Параметры d2499: Транзисторы 2SD2499(D2499) и STS9014 (S9014)

Содержание

Транзисторы 2SD2499(D2499) и STS9014 (S9014)

Транзисторы STS9014 (S9014)

Транзисторы STS9014 (S9014) — высокочастотные кремниевые n-p-n средней мощности. Корпус пластиковый TO-92, у транзисторов S9014L, S9014H — SOT-23. Маркировка у транзисторов с корпусом TO-92 буквенно — цифровая (S9014), у транзисторов с корпусом SOT-23 — код J6 сверху .
На рисунке ниже — цоколевка STS9014 (S9014), S9014L, S9014H.

Наиболее важные параметры.

Уровень собственных шумов на частоте 1КГц — не более 10дб.

Коэффициент передачи тока:
У транзисторов S9014 — от 100 до 1000 .
У транзисторов S9014 — от 200 до 450 .
У транзисторов S9014 — от 450 до 1000 .

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 100мА, базы 10мА — — не выше 0,25в.


Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер:
У транзисторов S9014 — 50в.
У транзисторов S9014L, S9014H — 45в.

Максимальный постоянный ток коллектора:
У транзисторов S9014 — 150 мА.
У транзисторов S9014L, S9014H — 0,1A.

Рассеиваемая мощность коллектора:
У транзисторов S9014 — 625 мВт.
У транзисторов S9014L, S9014H — 200 мВт.

Граничная частота передачи тока:
У транзисторов S9014 — 60 МГц.
У транзисторов S9014L, S9014H — 150 мВт.

Емкость коллекторного перехода на частоте 1Мгц, при напряжении коллектор-база 10 в — не более

3,5 пФ.

Обратный ток колектора при напряжении коллектор-база 50 в — не более 50 мкА.

Обратный ток эмитера при напряжении эмиттер-база 5 в — не более 100 мкА.

Транзистор комплементарный STS9014 — STS9015.

На главную страницу

характеристики, аналог и datasheet на 2SD2499

Если посмотреть в технические характеристики транзистор D2499 (2SD2499) которые указаны в datasheet, можно сказать с уверенностью что он является высоковольтным, быстродействующим n-p-n устройством. Также имеет встроенный демпферный диод. Используется в основном в цепях строчной развёртки цветных телевизоров и мониторов.

Распиновка

Цоколевка 2499 выполнена пластиковом корпусе в котором он выпускается. Расположение выводов, если смотреть на транзистор сверху, прямо на маркировку, будет такое:

  • слева находится база;
  • посередине коллектор;
  • справа эмиттер.

Обычно маркировка на него наносится в сокращённом виде, без двух первых символов – D2499.

Технические характеристики

Предельно допустимые характеристики 2SD2499 это то, на что стоит в первую очередь обратить внимание при выборе транзистора для замены или для своих радиосхем. Их превышение, так же как и длительная эксплуатация на максимальных рабочих режимах может привести к поломке транзистора.

Приведём их ниже:

  • Предельно допустимая разность потенциалов между К-Б VCBO (Uкб max) = 1500 В;
  • Максимально возможное напряжение действующее между К-Э VCEO (Uкэ max) = 600 В;
  • Наибольшая разность потенциалов между Э-б VEBO (Uэб max) = 5 В;
  • Предельно допустимый ток коллектора, действующий длительное время IC (Iк max) = 6 А;
  • Максимально возможный кратковременный ток через коллектор ICP (Iк пик) = 12 А;
  • Наибольший постоянный ток через базу IВ (IБ max) = 3 А;
  • Предельно допустимая рассеиваемая мощность на коллекторе (при температуре окружающей среды +25ОС) РСк max) = 50 Вт;
  • Диапазон рабочих температур Tstg = -55 … 150
    О
    С;
  • Предельная температура кристалла Tj = 150ОС.

Помимо приведённых выше параметров, при выборе устройства следует также обращать внимание на электрические характеристики. Ниже приведена таблица с их значениями, протестированными при температуре +25ОС. Остальные условия, важные для проведения тестирования находятся к колонке «Режимы измерения».

Параметры Режимы измерения Обозн. min typ max Ед. изм
Обратный ток, текущий через коллектор V= 1500В, IЕ = 0 ICВO 1 мА
Обратный ток, текущий через эмиттер VEB = 5В, IC = 0 IEBO 67 200 мА
Пробивное напряжение между эмиттером и базой IE= 400 мA, IC= 0 VEBO 5 В
Статический к-т передачи тока VCE=5 В,IC= 1 A

VCE=5 В, IC=1 A

hFE1

hFE2

8

5

 

 

25

9

Напряжение насыщения перехода К-Э IC= 4 A, IB = 0,8 A V CE(sat) 5 В
Напряжение насыщения перехода Б-Э IC= 4 A, IB = 0,8 A V ВE(sat) 1,05 1,3 В
Прямое напряжение на демпферном диоде IF= 6 A VF 1,6 2,0 В
Ёмкость коллекторного перехода VCB=10V,f=1. 0MHz,

IE=0

Cob 95 пФ

Рассмотрим график зависимости к-та передачи тока от тока коллектора. На рисунке представлено три кривые, в зависимости от температуры воздуха (-25 ОС, +25 ОС, +100 ОС). Из приведённых данных видно, что усиление транзистора 2SD2499 сначала растёт, пока значение величины ток коллектора не превысит отметку 1 А, а потом начинает падать.

Аналоги

Подобрать аналоги для транзистора D2499 можно из следующих моделей: BU4508DZ, BU508DXI, BUH515DX1, BUH515FP. Кроме этого в качестве замены также можно использовать: 2SC5250, 2SC5251, 2SC5252. В любом случае перед заменой следует ознакомиться с техническими характеристиками обеих устройств и только после этого принимать решение о замене.

Производители

Скачать datashee на 2499 можно кликнув на название компании. Он был разработан, и впервые изготовлен компанией Toshiba Semiconductor. Сейчас его производят такие компании: Wing Shing Computer Components, Inchange Semiconductor Company, Savantic, Tiger Electronic, Shenzhen SPTECH Microelectronics. Чаше всего в продаже можно встретить транзистор произведённый Toshiba Semiconductor. Встречаются также изделия Китайского производителя Shenzhen SPTECH Microelectronics. И достаточно редко можно встретить продукцию Гонконгской фирмы Wing Shing Computer Components.

транзистор d2499

 
        

6822 транзистор

Транзистор

насыщение транзистора

(от

включение транзисторов

англ.

простые схемы на транзисторах

transfer

p канальный транзистор

маркировка транзисторов

переносить и resistance

транзистор цена

s8050 транзистор

сопротивление

транзистор npn

или

изготовление транзисторов

transconductance

315 транзистор

транзисторы tip

активная

315 транзистор

межэлектродная

транзистор 9014

проводимость

радио транзистор

и

315 транзистор

varistor

полевой транзистор цоколевка

расчет радиатора для транзистора

переменное сопротивление)

транзистор кт819

— электронный

как проверить транзистор мультиметром

прибор из

подключение транзистора

полупроводникового

полевой транзистор характеристики

материала,

эмиттер транзистора

обычно

полевой транзистор

с

усилитель на транзисторах

тремя

полевые транзисторы параметры

выводами,

стабилизатор напряжения на транзисторе

позволяющий

стабилизатор тока на полевом транзисторе

входным

схема включения полевого транзистора

сигналам управлять

полевой транзистор управление

током в

современные транзисторы

электрической

цоколевка импортных транзисторов

цепи.
Обычно

ключ полевой транзистор

используется

13001 транзистор

для

c945 транзистор

усиления,

насыщение транзистора

генерирования

как проверить транзистор мультиметром

и

mosfet транзисторы

преобразования электрических

диоды транзисторы

сигналов.

транзистор d2499


         Управление

ножки транзистора

током в выходной

n p n транзистор

цепи

транзистор 2т

осуществляется за счёт

вах транзистора

изменения

транзистор процессор

входного

управление полевым транзистором

напряжения

биполярный транзистор

или

транзистор светодиод

тока. Небольшое

13003 транзистор

изменение

маркировка импортных транзисторов

входных

подбор транзистора

величин

включение полевого транзистора

может

транзисторы микросхемы

приводить

фото транзисторов

к

стабилизатор на полевом транзисторе

существенно

схема включения полевого транзистора

большему

транзисторы турута

изменению

современные транзисторы

выходного напряжения

транзистор d1555

и

унч на полевых транзисторах

тока.

высокочастотные транзисторы

Это

транзистор кт315

усилительное

транзистор цена

свойство транзисторов

datasheet транзистор

используется

ключ полевой транзистор

в

транзисторы tip

аналоговой

как проверить полевой транзистор

технике

технические характеристики транзисторов

(аналоговые

распиновка транзисторов

ТВ, радио,

тесла на транзисторах

связь

схема транзистора

и т.

как проверить транзистор

п.).

транзистор d2499


        

транзистор кт3102

В

умзч на транзисторах

настоящее

параметры полевых транзисторов

время

мдп транзистор

в

ключ на биполярном транзисторе

аналоговой

транзистор кт315

технике

мощные транзисторы

доминируют

3205 транзистор

биполярные транзисторы

изготовление транзисторов

(БТ) (международный

завод транзистор

термин

транзисторы bu

транзистор сгорел

BJT,

скачать транзисторы

bipolar

кмоп транзистор

junction

типы транзисторов

transistor).

коллектор транзистора

Другой

транзистор d2499

важнейшей

биполярные транзисторы справочник

отраслью

насыщение транзистора

электроники

импортные транзисторы справочник

является

транзистор d882

цифровая

транзисторы кт характеристики

техника

транзистор светодиод

(логика,

зарубежные транзисторы скачать

память,

d209l транзистор

процессоры,

включение транзисторов

компьютеры,

усилитель на транзисторах

цифровая

интегральный транзистор

связь

как проверить транзистор

и

зарубежные транзисторы и их аналоги

т. п.),

испытатель транзисторов

где,

коллектор транзистора

напротив, биполярные

скачать транзисторы

транзисторы

насыщение транзистора

почти

принцип работы полевого транзистора

полностью

транзистор 3102

вытеснены

типы корпусов транзисторов

полевыми.

транзистор d2499


        

импульсный транзистор

Вся

работа биполярного транзистора

современная

транзисторы большой мощности

цифровая

найти транзистор

техника построена,

полевой транзистор схема

в

ключ на полевом транзисторе

основном,

строчные транзисторы

на

унч на транзисторах

полевых

расчет радиатора для транзистора

МОП

транзисторы справочник

(металл-оксид-полупроводник)-транзисторах

кодовая маркировка транзисторов

(МОПТ),

ножки транзистора

как более экономичных, по

13003 транзистор

сравнению

унч на полевых транзисторах

с БТ, элементах. Иногда

усилитель на полевых транзисторах

их

прибор для проверки транзисторов

называют

транзистор 8050

МДП

купить транзисторы

(металл-диэлектрик-полупроводник)-

мдп транзистор

транзисторы.

цоколевка импортных транзисторов

Международный

усилитель мощности на транзисторах

термин

маркировка полевого транзистора

стабилизаторы на полевых транзисторах

MOSFET (metal-oxide-semiconductor

транзистор d882

field

применение транзисторов

effect transistor).

полевой транзистор принцип работы

Транзисторы

простой усилитель на транзисторах

изготавливаются

схема унч на транзисторах

в

расчет радиатора для транзистора

рамках интегральной

схема ключа на транзисторе

технологии на

управление полевым транзистором

одном

транзисторы продам

кремниевом

радиоприемник на транзисторах

кристалле

транзистор 3102

(чипе)

igbt транзисторы

и

транзисторы отечественные

составляют

корпуса транзисторов

элементарный

цоколевка транзисторов

«кирпичик»

d880 транзистор

для построения

mosfet транзисторы

микросхем

аналоги отечественных транзисторов

логики,

полевой транзистор цоколевка

памяти, процессора и

s8050 транзистор

т.

радиоприемник на транзисторах

п.

полевой транзистор справочник

Размеры современных

3205 транзистор

МОПТ составляют

схема ключа на транзисторе

от

драйвер транзистора

90

транзистор с общим эмиттером

до

как проверить полевые транзисторы

32

устройства на полевых транзисторах

нм[источник

корпуса транзисторов

не

mosfet транзисторы

указан

как проверить транзистор

134

принцип транзистора

дня].

принцип действия транзистора

На

маркировка smd транзисторов

одном

13001 транзистор

современном чипе

транзистор npn

(обычно

транзисторы резисторы

размером

транзисторы bu

1—2

диоды транзисторы

см?)

включение полевых транзисторов

размещаются

13009 транзистор

несколько

полевой транзистор параметры

(пока

транзистор сгорел

единицы) миллиардов

маркировка полевых транзисторов

МОПТ.

транзистор 8050

На

прибор для проверки транзисторов

протяжении

зарубежные транзисторы скачать

60

устройство транзистора

лет

коды транзисторов

происходит

аналоги импортных транзисторов

уменьшение размеров

транзистор с общим эмиттером

(миниатюризация) МОПТ

ключи на полевых транзисторах

и

транзисторы отечественные

увеличение

режимы транзистора

их

ключи на полевых транзисторах

количества

транзисторы микросхемы

на одном

схема подключения транзистора

чипе

коэффициент усиления транзистора

(степень интеграции),

полевой транзистор цоколевка

в

вч транзисторы

ближайшие

транзистор s9013

годы ожидается

сгорает строчный транзистор

дальнейшее

стабилизаторы тока на полевых транзисторах

увеличение

как работает транзистор

степени

принцип работы полевого транзистора

интеграции

усилитель мощности на полевых транзисторах

транзисторов

мощный полевой транзистор

на

включение полевых транзисторов

чипе

1 транзистор

(см.

транзистор в ключевом режиме

Закон

полевые транзисторы

Мура).

горит строчный транзистор

Уменьшение

импортные транзисторы справочник

размеров

включение полевых транзисторов

МОПТ

транзистор в ключевом режиме

приводит

регулятор на полевом транзисторе

также

полевой транзистор принцип работы

к

аналоги транзисторов

повышению

транзисторы резисторы

быстродействия

13003 транзистор

процессоров.

транзистор d2499


        

типы транзисторов

Первые

найти транзистор

патенты на

принцип транзистора

принцип работы

зарубежные транзисторы

полевых

усилительный каскад на транзисторе

транзисторов

транзисторы tip

были

расчет радиатора для транзистора

зарегистрированы

коллектор транзистора

в

стабилизатор на полевом транзисторе

Германии

как проверить транзистор

в 1928 году

горит строчный транзистор

транзисторы большой мощности

Канаде,

как работает транзистор

22

силовые транзисторы

октября

работа полевого транзистора

1925

справочник зарубежных транзисторов скачать

года)

структура транзистора

на

mosfet транзисторы

имя

усилительный каскад на транзисторе

австро-венгерского физика Юлия

генератор на полевом транзисторе

Эдгара Лилиенфельда. [источник

полевой транзистор цоколевка

не

даташит транзисторы

указан

структура транзистора

107

работа полевого транзистора

дней]

справочник аналогов транзисторов

В

маркировка smd транзисторов

1934

транзисторы продам

году немецкий

транзистор d2499

физик

транзистор 8050

Оскар

подбор транзисторов по параметрам

Хейл запатентовал полевой транзистор. Полевые

высокочастотные транзисторы

транзисторы

характеристики полевых транзисторов

схемы на полевых транзисторах

частности,

трансформатор тесла на транзисторе

МОП-транзисторы)

усилители на биполярных транзисторах

основаны

полевой транзистор

на

включение биполярного транзистора

простом

цоколевка транзисторов

электростатическом эффекте

принцип работы полевого транзистора

поля,

чип транзисторы

по

транзистор кт315

физике

продажа транзисторы

они

полевой транзистор характеристики

существенно

устройства на полевых транзисторах

проще

умзч на транзисторах

биполярных

схемы на полевых транзисторах

транзисторов,

прибор для проверки транзисторов

и

c945 транзистор

поэтому

составной транзистор

они придуманы

унч на транзисторах

и запатентованы

ключ на биполярном транзисторе

задолго

однопереходный транзистор

до

усилитель на транзисторах

биполярных

схемы на полевых транзисторах

транзисторов.

ключ на полевом транзисторе

Тем

схема унч на транзисторах

не менее,

полевой транзистор

первый

греется строчный транзистор

МОП-транзистор, составляющий основу

полевой транзистор параметры

современной компьютерной

зарубежные транзисторы и их аналоги

индустрии,

тесла на транзисторах

был

планарные транзисторы

изготовлен

транзисторы китайские

позже биполярного транзистора,

d880 транзистор

в

фото транзисторов

1960 году.

схема ключа на транзисторе

Только

управление полевым транзистором

в 90-х

смд транзисторы

годах

схема унч на транзисторах

XX века

13009 транзистор

МОП-технология

как проверить транзистор

стала

транзисторы philips

доминировать

простой усилитель на транзисторах

над

взаимозаменяемость транзисторов

биполярной.

транзистор d2499

транзистор d2499

S9014 транзистор характеристики и его российские аналоги

Эпитаксиальный биполярный кремниевый транзистор S9014 (или SS9014) по своим характеристикам является высокочастотным, средней мощности, NPN-структуры. Характеризуется большим коэффициентом передачи тока, низким уровнем шумов и хорошей линейностью. В связи с этим, он часто встречаются в радио-приемниках (передатчиках), различных схемах предварительного усиления сигнала.

Распиновка

Полупроводниковый кристалл s9014 размещен в стандартном пластиковом корпусе TO-92 для дырочного монтажа. Существуют также SMD-экземпляры в SOT-23, для поверхностного монтажа. Оба корпуса имеют три контакта и его цоколевка выглядит стандартно для такого типа транзисторов: эмиттер, коллектор, база.

Транзисторы S9014 (A, B, C ,D) выпускаются в корпусе ТО-92, а S9014 (H и L) в корпусе для поверхностного монтажа SOT-23.

Характеристики

У всех устройств серии s9014 одинаковые предельно допустимые режимы эксплуатации и электрические характеристики. Различия есть только в значениях коэффициента усиления по току (HFE). Так же следует обратить внимание на то, что у SMD-транзисторов в корпусе SOT-23 максимальная допустимая рассеиваемая мощность на коллекторе не более 200 мВ (mW), а в остальном предельные характеристики схожи с параметрами устройств в корпусе ТО-92.

Предельно допустимые режимы эксплуатации

Рассмотрим подробнее значения предельно допустимых электрических режимов эксплуатации (при температуре окружающей среды 25°С).

Электрические параметры

Одной из важнейших характеристик для всех высокочастотников является коэффициент шума (FШ), во многом он предопределяет возможность применения транзистора в схемах усиления слабых сигналов. Значение FШ определяется при заданном сопротивлении источника сигнала (Rs) на частоте генерации 1 кГц. У s9014 коэффициент шума, в параметрах большинства производителей, не превышает 10 дБ. Поэтому этот высокочастотный транзистор относят к малошумящим. Чтобы добиться наименьшего уровня шума, его применяют при пониженных значениях напряжения коллектор-база и тока эмиттера. Температура при этом должна быть низкой, так как при её возрастании собственные шумы транзистора увеличиваются.

Классификация H

FE

Как указывалось ранее, серия s9014 имеет разный коэффициент усиления по току, который может достигать величины в 1000 HFE. Выбрать транзистор с необходимым коэффициентом усиления можно по следующей классификации.

Аналоги

Аналогов зарубежных и российских у транзистора s9014 достаточно много. Из иностранных можно обратить внимание на такие: BC547, BC141, BC550, 2SC2675, 2SC2240. Отечественный аналог можно подобрать из КТ3102, КТ6111.

Комплементарная пара

Комплементарной парой к s9014 является транзистор с p-n-p-структурой s9015.

Маркировка

SS9014 это один из популярнейших транзисторов южнокорейской компании Samsung. Часто они маркируется на корпусе без префикса “S”. Похожие по характеристикам устройства выпускаются разными производителями и могут встретится с другой маркировкой, например: С9014, Н9014, L9014 и К9014. Корпус SMD-транзисторов S9014H, S9014L маркируется цифро-буквенным кодом “j6”.

Применение

Устройство нашло широкое применение в различных схемах усиления звука приемо-передающей аппаратуры, микрофонных усилителей, жучков (подслушивающих приборов) и других шпионских приспособлений. Очень часто встречаются в блоках питания к бытовым приборам, электронных таймерах, схемах стабилизации тока, разных мигалках, пищалках и др. А вот пример схемы по сборке простейшего «Катчера Бровина».

Безопасность при эксплуатации

Не допускайте предельно допустимые значения эксплуатационных параметров при использовании устройства в своих схемах.

При пайке контактов не допустимо приближать жало паяльника к устройству ближе, чем на 5 миллиметров. Температура пайки не должна быть более +250 градусов, а временной период пайки каждого вывода не более 3 секунд.

Производители

Вы можете скачать datasheet от s9014 на русском языке. Ниже перечислены некоторые производители данного устройства с документацией.

Биполярный транзистор S9014 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: S9014

Тип материала: Si

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200

Корпус транзистора: SOT23

S9014 Datasheet (PDF)

MCC S9014-B Micro Commercial Components TM 20736 Marilla Street Chatsworth S9014-C Micro Commercial Components CA 91311 Phone: (818) 701-4933 S9014-D Fax: (818) 701-4939 Features • TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors • Capable of 0.4Watts(Tamb=25OC) of Power Dissipation. NPN Silicon • Collector-current 0.1A • Collector-base Voltage 50V Transistors • Operating and

GSTS9014LT1 NPN General Purpose Transistor Product Description Features This device is designed as a general purpose Collector-Emitter Voltage : 45V amplifier and switch. Collector Current : 100mA Lead(Pb)-Free Packages & Pin Assignments SOT-23 Pin Description 1 Base 2 Emitter 3 Collector Marking Information P/N Package Rank Part Marking GSTS9014LT1F SOT-23 Q 14Q

1.5. ss9014.pdf Size:38K _fairchild_semi

SS9014 Pre-Amplifier, Low Level & Low Noise � High total power dissipation. (PT=450mW) � High hFE and good linearity � Complementary to SS9015 TO-92 1 1. Emitter 2. Base 3. Collector NPN Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25�C unless otherwise noted Symbol Parameter Ratings Units VCBO Collector-Base Voltage 50 V VCEO Collector-Emitter Voltage 45 V VEBO Emitter-B

1.6. ss9014.pdf Size:47K _samsung

SS9014 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR PRE-AMPLIFIER, LOW LEVEL & LOW NOISE TO-92 � High total power dissipation. (PT=450mW) � High hFE and good linearity � Complementary to SS9015 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 ) A Characteristic Symbol Rating Unit V Collector-Base Voltage VCBO 50 V Collector-Emitter Voltage VCEO 45 V Emitter-Base Voltage VEBO 5 mA Collector Current IC 100 mW

STS9014 NPN Silicon Transistor Description PIN Connection • General purpose application C • Switching application Features B • Excellent hFE linearity : hFE(IC=0.1 mA) / hFE(IC=2 mA) = 0.95(Typ.) • Low noise : NF=10dB(Max.) at f=1KHz E • Complementary pair with STS9015 TO-92 Ordering Information Type NO. Marking Package Code STS9014 STS9014 TO-92 Abso

1.8. s9014.pdf Size:253K _secos

S9014 NPN Silicon Elektronische Bauelemente Pre-Amplifier, Low Level & Low Noise RoHS Compliant Product A suffix of «-C» specifies halogen & lead-free SOT-23 FEATURES Collector ? Dim Min Max 3 3 ? A 2.800 3.040 B 1.200 1.400 Power dissipation 1 1 ? C 0.890 1.110 2 Base PCM : 0.2 W D 0.370 0.500 Collector Current G 1.780 2.040 2 ICM : 0.1 A A Emitter H 0.013 0.100 L Co

1.9. s9014t.pdf Size:130K _secos

S9014T NPN Silicon Elektronische Bauelemente Pre-Amplifier, Low Level & Low Noise RoHS Compliant Product A suffix of «-C» specifies halogen & lead-free TO-92 FEATURES 4.55±0.2 3.5±0.2 ? Power dissipation ? PCM : 0.4 W Collector current ICM : 0.1 A Collector-base voltage V(BR)CBO : 50 V 0.43+0.08 –0.07 46+0.1 0. –0.1 Operating & storage junction temperature (1.27 Typ.)

1.10. s9014w.pdf Size:263K _secos

S9014W NPN Silicon Plastic Encapsulated Transistor Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of “-C” specifies halogen & lead-free SOT-323 FEATURE Complementary to S9015W A L 3 3 Top View C B 1 1 2 2 K E PACKAGING INFORMATION Weight: 0.0074 g D Collector H J F G 3 Millimeter Millimeter REF. REF. Min. Max. Min. Max. MARKING CODE 1 A 1.80

1.11. s9014.pdf Size:821K _htsemi

S901 4 TRANSISTOR (NPN) SOT-23 1. BASE FEATURES 2. EMITTER Complementary to S9015 3. COLLECTOR MARKING: J6 unless otherwise noted) MAXIMUM RATINGS (TA=25? Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 50 V VCEO Collector-Emitter Voltage 45 V VEBO Emitter-Base Voltage 5 V IC Collector Current -Continuous 0.1 A PC Collector Power Dissipation 0.2 W Tj Jun

1.12. s9014w.pdf Size:458K _htsemi

S901 4W TRANSISTOR(NPN) SOT–323 FEATURES ? Complementary to S9015W ? Small Surface Mount Package MAXIMUM RATINGS (Ta=25? unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit 1. BASE V Collector-Base Voltage 50 V CBO 2. EMITTER V Collector-Emitter Voltage 45 V CEO 3. COLLECTOR V Emitter-Base Voltage 5 V EBO IC Collector Current 100 mA P Collector Power Dissipation 20

1.13. s9014.pdf Size:241K _gsme

? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. GM9014 FEATURES ¦FEATURES ?? FEATURES Excellent HFE Linearity HFE . HFE(0.1mA)/ hFE(2mA)=0.95(Typ.) High HFE ? HFE:HFE=200?700 Low Noise . NF=1dB(Typ.),10dB(Max.). Complementary to GM9015 ? GM9015 ?? MAXIMUM RATINGS (Ta=25 ) ¦MAX

S9014(NPN) TO-92 Bipolar Transistors TO-92 1. EMITTER 2. BASE 3. COLLECTOR Features High total power dissipation.(PC=0.45W) High hFE and good linearity Complementary to S9015 MAXIMUM RATINGS (TA=25? unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 50 V VCEO Collector-Emitter Voltage 45 V Dimensions in inches and (millimeters) VEBO Emit

S9014 SOT-23 Transistor(NPN) SOT-23 1. BASE 2. EMITTER 3. COLLECTOR Features Complementary to S9015 MARKING: J6 Dimensions in inches and (millimeters) MAXIMUM RATINGS (TA=25? unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 50 V VCEO Collector-Emitter Voltage 45 V VEBO Emitter-Base Voltage 5 V IC Collector Current -Continuous 0.1 A PC Co

1.16. s9014.pdf Size:824K _wietron

S9014 NPN General Purpose Transistors TO-92 1. EMITTER 1 2 2. BASE 3 3. COLLECTOR ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25 C) Rating Symbol Value Unit Collector-Emitter Voltage V CEO 45 Vdc Collector-Base Voltage VCBO 50 Vdc Emitter-Base Voltage VEBO 5.0 Vdc Collector Current IC 100 mAdc PD 0.4 Total Device Dissipation T =25 C W A Junction Temperature T 150 j C -55 to +150 Storage

1.17. s9014lt1.pdf Size:191K _wietron

S9014LT1 3 1 2 SOT-23 Value V CEO 45 50 5.0 100 225 1.8 556 S9014QLT1=14Q S9014RLT1=14R S9014SLT1=14S S9014TLT1=14T 0.1 45 50 100 100 u 0.1 40 0.1 u 3.0 WEITRON 1/ 28-Apr-2011 http://www.weitron.com.tw S9014LT1 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA=25 C unless otherwise noted) (Countinued) Characteristics Symbol Max Unit Min ON CHARACTERISTICS DC Current Gain hFE 1000

1.18. s9014.pdf Size:280K _can-sheng

TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES High total power dissipation.(PC=0.45W) TO-92 High hFE and good linearity Complementary to S9015 MAXIMUM RATINGS MAXIMUM RATINGS MAXIMUM RATINGS (TA=25℃ unless otherwise noted) MAXIMUM RATINGS 1.EMITTER Symbol Parameter

1.19. s9014 sot-23.pdf Size:317K _can-sheng

 深圳市灿升实业发展有限公司 ShenZhen CanSheng Industry Development Co.,Ltd. www.szcansheng.com SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors S9014 TRANSISTOR (NPN) FEATURES Complimentary to S9015 MARKING:J6 MAXIMUM RATINGS (TA=25℃ unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Units (符号) (参数名称) (额定值) (单位) VCBO Collector-Base Vo

1.20. s9014.pdf Size:347K _shenzhen-tuofeng-semi

Shenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co., Ltd TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors S9014 TRANSISTOR (NPN) TO-92 FEATURES 1. EMITTER 2. BASE Power dissipation 3. COLLECTOR PCM: 0.4 W (Tamb=25℃) Collector current ICM: 0.1 A 1 2 3 Collector-base voltage V(BR)CBO: 50 V Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55℃ to +150℃

1.21. s9014lt1.pdf Size:588K _shenzhen-tuofeng-semi

Shenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co., Ltd SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors S9014LT1 TRANSISTOR( NPN ) FEATURES · High total power dissipation.(pc=0.2w) ·Complementary to S9015LT1 MARKING: L6 J6 MAXIMUM RATINGS* TA=25℃ unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 50 V VCEO Collector-Emitter Voltage 45 V VEBO Emitt

Транзисторы 2SD2499(D2499)

Т ранзисторы 2SD2499(D2499) — кремниевые, мощные, низкочастотные, структуры — n-p-n. Разработаны фирмой Toshiba Semiconductor первоначально, для блоков развертки телевизоров и мониторов, но в дальнейшем — применялись в целом ряде, самых различных устройств.
Корпус пластмассовый.
Маркировка буквенно — цифровая, на корпусе. На рисунке ниже — маркировка и цоколевка 2SD2499(D2499).

Наиболее важные параметры.

Коэффициент передачи токаот 8 до 25

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 4А, базы 0,8А — — 5в.

Напряжение насыщения база-эмиттер при токе коллектора 4А, базы 0,8А — — не выше 1,3в.

Граничная частота передачи тока.2МГц.

Максимальное напряжение коллектор — эмиттер600 в.

Максимальный постоянный ток коллектора — 6 А.

Максимальный импульсный ток коллектора12 А.

Рассеиваемая мощность коллектора50 Вт.

Емкость коллекторного перехода на частоте 1Мгц, при напряжении коллектор-база 10 в — 95 пФ.

Обратный ток колектора при напряжении коллектор-база 1500 в — не более 1 мА.

Обратный ток эмитера при напряжении эмиттер-база 5 в — не более 200 мА.

Транзисторы STS9014 (S9014)

Транзисторы STS9014 (S9014) — высокочастотные кремниевые n-p-n средней мощности. Корпус пластиковый TO-92, у транзисторов S9014L, S9014H — SOT-23. Маркировка у транзисторов с корпусом TO-92 буквенно — цифровая (S9014), у транзисторов с корпусом SOT-23 — код J6 сверху .
На рисунке ниже — цоколевка STS9014 (S9014), S9014L, S9014H.

Наиболее важные параметры.

Уровень собственных шумов на частоте 1КГц — не более 10дб.

Коэффициент передачи тока:
У транзисторов S9014 — от 100 до 1000 .
У транзисторов S9014 — от 200 до 450 .
У транзисторов S9014 — от 450 до 1000 .

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 100мА, базы 10мА — — не выше 0,25в.

Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер:
У транзисторов S9014 — 50в.
У транзисторов S9014L, S9014H — 45в.

Максимальный постоянный ток коллектора:
У транзисторов S9014 — 150 мА.
У транзисторов S9014L, S9014H — 0,1A.

Рассеиваемая мощность коллектора:
У транзисторов S9014 — 625 мВт.
У транзисторов S9014L, S9014H — 200 мВт.

Граничная частота передачи тока:
У транзисторов S9014 — 60 МГц.
У транзисторов S9014L, S9014H — 150 мВт.

Емкость коллекторного перехода на частоте 1Мгц, при напряжении коллектор-база 10 в — не более 3,5 пФ.

Обратный ток колектора при напряжении коллектор-база 50 в — не более 50 мкА.

Обратный ток эмитера при напряжении эмиттер-база 5 в — не более 100 мкА.

Транзистор комплементарный STS9014 — STS9015.

Использование каких — либо материалов этой страницы, допускается при наличии ссылки на сайт «Электрика это просто».

Торт Черная пантера мальчику

  • Медовик

    Ароматные коржи, выпеченные из теста с добавлением домашнего меда и вкуснейший сметанный крем. По желанию можно добавить грецкие орехи.

  • Шварцвальдская вишня

    Интересное сочетание шоколадных бисквитов, легкого шоколадного крема и свежей, слегка приваренной, вишни. Любимая начинка наших постоянных клиентов!

  • Творожно − йогуртовый с клубникой

    Сочетание легкого деревенского творожка, «живого» йогурта и свежей, слегка приваренной клубники. Идеально подойдет для детей.

  • Тирамису

    Нежнейший крем из сливочного, мягкого сыра «Маскарпоне» и тонкие слои бисквита. Для этого десерта используется ароматный эспрессо.

  • Панчо

    Шоколадный и белый бисквит, сметанный крем, ананас, персик и грецкий орех. Нежный вкус гарантирован!

  • Наполеон

    Нежнейшее бездрожжевое слоеное тесто прослоено заварным кремом на яичных желтках, цельном молоке и сливочном масле. Капля натуральной ванили для изюминки.

  • Шоколадно — банановый

    Три тонких маффиновых бисквита, хорошо пропитанные легким, банановым сиропом, прослоены воздушным шоколадным кремом и слегка приваренными бананами.

  • Раффаэлло

    Три тонких бисквита промоченным молочным сиропом. Заварной крем, изготовленный по-домашнему рецепту, прекрасно дополняет нежная мякоть кокоса и зерна обжаренного миндаля.

  • Чизкейк

    Нежное сырное суфле, изготовленное из сливок и нежного сыра. Нежный белый бисквит с ванильным сиропом — неотъемлемая часть популярного десерта.

  • Морковный

    Бисквит с добавлением изюма, грецкого ореха и корицы. Крем на основе сыра маскарпоне, с добавлением стручковой ванили.

  • Йогурт с вишней

    Классический бисквит с легким, низкокаллорийным сливочным кремом с добавлением «живого» йогурта и слегка приваренной вишни.

  • Сникерс

    Шоколадные песочные коржи с кремом на основе варенной сгущенки, покрытый шоколадной глазурью и, конечно же, арахис.

  • Карамельно — ореховый

    Три тонких слоя бисквита пропитаны кленовом сиропом. Крем изготовлен из взбитых сливок и уваренного сгущеного молока. Обжаренные, мелко измельченные грецкие орехи.

  • Красный бархат

    Красные шоколадные коржи в сочетании с белоснежным кремом на основе сливочного сыра создают превосходный вкус и внешний вид, который сразу привлекает внимание.

  • Шоколадно-сметанный

    Пропитанные сливочным сиропом, шоколадные бисквиты, плослоены тонким слоем пралине и кремом на основе нежирной домашней сметанки.

  • Птичье молоко

    Нежный, воздушный слой суфле со слегка сливочным вкусом на сгущенном молоке и тоненький слой бисквита.

  • Маковый

    Маковый бисквит с крембрюле из уваренного сгущеного молока и взбитых сливок. Бисквит очень мягкий, не слишком сладкий, а мак придает ему неповторимый аромат и вкус.

  • Мороженое

    Два тонких слоя нежного бисквита и много вкусного мороженого! Клубничное, ванильный пломбир, шоколадное, фисташковое.

  • Блинная

    Большое количество тончайших, замешанных на молоке, блинчиков, прослоены заварным кремом с добавлением стручков натуральной ванили. Изысканное сочетание!

  • Эстерхази

    Торт-легенда состоит из нескольких слоев тонких коржей безе с достаточно большим содержанием измельченных грецких орехов и заварного крема с добавлением уваренного сгущенного молока.

  • Постная с апельсиновым бисквитом

    Постный бисквит на свежевыжатом апельсиновом соке! Легкий крем на основе постных сливок с персиком и ананасом. По вашему желанию, в торт можно добавить кусочки чернослива.

  • РЕМОНТ ТЕЛЕВИЗОРА DAEWOO

    На днях стал свидетелем разборов осенне-зимних завалов в гараже приятеля. На свет был извлечен телевизор Daewoo модели 14Q2 с диагональю 14 дюймов. Попытка включения ни к чему не привела (даже светодиод свидетельствующий о наличии сетевого напряжения не загорался), и телевизор перекочевал ко мне в багажник для ремонта. Хоть и не моя стихия приемники и телевизоры, но решил взяться. 

    Осмотр внутреннего мира аппарата сразу привел в уныние – в телевизоре уже копались. Вместо родных резисторов стоят советские, причем номинал подбирался параллельным соединением. Особенно удивила установка конденсаторов: почему конденсаторы неизвестным мастером были установлены не на плату, а на высоте полета над нею для меня осталась загадкой. Явно это было сделано не на заводе)). 

    В остальном внешний осмотр не выявил никаких дефектов. Включение в сеть результатов не дало, метод постукивания и потряхивания так же оказался не эффективным. Предохранитель не поврежден. Кнопка включения исправна. В процессе обследования со стороны печатной платы стали прослушиваться звуки, напоминающие «цыкание», что натолкнуло на мысль о работе защиты блока питания. Следовательно, можно было предположить, что блок питания все таки цел, и уходит  в защиту по причине неисправностей в других функциональных узлах. Так как не было выявлено нагревающихся или разрушенных деталей, вздутых электролитических конденсаторов, то пришлось взять за тестер и прозвонить наиболее «выдающиеся» элементы.  Подозрение вызвал транзистор строчной развертки D2499. Звонился во всех направлениях, но короткого замыкания не показывал. Внутренний мир этого транзистора выглядит так:

    Пришлось его выпаять и вновь прозвонить. Падения напряжений на переходе Б-К 20 миллиВольт, Б-Э  19 миллиВольт, К-Э 5 миллиВольт. Те же самые показания прибора были и в обратном направлении.  Таким образом, стало ясно, что транзистор изменил свои параметры, но благодаря тому, что не случилось его пробоя и сохранилось хоть какое-то внутреннее сопротивление, короткого замыкания не произошло. В противном случае наверняка бы пострадал и блок питания. В данном же случае блок благополучно уходит в защиту.

    После замены транзистора включение прошло без эксцессов. Нажатием на кнопку селектора каналов лицевой панели телевизор запустился. Были опасения о неисправностях в цепи ТДКС и его обвязке, но отсутствие значительного нагрева замененного транзистора строчной развертки дало основание считать, что на этом проблему можно считать решенной. Парящие в воздухе конденсаторы были спущены на плату).

    Так телевизор старый, то внутри скопилось много пыли и пришлось сделать общую профилактику.

    Но на этом проблемы не закончились. Перевести телевизор в ждущий режим не удалось – отсутствовала всякая реакция на пульт управления. Разобрав его, обнаружил трещину платы.  Оборванные дорожки соединил, спаяв их. В дальнейшем таким пультом пользоваться не предполагалось. Пульт явно под замену. После восстановления дорожек телевизор отреагировал на команды с пульта. Однако переход в ждущий режим не обозначился свечением светодиода. Прозвонив его, нашел обрыв. После замены светодиода все заработало как надо.

    Непрерывная работа телевизора в течении дня позволила считать ремонт успешным. Специально для Elwo.ru — Кондратьев Николай, г. Донецк.

       Форум по ремонту ТВ

    Проверить транзистор мультиметром прозвонкой на исправность: биполярный, полевой, составной


    Такие полупроводниковые элементы, как транзисторы, являются неотъемлемой частью практически всех электронных схем — от радиоприемников до системных плат сверхсложных вычислительных центров. Проверка этого элемента на работоспособность — операция, которую обязан уметь выполнять любой человек, так или иначе занимающийся ремонтом электронных плат, будь он профессиональный ремонтник или любитель.

    Для осуществления этой операции можно применять специальный тестер транзисторов, но если его нет под рукой, или в его надежности есть сомнения, можно воспользоваться самым обыкновенным мультиметром.

    Даже те модели, которые не имеют специального гнезда для проверки биполярных или полевых транзисторов, могут быть использованы для точной проверки. Для этого мультиметр выставляется в режим максимального сопротивления, либо «прозвонки», если таковой есть.

    С чего начать?

    Прежде, чем проверить мультиметром любой элемент на исправность, будь то транзистор, тиристор, конденсатор или резистор, необходимо определить его тип и характеристики. Сделать это можно по маркировке. Узнав ее, не составит труда найти техническое описание (даташит) на тематических сайтах. С его помощью мы узнаем тип, цоколевку, основные характеристики и другую полезную информацию, включая аналоги для замены.

    Например, в телевизоре перестала работать развертка. Подозрение вызывает строчный транзистор с маркировкой D2499 (кстати, довольно распространенный случай). Найдя в интернете спецификацию (ее фрагмент показан на рисунке 2), мы получаем всю необходимую для тестирования информацию.


    Рисунок 2. Фрагмент спецификации на 2SD2499

    Большая вероятность, что найденный даташит будет на английском, ничего страшного, технический текст легко воспринимается даже без знания языка.

    Определив тип и цоколевку, выпаиваем деталь и приступаем к проверке. Ниже приведены инструкции, с помощью которых мы будем тестировать наиболее распространенные полупроводниковые элементы.

    Цоколевка

    У биполярных транзисторов средней и большой мощности цоколевка одинаковая в основном, слева направо — эмиттер, коллектор, база. У транзисторов малой мощности лучше проверять. Это важно, так как при определении работоспособности, эта информация нам понадобится.

    Внешний вид биполярного транзистора средней мощности и его цоколевка

    То есть, если вам необходимо определить рабочий или нет биполярный транзистор, нужно искать его цоколевку. Хотите убедиться или не знаете, где «лицо», то ищите информацию в справочнике или наберите на компьютере «имя» вашего полупроводникового прибора и добавьте слово «даташит». Это транслитерация с английского Datasheet, что переводится как «технические данные». По этому запросу вам в выдаче будет перечень характеристик прибора и его цоколёвка.

    Проверка биполярного транзистора мультиметром

    Это наиболее распространенный компонент, например серии КТ315, КТ361 и т.д.

    С тестированием данного типа проблем не возникнет, достаточно представить pn переход в как диод. Тогда структуры pnp и npn будут иметь вид двух встречно или обратно подключенных диодов со средней точкой (см. рис.3).


    Рисунок 3. «Диодные аналоги» переходов pnp и npn

    Присоединяем к мультиметру щупы, черный к «СОМ» (это будет минус), а красный к гнезду «VΩmA» (плюс). Включаем тестирующее устройство, переводим его в режим прозвонки или измерения сопротивления (достаточно установить предел 2кОм), и приступаем к тестированию. Начнем с pnp проводимости:

    1. Присоединяем черный щуп к выводу «Б», а красный (от гнезда «VΩmA») к ножке «Э». Смотрим на показания мультиметра, он должен отобразить величину сопротивления перехода. Нормальным считается диапазон от 0,6 кОм до 1,3 кОм.
    2. Таким же образом проводим измерения между выводами «Б» и «К». Показания должны быть в том же диапазоне.

    Если при первом и/или втором измерении мультиметр отобразит минимальное сопротивление, значит в переходе(ах) пробой и деталь требует замены.

    1. Меняем полярность (красный и черный щуп) местами и повторяем измерения. Если электронный компонент исправный, отобразится сопротивление, стремящееся к минимальному значению. При показании «1» (измеряемая величина превышает возможности устройства), можно констатировать внутренний обрыв в цепи, следовательно, потребуется замена радиоэлемента.

    Тестирование устройства обратной проводимости производится по такому же принципу, с небольшим изменением:

    1. Красный щуп подключаем к ножке «Б» и проверяем сопротивление черным щупом (прикасаясь к выводам «К» и «Э», поочередно), оно должно быть минимальным.
    2. Меняем полярность и повторяем измерения, мультиметр покажет сопротивление в диапазоне 0,6-1,3 кОм.

    Отклонения от этих значений говорят о неисправности компонента.

    Правила безопасной работы

    Мосфеты очень уязвимы по отношению к статическому электричеству. В этом случае может произойти пробой. Для того, чтобы этого не случилось, нужно при помощи проведения тестирования его удалять.

    При пайке возможна ситуация, когда тепло, попадающее на транзистор, приведёт к его порче. В этом случае нужно обеспечить теплоотвод. Для этого достаточно придерживать выводы транзистора плоскогубцами в процессе пайки.

    Полевики имеют широкое распространение в современных электронных приборах. Когда происходит поломка, необходимо знать, как проверить мосфет. Выяснить, исправен ли он, возможно, если использовать для этого мультиметр.

    Проверка работоспособности полевого транзистора

    Этот тип полупроводниковых элементов также называют mosfet и моп компонентами. На рисунке 4 показано графическое обозначение n- и p-канальных полевиков в принципиальных схемах.


    Рис 4. Полевые транзисторы (N- и P-канальный)

    Для проверки этих устройств подключаем щупы к мультиметру, таким же образом, как и при тестировании биполярных полупроводников, и устанавливаем тип тестирования «прозвонка». Далее действуем по следующему алгоритму (для n-канального элемента):

    1. Касаемся черным проводом ножки «с», а красным – вывода «и». Отобразится сопротивление на встроенном диоде, запоминаем показание.
    2. Теперь необходимо «открыть» переход (получится только частично), для этого щуп с красным проводом соединяем с выводом «з».
    3. Повторяем измерение, проведенное в п. 1, показание изменится в меньшую сторону, что говорит о частичном «открытии» полевика.
    4. Теперь необходимо «закрыть» компонент, с этой целью соединяем отрицательный щуп (провод черного цвета) с ножкой «з».
    5. Повторяем действия п. 1, отобразится исходное значение, следовательно, произошло «закрытие», что говорит об исправности компонента.

    Для тестирования элементов p-канального типа последовательность действий остается той же, за исключением полярности щупов, ее нужно поменять на противоположную.

    Заметим, что биполярные элементы, у которых изолированный затвор (IGBT), тестируются также, как описано выше. На рисунке 5 показан компонент SC12850, относящийся к этому классу.


    Рис 5. IGBT транзистор SC12850

    Для тестирования необходимо выполнить те же действия, что и для полевого полупроводникового элемента, с учетом, что сток и исток последнего будут соответствовать коллектору и эмиттеру.

    В некоторых случаях потенциала на щупах мультиметра может быть недостаточно (например, чтобы «открыть» мощный силовой транзистор), в такой ситуации понадобится дополнительное питание (хватит 12 вольт). Подключать его нужно через сопротивление 1500-2000 Ом.

    Необходимый минимум сведений

    Чтобы понять исправен биполярный транзистор или нет, нам необходимо знать хотя бы в самых общих чертах, как он устроен и работает. Это активный электронный компонент, который является полупроводниковым прибором. Есть два основных вида — NPN и PNP. Каждый из них имеет три электрода: база, эмиттер и коллектор.

    Виды транзисторов и принцип работы

    Коротко сформулировать принцип работы транзисторов можно таким образом, это управляемый электронный ключ. Он пропускает ток по направлению от коллектора к эмиттеру в случае NPN типа и от эмиттера к коллектору у PNP, при наличии напряжения на базе. Причём изменяя потенциал на базе, меняем степень «открытости» перехода, регулируя величину пропускаемого тока. То есть, если на базу подавать больший ток, имеем больший ток коллектор-эмиттер, уменьшим потенциал на базе, снизим ток, протекающий через транзистор.

    Ещё важно знать, это то, что в обратном направлении ток течь не может. И неважно, есть потенциал на базе или нет. Он всегда течёт в направлении, на схеме указанном стрелкой. Собственно, это вся информация, которая нам нужна, чтобы знать как работает транзистор.

    Проверка составного транзистора

    Такой полупроводниковый элемент еще называют «транзистор Дарлингтона», по сути это два элемента, собранные в одном корпусе. Для примера, на рисунке 6 показан фрагмент спецификации к КТ827А, где отображена эквивалентная схема его устройства.


    Рис 6. Эквивалентная схема транзистора КТ827А

    Проверить такой элемент мультиметром не получится, потребуется сделать простейший пробник, его схема показана на рисунке 7.


    Рис. 7. Схема для проверки составного транзистора

    Обозначение:

    • Т – тестируемый элемент, в нашем случае КТ827А.
    • Л – лампочка.
    • R – резистор, его номинал рассчитываем по формуле h31Э*U/I, то есть, умножаем величину входящего напряжения на минимальное значение коэффициента усиления (для КТ827A — 750), полученный результат делим на ток нагрузки. Допустим, мы используем лампочку от габаритных огней автомобиля мощностью 5 Вт, ток нагрузки составит 0,42 А (5/12). Следовательно, нам понадобится резистор на 21 кОм (750*12/0,42).

    Тестирование производится следующим образом:

    1. Подключаем к базе плюс от источника, в результате должна засветиться лампочка.
    2. Подаем минус – лампочка гаснет.

    Такой результат говорит о работоспособности радиодетали, при других результатах потребуется замена.

    Основные причины неисправности

    Наиболее часто встречающиеся причины выхода из рабочего состояния триодного элемента в электронной схеме следующие:

    1. Обрыв перехода между составными частями.
    2. Пробой одного из переходов.
    3. Пробой участка коллектора или эмиттера.
    4. Утечка мощности под напряжением цепи.
    5. Видимое повреждение выводов.

    Характерными внешними признаками такой поломки являются почернение детали, вспучивание, появление черного пятна. Поскольку эти изменения оболочки происходят только с мощными транзисторами, то вопрос диагностики маломощных остается актуальным.

    Как проверить однопереходной транзистор

    В качестве примера приведем КТ117, фрагмент из его спецификации показан на рисунке 8.


    Рис 8. КТ117, графическое изображение и эквивалентная схема

    Проверка элемента осуществляется следующим образом:

    Переводим мультиметр в режим прозвонки и проверяем сопротивление между ножками «Б1» и «Б2», если оно незначительное, можно констатировать пробой.

    Советы

    1. Существует множество способов определения неисправности, но для начала нужно разобраться в строении самого элемента, и четко понимать конструкционные особенности.
    2. Выбор прибора для проверки – это важный момент, касающийся качества результата. Поэтому при недостатке опыта не стоит ограничиваться подручными средствами.
    3. Проводя проверку, следует четко понимать причины выхода из строя тестируемой детали, чтобы не вернуться со временем к тому же состоянию неисправности бытовой электротехники.

    горизонтально% 20 выход% 20 транзистор% 20d2499 техническое описание и примечания по применению

    lq10d011

    Аннотация: LTM09C015 LQ9D011 LJ64ZU50 xr2f Matsua S804 XR58 sharp lm64p80 LTM-09C015-1 LM64P80 — SHARP
    Текст: нет текста в файле


    OCR сканирование
    PDF
    2012 — RK097

    Аннотация: абстрактный текст недоступен
    Текст: нет текста в файле


    Оригинал
    PDF RK097 RK097111080J RK0971110909 RK0971110D7F RK097221005C RK097221004C
    Лист данных силового транзистора для ТВ

    Аннотация: силовой транзистор 2SD2599, эквивалент 2SC5411, транзистор 2sd2499, 2Sc5858, эквивалентный компонент транзистора 2SC5387, 2SC5570 в строчной развертке.
    Текст: нет текста в файле


    Оригинал
    PDF 2SC5280 2SC5339 2SC5386 2SC5387 2SC5404 2SC5411 2SC5421 2SC5422 2SC5445 2SC5446 Техническое описание силового транзистора для телевизора силовой транзистор 2SD2599 эквивалент транзистор 2sd2499 2Sc5858 эквивалент транзистор 2SC5570 компоненты в горизонтальном выводе
    отклонение по горизонтали

    Аннотация: абстрактный текст недоступен
    Текст: нет текста в файле


    OCR сканирование
    PDF 2SD1396 T03PB Цвет800 2SC4125 T03PML 2SC4890 2SC4891 2SC3995 горизонтальный прогиб
    D-M9PL

    Аннотация: D-A54L d-y59a втулка разъем геркон pnp D-Y59B D-C73L D-Z73 D-A53 D-A93L
    Текст: нет текста в файле


    Оригинал
    PDF pric21 NBA-075 НБТ-150 NBA-075 * НБТ-150 НБТ-200 NBT-325 BQ2-012 BMG2-012 D-M9PL D-A54L d-y59a втулка соединителя геркон pnp D-Y59B D-C73L D-Z73 D-A53 D-A93L
    1996 — VR5VR

    Аннотация: пин-схема пленочного потенциометра предустановки усилителя по горизонтали ITT Semiconductors r1938 VR11 VR10 MC13081XB MC13081X C10B C10A
    Текст: нет текста в файле


    Оригинал
    PDF MC13081X / D MC13081X MC13081X MC13081X / D * VR5VR схема контактов пленочный потенциометр предустановка усилителя по горизонтали Полупроводники ITT r1938 VR11 VR10 MC13081XB C10B C10A
    2009 — Нет в наличии

    Аннотация: абстрактный текст недоступен
    Текст: нет текста в файле


    Оригинал
    PDF HP4291A UU10L UU10Lã UU16L UU16Lã LF2020 LF2020ã
    2000 — тюнер Si 2158

    Аннотация: VICS TUNER R0101
    Текст: нет текста в файле


    Оригинал
    PDF MSM9562 / 63/66/67 PEXL9562-67FLOW-10 Si 2158 тюнер ВИКС ТЮНЕР R0101
    Нет в наличии

    Аннотация: абстрактный текст недоступен
    Текст: нет текста в файле


    Оригинал
    PDF LF3310 12-битный 12-битный, DIN11 DIN10 LF3310QC15 LF3310QC12 MIL-STD-883
    1999 — LF3310

    Абстракция: Ш25 743Н
    Текст: нет текста в файле


    Оригинал
    PDF LF3310 12-битный 12-битный, DIN11 DIN10 LF3310QC15 LF3310QC12 MIL-STD-883 LF3310 Ш25 743H
    ГОРИЗОНТАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР ДРАЙВЕРА

    Реферат: Автоматический стабилизатор напряжения TDA4810
    Текст: нет текста в файле


    OCR сканирование
    PDF TDA4810 ГОРИЗОНТАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР ДРАЙВЕРА TDA4810 Автоматический стабилизатор напряжения
    Нет в наличии

    Аннотация: абстрактный текст недоступен
    Текст: нет текста в файле


    Оригинал
    PDF 70026601заголовок
    TDA9109

    Аннотация: абстрактный текст недоступен
    Текст: нет текста в файле


    OCR сканирование
    PDF TDA9109 150 кГц 165 Гц TDA9109
    f1f9

    Аннотация: ГОРИЗОНТАЛЬНЫЙ ДРАЙВЕР транзистор транзистор 2Fn csb503b транзистор горизонтального сечения tv murata tv flyback lm1391 СХЕМА СХЕМА scr осциллятора LM1391 инструкция по применению горизонтальная часть тв
    Текст: нет текста в файле


    OCR сканирование
    PDF LM1880 f1f9 ГОРИЗОНТАЛЬНЫЙ ДРАЙВЕР ТРАНЗИСТОР транзистор 2Fn csb503b транзистор горизонтального сечения тв мурата тв обратно lm1391 СХЕМА ЦЕПИ SCR генератора Примечание по применению LM1391 горизонтальная секция телевизора
    Нет в наличии

    Аннотация: абстрактный текст недоступен
    Текст: нет текста в файле


    Оригинал
    PDF IP69K
    AN921

    Аннотация: 3 пф Серебряный слюдяной конденсатор слюдяный радиочастотный детектор AN553 MC44615P MC44615
    Текст: нет текста в файле


    OCR сканирование
    PDF MC44615 / D MC44615 AN921 Серебряный слюдяный конденсатор 3 пФ слюдяный детектор AN553 MC44615P
    Нет в наличии

    Аннотация: абстрактный текст недоступен
    Текст: нет текста в файле


    OCR сканирование
    PDF
    ПТСМ

    Аннотация: smd r44 smd hh smd 5v
    Текст: нет текста в файле


    Оригинал
    PDF
    1999 — АВЕРЛОГИЧЕСКИЕ ТЕХНОЛОГИИ

    Аннотация: AL300 AL875 CCIR601 AverLogic «ДВОЙНОЙ пиксель» «Преобразование частоты кадров»
    Текст: нет текста в файле


    Оригинал
    PDF AL300 AL300 110 МГц 90 МГц 65 МГц 40 МГц АВЕРЛОГИЧЕСКИЕ ТЕХНОЛОГИИ AL875 CCIR601 AverLogic «ДВОЙНОЙ пиксель» «Преобразование частоты кадров»
    DIP30S

    Аннотация: LA7860 op 277 колебание sk43 sk4373 itt 946
    Текст: нет текста в файле


    OCR сканирование
    PDF 7n707b 00127bà SK4373 LA7860, 7860M 7860M DIP30S LA7860 op 277 колебание sk43 sk4373 итт 946
    вертикальный IC TV crt

    Аннотация: ic la 7833 генератор пилообразных волн la 7837 рентгеновский инвертор LA7853 LA7852 LA7832 IC LA7832 фазовращатель
    Текст: нет текста в файле


    OCR сканирование
    PDF LA7853 LA7853 LA7832 15 кГц вертикальный IC tv crt ic la 7833 генератор пилообразных волн la 7837 рентгеновский инвертор LA7852 IC LA7832 фазовращатель
    1999 — Нет в наличии

    Аннотация: абстрактный текст недоступен
    Текст: нет текста в файле


    Оригинал
    PDF MSM9562 / 63/66/67 MSM9562 / 63/66/67
    la7837

    Аннотация: абстрактный текст недоступен
    Текст: нет текста в файле


    OCR сканирование
    PDF LA7857 LA7857, LA7837, LA7852 150 кГц) 64 кГц, LA7837
    2001 — 743H

    Резюме: ТЕХНИЧЕСКАЯ ИНФОРМАЦИЯ НА ДИОД VCF9 3310 LF3310 Sh25
    Текст: нет текста в файле


    Оригинал
    PDF LF3310 12-битный 12-битный, VCF11 VCF10 DOUT11 DOUT10 LF3310QC15 743H VCF9 ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ДИОДОВ 3310 LF3310 Ш25
    Перекрестная ссылка

    Аннотация: Перекрестная ссылка BCM 7241 8205S BCM 7213 8309SB Broadcom 7241 XRJH-01D-1-D12-170 REALTEK 5209 XRJV-01V
    Текст: нет текста в файле


    Оригинал
    PDF XRJF-01J-0-D12-010 XRJG-01J-1-D12-110 XRJH-01D-1-D12-170 XRJB-G7A-1-D12-180 XRJF-01J-0-E51-010 XRJG-01J-5-E51-110 XRJV-01V-0-D12-080 ADM8511 / 8513/8515/9511 AN983B XRJH-01P-N-DA1-570 Перекрестная ссылка Перекрестная ссылка BCM 7241 8205S BCM 7213 8309SB Broadcom 7241 XRJH-01D-1-D12-170 РЕАЛТЕК 5209 XRJV-01V

    Выбор замены транзистора »Примечания по электронике

    При ремонте схемы или даже при создании новой часто невозможно найти точный компонент электроники — мы расскажем, как выбрать подходящую замену.


    Руководство по транзисторам Включает:
    Основы работы с транзисторами Усиление: HFE, HFE и бета Характеристики транзистора Коды нумерации транзисторов и диодов Выбор транзисторов на замену


    При работе с электронным оборудованием, будь то проектирование электронных схем, сборка или ремонт, иногда необходимо выбрать транзистор для замены. Либо тип транзистора может не быть под рукой, либо он может быть недоступен.

    К счастью, обычно можно использовать заменяющий тип транзистора, поскольку часто существует значительная степень перекрытия между спецификациями различных типов транзисторов, и, глядя на основные характеристики, обычно можно выбрать правильные замены транзистора.

    Это объяснение сосредоточено на биполярных транзисторах, но можно применить аналогичную логику к другим электронным компонентам, включая полевые транзисторы, чтобы гарантировать, что можно найти подходящую замену.

    При поиске подходящей замены транзистора необходимо ознакомиться с основными техническими характеристиками транзистора. После определения характеристик и параметров транзистора можно проверить наличие других типов транзисторов для замены с аналогичными параметрами, которые смогут работать в рассматриваемой схеме.

    При рассмотрении возможных замен транзисторов необходимо учитывать множество параметров. Сюда войдут основные параметры работы транзистора. Они также будут включать параметры, связанные с окружающей средой, и физические параметры. Все это необходимо учитывать при выборе подходящего транзистора на замену.

    BC547 Транзистор с пластиковыми выводами

    Основные параметры транзистора

    К счастью, многие транзисторы, используемые в электронных схемах, относятся к типам общего назначения.Их спецификации не особенно строгие, и можно использовать различные транзисторы общего назначения. Сегодня характеристики даже транзисторов общего назначения чрезвычайно высоки, и их можно использовать в самых разных приложениях.

    Однако следует более пристально рассмотреть транзисторы, которые выполняют более требовательную роль. Их спецификации необходимо изучить более внимательно, чтобы гарантировать, что любые заменители будут иметь аналогичную спецификацию.

    При поиске подходящей замены транзистора необходимо учитывать следующие основные параметры транзистора:

    1. Используемый полупроводниковый материал: Большинство транзисторов изготовлены из германия или кремния.Другие типы обычно используются только в очень специализированных приложениях.

      Важно знать, какого типа транзистор, потому что существует разница в падении напряжения прямого смещения базы-эмиттера. Для германия оно составляет около 0,2 — 0,3 вольт, а для кремния — около 0,6 вольт. Схема будет рассчитана на конкретное падение напряжения.

    2. Полярность: Совершенно необходимо выяснить, является ли транзистор типом NPN или PNP.Установите неправильный тип, и он испытает напряжение, обратное всем ожидаемым, и, вероятно, будет разрушено. Типы транзисторов: символы цепи транзистора NPN и транзистора PNP
    3. Общее приложение: Хотя не всегда необходимо точно соответствовать назначению транзистора, различные области его характеристик будут адаптированы к его предполагаемому применению.

      Возможные типы приложений могут включать: коммутационные, аналоговые, маломощные, ВЧ-усилители, малошумящие и т. Д.Введите правильный шрифт, и он может не работать. Например, маломощный транзистор общего назначения вряд ли будет хорошо работать в коммутационном приложении, даже если он имеет высокий предел или предел частоты.

    4. Корпус и схема контактов: У транзисторов много корпусов. Часто бывает необходимо подобрать заменяющий транзистор как можно точнее, чтобы транзистор мог физически соответствовать. Также в пакете могут быть указаны другие параметры.
    5. Пробой напряжения: Необходимо убедиться, что транзистор способен выдерживать напряжения, которые он может увидеть. Необходимо проверить параметры транзистора, такие как Vceo и т. Д.
    6. Коэффициент усиления по току: , Параметр усиления по току транзистора обычно имеет очень широкий разброс. Обычно это цитируется как Β или hfe. Хотя они немного отличаются, для всех подобных схемных эквивалентов параметры транзисторов одинаковы.

      Необходимо выбрать транзистор на замену с примерно таким же усилением по току. Обычно не проблема подобрать транзистор на замену с более высоким коэффициентом усиления. Часто может быть приемлемо меньшее усиление по току.

    7. Предел частоты: Верхний предел частоты для транзистора обычно указывается как его футы. Обычно важно обеспечить соответствие транзистора любым частотным ограничениям.
    8. Рассеиваемая мощность: Необходимо убедиться, что заменяемый транзистор может рассеивать достаточную мощность.Часто тип упаковки является хорошим показателем этого.

    Это основные параметры, которые важны для большинства приложений, но обратите внимание на любые другие параметры транзистора, которые могут потребоваться при выборе транзистора для замены.

    Подбор транзистора на замену

    При выборе подходящего заменяющего транзистора для использования в электронной схеме необходимо учитывать несколько этапов при выборе.Они могут быть продвинуты в логическом порядке, чтобы сузить выбор и сделать лучшую альтернативу замене транзистора.

    Пошаговая инструкция:
    1. Выберите транзистор той же полярности: Первый главный критерий выбора — это транзистор PNP или NPN.
    2. Выберите транзистор для замены из того же материала: Большинство транзисторов изготовлены из кремния или германия.Поскольку напряжения смещения и другие характеристики различны, необходимо выбрать транзистор для замены из того же материала.
    3. Выберите тот же функциональный тип транзистора: Транзисторы обычно имеют указание на их применение в технических описаниях. Если возможно, замена должна иметь такое же применение.
    4. Выберите замену в том же корпусе: Выбор транзистора на замену с тем же корпусом и распиновкой значительно упростит замену.Различия в корпусе для транзисторов с малым сигналом обычно не являются проблемой, но для более крупных, где могут быть задействованы радиаторы и т. Д., Разные пакеты могут вызвать серьезные проблемы.

      Также, если соединения контактов различны, следует позаботиться о том, чтобы правильные контакты были выбраны правильными соединениями. Распиновка многих транзисторов — EBC, но есть и другие конфигурации выводов, которые могут легко запутать многих людей.

    5. Выберите транзистор на замену с тем же напряжением пробоя: Убедитесь, что значения для V CEO и V CBO и т. Д. Не меньше, чем у исходного транзистора.
    6. Убедитесь, что он может принимать ток: Убедитесь, что заменяющий транзистор может пропускать требуемый ток — он должен иметь I Cmax больше или равное исходному транзистору.
    7. Выберите транзистор с аналогичным Hfe: Необходимо убедиться, что коэффициент усиления по току заменяющего транзистора примерно такой же, как у оригинала. Значения коэффициента усиления по току обычно сильно различаются даже для транзисторов одного типа, поэтому допустимы некоторые вариации.
    8. Выберите транзистор для замены с эквивалентным Ft: Необходимо убедиться, что транзистор для замены сможет работать на соответствующих частотах, поэтому рекомендуется использовать аналогичный или немного более высокий Ft. Не выбирайте транзистор с гораздо более высоким Ft, так как это может увеличить риск колебаний.
    9. Выберите транзистор с аналогичной рассеиваемой мощностью: Необходимо убедиться, что заменяющий транзистор выдерживает мощность, рассеиваемую в цепи.Выбор транзистора на замену с похожим стилем банки часто означает, что оба транзистора имеют одинаковую рассеиваемую мощность.
    10. Проверьте наличие каких-либо специальных функций: Убедитесь, что выбраны перечисленные выше функции, но могут быть некоторые дополнительные функции, которые необходимо учитывать. Обычно они требуются, когда транзисторы используются в специализированных приложениях.

    После выбора транзистора для замены его можно установить в схему и проверить работоспособность.В большинстве случаев он будет работать удовлетворительно, но иногда могут возникать проблемы. Если это так, необходимо повторно изучить способ, которым был сделан выбор транзистора для замены, и посмотреть, были ли допущены какие-либо ошибки, или поискать другие параметры, которые могут повлиять на работу схемы транзистора.

    Что делать, если я не могу найти оригинальные детали транзистора?

    Иногда очень легко узнать параметры конкретного транзистора, поскольку их можно найти в Интернете или в справочнике транзисторов.Если это невозможно, потому что маркировка не видна, или данные не могут быть найдены, то не все потеряно.

    По-прежнему можно многое узнать о транзисторе из его корпуса, а также о схеме, в которой он используется. Таким образом обычно можно найти подходящий транзистор на замену. Приведенные ниже пошаговые инструкции помогут определить основные параметры транзистора.

    Пошаговая инструкция:

    Эти инструкции изложены в приблизительном порядке: сначала наиболее важные параметры следуют за менее значимыми:

    1. Это транзистор? Это может показаться очевидным вопросом, но иногда некоторые устройства могут показаться на первый взгляд транзисторами.Это может быть полевой транзистор, транзистор Дарлингтона или даже какое-то другое устройство. В качестве альтернативы, иногда небольшие регуляторы напряжения содержатся в корпусах, подобных корпусу транзистора. Другие устройства также могут появляться в корпусах, которые на первый взгляд могут показаться транзисторными. Тщательное изучение заявки позволит убедиться в этом.
    2. Кремний или германий: Важно выяснить, является ли транзистор кремниевым или германиевым.Обнаружить это можно несколькими способами. Если исходный транзистор все еще работает, это можно обнаружить, измерив напряжение на переходе база-эмиттер, когда он смещен в прямом направлении. Это должно быть от 0,2 до 0,3 В для германиевого транзистора и 0,6 В для других разновидностей. В качестве альтернативы можно определить тип, посмотрев на другие транзисторы в схеме. Часто во всем оборудовании используется одна и та же технология. Это не всегда так, так что будьте осторожны!
    3. Рассеиваемая мощность: Часто определяется корпусом, в котором размещен транзистор.Посмотрите на спецификации других транзисторов в тех же корпусах, и это послужит хорошим ориентиром. Пакеты, предназначенные для установки на радиаторах, будут более гибкими, поскольку они часто могут рассеивать больше мощности в зависимости от радиатора. С этими пакетами лучше быть осторожнее.
    4. Максимальное напряжение: Представление о максимальном напряжении можно получить из схемы, в которой оно используется. На всякий случай убедитесь, что максимальное рабочее напряжение заменяемого транзистора как минимум в два раза превышает напряжение шины цепи, в которой он работает
    5. Коэффициент усиления по току: Коэффициент усиления транзисторов по току, как известно, определить сложно.Транзисторы большой мощности часто предлагают более низкий коэффициент усиления — более старые типы силовых транзисторов могут иметь всего 20-50, тогда как транзисторы меньшего размера могут обеспечивать коэффициент усиления где-то между 50 и 1000.
    6. Максимальная частота: Необходимо убедиться, что заменяющий транзистор способен работать на требуемой частоте. Посмотрите на компоненты в цепи и функции цепи. Обычно можно оценить частоту срабатывания. Затем возьмите это и выберите транзистор на замену, который может легко работать на этой частоте.
    7. Что-нибудь еще: Хотя большинство основных моментов было рассмотрено в пунктах выше, всегда лучше следить за другими параметрами, которые могут повлиять на выбор замены транзистора. Это особенно верно для специализированных схем, где некоторые особенности производительности могут быть критичными.

    Выбрать транзистор для замены обычно довольно просто. Доступно огромное количество типов транзисторов, а спецификации многих типов транзисторов совпадают, что во многих случаях делает выбор транзистора для замены довольно простым.

    Часто бывает полезно проверить складские запасы у местных продавцов или надежных дистрибьюторов электронных компонентов. Часто бывает необходимо выбрать транзистор, который можно получить быстро и легко. Проверка того, что может быть доступно у продавца или дистрибьютора электронных компонентов, поможет принять окончательное решение.

    Возможность выбора транзистора на замену может быть очень полезной, если не удается найти точный тип транзистора. Вполне вероятно, что похожий может быть доступен под рукой или, возможно, у местного продавца.В любом случае полезно иметь возможность выбрать заменяющий транзистор с хорошей возможностью его работы.

    Другие электронные компоненты: Резисторы
    Конденсаторы Индукторы Кристаллы кварца Диоды Транзистор Фототранзистор Полевой транзистор Типы памяти Тиристор Разъемы Разъемы RF Клапаны / трубки Аккумуляторы Переключатели Реле
    Вернуться в меню «Компоненты».. .

    Transistor d2499 datasheet, pdf

    Транзистор Kspa является транзистором общего назначения и, следовательно, подходит для многих приложений, он является прямой заменой транзистора 2na в обоих случаях. 2sd datasheet, pdf скачать — кремниевый npn тройной диффузионный меза-транзистор, 2sd datasheet. D2634 datasheet — vcbo = 1500v, npn-транзистор — sanyo, 2sd2634 datasheet, d2634 pdf, распиновка d2634, руководство d2634, схема d2634, эквивалент d2634, данные d2634. Это восточный силовой транзистор 2sd? Размер Pdf: 268k _ toshiba 2sd2499 кремниевый транзистор toshiba npn с тройным рассеиванием, тип 2sd2499 выход горизонтального отклонения для цветного телевизора: мм высокое напряжение: vcbo = 1500 В низкое напряжение насыщения: v = 5 В (макс.

    2sd2499 datasheet, 2sd2499 pdf, 2sd2499 data sheet, 2sd2499 manual, 2sd2499 pdf, 2sd2499, datenblatt, electronics 2sd2499, alldatasheet, free, datasheet, datasheets. Планарный кремниевый транзистор с тройным рассеиванием npn. Паспорт всех транзисторов. 2sc техническое описание компонентов силового транзистора в формате pdf техническое описание бесплатно из технического описания (техническое описание) поиск для интегрированного. Тип Npn с тройным диффузором (выход горизонтального отклонения для цветного телевизора), техническое описание d2499, схема d2499, техническое описание d2499: toshiba, alldatasheet, datasheet, сайт поиска данных для электронных компонентов и полупроводников, интегральных схем, диодов, триаков и других полупроводников.2sd2499 datasheet, 2sd2499 pdf, 2sd2499 datasheet, 2sd2499 manual, 2sd2499 pdf, 2sd2499, datenblatt, электроника 2sd2499, alldatasheet, free, datasheet, datasheets. Кремниевые npn-транзисторы stmicroelectronics предпочтительные типы продаж Описание npn-транзисторов 2n3439 и 2n3440 — это кремниевые эпитаксиальные планарные npn-транзисторы в металлическом корпусе jedec to-39, предназначенные для использования в бытовых и промышленных приложениях, работающих от сети. C5339 datasheet: кремниевый npn-транзистор с тройным рассеиванием mesa, c5339 pdf скачать toshiba, c5339 datasheet pdf, распиновка, технический паспорт, эквивалент, схема, перекрестные ссылки, устаревшие, схемы.2n3904 — действительно распространенный транзистор, который мы используем постоянно (а 2n3906 — его брат по pnp).

    D2499 2sd2499 техническое описание компонентов pdf техническое описание бесплатно из datasheet4u. D2499 datasheet, d2499 pdf, d2499 data sheet, d2499 manual, d2499 pdf, d2499, datenblatt, electronics d2499, alldatasheet, бесплатно, техническое описание, техническое описание, техническое описание. D2499 техническое описание, d2499 pdf, d2499 техническое описание, техническое описание, техническое описание, pdf | дом. D2499 datasheet, d2499 datasheets, d2499 pdf, d2499 circuit: toshiba — npn triple diffused mesa type (выход горизонтального отклонения для цветного телевизора), alldatasheet, datasheet, datasheet search site для электронных компонентов и полупроводников, интегральных схем, диодов, симисторов и др. полупроводники.Таблица данных 2sc, схема 2sc, таблица данных 2sc: mospec — силовые транзисторы (10a, v, w), таблица данных, поиск в таблицах. Com datasheet (технический паспорт) поиск интегральных схем (ic), полупроводников и других электронных компонентов, таких как резисторы, конденсаторы, транзисторы и диоды. 2sd2498 datasheet (pdf) 1.

    Com / pdf-file / 1030941 / toshibasemiconductor / d2499 / 1. Документация на электронные компоненты (datasheet) «d2499» производитель крыла. D2499 datasheet, d2499 pdf, замена, аналог, спецификации, распиновка d2499, схема, электрическая схема.База данных транзисторов. Размер Pdf: 270k _ toshiba 2sd2498 транзистор toshiba кремниевый npn тройной диффузионный mesa тип 2sd2498 выход горизонтального отклонения для высокого блока: дисплей с разрешением мм, приложения для высокоскоростного переключения цветного телевидения высокое напряжение: vcbo = 1500 В низкое напряжение насыщения: v = 5 В ( max. 2sd2499 datasheet (pdf) 1. 2sd2499: транзистор кремниевый npn тройной диффузный меза тип горизонтального отклонения. D2499 datasheet pdf. Как использовать d-транзистор в качестве регулятора в схеме? Дискретные транзисторы могут быть индивидуально упакованными транзисторами или неупакованными транзисторными кристаллами.

    2n3904 datasheet — еще один способ узнать о транзисторах — это покопаться в их datasheet. Эпитаксиальный кремниевый транзистор npn. C5929 датащит — vcbo = 1550v, npn транзистор — panasonic rjh4047 datasheet, pdf — 330v, 50a igbt — renesas rjp30h2 datasheet, pdf — n channel igbt — renesas. Полный лист данных производителя крыла d2499. Параметры и характеристики. Поиск запчастей и инвентаря. D2499: описание кремниевого диффузионного силового транзистора (общее описание): скачать 1 страниц: прокрутить / увеличить: 100%.Паспорт транзистора 2sd, pdf, эквивалент 2sd. · Низкое напряжение насыщения. Сменный и аналогичный транзистор для. Китай транзистор mitsubishi китай высокочастотный широкополосный транзистор китай к-3п транзистор к-3п.

    Это техническое описание содержит проектные характеристики. Ознакомьтесь с таблицей данных, посмотрите, узнаете ли вы какие-нибудь знакомые характеристики. Корпуса транзисторов изготавливаются из стекла, металла, керамики или пластика. Техническое описание транзисторов kspa, pdf, эквивалент kspa.

    D2499: описание npn с тройным рассеиванием типа mesa (выход горизонтального отклонения для цветного ТВ): скачать 5 страниц: прокрутка / масштабирование: 100%.D2499: кремниевый транзистор рассеянной мощности: компьютер wing shing: 3: 3dd2499: корпус усилителя низкой частоты — биполярные транзисторы с номиналом. D2499, d2499 техническое описание, pdf. Модулятор Transisgor в передатчике что такое а? Кремниевый диффузионный силовой транзистор (общее описание), техническое описание d2499, схема d2499, техническое описание d2499: крылья, все данные, техническое описание, сайт поиска электронных компонентов и полупроводников, интегральных схем, диодов, симисторов и других полупроводников. D998 datasheet — vcbo = 120v, npn-транзистор — kec, ktd998 datasheet, d998 pdf, распиновка d998, руководство d998, схема d998, эквивалент d998, данные d998.Этот диод может доставлять неудобства, но иногда он используется в даташите bsp.

    Силовые транзисторы имеют более крупный лист данных bsp, который можно прикрепить к радиатору для улучшения охлаждения. Наша компания как профессиональный оптовый продавец электроники уже несколько лет быстро развивается, является известной торговой корпорацией. Транзистор D2499 pdf — иногда префикс «2s» не указывается на упаковке — транзистор 2sd может быть помечен буквой «d». Транзистор разработан для высокого напряжения и высокого тока для горизонтального вывода цветного телевизора и будет потрачен впустую в источнике питания.· Высокое напряжение пробоя vcbo = v (min).

    D2499 техническое описание (pdf) 1 страница — toshiba semiconductor: арт. D2499 datasheet (pdf) 1 страница — Компоненты компьютера Wing Shing: арт. D2499 datasheet — vcbo = 1500v, npn-транзистор — toshiba, 2sd2499 datasheet, d2499 pdf, распиновка d2499, эквивалент d2499, схема, выход, схема d2499. Выходное отклонение по горизонтали для дисплея с высоким разрешением, цветного телевизионного дисплея, цветного телевизора, техническое описание d2498, схема d2498, техническое описание d2498: toshiba, alldatasheet, datasheet, сайт поиска данных для электронных компонентов и полупроводников, интегральных схем, диодов, симисторов и др. полупроводники.D2396 datasheet pdf — npn tr, vcbo = 80v, ic = 3a — rohm, 2sd2396 datasheet, d2396 pdf, распиновка d2396, эквивалент, данные, схема, выход, схема d2396. D2499 datasheet, d2499 datasheets, d2499 pdf, d2499 circuit: wings — кремниевый диффузионный силовой транзистор (общее описание), все данные, техническое описание, сайт поиска данных для электронных компонентов и полупроводников, интегральных схем, диодов, симисторов и других полупроводников.

    Миллионы SD-карт у вас под рукой, начните бесплатную пробную версию сегодня.Поиск по перекрестным ссылкам. Абсолютные максимальные значения ta = 25 ° C, если не указано иное. D2499 datasheet: кремниевые npn-транзисторы, d2499 pdf скачать inchange semiconductor, d2499 datasheet pdf, распиновки, технический паспорт, эквивалент, схема, перекрестная ссылка, устаревшее, поиск электронных компонентов схем и сайт бесплатной загрузки. · Высокая скорость переключения. Isc кремниевый силовой транзистор npn. 2sc datasheet, 2sc circuit, 2sc datasheet: toshiba — npn тройного диффузионного типа (импульсный стабилизатор и высокое напряжение.


    Качество 2sd2499 d2499 заменяет транзистор горизонтального вывода 2sc4764 для электронных проектов

    О продуктах и ​​поставщиках:
     Alibaba.com предлагает большой выбор.  2sd2499 d2499 замените 2sc4764 транзистор горизонтального вывода  на выбор, чтобы удовлетворить ваши конкретные потребности.  2sd2499 d2499 замените 2sc4764 транзистор горизонтального вывода  являются жизненно важными частями практически любого типа электронных компонентов. Их можно использовать для создания материнских плат, калькуляторов, радиоприемников, телевизоров и многого другого. Выбрав правильный.  2sd2499 d2499 замените 2sc4764 транзистором строчной развертки , вы можете быть уверены, что продукт, который вы создаете, будет высокого качества и очень хорошо работать.Ключевые факторы выбора продуктов включают предполагаемое применение, материал и тип, среди других факторов. 

    2sd2499 d2499 заменить 2sc4764 выходной транзистор строчной развертки изготовлен из полупроводниковых материалов и обычно имеет не менее трех выводов, которые можно использовать для подключения их к внешней цепи. Эти устройства работают как усилители или переключатели в большинстве электрических цепей. 2sd2499 d2499 заменить 2sc4764 выходной транзистор строчной развертки охватывает два типа областей, которые возникают из-за включения примесей в процессе легирования.В качестве усилителей. 2sd2499 d2499 заменить 2sc4764 транзистор горизонтального вывода скрывают низкий входной ток до большой выходной энергии, и они направляют небольшой ток для управления огромными приложениями, работающими как переключатели.

    Изучите прилагаемые таблицы данных вашего. 2sd2499 d2499 замените 2sc4764 транзистором строчной развертки , чтобы определить ножки базы, эмиттер и коллектор для безопасного и надежного соединения. Файл. 2sd2499 d2499 заменить 2sc4764 транзистор строчной развертки на алибабе.com используют кремний в качестве первичной полупроводниковой подложки благодаря его превосходным свойствам и желаемому напряжению перехода 0,6 В. Основные параметры для. 2sd2499 d2499 заменить 2sc4764 транзистор строчной развертки для любого проекта, включая рабочие токи, рассеиваемую мощность и напряжение источника.

    Откройте для себя удивительно доступный. 2sd2499 d2499 замените 2sc4764 транзистор горизонтального вывода на Alibaba.com для всех ваших потребностей и предпочтений. Доступны различные материалы и стили для безопасной и удобной установки и эксплуатации.Некоторые аккредитованные продавцы также предлагают послепродажное обслуживание и техническую поддержку.

    ⚙ D2499 Объединить RunConfig с PipelineRun (4 /)

    9709 9709 9018 7 строк 9022 7 9 9 9
    Автор max 9 апреля 2020 г., 17:43.

    Временная шкала событий

    max создала эту ревизию. Эта ревизия теперь требует внесения изменений. Max запланированных изменений в этой ревизии. Max запланированных изменений в этой ревизии. Max запланированных изменений в этой ревизии. Max запланированных изменений в этой ревизии. Max запланированных изменений в этой ревизии. доработка.max запланированные изменения в этой ревизии. max запланированные изменения в этой ревизии. max запланированные изменения в этой ревизии. max запланированные изменения в этой ревизии. max запланированные изменения в этой ревизии. max отменили эту ревизию. 0
    Путь Размер

    следующий /

    src /

    страниц /

    9007 docs /

    2 строки
    3 строки
    2 строки

    dagster_examples /

    intro_tutorial /

    4 строки
    4 строки
    4 строки
    6 строк
    9070
    16 строк
    3 строки
    2 линии
    6 строк
    8 строк
    60 строк
    9 строк
    4 строки
    2 строки
    10 строк
    12 строк
    59 линий
    5 строк
    33 строки
    2 строки
    51 строка
    2 строки
    3 строки
    4 строки
    4 строки
    100 строк
    100 строк
    16 линий
    133 строки
    71 строка
    6 строк
    2 строки
    12 строк
    30 строк
    10 строк
    _

    04

    _

    04

    строки 9022

    dagster_tests /

    6 строк
    33 строки
    8 строк
    6 строк
    5 строк
    42 строки
    13 строк
    21 строка
    5 строк
    26 строк
    26 строк
    2 строки
    7 строк
    4 строки
    9 строк
    2 строки
    10 строк
    4 строки
    6 линий
    17 линий

    дагстер-сельдерей /

    dagster_celery_tests /

    dagster-gcp /

    dagster_gcp_tests /

    gcs_tests /

    17 линий

    dagster_k8s_tests /

    10 строк 6 строк 9 0227 9

    _

    _

    dagster-papertrail

    dagster-papertrail10

    5 строк

    dagster-postgres /

    dagster_postgres_tests /

    9

    dagster-pyspark /

    dagster_pyspark_tests /

    10 линий

    04

    0
    4 строки 10 строк
    Дифф. База 900 10 База
    Разница 1 11658 35ab4e6 9 апреля 2020 г., 17:43 PM 0
    0
    0 e 9 апреля 2020 г., 21:08 Diff 8 9000

    44 12203

    f

    4

    35ab4e6 Нитс 9 апреля 2020 г., 18:13
    Diff 3 11666 35ab4e6 Нитс 9 апреля 2020 г., 18:27 9 апреля 2020 г., 18:27
    Diff 4 11667 35ab4e6 Nits 9 апреля 2020 г., 18:38 PM
    Diff 5
    11105199
    Diff 6 11809 cdac937 Rebase 11 апреля 2020 г., 1:02 AM
    Diff 7 11814 f192c5a Rebase 11 апреля 2020 г., 1:37 AM
    11817 e4578de Rebase 11 апреля 2020 г., 2:13 AM
    Diff 9 11819 e4578de Обновить документы 17 AM
    Diff 10 12157 be78500 Базирование и переделка 16 апреля 2020 г., 22:23 PM
    be78500 нит 17 апреля 2020 г., 16:39
    Diff 12 12193 be78 500 Снимок 17 апреля 2020 г., 17:31
    Diff 13 12196 be78500 Nits 17 апреля 2020 г., 17:53
    Diff 14 12202 f06f714 Nits 17 апр 2020, 20:25
    Diff 15
    04 9106 9000f 900 17 2020, 20:33
    Diff 16 12204 f06f714 Nits 17 апр 2020, 20:39 0 Diff
    12205 f06f714 Fixup 17 апреля 2020 г., 20:53
    Принять 9071 9 Дерево Родители Автор Сводка Дата
    1b2328fbf7c0 493ba6a4041f f06f7142b31d 15910 F06f7142b31d 9000 16 июля, 21:26 PM2021-07-16 21:26:18 (UTC + 0)
    • Пт, 16 июля, 21:25 PM2021-07-16 21:25:52 (UTC + 0)
    • Чт, 15 июля, 17:17 2021-07-15 17:17:23 (UTC + 0)
    • Чт, 15 июля, 16:38 2021-07-15 16: 38:21 (UTC + 0)
    • ср, 14 июля, 23:14 2021-07-14 23:14:37 (UTC + 0)
    • ср, 14 июля, 9: 05 PM2021-07-14 21:05:27 (UTC + 0)
    • Вт, 6 июля, 16:26 PM2021-07-06 16:26:07 (UTC + 0)
    • пт, 2 июля, 21:36 2021-07-02 21:36:48 (UTC + 0)
  • 919 24
  • Чт, 1 июля, 13:50 2021-07-01 13:50:50 (UTC + 0)
    • Пн, 21 июня, 19:13 2021-06-21 19:13:47 ( UTC + 0)
  • Tt2142 эквивалентная книга транзисторов

    Tt2142 эквивалентная книга транзисторов

    Я бы описал сверхгигантские транзисторы как искусство, я также считаю, что half life 2 — это искусство.Перекрестные ссылки — это не волшебство, понимание схемы и параметрический поиск важных параметров намного надежнее. 20 мая 2014 года Transistor поставил меня на место Рыжего, одаренного и популярного музыканта, живущего в киберпанк-фэнтези-городе Клаудбанк. Система нумерации деталей для мощных транзисторов to3. Купить международное руководство по эквивалентам транзисторов Бернарда Бабани, издательство книг по радио и электронике Майклса, Адриана Исбна. Проверяет все типы диодов германиевые, кремниевые, силовые, светодиоды и стабилитроны, указывает катодные или анодные выводы диода.Высокая частота ограничивает wmax биполярных переходных транзисторов. В транзисторе с гетеропереходом база обычно очень сильно легирована, в то время как эмиттер более легирован. Transistor — это всегда красивая игра, но в этих случаях она демонстрирует редкое умение сочетать визуальные эффекты и музыку с максимальной эффективностью. Проверьте наш раздел бесплатных электронных книг и руководств по транзисторным схемам. Примечания к выбору транзисторной замены электроники. Эта книга easytouse охватывает все типы транзисторов, в том числе. Там, где Bastion была простой игрой в жанре экшн, транзистор использует более стратегическую систему, нажимающую правый триггер или.Август 08, 2016 tt2146 datasheet коммутирующий транзистор tt2146 sanyo, tt2146 pdf, распиновка tt2146, руководство tt2146, схема tt2146, эквивалент tt2146, данные tt2146, схема.

    Tt2142 — Справочник транзисторов. Так называемые эквивалентные части или замены могут вообще не работать в некоторых случаях, потому что они были хуже в некоторых спецификациях, или схема была разработана с предположением, что часть имеет довольно низкую полосу пропускания. Около 31% из них — транзисторы, 50% — интегральные схемы и 18% — конденсаторы.Список перекрестных ссылок полупроводников и транзисторов. Больше всего Transistor отличается от своего предшественника боевой механикой.

    Tt2142 цветной телевизор приложения вывода горизонтального отклонения. 5 апреля 2008 г. В 80-е и 90-е годы я искал эквиваленты компонентов в книгах. Tt2148 — даташит, аналоги, поиск по каталогам. Tt2146 datasheet коммутирующий транзистор tt2146 sanyo, tt2146 pdf, распиновка tt2146, руководство tt2146, схема tt2146, эквивалент tt2146, данные tt2146, схема.

    В этой книге также есть очень подробный глоссарий, указатель и уравнения.25 августа 2011 г. перекрестные ссылки — это не волшебство, понимание схемы и параметрический поиск важных параметров намного надежнее. Какие книги использовать для изучения МОП-транзисторов, байт-транзисторов. Перекрестная ссылка на универсальную справочную страницу транзисторов 1. Транзистор пытается сделать что-то подобное с пляжем, который может посещать красный цвет, но это также не работает, в основном потому, что к нему можно получить доступ только в определенных точках, а его просто нет. Диод 1n9148 1n4307 1n4532 диод 1n3605 2n2222 микросхема 2n2369 транзистор se708 ma1704 ma1703 текст.Nte — компания, специализирующаяся на деталях с перекрестными ссылками. Бесплатные книги по транзисторным схемам, скачать электронные книги онлайн. Общее руководство по электрическим транзисторам, если эта ссылка пропадает, иногда вы можете найти ее за абсурд. Транзисторный эквивалент книги pdf скачать бесплатно с corfikome. Он предназначен для общего применения с высоким напряжением и размещается в сот. Эффективность эмиттера транзистора по-прежнему рассчитывается по электронному току относительно полного тока эмиттера и равна. Tt2206 datasheet, tt2206 pdf, распиновка, схема sanyo.Полупроводниковый транзистор, диод, перекрестная ссылка на микросхему.

    T2142f — параметры, поиск аналогов. Transistor — всегда красивая игра, но в этих случаях она демонстрирует редкое умение сочетать визуальные эффекты и музыку, чтобы мощно передать как повествовательную информацию, так и тон, управляя автомобилем. Sanyo, alldatasheet, datasheet, сайт поиска данных для электронных компонентов и полупроводников, интегральных схем, диодов, симисторов и других полупроводников. Начальный 2n идентифицирует деталь как транзистор, а остальная часть кода идентифицирует конкретный транзистор.Tt2142 даташит цветной телевизор с горизонтальным отклонением выходных приложений. Приложения вывода горизонтального отклонения цветного телевизора, таблица данных tt2142, схема tt2142, таблица данных tt2142. Tt2146 datasheet vceo400v, переключающий транзистор sanyo. Для этого транзистора значение hfe около 500 указывает на то, что транзистор работает правильно. Входное сопротивление транзисторной цепи электрическое. Справочник по полупроводникам в мягкой обложке июль 1996 г. Электронные схемы с перекрестными ссылками Ka2206, схемы телевизоров. Сборник дампов для теле-, видео- и аудиоаппаратуры, устройств связи, бытовой и оргтехники, паспортов радиодеталей atmel, паспортов радиодеталей компании cirrus logic, паспортов радиодеталей компании maxim, паспортов радиодеталей по микрочипам, данных листы радиодеталей mitsubishi, данные.

    Бесплатные книги по транзисторным схемам скачать электронные книги онлайн-учебники. Пытался закрутить тему колонки по быстродействию получил перегоревший транзистор q43. Если он вам нужен, я бы порекомендовал вам купить одно из предыдущих изданий 2000 года или ранее. В итоге я купил копию восьмого издания 1998 года, а. Supergiants, продолжение Bastion — это невероятно умная боевая игра, которая полностью доверяет вашему интеллекту. В большинстве проектов указывается конкретный транзистор, но при необходимости вы можете заменить его.Другой способ проверить транзистор — использовать функцию проверки диодов и проверить каждый из них. Джонсон отличная книга для изучения электроники простым простым языком. Dt100 представляет собой динамический тестер транзисторов и диодов. Планарный кремниевый транзистор tt2142 цветной телевизор с выходом горизонтального отклонения пакет функций. Игра начинается драматично, красный вытаскивает гигантский меч. Transistor — это меньший по размеру и более узкий игровой процесс, чем любая из этих игр.

    Но его миниатюрный рост заставляет его больше походить на триумф, учитывая лигу, в которую я его поместил.Я не могу найти местного поставщика, чтобы поставить tt2146, высоковольтный, высокоскоростной, переключающий транзистор в корпусе to220. Pc o a i tt r f a t, pplication sch em atic 2150m h z 2142 rev a2 9

    rf2146 химическая оценочная плата. Enn0000 tt2148 npn тройной диффузный планарный кремниевый транзистор tt2148 импульсный стабилизатор приложения предварительные характеристики размеры корпуса высокое напряжение пробоя и высокая надежность. Enn7550 tt2142 npn тройной диффузный планарный кремниевый транзистор tt2142 цветной телевизор с горизонтальным отклонением выходных приложений имеет размеры корпуса высокая скорость.В нашем обширном ассортименте имеется более 32 000 различных номеров микросхем и транзисторов, а также множество других изделий: конденсаторы, резисторы, диоды, обратные переходники, предохранители. Есть ли какая-либо веб-программа или отдельная программа для такого обслуживания транзисторов и микросхем. Я не могу найти местного поставщика, который бы поставил tt2146, высоковольтный, высокоскоростной, переключающий транзистор, в. Есть игры, есть иммерсивные, подробные опыты, которые намного ближе к интерактивному искусству. D2499 datasheet vcbo1500v, npn-транзистор toshiba, 2sd2499 datasheet, d2499 pdf, распиновка d2499, эквивалент d2499, схема, выход, схема d2499.

    Enn7550 tt2142 npn тройной диффузный планарный кремниевый транзистор tt2142 цветной телевизор с выходом горизонтального отклонения. Принципы транзисторных схем — очень хорошая книга, но этот отпечаток девятого издания 2003 года сильно страдает от оцифровки, так как иллюстрации почти неразборчивы. Показанная выше конфигурация называется npn-транзистором. Решение состоит в том, чтобы ввести тонкую нелегированную распорку с широкой запрещенной зоной. Есть ли транзистор, который я могу использовать вместо 2n 904. Это PDF-формат хорошо известной книги по распиновке аппаратного обеспечения, в которой описаны распиновки различных компьютеров, электрических и электронных устройств.Таблица данных транзистора tt2142, pdf, эквивалент tt2142. В таком случае легирующая добавка легко диффундирует в эмиттер и легирует его p-тип. Электронные компоненты на биполярных транзисторах от родных. Терминал слева называется эмиттером, а терминал справа. Транзисторный эквивалент или аналог, используемый для усилителя мощности.

    Эта страница содержит список бесплатных электронных книг, онлайн-учебников и учебных пособий по транзисторным схемам. Он включает в себя тестирование схемы и индикаторы полярности как для транзисторов, так и для диодов.Я в 80-е и 90-е годы искал эквиваленты компонентов в книгах. Ena0996 2sc6090ls sanyo semiconductors техническое описание npn тройной диффузный планарный кремниевый транзистор цветной телевизор горизонтальное отклонение 2sc6090ls выходных приложений отличается высокой скоростью. Эмиттер, коллектор и база по своей сути транзистор состоит из двух диодов, расположенных спина к спине. Руководство по тиристорам и диодам RCA SC14, а также большой выбор сопутствующих книг, произведений искусства и предметов коллекционирования доступны сейчас на сайте.

    Использование транзисторов, правила транзисторов, схема с общим эмиттером, усиление малого сигнала, полевые транзисторы, рабочие области jfet.Биполярный, силовой, ВЧ, цифровой, IGBT, однопереходный, FET, JFET и МОП-транзисторы. Международный справочник по эквивалентам транзисторов Бернар Бабани. Посмотреть все 2 формата и редакции, скрыть другие форматы и редакции. Ферма такая же, как на фоне последнего экрана, вы можете восстановить и изменить дизайн города так, как вы хотели, с помощью транзистора, который является ключом и средством формирования материала процесса, но вместо этого вы восстанавливаете тело своего любовника. и убить себя рядом с ним, чтобы навсегда присоединиться к нему внутри транзистора.В большинстве проектов указывается конкретный транзистор, но при необходимости вы обычно можете заменить эквивалентный транзистор из широкого ассортимента. Доступно большое количество вариантов транзистора tt2140. Ограничения по высокой частоте wmax биполярные переходные транзисторы bjts. 20 мая 2014 года транзистор больше всего отличается от своего предшественника боевой механикой. Ежедневные низкие цены и бесплатная доставка соответствующих заказов. Форум по высокоскоростной коммутационной транзисторной электронике tt2146 hv. Transistor поставил меня на место Рэда, одаренного и популярного музыканта, живущего в киберпанк-фантастическом городе Клаудбанк.21 августа 2014 г. Общее руководство по электрическим транзисторам, если эта ссылка исчезнет, ​​вы иногда можете найти ее за абсурд.

    Эквивалент транзистора tt 2142, техническое описание, перекрестная ссылка, примечания по схемам и применению в формате pdf. Кремниевый npn-транзистор в пластиковом корпусе to3p foshan blue rocket electronics co. Коды транзисторов поверхностный монтаж, pnp, npn, выбор. Там, где Bastion была простой игрой в жанре экшн, транзистор использует расширение. В этой книге представлены практические рекомендации и информация по применению при использовании транзисторов в электронных и электрических схемах.25 мая 2018 г. d2499 datasheet vcbo1500v, npn-транзистор toshiba, 2sd2499 datasheet, d2499 pdf, распиновка d2499, эквивалент d2499, схема, выход, схема d2499. Tt2146 hv высокоскоростная переключающая транзисторная электроника. Категория полярность значение bvceo 704 x y zzz x нечетное число 7 pnp x четное число 8 npn y текущее значение, где задано усиление hfe. Сборник дампов для теле-, видео- и аудиоаппаратуры, устройств связи, бытовой и оргтехники, паспортов радиодеталей atmel, паспортов радиодеталей компании cirrus logic, паспортов радиодеталей компании maxim, паспортов радиодеталей по микрочипам, данных листы радиодеталей от mitsubishi.

    Или мне нужно укусить пулю и заказать еще несколько советов. Таблица данных T2142, аналоги, поиск по ссылкам. Техническое описание транзисторов и диодов Texas Instruments, 1-е издание 1973 г., для диодов от 1n251 и транзисторов от 2n117 на acrobat 7 pdf 34. Mmbt5551m3 npn-транзистор высокого напряжения устройство mmbt5551m3 — это спин.

    Журнал медицинских интернет-исследований


    Введение

    Эффект электронного обучения (электронного обучения), вероятно, будет революционным, хотя остается неизвестным, как именно оно изменит профессиональное образование.

    Это заявление является частью видения и стратегии Frenk et al (2010) комиссии по вопросам образования и здравоохранения в 21 веке []. По состоянию на 2018 год революция электронного обучения в странах с ограниченными ресурсами еще не началась, и потенциал электронного обучения в поддержке продвижения медицинского образования все еще неизвестен.

    Какие препятствия в настоящее время ограничивают возможности электронного обучения для медицинского обучения в странах с ограниченными ресурсами? Как можно с помощью электронного обучения решить продолжающийся кризис кадровых ресурсов здравоохранения? Совершенно очевидно, что прогресс крайне необходим, учитывая, что страны с низкими доходами сталкиваются с хрупкими системами здравоохранения и крайне недостаточным количеством работников здравоохранения.Из 49 стран Африки к югу от Сахары с населением около одного миллиарда человек только около 6000 врачей получают дипломы в год по сравнению с Западной Европой с населением 200 миллионов человек (пятая часть Африки к югу от Сахары), где количество врачей количество выпускников в год (42 000) в семь раз больше, чем в странах Африки к югу от Сахары []. Низкое количество выпускников в Африке к югу от Сахары отражает небольшое количество медицинских школ (134) по сравнению с Западной Европой (почти 300) []. Таким образом, страны Африки к югу от Сахары срочно нуждаются в расширении существующей образовательной инфраструктуры, чтобы удовлетворить большое и растущее число молодых людей, стремящихся к образованию, и удовлетворить острую потребность в медицинском обслуживании их населения путем обучения большего числа квалифицированного медицинского персонала.Существующая образовательная инфраструктура (в частности, медицинское образование), практическая подготовка медицинских работников и непрерывное медицинское образование недостаточны по количеству и качеству. Учреждения медицинского образования, такие как колледжи медсестер, смежных медицинских наук и медицинские школы, сталкиваются с ограниченными возможностями приема студентов и недостаточным количеством преподавателей-медиков, а также страдают от отсутствия инфраструктуры, такой как недостаточное количество аудиторий, лекций холлы или общежития.

    Технологии же развиваются семимильными шагами. Персональные компьютеры были представлены широкой публике в 1970-х годах, и на протяжении последних десятилетий технический прогресс был поразительно быстрым. Сегодня компьютеры широко доступны во многих формах: планшеты, мобильные телефоны, ноутбуки и гарнитуры виртуальной реальности. Эти технологии меняют подходы к обучению и потенциально могут улучшить оказание медицинской помощи. Однако глобальные цифровые ресурсы распределяются неравномерно, вызывая так называемый «цифровой разрыв».«Чтобы дать странам с низким уровнем дохода возможность ускорить длительные ранние этапы развития, которые переживают страны с высоким уровнем дохода [], требуется сокращение цифрового разрыва за счет увеличения развития технологических ресурсов и доступа к ним. Одним из примеров быстрого технологического прогресса является быстрое и широкое распространение мобильных телефонов в странах Африки к югу от Сахары []. В целом страны к югу от Сахары значительно продвинулись вперед в области мобильной связи и доступа в Интернет. Этот прогресс создает благоприятные условия для электронного обучения медицине; его преимущества включают гибкое обучение, экономию времени, потенциально более низкие затраты (из-за меньшей потребности в печатных учебных материалах, таких как книги и легко обновляемые электронные материалы), стандартизацию содержания курса, дистанционную доставку и масштабируемость.Электронное обучение для медицинского образования может предоставить этим странам шанс увеличить количество подготовленных медицинских работников в странах с низким уровнем дохода, сохраняя или потенциально улучшая качество образования при поддержке самостоятельного обучения и, таким образом, уменьшая нагрузку на текущее здравоохранение. работники, занимающиеся санитарным просвещением.


    Пилотит: как победить пилотные проекты

    В опубликованной литературе задокументировано множество мероприятий электронного обучения для медицинского образования и электронного здравоохранения (eHealth) в странах Африки к югу от Сахары.Фактически, было так много проектов электронного здравоохранения, что в 2012 году Уганда издала директиву о прекращении всех национальных инициатив мобильного здравоохранения (mHealth) и остановила пилотные проекты, которые использовали мобильные и беспроводные устройства для здравоохранения по всей стране [], несмотря на провозглашенную революцию технологии здравоохранения и их обещанный потенциал. Уганда отреагировала на кажущийся хаос вокруг пилотных проектов и приостановила разработку стандартов технических спецификаций и согласование проектов с национальной стратегией Уганды в области здравоохранения. Уганда свидетельствует об общей тенденции в странах Африки к югу от Сахары с точки зрения электронного обучения для медицинского образования с использованием множества подходов.Вмешательства электронного обучения, как правило, проводятся изолированно или параллельно в одной стране, что вызывает впечатление безотлагательности, что приводит к неосмотрительной реализации, основанной на стратегии «все лучше, чем ничего». Недавняя Глобальная обсерватория электронного здравоохранения Всемирной организации здравоохранения [] обнаружила, что общее количество пилотных проектов сокращается, а количество реализованных крупномасштабных проектов растет; однако в недавнем отчете Комиссии по широкополосной связи в интересах устойчивого развития говорится, что до сих пор отсутствует национальная координация решений цифрового здравоохранения в странах с низким и средним уровнем доходов, что ведет к «фрагментированной экосистеме» [].Кроме того, во многих мероприятиях электронного обучения не используется общесистемный подход [], в результате чего не учитываются важные аспекты в плане разработки электронного обучения. На более позднем этапе такие исключения превращаются в основные препятствия для внедрения технологий и приводят к разочарованию и неудачам в реализации вмешательства после пилотной фазы, таким как недостаточная подготовка всех заинтересованных сторон (студентов, учителей и администрации), недостаточное обслуживание и технический пользователь. поддержка, недостижимо высокие ожидания и нереалистичное финансовое планирование [].В результате многие из этих вмешательств и проектов, основанных на технологиях, никогда не продвигаются дальше экспериментальной стадии []; они заканчиваются до увеличения масштаба — феномен под названием pilotitis []. Ясно, что пилотные проекты важны как этап мелкомасштабного тестирования перед инвестированием в крупномасштабное развертывание, но пилотный проект требует четко определенных целей в сочетании с мониторингом и оценкой []. Устойчивое внедрение, ведущее к расширению масштабов, имеет решающее значение для полного раскрытия потенциала электронного обучения в медицине.


    Структурированная и устойчивая реализация

    Чтобы быть успешными, вмешательства электронного обучения должны следовать системному подходу в данной образовательной среде и, более конкретно, учитывать определение объема, целей и целевой группы, наличие соответствующей учебной программы, активное участие учителей и администраторов, достаточная поддержка информационных технологий (ИТ), адекватная ИТ-инфраструктура и четкая политическая и институциональная поддержка.

    Стандартная система оценки может дать представление об адаптации пилотных медицинских программ электронного обучения к местным условиям и потребностям. Меры вмешательства должны быть максимально тесно связаны с местной образовательной инфраструктурой []. В основе инфраструктуры лежат люди, которые усердно учатся; учителя; а также административный и вспомогательный персонал, такой как руководитель отдела, координаторы обучения, ИТ-служба поддержки и сетевые администраторы. Учебная программа обеспечивает руководство на индивидуальном уровне, что имеет решающее значение для вмешательств электронного обучения в медицинском образовании, особенно для интеграции электронного обучения в учебную программу.Однако, как отметила комиссия по вопросам образования и здравоохранения 21 века, «профессиональное образование не успевает … в основном из-за фрагментированных, устаревших и статичных учебных программ, которые выпускают плохо подготовленных выпускников», как «местные образовательные стандарты. слишком часто движимы желанием вписаться в те рамки, которые существуют где-то еще »[]. Таким образом, внедрение электронного обучения может быть шансом пересмотреть текущие учебные планы, чтобы учесть и интегрировать научные достижения, модели, ориентированные на учащегося, которые ориентированы на компетенцию, а также методы преподавания и обучения, основанные на технологиях.

    Интернет и другие технологии способствовали росту знаний, которые обычно доступны бесплатно всем, у кого есть технологические средства доступа. Таким образом, сегодня знания доступны как никогда. Всего несколько десятилетий назад, когда были разработаны самые современные медицинские учебные программы, запоминание фактов часто считалось первостепенным. Сегодня умение находить необходимую информацию стало более важным как часть процессов синтеза, анализа и принятия решений [].С появлением новых технологий обучения и изменениями в обращении со знаниями образовательные учреждения в странах с низким уровнем дохода должны использовать эту возможность для обновления своих учебных программ []. Включение электронного обучения в учебную программу подтвердило бы его роль в качестве важного образовательного инструмента, способствующего прогрессу, а не нынешнее восприятие электронного обучения как «технологической игрушки». В странах с низкими доходами, которые сталкиваются с недостаточным количеством учителей-медиков и нуждаются в быстром улучшении, электронное обучение могло бы стать важным шагом для облегчения перегрузки потенциала небольшого числа учителей-медиков за счет использования новых технологических подходов для приобретения знаний и навыки и умения.Например, вместо подхода, ориентированного на учителя, можно использовать смешанный подход к обучению, при котором учащиеся учатся с помощью материалов для самостоятельного электронного обучения, таких как интерактивные викторины, видео и литература, чтобы углубить понимание и охватить ряд тем. или модули. Этот компонент электронного обучения можно сочетать с личным обменом мнениями и, таким образом, сократить время, затрачиваемое учителями-медиками, за счет замены учебных дискуссионных групп или перевернутого класса, в котором учитель-медик облегчает обсуждение и сессию вопросов и ответов.Это устранит необходимость и время, затрачиваемое на подготовку полных лекций, но по-прежнему будет ориентироваться на потребности студентов с помощью сессий вопросов и ответов.

    Изменение учебной программы является важным элементом успешной интеграции электронного обучения, но это только одна часть «головоломки». Успешное внедрение и правильная оценка должны соответствовать многоуровневому подходу, который включает индивидуального учащегося, среду обучения, контекст внедрения электронного обучения, технологическая среда и педагогика, задействованные в реализации электронного обучения [].

    Перед началом внедрения электронного обучения необходимо четко определить цели и ожидаемые результаты вмешательства. На индивидуальном уровне оценка потребностей может дать ценную информацию для реализации в отношении содержания, дизайна электронного обучения и технологического оборудования. Это ответит на вопросы о том, какой контент ожидают учащиеся и какой контент может быть предложен. Материалы должны быть нацелены на учащегося, учитывать культурный контекст и соответствовать национальным стратегиям и руководствам в области здравоохранения.Для разработки учебных материалов необходимы вклад и активное участие медицинского персонала, что является узким местом, поскольку электронное обучение часто направлено на то, чтобы восполнить нехватку учителей-медиков. Следовательно, со стороны медицинских преподавателей, администрации учреждения и руководящих органов требуется твердая приверженность существенным начальным инвестициям в медицинское электронное обучение []. Без убедительного и контекстного содержания медицинское электронное обучение остается скелетом без значимых результатов.

    Еще одним важным аспектом является то, как следует разрабатывать содержание электронного обучения по медицине и как учащиеся и учителя могут наилучшим образом использовать материалы электронного обучения.Для разработки контента необходимо оценить потребности пользователей и разработать педагогическую стратегию электронного обучения в соответствии с учебной программой. Современные системы управления обучением, такие как популярное программное обеспечение с открытым исходным кодом Moodle [], уже предлагают педагогическую основу, которая может быть адаптирована к местным потребностям и стандартам. Контент должен соответствовать стандартной модели, такой как SCORM (эталонная модель объекта совместно используемого контента) [], чтобы гарантировать совместимость с другими программными платформами и обеспечить возможность совместного использования контента.Плюсы и минусы того, какую технологию лучше всего использовать, должны быть тщательно сбалансированы с учетом конкретных условий, особенно в отношении пользователей (учащихся и учителей), служб поддержки (персонал информационно-коммуникационных технологий) и технологической устойчивости, включая варианты долгосрочного обслуживания. и технологическая полезность в данной ситуации с низким уровнем ресурсов. Могут ли пользователи использовать устройство без особых усилий? Можно ли отремонтировать технологическое устройство в случае поломки внутри страны? Соответствует ли технологическое устройство окружающей среде? Возможно, потребуется предоставить учащимся и учителям технические устройства для обеспечения равного доступа к медицинскому электронному обучению.Доступ в основном онлайн или офлайн? Должна ли платформа электронного обучения предоставляться через локальный сервер или через арендованную услугу? Кто может обслуживать и обновлять технологическую инфраструктуру? Ответы на эти вопросы должны помочь при выборе технических устройств и услуг. При финансовом планировании также необходимо учитывать повторяющиеся затраты на техническое оборудование, обучение ИКТ, регистрацию доменного имени, а также безопасность и конфиденциальность данных.

    Одним из средств лечения пилотита может быть сама технология.Например, может быть создана онлайн-база данных, аналогичная реестру клинических испытаний, с помощью которой централизованно регистрируются меры электронного здравоохранения и электронного обучения для стран Африки к югу от Сахары (или даже во всем мире). Эта база данных может обеспечить прозрачность нынешнего черного ящика электронного здравоохранения и медицинского электронного обучения. Потенциально существующие институты и усилия, например Комиссия по широкополосной связи в интересах устойчивого развития или Всемирная организация здравоохранения как часть Глобальной обсерватории электронного здравоохранения, могут предоставить рамки и потенциально ресурсы для размещения, обслуживания и развития такого электронного здравоохранения и медицинского электронного здравоохранения. -обучающая база данных.Это упростит сотрудничество, планирование и установление приоритетов на национальном и международном уровнях. Тогда наиболее эффективные из текущих вмешательств могут быть реализованы там, где они больше всего необходимы. Такие параметры, как тип технологии, использованной для вмешательства, а также методы оценки и измеряемые результаты, могут быть интегрированы в базу данных, таким образом поддерживая продвижение стандартных методов оценки для медицинского электронного обучения. Эта база данных может стать отправной точкой для новых заинтересованных сторон, а также информацией для политиков и регулирующих органов.Национальная политика должна поддерживать меры медицинского электронного обучения и обеспечивать необходимую основу для структурированного роста инициатив электронного обучения.


    Альфа и Омега электронного обучения: оценка

    Многие опубликованные медицинские оценки электронного обучения имеют некачественные научные стандарты [] и часто сообщают о своих результатах в повествовательной форме [-] без соблюдения стандартов отчетности для качественных или количественная оценка. Большинство программ электронного обучения основаны на самостоятельно разработанных схемах оценки, которые редко подтверждаются.Субъективные свидетельства обычно сосредоточены исключительно на отдельных учащихся, таких как удовлетворенность учащихся или другие параметры, воспринимаемые пользователем (например, мнение учащегося). Исследования, которые включают в оценку только отдельного учащегося, ограничены в понимании результатов вмешательства. Следовательно, трудно адаптироваться к реальным потребностям и требованиям учащихся. Еще одним ограничением этого подхода является то, что данные опубликованных медицинских исследований электронного обучения нельзя использовать для сравнения с другими исследованиями электронного обучения [-], и уроки, которые могли быть извлечены из сравнения, теряются.В публикациях рассматривались концепции и модели оценки электронного обучения [-], подчеркивая необходимость всесторонней оценки всех уровней вмешательства электронного обучения — от учащегося до институционального и государственного контекстов. Однако неоднородность исследований и большое количество субъективных данных привели к постоянному отсутствию надежных научных данных о влиянии электронного обучения на медицинское образование в странах с ограниченными ресурсами. Следовательно, для получения причинно-следственных связей необходима комплексная оценка медицинских вмешательств электронного обучения.Причины преобладания пилотных проектов методом проб и ошибок и преобладания «самодельных» оценок электронного обучения остаются неясными. Ресурсов для руководства внедрением и оценкой мероприятий электронного обучения предостаточно. Хотя проведение полностью рандомизированных контролируемых исследований в регулируемых системах, таких как медицинское образование, может оказаться затруднительным, можно и нужно использовать другие схемы исследования причинно-следственных связей. Для проверки навыков и знаний доступны многие методы, такие как объективные структурированные клинические обследования или стандартизированные тесты с несколькими вариантами ответов.Преобладающие модели электронного обучения для вопросников включают модели принятия технологий (TAM1 и TAM2) для оценки принятия технологий, единую теорию принятия и использования и шкалу удобства использования системы для удобства использования.

    Заявление CONSORT (сводные стандарты отчетности по испытаниям) и NOS-E (шкала Ньюкасла-Оттавы для образования) включают стандарты отчетности и оценки качества обучения. Основная цель большинства вмешательств — использовать электронное обучение для улучшения медицинского образования и обеспечения качественного образования.Следовательно, внедрение и развитие электронного обучения должны быть нацелены на эти цели и предоставлять доказательства, позволяющие делать причинно-следственные выводы.


    Будущая работа

    По нашему мнению, фундаментальное требование электронного обучения для медицинского образования должно быть систематическим, особенно в отношении планирования, реализации и оценки. Соблюдение общей и стандартной схемы реализации и оценки, которая может быть дополнительно доработана с учетом местных условий, и использование большего количества причинно-следственных исследований может повысить устойчивость и качество доказательств.Однако электронное обучение для медицинского образования в странах с ограниченными ресурсами по-прежнему требует доказательств эквивалентности или даже превосходства аналоговых и традиционных образовательных подходов. Необходима четкая стратегия адаптированного внедрения и интеграции, а также понимание того, что электронное обучение — это не лекарство от всех, а, скорее, ценный инструмент, требующий твердой приверженности и значительных предварительных инвестиций при постоянной поддержке. В частности, необходимо определение новых ролей и, возможно, создание новых штатных должностей.Чтобы продвигаться вперед с этой новой структурой, необходима политическая воля для разработки национальных и региональных стратегий. Таким образом, международное партнерство может обеспечить прочную основу ресурсов для начальной настройки. Наряду с цифровой образовательной инфраструктурой с электронным обучением для медицинского образования в странах с ограниченными ресурсами, системы здравоохранения можно структурно и существенно укрепить с помощью инициатив электронного здравоохранения.


    Выводы

    Электронное обучение для медицинского образования в странах с ограниченными ресурсами находится в неорганизованном состоянии, многие пилотные проекты не расширяются.Таким образом, потенциал электронного обучения, особенно в области медицинского образования, остается недоиспользованным. Недостаточно сделать технологию доступной и не воздаст должного многим потенциальным студентам-общеобразователям и студентам-медикам, нуждающимся в качественном образовании в странах Африки к югу от Сахары. Мы не утверждаем, что электронное обучение — это волшебная палочка для решения существующих проблем с медицинским обучением в условиях ограниченных ресурсов с нехваткой медицинских работников и квалифицированных медицинских преподавателей. Тем не менее, мы рассматриваем электронное обучение как важный и мощный компонент с потенциалом, который до сих пор остается в значительной степени недооцененным в этих условиях.Поэтому мы предлагаем согласованные усилия по развитию и повышению эффективности электронного обучения как образовательного инструмента для увеличения количества и качества программ медицинского образования. Мы предлагаем (1) тематическую базу данных, в которой регистрируются все мероприятия электронного обучения и электронного здравоохранения, аналогичные регистрам клинических испытаний, (2) стандартизованную и широко используемую структуру для оценки программ электронного обучения и (3) структурированные программы, которые включать электронное обучение внутри медицинских учебных заведений и органов по аккредитации и между ними.Электронное обучение для медицинского образования не требует самостоятельного выполнения: оно требует значительных предварительных вложений в контент, обучение и технологии, а также признание повторяющихся затрат, которые потенциально будут окупаться только на более позднем этапе []. Для стран с низким уровнем ресурсов, которые пытаются увеличить количество работников здравоохранения, медицинское электронное обучение может ускорить прогресс, пропуская многие предыдущие шаги в области развития, предпринятые странами с высоким уровнем дохода в прошлом. Доступные технологии, включая программное обеспечение и оборудование, могут коренным образом изменить и сформировать системы здравоохранения, качество медико-санитарного просвещения и, как следствие, качество и количество оказываемых медицинских услуг и доступа к ним.Заинтересованные стороны должны сосредоточиться на формулировании и продвижении стандартных рамок для внедрения и оценки []. Здоровье — это люди, а также электронное обучение в медицине. Нам необходимо подчеркнуть, что образование лежит в основе укрепления систем здравоохранения, поскольку образование повышает эффективность систем здравоохранения, чтобы они могли справедливо и эффективно удовлетворять потребности пациентов и населения.

    Благодарим Джулию Чаллинор за редакционную поддержку.

    Не заявлено.

    С.Б. написал полный черновик рукописи.FN отредактировал и рассмотрел первоначальный проект. Все авторы прочитали, отредактировали и одобрили окончательную рукопись.

    Под редакцией Г. Айзенбаха; подано 14.10.18; рецензировано Р. Вадде, С. Джонсом; комментарии автору 06.11.18; доработанная версия получена 11.11.18; принято 24.11.18; опубликовано 09.01.19

    © Сандра Бартейт, Альбрехт Ян, Секелани С. Банда, Тилль Бернигхаузен, Аннель Бова, Джеффри Чилеш, Дорота Гузек, Маргарида Мендес Хорхе, Сигрид Людерс, Грегори Малунга, Флориан Нойханн.

    Добавить комментарий

    Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *

    2021 © Все права защищены.