Диод в 10: Страница не найдена — КазЭкспорт Новосибирск

Содержание

Диод Д10 — DataSheet

Корпус диода Д10

 

Описание

Диоды германиевые, точечные универсальные. Предназначены для преобразования, ограничения и детектирования переменного напряжения частотой до 150 МГц. Выпускаются в стеклянном корпусе с гибкими выводами. Маркируются двумя точками со стороны положительного вывода: Д10 —черной и красной; Д10А —черной и оранжевой; Д10Б —черной и желтой. Масса диода не более 0,3 г.

 

Параметры диода Д10
Параметр Обозначение Маркировка Значение Ед. изм.
Аналоги Д10 АА112, SED107
Д10А АА130
Д10Б 1N616
Максимальное постоянное обратное напряжение. Uo6p max, Uo6p и max Д10 10 В
Д10А 10
Д10Б 10
Максимальный постоянный прямой ток. Iпp max, Iпp ср max, I*пp и max Д10 16 мА
Д10А
16
Д10Б 16
Максимальная рабочая частота диода fд max Д10 100 кГц
Д10А 100
Д10Б 100
Постоянное прямое напряжение Uпр не более (при Iпр, мА) Д10 1. 5 (3) В
Д10А 1.5 (5)
Д10Б 1.5 (8)
Постоянный обратный ток Iобр не более (при Uобр, В) Д10 100 (10) мкА
Д10А 200 (30)
Д10Б 200 (30)
Время обратного восстановления — время переключения диода с заданного прямого тока на заданное обратное напряжение от момента прохождения тока через нулевое значение до момента достижения обратным током заданного значения tвос, обр Д10 мкс
Д10А
Д10Б
Общая емкость Сд (при Uобр, В) Д10 пФ
Д10А
Д10Б

Описание значений со звездочками(*) смотрите в буквенных обозначениях параметров диодов.

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

Светодиод 10 Ватт: характеристики, производители, подделки

Светодиод 10 Вт – является мощным полупроводниковым прибором. Сфера его применения, зачастую не ограничивается лампами и прожекторами. Также чип пользуется большой популярностью среди любителей смастерить устройство для освещения своими руками.

Область применения

Сверхъяркие светодиоды 10 W широко применяются в различных осветительных устройствах. Все сферы условно можно разделить на общее и специальное назначение. К общему назначению относится эксплуатация светодиодов в лампах, светильниках, прожекторах, а к специальному – применение для подсветки в оранжереях и аквариумах. Второй вариант – это, так называемые, фитосветильники и не только. Фокус в том, что спектр излучения данного LED оптимальный для роста растений, как на суше, так и в воде. А кроме водорослей и рыб, освещение 10 ваттными светодиодами, благоприятно влияет на развитие кораллов, поэтому любители аквариумов являются частыми потребителями этой радиодетали.

Все эти замечательные свойства проявляются в определенной комбинации цветов кристаллов. Что касается использования описываемого полупроводникового прибора для осветительных устройств общего назначения, то помимо бытовых ламп, светодиод отлично применяется для изготовления фар для автомобиля, светофоров, дорожной подсветки.

В целях декорирования разноцветные 10-ваттные светодиоды эксплуатируются в ландшафтном дизайне, для подсветки сооружений, бассейнов и уличной рекламы.

Конструкция светодиода, варианты исполнения

Светодиод COB 10 W представляет собой компактный модуль, выполненный по технологии chip-on-board. Принципиальное отличие от SMD заключается в том, что несколько кристаллов вместе размещаются на плате и покрываются общим слоем люминофора. Это значительно снижает стоимость матрицы. Состоит она из 9 кристаллов: три параллельные цепочки по три последовательно подключенных кристалла в каждой. Внешне LED 10 W могут отличаться формой токопроводящей подложки.

Например, светодиод фирмы Cree выглядит, как показано на рисунке. Подложка его имеет форму звезды и выполнена из алюминия.

Корпус модуля изготовлен из термостойкого пластика, а линза – из эпоксидной смолы. Классические LED 10 W выглядят так, как показано на схеме, но на практике габаритные размеры варьируются в зависимости от производителя.

Не забывайте, что светодиод является полярным элементом, поэтому обращайте внимание на маркировку при монтаже. Обязательным условием адекватного функционирования светодиода 10 Вт является наличие теплоотвода. Организовать его можно с помощью алюминиевого или медного радиатора. Смазывайте подложку светодиода термопроводящей пастой или термоклеем для лучшей теплоотдачи. Иногда дополнительно монтируется кулер, который обеспечивает циркуляцию воздуха для охлаждения радиаторных пластин.

(упаковка из 20 штук) Выпрямительный диод Chanzon 10A10 10A, 1000V R-6, осевой, 10 A, электронные кремниевые диоды на 1000 вольт: Amazon.com: Industrial & Scientific


  • Убедитесь, что это подходит введя номер вашей модели.
  • Номер детали: 10A10 / Прямой ток: 10 А / Максимальное повторяющееся пиковое обратное напряжение: 1000 В
  • Бессвинцовый / Соответствующий RoHS компонент электроники / Литой пластиковый корпус / Осевые выводы с покрытием / Сквозное отверстие
  • Низкая обратная утечка / Возможность высокого прямого импульсного тока / Высокотемпературная пайка
  • См. Рисунок 2-7 для ознакомления с техническими данными.
  • Упакуйте в сумку ESD с этикеткой основных характеристик для долговременной защиты и идентификации.
]]>
Характеристики данного продукта
Фирменное наименование ШАНЗОН
Идентификатор отраслевого стандарта Соответствует RoHS и не содержит свинца
Форма изделия R-6
Материал Другой
Номер модели 10A 10 x 20 шт.
Номер детали 10A10-R-6-20
Размер 20 шт.
Особенности Сумка ESD с этикеткой основных характеристик для долговременной защиты и идентификации.
Соответствие спецификации Рисунок 2-7 для таблицы технических характеристик
Код UNSPSC 32111500

Интегрированный молекулярный диод в качестве полуволнового выпрямителя 10 МГц на основе гетероперехода с органической наноструктурой

Конструкция органического гетероперехода

Одним из наиболее важных условий для интегрированных устройств является стабильность, особенно для органических материалов, которая должна поддерживаться на протяжении всего сложного процесса изготовления процесса и последующий длительный срок эксплуатации. Фталоцианин меди (CuPc) выделяется своей исключительной термической и химической стабильностью, так как он был впервые синтезирован в начале прошлого века. 16 . В нашей работе необходимо преодолеть два критических препятствия, прежде чем ультратонкий молекулярный слой CuPc можно будет использовать в качестве органической полупроводниковой прокладки в устройствах молекулярного масштаба; это плохая проводимость и неэффективная инжекция заряда с металлических электродов. Эти два фактора приводят к большому падению напряжения на диодах, что приводит к низким выходным сигналам выпрямителей 14 .Существует по крайней мере две стратегии для улучшения электрических характеристик CuPc: во-первых, контролировать ориентацию более плоских молекул путем изменения поверхности подложки 8,17 , а во-вторых, изменять распределение носителей путем введения гетероперехода или легирующих добавок 18,19 . Ранее гетеропереходы между фталоцианинами металлов (MPcs) и фторированными MPcs (F-MPcs) использовались для увеличения концентрации носителей путем гибридизации на границе раздела 20,21 . Поэтому в данной работе фталоцианин кобальта размером 1 нм (F 16 CoPc) был введен между подложкой Au и слоем CuPc нанометровой толщины, чтобы действовать как буферный слой и как полупроводник n-типа. Дифракция рентгеновских лучей при скользящем падении (GIXRD) была проведена для определения структуры тонких пленок CuPc, выращенных на Au-подложке с F 16 CoPc и без него, как показано на рис. 1 и дополнительном рис. 1. Во-первых, явной дифракции нет. пик был обнаружен при нанесении 1 нм F 16 CoPc на Au-подложку (рис.1а), что указывает на то, что пленка F 16 CoPc слишком тонкая, чтобы ее можно было обнаружить. Картины GIXRD для обоих образцов, без (Рис. 1b) и с (Рис. 1c) F 16 CoPc, показывают характерную особенность поликристаллической структуры CuPc, идентифицированную типичным пиком отражения при 2θ ≈ 6,9 ° (Дополнительный Рис. 1а), что соответствует плоскости решетки (001) α-фазы CuPc 22 . Этот пик возникает из-за расстояния между слоями наклонных молекулярных стопок. Молекулы CuPc, выращенные на слое F 16 CoPc, демонстрируют более острый пик (001) по сравнению с ростом на чистом Au, что означает, что введение F 16 CoPc увеличивает кристалличность молекул CuPc, как показано на рис. .1г. Кроме того, на дополнительном рисунке 1a дополнительные пики (22 ° <2θ <28 °) CuPc без F 16 CoPc были идентифицированы как (241), (412), (242) и (250), соответственно, 16 . Это дополнительно указывает на то, что пленка CuPc, выращенная на голой подложке Au, отклоняется от сильной предпочтительной ориентации в направлении [001], т.е. имеется меньшая кристалличность слоя CuPc без F 16 CoPc. Кроме того, пик (001) α-CuPc появлялся как на дифракционных картинах вне плоскости, так и на дифрактограммах в плоскости (см. Дополнительный рис.1). Пик (001) в диаграмме вне плоскости намного сильнее, чем пик в диаграмме в плоскости, особенно в случае CuPc, выращенного на F 16 CoPc, что указывает на то, что плоскости ab большей части кристаллической структуры CuPc домены параллельны подложке, а небольшая часть расположена перпендикулярно подложке. Соответствующие изображения АСМ показаны на вставках к рис. 1а – в соответственно. Межфазные и тонкопленочные свойства органических материалов тесно связаны с межмолекулярными взаимодействиями и взаимодействием молекул с лежащей под ними подложкой.Распределение по размерам доменов CuPc, выращенных на подложке Au, модифицированной F 16 CoPc, шире (рис. 1в) по сравнению со слоем CuPc, выращенным на голой подложке Au (рис. 1а), и появляются более крупные нанокристаллы.

Рис. 1. Структура и морфология слоев молекулы фталоцианина.

a c 2D-GIXRD-рисунки F 16 CoPc (1 нм), CuPc (7 нм) и F 16 CoPc (1 нм) / CuPc (7 нм) соответственно. На соответствующих вставках представлены наборы слоев и изображения АСМ (масштабные полосы, 250 нм). d Схематические структуры молекулярной упаковки CuPc, выращенного на чистом Au и 1 нм F 16 CoPc, покрытом Au.

Введение 1 нм F 16 CoPc не только влияет на расположение молекул CuPc, но и изменяет распределение носителей. Ультрафиолетовая фотоэлектронная спектроскопия (UPS) и рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия (XPS) были выполнены для исследования электронной структуры наноразмерных гетеропереходов. На рис. 2а, б показана эволюция энергии отсечки и самой высокой занятой молекулярной орбитали (ВЗМО) во время инкрементального осаждения гибридного слоя F 16 CoPc / CuPc на подложку Cr / Au.Соответствующая работа выхода (Φ) и HOMO показаны на рис. 2c. Следует отметить, что работа выхода Au-подложки составила 4,18 эВ, что намного ниже типичных значений для чистых поверхностей Au (~ 5,0 эВ), но хорошо соответствует значениям для загрязненных поверхностей Au 23 . Фактически, поверхность Au подвергалась воздействию воздуха во время переноса подложки в вакуумную камеру, поэтому неизбежно происходило загрязнение H 2 O, NO 2 , CO 2 и O 2 .Это явление было подтверждено XPS субстрата, когда были обнаружены пики O1s, N1s и C1s (см. Дополнительный рис. 2a).

Рис. 2: Перенос носителя между нижним Au / F 16 CoPc / CuPc.

a , b Спектры UPS (He – Iα = 21,22 эВ), соответствующие областям отсечки и HOMO (или VB) системы Au / F 16 CoPc / CuPc. c Эволюция работы выхода (Φ) и краев пиков ВЗМО относительно уровня Ферми ( E F ) подложки Cr / Au. d , e Схематические диаграммы переноса заряда между подложкой Au и 1 нм F 16 CoPc, а также между F 16 CoPc n-типа и CuPc p-типа (+/-: свободные носители, ⊕ / ⊝ : зарядные центры).

В то же время, согласно эволюции Φ, показанной на рис. 2c, уровни энергии F 16 CoPc изгибаются вниз по направлению к интерфейсу Au / F 16 CoPc, в то время как уровни энергии CuPc изгибаются вверх в направлении интерфейс F 16 CoPc / CuPc. Теоретически изгиб зон вызван переносом заряда на гетеропереходе 24 . Изгиб нисходящей полосы F 16 CoPc n-типа в направлении границы раздела металл-полупроводник указывает на перенос электронов от Au к F 16 CoPc, приводящий к омическому контакту с молекулами из-за резервуара заряда, находящегося в области контакт 25 . Когда мы попытались определить края HOMO ультратонких слоев CoPc F 16 , как показано на дополнительном рис. 2b, расчетные значения для слоев F 16 CoPc 0,5 и 1,0 нм равны 0.21 и 0,16 эВ соответственно, что очень близко к работе выхода подложки, в то время как ВЗМО объемного F 16 CoPc составляет около 1,2 эВ 26 . Фактически, типичное занятое состояние возникает в результате переноса электрона от Au к Co3d, который уникален, но хорошо известен для монослоя F 16 CoPc 27 . Согласно предыдущим сообщениям, занятое состояние Co приписывается бывшей самой низкой незанятой молекулярной орбитали (F-LUMO) 28 , которая может преобразовывать полупроводниковое состояние в ультратонком F 16 CoPc в металлическое состояние, поскольку оно очень близко к Уровень Ферми, как показано на рис. 2c. Этот перенос заряда был дополнительно подтвержден эволюцией уровня ядра Co 2p 3/2 на границе Au / F 16 CoPc (см. Дополнительный рис. 2c). Основной пик толстой пленки F 16 CoPc расположен при 780,6 эВ, что характерно для степени окисления Co (II). Однако в случае ультратонких пленок F 16 CoPc (0,5 и 1,0 нм) появляется еще один интенсивный пик при энергии связи 778,5 эВ, который приписывается степени окисления Co (I) 29 .Это указывает на то, что некоторые атомы кобальта восстанавливаются с Co (II) до Co (I) из-за межфазного переноса заряда, и, следовательно, разрешается новое химическое состояние, расположенное при более низкой энергии связи.

С другой стороны, относительное содержание Co (I) увеличилось, в то время как относительное содержание Co (II) уменьшилось во время осаждения CuPc на 1 нм слой F 16 CoPc, как показано на дополнительном рис. 2c, d. В то же время пик остовной оболочки Cu 2p 3/2 из CuPc сместился в сторону более высокой энергии связи, что означает уменьшение электронной плотности вокруг Cu (см. Дополнительный рис.2д). Оба эти явления указывают на перенос электрона от CuPc к F 16 CoPc 30 . Следовательно, уровни энергии CuPc изгибаются вверх к границе раздела F 16 CoPc / CuPc, как упоминалось выше на рис. 2c. Фактически, перенос электрона на гетеропереходе F 16 CoPc / CuPc можно рассматривать с точки зрения зонной структуры 20 . Как показано на рис. 2e, HOMO CuPc очень близок к LUMO F 16 CoPc. При контакте электроны из ВЗМО CuPc p-типа легко переходят в НСМО F 16 CoPc n-типа, что приводит к накоплению дырок и электронов в CuPc и F 16 CoPc соответственно.Другими словами, это аккумулирующий гетеропереход, который сильно отличается от неорганических PN-переходов, которые имеют режим истощения. Таким образом, вставленный ультратонкий F 16 CoPc принимает электроны как от Au-подложки, так и от CuPc, что приводит к двум межфазным режимам, в которых накапливаются носители, как показано на диаграмме выравнивания полос (см. Дополнительный рис. 3). Неоднородное распределение дырок на стороне CuPc можно выразить следующим образом: 31

$$ P \ left (x \ right) = N_v \, {\ mathrm {exp}} \ left [{- \ frac {{E_F — E_v \ left (x \ right)}} {{k_BT}}} \ right], $$

(1)

, где N v — эффективная плотность состояний дырок в валентной зоне (которая постоянна для данного материала и температуры), E F — уровень Ферми, E v ( x ) — это лента (или HOMO) в позиции x , k B — постоянная Больцмана, T — температура, а k B T = 0.02588 эВ при T = 300 К. На основании уравнения. (1), отношения концентраций дырок P ( x = 0,4 нм) / P ( x = 0,7 нм) и P ( x = 0,4 нм) / P ( x = 2,5 нм) равны 103,5 и 4964,2 соответственно. Это указывает на то, что концентрация дырок значительно увеличивается в режиме интерфейса по сравнению с объемным CuPc из-за существования гетероперехода.

Микро-изготовление молекулярного диода

Как упоминалось выше, помимо увеличения подвижности, другим потенциальным подходом к повышению частотных характеристик диодных выпрямителей является уменьшение толщины органической прокладки до нескольких нанометров или даже до молекулярного масштаба. .В этой работе мягкий контакт, обеспечиваемый свернутыми наномембранами, используется для реализации выпрямительных устройств на основе органического слоя молекулярного масштаба. Вкратце, слой Au наносится на мезаструктуру в форме пальца, которая действует как нижний контактный электрод, на котором выращивают органический слой (слои). Наномембраны Ge и Au / Ti / Cr последовательно осаждаются и формируются в виде временного слоя и напряженного металлического слоя соответственно, в результате чего слои деформации сворачиваются, когда временный слой избирательно вытравливается деионизированной (ДИ) водой. После прокатки свернутые металлические наномембраны образуют устойчивый к повреждениям и саморегулирующийся верхний электрод для хрупких, ультратонких органических материалов, образуя таким образом многослойную структуру металл / органика / металл (рис. 3a). Более подробное описание процесса изготовления представлено в разделе «Методы» (также см. Дополнительный рис. 4) и предыдущих отчетах 32,33,34 . На рисунке 3b показано изображение массива устройств под микроскопом, показывающее возможность интеграции, а также воспроизводимость, которые являются ключевыми ингредиентами для практических приложений.Свернутые трубки имеют однородную форму и средний диаметр составляет около 10 мкм, как показано на рис. 3с. Благодаря сочетанию мягкого контакта и гетероперехода, превосходный тип органических диодов на основе F 16 CoPc (1 нм) / CuPc (7 нм) был успешно интегрирован на кремниевую пластину, обозначенную как Au (палец) / F . 16 CoPc (1 нм) / CuPc (7 нм) / Au (трубка). АСМ-изображение F 16 CoPc / CuPc в режиме постукивания, выращенного на части мезы (как отмечено на рис. 3c черным пунктирным прямоугольником), показано на рис.3d. Соответствующая высота гибридного слоя F 16 CoPc / CuPc составляет 8 ± 2 нм. По сравнению с размером одной более плоской молекулы фталоцианина (~ 1,5 нм), разумно утверждать, что органический спейсер F 16 CoPc / CuPc находится в молекулярном масштабе. На рисунке 3e показано концептуальное изображение органического диода молекулярного масштаба, в котором слой гетероперехода F 16 CoPc / CuPc расположен между золотым пальцевым электродом и золотым трубчатым электродом.

Рис. 3: Конфигурация выпрямителей молекулярного масштаба.

a Формовка свернутой трубы. b Микрофотография матрицы диодного устройства. c Типовое одиночное устройство на основе свернутого мягкого контакта. d Режим постукивания АСМ-изображение F 16 CoPc (1 нм) / CuPc (7 нм), выращенного на мезе (как отмечено в c черным пунктирным прямоугольником) и соответствующий профиль высоты АСМ-изображения. e Концептуальное изображение Au (палец) / F 16 CoPc (1 нм) / CuPc (7 нм) / Au (трубка).

Характеристики молекулярного диода

Для устройств на основе Au (палец) / F 16 CoPc / CuPc / Au (трубка) существует зависимый от толщины компромисс между плотностью тока и коэффициентом выпрямления, как показано в Дополнительных материалах. Рис.5 и 6, а также дополнительное примечание 1. Устройства, основанные на подходящей толщине (8 нм) органического гибридного спейсера, имеют не только высокий коэффициент выпрямления, но и высокую плотность прямого тока. Кроме того, спроектированы два вида столешниц с разной номинальной шириной ( W конструкция ), то есть 5 и 10 мкм. Однако реальная ширина ( Вт, , , реальная ), контактирующая с электродами трубки, меньше, примерно 1,3 и 7,4 мкм соответственно. Уменьшение проектной ширины вызвано изотропным недрастяжением столешниц в растворе HF (описанном на дополнительном рис. 7 и дополнительное примечание 2). Оба устройства с разным дизайном W демонстрируют хорошие коэффициенты выпрямления и высокую плотность тока, пропорциональную их W действительному . Наконец, для исследования электрических характеристик был выбран гибридный слой F 16 CoPc (1 нм) / CuPc (7 нм) с дизайном W = 10 мкм. На рисунке 4а представлены типичные вольт-амперные характеристики постоянного тока ( I – V ) молекулярного диода (обозначены темно-голубыми квадратами).Во время измерений трубчатый электрод из золота удерживается на земле, в то время как напряжение, приложенное к пальцевому электроду из золота, изменяется от отрицательного к положительному. Устройство показывает хороший коэффициент выпрямления до 300 при ± 2 В. С учетом максимальной площади контакта (7,4 × 10 мкм 2 ) достигается высокая плотность прямого тока 315 А · см −2 при 2 В (см. Рис.8). Кроме того, устройства на основе Au (палец) / F 16 CoPc (1 нм) / CuPc (7 нм) / Au (трубка) демонстрируют отличную стабильность (см. Дополнительный рис.9 и дополнительное примечание 3).

Рис. 4: Причина исправления.

a I V Характеристики диодов на основе CuPc, обработанного ацетоном и водой (7 нм), F 16 CoPc (1 нм) / CuPc (7 нм) и CuPc (7 нм). нм) / F 16 CoPc (1 нм) соответственно. Ширина мезы во всех четырех случаях составляет 10 мкм. b Логарифмический график кривых I V диодов на основе обработанных ацетоном и водой Au (палец) / CuPc (7 нм) / Au (трубка), показывающий три режима, отличающиеся друг от друга м дюйм I V м . c log ( I ) — V 1/2 график кривых I V диода на основе обработанного водой Au (палец) / CuPc (7 нм) / Au (трубка ). На вставке показаны контакты между нижним пальцевым электродом, прокладкой из CuPc и верхним трубчатым электродом. d Впрыск носителя из Au трубки и пальца под влиянием обработки ацетоном / водой, структура органического гетероперехода.

По сравнению с Au (палец) / CuPc (7 нм) / Au (трубка), устройства на основе Au (палец) / F 16 CoPc (1 нм) / CuPc (7 нм) / Au (трубка) показывают при увеличении тока более чем на порядок при прямом и обратном смещении, в то время как коэффициент выпрямления немного уменьшается (см.рис.4а). Это явление приписывают введению сверхтонкого слоя F 16 CoPc, который не только улучшает кристалличность слоя CuPc, но также увеличивает плотность носителей. Фактически, только очень небольшой коэффициент выпрямления 5 был получен в предыдущем отчете с аналогичной структурой Au (палец) / CuPc (6,5 нм) / Au (трубка) 34 . В процессе изготовления в предыдущей работе отрыв CuPc проводился в ацетоне. Мы получили аналогичный результат, выполнив этот процесс, как показано на рис.4а. Однако, когда CuPc поднимался в воде во время процесса, примененного в настоящей работе (см. Дополнительный рис. 4f – h), коэффициент ректификации достигает более 400. Кроме того, устройства на основе водоочищенного CuPc показывают гораздо более высокий прямой ток и более низкий обратный ток по сравнению с обработанным ацетоном CuPc. Поэтому возникают дополнительные вопросы: во-первых, как влияет на молекулы обработка водой и ацетоном? и, во-вторых, как достигается выпрямляющее действие, когда и нижний, и верхний электроды сделаны из золота?

Из графика двойного логарифма, представленного на рис.4b видно, что при прямом смещении кривые log ( I ) –log ( V ) для CuPc, обработанного ацетоном и водой, демонстрируют три различных режима переноса на основе показателя степени m для V , т. Е. I V m , характеристика которого также известна как механизм переноса тока с ограничением объемного заряда (SCLC) 35 . Одно из предположений SCLC состоит в том, что присутствует только один тип носителей заряда. Для устройств Au (палец) / CuPc / Au (трубка), обработанных водой и ацетоном, отверстия являются носителями.Эти три режима идентифицированы как омический перенос (режим I), SCLC, ограниченный мелкой ловушкой (режим II), и предельная проводимость, заполненная глубокими ловушками (режим III), соответственно (см. Дополнительное примечание 4). Другими словами, транспортировка при прямом смещении управляется ловушкой 36 . Очевидно, что есть два переходных напряжения среди трех различных режимов проводимости, описываемых дополнительными уравнениями. (1) — (3). При В 1 концентрация введенного носителя сначала превышает концентрацию термически генерируемого носителя, и мелкие ловушки полностью заполнены при В 2 37 .Основываясь на этих двух критических точках, плотность ловушек CuPc, обработанного ацетоном и водой, оценивается как 2,70 × 10 18 и 1,58 × 10 18 см -3 , соответственно. Следовательно, обработка ацетоном создает больше ловушек по сравнению с обработанной водой CuPc, что приводит к более низкому току. С другой стороны, на основе данных ИБП (см. Дополнительный рис. 3), барьеры для инжекции дырок из чистого, обработанного ацетоном и водой 2,5 нм CuPc по отношению к Au-подложке оцениваются как 0. 44, 0,55 и 0,29 эВ соответственно. Следовательно, обработка ацетоном увеличивает зазор между HOMO CuPc и уровнем Ферми ( E F ) Au электродов, но обработка водой сужает зазор. Что касается концентрации дырок в CuPc, отношения P (вода) / P ( x = 2,5 нм) и P (ацетон) / P ( x = 2,5 нм) составляют 193,09 и 0,02 соответственно. Другими словами, обработка ацетоном снижает концентрацию дырок на стороне CuPc, а обработка водой увеличивает ее.Помимо модели SCLC (с ограничением объема), две возможные теории проводимости с ограничением по контакту (например, туннелирование Фаулера-Нордхейма и эмиссия Шоттки 38 ) также подходят для пояснения процесса инжекции носителей заряда из золотого пальца в золотую трубку. электрод (прямое смещение), как показано на дополнительном рис. 10 и дополнительном примечании 5. Результат подразумевает, что перенос при прямом смещении, скорее всего, ограничен объемом, а не контактом.

Теоретически SCLC возникает только тогда, когда инжекционный электрод образует омический контакт, подразумевая, что контакт между пальцевым электродом Au и CuPc является омическим в обоих случаях. 38 .Поскольку устройства на основе CuPc, обработанного водой, демонстрируют более выраженное выпрямляющее действие, вполне возможно, что контакт между трубчатым электродом Au и CuPc является контактом типа Шоттки. В связи с этим мы исследовали данные I – V для водообработанного CuPc с моделью эффекта Шоттки (понижение поля межфазного барьера на границе раздела инжектирующего электрода). Для стандартной эмиссии Шоттки график log ( I ) от V 1/2 должен быть линейным 39 .Как показано на рис. 4c, данные при обратном смещении хорошо соответствуют линейной зависимости, а данные с прямым смещением — нет. Это указывает на то, что инжекция дырок из трубки Au в ультратонкую пленку CuPc, обработанную водой ~ 7 нм, соответствует модели Шоттки 40 . Чтобы исследовать электронную структуру верхнего трубчатого Au-электрода, на кремниевую пластину были нанесены несколько слоев Cr (20 нм) / Ti (15 нм) / Au (5 нм) / Ge (10 нм), чтобы имитировать ситуацию слои деформации, но с обратной последовательностью нанесения. Перед переносом образца в аналитическую камеру XPS и UPS слой Ge удаляли с помощью воды, чтобы обнажить поверхность Au. В результате работа выхода «трубки из золота» составила около 4,25 эВ (см. Дополнительный рис. 11), что очень близко к работе выхода «золотого пальца» (4,18 эВ). Очень интересно обнаружить, что симметричные Au-электроды (Au-палец и Au-трубка) приводят к асимметричной проводимости. Фактически, границы раздела Au (палец) / CuPc и CuPc / Au (трубка) существенно отличаются.CuPc был недавно нанесен в сверхвысоком вакууме (10 −7 мбар) на загрязненный воздухом Au палец, образуя первую границу раздела, в то время как вторая граница раздела была образована механическим контактом между CuPc и напряженными наномембранами (Au / Ti / Cr ), который проходил в воде. Следовательно, интерфейс CuPc / Au (трубка) более сложен. Например, элемент Ge можно наблюдать на поверхности Au (см. Дополнительный рис. 11f). Ввиду вышеизложенного исследования механический контакт в интегрированном устройстве относится к типу Шоттки, что является существенным преимуществом мягкого контакта, использованного в данной работе.

Изготовлены также устройства на основе Au (палец) / CuPc (7 нм) / F 16 CoPc (1 нм) / Au (трубка). В этом случае слой CuPc находится под F 16 CoPc, и устройство демонстрирует почти симметричные характеристики I V (см. Рис. 4a). Этот феномен интересен и имеет смысл, как показано на рис. 4d. По сравнению с обработанным водой Au (палец) / CuPc (7 нм) / Au (трубка), барьер впрыска отверстий на границе раздела Au палец / CuPc увеличен для обработанного ацетоном Au (палец) / CuPc (7 нм). / Au (трубка), следовательно, перенос дырок через интерфейс Au / CuPc подавляется, что приводит к более низкому току при прямом смещении.Небольшое улучшение впрыска носителя из металлической трубки может происходить из-за модификации границы раздела CuPc / Au (трубка) ацетоном. Для Au (палец) / CuPc (7 нм) / F 16 CoPc (1 нм) / Au (трубка) введение сверхтонкого обогащенного электронами слоя F 16 CoPc между CuPc и трубкой Au улучшает Перенос заряда через Au-трубку приводит к более высокому току при обратном смещении по сравнению с обработанным водой Au (палец) / CuPc (7 нм) / Au (трубка). Следовательно, перенос заряда в устройствах на основе свернутого мягкого контакта может эффективно контролироваться обработкой водой или ацетоном и модификацией границы раздела.

Из приведенного выше обсуждения следует, что выпрямляющее поведение Au (палец) / F 16 CoPc / CuPc / Au (трубка) происходит из-за внутренней разницы на границах раздела между Au (палец) / F 16 CoPc и CuPc / Au (трубка), а не гетеропереход F 16 CoPc / CuPc. Теоретически существует встроенный потенциал от CuPc к F 16 CoPc через переход накопления F 16 CoPc / CuPc из-за эффекта переноса заряда. Для Au (палец) / F 16 CoPc / CuPc / Au (трубка) встроенный потенциал находится в противоположном направлении и действует против прямого напряжения, в то время как направление встроенного потенциала такое же и поддерживает прямое напряжение для Au (палец) / CuPc / F 16 CoPc / Au (трубка).Однако встроенный потенциал, вызванный переходом F 16 CoPc / CuPc, кажется, мало способствует выпрямлению устройства, что согласуется с предыдущим отчетом 21 . Это явление приписывают характеристикам ультратонких МПК. Слой CoPc F 16 толщиной 1 нм изменился с полупроводникового на металлический из-за переноса заряда с подложки Au. Кроме того, толщина MPc и F-MPc меньше, чем ширина накопления (десятки нм) 41 , так что тонкий гибридный слой имеет тенденцию полностью накапливаться, а барьер перехода незначителен.Эффекты выпрямления из-за интерфейса гетероперехода, вероятно, будут более очевидными для гетеропереходов с гораздо более толстыми пленками MPc и F-MPc, которые превышают ширину накопления. Например, диод на основе ITO / CuPc (180 нм) / F 16 CuPc (160 нм) / Au показал обратную характеристику выпрямления с соотношением ~ 20 при ± 2 В 41 .

Частотные характеристики молекулярного выпрямителя

Частотные характеристики диодного органического выпрямителя сильно зависят от способности переноса заряда и толщины органической прокладки, а также от контактных поверхностей двух электродов 42 . В данной работе диоды, состоящие из тонких органических пленок размером в несколько нанометров, были успешно реализованы за счет применения свернутой нанотехнологии вместе с упомянутым выше органическим гетеропереходом. Оба обработанных водой Au (палец) / CuPc (7 нм) / Au (трубка) и Au (палец) / F 16 CoPc (1 нм) / CuPc (7 нм) / Au (трубка) демонстрируют выраженный однонаправленный ток. поведение. Однако частотная характеристика Au (палец) / CuPc (7 нм) / Au (трубка) не может быть обнаружена, что может быть связано с низкой проводимостью.Частотные характеристики диодного выпрямителя на основе Au (палец) / F 16 CoPc (1 нм) / CuPc (7 нм) / Au (трубка) являются многообещающими, как показано на рис. 5. На рис. 5а показана испытательная установка. который использовался для характеристики частотной характеристики. При синусоидальном входном напряжении от пика до нуля В A = 2,5 В (среднеквадратичное значение входного напряжения составляет 1,77 В), выходное напряжение RMS В на выходе составляет около 1,4 В в низкочастотном диапазоне. Как показано на рис. 5b, небольшая утечка произошла в отрицательных полупериодах на частоте 10 кГц, что объясняется характерной особенностью ультратонких органических слоев. На высокой частоте (100 МГц) выходное напряжение RMS уменьшается до 0,4 В, как показано на рис. 5c. Частота –3 дБ нашего диодного выпрямителя достигает более 10 МГц. По сравнению с предыдущими работами, показанными на рис. 5d, мы заключаем, что впервые были созданы полностью интегрированные выпрямители на основе нанометровых тонких органических слоев, способные работать на высоких частотах. 4,8,14,43,44, 45,46,47,48,49,50 .Статистический анализ массива уже изготовленных устройств на кристалле представлен на дополнительном рисунке 12 и дополнительном примечании 6.

Рисунок 5: Частотные характеристики выпрямителя на основе Au (палец) / F 16 CoPc (1 нм) / CuPc (7 нм) / Au (трубка).

a Установка для измерения частотных характеристик. Цепь разомкнута, что означает, что сопротивление нагрузки бесконечно. b Ректификационные свойства Au (палец) / F 16 CoPc (1 нм) / CuPc (7 нм) / Au (трубка) с дизайном W = 10 мкм при 10 кГц. c Зависимость выходного постоянного напряжения от частоты входного сигнала. d Сравнение частотных характеристик нашего органического выпрямителя с ранее опубликованными результатами.

Различные типы диодов | Символы схем и их применение

В этом уроке мы узнаем о различных типах диодов. К ним относятся малосигнальные диоды, стабилитроны, светоизлучающие диоды, диоды Шоттки, туннельные диоды, лавинные диоды и т. Д. Это будет краткое примечание о различных типах диодов с их основными функциями и соответствующими обозначениями схем.

Введение

Диоды — это электронные устройства / компоненты с двумя выводами, которые функционируют как односторонний переключатель, т.е. они позволяют току течь только в одном направлении. Эти диоды производятся из полупроводниковых материалов, таких как кремний, германий и арсенид галлия.

Два вывода диода известны как анод и катод. Основываясь на разности потенциалов между этими двумя выводами, работу диода можно классифицировать двумя способами:

  • Если анод имеет более высокий потенциал, чем катод, то говорят, что диод находится в прямом смещении и пропускает ток.
  • Если катод имеет более высокий потенциал, чем анод, то говорят, что диод находится в режиме обратного смещения и не пропускает ток.

У разных типов диодов разные требования к напряжению. Для кремниевых диодов прямое напряжение составляет 0,7 В, а для германиевых диодов — 0,3 В. Обычно в кремниевых диодах темная полоса на одном конце диода указывает на вывод катода, а другой вывод — на анод.

Одно из основных применений диодов — это выпрямление i.е., чтобы преобразовать переменный ток в постоянный. Поскольку диоды позволяют току течь только в одном направлении и блокируют ток в другом направлении, диоды используются в устройствах защиты от обратной полярности и переходных процессов.

Существует много различных типов диодов, и некоторые из них перечислены ниже.

Различные типы диодов

Давайте теперь кратко рассмотрим несколько распространенных типов диодов.

1. Малосигнальный диод

Это небольшое устройство с непропорциональными характеристиками, приложения которого в основном связаны с высокочастотными и очень слабыми токами, такими как радиоприемники, телевизоры и т. Д.Чтобы защитить диод от загрязнения, он окружен стеклом, поэтому его также называют стеклянным пассивированным диодом. Одним из популярных диодов этого типа является 1N4148.

По внешнему виду сигнальные диоды очень маленькие по сравнению с силовыми диодами. Для обозначения катодного вывода один край маркируется черным или красным цветом. Для приложений на высоких частотах очень эффективны характеристики слабосигнального диода.

Что касается других функций, сигнальные диоды обычно имеют небольшую пропускную способность по току и рассеиваемую мощность. Обычно они находятся в диапазоне 150 мА и 500 мВт соответственно.

Малосигнальный диод может быть изготовлен из полупроводникового материала кремниевого или германиевого типа, но характеристики диода зависят от легирующего материала.

Малосигнальные диоды используются в диодных приложениях общего назначения, высокоскоростной коммутации, параметрических усилителях и многих других приложениях. Некоторые важные характеристики малосигнального диода:

  • Пиковое обратное напряжение (V PR ) — это максимальное обратное напряжение, которое может быть приложено к диоду до его выхода из строя.
  • обратный ток (I R ) — ток (очень малое значение), который течет при обратном смещении.
  • Максимальное прямое напряжение при пиковом прямом токе (В F при I F )
  • Время обратного восстановления — время, необходимое для уменьшения обратного тока с прямого тока до I R .

2. Большой сигнальный диод

Эти диоды имеют большой слой PN перехода. Таким образом, они обычно используются для выпрямления, то есть преобразования переменного тока в постоянный.Большой PN переход также увеличивает пропускную способность прямого тока и обратное запирающее напряжение диода. Большие сигнальные диоды не подходят для высокочастотных приложений.

Основное применение этих диодов — источники питания (выпрямители, преобразователи, инверторы, устройства для зарядки аккумуляторов и т. Д.). В этих диодах значение прямого сопротивления составляет несколько Ом, а значение сопротивления обратного блокирования — в мегаомах.

Поскольку он обладает высокими характеристиками по току и напряжению, он может использоваться в электрических устройствах, которые используются для подавления высоких пиковых напряжений.

3. Стабилитрон

Это пассивный элемент, работающий по принципу «пробоя стабилитрона». Впервые произведенный Кларенсом Зинером в 1934 году, он похож на обычный диод в состоянии прямого смещения, то есть пропускает ток.

Но в состоянии обратного смещения диод проводит только тогда, когда приложенное напряжение достигает напряжения пробоя, известного как пробой Зенера. Он предназначен для защиты других полупроводниковых устройств от кратковременных импульсов напряжения. Он действует как регулятор напряжения.

4. Светоизлучающий диод (LED)

Эти диоды преобразуют электрическую энергию в энергию света. Первое производство началось в 1968 году. Он подвергается процессу электролюминесценции, в котором дырки и электроны рекомбинируются для получения энергии в виде света в состоянии прямого смещения.

Раньше светодиоды были очень дорогими и использовались только для специальных целей. Но с годами стоимость светодиодов значительно снизилась. Это, а также тот факт, что они чрезвычайно энергоэффективны, делают светодиоды основным источником освещения в домах, офисах, улицах (для уличного освещения, а также для светофоров), в автомобилях, мобильных телефонах.

5.

Диоды постоянного тока

Он также известен как токорегулирующий диод или токоограничивающий диод или транзистор с диодным подключением. Функция диода — регулировать напряжение при определенном токе.

Функционирует как двухконтактный ограничитель тока. В этом случае JFET действует как ограничитель тока для достижения высокого выходного сопротивления. Символ диода постоянного тока показан ниже.

6. Диод Шоттки

В диодах этого типа переход формируется путем контакта полупроводникового материала с металлом.Благодаря этому прямое падение напряжения снижается до минимума. Полупроводниковый материал представляет собой кремний N-типа, который действует как анод, а металлы, такие как хром, платина, вольфрам и т. Д., Действуют как катод.

Благодаря металлическому переходу эти диоды обладают высокой проводимостью по току и, следовательно, сокращается время переключения. Таким образом, диод Шоттки более широко используется в коммутационных приложениях. В основном из-за перехода металл-полупроводник падение напряжения невелико, что, в свою очередь, увеличивает характеристики диода и снижает потери мощности. Таким образом, они используются в высокочастотных выпрямителях. Символ диода Шоттки показан ниже.

7. Диод Шокли

Это было одно из первых изобретенных полупроводниковых устройств. Диод Шокли состоит из четырех слоев. Его также называют диодом PNPN. Он аналогичен тиристору без вывода затвора, что означает, что вывод затвора отключен. Поскольку триггерный вход отсутствует, диод может проводить ток только путем подачи прямого напряжения.

Он остается включенным при включении и остается выключенным после выключения. Диод имеет два рабочих состояния: проводящий и непроводящий. В непроводящем состоянии диод проводит с меньшим напряжением.

Символ диода Шокли выглядит следующим образом:

Применение диода Шокли

  • Триггерные переключатели для SCR.
  • Действует как релаксирующий осциллятор.

8. Ступенчатые диоды восстановления

Его также называют отключающим диодом или диодом накопления заряда. Это особый тип диодов, которые накапливают заряд положительного импульса и используют в отрицательном импульсе синусоидальных сигналов. Время нарастания текущего импульса равно времени щелчка. Из-за этого явления у него есть импульсы восстановления скорости.

Эти диоды используются в умножителях более высокого порядка и в схемах формирователя импульсов. Частота среза этих диодов очень высока, что составляет порядка гигагерц.

В качестве умножителя этот диод имеет диапазон частот среза от 200 до 300 ГГц.Эти диоды играют жизненно важную роль при работе в диапазоне 10 ГГц. Эффективность высока для умножителей более низкого порядка. Символ этого диода показан ниже.

9. Туннельный диод

Используется как высокоскоростной переключатель со скоростью переключения порядка нескольких наносекунд. Благодаря туннельному эффекту он очень быстро работает в микроволновом диапазоне частот. Это двухконтактное устройство, в котором концентрация примесей слишком высока.

Переходная характеристика ограничивается емкостью перехода плюс паразитной емкостью проводки.В основном используется в микроволновых генераторах и усилителях. Он действует как устройство с самой отрицательной проводимостью. Туннельные диоды можно настраивать как механически, так и электрически. Символ туннельного диода показан ниже.

Применение туннельных диодов

  • Колебательные цепи.
  • СВЧ-схемы.
  • Стойкость к ядерному излучению.

10. Варакторный диод

Также известны как варикап-диоды. Он действует как переменный конденсатор.Операции выполняются в основном только при обратном смещении. Эти диоды очень известны благодаря своей способности изменять диапазоны емкости в цепи при наличии постоянного напряжения.

Они могут изменять емкость до высоких значений. В варакторном диоде мы можем уменьшать или увеличивать обедненный слой, изменяя напряжение обратного смещения. Эти диоды находят множество применений в качестве генераторов с регулируемым напряжением для сотовых телефонов, предварительных фильтров спутниковой связи и т. Д. Символ варакторного диода приведен ниже.

Применение варакторных диодов

  • Конденсаторы, управляемые напряжением
  • Генераторы, управляемые напряжением
  • Параметрические усилители
  • Умножители частоты
  • FM-передатчики и контуры фазовой автоподстройки частоты
в радио, телевизорах и сотовых телефонах Лазерный диод

Подобен светодиоду, в котором активная область образована pn переходом. Электрически лазерный диод представляет собой диод P-I-N, в котором активная область находится во внутренней области.Используется в волоконно-оптической связи, считывателях штрих-кодов, лазерных указателях, считывании и записи CD / DVD / Blu-ray, лазерной печати.

Типы лазерных диодов:

  • Лазер с двойной гетероструктурой: Свободные электроны и дырки доступны одновременно в регионе.
  • Лазеры на квантовых ямах: лазеры, имеющие более одной квантовой ямы, называются лазерами с несколькими квантовыми ямами.
  • Квантово-каскадные лазеры: это лазеры на гетеропереходе, которые обеспечивают лазерное воздействие на относительно длинных длинах волн.
  • Лазеры на гетероструктурах с раздельным ограничением: Чтобы решить проблему тонких слоев в квантовых лазерах, мы выбираем лазеры на гетероструктурах с раздельным ограничением.
  • Лазеры с распределенным брэгговским отражателем: это могут быть лазеры с торцевым излучением или VCSELS.

Символ лазерного диода выглядит следующим образом:

12. Диод подавления переходных напряжений

В полупроводниковых устройствах переходные процессы возникают из-за внезапного изменения напряжения в состоянии. Они повредят выходной отклик устройства.Чтобы решить эту проблему, используются подавляющие напряжение диоды. Принцип действия диода ограничения напряжения аналогичен работе стабилитрона.

Эти диоды работают нормально, как диоды с p-n переходом, но во время переходного напряжения их работа меняется. В нормальном состоянии сопротивление диода высокое. Когда в цепи возникает какое-либо переходное напряжение, диод входит в область лавинного пробоя, в которой обеспечивается низкий импеданс.

Это происходит очень спонтанно, потому что продолжительность схода лавины колеблется в пикосекундах.Диод подавления переходных напряжений будет ограничивать напряжение до фиксированных уровней, в большинстве случаев его ограничивающее напряжение находится в минимальном диапазоне.

Они используются в области телекоммуникаций, медицины, микропроцессоров и обработки сигналов. Он реагирует на перенапряжение быстрее, чем варисторы или газоразрядные трубки.

Символ для диода подавления переходного напряжения показан ниже.

Характеристики диода:

  • Ток утечки
  • Максимальное обратное запорное напряжение
  • Напряжение пробоя
  • Ограничивающее напряжение
  • Паразитная емкость
  • Паразитная индуктивность
  • из энергии
  • Поглощение энергии

    13. Легированные золотом диоды

    В этих диодах золото используется в качестве легирующей примеси. Эти диоды быстрее других диодов. В этих диодах ток утечки в условиях обратного смещения также меньше. Даже при более высоком падении напряжения это позволяет диоду работать на частотах сигнала. В этих диодах золото способствует более быстрой рекомбинации неосновных носителей.

    14. Супербарьерные диоды

    Это выпрямительный диод, имеющий низкое прямое падение напряжения, как диод Шоттки, с возможностью защиты от перенапряжения и низким обратным током утечки, как диод с фазовым переходом.Он был разработан для приложений с высокой мощностью, быстрым переключением и низкими потерями. Супербарьерные выпрямители — это выпрямители следующего поколения с более низким прямым напряжением, чем диоды Шоттки.

    15. Диод Пельтье

    В этом типе диодов он генерирует тепло на стыке двух материалов полупроводника, которое течет от одного вывода к другому. Этот поток осуществляется только в одном направлении, которое совпадает с направлением потока тока.

    Это тепло производится за счет электрического заряда, возникающего в результате рекомбинации неосновных носителей заряда.В основном это используется в системах охлаждения и обогрева. Этот тип диодов используется как датчик и тепловой двигатель для термоэлектрического охлаждения.

    16. Кристаллический диод

    Это также известно как усы Кошки, то есть диод с точечным контактом. Его работа зависит от давления контакта полупроводникового кристалла с острием.

    В нем присутствует металлическая проволока, которая прижимается к кристаллу полупроводника. При этом кристалл полупроводника действует как катод, а металлическая проволока действует как анод.Эти диоды являются устаревшими по своей природе. В основном используется в микроволновых приемниках и детекторах.

    Применение кристаллического диода

    • Кристаллический диодный выпрямитель
    • Детектор кристаллического диода
    • Кристаллический радиоприемник

    17.

    Лавинный диод

    Это пассивный элемент, работающий по принципу лавинного пробоя. Он работает в режиме обратного смещения. Это приводит к большому току из-за ионизации, создаваемой P-N переходом в условиях обратного смещения.

    Эти диоды специально разработаны для пробоя при определенном обратном напряжении, чтобы предотвратить повреждение. Обозначение лавинного диода показано ниже:

    Лавинный диод использует

    • Генерация радиочастотного шума: он действует как источник радиочастот для мостов антенного анализатора, а также как генераторы белого шума.
    • Используется в радиооборудовании, а также в аппаратных генераторах случайных чисел.
    • Генерация СВЧ-частоты: в этом случае диод действует как устройство с отрицательным сопротивлением.
    • Однофотонный лавинный детектор: это детекторы фотонов с высоким коэффициентом усиления, используемые для измерения уровня освещенности.

    18. Кремниевый управляемый выпрямитель

    Он состоит из трех выводов: анода, катода и затвора. Он почти равен диоду Шокли. Как видно из названия, он в основном используется для целей управления, когда в цепи прикладываются небольшие напряжения. Символ кремниевого управляемого выпрямителя показан ниже:

    Режимы работы:

    1. Режим блокировки в прямом направлении (выключенное состояние): в этом J1 и J3 смещены в прямом направлении, а J2 — в обратном.Он предлагает высокое сопротивление ниже напряжения отключения и, следовательно, считается выключенным.
    2. Режим прямой проводимости (включенное состояние): увеличивая напряжение на аноде и катоде или применяя положительный импульс на затворе, мы можем включить. Единственный способ выключить — уменьшить ток, протекающий через него.
    3. Режим блокировки обратного направления (выключенное состояние): SCR, блокирующий обратное напряжение, называется асимметричным SCR. В основном используется в инверторах источника тока.

    19. Вакуумные диоды

    Вакуумные диоды состоят из двух электродов, которые действуют как анод и катод. Катод состоит из вольфрама, который испускает электроны в направлении анода. Электронный поток всегда будет идти только от катода к аноду. Итак, он действует как переключатель.

    Если катод покрыт оксидным материалом, то способность к эмиссии электронов высока. Анод немного длинноват, а в некоторых случаях его поверхность шероховатая, чтобы снизить температуру, возникающую в диоде. Диод будет проводить только в одном случае, когда анод положителен по отношению к клемме катода.Символ показан на рисунке:

    20. PIN-диод

    Улучшенная версия обычного P-N-переходного диода дает PIN-диод. В PIN-диоде легирование не нужно. Собственный материал, то есть материал, не имеющий носителей заряда, вставляется между областями P и N, что увеличивает площадь обедненного слоя.

    Когда мы прикладываем напряжение прямого смещения, дырки и электроны выталкиваются во внутренний слой. В какой-то момент из-за этого высокого уровня инжекции электрическое поле также будет проходить через внутренний материал. Это поле заставляет носители течь из двух регионов. Символ PIN-диода показан ниже:

    Применение PIN-диода:

    • Радиочастотные переключатели: PIN-диод используется как для выбора сигнала, так и для выбора компонентов. Например, PIN-диоды действуют как индукторы с переключателем диапазона в генераторах с низким фазовым шумом.
    • Аттенюаторы: используются как мостовое и шунтирующее сопротивление в аттенюаторе типа «мост-Т».
    • Фотодетекторы: обнаруживают фотоны рентгеновского и гамма-излучения.

    21. Устройства точечного контакта

    Золотая или вольфрамовая проволока используется в качестве точечного контакта для создания области PN-перехода путем пропускания через нее сильного электрического тока. Небольшая область PN-перехода создается вокруг края провода, который соединяется с металлической пластиной, как показано на рисунке.

    В прямом направлении его работа очень похожа, но в состоянии обратного смещения провод действует как изолятор. Поскольку этот изолятор находится между пластинами, диод действует как конденсатор.Как правило, конденсатор блокирует токи постоянного тока, но токи переменного тока могут протекать в цепи на высоких частотах. Таким образом, они используются для обнаружения высокочастотных сигналов.

    22. Диод Ганна

    Диод Ганна изготавливается только из полупроводникового материала n-типа. Область истощения двух материалов N-типа очень тонкая. Когда напряжение в цепи увеличивается, увеличивается и ток. После определенного уровня напряжения ток будет экспоненциально уменьшаться, таким образом проявляется отрицательное дифференциальное сопротивление.

    Имеет два электрода с арсенидом галлия и фосфидом индия. Благодаря этому он имеет отрицательное дифференциальное сопротивление. Его также называют переносным электронным устройством. Он генерирует СВЧ-сигналы, поэтому в основном используется в СВЧ-устройствах. Его также можно использовать как усилитель. Символ диода Ганна показан ниже:

    LD10CHA Драйвер лазерного диода 10 A / 30 В — Электроника для определения длины волны

    ОТВЕЧАЕТ ТРЕБОВАНИЯМ К ЛАЗЕРУ

    Семейство продуктов LDxCHA имеет текущие уровни начиная с 2. 5 A до 15 A. Доступны следующие модели: LD2.5CHA (2,5 A), LD5CHA (5 A), LD10CHA (10 A) или LD15CHA (15 A).

    Эти драйверы соответствуют требованиям к лазерам от 3 В с одним источником питания 5 В и до 28 В с дополнительным источником питания 30 В, поддерживая такие приложения, как обработка материалов, промышленная лазерная резка и линейки / стопки лазерных диодов. Это семейство продуктов поддерживает лазерные диоды типа A и B.

    БЕСПЛАТНАЯ НАСТРОЙКА

    Новая схема в LDxCHA позволяет точно настраивать предел тока лазерного диода и уставку тока лазерного диода без включения выходного тока лазера.Это позволяет пользователям устанавливать требуемые уровни безопасности и выходной мощности без риска перегрузки лазера во время начальной настройки.

    РАЗРАБОТАН ДЛЯ ПРОСТОЙ ИНТЕГРАЦИИ

    Драйверы LDxCHA, благодаря их небольшому размеру и простоте монтажа, могут быть прикреплены непосредственно к оптическому столу или встроены в систему. Два подстроечных резистора устанавливают ограничение по току и заданное значение тока, а пять клеммных колодок с винтовыми зажимами позволяют упростить подключение.

    СВОЙСТВА ЛАЗЕРНОЙ БЕЗОПАСНОСТИ

    Встроенные функции безопасности обеспечивают надежную конструкцию для реальных условий эксплуатации: ограничение тока ограничения гарантирует, что выходной ток никогда не превысит заданное значение; а схема медленного пуска увеличивает выходной ток.Долгосрочная надежность означает лучшее время безотказной работы, меньше обращений в службу поддержки и больше довольных клиентов.

    ПРАКТИЧНЫЙ, ПРОЧНЫЙ ДИЗАЙН

    Продуманные функции обеспечивают ценные преимущества и защищают лазер от сбоев в работе.

    ОБСЛУЖИВАНИЕ И ПОДДЕРЖКА

    Загрузите брошюру, чтобы просмотреть более подробную таблицу характеристик, а затем позвоните инженерам по продажам Wavelength, чтобы мы могли помочь вам выбрать правильный драйвер для вашего приложения.

    Бесплатная, эффективная и оперативная техническая поддержка доступна для упрощения интеграции продуктов Wavelength в ваш OEM-проект.Стандартный продукт можно легко модифицировать в соответствии с требованиями вашего приложения.

    ДИАПАЗОН ПИТАНИЯ
    Управляющая электроника: +5 ​​В
    Питание лазера: +5 ​​до +30 В
    Соответствие требованиям Напряжение: 3 В с источником питания 5 В постоянного тока; 28 В при источнике питания 30 В постоянного тока
    (Соответствующее напряжение всегда на 2 В меньше напряжения источника питания)

    Максимальный выходной ток: 10 A
    Кратковременная стабильность тока: <200 ppm
    Температурный коэффициент: <100 ppm / ° C
    Полоса модуляции 3 дБ: 660 кГц
    Задержка включения: 2 сек.После задержки ток повысится до уровня, определяемого заданным напряжением.
    Размер упаковки: 1,125 ″ x 2,1 ″ x 4,5 ″ (28,6 x 53,3 x 114,3 мм)

    Локатор компонентов LD10CHA:

    Схема быстрого подключения LD10CHA:

    LD10CHA Размеры:

    Лазерный диод с оптоволоконной связью, 10 Вт, 980 нм

    Многомодовый лазерный диод с волоконно-оптической связью, 10 Вт при 975 нм, QSP-975-10

    Интернет-цена: 590 долларов. 00
    Количество: 10+ предметов
    Прейскурантная цена: 531,00 $

    * Примечание:

    Технические характеристики

    Условия испытаний: температура 25 o C,

    Параметр

    Символ

    мин.

    Тип

    Макс

    Блок

    Оптическая мощность от пигтейла

    П ф

    8

    10

    W

    Длина волны

    l c

    967

    980

    нм

    Длина волны v / s температурный коэффициент

    дл / дТ

    0. 35

    нм / o C

    Спектральная ширина линии (FWHM)

    Dl

    3

    6

    нм

    Прямой ток

    Я ф

    11

    13.5

    A

    Пороговый ток

    Я

    0,6

    0,75

    A

    Прямое напряжение

    В ф

    2. 0

    2,5

    V

    Эффективность наклона

    дл / дИ

    0,9

    1

    W / A

    Температура хранения

    Т stg

    -40

    70

    o С

    Рабочая температура корпуса

    Т с

    0

    60

    o С

    Температура пайки свинца при 10 с

    260

    o С

    Спектр

    Конфигурация контактов

    Единица измерения в мм

    Дополнительная информация

    Эта конструкция корпуса отличается наименьшей площадью основания, низким профилем и высокой выходной мощностью. Это приводит к высокой плотности упаковки, что обеспечивает чрезвычайно компактную конструкцию системы. Основа с высокой теплопроводностью и волокно малого диаметра делают этот продукт идеальным для приложений, требующих большей надежности и большей яркости.

    Нет отзывов
    Диод

    < Типы диодов > | Основы электроники

    Выпрямительный диод (REC): устройство и особенности

    Конструкция Символ Приложения ・ Характеристики
    • Используется для исправления (т.е. первичная сторона блока питания)
    • В основном класса 1А и выше, высокое напряжение пробоя (400 В / 600 В)

    Выпрямительные диоды, как следует из их названия, предназначены для выпрямления общих частот переменного тока. Выпрямление в первую очередь включает преобразование переменного тока в постоянный и может включать высокие напряжения и токи. Эффективность преобразования может сильно различаться в зависимости от рабочей частоты и условий. Таким образом, предлагаются различные типы, включая модели с низким V F (прямое напряжение), высокоскоростное переключение и модели с низким уровнем шума.

    Конфигурация схемы выпрямления]

    Переключающий диод (SW): устройство и особенности

    Конструкция Символ Приложения ・ Характеристики
    • Идеально подходит для различных коммутационных приложений
    • Скорость переключения : Короткое время обратного восстановления trr

    Эти диоды обеспечивают переключение.Подача напряжения в прямом направлении вызовет протекание тока (ВКЛ). И наоборот, подача напряжения в обратном направлении остановит ток. Переключающие диоды обычно характеризуются более коротким временем обратного восстановления (trr), что приводит к лучшим характеристикам переключения.

    Включить Выключить
    >

    Что такое время обратного восстановления (trr)?

    Время обратного восстановления trr относится к времени, за которое переключающий диод полностью выключается из состояния ВКЛ.Как правило, электроны не могут быть остановлены сразу после выключения работы, что приводит к протеканию некоторого тока в обратном направлении. Чем выше этот ток утечки, тем больше потери. Однако время обратного восстановления можно сократить за счет диффузии тяжелых металлов, оптимизации материалов или разработки FRD (диодов быстрого восстановления), которые подавляют звон после восстановления.

    Ключевые моменты
    • Trr относится к времени, за которое ток исчезает после переключения напряжения в противоположном направлении.
    • Более короткий trr означает меньшие потери и более высокую скорость переключения

    Диоды с барьером Шоттки (SBD): структура и особенности

    Конструкция Символ Приложения ・ Характеристики
    • Используется для выпрямления вторичного источника питания
    • Низкий V F (малые потери), большой I R
    • Высокая скорость переключения

    В отличие от обычных диодов, которые обеспечивают характеристики диодов через переход PN (полупроводник-полупроводник), в диодах с барьером Шоттки используется барьер Шоттки, состоящий из перехода металл-полупроводник.Это приводит к гораздо более низким характеристикам V F (прямое падение напряжения) по сравнению с диодами с PN переходом, что обеспечивает более высокую скорость переключения. Однако одним недостатком является больший ток утечки (I R ), что требует принятия контрмер для предотвращения теплового разгона.

    SBD

    , которые часто используются для выпрямления вторичного источника питания, имеют характеристики, которые могут сильно различаться в зависимости от типа используемого металла. ROHM предлагает широкий ассортимент ведущих в отрасли SBD, в которых используются различные металлы.

    • RB ** 1 серия низкая V F тип
    • RB ** 0 серия низкая I R тип
    • ROHM предлагает серию RB ** 8 диодов R со сверхнизким I для автомобильных приложений
    Ключевые моменты
    • Низкие типы V F и I R можно получить, просто изменив тип металла.

    Термический побег

    Диоды с барьером Шоттки

    чувствительны к чрезмерному тепловыделению при протекании большого тока.В результате сочетание высокой температуры с увеличением I R (ток утечки) может вызвать повышение как температуры корпуса, так и окружающей среды. Следовательно, реализация неправильной тепловой конструкции может привести к тому, что количество выделяемого тепла превысит количество рассеиваемого, что может привести к увеличению тепловыделения и тока утечки и, в конечном итоге, к повреждению. Это явление называется «тепловым разгоном».

    Ключевые моменты
    • Высокая температура окружающей среды может стать причиной теплового разгона
    Стабилитрон

    (ZD) : Структура и особенности

    Конструкция Символ Приложения ・ Характеристики
    • Используется в цепях постоянного напряжения
    • Защищает ИС от повреждений из-за импульсных токов и электростатических разрядов
    • Генерирует постоянное напряжение, когда напряжение подается в обратном направлении

    Стабилитроны обычно используются в цепях постоянного напряжения для обеспечения постоянного напряжения даже при колебаниях тока или в качестве элементов защиты от импульсных токов и электростатических разрядов.В отличие от стандартных диодов, которые используются в прямом направлении, стабилитроны предназначены для использования в обратном направлении. Напряжение обратного пробоя стабилитрона называется напряжением стабилитрона V Z , а значение тока в это время называется током стабилитрона (I Z ). В последние годы в связи с продолжающейся миниатюризацией и увеличением производительности электронных устройств возникает потребность в более совершенных устройствах защиты, что привело к появлению диодов TVS (подавления переходных напряжений).

    Ключевые моменты
    • В обратном направлении работают только стабилитроны

    Высокочастотные диоды (PIN-диоды) : Структура и особенности

    Какая емкость диода (C

    t )

    Количество внутреннего накопленного заряда при подаче обратного смещения называется емкостью диода (C t ). Электрически нейтральный обедненный слой формируется путем заполнения внутреннего слоя, созданного между слоями P и N, носителями заряда (дырками и электронами).Слой обеднения действует как паразитный конденсатор с емкостью, пропорциональной площади PN-перехода и обратно пропорциональной расстоянию d. Расстояние определяется концентрацией слоев P и N. Подача напряжения на диод увеличит слой обеднения и уменьшит C t . Требуемый Ct будет варьироваться в зависимости от приложения.

    [При подаче обратного напряжения]

    Ключевые моменты
    • Чем шире слой истощения (и больше расстояние), тем меньше емкость C t .

    Диоды на страницу продукта

    ROHM использует оригинальные передовые технологии, чтобы предложить широкий модельный ряд диодов. Кроме того, передовой опыт в области малосигнальных диодов и диодов средней / большой мощности позволил разработать высококачественные диоды Шоттки и диоды с быстрым восстановлением.

    10A10 Выпрямительный диод 10A 1000V

    10A10 Выпрямительный диод 10A 1000V | Переключатель Электроника

    Магазин не будет работать корректно, если куки отключены.

    Похоже, в вашем браузере отключен JavaScript. Для наилучшего взаимодействия с нашим сайтом обязательно включите Javascript в своем браузере.

    Ссылочный код: 402041

    На складе 5845 шт. Закажите в пределах

    0 часов 00 минут

    для отправки сегодня

    От 0 фунтов стерлингов.24
    С НДС

    От 0,20 £
    Без НДС

    Соответствие RoHS: Да

    Скидки на многократную покупку
    1+ 0,24 £ С НДС 0,20 £ Без НДС
    100+ 0 фунтов стерлингов.16 с НДС 0,13 £ Без НДС Сохранить 35%
    500+ 0,11 £ С НДС 0,09 £ Без НДС Сохранить 55%
    Осевой выпрямительный диод на 10 А с коротким временем переключения, подходящий для общих применений, где требуется большой ток.
  • Низкая обратная утечка
  • Высокая устойчивость к прямому импульсному току
  • Осевые выводы
  • Максимальное повторяющееся пиковое обратное напряжение 1000 В
  • Максимальный средний прямой выходной выпрямленный ток 10 А
  • Пиковый прямой импульсный ток 500 А
  • Дополнительная информация
    Производитель Переключатель электроники
    Пакет Литой пластиковый корпус R-6
    Максимальное рекуррентное пиковое обратное напряжение 1000 В
    Максимальное напряжение блокировки постоянного тока 1000 В
    Максимальный обратный постоянный ток 10 мкА
    Размеры корпуса 9.1 x 9,1 мм (длина x диаметр)
    Размеры свинца 25,4 x 1,3 мм (длина x диаметр)
    Максимальное прямое напряжение
    Рабочая температура от -65 ° C до 175 ° C
    Пиковый прямой импульсный ток 500A
    Максимальный средний прямой выпрямленный ток 10A
    Максимальное среднеквадратичное значение напряжения 700В
    Узнавайте первыми о наших последних продуктах и ​​получайте эксклюзивные предложения .

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *