Таблица характеристик советских головок звукоснимателей

ГЗМ или импортные для советских пластинок? / Stereo.ru

Тоже был Арктур, я над ним долго издевался — улучшал его переделывал… На тот момент были напольные колонки Sony MF-500 за $200 и рессивер 5.1 за $250. Первое время была ГЗМ и MF какая-то, потом купил Grado black — разница в звуке была, и точно в положительную сторону: стало меньше искажений на сибилянтах, более натуральнее и чище стало звучание инструментов, вокала. На тот момент были только Мелодиевские пластинки, и довольно запиляные, но не царапаные и чистые. В качестве тестовых я использовал «Жестокий Романс», «Высоцкий+Влади», «Пугачёва Зеркало Души 2LP», хотя, Пугачева очень хорошо звучала и на старых иголках, а вот «Романс» и «Высоцкий» — точно стали намного лучше. Например, на «Мохнатом шмеле», когда начинает петь хор, на советских иголках все инструменты смешивались в кашу, и были такие характерные искажения, как «зашкаливания», а на Grado black искажения почти не осталось и уже можно стало расслышать голоса в хоре и какие инструменты играют. На Высоцком оркестр стал более живее, натуральнее. + на Градо стали более заметны любые изменения в конструкции проигрователя, т.е. удобнее стало контролировать результат от «модернизаций» и «улучшений». Потом я «для прикола» решил послушать колонки S90, так вот на них разница была не такая заметная, а иногда даже советские иголки были лучше, позже послушал wharfedale 9.1 – результат тот-же, что и Sony. НО, как только я послушал эту «конструкцию» на системе другого уровня (B&W 603s3 $1000+h/r970 $500), я понял, что слушать это невозможно: стал слышен каждый шорох в подшипнике диска, каждое неправильное движение тонарма.

Т.е. поставить новую иголку, конечно можно, и разница точно будет, но в конечном счете всё упрётся в «самое слабое звено» — в Арктур 006. На мой взгляд, идеальная иголка для старых советских пластинок — AT440, только у неё полностью отсутствуют искажения на сибилянтах (кроме тех, которые появились ещё на микрофоне) и она может «вытянуть» звук даже самых тихих инструментов, которые на ГЗМ, унитре и Градо Блэк даже не были слышны. +она может извлечь неплохой звук даже из сильно запиляных пластинок (а советские пластинки, практически все запиляны).

Ответы@Mail.Ru: Транзистор,что это такое?

Транзистор — это полупроводниковый прибор, заменивший в своё время электронные лампы в электрических цепях научной, промышленной и бытовой аппаратуры. Принцип работы транзистора сложен. Один из видов транзисторов- транзистор из германия и кремния с введёнными в них примесями. В нём используется возможность разных носителей ( электронов и дырок) создавать электрический ток. Такой транзистор содержит два р — п перехода. Образуется как бы три части: эмиттер, база и коллектор. Свойства р — п перехода используются для усиления и генерации электрических колебаний. Простите, но проще ответить на этот вопрос нельзя, потому что он довольно сложный.

Ты имеешь ввиду песню korn — twisted transistor?Это вроде бы химический элемент.

ну я так думаю что это типа нашего современного усилителя, хотя…. может я ошибаюсь…. если что извени

Блин.. . какой вопрос такие и ответы…;)

Полупроводниковый прибор на монокристалле с трёхслойной структурой; предназначен для усиления, генерирования и преобразования электрических колебаний.

Транзистор — электронное устройство на основе полупроводникового кристалла, в котором имеются два электронно-дырочных перехода, оказывающих влияние один на другой при их включении в электрическую цепь.

это страшная вещь как-то в работал на радиозаводе в цеху где их проверяли и паковали. пришлось бросить. по ночам стали сниться кошмары опираясь на емитер они подпрыгивли и кололи меня колектором и базой во все места… . и было их в день до миллиона штук …

Мда, ответы то что надо :-))))) , потому что вопрос очень обширен, и людям, даже если они и знают, просто в лом будет писать. На эту тему выпущены целые книги! Выше есть толковые ответы, но они книжные, поэтому захотела вот вставить и свой пятак в общее дело :-))))) Попробую своими словами. Грубо говоря транзистор — это прибор, в котором есть один управляющий вывод, и два «рабочих». К управляющему входу (база) подводится слабый сигнал, который мы хотим усилить. А к рабочим (коллектор, эмиттер) — подводится постоянное напряжение соразмерное типу транзистора. И, при соблюдении многих условий, это напряжение начинает «модулироваться» тем слабым сигналом, и так осуществляется усиление. Но это только один пример применения транзистора. У него очень много разных параметров и особенностей, зная и используя которые можно сделать из транзистора все, что угодно. От усилителя до переключателя. Почти все современные радиоэлементы в микросхемах и процессорах собраны на транзисторах. Надеюсь, не утомила :-)) . Действительно, всего не расскажешь. Поэтому желаю терпения и хорошего любопытства, чтобы в этом разобраться :-)))

транзистор полупроводниковый триод- радиоэлектронный компонент из полупроводникового материала, обычно с тремя выводами, способный от небольшого входного сигнала управлять значительным током в выходной цепи, что позволяет использовать его для усиления, генерирования, коммутации и преобразования электрических сигналов. В настоящее время транзистор является основой схемотехники подавляющего большинства электронных устройств и интегральных микросхем. Транзисторами также называются дискретные электронные приборы, которые, выполняя функцию одиночного транзистора, имеют в своем составе много элементов, конструктивно являясь интегральной схемой, например составной транзистор или многие транзисторы большой мощности. Транзисторы по структуре, принципу действия и параметрам делятся на два класса- биполярные и полевые (униполярные). В биполярном транзисторе используются полупроводники с обоими типами проводимости, он работает за счет взаимодействия двух, близко расположенных на кристалле, p-n переходов и управляется изменением тока через база-эмиттерный переход, при этом вывод эмиттера всегда является общим для управляющего и выходного токов. В полевом транзисторе используется полупроводник только одного типа проводимости, расположенный в виде тонкого канала, на который воздействует электрическое поле изолированного от канала затвора, управление осуществляется изменением напряжения между затвором и истоком. Полевой транзистор, в отличие от биполярного, управляется напряжением, а не током. В настоящее время в аналоговой технике доминируют биполярные транзисторы (БТ) (международный термин- BJT, bipolar junction transistor). В цифровой технике, в составе микросхем ( логика, память, процессоры, компьютеры, цифровая связь и т. п.), напротив, биполярные транзисторы почти полностью вытеснены полевыми. В 1990-е годы был разработан новый тип гибридных биполярно-полевых транзисторов- IGBT которые сейчас широко применяются в силовой электронике.

что это такое? Конструктивно-технологические особенности

В этой статье будет рассказано о таком элементе, как мосфет. Что это, какими свойствами обладает, для чего используется в современной электронике, будет рассказано ниже. Вы можете встретить два типа силовых транзисторов – MOSFET и IGBT. Они применяются в импульсных преобразователях высокой мощности – инверторах, блоках питания. Стоит рассмотреть все особенности этих элементов.

Основные сведения

Нужно отметить, что IGBT и мосфет транзисторы способны выдать очень большую мощность в нагрузку. При всем при этом устройство окажется очень маленьким по габаритам. Коэффициент полезного действия превышает у транзисторов значения в 95%. У мосфет и IGBT имеется одна общая черта – у них затворы изолированные, следствие этого – похожие параметры управления. Температурный коэффициент отрицательный у этих устройств, что позволяет делать такие транзисторы, которые будут устойчивы к воздействию короткого замыкания. На сегодняшний день мосфеты с нормированным значением времени перегрузки производятся почти всеми фирмами.

Драйверы для управления

Так как нет тока в цепи управления, в статическом режиме можно не использовать стандартные схемы. Разумнее применить специальный драйвер – интегральную схему. Многие фирмы выпускают устройства, которые позволяют управлять одиночными силовыми транзисторами, а также мостами и полумостами (трехфазными и двухфазными). Они могут выполнить различные вспомогательные функции – защитить от токовой перегрузки или КЗ, а также от большого падения напряжения в цепи управления мосфет. Что это за цепь, будет рассказано более детально ниже. Стоит заметить, что падение напряжения в цепи управления силовым транзистором – это очень опасное явление. Мощные мосфеты могут перейти в другой режим работы (линейный), вследствие чего выйдут из строя. Кристалл перегревается и транзистор сгорает.

Режим КЗ

Главная вспомогательная функция драйвера – это защита от токовых перегрузок. Необходимо внимательно посмотреть на работу силового транзистора в одном из режимов – короткого замыкания. Перегрузка по току может возникнуть по любой причине, но наиболее частые – замыкание в нагрузке либо же на корпус. Поэтому следует правильно осуществить управление мосфетами.

Перегрузка происходит из-за определенных особенностей схемы. Возможен переходный процесс либо возникновение тока обратного восстановления полупроводникового диода одного из плеч транзистора. Устранение таких перегрузок происходит схемотехническим методом. Используются цепи формирования траектории (снабберы), осуществляется подбор резистора в затворе, изолируется цепь управления от шины высокого тока и напряжения.

Как включается транзистор при КЗ в нагрузке

Когда в нагрузке происходит КЗ, в коллекторной цепи ток ограничивается определенным напряжением в затворе, а также крутизной характеристик самого транзистора. В цепи питания при этом имеется некоторая емкость, поэтому внутреннее сопротивление самого источника никак не может оказать свое влияние на ток короткого замыкания. Как только происходит включение, в транзисторе плавно начинает происходить наращивание тока благодаря тому, что имеется паразитная индуктивность в коллекторной цепи. Этот же факт является причиной того, что имеется некий провал напряжения.

Ложные срабатывания

После того как переходный процесс завершится, к силовому транзистору будет приложено напряжение питания полностью. А это приведет к тому, что большая мощность будет рассеиваться в полупроводниковом кристалле. Отсюда можно сделать вывод о том, что режим короткого замыкания обязательно необходимо прерывать спустя определенный промежуток времени. Его должно хватить, чтобы исключить ложное срабатывание. Как правило, значение времени лежит в интервале 1…10 мкс. Характеристики транзистора должны быть такими, чтобы он без труда выдерживал эту перегрузку.

КЗ нагрузки при включенном транзисторе

Аналогично со случаем, рассмотренным выше, ток ограничен характеристиками самого транзистора. Он нарастает со скоростью, которая определяется индуктивностью (паразитной). Перед тем как этот ток дойдет до постоянного установившегося значения, начнется возрастание напряжения коллектора. На затворе происходит увеличение напряжения благодаря эффекту Миллера.

Ток на коллекторе увеличивается, причем он может значительно превышать установившееся значение. Именно для этого режима предусмотрено не только то, что отключается канальный мосфет, но и заложена возможность ограничения напряжения.

От напряжения, приложенного к затвору транзистора, зависит напрямую установившийся ток короткого замыкания. Но при снижении напряжения на затворе полупроводникового элемента происходит довольно интересная картина. Напряжение насыщения увеличивается и, как следствие, увеличиваются потери проводимости. Устойчивость транзистора к короткому замыканию тесным образом связана с крутизной его характеристик.

Ток КЗ и коэффициент усиления

Чем выше КУ у мосфетов по току, тем ниже напряжение насыщения. Также они способны выдерживать перегрузки небольшое время. С другой же стороны, полупроводники, которые более устойчивы к воздействию короткого замыкания, обладают очень высоким напряжением насыщения. Потери у них тоже очень существенные.

Большее максимально допустимое значение тока короткого замыкания имеет пионер мосфет, нежели простой биполярный транзистор. Как правило, он в десять раз превышает номинальное значение тока (при условии, что на затворе допустимое напряжение). Большая часть производителей (европейских и азиатских) выпускает транзисторы, которые выдерживают такие нагрузки, причем не повреждаются.

Драйвер защиты от перегрузки верхнего плеча

Существуют различные методы отключения элементов при перегрузке. При помощи драйверов различных производителей можно реализовывать любые защитные функции, причем максимально эффективно. Если возникла перегрузка, необходимо снизить напряжение затвора. В этом случае распознавание аварийного режима увеличивается по времени.

Благодаря этому получается исключить ложные срабатывания схемы защиты. Вот как проверить мосфет: попробуйте изменить значение емкости конденсатора. Если изменится время реакции на КЗ, то вся схема работает правильно. В схеме используется несколько элементов, у которых определенные обязанности. Например, подключенный к выводу драйвера, “ERR”-конденсатор позволяет определить время анализа перегрузок.

Аварийный режим работы

На этот временной промежуток производится включение схемы стабилизации тока в цепи коллектора. Благодаря этому происходит снижение напряжения на затворе полупроводникового элемента. В том случае, если не происходит прекращение перегрузки, транзистор отключается спустя 10 мкс. Защита отключается после того, как будет снят со входа сигнал. Благодаря этому осуществляется триггерная схема защиты.

Когда она применяется, необходимо уделять свое внимание промежутку времени, через которое происходит повторное включение транзистора мосфет. Что это за включение и какие у него особенности? Обратите внимание на то, что это время должно быть больше, чем тепловая постоянная (временная) полупроводникового кристалла, на основе которого изготовлен транзистор.

Недостатки схемы включения

В схеме применяются резисторы, у которых высокая мощность, но у них очень высокая индуктивность (паразитная, за счет использования некоторых материалов и технологий). А для идеального функционирования схемы нужно, чтобы емкость была близка нулю. Резисторы, применяемые для измерений импульсного тока, должны соответствовать вышеизложенному условию. Ко всему прочему резисторы теряют огромную мощность. А это отражается на эффективности всей схемы драйвера верхнего плеча.

Но существуют схемы включения, которые снижают потери мощности. Напряжение насыщения в любом случае зависит от коллекторного тока. Мосфет (что это, рассмотрено в статье) данную зависимость демонстрирует, можно сказать, линейную по причине того, что от тока на стоке транзистора не зависит сопротивление канала (активного). Но у мощных IGBT транзисторов эта зависимость не линейна, но можно без труда выбрать напряжение, которое будет соответствовать необходимому току защиты.

Драйвер трехфазного моста

В таких схемах также применяется резистор для измерений значения тока. Ток защиты определяется при помощи делителя напряжения. Широкую популярность получили драйверы IR2130, которые обеспечивают стабильную работу схемы при напряжении до 600 Вольт. Схема включает в себя транзистор полевого типа, у которого открыт сток (он служит для индикации наличия неисправностей). Устанавливается мосфет на плате при помощи жестких перемычек в качественной изоляции по этим причинам. В нем имеется усилитель, который вырабатывает определенный контрольный и обратной связи сигналы. При помощи драйвера происходит формирование задержки по времени между включениями транзисторов нижнего и верхнего плеч, чтобы исключить появление сквозного тока.

Как правило, в зависимости от модификации, время составляет 0,2…2 мкс. В драйвере IR2130, который используется для реализации схемы защиты, отсутствует функция ограничения максимального значения напряжения на затворе в момент короткого замыкания. При разработке схемы трехфазного плеча необходимо помнить о том, что отключение моста происходит спустя 1 мкс после начала короткого замыкания. Следовательно, ток (в особенности при наличии активной нагрузки) превышает значение, которое было рассчитано. Чтобы сбросить режим защиты и вернуться к рабочему, следует произвести отключение питания драйвера либо же осуществить подачу на его входы запирающего напряжения.

Драйверы нижнего плеча

Чтобы произвести управление транзисторами мосфет нижнего плеча, существуют качественные микросхемы фирмы Motorola, например, МС33153. Этот драйвер особенный, так как его можно с успехом использовать для двух типов защиты (по напряжению и току). Также имеется функция, которая разделяет два режима – перегрузки и короткого замыкания. Имеется возможность подачи некоторого напряжения (отрицательного для управления). Это полезно для случаев, когда необходимо производить управление модулями с высокой мощностью и достаточно большим значением заряда затвора. Отключается режим защиты IGBT (это ближайшие аналоги мосфетов) после того, как напряжение питания падает ниже отметки в 11 Вольт.

Кто разбирал головку звукоснимателя ГЗМ? Непонятные проволочки детектед — Общий

Привет трудящимся! Вдруг аудиофилы тут тоже есть?

Разобрал просевшую ГЗМ, она чесала пластинку пузом и истошно шкрыпела.

Подумал, что ничего не потеряю, если попытаюсь её подшаманить. Анатомию заодно поизучаю.

Вот тут то и подкралась неожиданность.

Внутри квадратной трубочки корпуса иглы обнаружились впаянные металлические усики, назначение которых мне неизвестно, и теперь дилемма, как собирать иглу назад, имея в виду заглубление её внутрь трубки, и как следует позиционировать магнит относительно этих усиков. Каково их назначение, и может я чего-то уже порвал (до меня порвали)?

Фото

Резиночка неожиданно светленькая и даже не потекла, но дрябленькая и палочка в ней как что-то в проруби.

В каком месте иглодержателя следует поставить демпфер, треть внутрь и две трети наружу? Понятно, что настраивать на слух, но с чего начать? (Главный вопрос однако по металлическим усикам.)