Дырочная проводимость это – Вопрос. Полупроводники. Электронная и дырочная проводимость полупроводников. Собственная и примесная проводимость.

Содержание

10.Электронная и дырочная проводимость полупроводников

Электронная проводимость.Одни полупроводники, например окислы алюминия, цинка, титана и др., обладают подобно металлам электронной проводимостью и называются полупроводниками типа n (от слова negative — отрицательный), так как в них ток представляет собой перемещение электронов, т. е. отрицательно заряженных частиц. В этих полупроводниках имеется большое количество полусвободных электронов, которые очень слабо связаны с ядрами атомов и совершают беспорядочное тепловое движение между атомами кристаллической решетки.

Дырочная проводимость.Полупроводники второго типа, к которым относятся закись меди, селен и другие вещества, обладают так называемой дырочной проводимостью и называются полупроводниками тина р (от слова positive — положительный). Электрический ток в них следует рассматривать как перемещение положительных зарядов. В полупроводниках типа р полусвободных электронов нет. Поэтому в них электроны не могут двигаться так, как в  полупроводниках типа n. Атом полупроводника типа р под влиянием тепловых или других  воздействий может потерять один из более удаленных от ядра электронов. Тогда атом будет иметь положительный заряд, численно равный заряду электрона.

11.Носители заряда в примесных полупроводниках.

Примесь, атомы которой отдают электроны, называют донорной, При введении донорной примеси концентрация электронов в кристалле резко возрастает. Она определяется в основном концентрацией атомов примеси. Одновременно происходит генерация пар «электрон – дырка», но количество электронов, возникающих при этом, значительно меньше, чем количество электронов, отдаваемых донорами. Поэтому концентрация электронов становится значительно выше концентрации дырок:

nn >> pn.

Электрический ток в таком полупроводнике создается в основном электронами, т.е. преобладает электронная составляющая тока. Полупроводник, обладающий преимущественно электронной электропроводностью, называют полупроводником

n-типа. В таком полупроводнике электроны являются основными носителями заряда, а дырки – неосновными носителями заряда.

12. Полупроводниковый диоды. Виды диодов. Свойства диодов. Обозначения на схемах.

Полупроводниковый диодполупроводниковый прибор с одним электрическим переходом и двумя выводами (электродами). В отличие от других типов диодов, принцип действия полупроводникового диода основывается на явлении p-n-перехода.

Обозначения диодов на схеме.

Выпрямительный

Диод Шотки

Стабилитрон

Стабистор

Варикап

Туннельный диод

Обращенный диод

13. Полупроводниковый диод при включении внешнего напряжения в прямом направлении. Прямая ветвь вах диода.

ВАХ – это вольт амперная характеристика. Ну а нас в этом разделе интересует вольт амперная характеристика полупроводникового диода.

График ВАХ диода показан на рис. 6.

Рис. 6. ВАХ полупроводникового диода.

На графике изображены ВАХ для прямого и обратного включения диода. Ещё говорят, прямая и обратная ветвь вольт-амперной характеристики. Прямая ветвь (Iпр и Uпр) отображает характеристики диода при прямом включении (то есть когда на анод подаётся «плюс»). Обратная ветвь (Iобр и Uобр) отображает характеристики диода при обратном включении (то есть когда на анод подаётся «минус»).

На рис. 6 синяя толстая линия – это характеристика германиевого диода (Ge), а чёрная тонкая линия – характеристика кремниевого (Si) диода. На рисунке не указаны единицы измерения для осей тока и напряжения, так как они зависят от конкретной марки диода.

Что же мы видим на графике? Ну для начала определим, как и для любой плоской системы координат, четыре координатных угла (квадранта). Напомню, что первым считается квадрант, который находится справа вверху (то есть там, где у нас буквы Ge и Si). Далее квадранты отсчитываются против часовой стрелки.

Итак, II-й и IV-й квадранты у нас пустые. Это потому, что мы можем включить диод только двумя способами – в прямом или в обратном направлении. Невозможна ситуация, когда, например, через диод протекает обратный ток и одновременно он включен в прямом направлении, или, иными словами, невозможно на один вывод одновременно подать и «плюс» и «минус». Точнее, это возможно, но тогда это будет короткое замыкание))).

Полупроводники. Структура полупроводников. Типы проводимости и возникновение тока в полупроводниках.

Здравствуйте уважаемые читатели сайта sesaga.ru. На сайте есть раздел посвященный начинающим радиолюбителям, но пока что для начинающих, делающих первые шаги в мир электроники, я толком ничего и не написал. Восполняю этот пробел, и с этой статьи мы начинаем знакомиться с устройством и работой радиокомпонентов (радиодеталей).

Начнем с полупроводниковых приборов. Но чтобы понять, как работает диод, тиристор или транзистор, надо представлять, что такое

полупроводник. Поэтому мы, сначала изучим структуру и свойства полупроводников на молекулярном уровне, а затем уже будем разбираться с работой и устройством полупроводниковых радиокомпонентов.

Полупроводниковые радиокомпоненты

Общие понятия.

Почему именно полупроводниковый диод, транзистор или тиристор? Потому, что основу этих радиокомпонентов составляют полупроводники – вещества, способные, как проводить электрический ток, так и препятствовать его прохождению.

Это большая группа веществ, применяемых в радиотехнике (германий, кремний, селен, окись меди), но для изготовления полупроводниковых приборов используют в основном только Кремний (Si) и Германий (Ge).

По своим электрическим свойствам полупроводники занимают среднее место между проводниками и непроводниками электрического тока.

Свойства полупроводников.

Электропроводность проводников сильно зависит от окружающей температуры.
При очень низкой температуре, близкой к абсолютному нулю (-273°С), полупроводники не проводят электрический ток, а с повышением температуры, их сопротивляемость току уменьшается.

Если на полупроводник навести свет, то его электропроводность начинает увеличиваться. Используя это свойство полупроводников, были созданы фотоэлектрические приборы. Также полупроводники способны преобразовывать энергию света в электрический ток, например, солнечные батареи. А при введении в полупроводники примесей определенных веществ, их электропроводность резко увеличивается.

Строение атомов полупроводников.

Германий и кремний являются основными материалами многих полупроводниковых приборов и имеют во внешних слоях своих оболочек по четыре

валентных электрона.

Атом германия состоит из 32 электронов, а атом кремния из 14. Но только 28 электронов атома германия и 10 электронов атома кремния, находящиеся во внутренних слоях своих оболочек, прочно удерживаются ядрами и никогда не отрываются от них. Лишь только четыре валентных электрона атомов этих проводников могут стать свободными, да и то не всегда. А если атом полупроводника потеряет хотя бы один электрон, то он становится положительным ионом.

В полупроводнике атомы расположены в строгом порядке: каждый атом окружен четырьмя такими же атомами. Причем они расположены так близко друг к другу, что их валентные электроны образуют единые орбиты, проходящие вокруг соседних атомов, тем самым связывая атомы в единое целое вещество.

Представим взаимосвязь атомов в кристалле полупроводника в виде плоской схемы.
На схеме красные шарики с плюсом, условно, обозначают ядра атомов (положительные ионы), а синие шарики – это валентные электроны.

Межатомная связь полупроводников

Здесь видно, что вокруг каждого атома расположены четыре точно таких же атома, а каждый из этих четырех имеет связь еще с четырьмя другими атомами и т.д. Любой из атомов связан с каждым соседним двумя валентными электронами, причем один электрон свой, а другой заимствован у соседнего атома. Такая связь называется двухэлектронной или ковалентной.

В свою очередь, внешний слой электронной оболочки каждого атома содержит восемь электронов:

четыре своих, и по одному, заимствованных от четырех соседних атомов. Здесь уже не различишь, какой из валентных электронов в атоме «свой», а какой «чужой», так как они сделались общими. При такой связи атомов во всей массе кристалла германия или кремния можно считать, что кристалл полупроводника представляет собой одну большую молекулу. На рисунке розовым и желтым кругами показана связь между внешними слоями оболочек двух соседних атомов.

Электропроводность полупроводника.

Рассмотрим упрощенный рисунок кристалла полупроводника, где атомы обозначаются красным шариком с плюсом, а межатомные связи показаны двумя линиями, символизирующими валентные электроны.

Упрощенная межатомная связь в полупроводнике

При температуре, близкой к абсолютному нулю полупроводник

не проводит ток, так как в нем нет свободных электронов. Но с повышением температуры связь валентных электронов с ядрами атомов ослабевает и некоторые из электронов, вследствие теплового движения, могут покидать свои атомы. Вырвавшийся из межатомной связи электрон становится «свободным», а там где он находился до этого, образуется пустое место, которое условно называют дыркой.

Чем выше температура полупроводника, тем больше в нем становится свободных электронов и дырок. В итоге получается, что образование «дырки» связано с уходом из оболочки атома валентного электрона, а сама дырка становится положительным электрическим зарядом равным отрицательному заряду электрона.

А теперь давайте рассмотрим рисунок, где схематично показано явление возникновения тока в полупроводнике.

Явление возникновения тока в полупроводнике

Если приложить некоторое напряжение к полупроводнику, контакты «+» и «-», то в нем возникнет ток.
Вследствие тепловых явлений, в кристалле полупроводника из межатомных связей начнет освобождаться некоторое количество электронов (синие шарики со стрелками). Электроны, притягиваясь положительным полюсом источника напряжения, будут перемещаться в его сторону, оставляя после себя дырки, которые будут заполняться другими освободившимися электронами. То есть, под действием внешнего электрического поля носители заряда приобретают некоторую скорость направленного движения и тем самым создают электрический ток.

Например: освободившийся электрон, находящийся ближе всего к положительному полюсу источника напряжения притягивается этим полюсом. Разрывая межатомную связь и уходя из нее, электрон оставляет после себя дырку. Другой освободившийся электрон, который находится на некотором удалении от положительного полюса, также притягивается полюсом и движется в его сторону, но встретив на своем пути дырку, притягивается в нее ядром атома, восстанавливая межатомную связь.

Образовавшуюся новую дырку после второго электрона, заполняет третий освободившийся электрон, находящийся рядом с этой дыркой (рисунок №1). В свою очередь дырки, находящиеся ближе всего к отрицательному полюсу, заполняются другими освободившимися электронами (рисунок №2). Таким образом, в полупроводнике возникает электрический ток.

Пока в полупроводнике действует электрическое поле, этот процесс непрерывен: нарушаются межатомные связи — возникают свободные электроны — образуются дырки. Дырки заполняются освободившимися электронами – восстанавливаются межатомные связи, при этом нарушаются другие межатомные связи, из которых уходят электроны и заполняют следующие дырки (рисунок №2-4).

Из этого делаем вывод: электроны движутся от отрицательного полюса источника напряжения к положительному, а дырки перемещаются от положительного полюса к отрицательному.

Электронно-дырочная проводимость.

В «чистом» кристалле полупроводника число высвободившихся в данный момент электронов равно числу образующихся при этом дырок, поэтому электропроводность такого полупроводника мала, так как он оказывает электрическому току большое сопротивление, и такую электропроводность называют собственной.

Но если в полупроводник добавить в виде примеси некоторое количество атомов других элементов, то электропроводность его повысится в разы, и в зависимости от структуры атомов примесных элементов электропроводность полупроводника будет электронной или дырочной.

Электронная проводимость.

Допустим, в кристалле полупроводника, в котором атомы имеют по четыре валентных электрона, мы заменили один атом атомом, у которого пять валентных электронов. Этот атом своими четырьмя электронами свяжется с четырьмя соседними атомами полупроводника, а пятый валентный электрон останется «лишним» – то есть свободным. И чем больше будет таких атомов в кристалле, тем больше окажется свободных электронов, а значит, такой полупроводник по своим свойствам приблизится к металлу, и чтобы через него проходил электрический ток, в нем не обязательно должны разрушаться межатомные связи.

Полупроводники, обладающие такими свойствами, называют полупроводниками с проводимостью типа «n», или полупроводники n-типа. Здесь латинская буква n происходит от слова «negative» (негатив) — то есть «отрицательный». Отсюда следует, что в полупроводнике n-типа основными носителями заряда являются – электроны, а не основными – дырки.

Дырочная проводимость.

Возьмем все тот же кристалл, но теперь заменим его атом атомом, в котором только три свободных электрона. Своими тремя электронами он свяжется только с тремя соседними атомами, а для связи с четвертым атомом у него не будет хватать одного электрона. В итоге образуется дырка. Естественно, она заполнится любым другим свободным электроном, находящимся поблизости, но, в любом случае, в кристалле такого полупроводника не будет хватать электронов для заполнения дырок. И чем больше будет таких атомов в кристалле, тем больше будет дырок.

Чтобы в таком полупроводнике могли высвобождаться и передвигаться свободные электроны, обязательно должны разрушаться валентные связи между атомами. Но электронов все равно не будет хватать, так как число дырок всегда будет больше числа электронов в любой момент времени.

Такие полупроводники называют полупроводниками с дырочной проводимостью или проводниками p-типа, что в переводе от латинского «positive» означает «положительный». Таким образом, явление электрического тока в кристалле полупроводника p-типа сопровождается непрерывным возникновением и исчезновением положительных зарядов – дырок. А это значит, что в полупроводнике p-типа основными носителями заряда являются дырки, а не основными — электроны.

Теперь, когда Вы имеете некоторое представление о явлениях, происходящих в полупроводниках, Вам не составит труда понять принцип действия полупроводниковых радиокомпонентов.

На этом давайте остановимся, а в следующей части рассмотрим устройство, принцип работы диода, разберем его вольт-амперную характеристику и схемы включения.
Удачи!

Источник:

1. Борисов В.Г. — Юный радиолюбитель. 1985г.
2. Сайт academic.ru: http://dic.academic.ru/dic.nsf/es/45172.

10.Электронная и дырочная проводимость полупроводников

Электронная проводимость.Одни полупроводники, например окислы алюминия, цинка, титана и др., обладают подобно металлам электронной проводимостью и называются полупроводниками типа n (от слова negative — отрицательный), так как в них ток представляет собой перемещение электронов, т. е. отрицательно заряженных частиц. В этих полупроводниках имеется большое количество полусвободных электронов, которые очень слабо связаны с ядрами атомов и совершают беспорядочное тепловое движение между атомами кристаллической решетки.

Дырочная проводимость.Полупроводники второго типа, к которым относятся закись меди, селен и другие вещества, обладают так называемой дырочной проводимостью и называются полупроводниками тина р (от слова positive — положительный). Электрический ток в них следует рассматривать как перемещение положительных зарядов. В полупроводниках типа р полусвободных электронов нет. Поэтому в них электроны не могут двигаться так, как в  полупроводниках типа n. Атом полупроводника типа р под влиянием тепловых или других  воздействий может потерять один из более удаленных от ядра электронов. Тогда атом будет иметь положительный заряд, численно равный заряду электрона.

11.Носители заряда в примесных полупроводниках.

Примесь, атомы которой отдают электроны, называют донорной, При введении донорной примеси концентрация электронов в кристалле резко возрастает. Она определяется в основном концентрацией атомов примеси. Одновременно происходит генерация пар «электрон – дырка», но количество электронов, возникающих при этом, значительно меньше, чем количество электронов, отдаваемых донорами. Поэтому концентрация электронов становится значительно выше концентрации дырок:

nn >> pn.

Электрический ток в таком полупроводнике создается в основном электронами, т.е. преобладает электронная составляющая тока. Полупроводник, обладающий преимущественно электронной электропроводностью, называют полупроводником n-типа. В таком полупроводнике электроны являются основными носителями заряда, а дырки – неосновными носителями заряда.

12. Полупроводниковый диоды. Виды диодов. Свойства диодов. Обозначения на схемах.

Полупроводниковый диодполупроводниковый прибор с одним электрическим переходом и двумя выводами (электродами). В отличие от других типов диодов, принцип действия полупроводникового диода основывается на явлении p-n-перехода.

Обозначения диодов на схеме.

Выпрямительный

Диод Шотки

Стабилитрон

Стабистор

Варикап

Туннельный диод

Обращенный диод

13. Полупроводниковый диод при включении внешнего напряжения в прямом направлении. Прямая ветвь вах диода.

ВАХ – это вольт амперная характеристика. Ну а нас в этом разделе интересует вольт амперная характеристика полупроводникового диода.

График ВАХ диода показан на рис. 6.

Рис. 6. ВАХ полупроводникового диода.

На графике изображены ВАХ для прямого и обратного включения диода. Ещё говорят, прямая и обратная ветвь вольт-амперной характеристики. Прямая ветвь (Iпр и Uпр) отображает характеристики диода при прямом включении (то есть когда на анод подаётся «плюс»). Обратная ветвь (Iобр и Uобр) отображает характеристики диода при обратном включении (то есть когда на анод подаётся «минус»).

На рис. 6 синяя толстая линия – это характеристика германиевого диода (Ge), а чёрная тонкая линия – характеристика кремниевого (Si) диода. На рисунке не указаны единицы измерения для осей тока и напряжения, так как они зависят от конкретной марки диода.

Что же мы видим на графике? Ну для начала определим, как и для любой плоской системы координат, четыре координатных угла (квадранта). Напомню, что первым считается квадрант, который находится справа вверху (то есть там, где у нас буквы Ge и Si). Далее квадранты отсчитываются против часовой стрелки.

Итак, II-й и IV-й квадранты у нас пустые. Это потому, что мы можем включить диод только двумя способами – в прямом или в обратном направлении. Невозможна ситуация, когда, например, через диод протекает обратный ток и одновременно он включен в прямом направлении, или, иными словами, невозможно на один вывод одновременно подать и «плюс» и «минус». Точнее, это возможно, но тогда это будет короткое замыкание))).

24. Понятие об электронной и дырочной проводимости

Заметная электропроводимость в кристалле германия может возникнуть, если нарушить связи между атомами. Например, свет или тепло могут сообщить некоторым электронам энергию, доста­точную для отрыва их от атомов. При этом в кристалле появляются свободные электроны, которые перемещаются беспорядочно, подоб­но молекулам газа.

Если такой кристалл поместить в электрическое поле, то сво­бодные электроны будут перемещаться в направлении сил поля и в кристалле возникнет электрический ток.

Электропроводимость, осуществляемая свободными электрона­ми, называется электронной проводимостью полупроводника. Элек­тронная проводимость называется n-проводимостью (от француз­ского слова «negative» — отрицательный).

При отрыве электронов от атомов германия в последних обра­зуются свободные места, которые могут быть заняты другими элек­тронами. Такие свободные места получили название дырок. Появ­ление дырки связано с потерей электрона атомом, а потому в обла­сти образования ее возникает избыточный положительный заряд. Таким    образом,    наличие   дырки    равноценно    положительному

заряду.

Схема образования и заполнения дырок условно показана на рис. 207. На каждой подставке, установленной наклонно, имеется четыре отверстия (четыре дырки). В них расположено четыре шара

>(четыре электрона). Если шар 1 сместится вправо, он освободит отверстие (дырку) и упадет с подставки, тогда в отверстие, кото­рое занимал этот шар, переместится шар 2. Свободное отверстие, (дырку) этого шара займет шар 3, а отверстие последнего — шар 4. Из этой схемы видно, что шары (электроны) перемещаются и одном направлении — вправо, а отверстия  (дырки)—в противоположном направлении, т. е. влево. Кроме того, одна дырка заполняется, а в результате этого появляется новая дырка в соседнем атоме.

С перемещением электронов в  полупроводнике    создается   воз­можность заполнения   одних ды­рок и образования других.

Возникновение каждой новой дырки сопровождается появле­нием свободного электрона, т. е. непрерывно идет образование пар: электрон — дырка. В свою оче­редь, заполнение дырок приводит  к уменьшению числа свободных электронов.

Таким  образом,  в  кристалле, помещенном     в     электрическом поле, происходит не только перемещение электронов, имеющих отрицательный электрический заряд, но и перемещение дырок — положительных зарядов. При этом направление перемещения ды­рок противоположно направлению движения электронов.

Электропроводимость, возникающая в результате перемещения дырок в полупроводнике, называется дырочной проводимостью. Дырочная проводимость называется р-проводимостью (от слова «positive» — положительный).

Донорные примеси — атомы химических элементов, внедренные в кристаллическую решетку полупроводника и создающие дополнительную концентрацию электронов.Донорными примесями являются химические элементы, внедренные в полупроводник с меньшей, чем у примеси, валентностью.

Акцепторные примеси — атомы химических элементов, внедренные в кристаллическую решетку полупроводника и создающие дополнительную концентрацию дырок.Акцепторными примесями являются химические элементы, внедренные в полупроводник с большей, чем у примеси, валентностью.

Терморезистор — полупроводниковый резистор, в котором используется зависимость электрического сопротивления полупроводникового материала от температуры[1].

Для терморезистора характерны большой температурный коэффициент сопротивления (ТКС) (в десятки раз превышающий этот коэффициент у металлов), простота устройства, способность работать в различных климатических условиях при значительных механических нагрузках, стабильность характеристик во времени.

32.

Электролиз — это совокупность процессов, происходящих при пропускании электрического тока через электролит — плавленое ионное вещество (например, плавленая соль) или раствор, в котором присутствуют ионы. Электрический ток проходит через электролит от одного электрода к другому. Положительно заряженные ионы при этом движутся к отрицательному электроду, катоду, а отрицательно заряженные — к положительному электроду, аноду. Химические реакции происходят на электродах. Фарадей провел фундаментальные исследования электролитов и создал законы, в которых говорится, что химические превращения связаны с потоком электронов (то есть электрическим током): чем больше электронов, тем больше химических превращений.

Упорядоченное движение ионов в проводящих жидкостях происходит в электрическом поле, которое создается электродами — проводниками, соединёнными с полюсами источника электрической энергии. Анодом называется положительный электрод, катодом — отрицательный. Положительные ионы — катионы — (ионы металлов, водородные ионы, ионы аммония и др.) — движутся к катоду, отрицательные ионы — анионы — ионы кислотных остатков и гидроксильной группы — движутся к аноду.

Явление электролиза широко применяется в современной промышленности. В частности, электролиз является одним из способов промышленного получения водорода, а также гидроксида натрия, хлора, хлорорганических соединений, диоксида марганца, пероксида водорода. Большое количество металлов извлекаются из руд и подвергаются переработке с помощью электролиза (электроэкстракция, электрорафинирование).

Электролиз находит применение для очистки сточных вод (процессы электрокоагуляции, электроэкстракции, электрофлотации).

Первый закон Фарадея

В 1832 году Фарадей установил, что масса M вещества, выделившегося на электроде, прямо пропорциональна электрическому заряду Q, прошедшему через электролит: если через электролит пропускается в течение времени t постоянный ток с силой тока I.

Коэффициент пропорциональности k называется электрохимическим эквивалентом вещества. Он численно равен массе вещества, выделившегося при прохождении через электролит единичного электрического заряда, и зависит от химической природы вещества.

Вывод закона Фарадея

 (1)

 (2)

 (3)

 (4)

, где z — валентность атома вещества, e — заряд электрона (5)

Подставляя (2)-(5) в (1), получим

Второй закон Фарадея

Электрохимические эквиваленты различных веществ относятся, как их химические эквиваленты.

Химическим эквивалентом иона называется отношение молярной массы A иона к его валентности z. Поэтому электрохимический эквивалент

где F — постоянная Фарадея.

Электролиз нашел широкое применение в технике, например в металлургии, химической промышленности и т. д.

Вопрос. Полупроводники. Электронная и дырочная проводимость полупроводников. Собственная и примесная проводимость.

Полупроводник — это кристаллический материал, который проводит электричество не столь хорошо, как металлы, но и не столь плохо, как большинство изоляторов. В общем случае электроны полупроводников крепко привязаны к своим ядрам. Однако, если в полупроводник, например, в кремний, ввести несколько атомов сурьмы, имеющей «избыток» электронов, то в этом случае свободные электроны сурьмы помогут кремнию переносить отрицательный заряд. При замене нескольких атомов полупроводника индием, который легко присоединяет к себе дополнительные электроны, в полупроводнике образуются не занятые электронами «свободные места», или, как говорят физики, «дырки»; которые переносят положительный заряд. Такие свойства полупроводников привели к их широкому использованию в транзисторах — устройствах для усиления тока, его блокирования или пропускания только в одном направлении. В типичном NPN транзисторе, слой полупроводника с положительной (Р) проводимостью (основание), расположен между двумя слоями полупроводника с отрицательной (N) проводимостью (эмиттером и коллектором). Когда слабый сигнал, например, от интеркома (аппарата селекторной связи), проходит через основание NPN транзистора, эмиссия электронов этот сигнал усиливает.1 Строение полупроводников Полупроводники N-типа содержат избыточное количество электронов, переносящих отрицательный заряд. Полупроводники Р-типа испытывают нехватку электронов, но зато имеют избыток дырок (вакантных мест для электронов), которые переносят положительный заряд. Отличительные признаки полупроводников В отличие от проводников, имеющих много свободных электронов, и изоляторов, практически их не имеющих, полупроводники содержат небольшое количество свободных электронов и так называемые дырки (белый кружочек) — вакантные места, оставленные свободными электронами. И дырки и электроны проводят электрический ток. NPN транзистор

Электронная проводимость

При нагревании кремния ему будет сообщаться дополнительная энергия. Кинетическая энергия частиц увеличивается и некоторые ковалентные связи разрываются. Тем самым образуются свободные электроны.

В электрическом поле эти электроны перемещаются между узлами кристаллической решетки. При этом в кремнии будет создаваться электрический ток.

Так как основными носителями заряда являются свободные электроны, такой тип проводимости называют – электронной проводимостью. Количество свободных электронов зависит от температуры. Чем сильнее мы будем нагревать кремний, тем больше ковалентных связей будет разрываться, а следовательно, будет появляться больше свободных электронов. Это приводит к уменьшению сопротивления. И кремний становится проводником.



Дырочная проводимость

Когда происходит разрыв ковалентной связи, на месте вырвавшегося электрона, образуется вакантное место, которое может занять другой электрон. Это место называется дыркой. В дырке имеется избыточный положительный заряд.

Положение дырки в кристалле постоянно меняется, любой электрон может занять это положение, а дырка при этом переместится туда, откуда перескочил электрон. Если электрического поля нет, то движение дырок беспорядочное, и поэтому тока не возникает.

При его наличии, возникает упорядоченность перемещения дырок, и помимо тока, который создается свободными электронами, появляется еще ток, который создается дырками. Дырки будут двигаться в противоположном движению электронов направлении.

Таким образом, в полупроводниках проводимость является электронно-дырочной. Ток создается как с помощью электронов, так и с помощью дырок. Такой тип проводимости еще называется собственной проводимостью, так как участвуют элементы только одного атома.

онцентрация электронов проводимости в полупроводнике равна концентрации дырок: nn = np. Электронно-дырочный механизм проводимости проявляется только у чистых (то есть без примесей) полупроводников. Он называется собственной электрической проводимостью полупроводников.

Собственной электрической проводимостью полупроводников называется электронно-дырочный механизм проводимости, который проявляется только у чистых (то есть без примесей) полупроводников.

При наличии примесей электропроводимость полупроводников сильно изменяется.

Примесной проводимостью называется проводимость полупроводников при наличии примесей.

Необходимым условием резкого уменьшения удельного сопротивления полупроводника при введении примесей является отличие валентности атомов примеси от валентности основных атомов кристалла.

 

ДЫРОЧНАЯ ПРОВОДИМОСТЬ — это… Что такое ДЫРОЧНАЯ ПРОВОДИМОСТЬ?


ДЫРОЧНАЯ ПРОВОДИМОСТЬ

ДЫРОЧНАЯ ПРОВОДИМОСТЬ — (проводимость р-типа) — проводимость полупроводника (см.), в котором основные носители заряда — дырки (см.). Д. п. осуществляется, когда концентрация акцепторов (см.) превышает концентрацию доноров (см.).

Большая политехническая энциклопедия. — М.: Мир и образование. Рязанцев В. Д.. 2011.

  • ДЫРКА
  • ДЬЮАРА СОСУД

Смотреть что такое «ДЫРОЧНАЯ ПРОВОДИМОСТЬ» в других словарях:

  • ДЫРОЧНАЯ ПРОВОДИМОСТЬ — (проводимость р типа), проводимость полупроводника, в к ром осн. носители заряда дырки. Д. п. осуществляется, когда концентрация акцепторов превышает концентрацию доноров. Физический энциклопедический словарь. М.: Советская энциклопедия. Главный… …   Физическая энциклопедия

  • дырочная проводимость — skylinis laidumas statusas T sritis automatika atitikmenys: angl. hole conduction; P type conduction vok. Defektleitfähigkeit, f; Defektleitung, f; Löcherleitung, f; Lochleitervermögen, n rus. дырочная проводимость, f; дырочная электропроводность …   Automatikos terminų žodynas

  • дырочная проводимость — skylinis laidumas statusas T sritis chemija apibrėžtis Laidumas, kurį sukuriantys krūvininkai yra elektronų vakansijos. atitikmenys: angl. hole conductivity; p type conductivity rus. дырочная проводимость; проводимость р типа ryšiai: sinonimas –… …   Chemijos terminų aiškinamasis žodynas

  • дырочная проводимость — skylinis laidumas statusas T sritis fizika atitikmenys: angl. defect electron conduction; hole conduction; p type conduction vok. Defektelektronenleitung, f; p Leitfähigkeit, f rus. дырочная проводимость, f; проводимость p типа, f pranc.… …   Fizikos terminų žodynas

  • ДЫРОЧНАЯ ПРОВОДИМОСТЬ — проводимость р типа, аномальная по знаку носителей заряда электронная проводимость нек рых твёрдых тел. В телах с Д. п. электромагнитные явления (напр., Холла эффект) протекают так, как будто электрич. ток в этих телах создаётся не электронами, а …   Большой энциклопедический политехнический словарь

  • дырочная проводимость — см. в ст. Электронно дырочный переход. Энциклопедия «Техника». М.: Росмэн. 2006 …   Энциклопедия техники

  • удельная дырочная проводимость — savitasis skylinis laidis statusas T sritis fizika atitikmenys: angl. hole conductivity; p type conductivity vok. Defektleitfähigkeit, f; p Leitfähigkeit, f rus. удельная дырочная проводимость, f; удельная электропроводность p типа, f pranc.… …   Fizikos terminų žodynas

  • дырочная электропроводность — Ндп. дырочная проводимость Электропроводность полупроводника, обусловленная в основном перемещением дырок проводимости. [ГОСТ 22622 77] Недопустимые, нерекомендуемые дырочная проводимость Тематики материалы полупроводниковые …   Справочник технического переводчика

  • дырочная электропроводность — skylinis laidumas statusas T sritis automatika atitikmenys: angl. hole conduction; P type conduction vok. Defektleitfähigkeit, f; Defektleitung, f; Löcherleitung, f; Lochleitervermögen, n rus. дырочная проводимость, f; дырочная электропроводность …   Automatikos terminų žodynas

  • проводимость p-типа — skylinis laidumas statusas T sritis automatika atitikmenys: angl. hole conduction; P type conduction vok. Defektleitfähigkeit, f; Defektleitung, f; Löcherleitung, f; Lochleitervermögen, n rus. дырочная проводимость, f; дырочная электропроводность …   Automatikos terminų žodynas

дырочная проводимость — это… Что такое дырочная проводимость?


дырочная проводимость
ды́рочная проводи́мость

Энциклопедия «Техника». — М.: Росмэн. 2006.

.

  • дуралюмин
  • Дьюара сосуд

Смотреть что такое «дырочная проводимость» в других словарях:

  • ДЫРОЧНАЯ ПРОВОДИМОСТЬ — (проводимость р типа), проводимость полупроводника, в к ром осн. носители заряда дырки. Д. п. осуществляется, когда концентрация акцепторов превышает концентрацию доноров. Физический энциклопедический словарь. М.: Советская энциклопедия. Главный… …   Физическая энциклопедия

  • ДЫРОЧНАЯ ПРОВОДИМОСТЬ — (проводимость р типа) проводимость (см.), в котором основные носители заряда (см.). Д. п. осуществляется, когда концентрация (см.) превышает концентрацию (см.) …   Большая политехническая энциклопедия

  • дырочная проводимость — skylinis laidumas statusas T sritis automatika atitikmenys: angl. hole conduction; P type conduction vok. Defektleitfähigkeit, f; Defektleitung, f; Löcherleitung, f; Lochleitervermögen, n rus. дырочная проводимость, f; дырочная электропроводность …   Automatikos terminų žodynas

  • дырочная проводимость — skylinis laidumas statusas T sritis chemija apibrėžtis Laidumas, kurį sukuriantys krūvininkai yra elektronų vakansijos. atitikmenys: angl. hole conductivity; p type conductivity rus. дырочная проводимость; проводимость р типа ryšiai: sinonimas –… …   Chemijos terminų aiškinamasis žodynas

  • дырочная проводимость — skylinis laidumas statusas T sritis fizika atitikmenys: angl. defect electron conduction; hole conduction; p type conduction vok. Defektelektronenleitung, f; p Leitfähigkeit, f rus. дырочная проводимость, f; проводимость p типа, f pranc.… …   Fizikos terminų žodynas

  • ДЫРОЧНАЯ ПРОВОДИМОСТЬ — проводимость р типа, аномальная по знаку носителей заряда электронная проводимость нек рых твёрдых тел. В телах с Д. п. электромагнитные явления (напр., Холла эффект) протекают так, как будто электрич. ток в этих телах создаётся не электронами, а …   Большой энциклопедический политехнический словарь

  • удельная дырочная проводимость — savitasis skylinis laidis statusas T sritis fizika atitikmenys: angl. hole conductivity; p type conductivity vok. Defektleitfähigkeit, f; p Leitfähigkeit, f rus. удельная дырочная проводимость, f; удельная электропроводность p типа, f pranc.… …   Fizikos terminų žodynas

  • дырочная электропроводность — Ндп. дырочная проводимость Электропроводность полупроводника, обусловленная в основном перемещением дырок проводимости. [ГОСТ 22622 77] Недопустимые, нерекомендуемые дырочная проводимость Тематики материалы полупроводниковые …   Справочник технического переводчика

  • дырочная электропроводность — skylinis laidumas statusas T sritis automatika atitikmenys: angl. hole conduction; P type conduction vok. Defektleitfähigkeit, f; Defektleitung, f; Löcherleitung, f; Lochleitervermögen, n rus. дырочная проводимость, f; дырочная электропроводность …   Automatikos terminų žodynas

  • проводимость p-типа — skylinis laidumas statusas T sritis automatika atitikmenys: angl. hole conduction; P type conduction vok. Defektleitfähigkeit, f; Defektleitung, f; Löcherleitung, f; Lochleitervermögen, n rus. дырочная проводимость, f; дырочная электропроводность …   Automatikos terminų žodynas

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *