Транзисторы 2SD2499(D2499) и STS9014 (S9014)
Транзисторы STS9014 (S9014)
Транзисторы STS9014 (S9014) — высокочастотные кремниевые n-p-n средней мощности.
Корпус пластиковый TO-92, у транзисторов S9014L, S9014H — SOT-23.
Маркировка у транзисторов с корпусом TO-92 буквенно — цифровая (S9014), у транзисторов с корпусом SOT-23 — код J6 сверху .
На рисунке ниже — цоколевка STS9014 (S9014), S9014L, S9014H.
Наиболее важные параметры.
Уровень собственных шумов на частоте 1КГц — не более 10дб.
Коэффициент передачи тока:
У транзисторов S9014 — от 100 до 1000 .
У транзисторов S9014 — от 200 до 450 .
У транзисторов S9014 — от 450 до 1000 .
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер:
У транзисторов S9014 — 50в.
У транзисторов S9014L, S9014H — 45в.
Максимальный постоянный ток коллектора:
У транзисторов S9014 — 150 мА.
У транзисторов S9014L, S9014H — 0,1A.
Рассеиваемая мощность коллектора:
У транзисторов S9014 — 625 мВт.
Граничная частота передачи тока:
У транзисторов S9014 — 60 МГц.
У транзисторов S9014L, S9014H — 150 мВт.
Емкость коллекторного перехода на частоте 1Мгц, при напряжении коллектор-база 10 в — не более 3,5 пФ.
Обратный ток колектора при напряжении коллектор-база 50 в — не более 50 мкА.
Транзистор комплементарный STS9014 — STS9015.
На главную страницу
характеристики, аналог и datasheet на 2SD2499
Если посмотреть в технические характеристики транзистор D2499 (2SD2499) которые указаны в datasheet, можно сказать с уверенностью что он является высоковольтным, быстродействующим n-p-n устройством. Также имеет встроенный демпферный диод. Используется в основном в цепях строчной развёртки цветных телевизоров и мониторов.
Распиновка
Цоколевка 2499 выполнена пластиковом корпусе в котором он выпускается. Расположение выводов, если смотреть на транзистор сверху, прямо на маркировку, будет такое:
- слева находится база;
- посередине коллектор;
- справа эмиттер.
Обычно маркировка на него наносится в сокращённом виде, без двух первых символов – D2499.
Технические характеристики
Предельно допустимые характеристики 2SD2499 это то, на что стоит в первую очередь обратить внимание при выборе транзистора для замены или для своих радиосхем. Их превышение, так же как и длительная эксплуатация на максимальных рабочих режимах может привести к поломке транзистора.
Приведём их ниже:
- Предельно допустимая разность потенциалов между К-Б VCBO (Uкб max) = 1500 В;
- Максимально возможное напряжение действующее между К-Э VCEO (Uкэ max) = 600 В;
- Наибольшая разность потенциалов между Э-б VEBO (Uэб max) = 5 В;
- Предельно допустимый ток коллектора, действующий длительное время IC (Iк max) = 6 А;
- Максимально возможный кратковременный ток через коллектор ICP (Iк пик) = 12 А;
- Наибольший постоянный ток через базу IВ (IБ max) = 3 А;
- Предельно допустимая рассеиваемая мощность на коллекторе (при температуре окружающей среды +25
- Диапазон рабочих температур Tstg = -55 … 150ОС;
- Предельная температура кристалла Tj = 150ОС.
Помимо приведённых выше параметров, при выборе устройства следует также обращать внимание на электрические характеристики. Ниже приведена таблица с их значениями, протестированными при температуре +25ОС. Остальные условия, важные для проведения тестирования находятся к колонке «Режимы измерения».
Параметры | Режимы измерения | Обозн. | min | typ | max | Ед. изм |
Обратный ток, текущий через коллектор | VCВ= 1500В, IЕ = 0 | ICВO | 1 | мА | ||
Обратный ток, текущий через эмиттер | VEB = 5В, IC = 0 | IEBO | 67 | 200 | мА | |
Пробивное напряжение между эмиттером и базой | IE= 400 мA, IC= 0 | VEBO | 5 | В | ||
Статический к-т передачи тока | VCE=5 В,I VCE=5 В, IC=1 A | hFE1 hFE2 | 8 5 |
| 25 9 | |
Напряжение насыщения перехода К-Э | IC= 4 A, IB = 0,8 A | V CE(sat) | 5 | В | ||
Напряжение насыщения перехода Б-Э | IC= 4 A, IB = 0,8 A | V ВE(sat) | 1,05 | 1,3 | В | |
Прямое напряжение на демпферном диоде | IF= 6 A | VF | 1,6 | 2,0 | В | |
VCB=10V,f=1. 0MHz, IE=0 | Cob | 95 | пФ |
Рассмотрим график зависимости к-та передачи тока от тока коллектора. На рисунке представлено три кривые, в зависимости от температуры воздуха (-25 ОС, +25 ОС, +100 ОС). Из приведённых данных видно, что усиление транзистора 2SD2499 сначала растёт, пока значение величины ток коллектора не превысит отметку 1 А, а потом начинает падать.
Аналоги
Подобрать аналоги для транзистора D2499 можно из следующих моделей: BU4508DZ, BU508DXI, BUH515DX1, BUH515FP. Кроме этого в качестве замены также можно использовать: 2SC5250, 2SC5251, 2SC5252. В любом случае перед заменой следует ознакомиться с техническими характеристиками обеих устройств и только после этого принимать решение о замене.
Производители
Скачать datashee на 2499 можно кликнув на название компании. Он был разработан, и впервые изготовлен компанией Toshiba Semiconductor. Сейчас его производят такие компании: Wing Shing Computer Components, Inchange Semiconductor Company, Savantic, Tiger Electronic, Shenzhen SPTECH Microelectronics. Чаше всего в продаже можно встретить транзистор произведённый Toshiba Semiconductor. Встречаются также изделия Китайского производителя Shenzhen SPTECH Microelectronics. И достаточно редко можно встретить продукцию Гонконгской фирмы Wing Shing Computer Components.
транзистор d2499
6822 транзистор
Транзисторнасыщение транзистора
(отвключение транзисторов
англ.простые схемы на транзисторах
transferp канальный транзистор
—маркировка транзисторов
переносить и resistanceтранзистор цена
—s8050 транзистор
сопротивлениетранзистор npn
илиизготовление транзисторов
transconductance315 транзистор
—транзисторы tip
активная315 транзистор
межэлектроднаятранзистор 9014
проводимостьрадио транзистор
и315 транзистор
varistorполевой транзистор цоколевка
—расчет радиатора для транзистора
переменное сопротивление)транзистор кт819
— электронныйкак проверить транзистор мультиметром
прибор изподключение транзистора
полупроводниковогополевой транзистор характеристики
материала,эмиттер транзистора
обычнополевой транзистор
сусилитель на транзисторах
тремяполевые транзисторы параметры
выводами,стабилизатор напряжения на транзисторе
позволяющийстабилизатор тока на полевом транзисторе
входнымсхема включения полевого транзистора
сигналам управлятьполевой транзистор управление
током всовременные транзисторы
электрическойцоколевка импортных транзисторов
цепи. Обычноключ полевой транзистор
используется13001 транзистор
дляc945 транзистор
усиления,насыщение транзистора
генерированиякак проверить транзистор мультиметром
иmosfet транзисторы
преобразования электрическихдиоды транзисторы
сигналов.транзистор d2499
Управление
ножки транзистора
током в выходнойn p n транзистор
цепитранзистор 2т
осуществляется за счётвах транзистора
изменениятранзистор процессор
входногоуправление полевым транзистором
напряжениябиполярный транзистор
илитранзистор светодиод
тока. Небольшое13003 транзистор
изменениемаркировка импортных транзисторов
входныхподбор транзистора
величинвключение полевого транзистора
можеттранзисторы микросхемы
приводитьфото транзисторов
кстабилизатор на полевом транзисторе
существенносхема включения полевого транзистора
большемутранзисторы турута
изменениюсовременные транзисторы
выходного напряжениятранзистор d1555
иунч на полевых транзисторах
тока.высокочастотные транзисторы
Этотранзистор кт315
усилительноетранзистор цена
свойство транзисторовdatasheet транзистор
используетсяключ полевой транзистор
втранзисторы tip
аналоговойкак проверить полевой транзистор
техникетехнические характеристики транзисторов
(аналоговыераспиновка транзисторов
ТВ, радио,тесла на транзисторах
связьсхема транзистора
и т.как проверить транзистор
транзистор d2499
транзистор кт3102
Вумзч на транзисторах
настоящеепараметры полевых транзисторов
времямдп транзистор
включ на биполярном транзисторе
аналоговойтранзистор кт315
техникемощные транзисторы
доминируют3205 транзистор
биполярные транзисторыизготовление транзисторов
(БТ) (международныйзавод транзистор
терминтранзисторы bu
—транзистор сгорел
BJT,скачать транзисторы
bipolarкмоп транзистор
junctionтипы транзисторов
transistor).коллектор транзистора
Другойтранзистор d2499
важнейшейбиполярные транзисторы справочник
отрасльюнасыщение транзистора
электроникиимпортные транзисторы справочник
являетсятранзистор d882
цифроваятранзисторы кт характеристики
техникатранзистор светодиод
(логика,зарубежные транзисторы скачать
память,d209l транзистор
процессоры,включение транзисторов
компьютеры,усилитель на транзисторах
цифроваяинтегральный транзистор
связькак проверить транзистор
изарубежные транзисторы и их аналоги
т. п.),испытатель транзисторов
где,коллектор транзистора
напротив, биполярныескачать транзисторы
транзисторынасыщение транзистора
почтипринцип работы полевого транзистора
полностьютранзистор 3102
вытесненытипы корпусов транзисторов
полевыми.транзистор d2499
импульсный транзистор
Всяработа биполярного транзистора
современнаятранзисторы большой мощности
цифроваянайти транзистор
техника построена,полевой транзистор схема
включ на полевом транзисторе
основном,строчные транзисторы
наунч на транзисторах
полевыхрасчет радиатора для транзистора
МОПтранзисторы справочник
(металл-оксид-полупроводник)-транзисторахкодовая маркировка транзисторов
(МОПТ),ножки транзистора
как более экономичных, по13003 транзистор
сравнениюунч на полевых транзисторах
с БТ, элементах. Иногдаусилитель на полевых транзисторах
ихприбор для проверки транзисторов
называюттранзистор 8050
МДПкупить транзисторы
(металл-диэлектрик-полупроводник)-мдп транзистор
транзисторы.цоколевка импортных транзисторов
Международныйусилитель мощности на транзисторах
терминмаркировка полевого транзистора
—стабилизаторы на полевых транзисторах
MOSFET (metal-oxide-semiconductorтранзистор d882
fieldприменение транзисторов
effect transistor).полевой транзистор принцип работы
Транзисторыпростой усилитель на транзисторах
изготавливаютсясхема унч на транзисторах
врасчет радиатора для транзистора
рамках интегральнойсхема ключа на транзисторе
технологии науправление полевым транзистором
одномтранзисторы продам
кремниевомрадиоприемник на транзисторах
кристаллетранзистор 3102
(чипе)igbt транзисторы
итранзисторы отечественные
составляюткорпуса транзисторов
элементарныйцоколевка транзисторов
«кирпичик»d880 транзистор
для построенияmosfet транзисторы
микросхеманалоги отечественных транзисторов
логики,полевой транзистор цоколевка
памяти, процессора иs8050 транзистор
т.радиоприемник на транзисторах
п.полевой транзистор справочник
Размеры современных3205 транзистор
МОПТ составляютсхема ключа на транзисторе
отдрайвер транзистора
90транзистор с общим эмиттером
докак проверить полевые транзисторы
32устройства на полевых транзисторах
нм[источниккорпуса транзисторов
неmosfet транзисторы
указанкак проверить транзистор
134принцип транзистора
дня].принцип действия транзистора
Намаркировка smd транзисторов
одном13001 транзистор
современном чипетранзистор npn
(обычнотранзисторы резисторы
размеромтранзисторы bu
1—2диоды транзисторы
см?)включение полевых транзисторов
размещаются13009 транзистор
несколькополевой транзистор параметры
(покатранзистор сгорел
единицы) миллиардовмаркировка полевых транзисторов
МОПТ.транзистор 8050
Наприбор для проверки транзисторов
протяжениизарубежные транзисторы скачать
60устройство транзистора
леткоды транзисторов
происходитаналоги импортных транзисторов
уменьшение размеровтранзистор с общим эмиттером
(миниатюризация) МОПТключи на полевых транзисторах
итранзисторы отечественные
увеличениережимы транзистора
ихключи на полевых транзисторах
количестватранзисторы микросхемы
на одномсхема подключения транзистора
чипекоэффициент усиления транзистора
(степень интеграции),полевой транзистор цоколевка
ввч транзисторы
ближайшиетранзистор s9013
годы ожидаетсясгорает строчный транзистор
дальнейшеестабилизаторы тока на полевых транзисторах
увеличениекак работает транзистор
степенипринцип работы полевого транзистора
интеграцииусилитель мощности на полевых транзисторах
транзисторовмощный полевой транзистор
навключение полевых транзисторов
чипе1 транзистор
(см.транзистор в ключевом режиме
Законполевые транзисторы
Мура).горит строчный транзистор
Уменьшениеимпортные транзисторы справочник
размероввключение полевых транзисторов
МОПТтранзистор в ключевом режиме
приводитрегулятор на полевом транзисторе
такжеполевой транзистор принцип работы
каналоги транзисторов
повышениютранзисторы резисторы
быстродействия13003 транзистор
процессоров.транзистор d2499
типы транзисторов
Первыенайти транзистор
патенты напринцип транзистора
принцип работызарубежные транзисторы
полевыхусилительный каскад на транзисторе
транзисторовтранзисторы tip
былирасчет радиатора для транзистора
зарегистрированыколлектор транзистора
встабилизатор на полевом транзисторе
Германиикак проверить транзистор
в 1928 годугорит строчный транзистор
(втранзисторы большой мощности
Канаде,как работает транзистор
22силовые транзисторы
октябряработа полевого транзистора
1925справочник зарубежных транзисторов скачать
года)структура транзистора
наmosfet транзисторы
имяусилительный каскад на транзисторе
австро-венгерского физика Юлиягенератор на полевом транзисторе
Эдгара Лилиенфельда. [источникполевой транзистор цоколевка
недаташит транзисторы
указанструктура транзистора
107работа полевого транзистора
дней]справочник аналогов транзисторов
Вмаркировка smd транзисторов
1934транзисторы продам
году немецкийтранзистор d2499
физиктранзистор 8050
Оскарподбор транзисторов по параметрам
Хейл запатентовал полевой транзистор. Полевыевысокочастотные транзисторы
транзисторыхарактеристики полевых транзисторов
(всхемы на полевых транзисторах
частности,трансформатор тесла на транзисторе
МОП-транзисторы)усилители на биполярных транзисторах
основаныполевой транзистор
навключение биполярного транзистора
простомцоколевка транзисторов
электростатическом эффектепринцип работы полевого транзистора
поля,чип транзисторы
потранзистор кт315
физикепродажа транзисторы
ониполевой транзистор характеристики
существенноустройства на полевых транзисторах
прощеумзч на транзисторах
биполярныхсхемы на полевых транзисторах
транзисторов,прибор для проверки транзисторов
иc945 транзистор
поэтомусоставной транзистор
они придуманыунч на транзисторах
и запатентованыключ на биполярном транзисторе
задолгооднопереходный транзистор
доусилитель на транзисторах
биполярныхсхемы на полевых транзисторах
транзисторов.ключ на полевом транзисторе
Темсхема унч на транзисторах
не менее,полевой транзистор
первыйгреется строчный транзистор
МОП-транзистор, составляющий основуполевой транзистор параметры
современной компьютернойзарубежные транзисторы и их аналоги
индустрии,тесла на транзисторах
былпланарные транзисторы
изготовлентранзисторы китайские
позже биполярного транзистора,d880 транзистор
вфото транзисторов
1960 году.схема ключа на транзисторе
Толькоуправление полевым транзистором
в 90-хсмд транзисторы
годахсхема унч на транзисторах
XX века13009 транзистор
МОП-технологиякак проверить транзистор
сталатранзисторы philips
доминироватьвзаимозаменяемость транзисторов
биполярной.транзистор d2499
транзистор d2499
S9014 транзистор характеристики и его российские аналоги
Эпитаксиальный биполярный кремниевый транзистор S9014 (или SS9014) по своим характеристикам является высокочастотным, средней мощности, NPN-структуры. Характеризуется большим коэффициентом передачи тока, низким уровнем шумов и хорошей линейностью. В связи с этим, он часто встречаются в радио-приемниках (передатчиках), различных схемах предварительного усиления сигнала.
Распиновка
Полупроводниковый кристалл s9014 размещен в стандартном пластиковом корпусе TO-92 для дырочного монтажа. Существуют также SMD-экземпляры в SOT-23, для поверхностного монтажа. Оба корпуса имеют три контакта и его цоколевка выглядит стандартно для такого типа транзисторов: эмиттер, коллектор, база.
Транзисторы S9014 (A, B, C ,D) выпускаются в корпусе ТО-92, а S9014 (H и L) в корпусе для поверхностного монтажа SOT-23.
Характеристики
У всех устройств серии s9014 одинаковые предельно допустимые режимы эксплуатации и электрические характеристики. Различия есть только в значениях коэффициента усиления по току (HFE). Так же следует обратить внимание на то, что у SMD-транзисторов в корпусе SOT-23 максимальная допустимая рассеиваемая мощность на коллекторе не более 200 мВ (mW), а в остальном предельные характеристики схожи с параметрами устройств в корпусе ТО-92.
Предельно допустимые режимы эксплуатации
Рассмотрим подробнее значения предельно допустимых электрических режимов эксплуатации (при температуре окружающей среды 25°С).
Электрические параметры
Одной из важнейших характеристик для всех высокочастотников является коэффициент шума (FШ), во многом он предопределяет возможность применения транзистора в схемах усиления слабых сигналов. Значение FШ определяется при заданном сопротивлении источника сигнала (Rs) на частоте генерации 1 кГц. У s9014 коэффициент шума, в параметрах большинства производителей, не превышает 10 дБ. Поэтому этот высокочастотный транзистор относят к малошумящим. Чтобы добиться наименьшего уровня шума, его применяют при пониженных значениях напряжения коллектор-база и тока эмиттера. Температура при этом должна быть низкой, так как при её возрастании собственные шумы транзистора увеличиваются.
Классификация H
FEКак указывалось ранее, серия s9014 имеет разный коэффициент усиления по току, который может достигать величины в 1000 HFE. Выбрать транзистор с необходимым коэффициентом усиления можно по следующей классификации.
Аналоги
Аналогов зарубежных и российских у транзистора s9014 достаточно много. Из иностранных можно обратить внимание на такие: BC547, BC141, BC550, 2SC2675, 2SC2240. Отечественный аналог можно подобрать из КТ3102, КТ6111.
Комплементарная пара
Комплементарной парой к s9014 является транзистор с p-n-p-структурой s9015.
Маркировка
SS9014 это один из популярнейших транзисторов южнокорейской компании Samsung. Часто они маркируется на корпусе без префикса “S”. Похожие по характеристикам устройства выпускаются разными производителями и могут встретится с другой маркировкой, например: С9014, Н9014, L9014 и К9014. Корпус SMD-транзисторов S9014H, S9014L маркируется цифро-буквенным кодом “j6”.
Применение
Устройство нашло широкое применение в различных схемах усиления звука приемо-передающей аппаратуры, микрофонных усилителей, жучков (подслушивающих приборов) и других шпионских приспособлений. Очень часто встречаются в блоках питания к бытовым приборам, электронных таймерах, схемах стабилизации тока, разных мигалках, пищалках и др. А вот пример схемы по сборке простейшего «Катчера Бровина».
Безопасность при эксплуатации
Не допускайте предельно допустимые значения эксплуатационных параметров при использовании устройства в своих схемах.
При пайке контактов не допустимо приближать жало паяльника к устройству ближе, чем на 5 миллиметров. Температура пайки не должна быть более +250 градусов, а временной период пайки каждого вывода не более 3 секунд.
Производители
Вы можете скачать datasheet от s9014 на русском языке. Ниже перечислены некоторые производители данного устройства с документацией.
Биполярный транзистор S9014 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: S9014
Тип материала: Si
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
Корпус транзистора: SOT23
S9014 Datasheet (PDF)
MCC S9014-B Micro Commercial Components TM 20736 Marilla Street Chatsworth S9014-C Micro Commercial Components CA 91311 Phone: (818) 701-4933 S9014-D Fax: (818) 701-4939 Features • TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors • Capable of 0.4Watts(Tamb=25OC) of Power Dissipation. NPN Silicon • Collector-current 0.1A • Collector-base Voltage 50V Transistors • Operating and
GSTS9014LT1 NPN General Purpose Transistor Product Description Features This device is designed as a general purpose Collector-Emitter Voltage : 45V amplifier and switch. Collector Current : 100mA Lead(Pb)-Free Packages & Pin Assignments SOT-23 Pin Description 1 Base 2 Emitter 3 Collector Marking Information P/N Package Rank Part Marking GSTS9014LT1F SOT-23 Q 14Q
1.5. ss9014.pdf Size:38K _fairchild_semi
SS9014 Pre-Amplifier, Low Level & Low Noise � High total power dissipation. (PT=450mW) � High hFE and good linearity � Complementary to SS9015 TO-92 1 1. Emitter 2. Base 3. Collector NPN Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25�C unless otherwise noted Symbol Parameter Ratings Units VCBO Collector-Base Voltage 50 V VCEO Collector-Emitter Voltage 45 V VEBO Emitter-B
1.6. ss9014.pdf Size:47K _samsung
SS9014 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR PRE-AMPLIFIER, LOW LEVEL & LOW NOISE TO-92 � High total power dissipation. (PT=450mW) � High hFE and good linearity � Complementary to SS9015 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 ) A Characteristic Symbol Rating Unit V Collector-Base Voltage VCBO 50 V Collector-Emitter Voltage VCEO 45 V Emitter-Base Voltage VEBO 5 mA Collector Current IC 100 mW
STS9014 NPN Silicon Transistor Description PIN Connection • General purpose application C • Switching application Features B • Excellent hFE linearity : hFE(IC=0.1 mA) / hFE(IC=2 mA) = 0.95(Typ.) • Low noise : NF=10dB(Max.) at f=1KHz E • Complementary pair with STS9015 TO-92 Ordering Information Type NO. Marking Package Code STS9014 STS9014 TO-92 Abso
1.8. s9014.pdf Size:253K _secos
S9014 NPN Silicon Elektronische Bauelemente Pre-Amplifier, Low Level & Low Noise RoHS Compliant Product A suffix of «-C» specifies halogen & lead-free SOT-23 FEATURES Collector ? Dim Min Max 3 3 ? A 2.800 3.040 B 1.200 1.400 Power dissipation 1 1 ? C 0.890 1.110 2 Base PCM : 0.2 W D 0.370 0.500 Collector Current G 1.780 2.040 2 ICM : 0.1 A A Emitter H 0.013 0.100 L Co
1.9. s9014t.pdf Size:130K _secos
S9014T NPN Silicon Elektronische Bauelemente Pre-Amplifier, Low Level & Low Noise RoHS Compliant Product A suffix of «-C» specifies halogen & lead-free TO-92 FEATURES 4.55±0.2 3.5±0.2 ? Power dissipation ? PCM : 0.4 W Collector current ICM : 0.1 A Collector-base voltage V(BR)CBO : 50 V 0.43+0.08 –0.07 46+0.1 0. –0.1 Operating & storage junction temperature (1.27 Typ.)
1.10. s9014w.pdf Size:263K _secos
S9014W NPN Silicon Plastic Encapsulated Transistor Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of “-C” specifies halogen & lead-free SOT-323 FEATURE Complementary to S9015W A L 3 3 Top View C B 1 1 2 2 K E PACKAGING INFORMATION Weight: 0.0074 g D Collector H J F G 3 Millimeter Millimeter REF. REF. Min. Max. Min. Max. MARKING CODE 1 A 1.80
1.11. s9014.pdf Size:821K _htsemi
S901 4 TRANSISTOR (NPN) SOT-23 1. BASE FEATURES 2. EMITTER Complementary to S9015 3. COLLECTOR MARKING: J6 unless otherwise noted) MAXIMUM RATINGS (TA=25? Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 50 V VCEO Collector-Emitter Voltage 45 V VEBO Emitter-Base Voltage 5 V IC Collector Current -Continuous 0.1 A PC Collector Power Dissipation 0.2 W Tj Jun
1.12. s9014w.pdf Size:458K _htsemi
S901 4W TRANSISTOR(NPN) SOT–323 FEATURES ? Complementary to S9015W ? Small Surface Mount Package MAXIMUM RATINGS (Ta=25? unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit 1. BASE V Collector-Base Voltage 50 V CBO 2. EMITTER V Collector-Emitter Voltage 45 V CEO 3. COLLECTOR V Emitter-Base Voltage 5 V EBO IC Collector Current 100 mA P Collector Power Dissipation 20
1.13. s9014.pdf Size:241K _gsme
? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. GM9014 FEATURES ¦FEATURES ?? FEATURES Excellent HFE Linearity HFE . HFE(0.1mA)/ hFE(2mA)=0.95(Typ.) High HFE ? HFE:HFE=200?700 Low Noise . NF=1dB(Typ.),10dB(Max.). Complementary to GM9015 ? GM9015 ?? MAXIMUM RATINGS (Ta=25 ) ¦MAX
S9014(NPN) TO-92 Bipolar Transistors TO-92 1. EMITTER 2. BASE 3. COLLECTOR Features High total power dissipation.(PC=0.45W) High hFE and good linearity Complementary to S9015 MAXIMUM RATINGS (TA=25? unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 50 V VCEO Collector-Emitter Voltage 45 V Dimensions in inches and (millimeters) VEBO Emit
S9014 SOT-23 Transistor(NPN) SOT-23 1. BASE 2. EMITTER 3. COLLECTOR Features Complementary to S9015 MARKING: J6 Dimensions in inches and (millimeters) MAXIMUM RATINGS (TA=25? unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 50 V VCEO Collector-Emitter Voltage 45 V VEBO Emitter-Base Voltage 5 V IC Collector Current -Continuous 0.1 A PC Co
1.16. s9014.pdf Size:824K _wietron
S9014 NPN General Purpose Transistors TO-92 1. EMITTER 1 2 2. BASE 3 3. COLLECTOR ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25 C) Rating Symbol Value Unit Collector-Emitter Voltage V CEO 45 Vdc Collector-Base Voltage VCBO 50 Vdc Emitter-Base Voltage VEBO 5.0 Vdc Collector Current IC 100 mAdc PD 0.4 Total Device Dissipation T =25 C W A Junction Temperature T 150 j C -55 to +150 Storage
1.17. s9014lt1.pdf Size:191K _wietron
S9014LT1 3 1 2 SOT-23 Value V CEO 45 50 5.0 100 225 1.8 556 S9014QLT1=14Q S9014RLT1=14R S9014SLT1=14S S9014TLT1=14T 0.1 45 50 100 100 u 0.1 40 0.1 u 3.0 WEITRON 1/ 28-Apr-2011 http://www.weitron.com.tw S9014LT1 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA=25 C unless otherwise noted) (Countinued) Characteristics Symbol Max Unit Min ON CHARACTERISTICS DC Current Gain hFE 1000
1.18. s9014.pdf Size:280K _can-sheng
TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES High total power dissipation.(PC=0.45W) TO-92 High hFE and good linearity Complementary to S9015 MAXIMUM RATINGS MAXIMUM RATINGS MAXIMUM RATINGS (TA=25℃ unless otherwise noted) MAXIMUM RATINGS 1.EMITTER Symbol Parameter
1.19. s9014 sot-23.pdf Size:317K _can-sheng
深圳市灿升实业发展有限公司 ShenZhen CanSheng Industry Development Co.,Ltd. www.szcansheng.com SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors S9014 TRANSISTOR (NPN) FEATURES Complimentary to S9015 MARKING:J6 MAXIMUM RATINGS (TA=25℃ unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Units (符号) (参数名称) (额定值) (单位) VCBO Collector-Base Vo
1.20. s9014.pdf Size:347K _shenzhen-tuofeng-semi
Shenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co., Ltd TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors S9014 TRANSISTOR (NPN) TO-92 FEATURES 1. EMITTER 2. BASE Power dissipation 3. COLLECTOR PCM: 0.4 W (Tamb=25℃) Collector current ICM: 0.1 A 1 2 3 Collector-base voltage V(BR)CBO: 50 V Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55℃ to +150℃
1.21. s9014lt1.pdf Size:588K _shenzhen-tuofeng-semi
Shenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co., Ltd SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors S9014LT1 TRANSISTOR( NPN ) FEATURES · High total power dissipation.(pc=0.2w) ·Complementary to S9015LT1 MARKING: L6 J6 MAXIMUM RATINGS* TA=25℃ unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 50 V VCEO Collector-Emitter Voltage 45 V VEBO Emitt
Транзисторы 2SD2499(D2499)
Т ранзисторы 2SD2499(D2499) — кремниевые, мощные, низкочастотные, структуры — n-p-n. Разработаны фирмой Toshiba Semiconductor первоначально, для блоков развертки телевизоров и мониторов, но в дальнейшем — применялись в целом ряде, самых различных устройств.
Корпус пластмассовый.
Маркировка буквенно — цифровая, на корпусе. На рисунке ниже — маркировка и цоколевка 2SD2499(D2499).
Наиболее важные параметры.
Коэффициент передачи тока — от 8 до 25
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 4А, базы 0,8А — — 5в.
Напряжение насыщения база-эмиттер при токе коллектора 4А, базы 0,8А — — не выше 1,3в.
Граничная частота передачи тока. — 2МГц.
Максимальное напряжение коллектор — эмиттер — 600 в.
Максимальный постоянный ток коллектора — 6 А.
Максимальный импульсный ток коллектора — 12 А.
Рассеиваемая мощность коллектора — 50 Вт.
Емкость коллекторного перехода на частоте 1Мгц, при напряжении коллектор-база 10 в — 95 пФ.
Обратный ток колектора при напряжении коллектор-база 1500 в — не более 1 мА.
Обратный ток эмитера при напряжении эмиттер-база 5 в — не более 200 мА.
Транзисторы STS9014 (S9014)
Транзисторы STS9014 (S9014) — высокочастотные кремниевые n-p-n средней мощности. Корпус пластиковый TO-92, у транзисторов S9014L, S9014H — SOT-23. Маркировка у транзисторов с корпусом TO-92 буквенно — цифровая (S9014), у транзисторов с корпусом SOT-23 — код J6 сверху .
На рисунке ниже — цоколевка STS9014 (S9014), S9014L, S9014H.
Наиболее важные параметры.
Уровень собственных шумов на частоте 1КГц — не более 10дб.
Коэффициент передачи тока:
У транзисторов S9014 — от 100 до 1000 .
У транзисторов S9014 — от 200 до 450 .
У транзисторов S9014 — от 450 до 1000 .
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 100мА, базы 10мА — — не выше 0,25в.
Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер:
У транзисторов S9014 — 50в.
У транзисторов S9014L, S9014H — 45в.
Максимальный постоянный ток коллектора:
У транзисторов S9014 — 150 мА.
У транзисторов S9014L, S9014H — 0,1A.
Рассеиваемая мощность коллектора:
У транзисторов S9014 — 625 мВт.
У транзисторов S9014L, S9014H — 200 мВт.
Граничная частота передачи тока:
У транзисторов S9014 — 60 МГц.
У транзисторов S9014L, S9014H — 150 мВт.
Емкость коллекторного перехода на частоте 1Мгц, при напряжении коллектор-база 10 в — не более 3,5 пФ.
Обратный ток колектора при напряжении коллектор-база 50 в — не более 50 мкА.
Обратный ток эмитера при напряжении эмиттер-база 5 в — не более 100 мкА.
Транзистор комплементарный STS9014 — STS9015.
Использование каких — либо материалов этой страницы, допускается при наличии ссылки на сайт «Электрика это просто».
Торт Черная пантера мальчику
Ароматные коржи, выпеченные из теста с добавлением домашнего меда и вкуснейший сметанный крем. По желанию можно добавить грецкие орехи.
Интересное сочетание шоколадных бисквитов, легкого шоколадного крема и свежей, слегка приваренной, вишни. Любимая начинка наших постоянных клиентов!
Сочетание легкого деревенского творожка, «живого» йогурта и свежей, слегка приваренной клубники. Идеально подойдет для детей.
Нежнейший крем из сливочного, мягкого сыра «Маскарпоне» и тонкие слои бисквита. Для этого десерта используется ароматный эспрессо.
Шоколадный и белый бисквит, сметанный крем, ананас, персик и грецкий орех. Нежный вкус гарантирован!
Нежнейшее бездрожжевое слоеное тесто прослоено заварным кремом на яичных желтках, цельном молоке и сливочном масле. Капля натуральной ванили для изюминки.
Три тонких маффиновых бисквита, хорошо пропитанные легким, банановым сиропом, прослоены воздушным шоколадным кремом и слегка приваренными бананами.
Три тонких бисквита промоченным молочным сиропом. Заварной крем, изготовленный по-домашнему рецепту, прекрасно дополняет нежная мякоть кокоса и зерна обжаренного миндаля.
Нежное сырное суфле, изготовленное из сливок и нежного сыра. Нежный белый бисквит с ванильным сиропом — неотъемлемая часть популярного десерта.
Бисквит с добавлением изюма, грецкого ореха и корицы. Крем на основе сыра маскарпоне, с добавлением стручковой ванили.
Классический бисквит с легким, низкокаллорийным сливочным кремом с добавлением «живого» йогурта и слегка приваренной вишни.
Шоколадные песочные коржи с кремом на основе варенной сгущенки, покрытый шоколадной глазурью и, конечно же, арахис.
Три тонких слоя бисквита пропитаны кленовом сиропом. Крем изготовлен из взбитых сливок и уваренного сгущеного молока. Обжаренные, мелко измельченные грецкие орехи.
Красные шоколадные коржи в сочетании с белоснежным кремом на основе сливочного сыра создают превосходный вкус и внешний вид, который сразу привлекает внимание.
Пропитанные сливочным сиропом, шоколадные бисквиты, плослоены тонким слоем пралине и кремом на основе нежирной домашней сметанки.
Нежный, воздушный слой суфле со слегка сливочным вкусом на сгущенном молоке и тоненький слой бисквита.
Маковый бисквит с крембрюле из уваренного сгущеного молока и взбитых сливок. Бисквит очень мягкий, не слишком сладкий, а мак придает ему неповторимый аромат и вкус.
Два тонких слоя нежного бисквита и много вкусного мороженого! Клубничное, ванильный пломбир, шоколадное, фисташковое.
Большое количество тончайших, замешанных на молоке, блинчиков, прослоены заварным кремом с добавлением стручков натуральной ванили. Изысканное сочетание!
Торт-легенда состоит из нескольких слоев тонких коржей безе с достаточно большим содержанием измельченных грецких орехов и заварного крема с добавлением уваренного сгущенного молока.
Постный бисквит на свежевыжатом апельсиновом соке! Легкий крем на основе постных сливок с персиком и ананасом. По вашему желанию, в торт можно добавить кусочки чернослива.
РЕМОНТ ТЕЛЕВИЗОРА DAEWOO
На днях стал свидетелем разборов осенне-зимних завалов в гараже приятеля. На свет был извлечен телевизор Daewoo модели 14Q2 с диагональю 14 дюймов. Попытка включения ни к чему не привела (даже светодиод свидетельствующий о наличии сетевого напряжения не загорался), и телевизор перекочевал ко мне в багажник для ремонта. Хоть и не моя стихия приемники и телевизоры, но решил взяться.
Осмотр внутреннего мира аппарата сразу привел в уныние – в телевизоре уже копались. Вместо родных резисторов стоят советские, причем номинал подбирался параллельным соединением. Особенно удивила установка конденсаторов: почему конденсаторы неизвестным мастером были установлены не на плату, а на высоте полета над нею для меня осталась загадкой. Явно это было сделано не на заводе)).
В остальном внешний осмотр не выявил никаких дефектов. Включение в сеть результатов не дало, метод постукивания и потряхивания так же оказался не эффективным. Предохранитель не поврежден. Кнопка включения исправна. В процессе обследования со стороны печатной платы стали прослушиваться звуки, напоминающие «цыкание», что натолкнуло на мысль о работе защиты блока питания. Следовательно, можно было предположить, что блок питания все таки цел, и уходит в защиту по причине неисправностей в других функциональных узлах. Так как не было выявлено нагревающихся или разрушенных деталей, вздутых электролитических конденсаторов, то пришлось взять за тестер и прозвонить наиболее «выдающиеся» элементы. Подозрение вызвал транзистор строчной развертки D2499. Звонился во всех направлениях, но короткого замыкания не показывал. Внутренний мир этого транзистора выглядит так:
Пришлось его выпаять и вновь прозвонить. Падения напряжений на переходе Б-К 20 миллиВольт, Б-Э 19 миллиВольт, К-Э 5 миллиВольт. Те же самые показания прибора были и в обратном направлении. Таким образом, стало ясно, что транзистор изменил свои параметры, но благодаря тому, что не случилось его пробоя и сохранилось хоть какое-то внутреннее сопротивление, короткого замыкания не произошло. В противном случае наверняка бы пострадал и блок питания. В данном же случае блок благополучно уходит в защиту.
После замены транзистора включение прошло без эксцессов. Нажатием на кнопку селектора каналов лицевой панели телевизор запустился. Были опасения о неисправностях в цепи ТДКС и его обвязке, но отсутствие значительного нагрева замененного транзистора строчной развертки дало основание считать, что на этом проблему можно считать решенной. Парящие в воздухе конденсаторы были спущены на плату).
Так телевизор старый, то внутри скопилось много пыли и пришлось сделать общую профилактику.
Но на этом проблемы не закончились. Перевести телевизор в ждущий режим не удалось – отсутствовала всякая реакция на пульт управления. Разобрав его, обнаружил трещину платы. Оборванные дорожки соединил, спаяв их. В дальнейшем таким пультом пользоваться не предполагалось. Пульт явно под замену. После восстановления дорожек телевизор отреагировал на команды с пульта. Однако переход в ждущий режим не обозначился свечением светодиода. Прозвонив его, нашел обрыв. После замены светодиода все заработало как надо.
Непрерывная работа телевизора в течении дня позволила считать ремонт успешным. Специально для Elwo.ru — Кондратьев Николай, г. Донецк.
Форум по ремонту ТВ
Проверить транзистор мультиметром прозвонкой на исправность: биполярный, полевой, составной
Такие полупроводниковые элементы, как транзисторы, являются неотъемлемой частью практически всех электронных схем — от радиоприемников до системных плат сверхсложных вычислительных центров. Проверка этого элемента на работоспособность — операция, которую обязан уметь выполнять любой человек, так или иначе занимающийся ремонтом электронных плат, будь он профессиональный ремонтник или любитель.
Для осуществления этой операции можно применять специальный тестер транзисторов, но если его нет под рукой, или в его надежности есть сомнения, можно воспользоваться самым обыкновенным мультиметром.
Даже те модели, которые не имеют специального гнезда для проверки биполярных или полевых транзисторов, могут быть использованы для точной проверки. Для этого мультиметр выставляется в режим максимального сопротивления, либо «прозвонки», если таковой есть.
С чего начать?
Прежде, чем проверить мультиметром любой элемент на исправность, будь то транзистор, тиристор, конденсатор или резистор, необходимо определить его тип и характеристики. Сделать это можно по маркировке. Узнав ее, не составит труда найти техническое описание (даташит) на тематических сайтах. С его помощью мы узнаем тип, цоколевку, основные характеристики и другую полезную информацию, включая аналоги для замены.
Например, в телевизоре перестала работать развертка. Подозрение вызывает строчный транзистор с маркировкой D2499 (кстати, довольно распространенный случай). Найдя в интернете спецификацию (ее фрагмент показан на рисунке 2), мы получаем всю необходимую для тестирования информацию.
Рисунок 2. Фрагмент спецификации на 2SD2499
Большая вероятность, что найденный даташит будет на английском, ничего страшного, технический текст легко воспринимается даже без знания языка.
Определив тип и цоколевку, выпаиваем деталь и приступаем к проверке. Ниже приведены инструкции, с помощью которых мы будем тестировать наиболее распространенные полупроводниковые элементы.
Цоколевка
У биполярных транзисторов средней и большой мощности цоколевка одинаковая в основном, слева направо — эмиттер, коллектор, база. У транзисторов малой мощности лучше проверять. Это важно, так как при определении работоспособности, эта информация нам понадобится.
Внешний вид биполярного транзистора средней мощности и его цоколевка
То есть, если вам необходимо определить рабочий или нет биполярный транзистор, нужно искать его цоколевку. Хотите убедиться или не знаете, где «лицо», то ищите информацию в справочнике или наберите на компьютере «имя» вашего полупроводникового прибора и добавьте слово «даташит». Это транслитерация с английского Datasheet, что переводится как «технические данные». По этому запросу вам в выдаче будет перечень характеристик прибора и его цоколёвка.
Проверка биполярного транзистора мультиметром
Это наиболее распространенный компонент, например серии КТ315, КТ361 и т.д.
С тестированием данного типа проблем не возникнет, достаточно представить pn переход в как диод. Тогда структуры pnp и npn будут иметь вид двух встречно или обратно подключенных диодов со средней точкой (см. рис.3).
Рисунок 3. «Диодные аналоги» переходов pnp и npn
Присоединяем к мультиметру щупы, черный к «СОМ» (это будет минус), а красный к гнезду «VΩmA» (плюс). Включаем тестирующее устройство, переводим его в режим прозвонки или измерения сопротивления (достаточно установить предел 2кОм), и приступаем к тестированию. Начнем с pnp проводимости:
- Присоединяем черный щуп к выводу «Б», а красный (от гнезда «VΩmA») к ножке «Э». Смотрим на показания мультиметра, он должен отобразить величину сопротивления перехода. Нормальным считается диапазон от 0,6 кОм до 1,3 кОм.
- Таким же образом проводим измерения между выводами «Б» и «К». Показания должны быть в том же диапазоне.
Если при первом и/или втором измерении мультиметр отобразит минимальное сопротивление, значит в переходе(ах) пробой и деталь требует замены.
- Меняем полярность (красный и черный щуп) местами и повторяем измерения. Если электронный компонент исправный, отобразится сопротивление, стремящееся к минимальному значению. При показании «1» (измеряемая величина превышает возможности устройства), можно констатировать внутренний обрыв в цепи, следовательно, потребуется замена радиоэлемента.
Тестирование устройства обратной проводимости производится по такому же принципу, с небольшим изменением:
- Красный щуп подключаем к ножке «Б» и проверяем сопротивление черным щупом (прикасаясь к выводам «К» и «Э», поочередно), оно должно быть минимальным.
- Меняем полярность и повторяем измерения, мультиметр покажет сопротивление в диапазоне 0,6-1,3 кОм.
Отклонения от этих значений говорят о неисправности компонента.
Правила безопасной работы
Мосфеты очень уязвимы по отношению к статическому электричеству. В этом случае может произойти пробой. Для того, чтобы этого не случилось, нужно при помощи проведения тестирования его удалять.
При пайке возможна ситуация, когда тепло, попадающее на транзистор, приведёт к его порче. В этом случае нужно обеспечить теплоотвод. Для этого достаточно придерживать выводы транзистора плоскогубцами в процессе пайки.
Полевики имеют широкое распространение в современных электронных приборах. Когда происходит поломка, необходимо знать, как проверить мосфет. Выяснить, исправен ли он, возможно, если использовать для этого мультиметр.
Проверка работоспособности полевого транзистора
Этот тип полупроводниковых элементов также называют mosfet и моп компонентами. На рисунке 4 показано графическое обозначение n- и p-канальных полевиков в принципиальных схемах.
Рис 4. Полевые транзисторы (N- и P-канальный)
Для проверки этих устройств подключаем щупы к мультиметру, таким же образом, как и при тестировании биполярных полупроводников, и устанавливаем тип тестирования «прозвонка». Далее действуем по следующему алгоритму (для n-канального элемента):
- Касаемся черным проводом ножки «с», а красным – вывода «и». Отобразится сопротивление на встроенном диоде, запоминаем показание.
- Теперь необходимо «открыть» переход (получится только частично), для этого щуп с красным проводом соединяем с выводом «з».
- Повторяем измерение, проведенное в п. 1, показание изменится в меньшую сторону, что говорит о частичном «открытии» полевика.
- Теперь необходимо «закрыть» компонент, с этой целью соединяем отрицательный щуп (провод черного цвета) с ножкой «з».
- Повторяем действия п. 1, отобразится исходное значение, следовательно, произошло «закрытие», что говорит об исправности компонента.
Для тестирования элементов p-канального типа последовательность действий остается той же, за исключением полярности щупов, ее нужно поменять на противоположную.
Заметим, что биполярные элементы, у которых изолированный затвор (IGBT), тестируются также, как описано выше. На рисунке 5 показан компонент SC12850, относящийся к этому классу.
Рис 5. IGBT транзистор SC12850
Для тестирования необходимо выполнить те же действия, что и для полевого полупроводникового элемента, с учетом, что сток и исток последнего будут соответствовать коллектору и эмиттеру.
В некоторых случаях потенциала на щупах мультиметра может быть недостаточно (например, чтобы «открыть» мощный силовой транзистор), в такой ситуации понадобится дополнительное питание (хватит 12 вольт). Подключать его нужно через сопротивление 1500-2000 Ом.
Необходимый минимум сведений
Чтобы понять исправен биполярный транзистор или нет, нам необходимо знать хотя бы в самых общих чертах, как он устроен и работает. Это активный электронный компонент, который является полупроводниковым прибором. Есть два основных вида — NPN и PNP. Каждый из них имеет три электрода: база, эмиттер и коллектор.
Виды транзисторов и принцип работы
Коротко сформулировать принцип работы транзисторов можно таким образом, это управляемый электронный ключ. Он пропускает ток по направлению от коллектора к эмиттеру в случае NPN типа и от эмиттера к коллектору у PNP, при наличии напряжения на базе. Причём изменяя потенциал на базе, меняем степень «открытости» перехода, регулируя величину пропускаемого тока. То есть, если на базу подавать больший ток, имеем больший ток коллектор-эмиттер, уменьшим потенциал на базе, снизим ток, протекающий через транзистор.
Ещё важно знать, это то, что в обратном направлении ток течь не может. И неважно, есть потенциал на базе или нет. Он всегда течёт в направлении, на схеме указанном стрелкой. Собственно, это вся информация, которая нам нужна, чтобы знать как работает транзистор.
Проверка составного транзистора
Такой полупроводниковый элемент еще называют «транзистор Дарлингтона», по сути это два элемента, собранные в одном корпусе. Для примера, на рисунке 6 показан фрагмент спецификации к КТ827А, где отображена эквивалентная схема его устройства.
Рис 6. Эквивалентная схема транзистора КТ827А
Проверить такой элемент мультиметром не получится, потребуется сделать простейший пробник, его схема показана на рисунке 7.
Рис. 7. Схема для проверки составного транзистора
Обозначение:
- Т – тестируемый элемент, в нашем случае КТ827А.
- Л – лампочка.
- R – резистор, его номинал рассчитываем по формуле h31Э*U/I, то есть, умножаем величину входящего напряжения на минимальное значение коэффициента усиления (для КТ827A — 750), полученный результат делим на ток нагрузки. Допустим, мы используем лампочку от габаритных огней автомобиля мощностью 5 Вт, ток нагрузки составит 0,42 А (5/12). Следовательно, нам понадобится резистор на 21 кОм (750*12/0,42).
Тестирование производится следующим образом:
- Подключаем к базе плюс от источника, в результате должна засветиться лампочка.
- Подаем минус – лампочка гаснет.
Такой результат говорит о работоспособности радиодетали, при других результатах потребуется замена.
Основные причины неисправности
Наиболее часто встречающиеся причины выхода из рабочего состояния триодного элемента в электронной схеме следующие:
- Обрыв перехода между составными частями.
- Пробой одного из переходов.
- Пробой участка коллектора или эмиттера.
- Утечка мощности под напряжением цепи.
- Видимое повреждение выводов.
Характерными внешними признаками такой поломки являются почернение детали, вспучивание, появление черного пятна. Поскольку эти изменения оболочки происходят только с мощными транзисторами, то вопрос диагностики маломощных остается актуальным.
Как проверить однопереходной транзистор
В качестве примера приведем КТ117, фрагмент из его спецификации показан на рисунке 8.
Рис 8. КТ117, графическое изображение и эквивалентная схема
Проверка элемента осуществляется следующим образом:
Переводим мультиметр в режим прозвонки и проверяем сопротивление между ножками «Б1» и «Б2», если оно незначительное, можно констатировать пробой.
Советы
- Существует множество способов определения неисправности, но для начала нужно разобраться в строении самого элемента, и четко понимать конструкционные особенности.
- Выбор прибора для проверки – это важный момент, касающийся качества результата. Поэтому при недостатке опыта не стоит ограничиваться подручными средствами.
- Проводя проверку, следует четко понимать причины выхода из строя тестируемой детали, чтобы не вернуться со временем к тому же состоянию неисправности бытовой электротехники.
lq10d011 Аннотация: LTM09C015 LQ9D011 LJ64ZU50 xr2f Matsua S804 XR58 sharp lm64p80 LTM-09C015-1 LM64P80 — SHARP | OCR сканирование | ||
2012 — RK097 Аннотация: абстрактный текст недоступен | Оригинал | RK097 RK097111080J RK0971110909 RK0971110D7F RK097221005C RK097221004C | |
Лист данных силового транзистора для ТВ Аннотация: силовой транзистор 2SD2599, эквивалент 2SC5411, транзистор 2sd2499, 2Sc5858, эквивалентный компонент транзистора 2SC5387, 2SC5570 в строчной развертке. | Оригинал | 2SC5280 2SC5339 2SC5386 2SC5387 2SC5404 2SC5411 2SC5421 2SC5422 2SC5445 2SC5446 Техническое описание силового транзистора для телевизора силовой транзистор 2SD2599 эквивалент транзистор 2sd2499 2Sc5858 эквивалент транзистор 2SC5570 компоненты в горизонтальном выводе | |
отклонение по горизонтали Аннотация: абстрактный текст недоступен | OCR сканирование | 2SD1396 T03PB Цвет800 2SC4125 T03PML 2SC4890 2SC4891 2SC3995 горизонтальный прогиб | |
D-M9PL Аннотация: D-A54L d-y59a втулка разъем геркон pnp D-Y59B D-C73L D-Z73 D-A53 D-A93L | Оригинал | pric21 NBA-075 НБТ-150 NBA-075 * НБТ-150 НБТ-200 NBT-325 BQ2-012 BMG2-012 D-M9PL D-A54L d-y59a втулка соединителя геркон pnp D-Y59B D-C73L D-Z73 D-A53 D-A93L | |
1996 — VR5VR Аннотация: пин-схема пленочного потенциометра предустановки усилителя по горизонтали ITT Semiconductors r1938 VR11 VR10 MC13081XB MC13081X C10B C10A | Оригинал | MC13081X / D MC13081X MC13081X MC13081X / D * VR5VR схема контактов пленочный потенциометр предустановка усилителя по горизонтали Полупроводники ITT r1938 VR11 VR10 MC13081XB C10B C10A | |
2009 — Нет в наличии Аннотация: абстрактный текст недоступен | Оригинал | HP4291A UU10L UU10Lã UU16L UU16Lã LF2020 LF2020ã | |
2000 — тюнер Si 2158 Аннотация: VICS TUNER R0101 | Оригинал | MSM9562 / 63/66/67 PEXL9562-67FLOW-10 Si 2158 тюнер ВИКС ТЮНЕР R0101 | |
Нет в наличии Аннотация: абстрактный текст недоступен | Оригинал | LF3310 12-битный 12-битный, DIN11 DIN10 LF3310QC15 LF3310QC12 MIL-STD-883 | |
1999 — LF3310 Абстракция: Ш25 743Н | Оригинал | LF3310 12-битный 12-битный, DIN11 DIN10 LF3310QC15 LF3310QC12 MIL-STD-883 LF3310 Ш25 743H | |
ГОРИЗОНТАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР ДРАЙВЕРА Реферат: Автоматический стабилизатор напряжения TDA4810 | OCR сканирование | TDA4810 ГОРИЗОНТАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР ДРАЙВЕРА TDA4810 Автоматический стабилизатор напряжения | |
Нет в наличии Аннотация: абстрактный текст недоступен | Оригинал | 70026601заголовок | |
TDA9109 Аннотация: абстрактный текст недоступен | OCR сканирование | TDA9109 150 кГц 165 Гц TDA9109 | |
f1f9 Аннотация: ГОРИЗОНТАЛЬНЫЙ ДРАЙВЕР транзистор транзистор 2Fn csb503b транзистор горизонтального сечения tv murata tv flyback lm1391 СХЕМА СХЕМА scr осциллятора LM1391 инструкция по применению горизонтальная часть тв | OCR сканирование | LM1880 f1f9 ГОРИЗОНТАЛЬНЫЙ ДРАЙВЕР ТРАНЗИСТОР транзистор 2Fn csb503b транзистор горизонтального сечения тв мурата тв обратно lm1391 СХЕМА ЦЕПИ SCR генератора Примечание по применению LM1391 горизонтальная секция телевизора | |
Нет в наличии Аннотация: абстрактный текст недоступен | Оригинал | IP69K | |
AN921 Аннотация: 3 пф Серебряный слюдяной конденсатор слюдяный радиочастотный детектор AN553 MC44615P MC44615 | OCR сканирование | MC44615 / D MC44615 AN921 Серебряный слюдяный конденсатор 3 пФ слюдяный детектор AN553 MC44615P | |
Нет в наличии Аннотация: абстрактный текст недоступен | OCR сканирование | ||
ПТСМ Аннотация: smd r44 smd hh smd 5v | Оригинал | ||
1999 — АВЕРЛОГИЧЕСКИЕ ТЕХНОЛОГИИ Аннотация: AL300 AL875 CCIR601 AverLogic «ДВОЙНОЙ пиксель» «Преобразование частоты кадров» | Оригинал | AL300 AL300 110 МГц 90 МГц 65 МГц 40 МГц АВЕРЛОГИЧЕСКИЕ ТЕХНОЛОГИИ AL875 CCIR601 AverLogic «ДВОЙНОЙ пиксель» «Преобразование частоты кадров» | |
DIP30S Аннотация: LA7860 op 277 колебание sk43 sk4373 itt 946 | OCR сканирование | 7n707b 00127bà SK4373 LA7860, 7860M 7860M DIP30S LA7860 op 277 колебание sk43 sk4373 итт 946 | |
вертикальный IC TV crt Аннотация: ic la 7833 генератор пилообразных волн la 7837 рентгеновский инвертор LA7853 LA7852 LA7832 IC LA7832 фазовращатель | OCR сканирование | LA7853 LA7853 LA7832 15 кГц вертикальный IC tv crt ic la 7833 генератор пилообразных волн la 7837 рентгеновский инвертор LA7852 IC LA7832 фазовращатель | |
1999 — Нет в наличии Аннотация: абстрактный текст недоступен | Оригинал | MSM9562 / 63/66/67 MSM9562 / 63/66/67 | |
la7837 Аннотация: абстрактный текст недоступен | OCR сканирование | LA7857 LA7857, LA7837, LA7852 150 кГц) 64 кГц, LA7837 | |
2001 — 743H Резюме: ТЕХНИЧЕСКАЯ ИНФОРМАЦИЯ НА ДИОД VCF9 3310 LF3310 Sh25 | Оригинал | LF3310 12-битный 12-битный, VCF11 VCF10 DOUT11 DOUT10 LF3310QC15 743H VCF9 ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ДИОДОВ 3310 LF3310 Ш25 | |
Перекрестная ссылка Аннотация: Перекрестная ссылка BCM 7241 8205S BCM 7213 8309SB Broadcom 7241 XRJH-01D-1-D12-170 REALTEK 5209 XRJV-01V | Оригинал | XRJF-01J-0-D12-010 XRJG-01J-1-D12-110 XRJH-01D-1-D12-170 XRJB-G7A-1-D12-180 XRJF-01J-0-E51-010 XRJG-01J-5-E51-110 XRJV-01V-0-D12-080 ADM8511 / 8513/8515/9511 AN983B XRJH-01P-N-DA1-570 Перекрестная ссылка Перекрестная ссылка BCM 7241 8205S BCM 7213 8309SB Broadcom 7241 XRJH-01D-1-D12-170 РЕАЛТЕК 5209 XRJV-01V |
Выбор замены транзистора »Примечания по электронике
При ремонте схемы или даже при создании новой часто невозможно найти точный компонент электроники — мы расскажем, как выбрать подходящую замену.
Руководство по транзисторам Включает:
Основы работы с транзисторами
Усиление: HFE, HFE и бета
Характеристики транзистора
Коды нумерации транзисторов и диодов
Выбор транзисторов на замену
При работе с электронным оборудованием, будь то проектирование электронных схем, сборка или ремонт, иногда необходимо выбрать транзистор для замены. Либо тип транзистора может не быть под рукой, либо он может быть недоступен.
К счастью, обычно можно использовать заменяющий тип транзистора, поскольку часто существует значительная степень перекрытия между спецификациями различных типов транзисторов, и, глядя на основные характеристики, обычно можно выбрать правильные замены транзистора.
Это объяснение сосредоточено на биполярных транзисторах, но можно применить аналогичную логику к другим электронным компонентам, включая полевые транзисторы, чтобы гарантировать, что можно найти подходящую замену.
При поиске подходящей замены транзистора необходимо ознакомиться с основными техническими характеристиками транзистора. После определения характеристик и параметров транзистора можно проверить наличие других типов транзисторов для замены с аналогичными параметрами, которые смогут работать в рассматриваемой схеме.
При рассмотрении возможных замен транзисторов необходимо учитывать множество параметров. Сюда войдут основные параметры работы транзистора. Они также будут включать параметры, связанные с окружающей средой, и физические параметры. Все это необходимо учитывать при выборе подходящего транзистора на замену.
BC547 Транзистор с пластиковыми выводамиОсновные параметры транзистора
К счастью, многие транзисторы, используемые в электронных схемах, относятся к типам общего назначения.Их спецификации не особенно строгие, и можно использовать различные транзисторы общего назначения. Сегодня характеристики даже транзисторов общего назначения чрезвычайно высоки, и их можно использовать в самых разных приложениях.
Однако следует более пристально рассмотреть транзисторы, которые выполняют более требовательную роль. Их спецификации необходимо изучить более внимательно, чтобы гарантировать, что любые заменители будут иметь аналогичную спецификацию.
При поиске подходящей замены транзистора необходимо учитывать следующие основные параметры транзистора:
Используемый полупроводниковый материал: Большинство транзисторов изготовлены из германия или кремния.Другие типы обычно используются только в очень специализированных приложениях.
Важно знать, какого типа транзистор, потому что существует разница в падении напряжения прямого смещения базы-эмиттера. Для германия оно составляет около 0,2 — 0,3 вольт, а для кремния — около 0,6 вольт. Схема будет рассчитана на конкретное падение напряжения.
- Полярность: Совершенно необходимо выяснить, является ли транзистор типом NPN или PNP.Установите неправильный тип, и он испытает напряжение, обратное всем ожидаемым, и, вероятно, будет разрушено. Типы транзисторов: символы цепи транзистора NPN и транзистора PNP
Общее приложение: Хотя не всегда необходимо точно соответствовать назначению транзистора, различные области его характеристик будут адаптированы к его предполагаемому применению.
Возможные типы приложений могут включать: коммутационные, аналоговые, маломощные, ВЧ-усилители, малошумящие и т. Д.Введите правильный шрифт, и он может не работать. Например, маломощный транзистор общего назначения вряд ли будет хорошо работать в коммутационном приложении, даже если он имеет высокий предел или предел частоты.
- Корпус и схема контактов: У транзисторов много корпусов. Часто бывает необходимо подобрать заменяющий транзистор как можно точнее, чтобы транзистор мог физически соответствовать. Также в пакете могут быть указаны другие параметры.
- Пробой напряжения: Необходимо убедиться, что транзистор способен выдерживать напряжения, которые он может увидеть. Необходимо проверить параметры транзистора, такие как Vceo и т. Д.
Коэффициент усиления по току: , Параметр усиления по току транзистора обычно имеет очень широкий разброс. Обычно это цитируется как Β или hfe. Хотя они немного отличаются, для всех подобных схемных эквивалентов параметры транзисторов одинаковы.
Необходимо выбрать транзистор на замену с примерно таким же усилением по току. Обычно не проблема подобрать транзистор на замену с более высоким коэффициентом усиления. Часто может быть приемлемо меньшее усиление по току.
- Предел частоты: Верхний предел частоты для транзистора обычно указывается как его футы. Обычно важно обеспечить соответствие транзистора любым частотным ограничениям.
- Рассеиваемая мощность: Необходимо убедиться, что заменяемый транзистор может рассеивать достаточную мощность.Часто тип упаковки является хорошим показателем этого.
Это основные параметры, которые важны для большинства приложений, но обратите внимание на любые другие параметры транзистора, которые могут потребоваться при выборе транзистора для замены.
Подбор транзистора на замену
При выборе подходящего заменяющего транзистора для использования в электронной схеме необходимо учитывать несколько этапов при выборе.Они могут быть продвинуты в логическом порядке, чтобы сузить выбор и сделать лучшую альтернативу замене транзистора.
Пошаговая инструкция:
- Выберите транзистор той же полярности: Первый главный критерий выбора — это транзистор PNP или NPN.
- Выберите транзистор для замены из того же материала: Большинство транзисторов изготовлены из кремния или германия.Поскольку напряжения смещения и другие характеристики различны, необходимо выбрать транзистор для замены из того же материала.
- Выберите тот же функциональный тип транзистора: Транзисторы обычно имеют указание на их применение в технических описаниях. Если возможно, замена должна иметь такое же применение.
Выберите замену в том же корпусе: Выбор транзистора на замену с тем же корпусом и распиновкой значительно упростит замену.Различия в корпусе для транзисторов с малым сигналом обычно не являются проблемой, но для более крупных, где могут быть задействованы радиаторы и т. Д., Разные пакеты могут вызвать серьезные проблемы.
Также, если соединения контактов различны, следует позаботиться о том, чтобы правильные контакты были выбраны правильными соединениями. Распиновка многих транзисторов — EBC, но есть и другие конфигурации выводов, которые могут легко запутать многих людей.
- Выберите транзистор на замену с тем же напряжением пробоя: Убедитесь, что значения для V CEO и V CBO и т. Д. Не меньше, чем у исходного транзистора.
- Убедитесь, что он может принимать ток: Убедитесь, что заменяющий транзистор может пропускать требуемый ток — он должен иметь I Cmax больше или равное исходному транзистору.
- Выберите транзистор с аналогичным Hfe: Необходимо убедиться, что коэффициент усиления по току заменяющего транзистора примерно такой же, как у оригинала. Значения коэффициента усиления по току обычно сильно различаются даже для транзисторов одного типа, поэтому допустимы некоторые вариации.
- Выберите транзистор для замены с эквивалентным Ft: Необходимо убедиться, что транзистор для замены сможет работать на соответствующих частотах, поэтому рекомендуется использовать аналогичный или немного более высокий Ft. Не выбирайте транзистор с гораздо более высоким Ft, так как это может увеличить риск колебаний.
- Выберите транзистор с аналогичной рассеиваемой мощностью: Необходимо убедиться, что заменяющий транзистор выдерживает мощность, рассеиваемую в цепи.Выбор транзистора на замену с похожим стилем банки часто означает, что оба транзистора имеют одинаковую рассеиваемую мощность.
- Проверьте наличие каких-либо специальных функций: Убедитесь, что выбраны перечисленные выше функции, но могут быть некоторые дополнительные функции, которые необходимо учитывать. Обычно они требуются, когда транзисторы используются в специализированных приложениях.
После выбора транзистора для замены его можно установить в схему и проверить работоспособность.В большинстве случаев он будет работать удовлетворительно, но иногда могут возникать проблемы. Если это так, необходимо повторно изучить способ, которым был сделан выбор транзистора для замены, и посмотреть, были ли допущены какие-либо ошибки, или поискать другие параметры, которые могут повлиять на работу схемы транзистора.
Что делать, если я не могу найти оригинальные детали транзистора?
Иногда очень легко узнать параметры конкретного транзистора, поскольку их можно найти в Интернете или в справочнике транзисторов.Если это невозможно, потому что маркировка не видна, или данные не могут быть найдены, то не все потеряно.
По-прежнему можно многое узнать о транзисторе из его корпуса, а также о схеме, в которой он используется. Таким образом обычно можно найти подходящий транзистор на замену. Приведенные ниже пошаговые инструкции помогут определить основные параметры транзистора.
Пошаговая инструкция:
Эти инструкции изложены в приблизительном порядке: сначала наиболее важные параметры следуют за менее значимыми:
- Это транзистор? Это может показаться очевидным вопросом, но иногда некоторые устройства могут показаться на первый взгляд транзисторами.Это может быть полевой транзистор, транзистор Дарлингтона или даже какое-то другое устройство. В качестве альтернативы, иногда небольшие регуляторы напряжения содержатся в корпусах, подобных корпусу транзистора. Другие устройства также могут появляться в корпусах, которые на первый взгляд могут показаться транзисторными. Тщательное изучение заявки позволит убедиться в этом.
- Кремний или германий: Важно выяснить, является ли транзистор кремниевым или германиевым.Обнаружить это можно несколькими способами. Если исходный транзистор все еще работает, это можно обнаружить, измерив напряжение на переходе база-эмиттер, когда он смещен в прямом направлении. Это должно быть от 0,2 до 0,3 В для германиевого транзистора и 0,6 В для других разновидностей. В качестве альтернативы можно определить тип, посмотрев на другие транзисторы в схеме. Часто во всем оборудовании используется одна и та же технология. Это не всегда так, так что будьте осторожны!
- Рассеиваемая мощность: Часто определяется корпусом, в котором размещен транзистор.Посмотрите на спецификации других транзисторов в тех же корпусах, и это послужит хорошим ориентиром. Пакеты, предназначенные для установки на радиаторах, будут более гибкими, поскольку они часто могут рассеивать больше мощности в зависимости от радиатора. С этими пакетами лучше быть осторожнее.
- Максимальное напряжение: Представление о максимальном напряжении можно получить из схемы, в которой оно используется. На всякий случай убедитесь, что максимальное рабочее напряжение заменяемого транзистора как минимум в два раза превышает напряжение шины цепи, в которой он работает
- Коэффициент усиления по току: Коэффициент усиления транзисторов по току, как известно, определить сложно.Транзисторы большой мощности часто предлагают более низкий коэффициент усиления — более старые типы силовых транзисторов могут иметь всего 20-50, тогда как транзисторы меньшего размера могут обеспечивать коэффициент усиления где-то между 50 и 1000.
- Максимальная частота: Необходимо убедиться, что заменяющий транзистор способен работать на требуемой частоте. Посмотрите на компоненты в цепи и функции цепи. Обычно можно оценить частоту срабатывания. Затем возьмите это и выберите транзистор на замену, который может легко работать на этой частоте.
- Что-нибудь еще: Хотя большинство основных моментов было рассмотрено в пунктах выше, всегда лучше следить за другими параметрами, которые могут повлиять на выбор замены транзистора. Это особенно верно для специализированных схем, где некоторые особенности производительности могут быть критичными.
Выбрать транзистор для замены обычно довольно просто. Доступно огромное количество типов транзисторов, а спецификации многих типов транзисторов совпадают, что во многих случаях делает выбор транзистора для замены довольно простым.
Часто бывает полезно проверить складские запасы у местных продавцов или надежных дистрибьюторов электронных компонентов. Часто бывает необходимо выбрать транзистор, который можно получить быстро и легко. Проверка того, что может быть доступно у продавца или дистрибьютора электронных компонентов, поможет принять окончательное решение.
Возможность выбора транзистора на замену может быть очень полезной, если не удается найти точный тип транзистора. Вполне вероятно, что похожий может быть доступен под рукой или, возможно, у местного продавца.В любом случае полезно иметь возможность выбрать заменяющий транзистор с хорошей возможностью его работы.
Другие электронные компоненты: Резисторы
Конденсаторы
Индукторы
Кристаллы кварца
Диоды
Транзистор
Фототранзистор
Полевой транзистор
Типы памяти
Тиристор
Разъемы
Разъемы RF
Клапаны / трубки
Аккумуляторы
Переключатели
Реле
Вернуться в меню «Компоненты».. .
Transistor d2499 datasheet, pdf
Транзистор Kspa является транзистором общего назначения и, следовательно, подходит для многих приложений, он является прямой заменой транзистора 2na в обоих случаях. 2sd datasheet, pdf скачать — кремниевый npn тройной диффузионный меза-транзистор, 2sd datasheet. D2634 datasheet — vcbo = 1500v, npn-транзистор — sanyo, 2sd2634 datasheet, d2634 pdf, распиновка d2634, руководство d2634, схема d2634, эквивалент d2634, данные d2634. Это восточный силовой транзистор 2sd? Размер Pdf: 268k _ toshiba 2sd2499 кремниевый транзистор toshiba npn с тройным рассеиванием, тип 2sd2499 выход горизонтального отклонения для цветного телевизора: мм высокое напряжение: vcbo = 1500 В низкое напряжение насыщения: v = 5 В (макс.
2sd2499 datasheet, 2sd2499 pdf, 2sd2499 data sheet, 2sd2499 manual, 2sd2499 pdf, 2sd2499, datenblatt, electronics 2sd2499, alldatasheet, free, datasheet, datasheets. Планарный кремниевый транзистор с тройным рассеиванием npn. Паспорт всех транзисторов. 2sc техническое описание компонентов силового транзистора в формате pdf техническое описание бесплатно из технического описания (техническое описание) поиск для интегрированного. Тип Npn с тройным диффузором (выход горизонтального отклонения для цветного телевизора), техническое описание d2499, схема d2499, техническое описание d2499: toshiba, alldatasheet, datasheet, сайт поиска данных для электронных компонентов и полупроводников, интегральных схем, диодов, триаков и других полупроводников.2sd2499 datasheet, 2sd2499 pdf, 2sd2499 datasheet, 2sd2499 manual, 2sd2499 pdf, 2sd2499, datenblatt, электроника 2sd2499, alldatasheet, free, datasheet, datasheets. Кремниевые npn-транзисторы stmicroelectronics предпочтительные типы продаж Описание npn-транзисторов 2n3439 и 2n3440 — это кремниевые эпитаксиальные планарные npn-транзисторы в металлическом корпусе jedec to-39, предназначенные для использования в бытовых и промышленных приложениях, работающих от сети. C5339 datasheet: кремниевый npn-транзистор с тройным рассеиванием mesa, c5339 pdf скачать toshiba, c5339 datasheet pdf, распиновка, технический паспорт, эквивалент, схема, перекрестные ссылки, устаревшие, схемы.2n3904 — действительно распространенный транзистор, который мы используем постоянно (а 2n3906 — его брат по pnp).
D2499 2sd2499 техническое описание компонентов pdf техническое описание бесплатно из datasheet4u. D2499 datasheet, d2499 pdf, d2499 data sheet, d2499 manual, d2499 pdf, d2499, datenblatt, electronics d2499, alldatasheet, бесплатно, техническое описание, техническое описание, техническое описание. D2499 техническое описание, d2499 pdf, d2499 техническое описание, техническое описание, техническое описание, pdf | дом. D2499 datasheet, d2499 datasheets, d2499 pdf, d2499 circuit: toshiba — npn triple diffused mesa type (выход горизонтального отклонения для цветного телевизора), alldatasheet, datasheet, datasheet search site для электронных компонентов и полупроводников, интегральных схем, диодов, симисторов и др. полупроводники.Таблица данных 2sc, схема 2sc, таблица данных 2sc: mospec — силовые транзисторы (10a, v, w), таблица данных, поиск в таблицах. Com datasheet (технический паспорт) поиск интегральных схем (ic), полупроводников и других электронных компонентов, таких как резисторы, конденсаторы, транзисторы и диоды. 2sd2498 datasheet (pdf) 1.
Com / pdf-file / 1030941 / toshibasemiconductor / d2499 / 1. Документация на электронные компоненты (datasheet) «d2499» производитель крыла. D2499 datasheet, d2499 pdf, замена, аналог, спецификации, распиновка d2499, схема, электрическая схема.База данных транзисторов. Размер Pdf: 270k _ toshiba 2sd2498 транзистор toshiba кремниевый npn тройной диффузионный mesa тип 2sd2498 выход горизонтального отклонения для высокого блока: дисплей с разрешением мм, приложения для высокоскоростного переключения цветного телевидения высокое напряжение: vcbo = 1500 В низкое напряжение насыщения: v = 5 В ( max. 2sd2499 datasheet (pdf) 1. 2sd2499: транзистор кремниевый npn тройной диффузный меза тип горизонтального отклонения. D2499 datasheet pdf. Как использовать d-транзистор в качестве регулятора в схеме? Дискретные транзисторы могут быть индивидуально упакованными транзисторами или неупакованными транзисторными кристаллами.
2n3904 datasheet — еще один способ узнать о транзисторах — это покопаться в их datasheet. Эпитаксиальный кремниевый транзистор npn. C5929 датащит — vcbo = 1550v, npn транзистор — panasonic rjh4047 datasheet, pdf — 330v, 50a igbt — renesas rjp30h2 datasheet, pdf — n channel igbt — renesas. Полный лист данных производителя крыла d2499. Параметры и характеристики. Поиск запчастей и инвентаря. D2499: описание кремниевого диффузионного силового транзистора (общее описание): скачать 1 страниц: прокрутить / увеличить: 100%.Паспорт транзистора 2sd, pdf, эквивалент 2sd. · Низкое напряжение насыщения. Сменный и аналогичный транзистор для. Китай транзистор mitsubishi китай высокочастотный широкополосный транзистор китай к-3п транзистор к-3п.
Это техническое описание содержит проектные характеристики. Ознакомьтесь с таблицей данных, посмотрите, узнаете ли вы какие-нибудь знакомые характеристики. Корпуса транзисторов изготавливаются из стекла, металла, керамики или пластика. Техническое описание транзисторов kspa, pdf, эквивалент kspa.
D2499: описание npn с тройным рассеиванием типа mesa (выход горизонтального отклонения для цветного ТВ): скачать 5 страниц: прокрутка / масштабирование: 100%.D2499: кремниевый транзистор рассеянной мощности: компьютер wing shing: 3: 3dd2499: корпус усилителя низкой частоты — биполярные транзисторы с номиналом. D2499, d2499 техническое описание, pdf. Модулятор Transisgor в передатчике что такое а? Кремниевый диффузионный силовой транзистор (общее описание), техническое описание d2499, схема d2499, техническое описание d2499: крылья, все данные, техническое описание, сайт поиска электронных компонентов и полупроводников, интегральных схем, диодов, симисторов и других полупроводников. D998 datasheet — vcbo = 120v, npn-транзистор — kec, ktd998 datasheet, d998 pdf, распиновка d998, руководство d998, схема d998, эквивалент d998, данные d998.Этот диод может доставлять неудобства, но иногда он используется в даташите bsp.
Силовые транзисторы имеют более крупный лист данных bsp, который можно прикрепить к радиатору для улучшения охлаждения. Наша компания как профессиональный оптовый продавец электроники уже несколько лет быстро развивается, является известной торговой корпорацией. Транзистор D2499 pdf — иногда префикс «2s» не указывается на упаковке — транзистор 2sd может быть помечен буквой «d». Транзистор разработан для высокого напряжения и высокого тока для горизонтального вывода цветного телевизора и будет потрачен впустую в источнике питания.· Высокое напряжение пробоя vcbo = v (min).
D2499 техническое описание (pdf) 1 страница — toshiba semiconductor: арт. D2499 datasheet (pdf) 1 страница — Компоненты компьютера Wing Shing: арт. D2499 datasheet — vcbo = 1500v, npn-транзистор — toshiba, 2sd2499 datasheet, d2499 pdf, распиновка d2499, эквивалент d2499, схема, выход, схема d2499. Выходное отклонение по горизонтали для дисплея с высоким разрешением, цветного телевизионного дисплея, цветного телевизора, техническое описание d2498, схема d2498, техническое описание d2498: toshiba, alldatasheet, datasheet, сайт поиска данных для электронных компонентов и полупроводников, интегральных схем, диодов, симисторов и др. полупроводники.D2396 datasheet pdf — npn tr, vcbo = 80v, ic = 3a — rohm, 2sd2396 datasheet, d2396 pdf, распиновка d2396, эквивалент, данные, схема, выход, схема d2396. D2499 datasheet, d2499 datasheets, d2499 pdf, d2499 circuit: wings — кремниевый диффузионный силовой транзистор (общее описание), все данные, техническое описание, сайт поиска данных для электронных компонентов и полупроводников, интегральных схем, диодов, симисторов и других полупроводников.
Миллионы SD-карт у вас под рукой, начните бесплатную пробную версию сегодня.Поиск по перекрестным ссылкам. Абсолютные максимальные значения ta = 25 ° C, если не указано иное. D2499 datasheet: кремниевые npn-транзисторы, d2499 pdf скачать inchange semiconductor, d2499 datasheet pdf, распиновки, технический паспорт, эквивалент, схема, перекрестная ссылка, устаревшее, поиск электронных компонентов схем и сайт бесплатной загрузки. · Высокая скорость переключения. Isc кремниевый силовой транзистор npn. 2sc datasheet, 2sc circuit, 2sc datasheet: toshiba — npn тройного диффузионного типа (импульсный стабилизатор и высокое напряжение.
Качество 2sd2499 d2499 заменяет транзистор горизонтального вывода 2sc4764 для электронных проектов
Alibaba.com предлагает большой выбор. 2sd2499 d2499 замените 2sc4764 транзистор горизонтального вывода на выбор, чтобы удовлетворить ваши конкретные потребности. 2sd2499 d2499 замените 2sc4764 транзистор горизонтального вывода являются жизненно важными частями практически любого типа электронных компонентов. Их можно использовать для создания материнских плат, калькуляторов, радиоприемников, телевизоров и многого другого. Выбрав правильный. 2sd2499 d2499 замените 2sc4764 транзистором строчной развертки , вы можете быть уверены, что продукт, который вы создаете, будет высокого качества и очень хорошо работать.Ключевые факторы выбора продуктов включают предполагаемое применение, материал и тип, среди других факторов.2sd2499 d2499 заменить 2sc4764 выходной транзистор строчной развертки изготовлен из полупроводниковых материалов и обычно имеет не менее трех выводов, которые можно использовать для подключения их к внешней цепи. Эти устройства работают как усилители или переключатели в большинстве электрических цепей. 2sd2499 d2499 заменить 2sc4764 выходной транзистор строчной развертки охватывает два типа областей, которые возникают из-за включения примесей в процессе легирования.В качестве усилителей. 2sd2499 d2499 заменить 2sc4764 транзистор горизонтального вывода скрывают низкий входной ток до большой выходной энергии, и они направляют небольшой ток для управления огромными приложениями, работающими как переключатели.
Изучите прилагаемые таблицы данных вашего. 2sd2499 d2499 замените 2sc4764 транзистором строчной развертки , чтобы определить ножки базы, эмиттер и коллектор для безопасного и надежного соединения. Файл. 2sd2499 d2499 заменить 2sc4764 транзистор строчной развертки на алибабе.com используют кремний в качестве первичной полупроводниковой подложки благодаря его превосходным свойствам и желаемому напряжению перехода 0,6 В. Основные параметры для. 2sd2499 d2499 заменить 2sc4764 транзистор строчной развертки для любого проекта, включая рабочие токи, рассеиваемую мощность и напряжение источника.
Откройте для себя удивительно доступный. 2sd2499 d2499 замените 2sc4764 транзистор горизонтального вывода на Alibaba.com для всех ваших потребностей и предпочтений. Доступны различные материалы и стили для безопасной и удобной установки и эксплуатации.Некоторые аккредитованные продавцы также предлагают послепродажное обслуживание и техническую поддержку.
Автор max 9 апреля 2020 г., 17:43.Временная шкала событийmax создала эту ревизию. Эта ревизия теперь требует внесения изменений. Max запланированных изменений в этой ревизии. Max запланированных изменений в этой ревизии. Max запланированных изменений в этой ревизии. Max запланированных изменений в этой ревизии. Max запланированных изменений в этой ревизии. доработка.max запланированные изменения в этой ревизии. max запланированные изменения в этой ревизии. max запланированные изменения в этой ревизии. max запланированные изменения в этой ревизии. max запланированные изменения в этой ревизии. max отменили эту ревизию.
| ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
4 строки | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
4 строки | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
4 строки | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
6 строк | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
9070 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
16 строк | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
3 строки | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2 линии | 6 строк | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
8 строк | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
60 строк | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
9 строк | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
4 строки | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2 строки | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
10 строк | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
12 строк | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
59 линий | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
5 строк | 9||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
33 строки | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2 строки | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
51 строка | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2 строки | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
3 строки | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
4 строки | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
4 строки | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
100 строк | 9||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
100 строк | 9||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
16 линий | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
133 строки | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
71 строка | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
6 строк | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2 строки | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
12 строк | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
30 строк | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
10 строк | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
17 линий | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
dagster_k8s_tests / |
_ _ dagster-papertrail dagster-papertrail10 | 5 строк | |||
| 9 | |||
dagster-pyspark / | dagster_pyspark_tests / |
04
Дифф. База 900 10 | База | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Разница 1 | 11658 | 35ab4e6 | 9 апреля 2020 г., 17:43 PM |
Tt2142 эквивалентная книга транзисторовTt2142 эквивалентная книга транзисторовЯ бы описал сверхгигантские транзисторы как искусство, я также считаю, что half life 2 — это искусство.Перекрестные ссылки — это не волшебство, понимание схемы и параметрический поиск важных параметров намного надежнее. 20 мая 2014 года Transistor поставил меня на место Рыжего, одаренного и популярного музыканта, живущего в киберпанк-фэнтези-городе Клаудбанк. Система нумерации деталей для мощных транзисторов to3. Купить международное руководство по эквивалентам транзисторов Бернарда Бабани, издательство книг по радио и электронике Майклса, Адриана Исбна. Проверяет все типы диодов германиевые, кремниевые, силовые, светодиоды и стабилитроны, указывает катодные или анодные выводы диода.Высокая частота ограничивает wmax биполярных переходных транзисторов. В транзисторе с гетеропереходом база обычно очень сильно легирована, в то время как эмиттер более легирован. Transistor — это всегда красивая игра, но в этих случаях она демонстрирует редкое умение сочетать визуальные эффекты и музыку с максимальной эффективностью. Проверьте наш раздел бесплатных электронных книг и руководств по транзисторным схемам. Примечания к выбору транзисторной замены электроники. Эта книга easytouse охватывает все типы транзисторов, в том числе. Там, где Bastion была простой игрой в жанре экшн, транзистор использует более стратегическую систему, нажимающую правый триггер или.Август 08, 2016 tt2146 datasheet коммутирующий транзистор tt2146 sanyo, tt2146 pdf, распиновка tt2146, руководство tt2146, схема tt2146, эквивалент tt2146, данные tt2146, схема. Tt2142 — Справочник транзисторов. Так называемые эквивалентные части или замены могут вообще не работать в некоторых случаях, потому что они были хуже в некоторых спецификациях, или схема была разработана с предположением, что часть имеет довольно низкую полосу пропускания. Около 31% из них — транзисторы, 50% — интегральные схемы и 18% — конденсаторы.Список перекрестных ссылок полупроводников и транзисторов. Больше всего Transistor отличается от своего предшественника боевой механикой. Tt2142 цветной телевизор приложения вывода горизонтального отклонения. 5 апреля 2008 г. В 80-е и 90-е годы я искал эквиваленты компонентов в книгах. Tt2148 — даташит, аналоги, поиск по каталогам. Tt2146 datasheet коммутирующий транзистор tt2146 sanyo, tt2146 pdf, распиновка tt2146, руководство tt2146, схема tt2146, эквивалент tt2146, данные tt2146, схема. В этой книге также есть очень подробный глоссарий, указатель и уравнения.25 августа 2011 г. перекрестные ссылки — это не волшебство, понимание схемы и параметрический поиск важных параметров намного надежнее. Какие книги использовать для изучения МОП-транзисторов, байт-транзисторов. Перекрестная ссылка на универсальную справочную страницу транзисторов 1. Транзистор пытается сделать что-то подобное с пляжем, который может посещать красный цвет, но это также не работает, в основном потому, что к нему можно получить доступ только в определенных точках, а его просто нет. Диод 1n9148 1n4307 1n4532 диод 1n3605 2n2222 микросхема 2n2369 транзистор se708 ma1704 ma1703 текст.Nte — компания, специализирующаяся на деталях с перекрестными ссылками. Бесплатные книги по транзисторным схемам, скачать электронные книги онлайн. Общее руководство по электрическим транзисторам, если эта ссылка пропадает, иногда вы можете найти ее за абсурд. Транзисторный эквивалент книги pdf скачать бесплатно с corfikome. Он предназначен для общего применения с высоким напряжением и размещается в сот. Эффективность эмиттера транзистора по-прежнему рассчитывается по электронному току относительно полного тока эмиттера и равна. Tt2206 datasheet, tt2206 pdf, распиновка, схема sanyo.Полупроводниковый транзистор, диод, перекрестная ссылка на микросхему. T2142f — параметры, поиск аналогов. Transistor — всегда красивая игра, но в этих случаях она демонстрирует редкое умение сочетать визуальные эффекты и музыку, чтобы мощно передать как повествовательную информацию, так и тон, управляя автомобилем. Sanyo, alldatasheet, datasheet, сайт поиска данных для электронных компонентов и полупроводников, интегральных схем, диодов, симисторов и других полупроводников. Начальный 2n идентифицирует деталь как транзистор, а остальная часть кода идентифицирует конкретный транзистор.Tt2142 даташит цветной телевизор с горизонтальным отклонением выходных приложений. Приложения вывода горизонтального отклонения цветного телевизора, таблица данных tt2142, схема tt2142, таблица данных tt2142. Tt2146 datasheet vceo400v, переключающий транзистор sanyo. Для этого транзистора значение hfe около 500 указывает на то, что транзистор работает правильно. Входное сопротивление транзисторной цепи электрическое. Справочник по полупроводникам в мягкой обложке июль 1996 г. Электронные схемы с перекрестными ссылками Ka2206, схемы телевизоров. Сборник дампов для теле-, видео- и аудиоаппаратуры, устройств связи, бытовой и оргтехники, паспортов радиодеталей atmel, паспортов радиодеталей компании cirrus logic, паспортов радиодеталей компании maxim, паспортов радиодеталей по микрочипам, данных листы радиодеталей mitsubishi, данные. Бесплатные книги по транзисторным схемам скачать электронные книги онлайн-учебники. Пытался закрутить тему колонки по быстродействию получил перегоревший транзистор q43. Если он вам нужен, я бы порекомендовал вам купить одно из предыдущих изданий 2000 года или ранее. В итоге я купил копию восьмого издания 1998 года, а. Supergiants, продолжение Bastion — это невероятно умная боевая игра, которая полностью доверяет вашему интеллекту. В большинстве проектов указывается конкретный транзистор, но при необходимости вы можете заменить его.Другой способ проверить транзистор — использовать функцию проверки диодов и проверить каждый из них. Джонсон отличная книга для изучения электроники простым простым языком. Dt100 представляет собой динамический тестер транзисторов и диодов. Планарный кремниевый транзистор tt2142 цветной телевизор с выходом горизонтального отклонения пакет функций. Игра начинается драматично, красный вытаскивает гигантский меч. Transistor — это меньший по размеру и более узкий игровой процесс, чем любая из этих игр. Но его миниатюрный рост заставляет его больше походить на триумф, учитывая лигу, в которую я его поместил.Я не могу найти местного поставщика, чтобы поставить tt2146, высоковольтный, высокоскоростной, переключающий транзистор в корпусе to220. Pc o a i tt r f a t, pplication sch em atic 2150m h z 2142 rev a2 9 rf2146 химическая оценочная плата. Enn0000 tt2148 npn тройной диффузный планарный кремниевый транзистор tt2148 импульсный стабилизатор приложения предварительные характеристики размеры корпуса высокое напряжение пробоя и высокая надежность. Enn7550 tt2142 npn тройной диффузный планарный кремниевый транзистор tt2142 цветной телевизор с горизонтальным отклонением выходных приложений имеет размеры корпуса высокая скорость.В нашем обширном ассортименте имеется более 32 000 различных номеров микросхем и транзисторов, а также множество других изделий: конденсаторы, резисторы, диоды, обратные переходники, предохранители. Есть ли какая-либо веб-программа или отдельная программа для такого обслуживания транзисторов и микросхем. Я не могу найти местного поставщика, который бы поставил tt2146, высоковольтный, высокоскоростной, переключающий транзистор, в. Есть игры, есть иммерсивные, подробные опыты, которые намного ближе к интерактивному искусству. D2499 datasheet vcbo1500v, npn-транзистор toshiba, 2sd2499 datasheet, d2499 pdf, распиновка d2499, эквивалент d2499, схема, выход, схема d2499. Enn7550 tt2142 npn тройной диффузный планарный кремниевый транзистор tt2142 цветной телевизор с выходом горизонтального отклонения. Принципы транзисторных схем — очень хорошая книга, но этот отпечаток девятого издания 2003 года сильно страдает от оцифровки, так как иллюстрации почти неразборчивы. Показанная выше конфигурация называется npn-транзистором. Решение состоит в том, чтобы ввести тонкую нелегированную распорку с широкой запрещенной зоной. Есть ли транзистор, который я могу использовать вместо 2n 904. Это PDF-формат хорошо известной книги по распиновке аппаратного обеспечения, в которой описаны распиновки различных компьютеров, электрических и электронных устройств.Таблица данных транзистора tt2142, pdf, эквивалент tt2142. В таком случае легирующая добавка легко диффундирует в эмиттер и легирует его p-тип. Электронные компоненты на биполярных транзисторах от родных. Терминал слева называется эмиттером, а терминал справа. Транзисторный эквивалент или аналог, используемый для усилителя мощности. Эта страница содержит список бесплатных электронных книг, онлайн-учебников и учебных пособий по транзисторным схемам. Он включает в себя тестирование схемы и индикаторы полярности как для транзисторов, так и для диодов.Я в 80-е и 90-е годы искал эквиваленты компонентов в книгах. Ena0996 2sc6090ls sanyo semiconductors техническое описание npn тройной диффузный планарный кремниевый транзистор цветной телевизор горизонтальное отклонение 2sc6090ls выходных приложений отличается высокой скоростью. Эмиттер, коллектор и база по своей сути транзистор состоит из двух диодов, расположенных спина к спине. Руководство по тиристорам и диодам RCA SC14, а также большой выбор сопутствующих книг, произведений искусства и предметов коллекционирования доступны сейчас на сайте. Использование транзисторов, правила транзисторов, схема с общим эмиттером, усиление малого сигнала, полевые транзисторы, рабочие области jfet.Биполярный, силовой, ВЧ, цифровой, IGBT, однопереходный, FET, JFET и МОП-транзисторы. Международный справочник по эквивалентам транзисторов Бернар Бабани. Посмотреть все 2 формата и редакции, скрыть другие форматы и редакции. Ферма такая же, как на фоне последнего экрана, вы можете восстановить и изменить дизайн города так, как вы хотели, с помощью транзистора, который является ключом и средством формирования материала процесса, но вместо этого вы восстанавливаете тело своего любовника. и убить себя рядом с ним, чтобы навсегда присоединиться к нему внутри транзистора.В большинстве проектов указывается конкретный транзистор, но при необходимости вы обычно можете заменить эквивалентный транзистор из широкого ассортимента. Доступно большое количество вариантов транзистора tt2140. Ограничения по высокой частоте wmax биполярные переходные транзисторы bjts. 20 мая 2014 года транзистор больше всего отличается от своего предшественника боевой механикой. Ежедневные низкие цены и бесплатная доставка соответствующих заказов. Форум по высокоскоростной коммутационной транзисторной электронике tt2146 hv. Transistor поставил меня на место Рэда, одаренного и популярного музыканта, живущего в киберпанк-фантастическом городе Клаудбанк.21 августа 2014 г. Общее руководство по электрическим транзисторам, если эта ссылка исчезнет, вы иногда можете найти ее за абсурд. Эквивалент транзистора tt 2142, техническое описание, перекрестная ссылка, примечания по схемам и применению в формате pdf. Кремниевый npn-транзистор в пластиковом корпусе to3p foshan blue rocket electronics co. Коды транзисторов поверхностный монтаж, pnp, npn, выбор. Там, где Bastion была простой игрой в жанре экшн, транзистор использует расширение. В этой книге представлены практические рекомендации и информация по применению при использовании транзисторов в электронных и электрических схемах.25 мая 2018 г. d2499 datasheet vcbo1500v, npn-транзистор toshiba, 2sd2499 datasheet, d2499 pdf, распиновка d2499, эквивалент d2499, схема, выход, схема d2499. Tt2146 hv высокоскоростная переключающая транзисторная электроника. Категория полярность значение bvceo 704 x y zzz x нечетное число 7 pnp x четное число 8 npn y текущее значение, где задано усиление hfe. Сборник дампов для теле-, видео- и аудиоаппаратуры, устройств связи, бытовой и оргтехники, паспортов радиодеталей atmel, паспортов радиодеталей компании cirrus logic, паспортов радиодеталей компании maxim, паспортов радиодеталей по микрочипам, данных листы радиодеталей от mitsubishi. Или мне нужно укусить пулю и заказать еще несколько советов. Таблица данных T2142, аналоги, поиск по ссылкам. Техническое описание транзисторов и диодов Texas Instruments, 1-е издание 1973 г., для диодов от 1n251 и транзисторов от 2n117 на acrobat 7 pdf 34. Mmbt5551m3 npn-транзистор высокого напряжения устройство mmbt5551m3 — это спин. Журнал медицинских интернет-исследованийВведениеЭффект электронного обучения (электронного обучения), вероятно, будет революционным, хотя остается неизвестным, как именно оно изменит профессиональное образование. Это заявление является частью видения и стратегии Frenk et al (2010) комиссии по вопросам образования и здравоохранения в 21 веке []. По состоянию на 2018 год революция электронного обучения в странах с ограниченными ресурсами еще не началась, и потенциал электронного обучения в поддержке продвижения медицинского образования все еще неизвестен. Какие препятствия в настоящее время ограничивают возможности электронного обучения для медицинского обучения в странах с ограниченными ресурсами? Как можно с помощью электронного обучения решить продолжающийся кризис кадровых ресурсов здравоохранения? Совершенно очевидно, что прогресс крайне необходим, учитывая, что страны с низкими доходами сталкиваются с хрупкими системами здравоохранения и крайне недостаточным количеством работников здравоохранения.Из 49 стран Африки к югу от Сахары с населением около одного миллиарда человек только около 6000 врачей получают дипломы в год по сравнению с Западной Европой с населением 200 миллионов человек (пятая часть Африки к югу от Сахары), где количество врачей количество выпускников в год (42 000) в семь раз больше, чем в странах Африки к югу от Сахары []. Низкое количество выпускников в Африке к югу от Сахары отражает небольшое количество медицинских школ (134) по сравнению с Западной Европой (почти 300) []. Таким образом, страны Африки к югу от Сахары срочно нуждаются в расширении существующей образовательной инфраструктуры, чтобы удовлетворить большое и растущее число молодых людей, стремящихся к образованию, и удовлетворить острую потребность в медицинском обслуживании их населения путем обучения большего числа квалифицированного медицинского персонала.Существующая образовательная инфраструктура (в частности, медицинское образование), практическая подготовка медицинских работников и непрерывное медицинское образование недостаточны по количеству и качеству. Учреждения медицинского образования, такие как колледжи медсестер, смежных медицинских наук и медицинские школы, сталкиваются с ограниченными возможностями приема студентов и недостаточным количеством преподавателей-медиков, а также страдают от отсутствия инфраструктуры, такой как недостаточное количество аудиторий, лекций холлы или общежития. Технологии же развиваются семимильными шагами. Персональные компьютеры были представлены широкой публике в 1970-х годах, и на протяжении последних десятилетий технический прогресс был поразительно быстрым. Сегодня компьютеры широко доступны во многих формах: планшеты, мобильные телефоны, ноутбуки и гарнитуры виртуальной реальности. Эти технологии меняют подходы к обучению и потенциально могут улучшить оказание медицинской помощи. Однако глобальные цифровые ресурсы распределяются неравномерно, вызывая так называемый «цифровой разрыв».«Чтобы дать странам с низким уровнем дохода возможность ускорить длительные ранние этапы развития, которые переживают страны с высоким уровнем дохода [], требуется сокращение цифрового разрыва за счет увеличения развития технологических ресурсов и доступа к ним. Одним из примеров быстрого технологического прогресса является быстрое и широкое распространение мобильных телефонов в странах Африки к югу от Сахары []. В целом страны к югу от Сахары значительно продвинулись вперед в области мобильной связи и доступа в Интернет. Этот прогресс создает благоприятные условия для электронного обучения медицине; его преимущества включают гибкое обучение, экономию времени, потенциально более низкие затраты (из-за меньшей потребности в печатных учебных материалах, таких как книги и легко обновляемые электронные материалы), стандартизацию содержания курса, дистанционную доставку и масштабируемость.Электронное обучение для медицинского образования может предоставить этим странам шанс увеличить количество подготовленных медицинских работников в странах с низким уровнем дохода, сохраняя или потенциально улучшая качество образования при поддержке самостоятельного обучения и, таким образом, уменьшая нагрузку на текущее здравоохранение. работники, занимающиеся санитарным просвещением. Пилотит: как победить пилотные проектыВ опубликованной литературе задокументировано множество мероприятий электронного обучения для медицинского образования и электронного здравоохранения (eHealth) в странах Африки к югу от Сахары.Фактически, было так много проектов электронного здравоохранения, что в 2012 году Уганда издала директиву о прекращении всех национальных инициатив мобильного здравоохранения (mHealth) и остановила пилотные проекты, которые использовали мобильные и беспроводные устройства для здравоохранения по всей стране [], несмотря на провозглашенную революцию технологии здравоохранения и их обещанный потенциал. Уганда отреагировала на кажущийся хаос вокруг пилотных проектов и приостановила разработку стандартов технических спецификаций и согласование проектов с национальной стратегией Уганды в области здравоохранения. Уганда свидетельствует об общей тенденции в странах Африки к югу от Сахары с точки зрения электронного обучения для медицинского образования с использованием множества подходов.Вмешательства электронного обучения, как правило, проводятся изолированно или параллельно в одной стране, что вызывает впечатление безотлагательности, что приводит к неосмотрительной реализации, основанной на стратегии «все лучше, чем ничего». Недавняя Глобальная обсерватория электронного здравоохранения Всемирной организации здравоохранения [] обнаружила, что общее количество пилотных проектов сокращается, а количество реализованных крупномасштабных проектов растет; однако в недавнем отчете Комиссии по широкополосной связи в интересах устойчивого развития говорится, что до сих пор отсутствует национальная координация решений цифрового здравоохранения в странах с низким и средним уровнем доходов, что ведет к «фрагментированной экосистеме» [].Кроме того, во многих мероприятиях электронного обучения не используется общесистемный подход [], в результате чего не учитываются важные аспекты в плане разработки электронного обучения. На более позднем этапе такие исключения превращаются в основные препятствия для внедрения технологий и приводят к разочарованию и неудачам в реализации вмешательства после пилотной фазы, таким как недостаточная подготовка всех заинтересованных сторон (студентов, учителей и администрации), недостаточное обслуживание и технический пользователь. поддержка, недостижимо высокие ожидания и нереалистичное финансовое планирование [].В результате многие из этих вмешательств и проектов, основанных на технологиях, никогда не продвигаются дальше экспериментальной стадии []; они заканчиваются до увеличения масштаба — феномен под названием pilotitis []. Ясно, что пилотные проекты важны как этап мелкомасштабного тестирования перед инвестированием в крупномасштабное развертывание, но пилотный проект требует четко определенных целей в сочетании с мониторингом и оценкой []. Устойчивое внедрение, ведущее к расширению масштабов, имеет решающее значение для полного раскрытия потенциала электронного обучения в медицине. Структурированная и устойчивая реализацияЧтобы быть успешными, вмешательства электронного обучения должны следовать системному подходу в данной образовательной среде и, более конкретно, учитывать определение объема, целей и целевой группы, наличие соответствующей учебной программы, активное участие учителей и администраторов, достаточная поддержка информационных технологий (ИТ), адекватная ИТ-инфраструктура и четкая политическая и институциональная поддержка. Стандартная система оценки может дать представление об адаптации пилотных медицинских программ электронного обучения к местным условиям и потребностям. Меры вмешательства должны быть максимально тесно связаны с местной образовательной инфраструктурой []. В основе инфраструктуры лежат люди, которые усердно учатся; учителя; а также административный и вспомогательный персонал, такой как руководитель отдела, координаторы обучения, ИТ-служба поддержки и сетевые администраторы. Учебная программа обеспечивает руководство на индивидуальном уровне, что имеет решающее значение для вмешательств электронного обучения в медицинском образовании, особенно для интеграции электронного обучения в учебную программу.Однако, как отметила комиссия по вопросам образования и здравоохранения 21 века, «профессиональное образование не успевает … в основном из-за фрагментированных, устаревших и статичных учебных программ, которые выпускают плохо подготовленных выпускников», как «местные образовательные стандарты. слишком часто движимы желанием вписаться в те рамки, которые существуют где-то еще »[]. Таким образом, внедрение электронного обучения может быть шансом пересмотреть текущие учебные планы, чтобы учесть и интегрировать научные достижения, модели, ориентированные на учащегося, которые ориентированы на компетенцию, а также методы преподавания и обучения, основанные на технологиях. Интернет и другие технологии способствовали росту знаний, которые обычно доступны бесплатно всем, у кого есть технологические средства доступа. Таким образом, сегодня знания доступны как никогда. Всего несколько десятилетий назад, когда были разработаны самые современные медицинские учебные программы, запоминание фактов часто считалось первостепенным. Сегодня умение находить необходимую информацию стало более важным как часть процессов синтеза, анализа и принятия решений [].С появлением новых технологий обучения и изменениями в обращении со знаниями образовательные учреждения в странах с низким уровнем дохода должны использовать эту возможность для обновления своих учебных программ []. Включение электронного обучения в учебную программу подтвердило бы его роль в качестве важного образовательного инструмента, способствующего прогрессу, а не нынешнее восприятие электронного обучения как «технологической игрушки». В странах с низкими доходами, которые сталкиваются с недостаточным количеством учителей-медиков и нуждаются в быстром улучшении, электронное обучение могло бы стать важным шагом для облегчения перегрузки потенциала небольшого числа учителей-медиков за счет использования новых технологических подходов для приобретения знаний и навыки и умения.Например, вместо подхода, ориентированного на учителя, можно использовать смешанный подход к обучению, при котором учащиеся учатся с помощью материалов для самостоятельного электронного обучения, таких как интерактивные викторины, видео и литература, чтобы углубить понимание и охватить ряд тем. или модули. Этот компонент электронного обучения можно сочетать с личным обменом мнениями и, таким образом, сократить время, затрачиваемое учителями-медиками, за счет замены учебных дискуссионных групп или перевернутого класса, в котором учитель-медик облегчает обсуждение и сессию вопросов и ответов.Это устранит необходимость и время, затрачиваемое на подготовку полных лекций, но по-прежнему будет ориентироваться на потребности студентов с помощью сессий вопросов и ответов. Изменение учебной программы является важным элементом успешной интеграции электронного обучения, но это только одна часть «головоломки». Успешное внедрение и правильная оценка должны соответствовать многоуровневому подходу, который включает индивидуального учащегося, среду обучения, контекст внедрения электронного обучения, технологическая среда и педагогика, задействованные в реализации электронного обучения []. Перед началом внедрения электронного обучения необходимо четко определить цели и ожидаемые результаты вмешательства. На индивидуальном уровне оценка потребностей может дать ценную информацию для реализации в отношении содержания, дизайна электронного обучения и технологического оборудования. Это ответит на вопросы о том, какой контент ожидают учащиеся и какой контент может быть предложен. Материалы должны быть нацелены на учащегося, учитывать культурный контекст и соответствовать национальным стратегиям и руководствам в области здравоохранения.Для разработки учебных материалов необходимы вклад и активное участие медицинского персонала, что является узким местом, поскольку электронное обучение часто направлено на то, чтобы восполнить нехватку учителей-медиков. Следовательно, со стороны медицинских преподавателей, администрации учреждения и руководящих органов требуется твердая приверженность существенным начальным инвестициям в медицинское электронное обучение []. Без убедительного и контекстного содержания медицинское электронное обучение остается скелетом без значимых результатов. Еще одним важным аспектом является то, как следует разрабатывать содержание электронного обучения по медицине и как учащиеся и учителя могут наилучшим образом использовать материалы электронного обучения.Для разработки контента необходимо оценить потребности пользователей и разработать педагогическую стратегию электронного обучения в соответствии с учебной программой. Современные системы управления обучением, такие как популярное программное обеспечение с открытым исходным кодом Moodle [], уже предлагают педагогическую основу, которая может быть адаптирована к местным потребностям и стандартам. Контент должен соответствовать стандартной модели, такой как SCORM (эталонная модель объекта совместно используемого контента) [], чтобы гарантировать совместимость с другими программными платформами и обеспечить возможность совместного использования контента.Плюсы и минусы того, какую технологию лучше всего использовать, должны быть тщательно сбалансированы с учетом конкретных условий, особенно в отношении пользователей (учащихся и учителей), служб поддержки (персонал информационно-коммуникационных технологий) и технологической устойчивости, включая варианты долгосрочного обслуживания. и технологическая полезность в данной ситуации с низким уровнем ресурсов. Могут ли пользователи использовать устройство без особых усилий? Можно ли отремонтировать технологическое устройство в случае поломки внутри страны? Соответствует ли технологическое устройство окружающей среде? Возможно, потребуется предоставить учащимся и учителям технические устройства для обеспечения равного доступа к медицинскому электронному обучению.Доступ в основном онлайн или офлайн? Должна ли платформа электронного обучения предоставляться через локальный сервер или через арендованную услугу? Кто может обслуживать и обновлять технологическую инфраструктуру? Ответы на эти вопросы должны помочь при выборе технических устройств и услуг. При финансовом планировании также необходимо учитывать повторяющиеся затраты на техническое оборудование, обучение ИКТ, регистрацию доменного имени, а также безопасность и конфиденциальность данных. Одним из средств лечения пилотита может быть сама технология.Например, может быть создана онлайн-база данных, аналогичная реестру клинических испытаний, с помощью которой централизованно регистрируются меры электронного здравоохранения и электронного обучения для стран Африки к югу от Сахары (или даже во всем мире). Эта база данных может обеспечить прозрачность нынешнего черного ящика электронного здравоохранения и медицинского электронного обучения. Потенциально существующие институты и усилия, например Комиссия по широкополосной связи в интересах устойчивого развития или Всемирная организация здравоохранения как часть Глобальной обсерватории электронного здравоохранения, могут предоставить рамки и потенциально ресурсы для размещения, обслуживания и развития такого электронного здравоохранения и медицинского электронного здравоохранения. -обучающая база данных.Это упростит сотрудничество, планирование и установление приоритетов на национальном и международном уровнях. Тогда наиболее эффективные из текущих вмешательств могут быть реализованы там, где они больше всего необходимы. Такие параметры, как тип технологии, использованной для вмешательства, а также методы оценки и измеряемые результаты, могут быть интегрированы в базу данных, таким образом поддерживая продвижение стандартных методов оценки для медицинского электронного обучения. Эта база данных может стать отправной точкой для новых заинтересованных сторон, а также информацией для политиков и регулирующих органов.Национальная политика должна поддерживать меры медицинского электронного обучения и обеспечивать необходимую основу для структурированного роста инициатив электронного обучения. Альфа и Омега электронного обучения: оценкаМногие опубликованные медицинские оценки электронного обучения имеют некачественные научные стандарты [] и часто сообщают о своих результатах в повествовательной форме [-] без соблюдения стандартов отчетности для качественных или количественная оценка. Большинство программ электронного обучения основаны на самостоятельно разработанных схемах оценки, которые редко подтверждаются.Субъективные свидетельства обычно сосредоточены исключительно на отдельных учащихся, таких как удовлетворенность учащихся или другие параметры, воспринимаемые пользователем (например, мнение учащегося). Исследования, которые включают в оценку только отдельного учащегося, ограничены в понимании результатов вмешательства. Следовательно, трудно адаптироваться к реальным потребностям и требованиям учащихся. Еще одним ограничением этого подхода является то, что данные опубликованных медицинских исследований электронного обучения нельзя использовать для сравнения с другими исследованиями электронного обучения [-], и уроки, которые могли быть извлечены из сравнения, теряются.В публикациях рассматривались концепции и модели оценки электронного обучения [-], подчеркивая необходимость всесторонней оценки всех уровней вмешательства электронного обучения — от учащегося до институционального и государственного контекстов. Однако неоднородность исследований и большое количество субъективных данных привели к постоянному отсутствию надежных научных данных о влиянии электронного обучения на медицинское образование в странах с ограниченными ресурсами. Следовательно, для получения причинно-следственных связей необходима комплексная оценка медицинских вмешательств электронного обучения.Причины преобладания пилотных проектов методом проб и ошибок и преобладания «самодельных» оценок электронного обучения остаются неясными. Ресурсов для руководства внедрением и оценкой мероприятий электронного обучения предостаточно. Хотя проведение полностью рандомизированных контролируемых исследований в регулируемых системах, таких как медицинское образование, может оказаться затруднительным, можно и нужно использовать другие схемы исследования причинно-следственных связей. Для проверки навыков и знаний доступны многие методы, такие как объективные структурированные клинические обследования или стандартизированные тесты с несколькими вариантами ответов.Преобладающие модели электронного обучения для вопросников включают модели принятия технологий (TAM1 и TAM2) для оценки принятия технологий, единую теорию принятия и использования и шкалу удобства использования системы для удобства использования. Заявление CONSORT (сводные стандарты отчетности по испытаниям) и NOS-E (шкала Ньюкасла-Оттавы для образования) включают стандарты отчетности и оценки качества обучения. Основная цель большинства вмешательств — использовать электронное обучение для улучшения медицинского образования и обеспечения качественного образования.Следовательно, внедрение и развитие электронного обучения должны быть нацелены на эти цели и предоставлять доказательства, позволяющие делать причинно-следственные выводы. Будущая работаПо нашему мнению, фундаментальное требование электронного обучения для медицинского образования должно быть систематическим, особенно в отношении планирования, реализации и оценки. Соблюдение общей и стандартной схемы реализации и оценки, которая может быть дополнительно доработана с учетом местных условий, и использование большего количества причинно-следственных исследований может повысить устойчивость и качество доказательств.Однако электронное обучение для медицинского образования в странах с ограниченными ресурсами по-прежнему требует доказательств эквивалентности или даже превосходства аналоговых и традиционных образовательных подходов. Необходима четкая стратегия адаптированного внедрения и интеграции, а также понимание того, что электронное обучение — это не лекарство от всех, а, скорее, ценный инструмент, требующий твердой приверженности и значительных предварительных инвестиций при постоянной поддержке. В частности, необходимо определение новых ролей и, возможно, создание новых штатных должностей.Чтобы продвигаться вперед с этой новой структурой, необходима политическая воля для разработки национальных и региональных стратегий. Таким образом, международное партнерство может обеспечить прочную основу ресурсов для начальной настройки. Наряду с цифровой образовательной инфраструктурой с электронным обучением для медицинского образования в странах с ограниченными ресурсами, системы здравоохранения можно структурно и существенно укрепить с помощью инициатив электронного здравоохранения. ВыводыЭлектронное обучение для медицинского образования в странах с ограниченными ресурсами находится в неорганизованном состоянии, многие пилотные проекты не расширяются.Таким образом, потенциал электронного обучения, особенно в области медицинского образования, остается недоиспользованным. Недостаточно сделать технологию доступной и не воздаст должного многим потенциальным студентам-общеобразователям и студентам-медикам, нуждающимся в качественном образовании в странах Африки к югу от Сахары. Мы не утверждаем, что электронное обучение — это волшебная палочка для решения существующих проблем с медицинским обучением в условиях ограниченных ресурсов с нехваткой медицинских работников и квалифицированных медицинских преподавателей. Тем не менее, мы рассматриваем электронное обучение как важный и мощный компонент с потенциалом, который до сих пор остается в значительной степени недооцененным в этих условиях.Поэтому мы предлагаем согласованные усилия по развитию и повышению эффективности электронного обучения как образовательного инструмента для увеличения количества и качества программ медицинского образования. Мы предлагаем (1) тематическую базу данных, в которой регистрируются все мероприятия электронного обучения и электронного здравоохранения, аналогичные регистрам клинических испытаний, (2) стандартизованную и широко используемую структуру для оценки программ электронного обучения и (3) структурированные программы, которые включать электронное обучение внутри медицинских учебных заведений и органов по аккредитации и между ними.Электронное обучение для медицинского образования не требует самостоятельного выполнения: оно требует значительных предварительных вложений в контент, обучение и технологии, а также признание повторяющихся затрат, которые потенциально будут окупаться только на более позднем этапе []. Для стран с низким уровнем ресурсов, которые пытаются увеличить количество работников здравоохранения, медицинское электронное обучение может ускорить прогресс, пропуская многие предыдущие шаги в области развития, предпринятые странами с высоким уровнем дохода в прошлом. Доступные технологии, включая программное обеспечение и оборудование, могут коренным образом изменить и сформировать системы здравоохранения, качество медико-санитарного просвещения и, как следствие, качество и количество оказываемых медицинских услуг и доступа к ним.Заинтересованные стороны должны сосредоточиться на формулировании и продвижении стандартных рамок для внедрения и оценки []. Здоровье — это люди, а также электронное обучение в медицине. Нам необходимо подчеркнуть, что образование лежит в основе укрепления систем здравоохранения, поскольку образование повышает эффективность систем здравоохранения, чтобы они могли справедливо и эффективно удовлетворять потребности пациентов и населения. Благодарим Джулию Чаллинор за редакционную поддержку. Не заявлено. С.Б. написал полный черновик рукописи.FN отредактировал и рассмотрел первоначальный проект. Все авторы прочитали, отредактировали и одобрили окончательную рукопись. Под редакцией Г. Айзенбаха; подано 14.10.18; рецензировано Р. Вадде, С. Джонсом; комментарии автору 06.11.18; доработанная версия получена 11.11.18; принято 24.11.18; опубликовано 09.01.19 © Сандра Бартейт, Альбрехт Ян, Секелани С. Банда, Тилль Бернигхаузен, Аннель Бова, Джеффри Чилеш, Дорота Гузек, Маргарида Мендес Хорхе, Сигрид Людерс, Грегори Малунга, Флориан Нойханн. |