| Номер в каталоге | Компоненты Описание | производитель | |
| 6DI100A-050 | POWER TRANSISTOR MODULE 100 A, 600 V, 6 CHANNEL, NPN, Si, POWER TRANSISTOR | Fuji Electric | |
| CP275 | 4.0 Amp NPN Silicon Power Transistor Chip Power Transistor | Central Semiconductor | |
| TOSHIBA Power Transistor Module Silicon NPN Triple Diffused Type (Darlington power transistor 4 in 1) | Toshiba | ||
| 2SC4849 | (2SC4849/2SC5147)High Voltage Switching Transistor (Power Supply)/ Medium Power Transistor(Chroma Output) | ||
| NTE346 | Silicon NPN Transistor RF Power Transistor | NTE Electronics | |
| NTE198 | Silicon NPN Transistor High Voltage Power Transistor | NTE Electronics | |
| CP211 | Central Semiconductor | ||
| BLV21 | VHF power transistor / N-P-N silicon planar epitaxial transistor | Philips Electronics | |
| 2SD1525 | Toshiba | ||
| 2SD2088 | Silicon NPN Epitaxial Type (Darlington Power Transistor) Transistor | Toshiba |
2SD2581 — кремниевый NPN диффузионный транзистор — DataSheet
Описание
Кремниевый NPN диффузионный транзистор для выходных каскадов строчной развертки телевизионных приемников.
Особенности:
- Высокая скорость переключения (tt = 100 нс).
- Высокое напряжение пробоя (Vcbo = 1500 В).
| Предельно допустимые и основные электрические параметры | ||||||
| Символы | Параметр | Условия | Мин. значение | Макс. значение | Единицы | |
| Vcbo | Напряжение коллектор-база | — | — | — | 1500 | В |
| Vceo | Напряжение коллектор-эмиттер | — | — | — | 800 | В |
| Vebo | Напряжение эмиттер-база | — | — | — | 6 | В |
| Ic | Ток коллектора | — | — | — | 10 | А |
| Icp | Ток коллектора импульсный | — | — | — | 30 | А |
| Pc | Мощность, рассеиваемая на коллекторе | Tc = 25 °C | — | — | 70 | Вт |
| Icbo | Обратный ток коллектора | Vcе = 1500 В | — | — | 1,0 | мА |
| Vcb = 800 В | — | — | 10 | мкА | ||
| Iebo | Обратный ток эммитера | Veb = 4 В, Ic = 0 | — | — | 1,0 | мА |
| hFE | Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ | Vce = 5 В, Ic = 1,0 A | 20 | — | 35 | — |
| Vce = 5 В, Ic = 8,0 A | 5 | — | 8 | |||
| Vce_sat | Напряжение насыщения К-Э | Ic = 8,0 A, Ib = 1,6 А | — | — | 5 | В |
| Vbe_sat | Напряжение насыщения Б-Э | Ic = 8,0 A, Ib = 1,6 А | — | — | 1,5 | В |
| Tf | Время спада импульса | Ic = 6 А, Ib = 1,2 А | — | — | 0,3 | мкс |
Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.
Транзистор Питания D5287 2sd5287 To-3p
Мощность транзистор D5287 2SD5287 TO-3P
Добро пожаловать наShenzhen E-era Electronic co., LTD
Информация о компании
Наша компания как профессиональный электронный оптовик в течение нескольких лет быстро развивающаяся уже стала известной торговой корпорацией.
Специализируется на интегральных схемах (ICs), конденсаторах, резисторах, потенциометрах, индукторах, диодах, транзисторах светодио дный светодиодных светоизлучающих диодах, ЖК-дисплеях, разъемах, переключателях, Модули контрольно-измерительные приборы.
Мы предоставляем Вам единый сервис электронных компонентов. Конкурентоспособные цены и профессиональные услуги, чтобы помочь вам сэкономить затраты на покупку и ценное время.
Наши услуги
1. Мы предоставляем гарантийное время 30-90 дней.
2. Что касается условий оплаты, мы можем принять банковский перевод, Paypal, Western Union, MoneyGram, Alipay, наличные и Ecrow условия.
3. Отправить предложение руются правильно во время предложение, но могут быть изменены после одной недели из-за колебаний валюты и изменения количества заказанного.
4. если некоторые из товаров, которые вы получили, не имеют идеального качества, мы могли бы организовать ваш возврат или замену. Но товары должны оставаться в их первоначальном состоянии.
5. Наличие на складе в зависимости от предыдущих продаж. Все детали Отправить предложение являютсяНовые и неиспользованные и находятся в оригинальной заводской упаковке, если не указано.
6. перед размещением заказ на покупку повторно подтвердите предложение
7. Мы зависим от удовлетворенности наших клиентов, чтобы добиться успеха. Поэтому ваш честотзывы важен для нас.
Упаковка и доставка
1. Мы можем отгрузить по всему миру к DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, ARAMEX, SF express, Epacket, Почта Китая и Hongkong post. Пожалуйста, свяжитесь с нами напрямую, и мы будем использовать то, как вы предпочитаете.
2. Мы отправим товары в течение рабочих дней после получения оплаты. Для достижения ваших рук потребуется около 3-15 дней.
3. Мы не несем ответственности за несчастные случаи, задержки или другие вопросы, которые являются обязанностью службы доставки.
4. Любые импортные сборы или сборы являются обязанностью покупателя.
Сертификаты
2SD2578 — кремниевый NPN диффузионный транзистор — DataSheet
Корпус транзистора 2SD2578 и его обозначение на схемеОписание
Кремниевый NPN диффузионный транзистор для выходных каскадов строчной развертки телевизионных приемников.
Особенности:
- Высокая скорость переключения (tt = 100 нс).
- Высокое напряжение пробоя (Vcbo = 1500 В).
- Встроенный демпферный диод.
| Предельно допустимые и основные электрические параметры | ||||||
| Символы | Параметр | Условия | Мин. значение | Тип. значение | Макс. значение | Единицы |
| Vcbo | Напряжение коллектор-база | — | — | — | 1500 | В |
| Vceo | Напряжение коллектор-эмиттер | — | — | — | 800 | В |
| Vebo | Напряжение эмиттер-база | — | — | — | 6 | В |
| Ic | Ток коллектора | — | — | — | 8 | А |
| Icp | Ток коллектора импульсный | — | — | — | 20 | А |
| Pc | Мощность, рассеиваемая на коллекторе | Tc = 25 °C | — | — | 60 | Вт |
| Icbo | Обратный ток коллектора | Vcе = 1500 В | — | — | 1,0 | мА |
| Vcb = 800 В | — | — | 10 | мкА | ||
| Iebo | Обратный ток эммитера | Veb = 4 В, Ic = 0 | 40 | — | 130 | мА |
| hFE | Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ | Vce = 5 В, Ic = 1,0 A | 15 | — | 30 | — |
| Vce = 5 В, Ic = 5,0 A | 5 | — | 8 | |||
| Vce_sat | Напряжение насыщения К-Э | Ic = 5,0 A, Ib = 1,0 А | — | — | 5 | В |
| Vbe_sat | Напряжение насыщения Б-Э | Ic = 5,0 A, Ib = 1,0 А | — | — | 1,5 | В |
| Vf | Падение напряжения на прямосмещенном диоде | Ice = 7 А | — | — | 2 | В |
| Tf | Время спада импульса | Ic = 4 А, Ib = 0,8 А | — | — | 0,3 | мкс |
Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.
2SD2689LS — кремниевый NPN диффузионный транзистор — DataSheet
Корпус транзистора 2SD2689LS и его обозначение на схемеОписание
Кремниевый NPN диффузионный транзистор для выходных каскадов строчной развертки телевизионных приемников.
Особенности:
- Высокая скорость переключения.
- Высокое напряжение пробоя (Vcbo = 1500 В).
| Предельно допустимые и основные электрические параметры | ||||||
| Символы | Параметр | Условия | Мин. значение | Тип. значение | Макс. значение | Единицы |
| Vcbo | Напряжение коллектор-база | — | — | — | 1500 | В |
| Vceo | Напряжение коллектор-эмиттер | — | — | — | 800 | В |
| Vebo | Напряжение эмиттер-база | — | — | — | 5 | В |
| Ic | Ток коллектора | — | — | — | 10 | А |
| Icp | Ток коллектора импульсный | — | — | — | 25 | А |
| Pc | Мощность, рассеиваемая на коллекторе | Tc = 25 °C | — | — | 35 | Вт |
| Icbo | Обратный ток коллектора | Vcе = 1500 В | — | — | 1,0 | мА |
| Vcb = 800 В | — | — | 10 | мкА | ||
| Iebo | Обратный ток эммитера | Veb = 4 В, Ic = 0 | — | — | 1,0 | мА |
| hFE | Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ | Vce = 5 В, Ic = 1,0 A | 15 | — | — | — |
| Vce = 5 В, Ic = 8,0 A | 5 | — | 8 | |||
| Vce_sat | Напряжение насыщения К-Э | Ic = 7,2 A, Ib = 1,44 А | — | — | 3 | В |
| Vbe_sat | Напряжение насыщения Б-Э | Ic = 7,2 A, Ib = 1,44 А | — | — | 1,5 | В |
| Tf | Время спада импульса | Ic = 5 А, Ib = 1,0 А | — | — | 0,3 | мкс |
Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.
2SD1884 — кремниевый NPN диффузионный транзистор — DataSheet
Корпус транзистора 2SD1884 и его обозначение на схемеОписание
Кремниевый NPN диффузионный транзистор для выходных каскадов строчной развертки телевизионных приемников.
Особенности:
- Высокая скорость переключения (tt = 100 нс).
- Высокое напряжение пробоя (Vcbo = 1500 В).
| Предельно допустимые и основные электрические параметры | ||||||
| Символы | Параметр | Условия | Мин. значение | Тип. значение | Макс. значение | Единицы |
| Vcbo | Напряжение коллектор-база | — | — | — | 1500 | В |
| Vceo | Напряжение коллектор-эмиттер | — | — | — | 800 | В |
| Vebo | Напряжение эмиттер-база | — | — | — | 6 | В |
| Ic | Ток коллектора | — | — | — | 5 | А |
| Icp | Ток коллектора импульсный | — | — | — | 20 | А |
| Pc | Мощность, рассеиваемая на коллекторе | T = 25 °C | — | — | 60 | Вт |
| Icbo | Обратный ток коллектора | Vcе = 1500 В | — | — | 1,0 | мА |
| Vcb = 800 В | — | — | 10 | мкА | ||
| Iebo | Обратный ток эммитера | Veb = 4 В, Ic = 0 | — | — | 1,0 | мА |
| hFE | Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ | Vce = 5 В, Ic = 1,0 A | 8 | — | — | — |
| Vce = 5 В, Ic = 4,0 A | 5 | — | 10 | |||
| Vce_sat | Напряжение насыщения К-Э | Ic = 4,0 A, Ib = 0,8 А | — | — | 5 | В |
| Vbe_sat | Напряжение насыщения Б-Э | Ic = 4,0 A, Ib = 0,8 А | — | — | 1,5 | В |
| Tf | Время спада импульса | Ic = 4 А, Ib = 0,8 А | — | 0,1 | 0,3 | мкс |
Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.
2SD1879 — кремниевый NPN диффузионный транзистор — DataSheet
Корпус транзистора 2SD1879 и его обозначение на схемеОписание
Кремниевый NPN диффузионный транзистор для выходных каскадов строчной развертки телевизионных приемников.
Особенности:
- Высокая скорость переключения (tt = 100 нс).
- Высокое напряжение пробоя (Vcbo = 1500 В).
- Встроенный демпферный диод.
| Предельно допустимые и основные электрические параметры | ||||||
| Символы | Параметр | Условия | Мин. значение | Тип. значение | Макс. значение | Единицы |
| Vcbo | Напряжение коллектор-база | — | — | — | 1500 | В |
| Vceo | Напряжение коллектор-эмиттер | — | — | — | 800 | В |
| Vebo | Напряжение эмиттер-база | — | — | — | 6 | В |
| Ic | Ток коллектора | — | — | — | 6 | А |
| Icp | Ток коллектора импульсный | — | — | — | 20 | А |
| Pc | Мощность, рассеиваемая на коллекторе | T = 25 °C | — | — | 60 | Вт |
| Icbo | Обратный ток коллектора | Vcе = 1500 В | — | — | 1,0 | мА |
| Vcb = 800 В | — | — | 10 | мкА | ||
| Iebo | Обратный ток эммитера | Veb = 4 В, Ic = 0 | 40 | — | 130 | мА |
| hFE | Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ | Vce = 5 В, Ic = 1,0 A | 8 | — | — | — |
| Vce = 5 В, Ic = 4,0 A | 5 | — | 10 | |||
| Vce_sat | Напряжение насыщения К-Э | Ic = 5,0 A, Ib = 1,0 А | — | — | 5 | В |
| Vbe_sat | Напряжение насыщения Б-Э | Ic = 5,0 A, Ib = 1,0 А | — | — | 1,5 | В |
| Vf | Падение напряжения на прямосмещенном диоде | Ice = 6 А | — | — | 2 | В |
| Tf | Время спада импульса | Ic = 4 А, Ib = 0,8 А | — | 0,1 | 0,3 | мкс |
Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.