Диоды обозначения: Диоды и их разновидности

Содержание

Полупроводниковый диод . Классификация параметры и обозначения…

Привет, Вы узнаете про полупроводниковый диод, Разберем основные ее виды и особенности использования. Еще будет много подробных примеров и описаний. Для того чтобы лучше понимать что такое полупроводниковый диод,вах диодов,классификация диодов,уго диодов,вольтамперная характеристика диодов,параметры диодов,простейший выпрямитель,простейший стабилизатор,диод , настоятельно рекомендую прочитать все из категории Электроника, Микроэлектроника , Элементная база

Полупроводниковым диод ом называют электропреобразовательный прибор, который, как правило, содержит один или несколько электрических переходов и два вывода для подключения к внешней цепи. Принцип работы большинства диодов основан на использовании различных физических явлений в электрических переходах. Наиболее часто в диодах применяют электроннодырочные переходы, контакты металл-полупроводник, анизотипные гетеропереходы.

Однако существуют диоды, структура которых не содержит выпрямляющих электрических переходов (например, диод Ганна) либо содержит несколько переходов (например, p-i-n-диод, динистор), а также диоды с более сложной структурой переходов (например, MДM- и MДП-диоды и др.).

полупроводниковый диод — полупроводниковый прибор, в широком смысле — электронный прибор, изготовленный из полупроводникового материала, имеющий два электрических вывода (электрода). В более узком смысле — полупроводниковый прибор, во внутренней структуре которого сформирован один p-n-переход.

В отличие от других типов диодов, например, вакуумных, принцип действия полупроводниковых диодов основывается на различных физических явлениях переноса зарядов в твердотельном полупроводнике и взаимодействии их с электромагнитным полем в полупроводнике.

Полупроводниковыми диодами называются полупроводниковые приборы с одним p-n-переходом и двумя выводами.

Полупроводниковый прибор с одним электрическим переходом, работа которого заключается в преобразования одних электрических значений в другие, называют диодом. В конструкции данного изделия предусматривается два вывода для монтажа.
Сущесвуют также диодные сборки с множеством выводов.

классификация диодов .

Классификация диодов

Типы диодов по назначению

  • Выпрямительные диоды предназначены для преобразования переменного тока в постоянный.
  • Импульсные диоды имеют малую длительность переходных процессов, предназначены для применения в импульсных режимах работы.
  • Детекторные диоды предназначены для детектирования сигнала
  • Смесительные диоды предназначены для преобразования высокочастотных сигналов в сигнал промежуточной частоты.
  • Переключательные
    диоды предназначены для применения в устройствах управления уровнем сверхвысокочастотной мощности.
  • Параметрические
  • Ограничительные диоды предназначены для защиты радио и бытовой аппаратуры от повышения сетевого напряжения.
  • Умножительные
  • Настроечные
  • Генераторные

Типы диодов по частотному диапазону

  • Низкочастотные
  • Высокочастотные
  • СВЧ

Типы диодов по размеру перехода

  • Плоскостные
  • Точечные
  • Микросплавные

Типы диодов по принципу работы и конструкции

  • Диоды Шоттки
  • СВЧ-диоды
  • Стабилитроны
  • Стабисторы
  • Варикапы
  • Светодиоды
  • Фотодиоды
  • Pin диод
  • Лавинный диод
  • Лавинно-пролетный диод
  • Диод Ганна
  • Туннельные диоды
  • Обращенные диоды

Другие типы

  • Селеновый выпрямитель (вентиль)
  • Медно-закисный выпрямитель (вентиль, купрокс)
  • алмазный диод- применяется в высокотемпературных средах (бурение, иследование других планети т.
    д.)

По мощности

В зависимости от конструктивных особенностей, разные диоды способны рассеивать в пространство различную

мощность, которая ограничивается тепловым разрушением материала проводимости или p-n перехода. Таким образом, диоды делят на:
  • Маломощные;
  • Средней мощности;
  • Большой мощности (силовые).

По исполнению корпуса

Один и тот же вид диода может изготавливаться в различных корпусах. Для портативных устройств лучшим вариантом является диоды в форм-факторе SMD. Проволочные выводы в них заменены контактными площадками. Это обеспечивает им минимальные габаритные размеры, а также позволяет отказаться от монтажа в отверстия платы печатной платы и перейти на поверхностный. Сейчас поверхностным монтажом собирается более 95% портативных устройств. Его просто автоматизировать, а пайка ведется с помощью инфракрасной печи или ручного паяльного фена.

Рисунок 3.

1 – Упрощенная структура и условное графическое обозначение полупроводникового диода.

Рисунок 3.1 – Устройство плоскостного диода.

Рисунок 3.1 – Устройство точечного диода.

Под понятием полупроводникового диода собрано множество приборов с различным назначением. Приборы с одним p—n-переходом;

  1. выпрямительный диод — достаточно мощный, позволяющий получать из переменного тока постоянный для питания нагрузки;
  2. импульсный диод;
  3. лавинно-пролетный диод;
  4. туннельный диод — диод с участком, обладающим отрицательным дифференциальным сопротивлением;
  5. стабилитрон — диод, работающий на напряжении электрического пробоя в обратном направлении;
  6. варикап — диод с управляемой напряжением емкостью ЭДП в обратном включении;
  7. диод с накоплением заряда — импульсный диод с малым временем восстановления обратного сопротивления, выполненный методом диффузии примесей.

Приборы с иными разновидностями полупроводниковых структур:

  1. диод Ганна — полупроводниковый прибор без p—n-перехода, использующий эффект доменной неустойчивости;
  2. диод шоттки — прибор со структурой металл — полупроводник, с уменьшенным падением напряжения в прямом направлении;

Фотоэлектрические приборы со структурой типа p—i—n:

  1. фотодиод — диод, преобразующий свет в разность потенциалов;
  2. светодиод — диод, излучающий свет.

Также, помимо прочего, к диодам относят:

  1. динистор, неуправляемый тиристор , имеющий слоистую p—n—p—n-структуру;

Плоскостные диоды обладают с высокими емкостными характеристиками. С увеличением частоты емкостное сопротивление понижается, что приводит к нарастанию его обратного тока. На больших частотах вследствие того в диоде есть емкость, величина его обратного тока может достичь значения прямого тока, и этот диод, таким образом, утратит свое основное свойство односторонней электропроводности. Для сохранения своих функциональных качеств необходимо снизить емкость диода. Это достигается с помощью всевозможных технологических и конструктивных методов, направленных на сокращения площади p-n-перехода.

В диодах, используемых в схемах, работающих с высокочастотным током, применяют изделия с точечными и микросплавными p-n-переходами. Нужный точечный p-n-переход, получается в месте контакта заостренного окончания специальной металлической иглы с полупроводником.

При этом применяют способ электроформования, заключающемся в том, что через соединение проволоки и кристалла полупроводники протекают импульсы электрического тока, формирующие в месте их контакта p-n-переход . Об этом говорит сайт https://intellect.icu . Микросплавными называются такие диоды, у которых p-n-переход создается при электроформовании контакта между пластинкой полупроводника и металлическим предметом с плоским торцом.

Выпрямительные диоды.

SMD форм-фактор не подходит для сильноточных диодов. Поэтому там изготавливают диоды в классическом корпусе с двумя выводами. При токах на диоде свыше 10 ампер необходимо уже обеспечивать принудительное охлаждение диода. Для этого они снабжаются болтом и гайкой для крепления к теплоотводящему радиатору. Сейчас серийно выпускаются выпрямительные диоды с максимально допустимым током до 2500 А и напряжением 2000 вольт. Такие модели изготавливаются в дисковом корпусе диаметром около 70 мм. Оба торца являются токоведущими выводами и теплоотводящими поверхностями.

Выпрямительные диоды часто делаются в виде сборок по четыре (диодный мост).

Универсальные диоды .

Универсальные импульсные диоды применяются в большом количестве при изготовлении бытовых электронных устройств. Там с помощью них реализуют логические операции, выпрямляют токи небольшой величины. Объемы их выпуска наиболее велики. Цена на них при оптовой покупке составляет несколько центов и менее.

Стабилитроны и варикапы.

Стабилитроны являются простым сенсором, реагирующим на изменение напряжения. Именно такую функцию они выполняют в стабилизаторах напряжения. При помощи организации специальной схемы, маломощным стабилитроном можно стабилизировать значительные токи.

Варикапы являются неотъемлемым компонентом современных радиочастотных схем. Именно с помощью них осуществляется модуляция и перестройка частоты. Важнейшая характеристика варикапа — перекрываемая емкость и добротность. От этого зависит, на какой рабочей частоте может работать варикап. Для СВЧ схем требуются очень высокие значения добротности.

Основные характеристики и параметры диодов

  • Вольт-амперная характеристика
  • Максимально допустимое постоянное обратное напряжение
  • Максимально допустимое импульсное обратное напряжение
  • Максимально допустимый постоянный прямой ток
  • Максимально допустимый импульсный прямой ток
  • Номинальный постоянный прямой ток
  • Прямое постоянное напряжение на диоде при номинальном токе (т. н. «падение напряжения»)
  • Постоянный обратный ток, указывается при максимально допустимом обратном напряжении
  • Диапазон рабочих частот
  • Ёмкость
  • Пробивное напряжение (для защитных диодов и стабилитронов)
  • Тепловое сопротивление корпуса при различных вариантах монтажа
  • Максимально допустимая мощность рассеивания

система параметров приводятся в справочниках.

Эта система позволяет правильно выбрать диод для применения в конкретных условиях.
Iпр – прямой ток, проходящий в прямом направлении,
Uпр – прямое напряжение,
Iпр max – максимально доступный прямой ток,
Uобр max – максимально доступное обратное напряжение,
Iобр – обратный ток диода,
Uобр – обратное напряжение диода – (постоянное напряжение, приложенное к диоду в обратном направлении).

  • Вольт-амперная характеристика
  • Максимально допустимое постоянное обратное напряжение
  • Максимально допустимое импульсное обратное напряжение
  • Максимально допустимый постоянный прямой ток
  • Максимально допустимый импульсный прямой ток
  • Номинальный постоянный прямой ток
  • Прямое постоянное напряжение на диоде при номинальном токе (т. н. «падение напряжения»)
  • Постоянный обратный ток, указывается при максимально допустимом обратном напряжении
  • Диапазон рабочих частот
  • Ёмкость
  • Пробивное напряжение (для защитных диодов и стабилитронов)
  • Тепловое сопротивление корпуса при различных вариантах монтажа
  • Максимально допустимая мощность рассеивания


Пример: КД204А Iпр = 2 А, Uобрmax = 400 В,
Uпр = 1. 4 В, Iобр = 150 мкА
Диоды, как нелинейные элементы, характеризуются
статическим Rc = U/I
дифференциальным (динамическим) Rдиф = ∆U/∆I

Условное графическое изображение (УГО)диодов на схемах

Общее обозначение диода

Так обозначают на схемах выпрямительные, высокочастотные, импульсные диоды.


Обозначение стабилитронов


Обозначение двухстроннего стабилитрона

Двухсторонний стабилитрон чаще называют двуханодным. Главная прелесть состоит в том, что его можно включать независимо от полярности. Причем стабилитроны одной и той же марки могут быть как двухсторонними, так и односторонними, например, КС162, КС168, КС133 и др. бывают в железных корпусах (или в стекле) и они односторонние, а бывают в пластмассe обычно красного цвета — двуханодные.


Oбозначение варикапа


Обозначение варикапной матрицы


Обозначение туннельного диода


Oбозначение обращенного туннельного диода


Oбозначение диода с барьером Шотки (диод Шотки)


Oбозначение светодиода


Oбозначение фотодиода

Плоскостные

В зависимости от разработки диода его обозначение может включать дополнительные символы . Об этом говорит сайт https://intellect.icu . В любом случае вершина треугольника, примыкающая к осевой линии диода, указывает на направление протекания тока. В той части обозначения, где располагается треугольник , находится p-область, которую еще называют анодом или эмиттером, а со стороны, где к треугольнику примыкает отрезок , находится n-область, которую соответственно называют катодом, или базой.

Выпрямительные Стабилитрон Туннельные Варикапы Светодиоды Фотодиоды

Условные графические обозначения элементов, компонентов и устройств волоконно-оптических систем передачи с применением диодов

обозначение лазерных диодов

Система маркировки диодов


1 – исходный материал:
германий — буква Г или цифра 1 ;
кремний — буква К или цифра 2 ;
галлий — буква А или цифра 3 ;
индий — буква И или цифра 4
2 – тип прибора:
А — СВЧ диоды
В — варикап ы
Д — выпрямительные и импульсные
И — туннельные диоды
Л — излучающие диоды (светодиоды)
Н — диодные тиристоры ( динисторы )
С — стабилитрон ы
Ц — выпрямительные столбы и блоки
3 – цифры обозначают некоторые основные параметры диода (мощность) (для стабилитронов четвертый элементы характеризуют напряжение стабилизации),
4 – буквы и /или цифры, обозначающие порядковый номер разработки
5 — буква, определяющая классификацию по параметрам.

Вольтамперная характеристика (ВАХ) диодов

Полупроводниковые диоды, назначение которых заключается в преобразовании переменного тока в постоянный ток, называются выпрямительными. Выпрямление переменного тока с использованием полупроводникового диода построено на основе его односторонней электропроводности, которая заключается в том, что диод создает очень малое сопротивление току, текущему в прямом направлении, и достаточно большое сопротивление обратному току.

Для того чтобы выпрямить ток большой силы не опасаясь теплового пробоя, конструкция диодов должна предусматривать значительную площадь p-n-перехода. В связи, с чем в выпрямительных полупроводниковых диодах задействуют специальные p-n-переходы соответствующие последнему слову науки и техники.

Технология создания p-n-перехода получается, за счет ввода в полупроводник p-или n-типа примеси, которая создает в нем область с противоположным значением электропроводности. Примеси можно добавлять методом сплавления или диффузии.

Диоды, получаемые методом сплавления, называют «сплавными», а изготавливаемые методом диффузии «диффузионными».

График стабилитрона

Вольтамперная характеристика (ВАХ) реального диода

Для технических целей используют ВАХ в линейных координатах.
При больших напряжениях обратного смещения в диоде может развиться пробой – резкое увеличение обратного тока при незначительном изменении напряжения. При лавинном пробое электроны в электрическом поле p-n перехода приобретают энергию, достаточную для ионизации собственных атомов полупроводника. Это приводит к лавинному размножению носителей заряда, резкому увеличению их локальной концентрации и соответственно тока. После развития лавинного пробоя диод не теряет свою работоспособность. Этот вид пробоя используется в полупроводниковых стабилитронах, о свойствах которых будет сказано далее.
Тепловой пробой развивается в результате локального разогрева области p-n перехода, и как следствия, увеличения концентрации носителей заряда. Тепловой пробой является необратимым, после которого диод теряет свои свойства и работоспособность.

Вольтамперная характеристика идеального диода

Стабилитронами стабилизируют уровень напряжения примерно от 3,5 Ви выше. Для стабилизации постоянного напряжения до 1 вольта применяют стабисторы. У стабисторов работает не обратная, а прямая часть вольтамперной характеристики. Поэтому их подсоединяют не в обратном, как делают со стабилитронами, а в прямом направлении. Электронные компоненты, такие как стабисторы и стабилитроны, как правило, изготовляются, из кремния.

Вольтамперная характеристика стабистора

Принцип действия универсального диода

Вольт-амперная характеристика диода описывается уравнением Шокли:

где

Темновой ток насыщения — ток утечки диода, определяемый его конструкцией, является масштабным коэффициентом. Коэффициент идеальности — также конструктивная характеристика диода. Для идеального диода равен 1, для реальных диодов колеблется от 1 до 2 в зависимости от различных параметров (резкость перехода, степень легирования и пр. )

простейший выпрямитель

Простейший выпрямитель

В ходе положительного полупериода входного напряжения U1 диод Vработает в прямом направлении, его сопротивление маленькое и на нагрузке RH напряжение U2практически равно входящему напряжению.

График напряжения на входе и выходе простейшего однополупериодного выпрямителя

При отрицательном полупериоде данного входного напряжения диод включен в направлении обратно, где его сопротивление формируется значительно больше, чем сопротивление на нагрузке, и почти все входящее напряжение падает на диоде, а напряжение на нагрузке приближается к нулю В такой схеме для получения выпрямленного напряжения используется всего лишь один полупериод входящего напряжения, поэтому такой тип выпрямителей называется однополупериодным.

Простеший сабилизатор

Полупроводниковые диоды, которые используются для стабилизации постоянного напряжения на нагрузке, называют стабилитронами. В стабилитронах задействован участок обратной участка вольтамперной характеристики в поле электрического пробоя.

Схема простейшего стабилизатора напряжения

В данном случае при изменении тока, проходящего через стабилитрон, от Iст. мин. до Iст. макс. напряжение на нем практически не изменяется. Если нагрузка RH включена параллельно стабилитрону, уровень напряжения на ней также будет оставаться неизменным в указанных пределах изменения тока, проходящего через стабилитрон.

Интересные факты о диодах

  • В первые десятилетия развития полупроводниковой технологии точность изготовления диодов была настолько низкой, что приходилось делать «разбраковку» уже изготовленных приборов. Так, диод Д220 мог, в зависимости от фактически получившихся параметров, маркироваться и как переключательный (Д220А, Б), и как стабистор (Д220С) Радиолюбители широко использовали его в качестве варикапа.
  • Диоды могут использоваться как датчики температуры.
  • Диоды в прозрачном стеклянном корпусе (в том числе и современные SMD-варианты) могут обладать паразитной чувствительностью к свету (то есть радиоэлектронное устройство работает по-разному в корпусе и без корпуса, на свету). Существуют радиолюбительские схемы, в которых обычные диоды используются в качестве фотодиода и даже в качестве солнечной батаре

См. также:

На этом все! Теперь вы знаете все про полупроводниковый диод, Помните, что это теперь будет проще использовать на практике. Надеюсь, что теперь ты понял что такое полупроводниковый диод,вах диодов,классификация диодов,уго диодов,вольтамперная характеристика диодов,параметры диодов,простейший выпрямитель,простейший стабилизатор,диод и для чего все это нужно, а если не понял, или есть замечания, то нестесняся пиши или спрашивай в комментариях, с удовольствием отвечу. Для того чтобы глубже понять настоятельно рекомендую изучить всю информацию из категории Электроника, Микроэлектроника , Элементная база

Выпрямительные диоды: обозначение, принцип работы, ВАХ

  1. Главная
  2. Электротехника и электроника
  3. Выпрямительные диоды

Выпрямительные диоды — это полупроводниковые приборы, которые имеют один p-n переход и два металлических вывода. Вся система заключена в пластмассовом, металлическом, стеклянном или металлокерамическом корпусе. Предназначены для преобразования переменного тока в постоянный.

Обозначение и расшифровка диодов

Обозначение выпрямительного диода на схеме согласно “ГОСТ 2.730-73 ЕСКД. Обозначения условные графические в схемах. Приборы полупроводниковые”. В приложении данного ГОСТа указаны размеры в модульной сетке. Выглядит это следующим образом:

Существуют различные варианты обозначения диодов.

Согласно ОСТ 11366.919-81 следующее буквенно-цифровое обозначение:

  • 1) первая буква или цифра указывает на материал:
    • 1 (Г) — германий Ge
    • 2 (К) — кремний Si
    • 3 (А) — галлий Ga
    • 4 (И) — индий In
  • 2) Вторая буква — это подкласс полупроводникового прибора. Для нашего случая — это буква Д.
  • 3) Третья цифра — функционал элемента в зависимости от класса (диоды, варикапы, стабилитроны и др.).
  • Например, для выпрямительных диодов (Д):

    101…199 — диоды малой мощности с постоянным или средним значением прямого тока менее 0,3А.

    201…299 — диоды средней мощности с постоянным или средним значением прямого тока от 0,3 до 10А.

Также существуют диоды большой мощности с током более 10А. Отвод тепла у диодов малой мощности осуществляется через корпус, у диодов средней и большой мощности через теплоотводящие радиаторы.

До 1982 года была другая классификация:

  • первая Д — характеризовала весь класс диодов
  • далее шел цифровой код:
    • от 1 до 100 — для точечных германиевых диодов
    • от 101 до 200 — для точечных кремниевых диодов
    • от 201 до 300 — для плоскостных кремниевых диодов
    • от 301 до 400 — для плоскостных германиевых диодов
    • от 401 до 500 — для смесительных СВЧ детекторов
    • от 501 до 600 — для умножительных диодов
    • от 601 до 700 — для видеодетекторов
    • от 701 до 749 — для параметрических германиевых диодов
    • от 750 до 800 — для параметрических кремниевых диодов
    • от 801 до 900 — для стабилитронов
    • от 901 до 950 — для варикапов
    • от 951 до 1000 — для туннельных диодов
    • от 1001 до 1100 — для выпрямительных столбов
  • третья цифра — разновидность групп однотипных приборов

Система JEDEC (США)

  • первая цифра — число p-n переходов (1 — диод; 2 — транзистор; 3 — тиристор)
  • далее N (типа номер) и серийный номер
  • после может идти пару цифр про номиналы и отдельные характеристики диода

Система Pro Electron (Европа)

По данной системе приборы делятся на промышленные и бытовые. Бытовые кодируются двумя буквами и тремя цифрами от 100 до 999. У промышленных приборов будет идти три буквы и две цифры от 10 до 99. Для диодов:

  • 1) первая буква:
    • A — германий Ge
    • B — кремний Si
    • C — галлий Ga
    • R — другие полупроводники
  • 2) Вторая буква — это буква A, указывающая на маломощные импульсные и универсальные диоды.
  • 3) Третья буква отвечает за принадлежность элемента к сфере специального применения (промышленность, военная). “Z”, “Y”, “X” или “W”.
  • 4) Четвертая — это 2х, 3х или 4х-значный серийный номер прибора.
  • 5) Дополнительный код — в нем для выпрямительных диодов указывается максимальная амплитуда обратного напряжения.

Система JIS (Япония)

Применяется в странах Азии и тихоокеанского региона.

Существуют и специальные обозначения от фирм-изготовителей, которые отличаются от приведенных выше.

Принцип действия выпрямительного диода

Полупроводники по своим электрическим свойствам являются чем-то средним между проводниками и диэлектриками.

Как ведет себя диод при прямом и обратном включении

Прямое направление — направление постоянного тока, в котором диод имеет наименьшее сопротивление.

Обратное направление — направление постоянного тока, в котором диод имеет наибольшее сопротивление.

Рассмотрим поведение тока в цепи при прямом и обратном включении на переменное и постоянное напряжение. Изначально мы будем иметь синусоиду, которая получается от источника переменного тока.

При таких способах подключения отсекается половина синусоиды положительная или отрицательная. На выходе — пульсирующий переменный ток одного знака (считай, постоянный, только загвоздка в том, что им никто не пользуется).

  • анод (для прямого включения подключаем к плюсу), основание треугольника
  • катод (подключаем к минусу для прямого включения) палочка

Ток течет от анода к катоду, некоторые прибегают к сравнению с воронкой. В широкое горлышко жидкость проходит быстрее, чем в узкое. Принцип работы заключается в пропускании тока при прямом включении и запирании диода при обратном включении (отсутствии тока). Всё дело в запирающем слое, который испаряется или расширяется в зависимости от способа подключения диода.

Рассмотрим поведение диода в схеме постоянного тока. На левом изображении ток, напряжение проходит — лампочка горит (черная) — это прямое включение. На правом изображении диод не пропускает достаточно тока и напряжения для загорания лампочки — обратное включение.

ВАХ выпрямительных диодов (Ge, Si)

Вольт-амперные характеристики диодов представляют собой графики зависимостей прямых и обратных токов (Y) и напряжений (X) при различных температурах.

При подаче обратного напряжения, превышающего пороговое значение, величина обратного тока возрастает и происходит пробой p-n слоя. Стоит обратить внимание и на порядки чисел по осям. Величины обратного тока на порядок меньше прямого. Значения прямого напряжения на порядок меньше обратного. По достижении порогового значения прямого напряжения прямой ток начинает увеличиваться лавинообразно.

Разница между диодами в том, что обратный ток кремниевых диодов меньше, чем у германиевых. Поэтому, за счет большего тока, у Ge диодов пробой носит тепловой характер, у Si — преобладает электрический пробой. Мощность, рассеиваемая при одинаковых токах у германиевых диодов меньше.

ГОСТ 2.730-73 ЕСКД. Обозначения условные графические в схемах. Приборы полупроводниковые

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ СОЮЗА ССР

ЕДИНАЯ СИСТЕМА КОНСТРУКТОРСКОЙ ДОКУМЕНТАЦИИ

ОБОЗНАЧЕНИЯ УСЛОВНЫЕ
ГРАФИЧЕСКИЕ В СХЕМАХ

ГОСТ 2.730-73

ИЗДАТЕЛЬСТВО СТАНДАРТОВ

Москва

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ СОЮЗА ССР

Единая система конструкторской документации

ОБОЗНАЧЕНИЯ УСЛОВНЫЕ ГРАФИЧЕСКИЕ
В СХЕМАХ.
ПРИБОРЫ
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ

Unified system for design documentation.
Graphical symbols in diagrams.
Semiconductor devices

ГОСТ
2.730-73

Дата введения 1974-07-01

1. Настоящий стандарт устанавливает правила построения условных графических обозначений полупроводниковых приборов на схемах, выполняемых вручную или автоматическим способом во всех отраслях промышленности.

(Измененная редакция, Изм. № 3).

2. Обозначения элементов полупроводниковых приборов приведены в табл. 1.

Таблица 1

Наименование

Обозначение

1. (Исключен, Изм. № 2).

2. Электроды:

база с одним выводом

база с двумя выводами

Р -эмиттер с N -областью

N -эмиттер с Р-областью

несколько Р-эмиттеров с N -областью

несколько N -эмиттеров с Р-областью

коллектор с базой

несколько коллекторов, например, четыре коллектора на базе

3. Области: область между проводниковыми слоями с различной электропроводностью. Переход от Р-области к N -области и наоборот

область собственной электропроводности ( I -область):

l) между областями с электропроводностью разного типа  PIN или NIP

2) между областями с электропроводностью одного типа  PIP или NIN

3) между коллектором и областью с противоположной электропроводностью  PIN или NIP

4) между коллектором и областью с электропроводностью того же типа  PIP или NIN

4. Канал проводимости для полевых транзисторов: обогащенного типа

обедненного типа

5. Переход PN

6. Переход NP

7. Р-канал на подложке N -типа, обогащенный тип

8. N -канал на подложке Р-типа, обедненный тип

9. Затвор изолированный

10. Исток и сток

Примечание . Линия истока должна быть изображена на продолжении линии затвора, например:

11. Выводы полупроводниковых приборов:

электрически, не соединенные с корпусом

электрически соединенные с корпусом

12. Вывод корпуса внешний. Допускается в месте присоединения к корпусу помещать точку

(Измененная редакция, Изм. № 2, 3).

3, 4. (Исключены, Изм. № 1).

5. Знаки, характеризующие физические свойства полупроводниковых приборов, приведены в табл.4.

Таблица 4

Наименование

Обозначение

1. Эффект туннельный

а) прямой

б) обращенный

2. Эффект лавинного пробоя:

а) односторонний

б) двухсторонний 3-8. (Исключены, Изм. № 2).

9. Эффект Шоттки

6. Примеры построения обозначений полупроводниковых диодов приведены в табл. 5.

Таблица 5

Наименование

Обозначение

1. Диод

Общее обозначение

2. Диод туннельный

3. Диод обращенный

4. Стабилитрон (диод лавинный выпрямительный)

а) односторонний

б) двухсторонний

5. Диод теплоэлектрический

6. Варикап (диод емкостный)

7. Диод двунаправленный

8. Модуль с несколькими (например, тремя) одинаковыми диодами с общим анодным и самостоятельными катодными выводами

8a. Модуль с несколькими одинаковыми диодами с общим катодным и самостоятельными анодными выводами

9. Диод Шотки

10. Диод светоизлучающий

7. Обозначения тиристоров приведены в табл. 6.

Таблица 6

Наименование

Обозначение

1. Тиристор диодный, запираемый в обратном направлении

2. Тиристор диодный, проводящий в обратном направлении

3. Тиристор диодный симметричный

4. Тиристор триодный. Общее обозначение

5. Тиристор триодный, запираемый в обратном направлении с управлением: по аноду

по катоду

6. Тиристор триодный выключаемый: общее обозначение

запираемый в обратном направлении, с управлением по аноду

запираемый в обратном направлении, с управлением по катоду

7. Тиристор триодный, проводящий в обратном направлении:

общее обозначение

с управлением по аноду

с управлением по катоду

8. Тиристор триодный симметричный (двунаправленный) — триак

9. Тиристор тетроидный, запираемый в обратном направлении

Примечание. Допускается обозначение тиристора с управлением по аноду изображать в виде продолжения соответствующей стороны треугольника.

8. Примеры построения обозначений транзисторов с Р- N -переходами приведены в табл. 7.

Таблица 7

Наименование

Обозначение

1. Транзистор

а) типа PNP

б) типа NPN с выводом от внутреннего экрана

2. Транзистор типа NPN, коллектор соединен с корпусом

3. Транзистор лавинный типа NPN

4. Транзистор однопереходный с N-базой

5. Транзистор однопереходный с Р-базой

6. Транзистор двухбазовый типа NPN

7. Транзистор двухбазовый типа PNIP с выводом от i-области

8. Транзистор двухразовый типа P NIN с выводом от I -области

9. Транзистор многоэмиттерный типа NPN

Примечание. При выполнении схем допускается:

а) выполнять обозначения транзисторов в зеркальном изображении, например,

б) изображать корпус транзистора.

Таблица 8

Наименование

Обозначение

1. Транзистор полевой с каналом типа N

2. Транзистор полевой с каналом типа Р

3. Транзистор полевой с изолированным затвором баз вывода от подложки:

а) обогащенного типа с Р-каналом

б) обогащенного типа с N-каналом

в) обедненного типа с Р-каналом

г) обедненного типа с N-каналом

4. Транзистор полевой с изолированным затвором обогащенного типа с N-каналом, с внутренним соединением истока и подложки

5. Транзистор полевой с изолированным затвором с выводом от подложки обогащенного типа с Р-каналом

6. Транзистор полевой с двумя изолированными затворами обедненного типа с Р-каналом с выводом от подложки

7. Транзистор полевой с затвором Шоттки

8. Транзистор полевой с двумя затворами Шоттки

Примечание . Допускается изображать корпус транзисторов.

10. Примеры построений обозначений фоточувствительных и излучающих полупроводниковых приборов приведены в табл. 9.

Таблица 9

Наименование

Обозначение

1. Фоторезистор:

а) общее обозначение

б) дифференциальный

2. Фотодиод

З. Фототиристор

4. Фототранзистор:

а) типа PNP

б) типа NPN

5. Фотоэлемент

6. Фотобатарея

Таблица 10

Наименование

Обозначение

1. Оптрон диодный

2. Оптрон тиристорный

3. Оптрон резисторный

4. Прибор оптоэлектронный с фотодиодом и усилителем:

а) совмещенно

б) разнесенно

5. Прибор оптоэлектронный с фототранзистором:

а) с выводом от базы

б) без вывода от базы

Примечания:

1. Допускается изображать оптоэлектронные приборы разнесенным способом. При этом знак оптического взаимодействия должен быть заменен знаками оптического излучения и поглощения по ГОСТ 2.721-74,

например:

2. Взаимная ориентация обозначений источника и приемника не устанавливается, а определяется удобством вычерчивания схемы, например:

12. Примеры построения обозначений прочих полупроводниковых приборов приведены в табл. 11.

Таблица 11

Наименование

Обозначение

1. Датчик Холла

Токовые выводы датчика изображены линиями, отходящими от коротких сторон прямоугольника

2. Резистор магниточувствительный

3. Магнитный разветвитель

13. Примеры изображения типовых схем на полупроводниковых диодах приведены в табл. 12.

Таблица 12

Наименование

Обозначение

1. Однофазная мостовая выпрямительная схема:

а) развернутое изображение

б) упрощенное изображение (условное графическое обозначение)

Примечание. К выводам 1-2 подключается напряжение переменного тока; выводы 3-4 — выпрямленное напряжение; вывод 3 имеет положительную полярность. Цифры 1, 2, 3 и 4 указаны для пояснения.

Пример применения условного графического обозначения на схеме

2. Трехфазная мостовая выпрямительная схема

3. Диодная матрица (фрагмент)

Примечание. Если все диоды в узлах матрицы включены идентично, то допускается применять упрощенный способ изображения. При этом на схеме должны быть приведены пояснения о способе включения диодов

14. Условные графические обозначения полупроводниковых приборов для схем, выполнение которых при помощи печатающих устройств ЭВМ предусмотрено стандартами Единой системы конструкторской документации, приведены в табл. 13.

Таблица 13

Наименование

Обозначение

Отпечатанное обозначение

1. Диод

2. Транзистор типа PNР

3. Транзистор типа NPN

4. Транзистор типа PNIP с выводом от I -области

5. Многоэмиттерный транзистор типа NPN

Примечание к пп. 2-5. Звездочкой отмечают вывод базы, знаком «больше» или «меньше» — вывод эмиттера.

15. Размеры (в модульной сетке) основных условных графических обозначений даны в приложении 2.

(Измененная редакция, Изм. № 4).

Приложение 1. (Исключено, Изм. № 4).

Наименование

Обозначение

1. Диод

2.. Тиристор диодный

3. Тиристор триодный

4. Транзистор

5. Транзистор полевой

6. Транзистор полевой с изолированным затвором

(Введено дополнительно, Изм. № 3).

ИНФОРМАЦИОННЫЕ ДАННЫЕ

1 РАЗРАБОТАН И ВНЕСЕН Государственным комитетом стандартов Совета Министров СССР

РАЗРАБОТЧИКИ

В. Р. Верченко, Ю. И. Степанов, Э. Я. Акопян, Ю. П. Широкий, В. П. Пармешин, И. К. Виноградова

2 УТВЕРЖДЕН И ВВЕДЕН В ДЕЙСТВИЕ Постановлением Государственного комитета стандартов Совета Министров СССР от 16.08.73 № 2002

3 Соответствует СТ СЭВ 661-88

4 ВЗАМЕН ГОСТ 2.730-68, ГОСТ 2.747-68 в части пп. 33 и 34 таблицы

5 ПЕРЕИЗДАНИЕ (январь 1995 г.) с Изменениями № 1, 2, 3, 4, утвержденными в июле 1980 г., апреле 1987 г., марте 1989 г., июле 1991 г. (ИУС 10-80, 7-87, 6-89, 10-91)

ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров

Термин

Буквенное обозначение

Определение

русское

междуна- родное

ОБЩИЕ ПОНЯТИЯ

ОБЩИЕ ПОНЯТИЯ

1.

Постоянное прямое* напряжение диода

D. Durchlassgleichspannung der Diode

E. Forward continuous voltage

F. Tension directe continue

Постоянное значение прямого напряжения при заданном прямом токе полупроводникового диода

__________________
* В каждом конкретном случае использования термина следует в его наименовании слова «диод» или «СВЧ диод» заменить понятием, определяющим группу диода, например «постоянный обратный ток диода» следует писать «постоянный обратный ток стабилитрона».

2.

Импульсное прямое напряжение диода

D. Spitzendurchlassspannung der Diode

E. Peak forward voltage

F. Tension directe de

Наибольшее мгновенное значение прямого напряжения, обусловленное импульсным прямым током диода заданного значения

3.

Постоянное обратное напряжение диода

D. Sperrgleichspannung der Diode

E. Reverse continuous voltage

F. Tension inverse continue

4.

Импульсное обратное напряжение диода

D. Spitzensperrspannung der Diode

E. Peak reverse voltage

F. Tension inverse de

Наибольшее мгновенное значение обратного напряжения диода

5.

Среднее прямое напряжение диода

D. Mittlere Durchlassspannung der Diode

E. Average forward voltage

F. Tension directe moyenne

Среднее за период значение прямого напряжения диода при заданном среднем прямом токе

6.

Пробивное напряжение диода

D. Durchbruchspannung der Diode

E. Breakdown voltage

F. Tension de claquage

Значение обратного напряжения, вызывающее пробой перехода диода, при котором обратный ток достигает заданного значения

7.

Постоянный прямой ток диода

D. Durchlassgleichstrom der Diode

E. Forward continuous current

F. Courant direct continu

8.

Импульсный прямой ток диода

D. Spitzendurchlassstrom der Diode

E. Peak forward current

F. Courant direct de

Наибольшее мгновенное значение прямого тока диода, исключая повторяющиеся и неповторяющиеся переходные токи

9.

Средний прямой ток диода

D. Mittlerer Durchlassstrom der Diode

E. Average forward current

F. Courant durect moyen

Среднее за период значение прямого тока диода

10.

Постоянный обратный ток диода

D. Sperrgleichstrom der Diode

E. Reverse continuous current

F. Courant inverse continu

11.

Импульсный обратный ток диода

D. Spitzensperrstrom der Diode

E. Peak reverse current

F. Courant inverse de

Наибольшее мгновенное значение обратного тока диода, обусловленного импульсным обратным напряжением

12.

Прямая рассеиваемая мощность диода

D. Durchlassverlustleistung der Diode

E. Forward power dissipation

F. Dissipation de puissance en direct

Значение мощности, рассеиваемой диодом при протекании прямого тока

13.

Обратная рассеиваемая мощность диода

Е. Reverse power dissipation

F. Dissipation de puissance en inverse

Значение мощности, рассеиваемой диодом при протекании обратного тока

14.

Средняя рассеиваемая мощность диода

D. Mittlere Verlustleistung der Diode

E. Average power dissipation

Среднее за период значение мощности, рассеиваемой диодом при протекании прямого и обратного токов

15.

Импульсная рассеиваемая мощность диода

D. Spitzenverlustleistung der Diode

E. Peak power dissipation

Наибольшее мгновенное значение мощности, рассеиваемой диодом

16.

Общая емкость диода

D. der Diode

E. Terminal capacitance

F. aux bornes

Значение емкости между выводами диода при заданном режиме

17.

Емкость перехода диода

D. der Diode

Е. Junction capacitance

F. de junction

Общая емкость диода без емкости корпуса.

Примечание. В случае, когда диод имеет структуру, допускается использовать термин «емкость структуры» и буквенное обозначение «»

18.

Емкость корпуса диода

D. der Diode

E. Case capacitance

Значение емкости между выводами корпуса диода при отсутствии кристалла

19.

Дифференциальное сопротивление диода

D. Differentieller Widerstand der Diode

E. Differential resistance


F.

Отношение малого приращения напряжения диода к малому приращению тока в нем при заданном режиме

20.

Последовательное сопротивление потерь диода

D. Serienwiderstand der Diode

E. Total series equivalent resistance

F. totale

Суммарное эквивалентное активное сопротивление кристалла, контактных соединений и выводов диода

21.

Тепловое сопротивление диода

D.

E. Thermal resistance

F. thermique

Отношение разности эффективной температуры перехода и температуры в контрольной точке к рассеиваемой мощности диода в установившемся режиме

22.

Импульсное тепловое сопротивление диода

Отношение разности эффективной температуры перехода и температуры в контрольной точке к импульсной мощности диода

23.

Тепловое сопротивление переход — окружающая среда диода

Тепловое сопротивление диода в случае, когда температурой в контрольной точке является температура окружающей или охлаждающей среды

24.

Тепловое сопротивление переход — корпус диода

Е. Thermal resistance junction to case

Тепловое сопротивление диода в случае, когда температурой в контрольной точке является температура корпуса диода.

Примечание. Если полупроводниковый кристалл имеет многослойную структуру, может быть использован термин «тепловое сопротивление структура — окружающая среда» или термин «тепловое сопротивление структура — корпус»

25.

Тепловая емкость диода

Е. Thermal capacitance

Отношение тепловой энергии, накопленной в диоде, к разности эффективной температуры перехода и температуры в контрольной точке

26.

Переходное тепловое сопротивление диода

Е. Transient thermal impedance

Отношение разности изменения температуры перехода и температуры в контрольной точке в конце заданного интервала времени, вызывающего изменение температуры, к скачкообразному изменению рассеиваемой мощности диода в начале этого интервала.

Примечание. Непосредственно перед началом этого интервала времени распределение температуры внутри диода должно быть постоянным во времени

27.

Переходное тепловое сопротивление переход — окружающая среда диода

Е. Transient thermal impedance junction to ambient

Переходное тепловое сопротивление диода в случае, когда температурой в контрольной точке является температура окружающей или охлаждающей среды

28.

Переходное тепловое сопротивление переход — корпус диода

Е. Transient thermal impedance junction to case

Переходное тепловое сопротивление диода в случае, когда температурой в контрольной точке является температура корпуса диода

29.

Индуктивность диода

D. der Diode

E. Total series equivalent inductance

F. Inductance totale

Последовательная эквивалентная индуктивность диода при заданных условиях

30.

Эффективное время жизни неравновесных носителей заряда диода

Е. Effective excess minority lifetime

Величина, характеризующая скорость убывания концентрации неравновесных носителей заряда диода вследствие рекомбинации как в объеме, так и на поверхности полупроводника

31.

Накопленный заряд диода

Е. Stored charge

F. Charge

Заряд электронов или дырок в базе диода или -области структуры, накопленный при протекании прямого тока

32.

Заряд восстановления диода

Ндп. Заряд переключения

D. Sperrerholladung der Diode

Е. Recovered charge

F. Charge

Полный заряд диода, вытекающий во внешнюю цепь при переключении диода с заданного прямого тока на заданное обратное напряжение.

Примечания:

1. Заряд восстановления включает накопленный заряд и заряд емкости обедненного слоя.

2. Заряд восстановления является суммой зарядов запаздывания и спада

33.

Время обратного восстановления диода

Ндп. Время восстановления обратного сопротивления

D. Sperrerholungszeit der Diode

Е. Reverse recovery time

F. Temps de recouvrement inverse

Время переключения диода с заданного прямого тока на заданное обратное напряжение от момента прохождения тока через нулевое значение до момента, когда обратный ток, уменьшаясь от максимального импульсного значения, достигает заданного значения обратного тока

34.

Время прямого восстановления диода

Ндп. Время восстановления прямого сопротивления

D. Durchlasserholungszeit der Diode

Е. Forward recovery time

F. Temps de recouvrement direct

Время, в течение которого происходит включение диода и прямое напряжение на нем устанавливается от значения, равного нулю, до заданного установившегося значения

ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЕ ДИОДЫ

35.

Рабочее импульсное обратное напряжение выпрямительного диода

Е. Working peak reverse voltage

Наибольшее мгновенное значение обратного напряжения выпрямительного диода без учета повторяющихся и неповторяющихся переходных напряжений

36.

Повторяющееся импульсное обратное напряжение выпрямительного диода

D. Periodische Spitzensperrspannung der Diode

E. Repetitive peak reverse voltage

F. Tension inverse de pointe

Наибольшее мгновенное значение обратного напряжения выпрямительного диода, включая повторяющиеся переходные напряжения, но исключая неповторяющиеся переходные напряжения.

Примечание. Повторяющееся напряжение обычно определяется схемой и параметрами диода

37.

Неповторяющееся импульсное обратное напряжение выпрямительного диода

D. Nichtperiodische Spitzensperrspannung der Diode

E. Non-repetitive (surge) reverse voltage

F. Tension inverse de pointe

Наибольшее мгновенное значение неповторяющегося переходного обратного напряжения выпрямительного диода.

Примечание. Неповторяющееся переходное напряжение обусловливается обычно внешней причиной и предполагается, что его действие исчезает полностью до появления следующего переходного напряжения

38.

Пороговое напряжение выпрямительного диода

D. Schleusenspannung der Diode

E. Threshold voltage

F. Tension de seuil

Значение постоянного прямого напряжения выпрямительного диода в точке пересечения с осью напряжений прямой линии, аппроксимирующей вольт-амперную характеристику в области больших токов

39.

Повторяющийся импульсный прямой ток выпрямительного диода

D. Periodischer Spitzen-durchlassstrom der Diode

E. Repetitive peak forward current

F. Courant direct de pointe


Наибольшее мгновенное значение прямого тока выпрямительного диода, включая повторяющиеся переходные токи и исключая все неповторяющиеся переходные токи

40.

Ударный прямой ток выпрямительного диода

Ток, при протекании которого превышается максимально допустимая эффективная температура перехода, но который за время срока службы выпрямительного диода появляется редко с ограниченным числом повторений и вызывается необычными условиями работы схемы

41.

Действующий прямой ток выпрямительного диода

Е. RMS forward current

Действующее значение прямого тока выпрямительного диода за период

42.

Ток перегрузки выпрямительного диода

Е. Overload forward current

F. Courant direct de surcharge

Значение прямого тока выпрямительного диода, длительное протекание которого вызвало бы превышение максимально допустимой температуры перехода, но который так ограничен во времени, что эта температура не превышается.

Примечание. За время эксплуатации диода число воздействий током перегрузки не ограничивается

43.

Защитный показатель выпрямительного диода




Значение интеграла от квадрата ударного прямого тока выпрямительного диода

44.

Повторяющийся импульсный обратный ток выпрямительного диода

Е. Repetitive peak reverse current

F. Courant inverse de pointe

Значение обратного тока выпрямительного диода, обусловленного повторяющимся импульсным обратным напряжением

45.

Средний обратный ток выпрямительного диода

D. Mittlerer Sperrstrom der Diode

E. Average reverse current

F. Courant inverse moyen

Среднее за период значение обратного тока выпрямительного диода

46.

Средний выпрямленный ток диода

D. Mittlerer Richtstrom der Diode

E. Average output rectified current

F. Courant moyen de sortie

Среднее за период значение прямого и обратного токов выпрямительного диода

47.

Средняя прямая рассеиваемая мощность выпрямительного диода

Е. Average forward power dissipation

Произведение мгновенных значений прямого тока и прямого напряжения выпрямительного диода, усредненное по всему периоду

48.

Средняя обратная рассеиваемая мощность выпрямительного диода

Е. Average reverse power dissipation

Произведение мгновенных значений обратного тока и обратного напряжения выпрямительного диода, усредненное по всему периоду

49.

Ударная обратная рассеиваемая мощность лавинного выпрямительного диода

Е. Surge (non-repetitive) reverse power dissipation

Значение мощности, рассеиваемой выпрямительным диодом, при воздействии одиночных импульсов тока в режиме пробоя

50.

Повторяющаяся импульсная обратная рассеиваемая мощность выпрямительного диода

Е. Repetitive peak reverse power dissipation

Значение мощности, рассеиваемой выпрямительным диодом, при воздействии периодических импульсов

51.

Рассеиваемая мощность выпрямительного диода при обратном восстановлении

Е. Total instantaneous turn-off dissipation

F. Dissipation totale la coupure du courant

Мгновенное значение мощности, рассеиваемой выпрямительным диодом при переключении с заданного прямого тока на заданное обратное напряжение

52.

Импульсная рассеиваемая мощность выпрямительного диода при обратном восстановлении

Е Peak turn-off dissipation

F Dissipation de pointe la coupure du courant

Наибольшее мгновенное значение мощности, рассеиваемой выпрямительным диодом при переключении с заданного прямого тока на заданное обратное напряжение

53.

Средняя рассеиваемая мощность выпрямительного диода при обратном восстановлении

Е. Average turn-off dissipation

F Dissipation moyene la coupure du courant

Среднее за период значение мощности выпрямительного диода при обратном восстановлении

54.

Рассеиваемая мощность выпрямительного диода при прямом восстановлении

Е. Total instantaneous turn-on dissipation

F. Dissipation totale du courant

Мгновенное значение мощности, рассеиваемой выпрямительным диодом при переключении с заданного обратного напряжения на заданный прямой ток

55.

Импульсная мощность выпрямительного диода при прямом восстановлении

Е. Peak turn-on dissipation

F. Dissipation de pointe du courant

Наибольшее мгновенное значение мощности, рассеиваемой выпрямительным диодом при переключении с заданного обратного напряжения на заданный прямой
ток

56.

Средняя рассеиваемая мощность выпрямительного диода при прямом восстановлении

Е. Average turn-on dissipation

F. Dissipation moyenne du courant

Среднее за период значение мощности выпрямительного диода при прямом восстановлении

57.

Энергия прямых потерь выпрямительного диода

Е. Forward energy loss



Значение энергии потерь выпрямительного диода, обусловленной прямым током

58.

Энергия обратных потерь выпрямительного диода

Е. Reverse energy loss



Значение энергии потерь выпрямительного диода, обусловленной обратным током

59.

Общая энергия потерь выпрямительного диода

Е. Total energy loss



Сумма средних значений энергий прямых и обратных потерь выпрямительного диода

60.

Энергия потерь при обратном восстановлении диода

Е. Reverse recovery energy loss



Значение энергии потерь выпрямительного диода при переключении с заданного прямого тока на заданное обратное напряжение

61.

Динамическое сопротивление выпрямительного диода

D. Dynamischer Widerstand der Diode

E. Slope resistance

F. apparente directe

Сопротивление, определяемое наклоном прямой, аппроксимирующей прямую вольт-амперную характеристику выпрямительного диода

62.

Заряд запаздывания выпрямительного диода

Заряд, вытекающий из выпрямительного диода за время запаздывания обратного напряжения

63.

Заряд спада выпрямительного диода

Заряд, вытекающий из выпрямительного диода за время спада обратного тока

64.

Время запаздывания обратного напряжения выпрямительного диода

Интервал времени между моментом, когда ток проходит через нулевое значение, изменяя направление от прямого на обратное, и моментом, когда обратный ток достигает амплитудного значения

65.

Время спада обратного тока выпрямительного диода

Интервал времени между моментом, когда ток, изменив направление от прямого на обратное и пройдя нулевое значение, достигает амплитудного значения и моментом окончания времени обратного восстановления выпрямительного диода

ТУННЕЛЬНЫЕ ДИОДЫ

66.

Пиковый ток туннельного диода

D. der Tunneldiode

E. Peak point current

F. Courant de pic

Значение прямого тока в точке максимума вольт-амперной характеристики туннельного диода, при котором значение дифференциальной активной проводимости равно нулю

67.

Ток впадины туннельного диода

D. Talstrom der Tunneldiode

Е. Valley point current

F. Courant de

Значение прямого тока в точке минимума вольт-амперной характеристики туннельного диода, при котором значение дифференциальной активной проводимости равно нулю

68.

Отношение токов туннельного диода

D. -Talstrom- der Tunneldiode

E. Peak to valley point current ratio

F. Rapport de du courant

Отношение пикового тока к току впадины туннельного диода

69.

Напряжение пика туннельного диода

D. der Tunneldiode

E. Peak point voltage

F. Tension de pic

Значение прямого напряжения, соответствующее пиковому току туннельного диода

70.

Напряжение впадины туннельного диода

D. Talspannung der Tunneldiode

E. Valley point voltage

F. Tension de

Значение прямого напряжения, соответствующее току впадины туннельного диода

71.

Напряжение раствора туннельного диода

D. Projezierte


E. Projected peak point voltage

F. Tension isohypse

Значение прямого напряжения на второй восходящей ветви вольт-амперной характеристики туннельного диода, при котором ток равен пиковому

72.

Отрицательная проводимость туннельного диода

D. Negativer Leitwert der Tunneldiode

E. Negative conductance of the intrinsic diode

F. Conductance de la diode

Дифференциальная проводимость перехода на падающем участке прямой ветви вольт-амперной характеристики туннельного диода

73.

Предельная резистивная частота туннельного диода

D. -Grenz-frequenz der Tunneldiode

E. Resistive cut-off frequency

F. de coupure

Значение частоты, на которой активная составляющая полного сопротивления туннельного диода на его выводах обращается в нуль

74.

Шумовая постоянная туннельного диода

D. Rauschfaktor der Tunneldiode

E. Noise factor

F. Facteur de bruit

Величина, определяемая соотношением:

,

где — ток в рабочей точке туннельного диода,

— отрицательная проводимость туннельного диода

75.

Энергия импульсов туннельного диода

Энергия коротких импульсов тока, воздействующих на туннельный диод

ВАРИКАПЫ

76.

Добротность варикапа

D. der

E. Quality factor

Отношение реактивного сопротивления варикапа на заданной частоте к сопротивлению потерь при заданном значении емкости или обратного напряжения

77.

Температурный коэффициент емкости варикапа

D. Temperaturkoeffizient der der

E. Temperature coefficient of capacitance

Отношение относительного изменения емкости варикапа к вызвавшему его абсолютному изменению температуры окружающей среды

78.

Предельная частота варикапа

D. der

E. Cut-off frequency

F. de coupure

Значение частоты, на которой реактивная составляющая проводимости варикапа становится равной активной составляющей его проводимости при заданных условиях

79.

Температурный коэффициент добротности варикапа

D. Temperaturkoeffizient des der

E. Temperature coefficient of quality factor

Отношение относительного изменения добротности варикапа к вызвавшему его абсолютному изменению температуры окружающей среды

80.

Коэффициент перекрытия по емкости варикапа

Отношение общих емкостей варикапа при двух заданных значениях обратного напряжения

СТАБИЛИТРОНЫ

81.

Напряжение стабилизации стабилитрона

D. Z-Spannung der Z-Diode

Е. Working voltage (of voltage regulator diode)

F. Tens on de

Значение напряжения стабилитрона при протекании тока стабилизации

82.

Ток стабилизации стабилитрона

D. Z-Strom der Z-Diode

E. Continuous current within the working voltage range

F. Courant continu inverse pour la gamme des tensions de

Значение постоянного тока, протекающего через стабилитрон в режиме стабилизации

83.

Импульсный ток стабилизации стабилитрона

Наибольшее мгновенное значение тока стабилизации стабилитрона

84.

Дифференциальное сопротивление стабилитрона

D. Z-Widerstand der Z-Diode

Е. Differential resistance within the working voltage range

F. dans la zone des tensions de

Дифференциальное сопротивление при заданном значении тока стабилизации стабилитрона

85.

Температурный коэффициент напряжения стабилизации стабилитрона

D. Temperaturkoeffizient der Z-Spannung der Z-Diode

E. Temperature coefficient of working voltage

F. Coefficient de de la tension de

Отношение относительного изменения напряжения стабилизации стабилитрона к абсолютному изменению температуры окружающей среды при постоянном значении тока стабилизации

86.

Время включения стабилитрона

D. Einschaltzeit der Z-Diode

E. Turn-on time

Интервал времени, определяемый с момента переключения стабилитрона из состояния заданного напряжения до момента достижения установившегося напряжения стабилизации

87.

Временная нестабильность напряжения стабилизации стабилитрона

D. Zeitliche Instabilitat der Z-Spannung der Z-Diode

E. Working voltage long-term instability

F. long terme de la tension de

Отношение наибольшего изменения напряжения стабилизации стабилитрона к начальному значению напряжения стабилизации за заданный интервал времени

88.

Время выхода стабилитрона на режим

D. Stabilisierungszeit der Z-Diode

E. Transient time of working voltage

Интервал времени от момента подачи тока стабилизации на стабилитрон до момента, начиная с которого напряжение стабилизации не выходит за пределы области, ограниченной

89.

Несимметричность напряжения стабилизации стабилитрона

Разность напряжений стабилизации при двух равных по абсолютному значению и противоположных по знаку токах стабилизации стабилитрона

89а.

Температурный уход напряжения стабилизации стабилитрона

Максимальное абсолютное изменение напряжения стабилизации стабилитрона от изменения температуры в установленном диапазоне температур при постоянном токе стабилизации

89б.

Нелинейность температурной зависимости напряжения стабилизации стабилитрона

Отношение наибольшего отклонения напряжения стабилизации стабилитрона от линейной зависимости в указанном диапазоне температур к произведению абсолютного изменения напряжения стабилизации и абсолютного изменения температуры окружающей среды при постоянном токе стабилизации

89в.

Размах низкочастотных шумов стабилизации стабилитрона

Разница наибольшего и наименьшего напряжения стабилизации стабилитрона за время измерения в указанном диапазоне частот при постоянном токе стабилизации

90.

Спектральная плотность шума стабилитрона

Эффективное значение напряжения шума, отнесенное к полосе в 1 Гц, измеренное при заданном токе стабилизации стабилитрона в оговоренном диапазоне частот

СВЕРХВЫСОКОЧАСТОТНЫЕ ДИОДЫ

91.

Выпрямительный ток СВЧ диода

Постоянная составляющая тока СВЧ диода в рабочем режиме

92.

Постоянный рабочий ток ЛПД

Значение постоянного тока лавинно-пролетного диода, при котором обеспечивается заданная непрерывная выходная СВЧ мощность

93.

Импульсный рабочий ток
ЛПД

Мгновенное значение тока лавинно-пролетного диода, при котором обеспечивается заданная импульсная выходная СВЧ мощность

94.

Постоянный пусковой ток
ЛПД

Наименьшее значение постоянного тока лавинно-пролетного диода, при котором возникает генерация СВЧ мощности

95.

Импульсный пусковой ток
ЛПД

Наименьшее мгновенное значение тока лавинно-пролетного диода, при котором возникает генерация СВЧ мощности

96.

Пороговый ток диода Ганна

Значение постоянного тока диода Ганна в точке первого максимума вольт-амперной характеристики, при котором значение дифференциальной активной проводимости равно нулю

97.

Постоянный рабочий ток диода Ганна

Значение постоянного тока диода Ганна при постоянном рабочем напряжении

98.

Импульсный рабочий ток диода Ганна

Мгновенное значение тока диода Ганна при импульсном рабочем напряжении

99.

Постоянное пороговое напряжение диода Ганна

Значение постоянного напряжения, соответствующее пороговому току диода Ганна

100.

Постоянное рабочее напряжение диода Ганна

Значение постоянного напряжения диода Ганна, при котором обеспечивается заданная непрерывная выходная СВЧ мощность

101.

Импульсное рабочее напряжение диода Ганна

Мгновенное значение импульсного напряжения диода Ганна, при котором обеспечивается заданная импульсная выходная СВЧ мощность

102.

Непрерывная рассеиваемая мощность СВЧ диода

Е. R. F. с. w. power dissipation

F. Dissipation de puissance dans le cas d’une onde R. F. entretenue

Сумма рассеиваемой СВЧ диодом мощности от всех источников в непрерывном режиме работы

103.

Импульсная рассеиваемая мощность СВЧ диода

Е. Pulse r. f. power dissipation

F. Dissipation de puissance dans la cas de train d’ondes R. F.

Сумма рассеиваемой СВЧ диодом мощности от всех источников в импульсном режиме работы

104.

Средняя рассеиваемая мощность СВЧ диода

Е. Average r. f. power

F. Puissance R. F. moyenne

Сумма средних значений рассеиваемых СВЧ диодом мощностей от всех источников

105.

Непрерывная выходная мощность СВЧ диода

Значение непрерывной СВЧ мощности, отдаваемой диодом в согласованную нагрузку в заданном режиме

106.

Импульсная выходная мощность СВЧ диода

Значение импульсной СВЧ мощности, отдаваемой диодом в согласованную нагрузку в заданном режиме

107.

Мощность ограничения СВЧ диода

Е. Clipping power

Уровень СВЧ мощности, подводимой на вход линии передачи с диодом, включенным параллельно линии передачи, при которой выходная мощность достигает заданного значения

108.

Тангенциальная чувствительность СВЧ диода

Е. Tangential sensitivity

Значение импульсной мощности СВЧ сигнала, при котором на экране осциллографа, включенного на выходе системы «детекторное устройство-видеоусилитель» наблюдается совпадение верхней границы полосы шумов при отсутствии СВЧ сигнала с нижней границей полосы шумов при его наличии

109.

Граничная мощность детекторного диода

Значение мощности, при которой зависимость выпрямленного тока детекторного диода от мощности сигнала отклоняется от линейной на заданное значение при заданном сопротивлении нагрузки

110.

Минимально различимая мощность сигнала детекторного диода

Значение мощности СВЧ сигнала, поданного на приемник с детектором на входе, при котором отношение сигнал-шум равно единице

111.

Время тепловой релаксации СВЧ диода

Интервал времени с начала подачи импульса, за который температура перехода СВЧ диода достигает 63,2% от значения температуры в установленном режиме

112.

Энергия одиночного импульса СВЧ диода

Е. Single pulse energy

F. Energie d’une impulsion



Значение энергии одного воздействующего на СВЧ диод короткого импульса.

Примечание. Под коротким импульсом понимается импульс длительностью не более 10 с

113.

Энергия повторяющихся импульсов СВЧ диода

Е. Repetitive pulse energy

F. Energie d’une impulsion


Значение энергии серии воздействующих на СВЧ диод повторяющихся коротких импульсов

114.

Энергия выгорания СВЧ диода

Е. Burn-out energy

F. Energie de claquage





Минимальное значение энергии одиночного короткого импульса СВЧ диода, после воздействия которого электрические параметры СВЧ диода изменяются на заданные значения

115.

Энергия СВЧ импульсов СВЧ диода

Значение энергии воздействующих на СВЧ диод СВЧ импульсов длительностью менее 3·10 с

116.

Полное входное сопротивление СВЧ диода

Полное сопротивление, измеренное на входе диодной камеры с СВЧ диодом в заданном режиме

117.

Прямое сопротивление потерь переключательного диода

Последовательное сопротивление потерь переключательного диода, включенного в линию передачи, при заданном постоянном прямом токе

118.

Обратное сопротивление потерь переключательного диода

Последовательное сопротивление потерь переключательного диода, включенного в линию передачи, при заданном постоянном обратном напряжении

119.

Сопротивление ограничительного диода при низком значении СВЧ мощности

Сопротивление потерь ограничительного диода, измеряемое при малых значениях СВЧ мощности, на начальном участке ограничительной характеристики, при которых сопротивление диода не изменяется

120.

Сопротивление ограничительного диода при высоком значении СВЧ мощности

Сопротивление потерь ограничительного диода, измеряемое при значениях СВЧ мощности, больших мощности ограничения, при которых сопротивление диода не изменяется

121.

Сопротивление диода Ганна

Активное сопротивление диода Ганна, измеряемое при напряжении значительно меньшем порогового

122.

Выходное сопротивление смесительного диода

Активная составляющая полного сопротивления смесительного диода на промежуточной частоте в заданном режиме

123.

Выходное сопротивление детекторного диода на видеочастоте

Активная составляющая полного сопротивления детекторного диода на видеочастоте в заданном режиме

124.

Постоянная времени СВЧ диода

Произведение емкости перехода на последовательное сопротивление потерь СВЧ диода

125.

Время выключения СВЧ диода

Интервал времени нарастания обратного напряжения СВЧ диода при переключении его из открытого состояния в закрытое, отсчитанное по уровню 0,1 и 0,9 установившегося значения обратного напряжения

126.

Полоса частот СВЧ диода

Интервал частот, в котором СВЧ диод, настроенный на заданную частоту, обеспечивает заданные параметры и характеристики в неизменном рабочем режиме

127.

Предельная частота умножительного диода

Значение частоты, на которой добротность умножительного диода равна единице.

Примечание. Предельная частота определяется по формуле

,


где — емкость перехода;

— последовательное сопротивление потерь

128.

Критическая частота переключательного диода

Обобщенный параметр переключательного диода, определяемый по формуле



129.

Добротность СВЧ диода

Отношение реактивного сопротивления СВЧ диода на заданной частоте к активному при заданном значении обратного напряжения

130.

Потери преобразования смесительного диода

Е. Conversion loss

F. Perte de conversion

Отношение мощности СВЧ сигнала на входе диодной камеры к мощности сигнала промежуточной частоты в нагрузке смесительного диода в рабочем режиме

131.

Коэффициент полезного действия СВЧ диода

Отношение выходной мощности СВЧ диода к потребляемой им мощности

132.

Выходное шумовое отношение СВЧ диода

Е. Output noise ratio

F. Rapport de de bruit

Отношение мощности шума СВЧ диода в рабочем режиме, отдаваемой в согласованную нагрузку, к мощности тепловых шумов согласованного активного сопротивления при той же температуре и одинаковой полосе частот

133.

Нормированный коэффициент шума смесительного диода

Е. Standard overall average noise figure

F. Facteur de bruit total moyen normal



Значение коэффициента шума приемного устройства со смесительным диодом на входе при коэффициенте шума усилителя промежуточной частоты равном 1,5 дБ

134.

Коэффициент стоячей волны по напряжению СВЧ диода

КCВН

Е. Voltage standing wave ratio

V.S.W.P.

F. Taux d’ondes stationnaires T.O.S (R.O.S.)

Коэффициент стоячей волны по напряжению в линии передачи СВЧ, нагруженной на определенную диодную камеру с СВЧ диодом в рабочем режиме

135.

Чувствительность по току СВЧ диода

E. Total current sensitivity

F. totale en courant

Отношение приращения выпрямительного тока диода к вызвавшей это приращение СВЧ мощности на входе диодной камеры с СВЧ диодом в рабочем режиме при заданной нагрузке

136.

Чувствительность по напряжению СВЧ диода

Отношение приращения напряжения на нагрузке СВЧ диода к вызвавшей это приращение мощности СВЧ сигнала на входе диодной камеры с СВЧ диодом в рабочем режиме

137.

Температурный коэффициент выходной мощности СВЧ диода

Отношение относительного изменения выходной мощности СВЧ диода к абсолютному изменению температуры окружающей среды

138.

Температурный коэффициент частоты СВЧ диода

Отношение относительного изменения частоты генерации СВЧ диода к разности температур, окружающей среды

ШУМОВЫЕ ДИОДЫ

139.

Спектральная плотность напряжения шумового диода

Отношение среднего квадратического значения напряжения шумового диода к корню квадратному из заданного диапазона частот

140.

Спектральная плотность мощности шумового диода

Отношение среднего квадратического значения мощности шумового диода к заданному диапазону частот

141.

Неравномерность спектральной плотности напряжения (мощности) шумового диода


,

Отношение экстремального значения спектральной плотности напряжения (мощности) шумового диода к их среднему значению, выраженное в децибелах

142.

Температурный коэффициент спектральной плотности напряжения (мощности) шумового диода

,

Отношение относительного изменения спектральной плотности напряжения (мощности) шумового диода к абсолютному изменению температуры окружающей среды при постоянном токе диода

143.

Граничная частота шумового диода

Значение частоты, на которой спектральная плотность напряжения или мощности шумового диода имеет максимальное отклонение от ее среднего значения

144.

Диапазон частот шумового диода

Интервал частот, заключенный между верхней и нижней граничной частотой шумового диода

145.

Постоянный рабочий ток шумового диода

Значение постоянного тока, при котором определяются параметры шумового диода

146.

Постоянное напряжение шумового диода

Значение постоянного напряжения, обусловленного постоянным рабочим током шумового диода

Диоды Шоттки в SMD корпусах Маркировка Характеристики Цены

Мы надеемся, что вся информация, представленная в каталоге, будет полезна и производителям промэлектроники, и сервисным центрам, и радиолюбителям.

Информация по размерам контактных площадок электронных компонентов, применяемых для разработки, сборки и монтажа печатных плат, находится в разделе Печатные платы.

Маломощные диоды Шоттки

Цены в формате  .pdf,  .xls Купить
Упаковка: В блистр-ленте на катушке диаметром 180 мм по 3000 диодных сборок в SOT323 и по 3000 в корпусе SOT23.

Диоды Шоттки от 1 Ампера

Маркировка диода Шоттки Макс. обратное напряжение Макс. ток Имп. прямой ток Макс. прямое напряжение Максимальный обратный ток Тип корпуса диода Характеристики диода Склад Заказ
SS14 40В 30А 0,5В 0,5мА при 25°С и 50мА при 100°С SMA
SS16 60В 30А 0,7В 0,5мА при 25°С и 50мА при 100°С SMA
S100 100В 30А 0,85В 0,5мА при 25°С и 20мА при 100°С SMA
MS120 200В 30А 0,9В 0,002мА при 25°С и 20мА при 125°С SMA
SR24 40В 50A 0,5В 0,5 мАпри 25°С и 20мА при 100°С SMA
SR26 60В 50A 0,7В 0,5 мАпри 25°С и 20мА при 100°С SMA
SX34 (SK34А) 40В 80А 0,5В 0,2мА при 25°С и 20мА при 100°С SMA
SX36 60В 80А 0,75В 0,1мА при 25°С и 20мА при 100°С SMA
SK34 40В 100А 0,5В 0,5 мА при 25°С и 20мА при 100°С SMC
MB310 (SK39 PanJit) 100В 100А 0,8В 0,05мА при 25°С и 20мА при 100°С SMC
MB510 (SK59 PanJit) 100В 100А 0,8В 0,05мА при 25°С и 10мА при 100°С SMC
SVC10120VB 120В 10А 200А 0,79В 0,010мА TO-277B
Цены в формате  .pdf,  .xls Купить
Упаковка: В блистр-ленте на катушке диаметром 330 мм по 5000 диодов Шоттки в TO-277B и MELF, по 3000 в SMC. В блистр-ленте на катушке диаметром 180 мм по 1800 диодов Шоттки в SMA.

Быстрые диоды Шоттки

Цены в формате  .pdf,  .xls Купить
Упаковка: В блистр-ленте на катушке диаметром 180 мм по 3000 диодов Шоттки в SOD123FL.

Мосты на диодах Шоттки

Цены в формате  .pdf,  .xls Купить
Упаковка: В блистр-ленте на катушке диаметром 180 мм по 1000 мостов на диодах Шоттки TS140S, TS240S.

Диоды Шоттки широко используются в низковольтных цепях вследствие малого падения на переходе структуры метал-полупроводник. Для работы в цепях с высоким напряжением созданы высоковольтные выпрямительные диоды со структурой, состоящей из двух полупроводников. Сборки из четырех диодов полупроводниковых структур позволяют изготавливать диодные мосты для работы в выпрямителях сетевых источников питания. В более высокочастотных преобразователях напряжений применяются импульсные диоды. Для защиты от перенапряжений цепей питания разработаны ограничительные диоды. Двухвыводная полупроводниковая структура способная излучать свет при включение в электрическую цепь получила название светоизлучающий диод, сокращено светодиод . Различают одноцветные светодиоды состоящие из одного полупроводникового кристалла и многоцветные из кристаллов излучающих свет различных цветов. Первые представлены в разделе LED светодиодов 0603 и 1206 вторые в разделе двухцветные и трёхцветные светодиоды. Диоды, работающие на обратном участке ВАХ, имеющие резкую зависимость тока от напряжения используются в качестве источников опорного напряжения и называются полупроводниковые стабилитроны.

Корзина

Корзина пуста

7. Диоды, тиристоры, оптоэлектронные приборы — Условные графические обозначения на электрических схемах — Компоненты — Инструкции


Диоды — простейшие полупроводниковые приборы, основой которых является электронно-дырочный переход (р-п-переход). Как известно, основное свойство р-n-перехода — односторонняя проводимость: от области р (анод) к области п (катод). Это наглядно передает и условное графическое обрзначение полупроводникового диода [5]: треугольник (символ анода) вместе с пересекающей его линией электрической связи образуют подобие стрелки, указывающей направление проводимости. Перпендикулярная этой стрелке черточка символизирует катод (рис. 7.1).

 

 Буквенный код диодов — VD. Этим кодом обозначают не только отдельные диоды, но и целые группы, например, выпрямительные столбы. Исключение составляет однофазный выпрямительный мост, изображаемый в виде квадрата с соответствующим числом выводов и символом диода внутри (рис. 7.2, VD1). Полярность выпрямленного мостом напряжения на схемах не указывают, так как ее однозначно определяет символ диода. Однофазные мосты, конструктивно объединенные в одном корпусе, изображают отдельно, показывая принадлежность к одному изделию в позиционном обозначении (см. рис. 7.2, VD2.1, VD2.2). Рядом с позиционным обозначением диода можно указывать и его тип.

 

 

 На основе базового символа построены и условные графические обозначения полупроводниковых диодов с особыми свойствами. Чтобы показать на схеме стабилитрон, катод дополняют коротким штрихом, направленным в сторону символа анода (рис. 7.3, VD1). Следует отметить, что расположение штриха относительно символа анода должно быть неизменным независимо от положения УГО стабилитрона на схеме (VD2—VD4). Это относится и к символу двуханодного (двустороннего) стабилитрона (VD5).

 

 Аналогично построены условные графические обозначения туннельных диодов, обращенных и диодов Шотки — полупроводниковых приборов, используемых для обработки сигналов в области СВЧ. В символе туннельного диода (см. рис. 7.3, VD8) катод дополнен двумя штрихами, направленными в одну сторону (к аноду), в УГО диода Шотки (VD10) — в разные стороны; в УГО обращенного диода (VD9) — оба штриха касаются катода своей серединой.

 
 Свойство обратно смещенного р-n-перехода вести себя как электрическая ёмкость использовано в специальных диодах — варикапах (от слов vari(able) — переменный и cap(acitor) — конденсатор). Условное графическое обозначение этих приборов наглядно отражает их назначение (рис. 7.3, VD6): две параллельные линии воспринимаются как символ конденсатора. Как и конденсаторы переменной ёмкости, для удобства варикапы часто изготовляют в виде блоков (их называют матрицами) с общим катодом и раздельными анодами. Для примера на рис. 7.3 показано УГО матрицы из двух варикапов (VD7).

 
 Базовый символ диода использован и в УГО тиристоров (от греческого thyra — дверь и английского resistor — резистор) — полупроводниковых приборов с тремя р-л-переходами (структура p-n-p-n), используемых в качестве переключающих диодов. Буквенный код этих приборов — VS.

 

 Тиристоры с выводами только от крайних слоев структуры называют динисторами и обозначают символом диода, перечеркнутым отрезком линии, параллельным катоду (рис. 7.4, VS1). Такой же прием использован и при построении УГО симметричного динистора (VS2), проводящего ток (после его включения) в обоих направлениях. Тиристоры с дополнительным, третьим выводом (от одного из внутренних слоев структуры) называют тринисторами. Управление по катоду в УГО этих приборов показывают ломаной линией, присоединенной к символу катода (VS3), по аноду — линией, продолжающей одну из сторон треугольника, символизирующего анод (VS4), Условное графическое обозначение симметричного (двунаправленного) тринистора получают из символа симметричного динистора добавлением третьего вывода (см. рис.7.4, VS5).

 

 Из диодов, изменяющих свои параметры под действием внешних факторов, наиболее широко применяют фотодиоды. Чтобы показать такой полупроводниковый прибор на схеме, базовый символ диода помещают в кружок, а рядом с ним {слева вверху, независимо от положения УГО) помещают знак фотоэлектрического эффекта — две наклонные параллельные стрелки, направленные в сторону символа (рис. 7.5, VD1—VD3). Подобным образом строятся УГО любого другого полупроводникового диода, управляемого оптическим излучением. На рис. 7.5 в качестве примера показано условное графическое обозначение фотодинистора VD4.

 

 Аналогично строятся условные графические обозначения светоизлучающих диодов, но стрелки, обозначающие оптическое излучение, помещают справа вверху, независимо от положения УГО и направляют в противоположную сторону (рис. 7.6). Поскольку светодиоды, излучающие видимый свет, применяют обычно в качестве индикаторов, на схемах их обозначают латинскими буквами HL. Стандартный буквенный код D используют только для инфракрасных (ИК) светодиодов.
Для отображения цифр, букв и других знаков часто применяют светодиодные знаковые индикаторы. Условные графические обозначения подобных устройств в ГОСТе формально не предусмотрены, но на практике широко используются символы, подобные HL3, показанному на рис. 7.6, где изображено УГО семисегментного индикатора для отображения цифр и запятой. Сегменты подобных индикаторов обозначаются строчными буквами латинского алфавита по часовой стрелке, начиная с верхнего. Этот символ наглядно отражает практически реальное расположение светоизлучающих элементов (сегментов) в индикаторе, хотя и не лишен недостатка; он не несет информации о полярности включения в электрическую цепь (поскольку подобные индикаторы выпускают как с общим анодом, так и с общим катодом, то схемы включения будут различаться). Однако особых затруднений это не вызывает, поскольку подключение общего вывода индикаторов обычно указывают на схеме. Буквенный код знаковых индикаторов — HG.

 
 Светоизлучающие кристаллы широко используют в оптронах — специальных приборах, применяемых для связи отдельных частей электронных устройств в тех случаях, если необходима их гальваническая развязка. На схемах оптроны обозначают буквой U и изображают, как показано на рис. 7.7.

 

 Оптическую связь излучателя (светодиода) и фотоприемника показывают в этом случае двумя стрелками, перпендикулярными к линиям электрической связи — выводам оптрона. Фотоприемником в оптроне могут быть фотодиод (см. рис. 7.7, U1), фототиристор U2, фоторезистор U3 и т. д. Взаимная ориентация символов излучателя и фотоприемника не регламентируется. При необходимости составные части оптрона можно изображать раздельно, но в этом случае знак оптической связи следует заменять знаками оптического излучения и фотоэффекта, а принадлежность частей к одному изделию показывать в позиционном обозначении (см. рис. 7.7, U4.1, U4.2).

 

 

10.4.2 Обозначения полупроводниковых диодов

В основу системы обозначений полупроводниковых диодов согласно ОСТ 11 336.038-77 положен семизначный буквенно-цифровой код, первый элемент которого (буква – для приборов широкого применения, цифра – для приборов специального назначения) обозначает исходный полупроводниковый материал. Второй элемент обозначения – буква, определяет подкласс приборов, третий элемент – цифра или буква, определяет один из основных характеризующих данный прибор признаков. Четвертый, пятый и шестой элемент – трехзначной число, обозначающее порядковый номер разработки. Седьмой элемент – буква, характеризует классификацию по параметрам приборов, изготовленных по единой технологии.

Для обозначения материала (первый элемент) используют: Г или 1 – германий и его соединения; К или 2 – кремний и его соединения; А или 3 – арсенид галлия; И или 4 – фосфид индия.

Для обозначения подклассов приборов (второй элемент) используются буквы: Д – выпрямительные, импульсные диоды; Ц – выпрямительные столбы и мосты; В – варикапы; И – туннельные диоды; А – СВЧ диоды; С – стабилитроны и стабисторы; Г – генераторы шума; Л – излучающие светодиоды.

Значение третьего элемента, характеризующего основной признак прибора, зависит от подкласса прибора.

Примеры обозначений:

ГД508А – германиевый импульсный диод с временем восстановления от 150 до 500 нс, порядковый номер разработки 08, группа А.

КД215Б – кремниевый выпрямительный диод с прямым током более 0,3 А и менее 10 А, предназначенный для устройств широкого применения, номер разработки 15, группа Б.

10.4.3 Основные типы полупроводниковых диодов и их параметры

Выпрямительные диоды.

Они предназначенные для преобразования переменного тока в постоянный ток при использовании схем однополупериодного, двухполупериодного или мостового выпрямления.

Основными параметрами выпрямительных диодов являются:

  1. Максимально допустимое значение постоянного (или импульсного) прямого тока, текущего через диод.

  2. Постоянное прямое (или импульсное) падение напряжения на диоде.

  3. Постоянный обратный ток диода.

  4. Максимально допустимое значение постоянного (или импульсного) обратного напряжения, приложенного к диоду.

  5. Максимально допустимая температура р-п перехода.

Импульсные диоды.

Такие диоды имеют малую длительность переходных процессов и предназначены для работы в импульсных режимах.

При подаче на диод прямоугольного импульса напряжения прямого смещения ток через диод устанавливается не сразу, так как накопление инжектированных носителей заряда в базе ограничивается временем их диффузии. При длительном прохождении прямого тока процесс инжекции неосновных носителей заряда уравновешивается процессом их рекомбинации. Возникает некоторое установившееся состояние (рис.10.5 а).

При переключении диода с прямого напряжение на обратное в начальный момент возникает достаточно большой обратный ток, ограниченный в основном последовательным сопротивлением базы диода. После чего начинается процесс рассасывания неосновных носителей заряда, накопленных в базе. Обратный ток начинает уменьшаться. С течением времени все накопленные в базе неосновные носители либо прорекомбинируют в базе, либо уйдут через р-п переход. Обратный ток достигнет своего стационарного значения тока насыщения.

Переходной процесс, в течение которого обратное сопротивление полупроводникового диода восстанавливается до постоянного значения после быстрого переключения с прямого направления на обратное, называют восстановлением обратного сопротивления диода. Соответственно для импульсного диода дополнительно вводится параметр время восстановления обратного напряжения tвос, равное интервалу времени от момента прохождения тока через ноль после переключения диода с заданного прямого тока в состояние заданного обратного напряжения до момента достижения обратным током заданного низкого значения.

При пропускании импульса тока в прямом направлении наблюдается выброс напряжения в первый момент после включения, что связано со значительным сопротивлением базы (рис.10.5 б). По мере инжекции неосновных носителей сопротивление базы уменьшится, что понизит прямое падение напряжения на диоде до стационарного значения. Переходной процесс, в течение которого прямое сопротивление диода устанавливается до постоянного значения после быстрого включения в прямом направлении, называют установлением прямого сопротивления диода. Соответственно следующим специфическим параметром импульсного диода является время установления прямого напряжения диода tуст.

Для повышения импульсных свойств диодов необходимо уменьшать время жизни неосновных носителей заряда, что достигается введением в полупроводниковый материал диода специальных примесей.

Диоды Шотки.

В этих диодах выпрямительные свойства основаны на использовании свойств перехода металл-полупроводник.

Существенное отличие диодов Шотки от диодов на основе р-п перехода в том, что в диодах Шотки токопрохождение осуществляется основными носителями заряда и не приводит к появлению процессов инжекции и последующего рассасывания носителей при переключении с прямого напряжения на обратное. Поэтому быстродействие диодов Шотки принципиально выше быстродействия диодов на р-п переходах. Диоды Шотки с успехом выполняют роль выпрямительных, импульсных и СВЧ диодов. Типовая конструкция диодов Шотки с двухслойной базой приведена на рис.10.6 а.

При включении диодов Шотки в прямом направлении прямой ток возникает благодаря движению основных носителей заряда полупроводника в металл, а носители другого знака (неосновные для полупроводника) практически не могут перейти из металла в полупроводник из-за высокого для них потенциального барьера на переходе металл-полупроводник.

Основными отличиями диода Шотки являются:

  1. Меньшее падение прямого напряжения на диоде из-за меньшей высоты потенциального барьера для основных носителей заряда полупроводник.

  2. Больший максимальный прямой ток, что связано с меньшим падением прямого напряжения и с лучшими условиями охлаждения перехода благодаря хорошему теплоотводу от выпрямляющего контакта Шотки.

  3. Выпрямительные диоды Шотки выдерживают большие перегрузки по току по сравнению с диодами на р-п переходах.

  4. Быстродействие диодов Шотки выше за счет отсутствия процессов инжекции неосновных носителей заряда.

  5. Прямая ветвь АЧХ практически точно описывается выражением (10.7). Поэтому диоды Шотки можно использовать как быстродействующие логарифмические преобразователи.

  6. Для диодов Шотки с тонкой базой обратная ветвь АЧХ имеет насыщение, а для диодов с толстой базой обратный ток пропорционален (рис.10.6 б).

Параметры определяются их использованием: выпрямительные или импульсные.

Стабилитроны.

Стабилитроны это диоды, предназначенные для стабилизации напряжения в заданных пределах. Принцип действия стабилитрона основан слабой зависимости обратного напряжения от протекающего через диод тока в режиме туннельного или лавинного пробоя (см. рис.10.2). До наступления пробоя стабилитроны имеют очень большое статическое сопротивление (порядка единиц МОм), после пробоя дифференциальное сопротивление стабилитрона составляет единицы – десятки Ом.

ВАХ и схема включения стабилитрона приведена на рис.10.7. Сопротивление балластного резистора R0 определяется из соотношения:

(10.11)

Стабилитроны характеризуются следующими параметрами:

  1. Напряжением стабилизации UСт, которое в зависимости от типа стабилитрона находится в пределах от 3 до 200 В.

  2. Отклонением напряжения стабилизации от заданного ΔUСт.

  3. Минимальным и максимальным током стабилизации IСт min, IСт max.

  4. Дифференциальным сопротивлением:

(10.12)

Стабилитроны могут быть двуханодными, т.е. их ВАХ симметрична и обе ветви ВАХ могут использоваться для стабилизации напряжения.

Вкачестве примера стабилитронов можно привести диоды типа КС191, КС447, Д818.

Совершенствование стабилитронов привело к созданию стабилитронов с напряжением равным напряжению запрещенной (энергетической) зоны полупроводника (bandgap voltage). Это стало возможным по мере совершенствования технологии изготовления кремниевых ИС.

Кремниевые диоды, проводящие в прямом направлении, имеют четкий температурный коэффициент — 2,1 мВ/°C. Если изготовить, например, 11 идентичных диодов на кремниевой подложке, и все, кроме одного, центрального, соединить параллельно, то можно сделать следующее. Пропустим одинаковые токи через один центральный диод и группу диодов. Тогда окажется, что плотность тока через центральный диод примерно в 10 раз выше, чем через один диод, входящий в диск. Напряжение на центральном диоде имеет отрицательный ТКН, а напряжение для диода из группы имеет положительный ТКН. Интегральное исполнение позволяет суммировать эти два напряжения (переход Uб-э + напряжение с положительным ТКН). При этом температурный коэффициент будет нулевым, когда суммарное напряжение равно напряжению запрещенной зоны кремния (для температуры абсолютного нуля), что составляет примерно 1, 205В. В отличие от стабилитронов такие диоды имеют очень резкую обратную ветвь ВАХ, которая при малых токах практически не зависит от температуры (рис.10.8).

Минимальные токи стабилизации таких стабилитронов очень малы (от 10 мкА до 20 мА), тогда как точность стабилизации менее 0,1 %. Причем, максимальную стабильность обратное напряжение имеет при токах стабилизации от 10 до 100 мкА. Кроме того, напряжение стабилизации таких диодов очень слабо зависит от температуры. Поэтому такие стабилитроны широко применяются как источники опорного напряжения.

В качестве примера стабилитронов с напряжением равным напряжению запрещенной зоны можно привести диоды типа REF1004C-1,2, MAX 872, TL491.

Стабисторы.

Стабисторы это диоды, предназначенные для стабилизации напряжения в заданных пределах. В отличие от стабилитронов принцип действия стабисторов основан на относительно слабой зависимости прямого напряжения от протекающего через диод тока в режиме прямого смещения диода (рис.10.9). В связи с этим стабисторы в отличие от стабилитронов имеют значительные токи стабилизации (десятки мА), малые значения стабилизируемого напряжения (от 0,7 до 1.9 В) и большой разброс (до ±10%) напряжения стабилизации.

В связи с появлением стабилитронов с напряжением равным напряжению запрещенной зоны в настоящее время практически не используются. В качестве примера стабистора можно привести диоды типа КС107, КС113, КС119.

TVSдиоды (transient voltage supressor).

Это полупроводниковые диоды с резко выраженной нелинейной вольтамперной характеристикой, подавляющие импульсные электрические перенапряжения, амплитуда которых превышает напряжения лавинного пробоя диода.

Действие TVS-диода основано на механизме лавинного пробоя обратно смещенного р-п перехода.

TVS-диоды как и обычные стабилитроны бывают несимметричные (рис.10.10 а) и симметричные (рис.10.10 б).

В нормальном рабочем режиме TVS-диод должен быть «невидим», то есть не влиять на работу защищаемой цепи до момента возникновения импульса перенапряжения. Электрические характеристики TVS-диода не должны оказывать никакого влияния на нормальное функционирование цепи.

Во время действия импульса перенапряжения TVS-диод ограничивает выброс напряжения до безопасного уровня, в то время как опасный ток протекает через диод на землю, минуя защищаемую цепь. Принцип работы TVS-диода показан на рис. 10.10 в.

TVS-диоды разработаны и предназначены для защиты от мощных импульсов перенапряжения, в то время как кремниевые стабилитроны предназначены для регулирования напряжения и не рассчитаны на работу при значительных импульсных нагрузках.

Основные электрические параметры TVS-диодов следующие:

  1. Напряжение пробоя Uпроб. при заданном тестовом токе пробояIТ.

  2. Постоянный обратный ток Iобр., протекающий через прибор в обратном направлении при напряжении, равномUобр.

  3. Постоянное обратное напряжение Uобр(в соответствии с этим параметром выбирается тип ограничителя).

  4. Максимальное импульсное напряжение ограничения Uогр. имп. махпри максимальном импульсном токе при заданных длительности, скважности, форме импульса и температуре окружающей среды.

  5. Максимально допустимая импульсная мощность Римп. мах., рассеиваемая прибором, при заданных форме, скважности, длительности импульса и температуре окружающей среды.

Время срабатывания у несимметричных TVS-диодов менее 10-12с, а у симметричных— менее 5х10-9с. Это позволяет использовать их для защиты различных радиочастотных цепей, в состав которых входят чувствительные к переходным процессам полупроводниковые приборы и интегральные микросхемы. Другой важной характеристикой TVS-диодов является барьерная емкость р–n-перехода. Малоемкостные TVS-диоды (СБАР=90–100 пФ) применяются для защиты линий связи переменного тока с частотой до 100 МГц от выбросов напряжения.

Примером симметричных TVS-диодов могут служить диоды типа 1,5КЕ6,8С, 1,5КЕ440СА, а несимметричных TVS-диодов – диоды типа 1N6267, ICTE5.0.

Варикапы.

Варикапом называется полупроводниковый прибор, действие которого основано на использовании зависимости барьерной емкости обратно смещенного р-п перехода от приложенного напряжения.Фактически варикап – это нелинейная емкость, управляемая напряжением.

Наличие области объемного заряда на границе р-п перехода вызывает возникновение емкости р-п перехода. При прямом смещении такая емкость называется диффузионной емкостью, а при прямом смещении – барьерной емкостью. В варикапах используется барьерная емкость, которая не зависит от частоты вплоть до миллиметрового диапазона, имеет высокую добротность, низкий уровень шумов и малый ТКЕ.

Барьерная емкость определяется протяженностью обедненной области и площадью р-п перехода, т.е. ее можно определить из формулы плоского конденсатора:

, (10.13)

где ε — диэлектрическая проницаемость кремния;

ε0— диэлектрическая постоянная;

S — площадь р-п перехода;

L — протяженность обедненной области р-п перехода, определяемая по выражению (10.6) при замене в этом выраженииU+на –U.

Тогда с учетом (10.13) и (10.6) получим зависимость барьерной емкости СБАРрезкого р-п перехода от величины приложенного обратного напряженияU:

, (10.14)

гдее – заряд электрона;

рр — равновесная концентрация дырок в акцепторном полупроводнике;

φ0– контактная разность потенциалов.

Из выражения (10.14) следует, что с ростом обратного напряжения барьерная емкость резкого р-п перехода уменьшается обратно пропорционально корню квадратному из приложенного напряжения (рис.10.11). Такую зависимость фактически описывает зависимость емкости нелинейного конденсатора от приложенного напряжения.

Основными параметрами варикапов являются:

  1. Емкость варикапа– это величина емкости варикапа, измеренная между его выводами при заданном обратном напряжении. Емкость варикапов в зависимости от типа варикапа составляет от единиц до сотен пФ.

  2. Коэффициент перекрытия по емкости– это отношение емкостей варикапа при двух заданных значениях обратного напряжения. Обычно этот параметр составляет несколько единиц.

  3. Добротность варикапа– это отношение реактивного сопротивления варикапа на заданной частоте переменного сигнала к сопротивлению потерь при заданном значении емкости или обратного напряжения. Добротность варикапов составляет от нескольких десятков до нескольких сотен.

Варикапы широко используются для электронной настройки резонансных контуров за счет изменения емкости при плавном изменении напряжения.

Примерами варикапов являются диоды типа КВ102, КВ109, КВ121.

Туннельные диоды.

Туннельным диодом называется такой полупроводниковый диод, созданный на основе вырожденного полупроводника, в котором туннельный эффект приводит к появлению на ВАХ при прямом смещении участка с отрицательной дифференциальной проводимостью.

ВАХ туннельного диода имеет участок с отрицательной дифференциальной проводимостью, на котором с ростом напряжения прямого смещения прямой ток уменьшается (рис.10.12). На этом участке дифференциальная проводимость отрицательна:

(10.15)

Приборы с отрицательной проводимостью обладают широкими функциональными возможностями для построения усилителей, генераторов, смесителей, переключателей и т.п.

В туннельных диодах, в отличии от выпрямительных диодов, п- и р-области сильно легированы, поэтому согласно (10.6) протяженность области обедненного слоя р-п перехода у них очень мала (около 0,01 мкм). При столь малой толщине р-п перехода резко возрастает его прозрачность для туннелирования электронов.

Большая концентрация примеси в п- и р- области приводит к расщеплению примесных уровней, в результате чего образуются примесные зоны, непосредственно прилегающие к потолку валентной зоны в области р-типа (область 1), и ко дну зоны проводимости в области п-типа (область 2) (рис.10.13 а).

Если на туннельный диод подать небольшое прямое прямое напряжение eU, то электроны из зоны проводимости будут туннелировать на противостоящие свободные уровни валентной зоны (рис.10.13 б). С повышением прямого смещения туннельный ток будет нарастать и станет наибольшим, когда максимальной концентрации электронов в примесной зоне 2 будет соответствовать максимальное число свободных уровней в валентной зоне (рис.10.13 в).

При дальнейшем повышении прямого смещения перекрытие примесных уровней начнет уменьшаться, что приведет к уменьшению туннельного тока (рис.10.13 г), и когда перекрытие примесных уровней будет отсутствовать, то туннелирование электронов прекратится (рис.10.13 д). Возникнет участок с отрицательной дифференциальной проводимостью. Однако ток через р-п переход не прекратится, поскольку возникнут как в обычном диоде при прямом смещении диффузионные токи (рис.10.13 е).

При обратном смещении перекрытие примесных уровней возрастает и дырки из примесной зоны 1 легко туннелируют на свободные уровни зоны проводимости (рис.10.13 ж). Таким образом, в отличие от обычного диода туннельный диод обладает очень высокой проводимостью при обратном включении.

Основные параметры туннельных диодов следующие (см.рис.10.12):

  1. Пиковый ток IП– это прямой ток в точке максимума ВАХ, при котором значение.

  2. Ток впадины IВ — это прямой ток в точке минимума ВАХ, при котором значение.

  3. Напряжение пикаUП– это прямое напряжение, соответствующее пиковому току.

  4. Напряжение впадиныUB– это прямое напряжение, соответствующее току впадины.

  5. Резонансная частота – это расчетная частота, при которой общее реактивное сопротивление р-п перехода и индуктивности корпуса туннельного диода обращается в нуль.

  6. Общая емкость диода.

В туннельных диодах вследствие малой инерционности туннельного эффекта отрицательная проводимость практически не зависит от частоты вплоть до миллиметрового диапазона. По этой причине туннельные диоды широко используются в усилителях, генераторах, смесителях с усилением в диапазоне волн вплоть до миллиметрового диапазона. На туннельных диодах строятся схемы триггеров, мультивибраторов, переключателей с очень малыми временами переключения. Кроме того, поскольку р- и п- области туннельного диода сильно легированы, то параметры туннельных диодов очень слабо зависят от температуры в области температур от единиц Кельвина до нескольких сотен градусов Цельсия.

Примерами туннельных диодов могут служить диоды типа 3И101, АИ301, ГИ103.

Вариантом туннельного диода являетсяобращенный диод. В таком диоде концентрация примесей соответствует критической, при которой при отсутствии смещения на р-п переходе, потолок валентной зоны и дно зоны проводимости располагаются на одном уровне (рис.10.14 а). Тогда при обратном смещении обращенного диода его проводимость будет, как и в случае туннельного диода, определяться туннельными токами электронов из валентной зоны в зону проводимости (см. рис.10.13 ж). При прямом смещении туннельные токи отсутствуют, а проводимость обращенного диода, в этом случае, определяется диффузионными токами (см. рис10.13 е).

Вследствие таких эффектов обратные токи в обращенном диоде достигают значительных величин при ничтожно малых (десятки милливольт) обратных напряжениях (рис.10.14 б). Прямая же ветвь ВАХ обращенного диода подобна прямой ветви выпрямительного диода, когда значительные токи через прямо смещенный р-п переход возникают при прямом напряжении величиной в десятые доли вольта.

Таким образом, обращенные диоды обладают выпрямляющим эффектом, но проводящее направление у них соответствует обратному смещению, а запирающее направление соответствует прямому включению.

Обращенные диоды способны работать с очень малыми по амплитуде сигналами. Кроме того, поскольку процесс туннелирования малоинерционный обращенные диоды используют на СВЧ. И, наконец, за счет высокой концентрации примеси, обращенные диоды устойчивы к радиационному воздействию.

Примерами обращенных диодов могут служить диоды типа 3И402, 1И401, ГИ403.

Лавинно-пролетные диоды.

Лавинно-пролетный диод – это полупроводниковый диод, работающий в режиме лавинного размножения носителей заряда при обратном смещении электрического перехода и предназначенный для генерации СВЧ колебаний.

Генерация электромагнитных колебаний СВЧ может возникать в диодах с различной структурой, например: р+-п-i-n+или р+-п-n+. Рассмотрим возникновение генерации СВЧ колебаний в структуре р+-п-n+при обратном напряжении, имеющем постоянную и переменную составляющие (рис.10.15). При отсутствии переменного напряжения величина постоянного напряжения задается такой, чтобы рабочая тока А находилась на участке чуть ниже участка лавинного пробоя.

При приложении дополнительного переменного напряжения, суммарное напряжение может превысить напряжение лавинного пробоя, и начинается ударная ионизация – лавинный пробой. Поскольку электрическое поле максимально в области р-п перехода, то лавинная генерация пар зарядов „электрон – дырка” наблюдается в узкой части р-п перехода вблизи металлургической границы. Возникшие носители заряда разделяются электрическим полем р-п перехода. Ток, вызванный движением этих носителей заряда, проходит до тех пор, пока эти носители не выйдут из р-п перехода. За время пролета носителей заряда через переход (в нашем случае электронов) суммарное напряжение на диоде может уменьшиться, если частота переменной составляющей будет достаточно большой. Таким образом, из-за конечного времени пролета носителей заряда появляется фазовый сдвиг между проходящим через диод током и приложенным к этому диоду переменным напряжением высокой частоты.

Величина фазового сдвига будет зависеть не только от времени пролета τПносителей заряда, но и от времени развития лавины τЛпри ударной ионизации (рис.10.16). Если время задержкисоответствует половине периода колебаний высокой частоты переменного напряжения, приложенного к диоду, то уменьшение переменного напряжения вызовет возрастание тока через диод на протяжении всего периода (рис.10.17). А это означает, что динамическое сопротивление диодастанет отрицательным на протяжении всего периода действия переменного напряжения высокой частоты.

Если же время задержкисоответствует четверти или три четверти периодаТколебаний высокой частоты переменного напряжения, приложенного к диоду, то отрицательное сопротивление будет наблюдаться только в четверть периода через полупериод, что соответствует предельным случаям. Поэтому отрицательное сопротивление в лавинно-пролетном диоде будет реализовываться при условии:

(10.16)

Элемент с отрицательным сопротивлением или отрицательной проводимостью способен отдавать в электрическую цепь мощность по переменному току путем преобразования энергии источника питания. Действительно, мощность по переменному току определяется выражением:

, (10.17)

где — закон изменения переменного напряжения;

— закон изменения переменного тока.

Тогда, если сдвиг фаз равен нулю (φ=0), то переменная мощность положительна (Р> 0), элемент имеет положительное сопротивление и потребляет мощность (рис.10.17 а).

Если сдвиг фаз по модулю равен π/2 (), то элемент имеет чисто реактивное сопротивление и переменной мощности не потребляет (Р= 0) (рис.10.17 б).

Если сдвиг фаз , то переменная мощность отрицательна (Р< 0) (рис.10.17 в, г). Формально это означает, что этот элемент способен отдавать энергию в электрическую цепь, т.е. может усиливать или генерировать колебания.

Лавинно-пролетные диоды используют как мощные генераторы СВЧ колебаний миллиметрового диапазона. Использованию их как усилителей СВЧ колебаний препятствует высокий уровень шумов, вызванных ударной ионизацией носителей заряда в р-п переходе.

Основные параметры лавинно-пролетных диодов:

  1. Рабочая частота колебаний СВЧ.

  2. Рабочий ток.

  3. Обратное напряжение при рабочем токе.

  4. Выходная непрерывная мощность СВЧ колебаний.

Примерами лавинно-пролетных диодов могут служить диоды типа 1А704, 2А706.

24

Owl Cyber ​​Defense объявляет о сертификации AS9100D

соответствует ведущему международному стандарту обеспечения качества в авиации, космической и оборонной промышленности

Колумбия, Мэриленд [2 февраля 2021 г.] — Owl Cyber ​​Defense Solutions, LLC («Сова»), ведущий провидец рынка в области междоменной безопасности, объявил сегодня, что компания прошла сертификацию AS9100D на своем основном производственном предприятии в Данбери, штат Коннектикут. Это следующий стратегический шаг для Owl, отражающий ее корпоративную приверженность постоянному совершенствованию.Получение сертификата AS9100D укрепляет позиции компании как крупного поставщика кибербезопасности для аэрокосмической и оборонной промышленности и расширяет длинный список сертификатов качества и процессов управления цепочкой поставок для Owl, включая ISO 9001: 2015, GIDEP и Common Criteria EAL.

AS9100D, эквивалент EN 9100: 2016 и JISQ 9100-2016, является последней редакцией стандарта AS9100 для организаций, которые проектируют, разрабатывают или поставляют продукцию для авиации, космонавтики или обороны (AS&D).Стандарт был подготовлен International Aerospace Quality Group (IAQG) для обеспечения качества и надежности продуктов и услуг, предоставляемых аэрокосмической промышленности. Он разработан как дополнительный набор требований к управлению качеством для отрасли AS&D для повышения надежности, графика и эффективности затрат.

«Обеспечение высочайшего уровня качества за счет таких дисциплин процессов, как AS9100, обеспечивает предсказуемые результаты для наших клиентов. Мы гордимся тем, что достигли этой последней вехи в области управления качеством в аэрокосмической отрасли », — сказал Судхир Нелвагал, вице-президент по инженерным вопросам компании Owl.«AS9100D — это важное обозначение и еще одна демонстрация строгости процессов Owl и приверженности исключительному управлению качеством продукции в междоменной безопасности».

Как и предыдущие версии AS9100, последняя версия стандартизирует требования к системе менеджмента качества для компаний, связанных с отраслью AS&D и цепочкой поставок. Стандарт основан на стандартах ISO 9001: 2015 для систем менеджмента качества, добавляя отраслевые рекомендации по управлению операционными рисками, безопасности продукции, особым требованиям, критическим элементам, управлению конфигурацией, своевременной доставке, контрафактным деталям и расширенным требованиям к производство и внешние поставщики.

«Эта сертификация является свидетельством целостного стремления Owl к постоянному совершенствованию всех сфер нашей деятельности», — прокомментировал Роберт Сталик, генеральный директор Owl. «Являясь лидером рынка в области междоменной безопасности в аэрокосмической и оборонной промышленности, Owl никогда не будет останавливаться на достигнутом, когда речь идет о наших бескомпромиссных обязательствах по обеспечению успеха и безопасности наших клиентов, и мы по-прежнему привержены высочайшим стандартам в отрасли. ”

Чтобы узнать больше о стандарте управления качеством AS9100D, посетите https: // iaqg.org / standard / 9100-qms-requirements-for-aircraft-space-and-defense-organization /.

Обозначение различных типов диодов на схеме. Диод на схеме — это где анод, а где катод. Анод и катод

Анод в электрохимии

Anodes — множественное число от слова «анод»; Эта форма используется в основном в металлургии, где используются аноды для гальваники, используются для нанесения металлического слоя на поверхность продукта электрохимическим методом или для электрорафинирования, когда металл с примесями растворяется на аноде и осаждается в очищенная форма на катоде.Основное распространение получили аноды из цинка (бывают сферические, литые и катаные, чаще используются последние), никеля, меди (среди которых отдельно выделяются медно-фосфорные марки AMF), кадмия (применение которого снижены из-за вреда окружающей среде), бронза, олово (используется при производстве печатных плат в электронной промышленности), сплав свинца и сурьмы, серебра, золота и платины. Аноды из недрагоценных металлов используются для повышения коррозионной стойкости, улучшения эстетических свойств предметов и для других целей.Аноды из драгоценных металлов используются в гальванике для увеличения электропроводности изделий и т. Д.

Анод в вакуумных электронных устройствах

Анодно-катодный знак

В литературе существует другое обозначение знака анода — «+» или «-», что определяется, в частности, особенностями рассматриваемых процессов.

В электрохимии принято считать, что катод — это электрод, на котором происходит процесс восстановления, а анод — это тот, на котором происходит окисление.При работе электролизера (например, при рафинировании меди) внешний источник тока обеспечивает избыток электронов (отрицательный заряд) на одном из электродов, здесь металл восстанавливается, это катод. Другой электрод обеспечивает недостаток электронов и окисление металла, это анод.

В электротехнике анод — это положительный электрод, ток течет от анода к катоду, электроны соответственно наоборот.

см. Также

  • Мнемонические правила запоминания знака анода

Литература

Ссылки

  • // Энциклопедический словарь Брокгауза и Ефрона: В 86 томах (82 тома и 4 доп.).- СПб. , 1890–1907.
  • Рекомендации IUPAC по выбору знака значений анодного и катодного токов

Фонд Викимедиа. 2010.

Синонимы :

Посмотреть, что такое «Анод» в других словарях:

    — (восходящая дорога греч. Анодос). В гальваническом элементе — одна из двух пластин или проводов, через которые электрический ток входит в жидкость или выходит из нее. Противоположность катоду. Словарь иностранных слов, входящих в русский язык… Словарь иностранных слов русского языка

    анод — а, м. анод ф., англ. анод c. anodos путь вверх, лазание. физический Положительно заряженный электрод. В работе таких устройств, как гальваническая батарея, полярности нет и быть не может .. положительный и отрицательный полюс .. … … Исторический словарь русских галлицизмов

    Отрицательный электрод Словарь русских синонимов. № анода, кол-во синонимов: 1 электрод (10) Словарь синонимов ASIS.В.Н. Тришин … Словарь синонимов

    анод — электровакуумный прибор; анод; ветвь. коллектор Электрод, основным назначением которого обычно является прием основного потока электронов при электрическом разряде … Политехнический терминологический толковый словарь

    анод — (устройство) электрод, через который электрический ток входит в среду, проводимость которой отличается от проводимости анодного [ST IEC50 (151) 78] анодного EN-анодного электрода, способного излучать положительный заряд… … Руководство технического переводчика

    — (от греч. Anodos, движение вверх, восхождение) электрод электронного или электрического устройства (например, электронной лампы, гальванического элемента, электролитической ванны), характеризующийся тем, что движение электронов в внешняя … … Современная энциклопедия Толковый словарь Ожегова

    — (от греч. Anodos движение вверх), 1) электрод электронного или ионного устройства, подключенный к поз. полюс источника.2) Положите его. электрический источник тока электрода (гальванический элемент, аккумулятор). 3) Положите его. электрическая электродная дуга. … … Физическая энциклопедия

Среди терминов в электротехнике есть такие понятия, как анод и катод. Это касается источников питания, гальваники, химии и физики. Этот термин также используется в вакуумной и полупроводниковой электронике. Они обозначают клеммы или контакты устройств и какой у них электрический знак. В этой статье мы расскажем, что такое анод и катод, а также как определить, где они находятся в электролизере, диоде и аккумуляторе, что из них плюс, а что минус.

Электрохимия и гальваника

В электрохимии два основных раздела:

  1. Гальванические элементы — производство электроэнергии в результате химической реакции. К этим предметам относятся батарейки и аккумуляторы. Их часто называют химическими источниками тока.
  2. Электролиз — воздействие на химическую реакцию с электричеством, проще говоря — с помощью источника энергии запускается какая-то реакция.

Рассмотрим окислительно-восстановительную реакцию в гальваническом элементе. Какие процессы происходят на его электродах?

  • Анод — электрод, на котором происходит окислительная реакция , то есть он отдает электроны … Электрод, на котором происходит окислительная реакция, называется восстановителем .
  • Катод — электрод, по которому протекает восстановительная реакция , то есть он принимает электроны … Электрод, на котором происходит реакция восстановления, называется окислителем .

Возникает вопрос — где плюс, а где минус в аккуме? Согласно определению, для гальванического элемента анод отдает электроны .

Важно! В ГОСТ 15596-82 дано официальное определение наименований выводов химических источников тока, кратко плюс на катоде и минус на аноде.

В этом случае считается протекание электрического тока на проводнике внешней цепи от окислителя (катода) К редуктору (анод) … Поскольку электроны в цепи текут от минуса к плюсу, а электрический ток наоборот, то катод — плюс, а анод — минус.

Внимание: на анод всегда течет ток !

Или то же на схеме:

Электролиз или процесс зарядки аккумулятора

Эти процессы аналогичны и обратны гальваническому элементу, поскольку здесь энергия не возникает в результате химической реакции, а наоборот — химическая реакция происходит из-за внешнего источника электричества.

В этом случае плюс блока питания также называется катодом, а минус — анодом.Но контакты заряженного гальванического элемента или электродов электролизера уже будут иметь противоположные названия, посмотрим почему!

Важно! При разряде гальванического элемента анод минус, катод плюс, при зарядке наоборот.

Поскольку ток от положительной клеммы источника питания идет на положительную клемму батареи, последняя больше не может быть катодом. Обращаясь к вышесказанному, можно сделать вывод, что в этом случае электроды АКБ условно меняются местами во время зарядки.

Тогда через электрод заряженного гальванического элемента, в который протекает электрический ток, называется анод. Получается, что при зарядке аккумулятора плюс становится анодом, а минус — катодом.

Процессы осаждения металлов в результате химической реакции под действием электрического тока (при электролизе) называются гальваникой. Таким образом, мир получил посеребренные, позолоченные, хромированные или покрытые другими металлами украшения и детали.Этот процесс используется как в декоративных, так и в прикладных целях — для повышения коррозионной стойкости различных узлов и агрегатов механизмов.

Принцип работы установок для нанесения гальванических покрытий заключается в использовании в качестве электролита растворов солей элементов, покрывающих деталь.

В гальванике анод также является электродом, к которому подключен положительный вывод источника питания, соответственно, катод в данном случае является минусом.В этом случае металл осаждается (восстанавливается) на отрицательном электроде (реакция восстановления). То есть, если вы хотите сделать своими руками позолоченное кольцо, подключите к нему отрицательную клемму блока питания и поместите в емкость с соответствующим раствором.

В электронике

Электроды или ножки полупроводниковых и вакуумных электронных устройств также часто называют анодом и катодом. Рассмотрим условное графическое обозначение полупроводникового диода на схеме:

Как видим, анод диода подключен к плюсу батареи.Называется он так по той же причине — на этот вывод с диода в любом случае течет ток. На реальном элементе на катоде имеется маркировка в виде полосы или точки.

Светодиод такой же. На светодиодах 5 мм внутренности видны через лампочку. Большая половина — катод.

То же самое и с тиристором, назначение выводов и «униполярное» применение этих трехполюсных компонентов делают его управляемым диодом:

В вакуумном диоде анод также подключен к плюсу, а катод — к минусу, что показано на схеме ниже.Хотя при подаче обратного напряжения названия этих элементов не изменятся, несмотря на протекание электрического тока в обратном направлении, пусть и незначительном.

Это не относится к пассивным элементам, таким как конденсаторы и резисторы. У резистора нет отдельного катода и анода, ток в нем может течь в любом направлении. Его выводам можно давать любые названия, в зависимости от ситуации и рассматриваемой схемы. Обычные неполярные конденсаторы тоже есть.Реже такое разделение по названиям контактов наблюдается в электролитических конденсаторах.

Заключение

Итак, подведем итоги, ответив на вопрос: как запомнить, где плюс, где минус у катода с анодом? Существует удобное мнемоническое правило для электролиза, зарядки аккумуляторов, гальванических и полупроводниковых устройств. Эти слова с похожими названиями имеют одинаковое количество букв, как показано ниже:

Во всех этих случаях ток выходит из катода и течет в анод.

Пусть вас не смущает недоразумение: «почему у АКБ положительный катод, а при зарядке становится отрицательным?» Помните для всех электронных элементов, а также для электролизеров и в гальванике — в общем, для всех потребителей энергии анодом называют вывод, подключенный к плюсу. На этом различия заканчиваются, теперь вам проще разобраться, что такое плюс, а что минус между выводами элементов и устройств.

Теперь вы знаете, что такое анод и катод, и как их достаточно быстро запомнить.Надеемся, предоставленная информация была для вас полезной и интересной!

Материалы (редактировать)

Больше всего автор опасается, что неопытный читатель не прочитает заголовок дальше. Он считает, что определение терминов анод и катод известно каждому грамотному человеку, который при разгадывании кроссворда, когда его спрашивают о названии положительного электрода, сразу пишет слово анод, и все сходится в ячейках. Но хуже полузнания можно найти не все.

Недавно в поисковике Google в разделе «Вопросы и ответы» я даже нашел правило, по которому его авторы предлагают запомнить определение электродов. Вот он:

« Катод — отрицательный электрод, анод — положительный … И проще всего это запомнить, если посчитать буквы в словах. В катоде столько же букв, сколько в слове «минус», а в аноде соответственно столько же, сколько в слове «плюс».

Правило простое, запоминающееся, если бы оно было правильным, его пришлось бы предложить школьникам. Хотя стремление учителей вкладывать знания в головы учащихся с помощью мнемоники (науки запоминания) весьма похвально. Но вернемся к нашим электродам.

Для начала возьмем очень серьезный документ — ЗАКОН для науки, техники и, конечно же, школ. Это « ГОСТ 15596-82 … ХИМИЧЕСКИЕ ИСТОЧНИКИ ТОКА. Термины и определения ».Там, на странице 3, вы можете прочитать следующее: «Отрицательный электрод химического источника тока — это электрод, который, когда источник разряжен, является анодом ». То же самое: «Положительный электрод химического источника тока. — это электрод, который при разряде источника — это , катод «. (Термины выделены мной. Ч.З.). Но тексты правила и ГОСТа противоречат друг другу. В чем дело?

А дело в том, что, например, деталь, погруженная в электролит для никелирования или электрохимической полировки, может быть анодом и катодом в зависимости от того, нанесен ли на нее другой слой металла или, наоборот, удален.

Электрическая батарея — классический пример возобновляемого химического источника электрического тока. Он может быть в двух режимах — зарядка и разрядка. Направление электрического тока в этих разных случаях будет в самой батарее прямо напротив , хотя полярность электродов не изменяется .

В зависимости от этого назначение электродов будет разным. При зарядке положительный электрод принимает электрический ток, а отрицательный — высвобождается.При разряде все наоборот. При отсутствии движения электрического тока говорить об аноде и катоде бессмысленно.

«Поэтому, чтобы избежать двусмысленности и неопределенности, а также ради большей точности, — писал М. Фарадей в своем исследовании в январе 1834 года, — я намерен использовать термины, которые я определю в будущем. ”

Каковы причины введения Фарадеем новых терминов в науку?

И вот они: «Поверхности, в которых, согласно общепринятой терминологии, электрический ток входит и выходит из вещества, являются очень важными участками действия, и их нужно отличать от полюсов ».(Фарадей. Подчеркнуто нами. BH)

В те дни, после открытия Т. Зеебеком явления термоэлектричества, возникла гипотеза, что магнетизм Земли был вызван разностью температур между полюсами и экватором, в результате чего вдоль экватора возникали токи. Она не была подтверждена, но служила Фарадею « естественным указателем » при создании новых терминов. Магнетизм Земли имеет такую ​​же полярность, как если бы электрический ток протекал вдоль экватора в направлении видимого движения Солнца.

Фарадей пишет: «Исходя из этой идеи, мы предлагаем называть поверхность, направленную на восток, — анодом, а ту, которая направлена ​​на запад, — катодом». Новые термины были основаны на древнегреческом языке и в переводе означали: анод, — путь (солнца) вверх, катод, — путь (солнца) вниз.

В русском языке есть замечательные термины ВОСХОД и ПОСЕЛЕНИЕ, которые легко применить в данном случае, но переводчики Фарадея почему-то этого не сделали.Мы рекомендуем их использовать, потому что в них корень слова — УДАР и в любом случае это напомнит пользователю о термине, что термин не может применяться без движения тока. Для тех, кто хочет проверить рассуждения создателя термина с помощью других правил, например, правила штопора, сообщаем, что северный магнитный полюс Земли лежит в Антарктиде, недалеко от Южного географического полюса.

Ошибки в использовании терминов ANOD и CATHODE бесконечны.В том числе в зарубежных справочниках и энциклопедиях. Поэтому в электрохимии используются другие определения, более понятные читателю. У них анод, — электрод, на котором происходят окислительные процессы, и катод, — это электрод, на котором происходят процессы восстановления. В этой терминологии нет места электронным устройствам, но в электрической терминологии легко указать, например, анод радиолампы. В него попадает электрический ток.(Не путать с направлением электронов).

Литература:

1. Михаил Фарадей. Экспериментальные исследования электричества. Том 1. Издательство АН СССР, М. 1947. с. 266-268.

2. Б.Г. Хасапов. Как определить термины «анод» и «катод». ВНИИКИ. Научно-техническая терминология. Сборник рефератов № 6, Москва, 1989, с. 17-20.

На первый взгляд легко определить, какой из электродов является анодом, а какой — катодом.Принято считать, что у анода отрицательный заряд, катод правильный. Однако на практике в определении может возникнуть путаница.

Инструкции

1. Анод — электрод, на котором происходит реакция окисления. А электрод, на котором происходит коррекция, называется катодом.

2. Возьмем, к примеру, ячейку Якоби-Даниэля. Он состоит из цинкового электрода, погруженного в раствор сульфата цинка, и медного электрода в растворе сульфата меди.Растворы контактируют между собой, но не смешиваются — для этого между ними предусмотрена пористая перегородка.

3. Цинковый электрод при окислении отдает свои электроны, которые движутся по внешней цепи, к медному электроду. Ионы меди из раствора CuSO4 принимают электроны и восстанавливаются на медном электроде. Таким образом, в гальваническом элементе анод заряжен отрицательно, а катод — положительно.

4. Теперь рассмотрим процесс электролиза. Установка для электролиза представляет собой емкость с раствором или расплавленным электролитом, в которой отсутствуют два электрода, подключенные к источнику постоянного тока. Отрицательно заряженный электрод является катодом — на нем происходит коррекция. Анод в этом случае представляет собой электрод, подключенный к правильному полюсу. На нем происходит окисление.

5. Например, во время электролиза раствора CuCl2 медь корректируется на аноде.Хлор окисляется на катоде.

6. Следовательно, имейте в виду, что анод не всегда является отрицательным электродом, так же как катод не всегда имеет правильный заряд. Фактором, определяющим электрод, является протекающий на нем процесс окисления или восстановления.

Диод имеет два электрода, которые называются , анод, и катод. Он проводит большой ток от анода к катоду, но не наоборот. Ярлыки, поясняющие назначение итоговых значений, есть не на всех диодах .

Инструкции

1. Если есть отметина, обратите внимание на ее внешний вид и расположение. Похоже, стрела попадает в тарелку. Направление стрелки совпадает с прямым направлением тока, протекающего через диод. Другими словами, сумма анода соответствует стрелке, а сумма катода соответствует пластине.

2. Аналоговые многофункциональные измерительные приборы имеют разную полярность напряжения, подаваемого на щупы в режиме омметра.Для одних он такой же, как в режиме вольтметра или амперметра, для других — наоборот. Если он вам незнаком, возьмите диод с маркировкой, переключите прибор в режим омметра, а затем подключите его к диоду сначала в одной, а затем в другой полярности. В случае отклонения стрелки запомните, какой диодный электрод к какому из щупов был подключен. Теперь, подключив щупы разной полярности к другим диодам, вы сможете определить расположение их электродов.

3. В цифровых устройствах в большинстве случаев полярность подключения щупов одинакова во всех режимах. Переключите измеритель в режим проверки диодов — эта часть отмечена рядом с соответствующим положением переключателя. Красный зонд соответствует аноду, черный — катоду. При правильной полярности будет показано прямое падение напряжения на диоде, при неправильной полярности отображается бесконечность.

4. Если у вас под рукой нет измерительного прибора, возьмите батарейку с материнской платы, светодиод и резистор на один килоом.Совместите их по шагам, подключив светодиод с такой полярностью, чтобы светодиод светился. Теперь включите тестируемый диод в разрыв этой цепи, экспериментально подобрав такую ​​полярность, чтобы светодиод снова загорелся. В результате диод, обращенный к плюсу батареи, является анодом.

5. Если во время проверки обнаруживается, что диод постоянно открыт или постоянно закрыт, и от полярности ничего не зависит, то он неисправен. Замените его, заранее убедившись, что его выход из строя не вызван неисправностью других деталей.В этом случае сначала замените их.

Примечание!
Выполняйте пайку при обесточенном оборудовании и разряженных конденсаторах. Проверьте диод, когда он распаян.

Есть вещи, которые хочется, что называется «невидимым» — термин достаточно устоявшийся и понятный.

Евгений Гришковец, рассказывает о железнодорожниках. (c) Спектакль «Одновременно»

И есть вещи, которые, ну, я просто не могу вспомнить. Это происходит из-за того, что новое понятие не может однозначно цепляться за уже известные факты в сознании, никак не возможно построить новую связь в семантической сети фактов.

Всем известно, что у диода есть катод и анод. Всем известно, как обозначают диод на электрической схеме. Но не все могут правильно сказать, где что на схеме.

Под спойлером картинка, глядя на которую, вы навсегда запомните, где анод у диода, а где катод. Я должен вас предупредить, вы не сможете его увидеть, поэтому тем, кто не уверен в себе, не следует его открывать.

Теперь, когда мы отпугнули слабых, продолжаем…


Да, это так просто. Буква К — катод, буква А — анод. Извините, теперь вы этого тоже никогда не забудете.

Продолжим и разберемся, где течет ток. Если присмотреться, обозначение диода — стрелка. Не поверите — ток течет именно туда, куда указывает стрелка! Что логично, не правда ли? Далее — ток протекает « A, где» (от анода) и « TO ud» (на катод). В обозначениях транзисторов тоже есть стрелки, они же указывают направление тока.


Ток — это направленное движение заряженных частиц — все мы знаем это из школьной физики. Какие частицы? Да любые заряженные! Это могут быть электроны, несущие отрицательный заряд, и частицы, лишенные электронов — атомы или молекулы, в растворах и плазме — ионы, в полупроводниках — «свободные электроны» или вообще «дырки», что бы это ни значило. Итак, во всем этом зоопарке самый простой способ понять это: ток течет от плюса к минусу, и все. Запомнить это очень просто: «плюс» — интуитивно — это там, где есть что-то «больше», в этом случае больше зарядов (опять же — ни в коем случае!) И они текут в сторону «минуса». , где их мало и они ожидаются.Все остальные детали не принципиальны.

Ну и напоследок аккум. Обозначение тоже всем известно, две палочки тоньше и короче, толще. Столь короче и толще символизирует минус — своего рода «жирный минус» — как в школе, помните: «Я даю вам четыре с жирным минусом ». Я только что вспомнил, возможно, кто-то подскажет вариант получше.

Теперь вы легко можете ответить на вопрос, загорится ли лампочка в этой цепи:

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ

ЦЕЛИ ОБУЧЕНИЯ

Цели обучения указаны в начале каждой главы.Эти учебные цели служат для предварительного просмотра информации, которую вы Ожидается, что вы узнаете в этой главе. Подробные контрольные вопросы: исходя из целей. Успешно завершив NRTC, вы указать, что вы достигли целей и усвоили Информация. Цели обучения перечислены ниже.

По завершении этой главы вы сможете следующее:

  • Укажите в терминах энергетических диапазонов различия между проводниками, изолятор и полупроводник.
  • Объясните теорию потока электронов и дырок в полупроводниках и как на полупроводник влияет легирование.
  • Дайте определение термину «диод» и дайте краткое описание его строительство и эксплуатация.
  • Объясните, как диод можно использовать как однополупериодный выпрямитель и как выключатель.
  • Идентифицируйте диод по его символам, буквенно-цифровому обозначению и цветовой код.
  • Перечислите меры предосторожности, которые необходимо соблюдать при работе с диодами и опишите различные способы их проверки.

ВВЕДЕНИЕ В ТВЕРДОТЕЛЬНЫЕ УСТРОЙСТВА

Как вы помните из предыдущих исследований этой серии, полупроводники имеют электрические свойства где-то между изоляторами и проводники.Использование полупроводниковых материалов в электронных компонентах не ново; некоторые устройства стары как электронная лампа. Два из наиболее широко известными полупроводниками, используемыми сегодня, являются ПЕРЕХОДНЫЙ ДИОД и ТРАНЗИСТОР. Эти полупроводники подпадают под более общую категорию так называемые твердотельные устройства. ТВЕРДОЕ УСТРОЙСТВО — это не более чем электронное устройство, которое работает за счет движения электронов внутри твердого полупроводникового материала.

С момента изобретения транзистора твердотельные устройства были развивались и улучшались с невероятной скоростью. Были достигнуты большие успехи сделано в технологии изготовления, и нет обозримого предела в будущее этих устройств. Твердотельные устройства из полупроводниковые материалы предлагают компактность, эффективность, прочность и универсальность. Следовательно, эти устройства вторглись практически в каждый область науки и промышленности.Помимо переходного диода и транзистор, было разработано целое новое семейство связанных устройств: стабилитрон, светоизлучающий диод, полевой транзистор и т. д. разработка, которая доминировала в твердотельных технологиях и, вероятно, оказали большее влияние на электронную промышленность, чем электронная лампа или транзистор, это ИНТЕГРИРОВАННАЯ ЦЕПЬ. Интегрированный Схема представляет собой крошечный кусок полупроводникового материала, который может производить полные функции электронной схемы.

По мере роста приложений твердотельных устройств потребность в знание этих устройств становится все более важным. Персонал в флоту сегодня придется разбираться в твердотельных устройствах, если они научиться ремонтировать и обслуживать электронные оборудование. Поэтому наша цель в этом модуле — предоставить широкие покрытие твердотельных устройств и, как широкое применение, мощность запасы.Мы начнем наше обсуждение с некоторой справочной информации. по развитию полупроводника. Затем мы перейдем к полупроводниковый диод, транзистор, специальные устройства и, наконец, твердотельные блоки питания.

РАЗРАБОТКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ

Хотя полупроводники поздно достигли своего настоящего его история началась задолго до появления электронной лампы. Исторически сложилось так, что мы можем вернуться в 1883 год, когда Майкл Фарадей обнаружил, что сульфид серебра, полупроводник, имеет отрицательную отрицательную температурный коэффициент .Термин отрицательная температура коэффициент — это просто еще один способ сказать его устойчивость к электрический ток уменьшается с увеличением температуры. Противоположный верно дирижера. Он имеет положительный температурный коэффициент . Из-за этой особенности используются полупроводники. широко в силовой измерительной технике.

Всего 2 года спустя другая ценная характеристика была обнаружена Мунк А.Розенсхолд. Он обнаружил, что некоторые материалы имеют исправляющие свойства. характеристики. Как ни странно, его находке было уделено мало внимания. заметьте, что 39 лет спустя его пришлось заново открыть Ф. Брауну.

Ближе к концу XIX века экспериментаторы начали замечать своеобразные характеристики химического элемента СЕЛЕН. Они обнаружил, что помимо его выпрямляющих свойств (способность преобразовать переменный ток в постоянный), селен был также светочувствителен — его сопротивление уменьшалась с увеличением силы света.Это открытие в конце концов привело к изобретению фотофона Александром Грэмом Беллом. В фотофон, который преобразовывал вариации света в звук, был предшественник радиоприемника; однако только после того, как рождение радио, что селен использовался хоть сколько-нибудь. Сегодня селен важный и широко используемый полупроводник.

Многие другие материалы были опробованы и протестированы для использования в коммуникациях. КРЕМНИЙ оказался наиболее стабильным из протестированных материалов, в то время как Галена, кристаллическая форма сульфида свинца, оказалась наиболее чувствительной. для использования в ранних радиоприемниках.К 1915 году Карл Бередикс обнаружил этот ГЕРМАНИЙ, другой металлический элемент, также имел выпрямляющий возможности. Позже он стал широко применяться в электронике для маломощных, низкочастотные приложения.

Хотя полупроводники были известны задолго до появления электронных ламп. изобретенные полупроводниковые приборы того времени не могли сравниться с производительность трубки. Радио требовалось устройство, которое могло не только обрабатывать мощность и усиливать, но также исправлять и обнаруживать сигнал.С лампы могли делать все это, тогда как полупроводниковые приборы этого день не мог, полупроводник вскоре вышел из строя.

Только с началом Второй мировой войны интерес возобновился. в полупроводнике. Была острая необходимость в устройстве, которое могло бы работать в пределах сверхвысоких частот радара. Электронные лампы имели слишком большие межэлектродные емкости для работы. В точечный полупроводниковый диод, с другой стороны, имел очень низкий внутренняя емкость.Следовательно, он оплатил счет; возможно разработан для работы на сверхвысоких частотах, используемых в радарах, тогда как электронная лампа не могла.

По мере того, как радар приобрел большее значение, связь-электронная оборудование стало более сложным, требовались более совершенные твердотельные устройства смонтированы. Ограничения электронной лампы сделали необходимым поиск чего-то нового и необычного. Требовалось усилительное устройство он был меньше, легче, эффективнее и мог чрезвычайно высокие частоты.Это требовало многого, но если прогресс был чтобы быть произведенным, эти требования должны были быть выполнены. Серьезное изучение производство полупроводниковых материалов началось в начале 1940-х годов и продолжается поскольку.

В июне 1948 г. произошел значительный прорыв в области полупроводников. разработка. Это было открытие ТОЧЕЧНО-КОНТАКТНОГО ТРАНЗИСТОРА. Здесь на последний был полупроводником, который мог усиливать. Это открытие принесло полупроводник снова в конкуренции с электронной лампой.Год позже были разработаны ПЕРЕХОДНЫЕ ДИОДЫ и ТРАНЗИСТОРЫ. Соединение во многих уважает. Для сравнения, переходной транзистор был более надежным, генерировал меньше шума и имел более высокую управляемую мощность, чем его контактный брат. Переходный транзистор стал конкурентом электронная лампа во многих ранее неоспоримых применениях.

Полупроводниковые диоды нельзя было пренебрегать.Первоначальная работа Dr. Карл Зенер привел к разработке ZENER DIODE, который часто используется сегодня для точного регулирования напряжения источника питания. Значительно больший интерес к твердотельным диодам был вызван, когда Доктор Лео Эсаки, японский ученый, изготовил диод, который мог усилить. Устройство, получившее название ТУННЕЛЬНЫЙ ДИОД, обладает потрясающим коэффициентом усиления и быстродействием. коммутационные возможности. Хотя он используется в обычном усилительные и колебательные контуры, его основное применение — компьютерная логические схемы.

Еще один прорыв произошел в конце 1950-х годов, когда было обнаружено что полупроводниковые материалы можно комбинировать и обрабатывать так, чтобы они функционировал как вся цепь или узел, а не как цепь составная часть. Этой концепции твердой цепи было дано много названий. такие как ИНТЕГРИРОВАННЫЕ ЦЕПИ, МИКРОЭЛЕКТРОНИКА и МИКРОСХЕМА.

Итак, оглядываясь назад, мы видим, что полупроводник — это не что-то новый, но он прошел долгий путь за короткое время.

Q.1 Что такое твердотельное устройство?
Q.2 Дайте определение термину отрицательный температурный коэффициент.

Что происходит, когда диод выходит из строя? — Mvorganizing.org

Что происходит при выходе из строя диода?

При коротком замыкании диода падение напряжения будет очень низким. По-прежнему будет некоторое падение напряжения из-за внутреннего сопротивления. Однако в некоторых цепях ток поднимется до очень высокого уровня, и тогда диод сгорит из-за рассеивания большой мощности.

Как проверить, не заблокирован ли диод?

Подключите положительный провод мультиметра к катоду диода, а отрицательный провод к аноду диода. Если счетчик показывает бесконечное значение, можно считать, что диод исправен. Это тест для проверки режима обратной блокировки диода.

Что означает надпись на диоде?

Обозначается буквой «1N» в номере детали. «1» обозначает компонент как диод. Буква N означает, что материал устройства является полупроводником.Цифра после кода диода и обозначения материала — это номер модели или детали.

Как проверить диод Шоттки?

Подключите красный положительный измерительный провод к аноду диода Шоттки, а черный общий измерительный провод к катоду диода. Послушайте «гудок» или «гудок» мультиметра. Если диод Шоттки сработает должным образом, мультиметр подаст звуковой сигнал.

Как диод ведет себя в цепи?

Когда источник напряжения подключен к диоду так, что положительная сторона источника напряжения находится на аноде, а отрицательная сторона — на катоде, диод становится проводником и позволяет току течь.Напряжение, подключенное к диоду в этом направлении, называется прямым смещением.

Что такое обратное напряжение диода?

Обратное напряжение — это падение напряжения на диоде, если напряжение на катоде более положительное, чем напряжение на аноде (если вы подключите + к катоду). Обычно это намного выше прямого напряжения. Как и в случае прямого напряжения, ток будет течь, если подключенное напряжение превышает это значение.

Как проверить диод в цепи?

Процедура проверки диодов выполняется следующим образом:

  1. Убедитесь, что а) все питание цепи отключено и б) на диоде нет напряжения.В цепи может присутствовать напряжение из-за заряженных конденсаторов.
  2. Переведите шкалу (поворотный переключатель) в режим проверки диодов.
  3. Подключите щупы к диоду.
  4. Поменяйте местами измерительные провода.

Диод горит или не горит?

Если напряжение на диоде отрицательное, ток не может течь *, и идеальный диод выглядит как разомкнутая цепь. В такой ситуации говорят, что диод выключен или смещен в обратном направлении….

Характеристики идеального диода
Режим работы Вкл. (Смещение вперед) Выкл. (Обратное смещение)
Диод выглядит как Короткое замыкание Обрыв цепи

Что произойдет, если два диода соединены параллельно?

Параллельно подключенные диоды не распределяют ток поровну из-за различных характеристик прямого смещения.Диод с наименьшим прямым падением напряжения будет пытаться проводить больший ток и может перегреться. Если эти два диода соединены параллельно при заданном напряжении, в каждом диоде протекает разный ток.

Почему стабилитрон всегда смещен в обратном направлении?

Он действует как нормальный диод при прямом смещении. Когда стабилитрон смещен в обратном направлении, потенциал перехода увеличивается. Поскольку напряжение пробоя высокое, это обеспечит способность выдерживать высокое напряжение. По мере увеличения обратного напряжения обратный ток резко увеличивается при определенном обратном напряжении.

rb40% 20 диодов, техническое описание и примечания по применению

РБ40

Реферат: RB-40 RB40-101K Индукторы радиальные катушечные RB40-272K
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF РБ40-101К РБ40-121К РБ40-151К РБ40-181К РБ40-221К РБ40-271К РБ40-331К РБ40-391К РБ40-471К РБ40-561К RB40 рб-40 Радиальные катушечные индукторы РБ40-272К
РБ40 Н

Аннотация: RB40
Текст: нет текста в файле


Сканирование OCR
PDF 22AWG РБ40-101К РБ40-121К РБ40-151К РБ40-181К РБ40-221К РБ40-271К РБ40-331К РБ40-391К РБ40-471К RB40 N RB40
2008 — РБ40

Резюме: РБ-40 маркировка 06 РБ406 РБ-402
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF РБ40-101К-RC РБ40-121К-RC РБ40-151К-RC РБ40-181К-RC РБ40-221К-RC РБ40-271К-RC РБ40-331К-RC РБ40-391К-RC РБ40-471К-RC РБ40-561К-RC RB40 рб-40 маркировка 06 rb406 РБ-402
мост rb40

Реферат: RB40 RB40 мостовой выпрямитель RB-40 выпрямительный мост RB40 RB-20
Текст: нет текста в файле


Сканирование OCR
PDF RB20 / 7 RB40 / 7 RB80 / 7 RB5 / 10 RB20 / 10 RB40 / 10 RB80 / 7 мост rb40 RB40 rb40 мостовой выпрямитель рб-40 выпрямительный мост rb40 РБ-20
rb40 выпрямитель мостовой

Аннотация: мост RB40 RB40 RB40 / 1 1B05J05 LR Amps RB-20 1B05J RB-40 выпрямительный мост RB40
Текст: нет текста в файле


Сканирование OCR
PDF RB20 / 1 RB40 / 1 RB80 / 1 1B05J05-1B10J RB100 / 1 RB100 / 1 rb40 мостовой выпрямитель мост rb40 RB40 1B05J05 LR усилители РБ-20 1B05J рб-40 выпрямительный мост rb40
РБ40

Аннотация: CTB-34
Текст: нет текста в файле


Сканирование OCR
PDF CTU-31S, CTU-32S, CTU-34S, CTU-36S, UB-151 УБ-152 UB-154 РБ-402У РБ-602У EU02A RB40 CTB-34
RB60 ВЫПРЯМИТЕЛЬ

Реферат: диоды rb40, выпрямитель rb40, CTB34, RB40, RB40 N, CTB-34, CTU-G3DR, CTUG3DR, FMU-14S.
Текст: нет текста в файле


Сканирование OCR
PDF ФМУ-12С, ФМУ-14С, ФМУ-16С, ФМУ-21С, ФМУ-22С, RB601 RB602 RB604 RB606 ИМТ-10/15 rb60 выпрямитель rb40 диоды rb40 выпрямитель CTB34 RB40 RB40 N CTB-34 CTU-G3DR CTUG3DR FMU-14S
rb40 выпрямитель мостовой

Аннотация: мост rb60, выпрямитель, мост, выпрямитель, sanken, rb40, мост, rb60, rb40, мост, rb60, выпрямитель, sanken, rb60, RB40, SKI, мост, выпрямитель rb60, LB-156
Текст: нет текста в файле


Сканирование OCR
PDF DDD0153 СТМ-21С СТМ-21Р СТМ-22С СТМ-22Р СТМ-24С СТМ-24Р СТМ-26С СТМ-26Р СТМ-22У rb40 мостовой выпрямитель rb60 мостовой выпрямитель мостовой выпрямитель sanken rb40 мост rb60 мост rb40 rb60 выпрямитель Санкен rb60 RB40 ЛЫЖИ мостовой выпрямитель rb60 LB-156
fmlg12

Аннотация: RB40 RB40 N rb40 диоды sanken RB40 rb40 выпрямитель диоды v1j j3d маркировка CTB34 7D05
Текст: нет текста в файле


Сканирование OCR
PDF CTU-31S, CTU-32S, CTU-34S, CTU-36S, UB-151 УБ-152 UB-154 РБ-402У РБ-602У МИ-10/15 fmlg12 RB40 RB40 N rb40 диоды Санкен RB40 rb40 выпрямитель Диоды v1j маркировка j3d CTB34 7D05
PIC16F877 i2c

Абстракция: pic16f877 pwm pic1687x 74HC165 MG12232 74hc595 i2c sspif WR2510 74HC595 COUNTER LED
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF PIC16F877 pic1687x 0xc00xf90xa40xb00x990x920x820XD80x800x90 0x880x830xc60xa10x860x8e0x7f0xbf0x890xff} PIC16F877 i2c pic16f877 pwm 74HC165 MG12232 74hc595 i2c sspif WR2510 74HC595 СЧЕТЧИК
РБ40 Н

Реферат: диоды rb40 80R выпрямитель sanken RB40 Sanken rb60 fmlg12 CTB34 ctug3dr
Текст: нет текста в файле


Сканирование OCR
PDF RB601 RB602 RB604 RB606 СФПБ-64 RB40 N rb40 диоды ВЫПРЯМИТЕЛЬ 80R Санкен RB40 Санкен rb60 fmlg12 CTB34 ctug3dr
E83S

Резюме: ctb-34 AL01Z AG01Z AG01Y AG01A AG01 RB40 N 025RG маркировка ag01
Текст: нет текста в файле


Сканирование OCR
PDF SFPL-52 SFPL-62 AG01Y AG01Z AG01A AL01Z CTB-34 / 34S / 34M, CTB-33 CTB-34.МИ-10/15 E83S CTB-34 AL01Z AG01A AG01 RB40 N 025RG маркировка ag01
RB60 ВЫПРЯМИТЕЛЬ

Резюме: Sanken rb60 rb60 fmlg12 RB-601 RB602 RB-401 ctb-34 RB40 N RB-606
Текст: нет текста в файле


Сканирование OCR
PDF ФММ-22С, ФММ-24С, ФММ-26С, СТМ-21С, СТМ-22С, СТМ-24С, СТМ-26С, СТМ-32С, СТМ-34С, РБ-150 rb60 выпрямитель Санкен rb60 rb60 fmlg12 РБ-601 RB602 РБ-401 CTB-34 RB40 N РБ-606
fmlg12

Аннотация: выпрямитель rb60 ctb34 hvr-ix v1j маркировка Sanken rb60 MARKING V1J sanken RB40 rb60 hvr диоды
Текст: нет текста в файле


Сканирование OCR
PDF -p03-0q 2 мА / 350 мА ШВ-03 ШВ-06НК ШВ-06УНК ШВ-08НК ШВ-08УНК ШВ-06 ШВ-08 27мин fmlg12 rb60 выпрямитель ctb34 HVR-IX маркировка v1j Санкен rb60 МАРКИРОВКА V1J Санкен RB40 rb60 hvr диоды
санкен RB40

Реферат: rba402 «Sanken RB40» MI-152R MI152R
Текст: нет текста в файле


Сканирование OCR
PDF МИ-101 МИ-101Р Ми-102 МИ-102Р Ми-104 Ми-104Р Ми-106 Ми-106Р Ми-151 МИ-151Р Санкен RB40 rba402 «Санкен РБ40» Ми-152Р MI152R
руб40

Резюме: выпрямитель rb60 Sanken rb60 CTB34 CTUG3D ctu22s с маркировкой WMM fmlg12 CTU-12S CTB-34
Текст: нет текста в файле


Сканирование OCR
PDF ФМУ-12С, ФМУ-14С, ФМУ-16С, CTB-34 / 34S / 34M, CTB-33 CTB-34.МИ-10/15 СФПБ-64 rb40 rb60 выпрямитель Санкен rb60 CTB34 CTUG3D ctu22s маркировка WMM fmlg12 CTU-12S CTB-34
2002 — ЖК-дисплей 16X1

Аннотация: Последовательный интерфейс жк-дисплея 16×1 Релейный интерфейс жк-дисплея 16×1 с РЕЛЕ MSP430 RS232 RS232 IC-PROG LCD подключение к pic RS232 подключение к pic RB40
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF RS232 А / 250 В переменного тока DIL28 120×36 pr2002, MSP430 14 В постоянного тока.ЖК-дисплей 16X1 Последовательный интерфейс жк-дисплея 16×1 16X1 жк релейный интерфейс с рис. РЕЛЕ RB1 msp430 RS232 IC-PROG Подключение ЖК-дисплея к рис. RS232 подключение к рис. RB40
ctb34

Реферат: FMLG12 rb40 диоды rb60 выпрямитель RB40 Sanken rb60 RB40 N CTB-34 FML-G12 ctug3dr
Текст: нет текста в файле


Сканирование OCR
PDF CTL-12S CTL-21S CTL-22S CTL-31S CTL-32S РБВ-406Н РБА-402Л РБВ-602Л 200Vl RB601 ctb34 FMLG12 rb40 диоды rb60 выпрямитель RB40 Санкен rb60 RB40 N CTB-34 FML-G12 ctug3dr
Нет в наличии

Аннотация: абстрактный текст недоступен
Текст: нет текста в файле


Сканирование OCR
PDF EU02A МИ-10/15 СФПБ-64
RB60 ВЫПРЯМИТЕЛЬ

Реферат: ITE 8512 ctl22s RB40 rb60 rb40 диоды Sanken rb60 CTL-22S RB40 N CTUG3D
Текст: нет текста в файле


Сканирование OCR
PDF CTL-12S CTL-21S CTL-22S CTL-31S CTB-34 / 34S / 34M, CTB-33 CTB-34.МИ-10/15 СФПБ-64 rb60 выпрямитель ITE 8512 ctl22s RB40 rb60 rb40 диоды Санкен rb60 RB40 N CTUG3D
SMEW

Резюме: CTG34S CTG-32R CTG-34S CTG-22R ctg22s CTG-21S CTG22r CTG-34 2-й год f.a
Текст: нет текста в файле


Сканирование OCR
PDF 7W741 tj-140 CTG-11S CTG-11 CTG-12S CTG-12R CTG-14S CTG-14R CTG-21S CTB-34 / 34S / 34M, SMEW CTG34S CTG-32R CTG-34S CTG-22R ctg22s CTG22r CTG-34 2-й курс ф.а
Нет в наличии

Аннотация: абстрактный текст недоступен
Текст: нет текста в файле


Сканирование OCR
PDF n0741 UL94V-0 Ми-10/15 СФПБ-64
RB40 ВЫПРЯМИТЕЛЬ

Аннотация: AU01Z AU01A AU01 AS01Z AS01A AS01 EU02A CTUG3D CTB34
Текст: нет текста в файле


Сканирование OCR
PDF AU01Z AU01A AU02Z AU02A AS01Z МИ-10/15 СФПБ-64 rb40 выпрямитель AU01 AS01A AS01 EU02A CTUG3D CTB34
RB60 ВЫПРЯМИТЕЛЬ

Аннотация: FMG-G26S FMLG22 rb40 ВЫПРЯМИТЕЛЬ FMLG22S FMLG12S fmlg12 FMG-22S FMGG26S маркировка 26s
Текст: нет текста в файле


Сканирование OCR
PDF ФМГ-11С, ФМГ-12С, ФМГ-13С, ФМГ-14С, ФМГ-21С, ФМГ-22С, CTB-34 / 34S / 34M, CTB-33 CTB-34.JMI-10/15 rb60 выпрямитель FMG-G26S FMLG22 rb40 выпрямитель FMLG22S FMLG12S fmlg12 FMG-22S FMGG26S маркировка 26с
FMLG12

Реферат: ВЫПРЯМИТЕЛЬ rb60 RB40 EU2A SANKEN EU2 Rh3F CTB34 sanken s-100 78 / rb60 ВЫПРЯМИТЕЛЬ
Текст: нет текста в файле


Сканирование OCR
PDF elsakjjp03-Ã ES01Z CTB-34 / 34S / 34M, CTB-33 CTB-34. JMI-10/15 МИ-10/15 СФПБ-64 FMLG12 rb60 выпрямитель RB40 EU2A SANKEN EU2 Лh3F CTB34 Санкен С-100 78 / rb60 ВЫПРЯМИТЕЛЬ

Обозначение цели | AMI

Драйверы клеток Поккельса:

AMI разрабатывает и производит драйверы ячеек Поккельса для военных, медицинских и других приложений.Быстрое, надежное переключение высокого напряжения в компактных форм-факторах достигается за счет использования нескольких технологий. Драйверы ячеек Поккельса серии 820/8200 от AMI доступны в виде сборок на печатных платах для установки на небольших площадях, а также в корпусах, разработанных для работы в тяжелых условиях авиационных военных применений. Драйверы могут быть изготовлены в соответствии с военными стандартами высокой надежности. Для OEM-приложений доступны нестандартные конструкции.

Источники питания для зарядки конденсаторов:

Для накачки ламп-вспышек Analog Modules производит различные источники питания для зарядки конденсаторов с высокой плотностью мощности и импульсные драйверы.Эти продукты используются в ряде военных программ, в том числе для наземного и воздушного целеуказания, лазерного дальномера на танках и ракетного освещения для картографирования местности.

Каждый продукт разработан в соответствии с уникальными спецификациями, чтобы удовлетворить индивидуальные потребности клиента в упаковке и характеристиках. Огромный опыт AMI в этой области привел к созданию конструкций источников питания для зарядки конденсаторов, которые обеспечивают чрезвычайно высокую плотность мощности, очень легкие, но при этом удовлетворяют жестким требованиям к ударам и вибрации для военных приложений.Продукты AMI также соответствуют требованиям стандарта MIL-STD-810 для высоких и низких температур и другим соответствующим военным стандартам. Продукты могут быть сконфигурированы для входного питания в диапазоне от низкого напряжения постоянного тока (аккумулятор 3,3 В, 18–21 В постоянного тока с наложенными переходными процессами и т. Д.) До 115 В переменного тока, 400 Гц, 1 Ø для применений в самолетах.

AMI разрабатывает и производит полные системы импульсных импульсных ламп. Эти продукты могут включать в себя встроенные силовые модули для зарядки конденсаторов с полными цепями формирования импульсов, высокоскоростные переключающие элементы, цепи зажигания ламп и управляющую электронику.Результирующие системы могут обеспечивать работу с фиксированной или переменной шириной импульса, оптимизированную для различных комбинаций энергии импульса и частоты повторения импульсов. Опции могут включать псевдо-кипение, ограничение тока плавного пуска, триггерные выходы Q-Switch и микропроцессорное управление. Обширный опыт AMI в области импульсных лазерных систем снова был использован для разработки конструкций, которые просты по концепции для обеспечения прочности и надежности, но при этом умны в реализации для обеспечения высокой плотности упаковки и высокой эффективности.

Драйверы мощных лазерных диодов:

AMI предлагает полную линейку систем и модулей драйверов лазерных диодов для военных приложений, включая прямое освещение и диодную накачку.Запатентованные методы позволяют таким продуктам генерировать узкие мощные импульсы с высокой частотой повторения и / или выходным сигналом в непрерывном режиме в минимально доступных местах.

AMI разработала множество конструкций диодных драйверов в различных пакетах для легкой интеграции в клиентские платформы. Продукты с драйверами диодов обеспечивают функции безопасности, такие как управление током обратной связи, защита от перегрузки по току / напряжению, включение / отключение и функции сброса цепи для предотвращения повреждения лазерных диодов.

Для приложений, требующих работы под ключ, AMI предлагает контроллер лазерных диодов 8800D серии с микропроцессорным управлением для импульсных приложений и лазерный контроллер 880D серии для приложений непрерывного действия.Оба имеют внешнее управление через интерфейс RS-232.

Модули слежения за лазерным пятном / локации

Модуль слежения за лазерным пятном:

Инженеры

AMI участвовали в разработке электроники для электроники лазерного точечного слежения с 1968 года. Эти конструкции были проверены на самолетах Jaguar, Harrier, F16, F / A-18 и MRCA. AMI также разработала модули поиска для программ «Звездных войн». Патенты, зарегистрированные в этой области, включают метод идентификации цели и конструкцию приемника слежения.Системы были разработаны для данных рулевого управления и линейной обработки для пропорционального управления амплитудой.

AMI разработала простое в использовании компьютерное моделирование, которое позволяет быстро оптимизировать электронику точечного слежения для конкретных приложений. Программное обеспечение позволяет вводить соответствующие параметры конструкции, вычислять критические выходные параметры и графически иллюстрирует мощность приемника как функцию диапазона.

В настоящее время AMI участвует в разработке модулей трекера следующего поколения с использованием микроминиатюрных деталей.Эти новые конструкции позволят повысить производительность, уменьшить размер и стоимость.

SPOTTR:

SPOTTR (стабилизированный портативный оптический приемник слежения за целями) позволяет передовым наблюдателям обнаруживать и декодировать отраженную энергию от бортовых или наземных лазерных целеуказателей на дальностях до 20 км.

Визуальное подтверждение значительно увеличивает уверенность в том, что боеприпасы будут доставлены к намеченной цели, что очень важно, когда дружественные силы находятся поблизости в условиях непосредственной поддержки с воздуха.Боевые возможности увеличиваются за счет сокращения времени подтверждения цели и сведения к минимуму ошибок наведения, которые могут привести к братоубийству или сопутствующему ущербу.

SPOTTR включает модуль квадрантного лазерного точечного слежения, разработанный Analog Modules, Inc., в широко распространенный гиростабилизированный бинокль, производимый Fraser Optics LLC (ранее Fraser-Volpe LLC).

Общие сведения о диодах и транзисторах уровня JAN / MIL

Были ли у вас проблемы с пониманием различных уровней военных диодов и транзисторов?

Вы когда-нибудь пытались купить диод или транзистор уровня JAN и обнаруживали, что тот, который вам нужен, просто недоступен или требует длительного времени? Надеюсь, после прочтения вы лучше поймете, что означают разные уровни, и, возможно, сможете найти приемлемую альтернативу или обновление, чтобы уложиться в сроки производства.

Префикс JAN

Прежде всего, важно добавить префикс JAN (или иногда суффикс) к транзистору или диоду. Префикс JAN означает Joint Army Navy . По сути, это означает, что предмет соответствует уровню Mil (в частности, MIL-S-19500). Таким образом, если вы добавляете JAN к приобретаемому 2N2222, , вы покупаете предмет военного уровня. Но это еще не все.

Что делать, если вам нужен JANTX, JANTXV или JANS?

Перво-наперво, добавление чего-либо после того, как исходный JAN обновил деталь. Добавление TX означает, что эта деталь не только соответствует стандарту MIL-S-19500, но также была протестирована в соответствии со спецификацией Mil . Добавление буквы V к TX означает, что деталь была проверена во время тестирования до того, как пакет был завершен. А добавление буквы S к JAN означает, что деталь соответствует требованиям для помещения или протестирована на соответствие процентному содержанию дефектов с допуском партии (LTPD в соответствии с MIL-STD-105).

См. Следующую разбивку.

  • 2N2222 Коммерческая часть
  • JAN2N2222 Военная часть соответствует MIL-S-19500
  • JANTX2N2222 Военная часть изготовлена ​​в соответствии с MIL-S-19500 и протестирована в соответствии со спецификациями после производства
  • JANTXV2N2222 Военная деталь, изготовленная в соответствии с MIL-S-19500, матрица визуально проверена во время производства и протестирована в соответствии со спецификациями после производства
  • JANS2N2222 Военная деталь, изготовленная в соответствии с MIL-S-19500, матрица визуально проверена во время производства и протестирована на соответствие спецификации после производства.Затем протестировали LTPD, выполнив все остальные шаги.

Итак, действительно, если вы ищете деталь, изготовленную на уровне JAN, и вы можете найти только предмет JANTXV, вы можете заплатить немного больше, но вы действительно получаете лучшую деталь.

Что делать, если вы найдете деталь только с маркировкой JX или JTX?

Вот некоторые из общепринятых сокращений и альтернативных обозначений некоторых производителей для своих деталей. В основном, если деталь слишком мала, чтобы уместить весь номер детали.

  • ЯНВ — J
  • JANTX — JX или JTX
  • JANTXV — JXV, JXTV или JV
  • JANS — JS

Что делать, если вы видите элемент с пометкой MX?

Что ж, это интересно.В некоторых случаях производители, которые когда-то держали QPL для изготовления деталей JAN, обнаружили, что поддержание QPL для этого элемента не является экономически эффективным. В этих случаях производитель все равно изготовит деталь и проверит ее на соответствие стандарту MIL-S-19500, но, поскольку у них нет лицензии на маркировку JANTX, он будет маркировать деталь MX .

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *