Цоколевка транзистора bu102 – Зарубежные транзисторы и их отечественные аналоги — замена транзисторов на отечественные — groupnk.ru — Группа НК — комплексные поставки электрооборудования в Москве и регионах

Содержание

TY Semiconductor BU102S Даташит, BU102S PDF, даташитов

Номер в каталоге	Описание (Функция)	PDF	производитель
8050S	TO-92 Plastic-Encapsulate NPN Transistors		Unspecified
D965-TO-92	TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors		Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd
B772-TO-92	TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors		Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd
3DK2222A-TO-92	TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors		Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd
KTC3198	TO-92 Plastic-Encapsulate NPN Transistors		Tiger Electronic
MPS2222A	TO-92 Plastic-Encapsulate NPN Transistors		Tiger Electronic
MJE13001	TO-92 Plastic-Encapsulate NPN Transistors		Tiger Electronic
S9013	TO-92 Plastic-Encapsulate NPN Transistors		Daya Electric Group Co., Ltd.
MPS2222	TO-92 Plastic-Encapsulate NPN Transistors		Daya Electric Group Co., Ltd.
2SC2120	TO-92 Plastic-Encapsulate NPN Transistors		Tiger Electronic

МОЩНЫЕ ИМПОРТНЫЕ ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ

В данном материале предоставляется справочная информация по зарубежным полевым транзисторам большой мощности. В таблице указаны только основные параметры — предельное напряжение стока, ток, рассеиваемая мощность и сопротивление открытого перехода сток-исток. Для более подробной информации, скопируйте название транзистора в поле ДАТАШИТ — справа сверху страницы и скачайте PDF файл с описанием. Полевые транзисторы мощные часто применяются в стабилизаторах напряжения и тока, выходных каскадах усилителей мощности, ключах зарядных устройств и преобразователей.

МОЩНЫЕ ИМПОРТНЫЕ ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ

Марка	Напряжение, B	Сопротивление перехода, Ом	Ток стока, A	Мощность, Вт	Корпус
1	2	3	4	5	6
STH60N0SFI	50	0,023	40,0	65	ISOWATT218
STVHD90FI	50	0,023	30,0	40	ISOWATT220
STVHD90	50	0,023	52,0	125	ТО-220
STH60N05	50	0,023	60,0	150	ТО-218
IRFZ40	50	0,028	35.0	125	ТО-220
BUZ15	50	0.03	45,0	125	ТО-3
SGSP592	50	0,033	40,0	150	ТО-3
SGSP492	50	0.033	40,0	150	ТО-218
IRFZ42FI	50	0,035	24,0	40	ISOWATT220
IRFZ42	50	0,035	35,0	125	ТО-220
BUZ11FI	50	0,04	20,0	35	ISOWATT220
BUZ11	50	0,04	30,0	75	ТО-220
BUZ14	50	0,04	39,0	125	ТО-3
BUZ11A	50	0,06	25,0	75	ТО-220
SGSP382	50	0.06	28,0	100	ТО-220
SGSР482	50	0.06	30.0	125	ТО-218
BUZ10	50	0.08	20.0	70	ТО-220
BUZ71FI	50	0,10	12,0	30	ISOWATT220
IRF20FI	50	0,10	12,5	30	ISOWATT220
BUZ71	50	6,10	14,0	40	ТО-220
IRFZ20	50	0,10	15.0	40	ТО-220
BUZ71AFI	50	0,12	11,0	30	ISOWATT220
IRFZ22FI	50	0,12	12,0	30	ISOWATT220
BUZ71A	50	0,12	13,0	40	ТО-220
IRFZ22	50	0,12	14,0	40	ТО-220
BUZ10A	50	0,12	17,0	75	ТО-220
SGSP322	50	0,13	16,0	75	ТО-220
SGSP358	50	0.30	7,0	50	ТО-220
MTh50N06FI	60	0,028	26,0	65	ISOWATT218
MTh50N06	60	0,028	40,0	150	ТО-218
SGSP591	60	0,033	40,0	150	ТО-3
SGSP491	60	0,033	40,0	150	ТО-218
BUZ11S2FI	60	0,04	20,0	35	ISOWATT220
BUZ11S2	60	0,04	30,0	75	ТО-220
IRFP151FI	60	0,055	26,0	65	ISOWATT218
IRF151	60	0.055	40,0	150	ТО-3
IRFP151	60	0.055	40,0	150	ТО-218
SGSP381	60	0,06	28,0	100	ТО-220
SGSP481	60	0.06	30.0	125	ТО-218
IRFP153FI	60	0,08	21,0	65	ISOWATT218
IRF153	60	0,08	33,0	150	ТО-3
IRFP153	60	0,08	34.0	150	ТО-218
SGSP321	60	0,13	16,0	75	ТО-220
MTP3055EFI	60	0,15	10,0	30	ISOWATT220
МТР3055Е	60	0,15	12.0	40	ТО-220
IRF521FI	80	0,27	7,0	30	ISOWATT220
IRF521	80	0.27	9,2	60	ТО-220
IRF523FI	80	036	6,0	30	ISOWATT220
IRF523	80	0.36	8,0	60	ТО-220
SGSP472	80	0,05	35.0	150	ТО-218
IRF541	80	0,077	15,0	40	ISOWATT220
IRF141	80	0.077	28,0	125	ТО-3
IRF541	80	0.077	28,0	125	ТО-220
IRF543F1	80	0,10	14,0	40	SOWATT220
SGSP362	80	0,10	22.0	100	ТО-220
IRF143	80	0,10	25,0	125	ТО-3
SGSР462	80	0.10	25,0	125	ТО-218
IRF543	80	0,10	25.0	125	О-220
IRF531FI	80	0.16	9,0	35	SOWATT220
IRF531	80	0.16	14,0	79	О-220
IRF533FI	80	0,23	8,0	35	ISOWATT220
IRF533	80	0,23	12.0	79	ТО-220
IRF511	80	0,54	5.6	43	ТО-220
IRF513	80	0,74	4,9	43	ТО-220
IRFP150FI	100	0,055	26,0	65	ISOWATT218
IRF150	100	0,055	40,0	150	ТО-3
IRFP150	100	0,055	40,0	150	ТО-218
BUZ24	100	0,6	32,0	125	ТО-3
IRF540FI	100	0,077	15,0	40	ISOWATT220
IRF140	100	0,077	28,0	125	ТО-3
IRF540	100	0,077	28,0	125	ТО-220
SGSP471	100	0,075	30,0	150	ТО-218
IRFP152FI	100	0,08	21,0	65	ISOWATT218
IRF152	100	0,08	33,0	150	ТО-3
IRFP152	100	0,08	34.0	150	ТО-218
IRF542FI	100	0,10	14,0	40	ISOWATT220
BUZ21	100	0,10	19.0	75	ТО-220
BUZ25	100	0,10	19.0	78	ТО-3
IRF142	100	0,10	25,0	125	ТО-3
IRF542	100′	0,10	25,0	125	ТО-220
SGSP361	100	0,15	18,0	100	ТО-220
SGSP461	100	0,15	20.0	125	ТО-218
IRF530FI	100	0,16	9,0	35	ISOWATT220
IRF530	100	0,16	14.0	79	ТО-220
BUZ20	100	0,20	12.0	75	ТО-220
IRF532FI	100	0.23	8.0	35	ISOWATT220
IRF532	100	0,23	12,0	79	ТО-220
BUZ72A	100	0,25	9,0	40	ТО-220
IRF520FI	100	0.27	7,0	30	ISOWATT220
IRF520	100	0,27	9,2	60	ТО-220
SGSP311	100	0,30	11.0	75	ТО-220
IRF522FI	100	0,36	6.0	30	ISOWATT220
IRF522	100	0,36	8,0	60	ТО-220
IRF510	100	0,54	5,6	43	ТО-220
SGSP351	100	0,60	6,0	50	ТО-220
IRF512	100	0,74	4,9	43	ТО-220
SGSP301	100	1,40	2,5	18	ТО-220
IRF621FI	160	0,80	4.0	30	ISOWATT220
IRF621	150	0,80	5,0	40	ТО-220
IRF623FI	150	1,20	3,5	30	ISOWATT220
IRF623	150	1.20	4.0	40	ТО-220
STh43N20FI	200	0.085	20.0	70	ISOWATT220
SGSP577	200	0,17	20,0	150	ТО-3
SGSP477	200	0,17	20,0	150	ТО-218
8UZ34	200	0,20	19,0	150	ТО-3
SGSP367	200	0,33	12,0	100	ТО-220
BUZ32	200	0,40	9,5	75	ТО-220
SGSP317	200	0,75	6,0	75	ТО-220
IRF620FI	200	0,80	4,0	30	ISOWATT220
IRF620	200	0,80	5,0	40	ТО220
IRF622FI	200	1.20	3,5	30	ISOWATT220
IRF622	200	1.20	4,0	40	ТО-220
IRF741FI	350	0.55	5,5	40	ISOWATT220
IRF741	350	0,55	10,0	125	ТО-220
IRF743	350	0.80	8,3	125	ТО-220
IRF731FI	350	1,00	3,5	35	ISOWATT220
IRF731	350	1,00	5,5	75	ТО-220
IRF733FI	350	1,50	3,0	35	ISOWATT220
IRF733	350	1,50	4.5	75	ТО-220
IRF721FI	350	1,80	2.5	30	ISOWATT220
IRF721	350	1,80	3.3	50	ТО-220

IRF723FI	350	2,50	2,0	30	ISOWATT220
IRF723	350	2,50	2,8	50	ТО-220
IRFP350FI	400	0,30	10,0	70	ISOWATT218
IRF350	400	0,30	15,0	150	ТО-3
IRFP350	400	0,30	16,0	180	ТО-218
IRF740FI	400	0,55	5,5	40	ISOWATT220
IRF740	400	0,55	10,0	125	ТО-220
SGSP475	400	0,55	10,0	150	ТО-218
IRF742FI	400	0,80	4,5	40	ISOWATT220
IRF742	400	0,80	8,3	125	ТО-220
IRF730FI	400	1,00	3,5	35	ISOWATT220
BUZ60	400	1,00	5,5	75	ТО-220
IRF730	400	1,00	5,5	75	ТО-220
IRF732FI	400	1,50	3,0	35	ISOWATT220
BUZ60B	400	1,50	4,5	75	ТО-220
IRF732	400	1,50	4,5	75	ТО-220
IRF720FI	400	1,80	2,5	30	ISOWATT220
BUZ76	400	1,80	3,0	40	ТО-220
IRF720	400	1,80	3,3	50	ТО-220
IRF722FI	400	2,50	2,0	30	ISOWATT220
BUZ76A	400	2,50	2,6	40	ТО-220
IRF722	400	2,50	2,8	50	ТО-220
SGSP341	400	20,0	0,6	18	ТО-220
IRFP451FI	450	0,40	9,0	70	ISOWATT218
IRF451	450	0,40	13,0	150	ТО-3
IRFP451	450	0,40	14,0	180	ТО-218
IRFP453FI	450	0,50	8,0	70	ISOWATT218
IRF453	450	0,50	11,0	150	ТО-3
IRFP453	450	0,50	12,0	180	ТО-218
SGSP474	450	0,70	9,0	150	ТО-218
IRF841FI	450	0,85	4,5	40	ISOWATT220
IF841	450	0.85	8,0	125	ТО-220
IRFP441FI	450	0,85	5,5	60	ISOWATT218
IRF843FI	450	1,10	4,0	40	ISOWATT220
IRF843	450	1,10	7,0	125	ТО-220
IRF831FI	450	1,50	3,0	35	ISOWATT220
IRF831	450	1,50	4,5	75	ТО-220
SGSP364	450	1,50	5,0	100	ТО-220
IRF833FI	450	2,00	2,5	35	ISOWATT220
IRF833	450	2,00	4,0	75	Т0220
IRF821FI	450	3,00	2,0	30	ISOWATT220
IRF821	450	3,00	2,5	50	ТО-220
SGSP330	450	3,00	3,0	75	ТО-220
IRF823FI	450	4,00	1.5	30	ISOWATT220
IRF823	450	4,00	2,2	50	ТО-220
IRFP450FI	500	0,40	9,0	70	ISOWATT218
IRF450	500	0,40	13,0	150	ТО-3
IRFP450	500	0,40	14,0	180	ТО-218
IRFP452FI	500	0,50	8,0	70	ISOWATT218
IRF452	500	0,50	11,0	150	ТО-3
IRFP4S2	500	0,50	12,0	180	ТО-218
BUZ353	500	0,60	9,5	125	ТО-218
BUZ45	500	0,60	9,6	125	ТО-3
SGSP579	500	0,70	9,0	150	ТО-3
SGSP479	500	0,70	9.0	150	TO-218
BU2354	500	0,80	8,0	125	TO-218
BUZ45A	500	0,80	8,3	125	TO-3
IRF840FI	500	0,85	4,5	40	ISOWATT220
IRF840	500	0,85	8,0	125	TO-220
IRFP440FI	500	0,85	5,5	60	ISOWATT218
IRF842FI	500	1,10	4,0	40	ISOWATT220
IRF842	500	1.10	7,0	125	TO-220
IRF830FI	500	1,50	3,0	35	ISOWATT220
BUZ41A	500	1,50	4,5	75	TO-220
IRF830	500	1,50	4,5	75	TO-220
SGSP369	500	1,50	5,0	100	TO-220
IRF832FI	500	2,00	2,5	35	ISOWATT220
BUZ42	500	2,00	4,0	75	TO-220
IRF832	500	2,00	4,0	75	TO-220
IRF820FI	500	3,00	2,0	30	ISOWATT220
BUZ74	500	3,00	2,4	40	TO-220
IRF820	500	3,00	2,5	50	TO-220
SGSP319	500	3,80	2,8	75	TO-220
IRF322FI	500	4,00	1,5	30	ISOWATT220
BUZ74A	500	4,00	2,0	40	TO-220
IRF822	500	4,00	2,2	50	TO-220
SGSP368	550	2,50	5,0	100	TO-220
MTH6N60FI	600	1,20	3.5	40	ISOWATT218
MTP6N60FI	600	1,20	6,0	125	ISOWATT220
MTP3N60FI	600	.2,50	2,5	35	I30WATT220
MTP3N60	600	2,50	3,0	75	TO-220
STH9N80FI	800	1,00 .	5,6	70	ISOWATT218
STH9N80	800	1,00	9,0	180	TO-218
STH8N80FI	800	1,20	5,0	70	ISOWATT218
STH8N80	800	1,20	8.0	180	TO-218
STHV82FI	800	2,00	3,5	65	ISOWATT218
STHV82	800	2,00	5,5	125	TO-218
BUZ80AFI	800	3,00	2,4	40	ISOWATT220
BUZ80A	800	3,00	3,8	100	TO-220
BUZ80FI	800	4,00	2,0	35	ISOWATT220
BUZ80	800	4,00	2,6	75	TO-220
STH6N100FI	1000	2,00	3,7	70	ISOWATT218
STH6N100	1000	2,00	6,0	180	TO-218
STHV102FI	1000	3,50	3,0	65	ISOWATT218
STHV102	1000	3,50	4,2	125	TO-218
SGS100MA010D1	100	0,014	50	120	TO-240
SGS150MA010D1	100	0,009	75	150	TO-240
SGS30MA050D1	500	0,20	15	30	TO-240
SGS35MA050D1	500	0,16	17,5	35	TO-240
TSD200N05V	50	0,006	200	600	Isotop
TSD4M150V	100	0,014	70	135	Isotop
TSD4M251V	150	0,021	70	110	Isotop
TSD4M250V	200	0,021	60	110	Isotop
TSD4M351V	350	0,075	30	50	Isotop
TSD4M350V	400	0,075	30	50	Isotop
TSD4M451V	450	0,1	28	45	Isotop
TSD2M450V	500	0,2	26	100	Isotop
TSD4M450V	500	0,1	28	45	Isotop
TSD22N80V	800	0,4	22	77	Isotop
TSD5MG40V	1000	0,7	9	17	Isotop

ОБОЗНАЧЕНИЕ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ

Проверку полевого транзистора на исправность можно проводить мультиметром в режиме тестирования P-N переходов диодов. Показываемое мультиметром значение сопротивления на этом пределе численно равно прямому напряжению на P-N переходе в милливольтах. У исправного транзистора между всеми его выводами должно быть бесконечное сопротивление. Но в некоторых современных мощных полевых транзисторах между стоком и истоком имеется встроенный диод поэтому бывает, что канал «сток-исток» при проверке ведет себя как обычный диод. Черным (отрицательным) щупом прикасаемся к стоку (D), красным (положительным) — к истоку (S). Мультиметр показывает прямое падение напряжения на внутреннем диоде (500 — 800 мВ). В обратном смещении мультиметр должен показывать бесконечно большое сопротивление, транзистор закрыт. Далее, не снимая черного щупа, касаемся красным щупом затвора (G) и опять возвращаем его на исток (S). Мультиметр показывает 0 мВ, причём при любой полярности приложенного напряжения — полевой транзистор открылся прикосновением. Если теперь черным щупом коснуться затвора (G), не отпуская красного щупа, и вернуть его на сток (D), то полевой транзистор закроется и мультиметр снова будет показывать падение напряжения на диоде. Это верно для большинства N-канальных полевых транзисторов.

Справочники радиодеталей

13003 транзистор характеристики, цоколевка, аналоги, datasheet

В данном тексте вы узнаете все характеристики мощного силового 13003 (mje13003) транзистора с кремниевой NPN-структуры, высокой скоростью переключений и низкой полосой пропускания. Наиболее известен с обозначением mje13003, так как с этим префиксом он был когда то представлен миру компанией Motorola. В настоящее время его прототип наиболее широко применяется в бытовой электронике, особенно в режиме переключений SWITCHMODE. Позиционируются для коммутации от 115 до 229 вольт в различных схемах отклонения электронного луча, инверторов, регуляторах, а так же драйверов электромагнитных реле.

Распиновка

Цоколевка 13003 у большинства производителей выполняется в пластиковым корпусом ТО-126. У компании STMicroelectronics (STM) этот корпус называется SOT-32. Фирменный MJE13003 у компании Motorola имел пластиковый корпус — ТО-225A. Это тот же, немного улучшенный ТО-126, согласно системы стандартизации полупроводниковых приборов Jedec. Три гибких вывода из корпуса ТО-126, если смотреть на маркировку, имеют следующее назначение: самый левый контакт – база; посередине – коллектор; крайний справа – эмиттер.

В статье рассмотрено назначение выводов, встречающееся у большинства производителей, однако бывает и другая – нетипичная распиновка 13003 в ТО-126. У той же STM, если смотреть на прибор как описано выше, эмиттер будет слева, база справа, а коллектор посередине. Аналогичная цоколевка у KSE13003 (Fairchild Semiconductor). Очень редко, но встречаются приборы в корпусе ТО-220. Для наглядности просмотрите рисунок с цоколевкой от разных компаний.

Основные технические характеристики

13003 – это высоковольтный силовой транзистор, прежде всего спроектированный для работы с большими токами и пропускаемым напряжением между коллектором и базой. Высокая скорость переключений и низким временем задержки включения/выключения позволяет использовать его преимущественно в импульсных схемах с индуктивной нагрузкой.

Предельные режимы эксплуатации

13003 рассчитан на работу с большими напряжениями и токами. Так, заявленные производителями максимально допустимые характеристики постоянного рабочего напряжения достигают (V_CEO) 400 вольт, а порогового (V_CEV) 700 вольт. Номинальное значение постоянного коллекторного тока коллектора (I_C) 1.5 A, а импульсного пиковое (I_CM), как у большинства силовых транзисторов, в два раза больше 3 A. Максимальная мощность рассеивания, при этом, не должна превышать 40 Ватт.

Предельные значения для пикового тока измерены при длительности импульса в 5 мс и величине обратной скважности не более 10%.

Электрические характеристики

Следует учесть, что для расчета возможности применения 13003 в своих схемах, величины предельных режимов эксплуатации обычно уменьшают на 25-30%. Это связано с тем, что они рассчитаны на работу прибора при температуре Тс=25°С. Рабочая же температура устройства будет значительно выше. Зная это, производители в электрических характеристиках на 13003, указывают параметры его использования не только при температуре Тс=25°С.

Как мы видим, в таблице электрических параметров 13003, величины напряжений насыщения и времени переключения приведены и для температуры 100 градусов. Если внимательно присмотреться, то можно увидеть, что эти значения указаны при максимальном токе коллектора I_C не превышающем 1 A. А это в 1.5 раза (на 33%) меньше, приведенного значения в предельно допустимых параметрах.

Режима работы в SOA

Очень важной характеристикой для переключающего транзистора является параметры, относящиеся к область безопасной работы (Safe operating area (SOA). Они в даташит показаны в виде графиков активного (безопасного) режима работы в SOA (FBSOA) и выключения (RBSOA).

Режим FBSOA

На графике активного режима работы для mje13003 видно, что постоянный ток коллектора в 1 А допустим только при напряжении около 30 В, что не превышает номинальной мощности 30 Вт (при предельной мощности устройства в 40 Вт). При импульсном токе активная область расширяется. Например при импульсном токе в 3 A, в течении 100 мкс, допустимо напряжение около 150 В. Как видно из графика, при увеличении напряжения, величина используемого тока коллектора уменьшается. Область возможного вторичного пробоя указывается в правой части графика.

Выглядит это конечно замечательно, но стоит внести в эту идиллию ложку дёгтя. Как принято, безопасный режим работы рассчитывается производителями при температуре перехода до 25 градусов. В реальности нельзя поддерживать такую температуру у работающего полупроводникового прибора, так как при её увеличении мощность устройства падает. А при увеличении температуры до предельных 150 °С доходит до 0 Вт. В связи с этим радиолюбители стараются разными способами уменьшить нагрев корпуса, оснащая устройства радиаторами, добиваясь при этом средних рабочих температур.

Режим RBSOA

В справочнике на 13003 (рисунке 12), приводится график работы в режиме выключения — RBSOA. На графике показана область устойчивой работы транзистора при выключении и обратном смещении на переходе эмиттер-база V_BE(off), при этом ток коллектора продолжает течь. Если на базе напряжение нулевое, то область RBSOA значительно меньше.

В схемах с импульсными источниками питания, для уменьшения проблем связанных с запиранием транзистора в момент его выключения, чаще всего используют обратное смещение базы.

Комплементарная пара

Комплементарной пары у mje13003 нет, учитывайте это при выборе компонента для своих схем или при замене вышедшего из строя устройства.

Маркировка

Маркируется на корпусе цифрами “13003”, указывающими на серийный номер устройства по системе JEDEC. Префикс MJE, в начале указывает на происхождение устройства у именитого брэнда — компании Motorola. В настоящее время префикс mje в обозначении своей продукции добавляют и другие производители радиоэлектронного оборудования. Так что, не удивительно встретить транзистор с таким префиксом от другого компании.

Также, вместо MJE, но с другими буквами в названиях, могут встречается похожие устройства: ST13003 SOT-32 (ST Microelectronics), FJP13003, KSE 13003 (Fairchild). В последнее время стали встречается копии устройств от китайских компаний с такой маркировкой на корпусе: 13003d, 13003br, j13003, e13003. В большинстве случаев у приборов с буквой “d” в конце есть встроенный защитный диод, а у остальных меньшая мощность до 25 Вт.

Замена и эквиваленты

Замену для 13003 можно подобрать из его ближайших аналогов ST13003, KSE13003, HMJE13003. Можно попробовать транзисторы из той же серии но, с более высокими характеристиками: mje13005, mje13007, mje13008, mje13009. В некоторых схемах может подойти BUJ101, 2SC4917 или PHD13003 с встроенным защитным диодом. Очень часто в качестве замены подходит его белорусский аналог от завода “Интеграл” — кт8170А1.

И напоследок интересное видео о сборке навесным монтажом простого аудиоусилителя.

Производители

Вот список основных производителей устройства, кликнув мышкой по наименованию компании можно скачать её DataSheet.

Транзистор BU508 — DataSheet

Кремниевый n-p-n диффузионный транзистор для выходных каскадов строчной развертки телевизионных приемников.

BU508AF Особенности

Высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения.
Высокое напряжение пробоя

**BU508AF Корпус SOT199**
Вывод	Назначение	Цоколевка транзистора BU508AF
1	База
2	Коллектор
2	Эмиттер
Корпус	Изолированный

BU508AW Особенности

Высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения.
Высокое напряжение пробоя

**BU508AW Корпус SOT429**
Вывод	Назначение	Цоколевка транзистора BU508AW
1	База
2	Коллектор
2	Эмиттер
Корпус	Коллектор

BU508DF Особенности

Высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения.
Встроенный демпферный диод

**BU508DF Корпус SOT119**
Вывод	Назначение	Цоколевка транзистора BU508DF
1	База
2	Коллектор
2	Эмиттер
Корпус	Изолированный

BU508DW Особенности

Высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения.
Встроенный демпферный диод

**BU508DW Корпус SOT429**
Вывод	Назначение	Цоколевка транзистора BU508DW
1	База
2	Коллектор
2	Эмиттер
Корпус	Коллектор

**Предельно допустимые и основные электрические параметры**
Обозначение	Параметр	Маркировка	Условия	Мин.	Тип.	Макс.	Ед. изм.
V_cesm	Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение	Bu508AF	V_be = 0 B	—	—	1000	В
		Bu508AW				1500
		Bu508DF
		Bu508DW
V_ceo	Напряжение коллектор-эмиттер (с отключенной)	Bu508AF	—	—	—	700	В
		Bu508AW
		Bu508DF
		Bu508DW
I_c	Ток коллектора постоянный	Bu508AF	—	—	—	8	А
		Bu508AW
		Bu508DF
		Bu508DW
I_cm	Ток коллектора, пиковое значение	Bu508AF	—	—	—	15	А
		Bu508AW
		Bu508DF
		Bu508DW
P_tot	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Bu508AF	Т = 25°С	—	—	34	Вт
		Bu508AW				125
		Bu508DF				34
		Bu508DW				125
V_{ce_sat}	Напряжение насыщения К-Э	Bu508AF	I_c = 4.5 А, I_b = 1.6 А	—	—	1	В
		Bu508AW
		Bu508DF
		Bu508DW
I_{c_sat}	Коллекторный ток насыщения К-Э	Bu508AF	F = 16 кГц	—	4.5	—	А
		Bu508AW
		Bu508DF
		Bu508DW
I_b	Ток базы	Bu508AF	—	—	—	4	А
		Bu508AW
		Bu508DF
		Bu508DW
I_bm	Ток базы пиковое значение	Bu508AF	—	—	—	6	А
		Bu508AW
		Bu508DF
		Bu508DW
V_f	Падение напряжения на открытом диоде	Bu508DF	I = 4.5 А	—	1.6	2	В
		Bu508DW
T_f	Время спада импульса	Bu508AF	I_{c_sat} = 4.5 А, F = 16 кГц	—	0.7	—	мкс
		Bu508AW
		Bu508DF
		Bu508DW
h_fe	Коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ	Bu508AF	I_c = 100 мА, V_ce = 5 В	—	13	30
		Bu508AW
		Bu508DF
		Bu508DW

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

Транзистор КТ3102 — DataSheet

Параметр	Обозначение	Маркировка	Условия	Значение	Ед. изм.
Аналог		КТ3102А		BF291, 2SC302, BCY56, *BC407 ^1 , BCW31R ^1,* *40637 ^1**
		КТ3102Б		*BCW72R^1, BCW32R ^1*
		КТ3102В		*2SC105, SE4022 ^3, BFY18 ^2, BFY17 ^2, BSX76, 2SC55, ВС408 ^1,* *ВС409 ^1, 2SC238, 2SC1216 ^2*
		КТ3102Г
		КТ3102Д		*2SC105, SE4022 ^3, BFY18 ^2, BFY17 ^2, BSX76, 2 SC55, ВС408 ^1, ВС409 ^1, 2SC238, 2SC1216 ^2*
		КТ3102Е
		КТ3102Ж
		КТ3102И
		КТ3102К
		КТ3102А(М)		ВС107АР, BC3I7 (ВС 182А), ВС317А, ТВС547, *NTE2369, JC547, BCW71^1, 2SC382TM ^2, ECG2418,* 2SC3653, 2SC945L, 2SC3654, ВС550,2SC3655, ECG2359, 2SC3656, ВС549А
		КТ3102Б(М)		ВС107ВР, ВСЗ18 (ВС 182В), 2SC945P, 2SC945Q, ТВС547А, JC547A, *BCW72R ^1, ВС317В, ВС317, ВС550В, ВС560 ^2,* ВС414, ВС414В
		КТ3102В(М)		ВС108АР, 2SC1815 (ВС183В), *ВС123 ^2, ВС549В, BF254-4, 2SC4922GA ^1, ТВС548А, ТВС548,* JC548A, ITT9014CU, *ITT9014C, 2SC388A-TM ^2, 2SC1359, ВС409**
		КТ3102Г(М)		ВС108СР (BCY57)
		КТ3102Д(М)		ВС184А, 2N2484 (ВС452, ВС547А), *ВС123 ^2, ВС549В, BF254-4, 2SC4922GA ^1, ТВС548А, ТВС548,* JC548A, ITT9014CU, ITT9014C, *2SC388A-TM ^2, 2SC1359, ВС409**
		КТ3102Е(М)		ВС109СР, ВС547В (ВС538, ВС548В)
		КТ3102Ж(М)		2N4123 (ВС183А, ВС549С)
		КТ3102И(М)		BCY65 (2N4123)
		КТ3102К(М)		ВС452 (2N4124, ВС548В)
Структура			—	n-p-n
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора	P_K max,P^_{K, τ max},P^*_{K, и max}	—	—	250	мВт
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером	f_гр,f^_h31б,f^_h31э, f^**_max	КТ3102А(М)	—	≥150	МГц
		КТ3102Б(М)	—	≥150
		КТ3102В(М)	—	≥150
		КТ3102Г(М)	—	≥300
		КТ3102Д(М)	—	≥150
		КТ3102Е(М)	—	≥300
		КТ3102Ж(М)	—	≥200
		КТ3102И(М)	—	≥200
		КТ3102К(М)		≥200
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера	U_{КБО проб.,}U^_{КЭR проб.,}U^*_{КЭО проб.}	КТ3102А(М)	—	50	В
		КТ3102Б(М)	—	50
		КТ3102В(М)	—	50(30)
		КТ3102Г(М)	—	20
		КТ3102Д(М)	—	30(50)
		КТ3102Е(М)	—	20
		КТ3102Ж(М)	—	50
		КТ3102И(М)	—	50
		КТ3102К(М)	—	30
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора	U_{ЭБО проб.,}	КТ3102А(М)	—	5	В
		КТ3102Б(М)	—	5
		КТ3102В(М)	—	5
		КТ3102Г(М)	—	5
		КТ3102Д(М)	—	5
		КТ3102Е(М)	—	5
		КТ3102Ж(М)	—	5
		КТ3102И(М)	—	5
		КТ3102К(М)	—	5
Максимально допустимый постоянный ток коллектора	I_{K max,} I^*_{К , и max}	КТ3102А(М)	—	*100(200)**	мА
		КТ3102Б(М)	—	*100(200)**
		КТ3102В(М)	—	*100(200)**
		КТ3102Г(М)	—	*100(200)**
		КТ3102Д(М)	—	*100(200)**
		КТ3102Е(М)	—	*100(200)**
		КТ3102Ж(М)	—	*100(200)**
		КТ3102И(М)	—	*100(200)**
		КТ3102К(М)	—	*100(200)**
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера	I_КБО, I^_КЭR, I^*_КЭO	КТ3102А(М)	50 В	≤0.05	мкА
		КТ3102Б(М)	50 В	≤0.05
		КТ3102В(М)	30 В	≤0.015
		КТ3102Г(М)	20(30) В	≤0.015
		КТ3102Д(М)	30 В	≤0.015
		КТ3102Е(М)	20(30) В	≤0.015
		КТ3102Ж(М)	50 В	≤0.05
		КТ3102И(М)	50 В	≤0.05
		КТ3102К(М)	30 В	≤0.015
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером	h_21э, h^*_21Э	КТ3102А (М)	5 В; 2 мА	100…200
		КТ3102Б(М)	5 В; 1(2) мА	200…500
		КТ3102В(М)	5 В; 2 мА	200…500
		КТ3102Г(М)	5 В; 2 мА	400…1000
		КТ3102Д(М)	5 В; 2 мА	200…500
		КТ3102Е(М)	5 В; 2 мА	400…1000
		КТ3102Ж(М)	5 В; 2 мА	100…250
		КТ3102И(М)	5 В; 2 мА	200…500
		КТ3102К(М)	5 В; 2 мА	200…500
Емкость коллекторного перехода	c_к, с^*_12э	КТ3102А(М)	5 В	≤6	пФ
		КТ3102Б(М)	5 В	≤6
		КТ3102В(М)	5 В	≤6
		КТ3102Г(М)	5 В	≤6
		КТ3102Д(М)	5 В	≤6
		КТ3102Е(М)	5 В	≤6
		КТ3102Ж(М)	5 В	≤6
		КТ3102И(М)	5 В	≤6
		КТ3102К(М)	5 В	≤6
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером	r_{КЭ нас}, r*_{БЭ нас}	КТ3102А(М)	—	—	Ом
		КТ3102Б(М)	—	—
		КТ3102В(М)	—	—
		КТ3102Г(М)	—	—
		КТ3102Д(М)	—	—
		КТ3102Е(М)	—	—
		КТ3102Ж(М)	—	—
		КТ3102И(М)	—	—
		КТ3102К(М)	—	—
Коэффициент шума транзистора	К_ш, r^*_b, P_вых	КТ3102А(М)	1 кГц	≤10	Дб, Ом, Вт
		КТ3102Б(М)	1 кГц	≤10
		КТ3102В(М)	1 кГц	≤10
		КТ3102Г(М)	1 кГц	≤10
		КТ3102Д(М)	1 кГц	≤4
		КТ3102Е(М)	1 кГц	≤4
		КТ3102Ж(М)	—	—
		КТ3102И(М)	—	—
		КТ3102К(М)	—	—
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте	τ_к, t_рас, t^_выкл, t^**_пк(нс)	КТ3102А(М)	—	≤100	пс
		КТ3102Б(М)	—	≤100
		КТ3102В(М)	—	≤100
		КТ3102Г(М)	—	≤100
		КТ3102Д(М)	—	≤100
		КТ3102Е(М)	—	≤100
		КТ3102Ж(М)	—	≤100
		КТ3102И(М)	—	≤100
		КТ3102К(М)	—	≤100

Цоколевка транзистора bu102 – Зарубежные транзисторы и их отечественные аналоги — замена транзисторов на отечественные