Распиновка контактов ddr3: Распиновка разъёма 240 pin DDR3 » Официальный сайт. Первый социально-информационный портал.

Содержание

Расшифровка номеров по каталогу модулей памяти Kingston®

Глоссарий

Емкость

Общее количество имеющихся ячеек памяти, содержащееся в модуле памяти, выраженное в гигабайтах (ГБ). Для комплектов указанная емкость — это совокупная емкость всех модулей в комплекте.

CAS-латентность

Заранее определенной в соответствии со стандартом количество тактов для чтения/записи данных в/из модулей и для контроллера памяти. После загрузки команды чтения/записи, а также адресов строка/столбец, CAS-латентность представляет собой время ожидания, необходимое для подготовки этих данных.

DDR4

Технология памяти четвертого поколения с синхронной динамической оперативной памятью (SDRAM) с удвоенной скоростью передачи данных (DDR), чаще называемая «DDR4». Модули памяти DDR4 не имеют обратной совместимости с любыми DDR SDRAM предыдущих поколений из-за более низкого напряжения (1,2 В), различных конфигурациях контактной группы и несовместимой технологии производства чипов.

DDR5

Технология памяти пятого поколения с синхронной динамической оперативной памятью (SDRAM) с удвоенной скоростью передачи данных (DDR), чаще называемая «DDR5». Модули памяти DDR5 не имеют обратной совместимости с любыми DDR SDRAM предыдущих поколений из-за более низкого напряжения (1,1 В), различий в конфигурации контактной группы и несовместимой технологии производства чипов.

Тип памяти DIMM

UDIMM (небуферизованный (non-ECC Unbuffered Dual In-Line Memory Module) модуль памяти без функции коррекции ошибок) — это модуль памяти с длинным форм-фактором и шириной данных x64, наиболее часто используемый в настольных системах, где исправление ошибок не требуется, а емкость DIMM ограничена.

SODIMM (Small Outline Dual In-Line Memory Module) — это модуль памяти с уменьшенным форм-фактором, предназначенный для небольших вычислительных систем, таких как ноутбуки, микросерверы, принтеры или маршрутизаторы.

Гигабит (Гбит)

Бит — это наименьшая единица данных в вычислениях, которая представляется как 1 или 0 (вкл. /выкл.). Гигабит (Гбит) — это 1 миллиард битов (или 109) согласно определению в Международной системе единиц (СИ). При описании компьютерной памяти Гб (или Гбит) обычно используется для выражения плотности отдельного компонента DRAM.

Гигабайт (ГБ)

Байт состоит из 8 бит. Гигабайт (ГБ) — это 1 миллиард байтов (или 10

9) согласно определению в Международной системе единиц (СИ). При описании компьютерной памяти ГБ используется для представления общей емкости данных модуля памяти или группы модулей памяти, объединенных в общую системную память.

Комплект

Номер по каталогу, который включает в себя несколько модулей памяти, обычно для поддержки двух-, трех- или четырехканальной архитектуры памяти. Например, K2 = 2 DIMM в комплекте, чтобы составить общую емкость.

Скорость (так же называемая частотой)

Скорость передачи данных или эффективная тактовая частота, поддерживаемая модулем памяти, измеряется в МГц (мегагерцах) или МТ/с (мегатрансферах в секунду).

Чем выше скорость, тем больше данных может быть передано в секунду.

B75M-PLUS|Материнские платы|ASUS в России

Windows 8 Exclusive Features
Fast Boot

Instant OS Login
ASUS has released new hardware and software designs to shorten system boot-up time to 2-seconds* for a smoother user experience that removes annoying delays under Windows 8, and even previous versions of Windows. Faster system boot and restart means Windows starts quicker and higher efficiency — No more waiting around.

ASUS Boot Setting

Multi-startup Options
Thanks to ASUS Windows 8 hardware optimization, ASUS Boot Setting provides better flexibility in customizing your PCs startup process. You can enter the BIOS directly with one click through a user-friendly interface, and quickly select your preferred system boot up method: either get to the OS in seconds or opt for regular boot up. Whatever your choice, settings are saved and persistent, with no need to choose every time you power on.

CPU, Chipset and Graphics Features
LGA1155 socket for Intel® 3rd / 2nd Generation Core™ i7 / Core™ i5 / Core™ i3 / Pentium® / Celeron® Processors

This motherboard supports Intel® 3rd/2nd generation Core™ i7 / i5 / i3 / Pentium® / Celeron® processors in the LGA1155 package, with iGPU, memory and PCI Express controllers integrated to support onboard graphics output with dedicated chipsets, 2-channel (4 DIMM) DDR3 memory and 16 PCI Express 3.0/2.0 lanes. This provides great graphics performance. Intel® 3rd / 2nd generation Core™ i7 / i5 / i3 / Pentium® / Celeron® processors are among the most powerful and energy efficient CPUs in the world.

Intel® B75 Express Chipset

The Intel® B75 Express Chipset is the latest single-chipset design to support socket 1155 Intel® 3rd/2nd generation Core™ i7/i5/i3/Pentium®/Celeron® processors. It provides improved performance by utilizing serial point-to-point links, allowing increased bandwidth and stability. Additionally,B75 chipset provides 4 USB 3. 0 ports for 10 times faster data retrieval speed. Moreover, Intel® B75 Express Chipset can also enable iGPU function, letting users enjoy the latest Intel® integrated graphic performance.

Dual-Channel,DDR3 2200(O.C.)/2133(O.C.)/2000(O.C.)/1866(O.C.)/1600/1333/1066 MHz support

The motherboard supports DDR3 memory that features data transfer rates of DDR3 2200(O.C.)/2133(O.C.)/2000(O.C.)/1866(O.C.)/1600/1333/1066 MHz to meet the higher bandwidth requirements of the latest 3D graphics, multimedia, and Internet applications. The dual-channel DDR3 architecture enlarges the bandwidth of your system memory to boost system performance.

*DDR3 1600 MHz and higher memory frequency is supported by Intel® 3rd generation processors.
*Due to the CPU behavior, DDR3 2133/1866/ memory modules runs at DDR3 2000/1800 MHz frequenc as default

PCIe 3.0 Ready

PCI Express® 3.0 (PCIe 3.0) is the latest PCI Express bus standard with improved encoding schemes that provide twice the performance of the current PCIe 2.

0. The total bandwidth for a x16 link reaches a maximum of 32Gb/s, double the 16 Gb/s of PCIe 2.0 (in x16 mode). As such, PCIe 3.0 provides userss an unprecendented data speeds, combined with the convenience and seamless transition offerred by complete backward compatibility with PCIe 1.0 and PCIe 2.0 devices. PCIe 3.0 will become a must-have feature for users who wish to improve and optimize graphic performance, as well as have the latest technology available to them.

*PCIe 3.0 speed is supported by Intel® 3rd generation Core™ processors.

ASUS Exclusive Features
ASUS Home Entertainment Motherboard

ASUS B75M-PLUS features USB 3.0 connections with exclusive USB 3.0 Boost technology, along with native HDMI & DVI support to serve your home entertainment needs perfectly. With a slower transfer interface, HD video and audio files can become choppy or lag, ruining your HD entertainment experience. ASUS knows this, so that’s why our Home Entertainment Motherboards were created.

HDMI & DVI Outputs
High-definition Visual Enjoyment
Maximize your multimedia enjoyment! Enjoy high quality visuals with a digital display monitor via HDMI or DVI output.
ASUS Exclusive USB 3.0 Boost
1.3x Faster than Traditional USB 3.0

With USB 3.0 Boost technology, USB transfer speeds are significantly increased up to 1.3x, enhancing an already impressive USB 3.0 transfer rate. ASUS software automatically accelerates data speeds for compatible USB 3.0 peripherals without the need for any further user configuration.

Digital Power Design for the CPU and iGPU

All-new digital CPU power controls work perfectly together to match digital power signal (SVID) requests from the CPU, with ultra-fast sensing and response efficiently delivering precision power. Accurate delivery reduces waste, and provides more stable CPU Vcore voltages. Users can adjust CPU PWM voltages and frequencies for various overclocking scenarios, with accurate input through UEFI BIOS tuning or the exclusive ASUS interface.

This proprietary design increases overclocking headroom to push performance to its full potential.

Superior Components. Excellent Quality and Durability
100% All High-quality Solid Capacitors

ASUS high-quality solid capacitors assure a 5,000 hours lifespan – equivalent to 2.5 times longer than traditional capacitors. All capacitors pass testing under temperatures as high as 105 degree and meet Japanese Industrial Standards to provide excellent durability and enhanced thermal capacity.

Extra Durable Stainless Steel Back I/O

ASUS Motherboard back I/O panels are made from strong and corrosion-resistant stainless steel, which is bonded with a thin layer of chromium oxide to enhance the anti-corrosion properties. That’s why ASUS stainless steel back I/O panels have a usage life three times longer compared to ordinary panels.

Network iControl

Real-time Network Bandwidth Control
With a single-click on/off button, the application currently in use has its data and network bandwidth prioritized over other programs.

Moreover, you can prioritize your favorite software easily by configuring profiles through the intuitive user interface. Within the profile, programs can be pre-scheduled to run in a specific time period to avoid network congestion and long-waits on downloads. Auto PPPoE network connection provides a one-step setup for enhanced online convenience. Overall, it’s an intuitive network bandwidth control center.

GPU Boost

Instant iGPU Level Up!
GPU Boost accelerates the integrated GPU for extreme graphics performance. The user-friendly interface facilitates flexible frequency adjustments. It easily delivers stable system-level upgrades for every use.

UEFI BIOS(EZ Mode)
Flexible and Easy BIOS Interface

ASUS UEFI BIOS offers the first mouse-controlled graphical BIOS designed with selectable modes, providing a user-friendly interface that goes beyond the traditional keyboard-only controls. It also natively supports fully-utilized hard drives larger than 2. 2TB in 64-bit operating systems.

ASUS exclusive interface

EZ Mode displays frequently-accessed info. Users can choose system performance settings, and drag and drop boot priorities. Advanced Mode for performance enthusiasts includes detailed DRAM settings via a dedicated memory info page for complete insight.

New upgrade! Quick and easy info for enhanced system control

  • F12 BIOS snapshot hotkey
  • F3 Shortcut for most accessed info
  • ASUS DRAM SPD (Serial Presence Detect) info, detecting faulty DIMMs and helping with difficult POST situations
ASUS Anti-Surge Protection
Protect Your Device
Anti-Surge Protection Design detects overvoltage conditions and prevents voltage surges from spreading in real time. It also actively cuts off the overvoltage supply to protect the system.
  • Real-time over voltage detection.
  • Active protection against potential damage to your motherboards and systems.
EPU

Energy Efficiency All Around
Tap into the world’s first real-time PC power saving chip through a simple onboard switch or AI Suite II utility. Get total system-wide energy optimization by automatically detecting current PC loadings and intelligently moderating power consumption. This also reduces fan noise and extends component longevity!

RoHS
GreenASUS and ErP Ready

The motherboard is European Union´s Energy-related Products (ErP) ready, and ErP requires products to meet certain energy efficiency requirements in regards to energy consumptions. This is in line with ASUS vision of creating environment-friendly and energy-efficient products through product design and innovation to reduce carbon footprint of the product and thus mitigate environmental impacts.

B75M-PLUS Product Overview

Опубликованы спецификации памяти DDR5 / Хабр


DDR5: по четыре чипа памяти на банк, пятый для встроенной проверки ECC (on-die-ECC)

Отмечая важную веху в развитии компьютерной памяти, ассоциация JEDEC выпустила окончательную спецификацию следующего основного стандарта памяти DDR5 SDRAM. Последняя итерация стандарта DDR4 была основой развития ПК и серверов с конца 00-х. DDR5 ещё раз расширяет возможности памяти, удваивая и пиковую скорость, и объём памяти. Железо на новом стандарте ожидается в 2021 году, причем внедрение начнется на уровне серверов, а затем просочится на клиентские ПК и другие устройства.

Выпуск DDR5 первоначально планировавшийся в 2018 году, Сегодняшняя публикация спецификаций DDR5 немного отстаёт от первоначального графика JEDEC, но это не умаляет её важности. Как и каждая предыдущая итерация DDR, основное внимание для DDR5 снова сосредоточено на улучшении плотности памяти, а также скорости. JEDEC стремится удвоить и то, и другое, установив максимальную скорость памяти не менее 6,4 Гбит/с, в то время как ёмкость одного упакованного по полной модуля LRDIMM сможет достичь 2 ТБ.

Рассчитанная на несколько лет (или десятилетий) DDR5 позволит использовать отдельные чипы памяти плотностью до 64 Гбит, что в 4 раза превышает максимальную плотность 16 Гбит DDR4. В сочетании со штабелированием, которое позволяет укладывать до 8 ядер (dies) в виде одного чипа, 40-элементный LRDIMM может достичь эффективного объема памяти 2 ТБ или 128 ГБ для DIMM обычного дизайна.

Но объём памяти будет расти постепенно, а вот скорость возрастёт мгновенно. Запуск DDR5 произойдёт на скорости 4,8 Гбит/с, что примерно на 50% быстрее официальной максимальной скорости 3,2 Гбит/с DDR4. А в последующие годы текущая версия спецификации допускает скорость передачи данных до 6,4 Гбит/с. По мере технологического развития SK Hynix действительно может достичь своей цели DDR5-8400 в этом десятилетии.

В основе этих целей скорости лежат изменения как на DIMM, так и на шине памяти, чтобы подавать и транспортировать много данных за такт. Поскольку тактовая частота застряла на нескольких сотнях мегагерц и повысить её пока не получается, требуется повышать параллелизм (то же самое происходит в CPU, где добавляют больше ядер на чип).

Как и в других стандартах, таких как LPDDR4 и GDDR6, один DIMM разбивается на два канала. Вместо одного 64-битного канала данных на DIMM, DDR5 предлагает два независимых 32-битных канала данных (или 40-бит с проверкой ECC). Между тем длина пакета для каждого канала удваивается с 8 байт (BL8) до 16 байт (BL16), так что каждый канал будет доставлять 64 байта за операцию. Таким образом, DDR5 DIMM на идентичной скорости ядра будет выполнять две 64-байтовые операции за то время, которое требуется DDR4 DIMM для выполнения одной, удваивая эффективную пропускную способность.

Кроме изменения банков памяти, JEDEC представила слегка модифицированную шину, хотя она и работает с более жёсткими допусками.

Ключевой движущей силой здесь является введение выравнивания обратной связи принятия решений (decision feedback equalization, DFE). На очень высоком уровне DFE является средством уменьшения межсимвольных помех за счёт использования обратной связи от приёмника шины памяти для обеспечения лучшего выравнивания. А лучшее выравнивание, в свою очередь, позволяет обеспечить более чистый сигнал, чтобы шина повысила скорость передачи.

Наряду с изменением плотности ядра и скорости работы памяти, DDR5 также улучшает рабочие напряжения. По спецификациям, DDR5 будет работать с Vdd 1,1 В, по сравнению с 1,2 В для DDR4. Как и предыдущие обновления, это должно немного повысить энергоэффективность памяти. Кроме того, в модулях теперь появились встроенные регуляторы напряжения.

В DDR5 памяти DIMM по прежнему 288 контактов (пинов), но распиновка отличается.

Это напоминает переход от DDR2 к DDR3, где количество контактов также осталось одинаковым: 240 контактов.

Но конечно, DDR5 нельзя будет использовать в старых сокетах, даже если он вставится туда.

JEDEC устанавливает стандарт, который могут использовать его члены. Основные производители памяти, которые с самого начала участвовали в процессе разработки DDR5, уже разработали прототипы DIMM и теперь рассматривают возможность вывода на рынок первых коммерческих продуктов. Например, SK Hynix выпустила прототип DDR5 ещё в ноябре 2019 года.

Ожидается, что первые модули и материнские платы DDR5 выйдут через 12-18 месяцев после завершения разработки стандарта.



Типы и характеристики оперативной памяти (RAM)

Новые поколения процессоров стимулировали разработку более скоростной памяти SDRAM (Synchronous Dynamic Random Access Memory) с тактовой частотой 66 МГц, а модули памяти с такими микросхемами получили название DIMM(Dual In-line Memory Module).
Для использования с процессорами Athlon, а потом и с Pentium 4, было разработано второе поколение микросхем SDRAM — DDR SDRAM (Double Data Rate SDRAM). Технология DDR SDRAM позволяет передавать данные по обоим фронтам каждого тактового импульса, что предоставляет возможность удвоить пропускную способность памяти. При дальнейшем развитии этой технологии в микросхемах DDR2 SDRAM удалось за один тактовый импульс передавать уже 4 порции данных. Причем следует отметить, что увеличение производительности происходит за счет оптимизации процесса адресации и чтения/записи ячеек памяти, а вот тактовая частота работы запоминающей матрицы не изменяется. Поэтому общая производительность компьютера не увеличивается в два и четыре раза, а всего на десятки процентов. На рис. показаны частотные принципы работы микросхем SDRAM различных поколений.

Существуют следующие типы DIMM:

    • 72-pin SO-DIMM (Small Outline Dual In-line Memory Module) — используется для FPM DRAM (Fast Page Mode Dynamic Random Access Memory) и EDO DRAM (Extended Data Out Dynamic Random Access Memory)

    • 100-pin DIMM — используется для принтеров SDRAM (Synchronous Dynamic Random Access Memory)

    • 144-pin SO-DIMM — используется для SDR SDRAM (Single Data Rate … ) в портативних компьютерах

    • 168-pin DIMM — используется для SDR SDRAM (реже для FPM/EDO DRAM в рабочих станциях/серверах

    • 172-pin MicroDIMM — используется для DDR SDRAM (Double date rate)

    • 184-pin DIMM — используется для DDR SDRAM

    • 200-pin SO-DIMM — используется для DDR SDRAM и DDR2 SDRAM


    • 214-pin MicroDIMM — используется для DDR2 SDRAM

    • 204-pin SO-DIMM — используется для DDR3 SDRAM

    • 240-pin DIMM — используется для DDR2 SDRAM, DDR3 SDRAM и FB-DIMM (Fully Buffered) DRAM



    • 244-pin Mini-DIMM – для Mini Registered DIMM

    • 256-pin SO-DIMM — используется для DDR4 SDRAM

    • 284-pin DIMM — используется для DDR4 SDRAM

Чтобы нельзя было установить неподходящий тип DIMM-модуля, в текстолитовой плате модуля делается несколько прорезей (ключей) среди контактных площадок, а также справа и слева в зоне элементов фиксации модуля на системной плате. Для механической идентификации различных DIMM-модулей используется сдвиг положения двух ключей в текстолитовой плате модуля, расположенных среди контактных площадок. Основное назначение этих ключей — не дать установить в разъем DIMM-модуль с неподходящим напряжением питания микросхем памяти. Кроме того, расположение ключа или ключей определяет наличие или отсутствие буфера данных и т. д.

Модули DDR имеют маркировку PC. Но в отличие от SDRAM, где PC обозначало частоту работы (например PC133 – память предназначена для работы на частоте 133МГц), показатель PC в модулях DDR указывает на максимально достижимую пропускную способностью, измеряемую в мегабайтах в секунду.

DDR2 SDRAM

Название стандарта Тип памяти Частота памяти Частота шины Передача данных в секунду (MT/s) Пиковая скорость передачи данных
PC2-3200 DDR2-400 100 МГц 200 МГц 400 3200 МБ/с
PC2-4200 DDR2-533 133 МГц 266 МГц 533 4200 МБ/с
PC2-5300 DDR2-667 166 МГц 333 МГц 667 5300 МБ/с
PC2-5400 DDR2-675 168 МГц 337 МГц 675 5400 МБ/с
PC2-5600 DDR2-700 175 МГц 350 МГц 700 5600 МБ/с
PC2-5700 DDR2-711 177 МГц 355 МГц 711 5700 МБ/с
PC2-6000 DDR2-750 187 МГц 375 МГц 750 6000 МБ/с
PC2-6400 DDR2-800 200 МГц 400 МГц 800 6400 МБ/с
PC2-7100 DDR2-888 222 МГц 444 МГц 888 7100 МБ/с
PC2-7200 DDR2-900 225 МГц 450 МГц 900 7200 МБ/с
PC2-8000 DDR2-1000 250 МГц 500 МГц 1000 8000 МБ/с
PC2-8500 DDR2-1066 266 МГц 533 МГц 1066 8500 МБ/с
PC2-9200 DDR2-1150 287 МГц 575 МГц 1150 9200 МБ/с
PC2-9600 DDR2-1200 300 МГц 600 МГц 1200 9600 МБ/с

DDR3 SDRAM

Название стандарта Тип памяти Частота памяти Частота шины Передач данных в секунду(MT/s) Пиковая скорость передачи данных
PC3-6400 DDR3-800 100 МГц 400 МГц 800 6400 МБ/с
PC3-8500 DDR3-1066 133 МГц 533 МГц 1066 8533 МБ/с
PC3-10600 DDR3-1333 166 МГц 667 МГц 1333 10667 МБ/с
PC3-12800 DDR3-1600 200 МГц 800 МГц 1600 12800 МБ/с
PC3-14400 DDR3-1800 225 МГц 900 МГц 1800 14400 МБ/с
PC3-16000 DDR3-2000 250 МГц 1000 МГц 2000 16000 МБ/с
PC3-17000 DDR3-2133 266 МГц 1066 МГц 2133 17066 МБ/с
PC3-19200 DDR3-2400 300 МГц 1200 МГц 2400 19200 МБ/с

В таблицах указываются именно пиковые величины, на практике они могут быть недостижимы.
Для комплексной оценки возможностей RAM используется термин пропускная способность памяти. Он учитывает и частоту, на которой передаются данные и разрядность шины и количество каналов памяти.

Пропускная способность = Частота шины x ширину канала x кол-во каналов

Для всех DDR — количество каналов = 2 и ширина равна 64 бита.
Например, при использовании памяти DDR2-800 с частотой шины 400 МГц пропускная способность будет:

(400 МГц x 64 бит x 2)/ 8 бит = 6400 Мбайт/с

Каждый производитель каждому своему продукту или детали дает его внутреннюю производственную маркировку, называемую P/N (part number) — номер детали.
Для модулей памяти у разных производителей она выглядит примерно так:

  • Kingston KVR800D2N6/1G
  • OCZ OCZ2M8001G
  • Corsair XMS2 CM2X1024-6400C5

На сайте многих производителей памяти можно изучить, как читается их Part Number.

Kingston Part Number Description
KVR1333D3D4R9SK2/16G 16GB 1333MHz DDR3 ECC Reg CL9 DIMM (Kit of 2) DR x4 w/TS

Так же советую почитать немного об USB портах и типах.

LGA1366 (Socket B)

LGA1366 (или Socket B) — разъём для подключения к материнской плате процессоров Intel архитектуры Nehalem (ядра Bloomfield, Westmere, Gulftown, Jasper Forest). Предназначен для высокопроизводительных настольных компьютеров, рабочих станций и серверных систем. Выпущен вместе с процессорами Nehalem в 2008 году на смену сокетам LGA775 (в сегменте настольных компьютеров) и LGA771 (в серверном сегменте). Поддержка LGA1366 уже прекращена. Ему на смену в 2011 году пришел Socket R (LGA2011).

Сокет выполнен в формате LGA, то есть, представляет собой разъем с подпружиненными контактами, к которым своими контактными площадками прижимается процессор. Количество контактов — 1366. Физические размеры разъема – 45 х 42,5 мм. Устанавливаемые в LGA1366 процессоры не оснащаются интегрированным графическим ядром, имеют до 6 вычислительных ядер, встроенный контроллер памяти (3 канала DDR3), а также трехуровневую кэш-память. В большинстве моделей есть поддержка многопоточности (Hyper Treading), а также технологии автоматического разгона (Turbo Boost). Еще одним нововведением в процессорах архитектуры Nehalem стало то, что все их вычислительные ядра размещены на одном кремниевом кристале, в отличие от более старых многоядерных процессоров (Presler, Yorkfield), четырехядерные модели которых состояли из 2 кристаллов по 2 ядра в каждом. Для связи процессора с чипсетом вместо ранее используемой FSB служит более быстрая шина QPI (QuickPath Interconnect) со скоростью до 6,4 GT/s (гигатранзакций в секунду) в каждом направлении, что соответствует 12,8 ГБ/с. При этом, серверные процессоры могут использовать несколько шин QPI, что позволяет им взаимодействовать с дополнительными процессорами в многопроцессорных системах. В материнских платах с сокетом LGA1366 используются чипсеты Intel серии Tylersburg. При этом, для настольных компьютеров предназначен чипсет Intel X58 (процессоры Core i7), для серверов и рабочих станций — чипсеты Intel 5500, Intel 5520 (процессоры Xeon).
Intel X58 Intel 5500 Intel 5520
Год выхода 2008 2009 2009
Структура 2 схемы (южный и сверный мосты)
Техпроцесс изготовления 65 nm
TDP 24,1 W
Процессорная шина QPI
Макс. количество процессоров в системе 1 2 2
Возможность разгона +
Тип устанавливаемой памяти DDR3 DDR3 DDR3
Поддержка ECC-памяти + +
Макс. количество разъемов памяти (DIMM) 6 12 12
Встроенная графика
Редакция PCI Express чипсета 2.0 2.0 2.0
Макс. количество линий PCI Express северного моста 36 24 36
Возможные конфигурации PCI Express
северного моста (под видеокарты)
1×16
2×16
2×16 + 1×4
4×8
1×16
1×16 + 1×4
1×16 + 2×4
2×8 + 2×4
1×16
2×16
2×16 + 1×4
4×8
Макс. количество портов USB 2.0 12 12 12
Поддержка USB 3. 0
Макс. количество портов SATA 2 6 6 6
Поддержка SATA 3
RAID 0/1/5/10 + + +
Встроенный сетевой адаптер + + +
Встроенный звуковой адаптер + + +
Поддержка технологий
Intel VT-d + +
Intel Trusted Execution + + +

Схема системы на чипсете Intel X58

Схема системы на чипсете Intel 5520

(Чипсет Intel 5500 отличается наличием только одного порта PCIe х16 и двух портов PCIe х4)

Процессоры, устанавливаемые в LGA1366

(размещены в порядке снижения индекса быстродействия)

Разъем передней панели на системных платах Intel® для настольных ПК

На системных платах Intel® для настольных ПК используется 9-контактный разъем передней панели.

Назначение контактов

Контакт Описание Вход/выход Контакт Описание Вход/выход
Световой индикатор работы жесткого диска Световой индикатор питания
1 Световой индикатор включения жесткого диска до +5 В Выход 2 Зеленый световой индикатор передней панели (5 В) Выход
3 Световой индикатор работы жесткого диска Выход 4 Желтый световой индикатор передней панели (5 В) Выход
Кнопка перезагрузки Выключатель питания
5 Земля   6 Выключатель питания In (Вводные данные)
7 Кнопка перезагрузки In (Вводные данные) 8 Земля  
Электропитание Не подсоединен
9 Электропитание Выход 10 Контактного штырька нет  

Системные платы Intel® для настольных ПК также имеют и другой разъем для светоиндикатора питания/режима сна на передней панели. Используйте этот разъем, если ваш корпус имеет только 3-контактный разъем для светоиндикаторов питания на передней панели.

Назначение контактов

Контакт Сигнал Описание
1 POWER_LED_MAIN [Выход] Светоиндикатор на передней панели (основной цвет)
2 Ключ (нет контакта)  
3 POWER_LED_ALT [Выход] Светоиндикатор на передней панели (другой цвет)

Память ноутбука DDR3 Тестовая карта SO-UDIMM 204-контактный выход Светодиодный тестер

Инструкции по тестированию лампы DDR3 нового ноутбука

Описание продукта:
Этот продукт для тестовой лампы DDR3 для ноутбука поколения обновляет продукт, всесторонняя поддержка продукта для ноутбука с прямым и обратным интерфейсом, он предназначен для использования светодиодов и уничтожения данных для индикации сигналов открытия адресных линий с коротким замыканием вместо традиционного использования измерения с помощью мультиметра Метод для них один за другим, чтобы отремонтировать, он не включился, не показывал, не считывал неисправность памяти и так далее на материнской плате, обслуживание является важным инструментом материнской платы ноутбука.
Инструкции:
1, с батареей тестера 3,3 В (CR2032), вставьте соответствующую материнскую плату ноутбука, соответственно, память DDR3 в каждый слот, материнская плата не имеет электричества, яркость и яркость лампы соответствуют, сигнальные линии в норме, если есть яркие огни или очень яркий, указывая на то, что этот сигнал имеет обрыв короткого замыкания, используя мультиметр для дальнейшего определения точки неисправности. (Примечание: все виды сигналов, поскольку тестеры в каждом подрядчике имеют дизайн материнской платы и разные наборы микросхем, часть сигнала может показывать, что разные, пожалуйста, обслуживающий персонал, использующий одну и ту же материнскую плату, судит о неисправности.)
2, контакт памяти соответствующий сигнал в списке ниже:

204-КОНТАКТНЫЙ РАЗЪЕМ SO-UDIMM

204-контактный SO-UDIMM Передний

2 04-контактный SO-UDIMM Задняя панель

Штырь

Условное обозначение

Штырь

Условное обозначение

Штырь

Условное обозначение

Штырь

Условное обозначение

Штырь

Условное обозначение

Штырь

Условное обозначение

Штырь

Условное обозначение

Штырь

Условное обозначение

1

VREFDQ

53

DQ19

105

VDD

157

DQ42

2

VSS

54

VSS

106

VDD

158

DQ46

3

VSS

55

VSS

107

A10 / AP

159

DQ43

4

DQ4

56

DQ28

108

BA1

160

DQ47

5

DQ0

57 год

DQ24

109

BA0

161

VSS

6

DQ5

58

DQ29

110

/ РАН

162

VSS

7

DQ1

59

DQ25

111

VDD

163

DQ48

8

VSS

60

VSS

112

VDD

164

DQ52

9

VSS

61

VSS

113

/ТУАЛЕТ

165

DQ49

10

/ DQS0

62

/ DQS3

114

/ S0

166

DQ53

11

DMD

63

DM3

115

/ CAS

167

VSS

12

DQS0

64

DQS3

116

ODT0

168

VSS

13

VSS

65

VSS

117

VDD

169

/ DQS6

14

VSS

66

VSS

118

VDD

170

DM6

15

DQ2

67

DQ26

119

A13

171

DQS6

16

DQ6

68

DQ30

120

ODT1

172

VSS

17

DQ3

69

DQ27

121

/ S1 ’

173

VSS

18

DQ7

70

DQ31

122

NC

174

DQ54

19

VSS

71

VSS

123

VDD

175

DQ50

20

VSS

72

VSS

124

VDD

176

DQ55

21 год

DQ8

73

CKE0

125

ТЕСТОВОЕ ЗАДАНИЕ

177

DQ51

22

DQ12

74

CKE1

126

VREFCA

178

VSS

23

DQ9

75

VDD

127

VSS

179

VSS

24

DQ13

76

VDD

128

VSS

180

DQ60

25

VSS

77

NC

129

DQ32

181

DQ56

26

VSS

78

A15

130

DQ36

182

DQ61

27

/ DQS1

79

BA2

131

DQ33

183

DQ57

28 год

DM1

80

A14

132

DQ37

184

VSS

29

DQS1

81 год

VDD

133

333

VSS

185

VSS

30

/СБРОС НАСТРОЕК

82

VDD

134

VSS

186

/ DQS7

31 год

VSS

83

A12VBC

135

/ DQS4

187

DM7

32

VSS

84

A11

136

DM4

188

DQS7

33

DQ10

85

A6

137

DQS4

189

VSS

34

DQ14

86

A7

138

VSS

190

VSS

35 год

DQ11

87

VDD

139

VSS

191

DQ58

36

DQ15

88

VDD

140

DQ38

192

DQ52

37

VSS

89

A8

141

DQ34

193

DQ59

38

VSS

90

A4

142

DQ39

194

DQ53

39

DQ16

91

A5

143

DQ35

195

VSS

40

DQ20

92

A6

144

VSS

196

VSS

41 год

DQ17

93

VDD

145

VSS

197

SA0

42

DQ21

94

VDD

146

DQ44

198

/МЕРОПРИЯТИЕ

43 год

VSS

95

A3

147

DQ40

199

ВДДСПД

44 год

VSS

96

A2

148

DQ45

200

ПДД

45

/ DQS2

97

A1

149

DQ41

201

SA1

46

DM2

98

A0

150

VSS

202

SCL

47

DQS2

99

VDD

151

VSS

203

VTT

48

VSS

100

VDD

152

/ DQS5

204

VTT

49

VSS

101

CK0

153

DM5

50

DQ22

102

CK1 ’

154

DQS5

51

DQ18

103

/ CK0

155

VSS

52

DQ23

104

/ CK1 ’

156 / DQ

VSS

Платеж

Принимайте оплату через PayPal, WesternUnion, AliPay, MonetyGram, Sigue, Ria, банковский перевод и кредитную карту

Отгрузка

1. Зарегистрированная авиапочта: если вы выберете этот вариант, ваш товар будет отправлен авиапочтой Сингапура.

Срок доставки от 15 до 45 дней в разных странах. Для получения более подробной информации посетите:

http://track.4px.com/?locale=en_US

2. DHL: если вы выберете этот вариант, ваш товар будет отправлен DHL Express.

Срок доставки 3-7 дней. Прежде чем выбрать этот вариант, убедитесь, что ваше местоположение находится в списке удаленных зон DHL.

Вы можете посетить: http://www.dhl.com/

3. EMS: если вы выберете этот вариант, ваш товар будет отправлен службой EMS Express.

Срок доставки варьируется от 5-20 дней в разные страны.

Для получения дополнительной информации посетите: http://ems. com.cn/english.html.

4. Время доставки может быть отложено в напряженные сезоны. Для получения более подробной информации, пожалуйста, свяжитесь с нами.

Мы несем ответственность только за налоги / пошлины, взимаемые в Китае.
Мы НЕ несем ответственности за уплату налогов / пошлин в странах назначения.
Если вам нужны предметы для декларирования таможенной стоимости, пожалуйста, оставьте нам сообщение.

  • Для наборов микросхем IC обычно существует два условия
    1) Оригинальный новый: оригинальные новые чипы взяты из вакуума производителя. запечатанная упаковка с маркировкой QA / QC, что означает, что все они хорошо проверены и проверено.Качество превосходное.
    2) Восстановленное производителем: отремонтированные производителем чипы обновляются и проверено производителем. Их качество вторично по сравнению с оригинальными новыми чипами.
  • Вы можете проверить товары, как только получите их. Если вы найдете качество неприемлемо, вы можете вернуть их нам в течение 90 дней, и мы уверен, что заменим их или вернем вам деньги.
  • Если микросхемы уже запаяны и не продаются, они не подлежит возврату.
  • Мы гарантируем отправку вашего заказа в течение 1-2 рабочих дней. Если вы это сделаете Если вы не получили свою покупку в течение 60 дней, вы можете потребовать полный возврат средств.

% PDF-1.3 % 1269 0 объект > эндобдж xref 1269 221 0000000016 00000 н. 0000004776 00000 н. 0000004936 00000 н. 0000005091 00000 н. 0000007775 00000 н. 0000008319 00000 н. 0000008389 00000 п. 0000008549 00000 н. 0000008628 00000 н. 0000008796 00000 н. 0000008927 00000 н. 0000009058 00000 н. 0000009193 00000 п. 0000009330 00000 н. 0000009457 00000 н. 0000009589 00000 н. 0000009751 00000 п. 0000009981 00000 н. 0000010163 00000 п. 0000010327 00000 п. 0000010508 00000 п. 0000010700 00000 п. 0000010828 00000 п. 0000011013 00000 п. 0000011158 00000 п. 0000011360 00000 п. 0000011505 00000 п. 0000011681 00000 п. 0000011872 00000 п. 0000011995 00000 п. 0000012128 00000 п. 0000012301 00000 п. 0000012434 00000 п. 0000012617 00000 п. 0000012752 00000 п. 0000012888 00000 п. 0000013025 00000 п. 0000013178 00000 п. 0000013325 00000 п. 0000013486 00000 п. 0000013617 00000 п. 0000013749 00000 п. 0000013958 00000 п. 0000014162 00000 п. 0000014375 00000 п. 0000014518 00000 п. 0000014686 00000 п. 0000014900 00000 п. 0000015109 00000 п. 0000015280 00000 п. 0000015413 00000 п. 0000015560 00000 п. 0000015713 00000 п. 0000015853 00000 п. 0000016000 00000 н. 0000016171 00000 п. 0000016340 00000 п. 0000016512 00000 п. 0000016679 00000 п. 0000016845 00000 п. 0000017007 00000 п. 0000017171 00000 п. 0000017323 00000 п. 0000017463 00000 п. 0000017610 00000 п. 0000017781 00000 п. 0000017948 00000 п. 0000018116 00000 п. 0000018281 00000 п. 0000018445 00000 п. 0000018605 00000 п. 0000018795 00000 п. 0000018965 00000 п. 0000019112 00000 п. 0000019260 00000 п. 0000019418 00000 п. 0000019573 00000 п. 0000019745 00000 п. 0000019918 00000 п. 0000020089 00000 н. 0000020271 00000 п. 0000020442 00000 н. 0000020613 00000 п. 0000020785 00000 п. 0000020957 00000 п. 0000021130 00000 п. 0000021287 00000 п. 0000021440 00000 п. 0000021561 00000 п. 0000021681 00000 п. 0000021817 00000 п. 0000021954 00000 п. 0000022091 00000 п. 0000022271 00000 п. 0000022409 00000 п. 0000022548 00000 н. 0000022698 00000 п. 0000022925 00000 п. 0000023111 00000 п. 0000023233 00000 п. 0000023419 00000 п. 0000023541 00000 п. 0000023674 00000 п. 0000023831 00000 п. 0000023947 00000 п. 0000024156 00000 п. 0000024297 00000 п. 0000024461 00000 п. 0000024632 00000 п. 0000024810 00000 п. 0000024960 00000 п. 0000025087 00000 п. 0000025214 00000 п. 0000025361 00000 п. 0000025486 00000 п. 0000025628 00000 п. 0000025765 00000 п. 0000025907 00000 н. 0000026058 00000 п. 0000026233 00000 п. 0000026406 00000 п. 0000026568 00000 п. 0000026721 00000 п. 0000026883 00000 п. 0000027037 00000 п. 0000027208 00000 н. 0000027380 00000 п. 0000027556 ​​00000 п. 0000027743 00000 п. 0000027928 00000 н. 0000028103 00000 п. 0000028279 00000 н. 0000028455 00000 п. 0000028632 00000 п. 0000028800 00000 п. 0000028943 00000 п. 0000029082 00000 п. 0000029229 00000 п. 0000029415 00000 п. 0000029562 00000 п. 0000029706 00000 п. 0000029850 00000 п. 0000029997 00000 н. 0000030141 00000 п. 0000030285 00000 п. 0000030432 00000 п. 0000030576 00000 п. 0000030720 00000 п. 0000030867 00000 п. 0000031011 00000 п. 0000031155 00000 п. 0000031302 00000 п. 0000031446 00000 п. 0000031590 00000 н. 0000031737 00000 п. 0000031881 00000 п. 0000032025 00000 п. 0000032172 00000 п. 0000032316 00000 п. 0000032460 00000 п. 0000032607 00000 п. 0000032751 00000 п. 0000032895 00000 п. 0000033042 00000 п. 0000033186 00000 п. 0000033330 00000 п. 0000033477 00000 п. 0000033621 00000 п. 0000033765 00000 п. 0000033915 00000 п. 0000034170 00000 п. 0000034513 00000 п. 0000035309 00000 п. 0000035799 00000 п. 0000036193 00000 п. 0000040756 00000 п. 0000041365 00000 п. 0000042081 00000 п. 0000042670 00000 п. 0000043048 00000 п. 0000049243 00000 п. 0000049267 00000 п. 0000050704 00000 п. 0000050728 00000 п. 0000051994 00000 п. 0000052018 00000 п. 0000053241 00000 п. 0000053265 00000 п. 0000054529 00000 п. 0000054602 00000 п. 0000054626 00000 п. 0000056060 00000 п. 0000057010 00000 п. 0000057377 00000 п. 0000059584 00000 п. 0000060227 00000 п. 0000060974 00000 п. 0000069734 00000 п. 0000070133 00000 п. 0000070700 00000 п. 0000071307 00000 п. 0000076953 00000 п. 0000077604 00000 п. 0000078075 00000 п. 0000078437 00000 п. 0000078608 00000 п. 0000078982 00000 п. 0000079005 00000 п. 0000079642 00000 п. 0000079665 00000 п. 0000080432 00000 п. 0000080455 00000 п. 0000081275 00000 п. 0000081414 00000 п. 0000081554 00000 п. 0000082442 00000 п. 0000082946 00000 н. 0000083045 00000 п. 0000083596 00000 п. 0000005142 00000 п. 0000007751 00000 н. трейлер ] >> startxref 0 %% EOF 1270 0 объект > эндобдж 1271 0 объект > / Шрифт> >> / DA (/ Helv 0 Tf 0 г) >> эндобдж 1272 0 объект > эндобдж 1488 0 объект > транслировать HW {l 4 q, Vv} E (叔 JetK eT: p; d / R; TB9 e {g 4RPiTW * _YcHZR LYXRCGBTGX9j # + E ? 5t &: R56 \ _nTTvZ- + X \ ٬ 37 n ߴ pSLrE; 3yOy’4 !.~ Dcf $ G6OAv9 *

CSCE 436 — Лаборатория контроллера памяти

Лаборатория контроллера памяти

Как указано в справочном руководстве Digilent Nexys Video, видеоплата Nexys имеет внешний модуль DDR3 SDRAM объемом 512 МБ, который физически расположен чуть выше Artix-7. FPGA на плате Nexys Video. В этой лабораторной работе мы рассмотрим, как взаимодействовать с этой SDRAM для чтения и записи данных по разным адресам в RAM, по сути создание контроллера памяти. В этой лабораторной работе ЦП Microblaze использоваться не будет.Однако Microblaze может быть добавлен в будущих лабораториях.

Следующие несколько разделов являются результатом изучения таблиц данных о том, как именно SDRAM может взаимодействовать с Artix-7.

SDRAM на Nexys Video

Nexys Video содержит один чип памяти Micron MT41K256M16HA-187E DDR3. Техническое описание микросхемы можно найти здесь. В то время как Digilent утверждает что эта микросхема памяти имеет емкость 512 МБ, более пристальный осмотр на Digikey и техпаспорт показывают что чип на самом деле имеет емкость 4 ГБ и, когда он есть в наличии, продается примерно за 6 долларов.85 на Digikey (ссылка здесь). Странно, что Digilent использует только 1/8 доступной памяти. В любом случае, Давайте разберемся, что означает номер детали для этой ИС SDRAM.

MT означает Micron Technology, а MT41K — это номер детали. Далее 256M16 означает конфигурацию микросхемы. В этом случае конфигурация составляет 256 Мб x 16 или 32 Мб x 16. х 8 банков. Другие возможности 1G4 или 512M8. Это означает, что SRAM может содержать 4 ГБ, если все Используется оперативная память, но в этом приложении компания Digilent решила использовать только 1 из 8 банков, что дает объем памяти 512 МБ.

После настройки микросхемы стоит упаковка — HA в данном случае. HA означает 96-шариковый корпус FBGA 9 мм x 14 мм, показанный на рисунке. ниже.

Пакет FBGA — это тоже то, что напечатано на второй строке физического чипа SDRAM — D9PXV на плате Nexys Video. Следующая скорость SDRAM, в данном случае 187E, что соответствует t ck 1,875 нс и CL = 7.

В качестве справочной информации о том, что такое монтаж FBGA (решетка с мелким шагом), кликните сюда.

Распиновка Artix-7

ПЛИС Xilinx XC7A200T-1SBG484C (Artix-7) содержится в корпус SBG484 BGA. В результате получается корпус 19 мм x 19 мм с шаг мяча 0,8 мм и максимум 285 входов / выходов, которые работают на 1,2-3,3 В. Всего 484 контакта (22×22) на Artix-7 можно увидеть на рисунке ниже, а типы контактов указаны в таблице под распиновкой.

Также полезен текстовый файл, показывающий конфигурацию всех контактов Artix-7, которые можно найти здесь.Обратите внимание, что многие из контактов на картинке выше используются для настройки. ПЛИС при включении питания или для питания / заземления.

Интерфейс между FPGA и SDRAM

Схема MT41K SDRAM, входящая в состав Схема видео Nexys в формате pdf на странице 13 показана ниже.


На рисунке выше все сигналы в верхней части пакета SDRAM связаны до 1,5 В, а все сигналы внизу Пакет SDRAM подключен к GND. Эти связи между 1.5V и GND — это развязаны с помощью конденсаторов, показанных на рисунке ниже.
Схема SDRAM выше имеет контакты DQ0-DQ15, которые являются контактами данных, и контакты A0-A14, которые являются адресными контактами для SDRAM. Эти булавки, как и другие на плате все подключены к банку 35 Artix-7, как показано на рисунке ниже. Позже мы увидим, почему вместо этого используется 15 адресных строк. из 16.

Банки в ПЛИС Xilinx серии 7 являются важными способами использования ПЛИС Xilinx такие как Artix-7 обрабатывают их большим количеством штифтов. Согласно документации Xilinx, каждый банк имеет 50 контактов ввода / вывода. Кроме того, на самом деле существует не 35 банков, как можно было бы подумать — есть равны 10, как показано на рисунке всех банков XC7A200T ниже.

Итак, теперь, когда мы видим физические соединения между ПЛИС Artix-7 и Модуль MT41K SDRAM, как на самом деле работает MT41K и как мы передаем ему данные?

SDRAM в целом

Прежде чем мы углубимся в особенности модуля MT41K SDRAM, давайте рассмотрим SDRAM в Общее. Любой, кто когда-либо открывал компьютер, знает, что типичная память DDR3 Модуль поставляется в пакете DIMM (Dual-Inline Memory Module), как показано на рисунке. ниже — 240-контактная память DDR3 SDRAM объемом 4 ГБ, содержащая восемь модулей SDRAM по 512 МБ.я нашел это на NewEgg по цене 25,99 доллара.

Модули DIMM, подобные приведенному выше, легко вписываются в современную материнскую плату и интерфейс. с контроллером памяти, присутствующим на материнской плате. Ассемблер компьютера не нужно знать, как на самом деле работает этот интерфейс — это просто «плагин» и играй ». Пример того, как DDR3 DIMM Модуль использует свои 240 контактов для подключения к восьми отдельным микросхемам SDRAM. в таблице здесь. Однако в этой лабораторной работе мы «увеличим масштаб» одной микросхемы SDRAM — MT41K.

Подробная информация о MT41K SDRAM

Теперь, когда дан некоторый контекст, давайте рассмотрим, как в частности работает MT41K. MT41K использует архитектуру предварительной выборки 8 n с интерфейсом, предназначенным для передачи двух слов данных за такт на выводах ввода / вывода.

Artix-7 отправляет четыре важных сигнала. для включения работы SDRAM:

  • Адресные строки
  • Линии данных
  • Командные строки
  • Часы
    • DDR3 SDRAM работает от дифференциальной тактовой частоты (CK и CK #).Пересечение СК переход в HIGH и CK # в LOW называется положительным фронтом CK.
    • Как мы узнали, Nexys Video имеет генератор, работающий на частоте 100 МГц. Согласно даташиту MT41K, скорость нашего модуля SDRAM, -187E, должна иметь тактовый цикл 1,875 нс с CL (тактовая задержка) 7. Это соответствует тактовой частоте 533 МГц, что, конечно, невозможно с осциллятором на нашей плате. Как вы видете на рисунке выше CK подключен к контакту J7 FPGA.

Функциональная блок-схема MT41K SDRAM показана на рисунке ниже.

Как видно на этой блок-схеме, наш MT41K имеет 8 банков памяти. Доступ к этим банкам памяти используя как строку, так и столбец, указанные в битах адреса. 3 бита в строках BA [2: 0] указывают банк, к которому применяется команда ACTIVATE, READ, WRITE или PRECHARGE. В этом случае нашей памяти 15 бит адреса A [14: 0] представляют строку, к которой мы пытаемся получить доступ.15, или по 32 768 рядов. Каждая строка имеет 128 столбцов, и каждый столбец содержит 128 байтов. (как показано 32 768 x 128 x 128 на функциональной блок-схеме). Это соответствует 512 МБ на блок или 4 ГБ всего.

Согласно документации Micron, «Доступ начинается с регистрации команды ACTIVATE, что тогда за которым следует команда READ или WRITE. Зарегистрированные биты адреса совпадают с команда ACTIVATE используется для выбора банка и строки, к которым будет осуществляться доступ. Адрес зарегистрированные биты, совпадающие с командами READ или WRITE, используются для выбора банк и расположение начального столбца для пакетного доступа.» В предыдущем абзаце мы говорили о доступе к банку и строке. Теперь, когда этот банк и ряд был активирован, нам нужно использовать биты адреса, чтобы указать, какие столбцы в строке мы хотим доступ. Как показано на функциональной блок-схеме, 10 бит используются для выбора строки (A [9: 0]), что дает доступ к 1024 возможным столбцам. Однако в функциональной блок-схеме только 7 бит 10-битного адрес столбца подается в декодер столбца, в результате получается 128 столбцов.

Адрес столбца на входах A [2: 0] выбирает начальный адрес столбца в зависимости от пакета выбраны длина и тип пакета (дополнительную информацию см. в таблице порядка пакетов).

Как видно на диаграмме выше, когда мы переходим из состояния ожидания SDRAM, нам нужно активируйте банк, прежде чем мы сможем выполнить чтение или запись.

Самыми часто используемыми командами, конечно же, являются READ и WRITE. Однако есть и команды для изменения режима SDRAM. Управляющие, командные и адресные сигналы регистрируются на каждое положительное ребро CK. RAS #, CAS # и WE # (вместе с CS #) определяют команду вводится в SDRAM. Можно увидеть таблицу истинности для всех различных команд. ниже.


Примечания к таблице истинности следующие:

  1. Команды определяются состояниями CS #, RAS #, CAS #, WE # и CKE при повышении край часов. Старшие биты BA, RA и CA зависят от устройства, плотности и конфигурации. 4 ГБ: x4, x8, x16 DDR3L SDRAM Команды — Таблицы истинности PDF: 09005aef84780270 4Gb_DDR3L.pdf — Ред. I 9/13 EN 113 Micron Technology, Inc. оставляет за собой право изменять продукты или спецификации без предварительного уведомления. © 2011 Micron Technology, Inc.Все права защищены.
  2. RESET # имеет низкий уровень и используется только для асинхронного сброса. Таким образом, RESET # должен быть удерживается ВЫСОКИМ во время любой нормальной работы.
  3. Состояние ODT не влияет на состояния, описанные в этой таблице.
  4. Операции относятся к банку, указанному по адресу банка. Для MRS BA выбирает один из четыре регистра режима.
  5. «V» означает «H» или «L» (определенный логический уровень), а «X» означает «все равно».
  6. См. Таблицу 69 (стр. 115) для получения дополнительной информации о переходе CKE.
  7. Выход самообновления асинхронный.
  8. Пакетное ЧТЕНИЕ или ЗАПИСЬ не может быть прекращено или прервано. MRS (фиксированный) и OTF BL / BC определены в MR0.
  9. Цель команды NOP — предотвратить регистрацию DRAM нежелательных команды. NOP не прерывает выполняемую операцию.
  10. Команды DES и NOP работают аналогично.
  11. В режиме пониженного энергопотребления не выполняются операции REFRESH.
  12. ZQ CALIBRATION LONG используется для ZQinit (первая команда ZQCL во время инициализации) или ZQoper (команда ZQCL после инициализации).

Теперь, когда мы познакомились с модулем SDRAM MT41K на видеоплате Nexys, напишите код VHDL на вашей FPGA для взаимодействия с MT41K. Как только вы написали и прочитали байт из SDRAM, вы успешно завершили лабораторную работу 6. Пошаговое руководство по памяти DDR3

— портал документации Opal Kelly

Эти инструкции предназначены для Vivado 2015.1. Другие версии Vivado могут иметь другие доступные настройки и требовать других параметров, чем те, которые показаны ниже.Эта страница предназначена только для информационных целей и не обязательно будет обновляться для новых версий Vivado.

Начните с выбора «Генератор интерфейса памяти (серия MIG 7)» из каталога IP Vivado. В появившемся окне конфигурации MIG:

  • Нажмите «Далее», чтобы начать настройку.
  • Выберите вариант «Создать дизайн» и снова нажмите «Далее».
  • Нажмите «Далее» и выберите тип контроллера DDR3 SDRAM, затем нажмите «Далее» еще раз.

Опции Страница 1

Первая страница параметров контроллера требует следующих настроек:

  • Введите период тактовой частоты 1250 пс (соответствует 800 МГц).
  • Выберите деталь MT41K512M8XX-125 из раскрывающегося списка «Часть памяти».
  • Выберите напряжение памяти 1,5 В.
  • Введите ширину данных 32.
  • Включите настройку маски данных.

Опции Страница 2

Вторая страница параметров контроллера требует следующих настроек:

  • Установите период входной тактовой частоты 5000 пс (200 МГц).
  • Установите для типа и длины пакета чтения значение «Последовательное».
  • Выберите RZQ / 6 как для управления импедансом выходного драйвера, так и для RTT (номинальное значение) — заделка кристалла (ODT).
  • Включите контакт выбора микросхемы контроллера.
  • Выберите БАНК | СТРОКА | COLUMN сопоставление адресов.

Опции Страница 3

Третья страница параметров контроллера требует следующих настроек:

  • Установите системные часы для использования дифференциального входа
  • Используйте системные часы для эталонных часов
  • Измените полярность сброса системы на АКТИВНЫЙ ВЫСОКИЙ
  • Включите снижение мощности ввода-вывода
  • Включите создание экземпляра XADC

Опции Страница 4

Четвертая страница параметров контроллера требует установки внутреннего оконечного сопротивления на 40 Ом.

Проверка выводов

Утилита настройки MIG в VIvado версии 2015.1 выйдет из строя, если вы выберете «Читать XDC / UCF» или «Сохранить PinOut» на 64-битных компьютерах. Эта проблема может затронуть и другие версии Vivado. В этом случае каждый PIN-код необходимо будет вводить вручную перед проверкой.

Выберите фиксированный вывод и на следующем экране введите номер вывода для каждого вывода, соответствующий таблицам в верхней части страницы памяти DDR3.По завершении нажмите «Подтвердить», чтобы убедиться, что введенная распиновка действительна.

Выбор системных сигналов

Выберите пару AB11 / AC11 (CC_P / N) для sys_clk_p / n (это в банке 33). Нажмите «Далее.

Продолжите работу с помощью утилиты настройки и нажмите «Создать» на последней странице, чтобы сгенерировать IP-адрес контроллера памяти.

4. Слоты расширения — Руководство пользователя EPIA-P910 1.06 документация

На материнской плате имеется один 204-контактный слот DDR3 SODIMM, который поддерживает не- Модули памяти ECC DDR3 1600/1333/1066 SODIMM. Слот памяти может вмещают до 8 ГБ памяти DDR3 1600/1333/1066. Слот памяти обозначается как «SODIMM1». Показано расположение слота памяти DDR3. ниже.

4.2.1. Установка модуля памяти

Шаг 1

Совместите выемку на модуле памяти SODIMM с выступающим клином. на слоте памяти SODIMM. Вставьте модуль памяти SODIMM на расстоянии 30 см. угол градуса относительно слота памяти SODIMM.

Рисунок 3: Установка модуля памяти

Шаг 2

Вставьте модуль памяти SODIMM между двумя рядами контактов.Затем нажмите вниз, пока фиксирующие зажимы не зафиксируют модуль памяти SODIMM на месте. Будет небольшое напряжение, так как модуль памяти SODIMM заблокирован.

Рисунок 4: Блокировка модуля памяти

Шаг 3

Установите термопрокладку памяти в верхней части модуля памяти DRAM.

Рисунок 5: Установка термопары памяти

Тепловая прокладка с памятью используется для передачи теплоотдачи память на тепловую пластину или нижнюю пластину для достижения охлаждения памяти, и для обеспечения рабочей температуры модуля памяти не должно превышают до 85 ° C. Это помогает предотвратить повреждение модуля памяти. В Используемая термопрокладка с памятью требует определенной толщины, чтобы контакт с термопластиной памяти или нижней пластиной для превосходного рассеять тепло.

Предупреждение

  1. Заказчику / пользователю следует рассмотреть возможность использования термопрокладки памяти и добавления термопары памяти. пластина или нижняя пластина на конструкции их шасси.
  2. Используемый материал термопластины с памятью / нижней пластины должен иметь отличную термическую стойкость. проводимость.Избегайте использования пластмассовых или резиновых материалов.
  3. Толщина термопрокладки с памятью должна соответствовать конструкции заказчика. Однако минимальное значение теплопроводности K (Вт / м.к) составляет 1,5, а максимальное значение твердости 5 (Берег А).

4.2.2. Удаление модуля памяти

Шаг 1

Чтобы освободить фиксирующие зажимы, потяните фиксирующие зажимы горизонтально наружу. от модуля памяти SODIMM.

Рисунок 6. Освобождение фиксирующих зажимов SODIMM

Шаг 2

После снятия фиксирующих зажимов модуль памяти SODIMM отключается. автоматически поднимается до угла 30 градусов.Снимите модуль памяти.

Рисунок 7: Извлечение модуля памяти

Технические характеристики — ONFI

ONFI 5.0 Spec 25 мая 2021 г.

ONFI 4.2 Errata 27 апреля 2021 г.

ONFI 4.2 Spec 12 февраля 2020 г.

Стандарт JEDEC JESD230D 21 октября 2019 г.

ONFI 4.1 Исправление 7 января 2020 г.

ONFI 4.1 Spec 12 декабря 2017 г.

Стандарт JEDEC JESD230C Ноябрь 2016 г.

ONFI 4.0 Errata 24 января 2018 г.

ОНФИ 4.0 Spec 2 апреля 2014 г.

ONFI 3.2 Errata 12 августа 2013 г.

Стандарт JEDEC JESD230B 3 июля 2014 г.

ONFI 3.2 Spec 13 июня 2013 г.

Стандарт JEDEC JESD230 1 ноября 2012 г.

ONFI 3.1 Errata 12 октября 2012 г.

ONFI 3.1 Spec 21 сентября 2012 г.

ONFI 3.0 Errata 20 сентября 2012 г.

ONFI 2.3a Spec 19 октября 2011 г.

ONFI 3.0 Spec 15 марта 2011 г.

ONFI 2.2 Исправление 7 июня 2010 г.

ОНФИ 2.1 Errata 20 октября 2009 г.

ONFI 2.2 Spec 7 октября 2009 г.

Block Abstracted NAND Spec 1.1 8 июля 2009 г.

ONFI 2.1 Spec 14 января 2009 г.

ONFI 2.0 Spec 27 февраля 2008 г.

ONFI 2.0 Errata 10 февраля 2009 г.

NAND Connector 1.0 Spec 23 апреля 2008 г.

Block Abstracted NAND Errata 27 февраля 2008 г.

ONFI 1.0 Errata 28 ноября 2007 г.

ONFI 1.0 Spec 28 декабря 2006 г.

История спецификации

ОНФИ 5.0

Опубликованный в мае 2021 года, ONFI5.0 увеличивает скорость ввода-вывода NV-DDR3 до 2400 МТ / с. Представлен новый интерфейс пониженного энергопотребления NV-LPDDR4 со скоростью до 2400 МТ / с. С интерфейсом NV-LPDDR4 определена дополнительная функция инверсии шины данных (DBI). Добавлены новые меньшие по размеру корпуса BGA-178b, BGA-154b и BGA-146b. ONFI5.0 также включает другие исправления, связанные со спецификацией ONFI4.2.

ОНФИ 4,2

Опубликованный в феврале 2020 года, ONFI 4.2 увеличивает скорость ввода-вывода NV-DDR3 до 1333 МТ / с, 1466 МТ / с и 1600 МТ / с.Представлен четырехканальный пакет BGA-252b, который занимает меньше места, чем существующий четырехканальный пакет BGA-272b. Чтобы обеспечить более высокие значения IOPS для многоплоскостных операций, ослаблены ограничения, связанные с многоплоскостными операциями. ONFI4.2 также включает другие исправления, связанные со спецификацией ONFI4.1.

Стандарт JEDEC

JEDEC объявила о выпуске JESD230D, ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ С ИНТЕРФЕЙСОМ NAND FLASH, опубликованном в июне 2019 года. Этот документ теперь доступен бесплатно на веб-сайте JEDEC по адресу: http: // www.jedec.org/standards-documents/results/jesd230

Этот документ определяет стандартный стандарт взаимодействия интерфейсов флэш-устройств NAND, который предоставляет средства для разработки системы, которая может поддерживать асинхронные SDR, синхронные DDR и Toggle DDR флэш-устройства NAND, которые могут взаимодействовать между реализациями JEDEC и ONFI. Этот стандарт был разработан совместно JEDEC и Рабочей группой Open NAND Flash Interface Workgroup (ONFI).

ОНФИ 4,1

Опубликовано в декабре 2017 г., ONFI 4.1 увеличивает скорость ввода-вывода NV-DDR3 до 1066 МТ / с и 1200 МТ / с. Для повышения производительности сигнализации в ONFI 4.1 добавлены коррекция рабочего цикла (DCC), обучение чтению и записи для скоростей более 800 МТ / с, поддержка устройств с нижним колпачком и выходным сопротивлением по умолчанию 37,5 Ом, а также устройств, требующих выхода из пакета данных и перезапуска для длинные паузы ввода и вывода данных. Для более низкой мощности добавлена ​​поддержка 2,5 В постоянного тока. ONFI 4.1 также включает исправления в спецификации ONFI 4.0.

Стандарт JEDEC

JEDEC объявила о выпуске JESD230C, ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ С ИНТЕРФЕЙСОМ NAND FLASH, опубликованном в ноябре 2016 года.Этот документ теперь доступен бесплатно на веб-сайте JEDEC по адресу: http://www.jedec.org/standards-documents/results/jesd230

Этот документ определяет стандартный стандарт взаимодействия интерфейсов флэш-устройств NAND, который предоставляет средства для разработки системы, которая может поддерживать асинхронные SDR, синхронные DDR и Toggle DDR флэш-устройства NAND, которые могут взаимодействовать между реализациями JEDEC и ONFI. Этот стандарт был разработан совместно JEDEC и Рабочей группой Open NAND Flash Interface Workgroup (ONFI).

ОНФИ 4,0

Опубликованный в апреле 2014 г., ONFI 4.0 представляет эволюционный интерфейс NV-DDR3 с VccQ = 1,2 В для повышения производительности и энергопотребления, масштабирует скорость ввода-вывода NV-DDR2 и NV-DDR3 до 667 МТ / с и 800 MT / s и добавляет функцию калибровки ZQ. ONFI 4.0 также добавляет спецификации электрического пакета и включает исправления в спецификацию ONFI 3.2.

Стандарт JEDEC

JEDEC объявила о выпуске JESD230B, ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ С ИНТЕРФЕЙСОМ NAND FLASH, опубликованном в июле 2014 года.Этот документ теперь доступен бесплатно на веб-сайте JEDEC по адресу: http://www.jedec.org/standards-documents/results/jesd230

Этот документ определяет стандартный стандарт взаимодействия интерфейсов флэш-устройств NAND, который предоставляет средства для разработки системы, которая может поддерживать асинхронные SDR, синхронные DDR и Toggle DDR флэш-устройства NAND, которые могут взаимодействовать между реализациями JEDEC и ONFI. Этот стандарт был разработан совместно JEDEC и Рабочей группой Open NAND Flash Interface Workgroup (ONFI).

ОНФИ 3,2

Опубликованный в июне 2013 года, ONFI 3.2 включает исправления в спецификацию ONFI 3.1, увеличивает скорость ввода-вывода NV-DDR2 до 533 млн транзакций / с и представляет четырехканальные пакеты (BGA-316 и BGA-272) для обеспечения малого форм-фактора. SSD.

Стандарт JEDEC

JEDEC объявила о выпуске JESD230, ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ С ИНТЕРФЕЙСОМ NAND FLASH, опубликованном в октябре 2012 года. Этот документ теперь доступен бесплатно на веб-сайте JEDEC по адресу: http://www.jedec.org/sites/default/files/docs/JESD230 .pdf

Этот документ определяет стандартный стандарт взаимодействия интерфейсов флэш-устройств NAND, который предоставляет средства для разработки системы, которая может поддерживать асинхронные SDR, синхронные DDR и Toggle DDR флэш-устройства NAND, которые могут взаимодействовать между реализациями JEDEC и ONFI. Этот стандарт был разработан совместно JEDEC и Рабочей группой Open NAND Flash Interface Workgroup (ONFI).

ОНФИ 3,1

ONFI 3.1, опубликованная в октябре 2012 года, содержит исправления в исходной версии ONFI 3.0, добавляет команды LUN SET / GET Features и реализует дополнительную настройку данных и удерживает значения для интерфейса NV-DDR2.

ОНФИ 3

Объявленный в марте 2011 года, ONFI 3.0 расширяет преимущества спецификации ONFI:
— продвигает высокоскоростной интерфейс NAND Flash, поддерживающий скорость передачи до 400 МБ / с.
— требует меньше контактов включения микросхемы, что обеспечивает более эффективную маршрутизацию печатной платы.
— рассчитан на будущее и поддерживает интерфейс EZ-NAND

ОНФИ 2.3

Опубликовано в октябре 2011 г., ONFI 2.3 включает исправления в версию 2.2 и добавляет подробную информацию об интерфейсе EZ-NAND (ECC ZERO NAND).

ОНФИ 2,2

Ратифицированный в октябре 2009 г., ONFI 2.2 предоставляет несколько новых полезных функций:
— Сброс отдельных LUN
— Очистка регистра улучшенной страницы программы
— Новые характеристики и измерения Icc

Сброс LUN

и очистка регистров страниц обеспечивают более эффективную работу в более крупных системах со многими устройствами NAND, а стандартизованные тесты и определения Icc обеспечат упрощенное тестирование поставщиков и улучшенную согласованность данных.

ОНФИ 2,1

ONFi 2.1 был ратифицирован в январе 2009 года и содержит множество новых функций, обеспечивающих скорость 166 МБ / с и 200 МБ / с, а также другие улучшения для повышения мощности, производительности и возможностей ECC.

ОНФИ 2,0

ONFI 2.0 определяет высокоскоростной интерфейс NAND Flash, который может обеспечивать скорость более 133 МБ / с, тогда как унаследованный интерфейс NAND был ограничен 50 МБ / с. Полная спецификация ONFI 2.0 была выпущена в феврале 2008 года.

ОНФИ 1.0

Спецификация ONFI 1.0 была разработана, чтобы позволить устройствам NAND Flash самостоятельно описывать свои возможности для хост-систем. Это способствует:

  • Более быстрая интеграция с хост-платформами
  • Возможность добавления нового устройства NAND к существующему решению без модификации прошивки или программного обеспечения

Спецификация также стандартизирует набор команд NAND и устанавливает инфраструктуру для будущего развития возможностей флэш-памяти NAND, обеспечивая гибкость для оптимизации в зависимости от поставщика.

Разъем NAND

Спецификация разъема NAND была ратифицирована в апреле 2008 года. Она определяет стандартизованное соединение для модулей NAND (аналогично модулям DRAM DIMM) для использования в таких приложениях, как кэширование и твердотельные накопители на платформах ПК.

Блок абстрактной NAND

ONFI создала спецификацию дополнения Block Abstracted NAND, чтобы упростить дизайн хост-контроллера, избавив хост от сложностей ECC, управления сбойными блоками и других задач управления NAND низкого уровня.В спецификации ONFI Block Abstracted NAND версии 1.1 добавлен высокоскоростной синхронный интерфейс источника, который обеспечивает пятикратное улучшение пропускной способности по сравнению с традиционным асинхронным интерфейсом NAND.

Рабочая группа ONFI продолжает развивать спецификации ONFI для удовлетворения потребностей быстрорастущей и меняющейся отрасли.

CST Inc, DDR4, DDR3, DDR2, DDR, Nand, Nor, Flash, MCP, LPDDR, LPDDR2, LPDDR3, LPDDR4, LRDIMM, автоматический тестер памяти DIMM Компания по обработке SODIMM предоставляет решение для памяти


Четверг, 8 октября 2009 г.

Как исправить память — Часть 3 (пересмотренная версия, октябрь 2009 г.)

В этой части 3 руководства по устранению неполадок с памятью мы обсудили базовый метод использования диагностических карт памяти с аппаратным тестером памяти для обнаружения трудно зафиксировать сбой памяти DIMM.

Этот раздел написан с предположением, что у вас уже есть тестер памяти DIMM и вы можете выполнять ремонт и доработку сборок печатной платы памяти.

На протяжении многих лет у меня было бесчисленное количество разговоров со многими опытными специалистами по ПК, и многие говорили, что обычно сбрасывают неисправную память в мусорные ведра, а некоторые просто хранят их в ящике.

При дальнейших исследованиях большинство отметили, что у них нет опыта и переделки оборудования, чтобы заменить неисправные микросхемы памяти, а некоторые даже сказали, что это не стоит усилий.

Да, я согласен с ними, если неисправный модуль памяти использует более старую технологию, такую ​​как FPM, EDO Dram, это определенно не стоит усилий.

В сегодняшней высокопроизводительной системе ПК память стоит дороже, начинается с минимальной плотности, составляющей не менее 1 ГБ, и требования к более высокой емкости памяти постоянно растут. Нет никакого экономического смысла выбрасывать неисправные модули емкостью 1 ГБ, если вы знаете, что их можно отремонтировать.

Давайте перейдем к начальному этапу поиска неисправного модуля RAM в системе вашего ПК, используя тестовую карту памяти для диагностики и устранения неисправностей.

Пример-1

Неисправный модуль DIMM был обнаружен тестовой картой DocMemory Pro PCI и удален из системы ПК. Что делать дальше?

На нижнем изображении DIMM — если этот модуль DIMM неисправен — сможете ли вы найти неисправный чип?

Не угадывая, какая микросхема памяти неисправна — вам понадобится как минимум: Тестер памяти DIMM или диагностическая карта оперативной памяти, чтобы помочь точно определить неисправность

Программное обеспечение для диагностики памяти, такое как DocMemory, имеет ограничение в возможности точного определения дефектные биты данных, которые привязаны к микросхемам памяти. Итак, чтобы выполнить правильную диагностику, вам все равно понадобится тестер аппаратной памяти, чтобы правильно выполнять свою работу.

Для тех людей, которые не могут позволить себе аппаратный тестер памяти, который стоил бы не менее 1500 долларов за самую базовую конфигурацию, CST Inc в настоящее время поставляет диагностическую карту памяти, которая вставляется в слот PCI материнской платы и превращает ваш компьютер в тестер памяти.

Новый продукт будет называться «DocMemory» Pro PCI Test Card, который будет доступен по цене 199 долларов США.

В этом примере мы будем использовать тестер памяти CST для определения неисправного модуля памяти DDR2 1 ГБ — 128Mx64, который вызывает зависание экрана на мониторе ПК после запуска Windows.

С помощью тестера памяти SP3000 был обнаружен сбой на одной из 8 микросхем DDR2 на модуле SDRAM 128 МБ, это был результат сбоя.

Конфигурация: DDR3 128M x 64 —
Количество микросхем: 8 микросхем
Банк: 1 Рейтинг

Пройдено: данные обхода, адрес обхода
Ошибка: мартовский тест в цикле 1
Неудачный бит данных: 24

Что такое связь между отказом чипа драма и отказом бита данных?

Различные модули Jedec Standard имеют разные места размещения компонентов SDRAM, например, модули DIMM объемом 1 гигабайт могут иметь две разные конфигурации:

— 128Mx64 DIMM, который использует 16 частей 64Mx8 DDR3 на двухсторонней печатной плате (2 ранга) .

— 128Mx64 DIMM, в котором используются 8 микросхем 128Mx8 DDR3 на односторонней печатной плате (1 ранг)

В этих двух конфигурациях — размещение компонентов полностью отличается, однако бит данных, назначенный на модулях DIMM, идентичен,

DDR3 240pin UDIMM / Изображения распиновки зарегистрированных модулей DIMM

Возвращаясь к тестеру памяти SP3000, вы можете задаться вопросом, почему тестер памяти SP3000 только указывает, какой бит данных вышел из строя, а не какие микросхемы.Тестер памяти необходимо настроить для различных типов модулей памяти, и, поскольку в обращении находятся миллионы модулей, трудно обеспечить стандартную конфигурацию.

CST Inc разработала справочную таблицу, которая используется для настройки тестера для точного определения места размещения чипа. См. Иллюстрацию:

В приведенной выше таблице показана конфигурация «128Mx64 DIMM», которая использует 8 частей 128Mx8 DDR3 на односторонней печатной плате.

Тестер памяти смог обнаружить бит данных сбоя 24, который был привязан к микросхеме U3.Замена неисправной микросхемы памяти в ячейке U3 решит проблему. DB 24 также подключен к контакту 30 модуля DIMM. См. Иллюстрацию распиновки.

Есть несколько других причин плохих битов данных в модуле DIMM:


чрезмерное количество паяных перемычек на микросхемах, замыкающих выводы
— плохое паяное соединение между выводами микросхемы и контактными площадками печатной платы
— Чип резистора трещин, который подключен к каждому отдельному биту данных
— открытая дорожка на плате печатной платы модуля
— изношенные золотые вкладки
— обрыв или короткое замыкание на контактах адреса чипа dram приведет к повреждению бита данных

Сбой другого бита данных будет появляться в другом месте чипа.Следующая сложная часть в замене дефектного чипа памяти — это использование соответствующих инструментов и оборудования для обработки дефектных чипов с одновременным предотвращением дальнейшего повреждения хрупких медных следов модуля памяти.

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *