ΠšΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ эмиттСр Π±Π°Π·Π° – Как ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠΌ Π³Π΄Π΅ Ρƒ транзистора Π±Π°Π·Π°, эмиттСр, ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€. Волько доступно! Π•ΠΉ Π±ΠΎΠ³Ρƒ Ρƒ всСх Ρ€Π°Π·Π½Ρ‹Π΅)

Π‘ΠΎΠ΄Π΅Ρ€ΠΆΠ°Π½ΠΈΠ΅

ΠŸΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΊΠ° биполярного транзистора ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠΌ

Π”ΠΎΠ±Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΎ 27 сСнтября 2017 Π² 07:35

Π‘ΠΎΡ…Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΈΠ»ΠΈ ΠΏΠΎΠ΄Π΅Π»ΠΈΡ‚ΡŒΡΡ

БиполярныС транзисторы построСны ΠΈΠ· трСхслойного ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ «сэндвича» Π»ΠΈΠ±ΠΎ NPN, Π»ΠΈΠ±ΠΎ PNP. Как Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ²Ρ‹Π΅ транзисторы ΠΏΡ€ΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΊΠ΅ ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠΌ Π² Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ «сопротивлСниС» ΠΈΠ»ΠΈ Β«ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΊΠ° Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π°Β», ΠΊΠ°ΠΊ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½ΠΎ Π½Π° рисункС Π½ΠΈΠΆΠ΅, ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ΡΡ ΠΊΠ°ΠΊ Π΄Π²Π° Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π°, соСдинСнных Π΄Ρ€ΡƒΠ³ с Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΎΠΌ. Показания Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠ³ΠΎ сопротивлСния с Ρ‡Π΅Ρ€Π½Ρ‹ΠΌ ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ (-) Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ Π½Π° Π±Π°Π·Π΅ соотвСтствуСт N-Ρ‚ΠΈΠΏΡƒ ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Π° Π² Π±Π°Π·Π΅ PNP транзистора. На условном ΠΎΠ±ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ Π½Π° ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π» N-Ρ‚ΠΈΠΏΠ° Β«ΡƒΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚Β» стрСлка ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° Π±Π°Π·Π°-эмиттСр, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ Π² этом ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Π΅ являСтся Π±Π°Π·ΠΎΠΉ. Π­ΠΌΠΈΡ‚Ρ‚Π΅Ρ€ P-Ρ‚ΠΈΠΏΠ° соотвСтствуСт Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΎΠΌΡƒ ΠΊΠΎΠ½Ρ†Ρƒ стрСлки ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° Π±Π°Π·Π°-эмиттСр. ΠšΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ ΠΏΠΎΡ…ΠΎΠΆ Π½Π° эмиттСр ΠΈ Ρ‚Π°ΠΊ ΠΆΠ΅ являСтся ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»ΠΎΠΌ P-Ρ‚ΠΈΠΏΠ° PN-ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π°.

ΠŸΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΊΠ° PNP транзистора ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠΌ: (a) прямоС смСщСниС ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠ² Π‘-Π­ ΠΈ Π‘-К, сопротивлСниС Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠ΅; (b) ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠ΅ смСщСниС ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠ² Π‘-Π­, Π‘-К, сопротивлСниС Ρ€Π°Π²Π½ΠΎ ∞
ΠŸΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΊΠ° PNP транзистора ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠΌ: (a) прямоС смСщСниС ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠ² Π‘-Π­ ΠΈ Π‘-К, сопротивлСниС Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠ΅; (b) ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠ΅ смСщСниС ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠ² Π‘-Π­, Π‘-К, сопротивлСниС Ρ€Π°Π²Π½ΠΎ ∞

Π—Π΄Π΅ΡΡŒ я ΠΏΡ€Π΅Π΄ΠΏΠΎΠ»Π°Π³Π°ΡŽ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ с СдинствСнной Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠ΅ΠΉ измСрСния (сопротивлСниС) для ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΊΠΈ PN-ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠ². НСкоторыС ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹ оснащСны двумя ΠΎΡ‚Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌΠΈ функциями измСрСния: сопротивлСниС ΠΈ «ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΊΠ° Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π°», каТдая слуТит своСй Ρ†Π΅Π»ΠΈ. Если Ρƒ вашСго ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π° Π΅ΡΡ‚ΡŒ функция «ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΊΠ° Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π°», ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠΉΡ‚Π΅ Π΅Ρ‘, вмСсто измСрСния сопротивлСния, Π² этом случаС ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ покаТСт прямоС ΠΏΠ°Π΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ напряТСния PN-ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π°, Π° Π½Π΅ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ Ρ‚ΠΎ, ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ Π»ΠΈ ΠΎΠ½ Ρ‚ΠΎΠΊ.

РазумССтся, показания ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π° Π±ΡƒΠ΄ΡƒΡ‚ ΡΠΎΠ²Π΅Ρ€ΡˆΠ΅Π½Π½ΠΎ ΠΏΡ€ΠΎΡ‚ΠΈΠ²ΠΎΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠ½Ρ‹ΠΌΠΈ для NPN транзистора, ΠΏΡ€ΠΈΡ‡Π΅ΠΌ ΠΎΠ±Π° PN-ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° Π±ΡƒΠ΄ΡƒΡ‚ Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½Ρ‹ Π² ΠΏΡ€ΠΎΡ‚ΠΈΠ²ΠΎΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠ½ΡƒΡŽ сторону. Показания Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠ³ΠΎ сопротивлСния с красным (+) Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ Π½Π° Π±Π°Π·Π΅ ΡΠ²Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ Β«ΠΏΡ€ΠΎΡ‚ΠΈΠ²ΠΎΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠ½Ρ‹ΠΌΒ» состояниСм для NPN транзистора.

Если Π² этом тСстС ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ с Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠ΅ΠΉ Β«ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΊΠ° Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π°Β», Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ установлСно, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ эмиттСр-Π±Π°Π·Π° ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ нСсколько большСС прямоС ΠΏΠ°Π΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ напряТСния, Ρ‡Π΅ΠΌ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-Π±Π°Π·Π°. Π­Ρ‚Π° Ρ€Π°Π·Π½ΠΈΡ†Π° прямых напряТСний обусловлСна нСсоотвСтствиСм ΠΊΠΎΠ½Ρ†Π΅Π½Ρ‚Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ лСгирования ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ областями эмиттСра ΠΈ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°: эмиттСр прСдставляСт собой кусок ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Π°, Π³ΠΎΡ€Π°Π·Π΄ΠΎ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ Π»Π΅Π³ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹ΠΉ, Ρ‡Π΅ΠΌ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€, Π² Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Π΅ Ρ‡Π΅Π³ΠΎ Π΅Π³ΠΎ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ с Π±Π°Π·ΠΎΠΉ создаСт Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ высокоС прямоС ΠΏΠ°Π΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ напряТСния.

Зная это, становится Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½Ρ‹ΠΌ ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π½Π°Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ΠΎΠ² Π½Π° Π½Π΅ΠΌΠ°Ρ€ΠΊΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½ΠΎΠΌ транзисторС. Π­Ρ‚ΠΎ Π²Π°ΠΆΠ½ΠΎ, ΠΏΠΎΡ‚ΠΎΠΌΡƒ Ρ‡Ρ‚ΠΎ корпуса, ΠΊ соТалСнию, Π½Π΅ стандартизированы. РазумССтся, всС биполярныС транзисторы ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ Ρ‚Ρ€ΠΈ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π°, Π½ΠΎ располоТСниС этих Ρ‚Ρ€Π΅Ρ… Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ΠΎΠ² Π½Π° Ρ€Π΅Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΌ физичСском корпусС Π½Π΅ ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ ΡƒΠ½ΠΈΠ²Π΅Ρ€ΡΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ стандартизированного порядка.

ΠŸΡ€Π΅Π΄ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΈΠΊ нашСл биполярный транзистор ΠΈ Π½Π°Ρ‡ΠΈΠ½Π°Π΅Ρ‚ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€ΡΡ‚ΡŒ Π΅Π³ΠΎ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π°, установлСнного Π² Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ Β«ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΊΠ° Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π°Β». Π˜Π·ΠΌΠ΅Ρ€Π΅Π½ΠΈΡ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠΈ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ΠΎΠ² ΠΈ запись Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠΉ, ΠΎΡ‚ΠΎΠ±Ρ€Π°ΠΆΠ°Π΅ΠΌΡ‹Ρ… ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠΌ, Π΄Π°ΡŽΡ‚ Π΅ΠΌΡƒ ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Π΅.

нСизвСстный биполярный транзисторНСизвСстный биполярный транзистор. Π“Π΄Π΅ здСсь эмиттСр, Π±Π°Π·Π°, ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€? НиТС ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Π½Ρ‹ показания ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π°.
ΠœΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ ΠΊ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Ρƒ 1 (+) ΠΈ 2 (-): β€œOL”
ΠœΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ ΠΊ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Ρƒ 1 (-) ΠΈ 2 (+): β€œOL”
ΠœΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ ΠΊ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Ρƒ 1 (+) ΠΈ 3 (-): 0.655 V
ΠœΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ ΠΊ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Ρƒ 1 (-) ΠΈ 3 (+): β€œOL”
ΠœΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ ΠΊ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Ρƒ 2 (+) ΠΈ 3 (-): 0.621 V
ΠœΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ ΠΊ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Ρƒ 2 (-) ΠΈ 3 (+): β€œOL”

ЕдинствСнными комбинациями тСстовых ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€Π΅Π½ΠΈΠΉ, Π΄Π°ΡŽΡ‰ΠΈΡ… Π½Π° ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π΅ показания, говорящиС ΠΎ проводимости, ΡΠ²Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Ρ‹ 1 ΠΈ 3 (красный Ρ‰ΡƒΠΏ Π½Π° Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π΅ 1, Ρ‡Π΅Ρ€Π½Ρ‹ΠΉ Ρ‰ΡƒΠΏ Π½Π° Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π΅ 3) ΠΈ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Ρ‹ 2 ΠΈ 3 (красный Ρ‰ΡƒΠΏ Π½Π° Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π΅ 2, Ρ‡Π΅Ρ€Π½Ρ‹ΠΉ Ρ‰ΡƒΠΏ Π½Π° Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π΅ 3). Π­Ρ‚ΠΈ Π΄Π²Π° показания Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½Ρ‹ ΡƒΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°Ρ‚ΡŒ Π½Π° прямоС смСщСния ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° эмиттСр-Π±Π°Π·Π° (0,655 Π²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚) ΠΈ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-Π±Π°Π·Π° (0,621 Π²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚).

Π’Π΅ΠΏΠ΅Ρ€ΡŒ ΠΌΡ‹ ΠΈΡ‰Π΅ΠΌ ΠΎΠ΄ΠΈΠ½ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄, ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΉ для ΠΎΠ±ΠΎΠΈΡ… ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½ΠΈΠΉ проводимости. Π­Ρ‚ΠΎ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ΅Π½ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ Π±Π°Π·Ρ‹ транзистора, ΠΏΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ Π±Π°Π·Π° СдинствСнным слоСм трСхслойного устройства, ΠΎΠ±Ρ‰Π΅Π³ΠΎ для ΠΎΠ±ΠΎΠΈΡ… PN-ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠ² (Π±Π°Π·Π°-эмиттСр ΠΈ Π±Π°Π·Π°-ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€). Π’ этом ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Π΅ это ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ Π½ΠΎΠΌΠ΅Ρ€ 3, ΡΠ²Π»ΡΡŽΡ‰ΠΈΠΉΡΡ ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ для ΠΊΠΎΠΌΠ±ΠΈΠ½Π°Ρ†ΠΈΠΉ тСстовых ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€Π΅Π½ΠΈΠΉ 1-3 ΠΈ 2-3. Π’ ΠΎΠ±ΠΎΠΈΡ… этих измСрСниях Ρ‡Π΅Ρ€Π½Ρ‹ΠΉ (-) Ρ‰ΡƒΠΏ ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π° касался ΠΊ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Ρƒ 3, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π³ΠΎΠ²ΠΎΡ€ΠΈΡ‚ Π½Π°ΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π±Π°Π·Π° этого транзистора ΠΈΠ·Π³ΠΎΡ‚ΠΎΠ²Π»Π΅Π½Π° ΠΈΠ· ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Π° N-Ρ‚ΠΈΠΏΠ° (Ρ‡Π΅Ρ€Π½Ρ‹ΠΉ = ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ). Π’Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ, это PNP-транзистор с Π±Π°Π·ΠΎΠΉ Π½Π° Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π΅ 3, эмиттСром Π½Π° Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π΅ 1 ΠΈ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ Π½Π° Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π΅ 2, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½ΠΎ Π½Π° рисункС Π½ΠΈΠΆΠ΅.

Π’Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Ρ‹ биполярного транзистора ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½Ρ‹ с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π°Π’Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Ρ‹ биполярного транзистора ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½Ρ‹ с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π°.

ΠžΠ±Ρ€Π°Ρ‚ΠΈΡ‚Π΅ Π²Π½ΠΈΠΌΠ°Π½ΠΈΠ΅, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ Π±Π°Π·Ρ‹ Π² этом ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Π΅ Π½Π΅ являСтся срСдним Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ транзистора, ΠΊΠ°ΠΊ это ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π±Ρ‹Π»ΠΎ Π±Ρ‹ ΠΎΠΆΠΈΠ΄Π°Ρ‚ΡŒ ΠΎΡ‚ трСхслойной «сэндвичной» ΠΌΠΎΠ΄Π΅Π»ΠΈ биполярного транзистора. Π­Ρ‚ΠΎ довольно частый случай, ΠΈ, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ»ΠΎ, это часто ΠΏΡƒΡ‚Π°Π΅Ρ‚ Π½ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… студСнтов. ЕдинствСнный способ ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚ΡŒ Π½Π°Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ΠΎΠ² – это ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΊΠ° ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠΌ ΠΈΠ»ΠΈ Ρ‡Ρ‚Π΅Π½ΠΈΠ΅ тСхничСского описания Π½Π° ΠΊΠΎΠ½ΠΊΡ€Π΅Ρ‚Π½ΡƒΡŽ модСль транзистора.

Π—Π½Π°Π½ΠΈΠ΅ Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ биполярный транзистор ΠΏΡ€ΠΈ тСстировании ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠΌ Π² Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ проводимости Π²Π΅Π΄Π΅Ρ‚ сСбя ΠΊΠ°ΠΊ Π΄Π²Π° соСдинСнных «спинами» Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π°, ΠΏΠΎΠ»Π΅Π·Π½ΠΎ для ΠΈΠ΄Π΅Π½Ρ‚ΠΈΡ„ΠΈΠΊΠ°Ρ†ΠΈΠΈ нСизвСстного транзистора Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ ΠΏΠΎ показаниям ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π°. Π­Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π·Π½ΠΎ для быстрой ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΊΠΈ работоспособности транзистора. Если Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΈΠΊ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€ΠΈΡ‚ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ трСмя Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π°ΠΌΠΈ Π² Ρ€Π°Π·Π½Ρ‹Ρ… комбинациях, ΠΎΠ½ ΠΈΠ»ΠΈ ΠΎΠ½Π° сразу ΡƒΠ·Π½Π°Π΅Ρ‚, Ρ‡Ρ‚ΠΎ транзистор нСисправСн (ΠΈΠ»ΠΈ Ρ‡Ρ‚ΠΎ это Π½Π΅ биполярный транзистор, Π° Ρ‡Ρ‚ΠΎ-Ρ‚ΠΎ Π΅Ρ‰Π΅ – отличная Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ, Ссли Π½Π° Π΄Π΅Ρ‚Π°Π»ΠΈ Π½Π΅Ρ‚ ΠΌΠ°Ρ€ΠΊΠΈΡ€ΠΎΠ²ΠΊΠΈ для Ρ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΎΠΉ ΠΈΠ΄Π΅Π½Ρ‚ΠΈΡ„ΠΈΠΊΠ°Ρ†ΠΈΠΈ!). Однако модСль Β«Π΄Π²ΡƒΡ… Π΄ΠΈΠΎΠ΄ΠΎΠ²Β» для транзистора Π½Π΅ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΎΠ±ΡŠΡΡΠ½ΠΈΡ‚ΡŒ, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΈ ΠΏΠΎΡ‡Π΅ΠΌΡƒ ΠΎΠ½ дСйствуСт ΠΊΠ°ΠΊ ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ устройство.

Π§Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ Π»ΡƒΡ‡ΡˆΠ΅ ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ»Π»ΡŽΡΡ‚Ρ€ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ этот парадокс, рассмотрим ΠΎΠ΄Π½Ρƒ ΠΈΠ· схСм транзисторных ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅ΠΉ, ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡ для прСдставлСния транзистора Ρ„ΠΈΠ·ΠΈΡ‡Π΅ΡΠΊΡƒΡŽ схСму (ΠΊΠ°ΠΊ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½ΠΎ Π½Π° рисункС Π½ΠΈΠΆΠ΅), Π° Π½Π΅ условноС ΠΎΠ±ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅. Π’Π°ΠΊ Π»Π΅Π³Ρ‡Π΅ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ Π²ΠΈΠ΄Π΅Ρ‚ΡŒ Π΄Π²Π° PN-ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π°.

НСбольшой Ρ‚ΠΎΠΊ Π±Π°Π·Ρ‹, ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ Π² прямо смСщСнном ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ Π±Π°Π·Π°-эмиттСр, обСспСчиваСт большой Ρ‚ΠΎΠΊ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎ смСщСнный ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ Π±Π°Π·Π°-ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ (Π½Π° рисункС ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½ΠΎ Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ двиТСния ΠΏΠΎΡ‚ΠΎΠΊΠΎΠ² элСктронов, общСпринятыС направлСния элСктричСских Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ² Π±ΡƒΠ΄ΡƒΡ‚ ΠΏΡ€ΠΎΡ‚ΠΈΠ²ΠΎΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠ½Ρ‹ΠΌΠΈ)
НСбольшой Ρ‚ΠΎΠΊ Π±Π°Π·Ρ‹, ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ Π² прямо смСщСнном ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ Π±Π°Π·Π°-эмиттСр, обСспСчиваСт большой Ρ‚ΠΎΠΊ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎ смСщСнный ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ Π±Π°Π·Π°-ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ (Π½Π° рисункС ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½ΠΎ Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ двиТСния ΠΏΠΎΡ‚ΠΎΠΊΠΎΠ² элСктронов, общСпринятыС направлСния элСктричСских Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ² Π±ΡƒΠ΄ΡƒΡ‚ ΠΏΡ€ΠΎΡ‚ΠΈΠ²ΠΎΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠ½Ρ‹ΠΌΠΈ)

Π”ΠΈΠ°Π³ΠΎΠ½Π°Π»ΡŒΠ½Π°Ρ стрСлка сСрого Ρ†Π²Π΅Ρ‚Π° ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΏΠΎΡ‚ΠΎΠΊΠ° элСктронов Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ эмиттСр-Π±Π°Π·Π°. Π­Ρ‚Π° Ρ‡Π°ΡΡ‚ΡŒ ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ смысл, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ элСктроны ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°ΡŽΡ‚ ΠΎΡ‚ эмиттСра N-Ρ‚ΠΈΠΏΠ° ΠΊ Π±Π°Π·Π΅ P-Ρ‚ΠΈΠΏΠ°, ΠΎΡ‡Π΅Π²ΠΈΠ΄Π½ΠΎ прямоС смСщСниС ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π°. Однако с ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ Π±Π°Π·Π°-ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ совсСм Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΎΠ΅ Π΄Π΅Π»ΠΎ. ΠžΠ±Ρ€Π°Ρ‚ΠΈΡ‚Π΅ Π²Π½ΠΈΠΌΠ°Π½ΠΈΠ΅, ΠΊΠ°ΠΊ толстая стрСлка сСрого Ρ†Π²Π΅Ρ‚Π° ΡƒΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ Π² Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠΈ ΠΏΠΎΡ‚ΠΎΠΊΠ° элСктронов (Π²Π²Π΅Ρ€Ρ…) ΠΎΡ‚ Π±Π°Π·Ρ‹ ΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Ρƒ. Π‘ Π±Π°Π·ΠΎΠΉ ΠΈΠ· ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Π° P-Ρ‚ΠΈΠΏΠ° ΠΈ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΈΠ· ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Π° N-Ρ‚ΠΈΠΏΠ°, это Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΏΠΎΡ‚ΠΎΠΊΠ° элСктронов явно ΡƒΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ Π½Π° Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅, ΠΏΡ€ΠΎΡ‚ΠΈΠ²ΠΎΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠ½ΠΎΠ΅ Ρ‚ΠΎΠΌΡƒ, с ΠΊΠ°ΠΊΠΈΠΌ ассоциируСтся PN-ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄! ΠžΠ±Ρ‹Ρ‡Π½Ρ‹ΠΉ PN-ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ Π½Π΅ ΠΏΠΎΠ·Π²ΠΎΠ»ΠΈΠ» Π±Ρ‹ ΠΏΠΎΡ‚ΠΎΠΊΡƒ элСктронов ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°Ρ‚ΡŒ Π² этом Β«ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΌΒ» Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠΈ, ΠΏΠΎ ΠΊΡ€Π°ΠΉΠ½Π΅ΠΉ ΠΌΠ΅Ρ€Π΅, Π½Π΅ Π±Π΅Π· Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ сопротивлСния. Однако ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚Ρ‹ΠΉ (насыщСнный) транзистор дСмонстрируСт ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ ΠΌΠ°Π»ΠΎΠ΅ противодСйствиС элСктронам Π½Π° всСм ΠΏΡƒΡ‚ΠΈ ΠΎΡ‚ эмиттСра ΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Ρƒ, ΠΎ Ρ‡Π΅ΠΌ ΡΠ²ΠΈΠ΄Π΅Ρ‚Π΅Π»ΡŒΡΡ‚Π²ΡƒΠ΅Ρ‚ свСчСниС Π»Π°ΠΌΠΏΡ‹!

Ясно, Ρ‡Ρ‚ΠΎ здСсь происходит Ρ‡Ρ‚ΠΎ-Ρ‚ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ бросаСт Π²Ρ‹Π·ΠΎΠ² простой Β«Π΄Π²ΡƒΡ…Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉΒ» ΠΌΠΎΠ΄Π΅Π»ΠΈ биполярного транзистора. Когда я Π²ΠΏΠ΅Ρ€Π²Ρ‹Π΅ ΡƒΠ·Π½Π°Π» ΠΎ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π΅ транзистора, я попытался ΠΏΠΎΡΡ‚Ρ€ΠΎΠΈΡ‚ΡŒ свой собствСнный транзистор ΠΈΠ· Π΄Π²ΡƒΡ… Π΄ΠΈΠΎΠ΄ΠΎΠ², Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Π½Ρ‹Ρ… Π² ΠΏΡ€ΠΎΡ‚ΠΈΠ²ΠΎΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠ½Ρ‹Ρ… направлСниях, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½ΠΎ Π½Π° рисункС Π½ΠΈΠΆΠ΅.

ΠŸΠ°Ρ€Π° Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Π½Ρ‹Ρ… Π² ΠΏΡ€ΠΎΡ‚ΠΈΠ²ΠΎΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠ½Ρ‹Ρ… направлСниях Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π° Π½Π΅ Π΄Π΅ΠΉΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‚ ΠΊΠ°ΠΊ транзистор!ΠŸΠ°Ρ€Π° Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Π½Ρ‹Ρ… Π² ΠΏΡ€ΠΎΡ‚ΠΈΠ²ΠΎΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠ½Ρ‹Ρ… направлСниях Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π° Π½Π΅ Π΄Π΅ΠΉΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‚ ΠΊΠ°ΠΊ транзистор!

Моя схСма Π½Π΅ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π»Π°, ΠΈ я Π±Ρ‹Π» ΠΎΠ·Π°Π΄Π°Ρ‡Π΅Π½. Однако полСзноС Β«Π΄Π²ΡƒΡ…Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅Β» описаниС транзистора ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒΡΡ для ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΊΠΈ, ΠΎΠ½ΠΎ Π½Π΅ ΠΎΠ±ΡŠΡΡΠ½ΡΠ΅Ρ‚, ΠΏΠΎΡ‡Π΅ΠΌΡƒ транзистор Π²Π΅Π΄Π΅Ρ‚ сСбя ΠΊΠ°ΠΊ управляСмый ΠΊΠ»ΡŽΡ‡.

Π’ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ происходит Π² транзисторС, Π·Π°ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ΡΡ Π² ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰Π΅ΠΌ: ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠ΅ смСщСниС ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° Π±Π°Π·Π°-ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ ΠΏΡ€Π΅Π΄ΠΎΡ‚Π²Ρ€Π°Ρ‰Π°Π΅Ρ‚ ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°Π½ΠΈΠ΅ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° транзистор находится Π² Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ отсСчки (Π·Π°ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚, Ρ‚.Π΅. ΠΏΡ€ΠΈ отсутствии Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π±Π°Π·Ρ‹). Если ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ Π±Π°Π·Π°-эмиттСр смСщСн Π² прямом Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠΈ с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ сигнала, Π½ΠΎΡ€ΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎ Π±Π»ΠΎΠΊΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‰Π΅Π΅ ΠΏΠΎΠ²Π΅Π΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° Π±Π°Π·Π°-ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ измСняСтся, ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ пропускаСтся, нСсмотря Π½Π° Ρ‚ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ элСктроны Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· этот PN-ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ ΠΈΠ΄ΡƒΡ‚ Β«Π½Π΅ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΒ». Π­Ρ‚ΠΎ ΠΏΠΎΠ²Π΅Π΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ зависит ΠΎΡ‚ ΠΊΠ²Π°Π½Ρ‚ΠΎΠ²ΠΎΠΉ Ρ„ΠΈΠ·ΠΈΠΊΠΈ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹Ρ… ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠ² ΠΈ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚ΡŒ мСсто Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ Ρ‚ΠΎΠ³Π΄Π°, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° Π΄Π²Π° ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° располоТСны ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎ, ΠΈ ΠΊΠΎΠ½Ρ†Π΅Π½Ρ‚Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ лСгирования этих Ρ‚Ρ€Π΅Ρ… слоСв распрСдСлСны ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎ. Π”Π²Π° Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π°, соСдинСнных ΠΏΠΎΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ, Π½Π΅ ΡΠΎΠΎΡ‚Π²Π΅Ρ‚ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‚ этим критСриям; Π²Π΅Ρ€Ρ…Π½ΠΈΠΉ Π΄ΠΈΠΎΠ΄ Π½ΠΈΠΊΠΎΠ³Π΄Π° Π½Π΅ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Β«Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒΡΡΒ», ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° ΠΎΠ½ смСщСн Π² ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΌ Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠΈ, нСзависимо ΠΎΡ‚ Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, какая Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Π° Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΏΡ€ΠΎΡ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· Π½ΠΈΠΆΠ½ΠΈΠΉ Π΄ΠΈΠΎΠ΄ Π² схСмС Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ Π±Π°Π·Ρ‹. Для Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ ΠΏΠΎΠ΄Ρ€ΠΎΠ±Π½ΠΎΠΉ ΠΈΠ½Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠ°Ρ†ΠΈΠΈ смотритС Ρ€Π°Π·Π΄Π΅Π» «БиполярныС транзисторы» Π³Π»Π°Π²Ρ‹ 2.

Π’ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΊΠΎΠ½Ρ†Π΅Π½Ρ‚Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ лСгирования ΠΈΠ³Ρ€Π°ΡŽΡ‚ Ρ€Π΅ΡˆΠ°ΡŽΡ‰ΡƒΡŽ Ρ€ΠΎΠ»ΡŒ Π² особых способностях транзистора, Π΅Ρ‰Π΅ Ρ€Π°Π· подтвСрТдаСтся Ρ‚Π΅ΠΌ Ρ„Π°ΠΊΡ‚ΠΎΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ ΠΈ эмиттСр Π½Π΅ ΡΠ²Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ взаимозамСняСмыми. Если транзистор просто рассматриваСтся ΠΊΠ°ΠΊ Π΄Π²Π° ΠΏΡ€ΠΎΡ‚ΠΈΠ²ΠΎΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½Π½Ρ‹Ρ… PN-ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° ΠΈΠ»ΠΈ просто ΠΊΠ°ΠΊ N-P-N ΠΈΠ»ΠΈ P-N-P сэндвич ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»ΠΎΠ², ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Ρ‚ΡŒΡΡ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ любой ΠΊΠΎΠ½Π΅Ρ† этого сэндвича ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΡΠ»ΡƒΠΆΠΈΡ‚ΡŒ Π² качСствС ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° ΠΈΠ»ΠΈ эмиттСра. Π­Ρ‚ΠΎ, ΠΎΠ΄Π½Π°ΠΊΠΎ, Π½Π΅Π²Π΅Ρ€Π½ΠΎ. ΠŸΡ€ΠΈ Β«ΠΏΡ€ΠΎΡ‚ΠΈΠ²ΠΎΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠ½ΠΎΠΌΒ» Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ транзистора Π² схСму, Ρ‚ΠΎΠΊ Π±Π°Π·Π°-ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ Π½Π΅ смоТСт ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡ‚ΡŒ Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΈ эмиттСром. НСсмотря Π½Π° Ρ‚ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ эти ΠΎΠ±Π° слоя (эмиттСр ΠΈ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€) биполярного транзистора ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ ΠΎΠ΄ΠΈΠ½ ΠΈ Ρ‚ΠΎΡ‚ ΠΆΠ΅ Ρ‚ΠΈΠΏ лСгирования (Π»ΠΈΠ±ΠΎ N, Π»ΠΈΠ±ΠΎ P), ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ ΠΈ эмиттСр ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½Π½ΠΎ Π½Π΅ ΠΎΠ΄ΠΈΠ½Π°ΠΊΠΎΠ²Ρ‹!

Π’ΠΎΠΊ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ эмиттСр-Π±Π°Π·Π° позволяСт ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°Ρ‚ΡŒ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎ смСщСнный ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ Π±Π°Π·Π°-ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€. ДСйствиС Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π±Π°Π·Ρ‹ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Ρ€Π°ΡΡΠΌΠ°Ρ‚Ρ€ΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΊΠ°ΠΊ Β«ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Π²Π°Π½ΠΈΠ΅ ΠΊΠ»Π°ΠΏΠ°Π½Π°Β» для Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€. Π‘ΠΎΠ»Π΅Π΅ ΠΊΠΎΠ½ΠΊΡ€Π΅Ρ‚Π½ΠΎ, любая заданная Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Π° Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΎΡ‚ эмиттСра ΠΊ Π±Π°Π·Π΅ допускаСт ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°Π½ΠΈΠ΅ ΠΎΠ³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‡Π΅Π½Π½ΠΎΠΉ Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Ρ‹ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΎΡ‚ Π±Π°Π·Ρ‹ ΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Ρƒ. На ΠΊΠ°ΠΆΠ΄Ρ‹ΠΉ элСктрон, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ ΠΏΡ€ΠΎΡ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ эмиттСр-Π±Π°Π·Π° ΠΈ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ Π±Π°Π·Ρ‹, Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ Π±Π°Π·Π°-ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ ΠΏΡ€ΠΎΡ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½Π½ΠΎΠ΅ количСство элСктронов ΠΈ Π½Π΅ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅.

Π’ ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰Π΅ΠΌ Ρ€Π°Π·Π΄Π΅Π»Π΅ это ΠΎΠ³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° транзистора Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ исслСдовано Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ ΠΏΠΎΠ΄Ρ€ΠΎΠ±Π½ΠΎ.

ПодвСдСм ΠΈΡ‚ΠΎΠ³ΠΈ:

  • ΠŸΡ€ΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΊΠ΅ с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π° Π² Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ°Ρ… «сопротивлСниС» ΠΈ Β«ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΊΠ° Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π°Β» биполярный транзистор Π²Π΅Π΄Π΅Ρ‚ сСбя ΠΊΠ°ΠΊ Π΄Π²Π° встрСчно Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½Π½Ρ‹Ρ… PN-ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° (Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π°).
  • PN-ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ эмиттСр-Π±Π°Π·Π° ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ нСсколько большСС прямоС ΠΏΠ°Π΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ напряТСния, Ρ‡Π΅ΠΌ PN-ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-Π±Π°Π·Π°, ΠΈΠ·-Π·Π° Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ сильного лСгирования ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ слоя эмиттСра.
  • ΠžΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎ смСщСнный ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ Π±Π°Π·Π°-ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ Π±Π»ΠΎΠΊΠΈΡ€ΡƒΠ΅Ρ‚ любой Ρ‚ΠΎΠΊ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· транзистор ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ эмиттСром ΠΈ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ. Однако этот ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ Π½Π°Ρ‡ΠΈΠ½Π°Π΅Ρ‚ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ΡŒ Ρ‚ΠΎΠΊ, Ссли ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°Π΅Ρ‚ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΈ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ Π±Π°Π·Ρ‹. Π’ΠΎΠΊ Π±Π°Π·Ρ‹ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Ρ€Π°ΡΡΠΌΠ°Ρ‚Ρ€ΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΊΠ°ΠΊ Β«ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Π²Π°Π½ΠΈΠ΅ ΠΊΠ»Π°ΠΏΠ°Π½Π°Β» для ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½Π½ΠΎΠΉ, ΠΎΠ³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‡Π΅Π½Π½ΠΎΠΉ Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Ρ‹ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€.

ΠžΡ€ΠΈΠ³ΠΈΠ½Π°Π» ΡΡ‚Π°Ρ‚ΡŒΠΈ:

Π’Π΅Π³ΠΈ

PN пСрСходБиполярный Ρ‚Ρ€Π°Π½Π·ΠΈΡΡ‚ΠΎΡ€ΠœΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π£Ρ‡Π΅Π±Π½ΠΈΠΊΠ­Π»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΎΠ½ΠΈΠΊΠ°

Π‘ΠΎΡ…Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΈΠ»ΠΈ ΠΏΠΎΠ΄Π΅Π»ΠΈΡ‚ΡŒΡΡ

Π£ΠΌΠ½ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ напряТСния Π±Π°Π·Π°-эмиттСр β€” ВикипСдия

ΠŸΡ€ΠΎΡΡ‚Π΅ΠΉΡˆΠΈΠΉ ΡƒΠΌΠ½ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ Vбэ

Π£ΠΌΠ½ΠΎΠΆΠΈΜΡ‚Π΅Π»ΡŒ напряТС́ния ба́за-эми́ттСр (ΡƒΠΌΠ½ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ Vбэ)Β β€” Π΄Π²ΡƒΡ…Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ элСктронный источник ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния, ΠΏΡ€ΠΎΠΏΠΎΡ€Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΡŽ Π½Π° прямо смСщённом эмиттСрном ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ биполярного транзистора (Vбэ). ΠŸΡ€ΠΎΡΡ‚Π΅ΠΉΡˆΠΈΠΉ ΡƒΠΌΠ½ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ Vбэ состоит ΠΈΠ· рСзистивного дСлитСля напряТСния, Π·Π°Π΄Π°ΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ коэффициСнт умноТСния, ΠΈ управляСмого ΠΈΠΌ биполярного транзистора. ΠŸΡ€ΠΈ ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ умноТитСля Vбэ ΠΊ источнику Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΏΠ°Π΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ напряТСния Π½Π° ΡƒΠΌΠ½ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»Π΅, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΈ само Vбэ, ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ»Π΅ΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Ρ€Π½ΠΎ Π°Π±ΡΠΎΠ»ΡŽΡ‚Π½ΠΎΠΉ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π΅: с ростом Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹ ΠΎΠ½ΠΎ ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ°Π΅Ρ‚ΡΡ ΠΏΠΎ Π·Π°ΠΊΠΎΠ½Ρƒ, Π±Π»ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠΌΡƒ ΠΊ Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½ΠΎΠΌΡƒ. Π£ΠΌΠ½ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ Vбэ эквивалСнтСн Ρ†Π΅ΠΏΠΎΡ‡ΠΊΠ΅ прямо смСщённых ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹Ρ… Π΄ΠΈΠΎΠ΄ΠΎΠ², ΠΎΠ΄Π½Π°ΠΊΠΎ Π² ΠΎΡ‚Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ΅ ΠΎΡ‚ Π½Π΅Ρ‘ коэффициСнт умноТСния транзисторной Ρ†Π΅ΠΏΠΈ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΏΡ€ΠΈΠ½ΠΈΠΌΠ°Ρ‚ΡŒ Π»ΡŽΠ±Ρ‹Π΅ цСлочислСнныС Π»ΠΈΠ±ΠΎ Π΄Ρ€ΠΎΠ±Π½Ρ‹Π΅ значСния, бо́льшиС Π΅Π΄ΠΈΠ½ΠΈΡ†Ρ‹, ΠΈ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Ρ€Π΅Π³ΡƒΠ»ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒΡΡ подстроСчным рСзистором.

Основная функция умноТитСля Vбэ — тСмпСратурная стабилизация Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… каскадов усилитСлСй мощности Π½Π° биполярных ΠΈ ΠœΠ”ΠŸ-транзисторах. Вранзистор умноТитСля, смонтированный Π½Π° Ρ‚Π΅ΠΏΠ»ΠΎΠΎΡ‚Π²ΠΎΠ΄Π΅ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… транзисторов (ΠΈΠ»ΠΈ нСпосрСдствСнно Π½Π° кристаллС Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ транзистора ΠΈΠ»ΠΈ ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ схСмы), отслСТиваСт ΠΈΡ… Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρƒ ΠΈ Π½Π΅ΠΏΡ€Π΅Ρ€Ρ‹Π²Π½ΠΎ ΠΊΠΎΡ€Ρ€Π΅ΠΊΡ‚ΠΈΡ€ΡƒΠ΅Ρ‚ напряТСниС смСщСния, Π·Π°Π΄Π°ΡŽΡ‰Π΅Π΅ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‡ΡƒΡŽ Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΡƒ каскада.

ΠŸΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏ дСйствия. ΠžΡΠ½ΠΎΠ²Π½Ρ‹Π΅ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Ρ‚Π΅Π»ΠΈ[ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΡ‚ΡŒ | ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΊΠΎΠ΄]

ΠŸΡ€ΠΎΡΡ‚Π΅ΠΉΡˆΠΈΠΉ ΡƒΠΌΠ½ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ Vбэ — Π΄Π²ΡƒΡ…ΠΏΠΎΠ»ΡŽΡΠ½ΠΈΠΊ, состоящий ΠΈΠ· биполярного транзистора Π’1 ΠΏΠΎΠ΄ ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ дСлитСля напряТСния R1R2. Π’Π½ΡƒΡ‚Ρ€Π΅Π½Π½Π΅Π΅ сопротивлСниС Ρ†Π΅ΠΏΠΈ, Π² ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΡƒΡŽ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ΡΡ этот Π΄Π²ΡƒΡ…ΠΏΠΎΠ»ΡŽΡΠ½ΠΈΠΊ, Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½ΠΎ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ достаточно Π²Π΅Π»ΠΈΠΊΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΠΎΠ³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‡ΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ T1 Π½Π° бСзопасном ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π½Π΅; Π² практичСских схСмах Ρ‚ΠΎΠΊ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· ΡƒΠΌΠ½ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ задаётся источником Ρ‚ΠΎΠΊΠ°. Π‘ΠΎΠΏΡ€ΠΎΡ‚ΠΈΠ²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ дСлитСля выбираСтся достаточно Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΈΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· R2 Ρ‚ΠΎΠΊ Π±Π°Π·Ρ‹ Π’1 Π±Ρ‹Π» Π½Π°ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎ Π½ΠΈΠΆΠ΅ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° дСлитСля. Π’ этих условиях транзистор ΠΎΡ…Π²Π°Ρ‡Π΅Π½ ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΉ связью, благодаря ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ напряТСниС ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-эмиттСр Π’1 (Vкэ) устанавливаСтся Π½Π° ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π½Π΅, ΠΏΡ€ΠΎΠΏΠΎΡ€Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΌ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΡŽ Π½Π° Π΅Π³ΠΎ эмиттСрном ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ (Vбэ). TΠ΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π½Ρ‹ΠΉ коэффициСнт (ВКН) Vкэ ΠΈ Π²Π½ΡƒΡ‚Ρ€Π΅Π½Π½Π΅Π΅ сопротивлСниС ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΈ эмиттСром Rкэ ΠΏΠΎΠ΄Ρ‡ΠΈΠ½ΡΡŽΡ‚ΡΡ Ρ‚ΠΎΠΉ ΠΆΠ΅ зависимости:

Vкэ = k·Vбэ;
TKH (Vкэ) = dRкэ/dT = kΒ·dRбэ/dT β‰ˆ βˆ’2,2Β·k ΠΌΠ’/K ΠΏΡ€ΠΈ 300 К;
Rкэ = k (vt / Iэ),
Π³Π΄Π΅ коэффициСнт умноТСния k = 1+R2/R1, Π° vtΒ β€” Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π½Ρ‹ΠΉ ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π», ΠΏΡ€ΠΎΠΏΠΎΡ€Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Π°Π±ΡΠΎΠ»ΡŽΡ‚Π½ΠΎΠΉ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π΅ (для крСмния ΠΏΡ€ΠΈ 300 К ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Π½ΠΎ Ρ€Π°Π²Π΅Π½ 26 ΠΌΠ’)[1][2][3].

Π’ΠΎΠ»ΡŒΡ‚-ампСрная характСристика (ВАΠ₯) ΠΈΠ΄Π΅Π°Π»ΠΈΠ·ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ умноТитСля Vбэ совпадаСт с ВАΠ₯ транзистора Π² Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ, растянутой[ΠΊΠΎΠΌΠΌ. 1] вдоль оси напряТСний Π² k Ρ€Π°Π·.

УмСньшСниС Π²Π½ΡƒΡ‚Ρ€Π΅Π½Π½Π΅Π³ΠΎ сопротивлСния[ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΡ‚ΡŒ | ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΊΠΎΠ΄]

  • Π£ΠΌΠ½ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ Vбэ с Π΄ΠΎΠ±Π°Π²ΠΎΡ‡Π½Ρ‹ΠΌ сопротивлСниСм R3

  • АмпСр-Π²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚ΠΎΠ²Π°Ρ характСристика умноТитСля Vбэ Π΄ΠΎ ΠΈ послС ΠΏΠΎΠ΄Π±ΠΎΡ€Π° ΠΎΠΏΡ‚ΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ R3[4]

  • Π£ΠΌΠ½ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ Vбэ Π½Π° ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ»Π΅ΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Ρ€Π½ΠΎΠΉ Π΄Π²ΠΎΠΉΠΊΠ΅ с локальной ООБ

Для примСнСния Π² высококачСствСнных усилитСлях мощности Π²Π½ΡƒΡ‚Ρ€Π΅Π½Π½Π΅Π΅ сопротивлСниС ΠΏΡ€ΠΎΡΡ‚Π΅ΠΉΡˆΠ΅Π³ΠΎ умноТитСля Vбэ нСдопустимо вСлико́. НСизбСТныС измСнСния Ρ‚ΠΎΠΊΠ°, ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°ΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠΉ ΡƒΠΌΠ½ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ, ΡΠ΄Π²ΠΈΠ³Π°ΡŽΡ‚ напряТСниС Π½Π° Π½Ρ‘ΠΌ Π½Π° дСсятки ΠΌΠ’; cΠ΄Π²ΠΈΠ³ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‡Π΅ΠΉ Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠΈ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ каскада, ΠΎΠΏΡ‚ΠΈΠΌΠΈΠ·ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ Π½Π° ΠΌΠΈΠ½ΠΈΠΌΡƒΠΌ Π½Π΅Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½Ρ‹Ρ… искаТСний, Π½Π° Ρ‚Π°ΠΊΡƒΡŽ Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Ρƒ Π½Π΅ΠΈΠ·Π±Π΅ΠΆΠ½ΠΎ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ²Π°Π΅Ρ‚ искаТСния[5][4]. ΠŸΡ€ΠΎΡΡ‚ΠΎΠ΅ ΠΈ эффСктивноС Ρ€Π΅ΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ этой ΠΏΡ€ΠΎΠ±Π»Π΅ΠΌΡ‹Β β€” Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π² Ρ†Π΅ΠΏΡŒ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° T1 рСзистора R3, Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Π° ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎ Ρ€Π°Π²Π½Π° Π²Π½ΡƒΡ‚Ρ€Π΅Π½Π½Π΅ΠΌΡƒ ΡΠΎΠΏΡ€ΠΎΡ‚ΠΈΠ²Π»Π΅Π½ΠΈΡŽ умноТитСля[6]. Π’ ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΎΠΌ ΠΏΡ€ΠΈΠ±Π»ΠΈΠΆΠ΅Π½ΠΈΠΈ всё напряТСниС ошибки, ΠΏΡ€ΠΎΠΏΠΎΡ€Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°, ΠΏΠ°Π΄Π°Π΅Ρ‚ Π½Π° этом рСзисторС; Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС умноТитСля, снимаСмоС с ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° ΠΈ эмиттСра Π’1 (Vкэ), Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ Π½Π΅ зависит ΠΎΡ‚ ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°ΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°[6]. Π”Π΅ΠΉΡΡ‚Π²ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Π°Ρ ВАΠ₯ ΡƒΡΠΎΠ²Π΅Ρ€ΡˆΠ΅Π½ΡΡ‚Π²ΠΎΠ²Π°Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ умноТитСля Vбэ ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ Π½Π΅Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½Ρ‹ΠΉ, Π½ΠΎ вСсьма Π±Π»ΠΈΠ·ΠΊΠΈΠΉ ΠΊ Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½ΠΎΠΌΡƒ, Ρ…Π°Ρ€Π°ΠΊΡ‚Π΅Ρ€. ΠŸΡ€ΠΈ ΠΎΠΏΡ‚ΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΌ ΠΏΠΎΠ΄Π±ΠΎΡ€Π΅ R3 Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС Π² Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‡Π΅ΠΉ Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠ΅ максимально, Π° с ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΎΠ½ΠΎ Π½Π΅Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ, ΠΏΠ»Π°Π²Π½ΠΎ спадаСт[4]. R3 Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΡƒΠ΅Ρ‚ ΠΈΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎ ΠΏΠΎΠ΄Π±ΠΎΡ€Π° ΠΎΠΏΡ‹Ρ‚Π½Ρ‹ΠΌ ΠΏΡƒΡ‚Ρ‘ΠΌ, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ Π²Π½ΡƒΡ‚Ρ€Π΅Π½Π½Π΅Π΅ сопротивлСниС Ρ€Π΅Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ транзистора ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π² Π΄Π²Π° ΠΈ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ Ρ€Π°Π· ΠΏΡ€Π΅Π²ΠΎΡΡ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ΡŒ расчётноС[7].

Π”Ρ€ΡƒΠ³ΠΎΠΉ способ сниТСния Π²Π½ΡƒΡ‚Ρ€Π΅Π½Π½Π΅Π³ΠΎ сопротивлСния — ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ»Π΅ΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Ρ€Π½ΠΎΠΉ транзисторной Π΄Π²ΠΎΠΉΠΊΠΈ с локальной ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΉ связью. Π”Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠΎΠΌ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹ Π² Π½Π΅ΠΉ слуТит транзистор Π’1, Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎ ΠΎΠ³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‡Π΅Π½ Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½ΠΎΠΉ Vбэ*R3. ΠŸΡ€ΠΈ достиТСнии этого ΠΏΠΎΡ€ΠΎΠ³Π° открываСтся транзистор Π’2, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ ΡˆΡƒΠ½Ρ‚ΠΈΡ€ΡƒΠ΅Ρ‚ ΠΈΠ·Π±Ρ‹Ρ‚ΠΎΡ‡Π½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ Π² ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ Π’1[8]. Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° Π½Π΅ Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΡƒΠ΅Ρ‚ ΠΎΠΏΡ‚ΠΈΠΌΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΠΈ Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Ρ‹ R3 (ΠΎΠ½Π° зависит Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ ΠΎΡ‚ Ρ†Π΅Π»Π΅Π²ΠΎΠ³ΠΎ значСния Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· Π’1), сниТаСт Π²Π½ΡƒΡ‚Ρ€Π΅Π½Π½Π΅Π΅ сопротивлСниС умноТитСля Π½Π° порядок Π²ΠΎ всём Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½Π΅ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‡ΠΈΡ… Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ² ΠΈ ΠΌΠ°Π»ΠΎ зависит ΠΎΡ‚ коэффициСнта усилСния транзисторов ΠΏΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ[8][9]. Π•Ρ‘ Π³Π»Π°Π²Π½Ρ‹Π΅ нСдостатки — Π½Π΅ΠΆΠ΅Π»Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ услоТнСниС критичСски Π²Π°ΠΆΠ½ΠΎΠ³ΠΎ ΡƒΠ·Π»Π° ΠΈ Π²Π΅Ρ€ΠΎΡΡ‚Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ самовозбуТдСния, свойствСнная всСм схСмам с ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎΠΏΠ΅Ρ‚Π»Π΅Π²ΠΎΠΉ ООБ[8][10]. Для прСдотвращСния самовозбуТдСния ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ достаточно ΡˆΡƒΠ½Ρ‚ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ умноТитСля кондСнсатором; для Π³Π°Ρ€Π°Π½Ρ‚ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½ΠΎΠΉ устойчивости ΠΏΠΎΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ с эмиттСром Π’2 Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°ΡŽΡ‚ балластный рСзистор Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½ΠΎΠΉ ΠΎΠΊΠΎΠ»ΠΎ 50 Ом. ΠŸΡ€ΠΈ этом Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ сопротивлСниС ΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΡˆΠ°Π΅Ρ‚ΡΡ, Π½ΠΎ Π½Π΅ ΠΏΡ€Π΅Π²Ρ‹ΡˆΠ°Π΅Ρ‚ 2 Ом[10].

На высоких частотах ΡΡ„Ρ„Π΅ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΎΡ…Π²Π°Ρ‚Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‰Π΅ΠΉ транзистор ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΉ связи ΠΏΠ°Π΄Π°Π΅Ρ‚, ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΎΠ΅ сопротивлСниС умноТитСля Vбэ возрастаСт[7]. НапримСр, Π² Ρ‚ΠΈΠΏΠΈΡ‡Π½ΠΎΠΌ ΡƒΠΌΠ½ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»Π΅ Π½Π° транзисторС 2N5511 (граничная частота усилСния Ρ‚ΠΎΠΊΠ° 100 ΠœΠ“Ρ†) частота срСза, Π²Ρ‹ΡˆΠ΅ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ сопротивлСниС умноТитСля ΠΏΡ€ΠΈΠ½ΠΈΠΌΠ°Π΅Ρ‚ ΠΈΠ½Π΄ΡƒΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½Ρ‹ΠΉ Ρ…Π°Ρ€Π°ΠΊΡ‚Π΅Ρ€, Ρ€Π°Π²Π½Π° 2,3 ΠœΠ“Ρ†[7]. Для Π½Π΅ΠΉΡ‚Ρ€Π°Π»ΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΠΈ этого явлСния достаточно Π·Π°ΡˆΡƒΠ½Ρ‚ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΡƒΠΌΠ½ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ Vбэ Ρ‘ΠΌΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ Π² 0,1 ΠΌΠΊΠ€ (Π½Π° ΠΏΡ€Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠΊΠ΅ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½ΡΡŽΡ‚ ёмкости Π² Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½Π΅ 0,1…10 ΠΌΠΊΠ€)[7].

Π£ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π½Ρ‹ΠΌ коэффициСнтом напряТСния[ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΡ‚ΡŒ | ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΊΠΎΠ΄]

  • Π‘Ρ…Π΅ΠΌΡ‹ Π½Π° Π΄Π²ΡƒΡ… ΠΏΠΎΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Ρ‘Π½Π½Ρ‹Ρ… умноТитСлях

  • ΠŸΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏ использования ИОН для ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ΅Π½ΠΈΡ (слСва) ΠΈ увСличСния (справа) ВКН

  • Π£ΠΌΠ½ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ с ΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΡˆΠ΅Π½Π½Ρ‹ΠΌ Π² 1,5 Ρ€Π°Π·Π° ВКН с Π²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚ΠΎΠ΄ΠΎΠ±Π°Π²ΠΊΠΎΠΉ Π½Π° Π±Π°Π½Π΄Π³Π°ΠΏΠ΅

Π–Ρ‘ΡΡ‚ΠΊΡƒΡŽ связь ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹ΠΌ напряТСниСм ΠΏΡ€ΠΎΡΡ‚Π΅ΠΉΡˆΠ΅Π³ΠΎ умноТитСля Vбэ ΠΈ Π΅Π³ΠΎ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π½Ρ‹ΠΌ коэффициСнтом ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Ρ€Π°Π·ΠΎΡ€Π²Π°Ρ‚ΡŒ нСсколькими способами.

Для ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ΅Π½ΠΈΡ ВКН ΠΏΡ€ΠΈ достаточно Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠΈΡ… k примСняСтся ΠΏΠΎΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π΄Π²ΡƒΡ… ΠΏΡ€ΠΎΡΡ‚Π΅ΠΉΡˆΠΈΡ… ΡƒΠΌΠ½ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»Π΅ΠΉ Vбэ. Π‘ΡƒΠΌΠΌΠ°Ρ€Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠΉ Ρ†Π΅ΠΏΠΈ устанавливаСтся Ρ€Π°Π²Π½Ρ‹ΠΌ Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΠΌΡƒ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΡŽ ΡΠΌΠ΅Ρ‰Π΅Π½ΠΈΡŽ, Π½ΠΎ Π½Π° Ρ‚Π΅ΠΏΠ»ΠΎΠΎΡ‚Π²ΠΎΠ΄ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ каскада устанавливаСтся лишь ΠΎΠ΄ΠΈΠ½ ΠΈΠ· транзисторов (Π’1). Π’Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ транзистор (Π’2), Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ‰Ρ‘Π½Π½Ρ‹ΠΉ Π½Π° ΠΏΠ΅Ρ‡Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΉ ΠΏΠ»Π°Ρ‚Π΅, отслСТиваСт Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρƒ Π²ΠΎΠ·Π΄ΡƒΡ…Π° Π² корпусС ΠΈ практичСски Π½Π΅ влияСт Π½Π° Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… транзисторов.

ΠΠ»ΡŒΡ‚Π΅Ρ€Π½Π°Ρ‚ΠΈΠ²Π½Ρ‹ΠΉ способ ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ΅Π½ΠΈΡ ВКН ΠΏΡ€ΠΈ Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠΈΡ… kΒ β€” Π·Π°ΠΌΠ΅Π½Π° рСзистора R2 Π½Π° ΠΏΠΎΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ соСдинСниС рСзистора ΠΈ тСрмостабилизированного источника ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния (ИОН), Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€, Π±Π°Π½Π΄Π³Π°ΠΏΠ° TL431 Π½Π° β‰ˆ2,5 Π’. ΠΠ±ΡΠΎΠ»ΡŽΡ‚Π½Π°Ρ Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Π° ВКН ΠΏΠΎ-ΠΏΡ€Π΅ΠΆΠ½Π΅ΠΌΡƒ опрСдСляСтся Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚Π΅Π»Π΅ΠΌ напряТСния R1R2, Π½ΠΎ напряТСниС Π½Π° Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π°Ρ… Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ³ΠΎ умноТитСля большС, Ρ‡Π΅ΠΌ напряТСниС ΠΏΡ€ΠΎΡΡ‚Π΅ΠΉΡˆΠ΅Π³ΠΎ умноТитСля Vбэ, Π½Π° Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Ρƒ напряТСния ИОН. Π’ схСмах с ΠΌΠ°Π»Ρ‹ΠΌ k Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Π° Π²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚ΠΎΠ΄ΠΎΠ±Π°Π²ΠΊΠΈ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ΅Π½Π° Π΄ΠΎ Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹Ρ… Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠΉ Π² нСсколько сотСн ΠΌΠ’ с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ ΠΎΡ‚Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ дСлитСля напряТСния[11]. Аналогичным ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΈ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ Π’ΠšΠΒ β€” для этого Π²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚ΠΎΠ΄ΠΎΠ±Π°Π²ΠΊΠ° Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ΡΡ Π² Π½ΠΈΠΆΠ½Π΅Π΅ ΠΏΠ»Π΅Ρ‡ΠΎ дСлитСля, ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ эмиттСром транзистора ΠΈ R1. Π’Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Π° Π²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚ΠΎΠ΄ΠΎΠ±Π°Π²ΠΊΠΈ Π½Π΅ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΏΡ€Π΅Π²Ρ‹ΡˆΠ°Ρ‚ΡŒ Uбэ (Π½Π° ΠΏΡ€Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠΊΠ΅ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ напряТСния 0…400 ΠΌΠ’), поэтому Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ Π½Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ ИОН обязатСлСн[12].

Π’ Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠ²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚Π½Ρ‹Ρ… умноТитСлях с k=2…4 напряТСниС Π½Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… Π·Π°ΠΆΠΈΠΌΠ°Ρ… умноТитСля (1,3…3,0 Π’) нСдостаточно для питания Ρ‚ΠΈΠΏΠΈΡ‡Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ ИОН Π½Π° напряТСниС 2,5 Π’. Π’ Ρ‚Π°ΠΊΠΈΡ… схСмах ИОН запитываСтся Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· собствСнный ΠΎΡ‚Π²ΠΎΠ΄ ΠΎΡ‚ ΡˆΠΈΠ½Ρ‹ питания, Π° Ρ‚ΠΎΠΊ ИОН стабилизируСтся ΠΎΡ‚Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ источником Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΈΠ»ΠΈ привязкой (Π°Π½Π³Π».Β bootstrapping) ΠΊ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Ρƒ ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΠ³ΠΎ каскада[13].

Π£ΠΌΠ½ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ Vбэ Π² Π΄Π²ΡƒΡ…Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½ΠΎΠΌ усилитСлС мощности Π½Π° биполярных транзисторах

ΠŸΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½Π°Ρ схСма. Π£ΠΌΠ½ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ Vбэ ΠΎΠ±Π²Π΅Π΄Ρ‘Π½ Ρ€Π°ΠΌΠΊΠΎΠΉ

Π’Ρ€Π°Π΄ΠΈΡ†ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹ΠΉ Π²Π°Ρ€ΠΈΠ°Π½Ρ‚ исполнСния. Вранзистор-Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊ умноТитСля Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ‰Ρ‘Π½ Π² Ρ†Π΅Π½Ρ‚Ρ€Π΅ Ρ‚Π΅ΠΏΠ»ΠΎΠΎΡ‚Π²ΠΎΠ΄Π° ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Ρ‚Ρ€ΠΎΠΉΠΊΠ°ΠΌΠΈ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… транзисторов[14]

ΠΠ±ΡΠΎΠ»ΡŽΡ‚Π½ΠΎΠ΅ Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠΈΠ½ΡΡ‚Π²ΠΎ[15][16] транзисторных усилитСлСй мощности Π·Π²ΡƒΠΊΠΎΠ²ΠΎΠΉ частоты (Π£ΠœΠ—Π§) строится ΠΏΠΎ ΠΌΠΎΠ΄ΠΈΡ„ΠΈΡ†ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½ΠΎΠΉ схСмС Π›ΠΈΠ½Π°. Π’Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹ΠΌ каскадом Ρ‚Π°ΠΊΠΈΡ… Π£ΠœΠ—Π§ слуТит Π΄Π²ΡƒΡ…Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½Ρ‹ΠΉ эмиттСрный ΠΏΠΎΠ²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ Π² Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ AB ΠΈΠ»ΠΈ B Π½Π° ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ»Π΅ΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Ρ€Π½Ρ‹Ρ… биполярных транзисторах Π»ΠΈΠ±ΠΎ истоковый ΠΏΠΎΠ²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ Π½Π° ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ»Π΅ΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Ρ€Π½Ρ‹Ρ… ΠœΠ”ΠŸ-транзисторах с Π³ΠΎΡ€ΠΈΠ·ΠΎΠ½Ρ‚Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ ΠΈΠ»ΠΈ Π²Π΅Ρ€Ρ‚ΠΈΠΊΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ ΠΊΠ°Π½Π°Π»ΠΎΠΌ. БиполярныС ΠΏΠΎΠ²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΡ‚Π΅Π»ΠΈ Π½Π° ΠΏΡ€Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠΊΠ΅ ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ состоят ΠΈΠ· Π΄Π²ΡƒΡ… ΠΈΠ»ΠΈ Ρ‚Ρ€Ρ‘Ρ… ΠΏΠΎΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ соСдинённых каскадов усилСния Ρ‚ΠΎΠΊΠ°, ΠΏΠΎΠ²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΡ‚Π΅Π»ΠΈ Π½Π° ΠœΠ”ΠŸ структурах состоят ΠΈΠ· ΠΏΡ€Π΅Π΄Π²Π°Ρ€ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ каскада (Π΄Ρ€Π°ΠΉΠ²Π΅Ρ€Π°) Π½Π° биполярных транзисторах ΠΈ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠœΠ”ΠŸ-каскада[17][ΠΊΠΎΠΌΠΌ. 2]. Π’ конструкциях 1960-Ρ… Π³ΠΎΠ΄ΠΎΠ² для установки ΠΈ стабилизации Ρ‚ΠΎΠΊΠ° покоя Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ каскада ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½ΡΠ»ΠΈΡΡŒ рСзисторно-Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π½Ρ‹Π΅ Ρ†Π΅ΠΏΠΈ; послС ΠΏΡƒΠ±Π»ΠΈΠΊΠ°Ρ†ΠΈΠΈ Артура Π‘Π΅ΠΉΠ»ΠΈ Π² Wireless World Π² ΠΌΠ°Π΅ 1968 Π³ΠΎΠ΄Π°[18][ΠΊΠΎΠΌΠΌ. 3] для этой Ρ†Π΅Π»ΠΈ, практичСски Π±Π΅Π·Π°Π»ΡŒΡ‚Π΅Ρ€Π½Π°Ρ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎ, ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½ΡΠ»ΠΈΡΡŒ транзисторныС ΡƒΠΌΠ½ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΠΈ Vбэ[19]. Π’ Ρ‚ΠΈΠΏΠΈΡ‡Π½ΠΎΠΌ Π£ΠœΠ—Π§ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ³ΠΎ Ρ€ΠΎΠ΄Π° ΡƒΠΌΠ½ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ Vбэ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ΡΡ Π² Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΡƒΡŽ Ρ†Π΅ΠΏΡŒ каскада усилСния напряТСния (КУН), Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ (порядка 3…10 мА) задаётся источником Ρ‚ΠΎΠΊΠ°[20][21]. Вранзистор умноТитСля Vбэ монтируСтся Π½Π° Ρ‚Π΅ΠΏΠ»ΠΎΠΎΡ‚Π²ΠΎΠ΄Π΅ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… транзисторов ΠΈ выполняСт Ρ€ΠΎΠ»ΡŒ Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠ°: с ростом Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹ Ρ‚Π΅ΠΏΠ»ΠΎΠΎΡ‚Π²ΠΎΠ΄Π° Π΅Π³ΠΎ собствСнноС Vбэ, Π° с Π½ΠΈΠΌ ΠΈ напряТСниС Π½Π° Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π°Ρ… умноТитСля, ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ°Π΅Ρ‚ΡΡ.

ΠšΠΎΠ½Ρ„ΠΈΠ³ΡƒΡ€Π°Ρ†ΠΈΡ умноТитСля Vбэ зависит, Π² ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΡƒΡŽ ΠΎΡ‡Π΅Ρ€Π΅Π΄ΡŒ, ΠΎΡ‚ Ρ‚ΠΈΠΏΠ° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… транзисторов, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ опрСдСляСт трСбования ΠΊ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΡŽ смСщСния Vсм ΠΈ Π΅Π³ΠΎ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π½ΠΎΠΌΡƒ коэффициСнту (ВКН):

  • НапряТСниС смСщСния ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π±Π°Π·ΠΎΠΉ ΠΈ эмиттСром (Vбэ) ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠ΅Π²ΠΎΠ³ΠΎ биполярного транзистора составляСт 0,5…0,8 Π’. НапряТСниС смСщСния двухкаскадного эмиттСрного повторитСля ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Π½ΠΎ Ρ€Π°Π²Π½ΠΎ Ρ‡Π΅Ρ‚Ρ‹Ρ€Ρ‘ΠΌ Vбэ (kβ‰ˆ4), трёхкаскадного — ΡˆΠ΅ΡΡ‚ΠΈ Vбэ, ΠΈΠ»ΠΈ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Π½ΠΎ 4 Π’[22] (kβ‰ˆ6), ΠΈ Ρ‚Π°ΠΊ Π΄Π°Π»Π΅Π΅. Π‘ ростом Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹ Π½Π° ΠΎΠ΄ΠΈΠ½ градус ΠΎΠΏΡ‚ΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ Vбэ ΠΊΠ°ΠΆΠ΄ΠΎΠ³ΠΎ транзистора ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ°Π΅Ρ‚ΡΡ Π½Π° 2,2 ΠΌΠ’[1]. ΠŸΡ€ΠΈ Тёстко стабилизированном Uсм Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠΉ каскад склонСн ΠΊ Ρ‚Π΅ΠΏΠ»ΠΎΠ²ΠΎΠΌΡƒ Ρ€Π°Π·Π³ΠΎΠ½Ρƒ, Π²ΠΏΠ»ΠΎΡ‚ΡŒ Π΄ΠΎ катастрофичСского ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π³Ρ€Π΅Π²Π°. Π’ΠΎΠΊ покоя (Ρ‚ΠΎΡ‡Π½Π΅Π΅Β β€” ΠΏΡ€ΠΎΠΏΠΎΡ€Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ покоя ΠΏΠ°Π΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ напряТСния Π½Π° балластных рСзисторах Π² Ρ†Π΅ΠΏΠΈ эмиттСров Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… каскадов), Π½Π°ΠΏΡ€ΠΎΡ‚ΠΈΠ², Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ΅Π½ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ Π½Π°Π΄Ρ‘ΠΆΠ½ΠΎ стабилизирован: Π΄Π°ΠΆΠ΅ Π½Π΅Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ отклонСния ΠΎΡ‚ ΠΎΠΏΡ‚ΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Ρ‹ приводят ΠΊ росту искаТСний[23][24]. Π’ Ρ‚Π΅ΠΎΡ€ΠΈΠΈ для стабилизации Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΈ мощности, рассСиваСмой ΠΌΠΎΡ‰Π½Ρ‹ΠΌ каскадом Π² ΠΏΠΎΠΊΠΎΠ΅, Ρ…ΠΎΡ€ΠΎΡˆΠΎ ΠΏΠΎΠ΄Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ ΠΏΡ€ΠΎΡΡ‚Π΅ΠΉΡˆΠΈΠΉ ΡƒΠΌΠ½ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ Vбэ, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ Π΅Π³ΠΎ ВКН совпадаСт с расчётным ВКН управляСмого ΠΈΠΌ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ каскада. Π’ Ρ€Π΅Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… схСмах ВКН ΠΏΡ€ΠΎΡΡ‚Π΅ΠΉΡˆΠ΅Π³ΠΎ умноТитСля ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ ΠΈΠ·Π±Ρ‹Ρ‚ΠΎΡ‡Π½Ρ‹ΠΌ; Π² Ρ‚Π°ΠΊΠΈΡ… случаях ΠΏΡ€Π΅Π΄ΠΏΠΎΡ‡Ρ‚ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Π° схСма с ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ΅Π½Π½Ρ‹ΠΌ ВКН. НСйтрализация Π²Π½ΡƒΡ‚Ρ€Π΅Π½Π½Π΅Π³ΠΎ сопротивлСния Π½Π° ΠΏΡ€Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠΊΠ΅ ΠΎΠ±ΡΠ·Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Π°.
  • НапряТСниС смСщСния ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΈ истоком (VΠ·ΠΈ) ΠœΠ”ΠŸ-транзистора с Π²Π΅Ρ€Ρ‚ΠΈΠΊΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ ΠΊΠ°Π½Π°Π»ΠΎΠΌ составляСт ΠΎΡ‚ 1,7 Π΄ΠΎ 4 Π’ ΠΈ ΠΏΡ€ΠΈ Ρ‚ΠΈΠΏΠΈΡ‡Π½Ρ‹Ρ… для Π£ΠœΠ—Π§ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°Ρ… покоя, порядка 150 мА, ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ ВКН βˆ’4β€¦βˆ’6ΠΌΠ’/K[ΠΊΠΎΠΌΠΌ. 4]. ВСмпСратурная стабилизация Ρ‚Π°ΠΊΠΈΡ… каскадов ΠΎΠ±ΡΠ·Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Π°[26]. ΠŸΡ€ΠΈ использовании ΠΏΡ€ΠΎΡΡ‚Π΅ΠΉΡˆΠ΅Π³ΠΎ умноТитСля Vбэ Π΅Π³ΠΎ ВКН Π² Π΄Π²Π° ΠΈ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ Ρ€Π°Π· прСвосходит ВКН транзисторов, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ ΠΊ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ€Π΅Π³ΡƒΠ»ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΡŽ, поэтому ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ ВКН ΠΎΠ±ΡΠ·Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ.
  • НапряТСниС смСщСния ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΈ истоком ΠœΠ”ΠŸ-транзистора с Π³ΠΎΡ€ΠΈΠ·ΠΎΠ½Ρ‚Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ ΠΊΠ°Π½Π°Π»ΠΎΠΌ составляСт ΠΎΠΊΠΎΠ»ΠΎ 0,7 Π’. ВСмпСратурная стабилизация Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠΌ транзисторам Π½Π΅ трСбуСтся: ΠΏΡ€ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°Ρ… Π² дСсятки ΠΈ сотни мА ВКН VΠ·ΠΈ Π±Π»ΠΈΠ·ΠΎΠΊ ΠΊ Π½ΡƒΠ»ΡŽ (рост Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹ практичСски Π½Π΅ влияСт Π½Π° Ρ‚ΠΎΠΊ покоя), Π° ΠΏΡ€ΠΈ Π±ΠΎΜΠ»ΡŒΡˆΠΈΡ… Ρ‚ΠΎΠΊΠ°Ρ… ΠΎΠ½ становится ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ само ΠΏΠΎ сСбС обСспСчиваСт ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° покоя. Π£ΠΌΠ½ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ Vбэ для Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ³ΠΎ каскада ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΡΡ‚Ρ€ΠΎΠΈΡ‚ΡŒΡΡ ΠΏΠΎ ΠΏΡ€ΠΎΡΡ‚Π΅ΠΉΡˆΠ΅ΠΉ схСмС, Π½ΠΎ транзистор умноТитСля слСдуСт ΠΌΠΎΠ½Ρ‚ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Π½Π΅ Π½Π° Ρ‚Π΅ΠΏΠ»ΠΎΠΎΡ‚Π²ΠΎΠ΄ ΠΌΠΎΡ‰Π½Ρ‹Ρ… транзисторов, Π° Π½Π° ΠΏΠ΅Ρ‡Π°Ρ‚Π½ΡƒΡŽ ΠΏΠ»Π°Ρ‚Ρƒ[26].

Π’ ΠΈΠ΄Π΅Π°Π»Π΅ Vбэ Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠ° Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½ΠΎ Π½Π΅ΠΏΡ€Π΅Ρ€Ρ‹Π²Π½ΠΎ ΠΎΡ‚ΡΠ»Π΅ΠΆΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Vбэ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… транзисторов с Π½Π΅ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΌ Π½Π΅ΠΈΠ·Π±Π΅ΠΆΠ½Ρ‹ΠΌ сдвигом ΠΈΠ·-Π·Π° Ρ‚Π΅ΠΏΠ»ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ сопротивлСния конструкции. Π’ Ρ€Π΅Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… каскадах Π½Π° дискрСтных транзисторах врСмя установлСния Ρ‚Π΅ΠΏΠ»ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ равновСсия измСряСтся ΠΌΠΈΠ½ΡƒΡ‚Π°ΠΌΠΈ ΠΈΠ»ΠΈ дСсятками ΠΌΠΈΠ½ΡƒΡ‚[27][28]. ОсобСнно Π²Π΅Π»ΠΈΠΊΠΎ ΠΎΠ½ΠΎ Π² Ρ‚Ρ€Π°Π΄ΠΈΡ†ΠΈΠΎΠ½Π½ΠΎΠΉ конструкции, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° транзистор-Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊ крСпится ΠΊ Ρ‚Π΅ΠΏΠ»ΠΎΠΎΡ‚Π²ΠΎΠ΄Ρƒ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… транзисторов. Π—Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Π½ΠΎ быстрСС Ρ€Π΅Π°Π³ΠΈΡ€ΡƒΠ΅Ρ‚ Π½Π° Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π½Ρ‹Π΅ сдвиги транзистор-Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊ, Π·Π°ΠΊΡ€Π΅ΠΏΠ»Ρ‘Π½Π½Ρ‹ΠΉ нСпосрСдствСнно Π½Π° корпусС ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΠ³ΠΎ транзистора — Ρ‚Π΅ΠΌ ΠΆΠ΅ Π±ΠΎΠ»Ρ‚ΠΎΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΊΡ€Π΅ΠΏΠΈΡ‚ ΠΌΠΎΡ‰Π½Ρ‹ΠΉ транзистор ΠΊ Ρ‚Π΅ΠΏΠ»ΠΎΠΎΡ‚Π²ΠΎΠ΄Ρƒ[29][10]. НаимСньшСС врСмя установлСния, порядка ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ ΠΌΠΈΠ½ΡƒΡ‚Ρ‹, свойствСнно ΠΌΠΎΡ‰Π½Ρ‹ΠΌ транзисторам со встроСнным Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π½Ρ‹ΠΌ Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠΎΠΌ[30][ΠΊΠΎΠΌΠΌ. 5]. НомСнклатура Ρ‚Π°ΠΊΠΈΡ… ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ΠΎΠ² слишком ΡƒΠ·ΠΊΠ°; Π² схСмотСхникС Π£ΠœΠ—Π§ ΠΏΠΎ-ΠΏΡ€Π΅ΠΆΠ½Π΅ΠΌΡƒ ΠΏΡ€Π΅ΠΎΠ±Π»Π°Π΄Π°ΡŽΡ‚ ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½Ρ‹Π΅, Π½Π΅ оснащённыС Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠ°ΠΌΠΈ, транзисторы[32].

Π£ΠΌΠ½ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ Vбэ — критичСски Π²Π°ΠΆΠ½Ρ‹ΠΉ структурный ΡƒΠ·Π΅Π» Π£ΠœΠ—Π§: конструктивныС нСдостатки ΠΈΠ»ΠΈ случайныС ΠΎΡ‚ΠΊΠ°Π·Ρ‹ умноТитСля ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚, с высокой Π²Π΅Ρ€ΠΎΡΡ‚Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ, ΠΏΡ€ΠΈΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΊ катастрофичСскому ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π³Ρ€Π΅Π²Ρƒ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… транзисторов. ΠŸΠΎΡΡ‚ΠΎΠΌΡƒ Π½Π° ΠΏΡ€Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠΊΠ΅ ΠΏΡ€Π΅Π΄ΠΏΠΎΡ‡Ρ‚ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ простыС схСмы ΡƒΠΌΠ½ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»Π΅ΠΉ Π½Π° минимальном Π½Π°Π±ΠΎΡ€Π΅ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚ΠΎΠ²[8]. НаимСнСС Π½Π°Π΄Ρ‘ΠΆΠ½Ρ‹ΠΉ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚ умноТитСля — подстроСчный рСзистор — слСдуСт Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ‰Π°Ρ‚ΡŒ Π² Π½ΠΈΠΆΠ½Π΅ΠΌ ΠΏΠ»Π΅Ρ‡Π΅ дСлитСля напряТСния (ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π±Π°Π·ΠΎΠΉ ΠΈ эмиттСром Π’1), Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΠΏΡ€ΠΈ ΠΎΠ±Ρ€Ρ‹Π²Π΅ ΠΏΠΎΠ»Π·ΡƒΠ½ΠΊΠ° ΡƒΠΌΠ½ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ°Π», Π° Π½Π΅ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ²Π°Π», напряТСниС смСщСния ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊ покоя[33].

  1. ↑ C этим свойством связаны историчСскиС англоязычныС названия этой схСмы — rubber diode, Π±ΡƒΠΊΠ²Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎ Β«Ρ€Π΅Π·ΠΈΠ½ΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ Π΄ΠΈΠΎΠ΄Β», ΠΈ amplified diode, Π±ΡƒΠΊΠ²Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎ «усилСнный [ΠΏΠΎ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΡŽ] Π΄ΠΈΠΎΠ΄Β».
  2. ↑ ΠœΠ”ΠŸ транзисторы Π½Π΅ Π½ΡƒΠΆΠ΄Π°ΡŽΡ‚ΡΡ Π² постоянном Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌ Ρ‚ΠΎΠΊΠ΅, поэтому Π² рядС конструкций Π΄Ρ€Π°ΠΉΠ²Π΅Ρ€ отсутствуСт: Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Ρ‹ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… транзисторов ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ нСпосрСдствСнно каскадом усилСния напряТСния (КУН). Как ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ»ΠΎ, Π½Π° высоких частотах КУН Π½Π΅ способСн своСврСмСнно ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π·Π°Ρ€ΡΠΆΠ°Ρ‚ΡŒ ёмкости Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… транзисторов, поэтому Π² высококачСствСнных Π£ΠœΠ—Π§ такая «экономия» Π½Π΅ΠΆΠ΅Π»Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Π°[17]
  3. ↑ Arthur R. Bailey. 30-watt High Fidelity Amplifier.Β β€” 1968.Β β€” β„– May 1968.Β β€” P.Β 94-98. Π’ схСмС Π‘Π΅ΠΉΠ»ΠΈ использовалось Π΄Π²Π° элСмСнтарных умноТитСля: ΠΎΠ΄ΠΈΠ½ Π·Π°Π΄Π°Π²Π°Π» смСщСниС Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ каскада, Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΎΠΉ — смСщСниС Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ каскада.
  4. ↑ C ростом Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ВКН ΠΏΠ°Π΄Π°Π΅Ρ‚ Π΄ΠΎ нуля, Π° Π·Π°Ρ‚Π΅ΠΌ становится ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ. Π’ΠΎΡ‡ΠΊΠ°, Π² ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ ВКН ΠΏΡ€ΠΈΠ½ΠΈΠΌΠ°Π΅Ρ‚ Π½ΡƒΠ»Π΅Π²ΠΎΠ΅ Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅, Π»Π΅ΠΆΠΈΡ‚ Π² области Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ², измСряСмых Π΅Π΄ΠΈΠ½ΠΈΡ†Π°ΠΌΠΈ ΠΈΠ»ΠΈ дСсятками А, поэтому ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Π΅Ρ‘ Π² качСствС Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‡Π΅ΠΉ Π½Π΅Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ[25]
  5. ↑ CΡ‚ΠΎΠ»ΡŒ мСдлСнная, ΠΏΠΎ ΠΌΠ΅Ρ€ΠΊΠ°ΠΌ ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… схСм, рСакция обусловлСна Ρ‚Π΅ΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ транзистор-Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊ Π½Π΅ размСщаСтся Π½Π° кристаллС ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΠ³ΠΎ транзистора, Π° прСдставляСт собой ΠΎΡ‚Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ кристалл, припаянный ΠΊ мСталличСскому ΠΊΡ€ΠΈΡΡ‚Π°Π»Π»ΠΎΠ΄Π΅Ρ€ΠΆΠ°Ρ‚Π΅Π»ΡŽ ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΠ³ΠΎ транзистора[31].
  1. ↑ 1 2 Cordell, 2011, p.Β 50.
  2. ↑ Π‘Ρ‚Π΅ΠΏΠ°Π½Π΅Π½ΠΊΠΎ, 1977, Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΡƒΠ»Π° 4-22.
  3. ↑ Π‘ΡƒΡ…ΠΎΠ², 1985, с. 101.
  4. ↑ 1 2 3 Self, 2010, p.Β 178.
  5. ↑ Cordell, 2011, p.Β 291.
  6. ↑ 1 2 Cordell, 2011, p.Β 292.
  7. ↑ 1 2 3 4 Cordell, 2011, p.Β 41.
  8. ↑ 1 2 3 4 Self, 2010, p.Β 533.
  9. ↑ Cordell, 2011, p.Β 294.
  10. ↑ 1 2 3 Cordell, 2011, p.Β 295.
  11. ↑ Self, 2010, pp.Β 361β€”362.
  12. ↑ Self, 2010, pp.Β 359-360.
  13. ↑ Self, 2010, p.Β 360.
  14. ↑ ΠŸΠΎΠ΄Ρ€ΠΎΠ±Π½ΠΎ рассматриваСтся Π² Π΄ΠΎΠΊΡƒΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Ρ†ΠΈΠΈ производитСля: Phoenix Gold. Phoenix Gold MS 2125 Power Amplifier. Service Manual.Β β€” 1995.
  15. ↑ Self, 2010, p.Β 62: Β«the generic configuration is by a long way the most popularΒ».
  16. ↑ Cordell, 2011, p.Β 11: Β«the vast majority of power amplifier designsΒ».
  17. ↑ 1 2 Cordell, 2011, p.Β 215.
  18. ↑ Hood, 2006, pp.Β 156, 175.
  19. ↑ Cordell, 2011, p.Β 190.
  20. ↑ Cordell, 2011, p.Β 13.
  21. ↑ Self, 2010, pp.Β 95β€”97.
  22. ↑ Cordell, 2011, p.Β 227.
  23. ↑ Cordell, 2011, p.Β 290.
  24. ↑ Self, 2010, p.Β 152.
  25. ↑ Cordell, 2011, p.Β 228.
  26. ↑ 1 2 Cordell, 2011, pp.Β 215, 228.
  27. ↑ Cordell, 2011, p.Β 230.
  28. ↑ Self, 2010, p.Β 335, 346.
  29. ↑ Self, 2010, p.Β 349.
  30. ↑ Cordell, 2011, pp.Β 230, 295.
  31. ↑ Cordell, 2011, pp.Β 304β€”305.
  32. ↑ Cordell, 2011, pp.Β 304β€”313.
  33. ↑ Self, 2010, pp.Β 440β€”441.
  • Π‘Ρ‚Π΅ΠΏΠ°Π½Π΅Π½ΠΊΠΎ, И. П. ΠžΡΠ½ΠΎΠ²Ρ‹ Ρ‚Π΅ΠΎΡ€ΠΈΠΈ транзисторов ΠΈ транзисторных схСм.Β β€” М.: ЭнСргия, 1977.
  • Π‘ΡƒΡ…ΠΎΠ², Н. Π•. ΠΈ Π΄Ρ€. Π’Π΅Ρ…Π½ΠΈΠΊΠ° высококачСствСнного воспроизвСдСния.Β β€” КиСв : Π’Π΅Ρ…Π½Ρ–ΠΊΠ°, 1985.
  • Cordell, B. Designing Audio Power Amplifiers.Β β€” McGraw-Hill, 2011.Β β€” ISBN 9780071640244.
  • Duncan, B. High Performance Audio Power Amplifiers.Β β€” Newnes, 1996.Β β€” ISBN 9780750626293.
  • Hood, J. L. Chapter 14. Power Amplifier Stages // Audio and Hi-Fi Handbook / Editor: Sinclair, I..Β β€” 3rd ed..Β β€” Newnes, 1998.Β β€” P.Β 252-275.Β β€” ISBN 075063636X.
  • Hood, J. L. Valve and Transistor Audio Amplifiers.Β β€” Newnes, 2006.Β β€” ISBN 0750633565.
  • Jones, M. Valve Amplifiers (3rd edition).Β β€” Newnes / Elsevier, 2003.Β β€” ISBN 0750656948.
  • Self, D. Audio Power Amplifier Design Handbook.Β β€” 4th ed..Β β€” Newnes, 2010.Β β€” ISBN 9780240521770.
  • Wai-Kai Chen. Analog and VLSI Circuits.Β β€” CRC Press, 2009.Β β€” (The Circuits and Filters Handbook, 3rd Edition).Β β€” ISBN 9781420058925.

ΠžΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½Ρ‹ΠΉ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ | ΠŸΡ€Π°ΠΊΡ‚ΠΈΡ‡Π΅ΡΠΊΠ°Ρ элСктроника

Π’ ΠΏΡ€ΠΎΡˆΠ»Β ΠΎΠΉ ΡΡ‚Π°Ρ‚ΡŒΠ΅ ΠΌΡ‹ с Π²Π°ΠΌΠΈ Ρ€Π°Π·ΠΎΠ±Ρ€Π°Π»ΠΈ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠΉ Π²Π°ΠΆΠ½Ρ‹ΠΉ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ транзистора, ΠΊΠ°ΠΊ коэффициСнт Π±Π΅Ρ‚Π° (Ξ²). Но Π΅ΡΡ‚ΡŒ Π² транзисторС Π΅Ρ‰Π΅ ΠΎΠ΄ΠΈΠ½ интСрСсный ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€. Π‘Π°ΠΌ ΠΏΠΎ сСбС ΠΎΠ½ Π½ΠΈΡ‡Ρ‚ΠΎΠΆΠ½Ρ‹ΠΉ, Π½ΠΎ Π΄Π΅Π»ΠΎΠ² ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π½Π°Π΄Π΅Π»Π°Ρ‚ΡŒ ΠΎΠ³ΠΎ-Π³ΠΎ! Π­Ρ‚ΠΎ всС Ρ€Π°Π²Π½ΠΎ Ρ‡Ρ‚ΠΎ галька, которая ΠΏΠΎΠΏΠ°Π»Π° Π² кроссовок Π»Π΅Π³ΠΊΠΎΠ°Ρ‚Π»Π΅Ρ‚Ρƒ: Π²Ρ€ΠΎΠ΄Π΅ Π±Ρ‹ малСнькая, Π° причиняСт нСудобство  ΠΏΡ€ΠΈ Π±Π΅Π³Π΅. Π’Π°ΠΊ Ρ‡Π΅ΠΌ ΠΆΠ΅ ΠΌΠ΅ΡˆΠ°Π΅Ρ‚ эта самая β€œΠ³Π°Π»ΡŒΠΊΠ°β€ транзистору? Π”Π°Π²Π°ΠΉΡ‚Π΅ разбСрСмся…

ΠŸΡ€ΡΠΌΠΎΠ΅ ΠΈ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠ΅ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ PN-ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π°

Как ΠΌΡ‹ ΠΏΠΎΠΌΠ½ΠΈΠΌ, транзистор состоит ΠΈΠ· Ρ‚Ρ€Π΅Ρ… ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ². PN-ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ Ρƒ нас Π±Π°Π·Π°-эмиттСр называСтся эмиттСрным ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ, Π° ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ Π±Π°Π·Π°-ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ – ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½Ρ‹ΠΌ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ.

Π’Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ Π² Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠΌ случаС Ρƒ нас транзистор NPN, Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚ Ρ‚ΠΎΠΊ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ Ρ‚Π΅Ρ‡ΡŒ ΠΎΡ‚ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° ΠΊ эмиттСру, ΠΏΡ€ΠΈ условии, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΌΡ‹ Π±ΡƒΠ΄Π΅ΠΌ ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Π²Π°Ρ‚ΡŒ Π±Π°Π·Ρƒ, подавая Π½Π° Π½Π΅Π΅ напряТСниС Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ Ρ‡Π΅ΠΌ 0,6 Π’ΠΎΠ»ΡŒΡ‚ (Π½Ρƒ Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ транзистор открылся).

Π”Π°Π²Π°ΠΉΡ‚Π΅ гипотСтичСски возьмСм Ρ‚ΠΎΠ½ΠΊΠΈΠΉ-Ρ‚ΠΎΠ½ΠΊΠΈΠΉ Π½ΠΎΠΆΠΈΠΊ ΠΈ Π²Ρ‹Ρ€Π΅ΠΆΠ΅ΠΌ эмиттСр прямо ΠΏΠΎ PN-ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Ρƒ. Π£ нас получится ΠΊΠ°ΠΊ-Ρ‚ΠΎ Π²ΠΎΡ‚ Ρ‚Π°ΠΊ:

Π‘Ρ‚ΠΎΠΏ! Π£ нас Ρ‡Ρ‚ΠΎ, получился Π΄ΠΈΠΎΠ΄? Π”Π°, ΠΎΠ½ самый! ΠŸΠΎΠΌΠ½ΠΈΡ‚Π΅, Π² ΡΡ‚Π°Ρ‚ΡŒΠ΅ Π²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚Π°ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π½Π°Ρ характСристика (ВАΠ₯) ΠΌΡ‹ рассматривали ВАΠ₯ Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π°:

Π²Π°Ρ… Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π°

Π’ ΠΏΡ€Π°Π²ΠΎΠΉ части ВАΠ₯ ΠΌΡ‹ с Π²Π°ΠΌΠΈ Π²ΠΈΠ΄ΠΈΠΌ ΠΊΠ°ΠΊ Π²Π΅Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠ° Π³Ρ€Π°Ρ„ΠΈΠΊΠ° ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ Ρ€Π΅Π·ΠΊΠΎ Π²Π·Π»Π΅Ρ‚Π΅Π»Π° Π²Π²Π΅Ρ€Ρ…. Π’ этом случаС ΠΌΡ‹ ΠΏΠΎΠ΄Π°Π²Π°Π»ΠΈ Π½Π° Π΄ΠΈΠΎΠ΄ постоянноС напряТСниС Π²ΠΎΡ‚ Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ, Ρ‚ΠΎ Π΅ΡΡ‚ΡŒ это Π±Ρ‹Π»ΠΎ прямоС Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π°.

Π”ΠΈΠΎΠ΄ пропускал Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· сСбя элСктричСский Ρ‚ΠΎΠΊ. ΠœΡ‹ с Π²Π°ΠΌΠΈ Π΄Π°ΠΆΠ΅ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΠ»ΠΈ ΠΎΠΏΡ‹Ρ‚Ρ‹ с прямым ΠΈ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½Ρ‹ΠΌ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π°. ΠšΡ‚ΠΎ Π½Π΅ ΠΏΠΎΠΌΠ½ΠΈΡ‚, ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΏΡ€ΠΎΡ‡ΠΈΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ здСсь.

Но Ссли ΠΏΠΎΠΌΠ΅Π½ΡΡ‚ΡŒ ΠΏΠΎΠ»ΡΡ€Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ

Ρ‚ΠΎ Π΄ΠΈΠΎΠ΄ Ρƒ нас Π½Π΅ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΏΡ€ΠΎΠΏΡƒΡΠΊΠ°Ρ‚ΡŒ Ρ‚ΠΎΠΊ. Нас всСгда Ρ‚Π°ΠΊ ΡƒΡ‡ΠΈΠ»ΠΈ, ΠΈ Π² этом Π΅ΡΡ‚ΡŒ доля ΠΏΡ€Π°Π²Π΄Ρ‹, но… наш ΠΌΠΈΡ€ Π½Π΅ ΠΈΠ΄Π΅Π°Π»Π΅Π½).

ΠŸΠΎΠΌΠ½ΠΈΡ‚Π΅ ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ PN-ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π°? ΠœΡ‹ Π΅Π³ΠΎ прСдставляли ΠΊΠ°ΠΊ Π²ΠΎΡ€ΠΎΠ½ΠΊΡƒ. Π’Π°ΠΊ Π²ΠΎΡ‚, для этого рисуночка

наша Π²ΠΎΡ€ΠΎΠ½ΠΊΠ° Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π²Π΅Ρ€Π½ΡƒΡ‚Π° Π³ΠΎΡ€Π»Ρ‹ΡˆΠΊΠΎΠΌ ΠΊ ΠΏΠΎΡ‚ΠΎΠΊΡƒ

ΠžΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½Ρ‹ΠΉ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ

НаправлСниС ΠΏΠΎΡ‚ΠΎΠΊΠ° Π²ΠΎΠ΄Ρ‹ – это Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ двиТСния элСктричСского Ρ‚ΠΎΠΊΠ°. Π’ΠΎΡ€ΠΎΠ½ΠΊΠ° – это ΠΈ Π΅ΡΡ‚ΡŒ Π΄ΠΈΠΎΠ΄. Но Π²ΠΎΡ‚ Π²ΠΎΠ΄Π°, которая ΠΏΠΎΠΏΠ°Π»Π° Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· ΡƒΠ·ΠΊΠΎΠ΅ Π³ΠΎΡ€Π»Ρ‹ΡˆΠΊΠΎ Π²ΠΎΡ€ΠΎΠ½ΠΊΠΈ? Как ΠΆΠ΅ Π΅Π΅ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π½Π°Π·Π²Π°Ρ‚ΡŒ? А называСтся ΠΎΠ½Π° ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ PN ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° (IΠΎΠ±Ρ€).

А ΠΊΠ°ΠΊ Π²Ρ‹ Π΄ΡƒΠΌΠ°Π΅Ρ‚Π΅, Ссли  ΠΏΡ€ΠΈΠ±Π°Π²ΠΈΡ‚ΡŒ ΡΠΊΠΎΡ€ΠΎΡΡ‚ΡŒ тСчСния Π²ΠΎΠ΄Ρ‹, увСличится Π»ΠΈ количСство Π²ΠΎΠ΄Ρ‹, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ΅ ΠΏΡ€ΠΎΠΉΠ΄Π΅Ρ‚ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· ΡƒΠ·ΠΊΠΎΠ΅ Π³ΠΎΡ€Π»Ρ‹ΡˆΠΊΠΎ Π²ΠΎΡ€ΠΎΠ½ΠΊΠΈ? ΠžΠ΄Π½ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π½ΠΎ! Π—Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚, Ссли ΠΏΡ€ΠΈΠ±Π°Π²Π»ΡΡ‚ΡŒ напряТСниС UΠΎΠ±Ρ€ , Ρ‚ΠΎ ΠΈ увСличится ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ IΠΎΠ±Ρ€ , Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΌΡ‹ с Π²Π°ΠΌΠΈ ΠΈ Π²ΠΈΠ΄ΠΈΠΌ Π² Π»Π΅Π²ΠΎΠΉ части Π½Π° Π³Ρ€Π°Ρ„ΠΈΠΊΠ΅ ВАΠ₯ Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π°:

Но Π΄ΠΎ ΠΊΠ°ΠΊΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π° ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΡΠΊΠΎΡ€ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΏΠΎΡ‚ΠΎΠΊΠ° Π²ΠΎΠ΄Ρ‹? Если ΠΎΠ½Π° Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ большой, наша Π²ΠΎΡ€ΠΎΠ½ΠΊΠ° Π½Π΅ Π²Ρ‹Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠΈΡ‚, стСнки трСснут ΠΈ ΠΎΠ½Π° разлСтится ΠΏΠΎ кусочкам, Ρ‚Π°ΠΊ вСдь? ΠŸΠΎΡΡ‚ΠΎΠΌΡƒ Π½Π° ΠΊΠ°ΠΆΠ΄Ρ‹ΠΉ Π΄ΠΈΠΎΠ΄ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π½Π°ΠΉΡ‚ΠΈ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠΉ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€, ΠΊΠ°ΠΊ UΠΎΠ±Ρ€.макс , ΠΏΡ€Π΅Π²Ρ‹ΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎ для Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π° Ρ€Π°Π²Π½ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π½ΠΎ Π»Π΅Ρ‚Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΌΡƒ исходу.Β 

ΠžΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½Ρ‹ΠΉ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ

НапримСр, для Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π° Π”226Π‘:

ΠžΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½Ρ‹ΠΉ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ

ΠžΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½Ρ‹ΠΉ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ

UΠΎΠ±Ρ€.макс = 500 Π’ΠΎΠ»ΡŒΡ‚, Π° максимальноС ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠ΅ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ½ΠΎΠ΅ UΠΎΠ±Ρ€. ΠΈΠΌΠΏ.макс = 600 Π’ΠΎΠ»ΡŒΡ‚. Но ΠΈΠΌΠ΅ΠΉΡ‚Π΅ Π²Π²ΠΈΠ΄Ρƒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ элСктронныС схСмы ΠΏΡ€ΠΎΠ΅ΠΊΡ‚ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‚, ΠΊΠ°ΠΊ говорится β€œΡ 30% запасом”. И Ссли Π΄Π°ΠΆΠ΅ Π² схСмС ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС Π½Π° Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π΅ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ 490 Π’ΠΎΠ»ΡŒΡ‚,Β  Ρ‚ΠΎ Π² схСму поставят Π΄ΠΈΠΎΠ΄, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ Π²Ρ‹Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠΈΠ²Π°Π΅Ρ‚ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ 600 Π’ΠΎΠ»ΡŒΡ‚. Π‘ критичСскими значСниями Π»ΡƒΡ‡ΡˆΠ΅ Π½Π΅ ΠΈΠ³Ρ€Π°Ρ‚ΡŒ). Π˜ΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ½ΠΎΠ΅ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС – это Ρ€Π΅Π·ΠΊΠΈΠ΅ всплСски напряТСния, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ Π΄ΠΎΡΡ‚ΠΈΠ³Π°Ρ‚ΡŒ Π°ΠΌΠΏΠ»ΠΈΡ‚ΡƒΠ΄ΠΎΠΉ Π΄ΠΎ 600 Π²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚. Но здСсь Ρ‚ΠΎΠΆΠ΅ Π»ΡƒΡ‡ΡˆΠ΅ Π²Π·ΡΡ‚ΡŒ с  нСбольшим запасом.

ΠžΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½Ρ‹ΠΉ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ

Вак… Π° Ρ‡Ρ‚ΠΎ я это всС ΠΏΡ€ΠΎ Π΄ΠΈΠΎΠ΄ Π΄Π° ΠΏΡ€ΠΎ диод… ΠœΡ‹ ΠΆΠ΅ Π²Ρ€ΠΎΠ΄Π΅ ΠΊΠ°ΠΊ транзисторы ΠΈΠ·ΡƒΡ‡Π°Π΅ΠΌ. Но ΠΊΠ°ΠΊ Π½ΠΈ ΠΊΡ€ΡƒΡ‚ΠΈ, Π΄ΠΈΠΎΠ΄ – ΠΊΠΈΡ€ΠΏΠΈΡ‡ΠΈΠΊ для построСния транзистора. Π—Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚, Ссли ΠΏΡ€ΠΈΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚ΡŒ ΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠΌΡƒ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Ρƒ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС, Ρ‚ΠΎ Ρƒ нас Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ ΠΏΠΎΡ‚Π΅Ρ‡Π΅Ρ‚ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ, ΠΊΠ°ΠΊ Π² Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π΅? ИмСнно Ρ‚Π°ΠΊ. И называСтся Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠΉ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ Π² транзисторС  ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½Ρ‹ΠΉ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ. Π£ нас ΠΎΠ½ обозначаСтся ΠΊΠ°ΠΊ IΠšΠ‘Πž , Ρƒ Π±ΡƒΡ€ΠΆΡƒΠ΅Π² – ICBO . Π Π°ΡΡˆΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ΡΡ ΠΊΠ°ΠΊ β€œΡ‚ΠΎΠΊ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΈ Π±Π°Π·ΠΎΠΉ, ΠΏΡ€ΠΈ ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΎΠΌ эмиттСрС”. Π“Ρ€ΡƒΠ±ΠΎ говоря, Π½ΠΎΠΆΠΊΠ° эмиттСра Π½ΠΈΠΊΡƒΠ΄Π° Π½Π΅ цСпляСтся ΠΈ висит Π² Π²ΠΎΠ·Π΄ΡƒΡ…Π΅.

Π§Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ Π·Π°ΠΌΠ΅Ρ€ΡΡ‚ΡŒ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°, достаточно ΡΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚ΡŒ Π²ΠΎΡ‚ Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠ΅ ΠΏΡ€ΠΎΡΡ‚Π΅Π½ΡŒΠΊΠΈΠ΅ схСмки:

Β Β Β Β Β Β Β Β Β  Β Β  Β Β Β Β  для NPN транзистора                                                для PNP транзистора

Π£ ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠ΅Π²Ρ‹Ρ… транзисторов ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° мСньшС, Ρ‡Π΅ΠΌ 1 мкА, Ρƒ Π³Π΅Ρ€ΠΌΠ°Π½ΠΈΠ΅Π²Ρ‹Ρ…: 1-30 мкА. Π’Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ Ρƒ мСня ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ замСряСт Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ ΠΎΡ‚ 10 мкА,Β  Π° Π³Π΅Ρ€ΠΌΠ°Π½ΠΈΠ΅Π²Ρ‹Ρ… транзисторов ΠΏΠΎΠ΄ Ρ€ΡƒΠΊΠΎΠΉ Π½Π΅Ρ‚, Ρ‚ΠΎ провСсти этот ΠΎΠΏΡ‹Ρ‚ я Π½Π΅ смогу, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ Ρ€Π°Π·Ρ€Π΅ΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€Π° Π½Π΅ позволяСт.

ΠœΡ‹ Ρ‚Π°ΠΊ ΠΈ Π½Π΅ ΠΎΡ‚Π²Π΅Ρ‚ΠΈΠ»ΠΈ Π½Π° вопрос, ΠΏΠΎΡ‡Π΅ΠΌΡƒ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ Π²Π°ΠΆΠ½ΠΎΠ΅ Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΈ приводится Π² справочниках? ВсС Π΄Π΅Π»ΠΎ Π² Ρ‚ΠΎΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π΅ транзистор рассСиваСт ΠΊΠ°ΠΊΡƒΡŽ-Ρ‚ΠΎ ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Π² пространство, Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚ нагрСваСтся. ΠžΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ сильно зависит ΠΎΡ‚ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹ ΠΈ Π½Π° ΠΊΠ°ΠΆΠ΄Ρ‹Π΅ 10 градусов ΠΏΠΎ ЦСльсию ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ²Π°Π΅Ρ‚ своС Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π² Π΄Π²Π° Ρ€Π°Π·Π°. НС, Π½Ρƒ Π° Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ³ΠΎ? ΠŸΡƒΡΡ‚ΡŒ возрастаСт, Π½ΠΈΠΊΠΎΠΌΡƒ ΠΆΠ΅ Π²Ρ€ΠΎΠ΄Π΅ Π½Π΅ ΠΌΠ΅ΡˆΠ°Π΅Ρ‚.

ВлияниС ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°

ВсС Π΄Π΅Π»ΠΎ Π² Ρ‚ΠΎΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π² Π½Π΅ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… схСмах Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ Ρ‡Π°ΡΡ‚ΡŒ этого Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΏΡ€ΠΎΡ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· эмиттСрный ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄. А ΠΊΠ°ΠΊ ΠΌΡ‹ с Π²Π°ΠΌΠΈ ΠΏΠΎΠΌΠ½ΠΈΠΌ, Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· эмиттСрный ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ Ρ‚Π΅Ρ‡Π΅Ρ‚ Π±Π°Π·ΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ. Π§Π΅ΠΌ большС ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰ΠΈΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ (Ρ‚ΠΎΠΊ Π±Π°Π·Ρ‹) Ρ‚Π΅ΠΌ большС управляСмый (Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°). Π­Ρ‚ΠΎ ΠΌΡ‹ с Π²Π°ΠΌΠΈ рассматривали Π΅Ρ‰Π΅ Π² ΠΏΡ€ΠΎΒ ΡˆΠ»ΠΎΠΉ ΡΡ‚Π°Ρ‚ΡŒΠ΅. Π‘Π»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ, малСйшСС ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π±Π°Π·ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π²Π΅Π΄Π΅Ρ‚ ΠΊ Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠΎΠΌΡƒ измСнСнию ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΈ вся схСма  Π½Π°Ρ‡ΠΈΠ½Π°Π΅Ρ‚ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ Π½Π΅ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎ.

Как Π±ΠΎΡ€ΡŽΡ‚ΡΡ с ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½Ρ‹ΠΌ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½Ρ‹ΠΌ Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ

Π—Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚, самый Π³Π»Π°Π²Π½Ρ‹ΠΉ Π²Ρ€Π°Π³ транзистора – это Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π°. Как ΠΆΠ΅ с Π½Π΅ΠΉ Π±ΠΎΡ€ΡŽΡ‚ΡΡ Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠΈ радиоэлСктронной Π°ΠΏΠΏΠ°Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹ (РЭА)?

– ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ транзисторы, Ρƒ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½Ρ‹ΠΉ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ ΠΌΠ°Π»ΠΎΠ΅ Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅. Π­Ρ‚ΠΎ, ΠΊΠΎΠ½Π΅Ρ‡Π½ΠΎ ΠΆΠ΅, ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠ΅Π²Ρ‹Π΅ транзисторы. НСбольшая подсказка – ΠΌΠ°Ρ€ΠΊΠΈΡ€ΠΎΠ²ΠΊΠ° ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠ΅Π²Ρ‹Ρ… транзисторов начинаСтся с Π±ΡƒΠΊΠ² β€œΠšΠ’β€, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π°Π΅Ρ‚ ΠšΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠ΅Π²Ρ‹ΠΉ Вранзистор.

– использованиС схСм, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ ΠΌΠΈΠ½ΠΈΠΌΠΈΠ·ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‚ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°.

ΠžΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° – Π²Π°ΠΆΠ½Ρ‹ΠΉ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ транзистора. Он приводится Π² Π΄Π°Ρ‚Π°ΡˆΠΈΡ‚Π΅ Π½Π° ΠΊΠ°ΠΆΠ΄Ρ‹ΠΉ транзистор. Π’ схСмах, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ Π² ΡΠΊΡΡ‚Ρ€Π΅ΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π½Ρ‹Ρ… условиях, ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΈΠ³Ρ€Π°Ρ‚ΡŒ ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΡƒΡŽ Ρ€ΠΎΠ»ΡŒ. ΠŸΠΎΡΡ‚ΠΎΠΌΡƒ, Ссли собираСтС схСму, Π³Π΄Π΅ Π½Π΅ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ Ρ€Π°Π΄ΠΈΠ°Ρ‚ΠΎΡ€ ΠΈ вСнтилятор, Ρ‚ΠΎ, ΠΊΠΎΠ½Π΅Ρ‡Π½ΠΎ ΠΆΠ΅, Π»ΡƒΡ‡ΡˆΠ΅ Π²Π·ΡΡ‚ΡŒ транзисторы с ΠΌΠΈΠ½ΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½Ρ‹ΠΌ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½Ρ‹ΠΌ Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ.

Биполярный Вранзистор. Π‘ΠΎΠΏΡ€ΠΎΡ‚ΠΈΠ²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°, эмиттСра, Π±Π°Π·Ρ‹. ΠŸΠΎΡ‡Π΅ΠΌΡƒ ΠΎΠ½ΠΈ Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π°ΡŽΡ‚ΡΡ?

ЀизичСски имССтся Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ сопротивлСниС Ρ‚Π΅Π»Π° Π±Π°Π·Ρ‹ rΠ±. rэ это Π½Π΅ «ΡΠΎΠΏΡ€ΠΎΡ‚ΠΈΠ²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ эмиттСра», Π° динамичСскоС сопротивлСниС эмиттСрного ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π°. Оно большС rΠ± Π² h31э Ρ€Π°Π·, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ напряТСниС ΠΎΠ΄Π½ΠΎ ΠΈ Ρ‚ΠΎ ΠΆΠ΅, Π° Ρ‚ΠΎΠΊ Π²ΠΎΡ‚ Π²ΠΎ ΡΡ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ Ρ€Π°Π· большС. Никакого сопротивлСния ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° Π½Π΅Ρ‚, эта Ρ†Π΅ΠΏΡŒ ΡΠΎΠ²Π΅Ρ€ΡˆΠ΅Π½Π½ΠΎ Π½Π΅ омичСская. МоТно Π³ΠΎΠ²ΠΎΡ€ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΎ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌ (Π²Π½ΡƒΡ‚Ρ€Π΅Π½Π½Π΅ΠΌ) сопротивлСнии (Π΄ΠΈΡ„Ρ„Π΅Ρ€Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΌ) . Оно Π΄Π΅ΠΉΡΡ‚Π²ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ сотни ΠΊΠΎΠ»ΠΎΠΎΠΌ, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΌΠ°Π»ΠΎ зависит ΠΎΡ‚ напряТСния Π½Π° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π΅. МоТно Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ просто ΠΏΠΎΠ΄Π΅Π»ΠΈΡ‚ΡŒ напряТСниС Π½Π° Ρ‚ΠΎΠΊ, Π½ΠΎ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ это Π½Π΅ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ Π½ΠΈΠΊΠ°ΠΊΠΈΠΌ сопротивлСниСм.

НС совсСм ясно, ΠΊΠ°ΠΊΠΎΠΉ схСмой замСщСния Π²Ρ‹ пользовались. Π‘Ρ‹Π»ΠΎ Π±Ρ‹ ΠΏΡ€ΠΎΡ‰Π΅, Ссли Π±Ρ‹ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π»ΠΈ. Если это Ρ‚ΠΎ, ΠΎ Ρ‡Π΅ΠΌ я Π΄ΡƒΠΌΠ°ΡŽ, ΠΈ сопротивлСниС э-ΠΊ Ρ€Π°Π²Π½ΠΎ суммС э ΠΈ ΠΊ сопротивлСний, Ρ‚ΠΎ нСпонятно, ΠΏΠΎΡ‡Π΅ΠΌΡƒ Ρ‚Π°ΠΊ ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎ. Π’Π°ΠΊ. ΠŸΡƒΡΡ‚ΡŒ транзистор Н-П-Н. Π’ΠΎΠ³Π΄Π° элСктроны ΠΈΠ· эммитСра ΠΈΠ½ΠΆΠ΅ΠΊΡ‚ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ Π² Π±Π°Π·Ρƒ. сопротивлСниС для Π½ΠΈΡ… ΠΌΠ°Π»ΠΎ. Π² Π±Π°Π·Π΅ ΠΎΠ½ΠΈ ΡΠ²Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ ΡƒΠΆΠ΅ Π½Π΅ основными носитСлями, Ρ‚. ΠΊ. Ρ‚Π°ΠΌ основныС Π΄Ρ‹Ρ€ΠΊΠΈ (П-Ρ‚ΠΈΠΏ) . ΠŸΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ Π‘Π°Π·Π°-ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ ускоряСт эти элСктроны ΠΈ ΠΎΠ½ΠΈ ΠΏΠΎΠΏΠ°Π΄Π°ΡŽΡ‚ Π½Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄. Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚ — сопротивлСниС Π­-К ΠΎΠΎΠΎΠΎΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ малСнькоС. Π”Ρ‹Ρ€ΠΊΠΈ ΠΈΠ· Π±Π°Π·Ρ‹ ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ Π±Π΅ΠΆΠ°Ρ‚ΡŒ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ Π² эммитСр, ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ°Ρ сопротивлСниС Π­-Π‘, Π½ΠΎ ΠΈΡ… Π½Π° ΠΏΠ°Ρ€Ρƒ порядков мСньшС элСктроны. Π‘ΠΎΠΏΡ€ΠΎΡ‚ΠΈΠ²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π‘-К ΠΎΠΎΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ большоС — ΠΏΠΎΡ‚ΠΎΠΌΡƒ Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π½ΠΈΠΌΠΈ Π±Π°Ρ€ΡŒΠ΅Ρ€: элСктроны К Π½Π΅ ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ Π΅Π³ΠΎ ΠΏΡ€Π΅ΠΎΠ΄ΠΎΠ»Π΅Ρ‚ΡŒ Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΠΊΠ°ΠΊ ΠΈ Π΄Ρ‹Ρ€ΠΊΠΈ Π‘. Π’ΠΎΠ·ΡŒΠΌΠΈΡ‚Π΅ Ρ…ΠΎΡ€ΠΎΡˆΠΈΠΉ ΡƒΡ‡Π΅Π±Π½ΠΈΠΊ ΠΈ ΠΏΠΎΡ‡ΠΈΡ‚Π°ΠΉΡ‚Π΅. Он даст Π²Π°ΠΌ ΠΏΠΎΠ»Π½Ρ‹ΠΉ ΠΎΠ±Π·ΠΎΡ€, Π° Π½Π΅ кусочныС знания. Если ΠΏΡ€Π΅ΠΏΠΎΠ΄ придрался, Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚ Ρ‡Ρ‚ΠΎ-Ρ‚ΠΎ Π½Π΅ ΠΏΠΎΠ½ΠΈΠΌΠ°Π΅Ρ‚Π΅. Нравится ΡƒΡ‡Π΅Π±Π½ΠΈΠΊ

ВсС Ρ‚ΠΎΡ‚ ΠΆΠ΅ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ ΠΈ эмиттСр

Ρ†ΠΎΠΊΠΎΠ»Π΅Π²ΠΊΠ° транзисторов Π²Π²Π΅Π΄ΠΈ Π² ΠΈΠ½Π΅Ρ‚Π΅

НС Π·Π°Π±ΠΈΠ²ΠΉ Π³ΠΎΠ»ΠΎΠ²Ρƒ, возьми справочник ΠΈΠ»ΠΈ ΠΎΡ‚ΠΊΠΎΠΏΠ°ΠΉ Π² ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Ρ€Π½Π΅Ρ‚Π΅.

Если транзистор ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½Ρ‹ΠΉ ( стрСлка эмиттСра Π²Π½Π΅ ΠΊΡ€ΡƒΠΆΠΊΠ°) Π±Π°Π·Π°, ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ эм. ΠΈ ΠΊΠΎΠ». ΠΏΠΎΠΊΠ°ΠΆΠ΅Ρ‚ 200 — 800 Ом (Π²ΠΎΡ‚ это Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ Ρ€Π°Π·Π½Ρ‹ΠΌ Π½ΠΎ ΠΏΠΎΡ‡Ρ‚ΠΈ ΠΎΠ΄ΠΈΠ½Π°ΠΊΠΎΠ²Ρ‹ΠΌ для ΠΎΡ‚Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚Ρ€-Ρ€Π°) ΠΏΡ€ΠΈ присоСдинСнии ΠΊ Π½Π΅ΠΉ красного (+) ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π° ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€Π°. ΠŸΡ€ΠΈ присоСдинСнии Ρ‡Ρ‘Ρ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ (БОМ) Π½Π° Π±Π°Π·Ρƒ, ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΡ… ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ Π½ΠΈΡ‡Π΅Π³ΠΎ Π½Π΅ ΠΏΠΎΠΊΠ°ΠΆΠ΅Ρ‚. Для прямого всё Π½Π°ΠΎΠ±ΠΎΡ€ΠΎΡ‚. Надо ΡΡ‚Π°Ρ€Π°Ρ‚ΡŒΡΡ Π½Π΅ ΠΊΠ°ΡΠ°Ρ‚ΡŒΡΡ ΠΏΠ°Π»ΡŒΡ†Π°ΠΌΠΈ Π»ΡŽΠ±Ρ‹Ρ… Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ²Π΅Π΄ΡƒΡ‰ΠΈΡ… частСй Ρ‚Ρ€ -Ρ€Π° ΠΈ корпуса Π² Ρ‚ΠΎΠΌ числС . ΠœΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΈ эмиттСром Π² ΠΌΠ°Π»ΠΎΠΌΠΎΡ‰Π½Ρ‹Ρ… ΠΈ Π½Π΅ составных ΠΌΠΎΡ‰Π½Ρ‹Ρ… Ρ‚Ρ€-Ρ€Π°Ρ… сопротивлСниС Π½Π΅ Π·Π²ΠΎΠ½ΠΈΡ‚ΡŒΡΡ Π² Π»ΡŽΠ±ΡƒΡŽ сторону. Π’ составных (КВ825 ΠΈ ΠΏΡ€) звонится, Π½Π΅ заморачивайся! Для Π³Π΅Ρ€ΠΌΠ°Π½ΠΈΠ΅Π²Ρ‹Ρ… нСсколько ΠΈΠ½Π°Ρ‡Π΅.. . Π½ΠΎ ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠΉ ΠΏΠΎ Π±Π°Π·Π΅ Π΄Π°Ρ‘Ρ‚ ΠΏΠΎΡ‡Ρ‚ΠΈ ΠΎΠ΄ΠΈΠ½Π°ΠΊΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚ ΠΈ Π½Π° ΠΊΠΎΠ». ΠΈ Π½Π° эм. НС Π·Π°Π±ΡƒΠ΄ΡŒ Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρƒ соврСмСнных Ρ‚Ρ€-Ρ€ΠΎΠ² корпус, Ссли ΠΎΠ½ доступСн, вскгда ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€. (Π΅ΡΡ‚ΡŒ экзотика )

ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π±Π°Π·ΠΎΠΉ ΠΈ эмиттСром большСС сопротивлСниС Ρ‡Π΅ΠΌ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π±Π°Π·ΠΎΠΉ ΠΈ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ

разброс сопротивлСний Π‘Πš ΠΈ Π‘Π­ Π΄Π°ΠΆΠ΅ Π² Ρ€Π°ΠΌΠΊΠ°Ρ… ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ ΠΏΠ°Ρ€Ρ‚ΠΈΠΈ достаточно большой, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π±Ρ‹Π»ΠΎ с ΡƒΠ²Π΅Ρ€Π΅Π½Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡΡ‚ΡŒ КЭ ΠΏΠΎ ΡΠΎΠΏΡ€ΠΎΡ‚ΠΈΠ²Π»Π΅Π½ΠΈΡŽ, Π΄Π΅Π»ΠΎ Π² Ρ‚ΠΎΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ сопротивлСниС измСряСтся ΠΏΠΎΠ΄ ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Ρ‘Π½Π½Ρ‹ΠΌ напряТСниСм тСстСра, ΠΈ ΠΈΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎ ΠΎΡ‚ Π½Π΅Π³ΠΎ ΠΈ зависит это сопротивлСниС (ВАΠ₯ транзистора) . поэтому ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ ΠΏΠΎ Ρ†ΠΎΠΊΠΎΠ»Ρ‘Π²ΠΊΠ΅, Π±Π»Π°Π³ΠΎ Π² Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠΈΠ½ΡΡ‚Π²Π΅ случаСв ΠΎΠ½Π° типовая для ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Ρ‘Π½Π½Ρ‹Ρ… Ρ‚ΠΈΠΏΠΎΠ² корпусов.

Π§Ρ‚ΠΎ Ρ‚ΠΎ полная лапша, ΠΎΠΌΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ ΠΏΡ€ΠΈ исправном транзисторС, ΠΏΠΎΠΊΠ°ΠΆΠ΅Ρ‚ сопротивлСниС, Π±Π°Π·Π° — эмиттСр, Π±Π°Π·Π°- ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ Π² ΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π°Ρ… 12-30 ΠΎΠΌ, зависит ΠΎΡ‚ Ρ‚ΠΈΠΏΠ°, эти значСния ΠΏΠΎΡ‡Ρ‚ΠΈ ΠΎΠ΄ΠΈΠ½Π°ΠΊΠΎΠ²Ρ‹, Π° Ссли Π΅ΡΡ‚ΡŒ ощутимая Ρ€Π°Π·Π½ΠΈΡ†Π°, Π² показаниях, ΠΊ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Ρƒ — Π±Π°Π·Π° -эмиттСр 20 ΠΎΠΌ, Π° Π±Π°Π·Π° — ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ 150 ΠΎΠΌ, Ρ‚ΠΎ это составной транзистор…. Показания Π² 5 ΠΎΠΌ, ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ½ΡΡ‚ΡŒ, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΏΡ€ΠΎΠ±ΠΎΠΉ….))))) Π£Ρ‡ΠΈΡΡŒ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ с ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ΠΎΠΌ….

Как ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠΌ Π³Π΄Π΅ Ρƒ транзистора Π±Π°Π·Π°, эмиттСр, ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€. Волько доступно! Π•ΠΉ Π±ΠΎΠ³Ρƒ Ρƒ всСх Ρ€Π°Π·Π½Ρ‹Π΅)

Π­Ρ‚ΠΎ нСслоТно, хотя ΠΈ Ρ‚Ρ€ΡƒΠ΄ΠΎΡ‘ΠΌΠΊΠΎ. Π’ΠΊΠ»ΡŽΡ‡ΠΈΡ‚Π΅ ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ Π² Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΊΠΈ Π΄ΠΈΠΎΠ΄ΠΎΠ², Π½Ρƒ ΠΈΠ»ΠΈ Π² Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ измСрСния сопротивлСния. ΠžΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚ΡŒ, Π³Π΄Π΅ Π±Π°Π·Π° ΠΈ ΠΊΠ°ΠΊΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΈΠΏΠ° транзистор, Π½Π΅ ΡˆΡ‚ΡƒΠΊΠ°: ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° Ρ‰ΡƒΠΏ Π½Π° Π±Π°Π·Π΅ ΠΈ Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ Ρ‰ΡƒΠΏ Ρ‚ΠΎ Π½Π° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π΅, Ρ‚ΠΎ Π½Π° эмиттСр, Π² ΠΎΠ±ΠΎΠΈΡ… случаях Π΄ΠΈΠΎΠ΄ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ΅Π½ «Π·Π²ΠΎΠ½ΠΈΡ‚ΡŒΡΡ». Π’Π΅ΠΌ самым ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π½Π°ΠΉΡ‚ΠΈ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ Π±Π°Π·Ρ‹. А Ρ‚ΠΎ, ΠΊΠ°ΠΊΠΎΠΉ ΠΈΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎ Ρ‰ΡƒΠΏ (ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ ΠΈΠ»ΠΈ ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ) оказался Π½Π° Π±Π°Π·Π΅, Π³ΠΎΠ²ΠΎΡ€ΠΈΡ‚ ΠΎ Ρ‚ΠΈΠΏΠ΅ транзистора: Ссли ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ — Ρ‚ΠΎ транзистор npn, Ссли ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ — pnp. Π’Π΅ΠΏΠ΅Ρ€ΡŒ Π½Π°Π΄ΠΎ ΠΎΡ‚Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ ΠΎΡ‚ эмиттСра. Для этого Π½Π°Π΄ΠΎ ΡΡ€Π°Π²Π½ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΏΠ°Π΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ напряТСния (ΠΈΠ»ΠΈ показания сопротивлСния) для Π΄Π²ΡƒΡ… случаСв: просто Π±Π°Π·Π° Π½Π° Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄, ΠΈΠ»ΠΈ Π±Π°Π·Π°, соСдинёная с Ρ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒΠΈΠΌ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ, — Π½Π° Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ. Если Π²ΠΎΡ‚ этот Ρ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΠΈΠΉ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄, соСдинённый с Π±Π°Π·ΠΎΠΉ Π½Π°ΠΊΠΎΡ€ΠΎΡ‚ΠΊΠΎ, — эмиттСр, Ρ‚ΠΎ показания ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π° Π½Π΅ измСнятся. А Π²ΠΎΡ‚ Ссли это ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ — Ρ‚ΠΎ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€Π΅Π½Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС нСсколько ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠΈΡ‚ΡΡ (для ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠ΅Π²ΠΎΠ³ΠΎ транзистора это ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Π½ΠΎ 0,1-0,2 Π’) . Π­Ρ‚ΠΎ Π²ΠΏΠΎΠ»Π½Π΅ Π·Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Π½ΠΎ Π½Π° Ρ†ΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²ΠΎΠΌ ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π΅. Ну собсно ффсё.

Π’Π½Π΅ зависимости ΠΎΡ‚ структуры транзистора ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π±Π°Π·ΠΎΠΉ ΠΈ ΠΊΠΎΠ»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ, Π±Π°Π·ΠΎΠΉ ΠΈ эмиторм ΠΏΡ€Π΅ΠΌΠ΅Ρ€Π½ΠΎ ΠΎΠ΄ΠΈΠ½Π°ΠΊΠΎΠ²ΠΎΠ΅ сопротивлСниС (ΠΊΠΎΠ»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ мСньшС Ρ‡ΡƒΡ‚ΡŒ Ρ‡ΡƒΡ‚ΡŒ) Π² ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΌ Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠΈ Π½Π΅ звонится ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ Π½Π°ΡƒΡ‡Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚Ρ‹ΠΊΠ° тСстСром Π½Π°Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌ Π΄Π°Π½Π½ΡƒΡŽ ΠΊΠΎΠΌΠ±ΠΈΠ½Π°Ρ†ΠΈΡŽ

Π‘-Π­ звонится Π‘-К звонится, ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎ Π½Π΅ звонятся, К-Π­ звонится Π² зависимости ΠΎΡ‚ Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ ΠΊΠ°ΠΊΠΎΠΉ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊ n-p-n ΠΈΠ»ΠΈ p-n-p

1 я Π½ΠΎΠΆΠΊΠ° Π±Π°Π·Π° 2 эмиттСр 3 ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ СвропСйский ΠΈ амСриканский стандарт

ΠŸΡ€ΠΎΡ‡Ρ‚ΠΈΡ‚Π΅ Π½ΠΈΠΆΠ΅ ΠΏΠΎ ссылкС. Π’Π΅ΠΌ всё объяснСно достаточно просто, ΠΏΠΎΠ΄Ρ€ΠΎΠ±Π½ΠΎ ΠΈ с фотографиями: httpΠͺΠͺΠͺ: //ΠͺΠͺΠͺsesaga.ΠͺΠͺΠͺru/kak-proverit-tranzistor-multimetrom.html Π’Π²Ρ‘Ρ€Π΄Ρ‹Π΅ Π·Π½Π°ΠΊΠΈ ΠΈΠ· ссылки ΡƒΠ±Π΅Ρ€ΠΈΡ‚Π΅.

Как ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ΡΡ транзистор? ΠžΠ±ΡŠΡΡΠ½ΠΈΡ‚Π΅ Π½ΠΎΠ²ΠΈΡ‡ΠΊΡƒ. ΠšΡƒΠ΄Π° Π­ΠΌΠΈΡ‚Ρ‚Π΅Ρ€, ΠΊΡƒΠ΄Π° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€, ΠΊΡƒΠ΄Π° Π±Π°Π·Ρƒ?

Π­Ρ‚ΠΎ зависит ΠΎΡ‚ Ρ‚ΠΈΠΏΠ° ΠΈ ΠΌΠ°Ρ€ΠΊΠΈ. ΠΈ Π³Π΄Π΅ ΠΎΠ½ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ ΠΈΠ»ΠΈ планируСтся ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒΡΡ

зависит ΠΎΡ‚ Ρ‚ΠΈΠΏΠ° ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π°, ΠΈ схСмы Π² ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ ΠΎΠ½ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π΅Ρ‚. ΠΏΠΎΡ‡ΠΈΡ‚Π°ΠΉ <a rel=»nofollow» href=»http://ru.wikipedia.org/wiki/Вранзистор» target=»_blank»>http://ru.wikipedia.org/wiki/Вранзистор</a>

<a rel=»nofollow» href=»http://radiocon-net.narod.ru/page16.htm» target=»_blank» >Ρ‚Π΅Π±Π΅ сюда!! </a><img src=»//otvet.imgsmail.ru/download/2dfdeb483f98784d63ffdd2dede53b2c_i-373.gif» >

Π‘Π°ΠΌΠΎΠ΅ распространённоС ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ — это, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π» valcoder Π½Π° ΠΏΡ€ΠΈΠ»Π°Π³Π°Π΅ΠΌΠΎΠΉ схСмС. Π’ схСмС стоит транзистор N-P-N Ρ‚ΠΈΠΏΠ° (ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΉ проводимости, Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ стрСлочки Π½Π° эмиттСрС ΡƒΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ Ρ‚ΠΈΠΏ проводимости) . Π­ΠΌΠΈΡ‚Ρ‚Π΅Ρ€ (со стрСлочкой) сидит Π½Π° Π·Π΅ΠΌΠ»Π΅, ΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Ρƒ ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ΡΡ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠ° (сопротивлСниС) , Π½Π° Π±Π°Π·Ρƒ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· ΠΎΠ³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‡ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‰Π΅Π΅ сопротивлСниС подаётся ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰ΠΈΠΉ сигнал. Взависимости ΠΎΡ‚ схСмы ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ, транзистор ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ Π² ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π²ΠΎΠΌ ΠΈΠ»ΠΈ ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΌ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅.

Π’Π΅Π±Π΅ ΠΆΠ΅ valcoder всё разрисовал! На ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Π΅ транзистора структуры n-p-n ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½ элСмСнтарный ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ. Π­ΠΌΠΈΡ‚Ρ‚Π΅Ρ€ — со стрСлочкой, Π±Π°Π·Π° — пСрпСндикуляр. ΠšΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ — догадайся с Ρ‚Ρ€Ρ‘Ρ… Ρ€Π°Π·! Π¦ΠΎΠΊΠΎΠ»Ρ‘Π²ΠΊΡƒ Π±Π°Ρ‚Π°Ρ€Π΅ΠΉΠΊΠΈ Ρ‚ΠΎΠΆΠ΅ ΠΎΠ±ΡŠΡΡΠ½ΡΡ‚ΡŒ?

Π”ΠΎΠ±Π°Π²ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΊΠΎΠΌΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Ρ€ΠΈΠΉ

Π’Π°Ρˆ адрСс email Π½Π΅ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΎΠΏΡƒΠ±Π»ΠΈΠΊΠΎΠ²Π°Π½. ΠžΠ±ΡΠ·Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ поля ΠΏΠΎΠΌΠ΅Ρ‡Π΅Π½Ρ‹ *