Транзистор d2382: SANKEN D2382 Даташит, D2382 PDF, даташитов – Возможность скачать даташит (datasheet) 2SD2382 в формате pdf электронных компонентов

SANKEN D2382 Даташит, D2382 PDF, даташитов

Номер в каталогеКомпоненты ОписаниеPDFпроизводитель
6DI100A-050 POWER TRANSISTOR MODULE 100 A, 600 V, 6 CHANNEL, NPN, Si, POWER TRANSISTOR Fuji Electric
CP275 4.0 Amp NPN Silicon Power Transistor Chip Power Transistor Central Semiconductor
MP4513
TOSHIBA Power Transistor Module Silicon NPN Triple Diffused Type (Darlington power transistor 4 in 1)
Toshiba
2SC4849 (2SC4849/2SC5147)High Voltage Switching Transistor (Power Supply)/ Medium Power Transistor(Chroma Output) ROHM Semiconductor
NTE346 Silicon NPN Transistor RF Power Transistor NTE Electronics
NTE198 Silicon NPN Transistor High Voltage Power Transistor NTE Electronics
CP211 Power Transistor NPN — Amp/Switch Transistor Chip Central Semiconductor
BLV21 VHF power transistor / N-P-N silicon planar epitaxial transistor Philips Electronics
2SD1525 Transistor Silicon NPN Triple Diffused Type (Darlington Power Transistor) Toshiba
2SD2088 Silicon NPN Epitaxial Type (Darlington Power Transistor) Transistor Toshiba

2SD2581 — кремниевый NPN диффузионный транзистор — DataSheet

Корпус транзистора 2SD2581 и его обозначение на схеме
Корпус транзистора 2SD2581 и его обозначение на схеме

Описание

Кремниевый NPN диффузионный транзистор для выходных каскадов строчной развертки телевизионных приемников.

Особенности:

  • Высокая скорость переключения (tt = 100 нс).
  • Высокое напряжение пробоя (Vcbo = 1500 В).
 
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символы Параметр Условия Мин. значение Тип. значение Макс. значение Единицы
Vcbo Напряжение коллектор-база
1500 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер 800 В
Vebo Напряжение эмиттер-база 6 В
Ic Ток коллектора 10 А
Icp Ток коллектора импульсный 30 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Tc = 25 °C 70 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcе = 1500 В 1,0 мА
Vcb = 800 В 10 мкА
Iebo Обратный ток эммитера Veb = 4 В, Ic = 0 1,0 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, Ic = 1,0 A 20 35
Vce = 5 В, Ic = 8,0 A 5 8
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 8,0 A, Ib = 1,6 А 5 В
Vbe_sat Напряжение насыщения Б-Э Ic = 8,0 A, Ib = 1,6 А 1,5 В
Tf Время спада импульса Ic = 6 А, Ib = 1,2 А 0,3 мкс

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

Транзистор Питания D5287 2sd5287 To-3p

Мощность транзистор D5287 2SD5287 TO-3P

 

 

Добро пожаловать наShenzhen E-era Electronic co., LTD

 

 

Информация о компании

 

Наша компания как профессиональный электронный оптовик в течение нескольких лет быстро развивающаяся уже стала известной торговой корпорацией.

 

Специализируется на интегральных схемах (ICs), конденсаторах, резисторах, потенциометрах, индукторах, диодах, транзисторах светодио дный светодиодных светоизлучающих диодах, ЖК-дисплеях, разъемах, переключателях, Модули контрольно-измерительные приборы.

 

Мы предоставляем Вам единый сервис электронных компонентов. Конкурентоспособные цены и профессиональные услуги, чтобы помочь вам сэкономить затраты на покупку и ценное время.

 

 

 

Наши услуги

 

1. Мы предоставляем гарантийное время 30-90 дней.

 

2. Что касается условий оплаты, мы можем принять банковский перевод, Paypal, Western Union, MoneyGram, Alipay, наличные и Ecrow условия.

 

3. Отправить предложение руются правильно во время предложение, но могут быть изменены после одной недели из-за колебаний валюты и изменения количества заказанного.

 

4. если некоторые из товаров, которые вы получили, не имеют идеального качества, мы могли бы организовать ваш возврат или замену. Но товары должны оставаться в их первоначальном состоянии.

 

5. Наличие на складе в зависимости от предыдущих продаж. Все детали Отправить предложение являютсяНовые и неиспользованные и находятся в оригинальной заводской упаковке, если не указано.

 

6. перед размещением заказ на покупку повторно подтвердите предложение

 

7. Мы зависим от удовлетворенности наших клиентов, чтобы добиться успеха. Поэтому ваш честотзывы важен для нас.

 

Упаковка и доставка

 

1. Мы можем отгрузить по всему миру к DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, ARAMEX, SF express, Epacket, Почта Китая и Hongkong post. Пожалуйста, свяжитесь с нами напрямую, и мы будем использовать то, как вы предпочитаете.

 


2. Мы отправим товары в течение рабочих дней после получения оплаты. Для достижения ваших рук потребуется около 3-15 дней.


3. Мы не несем ответственности за несчастные случаи, задержки или другие вопросы, которые являются обязанностью службы доставки.


4. Любые импортные сборы или сборы являются обязанностью покупателя.

 

Сертификаты

 

2SD2578 — кремниевый NPN диффузионный транзистор — DataSheet

Корпус транзистора 2SD2578 и его обозначение на схемеКорпус транзистора 2SD2578 и его обозначение на схеме

Описание

Кремниевый NPN диффузионный транзистор для выходных каскадов строчной развертки телевизионных приемников.

Особенности:

  • Высокая скорость переключения (tt = 100 нс).
  • Высокое напряжение пробоя (Vcbo = 1500 В).
  • Встроенный демпферный диод.
 
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символы Параметр Условия Мин. значение Тип. значение Макс. значение Единицы
Vcbo Напряжение коллектор-база 1500 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер 800 В
Vebo Напряжение эмиттер-база 6 В
Ic Ток коллектора 8 А
Icp Ток коллектора импульсный 20 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Tc = 25 °C 60 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcе = 1500 В 1,0 мА
Vcb = 800 В 10 мкА
Iebo Обратный ток эммитера Veb = 4 В, Ic = 0 40 130 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, Ic = 1,0 A 15 30
Vce = 5 В, Ic = 5,0 A 5 8
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 5,0 A, Ib = 1,0 А 5 В
Vbe_sat Напряжение насыщения Б-Э Ic = 5,0 A, Ib = 1,0 А 1,5 В
Vf Падение напряжения на прямосмещенном диоде Ice = 7 А 2 В
Tf Время спада импульса Ic = 4 А, Ib = 0,8 А 0,3 мкс

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

2SD2689LS — кремниевый NPN диффузионный транзистор — DataSheet

Корпус транзистора 2SD2689LS и его обозначение на схемеКорпус транзистора 2SD2689LS и его обозначение на схеме

Описание

Кремниевый NPN диффузионный транзистор для выходных каскадов строчной развертки телевизионных приемников.

Особенности:

  • Высокая скорость переключения.
  • Высокое напряжение пробоя (Vcbo = 1500 В).
 
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символы Параметр Условия Мин. значение Тип. значение Макс. значение Единицы
Vcbo Напряжение коллектор-база 1500 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер 800 В
Vebo Напряжение эмиттер-база 5 В
Ic Ток коллектора 10 А
Icp Ток коллектора импульсный 25 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Tc = 25 °C 35 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcе = 1500 В 1,0 мА
Vcb = 800 В 10 мкА
Iebo Обратный ток эммитера Veb = 4 В, Ic = 0 1,0 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, Ic = 1,0 A 15
Vce = 5 В, Ic = 8,0 A 5 8
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 7,2 A, Ib = 1,44 А 3 В
Vbe_sat Напряжение насыщения Б-Э Ic = 7,2 A, Ib = 1,44 А 1,5 В
Tf Время спада импульса Ic = 5 А, Ib = 1,0 А 0,3 мкс

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

2SD1884 — кремниевый NPN диффузионный транзистор — DataSheet

Корпус транзистора 2SD1884 и его обозначение на схемеКорпус транзистора 2SD1884 и его обозначение на схеме

Описание

Кремниевый NPN диффузионный транзистор для выходных каскадов строчной развертки телевизионных приемников.

Особенности:

  • Высокая скорость переключения (tt = 100 нс).
  • Высокое напряжение пробоя (Vcbo = 1500 В).
 
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символы Параметр Условия Мин. значение Тип. значение Макс. значение Единицы
Vcbo Напряжение коллектор-база 1500 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер 800 В
Vebo Напряжение эмиттер-база 6 В
Ic Ток коллектора 5 А
Icp Ток коллектора импульсный 20 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе T = 25 °C 60 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcе = 1500 В 1,0 мА
Vcb = 800 В 10 мкА
Iebo Обратный ток эммитера Veb = 4 В, Ic = 0 1,0 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, Ic = 1,0 A 8
Vce = 5 В, Ic = 4,0 A 5 10
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 4,0 A, Ib = 0,8 А 5 В
Vbe_sat Напряжение насыщения Б-Э Ic = 4,0 A, Ib = 0,8 А 1,5 В
Tf Время спада импульса Ic = 4 А, Ib = 0,8 А 0,1 0,3 мкс

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

2SD1879 — кремниевый NPN диффузионный транзистор — DataSheet

Корпус транзистора 2SD1879 и его обозначение на схемеКорпус транзистора 2SD1879 и его обозначение на схеме

Описание

Кремниевый NPN диффузионный транзистор для выходных каскадов строчной развертки телевизионных приемников.

Особенности:

  • Высокая скорость переключения (tt = 100 нс).
  • Высокое напряжение пробоя (Vcbo = 1500 В).
  • Встроенный демпферный диод.
 
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символы Параметр Условия Мин. значение Тип. значение Макс. значение Единицы
Vcbo Напряжение коллектор-база 1500 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер 800 В
Vebo Напряжение эмиттер-база 6 В
Ic Ток коллектора 6 А
Icp Ток коллектора импульсный 20 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе T = 25 °C 60 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcе = 1500 В 1,0 мА
Vcb = 800 В 10 мкА
Iebo Обратный ток эммитера Veb = 4 В, Ic = 0 40 130 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, Ic = 1,0 A 8
Vce = 5 В, Ic = 4,0 A 5 10
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 5,0 A, Ib = 1,0 А 5 В
Vbe_sat Напряжение насыщения Б-Э Ic = 5,0 A, Ib = 1,0 А 1,5 В
Vf Падение напряжения на прямосмещенном диоде Ice = 6 А 2 В
Tf Время спада импульса Ic = 4 А, Ib = 0,8 А 0,1 0,3 мкс

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

Отправить ответ

avatar
  Подписаться  
Уведомление о