С3953 транзистор параметры – 2SC5387, Транзистор NPN, генераторный, драйвер управления строчной развертк [2-16E3A]

2SC3953 — кремниевый эпитаксиальный планарный NPN транзистор — DataSheet

Корпус транзистора 2SC3953 и его обозначение на схемеКорпус транзистора 2SC3953 и его обозначение на схеме

Описание

Кремниевый эпитаксиальный планарный NPN транзистор для выходных каскадов видеоусилителей телевизионных приемников.

Особенности:

  • Для применения в схемах широкополосных усилителей.
  • Комплементарная пара с транзистором 2SA1538.
 
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символы Параметр Условия Мин. значение Тип. значение Макс. значение Единицы
Vcbo Напряжение коллектор-база 120 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер 120 В
Vebo Напряжение эмиттер-база 3 В
Ic Ток коллектора 200 мА
Icp Ток коллектора импульсный 400 мА
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе T = 25 °C 8 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 80 В, Ie = 0 0,1 мкА
Iebo Обратный ток эммитера Veb = 2 В, Ic = 0 1,0 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 10 В, Ic = 10 мA 40 320
Vce = 10 В, Ic = 100 мA 20
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 30 мA, Ib = 3 мА 1,0 В
Vbe_sat Напряжение насыщения Б-Э Ic = 30 мA, Ib = 3 мА 1,0 В
fT Граничная частота эффективного усиления Vce = 10 В, Ic = 50 мA 400 МГц
2SA1538/2SC3953 C D E F
hFE (Ic = 50 мA) 40   80 60   120 100   200 160   320

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

2SC4138 — кремниевый NPN диффузионный планарный транзистор — DataSheet

Корпус транзистора 2SC4138 и его обозначение на схемеКорпус транзистора 2SC4138 и его обозначение на схеме

Описание

Кремниевый NPN диффузионный планарный транзистор для импульсных источников питания.

Особенности:

  • Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения.
  • Высокое напряжение пробоя Vcbo = 500 В.
  • Низкое напряжение насыщения.
  • Широкая область безопасной работы.
  • Высокая надежность.
 
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символы Параметр Условия Мин. значение Тип. значение Макс. значение Единицы
Vcbo Напряжение коллектор-база 500 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер 400 В
Vebo Напряжение эмиттер-база 10 В
Ic Ток коллектора постоянный/импульсный 10/20 А
Ib Ток базы
4,0 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе T = 25 °C 80 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 500 В 100 мкА
Iebo Обратный ток эммитера Veb = 10 В 100 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 4 В, Ic = 6,0 A 10 30
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 6,0 A, Ib = 1,2 А 0,5 В
Vbe_sat Напряжение насыщения Б-Э Ic = 6,0 A, Ib = 1,4 А 1,3 В
Ft Граничная частота эффективного усиления Vce = 12 В, Ie = 0,7 А 10 МГц
Cob Выходная емкость Vce = 10 В, F= 1 МГц 85 пФ
Tf Время спада импульса RI = 33,3 Ом, Ic = 6,0 A 0,5 мкс

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

2SC3998 — кремниевый NPN диффузионный транзистор — DataSheet

Корпус транзистора 2SC3998 и его обозначение на схемеКорпус транзистора 2SC3998 и его обозначение на схеме

Описание

Кремниевый NPN диффузионный транзистор для выходных каскадов строчной развертки телевизионных приемников с ЭЛТ высокой четкости.

Особенности:

  • Высокая скорость переключения.
  • Высокое напряжение пробоя (Vcbo = 1500 В).
 
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символы Параметр Условия Мин. значение Тип. значение Макс. значение Единицы
Vcbo Напряжение коллектор-база 1500 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер 800 В
Vebo Напряжение эмиттер-база 6 В
Ic Ток коллектора
25 А
Icp Ток коллектора импульсный 50 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе T = 25 °C 250 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 800 В, Ie = 0 1 мА
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер Ic = 100 мА, Ib = 0 800 В
Iebo Обратный ток эммитера Veb = 4 В, Ic = 0 1 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, Ic = 1,0 A 8 30
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 20 A, Ib = 5,0 А 5 В
Vbe_sat Напряжение насыщения Б-Э Ic = 20 A, Ib = 5,0 А 1,5 В
Tf Время спада импульса Ic = 12 А, Ib = 2,4 А 0,2 мкс
Tstg Время установления Ic = 12 А, Ib = 2,4 А 3,0 мкс

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

2SC4236 — кремниевый NPN диффузионный планарный транзистор — DataSheet

Корпус транзистора 2SC4236 и его обозначение на схемеКорпус транзистора 2SC4236 и его обозначение на схеме

Описание

Кремниевый NPN диффузионный планарный транзистор для импульсных источников питания.

Особенности:

  • Серия мощных высоковольтных транзисторов с высокой скоростью переключения.
  • Высокое напряжение пробоя (Vcbo = 1200 В).
  • Низкое напряжение насыщения.
  • Широкая область безопасной работы.
  • Высокая надежность.
 
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символы Параметр Условия Мин. значение Тип. значение Макс. значение Единицы
Vcbo Напряжение коллектор-база
1200 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер 800 В
Vebo Напряжение эмиттер-база 7 В
Ic Ток коллектора постоянный/импульсный 6,0/12,0 А
Ib Ток базы 3,0 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Tc = 25 °C 100 Вт
Icbo Обратный ток коллектора 100 мкА
Iebo Обратный ток эммитера 100 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, Ic = 3,0 A 8
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 3,0 A, Ib = 0,6 А 1,0 В
Vbe_sat Напряжение насыщения Б-Э Ic = 3,0 A, Ib = 0,6 А 1,5 В
Ft Граничная частота эффективного усиления Vce = 10 В, Ic = 0,6 A 8 МГц
Ton Время включения Ic = 3,0 А 0,5 мкс
Tf Время спада импульса RI = 85 Ом, Ic = 3,0 А 0,3 мкс

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

2SC3997 — кремниевый NPN диффузионный транзистор — DataSheet

Корпус транзистора 2SC3997 и его обозначение на схемеКорпус транзистора 2SC3997 и его обозначение на схеме

Описание

Кремниевый NPN диффузионный транзистор для выходных каскадов строчной развертки телевизионных приемников с ЭЛТ высокой четкости.

Особенности:

  • Высокая скорость переключения.
  • Высокое напряжение пробоя (Vcbo = 1500 В).
 
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символы Параметр Условия Мин. значение Тип. значение Макс. значение Единицы
Vcbo Напряжение коллектор-база 1500 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер 800 В
Vebo Напряжение эмиттер-база 6 В
Ic Ток коллектора 20 А
Icp Ток коллектора импульсный 40 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе T = 25 °C 250 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 800 В, Ie = 0 1 мА
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер Ic = 100 мА, Ib = 0 800 В
Iebo Обратный ток эммитера Veb = 4 В, Ic = 0 1 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, Ic = 1,0 A 8 30
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 16 A, Ib = 4,0 А 5 В
Vbe_sat Напряжение насыщения Б-Э Ic = 16 A, Ib = 4,0 А 1,5 В
Tf Время спада импульса Ic = 12 А, Ib = 2,4 А 0,2 мкс
Tstg Время установления Ic = 12 А, Ib = 2,4 А 3,0 мкс

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

2SC4924 — кремниевый NPN диффузионный транзистор — DataSheet

Корпус транзистора 2SC4924 и его обозначение на схемеКорпус транзистора 2SC4924 и его обозначение на схеме

Описание

Кремниевый NPN диффузионный транзистор для выходных каскадов строчной развертки телевизионных приемников с ЭЛТ высокой четкости.

Особенности:

  • Высокая скорость переключения.
  • Высокое напряжение пробоя (Vcbo = 1500 В).
 
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символы Параметр Условия Мин. значение Тип. значение Макс. значение Единицы
Vcbo Напряжение коллектор-база 1500 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер 800 В
Vebo Напряжение эмиттер-база 6 В
Ic Ток коллектора 10 А
Icp Ток коллектора импульсный 25 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе T = 25 °C 70 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 800 В, Ie = 0 10 мкА
Iebo Обратный ток эммитера Veb = 4 В, Ic = 0 1,0 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, Ic = 1,0 A 8
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 8,0 A, Ib = 2,0 А 5 В
Vbe_sat Напряжение насыщения Б-Э Ic = 8,0 A, Ib = 2,0 А 1,5 В
Tf Время спада импульса Ic = 6 А, Ib = 1,2 А 0,1 0,2 мкс
Tstg Время установления Ic = 6 А, Ib = 1,2 А 3,0 мкс

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *