает этот метод работает не всегда, но по ремонту материнских плат он мне часто помогал.

Также хочу отметить, что для осуществления этого метода нужен мультиметр с колодкой для измерения hfe биполярных транзисторов и без доработки мультиметра, к сожалению, можно проверять только N-канальные транзисторы.

Не могу утверждать его 100% точность, но, по крайней мере он позволяет отсеять живые транзисторы в большинстве случаев.

Итак, на примере IRLML2402, N-канальный MOSFET в корпусе SOT-23, маркировка A5Z3S.

Берем дополнительный проводок, втыкаем его в гнездо E (PNP) колодки для измерения hfe, не секрет, что там присутствует постоянное напряжение около +3 В относительно черного провода мультиметра.

Сверившись с даташитом, подключаем мультиметр: красный щуп на исток, а черный щуп на сток. Транзистор закрыт, мультиметр показывает падение напряжения на встроенном диоде.

А теперь подаем дополнительным проводом +3В на затвор, транзистор открыт.

Если транзистор веде себя не так — отпаиваем его и проверяем дополнительно.

Таким же способом, в принципе, можно оценивать состояние P-канальных транзисторов, но задача усложняется отсутствием возможности получить напряжение -3В относительно черного провода непосредственно из мультиметра. Приходится цеплять дополнительно батарейку типа CR2032, плюс к черному проводу, минус — на затвор MOSFET.

Источник:rom.by



ПОДЕЛИТЕСЬ С ДРУЗЬЯМИ

П О П У Л Я Р Н О Е:
  • Простой способ изготовления печатной платы
  • Как быстро сделать дорожки на плате?

    Самый простой и быстрый способ изготовления печатных плат для небольших схем с помощью резака.

    Не нужно принтера, растворов для травления и др.

    Этот метод годится для быстрого изготовления печатной платы для несложных радиолюбительских схем.

    Подробнее…

  • Полезные советы по бисероплетению.
  • Бисероплетение — интересный вид прикладного искусства. Для любителей бисероплетения, а особенно для начинающих не помешают полезные советы ниже:

    • Материалы и инструменты
    • Организация рабочего места и времени
    • Как добиться хорошего внешнего вида цветка
    • Составление цветочных композиций  
    • Приемы закрепления цветов в сосудах, на панно и в бутоньерках   Подробнее…
  • Как отполировать фары?
  • …или прозрачность фары за 20 минут!

    Обладатели автомобилей замечали, что со временем фары мутнеют.

    Пластик может помутнеть, пожелтеть или поцарапаться.

    Два варианта: покупать новые фары или приходится задуматься о полировке фар.

    Рассмотрим второй вариант…

    Подробнее…


Популярность: 581 просм.

Узнаем как проверить транзистор

В мире современной техники никак не обойтись без транзисторов. Они входят в различные электронные устройства, их можно встретить в телефонах и радиоприёмниках, в компьютерах и автомобилях. Иногда возникает необходимость в проверке их работоспособности, и тогда полезно знать, как проверить транзистор и что для этого необходимо. Материал, представленный в статье, освещает данный вопрос.

Транзисторы и их виды

Данное устройство является электронным прибором, который применяют в электросхемах с целью усиления исходного сигнала. Его изготавливают из полупроводниковых материалов. Существует 2 вида транзисторов: полевые и биполярные, которые управляются не напряжением, а током. Кроме этого они могут быть маломощными и мощными, низкочастотными и высокочастотными. Они отличаются по размерам и оформлению корпусов.

Часто при упоминании транзисторов подразумевают биполярные их разновидности, изготавливающиеся из германия или кремния. Биполярными их называют потому, что они работают с электронами (носителями зарядов) и дырками. Одну из областей транзистора, расположенную с краю, именуют эмиттером, промежуточную – базой, а другую, также находящуюся с краю – коллектором. Так 3 электрода создают 2 p-n перехода: коллекторный, расположенный между коллектором и базой, и эмиттерный, который находится между эмиттером и базой. Транзистор может быть во «включенном» состоянии и «выключенном», и переход между ними осуществляется при помощи электрических сигналов.

Основное предназначение транзисторов – генерирование, усиление и преобразование электрических колебаний. Но, как и всякое техническое устройство, транзистор может выходить из строя. Необходимо знать, как проверить транзистор, чтобы результат был достоверным. Для этой цели используют мультиметры.

Проверка транзистора тестером

Мультиметр (он же тестер) – это специальный комбинированный прибор, с помощью которого проводят электроизмерительные работы. Он объединяет несколько функций: как минимум соединяет в себе амперметр, вольтметр, Омметр. Есть аналоговые и цифровые приборы, лёгкие, переносные и стационарные, которые сочетают в себе много возможностей.

Мультиметр – устройство, которое подскажет, как проверить транзистор и сделать это наглядно. Тестер позволяет проводить прозвонку при измерении низкого сопротивления в цепи, при этом раздается сигнализация, звуковая или световая.

Перед рассмотрением процесса, как проверить транзистор тестером, важно знать, что эти приборы делятся на 2 типа в соответствии с расположением слоев с различной проводимостью. Так существуют полупроводники с электронной проводимостью (p-n-p), и полупроводники с дырочной проводимостью (p-).

Для проверки прямого сопротивления перехода, к базе подключить «минус» мультиметра, а к эмиттеру и коллектору по очереди подключать «плюс». При замере обратного сопротивления поменять положение «минуса» и «плюса». Для измерения сопротивления перехода p-n-p повторить те же действия, только предварительно поменяв полярность. Во время проверки переходов с базы на эмиттер и коллектор они должны прозваниваться только в 1 сторону.

Так как проверить транзистор мультиметром можно, но это не дает стопроцентной гарантии в исправности прибора, для большей уверенности следует провести его проверку в активном режиме. В таком случае результат будет более достоверным.

И всё-таки: как проверить транзистор и быть уверенным в результатах? У биполярного устройства для удобства можно посчитать за аналоги диода каждый из его переходов, предварительно проверив их исправность. Есть мощные транзисторы, которые включают между эмиттером и коллектором демпферный встроенный диод, и между базой и эмиттером – защитный резистор. При любой полярности мультиметра на таком транзисторе будет сопротивление от тридцати до пятидесяти Ом и прозваниваться между эмиттером и коллектором он будет как диод. Это свидетельствует об исправности детали.

Как проверить работоспособность транзистора мультиметром

Давайте займемся теорией, повремените убегать. Портал ВашТехник наряду с заумными сентенциями, рассчитанными быть понятыми профи, предоставит методику пяти пальцев. Не слышали? Просто, как пять пальцев. Сначала обсудим типы транзисторов, потом расскажем, что можно сделать при помощи мультиметра. Рассмотрим штатные гнезда hFE (объясним, что это такое), методику замещения схемы через соединение нескольких диодов. Расскажем, с чего начать. Поймете, как проверить транзистор мультиметром, или… Давайте, пожалуй, без «или». Приступим, чтобы твердо отличать МОП-транзистор от мопса, растолчем теорию.

Типы, классификация транзисторов

Избегаем исследовать дебри. Знайте простое правило: в биполярных транзисторах носители обоих знаков участвуют в создании выходного тока, в полевых – одного. Определение умников. Теперь работаем пальцами:

Устройство транзисторов

  1. Транзисторы полевого типа выступают началом. Когда Битлз выходили на сцену, на замену вакуумным триодам стали приходить полупроводники. Если говорить кратко, p-n-p транзистор – два богатых положительными носителями слоя кристалла (кремний, германий, примесной проводимости). Проводя уроки физики, учитель часто рассказывал, как V-валентный мышьяк легировал решетку кремния, образуя новый материала. Добавим, что положительные p-области, отгорожены узкой отрицательной (n-negative). Как ком в горле. Узкий перешеек, называемый базой, отказывается пускать электроны (в нашем случае скорее дырки) течь в нужном направлении. Небольшой отрицательный заряд появляется на управляющем электроде, дырки коллектора (верхняя p-область на традиционных электрических схемах) больше не могут сдерживаться, буквально рвутся в сторону приложенного напряжения. Поскольку база тонкая, используя набранную скорость носители пролетают перешеек, уносятся дальше — достигая эмиттера (нижняя p-область), здесь увлекаются разностью потенциалов, создаваемой напряжением питания. Типичное школьное объяснение. Относительно небольшое напряжение управляющего электрода способно регулировать скорость сильного потока дырок (положительных носителей), увлекаемого полем напряжения питания. На этом построена техника. Навстречу дыркам движутся электроны, транзисторы называют биполярными.
  2. Полевые транзисторы снабжены каналом любого типа проводимости, разделяющим области истока и стока (см. рисунок выше). Управляющий электрод называют затвором. Причем основной материал подложки, затвора противоположен каналу, истоку и стоку. Поэтому положительное напряжение (см. рисунок) запрет ход зарядам через транзистор. Плюс оттянет (в p-область) доступные электроны. Полевые транзисторы в электронике применяются намного чаще. На рисунке затвор электрически соединен с кристаллом, структура называется управляющим p-n переходом. Бывает, область изолирована от кристалла диэлектриком, в качестве которого часто выступает оксид. Чистой воды MOSFET транзистор, по-русски – МОП.

Схема проверки транзистора

При помощи мультиметра, в штатном режиме проверяются биполярные транзисторы. Если тестер поддерживает такую опцию, часто именуемую hFE, на лицевой панели смонтирован круглый разъем, поделенный вертикальной чертой на две части, где надписаны по 4 гнезда следующим образом:

  1. B – база (англ. Base).
  2. С – коллектор (англ. Collector).
  3. E – эмиттер (англ. Emitter).

Гнезд для эмиттера два, чтобы учесть раскладку выводов корпуса. База может быть с края, посередине. Для удобства сделано. Нет разницы, в какое гнездо вставить ножку эмиттера биполярного транзистора. Пара слов, как пользоваться.

Проверка элементов омметром

Опубликовал Александр Дудкин

8 августа, 2008

Почти каждый радиолюбитель располагает в качестве измерительного прибора авометром — цифрового или стрелочного типа, в состав которого входит омметр. Однако не все начинающие радиолюбители знают, что омметром можно проверять почти все радиоэлементы: резисторы, конденсаторы, катушки индуктивности, трансформаторы, диоды, тиристоры, транзисторы, некоторые микросхемы.

Проверка резисторов

Проверка постоянных резисторов производится омметром путем измерения их сопротивления и сравнения с номинальным значением, которое указано на самом резисторе и на принципиальной схеме аппарата. При измерении сопротивления резистора полярность подключения к нему омметра не имеет значения. Необходимо помнить, что действительное сопротивление резистора может отличаться по сравнению с номинальным на величину допуска.

При проверке переменных резисторов измеряется сопротивление между крайними выводами, которое должно соответствовать номинальному значению с учетом допуска и погрешности измерения, а также необходимо измерять сопротивление между каждым из крайних выводов и средним выводом. Эти сопротивления при вращении оси из одного крайнего положения в другое должны плавно, без скачков изменяться от нуля до номинального значения. При проверке переменного резистора, впаянного в схему, два из его трех выводов необходимо выпаивать

Проверка конденсаторов

В принципе конденсаторы могут иметь следующие дефекты: обрыв, пробой и повышенная утечка. Пробой конденсатора характеризуется наличием между его выводами короткого замыкания, то есть нулевого сопротивления. Поэтому пробитый конденсатор любого типа легко обнаруживается омметром путем проверки сопротивления между его выводами. Конденсатор не пропускает постоянного тока, его сопротивление постоянному току, которое измеряется омметром, должно быть бесконечно велико.

Однако имеется большая группа конденсаторов, сопротивление утечки которых сравнительно невелико. К ней относятся все полярные конденсаторы, которые рассчитаны на определенную полярность приложенного к ним напряжения, и эта полярность указывается на их корпусах. При измерении сопротивления утечки этой группы конденсаторов необходимо соблюдать полярность подключения омметра (плюсовой вывод омметра должен присоединяться к плюсовому выводу конденсатора), в противном случае результат измерения будет неверным.

К этой группе конденсаторов в первую очередь относятся все электролитические конденсаторы КЭ, КЭГ, ЭГЦ, ЭМ, ЭМИ, К50, ЭТ, ЭТО, К51, К52 и оксидно-полупроводниковые конденсаторы К53. Сопротивление утечки исправных конденсаторов этой группы должно быть не менее 100 кОм, а конденсаторов ЭТ, ЭТО, К51, К.52 и К53— не менее 1 МОм. При проверке конденсаторов большой емкости нужно учесть, что при подключении омметра к конденсатору, если он не был заряжен, начинается его зарядка, и стрелка омметра делает бросок в сторону нулевого значения шкалы. По мере зарядки стрелка движется в сторону увеличения сопротивлений.

Чем больше емкость конденсатора, тем медленнее движется стрелка. Отсчет сопротивления утечки следует производить только после того, как она практически остановится. При проверке конденсаторов емкостью порядка 1000 • мкФ на это может потребоваться несколько минут. Внутренний обрыв или частичная потеря емкости конденсатором не могут быть обнаружены омметром, для этого необходим прибор, позволяющий измерять емкость конденсатора. Однако обрыв конденсатора емкостью более 0,2 мкФ может быть обнаружен омметром по отсутствию начального скачка стрелки во время зарядки.

Следует заметить, что повторная проверка конденсатора на обрыв по отсутствию начального скачка стрелки может производиться только после снятия заряда, для чего выводы конденсатора нужно замкнуть на короткое время. Конденсаторы переменной емкости проверяются омметром на отсутствие замыканий. Для этого омметр подключается к каждой секции агрегата и медленно поворачивается ось из одного крайнего положения в другое. Омметр должен показывать бесконечно большое сопротивление в любом положении оси,

Проверка катушек индуктивности

При проверке катушек индуктивности омметром контролируется только отсутствие в них обрыва. Сопротивление однослойных катушек должно быть равно нулю, сопротивление многослойных катушек близко к нулю. Иногда в паспортных данных аппарата указывается сопротивление многослойных катушек постоянному току и на его величину можно ориентироваться при их проверке. При обрыве катушки омметр показывает бесконечно большое сопротивление. Если катушка имеет отвод, нужно проверить обе секции катушки, подключая омметр сначала к одному из крайних выводов катушки и к ее отводу, а затем — ко второму крайнему выводу и отводу.

Проверка низкочастотных дросселей и трансформаторов. Как правило, в паспортных данных аппаратуры или в инструкциях по ее ремонту указываются значения сопротивлений обмоток постоянному току, которые можно использовать при проверке трансформаторов и дросселей. Обрыв обмотки фиксируется по бесконечно большому сопротивлению между ее выводами. Если же сопротивление значительно меньше номинального, это может указывать на наличие короткозамкнутых витков.

Однако чаще всего короткозамкнутые витки возникают в небольшом количестве, когда происходит замыкание между соседними витками, и сопротивление обмотки изменяется незначительно. Для проверки отсутствия короткозамкнутых витков можно поступить следующим образом. У трансформатора выбирается обмотка с наибольшим количеством витков, к одному из выводов которой подключается омметр с помощью зажима “крокодил”. Ко второму выводу этой обмотки прикасаются слегка влажным пальцем левой руки.

Держа металлический наконечник второго щупа омметра правой рукой, подключают его ко второму выводу обмотки, не отрывая от него пальца левой руки. Стрелка омметра отклоняется от своего начального положения, показывая сопротивление обмотки. Когда стрелка остановится, отводят правую руку с щупом от второго вывода обмотки. В момент разрыва цепи при исправном трансформаторе чувствуется легкий удар электрическим током за счет ЭДС самоиндукции, возникающей при разрыве цепи.

В связи с тем, что энергия разряда мизерна, никакой опасности такая проверка не представляет. При наличии короткозамкнутых витков в проверяемой обмотке или в других обмотках трансформатора ЭДС самоиндукции резко падает и электрического удара не ощущается. Омметр при этом нужно использовать на самом меньшем пределе измерения, который соответствует наибольшему току измерения.

Проверка диодов

Полупроводниковые диоды характеризуются резко нелинейной вольтамперной характеристикой. Поэтому их прямой и обратный токи при одинаковом приложенном напряжении различны. На этом основана проверка диодов омметром. Прямое сопротивление измеряется при подключении плюсового вывода омметра к аноду, а минусового вывода — к катоду диода. У пробитого диода прямое и обратное сопротивления равны нулю. Если диод оборван, оба сопротивления бесконечно велики.

Указать заранее значения прямого и обратного сопротивлений или их соотношение нельзя, так как они зависят от приложенного напряжения, а это напряжение у разных авометров и на разных пределах измерения различно. Тем не менее у исправного диода обратное сопротивление должно быть больше прямого. Отношение обратного сопротивления к прямому у диодов, рассчитанных на низкие обратные напряжения, велико (может быть более 100). У диодов, рассчитанных на большие обратные напряжения, это отношение оказывается незначительным, так как обратное напряжение, приложенное к диоду омметром, мало по сравнению с тем обратным напряжением, на которое диод рассчитан.

Методика проверки стабилитронов и варикапов не отличается от изложенной. Как известно, если к диоду приложено напряжение, равное нулю, ток диода также будет равен нулю. Для получения прямого тока необходимо приложить к диоду какое-то пороговое небольшое напряжение. Любой омметр обеспечивает приложение такого напряжения. Однако если соединено последовательно и согласно (в одну сторону) несколько диодов, пороговое напряжение, необходимое для отпирания всех диодов, увеличивается и может оказаться больше, чем напряжение на клеммах омметра. По этой причине измерить прямые напряжения диодных столбов или селеновых столбиков при помощи омметра оказывается невозможно.

Проверка тиристоров

Неуправляемые тиристоры (динисторы) могут быть проверены таким же образом, как диоды, если напряжение отпирания динистора меньше напряжения на клеммах омметра. Если же оно больше, диннстор при подключении омметра не отпирается и омметр в обоих направлениях показывает очень большое сопротивление. Тем не менее, если диннстор пробит, омметр это регистрирует нулевыми показаниями прямого и обратного сопротивлений.

Для проверки управляемых тиристоров (тринисторов) плюсовой вывод омметра подключается к аноду тринистора, а минусовой вывод — к катоду. Омметр при этом должен показывать очень большое сопротивление, почти равное бесконечному. Затем замыкают выводы анода и управляющего электрода тринистора, что должно приводить к резкому уменьшению сопротивления, так как тринистор отпирается. Если после этого отключить управляющий электрод от анода, не разрывая цепи, соединяющей анод тринистора с омметром, для многих типов тринисторов омметр будет продолжать показывать низкое сопротивление открытого тринистора.

Это происходит в тех случаях, когда анодный ток тринистора оказывается больше так называемого тока удержания. Тринистор остается открытым обязательно, если анодный ток больше гарантированного тока удержания. Это требование является достаточным, но не необходимым. Отдельные экземпляры тринисторов одного и того же типа могут иметь значения тока удержания значительно меньше гарантированного. В этом случае тринистор при отключении управляющего электрода от анода остается открытым. Но если при этом тринистор запирается и омметр показывает большое сопротивление, нельзя считать, что тринистор неисправен.

Проверка транзисторов

Эквивалентная схема биполярного транзистора представляет собой два диода, включенных навстречу один другому. Для p-n-р транзисторов эти эквивалентные диоды соединены катодами, а для n-p-n транзисторов — анодами. Таким образом, проверка транзистора омметром сводится к проверке обоих р-n переходов транзистора: коллектор — база и эмиттер — база. Для проверки прямого сопротивления переходов p-n-р транзистора минусовой вывод омметра подключается к базе, а плюсовой вывод омметра — поочередно к коллектору и эмиттеру. Для проверки обратного сопротивления переходов к базе подключается плюсовой вывод омметра.

При проверке n-р-n транзисторов подключение производится наоборот: прямое сопротивление измеряется при соединении с базой плюсового вывода омметра, а обратное сопротивление — при соединении с базой минусового вывода. При пробое перехода его прямое и обратное сопротивления оказываются равными нулю. При обрыве перехода его прямое сопротивление бесконечно велико. У исправных маломощных транзисторов обратные сопротивления переходов во много раз больше их прямых сопротивлений. У мощных транзисторов это отношение не столь велико, тем не менее, омметр позволяет их различить.

Из эквивалентной схемы биполярного транзистора вытекает, что с помощью омметра можно определить тип проводимости транзистора и назначение его выводов (цоколевку). Сначала определяют тип проводимости и находят вывод базы транзистора. Для этого один вывод омметра подключают к одному выводу транзистора, а другим выводом омметра касаются поочередно двух других выводов транзистора. Затем первый вывод омметра подключают к другому выводу транзистора, а другим выводом омметра касаются свободных выводов транзистора. Затем первый вывод омметра подключают к третьему выводу транзистора, а другим выводом касаются остальных.

После этого меняют местами выводы омметра и повторяют указанные измерения. Нужно найти такое подключение омметра, при котором подключение второго вывода омметра к каждому из двух выводов транзистора, не подключенных к первому выводу омметра, соответствует небольшому сопротивлению (оба перехода открыты).

Тогда вывод транзистора, к которому подключен первый вывод омметра, является выводом базы. Если первый вывод омметра является плюсовым, значит, транзистор относится к n-p-n проводимости, если — минусовым, значит, p-n-р проводимости. Теперь нужно определить, какой из двух оставшихся выводов транзистора является выводом коллектора.

Для этого омметр подключается к этим двум выводам, база соединяется с плюсовым выводом омметра при n-р-n транзисторе или с минусовым выводом омметра при р-n-р транзисторе и замечается сопротивление, которое измеряется омметром. Затем выводы омметра меняются местами, (база остается подключенной к тому же выводу омметра, что и ранее) и вновь замечается сопротивление по омметру. В том случае, когда сопротивление оказывается меньше, база была соединена с коллектором транзистора. Полевые транзисторы проверять не рекомендуется.

Проверка микросхем

При помощи омметра можно производить проверку тех микросхем, которые представляют собой набор диодов или биполярных транзисторов. Таковы, например, диодные сборки и матрицы КДС111, КД906 и микросхемы К159НТ, К198НТ и другие.

Проверка диода, транзистора производится по уже описанной методике. Если неизвестно назначение выводов сборки или микросхемы, оно также может быть определено, хотя из-за наличия нескольких транзисторов в одном корпусе приходится проводить более громоздкие измерения. При этом нужно установить систему подключения омметра к выводам, чтобы выполнить все возможные комбинации.

Поделиться в соц. сетях

Нравится

(Посещений: 1 108, из них сегодня: 1)

Ремонт, Электроникадиоды, катушки, конденсаторы, микросхемы, мультиметр, проверка, резисторы, ремонт, тестер, тиристоры, транзисторы

Понравилась публикация? Почему нет? Оставь коммент ниже или подпишись на feed и получай список новых статей автоматически через feeder.

Проверка биполярного транзистора мультиметром в штатном режиме

Чтобы гнездо проверки биполярных транзисторов начало работать (вести измерения), переведем тестер в режим hFE. Откуда взялись буквы? h – касается категории параметров, описывающих четырехполюсник любого типа. Не важно знать, что подразумевает понятие – просто уясним: существует целая группа h-параметров, среди которых имеется один важный занимающимся электроникой. Называется коэффициентом усиления по току с общим эмиттером. Обозначается, h31 (либо строчной греческой буквой бета).

Цифровая мнемоника плохо воспринимается человеческим глазом, поэтому было решено (за рубежом, понятное дело), что F будет обозначать прямое усиление по току (forward current amplification), тогда как E говорит, что измерение велось в схеме с общим эмиттером (которая применяется учебниками физики для иллюстрации принципов работы транзисторов биполярного типа). Схем включения много, каждая обладает достоинствами, параметры можно охарактеризовать через h31 (некоторые другие, упомянутые справочниками). Считается, если коэффициент усиления в норме, радиоэлемент 100% работоспособен. Теперь читатели знают, как проверяется p-n-p транзистор или n-p-n транзистор.

h31 зависит от некоторых параметров, указываемых инструкцией мультиметра. Напряжение питания 2,8 В, ток базы 10 мА. Дальше берутся графики технической документации (data sheet) транзистора, профессионал знает, как найти остальное. При включении режима hFE, подсоединении ножек биполярного транзистора в нужные гнезда на дисплее появляется значение коэффициента усиления прибора по току. Потрудитесь сопоставить справочным данным, сделав поправку на режим измерения (если понадобится). Только звучит сложно, достаточно пару раз сделать самостоятельно, добьетесь результатов.

Зачем нужно проверять транзистор

Транзистором в современной трактовке называется полупроводниковый радиоэлемент, главная задача которого — изменять параметры тока и управлять им. Все без исключения транзисторы имеют три ножки (они еще называются выводами), каждый из которых называется по-своему: база, эмиттер и коллектор. Физические их размеры удивляют своим многообразием: начиная от тех малюток, которые используются в микросхемах с размером всего в несколько нанометром, и заканчивая мощнейшими для применения в энергетических устройствах размерами, в диаметре достигающие нескольких сантиметров.

Сама конструкция представляет собой корпус, внутри которого находятся полупроводниковые прослойки. Для их изготовления применяются такие материалы, как кремний, германий и другие. Ученые в результате исследований на тему введения новых материалов для этой роли, пришли к выводу, что вполне могут использоваться полимеры, не все, а лишь некоторые их виды.

Транзисторы по технологии из производства подразделяют на два вида:

  • Биполярные – они в свою очередь тоже подразделяются на: npn транзистор и pnp. Работают они абсолютно одинаково, единственное, что отличает их -это лишь полярность напряжений, которые подаются на n-p-n и p-n-p переходы. Часто этот вид транзисторов называют обычными, поскольку их используют намного чаще.

  • Полевые – созданы как противоположность биполярных. У них большое входное сопротивление, они дешевле и технологичнее первых. Из-за большого входного сопротивления они почти что не потребляют ток управления. Они могут быть с каналом n-типа и p-типа.

Практически каждый из нас сталкивался с тем, когда из-за поломки какой-нибудь детали перестает работать всё устройство. Для этого надо провести проверку, исключить целые детали, выявить сломанную и заменить ее.

Любая электрическая схема, несомненно, требует правильной и тщательной сборки, и все элементы, входящие в эту схему, должны быть исправны – только тогда все будет работать. Транзисторы невероятно распространены в радиотехнической сфере, поэтому нужно обязательно знать и уметь проверить его и определить стоит его использовать дальше или выбросить и установить новый. Для того, чтобы проводить проверку нужно знать его модель и тип. В зависимости от этого выбирается способ проверки, так как он не один и работоспособность транзистора осуществляется разными методами и зависит от его типа.

Как показывает практика, транзисторы — это те детали, которые сгорают чаще всех. Самые частые причины можем перечислить:

  • Повреждены выводы транзистора
  • Потеря мощности
  • Пробои перехода
  • Пробои на участке эмиттера или коллектора
  • Обрыв одного из переходов

Провести их проверку совсем не сложно. Первым делом нужно хорошо осмотреть транзистор, сделать его визуальную оценку, при этом не отделяя его от схемы. Он должен выглядеть так, каким он был при установке. Если на нем появились темные пятна, либо полностью поменялся цвет, каким-то образом изменилась его форма – все это прямой показатель того, что транзистор не работает, он сломан и нуждается в замене.

Повреждение может произойти по нескольким причинам: это может быть из-за перегрева при производстве паяльных работ, из-за неправильной эксплуатации устройства.

Проверка транзисторов мультиметром: нештатный режим

Допустим, вызывает сомнение исправность транзистора полевого типа. Известный русский вопрос в электронике присутствует. Начинают думать… м-да.

  • Полевой транзистор отпирается или запирается определенным знаком напряжения. Обсуждали выше. Если помните, говорили, при прозвонке на щупах тестера небольшое постоянное напряжение. Будем использовать в наших тестах. Пока транзистор на плате, сложно сделать измерения, стоит изъять из привычного окружения, как можно применить нестандартные методики. Оказывается, если приложить на электрод отпирающее напряжение, за счет некоторой собственной емкости транзистора область зарядится, сохраняя приобретенные свойства. Допускается прозвонить электроды между истоком и стоком. Сопротивление порядка 0,5 кОм покажет: полевой транзистор работоспособен. Стоит закоротить базу с другими отводами, проводимость исчезнет. Полевой транзистор закрылся и годен.
  • Биполярные транзисторы, полевые с управляющим p-n переходом проверяют гораздо проще. В первом случае применяется схема замещения элемента двумя диодами, включенными навстречу (или наоборот спинками). Подадим отпирающее напряжение (p – плюс, n – минус), получив на измерителе сопротивления номинал 500 – 700 Ом. Можно также звонить, пользуясь слухом. Недаром на шкале часто нарисован диод. Прозвонка используется для проверки работоспособности. Напряжения хватает открыть p-n-переход.

Подготовка к проверке транзистора

Временами схватишь руками составной транзистор. Внутри корпуса находиться несколько ключей. Используется для экономии места при одновременном увеличении коэффициента усиления (причем в десятки, тысячи раз, если речь шла о каскадной схеме). Устроен так транзистор Дарлингтона. В корпус зашит защитный стабилитрон, предохраняющий переход эмиттер-база от перегрузки по напряжению. Тестирование идет одним путем:

  • Нужно найти подробные технические характеристика транзистора (составного элемента). При нынешнем масштабе компьютеризации не составит проблемы. Даже если изделие импортное. Обозначения на схемах понятные, термины не сложные. Параметр hFE расписали.
  • Затем ведется изучение, выполняется анализ. Разбиение схемы на более простые составляющие. Если между переходами коллектора и эмиттера включен стабилитрон, логично начать проверку с него. В начальный момент транзистор заперт, ток мультиметра пойдет, минуя защитный каскад. В одном направлении стабилитрон даст сопротивление 500-700 Ом, в другом (если не пробьется) будет обрыв. Аналогично разобьем на части транзистор Дарлингтона, если имеете представление (обсуждали выше).

Режим прозвонки покажет цифры. Говорят, падение напряжения, по некоторым сведениям, номинал сопротивления. Потрудимся привести опыты, решая вопрос. Вызвонить известный по значению сопротивления, заведомо исправный резистор. Если на экране появится номинал в омах, думать нечего. В противном случае можно оценить заодно ток (разделив потенциал дисплея на номинал). Знать тоже нужно, пригодится в процессе тестирования. До начала работ рекомендуется хорошенько изучить мультиметр. Достаньте инструкцию из мусорной корзины, прочитайте.

Народ интересуется вопросом, можно ли проверить транзистор мультиметром, не выпаивая. Очевидно, многое определено схемой. Тестер просто прикладывает напряжения, оценивает возникающие токи. На основе показаний вычисляется коэффициент усиления, служа критерием годности/негодности. Попробуйте проверить полевой транзистор мультиметром из входящих в состав процессора! Отбрось надежду всяк сюда входящий. Не всегда можно прозвонить полевой транзистор мультиметром.

Как проверить транзистор мультиметром

Универсальный прибор, которому по плечу проверка любого транзистора, вне зависимости от его разновидности – это мультиметр. При этом он тоже может быть любым — как современным с жидкокристаллическим дисплеем, так и аналоговым.

При выборе аналогового прибора нужно выбирать его нижний предел, но для этого сначала нужно вспомнить каким образом проверяются обычные диоды. При получении результатов замеров в случае использования именно аналогового вида они отслеживаются по стрелке, на приборе имеются показатели силы тока, сопротивления и напряжения. Некоторые мультиметры оснащены не очень удобной шкалой, что по большому счету ни на что не влияет, кроме как на то, что новички могут быть недовольны пользованием, так как такие измерения доставляют небольшие сложности при считывании результатов. Эти приборы достаточно распространены, они более доступны из-за их невысокой стоимости, однако их главный недостаток – это большая погрешность при замерах. Конечно, в них имеется возможность подобраться к более точным результатам, используя специальный резистор, однако, все равно, для мастера получение более точных результатов должно стоять на первом месте.

Цифровые мультиметры обладают высокой точностью и результаты их работы выводятся на дисплей, они просты в применении, не нужно вглядываться в шкалу и высчитывать доли показаний.

Обязательно перед началом измерений, как уже упоминалось ранее, нужно выяснить марку и тип проверяемого транзистора. Это делается с использованием справочных материалов, каких сейчас огромное множество в свободном доступе. Метод прозвонки тоже может помочь это определить.

Для того, чтобы приступить необходима распиновка, то есть определение местоположения всех трех выводов, поскольку у разных транзисторов они на разных местах.

Всегда начинают с определения нахождения базы, это делается путем перебора, измерительный прибор переходит в режим для прозвонки. Плюсовой щуп подцепляется к левому выводу, а второй присоединяем сначала к центральному, а затем к правому. Допустим, что тестер выдает единицу при первом положении, а во втором положении щупов появляются какие-нибудь показания, например, 500 мВ. Это ни о чем не говорит, поэтому делать какие-то выводы очень рано. После этого крепим положительный щуп к на середину, и оставшийся присоединяем сначала к левому, а затем и к правому выводам. Теперь тестер показывает единицу при первом соединении, а во втором — выдает значение, к примеру, 495 мВ. Полученные данные также не позволяют дать получить ответ. Поэтому переходим к следующему этапу: плюсовой щуп цепляем к правому выводу, а оставшийся второй как в предыдущих случаях, крепим к выводам, которые свободны: сначала к тому, что посередине, затем к левому. Если прибор в первом сочетании отражает единицу, во второй сочетании тоже единицу, то вывод из этого следует всего один: база транзистора расположена справа.

Треть дела сделана, поэтому сейчас нам нужно определить какие оставшиеся выводы где находятся. Переключаем наше измерительное устройство на измерение сопротивления 200кОм. Используем не только оставшиеся выводы, база нам тоже пригодится. Прикрепляем минусовой щуп на нее, а плюсовой присоединяем поочередно к тем выводам, наименование которых нам пока неизвестно. При этом смотрим на индикатор. Получаем два значения, например, на одном — 119 кОм, а на втором – 114,2 кОм. Заучив главное правило: где меньше сопротивление, там коллекторный вывод, мы легко получаем искомые данные,

Чтобы проверить работоспособность полевого транзистора нужно подсоединить красный щуп на его базу, а оставшийся подсоединить к коллектору и зафиксировать замер. После этого, черным щупом подсоединяемся к эмиттеру и опять снимаем замеры. Если переходы транзистора не пробиты, по падение напряжения на переходе «коллектор-эмиттер» должно быть в пределах от 300 до 750 мВ.

Затем приступаем к обратному измерению коллекторного и эмиттерного перехода. В процессе замеров на дисплее появится единица, что будет означать, что в данном режиме измерения, который мы выбрали, нет падения напряжения.

Данный алгоритм вполне подойдет для элементов, которые находятся на плате. Бывают такие случае, когда можно обеспечить полноценную проверку и не отсоединять его. Но нужно учитывать, что существуют дополнительные факторы, которые могут отражаться на значениях, выдаваемых измерительными приборами. Чтобы это вовремя пресечь нужно следить за показаниями эмиттерного и коллекторного перехода, эти значения не должны быть очень маленькими. Если вдруг это случилось, и вы видите низкие данные, то лучше отсоединить транзистор и переделать замеры.

Переходим к тому, как при помощи все того же мультиметра определить нерабочее состояние транзистора. Здесь все очень просто. Если на дисплее нет падения напряжения или же прибор показывает бесконечность при замере сопротивления прямого и обратного переходов, т.е. при прозвонке прибор выдает единицу – это свидетельствует о неисправности. Второй вариант заключается в том, что выявляется слишком большое падение напряжения на полупроводнике или величина сопротивления прямого и обратного перехода близка к нулю. Это доказательство того, что само строение внутри элемента нарушено и работать он уже не будет.

Для проверки транзисторов подойдет такой прибор как авометр. Он очень похож на мультиметр, но отличается тем, что в нем отсутствует режим прозвонки полупроводников. При использовании авометра нужно помнить, что полярность при установке режима омметра обратная, если сравнивать ее с режимом замера постоянного напряжения. Чтобы запомнить этот момент нужно при измерении красный щуп включать в гнездо «-».

Разбить биполярный транзистор на диоды

Рисунок, представленный среди текста, демонстрирует схему замещения транзистора двумя диодами. Позволит рассматривать усилительный элемент, представив суммой двух независимых более простых. Не обладающих усилением, проявляющих нелинейные свойства (неодинаковость прямого/обратного включения).

Мощные транзисторы силовых цепей бессилен открыть скудными силами мультиметр. Поэтому для тестирования устройств применяются специальные схемы. Нельзя проверить биполярный транзистор мультиметром напрямую.

Проверка диода

Проверка условных диодов, замещающих транзистор

Методик несколько. Можно попробовать измерить сопротивление стандартной шкалой Ω. Красный щуп нужно прикладывать к p-области. Тогда дисплей мультиметра покажет цифру, меньшую бесконечности. В противоположном направлении результат будет нулевым. Мультиметр покажет обрыв. Нормальные результаты прозвонки диода.

Если пользоваться специальным режимом, экран показывает размер сопротивления в прямом направлении, обрыв (стандартно единичка в левом углу ЖК-экрана) в другом. Обратите внимание – рисунок содержит поясняющие надписи, куда прислонять щуп, получая открытый p-n переход. В обратном направлении прибор показывает обрыв.

Как проверить биполярный транзистор, не выпаивая из схемы

Отсоединение транзистора от устройства, не только транзистора, но и любой другой детали — очень тонкое и почти ювелирное дело. Если это сделать неаккуратно, допустить хоть малейшую ошибку, то возможно прибор уже не удастся реанимировать, и он поедет на помойку. Чтобы выполнить проверку непосредственно на схеме можно действовать таким путем. Сначала, конечно же, транзистор должен быть визуально осмотрен, смысла в проверке не будет, если он выглядит плохо, имеет какие-либо повреждения.

Можно воспользоваться методом, который называется «прозвонка транзистора». Это методе заключается в проведении некоторого алгоритма отлаженных действий. Переводим прибор в режим измерения сопротивления.

Поскольку транзисторы трехвыводные, то будем считать, что это сродни двум диодам. Для прозвонки использоваться будет шесть вариантов – каждые два контакта будут проверяться в двух направлениях.

  • Комбинация номер один — «база – эмиттер» — ток должен проводиться лишь в одну сторону, а само соединение должно быть похоже на диод.
  • Вторая комбинация «база – коллектор» — ток проводится также лишь в одну сторону.
  • Третье сочетание «эмиттер – коллектор» — ток не должен проводиться ни в одну из сторон.

Этот алгоритм действий был приведен на основе рассмотрения npn транзистора. В случае проведения такого же набора действий на pnp транзисторе картина принципиально отличаться не будет — она будет подобна, но с перевернутыми диодами. Чтобы это сделать щуп черного цвета соединяем с базой, а другим осторожно последовательно нужно дотронуться сначала эмиттера, а затем коллектора. При этом нужно отслеживать данные, которые будет показывать экран: если транзистор пригоден к использованию, то тестер покажет значение прямого сопротивления с приблизительным значением от 400 до 900 Ом.

Как провести проверку обратного сопротивления? Итак, красный щуп необходимо приложить к базовому выводу, второй щуп последовательно выполняет касания к оставшимся выводам. Смотри на прибор, он выдаст нам на двух переходах большой показатель сопротивления, в виде отражения единицы на экране, то есть оба перехода в работоспособном режиме, впрочем, как и транзистор, который мы тестируем.

Эта методика как раз рассказывает, как же выполнить проверку транзистора, оставляя его на схеме и не вырезая его со схемы. Все получится по той причине, что переходы мультиметра не зашунтированы резисторами. Если случится и прибор начнет отображать очень малые величины прямого сопротивления и обратного переходов сочетания «эмиттер-коллектор», то тогда нужно этот вопрос пересмотреть, и скорее всего необходимо будет произвести отсоединение транзистора.

Прежде чем мультиметром проверить транзистор типа npn, нужно щуп красного цвета соединить с базой, каким образом определив прямое сопротивление. Исправность устройства определяется таким же методом, как и транзистор pnp. Признаком неисправности может служить обрыв одного из переходов, где выявлена очень большая величина прямого или обратного сопротивления. Транзистор можно отправить в мусорное ведро, если на экране появляется нулевое значение.

Нужно запомнить, что этот способ ни в коем случае нельзя применять для полевого транзистора, он не подойдет, а применим лишь для биполярного. Поэтому прежде чем ринуться к транзистору и мультиметру, нужно обязательно проверить к какому типу транзисторов относится тот, который вы собрались проверить. После этого надо проверить сопротивление между коллектором и эмиттером. Делается это для исключения замыканий, ни в коем случае они не должны появиться.

Второй способ подразумевает использование омметра: будет замеряться только сопротивление, поскольку данный прибор не обладает никакими другими способностями, между выводами эмиттера и коллектора, соединив при этом выводы базовый и коллекторный, а затем базовый и эмиттерный. Первым делом, подключаем измерительный прибор последовательно сначала к первой паре выводов, потом ко второй паре выводов, потом к третьей. Нужно учесть, что полярность должна быть перенастроена. Поскольку переходы транзистора и есть полупроводниковые диоды, то тестирование проводится в точности также. Подключение омметра производят к соответствующим выводам транзистора.

Если транзистор может работать, то прямые сопротивления переходов равны примерно от 30 до 50 Ом, а обратные сопротивления от 0,5 до 2 Мом. Если показатели, полученные при проведении замеров, будут очень сильно разниться с указанными значениями, то этот транзистор неисправен. Проверка ВЧ транзисторов напряжение батареи измерительного прибора не должно быть больше полутора Вольт.

Резюме о проверке транзистора мультиметром

Некоторые радиолюбители скажут, что это никак не сделать, если у мультиметра нет функции измерения коэффициента усиления.

Но здесь надо обратить внимание на 3 момента:

  • надо различать измерение усилительных свойств и простую проверку работоспособности;
  • для проверки исправности достаточно знаний из школьного курса физики — как работает pn переход;
  • если прочитав первые два пункта, вы, обрадовавшись, что не все так плохо и решите купить цифровой мультиметр, достаточно самого дешевого, безбрендового, где даже нет функции проверки диодов, а достаточно режима измерения сопротивления.

Методика

Проверку надо производить, предварительно выпаяв радиодеталь из печатной платы паяльником, иначе ток, который должен идти через транзистор будет «путешествовать» произвольным образом по печатным дорожкам платы, не позволяя установить истину, а если транзистор новый, то тогда вообще без вопросов — паять ничего не надо.

Если выводы жесткие, что обычно встречается в мощных силовых транзисторах, импульсных, или низкочастотных, то достаточно положить деталь на стол, чтобы прикоснуться измерительными щупами.

  1. Включаем мультиметр, вставляем в разъемы щупы.
  2. Переключаем в режим теста диодов (если он есть) или измерения сопротивления (если его нет) и вспоминаем, что транзисторы схематически и электрически состоят из двух полупроводниковых диодов, один из выводов каждого соединен с другим. Это и есть база, которую нужно для начала найти.
  3. Далее, начинаем касаться кончиками наконечников контактов. Поставьте красный щуп на центральный контакт, а черным прикасайтесь к крайним контактам. Если мультиметр показывает падение напряжения на крайних контактах, значит, у вас NPN биполярный транзистор. Для проверки PNP транзисторов нужно касаться красным щупом крайних выводов, а на центральном выводе оставить черный щуп.
  4. Если падение напряжения у NPN транзистора приблизительно одинаково и собственно вообще присутствует, значит транзистор исправен. При прикосновении красного щупа к крайним выводам транзистора падение будет наблюдаться на центральном — PNP транзистор исправен.
  5. Если у мультиметра нет функции тестирования диодов, необходимо переключаться в режим измерения сопротивления, которой обладают все мультитестеры. Этот метод универсальный. В любом случае, если деталь исправна, от базы к коллектору или эмиттеру будет проходить ток, а вот в обратном направлении не будет. Если же ток будет проходить в обоих направлениях — транзистор неисправен.

Поделиться в соцсетях

Как проверить IGBT транзистор, принцип работы IGBT.

Принцип работы IGBT транзисторов основан на применении n-канального МОП-транзистора малой мощности для управления мощным биполярным транзистором. Таким образом, удалось совместить достоинства биполярного и полевого транзистора. Малая управляющая мощность, высокое входное сопротивление, большой уровень пробивных напряжений, малое сопротивление в открытом состоянии — позволяют применять IGBT в цепях с высокими напряжениями и большими токами.

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT или БТИЗ) целесообразно использовать в сильноточных, высоковольтных ключевых схемах. Сварочные аппараты, источники бесперебойного питания, приводы электрических двигателей, мощные преобразователи напряжения – вот сфера применения таких элементов.

Названия выводов IGBT: затвор, эмиттер, коллектор.

Биполярные транзисторы с изолированным затвором способны коммутировать токи в тысячи ампер, напряжение эмиттер-коллектор может достигать несколько киловольт. Но частота работы этих транзисторов значительно ниже, чем частота полевых транзисторов.

Как проверить IGBT транзистор мультиметром

Проверяется IGBT FGh50N60SFD. IGBT часто пробиваются накоротко, такие неисправные транзисторы легко выявить с помощью мультиметра. Перед проверкой IGBT транзистора мультиметром, необходимо обратиться к справочным данным и выяснить назначение его выводов.

Затем произвести следующие действия:

1. Переключить мультиметр в режим «прозвонка». Произвести измерение между затвором и эмиттером для выявления возможного замыкания.

2. Произвести измерение между затвором и коллектором для выявления возможного замыкания.

3. На секунду замкнуть пинцетом или перемычкой эмиттер и затвор. После этого транзистор будет гарантированно закрыт.

4. Соединить щуп мультиметра «V/Ω» с эмиттером, щуп «СОМ» с коллектором. Мультиметр должен показать падение напряжения на внутреннем диоде.

5. Соединить щуп мультиметра «V/Ω» с коллектором, щуп «СОМ» с эмиттером. Мультиметр должен показать отсутствие замыкания и утечки.

Для более надежной проверки IGBT транзистора можно собрать следующую схему:

При замыкании контактов кнопки лампочка должна загораться, при размыкании – тухнуть.

В этом видео показано как проверить IGBT мультиметром:

Опубликовано 05.11.2016

Как узнать, неисправен ли MOSFET

Ниже приведены инструкции о том, как узнать, неисправен ли MOSFET. Это наиболее распространенные методы, которые можно использовать для проверки неисправности полевого МОП-транзистора.

Шаг № 1 о том, как узнать, неисправен ли MOSFET

: Проверка диодов

Первое, что мы попробуем узнать, неисправен ли MOSFET, — это проверить падение диода. Возьмите цифровой мультиметр и установите его в диодный режим. Для NMOS выполните настройку ниже.

Для PMOS выполните настройку, указанную ниже.

Хороший полевой МОП-транзистор должен иметь показания от 0,4 В до 0,9 В (в зависимости от типа полевого МОП-транзистора). Если показание равно нулю, МОП-транзистор неисправен, а когда показание «открыто» или нет, МОП-транзистор также неисправен.

Когда вы меняете местами подключения датчиков цифрового мультиметра, показания должны быть «открытыми» или отсутствовать для исправного полевого МОП-транзистора. Если показание равно нулю, МОП-транзистор неисправен.

Шаг 2, как узнать, неисправен ли полевой МОП-транзистор

: Проверка сопротивления

Следующий метод определения неисправности полевого МОП-транзистора — проверка сопротивления.Хороший полевой МОП-транзистор должен иметь высокое сопротивление между стоком и истоком независимо от полярности датчика цифрового мультиметра.

Затвор исток также имеет высокое сопротивление в любом случае для хорошего полевого МОП-транзистора. Однако вы должны принять во внимание, что когда вы помещаете положительный вывод цифрового мультиметра на затвор, а отрицательный — на источник NMOS, полевой МОП-транзистор включается. Вы можете ошибочно решить, что МОП-транзистор неисправен, когда измеряете сопротивление сток-исток, поскольку цифровой мультиметр покажет 0 Ом. Итак, чтобы избежать этого сценария, убедитесь, что на затворе разрядился заряд.

То же самое с PMOS, когда вы подключаете положительную клемму к источнику, а отрицательную клемму цифрового мультиметра к затвору, MOSFET включается.

Если вы измеряете сопротивление вывода MOSFET на вывод, вы должны учитывать соответствующие резисторы, поскольку они влияют на показания. Например, в приведенной выше схеме, когда вы измеряете сопротивление между затвором и источником, вы читаете не высокое сопротивление, а значение R1, равное 10 кОм. Удаление резистора 10 кОм повысит показание.

Шаг № 3 о том, как узнать, неисправен ли MOSFET

: Проверка целостности

Третий метод определения неисправности полевого МОП-транзистора — это проверка целостности цепи. Установите цифровой мультиметр в режим проверки целостности цепи. В современных цифровых мультиметрах режим непрерывности обычно имеет слышимый звук при подключении измеренных точек. Подключите плюсовой провод к стоку, а отрицательный от цифрового мультиметра к источнику или наоборот, когда показание равно нулю или звук цифрового мультиметра не исчезает, устройство повреждено; закороченный сток-исток.

Используйте тот же подход к другим выводам полевого МОП-транзистора и сделайте то же самое. Однако, когда вы подключаете положительный полюс цифрового мультиметра к затвору, а отрицательный — к источнику для NMOS или наоборот для PMOS; прибор включится и при измерении непрерывности между стоком и истоком; чтение равно нулю. Вы можете ошибиться в том, что MOSFET неисправен. Итак, убедитесь, что вентиль всегда разряжается до источника.

Для проверки выключите прибор и снова измерьте целостность.Чтобы выключить NMOS, подключите положительную клемму цифрового мультиметра к источнику, а отрицательную клемму — к затвору. Сделайте иначе, чтобы выключить PMOS. Хороший полевой МОП-транзистор не должен иметь непрерывности между клеммами. Если да, то действительно неисправен.

Краткое изложение того, как узнать, неисправен ли MOSFET

Вышеуказанные методы являются общими для того, чтобы узнать, неисправен ли MOSFET. Я знаю, что есть несколько других техник. Поэтому я предлагаю объединить вышеперечисленные методы с другими методами, которые вы изучили, чтобы вы могли точно устранять неполадки.

Если вам интересно узнать, как искать и устранять неисправности диодов, прочтите «Как узнать неисправный диод». С другой стороны, если вам интересно узнать, как устранить неполадки BJT, прочтите «Как узнать, неисправен ли транзистор». Если вы хотите узнать больше о полевых МОП-транзисторах, прочтите «Расчетные уравнения силовых полевых МОП-транзисторов».

Следите за electronicsbeliever.com:

https://www.facebook.com/electronicsbeliever

Связанные

Тестирование полевого МОП-транзистора — Как провести эффективный тест

Тест MOSFET — это тип транзистора, который использует напряжение для регулирования степени проводимости.Относится к полевым транзисторам.

Уровень приложенного напряжения определяет изменение проводимости полевого МОП-транзистора. Это свойство делает устройство пригодным для регулирования и усиления сигналов так же, как переключатель.

Тем не менее, полевой МОП-транзистор — сложное устройство, которое также сложно настроить. Таким образом, проверка его эффективности является сложной задачей. Если вы хотите узнать, как проверить полевой МОП-транзистор, мы подробно расскажем вам.

1.Когда нам нужно тестировать полевой МОП-транзистор?

Рисунок 1: Детали полевого МОП-транзистора

Тестирование полевого МОП-транзистора перед его подключением к цепи — важная вещь для защиты других компонентов. МОП-транзистор состоит из трех основных частей. Они включают сток, исток и затвор. При использовании неисправного полевого МОП-транзистора происходит замыкание стока на затвор. Это вредно для схемы.

Результирующим эффектом этого короткого замыкания может быть обратная связь по напряжению стока, которая также влияет на вывод затвора.Достигнув этого вывода, напряжение далее проходит в схему драйвера через резистор затвора. Эта трансмиссия может привести к дальнейшему повреждению схемы привода. Предотвращение таких повреждений — вот почему перед использованием полевого МОП-транзистора необходимо провести его тестирование, чтобы не повредить всю схему.

2. Компоненты, необходимые для тестирования полевого МОП-транзистора

Рисунок 2: Цифровой мультиметр

При тестировании полевого МОП-транзистора сначала необходимо собрать необходимые компоненты.Наиболее часто используемый MOSFET — это N-канальный MOSFET, также известный как NMOS. Для тестирования N-канального MOSFET требуются следующие элементы:

  • Источник питания 5 В постоянного тока
  • Один измерительный прибор — это может быть омметр или мультиметр с диапазоном сопротивления.
  • Один мультиметр с диодным режимом
  • A Q1 MOSFET
  • Один резистор 100E
  • Один резистор 10 кОм
  • Один резистор 220E
  • Один светодиод общего назначения
  • Один кнопочный переключатель

3.Как проверить полевой МОП-транзистор?

Вы можете использовать два основных метода для проверки эффективности полевого МОП-транзистора. К ним относятся: использование измерительного прибора и электронных компонентов.

Метод 1: Использование измерительного прибора

Рисунок 3: Цифровой мультиметр

Этот метод включает проверку работоспособности полевого МОП-транзистора с помощью омметра или мультиметра. Для этого варианта вы можете использовать любой из следующих трех основных способов.

  • Проведите проверку диодов.Для этой операции потребуется мультиметр с диодным режимом.
  • Испытание на сопротивление.
  • Вы также можете использовать мультиметр и омметр в диодном режиме

Метод 2: Тестирование полевого МОП-транзистора с использованием электронных компонентов

Этот метод требует сборки тестовой схемы для проверки правильности работы полевого МОП-транзистора.

Рисунок 4: Электрическая плата

Метод 3: Тестирование полевого МОП-транзистора с помощью измерительного прибора

Рисунок 5: Измерительный прибор

Тестирование MOSFET – диода

Провести этот тест несложно, так как нужен только мультиметр с диодным режимом.МОП-транзистор имеет внутренний диод. Поэтому в NMOS основной диод обычно проходит от истока к стоку. В этом случае анод находится у истока, а катод — у стока.

Полученное значение зависит от типа диода. Когда полевой МОП-транзистор находится в режиме прямого смещения, падение напряжения на диоде в разной степени меньше. Для большинства полевых МОП-транзисторов прямое падение составляет примерно от 0,4 до 0,9 В.

Когда NMOS имеет обратное смещение, диод работает как цепь.Вероятно, неисправен диод, показания которого не соответствуют этому диапазону. Диод, который тоже показывает ноль на мультиметре, тоже неисправен.

Рисунок 6: Мультиметр показывает нулевое показание

Ниже приведены некоторые из важнейших этапов проверки проводимости полевого МОП-транзистора с помощью проверки диодов:

  1. Сначала убедитесь, что мультиметр находится в режиме диода.
  2. Для тестирования NMOS подключите красный датчик мультиметра к истоку MOSFET, а черный датчик — к стоку.При этом основной диод находится в режиме прямого смещения. В этом режиме мультиметр должен показывать показания в диапазоне от 0,4 В до 0,9 В. Если мультиметр показывает нулевое значение или отсутствие показаний, этот полевой МОП-транзистор неисправен.
  3. Поменяйте местами подключения датчиков, чтобы создать разрыв цепи. Мультиметр не должен показывать никаких показаний в этом режиме, поскольку диод теперь имеет обратное смещение. Если мультиметр показывает любое показание, отличное от нуля, прибор неисправен.

Проверка сопротивления MOSFET

Рисунок 7: Омметр

Когда нет запускающего импульса на выводе затвора полевого МОП-транзистора, его сопротивление от стока к истоку высокое.Тест сопротивления использует это свойство для проверки неисправности полевого МОП-транзистора. Этот тест также прост, и для его выполнения требуется только омметр. Ниже приведены некоторые из основных этапов проведения теста на сопротивление:

  1. Правильно функционирующий полевой МОП-транзистор должен указывать на высокое сопротивление между стоком и истоком независимо от подключения щупов омметра. Следовательно, полярность подключения не имеет значения для результата теста.
  2. Вы также можете использовать омметр вместо мультиметра для проверки сопротивления стока к истоку.Переведите мультиметр в режим сопротивления, чтобы начать тест. Вы должны получить показания, указывающие на чрезвычайно высокое сопротивление. Сопротивление полевого МОП-транзистора настолько велико, что это значение должно быть в мегаомах.
  3. Сравните показание, полученное в результате этого показания, с таблицей данных MOSFET. Если вы обнаружите, что значение сопротивления меньше, чем указано в таблице данных или равно нулю, это неисправно. Измеритель или омметр должны показывать сопротивление, указанное в таблице данных.

Проверка полевого МОП-транзистора — с помощью омметра и мультиметра в диодном режиме

Рисунок 8: MOSFET на материнской плате

При проверке эффективности полевого МОП-транзистора с помощью этого метода запускается терминал затвора устройства.В свою очередь, это приводит к тому, что сопротивление стока к истоку становится очень низким. Фактическое значение, до которого падает это сопротивление, зависит от типа полевого МОП-транзистора.

Вы можете запустить полевой МОП-транзистор с помощью мультиметра, поскольку у него есть источник питания, обычно батарея. Поэтому, когда вы устанавливаете измеритель в диодный режим, он будет действовать как источник питания полевого МОП-транзистора. Тем не менее, вам необходимо принять некоторые меры предосторожности.

Убедитесь, что пороговое напряжение полевого МОП-транзистора не слишком велико.Пороговое напряжение должно быть в пределах диапазона мультиметра для оптимальной работы.

Рисунок 9: Различные модели полевых МОП-транзисторов

Ниже приведены некоторые из основных шагов при выполнении этого теста:
  1. Используйте тест сопротивления, чтобы определить сопротивление стока к истоку. Было бы полезно, если бы вы записали значение сопротивления стока до истока полевого МОП-транзистора в выключенном состоянии. Вы будете использовать это значение для справки на следующем шаге.
  2. Запустить полевой МОП-транзистор. Для этого сначала убедитесь, что мультиметр находится в диодном режиме. Затем подключите черный зонд к стоку полевого МОП-транзистора, а затем поместите красный зонд на затвор на несколько секунд. Этот процесс запустит вентиль, и MOSFET должен включиться через этот запуск.
  3. С помощью омметра проверьте сопротивление между стоком и истоком полевого МОП-транзистора. Следует ожидать очень низкого показания омметра, которое на этом этапе стремится к нулю. Если вы получите такое показание, значит, полевой МОП-транзистор находится в хорошем состоянии.
  4. Затем вам нужно проверить таблицу MOSFET, чтобы подтвердить сопротивление стока до истока, когда устройство включено. Сравните значение в таблице данных устройства с вашими показаниями. Если ваши показания значительно отличаются от значений, указанных в таблице данных устройства, полевой МОП-транзистор неисправен. Кроме того, если ваши показания совпадают с показаниями полевого МОП-транзистора в закрытом режиме, у него есть неисправности.
  5. Если вы обнаружите, что показание, когда полевой МОП-транзистор находится во включенном режиме, соответствует значению в таблице данных, вам необходимо провести дополнительные тесты.Сначала разрядите полевой МОП-транзистор, закоротив сток или затвор. Можно использовать палец или перемычку.
  6. Наконец, вам необходимо проверить сопротивление между стоком и истоком, используя метод сопротивления. Это показание должно быть аналогично предыдущему показанию устройства в выключенном состоянии. Если это не так, MOSFET неисправен.

Метод 2: Тестирование полевого МОП-транзистора с использованием электронных компонентов.

Этот метод требует сборки тестовой схемы для проверки правильности работы полевого МОП-транзистора.

Рисунок 10: Электронная плата

Этот метод гарантирует получение наиболее точных результатов при проверке эффективности полевого МОП-транзистора. Тем не менее, сначала вам нужно будет собрать схему, выполнив следующие действия:
  1. Создайте импульс запуска стробирования. Светодиод, подключенный к нагрузке, покажет вам, включен или выключен MOSFET.
  2. Когда схема находится в рабочем состоянии, сопротивление затвор-исток полевого МОП-транзистора будет действовать как сопротивление понижения.Он также защитит полевой МОП-транзистор от повреждений из-за разряда паразитной емкости полевого МОП-транзистора.
  3. Сначала, когда кнопка находится в нормальном состоянии, сопротивление стока к истоку слишком велико. Таким образом, в этом состоянии светодиод должен оставаться выключенным, показывая, что полевой МОП-транзистор выключен. Если светодиод горит, этот МОП-транзистор неисправен.
  4. Когда вы нажмете кнопку, сопротивление стока к истоку упадет до очень низкого уровня. Светодиод должен загореться, указывая на то, что полевой МОП-транзистор включен, если светодиод не горит, пока полевой МОП-транзистор неисправен в этом режиме.
  5. Когда вы отпустите кнопку, вы разомкните цепь, и светодиод должен погаснуть. Если после отпускания контроллера светодиод продолжает гореть, этот полевой МОП-транзистор также неисправен.

Рисунок 11: Компоненты тестирования полевого МОП-транзистора

Существует несколько мер предосторожности, которые необходимо предпринять при тестировании полевого МОП-транзистора. В их числе:
  1. Убедитесь, что входной источник питания больше или эквивалентен пороговому напряжению полевого МОП-транзистора.
  2. Вы также не должны превышать напряжение стока и напряжение затвора полевого МОП-транзистора выше напряжения пробоя.
  3. Для используемого светодиода требуется примерно 20 мА. Поэтому вам следует выбрать подходящий резистор-ограничитель тока для питания светодиода.
  4. Вы всегда должны использовать затвор для источника сопротивления в ваших соединениях. Это поможет избежать шума на затворе, а также облегчит разряд паразитной емкости устройства.
  5. Вы также должны всегда использовать малый диапазон резисторов на затворе MOSFET.Оно должно быть примерно от 10 до 500 градусов.
  6. Наконец, при тестировании с помощью метода тестовой схемы убедитесь, что вы используете схему переключения низкого уровня. В противном случае MOSFET не будет работать.

Заключение

Как подчеркивается в этой статье, перед использованием необходимо проверить, неисправен ли MOSFET. Неисправный может потенциально вызвать множество проблем в цепи.

Мы изложили все важные идеи по тестированию полевого МОП-транзистора.Таким образом, вы можете использовать любой из вышеперечисленных методов. Любой из этих методов должен работать для вас эффективно и без сбоев. Мы также готовы предоставить экспертные консультации по МОП-транзисторам и другим электронным устройствам. Свяжитесь с нами, и наша команда специалистов ответит на ваши вопросы в кратчайшие сроки. Мы здесь чтобы помочь вам.

Видео: Тестирование полевого МОП-транзистора

Testing MOSFET — (Часть 16/17)

MOSFET — это более часто используемые транзисторы.Они известны своей высокой скоростью переключения и высоким входным сопротивлением. Вот почему их предпочитают использовать при изготовлении интегральных схем и высокочастотных прикладных микросхем. Индивидуальные полевые МОП-транзисторы также широко используются во многих приложениях. Перед использованием полевого МОП-транзистора в схеме важно проверить, не неисправен ли он. В неисправном полевом МОП-транзисторе сток может закоротиться на затвор. Это может вызвать обратную связь по напряжению стока на выводе затвора, и это напряжение затем будет поступать в схему драйвера через резистор затвора, что может еще больше вызвать взрыв схемы.Поэтому лучше протестировать полевой МОП-транзистор, прежде чем использовать его в схеме. Поскольку N-канальные MOSFET более распространены, тестирование N-канальных MOSFET обсуждается только в этом руководстве.

Необходимые компоненты —

Рис.1: Список компонентов, необходимых для тестера MOSFET

Методы испытаний полевого МОП-транзистора

Существует два распространенных метода тестирования полевого МОП-транзистора —

.

1) С помощью измерительного прибора — в этом методе полевой МОП-транзистор проверяется с помощью мультиметра или омметра.В этом методе снова есть три способа проверить неисправный полевой МОП-транзистор —

.

I) Тест диода — требуется мультиметр с режимом диода

II) Тест сопротивления — требуется омметр

III) С помощью омметра и мультиметра в диодном режиме

2) Используя основные электронные компоненты — В этом методе тестовая схема предназначена для проверки рабочего состояния полевого МОП-транзистора.

Тест диодов

В этом методе для проверки полевого МОП-транзистора требуется мультиметр с диодным режимом.Поскольку полевой МОП-транзистор имеет внутренний основной диод, в N-канальном МОП-транзисторе этот основной диод проходит от истока к стоку с анодом на истоке и катодом на стоке диода. При прямом смещении падение на диоде очень мало в зависимости от типа диода. В большинстве полевых МОП-транзисторов прямое падение на диоде составляет от 0,4 В до 0,9 В. При обратном смещении этот диод действует как разомкнутая цепь или цепь с высоким сопротивлением. Таким образом, МОП-транзистор можно проверить, исследуя проводимость через этот корпусный диод исток-сток. Выполните следующие шаги, чтобы провести тест диода —

1.Для этого теста установите мультиметр в диодный режим.

2. Для N-канального MOSFET подключите красный зонд (положительный) к истоку, а черный — к стоку (общий). Таким образом, основной диод находится в состоянии прямого смещения. Теперь на мультиметре должно быть получено показание в диапазоне от 0,4 В до 0,9 В (как показано на рисунке ниже). Если показание равно нулю или нет показаний, то МОП-транзистор неисправен.

Рис. 2: Принципиальная схема, показывающая падение напряжения на полевом МОП-транзисторе при прямом смещении

3.Перевернув щупы измерителя, должно произойти состояние обрыва цепи, и на мультиметре не должно появиться никаких показаний из-за обратного смещения диода (см. Рисунок ниже). Если показание не равно нулю, МОП-транзистор неисправен.

Рис. 3: Принципиальная схема, показывающая падение нулевого напряжения на полевом МОП-транзисторе при обратном смещении

Испытание на сопротивление

В этом методе требуется омметр. Сопротивление сток-исток (Rds) полевого МОП-транзистора очень велико (в мегаомах), когда на его вывод затвора не подается пусковой импульс.Таким образом, эту функцию MOSFET можно использовать для тестирования неисправного MOSFET. Выполните следующие шаги, чтобы провести тест сопротивления —

1. Хороший полевой МОП-транзистор должен иметь высокое сопротивление (Rds) от стока до истока независимо от полярности измерительных щупов.

2. Установите измеритель в режим измерения сопротивления или с помощью омметра проверьте сопротивление стока к истоку. Показания должны иметь сопротивление в мегаомах (как показано на рисунке ниже). Сверьтесь с таблицей данных MOSFET, чтобы убедиться, что сопротивление между стоком и истоком (Rds) находится в выключенном состоянии, и сравните его с наблюдаемым значением Rds (выкл.).

Рис. 4: Принципиальная схема, показывающая высокое сопротивление сток-исток на полевом МОП-транзисторе

3. Если значение сопротивления между стоком и истоком (Rds (off)) оказывается равным нулю или меньше указанного в его техническом описании, полевой МОП-транзистор неисправен.

Проверка MOSFET омметром и мультиметром в диодном режиме

В этом методе полевой МОП-транзистор проверяется срабатыванием терминала затвора.Когда срабатывает затвор полевого МОП-транзистора, сопротивление стока к истоку (Rds) полевого МОП-транзистора становится очень низким (от мегаом до ома) в зависимости от типа полевого МОП-транзистора. МОП-транзистор может быть активирован мультиметром, так как в нем есть батарея. Таким образом, он действует как источник питания, когда он установлен в диодном режиме. Но перед запуском полевого МОП-транзистора убедитесь, что пороговое напряжение (Vth или Vgs) полевого МОП-транзистора не слишком велико, что мультиметр не может обеспечить. Выполните следующие шаги, чтобы провести этот тест —

1.Проверьте сопротивление между стоком и истоком с помощью теста сопротивления, упомянутого выше. Обратите внимание на сопротивление стока к истоку, Rds (выкл.) Для справки.

2. Включите полевой МОП-транзистор, установив мультиметр в режим диода, затем прикрепите черный (отрицательный) щуп измерителя к стоку и на мгновение прикоснитесь к красному щупу к затвору. Это должно вызвать срабатывание ворот (как показано на рисунке ниже). При этом MOSFET должен включиться.

Рис. 5: Принципиальная схема, показывающая срабатывание затвора полевого МОП-транзистора

3.Возьмите омметр и проверьте сопротивление стока до истока, Rds (вкл.). На этот раз показание должно быть очень низким (ноль или приблизительно ноль), чем предыдущее показание Rds (выкл.) (Как показано на рисунке ниже). Это подтвердит, что полевой МОП-транзистор находится в хорошем состоянии. Обратитесь к таблице данных полевого МОП-транзистора, чтобы проверить значение сопротивления между стоком и истоком в состоянии Rds (вкл.) И сравнить его с наблюдаемым значением. Если наблюдаемое значение сильно отличается от указанного в таблице данных, MOSFET неисправен.

Рис. 6: Принципиальная схема, показывающая низкое сопротивление сток-исток (Rds) полевого МОП-транзистора во включенном состоянии

4. Если показание такое же, как Rds (выкл.), То также неисправен полевой МОП-транзистор.

5. Если значение сопротивления между стоком и истоком в состоянии, Rds (вкл.) Соответствует значению, указанному в таблице данных, то для дальнейшего тестирования разрядите полевой МОП-транзистор, закоротив затвор и сток пальцем или любым другим способом. перемычка.

6. Еще раз проверьте сопротивление стока к истоку (Rds) методом сопротивления. Показание должно быть равно предыдущему показанию сопротивления стока к истоку в выключенном состоянии, Rds (off). Если показание меньше предыдущего значения Rds (выкл.), То также неисправен полевой МОП-транзистор.

Тестирование полевого МОП-транзистора с использованием основных электронных компонентов

Этот метод тестирования — один из лучших и точных способов проверки полевого МОП-транзистора.Для проведения этого теста, прежде всего, соберите схему, как показано ниже —

Рис.7: Принципиальная схема для тестирования полевого МОП-транзистора

Для проведения этого теста выполните следующие шаги —

1. Подайте импульс запуска стробирования через сопротивление R1 с помощью кнопки.

2. К нагрузке подключен светодиод (обозначенный сопротивлением R3) для визуальной индикации включения и выключения полевого МОП-транзистора.

3. В схеме сопротивление затвор-исток полевого МОП-транзистора (Rgs) действует как понижающее сопротивление, а также разряжает паразитную емкость полевого МОП-транзистора, которая защищает полевой МОП-транзистор от любого повреждения.

4. Изначально кнопка находится в нормальном состоянии, следовательно, ворота не подключены к источнику питания. В этом состоянии сопротивление стока к истоку очень велико, что подтверждается испытанием сопротивления. Таким образом, светодиод при нагрузке не должен включаться (как показано на рисунке ниже).Это указывает на то, что полевой МОП-транзистор находится в выключенном состоянии. Если светодиод горит, МОП-транзистор неисправен.

Рис. 8: Принципиальная схема, показывающая, что светодиод выключен перед срабатыванием ворот

5. Когда кнопка нажата, срабатывает затвор, и это делает сопротивление стока к истоку очень низким, приближаясь к нулю Ом. Таким образом, нагрузка должна получить все падение напряжения на ней, и это должен включить светодиод. Это будет означать, что полевой МОП-транзистор находится во включенном состоянии и работает правильно (как показано на рисунке ниже).Если светодиод остается в выключенном состоянии, это означает, что полевой МОП-транзистор неисправен.

Рис. 9: Принципиальная схема, показывающая, что светодиод включен после срабатывания шлюза

6. Когда кнопка отпускается, затвор разряжается через затвор до сопротивления источника (Rgs), и светодиод снова должен погаснуть. Если он не выключается, значит, MOSFET неисправен.

7. В этой тестовой схеме светодиод потребляет ток около 20 мА, чего достаточно для приличной яркости светодиода.Для ограничения тока к нему должно быть последовательно подключено сопротивление ограничителя тока. Сопротивление нагрузки работает как сопротивление ограничителя тока в цепи.

Значение этого сопротивления можно рассчитать следующим образом —

.

(входное напряжение светодиода), Vin = 5V

По закону Ома Vin = IL * RL

желаемый ток для светодиода, IL = 20 мА

Путем выставления всех значений,

5 = 0,02 * RL

RL = 250E

В зависимости от наличия, для токоограничивающего резистора принято сопротивление 220E.Итак,

RL = 220E

При тестировании полевого МОП-транзистора с использованием тестовой схемы необходимо соблюдать следующие меры предосторожности —

1. Входное питание затвора должно быть больше или равно пороговому напряжению (Vgs (the)) полевого МОП-транзистора, в противном случае он не включит полевой МОП-транзистор. Для этого обратитесь к таблице данных MOSFET в случае.

2. Не превышайте входное напряжение (напряжение стока и напряжение затвора) полевого МОП-транзистора, превышающее его напряжение пробоя, так как это может повредить полевой МОП-транзистор.

3. Обычно потребляемый ток светодиода составляет 20 мА (прибл.). Итак, выберите соответствующий резистор ограничителя тока (RL), чтобы он мог обеспечивать достаточный ток для включения светодиода.

4. Всегда используйте сопротивление затвора к истоку, чтобы избежать любого внешнего шума на затворе и разрядить паразитную емкость полевого МОП-транзистора. В противном случае полевой МОП-транзистор может быть поврежден, поскольку этот паразитный конденсатор будет продолжать заряжаться и превысит предел напряжения пробоя затвор-исток.

5. Всегда используйте резистор низкого сопротивления (от 10E до 500E) на затворе полевого МОП-транзистора. Это решит проблему звона (паразитных колебаний) и скачков напряжения в полевом МОП-транзисторе.

6. При тестировании полевого МОП-транзистора методом тестовой схемы используйте схему переключения низкого уровня (как на схеме выше). Не используйте схему переключения на стороне высокого напряжения для MOSFET, поскольку она никогда не включит MOSFET, и тогда можно будет проверить неисправный MOSFET.

Фиг.10. Прототип испытательной схемы полевого МОП-транзистора

В следующем руководстве будет обсуждаться схема начальной загрузки для управления полевым МОП-транзистором верхнего плеча.

Видео проекта


Подано в: Electronic Projects


Руководство по идентификации набора дискретных полупроводников

Добавлено в избранное Любимый 14

Обзор

Начнем с пары определений.

Дискретный
1. Отдельный; отчетливый; индивидуальный; прерывистый.
2. Это может восприниматься индивидуально, а не как связанное с чем-либо или как часть чего-то еще.
3. (Электротехника) Наличие отдельных электронных компонентов, таких как отдельные резисторы и катушки индуктивности — противоположность интегральной схемы. Сдержанный
1. Соблюдать конфиденциальность или секретность; тихий; дипломатический.
2. Не привлечение внимания, гнева или вызова; незаметный.

Замечания по использованию
Не путайте с дискретным.

Предоставлено Wiktionary.org

Фон

Если вы что-то делаете с электроникой, вы, вероятно, уже используете транзисторы, но вы, вероятно, используете их в больших, высокоинтегрированных кластерах. Например, ATMega328P (основной чип RedBoard и ProMini) содержит их сотни тысяч. Они крошечные, заключены в пластик и уже настроены для использования в качестве микроконтроллера.

Но иногда вам нужен только один … а если у вас его нет под рукой, может быть неудобно идти и заказывать единственный транзистор.

Что входит в комплект Discretes?

Набор дискретных полупроводников удовлетворяет ваши основные потребности в дискретных полупроводниках. Он имеет биполярные транзисторы PNP и NPN, N-канальные и P-канальные MOSFET, диоды, регулируемые источники опорного напряжения и регулируемые регуляторы напряжения.

Это руководство проведет вас через определение каждого из этих компонентов.

Справочные материалы

  • Наше руководство по транзисторам охватывает основы транзисторов с биполярным переходом.
  • Есть , по словам Пита, эпизодов, в которых он обсуждает:
  • Все компоненты этого набора поляризованы.

Состав набора

Вылилось на верстак

Содержание

В комплекте вы найдете следующие детали.

9048
Комплект для дискретных полупроводников Спецификация материалов
Количество Номер детали
и ссылка на техническое описание
Тип 9064 NPT 2N3904
25 2N3906 Транзистор PNP 2N3906
10 5LN01SP N-канальный канал MOS6486 N-канал MOS6486 XB
20 1N4148 Кремниевый диод 4148
20 1N4004 Силовой диод Опорное напряжение 1n4006 1n4006 6
5 LM317L Регулятор напряжения LM317LZ

Многие из этих деталей выглядят очень похоже.Столбец «Маркировка» выше указывает обозначение, которое вы найдете напечатанным на самой детали. За исключением полевых МОП-транзисторов, маркировка обычно содержит версию номера детали. Некоторые детали также могут иметь дополнительные символы или печать с указанием таких вещей, как производитель и дата производства.

BJT, источники опорного напряжения и регуляторы имеют общий форм-фактор TO-92, с корпусом размером с ластик для карандашей и тремя выступающими ножками. Полевые МОП-транзисторы представляют собой немного меньший корпус SC-72 (также известный как «Single SPA»).

Сравнение пакетов ТО-92 и SC-72

Полярность этих устройств важна и обычно обозначается номером контакта.

Чтобы идентифицировать штифты, держите устройство так, чтобы маркировочная сторона касалась вас, а ножки были направлены вниз. Слева направо контакты пронумерованы 1, 2 и 3. Функция, назначенная каждому контакту, зависит от устройства, и мы рассмотрим это для каждой части в соответствующем разделе.

TO-92 Нумерация контактов

Технические характеристики

Поскольку дискретные полупроводники являются основным строительным блоком электронных схем, они имеют гораздо более подробные спецификации, чем другие компоненты.Критический параметр в одном приложении может оказаться бессмысленным в другом. Это затрудняет представление сокращенного синопсиса спецификаций деталей. Вместо того, чтобы перечислять некоторые параметры в строке, мы вместо этого решили упростить доступ к параметрической информации, связав номера деталей в таблице выше с соответствующими таблицами данных.

Диоды

Диоды — это простейшие полупроводники в комплекте, каждый с двумя выводами. Оба они представляют собой кремниевые диоды, в целом похожие, но с разными характеристиками максимального напряжения и тока.

Силовые диоды

Силовые диоды 1N4004 представляют собой черные цилиндры с серой маркировкой, они больше, чем малые сигнальные диоды. В комплекте их 20 штук. Маркировка «1N4004» нанесена на корпус.

1N4004

Поскольку это силовые диоды, они могут выдерживать высокое напряжение и ток. Они рассчитаны на максимальное обратное напряжение 400 В и средний выходной выпрямленный ток 1 А. Прямое напряжение, необходимое для их включения, очень высокое, максимум 1 вольт.Случайные испытания прямого падения на рабочем столе показали, что фактическое прямое напряжение несколько ниже, около 0,7 В.

Силовые диоды обычно используются в качестве мостовых выпрямителей в источниках питания.

Малосигнальные диоды

Есть еще 20 шт. Малосигнальных диодов 1N4148. Он меньше, чем силовые диоды, с оранжевым стеклянным корпусом, опять же с полосой на одном конце.

1N4148

«4148» напечатано на корпусе диода, но из-за того, что корпус прозрачный, номер может быть плохо различим.

Эти диоды подходят для приложений, в которых не требуется высокое напряжение или ток. Они рассчитаны на максимальное обратное напряжение 100 В и средний прямой ток 200 мА. Как и для силовых диодов, заявленное максимальное прямое напряжение составляет 1 В, но обычно его значение приближается к 0,65 В. Типичные применения включают диодную логику или прецизионные выпрямители.

Полярность диода

Полярность обоих диодов обозначена полосой на одном конце корпуса. Полоса соответствует линии на схематическом обозначении катода.Другой конец (без полосы) — это анод, обозначенный треугольником на условном обозначении.

Полярность диода

При превышении прямого напряжения через диод протекает ток от анода к катоду. Это приводит нас к некоторым мнемоническим устройствам для запоминания с помощью терминала.

  • Линия в схематическом обозначении, напечатанная на корпусе, является катодом. Линия похожа на знак минус, потому что это будет более отрицательный конец диода.
  • Треугольник в условном обозначении — это узел A , буква «A» образует треугольник.
  • Треугольник в символе также соответствует стрелке, которую мы рисуем для представления текущего потока.

Вспоминая, как рисуют диод

Транзисторы

Транзисторы с двухслойным переходом

Обычный транзистор — это транзистор с биполярным переходом. Инженеры-электрики часто сокращают название до инициализма «BJT».«Этот комплект содержит по 25 штук каждого из 2n3904 и 2n3906 BJT. Это вездесущие« желейные »части, которые можно использовать во многих транзисторных схемах общего назначения.

Если вы заглянете в книгу основных транзисторных схем, есть большая вероятность, что вы наткнетесь на 2N3904 и его дополнение, 2N3906. Они производятся в течение длительного времени и представляют собой очень полезные транзисторы общего назначения.

2N3904 НПН

2N3904 имеет четкую маркировку.

Распиновка довольно проста:

  1. Излучатель
  2. База
  3. Коллектор

2N3904s легко использовать на макетной плате, потому что основание находится посередине — схематический символ и сама деталь соответствуют.

2N3906 PNP

2N3906 является дополнением PNP к 2N3904.

Также четко обозначен.

Порядок вывода 2N3904 и 2N3906 легко запомнить, потому что они одинаковы. Просто запомните буквы «EBC».

Несмотря на то, что контакты расположены в одном порядке, имейте в виду, что эмиттер переключается между вариантами NPN и PNP! Вы можете рассматривать 2N3906 как зеркальное отображение 2N3904.

МОП-транзисторы

Полевые МОП-транзисторы в комплекте меньше других транзисторов — корпус примерно вдвое меньше.Они меньше по размеру, поэтому на них меньше места для печати, поэтому номера деталей представляют собой сжатый код.

5LN01SP N-канальный полевой МОП-транзистор

YB не так уж и очевидно

Буквы «YB» на упаковке являются идентификатором. Другая маркировка на фотографии — это номер партии или код даты, что не имеет особого значения, если вы не знаете, как его расшифровать.

Распиновка

  1. Источник
  2. Слив
  3. Ворота
5LP01SP МОП-транзистор с P-каналом

Из-за особенностей физики полупроводников, полевые МОП-транзисторы с P-каналом встречаются реже, чем N-канальные.Семейство 5Lx01SP в некоторой степени уникально тем, что оно включает вариант с P-каналом, который является разумным дополнением для своего N-канального брата.

«XB», но не XBee

Опять же, маркировка на детали несколько загадочная — «XB», напечатанная на корпусе, является идентификатором.

Распиновка соответствует его N-канальному родственнику (исток, затвор, сток). Как и биполярные транзисторы, эти полевые МОП-транзисторы имеют одинаковую распиновку, но с обратной полярностью.

Хотя 5LP01SP предназначен как дополнение к 5LN01SP, его характеристики не являются идеальным зеркальным отображением.Его крутизна ниже, емкость затвора выше, а время переключения меньше. Эти различия могут быть незначительными в типичных приложениях.

Устройства напряжения

Мы на самом деле немного обманываем определение дискретности следующими двумя компонентами. На самом деле это интегральные схемы!

Но они все еще в упаковке ТО-92. Первый на самом деле является заменой стабилитронов общего назначения. Второй — стабилизатор напряжения — опять же, не дискретный, но очень удобный.

TL431A Опорное напряжение

Когда мы выбирали детали для этого набора, мы подумали, что было бы неплохо иметь несколько стабилитронов, но не было согласия относительно напряжения стабилитрона. Что нам действительно нужно, так это регулируемый стабилитрон: введите опорное напряжение TL431A. Он работает аналогично стабилитрону, но напряжение устанавливается с помощью внешних резисторов.

TL431A

Выходное напряжение может изменяться от 2,5 В до напряжения источника питания до 36 В.Как и стабилитрон, он требует резистора, включенного последовательно с катодом.

Шунтирующие цепи стабилитрона

полезны, когда вы хотите генерировать стабильное и постоянное напряжение, но входное напряжение меняется. Например, RedBoard может принимать от 7 до 15 В постоянного тока на своем цилиндрическом разъеме. Если нам нужно получить из этого стабильное опорное напряжение, наиболее очевидным подходом будет использование делителя напряжения, но мы обнаружим, что результирующее напряжение будет варьироваться в зависимости от входного напряжения. Шунт Зенера (или активное опорное напряжение) — это способ получения опорного напряжения, не зависящего от входа.

Полярность

TL431A имеет три контакта: опорное напряжение, анод и катод. Терминология анода и катода заимствована из стабилитронов.

Напоминаем: когда мы используем стабилитроны в качестве опорного напряжения, мы используем их напряжение обратного пробоя . Проще говоря, мы смещаем их назад, при этом на катод подается более положительное напряжение.

Это станет более понятным, если мы рассмотрим следующие примеры.

Образцы схем

Для простейшей схемы TL431A требуется единственный резистор на катоде. Контрольный штифт привязан к катоду, а выходной сигнал снимается с катода. Результат — 2,5 В на катоде, независимо от входного напряжения.

Входной резистор, показанный на схеме выше, необходимо выбрать для смещения TL431A минимум на 1 мА. Максимальное значение можно найти по формуле Rin = (Vin-Vout) /0.001 . Типичные приложения используют значения от 150 Ом; и 10 кОм; Для использования в качестве источника опорного напряжения без нагрузки входной резистор относительно некритичен, хотя при подаче значительного тока резистор меньшего размера будет рассеивать меньшую мощность.

Для изменения выходного напряжения требуются еще два резистора.

Вы можете сделать переменное опорное напряжение, если используете потенциометр для R1, как показано на Рисунке 10 таблицы данных.

Вы заметите, что первая схема на самом деле является крайним случаем второй схемы. R1 равно 0, а R2 равно бесконечности, член R1 / R2 становится 0, а выход становится Vout = (2,5 В * 1) или просто 2,5 В .

Выход TL431A лучше всего подходит в качестве эталона для других схем (таких как компараторы или аналого-цифровые преобразователи) и не особенно подходит для питания внешних схем.Хотя он создает стабильное выходное напряжение, для него требуется катодный резистор, который будет рассеивать тепло, если нагрузка потребляет очень большой ток. Регулируемый регулятор напряжения представляет собой аналогичную интегральную схему, которая обходит это ограничение.

LM317L Регулятор напряжения

LM317L похож на TL431A, но предназначен для использования в качестве части источника питания.

LM317L

Вы заметите, что маркировка на детали на фотографии имеет дополнительный суффикс «Z», который указывает на корпус TO-92, упакованный отдельно (в отличие от ленты).

Конфигурация LM317L также аналогична LT431A, с парой резисторов, устанавливающих выходное напряжение. Вы заметите, что для этого не требуется резистор на входе, как это было у TL431A.

В этой схеме стоит отметить конденсаторы от входа к земле и выхода к земле. В даташите указано

Входной конденсатор не требуется, но рекомендуется, особенно если регулятор не находится в непосредственной близости от конденсаторы фильтра блока питания.

Выходной конденсатор улучшает переходную характеристику, но не требуется для стабильности.

Далее рекомендуются значения 0,1 мкФ для входного конденсатора и 1 мкФ для выхода.

LM317L рассчитан на питание до 100 мА. Если вам нужно больше тока, подумайте об усилении старшего брата LM317L, LM317 в корпусе TO-220. Если вы добавите большой радиатор, вы сможете потреблять от него значительно больше тока.

Ресурсы и дальнейшее развитие

Ресурсы

  • Паспорта на каждое устройство:
  • Вот пара удобных онлайн-калькуляторов.
  • Эти забавные номера деталей 1Nxxxx и 2Nxxxx являются примерами системы нумерации JEDEC.

Дальше

  • Если вы создаете схемы из дискретных полупроводников, вам, вероятно, понадобятся некоторые другие компоненты, чтобы получить от них максимальную отдачу.
  • Существует множество видеороликов Пита , в которых обсуждаются применения дискретных полупроводников.
  • Книги
  • Форреста Мима полны простых схем, которые вы можете построить на макетной плате с горсткой компонентов. Особое значение для дискретных полупроводников имеют схемы в электронных формулах, символах и схемах.
  • Для более продвинутого проекта гуру Hi-Fi аудио Нельсон Пасс написал отличную статью о создании дискретных операционных усилителей с использованием биполярных транзисторов, полевых МОП-транзисторов и электронных ламп.

MOSFET < Общие сведения о характеристиках MOSFET > | Основы электроники

Паразитная емкость и температурные характеристики полевого МОП-транзистора

Паразитная емкость

В силовых полевых МОП-транзисторах существует паразитная емкость, как показано на рисунке 1.

Паразитная емкость, которую иногда называют паразитной емкостью, неизбежна и обычно нежелательна, поскольку существует между частями электронного компонента или схемы просто из-за того, насколько они близки друг к другу.Емкость — это способность системы накапливать электрический заряд.

Вывод затвора полевого МОП-транзистора изолирован от других выводов оксидной пленкой. Кремний под затвором имеет полярность, противоположную стоку и истоку, что приводит к образованию PN-переходов (диодов) между областями затвора, стока и истока. Cgs и Cgd — это емкости оксидных слоев, а Cds определяется емкостью перехода внутреннего диода.

Как правило, все 3 емкости (C iss , C oss , C rss ), перечисленные в таблице 1, включены в спецификации MOSFET.

Как показано на рисунке 2, емкостные характеристики могут зависеть от V DS (напряжение сток-исток). По мере увеличения V DS емкость уменьшается.

Температурные характеристики

Отличий емкостных характеристик при разных температурах практически нет. Примеры измерения температуры показаны на Рисунке 3 (1) — (3).

Характеристики переключения и температуры полевого МОП-транзистора

Что такое время переключения MOSFET?

МОП-транзистор будет включаться или выключаться после включения / выключения напряжения затвора.Время между включением и выключением называется временем переключения. Различные времена переключения перечислены в таблице 1 ниже. Обычно указываются t d (вкл.) , t F , t d (выкл.) и t r . ROHM определяет типичные значения, используя схему измерения, подобную показанной на рисунке 2.

Температурные характеристики

Время переключения незначительно зависит от повышения температуры — порядка 10% при 100 ° C. Другими словами, характеристики переключения в значительной степени не зависят от температуры.Примеры измерений показаны на Рисунке 3 (1) — (4).

V

GS порог: V GS (th)

В GS (th) — это напряжение, необходимое между затвором и истоком для включения полевого МОП-транзистора. Другими словами, подача напряжения выше V GS (th) включит полевой МОП-транзистор.
Чтобы определить величину тока, протекающего через полевой МОП-транзистор во включенном состоянии, необходимо обратиться к техническим характеристикам и электрическим характеристикам каждого элемента.

В таблице 1 перечислены соответствующие электрические характеристики. В случае V DS = 10 В пороговое напряжение от 1,0 В до 2,5 В требуется для I D 1 мА.

Таблица 1: Электрические характеристики

I

D -V GS и температурные характеристики

I D -V GS и примеры характеристик пороговой температуры показаны на рисунках 1 и 2 выше. Как видно на рисунке 1, для большого тока требуется большое напряжение затвора.

Хотя модели, перечисленные в таблице 1, имеют пороговое значение менее 2,5 В, рекомендуется использовать привод на 4 В. Всегда проверяйте наличие достаточного напряжения затвора для включения полевого МОП-транзистора.

Возвращаясь к рисунку 2, мы видим, что пороговое значение уменьшается пропорционально температуре. Следовательно, температуру канала элемента можно рассчитать, отслеживая изменение порогового напряжения.

Страница продукта

МОП-транзисторы К странице продукта

MOSFET

ROHM имеет широкие типы приводов и поддерживает от слабого сигнала до высокой мощности.Кроме того, он превосходит высокоскоростное переключение и низкое сопротивление в открытом состоянии, а MOSFET ROHM доступен для широкого применения.

Автоматизированная испытательная система для мощных транзисторов IBGT и MOSFET

Автор (ы):

Норайр Арутюнян — Найдите этого автора в сообществе разработчиков NI
Вардан Алексанян — Найдите этого автора в сообществе разработчиков NI
Ваан Саакян — Найдите этого автора в сообществе разработчиков NI

Project Integration, партнер NI Silver Alliance, обеспечивает проектирование, внедрение, установку и обслуживание современных промышленных измерительных и автоматизированных систем тестирования.Квалифицированные инженеры компании используют технологии проектирования графических систем NI для проектирования, создания прототипов и развертывания решений в области автоматизированного тестирования и управления производством. Они также предлагают комплексный подход к требованиям клиентов.

Особенности и возможности внедренной системы ATE

Транзисторы являются активными компонентами и широко используются в электронных схемах в качестве усилителей или переключающих устройств. В качестве усилителей они используются в высокочастотных и низкочастотных каскадах, генераторах, модуляторах, детекторах и в любых функциональных схемах.В цифровых схемах они используются как переключатели. Принципиально важно измерить и протестировать параметры транзистора, чтобы обеспечить бесперебойную работу.

Мы основали испытательную систему для высокомощных транзисторов IBGT и MOSFET на платформе NI PXI и стороннем усилителе мощности сигнала. Мы также снабдили систему программным обеспечением, разработанным с использованием графической среды программирования LabVIEW. Мы значительно сократили время, необходимое для интеграции системы со сторонним оборудованием, за счет использования программных и аппаратных платформ NI.

Мы разработали нашу тестовую систему для:

  • Измерение статических и динамических параметров мощных IGBT и MOSFET транзисторов
  • Самотестирование измерительной системы
  • Самокалибровка измерительной системы

Программное обеспечение измерительной системы

Мы разработали программное обеспечение измерительной системы для измерения статических и динамических параметров следующих устройств:

  • Мощные IGBT-транзисторы
  • Мощные МОП-транзисторы

Программа позволяет нам:

  • Измерение параметров ИУ
  • Настройка параметров тестируемых устройств
  • Создание, сохранение и загрузка файлов конфигурации теста, содержащих информацию об условиях и ограничениях теста для каждого параметра
  • Установить порядок измерения выбранных параметров
  • Установите режим измерения (последовательный, пошаговый, до первого отказа, до следующего отказа, цикл)
  • Представление результатов измерения в графическом или табличном формате
  • Провести статистический анализ результатов измерений
  • Экспортируйте результаты измерений в виде файла.csv файл
  • Сохранение результатов измерений в базе данных
  • Выполните самотестирование и самокалибровку для проверки работоспособности тестовой системы

Список аппаратного обеспечения NI

  • NI PXIe-1078 9-слотовое шасси PXI Express высотой 3U с переменным током — до 1,75 ГБ / с
  • NI PXIe-8135 Четырехъядерный контроллер PXI Express с частотой 2,3 ГГц
  • NI PXIe-2569 Универсальные SPST-реле высокой плотности
  • NI PXIe-5162 1.10-разрядный осциллограф / дигитайзер, 5 ГГц, 5 Гвыб. / С,
  • NI PXI-6259 16-бит, 1 Мвыб. / С (многоканальный), 1,25 Мвыб. / С (1-канальный), 32 аналоговых входа
  • NI PXI-4071 Цифровой мультиметр в формате PXI (DMM)
  • NI PXI-5402 Генератор произвольных функций 20 МГц
  • NI PXI-4110 Программируемый источник питания постоянного тока с тремя выходами (x2)

Параметры измерения

Разработанная система ATE измеряет следующие параметры:

Статические и динамические параметры мощных полевых МОП-транзисторов

  • Ток утечки затвора
  • Остаточный ток стока
  • Начальный ток стока
  • Напряжение пробоя сток-исток
  • Пороговое напряжение
  • НА сопротивление
  • Дифференциальная крутизна
  • Входная, выходная и передаточная емкости
  • Заряд затвора, заряд затвор-исток, заряд затвор-сток
  • Время задержки, подъема, спада, разряда

Статические и динамические параметры мощных IGBT-транзисторов

  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
  • Ток отсечки коллектор-эмиттер
  • Ток утечки затвор-эмиттер
  • Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
  • Пороговое напряжение затвор-эмиттер
  • Входная, выходная и передаточная емкости
  • Заряд затвора, заряд затвор-эмиттер, заряд затвор-коллектор
  • Время задержки, подъема, спада, разряда
  • Потери при включении и выключении

Информация об авторе:

Вардан Алексанян
Найдите этого автора в сообществе разработчиков NI

Switched On: Руководство по выбору MOSFET

MOSFET (металлооксидные полупроводниковые полевые транзисторы) широко используются в большинстве электронных устройств, которые мы используем каждый день.Если смотреть на это с чисто числовой точки зрения, подавляющее большинство содержится в так называемой интегральной схеме. Эти части могут содержать от сотен до миллиардов устройств на одном кристалле и выполнять множество различных функций. Однако в этой статье основное внимание уделяется одному дискретному компоненту.


Основная функция полевого МОП-транзистора — действовать как переключатель, замыкая или разрывая соединение с электронной схемой. МОП-транзисторы аналогичны выключателю на стене, но вместо того, чтобы использовать механические средства для его включения, МОП-транзисторы включаются с помощью электрического сигнала.Их области применения варьируются от управления маленькими лампами и светодиодами до больших промышленных двигателей.


Выбор правильного МОП-транзистора для конструкции может быть сложной задачей, поскольку производители публикуют несколько параметров, которые являются неотъемлемой частью конструкции и конструкции деталей. Ниже приведен список основных параметров, которые следует учитывать при выборе детали:

  • Тип канала (N-канал или P-канал)
  • Макс.напряжение стока в источник (Vdss)
  • Сопротивление от стока к источнику (Rdson)
  • Порог напряжения затвора (Vth)


Тип канала относится к конструкции кремния внутри устройства.Полевые МОП-транзисторы с N каналом включаются с положительным напряжением на затворе относительно источника, тогда как МОП-транзисторы с каналом P включаются с отрицательным напряжением на затворе относительно источника. В зависимости от того, где устройство используется в цепи и какое напряжение будет подаваться на затвор, может помочь решить, какую часть использовать.


Максимальное напряжение от стока до истока — это оценка способности компонентов блокировать приложенное к ним напряжение, когда он выключен. Хорошее практическое правило — выбирать часть, номинальное напряжение которой в два раза выше ожидаемого напряжения, приложенного к стоку.Причина этого заключается в том, что короткие всплески напряжения, значительно превышающие входное напряжение, являются обычным явлением в электрических системах, где присутствуют переключаемые полевые МОП-транзисторы.


Сопротивление от стока к источнику является важным параметром, поскольку от него зависит, сколько тепла выделяется устройством во время его проведения. Следует иметь в виду, что Rdson в техническом описании указывается при определенном напряжении и температуре от затвора до источника, поэтому различия в любом из них приведут к разным значениям Rdson.

Максимальный постоянный ток стока определяет максимальный ток, который устройство может выдерживать неопределенно долго при адекватном охлаждении. Этот рейтинг может быть немного обманчивым, поскольку он не всегда является гарантией надежности устройства. В зависимости от Vds устройство может проводить только небольшую часть этого тока до выхода из строя. Единственный способ убедиться, что устройство выдерживает требуемый ток, — это свериться с кривой безопасной рабочей зоны в технических характеристиках устройства.

Рисунок от Infineon IRLB3034PbF


Порог напряжения затвора — это напряжение, при котором устройство начинает проводить.Полная проводимость обычно происходит при более высоком напряжении на затворе, обратитесь к напряжению, в котором указан Rdson, для более точной картины того, где устройство идеально работает. Этот параметр важен в зависимости от того, какое напряжение доступно от MCU или драйвера затвора.


Заряд затвора — это количество заряда, которое необходимо ввести в затвор, чтобы устройство полностью включилось. Этот параметр имеет решающее значение в конструкциях, в которых используется высокая частота переключения, поскольку он имеет прямую корреляцию с величиной потерь переключения, которые увидит деталь.Чем ниже Qg полевого МОП-транзистора, тем более эффективным может быть приложение высокочастотного переключения.


Корпус / корпус полевого МОП-транзистора следует выбирать в зависимости от механических и тепловых требований конструкции. В зависимости от доступного места на плате или физического макета одни пакеты являются лучшим выбором по сравнению с другими. Кроме того, тип корпуса обычно влияет на тепловое сопротивление от кремния MOSFET до теплового интерфейса (обычно называемого тепловым сопротивлением от перехода к корпусу), где будет установлен радиатор.

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован.