Маркировка радиодеталей, Коды SMD 6C, 6C**, 6C-, 6C., 6CW, 6Cp, 6Ct. Даташиты BC817-40, BC817-40W, EMZ6.8N, MM1Z51, SMZ253G, ST6206CS23RG, ST6206CS32RG.

Главная Автомагнитолы DVD Материнские платы Мобильные телефоны Мониторы Ноутбуки Принтеры Планшеты Телевизоры Даташиты Маркировка SMD Форум

Главная Маркировка SMD 6C Код SMD Корпус Наименование Производитель Описание Даташит 6C SOT-416 EMZ6.8N ROHM Стабилитрон 6C SOD-123F MM1Z51 Semtech Стабилитрон 6C SOD-123FL SMZ253G EIC Стабилитрон 6C** SOT-23 ST6206CS23RG Stanson Стабилизатор напряжения 6C** SOT-323 ST6206CS32RG Stanson Стабилизатор напряжения 6C- SOT-23 BC817-40 NXP NPN транзистор 6C- SOT-323 BC817-40W NXP NPN транзистор 6C. SOT-23 BC817-40 Fairchild NPN транзистор 6CW SOT-23 BC817-40 NXP NPN транзистор 6CW SOT-323 BC817-40W NXP NPN транзистор 6Cp SOT-23 BC817-40 NXP NPN транзистор 6Cp SOT-323 BC817-40W NXP NPN транзистор 6Ct SOT-23 BC817-40 NXP NPN транзистор 6Ct SOT-323 BC817-40W NXP NPN транзистор

Транзисторы BC817 — параметры, маркировка,цоколевка.

Транзисторы BC817, BC817-16, BC817-25, BC817-40.

Транзисторы BC817 — кремниевые, высокочастотные усилительные, структуры — n-p-n.
Корпус пластиковый SOT-23. Маркировка буквенно — цифровая, кодированная.
Транзистор BC817 маркируется — 6Dp или 6Dt.
Транзистор BC817-16 маркируется 6Ap или 6At.

Транзистор BC817-25 маркируется 6Bp или 6Bt.
Транзистор BC817-40 маркируется 6Cp или 6Ct.

Наиболее важные параметры.

Постоянная рассеиваемая мощность(Рк т max ) — 0,25 Вт.

Предельная частота коэффициента передачи тока ( fh31э )транзистора для схем с общим эмиттером — 100 МГц;

Максимальное напряжение коллектор — эмиттер — 45в.

Максимальное напряжение коллектор — база — 50в.

Максимальное напряжение эмиттер — база

— 5в.

Коэффициент передачи тока.
У транзисторов BC817 — от 100 до 600.
У транзисторов BC817-16 — от 100 до 250.
У транзисторов BC817-25 — от 160 до 400.
У транзисторов BC817-40 — от 250 до 600.

Максимальный постоянный ток коллектора

— 500мА, пульсирующий — 1 А.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 500мА, базы 50мА — не выше 0,7в.

Напряжение насыщения база-эмиттер при токе коллектора 500мА, базы 50мА — не выше 1,2в.

Обратный ток коллектор — база при температуре окружающей среды +25 по Цельсию и напряжению коллектор-база 20в. — 0,1 мкА.

Обратный ток эмиттера — база при напряжении эмиттер-база 5в —

0,1 мкА.

На главную страницу

Использование каких — либо материалов этой страницы, допускается при наличии ссылки на сайт «Электрика это просто».

smd-код 6c

Подробная информация о производителях — в GUIDE’е, о типах корпусов — здесь
код	наименование	функция	корпус	производитель	примечания
6C	BC817-40	npn 45В/500мА, h31=400	sot23	ITT, KEC, ON Semi
6C	BUK6D72-30E	nМОП: 30В/11А/53мОм automotive	dfn2020-6	Nexperia
6C	DTA144EET1|EM3	«цифровой» pnp: 50В/100мА, 47k/47k	sс75|sot723	ON Semi
6C	KIA7023AF/AT	монитор питания: 2,3В	sot89/tsm	KIA
6C	MIC5366-1. 0YMT	LDO-стабилизатор:1,0В/150мА + Auto-Discharge	mlf4:1×1	Micrel
6C	MUN2113T1	«цифровой» pnp: 50В/100мА, 47k/47k	sс59	ON Semi
6C	MUN5113T3	«цифровой» pnp: 50В/100мА, 47k/47k	sс70	ON Semi
6C	PEMh28	2x «цифровых» npn: 50В/100мА 4,7k/10k	sot666	NXP
6C	UNR2113	«цифровой» pnp: 50В/100мА, 47k/47k	sс59	Panasonic
6Cx	MGA-68563	MMIC: 0,1…1,5ГГц	sot343	Avago	x — date-код
6Cp	BC817-40|W	npn: 45В/500мА h31=250…600	sot23|sot323	NXP	@Hong Kong
6Cs	BC817-40	npn: 45В/500мА, h31=400	sot23	Siemens
6Ct	BC817-40|W	npn: 45В/500мА h31=250. ..600	sot23|sot323	NXP	@Malaysia
6CW	BC817-40|W	npn: 45В/500мА h31=250…600	sot23|sot323	NXP	@China
6CZ	BC817-40	npn: 45В/500мА, h31=400	sot23	Diodes

маркировка smd транзисторов, аналоги

Статья для определения типа транзистора по обозначению на корпусе, а также его условный аналог.

 

 

Обозначениена корпусе	Типтранзистора	Условныйаналог
15	MMBT3960	2N3960
1A	BC846A	BC546A
1B	BC846B	BC546B
1C	MMBTA20	MPSA20
1D	BC846	—
1E	BC847A	BC547A
1F	BC847B	BC547B
1G	BC847C	BC547C
1H	BC847	—
1J	BC848A	BC548A
1K	BC848B	BC548B
1L	BC848C	BC548C
1M	BC848	—
1P	FMMT2222A	2N2222A
1T	MMBT3960A	2N3960A
1X	MMBT930	—
1Y	MMBT3903	2N3903
2A	FMMT3906	2N3906
2B	BC849B	BC549B
2C	BC849C	BC549C / BC109C / MMBTA70
2E	FMMTA93	—
2F	BC850B	BC550B
2G	BC850C	BC550C
2J	MMBT3640	2N3640
2K	MMBT8598	—
2M	MMBT404	—
2N	MMBT404A	—
2T	MMBT4403	2N4403
2W	MMBT8599	—
2X	MMBT4401	2N4401
3A	BC856A	BC556A
3B	BC856B	BC556B
3D	BC856	—
3E	BC857A	BC557A
3F	BC857B	BC557B
3G	BC857C	BC557C
3J	BC858A	BC558A
3K	BC858B	BC558B
3L	BC858C	BC558C
3S	MMBT5551	—
4A	BC859A	BC559A
4B	BC859B	BC559B
4C	BC859C	BC559C
4E	BC860A	BC560A
4F	BC860B	BC560B
4G	BC860C	BC560C
4J	FMMT38A	—
449	FMMT449	—
489	FMMT489	—
491	FMMT491	—
493	FMMT493	—
5A	BC807-16	BC327-16
5B	BC807-25	BC327-25
5C	BC807-40	BC327-40
5E	BC808-16	BC328-16
5F	BC808-25	BC328-25
5G	BC808-40	BC328-40
549	FMMT549	—
589	FMMT589	—
591	FMMT591	—
593	FMMT593	—
6A	BC817-16	BC337-16
6B	BC817-25	BC337-25
6C	BC817-40	BC337-40
6E	BC818-16	BC338-16
6F	BC818-25	BC338-25
6G	BC818-40	BC338-40
9	BC849BLT1	—
AA	BCW60A	BC636 / BCW60A
AB	BCW60B	—
AC	BCW60C	BC548B
AD	BCW60D	—
AE	BCX52	—
AG	BCX70G	—
AH	BCX70H	—
AJ	BCX70J	—
AK	BCX70K	—
AL	MMBTA55	—
AM	BSS64	2N3638
AS1	BST50	BSR50
B2	BSV52	2N2369A
BA	BCW61A	BC635
BB	BCW61B	—
BC	BCW61C	—
BD	BCW61D	—
BE	BCX55	—
BG	BCX71G	—
BH	BCX71H	BC639
BJ	BCX71J	—
BK	BCX71K	—
BN	MMBT3638A	2N3638A
BR2	BSR31	2N4031
C1	BCW29	—
C2	BCW30	BC178B / BC558B
C5	MMBA811C5	—
C6	MMBA811C6	—
C7	BCF29	—
C8	BCF30	—
CE	BSS79B	—
CEC	BC869	BC369
CF	BSS79C	—
CH	BSS82B / BSS80B	—
CJ	BSS80C	—
CM	BSS82C	—
D1	BCW31	BC108A / BC548A
D2	BCW32	BC108A / BC548A
D3	BCW33	BC108C / BC548C
D6	MMBC1622D6	—
D7	BCF32	—
D8	BCF33	BC549C / BCY58 / MMBC1622D8
DA	BCW67A	—
DB	BCW67B	—
DC	BCW67C	—
DE	BFN18	—
DF	BCW68F	—
DG	BCW68G	—
DH	BCW68H	—
E1	BFS17	BFY90 / BFW92
EA	BCW65A	—
EB	BCW65B	—
EC	BCW65C	—
ED	BCW65C	—
EF	BCW66F	—
EG	BCW66G	—
EH	BCW66H	—
F1	MMBC1009F1	—
F3	MMBC1009F3	—
FA	BFQ17	BFW16A
FD	BCV26	MPSA64
FE	BCV46	MPSA77
FF	BCV27	MPSA14
FG	BCV47	MPSA27
GF	BFR92P	—
h2	BCW69	—
h3	BCW70	BC557B
h4	BCW89	—
H7	BCF70	—
K1	BCW71	BC547A
K2	BCW72	BC547B
K3	BCW81	—
K4	BCW71R	—
K7	BCV71	—
K8	BCV72	—
K9	BCF81	—
L1	BSS65	—
L2	BSS70	—
L3	MMBC1323L3	—
L4	MMBC1623L4	—
L5	MMBC1623L5	—
L6	MMBC1623L6	—
L7	MMBC1623L7	—
M3	MMBA812M3	—
M4	MMBA812M4	—
M5	MMBA812M5	—
M6	BSR58 / MMBA812M6	2N4858
M7	MMBA812M7	—
O2	BST82	—
P1	BFR92	BFR90
P2	BFR92A	BFR90
P5	FMMT2369A	2N2369A
Q3	MMBC1321Q3	—
Q4	MMBC1321Q4	—
Q5	MMBC1321Q5	—
R1	BFR93	BFR91
R2	BFR93A	BFR91
S1A	SMBT3904	—
S1D	SMBTA42	—
S2	MMBA813S2	—
S2A	SMBT3906	—
S2D	SMBTA92	—
S2F	SMBT2907A	—
S3	MMBA813S3	—
S4	MMBA813S4	—
T1	BCX17	BC327
T2	BCX18	—
T7	BSR15	2N2907A
T8	BSR16	2N2907A
U1	BCX19	BC337
U2	BCX20	—
U7	BSR13	2N2222A
U8	BSR14	2N2222A
U9	BSR17	—
U92	BSR17A	2N3904
Z2V	FMMTA64	—
ZD	MMBT4125	2N4125

 

 

Радиационно-стойкие транзисторы MOSFET в корпусе Sup-IR SMD™

15. 01.2020

Подразделение компании Infineon Technologies AG – International Rectifier HiRel Products – предлагает радиационно-стойкие N-канальные транзисторы MOSFET IRHNS67160 и IRHNS63160 для поверхностного монтажа, выполненные в корпусе Sup-IR SMD™.

Технология корпусирования является ключевым фактором повышения производительности транзисторов MOSFET.

В таблице 1 представлено сравнение основных параметров транзистора в корпусе SMD-2 и корпусе Sup-IR SMD для кристалла HEX-6 с полосковой структурой ячеек (StripFET). При этом транзистор в корпусе Sup-IR SMD может быть установлен на плату без применения дополнительного кристаллодержателя.

 

Таблица 1. Сравнение основных параметров транзистора в корпусе SMD-2 и корпусе Sup—IR SMD для кристалла HEX-6 с полосковой структурой ячеек (StripFET)

 

Параметр	SMD-2	Sup—IR SMD™
Площадь основания, дюйм2	0,595	0,376 – на 37% меньше
Вес, г	5,1	2,8 – на 45% легче
Ток номинальный, А	56	82 – на 46% больше
Тепловое сопротивление, ºC/Вт	0,75	0,50 – на 0,25 ºC/Вт меньше
Электрическое сопротивление, Ом	0,97	0,68 – на 30% меньше
Паразитная индуктивность, мкГн	2,19	0,52 – на 76% меньше

 

Транзисторы характеризуется высокой стойкостью как к воздействию поглощённой дозы (100/300 крад), так и одиночных заряженных частиц (90 МэВ•мг/см²). Сочетание низкого сопротивления канала в открытом состоянии и низкого значения заряда затвора снижает потери мощности при коммутации транзистора в таких применениях как DC/DC-преобразователи и управление электроприводами.

Эти устройства сохранили все хорошо известные преимущества транзисторов MOSFET, такие как управление уровнем напряжения, быстрое переключение и температурная стабильность электрических параметров.

 

Таблица 2. Основные технические характеристики MOSFET-транзисторов в корпусе Sup—IR SMD

Наименование	Суммарная накопленная доза, крад	Напряжение блокирующее BVDSS, В	Ток стока ID, А	Сопротивление канала RDS (on) , мОм	Заряд затвора Qg, нК
IRHNS67160	100	100	56	0,01	170
IRHNS63160	300

 

Детальные технические характеристики транзисторов представлены в справочном листке.

HiRel Products

Цифровые микросхемы транзисторы.

Микросхемы ТТЛ (74…).

На рисунке показана схема самого распространенного логического элемента — основы микросхем серии К155 и ее зарубежного аналога — серии 74. Эти серии принято называть стандартными (СТТЛ). Логический элемент микросхем серии К155 имеет среднее быстродействие t_{зд,р,ср.}= 13 нс. и среднее значение тока потребления I_пот = 1,5…2 мА. Таким образом, энергия, затрачиваемая этим элементом на перенос одного бита информации, примерно 100 пДж.

Для обеспечения выходного напряжения высокого уровня U¹_вых. 2,5 В в схему на рисунке потребовалось добавить диод сдвига уровня VD4, падение напряжения на котором равно 0,7 В. Таким способом была реализована совместимость различных серий ТТЛ по логическим уровням. Микросхемы на основе инвертора, показанного на рисунке (серии К155, К555, К1533, К1531, К134, К131, К531), имеют очень большую номенклатуру и широко применяются.

Динамические параметры микросхем ТТЛ серии

ТТЛ серия		Параметр			Нагрузка
Российские	Зарубежные	Pпот. мВт.	tзд.р. нс	Эпот. пДж.	Cн. пФ.	Rн. кОм.
К155 КМ155	74	10	9	90	15	0,4
К134	74L	1	33	33	50	4
К131	74H	22	6	132	25	0,28
К555	74LS	2	9,5	19	15	2
К531	74S	19	3	57	15	0,28
К1533	74ALS	1,2	4	4,8	15	2
К1531	74F	4	3	12	15	0,28

При совместном использовании микросхем ТТЛ высокоскоростных, стандартных и микромощных следует учитывать, что микросхемы серии К531 дают увеличенный уровень помех по шинам питания из-за больших по силе и коротких по времени импульсов сквозного тока короткого замыкания выходных транзисторов логических элементов. При совместном применении микросхем серий К155 и К555 помехи невелики.

Взаимная нагрузочная способность логических элементов ТТЛ разных серий

Нагружаемый выход	Число входов-нагрузок из серий
	К555 (74LS)	К155 (74)	К531 (74S)
К155, КM155, (74)	40	10	8
К155, КM155, (74), буферная	60	30	24
К555 (74LS)	20	5	4
К555 (74LS), буферная	60	15	12
К531 (74S)	50	12	10
К531 (74S), буферная	150	37	30

Выходы однокристальных, т. е. расположенных в одном корпусе, логических элементов ТТЛ, можно соединять вместе. При этом надо учитывать, что импульсная помеха от сквозного тока по проводу питания пропорционально возрастет. Реально на печатной плате остаются неиспользованные входы и даже микросхемы (часто их специально «закладывают про запас») Такие входы логического элемента можно соединять вместе, при этом ток I^o_вх. не увеличивается. Как правило, микросхемы ТТЛ с логическими функциями И, ИЛИ потребляют от источников питании меньшие токи, если на всех входах присутствуют напряжения низкого уровня. Из-за этого входы таких неиспользуемых элементов ТТЛ следует заземлять.

Статические параметры микросхем ТТЛ

Параметр	Условия измерения	К155			К555			К531			К1531
		Мин.	Тип.	Макс.	Мин.	Тип.	Макс.	Мин.	Тип.	Макс.	Мин.	Макс.
U1вх, В схема	U1вх или U0вх Присутствуют на всех входах	2			2			2			2
U0вх, В схема				0,8			0,8			0,8
U0вых, В схема	Uи.п.= 4,5 В			0,4		0,35	0,5			0,5		0,5
		I0вых= 16 мА			I0вых= 8 мА			I0вых= 20 мА
U1вых, В схема	Uи. п.= 4,5 В	2,4	3,5		2,7	3,4		2,7	3,4			2,7
		I1вых= -0,8 мА			I1вых= -0,4 мА			I1вых= -1 мА
I1вых, мкА с ОК схема	U1и.п.= 4,5 В, U1вых=5,5 В			250			100			250
I1вых, мкА Состояние Z схема	U1и.п.= 5,5 В, U1вых= 2,4 В на входе разрешения Е1 Uвх= 2 В			40			20			50
I0вых, мкА Состояние Z схема	U1и. п.= 5,5 В, Uвых= 0,4 В, Uвх= 2 В			-40			-20			-50
I1вх, мкА схема	U1и.п.= 5,5 В, U1вх= 2,7 В			40			20			50		20
I1вх, max, мА	U1и.п.= 5,5 В, U1вх= 10 В			1			0,1			1		0,1
I0вх, мА схема	U1и.п.= 5,5 В, U0вх= 0,4 В			-1,6			-0,4			-2,0		-0,6
Iк. з., мА	U1и.п.= 5,5 В, U0вых= 0 В	-18		-55			-100			-100	-60	-150

Работа узлов полупроводниковой схемы и реле

Страница 4 из 11

3. РАБОТА УЗЛОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ СХЕМЫ И РЕЛЕ В ЦЕЛОМ
Узлы полупроводниковой схемы реле РЧ-I удобно начать рассматривать с простого выходного каскада, изображенного на рис 18. Предыдущий каскад, который управляет транзисторам Т, изобразим в виде ключа К, разомкнутый ключ соответствует закрытому состоянию выходного транзистора предыдущего каскада, замкнутый — открытому

Рис 16 Условные изображения транзисторов рп-р (а) н п-р-п (б)
Когда ключ К замкнут, база транзистора Т (точка Л) подключена к делителю R2—R3 между шинками -6В и 0, поэтому ее потенциал значительно положительнее эмиттера (подключенного к шинке 0) и транзистор надежно закрыт Так в обмотке реле РП практически отсутствует, реле находится в отпавшем положении
Если ключ К разомкнуть, то база транзистора Т оказывается подключенной к делителю R3—(R1 + R2) между—12 В и +6 В, и потенциал ее станет отрицательнее (при отключенной базе потенциал точки А был бы около —3 В). Транзистор открывается, и по обмотке реле проходит ток, который определяется сопротивлением обмотки и питающим напряжением Падение напряжения на открытом транзисторе практически отсутствует Реле срабатывает При замыкании ключа транзистор закрывается и реле отпадает
Рис 19 Схема усилительного каскада

При закрытии транзистора из-за индуктивности обмотки реле могут возникнуть перенапряжения, на коллекторе транзистора будет в этом случае большой отрицательный потенциал Для предотвращения повреждения транзистора используется диод Д, который шунтирует обмотку реле, если потенциал ее нижнего вывода станет отрицательнее шинки — 22 В. При открытом транзисторе Т диод Д закрыт и не влияет на работу реле
Таким образом, с помощью такого каскада, работающею в ключевом режиме, обеспечивается срабатывание реле при размыкании ключа К, те при закрытии выходного транзистора предыдущего каскада. Коллекторное напряжение принято 22 В, чтобы обеспечить надежную работу выходного реле РП-220, которое имеет напряжение срабатывания около 15 В

Рис. 18 Схема выходного каскада
Рассмотрим работу более сложного усилительного каскада, состоящего из двух транзисторов (рис 19) Как и раньше считаем, что управление каскадом осуществляется с помощью ключа К. Прежде всего следует отметить, что транзистор 77 имеет обратную проводимость (п-р-п). Такой транзистор открыт, если его база имеет положительный потенциал относительно эмиттера. Эмиттер транзистора 77 подключен к средней точке делителя R7—R8, выполненного из относительно низкоомных резисторов (по 1,2 кОм). Потенциал эмиттера около —6 В и мало зависит от состояния транзистора Т1 (открыт или закрыт), так как сопротивление резисторов делителя на порядок меньше коллекторной нагрузки Т1 (резистор R4 на 10 кОм). При замкнутом ключе К диод Д1 открыт, следовательно, Д2 закрыт (так как точка ‘Б имеет потенциал не положительнее точки А, связанной через Д1 с шинкой 0) и отделяет базу транзистора 77 от шинки —12 В. Поэтому база транзистора 77 положительнее его эмиттера, и 77 отк]рыт. При этом обеспечен отрицательный потенциал базы транзистора Т2. Последний тоже открыт. Точка Б при открытом транзисторе Т1 немного положительнее точки В —на величину падения напряжения на эмиттерном переходе открытого 77.
При размыкании ключа К диод Д1 закрывается, что позволяет открыться диоду Д2, база транзистора Т1 получает связь с шинкой —12 В и оказывается подключенной к делителю R2-R3, причем сопротивление R2 меньше R3 Транзистор 77 закрывается (при отсоединенном диоде ДЗ потенциал тони Б был бы около —8 В, т. е. отрицательнее точки В). Диод ДЗ предназначен для защиты эмиттер наго перехода транзистора Т1 от больших запирающих напряжений (напряжение в точке Б относительно эмиттера транзистора Т1 не превышает падения напряжения на диоде ДЗ). Кроме того, диод ДЗ способствует стабильной работе транзистора Т1 при колебаниях температуры. Закрытие транзистора 77 приводит к закрытию Т2, так как база транзистора Т2 отделяется от шинки —12 В, но остается подключенной к шинке +6 В через резистор R5, диод Д4 имеет такое же назначение, как ДЗ. Диоды Д1 и Д2 образуют так называемый диодный ключ Если диад Д/ открыт, то Д2 обязательно закрыт, и наоборот. Управление с помощью диодного ключа повышает четкость работы управляемого транзистора.
На рис. 19 пунктиром показаны конденсаторы С1 и С2. Конденсатор С1 замедляет закрытие транзистора
Т1 после размыкания ключа К на бремя заряда C1 до напряжения, равного потенциалу точки Б (так как диод Д2 открывается только в том случае, если точка А отрицательнее точки Б, а до заряда конденсатора точка А остается положительнее, чем точка Б). Подобную роль может играть конденсатор С2, который также на время своего заряда задерживает появление в точке Л отрицательного потенциала после размыкания ключа К. При замкнутом ключе К конденсатор С1 шунтирован через диод Д1 и разряжен, конденсатор С2 шунтирован через Д1 ‘и Т2 и тоже разряжен.

Рис. 20 Фазочувствительный Рис. 21. Схема усилительно- элемент схемы реле.      ограничительного каскада.

Рис. 21. Схема усилительно-ограничительного каскада.

Таким образом, при замкнутом управляющем ключе К выходной транзистор Т2 рассматриваемого каскада открыт, а при разомкнутом К — закрыт. Если подключен конденсатор С1 или С2, то закрытие транзистора Т2 происходит не в момент размыкания управляющего ключа, а через некоторое время.
На рис. 20 показан фазочувствительный элемент схемы реле. Как и при рассмотрении усилительных каскадов примем, что управление осуществляется ключами К1 и К2. При замкнутом ключе К1 транзистор 77 закрыт, поскольку его база включена между шинками 0 и +6 В и положительнее эмиттера. При отключенном ключе К1 база транзистора 77 оказывается подключенной между шинками +6 В и —12 В. Так как сопротивление до шинки —12 В меньше, чем до шинки +6 В, база транзистора 77 приобретает отрицательный потенциал (относительно эмиттера). Если коллектор транзистора Т1 будет отрицательнее шинки 0, то транзистор Т1 откроется. Следовательно, ключ Kl управляет транзистором 77.
При замкнутом ключе К2 конденсатор С1 практически разряжен. Потенциал верхней пластины (точка А) равен нулю, потенциал нижней пластины (точка Б) близок к нулю (подробное описание процесса разряда конденсатора смотри ниже).
В момент размыкания ключа К2 начинается заряд конденсатора С1. Если в это время открыт транзистор 77, то ток заряда проходит через него, потенциал точки Б в процессе заряда остается равным нулю, точка В остается положительной и транзистор Т2 не открывается. Если транзистор 77 закрыт, то зарядный ток ‘начинает проходить по резистору R5, база транзистора Т2 приобретает отрицательный потенциал относительно эмиттера, транзистор Т2 открывается. По мере нарастания напряжения на конденсаторе ток по резистору R5 уменьшается и через некоторое время после начала заряда транзистор Т2 закрывается.
Время открытого состояния транзистора Т2 определяется параметрами схемы, для реле РЧ-1 оно составляет ОКОЛО 1 :МС.
При замыкании ключа К2 конденсатор С1 разряжается. Процесс протекает следующим образом. Как известно, напряжение на конденсаторе не изменяется мгновенно. Поэтому в первый момент после замыкания ключа К2 потенциал точки А становится равным нулю, а потенциал точки Б становится положительнее на напряжение, до которого был заряжен конденсатор, т. с, примерно на 12 В. Потенциал базы транзистора 77 составляет либо около 1,5 В (при замкнутом ключе Д7), либо около —4 В (при разомкнутом ключе К1). Таким образом, коллектор транзистора 77 положительннее эмиттера, а его база отрицательнее коллектора (независимо от состояния Kl). В гаком режиме транзистор открывается и через него происходит разряд конденсатора С1. Если ключ К1 разомкнут, то конденсатор разряжается практически до нуля; если ключ К1 замкнут, то разряд прекращается, когда потенциал базы становится равным потенциалу базы транзистора 77, так как в этот момент транзистор 77 закрывается.
Разряд конденсатора С1 не является основным процессом. Работа схемы основана на процессе заряда С1, во время которого открывается или не открывается
транзистор Т2. Кратковременное открытие транзистора Т2 происходит в момент размыкания ключа К2, если ключ К1 при этом замкнут. Если ключ К1 размыкается одновременно с ключом К2 или раньше, то транзистор Т2 не открывается. Таким образом, схема фиксирует порядок размыкания ключей; если сначала размыкается ключ К2, то транзистор Т2 кратковременно открывается, если ключ К1—остается закрытым.
Теперь рассмотрим работу усилительно-ограничительного каскада (рис. 21), который используется для преобразования синусоидального .напряжения в прямоугольные .импульсы.
При отсутствии входного напряжения UBy. транзистор Т открыт, поскольку его база оказывается отрицательнее эмиттера (так как точка Б отрицательна). Когда к резистору R1 приложена отрицательная полуволна входного напряжения, точка А получает еще более отрицательный потенциал, диод Д1 закрывается, предотвращая чрезмерное увеличение тока через эмиттерный переход транзистора Т. Транзистор Т остается открытым. При положительной полуволне напряжения t/BX точка А после прекращения тока по резистору R1 (или изменения его направления) становится положительной, диод Д1 открывается, а Д2 закрывается, так как точка Б становится положительнее точки В. Это приводит к отделению базы транзистора Т от шинки —12 В, и транзистор закрывается. Надежное закрытие обеспечивается подачей положительного потенциала через резистор R3, диод ДЗ защищает эмиттерный переход от большого запирающего напряжения. При закрытии транзистора Т в точке Г появляется отрицательное напряжение, т. е. импульс. Амплитуда импульса не зависит от амплитуды входного напряжения, а определяется коллекторным напряжением, сопротивлением нагрузки и другими параметрами схемы. Ширина импульса, т. е. его длительность, несколько меньше полуволны входного напряжения, так как для закрытия диода Д2 нужно, чтобы £/Вх было больше падения напряжения на резисторе R1 при отсутствии входного напряжения. Таким образом, при переменном синусоидальном напряжении на входе схемы на выходе появляются прямоугольные импульсы (рис. 22).
После ознакомления с работой отдельных узлов рассмотрим работу всей схемы. Сначала вернемся к структурной схеме реле (см рис 2) На вход формирователей Ф1 и Ф2 подано синусоидальное напряжение oi измерительных цепей Напряжение С/0 (опорное) совпадает по фазе с напряжением сети, напряжение Uf при частоте сети выше уставки реле отстает от опорного напряжения и опережает его, если частота сети ниже уставки (более подробно об этом сказано в § 1) Синусоидальные напряжения Uf и U0 преобразуются формирователями в прямоугольные импульсы, которые подаются на фазочувствительный элемент ФЭ Команду на срабатывание реле вырабатывает фазочувствительный элемент Она поступас1 на усилитель У, если импульсы от формирователя Ф1 опережают импульсы от формирователя Ф2 или совпадают с наши по фазе Усилитель имеет элемент выдержки времени После истечения заданного времени срабатывает исполнительный орган ИО (промежуточное реле РП-220)
Рассмотрим более подробно отдельные элементы, связь между ними, назначение и работу некоторых блокирующих элементов
Формирователи Ф1 и Ф2 практически одинаковы, они представляют собой усилительно-ограничительные каскады, рассмотренные выше (рис 21, 22) Формирователь Ф2 состоит из транзистора Т2 (МП-42Б), диодов ДЗ, Д8, (Д223Б) и Д6 (Д9Ж), резисторов R6, R8 и R10 (МЛТ) Здесь и далее обозначения отдельных элементов соответствуют принципиальной схеме реле РЧ 1, показанной на рис 3, если нет дополнительных ссылок на другие рисунки, а обозначения формирователей Ф1 и Ф2 соответствуют рис 2 Синусоидальное напряжение, которое следует преобразовать в прямо угольные импульсы, снимается с резистора R5 Формирователь Ф1 состоит из транзистора 77 (М. П-42Б), диодов Д4, Д51 Д9 (Д223Б) и Д7 (Д9Ж), резисторов R7, R9, Rll, R* (МЛТ). Синусоидальное напряжение снимается с резисторов R2 и R3 (МЛТ)

Рис 22 Импульсы на усилительно ограничительном каскаде
1 — переменное напряжение на входе 2 — уровень чувствительности 3- импульсы на выходе

Рис 23 Влияние чувствительности формирователей на ширину импульсов
Дополнительный резистор R*, который подключают параллельно R6 или R7, предназначен для обеспечения правильной работы реле частоты при небольших напряжениях на входе реле Отклонения частоты срабатывания от уставки вызываются двумя основными причина ми Во-первых, при небольшом напряжении на входе реле дроссель измерительном цепи работает в начальной части характеристики намагничивания, имеющей меньшую крутизну Индуктивность дросселя уменьшается, что приводит к увеличению частоты срабатывания реле Во вторых, чувствительность формирователей может

Ряс 24 Зависимость срабатывания рече РЧ 1 ог напряжения на входе реле при разных значениях сопротивления резистора R» Кривые 1—6 соответствуют уменьшающимся значениям сопротивления радистора R*
быть неодинаковой из за различия параметров деталей, входящих в схему, хотя типы и номинальные данные входящих в разные формирователи деталей одинаковы Так, например, сопротивление большинства применен ьы\ резисторов может иметь разброс ±10%, различными могут быть характеристики транзисторов МП42Б Различная чувствительность формирователей приводит к различной ширине импульсов на их выходе, особенно при небольшом напряжении на входе реле, что наглядно показано на рис 23 Различная ширина импульсов в свою очередь вызывает значительную погрешность в работе фазочувствительного элемента (подробнее смотри ниже), т е снижает точность работы реле Дополнительный резистор R*, принудительно изменяя чувствительность одного из формирователей, обеспечивает не обходимую точность реле в заданном диапазоне изменения входного напряжения.
Зависимость частоты срабатывания от напряжения на входе реле при разных сопротивлениях резистора R* показана на рис 24
Формирователь Ф1 имеет два вводных диода Д4 и Д5 Через диод Д5 подается напряжение от измерительной цепи, настроенной на уставку АЧР, а через д»юд Д4 — от измерительной цепи, настроенной па уставку АПВ после АЧР (если соединены выводы 5 и 6 реле) (рис 6).
Поскольку уставка АПВ после АЧР выше, чем уставка АЧР, напряжение, подаваемое через Д4, всегда опережает напряжение, подаваемое через Д5 На рис 25 показано, что импульс формирователя Ф1 при одновременном воздействии на него двух измерительных цепей реле оказывается шире одного полупериода промышленной частоты, а его начало совпадает с переходом через нуль напряжения с измерительной цепи ЧАПВ При этом предполагается, что формирователь обладает весьма высокой чувствительностью, г с уровень чувствительности во много раз меньше амплитуды синусоидального напряжения на входе формирователя.

Рис 25 Импульсы формирователя Ф1 при одновременном воздействии на него напряжений двух измерительных цепей
1 — напряжение измеритель ной цепи ЧАПВ 2 — то же АЧР 3 — импульсы на выходе формирователя
Таким образом, при поданном на вход реле достаточно большом переменном напряжении (более 40 В) формирователи вырабатывают прямоугольные импульсы Начала импульсов практически совпадают с переходам напряжения на входе формирователя через нуль По мере уменьшения напряжения на входе реле уменьшается и амплитуда переменного (напряжения на входе формирователей Уровень чувствительности формирователя становится соизмеримым с напряжением на его входе Это приводит к тому, что начала импульсов смещаются относительно перехода через нуль переменного напряжения Сказанное иллюстрируется рис 23 Чувствительность формирователей, несмотря на применение дополнительного корректирующего резистора, несколько различна поэтому смешения импульсов формирователей относительно перехода переменного напряжения через нуль неодинаковы. Когда напряжение на входе реле снизится настолько, что амплитуда напряжения на входе формирователя станет меньше уровня чувствительности формирователя, импульсы прекратятся При этом транзистор формирователя остается открытым, что соответствует отсутствию импульса на выходе.
В реле РЧ-1 импульсы исчезают при напряжении на входе реле около 1,5 В.
Импульсы с формирователей поступают на фазочувствительный элемент, который состоит из транзисторов ТЗ и Т4 (МП42Б), диодов Д10—Д12 (Д223Б), резисторов R11—R16 (МЛТ), конденсатора С2 (МБМ) Принцип действия этого элемента был рассмотрен выше (рис 20) Транзисторы ТЗ и Т4 на полной схеме реле соответствуют транзисторам 77 и Т2, показанным на рис 20, резистор R10 — резистору R4, приведенному на рис. 20 и 21, a R11 — резистору R1 на рис. 20 и R4 на рис 21 В качестве ключей К1 и К2 (рис 20) служат формирователи импульсов Ф/ и Ф2 соответственно Импульс на выходе формирователя соответствует разомкнутому, отсутствие импульса — замкнутому ключу. Таким образом, фазочувствительный элемент фиксирует порядок поступления импульсов от формирователей Если сначала поступает импульс от формирователя Ф2, то транзистор Т4 кратковременно открывается 1 раз в период Иначе говоря, на выходе фазочувствительного элемента появляются положительные импульсы Если же импульсы от формирователей Ф1 и Ф2 поступают одновременно или сначала поступает импульс от Ф1, транзистор Т4 остается закрытым, т. е импульсов на выходе фазочувствительного элемента нет.
При достаточно высокой чувствительности формирователей импульсов, когда уровень чувствительности во много раз меньше амплитуды напряжения на входе, можно считать, что начало импульса совпадает с переходом переменного напряжения на входе формирователя через нуль Сравнивая моменты начала импульсов от двух формирователей, сопоставляем моменты перехода через нуль напряжений на входе формирователей, т е сравниваем по фазе переменные напряжения, поданные иа вход формирователей Если импульс от формирователя Ф2 начинается раньше, чем от Ф1, это означает (см рис 2), что напряжение на входе Ф2 (t/0) опережает напряжение на входе Ф1 (Uj).
Выше было показано, что при частоте сети выше уставки реле напряжение О0 опережает Uf. При частоте сети, равной уставке, эти напряжения совпадают по фазе и при частоте сети ниже уставки напряжение 0о отстает от напряжения Of (§ 1 и рис. 4). Следовательно, если на выходе фазочувствительного элемента есть положительные импульсы (открывается транзистор Т4 1 раз в период), то частота сети выше уставки реле. Если частота сети равна уставке или ниже ее, то импульсов иет. Таким образом, команда на срабатывание подается именно фазочувствительным элементом и заключается в прекращении положительных импульсов. Команда на возврат реле заключается в появлении положительных импульсов (на выходе фазочувствительного элемента).
Ширина положительного импульса, т. е. длительность открытого состояния транзистора Т4, может быть различной Если частота сети значительно выше уставки реле, то напряжение Cf:, намного опережает Uf. Импульс от формирователя Ф1 приходит, когда конденсатор С2 уже зарядился и транзистор Т4 уже закрылся В этом случае ширина положительного импульса определяется временем заряда С2 и составляет около 1 мс. Если частота сети близка к уставке, то импульс от формирователя Ф1 приходит до окончания заряда С2. Транзистор Т4 закрывается в момент начала импульса от формирователя Ф1, следовательно, он открыт менее 1 мс. По мере уменьшения частоты сети импульс на выходе фазочувствительного элемента становится короче.
Разная чувствительность формирователей приводит к разному смещению начал импульсов относительно перехода переменного напряжения на входе формирователя через нуль, что особенно заметно при низком напряжении. В таком случае одновременный приход импульсов от формирователей Ф1 и Ф2 уже не говорит о совпадении напряжений (U0 и Of) на входе формирователей по фазе. Если чувствительнее формирователь Ф1, то одновременный приход импульсов будет, когда U0 еще опережает Uf, т. е. когда частота сети выше уставки реле (рис. 26). Это приведет к срабатыванию реле при частоте в сети выше уставки. Если чувствительнее формирователь Ф2, то реле будет срабатывать при частоте в сети ниже уставки (если пренебречь влиянием уменьшения крутизны характеристики намагничивания дросселя).
Чтобы исключить неправильную работу реле при низком переменном напряжении, выполнена специальная блокировка. Если напряжение на входе реле менее 10—15 В (или совсем отсутствует), то транзистор Т4 открыт через диод Д10 и резистор R14 независимо от взаимного расположения импульсов формирователей. Открытое состояние транзистора Т4 (длительный положительный импульс) является запретом на срабатывание

Рис. 26. Взаимное расположение напряжении на входах формирователей Ф1 и Ф2 в момент одновременного начала импульсов на их выходах при разной чувствительности формирователей. а — чувствительность формирователя Ф1 лучше, чем Ф2\ 6 — чувствительность Ф2 лучше, чем Ф1, Ф1 и Ф2 — уровни чувствительности формирователей. 1 — импульсы формирователя Ф1, 2— то же, Ф?
реле. Когда величина переменного напряжения на входе реле достаточна для точной работы фазочувствительного элемента, на отрицательный вывод диода Д10 подается положительное смещение с конденсатора С1. Диод Д10 закрывается, отделяя базу транзистора Т4 от шинки —12 В. С этого момента транзистор Т4 управляется только формирователями импульсов. Благодаря этой блокировке исключается также неправильное срабатывание реле РЧ-1 при подаче и снятии переменного напряжения.
Таким образом, совместная работа измерительных цепей, формирователей импульсов и фазочувствителного элемента обеспечивает выработку:
запрещающего сигнала в виде длительного положительного импульса на выходе фазочувствительного элемента при недостаточном переметном напряжении на входе реле независим от его частоты или при отсутствии этого напряжения, запрещающего сигнала в виде кратковременных положительных импульсов на выходе фазочувствительного элемента при нормальной величине переменного напряжения на входе реле с частотой выше уставки;
разрешающего сигнала (отсутствие положительных импульсов на выходе фазочувствительного элемента) при нормальной величине переменного напряжения на входе реле с частотой, равной уставке или ниже ее.
Сигналы с фазочувствительного элемента поступают на вход первого каскада усилителя У (рис. 2). Этот каскад состоит из транзисторов Т5 (МШ13А) и Т6 (МП42Б), диодов Д13—Д16 (Д223Б), резисторов R16— R23 (МЛТ), конденсатора СЗ. Резистор R16 можно считать принадлежащим как первому каскаду усилителя, так и фазочувствительпому элементу, а резистор R21— второму каскаду усилителя. Работа такого усилительного каскада была рассмотрена выше (рис. 19). В данном случае транзисторы ТЬ и Т6. соответствуют транзисторам 77 и Т2 (рис. 19), а в качестве управляющего ключа служит выходной транзистор Т4 фазочувствительного элемента. Если он открыт, что соответствует замкнутому ключу К на рис. 19, то открыт и выходной транзистор первого каскада усилителя Т6. Закрытие транзистора Т6 происходит через некоторое время после закрытия транзистора Т4 за счет заряда конденсатора СЗ (соответствует С2 на рис. 19). Разряд конденсатора СЗ происходит практически мгновенно в момент открытия транзистора Г4. Время, на которое задерживается закрытие транзистора Т6 для реле РЧ-1 составляет около 1 мс. Даже при очень кратковременном открытии транзистора Т4 транзистор Т6 откроется не менее чем на 1 мс, т. е. произойдет расширение импульса от фазочувствительно элемента, в связи с чем этот каскад называют иногда расширителем импульсов. Расширение импульсов необходимо для надежного разряда конденсаторов второго каскада усилителя, обеспечивающих выдержку времени реле.
Итак, при частоте в сети выше уставки реле транзистор Т6 открывается 1 раз в период на время около 1 мс. Открытие транзистора Т6 происходит при открытии транзистора Т4, т. е. в момент начала импульса формирователя Ф2. При отсутствии переменного напряжения на входе реле транзистор Т6 длительно открыт. При частоте в сети, равной уставке или ниже, транзистор
Т6 не открывается. Транзистор Т6 является управляющим для второго каскада усилителя, который отличается от первого только тем, что замедляющие конденсаторы подключены на вход усилителя (соответствуют конденсатору С1 на рис. 19) и емкость их значительно больше. В состав каскада входят транзисторы 77 (МП 11 ЗА) и Т8 (МП42Б), диоды Д17—Д20, резисторы R21—R30, конденсаторы С4, 6С—8С. Транзисторы 77 и Т8 соответствуют транзисторам 77 и Т2 (рис. 19). В качестве ключа служит транзистор Т6. При открытом Т6 конденсаторы С4, 6С—8С шунтированы, транзисторы 77 и Т8 открыты. В момент закрытия транзистора Т6 начинается заряд конденсаторов С4, 6С—8С, транзисторы 77 и Т8 еще остаются открытыми Если частота сети выше уставки реле, то конденсаторы не успеют зарядиться до напряжения, при котором закроется транзистор 77 (а затем Т8), поскольку транзистор Т6 вновь откроется и зашунтирует конденсаторы С4, 6С—8С. Когда частота в сети станет равной уставке, транзистор Т6 перестанет открываться и конденсаторы С4, 6С—8С зарядятся до напряжения закрытия транзистора 77. Одновременно закроется и транзистор Т8, т. е. усилитель сработает.
Время срабатывания усилителя определяется емкостью конденсаторов, подключенных на вход второго каскада. Если подключены конденсаторы 6С—8С, то оно составляет около 0,5 с, если подключен только конденсатор 6С, то 0,15 с. При подключении конденсаторов 6С и 7С это время составляет около 0,3 с.
При открытии транзистора Т6 конденсаторы выдержки времени полностью разряжаются Если в процессе набора выдержки времени па выходе фазочувствительного элемента появится хотя бы один положительный импульс (кратковременно откроется транзистор Т4), конденсаторы разрядятся и отечет выдержки времени начнется сначала.
Таким образом, при отсутствии на входе реле переменного напряжения (транзистор Т6 длительно открыт) и при частоте в сети выше уставки (транзистор Т6 открывается 1 раз в период) выходной транзистор Т8 длительно открыт. После понижения частоты в сети на время, большее времени срабатывания, транзистор Т8 закрывается.
Транзистор Т8 является управляющим для выходного  каскада (принцип действия рассмотрен выше, см. рис 18). Открытый транзистор Т8 соответствует замкнутому ключу К, закрытый — разомкнутому. Следовательно, при срабатывании усилителя открывается транзистор Т9 и срабатывает выходное реле.
Если отключить все замедляющие конденсаторы 6С—8С, то в течение одного периода промышленной частоты оставшийся конденсатор С4 будет успевать заряжаться до напряжения закрытия транзистора 77. Тогда транзистор Т8 будет закрываться 1 раз в период, а транзистор Т9 будет открываться 1 раз в период, по обмотке реле будет проходить пульсирующий ток. Для срабатывания реле этого тока недостаточно, одного его иногда хватает для удержания реле, если оно по каким- либо причинам сработает. В связи с этим эксплуатация реле с отключенными замедляющими конденсаторами недопустима.
Теперь проследим работу всей схемы от формирователей до выходного реле. При частоте переменного напряжения на входе реле выше уставки импульс формирователя Ф2 начинается раньше импульса формирователя Ф1, в связи с чем транзистор Т4 открывается током заряда конденсатора С2 ] раз в период. При этом 1 раз в период открывается транзистор Т6, который шунтирует конденсаторы С4, 6С—8С и не дает им зарядиться до напряжения закрытия транзистора 77. Следовательно, остается открытым транзистор Т8, чем обеспечивается надежное закрытие транзистора Т9. Выходное реле при этом не обтекается током и не срабатывает. Как только частота напряжения на входе реле понизится до уставки, импульс формирователя Ф1 будет начинаться одновременно с импульсом формирователя Ф2. Транзистор ТЗ будет открываться в момент начала заряда конденсатора С2, ток заряда будет проходить не по переходу эмиттер — база транзистора Т4, а по транзистору ТЗ. Транзистор Т4 останется закрытым, не будет открываться и транзистор Т6. После заряда замедляющих конденсаторов закроются транзисторы 77 и Т8 и откроется Т9. Выходное реле сработает.
Рассмотрим характер импульсов в тех или иных точках схемы реле, которые можно увидеть на экране электронного осциллоскопа (рис. 27). Заземленный зажим осциллоскопа нужно подсоединить к шинке О, другой зажим — к коллектору соответствующего транзистора.
Рис. 27. Импульсы в характерных точках схемы реле РЧ-1 (относительно шинки 0).
/ — коллектор транзистора 77; г —то же. Т2-. 3 — то же, Т4-. 4— то же, Т5; 5 —то
Начнем с формирователей импульсов (транзисторы 77 и Т2). Открытое состояние транзистора 77 соответствует верхнему краю изображения; импульс (закрытое состояние транзистора) располагается ниже. Импульс на коллекторе транзистора 77 должен быть прямоугольным, ширина его примерно равна ширине паузы, амплитуда около 5 В. Напряжение на коллекторе транзистора 77, измеренное вольтметром постоянного напряжения, должно быть 2—2,5 В (в 2 раза меньше амплитуды за счет пауз, примерно равных по длительности импульсу).
Левая часть импульса па коллекторе транзистора Т2 (начало импульса) непрямоугольная. Увеличение напряжения на коллекторе определяется процессом заряда конденсатора С2. Продолжительность заряда конденсатора С2 составляет около 1/3 длительности импульса, т. е. 2,5—3,5 мс. Амплитуда импульса должна быть около 12 В (при измерении вольтметром 4,5— 5,5 В).
Характер импульсов на коллекторах транзисторов 77 и Т2 практически не зависит от частоты переменного напряжения на входе реле РЧ-1.
Рис. 27. Импульсы в характерных точках схемы реле РЧ-1 (относительно шинки 0).
/ — коллектор транзистора 77; г —то же. Т2-, 3 — то же, Т4-. 4— то же, 75; 5 —то

Переходим к рассмотрению импульсов на транзисторе Т4. Как было отмечено раньше, этот транзистор кратковременно открывается J раз в период, если частота переменного напряжения на входе реле РЧ-1 выше уставки. Открытое состояние транзистора Т4 и считается обычно импульсом, хотя напряжение на транзисторе в этот момент близко к нулю. Амплитуда импульса должна» быть близка 12 В, его ширина незначительна — около 1 мс. При приближении частоты переменного напряжения к уставке реле ширина импульса уменьшается, при исчезновении импульсов реле срабатывает.
Измеренное вольтметром напряжение на коллекторе транзистора Т4 немного меньше амплитуды импульса. Вольтметр, измеряющий только переменную составляющую, покажет незначительное напряжение, исчезающее при срабатывании реле.
Импульсы на коллекторе транзистора Т5 будем рассматривать не относительно эмиттера этого транзистора. а относительно шинки 0, чтобы не изменять подключение осциллоскопа. При открытом транзисторе Т5 напряжение на его коллекторе близко к напряжению эмиттера и составляет около —6 В. При закрытом транзисторе Т5 напряжение на его коллекторе равно падению напряжения на открытом диоде Д16 и составляет около 0,5 В. Провалы на экране соответствуют открытому транзистору, верхняя граница изображения —закрытому. Ширина (длительность) провалов зависит от частоты переменного напряжения и составляет 1—2 мс. Амплитуда импульсов должна быть около 6,5 В. При частоте переменного напряжения на входе реле, равной уставке, импульсы пропадают —транзистор TS остается длительно закрытым. Если частота переменного напряжения выше уставки, то напряжение на коллекторе транзистора Т5, измеренное вольтметром относительно шинки 0, обычно бывает —0,1:0,3 В. Отрицательный знак появляется из-за того, что в провалах напряжение на коллекторе —6 В, небольшая величина напряжения объясняется тем, что провалы относительно узки. Иногда напряжение па коллекторе транзистора Т5 бывает даже положительным до 0,1 В. Напряжение между эмиттером и коллектором транзистора Т5, измеряемое вольтметром, составляет до срабатывания около 6 В, после срабатывания 6,5 В. Незначительно изменение показаний вольтметра при срабатывании реле объясняется малой шириной провала, исчезающего, когда частота переменного напряжения равна уставке на реле РЧ-1.
Импульсы на коллекторе транзистора Т6 напоминают импульсы на коллекторе транзистора Т2. После закрытия транзистора напряжение па его коллекторе нарастает по мере перезаряда конденсатора СЗ. Амплитуда импульсов составляет около 12 В, при срабатывании реле импульсы исчезают, так как транзистор Т6 остается длительно закрытым. Измеренное вольтметром напряжение на коллекторе транзистора Т6 составляет
7,5—10 В при частоте напряжения на входе реле выше уставки и на 1,0—1,5 В выше при частоте, равной уставке или ниже ее.
Транзисторы 77—Т9 не переключаются каждый период, поэтому импульсов напряжения на их коллекторах наблюдать нельзя.
Рассмотрим особенности устройства реле повышения частоты РЧ-2. Принцип действия и структурная схема реле РЧ-1 и РЧ-2 одинаковы. Срабатывание и того и другого реле происходит при условии равенства частоты сети и резонансной частоты используемой измерительной цепи. Чтобы реле РЧ-2 при частоте сети выше уставки находилось в сработанном состоянии, несколько изменен фазочувствительный элемент. Формирователи (транзисторы П и Т2), все каскады усилителей (транзисторы Т5—Т9) и блок питания реле РЧ-1 и РЧ-2 абсолютно аналогичны. Совместная работа измерительных цепей, формирователей импульсов и фазочувствительного элемента обеспечивают (сравните с работой РЧ-1) выработку:
запрещающего сигнала в виде длительного положительного импульса на выходе фазочувствительного элемента при недостаточном переменном напряжении на входе реле независимо от его частоты или при отсутствии этого напряжения;
запрещающего сигнала в виде кратковременных положительных импульсов на выходе фазочувствительного элемента при нормальном переменном напряжении на входе реле с частотой ниже уставки;
разрешающего сигнала (отсутствие положительных импульсов на выходе фазочувствительного элемента) при нормальном переменном напряжении на входе реле с частотой, равной уставке, или выше ее.

Рис. 28. Фазочувствительный элемент реле РЧ-2.
В реле РЧ-2 запрещающие импульсы — кратковременное открытие транзистора Т4 — обеспечиваются, если напряжение 0о отстает от напряжения Of (рис. 1), что соответствует частоте сети ниже частоты уставки. Сравнение фаз напряжений tjQ и Of осуществляют, сравнивая моменты конца импульсов формирователей. Реле не работает, если импульс от формирователя Ф2 кончается позже, чем импульс от формирователя Ф1, На рис. 28 показан фазочувствительный элемент реле РЧ-2. Обозначения на схеме такие же, как на полной принципиальной схеме реле РЧ-2 в [6]; дополнительным по отношению к реле РЧ-1 является только резистор R35.
Как и раньше, примем, что импульс формирователя соответствует разомкнутому, отсутствие импульса—замкнутому ключу, ключи К1 и К2 соответствуют формирователям Ф1 и Ф2. При разомкнутых ключах К1 и К2 транзистор ТЗ открыт (так как сопротивление резистора R35 меньше, чем R13 и база транзистора ТЗ отрицательна) и шунтирует переход эмиттер — база транзистора Т4; поэтому транзистор Т4 тоже закрыт. При замыкании ключа К’1 потенциал базы транзистора ТЗ скачком увеличится (станет положительнее) на величину напряжения, до которого был заряжен конденсатор С2, транзистор ТЗ закроется на время разряда конденсатора С2. Если к этому моменту ключ К2 еще разомкнут, то транзистор Т4 кратковременно откроется.
При замкнутом ключе К2 транзистор Т4 закрыт независимо от состояния транзистор а ТЗ, т. е. не зависит от состояния ключа Ю- При размыкании ключей транзистор ТЗ остается открытым, поэтому транзистор Т4 не имеет возможности открыться. Следовательно, работа фазочувствительного элемента определяется порядком замыкания ключей К1 и К2, т. е. порядком прекращения импульсов от формирователей Ф1 и Ф2. Если сначала исчезает импульс Ф1 (напряжение Uf опережает напряжение 0о), то транзистор Т4 кратковременно открывается 1 раз в период, т. е. вырабатывается запрещающий сигнал. Если импульсы исчезают одновременно или раньше исчезает импульс формирователя Ф2, то транзистор Т4 не открывается, что соответствует команде на срабатывание реле. Во всем остальном работа реле РЧ-2 не отличается от работы реле РЧ-1.
На этом заканчивается рассмотрение принципа действия и устройства реле частоты РЧ. Некоторые дополнительные сведения питатель может найти в заводской технической документации и в сети.

6-ти транзисторный Superhet 6S-716 Radio Sanyo Electric Co.

{gbW: «634», gbH: «476», mW: «500», mH: «375», kb: «63 КБ», примечания: «Для модели 6 Transistor Superhet 6S-716, Sanyo Electric Co. Ltd. ; Моригути (Осака) «, название:» Sanyo Electric Co. 6 Transistor Superhet 6S-716 от Мануэля Альбано Невеса (1) «, ite:» 1 «} {gbW: «634», gbH: «476», mW: «500», mH: «375», kb: «65 КБ», примечания: «Для модели 6 Transistor Superhet 6S-716, Sanyo Electric Co. Ltd. ; Моригути (Осака) «, название:» Sanyo Electric Co.6 Transistor Superhet 6S-716 от Мануэля Альбано Невеса (1) «, ite:» 1 «} {gbW: «634», gbH: «476», mW: «500», mH: «375», kb: «52 КБ», примечания: «Для модели 6 Transistor Superhet 6S-716, Sanyo Electric Co. Ltd. ; Моригути (Осака) «, название:» Sanyo Electric Co. 6 Transistor Superhet 6S-716 от Мануэля Альбано Невеса (1) «, ite:» 1 «} {gbW: «634», gbH: «476», mW: «500», mH: «375», kb: «48 КБ», примечания: «Для модели 6 Transistor Superhet 6S-716, Sanyo Electric Co. Ltd. ; Моригути (Осака) «, название:» Sanyo Electric Co.6 Transistor Superhet 6S-716 от Мануэля Альбано Невеса (1) «, ite:» 1 «} {gbW: «1400», gbH: «1050», мВт: «500», mH: «375», kb: «135 КБ», примечания: «Для модели 6 Transistor Superhet 6S-716, Sanyo Electric Co. Ltd. ; Моригути (Осака) «, название:» Sanyo Electric Co. 6 Transistor Superhet 6S-716 от Эдоардо Сигисмондо (1) «, ite:» 1 «} {gbW: «1400», gbH: «1050», мВт: «500», mH: «375», kb: «126 КБ», примечания: «Для модели 6 Transistor Superhet 6S-716, Sanyo Electric Co. Ltd. ; Моригути (Осака) «, название:» Sanyo Electric Co.6 Transistor Superhet 6S-716 от Edoardo Sigismondo (1) «, ite:» 1 «} {gbW: «1400», gbH: «1050», мВт: «500», mH: «375», kb: «134 КБ», примечания: «Для модели 6 Transistor Superhet 6S-716, Sanyo Electric Co. Ltd. ; Моригути (Осака) «, название:» Sanyo Electric Co. 6 Transistor Superhet 6S-716 от Эдоардо Сигисмондо (1) «, ite:» 1 «} {gbW: «1400», gbH: «1050», мВт: «500», mH: «375», kb: «136 КБ», примечания: «Для модели 6 Transistor Superhet 6S-716, Sanyo Electric Co. Ltd. ; Моригути (Осака) «, название:» Sanyo Electric Co.6 Transistor Superhet 6S-716 от Edoardo Sigismondo (1) «, ite:» 1 «} {gbW: «1400», gbH: «1050», мВт: «500», mH: «375», kb: «179 КБ», примечания: «Для модели 6 Transistor Superhet 6S-716, Sanyo Electric Co. Ltd. ; Моригути (Осака) «, название:» Sanyo Electric Co. 6 Transistor Superhet 6S-716 от Эдоардо Сигисмондо (1) «, ite:» 1 «} {gbW: «1400», gbH: «1050», mW: «500», mH: «375», kb: «149 KB», примечания: «Для модели 6 Transistor Superhet 6S-716, Sanyo Electric Co. Ltd. ; Моригути (Осака) «, название:» Sanyo Electric Co.6 Transistor Superhet 6S-716 от Edoardo Sigismondo (1) «, ite:» 1 «}

Amazon.com: Винтажный жесткий резиновый чехол для телефона с транзисторным радио для iPhone 6 / 6s Plus Чехол: сотовые телефоны и аксессуары

---

В настоящее время недоступен.
Мы не знаем, когда и появится ли этот товар в наличии.

Совместимые модели телефонов	Apple iPhone 6 Plus, Apple iPhone 6S Plus
Марка	Сэм Сандор
Цвет	ТранзисторRa
Материал	Резина
Фактор формы	Бампер

---

• Удобная защитная подгонка для iPhone 6 / 6s Plus (не для iPhone 6 / 6s или iPhone 6 / 6s — перед покупкой проверьте, какая у вас модель телефона, она НЕ подходит для iPhone 6 / 6s или iPhone 6 / 6s)
• Прочная текстурированная нескользящая поверхность гарантирует, что вы всегда будете держать телефон в руке.
• Тонкий дизайн для максимальной защиты вашего телефона без компромиссов. Резиновый бампер выступает вперед, обеспечивая дополнительную защиту экрана.
• Быстрая доставка из США, чтобы обеспечить быструю защиту вашего телефона. Каждый чехол для телефона проходит проверку качества, чтобы гарантировать 100% удовлетворение.
• Великолепные яркие изображения на задней стороне корпуса, которые гарантируют, что вы создаете модный образ каждый раз, когда используете свой телефон.

Анализ A9: двойной источник и размер матрицы

Dual Sourcing A9: два по цене двух

Возможно, более примечательным, чем тот факт, что A9 построен с использованием процесса FinFET, является то, кем он был построен.Впервые Apple использует два источника SoC — вместо того, чтобы использовать исключительно TSMC или Samsung, они используют оба.

Вообще говоря, использование двойных поставщиков — это практика, которая вышла из моды, поскольку количество контрактных производителей полупроводников сократилось, а стоимость производства микросхем выросла. Поскольку каждый производитель имеет свои собственные правила и передовой опыт, для создания чипа с двумя источниками необходимо дважды проектировать его, по одному разу для каждого производителя. Это привело к тому, что стоимость использования двойных поставщиков со временем увеличилась, и, как следствие, использование двойных поставщиков вышло из моды.

Это, конечно, большая часть того, что делает решение Apple о двойном источнике настолько неожиданным. На этот раз Apple делает гораздо большую ставку, используя двойные источники, чем на прошлых SoC, где они производились одним производителем (будь то TSMC или Samsung). Использование двойных поставщиков означает, что затраты Apple на перенос и перенос A9 на магнитную ленту почти удвоились; они должны записать каждую версию A9 для соответствующих наборов правил фабрики, а затем они должны пройти процесс настройки с каждой, чтобы набрать урожайность и тактовую частоту.По крайней мере, они могут повторно использовать базовую архитектуру (например, ЦП Twister и их графический процессор PowerVR), но на самом деле создание дизайна микросхемы для каждой фабрики составляет значительную часть затрат на разработку A9.

Сравнение размеров кристалла Samsung и TSMC A9 (изображение предоставлено Chipworks )

Конечный результат — два похожих, но не совсем одинаковых чипа, которые производятся соответственно TSMC и Samsung. Оба являются A9, оба оснащены одним и тем же процессором, графическим процессором, интерфейсом памяти и всеми другими битами, составляющими A9.Но каждая из них производится на разных фабриках по правилам этой фабрики.

Одним из непосредственных последствий использования двух источников является то, что размеры кристаллов A9 отличаются. A9, произведенный Samsung по 14-нм техпроцессу FinFET, является меньшим из двух — 96 мм2. Между тем A9, произведенный по 16-нм техпроцессу FinFET TSMC, имеет площадь 104,5 мм2, что примерно на 9% больше. Хотя разница в размерах невелика (и не то, чего мы ожидали в противном случае), есть компромиссы. При прочих равных условиях более крупный кристалл TSMC будет производить меньше полных штампов на 300-миллиметровую пластину, и любой конкретный кристалл с большей вероятностью будет иметь дефект, поскольку меньше штампов для того же количества дефектов.Это дает Samsung A9 небольшое преимущество в производстве благодаря более высокой плотности, однако не менее важно отметить, что в реальном мире здесь играет роль ряд факторов, в том числе производительность на каждой фабрике и сколько заряжает каждая фабрика. Apple, поэтому, хотя Samsung A9 — это меньший A9, это не обязательно более дешевый A9.

Многих больше волнует вопрос, есть ли разница в производительности между двумя A9. Мы немного писали на эту тему несколько недель назад, и краткий ответ заключается в том, что это очень сложно сказать.Поскольку качество микросхем является распределением, нет двух одинаковых телефонов, использующих один и тот же A9, а это означает, что простое сравнение любых двух телефонов не может рассказать нам всей истории. В конечном счете, что нужно, так это большое количество телефонов, чтобы найти распределение, медианное значение этого распределения и сравнение медиан. Это то, что, если бы все было сделано идеально, потребовало бы тысяч телефонов и действительно возможно только для Apple или групп конкурентного анализа их хорошо финансируемых конкурентов.

Apple A9 Die Shots (Изображение предоставлено Chipworks Teardown Report)

На данный момент у нас нет ничего нового, чтобы добавить к обсуждению — у нас недостаточно данных — хотя это все еще вопрос, над которым мы работаем.Иногда лучшее, что мы можем сделать, — это сказать, когда у нас недостаточно информации, вместо того, чтобы экстраполировать слишком много из слишком малого количества информации. Однако я отмечу, что в конечном итоге в интересах Apple, чтобы A9 были как можно более похожими, и есть шаги, которые они могут предпринять для этого, особенно при выборе чипов, которые они будут использовать.

Текущее распределение производителей микросхем A9 (изображение любезно предоставлено Hiraku)

Между тем, глядя на данные, собранные разработчиком iOS в рамках проекта CPU Identifier Хираку, интересно отметить, что из более чем 250 тысяч телефонов, отобранных на данный момент, Samsung A9 присутствует в 63% этих телефонов, что дает нам соотношение Samsung к TSMC почти 2 к 1.Этот опрос не следует рассматривать как последнее слово в соотношении между двумя критериями A9, поскольку оно может меняться со временем, и такой вариант опроса имеет врожденную предвзятость самоотбора, но при таком большом количестве результатов он должен быть достаточно точным. краткое изложение текущей ситуации.

То, что еще предстоит выяснить — и, вероятно, никогда не получить ответа за пределами One Infinite Loop — это то, почему Apple в первую очередь выбрала двойные источники. Мы, безусловно, можем размышлять о причинах, по которым они поступили бы так: проблемы с производством на фабрике, желание не класть все яйца в одну корзину и не давать одной фабрике слишком много мощности, или даже просто желание быстро нарастить производство A9 за счет удвоения количество фабрик, работающих над этим.Очевидно, однако, что с учетом того, что Apple продала 48 миллионов iPhone в третьем квартале 2015 года (обратите внимание, что большинство из них были не 6ses), A9 является уникально хорошим кандидатом для использования двух поставщиков. Apple продает достаточно iPhone, так что, не считая своей большой кучи наличных денег, они могут покрыть расходы на двойное снабжение, распределяя затраты на десятки миллионов высокоприбыльных чипов, и если доходность / предложение были фактором в этом решении, то это тем более причина двойного источника. Это, в свою очередь, заставляет меня задуматься, увидим ли мы, что Apple продолжит эту стратегию, учитывая их огромный объем, или это было разовое мероприятие из-за ранней природы FinFET, что привело к тому, что они остановились на одной фабрике для запуска iPhone 7. .

Размер кристалла: самое интересное

Наконец, прежде чем перейти к обсуждению CPU и GPU A9, давайте поговорим о размере кристалла A9 в историческом контексте. В отличие от перехода от A7 к A8, Apple не получает преимуществ от значительного увеличения плотности транзисторов при переходе от A8 к A9. Чтобы использовать TSMC в качестве примера (поскольку они производили A8), их 16-нанометровый процесс FinFET рекламируется как имеющий вдвое большую плотность, чем их 28-нанометровый процесс, однако по сравнению с тем же 28-нанометровым процессом их 20-нанометровый процесс имел 1.9-кратное преимущество в плотности. Другими словами, переход от 20-нм планарного HKMG к 16-нм FinFET не приносит с собой такого же улучшения плотности, которое мы наблюдали в последних нескольких поколениях.

Фактически, единственный другой раз, когда Apple не воспользовалась преимуществом улучшения плотности, это переход с A4 на A5, когда размеры кристаллов Apple изменились с того, что остается их самым маленьким кристаллом, на их самый большой кристалл, и все это за одно поколение. Что касается A9, то Apple должна работать умнее, поскольку они не могут добавить большое количество транзисторов по сравнению с A8, не увеличивая размер кристалла A9 за пределами оптимального положения Apple (и в то же время снижая производительность чипов).

Apple SoC Evolution
	Размер матрицы	Транзисторы	Процесс
A5	122м2	<1B	45 нм
A6	97 мм 2	<1B	32 нм
A7	102 мм 2	> 1B	28 нм
A8	89 мм 2	~ 2B	20 нм
A9	96 мм 2 /104.5 мм 2	> 2B	14 нм / 16 нм

Следовательно, A9, которые мы получаем, на удивление консервативны. Размер TSMC A9 составляет 104,5 мм2, что примерно на 17% больше, чем у TSMC A8. Между тем, Samsung A9 — меньший из двух — 96 мм2. TSMC A9 в настоящее время является второй по величине SoC Apple, отличной от X, но едва ли; он всего на 2,5 мм2 больше, чем A7. В противном случае, при среднем размере кристалла 100 мм2, это ставит A9 на верхнюю границу сладкого места Apple.

Тем не менее, несмотря на ограниченный выигрыш в плотности транзисторов по сравнению с A8, Apple удалось немного «нарастить» конструкцию своих SoC. Мы рассмотрим это более подробно на следующих страницах, но особо следует отметить, что Apple сейчас реализует то, что мы считаем 6-ядерным графическим процессором PowerVR, и Apple значительно увеличила размеры кеш-памяти L2 и L3. К этому добавляется переход на LPDDR4 (требующий более сложных контроллеров памяти) и многочисленные более мелкие улучшения, о которых мы, вероятно, никогда не узнаем.Однако количество ядер процессора осталось неизменным — 2.

Анализ первоначальной компоновки Chipworks (Изображение предоставлено Chipworks)

Мой анализ компоновки для A9 (Die Shot Courtesy Chipworks)

В заключение, теперь, когда у нас есть снимки обоих A9 от Chipworks, я должен снять шляпу в пользу Apple за то, что они выпустили точный снимок того, что мы теперь знаем, это Samsung A9 в их презентации iPhone 6s. До сих пор Apple никогда не выпускала собственных штампов для своих SoC, и на самом деле первые штампы в полупроводниковой промышленности в целом становятся все более редкими.Следовательно, я ожидал, что выстрел Apple был фальшивкой, только для того, чтобы меня впечатлило то, что это правда. Более того, несмотря на низкое разрешение снимка, улучшения ложных цветов и контрастности Apple на удивление ясно показывают, где находятся блоки ЦП и ГП и сколько их. Это уровень контрастности, с которым на этот раз не могут сравниться даже снимки Chipworks.

Apple признала, что одни iPhone 6S хуже других • The Register

Apple признала, что у некоторых iPhone 6S время автономной работы хуже, чем у других, потому что их процессоры производятся двумя разными производителями микросхем.

Гигант из Купертино заявил в четверг в заявлении, что телефоны, использующие 16-нм процессоры A9 производства TSMC, будут иметь немного более продолжительное время автономной работы, чем те, которые работают на 14-нм процессорах A9 производства Samsung, но эта разница намного меньше, чем было ранее. предложенный.

Совершенно верно — микросхемы с транзисторами большего размера (затворы TSMC 16 нм) служат дольше на одном заряде батареи, чем микросхемы меньшего размера (затворы 14 нм от Samsung).

Как правило, производители оборудования уменьшают размер затвора транзистора, чтобы увеличить тактовую частоту и производительность, не потребляя слишком много тока для включения и выключения затвора.

Но чем меньше вы идете, тем больше утечки тока, когда ворота ничего не делают, если только вы не используете технологию смягчения последствий, такую ​​как конструкции FinFET. Уменьшение Samsung до 14 нм просто не работает так же хорошо, как 16-нм детали TSMC.

Этот инструмент может определить, есть ли в вашем iPhone мозг — TSMC или Samsung.

«Наши тесты и данные клиентов показывают, что фактическое время автономной работы iPhone 6s и iPhone 6s Plus, даже с учетом различных различий компонентов, варьируется в пределах всего 2-3%», — заявил сегодня представитель Apple.

Вскоре после появления на рынке первых телефонов iPhone 6S и 6S Plus исследователи кремния обнаружили, что процессор A9, используемый в телефоне, производят две разные компании.В остальном идентичные телефоны были оснащены 64-битным ARMv8-совместимым чипом TSMC или Samsung, и оба процессора были изготовлены с использованием разных технологий.

Совсем недавно, по разным оценкам, разница между ними может достигать семи процентов, поскольку чипы TSMC обеспечивают более длительное время автономной работы iPhone 6S, чем их аналоги от Samsung.

Заявление Apple подтверждает, что действительно существует разница в сроке службы батареи между двумя процессорами, но далеко не та, о которой сообщалось.

«Некоторые промышленные лабораторные тесты, которые запускают процессоры с постоянной высокой нагрузкой до тех пор, пока батарея не разрядится, не являются репрезентативными для реального использования, поскольку они проводят нереалистичное количество времени в состоянии максимальной производительности процессора», — фыркнула Apple.

«Это неверный способ измерения реального времени автономной работы».

В то время как разница в времени автономной работы действительно может быть практически незначительной в дикой природе, предположений может быть достаточно, чтобы Apple отказалась от подхода с двумя производителями и перешла к одному производителю процессоров для обработки всех процессоров для будущих выпусков iPhone и iPad. .®

Напоминание сторонникам теории заговора: подразделение Samsung, занимающееся электроникой, производит смартфоны и планшеты Android, которые конкурируют с iThings от Apple, а его полупроводниковое подразделение производит микросхемы в оборудовании Apple. Надо подумать.

DC 12-24 В 6-битный поворотный энкодер Koyo с релейно-транзисторным счетчиком выходов KCV — 6S

DC 12-24 В, 6 бит, счетчик релейных транзисторов KCV — 6S — C Поворотный энкодер Koyo

Краткое описание

Название продукта	Напряжение питания	Тип выхода	Напряжение датчика	Показать бит	Модель
Электронный счетчик	12-24 В постоянного тока	Релейный транзистор	НЕТ	6 светодиодных дисплеев	KCV-6S-C

Тактико-технические характеристики

• Экономичный и практичный счетчик KCV Series

• Панель 48 мм × 48 мм с большим светодиодным дисплеем

• Установка случайных цифр

• Функция запоминания сбоев питания без батарей

• Со съемными клеммными колодками

• Функция блокировки клавиш

• Блок питания датчика большой емкости

• Тип переменного тока — режим широкого напряжения

• Расширенная функция подсчета

• Прогнозирование вывода с выводом двух сегментов

• Скорость отклика 10 кбит / с

Технические характеристики

Модель	KCV-6S-C
Тип продукта	Электронный счетчик серии KCV
Напряжение питания	12-24 В постоянного тока
Тип выхода	Релейный транзистор
Напряжение датчика	НЕТ
Тип	Доработан для установки счетчика
Комплект	Период вывода, предварительный вывод
Показать бит	6 светодиодный дисплей
Высота текста светодиода	8мм (количество) 7мм (набор)
Установить номер диапазона	–99999 ～ 999999
Диапазон настройки	0 999999
Ввод	Скорость счета: 30/200/1k / 10kcps Switch Входное сопротивление: 15 кОм положительная логика, отрицательная логика 3.3 кОм (тип переменного тока) / 1,8 кОм (тип постоянного тока) Входное напряжение: ”L” 0 ～ 3 В, ”H” 7 ～ 30 В
Ввод счета запрещен	Степень ответа ≤ 100 мкс
Внешний сброс	Минимальная ширина сигнала 5 мс
Автоматический сброс	Степень ответа ≤ 100 мкс
Ручной сброс	Степень ответа ≤ 0.1с
Память сбоя питания	20 ～ 500 мс
Сброс памяти сбоя питания	50 ～ 500 мс
Выход	Бесконтактный выход: NPN выход с открытым коллектором 24 В 100 мА до 35 В остаточное напряжение 1,5 В Контактный выход: контакт AC2202A (резистивная нагрузка)
Режим вывода	Одиночный импульс / удержание / линия
Время одноимпульсного выхода	10 ~ 9990 мс Единица 10 мс
Доля предфункции	0.001 99,999
десятичная точка	Бита любая
Защита клавиш	Ключ любой
Собран	Съемные клеммные колодки

Список электронных счетчиков серии Koyo KCV

KCV-4S-C

KCV-6S-C

KCV-4S

KCV-6S

KCV-4T

KCV-6T

KCV-4T-C

KCV-6T-C

Метки продукта:

12–24 В постоянного тока, 6-битный поворотный энкодер Koyo со счетчиком релейно-транзисторных выходов KCV — 6S — C Изображения

Срок службы батареи iPhone 6S «может составлять до двух часов в зависимости от поставщика микросхемы» | Apple

Два, казалось бы, одинаковых, совершенно новых iPhone 6S могут иметь время автономной работы до двух часов в зависимости от того, какая из двух компаний изготовила свой процессор, согласно сообщениям владельцев.

Расследование было инициировано сообщением сайта технологических новостей Anandtech о том, что Apple использует два источника для одного из ключевых компонентов новых телефонов. «Система на кристалле» A9, кусок кремния, лежащий в основе iPhone 6S и iPhone 6S Plus, разработан Apple, но производится двумя независимыми подрядчиками: корейской Samsung Electronics и тайваньской TSMC. Эти два чипа взаимодействуют с остальным оборудованием одинаково, поскольку они имеют одинаковую конструкцию, но различия в их производстве, очевидно, влияют на то, насколько эффективно они выполняют свою работу.

TSMC реализует конструкции Apple с использованием производственного процесса с минимальной шириной транзистора 16 нм по сравнению с 14 нм у Samsung, и в результате получается чип, который физически больше на 8,5 мм ² . Но помимо физических различий, версия чипа TSMC также, похоже, имеет заметно лучшее энергопотребление, согласно отчетам пользователей, опубликованным на сайтах, включая Mac Rumors и Reddit. Один пользователь с двумя iPhone 6S Plus с разными чипами сообщил о разнице в два часа автономной работы между телефонами: чип TSMC проработал почти восемь часов при выполнении ряда операций с интенсивным зарядом батареи, а у Samsung — едва ли шесть.

Сложно определить, какая версия чипа установлена ​​в конкретном телефоне, но некоторые приложения, такие как Lirum Device Info, могут сообщить об этом владельцам. Микросхема Samsung отображается как N66AP или N71AP, а микросхема TSMC отображается как N66MAP или N71MAP.

Это не первый случай, когда Apple сталкивается с проблемами при выборе ключевых компонентов из двух источников. В 2012 году, когда был выпущен Retina MacBook Pro, компания купила экраны у двух разных поставщиков, LG и Samsung. Оказалось, что экраны, предоставленные LG, страдают от серьезных проблем с выгоранием, отображая призрачное изображение любого изображения, которое остается на экране слишком долго.Несмотря на призывы пользователей к отзыву, компания публично не признавала разницу в качестве, но, очевидно, начинала заменять неисправные ноутбуки, если пользователи приносили их в магазин с жалобами на качество.

Ранее в этом году Wall Street Journal сообщал, что попытки использовать двойной источник для нового «таптического движка» в Apple Watch также привели к проблемам. Один из двух поставщиков новаторского компонента вибрации, AAC Technologies, по-видимому, не смог постоянно поставлять надежные детали, что привело к тому, что Apple отказалась от этого поставщика и утилизировала некоторые готовые часы.В конце концов, компания использовала только детали, предоставленные японской Nidec, у которой не было такой проблемы.

Apple не ответила на запрос о комментарии.

% PDF-1.3 % 1 0 объект > поток конечный поток эндобдж 2 0 obj > эндобдж 3 0 obj > эндобдж 4 0 obj > / Parent 3 0 R / Contents [17 0 R] / Type / Page / Resources> / Shading> / XObject> / ProcSet [/ PDF / Text / ImageC] / Font >>> / MediaBox [0 0 595.