| Номер в каталоге | Описание (Функция) | производитель | |
| TIP140 | NPN SILICON DARLINGTONS, SILICON POWER TRANSISTORS | Comset Semiconductors | |
| BD241D | NPN SILICON POWER TRANSISTORS | Power Innovations | |
| TIP29F | Power Innovations Ltd | ||
| TIP31D | NPN SILICON POWER TRANSISTORS | Power Innovations | |
| BU426 | NPN SILICON POWER TRANSISTORS | Power Innovations Ltd | |
| TIPL760B | Power Innovations | ||
| BUV47 | NPN SILICON POWER TRANSISTORS | Power Innovations Ltd | |
| TIPL762 | NPN SILICON POWER TRANSISTORS | Power Innovations Ltd | |
| TIPL761B | NPN SILICON POWER TRANSISTORS | Power Innovations | |
| TIPL760 | NPN SILICON POWER TRANSISTORS | Power Innovations |
| Номер в каталоге | производитель | ||
| TIP140 | NPN SILICON DARLINGTONS, SILICON POWER TRANSISTORS | Comset Semiconductors | |
| BD241D | NPN SILICON POWER TRANSISTORS | ||
| TIP29F | NPN SILICON POWER TRANSISTORS | Power Innovations Ltd | |
| TIP31D | NPN SILICON POWER TRANSISTORS | Power Innovations | |
| BU426 | NPN SILICON POWER TRANSISTORS | Power Innovations Ltd | |
| TIPL760B | NPN SILICON POWER TRANSISTORS | Power Innovations | |
| BUV47 | NPN SILICON POWER TRANSISTORS | Power Innovations Ltd | |
| TIPL762 | Power Innovations Ltd | ||
| TIPL761B | NPN SILICON POWER TRANSISTORS | Power Innovations | |
| TIPL760 | NPN SILICON POWER TRANSISTORS | Power Innovations |
Микросхемы.
Микросхемы ТТЛ (74…).
На рисунке показана схема самого распространенного логического элемента — основы микросхем серии К155 и ее зарубежного аналога — серии 74. Эти серии принято называть стандартными (СТТЛ). Логический элемент микросхем серии К155 имеет среднее быстродействие tзд,р,ср.= 13 нс. и среднее значение тока потребления Iпот = 1,5…2 мА. Таким образом, энергия, затрачиваемая этим элементом на перенос одного бита информации, примерно 100 пДж.
Для обеспечения выходного напряжения высокого уровня U1вых. 2,5 В в схему на рисунке потребовалось добавить диод сдвига уровня VD4, падение напряжения на котором равно 0,7 В. Таким способом была реализована совместимость различных серий ТТЛ по логическим уровням. Микросхемы на основе инвертора, показанного на рисунке (
| ТТЛ серия | Параметр | Нагрузка | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| Российские | Зарубежные | Pпот. мВт. | tзд.р. нс | Эпот. |
Cн. пФ. | Rн. кОм. |
| К155 КМ155 | 74 | 10 | 9 | 90 | 15 | 0,4 |
| К134 | 74L | 1 | 33 | 33 | 50 | 4 |
| К131 | 74H | 22 | 6 | 132 | 25 | 0,28 |
| К555 | 74LS | 2 | 9,5 | 19 | 15 | 2 |
| К531 | 74S | 19 | 3 | 15 | 0,28 | |
| К1533 | 74ALS | 1,2 | 4 | 4,8 | 15 | 2 |
| К1531 | 74F | 4 | 3 | 12 | 15 | 0,28 |
Динамические параметры микросхем ТТЛ серииПри совместном использовании микросхем ТТЛ высокоскоростных, стандартных и микромощных следует учитывать, что микросхемы серии К531 дают увеличенный уровень помех по шинам питания из-за больших по силе и коротких по времени импульсов сквозного тока короткого замыкания выходных транзисторов логических элементов. При совместном применении микросхем серий К155 и К555 помехи невелики.
| Нагружаемый выход |
Число входов-нагрузок из серий | ||
|---|---|---|---|
| К555 (74LS) | К155 (74) | К531 (74S) | |
| К155, КM155, (74) | 40 | 10 | 8 |
| К155, КM155, (74), буферная | 60 | 30 | 24 |
| К555 (74LS) | 20 | 5 | 4 |
| К555 (74LS), буферная | 60 | 15 | 12 |
| К531 (74S) | 50 | 12 | 10 |
| К531 (74S), буферная | 150 | 37 | 30 |
Выходы однокристальных, т. е. расположенных в одном корпусе, логических элементов ТТЛ, можно соединять вместе. При этом надо учитывать, что импульсная помеха от сквозного тока по проводу питания пропорционально возрастет. Реально на печатной плате остаются неиспользованные входы и даже микросхемы (часто их специально «закладывают про запас») Такие входы логического элемента можно соединять вместе, при этом ток Ioвх. не увеличивается. Как правило, микросхемы ТТЛ с логическими функциями И, ИЛИ потребляют от источников питании меньшие токи, если на всех входах присутствуют напряжения низкого уровня. Из-за этого входы таких неиспользуемых элементов ТТЛ следует заземлять.
| Параметр | Условия измерения | К155 | К555 | К531 | К1531 | |||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Мин. | Тип. | Макс. | Мин. | Тип. | Макс. | Мин. | Тип. | Макс. | Мин. | Макс. | ||
| U1вх, В схема |
U1вх или U0вх Присутствуют на всех входах | 2 | 2 | 2 | 2 | |||||||
| U0вх, В схема |
0,8 | 0,8 | 0,8 | |||||||||
| U0вых, В схема | Uи.п.= 4,5 В | 0,4 | 0,35 | 0,5 | 0,5 | 0,5 | ||||||
| I0вых= 16 мА | I0вых= 8 мА | I0вых= 20 мА | ||||||||||
| U1вых, В схема |
Uи.п.= 4,5 В | 2,4 | 3,5 | 2,7 | 3,4 | 2,7 | 3,4 | 2,7 | ||||
| I1вых= -0,8 мА | I1вых= -0,4 мА | I1вых= -1 мА | ||||||||||
| I1вых, мкА с ОК схема | U1и.п.= 4,5 В, U1вых=5,5 В | 250 | 100 | 250 | ||||||||
| I1вых, мкА Состояние Z схема |
U1и.п.= 5,5 В, U1вых= 2,4 В на входе разрешения Е1 Uвх= 2 В | 40 | 20 | 50 | ||||||||
| I0вых, мкА Состояние Z схема |
U1и.п.= 5,5 В, Uвых= 0,4 В, Uвх= 2 В | -40 | -20 | -50 | ||||||||
| I1вх, мкА схема | U1и.п.= 5,5 В, U1вх= 2,7 В | 40 | 20 | 50 | 20 | |||||||
| I1вх, max, мА | U1и.п.= 5,5 В, U1вх= 10 В | 1 | 0,1 | 1 | 0,1 | |||||||
| I0вх, мА схема |
U1и.п.= 5,5 В, U0вх= 0,4 В | -1,6 | -0,4 | -2,0 | -0,6 | |||||||
| Iк.з., мА | U1и.п.= 5,5 В, U0вых= 0 В | -18 | -55 | -100 | -100 | -60 | -150 | |||||
D882 транзистор характеристики, российские аналоги, цоколевка
По техническим характеристикам биполярный транзистор d882 является мощным высокочастотный устройством, изготавливается по эпитаксиально-планарной технологии. Предназначен для применения в ключевых и линейных схемах, приборах широкого назначения. Имеет n-p-n структуру. Отличается высоким значением пропускаемого постоянного коллекторного тока (до 3 А) и низкими порогами напряжения насыщения.
Распиновка
Цоколевка транзистор d882 выполнена в пластмассовом корпусе ТО-126. Европейская компания STMicroelectronics выпускает его в похожей по параметрам фирменной упаковке с наименованием SOT-32. Слева на право: эмиттер (Э), коллектор (К), база (Б).
Многие производители выпускают D882 в корпусе для поверхностного монтажа на плату (SMD) — SOT-89. Распиновки их имеет зеркальный вариант, слева на право — БКЭ.
Технические характеристики
D882 имеет достаточно хорошие технические параметры. Не много транзисторов, в корпусе TO-126, могут похвастаться возможностью пропускать через себя импульсные токи величиной до 6 А. Рассмотрим другие его максимальные значения предельно допустимых эксплуатационных значений:
- напряжение между: К-Б — VCBO (Uкб max) до 40 В; К-Е — VCEO (Uкэ max) до 30 В;Э-Б — VEBO (Uэб max) до 6 В;
- коллекторный ток: постоянный IC (Iк max) = 3 А; переменный, при tP < 5ms — ICM (Iки max) до 6 А;
- ток базы IB (IБ max) = 3 А до 1 А;
- мощность рассеиваемая на коллекторе РС (Рк max) до 1.25 Вт;
- тепловое сопротивление перехода Rthj-case — 10 ° C/Вт;
- диапазон температур хранения и использования Tstg = -55 … 150 оС;
- температура кристалла TJ до 150 оС.
У разных производителей отдельные величины немного отличатся от приведенных в этой статье.
Электрические параметры
Электрические параметры D882 тоже неплохие. Они представлены в даташит в виде отдельной таблицы с дополнительными условиями их измерений. Температуре окружающей среды, при этом, составляет не более 25 оС.
Коэффициента усиления по току
В зависимости от коэффициента передачи тока (hFE) транзистор D882 делятся на четыре группы по буквам: R (маленькое) – от 60 до 120; О (среднее) от 100 до 200; Y (высокое)– от 160 до 320; GR (самое большое) от 200 до 400.
Комплементарная пара
Рекомендуемая комплементарная пара — транзистор 2SB772, имеющий противоположную структуру p-n-p.
Влияние радиатора
Стоит учитывать сильный нагрев D882 при использовании в предельно допустимых режимах, которые могут привести к выходу его из строя. Вероятности такого исхода очень высока, поэтому не рекомендуется длительная эксплуатация устройства на максимальных значениях.
Большое значение, в повышении надежности и уменьшении нагрева транзистора при работе, имеет его система охлаждения. Ниже приведен график зависимости рассеиваемой мощности (по горизонтали) от температуры окружающей среды (по вертикали). При тестировании изготовитель использует алюминиевый радиатор толщиной 10 мм.
Как видно из графика, при температуре вокруг корпуса выше +25ОС рассеиваемая мощность D882 начинает понижаться, а при +150ОС падает до ноля. На рисунке наглядно показана положительная роль использования радиатора для подобных электронных устройств.
Аналоги
Полными зарубежными аналогами у D882 являются:2sD882, 2SC1368. В качестве замены можно так же рассмотреть похожие по своим свойствам устройства: BD437, KTD882, HSD882S, BD131, BD185, BD187, BD189, BDX35, BDX36, BDX37, KSD882, KSH882, MJE222, MJE225, MJE242, MJE244. В некоторых случаях можно рекомендовать хорошую альтернативу от белорусского предприятия “Интеграл” — КТ815 или достаточно редкий КТ9177А . Стоит признать, что полноценного (отечественного) российского аналога для рассмотренного транзистора нет.
Производители
На международном рынке распространены транзисторы D882 изготовленные следующими компаниями: Jiangsu Changjiang Electronics Technнology, SeCoS Halbleitertechnologie, Shenzhen Jingdao Electronic, Shike Electronics, Daya Electric Group, Diode Semiconductor Korea, Shenzhen Jin Yu Semiconductor, STMicroelectronics(STM), Stanson Technology, Nanjing International Group, Galaxy Semi-Conductor Holdings Limited и другие.
В России наиболее популярны устройства произведенные компаниями: Shenzhen Electronics, STM. Кликнув по ссылке, можно скачать соответствующее техническое описание — DataSheeat.