Полевой транзистор обозначение выводов: Условные обозначения полевых транзисторов

Содержание

Условные обозначения полевых транзисторов

В электронике полевым транзистором называется электронный компонент, в котором ток проходящий через канал регулируется электрическим полем, образующимся в результате подачи напряжения между его истоком и затвором. Основным отличием полевого транзистора от транзистора биполярного является то, что выходное и входное сопротивление у него существенно выше.

Плевые транзисторы нередко именуют униполярными, поскольку основным принципом их действия является перемещение при помощи поля носителей зарядов одного и того же типа. Конструктивно эти приборы представляют собой изготовленные из полупроводниковых материалов пластинки одного типа проводимости, на противоположных сторонах которых способом диффузии создается область другого типа проводимости. На их границах образуется обладающий большим сопротивлением pn-переход.

В полевых транзисторах существуют области полупроводника которые называют каналами.

Их поперечное сечение, а вместе с ним и ток носителей заряда изменяются под воздействием электрического поля.

Структура полевого транзистора
с управляющим pn-переходом и каналом n-типа

В случае, если между p-областью и n-областью приложить некоторое напряжение Uзи., как показано на рисунке выше, то pn-переход окажется включенным в обратном направлении, следовательно его толщина увеличится, а толщины канала уменьшается. При этом принято p-область называть затвором

полевого транзистора, или же его управляющим электродом. Если к этому каналу подключить еще один источник напряжения U., то через него начнёт протекать ток в направлении от нижнего к верхнему участку n-области. Часть этой области, от которой основные носители зарядов начинают свое движение, называется истоком, а та часть, по направлению к которой они перемещаются – стоком.

Что касается величины тока, который протекает через канал, то определяющим для нее является сопротивление. Оно, в свою очередь, напрямую зависит от толщины канала. Таким образом, если изменяется величина приложенного к каналу напряжения, то вслед за этим происходит изменение величины тока.

В тех случаях, когда для производства этого электронного компонента в качестве основы берут полупроводник p-типа, то получается полевой транзистор, имеющий канал р-типа и управляющий pn-переход. Канал в нем образуется n-областью.

Структура и схема подключения МДП-транзистора
с индуцированным каналом

Полевые транзисторы с изолированным затвором

Помимо тех полевых транзисторов, которые имеют в своей конструкции управляющий затвор, имеются и такие, у которых он изолирован. В электронике для обозначения таких транзисторов используют аббревиатуры

МОП (металл-оксид-полупроводник) или МДП (металл-диэлектрик-полупроводник). Соответственно, такие приборы называют МОП-транзисторами или МДП-транзисторами.

Для МДПтранзистора характерно то, что в нем между истоком и стоком располагается n-область, представляющая собой подложку. Поэтому образуется два pn-перехода, которые включены навстречу друг другу. При этом вне зависимости от того, какую именно полярность имеет питающее напряжение, один из этих переходов всегда закрыт, так что в в направлении «исток-сток» ток равен нулю.

Если на затвор подается отрицательное напряжение, то ток в цепи начинает течь. Дело в том, что на расположенные в подложке электроны действует электрическое поле, и они начинают передвигаться вглубь нее.

Существует некоторое пороговое значение напряжения, при котором количество дырок, расположенных у самой поверхности подложки, становится существенно больше, чем электронов. В результате этого происходит так называемая инверсия типа электроповодности: она обретает p-тип. В результате этого между стоком и истоком получается канал, связывающий их. Его толщина зависит от того, какое именно значение имеет приложенное напряжение. Если изменять его, то можно регулировать и толщину канала, поскольку сопротивление участка, располагающегося между истоком и стоком, также будет изменяться.

Обозначения полевых транзисторов на схеме

10 Полевые транзисторы — СтудИзба

3. Полевые  транзисторы

( или униполярные, или  канальные  транзисторы)

Биполярные транзисторы управляются током, полевые транзисторы управляются напряжением. Различают следующие типы полевых транзисторов: полевые транзисторы с управляющим p-n переходом; полевые транзисторы с изолированным затвором.

      

3.1. Полевой транзистор с p-n переходом

Простейший полевой транзистор с управляющим p-n переходом представляет собой тонкую пластину полупроводникового материала (кремния) с одним p-n переходом в центральной части и с омическими контактами по краям. Его структура показана на рис. 43. Обозначение выводов: С-сток, З-затвор, И-исток. Обозначение на схеме представлено на рис. 44. Изображенный на рис.43 и 44 транзистор называется полевой транзистор с p-n переходом и  каналом n-типа.

В зависимости от электропроводности полупроводника канал может быть n-типа или р-типа. Если подключить к каналу напряжение, то через пластину полупроводника между омическими контактами потечет ток. Ток через канал образуется за счет основных носителей. При n-канале — за счет электронов.

Рекомендуемые файлы

Омический контакт (электрод), от которого течет ток, называется истоком,  а омический контакт, к которому он направлен, – стоком. Электрод, используемый для управления эффективной шириной канала, называется  затвором. Межэлектродные напряжения сток – исток Uси и затвор – исток Uзи отсчитывают относительно истока. Управляющей цепью является цепь затвор-исток (З-И). Управляемой цепью является С-И, в которой регулируется ток.

С помощью Uзи регулируется ширина канала, его проводимость, ток через него. Управление током стока осуществляется путем подачи Uзи со знаком, обратным направлению проводимости p-n перехода. При подаче отрицательного напряжения на затвор в области p-n перехода образуется обедненный слой (как у диода, смещенного в обратном направлении). Чем шире обедненный слой, тем уже канал, по которому могут проходить электроны от истока к стоку, т.к. обедненный слой, лишенный свободных носителей, ведет себя как изолятор, имеющий очень большое сопротивление.

Можно подобрать такое напряжение на затворе (напряжение отсечки тока стока Uзи отс<0), при котором токопроводящий канал будет полностью ликвидирован, т.е. перекрыт и протекание тока через пластину невозможно. Толщина токопроводящего канала при отсутствии стокового напряжения (Uси=0) определяется формулой:

h’=h(1–( Uзи/Uзи отс)1/2),

где h – технологическая толщина канала.

Сопротивление канала:

Rк=Rко/(1–( Uзи/Uзи отс)1/2),

где Rко – сопротивление канала при Uзи=0.

Т.к. управление током через канал производится обратно включенным p-n переходом, то сопротивление участка затвор-исток оказывается очень большим. Оно соответствует сопротивлению полупроводникового диода, включенного в обратном направлении, что выгодно отличает данный полупроводниковый прибор от биполярного транзистора.  Управление толщиной канала осуществляется обратным напряжением  Uзи или, в конечном итоге, поперечным относительно направления тока через канал электрическим полем, что нашло отражение в названии – полевой транзистор. Применять прямое включение управляющего p-n перехода нецелесообразно, т.к. при этом резко возрастает ток через него и возрастает выделяемая на переходе ЗИ мощность (т.е. нагрев перехода).

В отличие от биполярного транзистора ток, текущий через полевой транзистор, образуется только основными носителями, поэтому такой транзистор называют еще униполярным. Он в меньшей степени подвержен влиянию температуры и радиации, т. к. этими факторами определяется концентрация неосновных носителей.

Полевой транзистор с p-n переходом  и  каналом p-типа показан на рис. 45.

транзистора с p-n переходом и каналом n-типа

 Статические характеристики полевого транзистора с p-n переходом и каналом n-типа приведены на рис. 46. Характеристики Ic(Uси) называются выходными стоковыми характеристиками, характеристика Ic(Uзи) называется входной  характеристикой управления.

В общих чертах стоковые характеристики полевого транзистора с p-n переходом похожи на коллекторные характеристики биполярного транзистора: оба транзистора представляют собой источник фиксированного тока на большей части диапазона рабочих напряжений. Другими словами, если напряжение затвор-исток Uзи зафиксировать на определенном уровне, то, начиная с некоторых значений, увеличение напряжения сток-исток Uси оказывает незначительное влияние на ток стока Ic. Это относится  к области выходных характеристик на рис. 46 справа от пунктирной линии – это область насыщения.

Когда напряжение Uси начинает расти от нуля (для транзистора с каналом n-типа), канал ведет себя вначале как резистор, сопротивление которого определяется шириной канала, оставленного в кристалле обедненным слоем. Когда   достигает нескольких сот милливольт, начинает сказываться обратное смещение на затворе и обедненный слой расширяется в основном у стока до тех пор, пока не останется очень узкий проводящий канал. Наибольшее сечение канала находится возле истока, где Up-n=Uзи, а наименьшим – возле стока, где обратное (отрицательное)  напряжение p-n перехода равно Up-n=Uзи-Uси (следует помнить, что Uзи<0, а Uси>0).

Дальнейшее увеличение Uси приводит к еще большему сужению канала (увеличению его сопротивления), почти точно уравновешивающему увеличение Uси. При этом в самом узком месте возле стока всегда остается малое сечение канала, пропускающее ток, т.е. происходит ограничение тока канала. Это, так называемое, насыщение канала. Напряжение, при котором оно наступает, называется напряжением насыщения Uси нас. При этом ток равен значению Ic нач. Так же, как и в случае биполярного транзистора, в области насыщения имеется небольшой положительный наклон.

Описанные процессы отражены на выходных характеристиках на рис. 46.  Из условия Up-n=Uзи отс=Uзи-Uси нас находим:

Uси нас=Uзи-Uзи отс=|Uзи отс|-|Uзи|.

Выражение для тока стока имеет вид:

Iс=Ic нач(1–Uзи/Uзи отс)2.

Это – парабола, график которой является входной характеристикой и имеет вид:

                  

Если в полевом транзисторе при Ucи>Ucи нас изменять напряжение на затворе от 0 до |Uзи|>|Uзи отс|, то толщина суженного участка канала будет уменьшаться до нуля и ток канала станет равным нулю, а в цепи стока протекает некоторый малый остаточный ток (ток отсечки). Он состоит в основном из обратного тока p-n перехода, протекает от стока на затвор и пренебрежительно мал (обычно имеет значение несколько микроампер).

При большом напряжении Ucи, когда Ucи+|Uзи|>Uпроб в обратновключенном управляющем p-n переходе вблизи стока возникает электрический (лавинный) пробой и ток стока резко возрастает. Этот ток замыкается через электрод затвора.

На выходных характеристиках также может быть проведена нагрузочная прямая, как и у биполярных транзисторов.

Типы транзисторов с p-n переходом: КП103 – с каналом p-типа; КП 302, КП 303, КП307 – с каналом n-типа.                                                                                                                                                                                                                                                                                                          

Полевые транзисторы могут работать как в усилительном, так и в ключевом режимах.

 

 

Схема  и  диаграммы   показаны на рис. 47, 48.

Состояние I — ключ разомкнут (транзистор не проводит). Cостояние II — ключ замкнут (транзистор проводит). Такой ключ может быть применен в генераторе пилообразного напряжения для периодического сброса напряжения на конденсаторе.

В отличие от полевых транзисторов с управляющим p-n переходом в МОП-транзисторах электрод затвора изолирован от канала слоем диэлектрика толщиной 0,2…0,3 мкм, в качестве которого обычно применяют окисел (двуокись кремния SiO2).

Структура такого транзистора представлена на рис. 49. Если в этой структуре окисел заменить на p -слой, то мы возвратимся к транзистору с p-n переходом. Транзистор со структурой, показанной на рис.49, называется МОП-транзистор: М-металл, О-окисел, П-полупроводник. Английское название транзистора: MOSFET-Metal-Oxide-Semiconductor-Field-Effect-Transistor. Вывод П — это подложка, т.е. слой, на который наложен слой n -канала. Вывод подложки снабжают стрелкой, указывающей на тип проводимости канала. Обычно подложку присоединяют к истоку. Причем, иногда это делается внутри транзистора. Ее можно оставить и не присоединенной.

МОП-транзисторы имеют две конструктивные разновидности ­– с встроенным каналом и с индуцированным каналом. Обозначение на схеме транзистора с встроенным каналом n-типа показано на рис. 50. Таким транзистором является  КП 305X. Х- буква, характеризующая параметры. Обозначение транзистора с каналом p-типа, приведено на рис. 51.

При работе с МОП-транзисторами необходимо соблюдать меры предосторожности. Изоляция затвора в МОП-транзисторе приводит к тому, что такой транзистор очень чувствителен к статическим зарядам, из-за которых может появиться большой потенциал на затворе и произойти пробой изоляции. Поэтому МОП-транзисторы поставляются с выводами, замкнутыми между собой временной перемычкой. Лучше не удалять эту перемычку, пока транзистор не впаян в схему. У некоторых МОП-транзисторов имеются встроенные защитные диоды и поэтому они не боятся статического электричества. 

3.2.1. Входные и выходные характеристики МОП — транзистора с встроенным каналом n -типа (КП  305)

Характеристики показаны на рис. 52. Недостаток транзистора с такими характеристиками: Uзи=0, а прибор проводит, т.е. у рассмотренных ранее транзисторов при Uзи=0 существует ток стока. Иногда желательно, чтобы  при Uзи=0, Iс=0. Этим свойством обладают полевые транзисторы с индуцированным  (наведенным) каналом.

Предыдущие МОП-транзисторы имели встроенный канал (p или n-типа). Эти транзисторы при Uзи=0 проводят. В полевом транзисторе с индуцированным каналом при Uзи=0 ток отсутствует.

Структура транзистора с индуцированным каналом p-типа представлена на рис. 53. В теле подложки n-типа имеются две сильно легированные области с противоположным относительно подложки типом проводимости (p-типа). Одна из этих областей используется как исток И, другая – как сток С. Электрод затвора З изолирован от полупроводниковой пластины слоем диэлектрика (SiO2) толщиной 0,2…0,3 мкм. Исток, сток и подложка имеют контакты с соответствующими полупроводниковыми областями и снабжены выводами.

Т.к. высоко легированные р-области истока и стока с полупроводником подложки n-типа образуют p-n переходы, то при любой полярности напряжения сток-исток один из этих переходов оказывается включенным в обратном направлении и препятствует протеканию тока канала, следовательно, между истоком и стоком отсутствует токопроводящий канал.

При подаче отрицательного напряжения на затвор его отрицательный потенциал отталкивает электроны в подложке n-типа от затвора. При некотором отрицательном пороговом напряжении на затворе относительно истока и подложки Uзи пор<0 в подложке n-типа возникает обедненный основными носителями (электронами) инверсный поверхностный слой р-типа, образованный дырками. Этот слой соединяет р-области истока и стока и формирует между ними токопроводящий канал p-типа. Этот канал и обеспечивает проводимость между стоком и истоком. Изменяя напряжение на затворе можно управлять величиной тока стока. Говорят, что такой МОП-транзистор работает в режиме обогащения, в отличие от полевого транзистора с р-n переходом, который работает в режиме обеднения. Дырки в индуцированном канале в n-области подложки являются неосновными носителями заряда.

Изображение на схеме МОП-транзистора с индуцированным каналом p-типа показано на рис. 54. У такого транзистора канал показан в виде прерывистой линии, которая подчеркивает, что собственный проводящий канал между стоком и истоком отсутствует. Типы транзисторов с индуцированным каналом p-типа: КП 301, КП 304.

Входные и выходные характеристики транзистора с индуцированным  каналом p-типа приведены на рис. 55. Транзистор начинает проводить ток при |Uзи|=|Uпор|. Здесь Uпор называется — пороговое напряжение.

На рис. 56 показано изображение МОП — транзистора с индуцированным каналом n-типа. Входная характеристика приведена на рис. 57.

                                                                   

3.2.3. Крутизна

Как можно судить о качестве полевого транзистора? У биполярного транзистора важнейшим параметром является коэффициент усиления по току, который определяется отношением токов.
В случае полевого транзистора ток стока Iс управляется напряжением Uзи между затвором и истоком. Таким образом, о способности транзистора усиливать можно судить по величине отношения Iс/Uзи, которое имеет размерность проводимости. Эта величина называется крутизной, обозначается буквой S  и определяется как отношение
S=dIс/dUзи.

Если Iс измеряется в миллиамперах, а Uзи — в вольтах, то крутизна S указывается в мA/B или в миллисименсах (мСм).

3.2.4. Особенности полевых МОП транзисторов

1.     Очень большое Rвх, он управляется не током, как  биполярный, а напряжением, прикладываемым к цепи затвор–исток. Поэтому для управления им требуется очень маленькая мощность

2.     Высокое быстродействие в ключевых режимах по сравнению с быстродействием биполярных транзисторов, т.к. нет процессов накопления и рассасывания неосновных носителей, как это наблюдается у биполярных транзисторов. В биполярных транзисторах помимо основных носителей тока, существуют также и неосновные, которые транзистор набирает благодаря току базы. С наличием неосновных носителей связано такое понятие как, время рассасывания, которое обуславливает задержку выключения транзистора.

3.     Положительный ТКС, что упрощает включение их на параллельную работу для получения большой нагрузочной способности по току. Между параллельно включенными транзисторами обеспечивается равномерное токораспределение из-за эффекта самовыравнивания токов: если ток через какой-либо транзистор будет больше, чем через другие параллельно включенные транзисторы, то возрастет его нагрев, увеличится сопротивление канала, возрастет напряжение проводимости, в результате возрастет ток через параллельно включенный транзистор. Здесь работает правило электротехники: в цепи с параллельным соединением элементов токи распределяются обратно пропорционально сопротивлениям элементов.

4.  Отсутствие у полевого транзистора явления вторичного пробоя, поэтому его область безопасной работы в координатах ток-напряжение гораздо больше, чем у биполярного транзистора.

5.     Высоковольтные полевые транзисторы по сравнению с биполярными имеют повышенное падение напряжения в режиме насыщения, поэтому они имеют большие потери мощности. Падение напряжения сильно растет с повышением температуры (у биполярных и IGBT – уменьшается) и с ростом рабочего напряжения. Последнее обусловлено тем, что с ростом напряжения растет сопротивление канала (примерно по квадратичному закону).

Буква К обозначает, что в ключе применена пара из двух транзисторов с разным типом проводимости. Такая пара называется комплементарной. Схема ключа показана на рис. 58, диаграммы работы — на рис. 59. Интервал I — входной ключ управления переключен вверх, II — на общей точке. Часто наличие на входе напряжения какой-то величины обозначают единицей, нулевое напряжение — обозначают нулем. Uвых рисуется, оценивая состояние каждого полевого транзистора при подаче на вход единичного или нулевого напряжения. Схема замещения для I интервала показана  на рис. 60, для II интервала — на рис.61.

Состояние ключей определяется по входным характеристикам. Когда состояние выхода ключа противоположно состоянию входа, ключ называется инвертором.

В заключение раздела по полевым транзисторам приводим таблицу обозначений и входных характеристик транзисторов – Таблица 2 и таблицу режимов работы каналов и полярностей электродных напряжений –   Таблица 3. В настоящее время выпускаются МОП-транзисторы на напряжения до 1000В и токи до сотен ампер при рабочей частоте 30…100кГц, управление от цифровых микросхем с напряжением питания 5В. Разработан составной транзистор из комбинации МОП-транзистора с биполярным. Название такого транзистора: биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT – Insulated Gate Bipolar Transistor). Изображение этого транзистора и его входная характеристика показаны на рис. 62.

3.2.6. Переключатели аналоговых сигналов

Примеры, где применяются переключатели: подключение измерительного прибора к цепям с аналоговыми сигналами; процедура модуляции сигналов; переключения в устройствах контроля параметров работы различных схем электрооборудования и др.

Идеальные переключатели — это полевые транзисторы. Обычно применяются полевые транзисторы с изолированным затвором. Такие транзисторы обеспечивают изоляцию цепи управления ключом от цепи входного переключаемого сигнала. Самый распространенный ключевой элемент — это полевой транзистор (с изолированным затвором и индуцированным каналом). Транзистор с индуцированным каналом наиболее подходит, так как он может обрабатывать сигналы любого знака и является нормально закрытым.


Схема простейшего аналогового переключателя показана на следующем рисунке:

Для этого переключателя:

                 ±Uвх, при замкнутом VT;

Uвых=     0, при разомкнутом VT.

Для сравнения приводим соотношения для логического ключа:

                 1, при замкнутом VT;

Uвых=     0, при разомкнутом VT.

Отсюда видно основное различие между ключами.

Для отпирания полевого транзистора VT в соответствии с его входной характеристикой на затвор нужно подать напряжение, которое отрицательнее напряжения на остальных электродах (сток и исток VT взаимозаменяемы) на величину порогового напряжения Uпор. Для VT p-типа Uпор<0, а характеристика имеет вид:

Чем больше соотношение ïUзï>ïUпорï, тем меньше сопротивление канала. Подложку полевого транзистора обычно подключают к источнику постоянного напряжения. Это позволяет исключить влияние подложки на передачу Uвх.

Для правильной работы переключателя с каналом p — типа необходимо выполнять несколько условий:

1. Для разомкнутого состояния VT на затворе требуется напряжение

Uз выкл>Uпoр+Uвх мах.

Например, при Uпoр=-5В для входного напряжения -10В, на затвор необходимо подать Uз выкл>-5В+(-10В)=-15В, т.е. -14В, -13В и т.д. Для входного напряжения +10В, на затвор необходимо подать Uз выкл>-5В+ (+10В)=+5В, т.е. +6В, +7В и т.д. Соответственно для переключения знакопеременного сигнала на затвор надо подавать большее из этих расчетных напряжений, например, +10В.

2. Для замкнутого состояния VT:

Uз вкл<Uпoр+Uвх min.

Например, при Uпoр=-5В для переключения -10В на затвор необходимо подать Uз вкл=-10В+(-10В)=-20В. Здесь имеется в виду, что при Uпoр=-5В для обеспечения проводимости ключом требуемого тока Ic в соответствии с входной характеристикой на затвор подается напряжение с запасом по сравнению с Uпoр, например, -10В.


Сопротивление проводящего канала транзистора изменяется нелинейно при изменении напряжения на затворе относительно стока или истока. Для уменьшения нелинейности применяют ключ на двух транзисторах с каналами разных типов. Транзисторы включаются параллельно. При этом изменение переключаемого       Uвх при конкретном напряжении на затворе влияет на сопротивление канала противоположным образом, поэтому сопротивление канала меняется меньше при изменении Uвх. В данном случае ключ будет иметь вид:

Подобные ключи выпускаются в виде микросхемы, например отечественная  микросхема К176КТ1.

3.3. Охлаждение полупроводниковых приборов

Рекомендация для Вас — Характеристика телекоммуникационных вычислительных сетей.

В маломощных схемах транзисторы редко рассеивают мощность более 100мВт. Распространение тепла вдоль проводников и конвекция от корпуса транзистора в окружающий воздух при этом оказываются достаточными, чтобы избежать перегрева p-n перехода.

Транзисторы, на которых рассеиваются большие мощности, например, в мощных источниках питания и в выходных каскадах усилителей мощности, требуют применения специальных средств для отвода тепла. Обычно теплоотводы (радиаторы) используются с транзисторами, конструктивное исполнение которых предполагает их работу с радиаторами. Радиатор часто имеет ребристое исполнение и обычно он закрепляется на заземленном металлическом корпусе установки, которая сама может служить теплоотводом. Во всех случаях необходимо помнить, что корпус транзистора обычно соединен с коллектором и поэтому необходима электрическая изоляция между корпусом транзистора и радиатором. Слюдяные или лавсановые прокладки с нанесенной на каждую сторону теплопроводящей пастой гарантируют хороший тепловой контакт.

Качество теплоотвода обычно характеризуется величиной теплового сопротивления, которое учитывает тот факт, что скорость распространения тепла пропорциональна разности температур между источником тепла и внешней средой. В соответствии с этим понятием тепловое сопротивление q равно разности температур, деленной на величину рассеиваемой мощности, и  измеряется в  оС/Вт. Таким образом, корпус теплоотвода, имеющий тепловое сопротивление 3 оС/Вт, при рассеиваемой мощности 30Вт будет нагреваться до температуры на 90 оС выше температуры окружающей среды. Полное тепловое сопротивление транзистора на теплоотводе состоит из последовательного соединения тепловых сопротивлений между полупроводниковым кристаллом и корпусом, корпусом и радиатором, радиатором и окружающей средой. Максимальная температура полупроводникового кристалла обычно составляет 150 оС, а температуру окружающей среды можно принять равной 50 оС (это температура, при которой допускается работа электронной аппаратуры общего назначения).

Производители транзисторов, как правило, указывают безопасную максимальную температуру корпуса для своих транзисторов в 125 оС, кроме того, теплопроводность от корпуса транзистора к радиатору обычно столь хороша, что в большинстве вычислений можно учитывать только тепловое сопротивление между радиатором и воздухом qрв. Зная мощность Р, рассеиваемую транзистором, и полагая, что температура окружающей среды равна 50 оС, можно найти температуру корпуса транзистора: Тк=50+(Р*qрв). Сверяясь с данными производителя, теперь можно выяснить, сможет ли рассматриваемый транзистор рассеивать требуемую мощность при найденной температуре корпуса. Если это не так, то тепловое сопротивление qрв должно быть уменьшено путем применения большего радиатора. Большие ребристые радиаторы для мощных транзисторов обычно имеют тепловое сопротивление 2…4 оС/Вт, которое можно уменьшить до 1 оС/Вт с помощью принудительного охлаждения.

Глава 23. Полевые транзисторы . Введение в электронику

ЦЕЛИ

После изучения этой главы студент должен быть в состоянии:

• Описать разницу между транзисторами, полевыми транзисторами с р-n-переходом и полевыми транзисторами с изолированным затвором (МОП-транзисторами).

• Нарисовать схематические обозначения полевых транзисторов с р-n-переходом и каналом n— и p

-типа проводимости, а также полевые транзисторы с изолированным затвором обедненного и обогащенного типа.

• Описать, как работают полевые транзисторы с р-n-переходом и полевые транзисторы с изолированным затвором обедненного и обогащенного типа.

• Перечислить составные части полевых транзисторов с р-n-переходом и полевых транзисторов с изолированным затвором.

• Описать меры предосторожности, которые необходимо соблюдать при работе с полевыми транзисторами с изолированным затвором.

• Описать процедуру проверки полевых транзисторов с р-n-переходом и полевых транзисторов с изолированным затвором с помощью омметра.

История полевых транзисторов начинается с 1925 года, когда Юлиус Лилленфелд изобрел полевой транзистор (р-n-переходом и полевой транзистор с изолированным затвором. Оба этих устройства доминируют в настоящее время в электронной технологии. Эта глава является введением в теорию полевых транзисторов с р-n-переходом и полевых транзисторов с изолированным затвором.

23-1. ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ С р-n-ПЕРЕХОДОМ

Полевой транзистор с р-n-переходом — это униполярный транзистор, в котором работают только основные носители.

Полевой транзистор с

р-n-переходом — это устройство, управляемое напряжением. Полевые транзисторы с р-n-переходом состоят из полупроводниковых материалов n— и p-типа и способны усиливать электронные сигналы, а конструкция отличается от конструкции биполярных транзисторов, и их работа основана на других принципах. Знание конструкции полевых транзисторов с р-n-переходом помогает понять, как они работают.

Конструкция полевых транзисторов с р-n-переходом начинается с подложки, или базы, слабо легированного полупроводникового материала. Подложка может быть из материала n— или p-типа. р-n-переход в подложке изготовляется как методом диффузии, так и методом выращивания (см.

главу 20). Форма р-n-перехода играет важную роль. На рис. 23-1 показано сечение встроенной области в подложке. U-образная область называется каналом, она утоплена по отношению к верхней поверхности подложки.

Рис. 23-1. Сечение полевого транзистора с р-n-переходом и каналом n-типа.

Когда канал сделан из материала n-типа в подложке из материала p-типа образуется полевой транзистор с каналом n-типа. Когда канал сделан из материала p-типа в подложке из материала n-типа образуется полевой транзистор с

каналом р-типа.

Полевой транзистор с р-n-переходом имеет три вывода (рис. 23-2). Один вывод соединен с подложкой и образует затвор (3). Выводы, соединенные с концами канала образуют исток (И) и сток (С). Неважно какой из выводов соединен со стоком, а какой с истоком, так как канал симметричен.

Рис. 23-2. Подсоединение выводов полевого транзистора с р-n-переходом и каналом n-типа.

Работа полевых транзисторов с р-n-переходом требует двух внешних источников смещения. Один из источников (ЕСИ) подсоединяется между стоком и истоком, заставляя ток течь через канал. Другой источник (

ЕЗИ) подсоединяется между затвором и истоком. Он управляет величиной тока, протекающего через канал. На рис. 23-3 показан правильно смещенный полевой транзистор с каналом n-типа.

Источник тока ЕСИ подсоединяется таким образом, чтобы на истоке был отрицательный потенциал по отношению к стоку. Это обусловливает ток через канал, так как основными носителями в материале n-типа являются электроны. Ток, текущий от истока к стоку, называется током стока полевого транзистора (IC). Канал служит сопротивлением для приложенного напряжения (ЕСИ).

Напряжение затвор-исток (ЕЗИ) подается таким образом, чтобы затвор имел отрицательный потенциал по отношению к истоку. Это обусловливает формирование обратно смещенного р-n-перехода между затвором и каналом и создает обедненный слой в окрестности р-n-перехода, который распространяется вдоль всей длины канала. Обедненный слой шире у стока, так как напряжение ЕСИ складывается с напряжением ЕЗИ, создавая более высокое напряжение обратного смещения, чем у истока.

Рис. 23-3. Правильно смещенный полевой транзистор с р-n-переходом и каналом n-типа.

Размером обедненного слоя управляет напряжение ЕЗИ. При увеличении ЕЗИ толщина обедненного слоя увеличивается. При уменьшении толщина обедненного слоя уменьшается. При увеличении толщины обедненного слоя резко уменьшается толщина канала, и, следовательно, уменьшается величина тока, проходящего через него. Таким образом, ЕЗИ можно использовать для управления током стока (IC), который протекает через канал. Увеличение ЕЗИ уменьшает IC.

При обычной работе входное напряжение прикладывается между затвором и истоком. Результирующим выходным током является ток стока (IC). В полевом транзисторе с р-n-переходом входное напряжение используется для управления выходным током. В обычном транзисторе входной ток, а не напряжение используется для управления выходным током.

Поскольку переход затвор-исток смещен в обратном направлении, полевой транзистор с р-n-переходом имеет очень высокое входное сопротивление. Если переход затвор-исток сместить в прямом направлении, через канал потечет большой ток, что послужит причиной падения входного сопротивления и уменьшения усиления транзистора. Величина напряжения, требуемого для уменьшения IС до нуля, называется напряжением отсечки затвор-исток (ЕЗИотс). Это значение указывается производителем транзистора.

Напряжение сток-исток (ЕСИ) управляет размером обедненного слоя в полевых транзисторах с р-n-переходом. При увеличении ЕСИ, увеличивается также IС. При некотором значении ЕСИ величина IС перестает расти, достигая насыщения при дальнейшем увеличении ЕСИ. Причиной этого является увеличившийся размер обедненного слоя, и значительное уменьшение в канале неосновных носителей. С увеличением ЕСИ увеличивается, с другой стороны, сопротивление канала, что также приводит к меньшей скорости увеличения IС. Однако рост тока IС ограничивается вследствие расширения обедненного слоя и уменьшения ширины канала. Когда это имеет место, говорят, что IС достиг насыщения. Значение ЕСИ, при котором IС достигает насыщения, называется напряжением насыщения (ЕН). Величина ЕН обычно указывается производителем при значении ЕЗИ, равном нулю. При ЕЗИ, равном нулю, величина ЕН близка к ЕЗИотс. Когда ЕН равно ЕЗИ, ток стока является насыщенным.

Полевые транзисторы с p-каналом и с n-каналом имеют одинаковые характеристики. Основное различие между ними — в направлении тока стока (IС) через канал. В полевом транзисторе с p-каналом полярность напряжений смещения (ЕЗИ, ЕСИ) противоположна полярностям этих напряжений для транзистора с каналом n-типа.

Схематические обозначения для полевых транзисторов с p-каналом и с n-каналом показаны на рис. 23-4. Полярности напряжений смещения для полевого транзистора с n-каналом показаны на рис. 23-5, а для транзистора с р-каналом — на рис. 23-6.

Рис. 23-4. Схематические обозначения полевых транзисторов с р-n-переходом.

Рис. 23-5. Полярности источников тока, необходимые для смещения полевого транзистора с р-n-переходом и каналом n-типа.

Рис. 23-6. Полярности источников тока, необходимые для смещения полевого транзистора с р-n-переходом и каналом р-типа.

23-1. Вопросы

1. Опишите, чем конструкция полевого транзистора с р-n-переходом отличается от конструкции биполярного транзистора.

2. Назовите три вывода полевого транзистора с р-n-переходом.

3. Как прекратить ток через полевой транзистор с р-n-переходом?

4. Дайте определения следующих терминов для полевого транзистора с р-n-переходом:

а. Обедненный слой.

б. Напряжение насыщения.

в. Исток.

г. Сток.

5. Нарисуйте схематические обозначения полевых транзисторов с р-n-переходом с p-каналом и с n-каналом и обозначьте их выводы.

23-2. ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ С ИЗОЛИРОВАННЫМ ЗАТВОРОМ ОБЕДНЕННОГО ТИПА

В полевых транзисторах с изолированным затвором не используют р-n-переход. Вместо него применяется металлический затвор, электрически изолированный от полупроводникового канала тонким слоем окисла. Это устройство известно как полевой транзистор на основе структуры металл-окисел-полупроводник (МОП транзистор).

Существует два типа таких транзисторов: устройства n-типа с n-каналами и устройства p-типа с p-каналами. Устройства n-типа с n-каналами называются устройствами обедненного типа, так как они проводят ток при нулевом напряжении на затворе. В устройствах обедненного типа электроны являются носителями тока до тех пор, пока их количество не уменьшится благодаря приложенному к затвору смещению, так как при подаче на затвор отрицательного смещения, ток стока уменьшается. Устройства p-типа с p-каналами называются устройствами обогащенного типа. В устройствах обогащенного типа поток электронов обычно отсутствует до тех пор, пока на затвор не подано напряжение смещения. Хотя полевые транзисторы обедненного типа с p-каналом и транзисторы обогащенного типа с n-каналом и существуют, они обычно не используются.

На рис. 23-7 изображено сечение полевого транзистора обедненного типа с n-каналом. Он образован имплантацией n-канала в подложку p-типа.

Рис. 23-7. МОП транзистор обедненного типа с n-каналом.

После этого на канал наносится тонкий изолирующий слой двуокиси кремния, оставляющий края канала свободными для подсоединения выводов, стока и истока. После этого на изолирующий слой наносится тонкий металлический слой. Этот металлический слой служит затвором. Дополнительный вывод подсоединяется к подложке. Металлический затвор изолирован от полупроводникового канала, так что затвор и канал не образуют р-n-переход. Металлический затвор используется для управления проводимостью канала так же, как и в полевом транзисторе с р-n-переходом.

На рис. 23-8 изображен полевой транзистор с изолированным затвором и каналом n-типа.

Рис. 23-8. МОП транзистор обедненного типа с n-каналом и приложенным смещением.

Сток всегда имеет положительный потенциал по отношению к истоку, как и в полевом транзисторе с р-n-переходом. В канале n-типа основными носителями являются электроны, обеспечивающие ток стока (IC), протекающий от истока к стоку. Величиной тока стока управляет напряжение смещения (ЕЗИ), приложенное между затвором и истоком, как и в полевом транзисторе с р-n-переходом. Когда напряжение на истоке равно нулю, через устройство течет заметный ток стока, так как в канале имеется большое количество основных носителей (электронов). Когда на затворе отрицательный потенциал по отношению к истоку, ток стока уменьшается вследствие обеднения основных носителей. Если отрицательный потенциал достаточно велик, то ток стока падает до нуля.

Основное различие между полевыми транзисторами с р-n-переходом и полевыми транзисторами с изолированным затвором состоит в том, что на затворе полевого транзистора с изолированным затвором может также быть и положительный потенциал по отношению к истоку. В полевом транзисторе с р-n-переходом нельзя подать такой потенциал на исток, так как в этом случае р-n-переход затвор-канал будет смещен в прямом направлении.

Когда напряжение на затворе полевого МОП-транзистора обедненного типа положительно, изолирующий слой из двуокиси кремния предотвращает какой-либо ток через затвор. Входное сопротивление остается высоким, и в канале появляется больше носителей (электронов), что увеличивает его проводимость. Положительное напряжение на затворе может быть использовано для увеличения тока стока МОП транзистора, а отрицательное напряжение на затворе может быть использовано для уменьшения тока стока. Поскольку отрицательное напряжение подается на затвор для обеднения n-канала МОП транзистора, он называется устройством обедненного режима. Когда напряжение на затворе равно нулю, через МОП транзистор течет большой ток стока. Все устройства обедненного типа обычно открываются при напряжении на затворе, равном нулю.

Схематическое обозначение МОП транзистора обедненного типа с n-каналом показано на рис. 23-9.

Рис. 23-9. Схематическое обозначение МОП транзистора обедненного типа с n-каналом.

Заметим, что вывод затвора отделен от выводов стока и истока. Стрелка, направленная к подложке, указывает, что этот транзистор имеет канал n-типа. В некоторых МОП транзисторах подложка соединена внутри транзистора с истоком, и они не имеют отдельного вывода подложки.

МОП транзистор обедненного типа с n-каналом и правильно поданным напряжением смещения изображен на рис. 23–10.

Рис. 23–10. Правильно смещенный МОП транзистор обедненного типа с n-каналом.

Заметим, что он смещен точно так же, как и полевой транзистор с р-n-переходом и каналом n-типа. Напряжение сток-исток (ЕСИ) должно всегда прикладываться таким образом, чтобы сток имел положительный потенциал по отношению к истоку. Напряжение затвор-исток (ЕЗИ) должно иметь обратную полярность. Подложка обычно соединяется с истоком либо внутри транзистора, либо снаружи. В специальных случаях подложка может быть соединена с затвором или с другой точкой цепи.

МОП транзистор обедненного типа может быть изготовлен с каналом p-типа. Транзисторы с p-каналом работают точно так же, как и транзисторы с n-каналом. Разница только в том, что основными носителями являются дырки. Вывод стока имеет отрицательный потенциал по отношению к истоку, и ток стока течет в противоположном направлении.

Потенциал затвора может быть как положительным, так и отрицательным по отношению к истоку.

На рис. 23–11 показано схематическое обозначение МОП транзистора обедненного типа с p-каналом. Отличие от обозначения МОП транзистора с n-каналом состоит в том, что стрелка направлена от подложки.

Рис. 23–11. Схематическое обозначение МОП транзистора обедненного типа с р-каналом.

МОП транзисторы обедненного типа как с n-каналом, так и с p-каналом являются симметричными. Выводы стока и истока можно поменять местами. В специальных случаях затвор может быть смещен от области стока для того, чтобы уменьшить емкость между затвором и стоком. В случае, когда затвор смещен, выводы стока и истока нельзя поменять местами.

23-2. Вопросы

1. Чем отличается конструкция МОП транзистора от конструкции полевого транзистора с р-n-переходом?

2. Опишите, как полевой МОП транзистор проводит ток.

3. В чем главное отличие работы МОП транзистора от работы полевого транзистора с р-n-переходом?

4. Нарисуйте схематические обозначения МОП транзисторов с n-каналом и с p-каналом и обозначьте их выводы.

5. Какие выводы можно поменять местами в МОП транзисторе и в полевом транзисторе с р-n-переходом?

23-3. ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ С ИЗОЛИРОВАННЫМ ЗАТВОРОМ (МОП ТРАНЗИСТОРЫ) ОБОГАЩЕННОГО ТИПА

МОП транзисторы обедненного типа являются открытыми в нормальном состоянии. Это означает, что они имеют заметный ток стока при напряжении затвор-исток равном нулю. Это полезно во многих приложениях. Но также полезно иметь устройство, которое в нормальном состоянии закрыто; то есть устройство, проводящее ток только тогда, когда приложено напряжение ЕЗИ соответствующей величины. На рис. 23–12 изображен МОП транзистор, работающий как устройство, закрытое в нормальном состоянии. Он подобен МОП транзистору обедненного типа, но не имеет проводящего канала. Вместо этого в подложку внедрены раздельные области стока и истока. На рисунке показана подложка n-типа и области стока и истока р-типа. Может быть также использована и обратная конфигурация. Расположение выводов такое же, как и у МОП транзистора обедненного типа.

Рис. 23–12. МОП транзистор обогащенного типа с р-каналом.

МОП транзистор с p-каналом обогащенного типа должен быть смещен таким образом, чтобы на стоке был отрицательный потенциал по отношению к истоку. Когда к транзистору приложено только напряжение сток-исток (ЕСИ), ток стока отсутствует. Это обусловлено отсутствием проводящего канала между истоком и стоком. Когда на затвор подается отрицательный потенциал по отношению к истоку, дырки направляются к затвору, где они создают канал p-типа, позволяющий протекать току от стока к истоку.

При увеличении отрицательного напряжения на затворе размер канала увеличивается, что позволяет увеличиться и току стока. Увеличение напряжения на затворе позволяет увеличить ток стока.

Потенциал затвора МОП транзистора с p-каналом обогащенного типа может быть сделан положительным по отношению к истоку, и это не повлияет на работу транзистора. Ток стока в нормальном состоянии равен нулю и не может быть уменьшен подачей положительного потенциала на затвор.

Схематическое обозначение МОП транзистора с р-каналом обогащенного типа показано на рис. 23–13. Оно аналогично обозначению МОП транзистора с p-каналом обедненного типа, за исключением того, что области истока, стока и подложки разделены пунктирной линией. Это показывает, что транзистор в нормальном состоянии закрыт. Стрелка, направленная от подложки, обозначает канал р-типа.

Рис. 23–13. Схематическое обозначение МОП транзистора обогащенного типа с р-каналом.

МОП транзистор с p-каналом обогащенного типа с правильно поданным напряжением смещения показан на рис. 23–14.

Рис. 23–14. Правильно смещенный МОП транзистор обогащенного типа с р-каналом.

Заметим, что ЕСИ делает сток МОП транзистора отрицательным по отношению к истоку. ЕЗИ также делает затвор отрицательным по отношению к истоку. При увеличении ЕЗИ и подаче на затвор отрицательного потенциала, появляется заметный ток стока. Подложка обычно соединяется с истоком, но в отдельных случаях подложка и исток могут иметь различные потенциалы.

МОП транзисторы могут быть изготовлены с n-каналом обогащенного типа. Эти устройства работают с положительным напряжением на затворе так, что электроны притягиваются по направлению к затвору и образуют канал n-типа. В остальном они работают так же, как и устройства с каналом р-типа.

Схематическое обозначение МОП транзистора с n-каналом обогащенного типа показано на рис. 23–15. Оно аналогично обозначению устройства с р-каналом за исключением того, что стрелка направлена к подложке, обозначая канал n-типа. Правильно смещенный МОП транзистор с n-каналом обогащенного типа показан на рис. 23–16.

Рис. 23–15. Схематическое обозначение МОП транзистора обогащенного типа с n-каналом.

Рис. 23–16. Правильно смещенный МОП транзистор обогащенного типа с n-каналом.

МОП транзисторы с изолированным затвором обычно симметричны, как и полевые транзисторы с р-n-переходом. Следовательно, сток и исток можно поменять местами.

23-3. Вопросы

1. Чем МОП транзисторы обедненного и обогащенного типа отличаются друг от друга?

2. Опишите, как работает МОП транзистор с изолированным затвором обогащенного типа?

3. Нарисуйте схематические обозначения МОП транзисторов обогащенного типа с р-каналом и с n-каналом и обозначьте их выводы?

4. Почему МОП транзистор с изолированным затвором имеет четыре вывода?

5. Какие выводы МОП транзисторов обогащенного типа можно поменять местами?

23-4. МЕРЫ ПРЕДОСТОРОЖНОСТИ ПРИ РАБОТЕ С МОП ТРАНЗИСТОРАМИ

При работе с МОП транзисторами необходимо соблюдать некоторые меры предосторожности. Важно проверить по данным производителя максимальное значение ЕЗИ. Если ЕЗИ будет слишком большим, то тонкий изолирующий слой разрушится, и транзистор выйдет из строя. Изолирующий слой достаточно чувствителен и может быть поврежден статическим зарядом, появляющимся на выводах транзистора. Электростатические заряды с пальцев могут перейти на выводы МОП транзистора, когда вы касаетесь его руками или при монтаже.

Для того чтобы избежать повреждения, МОП транзисторы обычно поставляются с соединенными вместе выводами. Закорачивание осуществляется следующими методами: соединение выводов проволокой, упаковка транзистора в закорачивающее кольцо, прессовка транзистора в проводящую пену, соединение нескольких транзисторов вместе, транспортировка в антистатических трубках и заворачивание транзисторов в металлическую фольгу.

Новейшие МОП транзисторы защищены с помощью стабилитронов, включенных внутри транзистора между затвором и истоком. Диоды защищают от статических разрядов и переходных процессов и избавляют от необходимости использования внешних закорачивающих устройств. В электронике переходным процессом называется временное изменение тока, вызванное резким изменением нагрузки, включением или выключением источника тока или импульсным сигналом.

С незащищенными МОП транзисторами можно без опаски работать при соблюдении следующих процедур:

1. До установки в цепь выводы транзистора должны быть соединены вместе.

2. Рука, которой вы будете брать транзистор, должна быть заземлена с помощью металлического браслета на запястье.

3. Жало паяльника следует заземлить.

4. МОП транзистор никогда не должен вставляться в цепь или удаляться из цепи при включенном питании.

23-4. Вопросы

1. По какой причине с МОП транзисторами надо обращаться очень осторожно?

2. Превышение какого напряжения может вывести МОП транзистор из строя?

3. Какие методы используются для защиты МОП транзисторов при транспортировке?

4. Какие меры предосторожности предприняты для защиты новейших МОП транзисторов?

5. Опишите процедуры, которые должны соблюдаться при работе с незащищенными МОП транзисторами.

23-5. ПРОВЕРКА ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ

Проверка полевых транзисторов более сложна, чем проверка обычных транзисторов. Перед проверкой полевого транзистора необходимо рассмотреть следующие вопросы:

1. Является устройство полевым транзистором с р-n-переходом или полевым МОП транзистором?

2. Является полевой транзистор устройством с каналом n-типа или устройством с каналом р-типа?

3. Если это МОП транзистор, то какого он типа — обедненного или обогащенного?

Перед удалением полевого транзистора из цепи или началом работы с ним проверьте — является он полевым транзистором с р-n-переходом или полевым МОП транзистором. МОП транзистор можно легко повредить, если не соблюдать следующие меры предосторожности.

1. Закоротите все выводы МОП транзистора до тех пор, пока он не будет готов к работе.

2. Убедитесь в том, что рука, используемая для работы с МОП транзистором, заземлена.

3. Выключите питание цепи перед удалением или установкой МОП транзистора.

Как полевые транзисторы с р-n-переходом, так и МОП транзисторы могут быть легко проверены с помощью прибора для проверки транзисторов или с помощью омметра.

При использовании прибора для проверки транзисторов следуйте руководству по его эксплуатации.

Проверка полевых транзисторов с р-n-переходом при помощи омметра

1. Используйте низковольтный омметр на пределе Rх100.

2. Определите полярность выводов прибора. Белый — положительный, а черный — отрицательный.

3. Определите прямое сопротивление следующим образом:

а. Полевой транзистор с каналом n-типа: соедините положительный вывод с затвором, а отрицательный вывод с истоком или стоком. Поскольку и исток, и сток соединены с каналом, необходимо проверить только одну сторону. Прямое сопротивление должно быть низким.

б. Полевой транзистор с каналом р-типа: соедините отрицательный вывод с затвором, а положительный с истоком или стоком.

4. Определите обратное сопротивление следующим образом:

а. Полевой транзистор с каналом n-типа: соедините отрицательный вывод омметра с затвором, а положительный вывод с истоком или стоком. Полевой транзистор должен иметь бесконечное сопротивление. Низкое сопротивление указывает на короткое замыкание или наличие тока утечки.

б. Полевой транзистор с каналом р-типа: соедините положительный вывод с затвором, а отрицательный с истоком или стоком.

Проверка МОП транзисторов с помощью омметра

Прямое и обратное сопротивление можно проверить с помощью низковольтного омметра на его высшем пределе.

МОП транзисторы имеют очень высокое входное сопротивление из-за наличия изолированного затвора. Прибор должен показать бесконечное сопротивление и в прямом и в обратном направлениях между затвором и истоком или стоком. Низкое значение сопротивления указывает на пробой изоляции между затвором и истоком или стоком.

23-5. Вопросы

1. На какие вопросы надо ответить перед проверкой полевых транзисторов?

2. Почему важно знать тип устройства (транзистор с р-n-переходом или МОП транзистор) перед удалением его из цепи?

3. Опишите, как проверить полевой транзистор с р-n-переходом с помощью омметра?

4. Опишите, как проверить МОН транзистор с помощью омметра?

5. Как проверить полевой транзистор с р-n-переходом или МОИ транзистор с помощью прибора для проверки транзисторов?

РЕЗЮМЕ

• Полевой транзистор с р-n-переходом использует для управления сигналом канал вместо р-n-переходов (в обычных транзисторах).

• Три вывода полевого транзистора с р-n-переходом подсоединены к затвору, истоку и стоку.

• Входной сигнал прикладывается между затвором и истоком для того, чтобы полевой транзистор с р-n-переходом мог управлять его величиной.

• Полевые транзисторы с р-n-переходом имеют очень высокое входное сопротивление.

• Схематические обозначения полевых транзисторов с р-n-переходом следующие:

• В МОП транзисторах (полевых транзисторах с изолированным затвором) затвор изолирован от канала тонким слоем окисла.

• МОП транзисторы обедненного типа обычно бывают с каналом n-типа и открыты в нормальном состоянии.

• МОП транзисторы обогащенного типа обычно бывают с каналом р-типа и закрыты в нормальном состоянии.

• Главное отличие между полевыми транзисторами с р-n-переходом и МОП транзисторами в том, что потенциал затвора в МОП транзисторах может быть как положительным, так и отрицательным по отношению к истоку.

• Схематическое обозначение для МОП транзистора обедненного типа следующее:

• У большинства полевых транзисторов с р-n-переходом и МОП транзисторов выводы истока, и стока можно поменять местами, так как эти устройства являются симметричными.

• Схематическое обозначение для МОП транзистора обогащенного типа следующее:

• С МОП транзисторами следует обращаться осторожно, для избежания повреждения тонкого слоя окисла, отделяющего металлический затвор от канала.

• Электростатические заряды с пальцев могут повредить МОП транзистор.

• До использования выводы МОП транзистора должны быть соединены вместе.

• При работе с МОП транзисторами необходимо использовать металлический браслет на запястье, соединенный проволокой с землей.

• При пайке МОП транзисторов используйте заземленный паяльник и убедитесь в том, что питание цепи выключено.

• Как полевые транзисторы с р-n-переходом, так и МОП транзисторы могут быть проверены с помощью прибора для проверки транзисторов или с помощью омметра.

Глава 23. САМОПРОВЕРКА

1. Объясните, что означает напряжение отсечки полевого транзистора.

2. Как определить напряжение отсечки полевого транзистора с р-n-переходом?

3. Объясните, что такое МОП транзистор обедненного типа.

4. В каком режиме работы МОП транзистор обогащенного типа, вероятно, будет закрыт?

5. Напишите список мер предосторожности, которые должны соблюдаться при работе с МОП транзисторами.

Полевые транзисторы с изолированным затвором (MOSFET)

 

Следующий из рассматриваемых видов полевых транзисторов — транзисторы с изолированным затвором (МОП- или МДП-транзисторы) (Metal-oxide-semiconductor field-effect transistor — MOSFET). Как видно из названия, в таких транзисторах область затвора не имеет непосредственного электрического контакта с основной полупроводниковой структурой, в которой расположен канал протекания потока зарядов. Сам затвор выполняется из металла и его воздействие на канал обусловлено только возможностью создания в полупроводнике некоторых электрических полей, образуемых вблизи затвора при приложении к нему внешних напряжений. Учитывая специфику конструкции затвора, такие транзисторы часто называют МДП- (металл—диэлектрик—полупроводник) или МОП- (металл—окисел—полупроводник) транзисторами. Но не только вид затвора отличает МДП-транзисторы от полевых транзисторов с управляющими переходами. Дело в том, что в МДП-транзисторах нет четкой монолитной полупроводниковой структуры с одним типом проводимости, которая играла бы роль канала для протекания потока зарядов так же, как это происходит в полевых транзисторах с управляющим переходом. Здесь канал как бы спрятан внутри области полупроводника (подложки) с типом проводимости, противоположным тому, который необходим для протекания потока соответствующих данному транзистору зарядов (для \(n\)-канального транзистора это электроны, для \(p\)-канального — дырки). Возникновение такого потока по-прежнему обусловлено наличием некоторого внешнего потенциала, прикладываемого к областям стока и истока, но вторым условием является наличие в структуре самого канала — пути, по которому возможно протекание данного потока. МДП-транзисторы различаются по способу формирования этого канала.

Существуют:

  • МДП-транзисторы с индуцированным каналом (рис. 2-1.2) — канал образуется в результате внешних электрических воздействий;
  • МДП-транзисторы со встроенным каналом (рис. 2-1.3) — канал выполнен путем физического внедрения между стоком и истоком области с соответствующей электропроводностью.

 

Рис. 2-1.2. Плоская одномерная модель МДП-транзистора с индуцированным каналом (а) и его схематические обозначения (б)

 

Рис. 2-1.3. Плоская одномерная модель МДП-транзистора со встроенным каналом (а) и его схематические обозначения (б)

 

Учитывая некоторые технологические особенности, первые иногда называют МДП-транзисторами обогащенного типа, а вторые — обедненного типа. Промышленностью также выпускаются МДП-транзисторы с двумя затворами. В них может быть либо один, либо два соединяемых последовательно канала, каждый из которых управляется отдельным затвором.

Несмотря на конструктивные отличия, для МДП-транзисторов сохраняется вся та же терминология, которая была описана для полевых транзисторов с управляющими переходами. Схемные обозначения различных видов полевых транзисторов показаны на рис. 2-1.2,б, 2-1.3,б, 2-1.4. Некоторая особенность МДП-транзисторов заключается в наличии самостоятельной области подложки. Иногда вывод от этой области выполняется отдельно (рис. 2-1.4), что позволяет управлять через него некоторыми характеристиками прибора, но гораздо чаще он соединяется с истоком внутри корпуса транзистора. Это приводит к тому, что между выводами истока и стока как бы возникает диод, образованный \(p\)-\(n\)-переходом между подложкой и стоком. Часто такой диод изображают и на схемном обозначении транзистора, как показано на рис. 2-1.4.

 

Рис. 2-1.4. Некоторые дополнительные варианты схематического обозначения МДП-транзисторов

 

Важным свойством полевых транзисторов (и особенно, МДП-транзисторов) является их повышенная чувствительность к статическому электричеству. Так что при обращении с этими приборами часто требуются особые меры предосторожности (заземление оборудования и тела оператора, закорачивание выводов до момента окончания пайки и т.п.).

 

 

< Предыдущая   Следующая >

Обозначения в радиоэлектронике. Условные графические и буквенные обозначения электрорадиоэлементов. Примеры построения обозначений транзисторов

Приветствую вас дорогие друзья! Сегодня речь пойдет о биполярных транзисторах и информация будет полезна прежде всего новичкам. Так что, если вам интересно что такое транзистор, его принцип работы и вообще с чем его едят, то берем стул по удобнее и подходим поближе.

Продолжим, и у нас тут есть содержание, будет удобнее ориентироваться в статье 🙂

Виды транзисторов

Транзисторы бывают в основном двух видов: биполярные транзисторы и полевые транзисторы. Конечно можно было рассмотреть все виды транзисторов в одной статье, но мне не хочется варить кашу у вас в голове. Поэтому в этой статье мы рассмотрим исключительно биполярные транзисторы а о полевых транзисторах я расскажу в одной из следующих статей. Не будем все мешать в одну кучу а уделим внимание каждому, индивидуально.

Биполярный транзистор

Биполярный транзистор это потомок ламповых триодов, тех что стояли в телевизорах 20 -го века. Триоды ушли в небытие и уступили дорогу более функциональным собратьям — транзисторам, а точнее биполярным транзисторам.

Триоды за редким исключением применяют в аппаратуре для меломанов.

Биполярные транзисторы выглядеть могут так.

Как вы можете видеть биполярные транзисторы имеют три вывода и конструктивно они могут выглядеть совершенно по разному. Но на электрических схемах они выглядят простенько и всегда одинаково. И все это графическое великолепие, выглядит как-то так.

Это изображение транзисторов еще называют УГО (Условное графическое обозначение).

Причем биполярные транзисторы могут иметь различный тип проводимости. Есть транзисторы NPN типа и PNP типа.

Отличие n-p-n транзистора от p-n-p транзистора состоит лишь в том что является «переносчиком» электрического заряда (электроны или «дырки»). Т.е. для p-n-p транзистора электроны перемещаются от эмиттера к коллектору и управляются базой. Для n-p-n транзистора электроны идут уже от коллектора к эмиттеру и управляются базой. В итоге приходим к тому, что для того чтобы в схеме заменить транзистор одного типа проводимости на другой достаточно изменить полярность приложенного напряжения. Или тупо поменять полярность источника питания.

У биполярных транзисторов есть три вывода: коллектор, эмиттер и база. Думаю, что по УГО будет сложно запутаться, а вот в реальном транзисторе запутаться проще простого.

Обычно где какой вывод определяют по справочнику, но можно просто . Выводы транзистора звонятся как два диода, соединенные в общей точке (в области базы транзистора).

Слева изображена картинка для транзистора p-n-p типа, при прозвонке создается ощущение (посредством показаний мультиметра), что перед вами два диода которые соединены в одной точке своими катодами. Для транзистора n-p-n типа диоды в точке базы соединены своими анодами. Думаю после экспериментов с мультиметром будет более понятно.

Принцип работы биполярного транзистора

А сейчас мы попробуем разобраться как работает транзистор. Я не буду вдаваться в подробности внутреннего устройства транзисторов так как эта информация только запутывает. Лучше взгляните на этот рисунок.

Это изображение лучше всего объясняет принцип работы транзистора. На этом изображении человек посредством реостата управляет током коллектора. Он смотрит на ток базы, если ток базы растет то человек так же увеличивает ток коллектора с учетом коэффициента усиления транзистора h31Э. Если ток базы падает, то ток коллектора также будет снижаться — человек подкорректирует его посредством реостата.

Эта аналогия не имеет ничего общего с реальной работой транзистора, но она облегчает понимание принципов его работы.

Для транзисторов можно отметить правила, которые призваны помочь облегчить понимание. (Эти правила взяты из книги ).

  1. Коллектор имеет более положительный потенциал, чем эмиттер
  2. Как я уже говорил цепи база — коллектор и база -эмиттер работают как диоды
  3. Каждый транзистор характеризуется предельными значениями, такими как ток коллектора, ток базы и напряжение коллектор-эмиттер.
  4. В том случае если правила 1-3 соблюдены то ток коллектора Iк прямо пропорционален току базы Iб. Такое соотношение можно записать в виде формулы.

Из этой формулы можно выразить основное свойство транзистора — небольшой ток базы управляет большим током коллектора.

Коэффициент усиления по току.

Его также обозначают как

Исходы из выше сказанного транзистор может работать в четырех режимах:

  1. Режим отсечки транзистора — в этом режиме переход база-эмиттер закрыт, такое может произойти когда напряжение база-эмиттер недостаточное. В результате ток базы отсутствует и следовательно ток коллектора тоже будет отсутствовать.
  2. Активный режим транзистора — это нормальный режим работы транзистора. В этом режиме напряжение база-эмиттер достаточное для того, чтобы переход база-эмиттер открылся. Ток базы достаточен и ток коллектора тоже имеется. Ток коллектора равняется току базы умноженному на коэффициент усиления.
  3. Режим насыщения транзистора — в этот режим транзистор переходит тогда, когда ток базы становится настолько большим, что мощности источника питания просто не хватает для дальнейшего увеличения тока коллектора. В этом режиме ток коллектора не может увеличиваться вслед за увеличением тока базы.
  4. Инверсный режим транзистора — этот режим используется крайне редко. В этом режиме коллектор и эмиттер транзистора меняют местами. В результате таких манипуляций коэффициент усиления транзистора очень сильно страдает. Транзистор изначально проектировался не для того, чтобы он работал в таком особенном режиме.

Для понимания того как работает транзистор нужно рассматривать конкретные схемные примеры, поэтому давайте рассмотрим некоторые из них.

Транзистор в ключевом режиме

Транзистор в ключевом режиме это один из случаев транзисторных схем с общим эмиттером. Схема транзистора в ключевом режиме применяется очень часто. К этой транзисторной схеме прибегают к примеру когда нужно управлять мощной нагрузкой посредством микроконтроллера. Ножка контроллера не способна тянуть мощную нагрузку, а транзистор может. Получается контроллер управляет транзистором, а транзистор мощной нагрузкой. Ну а обо всем по порядку.

Основная суть этого режима заключается в том, что ток базы управляет током коллектора. Причем ток коллектора гораздо больше тока базы. Здесь невооруженным взглядом видно, что происходит усиление сигнала по току. Это усиление осуществляется за счет энергии источника питания.

На рисунке изображена схема работы транзистора в ключевом режиме.

Для транзисторных схем напряжения не играют большой роли, важны лишь токи. Поэтому, если отношение тока коллектора к току базы меньше коэффициента усиления транзистора то все окей.

В этом случае даже если к базе у нас приложено напряжение в 5 вольт а в цепи коллектора 500 вольт, то ничего страшного не произойдет, транзистор будет покорно переключать высоковольтную нагрузку.

Главное чтобы эти напряжения не превышали предельные значения для конкретного транзистора (задается в характеристиках транзистора).

На сколько мы знаем, что значение тока это характеристика нагрузки.

Мы не знаем сопротивления лампочки, но мы знаем рабочий ток лампочки 100 мА. Чтобы транзистор открылся и обеспечил протекание такого тока, нужно подобрать соответствующий ток базы. Ток базы мы можем корректировать меняя номинал базового резистора.

Так как минимальное значение коэффициента усиления транзистора равно 10, то для открытия транзистора ток базы должен стать 10 мА.

Ток который нам нужен известен. Напряжение на базовом резисторе будет Такое значение напряжения на резисторе получилось из-зи того, что на переходе база-эмиттер высаживается 0,6В-0,7В и это надо не забывать учитывать.

В результате мы вполне можем найти сопротивление резистора

Осталось выбрать из ряда резисторов конкретное значение и дело в шляпе.

Теперь вы наверное думаете, что транзисторный ключ будет работать так как нужно? Что когда базовый резистор подключается к +5 В лампочка загорается, когда отключается -лампочка гаснет? Ответ может быть да а может и нет.

Все дело в том, что здесь есть небольшой нюанс.

Лампочка в том случае погаснет, когда потенциал резистора будет равен потенциалу земли. Если же резистор просто отключен от источника напряжения, то здесь не все так однозначно. Напряжение на базовом резисторе может возникнуть чудесным образом в результате наводок или еще какой потусторонней нечисти 🙂

Чтобы такого эффекта не происходило делают следующее. Между базой и эмиттером подключают еще один резистор Rбэ. Этот резистор выбирают номиналом как минимум в 10 раз больше базового резистора Rб (В нашем случае мы взяли резистор 4,3кОм).

Когда база подключена к какому-либо напряжению, то транзистор работает как надо, резистор Rбэ ему не мешает. На этот резистор расходуется лишь малая часть базового тока.

В случае, когда напряжение к базе не приложено, происходит подтяжка базы к потенциалу земли, что избавляет нас от всяческих наводок.

Вот в принципе мы разобрались с работой транзистора в ключевом режиме, причем как вы могли убедиться ключевой режим работы это своего рода усиление сигнала по напряжению. Ведь мы с помощью малого напряжения в 5В управляли напряжением в 12 В.

Эмиттерный повторитель

Эмиттерный повторитель является частным случаем транзисторных схем с общим коллектором.

Отличительной чертой схемы с общим коллектором от схемы с общим эмиттером (вариант с транзисторным ключем) является то, что эта схема не усиливает сигнал по напряжению. Что вошло через базу, то и вышло через эмиттер, с тем же самым напряжением.

Действительно допустим приложили к базе мы 10 вольт, при этом мы знаем что на переходе база-эмиттер высаживается где-то 0,6-0,7В. Выходит что на выходе (на эмиттере, на нагрузке Rн) будет напряжение базы минус 0,6В.

Получилось 9,4В, одним словом почти сколько вошло столько и вышло. Убедились, что по напряжению эта схема нам сигнал не увеличит.

«В чем же смысл тогда таком включении транзистора?»- спросите вы. А вот оказывается эта схема обладает другим очень важным свойством. Схема включения транзистора с общим коллектором усиливает сигнал по мощности. Мощность это произведение тока на напряжение, но так как напряжение не меняется то мощность увеличивается только за счет тока ! Ток в нагрузке складывается из тока базы плюс ток коллектора. Но если сравнивать ток базы и ток коллектора то ток базы очень мал по сравнению с током коллектора. Получается ток нагрузки равен току коллектора. И в результате получилась вот такая формула.

Теперь я думаю понятно в чем суть схемы эмиттерного повторителя, только это еще не все.

Эмиттерный повторитель обладает еще одним очень ценным качеством — высоким входным сопротивлением. Это означает, что эта транзисторная схема почти не потребляет ток входного сигнала и не создает нагрузки для схемы -источника сигнала.

Для понимания принципа работы транзистора этих двух транзисторных схем будет вполне достаточно. А если вы еще поэкспериментируете с паяльником в руках то прозрение просто не заставит себя ждать, ведь теория теорией а практика и личный опыт ценнее в сотни раз!

Где транзисторы купить?

Как и все другие радиокомпоненты транзисторы можно купить в любом ближайшем магазине радиодеталей. Если вы живете где-нибудь на окраине и о подобных магазинах не слышали (как я раньше) то остается последний вариант — заказать транзисторы в интернет- магазине . Я сам частенько заказываю радиодетали через интернет-магазины ведь в обычном оффлайн магазине может чего-нибудь просто не оказаться.

Впрочем если вы собираете устройство чисто для себя то можно не париться а добыть из старой, и так сказать вдохнуть в старый радиокомпонет новую жизнь.

Чтож друзья, а на этом у меня все. Все, что планировал я сегодня вам рассказал. Если остались какие-либо вопросы, то задавайте их в комментариях, если вопросов нет то все равно пишите комментарии, мне всегда важно ваше мнение. Кстати не забывайте, что каждый кто впервые оставит комментарий получит подарок.

Также обязательно подпишитесь на новые статьи, потому что дальше вас ждет много интересного и полезного.

Желаю вам удачи, успехов и солнечного настроения!

С н/п Владимир Васильев

P.S. Друзья, обязательно подписывайтесь на обновления! Подписавшись вы будете получать новые материалы себе прямо на почту! И кстати каждый подписавшийся получит полезный подарок!

Обозначение радиоэлементов. Фото и названия

Обозначение Название Фото Описание
Заземление Защитное заземление — обеспечивает защиту людей от поражений электрическим током в электроустановках.
Батарейка — гальванический элемент в котором происходит преобразование химической энергии в электрическую энергию.
Солнечная батарея служит для преобразования солнечной энергии в электрическую энергию.
Вольтметр — измерительный прибор для определения напряжения или ЭДС в электрических цепях.
Амперметр — прибор для измерения силы тока, шкалу градуируют в микроамперах или в амперах.
Выключатель — коммутационный аппарат, предназначенный для включения и отключения отдельных цепей или электрооборудования.
Тактовая кнопка — коммутационный механизм, замыкающий электрическую цепь пока есть давление на толкатель.
Лампы накаливания общего назначения, предназначены для внутреннего и наружного освещения.
Мотор (двигатель) — устройство, преобразующее электроэнергию в механическую работу (вращение).
Пьезодинамики (пьезоизлучатели) используют в технике для оповещения какого-либо происшествия или события.
Резистор — пассивный элемент электрических цепей, обладающий определенным значением электрического сопротивления.
Переменный резистор предназначен для плавного изменения тока, посредством изменения собственного сопротивления.
Фоторезистор Фоторезистор – это резистор, электрическое сопротивление которого изменяется под влиянием световых лучей (освещения).
Термистор Терморезисторы или термисторы — полупроводниковые резисторы с отрицательным температурным коэффициентом сопротивления.
Предохранитель — электрический аппарат, предназначенный для отключения защищаемой цепи посредством разрушения.
Конденсатор служит для накопления заряда и энергии электрического поля. Конденсатор быстро заряжается и разряжается.
Диод обладает различной проводимостью. Назначение диода — проводить электрический ток в одном направлении.
Светодиод (LED) — полупроводниковый прибор, создающий оптическое излучение при пропускании электричества.
Фотодиод — приемник оптического излучения, преобразующий свет в электрический заряд за счет процесса в p-n-переходе.
Тиристор — это полупроводниковый ключ, т.е. прибор, назначение которого состоит в замыкании и размыкании цепи.
Назначение стабилитрона — стабилизация напряжения на нагрузке, при изменяющемся напряжении во внешней цепи.
Транзистор — полупроводниковый прибор, предназначенный для усиления электрического тока и управления им.
Фототранзистором называют полупроводниковый транзистор, чувствительный к облучающему его световому потоку (освещению).

xn--18-6kcdusowgbt1a4b.xn--p1ai

Начинающим о радиодеталях | Мастер Винтик. Всё своими руками!

Для того, чтобы собрать схему какие только радиодетали и не понадобятся: резисторы (сопротивления), транзисторы, диоды, конденсаторы и т.п. Из многообразия радиодеталей надо уметь быстро отличить по внешнему виду нужную, расшифровать надпись на её корпусе, определить цоколёвку. Обо всём об этом и пойдёт речь ниже.

Эта деталь практически встречается в каждой схеме радиолюбительских конструкций. Как правило, самый простой конденсатор — это две металлические пластинки (обкладки) и воздух между ними в качестве диэлектрика. Вместо воздуха может быть фарфор, слюда или другой материал, не проводящий ток. Через конденсатор постоянный ток не проходит, а вот переменный ток через конденсатор проходит. Благодаря такому свойству конденсатор ставят там, где нужно отделить постоянный ток от переменного.

У конденсатора основной параметр — это ёмкость.

Единица ёмкости — микрофарада (мкФ) взята за основу в радиолюбительских конструкциях и в промышленной аппаратуре. Но чаще употребляется другая единица — пикофарада (пФ), миллионная доля микрофарады (1 мкф = 1 000 нф = 1 000 000 пф). На схемах вы встретите и ту, и другую единицу. Причем емкость до 9100 пФ включительно указывают на схемах в пикофарадах или нанофарадах (9н1) , а свыше — в микрофарадах. Если, например, рядом с условным обозначением конденсатора написано «27», «510» или «6800», значит, емкость конденсатора соответственно 27, 510, 6800 пФ или n510 (0,51 нф = 510 пф или 6н8 = 6,8 нф = 6800пф). А вот цифры 0,015, 0,25 или 1,0 свидетельствуют о том, что емкость конденсатора составляет соответствующее число микрофарад (0,015 мкф = 15 нф = 15 000 пф).

Типы конденсаторов.

Конденсаторы бывают постоянной и переменной емкости.

У переменных конденсаторов ёмкость изменяется при вращении выступающей наружу оси. При этом одна накладка (подвижная) находит на не подвижную не соприкасаясь с ней, в результате увеличивается ёмкость. Кроме этих двух типов, в наших конструкциях используется еще одна разновидность конденсаторов — подстроечный. Обычно его устанавливают в то или иное устройство для того, чтобы при налаживании точнее подобрать нужную емкость и больше конденсатор не трогать. В любительских конструкциях подстроечный конденсатор нередко используют как переменный — он более дешевле и доступнее.

Конденсаторы отличаются материалом между пластинами и конструкцией. Бывают конденсаторы воздушные, слюдяные, керамические и др. Эта разновидность постоянных конденсаторов — не полярные. Другая разновидность конденсаторов — электролитические (полярные). Такие конденсаторы выпускают большой ёмкости — от десятой доли мкф до несколько десятков мкФ. На схемах для них указывают не только ёмкость, но и максимальное напряжение, на которое их можно использовать. Например, надпись 10,0 x 25 В означает, что конденсатор емкостью 10 мкФ нужно взять на напряжение 25 В.

Для переменных или подстроечных конденсаторов на схеме указывают крайние значения ёмкости, которые получаются, если ось конденсатора повернуть от одного крайнего положения до другого или вращать вкруговую (как у подстроечных конденсаторов). Например, надпись 10 — 240 свидетель­ствует о том, что в одном крайнем положении оси емкость конденсатора составляет 10 пФ, а в другом — 240 пФ. При плавном повороте из одного положения в другое ёмкость конденсатора будет также плавно изменяться от 10 до 240 пФ или обратно — от 240 до 10 пФ.

Надо сказать, что эту деталь, как и конденсатор, можно увидеть во многих самоделках. Представляет собой фарфоровую трубочку (или стержень), на которую снаружи напылена тончайшая пленка металла или сажи (углерода). На малоомных резисторах большой мощности сверху наматывается нихромовая нить. Резистор обладает сопротивлением и используется для того, чтобы установить нужный ток в электрической цепи. Вспомните пример с резервуаром: изменяя диаметр трубы (сопротивление нагрузки), можно получить ту или иную скорость потока воды (электрический ток различной силы). Чем тоньше пленка на фарфоровой трубочке или стержне, тем больше сопротивление току.

Резисторы бывают постоянные и переменные.

Из постоянных чаще всего используют резисторы типа МЛТ (металлизированное лакированное теплостойкое), ВС (влагостойкое сопротивление), УЛМ (углеродистое лакированное малогабаритное), из переменных — СП (сопротивление переменное) и СПО (сопротивление переменное объемное). Внешний вид постоянных резисторов показан на рис. ниже.

Резисторы различают по сопротивлению и мощности. Сопротивление, как Вы уже знаете, измеряют в омах (Ом), килоомах (кОм) и мегаомах (МОм). Мощность же выражают в ваттах и обозначают эту единицу буквами Вт. Резисторы разной мощности отличаются размерами. Чем больше мощность резистора, тем больше его размеры.

Сопротивление резистора проставляют на схемах рядом с его условным обозначением. Если сопротивление менее 1 кОм, цифрами указывают число ом без единицы измерения. При сопротивлении 1 кОм и более — до 1 МОм указывают число килоом и ставят рядом букву «к». Сопротивление 1 МОм и выше выражают числом мегаом с добавлением буквы «М». Например, если на схеме рядом с обозначением резистора написано 510, значит, сопротивление резистора 510 Ом. Обозначениям 3,6 к и 820 к соответствует сопротивление 3,6 кОм и 820 кОм соответственно. Надпись на схеме 1 М или 4,7 М означает, что используются сопротивления 1 МОм и 4,7 МОм.

В отличие от постоянных резисторов, имеющих два вывода, у переменных резисторов таких выводов три. На схеме указывают сопротивление между крайними выводами переменного резистора. Сопротивление же между средним выводом и крайними изменяется при вращении выступающей наружу оси резистора. Причем, когда ось поворачивают в одну сторону, сопротивление между средним выводом и одним из крайних возрастает, соответственно уменьшаясь между средним выводом и другим крайним. Когда же ось поворачивают обратно, происходит обратное явление. Это свойство переменного резистора используется, например, для регулирования громкости звука в усилителях, приемниках, телевизорах и т.п.

Полупроводниковые приборы.

Их составляет целая группа деталей: диоды, стабилитроны, транзисторы. В каждой детали использован полупроводниковый материал, или проще полупроводник. Что это такое? Все существующие вещества можно условно разделить на три большие группы. Одни из них — медь, железо, алюминий и другие металлы — хорошо проводят электрический ток — это проводники. Древесина, фарфор, пластмасса совсем не проводят ток. Они непроводники, изоляторы (диэлектрики). Полупроводники же занимают промежуточное положение между проводниками и диэлектриками. Такие материалы проводят ток только при определенных условиях.

У диода (см. рис. ниже) два вывода: анод и катод. Если подключить к ним батарею полюсами: плюс — к аноду, минус — к катоду, в направлении от анода к катоду потечет ток. Сопротивление диода в этом направлении небольшое. Если же попытаться переменить полюсы батарей, то есть включить диод «наоборот», то ток через диод не пойдет. В этом направлении диод обладает большим сопротивлением. Если пропустить через диод переменный ток, то на выходе мы получим только одну полуволну — это будет хоть и пульсирующий, но постоянный ток. Если переменный ток подать на четыре диода, включенные мостом, то мы получим уже две положительные полуволны.

Эти полупроводниковые приборы также имеют два вывода: анод и катод. В прямом направлении (от анода к катоду) стабилитрон работает как диод, беспрепятственно пропуская ток. А вот в обратном направлении он вначале не пропускает ток (как и диод), а при увеличении подаваемого на него напряжения вдруг «пробивается» и начинает пропускать ток. Напряжение «пробоя» называют напряжением стабилизации. Оно будет оставаться неизменным даже при значительном увеличении входного напряжения. Благодаря этому свойству стабилитрон находит применение во всех случаях, когда нужно получить стабильное напряжение питания какого-то устройства при колебаниях, например сетевого напряжения.

Из полупроводниковых приборов транзистор (см. рис. ниже) наиболее часто применяется в радиоэлектронике. У него три вывода: база (б), эмиттер (э) и коллектор (к). Транзистор — усилительный прибор. Его условно можно сравнить с таким известным вам устройством, как рупор. Достаточно произнести что-нибудь перед узким отверстием рупора, направив широкое в сторону друга, стоящего в нескольких десятках метров, и голос, усиленный рупором, будет хорошо слышен вдалеке. Если принять узкое отверстие за вход рупора-усилителя, а широкое — за выход, то можно сказать, что выходной сигнал в несколько раз больше входного. Это и есть показатель усилительных способностей рупора, его коэффициент усиления.

Сейчас разнообразие выпускаемых радиодеталей очень богатое, поэтому на рисунках показаны не все их типы.

Но вернемся к транзистору. Если пропустить через участок база — эмиттер слабый ток, он будет усилен транзистором в десятки и даже сотни раз. Усиленный ток потечет через участок коллектор — эмиттер. Если транзистор прозвонить мультиметром база-эмиттер и база-коллектор, то он похож на измерение двух диодов. В зависимости от наибольшего тока, который можно пропускать через коллектор, транзис­торы делятся на маломощные, средней и большой мощности. Кроме того, эти полупроводниковые приборы могут быть структуры р-п-р или n-р-п. Так различаются транзисторы с разным чередованием слоев полупроводниковых материалов (если в диоде два слоя материала, здесь их три). Усиление транзистор не зависит от его структуры.

Литература: Б. С. Иванов, «ЭЛЕКТРОННЫЕ САМОДЕЛКИ»


П О П У Л Я Р Н О Е:

>>
ПОДЕЛИТЕСЬ С ДРУЗЬЯМИ:

Популярность: 29 094 просм.

www.mastervintik.ru

РАДИОЭЛЕМЕНТЫ

В данном справочном материале приводится внешний вид, наименование и маркировка основных зарубежных радиодеталей — микросхем различных типов, разъёмов, кварцевых резонаторов, катушек индуктивности и так далее. Информация действительно полезная, так как многие хорошо знакомы с отечественными деталями, но с импортными не очень, а ведь именно они ставятся во все современные схемы. Минимальное знание английсого приветствуется, так как все надписи не по русски. Для удобства детали объединены по группам. На первую букву в описании не обращайте внимания, пример: f_Fuse_5_20Glass — означает предохранитель 5х20 миллиметров стеклянный.

Что касается обозначения всех указанных радиоэлементов на электрических принципиальных схемах — смотрите справочную информацию по этому вопросу в другой статье.

Форум по деталям

Обсудить статью РАДИОЭЛЕМЕНТЫ

radioskot.ru

Графические и буквенные обозначения радиодеталей на схемах

AM амплитудная модуляция
АПЧ автоматическая подстройка частоты
АПЧГ автоматическая подстройка частоты гетеродина
АПЧФ автоматическая подстройка частоты и фазы
АРУ автоматическая регулировка усиления
АРЯ автоматическая регулировка яркости
АС акустическая система
АФУ антенно-фидерное устройство
АЦП аналого-цифровой преобразователь
АЧХ амплитудно-частотная характеристика
БГИМС большая гибридная интегральная микросхема
БДУ беспроводное дистанционное управление
БИС большая интегральная схема
БОС блок обработки сигналов
БП блок питания
БР блок развертки
БРК блок радиоканала
БС блок сведения
БТК блокинг-трансформатор кадровый
БТС блокинг-трансформатор строчный
БУ блок управления
БЦ блок цветности
БЦИ блок цветности интегральный (с применением микросхем)
ВД видеодетектор
ВИМ время-импульсная модуляция
ВУ видеоусилитель; входное (выходное) устройство
ВЧ высокая частота
Г гетеродин
ГВ головка воспроизводящая
ГВЧ генератор высокой частоты
ГВЧ гипервысокая частота
ГЗ генератор запуска; головка записывающая
ГИР гетеродинный индикатор резонанса
ГИС гибридная интегральная схема
ГКР генератор кадровой развертки
ГКЧ генератор качающейся частоты
ГМВ генератор метровых волн
ГПД генератор плавного диапазона
ГО генератор огибающей
ГС генератор сигналов
ГСР генератор строчной развертки
гсс генератор стандартных сигналов
гг генератор тактовой частоты
ГУ головка универсальная
ГУН генератор, управляемый напряжением
Д детектор
дв длинные волны
дд дробный детектор
дн делитель напряжения
дм делитель мощности
дмв дециметровые волны
ДУ дистанционное управление
ДШПФ динамический шумопонижающий фильтр
ЕАСС единая автоматизированная сеть связи
ЕСКД единая система конструкторской документации
зг генератор звуковой частоты; задающий генератор
зс замедляющая система; звуковой сигнал; звукосниматель
ЗЧ звуковая частота
И интегратор
икм импульсно-кодовая модуляция
ИКУ измеритель квазипикового уровня
имс интегральная микросхема
ини измеритель линейных искажений
инч инфранизкая частота
ион источник образцового напряжения
ип источник питания
ичх измеритель частотных характеристик
к коммутатор
КБВ коэффициент бегущей волны
КВ короткие волны
квч крайне высокая частота
кзв канал записи-воспроизведения
КИМ кодо-импульсная модуляции
кк катушки кадровые отклоняющей системы
км кодирующая матрица
кнч крайне низкая частота
кпд коэффициент полезного действия
КС катушки строчные отклоняющей системы
ксв коэффициент стоячей волны
ксвн коэффициент стоячей волны напряжения
КТ контрольная точка
КФ катушка фокусирующая
ЛБВ лампа бегущей волны
лз линия задержки
лов лампа обратной волны
лпд лавинно-пролетный диод
лппт лампово-полупроводниковый телевизор
м модулятор
MA магнитная антенна
MB метровые волны
мдп структура металл-диэлектрик-полупроводник
МОП структура металл-окисел-полупроводник
мс микросхема
МУ микрофонный усилитель
ни нелинейные искажения
нч низкая частота
ОБ общая база (включение транзистора по схеме с общей базой)
овч очень высокая частота
ои общий исток (включение транзистора *по схеме с общим истоком)
ок общий коллектор (включение транзистора по схеме с обшим коллектором)
онч очень низкая частота
оос отрицательная обратная связь
ОС отклоняющая система
ОУ операционный усилитель
ОЭ обший эмиттер (включение транзистора по схеме с общим эмиттером)
ПАВ поверхностные акустические волны
пдс приставка двухречевого сопровождения
ПДУ пульт дистанционного управления
пкн преобразователь код-напряжение
пнк преобразователь напряжение-код
пнч преобразователь напряжение частота
пос положительная обратная связь
ППУ помехоподавляющее устройство
пч промежуточная частота; преобразователь частоты
птк переключатель телевизионных каналов
птс полный телевизионный сигнал
ПТУ промышленная телевизионная установка
ПУ предварительный усили^егіь
ПУВ предварительный усилитель воспроизведения
ПУЗ предварительный усилитель записи
ПФ полосовой фильтр; пьезофильтр
пх передаточная характеристика
пцтс полный цветовой телевизионный сигнал
РЛС регулятор линейности строк; радиолокационная станция
РП регистр памяти
РПЧГ ручная подстройка частоты гетеродина
РРС регулятор размера строк
PC регистр сдвиговый; регулятор сведения
РФ режекторный или заграждающий фильтр
РЭА радиоэлектронная аппаратура
СБДУ система беспроводного дистанционного управления
СБИС сверхбольшая интегральная схема
СВ средние волны
свп сенсорный выбор программ
СВЧ сверхвысокая частота
сг сигнал-генератор
сдв сверхдлинные волны
СДУ светодинамическая установка; система дистанционного управления
СК селектор каналов
СКВ селектор каналов всеволновый
ск-д селектор каналов дециметровых волн
СК-М селектор каналов метровых волн
СМ смеситель
енч сверхнизкая частота
СП сигнал сетчатого поля
сс синхросигнал
сси строчный синхронизирующий импульс
СУ селектор-усилитель
сч средняя частота
ТВ тропосферные радиоволны; телевидение
твс трансформатор выходной строчный
твз трансформатор выходной канала звука
твк трансформатор выходной кадровый
ТИТ телевизионная испытательная таблица
ТКЕ температурный коэффициент емкости
тки температурный коэффициент индуктивности
ткмп температурный коэффициент начальной магнитной проницаемости
ткнс температурный коэффициент напряжения стабилизации
ткс температурный коэффициент сопротивления
тс трансформатор сетевой
тц телевизионный центр
тцп таблица цветных полос
ТУ технические условия
У усилитель
УВ усилитель воспроизведения
УВС усилитель видеосигнала
УВХ устройство выборки-хранения
УВЧ усилитель сигналов высокой частоты
УВЧ ультравысокая частота
УЗ усилитель записи
УЗЧ усилитель сигналов звуковой частоты
УКВ ультракороткие волны
УЛПТ унифицированный ламповополупроводниковый телевизор
УЛЛЦТ унифицированный лампово полупроводниковый цветной телевизор
УЛТ унифицированный ламповый телевизор
УМЗЧ усилитель мощности сигналов звуковой частоты
УНТ унифицированный телевизор
УНЧ усилитель сигналов низкой частоты
УНУ управляемый напряжением усилитель.
УПТ усилитель постоянного тока; унифицированный полупроводниковый телевизор
УПЧ усилитель сигналов промежуточной частоты
УПЧЗ усилитель сигналов промежуточной частоты звук?
УПЧИ усилитель сигналов промежуточной частоты изображения
УРЧ усилитель сигналов радиочастоты
УС устройство сопряжения; устройство сравнения
УСВЧ усилитель сигналов сверхвысокой частоты
УСС усилитель строчных синхроимпульсов
УСУ универсальное сенсорное устройство
УУ устройство (узел) управления
УЭ ускоряющий (управляющий) электрод
УЭИТ универсальная электронная испытательная таблица
ФАПЧ фазовая автоматическая подстройка частоты
ФВЧ фильтр верхних частот
ФД фазовый детектор; фотодиод
ФИМ фазо-импульсная модуляция
ФМ фазовая модуляция
ФНЧ фильтр низких частот
ФПЧ фильтр промежуточной частоты
ФПЧЗ фильтр промежуточной частоты звука
ФПЧИ фильтр промежуточной частоты изображения
ФСИ фильтр сосредоточенной избирательности
ФСС фильтр сосредоточенной селекции
ФТ фототранзистор
ФЧХ фазо-частотная характеристика
ЦАП цифро-аналоговый преобразователь
ЦВМ цифровая вычислительная машина
ЦМУ цветомузыкальная установка
ЦТ центральное телевидение
ЧД частотный детектор
ЧИМ частотно-импульсная модуляция
чм частотная модуляция
шим широтно-импульсная модуляция
шс шумовой сигнал
эв электрон-вольт (е В)
ЭВМ. электронная вычислительная машина
эдс электродвижущая сила
эк электронный коммутатор
ЭЛТ электронно-лучевая трубка
ЭМИ электронный музыкальный инструмент
эмос электромеханическая обратная связь
ЭМФ электромеханический фильтр
ЭПУ электропроигрывающее устройство
ЭЦВМ электронная цифровая вычислительная машина

www.radioelementy.ru

Радиодетали — это… Что такое Радиодетали?

Радиодетали Обозначение радиодеталей на схемах

Радиодетали — просторечное название электронных компонентов, применяемых для изготовления устройств (приборов) цифровой и аналоговой электроники.

На появление названия повлиял тот исторический факт, что в начале XX века первым повсеместно распространнёным, и при этом технически сложным для неспециалиста электронным устройством, стало радио. Изначально термин радиодетали означал электронные компоненты, применяемые для производства радиоприёмников; затем обиходное, с некоторой долей иронии, название распространилось и на остальные радиоэлектронные компоненты и устройства, уже не имеющие прямой связи с радио.

Классификация

Электронные компоненты делятся, по способу действия в электрической цепи, на активные и пассивные.

Пассивные

Базовыми элементами, имеющиеся практически во всех электронных схемах радиоэлектронной аппаратуры (РЭА), являются:

С использованием электромагнитной индукции

На базе электромагнитов:

Кроме того, для создания цепи используются всевозможные соединители и разъединители цепи — ключи; для защиты от перенапряжения и короткого замыкания — предохранители; для восприятия человеком сигнала — лампочки и динамики (динамическая головка громкоговорителя), для формирования сигнала — микрофон и видеокамера; для приёма аналогового сигнала, передающегося по эфиру, приёмнику нужна Антенна, а для работы вне сети электрического тока — аккумуляторы.

Активные
Вакуумные приборы

С развитием электроники появились вакуумные электронные приборы:

Полупроводниковые приборы

В дальнейшем получили распространение полупроводниковые приборы:

и более сложные комплексы на их основе — интегральные микросхемы

По способу монтажа

Технологически, по способу монтажа, радиодетали можно разделить на:

См. также

Ссылки

dic.academic.ru

обозначения на схеме. Как читать обозначения радиодеталей на схеме?

Технологии 4 июня 2016

В статье вы узнаете о том, какие существуют радиодетали. Обозначения на схеме согласно ГОСТу будут рассмотрены. Начать нужно с самых распространенных — резисторов и конденсаторов.

Чтобы собрать какую-либо конструкцию, необходимо знать, как выглядят в реальности радиодетали, а также как они обозначаются на электрических схемах. Существует очень много радиодеталей – транзисторы, конденсаторы, резисторы, диоды и пр.

Конденсаторы ­– это детали, которые встречаются в любой конструкции без исключения. Обычно самые простые конденсаторы представляют собой две пластины из металла. И в качестве диэлектрического компонента выступает воздух. Сразу вспоминаются уроки физики в школе, когда проходили тему о конденсаторах. В качестве модели выступали две огромные плоские железки круглой формы. Их приближали друг к другу, затем отдаляли. И в каждом положении проводили замеры. Стоит отметить, что вместо воздуха может использоваться слюда, а также любой материал, который не проводит электрический ток. Обозначения радиодеталей на импортных принципиальных схемах отличается от ГОСТов, принятых в нашей стране.

Обратите внимание на то, что через обычные конденсаторы не проходит постоянный ток. С другой же стороны, переменный ток через него проходит без особых трудностей. Учитывая это свойство, устанавливают конденсатор только там, где необходимо отделить переменную составляющую в постоянном токе. Следовательно, можно сделать схему замещения (по теореме Кирхгофа):

  1. При работе на переменном токе конденсатор замещается отрезком проводника с нулевым сопротивлением.
  2. При работе в цепи постоянного тока конденсатор замещается (нет, не емкостью!) сопротивлением.

Основной характеристикой конденсатора является электрическая емкость. Единица емкости – это Фарад. Она очень большая. На практике, как правило, используются конденсаторы, емкость которых измеряется в микрофарадах, нанофарадах, микрофарадах. На схемах конденсатор обозначается в виде двух параллельных черточек, от которых идут отводы.

Переменные конденсаторы

Существует и такой вид приборов, у которых емкость изменяется (в данном случае за счет того, что имеются подвижные пластины). Емкость зависит от размеров пластины (в формуле S – это ее площадь), а также от расстояния между электродами. В переменном конденсаторе с воздушным диэлектриком например, благодаря наличию подвижной части удается быстро менять площадь. Следовательно, будет меняться и емкость. А вот обозначение радиодеталей на зарубежных схемах несколько отличается. Резистор, например, на них изображается в виде ломаной кривой.

Видео по теме

Постоянные конденсаторы

Эти элементы имеют отличия в конструкции, а также в материалах, из которых они изготовлены. Можно выделить самые популярные типы диэлектриков:

  1. Воздух.
  2. Слюда.
  3. Керамика.

Но это касается исключительно неполярных элементов. Существуют еще электролитические конденсаторы (полярные). Именно у таких элементов очень большие емкости – начиная от десятых долей микрофарад и заканчивая несколькими тысячами. Кроме емкости у таких элементов существует еще один параметр – максимальное значение напряжения, при котором допускается его использование. Данные параметры прописываются на схемах и на корпусах конденсаторов.

Обозначения конденсаторов на схемах

Стоит заметить, что в случае использования подстроечных или переменных конденсаторов указывается два значения – минимальная и максимальная емкость. По факту на корпусе всегда можно найти некоторый диапазон, в котором изменится емкость, если провернуть ось прибора от одного крайнего положения в другое.

Допустим, имеется переменный конденсатор с емкостью 9-240 (измерение по умолчанию в пикофарадах). Это значит, что при минимальном перекрытии пластин емкость составит 9 пФ. А при максимальном – 240 пФ. Стоит рассмотреть более детально обозначение радиодеталей на схеме и их название, чтобы уметь правильно читать технические документации.

Соединение конденсаторов

Сразу можно выделить три типа (всего существует именно столько) соединений элементов:

  1. Последовательное – суммарная емкость всей цепочки вычислить достаточно просто. Она будет в этом случае равна произведению всех емкостей элементов, разделенному на их сумму.
  2. Параллельное – в этом случае вычислить суммарную емкость еще проще. Необходимо сложить емкости всех входящих в цепочку конденсаторов.
  3. Смешанное – в данном случае схема разбивается на несколько частей. Можно сказать, что упрощается – одна часть содержит только параллельно соединенные элементы, вторая – только последовательно.

И это только общие сведения о конденсаторах, на самом деле очень много о них можно рассказывать, приводить в пример занимательные эксперименты.

Резисторы: общие сведения

Эти элементы также можно встретить в любой конструкции – хоть в радиоприемнике, хоть в схеме управления на микроконтроллере. Это фарфоровая трубка, на которой с внешней стороны проведено напыление тонкой пленки металла (углерода – в частности, сажи). Впрочем, можно нанести даже графит – эффект будет аналогичный. Если резисторы имеют очень низкое сопротивление и высокую мощность, то используется в качестве проводящего слоя нихромовая проволока.

Основная характеристика резистора – это сопротивление. Используется в электрических схемах для установки необходимого значения тока в определенных цепях. На уроках физики проводили сравнение с бочкой, наполненной водой: если изменять диаметр трубы, то можно регулировать скорость струи. Стоит отметить, что от толщины токопроводящего слоя зависит сопротивление. Чем тоньше этот слой, тем выше сопротивление. При этом условные обозначения радиодеталей на схемах не зависят от размеров элемента.

Постоянные резисторы

Что касается таких элементов, то можно выделить наиболее распространенные типы:

  1. Металлизированные лакированные теплостойкие – сокращенно МЛТ.
  2. Влагостойкие сопротивления – ВС.
  3. Углеродистые лакированные малогабаритные – УЛМ.

У резисторов два основных параметра – мощность и сопротивление. Последний параметр измеряется в Омах. Но эта единица измерения крайне мала, поэтому на практике чаще встретите элементы, у которых сопротивление измеряется в мегаомах и килоомах. Мощность измеряется исключительно в Ваттах. Причем габариты элемента зависят от мощности. Чем она больше, тем крупнее элемент. А теперь о том, какое существует обозначение радиодеталей. На схемах импортных и отечественных устройств все элементы могут обозначаться по-разному.

На отечественных схемах резистор – это небольшой прямоугольник с соотношением сторон 1:3, его параметры прописываются либо сбоку (если расположен элемент вертикально), либо сверху (в случае горизонтального расположения). Сначала указывается латинская буква R, затем – порядковый номер резистора в схеме.

Переменный резистор (потенциометр)

Постоянные сопротивления имеют всего два вывода. А вот переменные – три. На электрических схемах и на корпусе элемента указывается сопротивление между двумя крайними контактами. А вот между средним и любым из крайних сопротивление будет меняться в зависимости от того, в каком положении находится ось резистора. При этом если подключить два омметра, то можно увидеть, как будет меняться показание одного в меньшую сторону, а второго — в большую. Нужно понять, как читать схемы радиоэлектронных устройств. Обозначения радиодеталей тоже не лишним окажется знать.

Суммарное сопротивление (между крайними выводами) останется неизменным. Переменные резисторы используются для регулирования усиления (с их помощью меняете вы громкость в радиоприемниках, телевизорах). Кроме того, переменные резисторы активно используются в автомобилях. Это датчики уровня топлива, регуляторы скорости вращения электродвигателей, яркости освещения.

Соединение резисторов

В данном случае картина полностью обратна той, которая была у конденсаторов:

  1. Последовательное соединение – сопротивление всех элементов в цепи складывается.
  2. Параллельное соединение – произведение сопротивлений делится на сумму.
  3. Смешанное – разбивается вся схема на более мелкие цепочки и вычисляется поэтапно.

На этом можно закрыть обзор резисторов и начать описывать самые интересные элементы – полупроводниковые (обозначения радиодеталей на схемах, ГОСТ для УГО, рассмотрены ниже).

Полупроводники

Это самая большая часть всех радиоэлементов, так как в число полупроводников входят не только стабилитроны, транзисторы, диоды, но и варикапы, вариконды, тиристоры, симисторы, микросхемы, и т. д. Да, микросхемы – это один кристалл, на котором может находиться великое множество радиоэлементов – и конденсаторов, и сопротивлений, и р-п-переходов.

Как вы знаете, есть проводники (металлы, например), диэлектрики (дерево, пластик, ткани). Могут быть различными обозначения радиодеталей на схеме (треугольник – это, скорее всего, диод или стабилитрон). Но стоит отметить, что треугольником без дополнительных элементов обозначается логическая земля в микропроцессорной технике.

Эти материалы либо проводят ток, либо нет, независимо от того, в каком агрегатном состоянии они находятся. Но существуют и полупроводники, свойства которых меняются в зависимости от конкретных условий. Это такие материалы, как кремний, германий. Кстати, стекло тоже можно отчасти отнести к полупроводникам – в нормальном состоянии оно не проводит ток, но вот при нагреве картина полностью обратная.

Диоды и стабилитроны

Полупроводниковый диод имеет всего два электрода: катод (отрицательный) и анод (положительный). Но какие же существуют особенности у этой радиодетали? Обозначения на схеме можете увидеть выше. Итак, вы подключаете источник питания плюсом к аноду и минусом к катоду. В этом случае электрический ток будет протекать от одного электрода к другому. Стоит отметить, что у элемента в этом случае крайне малое сопротивление. Теперь можно провести эксперимент и подключить батарею наоборот, тогда сопротивление току увеличивается в несколько раз, и он перестает идти. А если через диод направить переменный ток, то получится на выходе постоянный (правда, с небольшими пульсациями). При использовании мостовой схемы включения получается две полуволны (положительные).

Стабилитроны, как и диоды, имеют два электрода – катод и анод. В прямом включении этот элемент работает точно так же, как и рассмотренный выше диод. Но если пустить ток в обратном направлении, можно увидеть весьма интересную картину. Первоначально стабилитрон не пропускает через себя ток. Но когда напряжение достигает некоторого значения, происходит пробой, и элемент проводит ток. Это напряжение стабилизации. Очень хорошее свойство, благодаря которому получается добиться стабильного напряжения в цепях, полностью избавиться от колебаний, даже самых мелких. Обозначение радиодеталей на схемах — в виде треугольника, а у его вершины — черта, перпендикулярная высоте.

Если диоды и стабилитроны можно иногда даже не встретить в конструкциях, то транзисторы вы найдете в любой (кроме детекторного приемника). У транзисторов три электрода:

  1. База (сокращенно буквой «Б» обозначается).
  2. Коллектор (К).
  3. Эмиттер (Э).

Транзисторы могут работать в нескольких режимах, но чаще всего их используют в усилительном и ключевом (как выключатель). Можно провести сравнение с рупором – в базу крикнули, из коллектора вылетел усиленный голос. А за эмиттер держитесь рукой – это корпус. Основная характеристика транзисторов – коэффициент усиления (отношение тока коллектора и базы). Именно данный параметр наряду с множеством иных является основным для этой радиодетали. Обозначения на схеме у транзистора – вертикальная черта и две линии, подходящие к ней под углом. Можно выделить несколько наиболее распространенных видов транзисторов:

  1. Полярные.
  2. Биполярные.
  3. Полевые.

Существуют также транзисторные сборки, состоящие из нескольких усилительных элементов. Вот такие самые распространенные существуют радиодетали. Обозначения на схеме были рассмотрены в статье.

Если вы только начали разбираться в радиотехнике, я расскажу о том в этой статье, как же обозначаются радиодетали на схеме, как называются на ней, и какой имеют внешний вид .

Тут узнаете как обозначается транзистор,диод,конденсатор,микросхема,реле и т.д

Прошу жмать на подробнее.

Как обозначается биполярный транзистор

Все транзисторы имеют три вывода, и если он биполярный, то и бывет двух типов, как видно из изображения пнп-переход и нпн-переход. А три вывода имеют названия э-эмиттер, к-коллектор и б-база. Где какой вывод на самом транзисторе ищется по справочнику, или же введите в поиск название транзистор+выводы.

Внешний вид имеет транзистор следующий,и это лишь малая часть их внешнего вида,существующих номиналов полно.

Как обозначается полярный транзистор

Тут уже три вывода имеют следующие название,это з-затвор, и-исток, с-сток

Но а внешний вид визуально мало отличается,а точнее может иметь такой же цоколь.Вопрос как же узнать какой он, а это уже из справочников или интернета по обозначению написанном на цоколе.

Как обозначается конденсатор

Конденсаторы бывают как полярные так и неполярные.

Отличие их обозначение в том,что на полярном указывается один из выводов значком «+».И емкость измеряется в микрофарадах»мкф».

И имеют такой внешний вид,стоит учитывать,что если конденсатор полярный,то на цоколе с одной из сторон ножек обозначается вывод,только уже в основном знаком «-«.

Как обозначается диод и светодиод

Обозначение светодиода и диода на схеме отличается тем,что светодиод заключенчек и выходящими двух стрелок. Но роль у них разная-диод служит для выпрямления тока,и светодиод уже для испускания света.

И имеют такой внешний вид светодиоды.

И такой вид обычные выпрямительные и импульсные диоды например:

Как обозначается микросхема.

Микросхемы представляют собой уменьшенную схему,выполняющую ту или иную функцию,при этом могут иметь большое число транзисторов.

И такой внешний вид имеют они.

Обозначение реле

О них думаю впервую очередь слышали автомобилисты, особенно водители жигулей.

Так как когда не было инжекторов и транзисторы не получили широкое распространение, в автомобиле фары,прикуриватель,стартер, да все в ней почти включалось и управлялось через реле.

Такая самая простая схема реле.

Тут все просто,на электромагнитную катушку подается ток определенного напряжения,и та в свою очередь замыкает или размыкает участок цепи.

На этом статья заканчивается.

Если есть желание какие хотите увидеть радиодетали в следующей статье,пишите в комментарии.

Обозначение радиодеталей на схеме

В данной статье приведен внешний вид и схематическое обозначение радиодеталей

Каждый наверно начинающие радиолюбитель видел и внешне радиодетали и возможно схемы,но что чем является на схеме приходится долго думать или искать,и только где то он может прочитает и увидит новые для себя слова такие как резистор, транзистор, диод и прочее.А как же они обозначаются.Разберем в данной статье.И так поехали.

1.Резистор

Чаще всего на платах и схемах можно увидеть резистор,так как их по количеству на платах больше всего.

Резисторы бывают как постоянные,так и переменные(можно регулировать сопротивление с помощью ручки)

Одна из картинок постоянного резистора ниже и обозначение постоянного и переменного на схеме.

А где переменный резистор как выглядет. Это еще картиночка ниже.Извиняюсь за такое написание статьи.

2.Транзистор и его обозначение

Много информации написано, о функциях ихних, но так как тема о обозначениях.Поговорим об обозначениях.

Транзисторы бывают биполярными,и полярными, пнп и нпн переходов.Все это учитывается при пайке на плату, и в схемах.Увидите рисунок,поймете

Обозначение транзистора нпн перехода npn

Э это эммитер , К это коллектор , а Б это база .Транзисторы pnp переходов будет отличатся тем что стрелочка будет не от базы а к базе.Для более подробного еще одна картинка


Есть так же кроме биполярных и полевые транзисторы, обозначение на схеме полевых транзисторов похожи, но отличаются.Так как нет базы эмиттера и коллектора, а есть С — сток, И — исток, З — затвор


И напоследок о транзисторах как же они выглядат на самом деле


Общем если у детали три ножки, то 80 процентов того что это транзистор.

Если у вас есть транзистор и незнаете какого он перехода и где коллектор, база, и вся прочая информация,то посмотрите в сравочнике транзисторов.

Конденсатор, внешний вид и обозначение

Конденсаторы бывают полярные и неполярные, в полярных на схеме приресовывают плюс, так как он для постоянного тока, а неполярные соответствено для переменного.

Они имеют определенную емкость в мКф (микрофарадах) и расчитаны на определенное напряжение в вольтах.Все это можно прочитать на корпусе конденсатора

Микросхемы , внешний вид обозначение на схеме

Уфф уважаемые читатели, этих существует просто огромное количество в мире, начинаю от усилителей и заканчивая телевизорами

Первый транзистор

На фото справа вы видите первый работающий транзистор, который был создан в 1947 году тремя учёными – Уолтером Браттейном, Джоном Бардином и Уильямом Шокли.

Несмотря на то, что первый транзистор имел не очень презентабельный вид, это не помешало ему произвести революцию в радиоэлектронике.

Трудно предположить, какой бы была нынешняя цивилизация, если бы транзистор не был изобретён.

Транзистор является первым твёрдотельным устройством, способным усиливать, генерировать и преобразовывать электрический сигнал. Он не имеет подверженных вибрации частей, обладает компактными размерами. Это делает его очень привлекательным для применения в электронике.

Это было маленькое вступление, а теперь давайте разберёмся более подробно в том, что же представляет собой транзистор.

Сперва стоит напомнить о том, что транзисторы делятся на два больших класса. К первому относятся так называемые биполярные, а ко второму – полевые (они же униполярные). Основой как полевых, так и биполярных транзисторов является полупроводник. Основной же материал для производства полупроводников — это германий и кремний, а также соединение галлия и мышьяка — арсенид галлия (GaAs ).

Стоит отметить, что наибольшее распространение получили транзисторы на основе кремния, хотя и этот факт может вскоре пошатнуться, так как развитие технологий идёт непрерывно.

Так уж случилось, но вначале развития полупроводниковой технологии лидирующее место занял биполярный транзистор. Но не многие знают, что первоначально ставка делалась на создание полевого транзистора. Он был доведён до ума уже позднее. О полевых MOSFET-транзисторах читайте .

Не будем вдаваться в подробное описание устройства транзистора на физическом уровне, а сперва узнаем, как же он обозначается на принципиальных схемах. Для новичков в электронике это очень важно.

Для начала, нужно сказать, что биполярные транзисторы могут быть двух разных структур. Это структура P-N-P и N-P-N. Пока не будем вдаваться в теорию, просто запомните, что биполярный транзистор может иметь либо структуру P-N-P, либо N-P-N.

На принципиальных схемах биполярные транзисторы обозначаются вот так.

Как видим, на рисунке изображены два условных графических обозначения. Если стрелка внутри круга направлена к центральной черте, то это транзистор с P-N-P структурой. Если же стрелка направлена наружу – то он имеет структуру N-P-N.

Маленький совет.

Чтобы не запоминать условное обозначение, и сходу определять тип проводимости (p-n-p или n-p-n) биполярного транзистора, можно применять такую аналогию.

Сначала смотрим, куда указывает стрелка на условном изображении. Далее представляем, что мы идём по направлению стрелки, и, если упираемся в «стенку» – вертикальную черту – то, значит, «Прохода Н ет»! «Н ет» – значит p-n -p (П-Н -П ).

Ну, а если идём, и не упираемся в «стенку», то на схеме показан транзистор структуры n-p-n. Похожую аналогию можно использовать и в отношении полевых транзисторов при определении типа канала (n или p). Про обозначение разных полевых транзисторов на схеме читайте

Обычно, дискретный, то есть отдельный транзистор имеет три вывода. Раньше его даже называли полупроводниковым триодом. Иногда у него может быть и четыре вывода, но четвёртый служит для подключения металлического корпуса к общему проводу. Он является экранирующим и не связан с другими выводами. Также один из выводов, обычно это коллектор (о нём речь пойдёт далее), может иметь форму фланца для крепления к охлаждающему радиатору или быть частью металлического корпуса.

Вот взгляните. На фото показаны различные транзисторы ещё советского производства, а также начала 90-ых.

А вот это уже современный импорт.

Каждый из выводов транзистора имеет своё назначение и название: база, эмиттер и коллектор. Обычно эти названия сокращают и пишут просто Б (База ), Э (Эмиттер ), К (Коллектор ). На зарубежных схемах вывод коллектора помечают буквой C , это от слова Collector — «сборщик» (глагол Collect — «собирать»). Вывод базы помечают как B , от слова Base (от англ. Base — «основной»). Это управляющий электрод. Ну, а вывод эмиттера обозначают буквой E , от слова Emitter — «эмитент» или «источник выбросов». В данном случае эмиттер служит источником электронов, так сказать, поставщиком.

В электронную схему выводы транзисторов нужно впаивать, строго соблюдая цоколёвку. То есть вывод коллектора запаивается именно в ту часть схемы, куда он должен быть подключен. Нельзя вместо вывода базы впаять вывод коллектора или эмиттера. Иначе не будет работать схема.

Как узнать, где на принципиальной схеме у транзистора коллектор, а где эмиттер? Всё просто. Тот вывод, который со стрелкой – это всегда эмиттер. Тот, что нарисован перпендикулярно (под углом в 90 0) к центральной черте – это вывод базы. А тот, что остался – это коллектор.

Также на принципиальных схемах транзистор помечается символом VT или Q . В старых советских книгах по электронике можно встретить обозначение в виде буквы V или T . Далее указывается порядковый номер транзистора в схеме, например, Q505 или VT33. Стоит учитывать, что буквами VT и Q обозначаются не только биполярные транзисторы, но и полевые в том числе.

В реальной электронике транзисторы легко спутать с другими электронными компонентами, например, симисторами, тиристорами, интегральными стабилизаторами, так как те имеют такие же корпуса. Особенно легко запутаться, когда на электронном компоненте нанесена неизвестная маркировка.

В таком случае нужно знать, что на многих печатных платах производится разметка позиционирования и указывается тип элемента. Это так называемая шелкография. Так на печатной плате рядом с деталью может быть написано Q305. Это значит, что этот элемент транзистор и его порядковый номер в принципиальной схеме – 305. Также бывает, что рядом с выводами указывается название электрода транзистора. Так, если рядом с выводом есть буква E, то это эмиттерный электрод транзистора. Таким образом, можно чисто визуально определить, что же установлено на плате – транзистор или совсем другой элемент.

Как уже говорилось, это утверждение справедливо не только для биполярных транзисторов, но и для полевых. Поэтому, после определения типа элемента, необходимо уточнять класс транзистора (биполярный или полевой) по маркировке, нанесённой на его корпус.


Полевой транзистор FR5305 на печатной плате прибора. Рядом указан тип элемента — VT

Любой транзистор имеет свой типономинал или маркировку. Пример маркировки: КТ814. По ней можно узнать все параметры элемента. Как правило, они указаны в даташите (datasheet). Он же справочный лист или техническая документация. Также могут быть транзисторы этой же серии, но чуть с другими электрическими параметрами. Тогда название содержит дополнительные символы в конце, или, реже, в начале маркировки. (например, букву А или Г).

Зачем так заморачиваться со всякими дополнительными обозначениями? Дело в том, что в процессе производства очень сложно достичь одинаковых характеристик у всех транзисторов. Всегда есть определённое, пусть и, небольшое, но отличие в параметрах. Поэтому их делят на группы (или модификации).

Строго говоря, параметры транзисторов разных партий могут довольно существенно различаться. Особенно это было заметно ранее, когда технология их массового производства только оттачивалась.

Распиновка транзисторов

: подробное руководство

Распиновка транзисторов , Электрическая цепь представляет собой комбинацию различных электрических устройств. Одно из таких электрических устройств — транзистор.

Транзистор — неотъемлемая часть электрической цепи. Его функция заключается в преобразовании слабого сигнала из цепи с низким сопротивлением в цепь с высоким сопротивлением. Распиновки являются компонентами транзистора, и в этой статье мы попытаемся обсудить, как они помогают транзистору выполнять свою функцию.

Описание выводов транзисторов

Транзистор состоит из трех компонентов. И они включают в себя базу, коллектор и эмиттер. Эти три компонента представляют собой распиновку транзистора, а эмиттер — это первая распиновка, отвечающая за вывод транзистора.

Далее идет база, которая является центральным компонентом транзистора. База отвечает за контроль стоимости, а также получает подключение к источнику питания.Последняя часть — это Коллекционер. Это самый большой компонент транзистора. Благодаря своему размеру он имеет наибольшее количество носителей в транзисторе.

Обозначение контактов транзистора

Силовые транзисторы

Примером наиболее распространенных проблем, с которыми профессионалы сталкиваются при проектировании схемы, является определение контактов контактов во многих устройствах. Эти устройства включают транзисторы, TRIAC, SCR и многие другие устройства.Многим техническим специалистам приходится полагаться на такие источники, как таблицы данных, чтобы найти правильные соединения контактов и улучшить соединение в цепи.

Этот раздел посвящен руководству по идентификации контактов транзистора;

Биполярный переходной транзистор (BJT)

Транзисторы обычно бывают двух типов: NPN или PNP. Эти два типа транзисторов обычно доступны в пластиковом или металлическом корпусе. В пластиковом корпусе транзистор имеет плоскую переднюю часть, а расположение контактов последовательное.Определяя штифты, поверните плоскую сторону к себе и начните считать штифты.

Чаще всего с NPN-транзисторами первый вывод является коллектором, второй вывод — базой, а третий вывод — эмиттером. Таким образом, конфигурация CBE.

Биполярный комбинированный транзистор

Однако с транзисторами PNP все обстоит наоборот. Первый вывод — это эмиттер, второй вывод — это база, а последний вывод — это коллектор.

Когда транзистор использует металлический корпус, расположение контактов является круглым. Чтобы идентифицировать контакты в этой ситуации, найдите выступ на ободе транзистора. Для транзисторов NPN ближайший к вкладке вывод — это эмиттер. Штифт напротив эмиттера — это коллектор, а тот, что посередине, — это база.

С транзистором PNP все обстоит наоборот. Ближайший к выступу штырь — это коллектор, а другой — эмиттер, а штифт посередине — это база.

Примечание. В некоторых случаях могут быть изменения. Однако в большинстве случаев вы найдете именно такую ​​конфигурацию.

Полевой транзистор (FET)

Полевой транзистор

Полевой транзистор обычно имеет изогнутую сторону. Пытаясь идентифицировать штифты, убедитесь, что изогнутая сторона обращена к вам. Затем начните считать булавки в обратном направлении. Первый вывод считается истоком, следующий — затвором, а последний — стоком.

Полевой транзистор на основе оксида металла и полупроводника (МОП-транзистор)

Как и полевой транзистор, полевой МОП-транзистор использует схему G, D и S, что означает затвор, сток и исток. Чтобы идентифицировать контакты в MOSFET, убедитесь, что лицевая сторона обращена к вам, начните считать контакты с левой стороны на правую. Вы обнаружите, что расположение контактов — Источник, Сток и Ворота.

Металлооксидный полевой транзистор

Однако это расположение также не является священным, поэтому рекомендуется обратиться к таблице данных MOSFET, чтобы подтвердить идентификацию.

Назначение выводов транзистора — Биполярный транзистор с изолированным затвором- IGBT

Биполярный транзистор с изолированным затвором

Чтобы идентифицировать контакты на этом типе транзистора, вам понадобится практичный IGBT, такой как GN2470. Теперь вам нужно держать приподнятую часть к себе. В этом положении катод — средний, который обычно короче. Штифт справа — это эмиттер, а слева — ворота.

Распиновка транзистора — Фототранзистор

При использовании практичного фототранзистора, такого как L14G2, вам нужно удерживать транзистор, направив поверхность с кривизной к вам, и начать отсчет. Первый вывод с этого направления — коллектор, второй — эмиттер, а последний — база.

Распиновка транзистора — подключение транзистора к цепи

A Принципиальная схема, включая транзистор

Независимо от типа транзистора способ подключения одинаков.Компоненты, необходимые для подключения, включают транзистор 2N3906, резистор на 330 Ом, светодиод, открытый переключатель и двойной источник питания постоянного тока или 5 батареек AA.

Подключение начинается с Эмиттера, с подключением + 3V. Затем вы подключаете открытый переключатель к базе транзистора и подключаете светодиод к базе транзистора. Открытый переключатель управляет транзистором, который, в свою очередь, управляет светодиодом.

Сводка

Идентификация контактов транзистора — простой процесс.Однако процесс различается для каждого типа установки транзистора. Если у вас возникнут дополнительные вопросы, посетите наш веб-сайт.

N-канальный полевой транзистор режима расширения

% PDF-1.4 % 1 0 объект > эндобдж 5 0 obj / Title (NDS7002A — N-канальный полевой транзистор в режиме улучшения) >> эндобдж 2 0 obj > эндобдж 3 0 obj > эндобдж 4 0 obj > транслировать BroadVision, Inc.2021-08-05T11: 09: 32-07: 002021-07-21T14: 42: 45-07: 002021-08-05T11: 09: 32-07: 00application / pdf

  • NDS7002A — N-Channel Enhancement Режим полевого транзистора
  • на полу
  • Эти N-канальные полевые транзисторы с улучшенным режимом производится с использованием запатентованной onsemi, высокой плотности ячеек, DMOS технология.
  • Acrobat Distiller 21.0 (Windows) uuid: 2ccec719-6db6-442a-adbf-b638fa514490uuid: 57c00f59-892e-4740-8c10-99ed8c3dfdce конечный поток эндобдж 6 0 obj > эндобдж 7 0 объект > эндобдж 8 0 объект > эндобдж 9 0 объект > эндобдж 10 0 obj > эндобдж 11 0 объект > эндобдж 12 0 объект > эндобдж 13 0 объект > эндобдж 14 0 объект > эндобдж 15 0 объект > эндобдж 16 0 объект > эндобдж 17 0 объект > эндобдж 18 0 объект > эндобдж 19 0 объект > эндобдж 20 0 объект > эндобдж 21 0 объект > эндобдж 22 0 объект > эндобдж 23 0 объект > эндобдж 24 0 объект > транслировать HTVK6Z0 /) `A @ ܋ $> ŏeIY, 9WkKUҟ + WRNcHTGM_ ߶} tE

    Моделирование электрических характеристик полевых транзисторов с обратной связью из кремниевых нанопроволок с интерфейсными ловушками

    Принцип действия предлагаемых полевых транзисторов FBFET

    n — и p -FBFET с одинарными электродами, показанными на рис.1 основаны на принципе петли положительной обратной связи в областях канала. На рисунке 2 показаны диаграммы энергетических зон полевых транзисторов n, — и p -FBFET, а также зависимость тока стока ( I DS ) от напряжения затвора ( В, GS ), соответствующих диаграммам энергетических зон. без ITC. Полевые транзисторы n — и p -FBET имеют два потенциальных барьера в областях канала в выключенном состоянии при В GS = — 10.0 В и В GS = 10,0 В соответственно при напряжении стока ( В DS ) 2,0 В. Потенциальные барьеры в области канала блокируют инжекцию носителей заряда. Поскольку V G S положительно изменяется от -11,0 В до 2,0 В для FBFET n- и отрицательно изменяется от 11,0 В до 0,0 В для p -FBFET при В DS 2,0 ​​В высота потенциального барьера снижается, а носители заряда инжектируются и накапливаются в потенциальных ямах, как показано на рис.2а и d. Следовательно, петля положительной обратной связи активируется путем устранения потенциальных барьеров в течение короткого периода времени, и ток диода быстро увеличивается, что соответствует явлению «защелкивания». В В G S отрицательная развертка от 2,0 В до — 11,0 В для n -FBFET и В G S положительная развертка от 0,0 В до 11,0 В для p -FBFET, потенциальные барьеры восстанавливаются за счет эмиссии носителей заряда, накопленных в областях канала, как показано на рис.2b и e. Таким образом, петля положительной обратной связи устраняется путем восстановления потенциальных барьеров, и ток диода быстро уменьшается, что соответствует явлению «фиксации». На рисунках 2c и f показана передаточная кривая I DS V GS , изображающая явления фиксации вверх / вниз и состояние включения / выключения при различных трех напряжениях затвора. Эти разности напряжений между напряжением фиксации ( В, , фиксация ) и напряжением фиксации ( В, , фиксация, ) определяются как окно памяти для операций с памятью 15 .В следующих разделах мы анализируем, как присутствие ITC влияет на механизмы положительной обратной связи на полевых транзисторах n и p -FBFET.

    Рис. 1

    Поперечное сечение полевых транзисторов с круговым затвором (GAA) ( a ) n — и ( b ) p -FBFET, включая заряды ловушки интерфейса между областью канала и оксидом затвора.

    Рисунок 2

    Диаграммы энергетических диапазонов n -FBFET ( a ) во время положительной развертки и ( b ) отрицательной развертки В GS .( c ) I DS V GS кривая передачи n -FBFET при V DS 2,0 ​​В. Диаграммы энергетических диапазонов p -FBFET ( d ) во время отрицательной развертки и ( e ) положительной развертки В GS . ( f ) I DS V GS кривая передачи p -FBFET при V DS из 2.0 В.

    Влияние ITC

    В этом разделе показаны характеристики постоянного тока для различных значений N, , и , расположенных на интерфейсе полевых транзисторов n и p -FBFET. Мы проанализировали изменение электрических характеристик в области канала путем изменения N it от ± 1 × 10 11 см −2 до ± 5 × 10 11 см −2 . На рисунках 3a и b показаны диаграммы энергетических зон полевых полевых транзисторов n, — и p в условиях отсутствия смещения ( В, DS = В, GS = 0 В).Наличие отрицательных ITC на границе увеличивает потенциальную энергию области канала, тогда как присутствие положительных ITC снижает потенциальную энергию области канала. На рис. 3c и d показаны разности потенциальной энергии на основе ITC в области закрытого канала. Причиной изменения потенциальной энергии ITC является кулоновское взаимодействие, при котором ITC притягивают заряды противоположной полярности 16,17 . Следовательно, по мере того, как N увеличивается от 0 до — 5 × 10 11 см −2 , высота потенциального барьера n -FBFET увеличивается, тогда как высота потенциального барьера p — FBFET уменьшается.По мере того, как N он увеличивается от 0 до + 5 × 10 11 см −2 , высота потенциального барьера n -FBFET уменьшается, тогда как высота потенциального барьера p -FBFET увеличивается. .

    Рисунок 3

    Диаграммы энергетических диапазонов ( a ) n — и ( b ) p -FBFET при В GS = В DS = 0,0 В. Увеличенный вид потенциальной энергии ( c ) n — и ( d ) p -FBFET в закрытой области.( e ) Концентрация дырок для n -FBFET и ( f ) концентрация электронов для p -FBFET области закрытого канала, соответственно. Подвижность электронов и дырок в зависимости от N it для ( g ) n — и ( h ) p -FBFET.

    Чтобы подтвердить кулоновское взаимодействие, при котором заряды противоположной полярности индуцируются ITC на границе раздела, на рис. 3e и f показаны концентрации дырок и электронов в области закрытого канала в полевых транзисторах n — и p -FBFET. соответственно; при увеличении от N it = 0 см −2 до N it = — 5 × 10 11 см −2 в n -FBFET концентрация дырок увеличивается с 9 .25 × 10 15 см −3 до 1,95 × 10 16 см −3 , тогда как в p -FBFET концентрация электронов уменьшается с 5,39 × 10 3 см −3 до 2,72 × 10 3 см −3 . При увеличении от N это = 0 см −2 до N it = + 5 × 10 11 см −2 в n -FBFET концентрация дырок уменьшается с 9,25 × 10 15 см −3 до 4.30 × 10 15 см −3 , тогда как в p -FBFET концентрация электронов увеличивается с 5,39 × 10 3 см −3 до 10,86 × 10 3 см −3 . Следовательно, ITC, присутствующие на границе, притягивают к ней заряды противоположной полярности из-за кулоновского взаимодействия.

    Как упоминалось выше, вариации высоты потенциального барьера и концентрации носителей заряда на основе ITC приводят к изменению подвижности носителей заряда.Более высокая высота потенциального барьера предотвращает инжекцию носителей заряда в потенциальную яму более эффективно, и их подвижность ухудшается. Напротив, более низкая высота потенциального барьера легче вводит носители заряда в потенциальную яму, и их подвижность увеличивается 18 . Подвижность электронов, подвижность дырок и вариации электрического поля в состоянии равновесия, выключенном и открытом состоянии описаны в дополнительном разделе. 1. На рисунках 3g и h показано изменение подвижности электронов и дырок ( μ e и μ h ) только на основе ITC в полевых транзисторах n и p -FBFET в условиях равновесия ( V DS = V GS = 0.0 В) соответственно. По мере того, как N , он увеличивается до + 5 × 10 11 см −2 со слегка легированными участками стробированного канала (2 × 10 15 см −3 ), μ e ( μ h ) увеличен до 808,83 см 2 / В · с (216,29 см 2 / В · с) в n -FBFET, тогда как μ e ( μ h ) ухудшается до 885,87 см 2 / В · с (248,49 см 2 / В · с) в p -FBFET.Изменение подвижности ITC влияет на инжекцию и накопление носителей заряда в области канала и сдвигает V Latch-up /-down , который генерирует (или устраняет) петлю положительной обратной связи. Повышенная подвижность носителей из-за более высокой высоты потенциального барьера генерирует (или устраняет) петлю положительной обратной связи под напряжением с более низким абсолютным значением. Таким образом, окна памяти уменьшаются со сдвигами V Latch-up и V Latch-down во время положительной и отрицательной развертки V GS .И наоборот, ухудшенная подвижность носителей из-за более низкой высоты потенциального барьера генерирует (или устраняет) петлю положительной обратной связи под напряжением с более высоким абсолютным значением. Следовательно, окна памяти увеличиваются во время положительной и отрицательной развертки V GS . Хотя существует различное изменение между окном мобильности и окном памяти, следует отметить, что изменение мобильности несущей согласуется с изменением окна памяти. Повышенная (или ухудшенная) мобильность несущих на основе ITC влияет на ширину окна памяти, и окна памяти объясняются в следующем разделе с помощью кривой передачи постоянного тока, показанной на рис.4а и е.

    Рисунок 4

    I DS V Кривая передачи GS на основе различных N и из ( a ) n — и ( e ) p — FBFET. Визуальный график для V Latch-up и V Latch-down изменение в различных N it для ( b ) n — и ( f ) p -FBFETs . Диаграммы энергетических зон ( c ) n -FBFET при отрицательной развертке и ( g ) p -FBFET при положительной развертке.Увеличенный вид потенциальной энергии ( d ) n -FBFET при отрицательной развертке и ( h ) p -FBFET при положительной развертке в стробированной области.

    Изменение электрических характеристик ITC

    На рисунке 4 показаны характеристики передачи постоянного тока предлагаемых FBFET с положительным и отрицательным ITC. На рисунке 4a показаны кривые передачи I DS V GS для полевого транзистора n -FBFET при В DS из 2.0 В. По мере увеличения положительного ITC от N это = 0 см −2 до N it = + 5 × 10 11 см −2 , для V GS , положительная развертка от -12,0 В до 1,0 В, В Latch-up немного смещена влево. Специфическое В Фиксатор значений, соответствующих + 1 × 10 11 см −2 , + 3 × 10 11 см −2 и + 5 × 10 11 см −2 — 0.21 В, 0,19 В и 0,17 В соответственно. Для V GS отрицательная развертка от 1,0 В до -12,0 В, V Latch-down смещена вправо. Соответственно, окно памяти уменьшается с 5,47 В до 3,59 В. Соответственно, окно памяти уменьшается с 5,47 В до 3,59 В. Напротив, при увеличении отрицательного ITC с N это = 0 см −2 до N это = — 5 × 10 11 см −2 , для V GS с положительной разверткой, V Защелка немного смещена вправо.Удельный В Фиксатор значений, соответствующих — 1 × 10 11 см −2 , — 3 × 10 11 см −2 и — 5 × 10 11 см −2 составляют 0,23 В, 0,25 В и 0,27 В соответственно. Для отрицательного свипирования V GS V Latch-down сдвинут влево. Соответственно, окно памяти увеличивается с 5,47 В до 9,24 В. На рис. 4b показаны значения В, , , фиксация, и В, , , фиксация, , смещенные ITC в n -FBFET.Увеличенное значение V Latch-up кривых передачи показано в дополнительном разделе. 2. Следовательно, окна памяти n -FBFET сужаются при увеличении положительных ITC, тогда как окна памяти расширяются при увеличении отрицательных ITC.

    На рисунке 4c показана диаграмма энергетических диапазонов для В GS с отрицательной разверткой при В DS = 2,0 В и В GS = — 1,0 В в n -FBFET.Это указывает на то, что высота потенциального барьера изменяется между ITC при приложении одного и того же напряжения. Более высокая высота потенциального барьера означает, что петля положительной обратной связи устраняется напряжением затвора с более низким абсолютным значением 3,4,6 . Различия в высоте потенциального барьера на основе ITC на рис. 4d демонстрируют тенденции V Latch-down во время отрицательной развертки на рис. 4a.

    На рисунке 4e показаны передаточные кривые I DS V GS для p -FBFET при В DS из 2.0 В. По мере увеличения положительного ITC от N это = 0 см −2 до N it = + 5 × 10 11 см −2 , для V GS отрицательная развертка от 12,0 В до 1,0 В, В Latch-up немного смещена влево. Специфическое В Фиксатор значений, соответствующих + 1 × 10 11 см −2 , + 3 × 10 11 см −2 и + 5 × 10 11 см −2 — 2.55 В, 2,53 В и 2,52 В соответственно. Для В, GS с положительной разверткой от 1,0 В до 12,0 В, для В Latch-down смещен вправо. Соответственно, окно памяти увеличивается с 5,38 В до 7,38 В. Напротив, при увеличении отрицательного ITC с N оно = 0 см −2 до N оно = — 5 × 10 11 см −2 , для V GS с положительной разверткой, V Latch-up немного смещен вправо.Специфические В Фиксатор значений, соответствующих — 1 × 10 11 см −2 , — 3 × 10 11 см −2 и — 5 × 10 11 см −2 составляют 2,57 В, 2,58 В и 2,59 В соответственно. Для отрицательного свипирования V GS V Latch-down сдвинут влево. Соответственно, окно памяти уменьшается с 5,38 В до 4,18 В. На рисунке 4f показаны значения В, , , фиксация, и В, , , фиксация, , смещенные ITC в p -FBFET.Следовательно, окна памяти p -FBFET расширялись при увеличении положительных ITC, тогда как окна памяти сужались при увеличении отрицательных ITC.

    На рисунке 4g показана диаграмма энергетических диапазонов для В GS с положительной разверткой при В DS = 2,0 В и В GS = 5,0 В в p -FBFET. Высота потенциального барьера увеличивалась в присутствии отрицательных ITC, тогда как высота потенциального барьера уменьшалась в присутствии положительных ITC на границе раздела.Различия в высоте потенциального барьера на основе ITC на рис. 4h демонстрируют тенденции V Latch-down во время положительной развертки на рис. 4e. Используя результаты этих изменений окна памяти ITC на интерфейсе, мы анализируем рабочие характеристики памяти на основе ITC 19 .

    На рис. 5a и b показаны временные диаграммы работы памяти полевых транзисторов FBFET n и p , включая положительный и отрицательный ITC.Мы выполнили порядок операций записи, удержания и чтения. Рабочие напряжения определяются на основе окна памяти на рис. 4a и e (более подробную информацию о рабочих напряжениях см. В дополнительном разделе 3). Каждый из импульсов V DS и V GS имеет временную ширину 10 мс. Для операции записи «1» с В DS = 2,0 В и В GS = 2,0 В в n -FBFET и В DS = 2.0 В и В GS = 0,0 В в p -FBFET, петля положительной обратной связи создается в области канала. I DS достигает примерно 2,48 мА и 2,86 мА с небольшой разницей на основе ITC соответственно. Для режима удержания 1 с В DS = 1,0 В и В GS = — 1,0 В в n -FBFET и В DS = 0,7 В и В GS = 3.0 В в p -FBFET носители заряда накапливаются в области канала при приложении напряжения. Для работы в режиме «1» с В DS = 2,0 В и В GS = — 1,0 В в n -FBFET и В DS = 2,0 В и В GS = 3,0 В в полевом транзисторе p -FBFET, пониженный потенциальный барьер за счет инжекции и накопления носителей заряда создает петлю положительной обратной связи. Операция записи «0» выполняет рекомбинацию накопленных носителей заряда в области канала, применяя V DS = — 1.0 В и В GS = 2,0 В в n -FBFET и В DS = — 1,0 В и В GS = 0,0 В в p -FBFET. Для режима удержания 0 с В DS = 1,0 В и В GS = — 1,0 В в n -FBFET и В DS = 0,7 В и В GS = 3,0 В в полевом транзисторе p -FBFET, в области канала нет накопленных носителей заряда, в отличие от операции удержания «1».Когда операция чтения «0» выполняется с В DS = 2,0 В и В GS = — 1,0 В в n -FBFET и В DS = 2,0 В и В. GS = 3,0 В в p -FBFET, сформированный потенциальный барьер затрудняет инжекцию и накопление носителей заряда, что устраняет петлю положительной обратной связи. Условия работы с памятью для полевых транзисторов n и p -FBFET приведены в таблице 1.

    Рисунок 5

    Временные диаграммы для работы памяти полевых транзисторов ( a ) n — и ( b ) p -FBFET, включая ITC. Увеличенный вид выходных данных I DS на основе различных N it in ( c ) n — и ( d ) p -FBFET во время операции чтения «1».

    Таблица 1 Условия работы памяти полевых транзисторов n — и p -FBFET.

    На рисунках 5c и d показаны значения I DS , основанные на различных N и на интерфейсе полевых транзисторов n — и p -FBFET, соответственно, во время операции чтения «1».Для операции чтения «1», когда положительные ITC увеличиваются до N , это = + 5 × 10 11 см −2 , I DS ниже в n -FBFET, тогда как I DS выше в p -FBFET. Напротив, для той же операции, когда отрицательный ITC увеличивается до N , он = — 5 × 10 11 см −2 , уровень I DS выше в n -FBFET , тогда как I DS ниже в p -FBFET.Причина разницы в значениях тока на основе N, , и заключается в том, что они влияют на формирование и устранение петли положительной обратной связи. Высокое значение тока указывает на то, что в области канала течет много носителей заряда. Кроме того, это указывает на низкую высоту потенциального барьера; таким образом, окно памяти увеличивается за счет \ (\ Delta \) V Latch-up и \ (\ Delta \) V Latch-down , которые создают и устраняют петлю положительной обратной связи.И наоборот, низкое значение тока указывает на высокую высоту потенциального барьера, следовательно, окно памяти уменьшается. Результаты соответствуют характеристикам кривой передачи I DS V GS , как показано на рис. 4a и e. Следовательно, когда отрицательный (положительный) N он существует в n -FBFET ( p -FBFET), наибольшее окно памяти имеет преимущество для их применения к устройствам памяти, поскольку наибольший ток протекает при одинаковом приложенное напряжение чтения.

    подробное руководство по полевым транзисторам.

    Я подробно расскажу вам о полевом транзисторе (полевом транзисторе) и расскажу обо всем, что связано с полевым транзистором, включая определение, символ, работу, характеристики, типы и приложения полевого транзистора.

    Приступим.

    Определение:

    Полевой транзистор (полевой транзистор) представляет собой электронное устройство с тремя выводами, используемое для управления потоком тока с помощью напряжения, приложенного к его выводу затвора.Три терминала в этом устройстве называются сток, исток и затвор.

    • Источник: Это терминал, через который носители заряда попадают в канал.
    • Drain: Это терминал, через который носители заряда покидают канал.
    • Gate: Этот терминал контролирует проводимость между терминалами истока и стока.

    Полевые транзисторы также известны как униполярные транзисторы в отличие от биполярных транзисторов BJT.В полевых транзисторах для процесса проводимости используются дырки или электроны. Но в процессе проводимости одновременно не участвуют оба носителя заряда. Полевые транзисторы обычно имеют высокий входной импеданс на низких частотах и ​​отображают мгновенную работу, высокую производительность, надежны и дешевы и используются во многих электрических цепях. Низкое энергопотребление и низкое рассеивание мощности делают это устройство идеальным для интегральных схем.

    Символ:

    На следующем рисунке показано обозначение транзисторов MOSFET и JFET, которые являются двумя основными типами транзисторов FET.

    Рабочий:

    Полевой транзистор — это электронное устройство, которое содержит носители заряда, электроны или дырки, которые текут от истока к выводам стока через активный канал. Процесс проводимости контролируется подачей входного напряжения на вывод затвора.

    Токоведущий путь, который существует между выводами истока и стока, известен как «канал», который может состоять из полупроводникового материала N-типа или P-типа.

    Работу N-канального JFET можно описать следующим образом, взяв два разных случая:

    Корпус 1:

    В случае 1 напряжение на выводе затвора равно нулю, и напряжение Vds приложено между выводом стока и истока, как показано на рисунке ниже.

    В этом случае два pn-перехода на сторонах стержня образуют область истощения. В результате электроны текут от истока к выводу стока через канал, который находится между обедненными слоями.Ширина канала и токопроводимость через стержень определяются размером обедненных слоев.

    Корпус 2:

    Ширина обедненного слоя увеличивается, когда обратное напряжение прикладывается к клеммам затвора и истока Vgs. Это приводит к уменьшению ширины проводящего канала и увеличению сопротивления стержня n-типа.

    Следовательно, ток от истока к клеммам стока уменьшается. Однако, когда напряжение обратного смещения на выводе затвора уменьшается, это также уменьшит ширину обедненного слоя и, как результат, ширина проводящего канала увеличится.

    Это работа N-канального JFET, который работает аналогично P-Channel JFET. Единственное отличие — носители заряда. В случае полевого транзистора с N-каналом носителями заряда являются электроны, а в случае полевого транзистора с P-каналом — дырки.

    Характеристики:

    На следующем рисунке показаны кривые характеристик JFET:

    A: омическая область:

    В омической области, когда Vgs = 0, JFET будет вести себя как резистор, управляемый напряжением, и несет очень маленький обедненный слой канала.

    B: крайняя область:

    Область отсечки также называется областью отсечки, где напряжения затвора Vgs достаточно, чтобы заставить JFET вести себя как разомкнутая цепь, поскольку сопротивление канала является максимальным.

    C: Область насыщенности:

    Область насыщения также называется активной областью, где проводимость устройства очень высока, что контролируется приложенным напряжением на выводах затвора и истока Vgs. В этом состоянии напряжение Vds сток-исток будет иметь небольшое влияние или не будет иметь никакого эффекта.

    D: Область разбивки:

    В этой области напряжение на выводах Vds истока и стока очень велико, что нарушает резистивный канал полевого транзистора и позволяет протекать неконтролируемому максимальному току.

    Ток стока Id линейно увеличивается с напряжением на выводах истока и стока Vds. По мере увеличения Id омическое падение напряжения на участке канала и выводе истока будет изменять обратное смещение перехода, и в результате проводимость канала остается постоянной.Напряжение Vds в этом положении известно как напряжение отсечки.

    Типы:

    Полевые транзисторы делятся на два основных типа:

    1: JFET

    2: МОП-транзистор

    1: JFET

    JFET (Junction Field Effect Transistor) представляет собой трехконтактное электронное устройство и представляет собой тип полевого транзистора, который в основном используется для разработки усилителей и используется в качестве переключателей с электрическим управлением. JFET — это устройства, управляемые напряжением, поскольку им не требуется ток смещения для запуска транзистора.

    JFET находится во включенном состоянии, когда между выводами истока и затвора нет напряжения. Однако, когда напряжение подается на клеммы истока и затвора, это устройство будет показывать сопротивление при прохождении тока и допускает только ограниченное протекание тока между клеммами истока и стока.

    JFET делятся на два типа:

    • N-Channel JFET, где проводимость осуществляется движением электронов.
    • P-Channel JFET, где проводимость осуществляется за счет движения отверстий.

    N-канальные JEFT предпочтительнее, чем P-канальные JFET во многих электронных приложениях, потому что подвижность электронов лучше подвижности дырок.

    2: МОП-транзистор

    MOSFET (Металлооксидный полупроводниковый полевой транзистор) — это полупроводниковое устройство, которое в основном используется для усиления и переключения в электронных устройствах.

    MOSFET — это устройство, управляемое напряжением, поскольку входное напряжение на выводе затвора контролирует проводимость между выводами истока и стока.

    Полевые МОП-транзисторы

    подразделяются на два основных типа:

    • N-канальный полевой МОП-транзистор, в котором проводимость осуществляется за счет движения электронов. Этот транзистор очень эффективен, имеет низкое сопротивление и занимает меньшую площадь.
    • МОП-транзистор с P-каналом, где проводимость осуществляется за счет движения отверстий. Этот транзистор менее эффективен, имеет высокое сопротивление и занимает большую площадь.

    Приложения:

    Полевые транзисторы используются в следующих приложениях.

    • Аналоговый переключатель
    • Ограничитель тока
    • Каскодный усилитель
    • Измельчитель
    • Генераторы с фазовым сдвигом
    • Мультиплексор
    • Буферный усилитель

    Надеюсь, эта статья оказалась для вас полезной. Если у вас есть какие-либо вопросы, вы можете обратиться ко мне в разделе ниже. Я хотел бы помочь вам как можно лучше. Спасибо, что прочитали статью.

    Произошла ошибка при настройке пользовательского файла cookie

    Этот сайт использует файлы cookie для повышения производительности.Если ваш браузер не принимает файлы cookie, вы не можете просматривать этот сайт.


    Настройка вашего браузера для приема файлов cookie

    Существует множество причин, по которым cookie не может быть установлен правильно. Ниже приведены наиболее частые причины:

    • В вашем браузере отключены файлы cookie. Вам необходимо сбросить настройки вашего браузера, чтобы он принимал файлы cookie, или чтобы спросить вас, хотите ли вы принимать файлы cookie.
    • Ваш браузер спрашивает вас, хотите ли вы принимать файлы cookie, и вы отказались.Чтобы принять файлы cookie с этого сайта, нажмите кнопку «Назад» и примите файлы cookie.
    • Ваш браузер не поддерживает файлы cookie. Если вы подозреваете это, попробуйте другой браузер.
    • Дата на вашем компьютере в прошлом. Если часы вашего компьютера показывают дату до 1 января 1970 г., браузер автоматически забудет файл cookie. Чтобы исправить это, установите правильное время и дату на своем компьютере.
    • Вы установили приложение, которое отслеживает или блокирует установку файлов cookie.Вы должны отключить приложение при входе в систему или проконсультироваться с системным администратором.

    Почему этому сайту требуются файлы cookie?

    Этот сайт использует файлы cookie для повышения производительности, запоминая, что вы вошли в систему, когда переходите со страницы на страницу. Чтобы предоставить доступ без файлов cookie потребует, чтобы сайт создавал новый сеанс для каждой посещаемой страницы, что замедляет работу системы до неприемлемого уровня.


    Что сохраняется в файле cookie?

    Этот сайт не хранит ничего, кроме автоматически сгенерированного идентификатора сеанса в cookie; никакая другая информация не фиксируется.

    Как правило, в файлах cookie может храниться только информация, которую вы предоставляете, или выбор, который вы делаете при посещении веб-сайта. Например, сайт не может определить ваше имя электронной почты, пока вы не введете его. Разрешение веб-сайту создавать файлы cookie не дает этому или любому другому сайту доступа к остальной части вашего компьютера, и только сайт, который создал файл cookie, может его прочитать.

    ARM-микроконтроллеров. Объем рынка составит 8523,26 миллиона долларов в мире, к 2028 году составит 8.51% CAGR: Verified Market Research®

    Интернет вещей (IoT) создал прибыльные возможности для рынка микроконтроллеров ARM благодаря своей гибкости, удобству и эффективности с обеспечением огромной автоматизации во всей отрасли. И, следовательно, с ростом спроса на IoT существует значительный спрос на рынке микроконтроллеров ARM.

    / EIN News / — Джерси-Сити, Нью-Джерси, 15 ноября 2021 г. (GLOBE NEWSWIRE) — Проверенное маркетинговое исследование недавно опубликовало отчет « ARM-микроконтроллеры Market » по продуктам (80-120 контактов, меньше более 80 контактов, более 120 контактов), по применению (автомобильное, промышленное, потребительское) и по географии.Согласно данным Verified Market Research, объем мирового рынка микроконтроллеров ARM оценивался в 4811,15 миллионов долларов США в 2020 году и, по прогнозам, достигнет 8523,26 миллионов долларов США к 2028 году, при этом среднегодовой темп роста с 2021 по 2028 год составит 8,51%.

    Скачать брошюру в формате PDF: https://www.verifiedmarketresearch.com/download-sample/?rid=1

    Подробный обзор TOC на ARM Microcontrollers Market

    — Страницы

    126 — Таблицы

    37 — Рисунки

    Глобальный обзор рынка микроконтроллеров ARM

    Принятие технологии смартфонов является основным фактором, определяющим успех сегодняшней технологии.Следовательно, важно определить основные факторы, влияющие на поведение потребителей, что привело к растущему проникновению смартфонов. Смартфоны переживают значительный рост; Согласно нашему анализу, во всем мире почти 75% всего населения владеют смартфонами. Это растущее распространение привело к увеличению массового производства продукта. Такой рост спроса на смартфоны направлен на снижение их стоимости в целом. Микроконтроллер обеспечивает более высокую скорость работы устройств на базе Интернета вещей; таким образом, они могут эффективно выполнять более сложные задачи.

    Интернет вещей (IoT) создал прибыльные возможности для рынка микроконтроллеров ARM благодаря своей гибкости, удобству и эффективности с обеспечением огромной автоматизации во всей отрасли. И, следовательно, с ростом спроса на IoT рынок микроконтроллеров ARM пользуется значительным спросом. Однако нестабильные источники напряжения, электрические помехи и некачественные процессы сборки — это другие факторы, которые могут вызвать сбои в работе. Квалифицированная рабочая сила необходима для контроля правильного функционирования этих устройств.В случае таких сбоев в работе рост рынка микроконтроллеров ARM ограничен

    Ключевые игроки

    Основными игроками на рынке являются Microchip, NXP, STMicroelectronics, Texas Instruments, Analog Devices Inc, Toshiba, Cypress Semiconductor, Renesas, Infineon, Maxim Integrated, Silicon Laboratories, Nuvoton Technology, ZiLOG.

    Проверенное маркетинговое исследование сегментировало глобальный рынок микроконтроллеров ARM на основе продукта, приложения и географии.

    • Рынок микроконтроллеров ARM, по продуктам
      • 80-120 контактов
      • Менее 80 контактов
      • Более 120 контактов
    • Рынок микроконтроллеров ARM, по заявкам
      • Автомобильная промышленность
      • Промышленное
      • Потребитель
      • Связь
      • Медицинский
      • Другие приложения
    • Рынок микроконтроллеров ARM по географическому признаку
      • Северная Америка
      • Европа
        • Германия
        • Франция
        • U.K
        • Остальная Европа
      • Азиатско-Тихоокеанский регион
        • Китай
        • Япония
        • Индия
        • Остальная часть Азиатско-Тихоокеанского региона
      • ROW
        • Ближний Восток и Африка
        • Латинская Америка

    Просмотрите соответствующие отчеты:

    Рынок силовых транзисторов По типу (биполярный переходной транзистор, полевой транзистор), по продукту (низковольтные полевые транзисторы, модуль IGBT, ВЧ- и СВЧ-питание), по отраслям по вертикали ( Производство, бытовая электроника, коммуникационные технологии), по географическому признаку, прогноз, 2021-2028 гг.

    Рынок микропроцессоров По технологиям (RISC, ASIC, DSP, CISC), по приложениям (смартфон, персональный компьютер, сервер, планшеты), по географии , Прогноз, 2021-2028

    Рынок микроконтроллеров По продуктам (8-бит, 16-бит, 32-бит), по приложениям (автомобили, связь, здравоохранение), по географии, прогноз, 2021-2028

    Мощность Рынок транзисторов По типу (биполярный переходной транзистор, полевой транзистор), по продукту (низковольтные полевые транзисторы, модуль IGBT, ВЧ- и микроволновая энергия), по отраслям вертикали (производство, бытовая электроника, техника связи ology), по географии, прогнозу, 2021-2028

    10 ведущих компаний, занимающихся периферийными вычислениями — это наша платформа с поддержкой BI для повествования об этом рынке.VMI предлагает подробные прогнозируемые тенденции и точную аналитическую информацию о более чем 20 000 развивающихся и нишевых рынков, помогая вам принимать важные решения, влияющие на доход, для обеспечения блестящего будущего.

    VMI обеспечивает целостный обзор и глобальную конкурентную среду в отношении региона, страны и сегмента, а также ключевых игроков вашего рынка. Представьте свой рыночный отчет и выводы с помощью встроенной функции презентации, сэкономив более 70% вашего времени и ресурсов для презентаций для инвесторов, отдела продаж и маркетинга, НИОКР и разработки продуктов.VMI обеспечивает доставку данных в форматах Excel и интерактивных PDF с более чем 15+ ключевыми рыночными индикаторами для вашего рынка.

    О нас

    Verified Market Research — ведущая международная исследовательская и консалтинговая компания, обслуживающая более 5000 клиентов. Verified Market Research предоставляет передовые аналитические решения, предлагая исследования, обогащенные информацией. Мы предлагаем информацию о стратегическом анализе и анализе роста, данные, необходимые для достижения корпоративных целей, и важные решения по доходам.

    250 наших аналитиков и специалистов малого и среднего бизнеса предлагают высокий уровень знаний в области сбора данных и управления, используют промышленные методы для сбора и анализа данных на более чем 15 000 важных и нишевых рынках. Наши аналитики обучены сочетать современные методы сбора данных, передовую методологию исследований, знания и многолетний коллективный опыт для проведения информативных и точных исследований.

    Мы изучаем 14+ категорий из полупроводников и электроники, химии, передовых материалов, аэрокосмической и оборонной промышленности, энергетики и энергетики, здравоохранения, фармацевтики, автомобилестроения и транспорта, информационных и коммуникационных технологий, программного обеспечения и услуг, информационной безопасности, горнодобывающей промышленности, полезных ископаемых и металлов. , Строительство, Сельское хозяйство и Медицинское оборудование из более чем 100 стран мира.


     г-н Эдвин Фернандес
                      Проверенные маркетинговые исследования®
                      США: +1 (650) -781-4080
                      Великобритания: +44 (753) -715-0008
                      Азиатско-Тихоокеанский регион: +61 (488) -85-9400
                      Бесплатный звонок в США: +1 (800) -782-1768
                      Эл. Почта: [email protected]
                      Веб: https://www.verifiedmarketresearch.com/
                      Платформа с поддержкой BI: https://www.verifiedmarketresearch.com/vmintelligence/
                      Следуйте за нами: LinkedIn | Twitter 

    Вы только что прочитали:

    Новости предоставлены

    15 ноября 2021 г., 15:15 мск

    Приоритет
    EIN Presswire — прозрачность источника.Мы не допускаем непрозрачных клиентов, и наши редакторы стараются избегать ложных и вводящих в заблуждение материалов. Если вы, как пользователь, заметили что-то, что мы упустили, сообщите нам об этом. Ваша помощь приветствуется. EIN Presswire, Все новости Интернета Presswire ™, пытается определить некоторые разумные границы в сегодняшнем мире. Пожалуйста, посмотрите наш Редакционные правила для дополнительной информации.

    Отправьте свой пресс-релиз

    BST72A, BST72A pdf 中文 资料, BST72A 图, BST72A 电路 -Datasheet- 子 工程 世界

    BST72A

    N-канальный полевой транзистор с улучшенным режимом работы

    Ред.03 — 25 июля 2000 г. Спецификация продукта

    1. Описание

    N-канальный полевой транзистор с улучшенным режимом работы в пластиковом корпусе с использованием технологии

    TrenchMOS ™ 1.

    Наличие продукта:

    BST72A в SOT54 (вариант TO-92).

    2. Характеристики

    s Технология TrenchMOS ™

    s Очень быстрое переключение

    s Совместимость с логическим уровнем.

    3. Приложения

    s Драйвер реле

    s Драйвер высокоскоростной линии

    s Преобразователь логического уровня.

    c

    c

    4. Информация о закреплении

    Таблица 1: Закрепление — SOT54, упрощенный контур и символ

    Описание контакта Упрощенный контур Обозначение

    1 источник (и)

    2 затвора (g) d

    3 сток (г)

    г

    03ab40

    3 21 03ab30

    с

    SOT54 (вариант TO-92) N-канальный полевой МОП-транзистор

    1.TrenchMOS — торговая марка Royal Philips Electronics.
    Philips Semiconductors BST72A

    N-канальный полевой транзистор с режимом расширения

    5. Краткие справочные данные

    Таблица 2: Краткие справочные данные

    Символ Параметр Условия Тип Макс Единица

    Напряжение сток-исток VDS (постоянный ток) Tj = От 25 до 150 ° C — 100 В

    ID ток стока (постоянный ток) Tamb = 25 ° C; VGS = 5 В — 190 мА

    Pобщ. Рассеиваемая мощность Tamb = 25 ° C — 0.83 Вт

    Температура перехода Tj — 150 ° C

    RDSon Сопротивление в открытом состоянии сток-исток VGS = 5 В; ID = 150 мА 5 10 Ом

    6. Предельные значения

    Таблица 3: Предельные значения

    В соответствии с Системой абсолютных максимальных номиналов (IEC 60134).

    Символ Параметр Условия Мин. Макс Единица

    Напряжение сток-исток VDS (пост. Ток) Tj = от 25 до 150 ° C — 100 В

    Напряжение сток-затвор VDGR (пост. Ток) Tj = от 25 до 150 ° C; RGS = 20 кОм — 100 В

    Напряжение затвор-исток VGS (пост. Ток) — ± 20 В

    ID ток стока (пост. Ток) Tamb = 25 ° C; ВГС = 5 В; — 190 мА

    Рисунки 2 и 3

    Tокр. = 100 ° C; ВГС = 5 В; Рисунок 2 — 120 мА

    IDM пиковый ток стока Tamb = 25 ° C; импульсный; tp ≤ 10 мкс; — 0.8 A

    Рисунок 3

    Ptot общая рассеиваемая мощность Tamb = 25 ° C; Рисунок 1 — 0,83 Вт

    Температура хранения Tstg −65 +150 ° C

    Рабочая температура перехода Tj −65 +150 ° C

    Диод исток-сток

    Источник искробезопасного тока (прямой диод) (постоянный ток) Tamb = 25 ° C — 190 мА

    Пиковый ток источника ISM (прямой диод) Tamb = 25 ° C; импульсный; tp ≤ 10 мкс — 0.8 A

    9397 750 07296 © Philips Electronics N.V. 2000. Все права защищены.

    Спецификация продукта Ред. 03 — 25 июля 2000 г. 2 из 13
    Philips Semiconductors BST72A

    N-канальный полевой транзистор с режимом улучшения

    120 03aa11 03aa19

    120

    Pder 100 Ider 100

    (%) (%)

    80 80

    60 60

    40 40

    20 20

    0 0

    0 25 50 75100125150175 0 25 50 75100125150175

    Tamb (oC) Tamb (oC)

    ——- P —- t — o — t ——- × 100% VGS ≥ 5 В

    Pder = P -I —— I — D ——— × 100%

    tot (25 ° C) Ider =

    D (25 ° C)

    Рис 1.Нормализованная общая рассеиваемая мощность представлена ​​на рис. 2. Нормализованный непрерывный ток стока как функция

    от температуры окружающей среды. функция температуры окружающей среды.

    03aa62

    1

    RDSon = VDS / ID tp = 10 мкс

    ID

    (A) 100 мкс

    1 мс

    10-1 10 мс

    100 мс

    D.C.

    10-2 P δ = tp

    T

    tp t Ta = 25oC

    T

    10-3

    1 10 102 VDS (V) 103

    Tокр = 25 ° C; IDM — одиночный импульс.

    Рис 3. Зона безопасной работы; непрерывный и пиковый токи стока в зависимости от напряжения сток-исток.

    9397 750 07296 © Philips Electronics N.V. 2000. Все права защищены.

    Спецификация продукта Ред.03 — 25 июля 2000 г. 3 из 13
    Philips Semiconductors BST72A

    N-канальный полевой транзистор с режимом усиления

    7. Тепловые характеристики

    Таблица 4: Тепловые характеристики

    Символ Параметр Условия Значение Единица

    Rth (ja) термический сопротивление от стыка к окружающей вертикали в неподвижном воздухе; провод 150 K / W

    длина ≤ 5 мм; Рисунок 4

    7.1 Переходное тепловое сопротивление

    103 03aa59

    Zth (j-a)

    (К / Вт)

    102 δ = 0,5

    0,2 ​​

    0.1

    10 0,05

    0,02 P δ = tp

    T

    1 одиночный импульс

    tp t

    T

    10-1

    10-5 10-4 10-3 10-2 10-1 1 10 102

    тп (с)

    Вертикально в неподвижном воздухе.

    Рис. 4. Переходное тепловое сопротивление от перехода к окружающей среде как функция длительности импульса

    .

    9397 750 07296 © Philips Electronics N.V. 2000. Все права защищены.

    Спецификация продукта Ред. 03 — 25 июля 2000 г. 4 из 13
    Philips Semiconductors BST72A

    N-канальный полевой транзистор с улучшенным режимом работы

    8.Характеристики

    Таблица 5: Характеристики

    Tj = 25 ° C, если не указано иное

    Символ Параметр Условия Мин. Тип Макс. VGS = 0 В

    напряжение Tj = 25 ° C 100130 — В

    Tj = −55 ° C 89 — — В

    VGS (th) пороговое напряжение затвор-исток ID = 1 мА; VDS = VGS;

    Рисунок 9

    Tj = 25 ° C 1 2 — V

    Tj = 150 ° C 0.6 — — В

    Tj = −55 ° C — — 3,5 В

    Ток утечки сток-исток IDSS VDS = 60 В; VGS = 0 В

    Tj = 25 ° C — 0,01 1,0 мкА

    Tj = 150 ° C — — 10 мкА

    Ток утечки затвор-исток IGSS VGS = ± 20 В; VDS = 0 В — 10 100 нА

    RDSon сток-исток в открытом состоянии VGS = 5 В; ID = 150 мА;

    сопротивление Рисунок 7 и 8

    Tj = 25 ° C — 5 10 Ом

    Tj = 150 ° C — — 23 Ом

    Динамические характеристики

    gfs прямая крутизна VDS = 5 В; ID = 175 мА; — 350 — мСм

    Рисунок 11

    Входная емкость Ciss VGS = 0 В; VDS = 10 В; — 25 40 пФ

    Coss выходная емкость f = 1 МГц; Рисунок 12-8.5 15 пФ

    Crss обратная емкость — 5 10 пФ

    тонна Время включения VDD = 50 В; RD = 250 Ом; — 3 10 нс

    время выключения до выключения VGS = 10 В; RG = 50 Ом; — 12 15 нс

    RGS = 50 Ом

    Диод исток-сток

    VSD исток-сток (диод вперед) IS = 300 мА; VGS = 0 В; — 0.95 1,5 В

    напряжение Рисунок 13

    trr Время обратного восстановления IS = 300 мА; — 30 — нс

    Qr восстановленный заряд dIS / dt = −100 А / мкс; — 30 — нКл

    ВГС = 0 В; VDS = 25 В

    9397 750 07296 © Philips Electronics N.V. 2000. Все права защищены.

    Спецификация продукта Ред. 03 — 25 июля 2000 г. 5 из 13
    Philips Semiconductors BST72A

    N-канальный полевой транзистор с улучшенным режимом работы

    03aa63 03aa65

    0.5 0,7

    ID 0,45 Tj = 25oC VGS = 10V ID VDS> ID X RDSon

    (A) (A) 0,6

    0,4 5V

    0.35 0,5

    0,3 0,4 Tj = 25oC

    0,25 4V 150oC

    0.2 0,3

    3,5 В

    0,15 0,2

    0,1

    3 В 0.1

    0,05

    0 0

    0 0,2 0,4 0,6 0,8 1 1,2 1,4 1,6 1,8 2 0 1 2 3 4 5 6 7 8

    VDS (V) VGS (V)

    Tj = 25 ° C Tj = 25 ° С и 150 ° С; VDS> ID × RDSon

    Рис 5.Выходные характеристики: ток стока как Рис. 6. Передаточные характеристики: ток стока как функция

    напряжения сток-исток; типовые значения. функция напряжения затвор-исток; типовые значения.

    03aa64 03aa29

    12 3

    3 В 3.5V Tj = 25oC a 2,8

    RDSon 11 2,6

    (Ом) 10

    2,4

    9 4 В 2.2

    8 2

    7 1,8

    1,6

    6 5 В 1.4

    5 1,2

    4 1

    VGS = 10 В 0,8

    3 0.6

    2 0,4

    1 0,2

    0 0

    0 0,1 0,2 0.3 0,4 0,5 -60-20 20 60100140180

    ID (A) Tj (oC)

    Tj = 25 ° C ——- R —- D —- S — o — n ——-

    a = RDS вкл. (25 ° C)

    Рис.7.Зависимость сопротивления сток-исток в открытом состоянии Рис. 8. Нормированное сопротивление сток-исток в открытом состоянии

    тока стока; типовые значения. фактор как функция температуры перехода.

    9397 750 07296 © Philips Electronics N.V. 2000. Все права защищены.

    Спецификация продукта Ред. 03 — 25 июля 2000 г. 6 из 13
    Philips Semiconductors BST72A

    Полевой транзистор с N-канальным режимом расширения

    3 03aa34 03aa37

    10-1

    VGS (th) ID

    VGS (th)

    ) 2.5 (A)

    10-2

    2 тип

    10-3 мин тип

    1,5

    мин 10-4

    1

    0.5 10-5

    0 10-6

    -60-20 20 60100140180 0 0,5 1 1,5 2 2,5 3
    Tj (oC)
    VGS (В)

    ID = 1 мА; VDS = VGS Tj = 25 ° C; VDS = 5 В

    Рис 9.Зависимость порогового напряжения затвор-исток на рис. 10. Допороговый ток стока как функция температуры перехода

    . напряжение затвор-исток.

    03aa66

    0,5 102 03aa68

    gfs
    (S) 0.45
    VDS> ID X RDSon
    Ciss, Coss,
    0,4 Tj = 25oC
    Crss (пФ)
    Ciss
    0.35

    0,3

    0,25 150oC 10

    0,2 ​​Coss

    0,15

    0,1

    0,05

    0 Crss

    0 0.1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 1

    10-1 1 10 102

    ID (A) VDS (V)

    Tj = 25 ° C и 150 ° C; VDS> ID × RDSon VGS = 0 В; f = 1 МГц

    Рис.11.Прямая крутизна как функция, показанная на рис. 12. Входная, выходная и обратная передаточные емкости

    ток стока; типовые значения. как функция напряжения сток-исток; типовые значения

    .

    9397 750 07296 © Philips Electronics N.V. 2000. Все права защищены.

    Спецификация продукта Ред. 03 — 25 июля 2000 г. 7 из 13
    Philips Semiconductors BST72A

    N-канальный полевой транзистор с улучшенным режимом работы

    03aa67

    IS 1

    (A) 0.9 VGS = 0V

    0,8

    0,7

    0,6 150oC

    0,5

    0,4 Tj = 25oC

    0,3

    0.2

    0,1

    0

    0 0,2 0,4 0,6 0,8 1 1,2 1,4

    VSD (V)

    Tj = 25 ° C и 150 ° C; VGS = 0 В

    Рис. 13. Зависимость тока источника (прямой диод) от напряжения исток-сток (прямой диод)

    ; типовые значения.

    9397 750 07296 © Philips Electronics N.V. 2000. Все права защищены.

    Спецификация продукта Ред. 03 — 25 июля 2000 г. 8 из 13
    Philips Semiconductors BST72A

    N-канальный полевой транзистор с улучшенным режимом работы

    9.Конструкция упаковки

    Пластиковая односторонняя выводная (сквозная) упаковка; 3 отведения SOT54

    c

    E

    d A L

    b

    1

    2 e1

    D e

    3

    b1 L1

    0 2.5 5 мм

    шкала

    РАЗМЕРЫ (мм — исходные размеры)

    ЕДИНИЦА A b b1 c D d E e e1 L L1 (1)

    мм 5,2 0,48 0,66 0,45 4,8 1,7 4,2 2,54 1,27 14,5 2,5

    5,0 0,40 0,56 0,40 4,4 1.4 3,6 12,7

    Примечание

    1. Размеры клемм в этой зоне не контролируются, чтобы учесть поток пластика и неровности клемм.

    ОБЩИЕ ССЫЛКИ ЕВРОПЕЙСКИЙ

    ВЕРСИЯ ПРОЕКТ ДАТА ВЫПУСКА

    IEC JEDEC EIAJ

    SOT54 TO-92 SC-43 97-02-28

    Рис.14.СОТ54 (вариант ТО-92).

    9397 750 07296 © Philips Electronics N.V. 2000. Все права защищены.

    Спецификация продукта Ред. 03 — 25 июля 2000 г. 9 из 13
    Philips Semiconductors BST72A

    N-канальный полевой транзистор с улучшенным режимом работы

    10.История изменений

    Таблица 6: История изменений

    Дата редакции CPCN Описание

    03 20000725 HZG330 Спецификация продукта; третья версия; заменяет BST72A_CNV_2 из 970623.

    Преобразовано из технологии VDMOS (Неймеген) в технологию TrenchMOS ™ (Hazel Grove).

    02 19970623 — Спецификация продукции; вторая версия.

    01 19

    1 — Спецификация продукции; Первоначальная версия.

    9397 750 07296 © Philips Electronics N.V. 2000. Все права защищены.

    Спецификация продукта Ред. 03 — 25 июля 2000 г. 10 из 13
    Philips Semiconductors BST72A

    N-канальный полевой транзистор с улучшенным режимом работы

    11.Статус таблицы данных

    Статус таблицы данных Статус продукта Определение [1]

    Спецификация цели Разработка Этот лист данных содержит проектную цель или целевые спецификации для разработки продукта. Спецификации

    могут быть изменены без предварительного уведомления.

    Предварительные технические характеристики Квалификация Этот лист данных содержит предварительные данные, дополнительные данные будут опубликованы позже.Philips

    Semiconductors оставляет за собой право вносить изменения в любое время без предварительного уведомления, чтобы улучшить конструкцию, и

    поставляет продукцию наилучшего качества.

    Технические характеристики продукта Производство В этом техническом паспорте содержатся окончательные технические характеристики. Philips Semiconductors оставляет за собой право вносить изменения в любое время

    без предварительного уведомления, чтобы улучшить конструкцию и предоставить продукт наилучшего качества.

    [1] Пожалуйста, сверьтесь с последней выпущенной таблицей данных перед тем, как начинать или завершать проектирование.

    12. Определения 13. Заявление об ограничении ответственности

    Краткая спецификация — Данные в краткой спецификации относятся к жизнеобеспечению — Эти продукты не предназначены для использования в жизнеобеспечении.

    извлечены из полной спецификации с тем же номером типа. и титул.Для приборов, устройств или систем, где неисправность этих продуктов может

    , подробную информацию см. В соответствующем техническом паспорте или справочнике. разумно ожидать, что это может привести к травмам. Philips Semiconductors

    Определение предельных значений — Приведенные предельные значения соответствуют потребностям клиентов, использующих или продающих эти продукты для использования в таких приложениях.

    Абсолютная максимальная рейтинговая система (IEC 60134).Напряжение выше одного или на свой страх и риск и согласие на полную компенсацию Philips Semiconductors за любые

    дополнительных предельных значений может привести к необратимому повреждению устройства. убытки, возникшие в результате такого применения.

    Это только номинальные нагрузки и работа устройства при этих или любых других условиях. Право на внесение изменений — Philips Semiconductors оставляет за собой право

    других условий, помимо тех, которые указаны в разделах «Характеристики», вносить изменения в продукты без предварительного уведомления. , включая схемы, стандарт

    спецификация не подразумевается.Воздействие предельных значений для ячеек с длительными периодами и / или программного обеспечения, описанного или содержащегося в данном документе, с целью улучшения

    , может повлиять на надежность устройства. дизайн и / или исполнение. Philips Semiconductors не принимает на себя

    Информация о приложениях — Приложения, описанные в данном документе, в отношении какой-либо ответственности или обязательств по использованию любых из этих продуктов, не передает

    этих продуктов только для иллюстративных целей.Лицензия или право собственности Philips Semiconductors в соответствии с любым патентом, авторским правом или правом маскировки на эти

    не делает никаких заявлений и не дает никаких гарантий, что такие приложения будут подходить для продуктов, и не делает никаких заявлений или гарантий, что эти продукты

    будут использоваться по назначению без дальнейшего тестирования. или модификация. свободны от патентов, авторских прав или нарушений прав на работу, если не указано иное.

    9397 750 07296 © Philips Electronics N.V.2000 Все права защищены.

    Спецификация продукта Ред. 03 — 25 июля 2000 г. 11 из 13
    Philips Semiconductors BST72A

    N-канальный полевой транзистор с улучшенным режимом

    Philips Semiconductors — всемирная компания

    Аргентина: см. Южная Америка Нидерланды: тел.+31 40 278 2785, факс. +31 40 278 8399

    Австралия: тел. +61 2 9704 8141, факс. +61 2 9704 8139 Новая Зеландия: тел. +64 98 49 4160, факс. +64 98 49 7811

    Австрия: тел. +43160101, факс. +43 160 101 1210 Норвегия: тел. +47 22 74 8000, факс. +47 22 74 8341

    Беларусь: Тел. +375 17 220 0733, факс. +375 17 220 0773 Филиппины: тел. +63 28 16 6380, факс. +63 28 17 3474

    Бельгия: см. Нидерланды Польша: тел.+48 22 5710 000, факс. +48 22 5710 001

    Бразилия: см. Южная Америка Португалия: см. Испания

    Болгария: тел. +359 268 9211, факс. +359 268 9102 Румыния: см. Италия

    Канада: тел. +1 800 234 7381 Россия: Тел. +7 095 755 6918, факс. +7 095 755 6919

    Китай / Гонконг: тел. +852 2319 7888, факс. +852 2 319 7700 Сингапур: тел. +65 350 2538, факс. +65 251 6500

    Колумбия: см. Южная Америка Словакия: см. Австрия

    Чехия: см. Австрия Словения: см. Италия

    Дания: тел.+45 3 288 2636, факс. +45 3 157 0044 Южная Африка: тел. +27 11 471 5401, факс. +27 11 471 5398

    Финляндия: тел. +358 961 5800, факс. +358 96 158 0920 Южная Америка: тел. +55 11 821 2333, факс. +55 11 829 1849

    Франция: тел. +33 14 099 6161, факс. +33 14 099 6427 Испания: тел. +34 33 01 6312, факс. +34 33 01 4107

    Германия: тел. +49 40 23 5360, факс. +49 402 353 6300 Швеция: тел. +46 86 32 2000, факс. +46 86 32 2745

    Венгрия: см. Австрия Швейцария: тел.+41 14 88 2686, факс. +41 14 81 7730

    Индия: тел. +91 22 493 8541, факс. +91 22 493 8722 Тайвань: тел. +886 22 134 2451, факс. +886 22 134 2874

    Индонезия: см. Сингапур Таиланд: тел. +66 23 61 7910, факс. +66 23 98 3447

    Ирландия: тел. +353 17 64 0000, факс. +353 17 64 0200 Турция: тел. +90 216 522 1500, факс. +90 216 522 1813

    Израиль: тел. +972 36 45 0444, факс. +972 36 49 1007 Украина: Тел.+380 44 264 2776, факс. +380 44 268 0461

    Италия: тел. +39039 203 6838, факс +39039 203 6800 Великобритания: тел. +44 208 730 5000, факс. +44 208 754 8421

    Япония: тел. +81 33 740 5130, факс. +81 3 3740 5057 США: тел. +1 800 234 7381

    Корея: тел. +82 27 09 1412, факс. +82 27 09 1415 Уругвай: см. Южная Америка

    Малайзия: тел. +60 37 50 5214, факс. +60 37 57 4880 Вьетнам: см. Сингапур

    Мексика: тел.+ 9-5 800 234 7381 Югославия: тел. +381 11 3341 299, факс. +381 11 3342 553

    Ближний Восток: см. Италия

    Для всех других стран обращайтесь по адресу: Philips Semiconductors, Интернет: http://www.semiconductors.philips.com

    Marketing Communications,

    Building BE, P.O. Box 218, 5600 MD EINDHOVEN,

    The Netherlands, Fax. +31 40 272 4825 (SCA70)

    9397 750 07296 © Philips Electronics N.V. 2000. Все права защищены.

    Спецификация продукта Ред. 03 — 25 июля 2000 г. 12 из 13
    Philips Semiconductors BST72A

    N-канальный полевой транзистор с улучшенным режимом работы

    Содержание

    1 Описание.. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1

    2 Функции. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1

    3 Приложения. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1

    4 Информация о закреплении. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1

    5 Краткие справочные данные.. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2

    6 Предельные значения. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2

    7 Тепловые характеристики. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4

    7.1 Переходное тепловое сопротивление. . . . . . . . . . . . . . 4

    8 Характеристики.. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5

    9 Описание упаковки. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9

    10 История изменений. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10

    11 Состояние таблицы данных. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11

    12 Определения.. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11

    13 Заявление об отказе от ответственности. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11

    © Philips Electronics N.V. 2000. Напечатано в Нидерландах.

    Все права защищены. Полное или частичное воспроизведение запрещено без предварительного письменного согласия владельца авторских прав.

    Информация, представленная в этом документе, не является частью какого-либо коммерческого предложения или контракта

    , считается точной и надежной и может быть изменена без предварительного уведомления.№

    Издатель не несет ответственности за любые последствия его использования. Публикация

    не передает и не подразумевает никаких лицензий по патентам или другим промышленным правам или правам интеллектуальной собственности

    .

    Добавить комментарий

    Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *