22 Ключи на тиристорах — СтудИзба

4.7 Ключи на тиристорах

Тиристоры составляют наиболее широкий класс полупроводниковых приборов с отрицательным сопротивлением и предназначены в основном для коммутации токов и напряжений в сильноточных схемах. Большое число типов тиристоров с разнообразными характеристиками определяют многообразие ключевых и коммутирующих схем на их основе, тем не менее, общее свойство этих приборов — S-образная вольтамперная характеристика — позволяет обобщенно подходить к анализу статических и динамических свойств тиристорных ключей.

Для обеспечения работы ключа в двух устойчивых режимах его нагрузочная прямая должна пересекать вольт-амперную характеристику в трех точках (/, 2, 3) (рис. ???)) из которых положения 1 и 3 являются устойчивыми. Если при отсутствии входного сигнала приложенное к тиристору прямое напряжение не превышает U_ВКЛ, то ключ находится в закрытом состоянии. Однако с приближением напряжения на тиристоре к величине, равной U_ВКЛ, закрытое состояние оказывается неустойчивым. Более того, некоторые образцы тиристоров могут самопроизвольно отпираться при выдержке под напряжением, значительно меньшем U_ВКЛ, что проявляется особенно сильно с увеличением, температуры. Поэтому закрытое состояние тиристора характеризуется лишь частью напряжения U_ВКЛ, т. е. максимально допустимым прямым напряжением U_{ПР.МАКС}, находясь под которым прибор должен оставаться закрытым в течение всего срока службы.

Для трехэлектродных тиристоров значение U_{ПР.МАКС} можно увеличить, если зашунтировать управляющий переход или подать на него отрицательное смещение, что вызывает протекание в цепи управляющего электрода запирающего тока I_У.ОБР, причем в случае шунтирования управляющего перехода ток I_У.ОБР является частью тока анода, ответвляющейся в цепь шунта.

Сопротивление тиристорного ключа в закрытом состоянии определяется током утечки в прямом направлении I_УТ, измеренным при напряжении U_{ПР.МАКС} и максимально допустимой температуре, и током I_К0 центрального перехода П₂. Это позволяет использовать в качестве эквивалентной схемы тиристора в закрытом состоянии сопротивление, величина которого равна R_ОБР, и источник тока I_К0 .

Сопротивление ключа в открытом состоянии определяется остаточным напряжением U_ОБР, измеренным при протекании максимального прямого тока I_ПР.МАХ, который задается исходя из максимально допустимой мощности рассеивания на тиристоре Р_МАХ. Это позволяет заменить открытый тиристор эквивалентным сопротивлением R_ПР. величина которого равна R_ПР = U_ОСТ/ I_ПР.МАХ и источником напряжения U_ОСТ.

Переключение тиристора из закрытого состояния в открытое должно осуществляться подачей отпирающего импульса в цепь управления для трехэлектродных приборов — триодных (ТТ) и запираемых (ЗТ) тиристоров или в цепь анод-катод для диодных тиристоров (ДТ). Между амплитудой импульса U_{ВКЛ.ИМП}, переключающего ДТ в открытое состояние, которую в соответствии со справочными обозначениями, принятыми для диодных тиристоров, будем обозначать U_ПУСК, и статическим значением U_ВКЛ не существует корреляционного соответствия. Амплитуда U_ПУСК в основном зависит от длительности фронта импульса отпирающего напряжения на аноде тиристора t_Ф, емкости участка анод-катод закрытого диодного тиристора C_ДТ≈ C_П2 где C_П2 — емкость центрального р-n перехода, а следовательно, и от внутреннего сопротивления генератора отпирающих импульсов R_ВН.

Для отпирания импульсного ключа, выполненного на трехэлектродном приборе (ТТ или ЗТ), и запирания ключа на ЗТ необходимо обеспечить протекание определенного импульса тока в цепи управления тиристора. Амплитуда этого импульса, прежде всего, зависит от его длительности, а при запирании — и от величины прямого тока анода I_ПР, протекающего через открытый тиристор.

Рекомендуемые файлы

Одним из основных параметров, характеризующих процесс отпирания трехэлектродных тиристоров, является импульсный ток спрямления I_СПР, под которым следует понимать минимальную амплитуду положительного импульса тока управления заданной длительности, переключающего тиристор в открытое состояние при определенном напряжении на аноде.

Поскольку импульсный ток управления I_У.ОБР запирающий тиристор, зависит от тока анода I_ПР, то управляемость запираемого тиристора характеризуется импульсным коэффициентом запирания B_ЗАП = I_ПР/I_ЗАП (при I_У.ОБР = I_ЗАП тиристор запирается).

Длительность процесса отпирания характеризуется временем задержки t_З (ток анода возрастает до 0,1 I_ПР) и временем установления прямого сопротивления t_УСТ (ток анода изменяется от 0, I_ПР до 0,9 I_ПР), которые в сумме составляют время включения t_ВКЛ, а длительность процесса запирания характеризуется временем запаздывания t_ЗП(ток анода уменьшается до 0,9 I_ПР) и временем спада t_СП (ток анода изменяется от 0,9 I_ПР до 0,1 I_ПР), которые в сумме составляют время запирания t_ЗАП.

Время переключения тиристорного ключа, несмотря на действие сильной внутренней положительной обратной связи составляет существенно большую величину, чем аналогичный параметр у транзисторных ключей. Это объясняется режимом глубокого насыщения p-n-p-n — структуры и связанным с ним накоплением и рассасыванием большого объемного заряда. Из-за этого время включения тиристора составляет единицы микросекунд, а выключения — десятки и сотни микросекунд, уменьшаясь у высокочастотных тиристоров и тиристоров, прямой ток которых существенно меньше максимально допустимого.

Заметим, что при активно-индуктивном характере нагрузки тиристорного ключа нарастание прямого тока определяется не только и не столько инерционностью самого прибора, сколько постоянной времени нагрузки. Для таких ключей длительность управляющих импульсов выбирается не только по минимально заданным справочным данным, но и в зависимости от постоянной времени нагрузки, учитывая, что в течении длительности импульса управления прямой ток должен успеть превысить величину I_ВЫКЛ.

 К числу параметров, характеризующих отпирание тиристорного ключа, следует отнести и максимально допустимую скорость нарастания анодного тока (dI_ПР/dt)_MAX. Ограничение скорости (dI_ПР/dt) сверху обусловлено влиянием неодномерных явлений на процесс отпирания тиристора и оказывается особенно сильным в режимах, когда амплитуда импульса прямого тока I_ПР.ИМП >> I_ПР.МАХ. Значения (dI_ПР/dt) иI_{ПР.ИМП.МАХ}. зависят от длительности импульсов прямого тока и частоты их следования.

Построение и расчет цепей отпирания, выключения и запирания тиристорных ключей являются первоочередными задачами, которые приходится решать при проектировании тиристорных устройств. При этом под выключением тиристоров понимается их выключение пo анодной цепи, а под запиранием — выключение по цепи управляющего электрода.

Анализ цепей отпирания. Цепь отпирания должна обеспечить включение от импульса сигнала управления, защиту тиристора от отпирающего импульса помехи и запас по минимально допустимому режиму входной цепи прибора. Эти требования необходимо удовлетворить в заданном диапазоне внешних, например, температурных, воздействий для любого тиристора выбранного типа.

Для обеспечения гарантированного включения тиристора и исключения его срабатывания от сигнала помехи U_ПОМ необходимо удовлетворить неравенства

                                                               (4.7.1)

                                                       (4.7.2)

 где U_ПОМ.У и I_ПОМ.У — допустимые значения напряжения и тока помехи, действующей в управляющей цепи.

В случае индуктивного характера нагрузки (рис. 4.7.1-а) длительность импульса управления необходимо увеличить до значения

                                

где I_ПР — установившееся значение тока нагрузки; — постоянна» времени цепи нагрузки; τ_Н = L_Н/R_Н; t_ВКЛ — длительность импульса управления при чисто активной нагрузке.

Для уменьшения длительности управляющих импульсов индуктивную нагрузку целесообразно шунтировать активным сопротивлением или последовательной RС-цепью (рис. 4.7.1-б и -в), параметры которых для схемы рис. 4.7.1, а выбираются из условия

                                    

а для схемы рис. 4.7.1.

                      ;

Применение резистивно-емкостного шунта уменьшает потери мощности по сравнению с чисто резистивным шунтом, однако при

                               

 в схеме могут возникнуть колебательные процессы.Основные схемы цепей отпирания ключей на тиристорах показаны на рис. 4.7.2. Включение диода в управляющую цепь тиристора (рис. 4.7.2, —а и —б) исключает протекание обратного тока через управляющий переход, что не допускается для обычных триодных тиристоров, а включение R_Ш повышает устойчивость тиристоров против самопроизвольного включения В схеме (рис. 4.7.2-б) роль сопротивления шунта играет малое по постоянному току сопротивление выходной обмотки трансформатора. Включение разделительной емкости C_Р в схеме рис. 4.7.2-в позволяет сформировать управляющий импульс с формой, близкой к оптимальной, т. е. крутым и большим по амплитуде передним фронтом и экспоненциально убывающей вершиной.

Схемы цепей отпирания ключей на диодных тиристорах приведены на рис. 4.7.2 г-е. При подаче короткого импульса положительной (рис 4.7.2-г) или отрицательной (рис. 4.7.2-д) полярности в цепи анод — катод тиристора через емкость центрального перехода C_П2 = C_Sпротекает ток, который обеспечивает накопление в базах S заряда Q_ВКЛ, необходимого для отпирания прибора. Диод D₁ увеличивает входное сопротивление схемы. Для отпирания S в схеме рис. 4.7.2-д должны выполняться неравенства

                          и

а в схеме рис. 4.7.2 —г и д — неравенства

                             и

где t_Ф.МАХ — максимальная длительность фронта входного импульса C_S — емкость тиристора.

Анализ цепей выключения. Для выключения тиристора по аноду необходимо уменьшить протекающий через тиристор ток до величины меньшей I_ВЫКЛ.MIN, на время большее t_ВЫКЛ. В цепях постоянного тока эта задача решается с помощью транзисторного ключа или коммутирующих реактивных элементов

Схемы выключения тиристорного ключа с последовательным и параллельным транзисторами показаны на рис. 4.7.3 –а и —б. Последовательный

транзистор, запираясь оложительным импульсом, прерывает протекание тока через тиристор на время t_И > t_ВЫКЛ. Дополнительное подключение Е₀ повышает надежность выключения, компенсируя ток I_К0 закрытого транзистора, и способствует повышению скорости рассасывания объемного заряда и, тем самым, уменьшает время выключения тиристора.

В схеме с параллельным транзистором при его отпирании основная часть анодного тока тиристора ответвляется через транзистор, прямой ток тиристора уменьшается ниже I_ВЫКЛ.MIN и тиристор запирается. Для повышения надежности запирания последовательно с тиристором можно включить диод D, который увеличивает остаточное напряжение и сопротивление шунтируемой транзистором цепи и тем самым уменьшает протекающий в ней при открытом транзисторе ток.

Поскольку в тиристорных ключах с транзисторными схемами выключения рассасывание накопленного в структуре заряда происходит только за счет процессов рекомбинации, то время выключения тиристоров затягивается, а амплитуды коммутируемых токов и напряжений, определяемые характеристиками транзисторов, ограничивают область применения тиристорных ключей. Такие схемы выключения применяются только для маломощных тиристоров.

Более широко в импульсной технике используются схемы выключения с помощью заряженного конденсатора и вспомогательного тиристора. Суть работы этих схем выключения заключается в том, что предварительно заряженный конденсатор с помощью вспомогательного тиристора подключается к основному тиристору таким образом, что ток его разряда направлен навстречу прямому току основного тиристора, что обеспечивает его форсированное запирание. Коммутирующий конденсатор С может быть подключен с помощью вспомогательного тиристора S2 параллельно основному тиристору S1 (рис. 4.7.4 –а-в), параллельно нагрузке (рис. 4.7.5 -г и д) или к соединенным последовательно тиристору S1 и нагрузке (рис. 4.7.4-е). Соответственно различают параллельную (рис. 4.7.4, а-д) и последовательную (рис. 4.7.4 -е) коммутации.

Параметры коммутирующей емкости С и дросселя L рассчитывают исходя из условия, при котором на основном тиристоре за время перезаряда конденсатора до нуля сохраняется обратное напряжение течение отрезка времени длительностью не меньше t_ВЫКЛ. Заряд конденсаторов С обеспечивается специальной зарядной цепью, которая на рис. 4.7.4-б-е не показана.

Для формирования мощных коротких импульсов используется выключение тиристоров с помощью последовательного LC-контура. Основное преимущество способа заключается в простоте коммутирующих цепей (рис. 4.7.5), не содержащих вспомогательных тиристоров и зарядных цепей. Для выключения тиристора с помощью LC-контура ударного возбуждения при R < Е/ I_ВЫКЛ прежде всего необходимо, чтобы конденсатор разряжался (рис. 4.7.5- а и б) или заряжался (рис. 4.7.6-в) по колебательному закону и при этом выполнялось условие

                                       

где I₁ — значение первого отрицательного экстремума переменной составляющей тока, протекающего через индуктивность контура; R1 — сопротивление, учитывающее омическое сопротивление катушки и нагрузки.

В схеме рис. 4.7.5 -а после отпирания тиристора S и изменения направления тока, протекающего через индуктивность контура, открывается диод D. К тиристору в течение времени ∆t (пока открыт диод D и ток контура С — R1 — L — D превышает ток, равный E/(R+R1)) прикладывается обратное напряжение. Значения L и С можно рассчитать по формулам

                              

Коммутирующая цепь рис. 4.7.5-а позволяет построить схемы формирователей импульсов длительностью t_И > t_ВЫКЛ. Для формирования мощных коротких импульсов длительностью t_И < t_ВЫКЛ можно использовать схемы рис. 4.7.5-б и в. В этой схеме коммутационный ток контура протекает через тиристор S в запирающем направлении, что форсирует процесс его запирания.

Анализ цепей запирания. Существует два вида цепей запирания ключей на запираемых тиристорах: с накопителем и без накопителей энергии.

Цепи с накопителем энергии представлены на рис. 4.7.6. В этих схемах включение (рис. 4.7.6 -а) или отключение (рис. 4.7.6 -б) ключа SA приводит к разряду энергии, накопленной в конденсаторе или индуктивности, в направлении, запирающем тиристор S. Схемы включения тиристора для простоты не показаны. Параметры элементов запирающей цепи выбираются из условия:

                            

                     

для схемы рис. 4.7.6 -б

                            ;

                                 

Цепи запирания, не содержащие накопителей энергии, благодаря простоте, малым размерам и массе, а также высокому быстродействию могут наиболее успешно использоваться при построении тиристорных ключей на запираемых тиристорах.

Принцип запирания S без накопителей энергии показан на рис. 4.7.7-а. Запирание тиристора S, включенного ранее положительным импульсом через диод D при разомкнутом ключе SA, осуществляется замыканием ключа SA. При этом через управляющую цепь протекает обратный ток I_У.ОБР, величина которого, согласно упрощенной эквивалентной схеме (рис.

4.7.7-б), равна

Люди также интересуются этой лекцией: 7 Субъекты авторского права.

                                   

Если соблюдается условие I_У.ОБР ≥ I_ПР/B_ЗАП то тиристор закрывается. Минимальная величина R_Н, при которой можно использовать этот метод, имеет место при R_Б = 0 и может быть найдена из соотношения

                                 (4.7.3)

В качестве ключа SA можно использовать маломощные транзистор или тиристор (рис. 4.7.8).

В отсутствии запирающего сигнала U_ЗАП транзистор T и тиристор S2 заперты, а тиристор S1 может быть включен сигналом U_ОТП . При поступлении сигнала U_ЗАП ключ в запирающей цепи открывается, пропуская через себя ток запирания S1. В схеме 4.7.8 -в, где используется разделенная нагрузка, величина сопротивления R_Н2 может быть выбрана из условия (4.7.3) при R_Н = R_Н2.

высоковольтный ключ — патент РФ 2078399 —

Высоковольтный ключ относится к импульсной технике и предназначен для использования в модуляторах и регуляторах постоянного тока. В предлагаемом устройстве, содержащем цепь из согласно и последовательно соединенных тиристоров, параллельно каждому тиристору включен делитель напряжения, состоящий из уравнивающего высокоомного резистора и низкоомного резистора. Точка соединения этих резисторов проходит через низкоомный резистор с управляющим электродом тиристора и точку соединения каждой пары соседних диодов диодного столба. Диодный столб состоит из согласно включенных диодов, включен параллельно и встречно тиристорной цепи. Для предотвращения подачи обратного напряжения между входной клеммой и анодом последнего тиристора может быть включен дополнительный диод. 1 з. ф-лы, 1 ил. Рисунок 1

Формула изобретения

1. Высоковольтный ключ, содержащий цепь, состоящую из N+1 последовательно и согласно включенных тиристоров, N+1 резисторов, диодов, входных клеммы и шины управления, отличающийся тем, что в него введены N+1 дополнительных резисторов, образующих с N+1 резисторами цепь из последовательно соединенных делителей напряжения, каждый из которых включен параллельно соответствующему тиристору, а отвод каждого делителя напряжения соединен с управляющим электродом соответствующего тиристора и с точкой соединения соответствующей пары диодной цепи, состоящей из N+2 последовательно и согласно включенных диодов и включенной параллельно и встречно тиристорной цепи, при этом шина управления соединена с управляющим электродом первого тиристора. 2. Ключ по п. 1, отличающийся тем, что между входной клеммой и анодом последнего тиристора включен дополнительный диод.

Описание изобретения к патенту

Изобретение относится к импульсной технике и предназначено для использования в модуляторах и регуляторах постоянного тока. Известны высоковольтные ключи, содержащие цепь из последовательно включенных тиристоров. Наиболее близким по технической сущности и принятым за прототип является высоковольтный ключ ( авт. св. N 1499470) [1]

Ключ содержит последовательную цепь согласно включенных тиристоров. К управляющему электроду каждого тиристора подключен выход соответствующего диодного моста, вход каждого из которых подключен к вторичной обмотке соответствующего импульсного трансформатора. Первичные обмотки трансформаторов соединены последовательно и подключены к выходным выводам генератора управляющих импульсов. К катодам тиристоров, соединенных в последовательную цепь, подключены первые выводы соответствующих резисторов, вторые выводы которых соединены с управляющими электродами соответственно второго и следующих (до предпоследнего) тиристоров, а второй вывод последнего резистора соединен с анодом последнего тиристора, являющимся анодным выводом последовательной тиристорной цепи. Первый тиристор может быть зашунтирован дополнительным резистором. Данное устройство требует использования многообмоточных трансформаторов с усиленной изоляцией, которые громоздки, сложны в изготовлении и дороги. В результате чего все устройство обладает теми же недостатками. Целью настоящего изобретения является упрощение устройства, уменьшение его габаритов и стоимости. Указанная цель достигается тем, что в высоковольтном ключе, содержащем цепь из последовательно и согласно соединенных тиристоров, параллельно каждому тиристору включен делитель напряжения, состоящий из уравнивающего высокоомного (порядка 100 200 кОм) и низкоомного резистора (порядка 100 200 Ом), между точкой соединения которых и управляющим электродом тиристора включен ограничивающий резистор, а параллельно и встречно тиристорной цепи включена цепь из последовательно и согласно соединенных диодов так, что каждая точка соединения двух соседних диодов соединена с соответствующей точкой соединения резисторов. Для предотвращения подачи обратного напряжения между анодом последнего тиристора и входной клеммой может быть включен дополнительный диод. На чертеже изображена электрическая схема предлагаемого высоковольтного ключа. Предлагаемый высоковольтный ключ содержит последовательную цепь из N согласно включенных тиристоров. В представленном на чертеже примере цепь состоит из чертежей тиристоров 1-4. Параллельно каждому тиристору 1-4 включен делитель напряжения 5, состоящий из уравнивающего высокоомного резистора 6 номиналом 100 200 кОм и низкоомного резистора 7 с номиналом 100 200 Ом. Между точкой соединения резисторов 6 и 7 и управляющим электродом соответствующего тиристора включен ограничивающий резистор 8 с номиналом 10
100 Ом. Параллельно последовательной цепи тиристоров 1-4 включен диодный столб, диоды 9 которого включены согласно друг другу и встречно тиристорам 1-4. Точка соединения каждых двух соседних диодов 9 соединена с точкой соединения резисторов 6 и 77 делителя напряжения 5. Для предотвращения подачи обратного напряжения между анодом тиристора 4 и входной клеммой ключа может быть включен согласно тиристорам дополнительный диод 10. Ключ работает следующим образом. При подаче на входные клеммы высокого напряжения оно распределяется поровну на запертых тиристорах 1-4 благодаря уравнивающим резисторам 6, номинал которых, как известно, выбирается в несколько раз меньшим сопротивления запертого тиристора [2] При этом через тиристоры 1-4 и низкоомные резисторы 7 протекает небольшой ток 1 5 ма. Номинал низкоомных резисторов 7 в делителе напряжения 5 выбирается таким образом, чтобы падение напряжения на низкоомных резисторах 7 при запертых тиристорах 1-4 было заведомо ниже неотпирающего постоянного напряжения управления на этих тиристорах. Запас устойчивости по случайному открыванию тиристоров 1-4 дополнительно обеспечивается ограничивающими резисторами 8. При подаче импульсного сигнала управления сможет открываться только первый тиристор 1, так как сигнал управления пройдет на управляющий электрод беспрепятственно. На остальные тиристоры, начиная со второго, сигнал управления не поступает, так как диоды 9 заперты падением напряжения на уравнивающих резисторах 6. По мере открывания первого тиристора 1 напряжение на его аноде падает и, когда оно становится ниже амплитуды сигнала управления, второй диод 9 открывается и сигнал управления поступает на управляющий электрод тиристора 2, в котором тоже начинается процесс открывания, и т.д. Кроме того, поскольку открывающийся тиристор 1 шунтирует соответствующий уравнивающий резистор 6, то ток в цепи уравнивающих резисторов возрастает. Соответственно возрастают токи через управляющие электроды всех закрытых тиристоров, подготавливая их таким образом к открыванию. По мере открывания каждого следующего тиристора токи через управляющие электроды закрытых тиристоров возрастают еще больше. В результате ключ открывается за несколько микросекунд. Прерывание тока через тиристоры 1-4 осуществляется внешней схемой (не показана). При этом тиристоры 1-4 выключаются. Дополнительный диод 10 предотвращает подачу обратного напряжения. Ни один элемент устройства специально не подбирается. Простота предлагаемого ключа, малые габариты и стоимость очевидны из описания изобретения. В настоящее время используется в лабораторных условиях несколько высоковольтных ключей с последовательной цепью из 25 тиристоров типа Т 122-25 и КУ 221, выдерживающих напряжение 20КВ при рабочем токе 25 А. Используемая литература:

1. Авт.св. N 1499470 кл. H 03 K 17/56
2. Ю.Н. Королев «Тиристоры», Москва, «Знание», 1968.

Как работают мощные силовые тиристоры.

Перед тем как разбираться с темой «тиристор – принцип работы», необходимо понять, что собой представляет этот небольшой прибор. По сути, это силовой ключ, только он всегда находится в открытом состоянии. Поэтому его часто называют не полностью управляемый ключ.

Необходимо отметить, что по своему устройству тиристор напоминает обыкновенный транзистор или диод. Правда, есть и существенные отличия. К примеру, диод – это полупроводниковый двухслойный элемент на кремневой основе (PN), транзистор – трехслойный (PNP или NPN), тиристор – четырехслойный (PNPN). То есть, у него три перехода p-n. Именно поэтому диодные выпрямители перед тиристорными являются менее эффективными. Это хорошо видно на схеме управления тиристорами.

Где применяются тиристоры

Область применения тиристоров обширна. К примеру, из них можно собрать инвертор для сварки или зарядное автомобильное устройство. Некоторые умельцы своими руками собирают даже генераторы. Самое важное, что тиристоры могут через себя пропускать токи и высокочастотные, и низкочастотные. Поэтому, собрав мост из этих приборов, можно изготовить трансформатор и для сварочного аппарата.

Конструкция и принцип действия

Состоит тиристорный ключ из трех частей:

• Анод.
• Катод.
• Вход.

Последний состоит из трех переходов p-n. При этом переключение переходов производится с очень большой скоростью. Вообще, принцип работы тиристора можно объяснить лучше, если рассмотреть схему связки двух транзисторов, связанных параллельно, как выключатели комплементарно регенеративного действия.

Итак, самая простейшая схема двух транзисторов, совмещенных так, чтобы при пуске ток коллектора поступал на NPN второго прибора через каналы NPN первого. А в это же время ток проходит обратный путь через первый транзистор на второй. По сути, получается достаточно простая связка, где база-эмиттер одного из транзисторов, в нашем случае второго, получает ток от коллектора-эмиттера другого прибора, то есть, первого.

Цепь постоянного тока

В цепи постоянного тока тиристор работает по принципу подачи импульса положительной полярности, конечно, относительно катода. На длительность перехода из одного состояния в другое оказывает большое воздействие ряд характеристик. А именно:

• Вид нагрузки (индуктивный, активный и прочее).
• Скорость нарастания импульса и его амплитуда, имеется в виду ток нагрузки.
• Величина самой токовой нагрузки.
• Напряжение в цепи.
• Температура самого прибора.

Здесь самое важное, чтобы в сети, где установлен данный прибор, не произошло резкое возрастание напряжения. В этом случае может произойти самопроизвольное включение тиристора, а сигнал управления будет в это время отсутствовать.

Цепь переменного тока

В этой сети тиристорный ключ работает немного по-другому. Этот прибор дает возможность проводить несколько видов операций. К примеру:

• Включение и отключение цепи, в которое действует активная или активно-реактивная нагрузки.
• Можно изменять значение действующей нагрузки и ее средней величины за счет возможности изменять (регулировать) подачу самого сигнала управления.

Но имейте в виду, что тиристорный ключ может пропускать сигнал только в одном направлении. Поэтому сами тиристоры устанавливаются в цепь, так сказать, во встречно-параллельном включении.

Управление тиристорами

В силовых электронных аппаратах чаще всего используется или фазное, или широтно-импульсное управление тиристором.

В первом случае регулировать токовую нагрузку можно за счет изменения углов или α, или θ. Это относится к принудительной нагрузке. Искусственную нагрузку можно регулировать только с помощью управляемого тиристора, который также называется запираемый.

При ШИМ (широтно-импульсной модуляции) во время Тоткр сигнал подается, а, значит, сам прибор находится в открытом состоянии, то есть, ток подается с напряжением Uн. В период времени Тзакр сигнал отсутствует, а сам прибор находится непроводящем состоянии.

Тиристорные светодиоды

Обычно тиристор и светодиод в одном светильнике не устанавливаются. Его место заменяет диод, который работает и на включение, и на отключение, как обычный ключ. Это связано с разными причинами, где основная – это конструкция и принцип действия самого прибора, который всегда находится в открытом состоянии. В настоящее время ученые изобрели так называемый тиристорный светодиод.

Во-первых, тиристорный светодиод в своем составе кроме кремния имеет: галлий, алюминий, индий, мышьяк и сурьму. Во-вторых, спектр излучения при n-переходах между материалами создает волну длиною 1,95 мкм. А это достаточно большая оптическая мощность, если ее сравнивать с диодным элементом, который производит световые волны в том же диапазоне.

Тиристор – это полупроводниковый ключ, конструкция которого представляет собой четыре слоя. Они обладают способностью переходить из одного состояния в другое – из закрытого в открытое и наоборот.

Информация, представленная в данной статье, поможет дать исчерпывающий ответ на вопрос об этом аппарате.

Принцип функционирования тиристора

В специализированной литературе этот прибор также носит название однооперационного тиристора. Это название обусловлено тем, что устройство является не полностью управляемым . Другими словами, при получении сигнала от управляющего объекта он может только перейти в режим включенного состояния. Для того чтобы выключить прибор, человеку придется выполнить дополнительные действия, которые и приведут к падению уровня напряжения до нулевой отметки.

Работа этого прибора основывается на использовании силового электрического поля. Для его переключения из одного состояния в другое применяется технология управления, передающая определенные сигналы. При этом ток по тиристору может двигаться только в одном направлении. В выключенном состоянии этот прибор обладает способностью выдерживать как прямой, так и обратное напряжение.

Способы включения и выключения тиристора

Переход в рабочее состояние стандартного этого типа аппарата осуществляет путем поучения импульса токового напряжения в определенной полярности. На скорость включения и на то, как он впоследствии будет работать, влияют следующие факторы:

Выключение тиристора может быть осуществлено некоторыми способами:

1. Естественное выключение. В технической литературе также встречается такое понятие, как естественная коммутация – оно аналогично естественному выключению.
2. Принудительное выключение (принудительная коммутация).

Естественное выключение этого аппарата осуществляется в процессе его функционирования в цепях с переменным током, когда происходит понижение уровня тока до нулевой отметки.

Принудительное выключение включает в себя большое количество самых разнообразных способов. Самым распространенным из них является следующий метод.

Конденсатор, обозначаемый латинской буквой C, соединяется с ключом. Он должен обозначаться маркеровкой S. При этом конденсатор перед замыканием должен быть заряжен.

Основные типы тиристоров

В настоящее время существует немалое количество тиристоров, которые различаются между собой своими техническими характеристиками – скоростью функционирования, способами и процессами управления, направлениями тока при нахождении в проводящем состоянии и др.

Наиболее распространенные типы

1. Тиристор-диод. Такой прибор аналогичен устройству, которое имеет встречно-параллельный диод во включенном режиме.
2. Диодный тиристор. Другое название – динистор. Отличительной характеристикой этого устройства является то, что переход в проводящий режим осуществляется в момент, когда уровень тока превышен.
3. Запираемый тиристор.
4. Симметричный. Он также носит название симистора. Конструкция этого прибора аналогична двум устройствам со встречно-параллельным диодами при нахождении в режиме работы.
5. Быстродействующий или инверторный. Этот тип устройства обладает способностью переходить в нерабочее состояние за рекордно короткое время – от 5 до 50 микросекунд.
6. Оптотиристор. Его работа осуществляется при помощи светового потока.
7. Тиристор под полевым управлением по ведущему электроду.

Обеспечение защиты

Тиристоры входят в перечень приборов, которые критично влияют на изменение скорости увеличения прямого тока. Как и для диодов, так и для тиристоров характерен процесс протекания обратного тока восстановления. Резкое изменение его скорости и падение до нулевой отметки приводит к повышенному риску возникновения перенапряжения.

Кроме того, перенапряжение в конструкции этого прибора может возникать вследствие полного исчезновении напряжения в разнообразных составных частях системы, например, в малых индуктивностях монтажа.

По вышеуказанным причинам в подавляющем большинстве случаев для обеспечения надежной защиты этих приборов применяют разнообразные схемы ЦФТП. Данные схемы при нахождении в динамическом режиме помогают защищать устройство от возникновения недопустимых значений напряжения.

Надежным средством защиты также является применение варистора . Это устройство подключается к местам вывода индуктивной нагрузки.

В самом общем виде применение такого прибора, как тиристор, можно разделить на следующие группы:

Ограничения тиристора

При работе с любым типом этого прибора следует соблюдать определенные правила техники безопасности, а также помнить о некоторых необходимых ограничениях.

Например, в случае с индуктивной нагрузкой при функционировании такой разновидности прибора, как симистор. В данной ситуации ограничения касаются скорости изменения уровня напряжения между двумя основными элементами – его анодами и рабочим током. Для ограничения влияния тока и перегрузки применяется RC-цепочка .

Содержание:

Открытие свойств переходов полупроводников по праву можно назвать одним из важнейших в ХХ веке. В результате появились первые полупроводниковые приборы — диоды и транзисторы. А также схемы, в которых они нашли применение. Одной из таких схем является соединение двух биполярных транзисторов противоположных типов — p-n-p c n-p-n . Эта схема показана далее на изображении (б). Она иллюстрирует, что такое тиристор и принцип его действия. В ней присутствует положительная обратная связь. В результате каждый транзистор увеличивает усилительные свойства другого транзистора.

Транзисторный эквивалент

При этом любое изменение проводимости транзисторов в любом направлении лавинообразно нарастает и завершается одним из граничных состояний. Они либо заперты, либо отперты. Этот эффект называется триггерным. А по мере развития микроэлектроники оба транзистора объединили в 1958 году на одной подложке, обобщив одноименные переходы. В результате появился новый полупроводниковый прибор, названный тиристором. На взаимодействии двух транзисторов и зиждется принцип работы тиристора. В результате объединения переходов у него такое же количество выводов, как и у транзистора (а).

На схеме управляющий электрод — это база транзистора структуры n-p-n . Именно ток базы транзистора изменяет проводимость между его коллектором и эмиттером. Но управление может быть выполнено также и по базе p-n-p транзистора. Таково устройство тиристора. Выбор управляющего электрода определяют его особенности, в том числе выполняемые задачи. Например, в некоторых из них вообще не используются какие-либо управляющие сигналы. Поэтому, зачем же использовать управляющие электроды…

Динистор

Это задачи, где применяются двухэлектродные разновидности тиристоров — динисторы. В них присутствуют резисторы, соединенные с эмиттером и базой каждого транзистора. Далее на схеме это R1 и R3. Для каждого электронного прибора есть ограничения по величине приложенного напряжения. Поэтому до некоторой его величины упомянутые резисторы удерживают каждый из транзисторов в запертом состоянии. Но при дальнейшем увеличении напряжения через переходы коллектор–эмиттер появляются токи утечки.

Они подхватываются положительной обратной связью, и оба транзистора, то есть динистор, отпираются. Для желающих поэкспериментировать далее показано изображение со схемой и номиналами компонентов. Можно ее собрать и проверить рабочие свойства. Обратим внимание на резистор R2, отличающийся подбором нужного номинала. Он дополняет эффект утечки и, соответственно, напряжение срабатывания. Следовательно, динистор — это тиристор, принцип работы которого определен величиной питающего напряжения. Если оно относительно велико, он включится. Естественно интересно также узнать, как же его выключить.

Трудности выключения

С выключением тиристоров дело обстояло, как говорится, туго. По этой причине довольно длительное время виды тиристоров ограничивались только двумя выше упомянутыми структурами. До середины девяностых годов ХХ века применяются тиристоры только этих двух типов. Дело в том, что выключение тиристора может произойти лишь при запирании одного из транзисторов. Причем на определенное время. Оно определено скоростью исчезновения зарядов соответствующих отпертому переходу. Наиболее надежный способ «прибить» эти заряды — полностью отключить ток, протекающий через тиристор.

Большинство из них так и работают. Не на постоянном токе, а на выпрямленном, соответствующем напряжению без фильтрации. Оно изменяется от нуля до амплитудного значения, а затем вновь уменьшается до нуля. И так далее, соответственно частоте переменного напряжения, которое выпрямляется. В заданный момент между нулевыми значениями напряжения на управляющий электрод поступает сигнал, и тиристор отпирается. А при переходе напряжения через ноль вновь запирается.

Чтобы выключить его на постоянном напряжении и токе, при котором значение нуля отсутствует, необходим шунт, действующий определенное время. В простейшем варианте это либо кнопка, присоединенная к аноду и катоду, либо соединенная последовательно. Если прибор отперт, на нем присутствует остаточное напряжение. Нажатием кнопки оно обнуляется, и ток через него прекращается. Но если кнопка не содержит специального приспособления, и ее контакты разомкнутся, тиристор непременно снова включится.

Этим приспособлением должен быть конденсатор, подключаемый параллельно тиристору. Он ограничивает скорость нарастания напряжения на приборе. Этот параметр вызывает набольшее сожаление при использовании этих полупроводниковых приборов, поскольку понижается рабочая частота, с которой тиристор способен коммутировать нагрузку, и, соответственно, коммутируемая мощность. Происходит это явление из-за внутренних емкостей, характерных для каждой из моделей этих полупроводниковых приборов.

Конструкция любого полупроводникового прибора неизбежно образует группу конденсаторов. Чем быстрее нарастает напряжение, тем больше токи, их заряжающие. Причем они возникают во всех электродах. Если такой ток в управляющем электроде превысит некоторое пороговое значение, тиристор включится. Поэтому для всех моделей приводится параметр dU/dt.

• Выключение тиристора, как результат перехода питающего напряжения через ноль, называется естественным. Остальные варианты выключения называются принудительными или искусственными.

Многообразие модельного ряда

Эти варианты выключения усложняют тиристорные коммутаторы и уменьшают их надежность. Но развитие тиристорного разнообразия получилось очень плодотворным.

В наше время освоено промышленное производство большого числа разновидностей тиристоров. Область их применения — не только мощные силовые цепи (в которых работают запираемый и диод-тиристор , симистор), но и цепи управления (динистор, оптотиристор). Тиристор на схеме изображается, как показано далее.

Среди них есть модели, у которых рабочие напряжения и токи самые большие среди всех полупроводниковых приборов. Поскольку промышленное электроснабжение немыслимо без трансформаторов, роль тиристоров в его дальнейшем развитии является основополагающей. Запираемые высокочастотные модели в инверторах обеспечивают формирование переменного напряжения. При этом его величина может достигать 10 кВ с частотой 10 килогерц при силе тока 10 кА. Габариты трансформаторов при этом уменьшаются в несколько раз.

Включение и выключение запираемого тиристора происходит исключительно от воздействия на управляющий электрод специальными сигналами. Полярность соответствует определенной структуре этого электронного прибора. Это одна из простейших разновидностей, именуемая как GTO. Кроме нее применяются более сложные запираемые тиристоры со встроенными управляющими структурами. Эти модели называются GCT, а также IGCT. Использование в этих структурах полевых транзисторов относит запираемые тиристоры к приборам семейства MCT.

Мы постарались сделать наш обзор информативным не только для начитанных посетителей нашего сайта, но также и для чайников. Теперь, когда мы ознакомились с тем, как работает тиристор, можно найти применение этим знаниям для практического использования. Например, в несложном ремонте бытовых электроприборов. Главное — увлекаясь работой, не забывайте о технике безопасности!

♦ Как мы уже выяснили – тиристор, это полупроводниковый прибор, обладающий свойствами электрического вентиля. Тиристор с двумя выводами (А — анод, К — катод) , это динистор. Тиристор с тремя выводами (А – анод, К – катод, Уэ – управляющий электрод) , это тринистор, или в обиходе его называют просто тиристор.

♦ С помощью управляющего электрода (при определенных условиях) можно изменять электрическое состояние тиристора, то есть переводить его из состояния «выключено» в состояние «включено».
Тиристор открывается в случае, если приложенное напряжение между анодом и катодом превысит величину U = Uпр , то есть величину напряжения пробоя тиристора;
Тиристор можно открыть и при напряжении меньше, чем Uпр между анодом и катодом (U , если подать импульс напряжения положительной полярности между управляющим электродом и катодом.

♦ В открытом состоянии тиристор может находиться сколько угодно долго, пока на него подано питающее напряжение.
Тиристор можно закрыть:

• — если уменьшить напряжение между анодом и катодом до U = 0 ;
• — если снизить анодный ток тиристора до величины, меньше тока удержания Iуд .
• — подачей запирающего напряжения на управляющий электрод, (только для запираемых тиристоров).

Тиристор может также находиться в закрытом состоянии сколько угодно долго, до прихода запускающего импульса.
Тиристоры и динисторы работают как в цепях постоянного, так и в цепях переменного тока.

Работа динистора и тиристора в цепях постоянного тока.

Рассмотрим несколько практических примеров.
Первый пример применения динистора, это релаксационный генератор звуковых сигналов .

В качестве динистора используем КН102А-Б.

♦ Работает генератор следующим образом.
При нажатии кнопки Кн , через резисторы R1 и R2 постепенно заряжается конденсатор С (+ батареи – замкнутые контакты кнопки Кн – резисторы – конденсатор С – минус батареи).
Параллельно конденсатору подключена цепочка из телефонного капсюля и динистора. Через телефонный капсюль и динистор ток не протекает, так как динистор еще «заперт».
♦ При достижении на конденсаторе напряжения, при котором пробивается динистор, через катушку телефонного капсюля проходит импульс тока разряда конденсатора (С – катушка телефона – динистор — С). Слышен щелчок из телефона, конденсатор разрядился. Далее снова идет заряд конденсатора С и процесс повторяется.
Частота повторения щелчков зависит от емкости конденсатора и величины сопротивления резисторов R1 и R2 .
♦ При указанных на схеме номиналах напряжения, резисторов и конденсатора, частоту звукового сигнала с помощью резистора R2 можно менять в пределах 500 – 5000 герц. Телефонный капсюль необходимо использовать с низкоомной катушкой 50 – 100 Ом , не более, например телефонный капсюль ТК-67-Н .
Телефонный капсюль необходимо включать с соблюдением полярности, иначе не будет работать. На капсюле есть обозначение +(плюс) и – (минус).

♦ У этой схемы (рис 1) есть один недостаток. Из-за большого разброса параметров динистора КН102 (разное напряжение пробоя), в некоторых случаях, нужно будет увеличить напряжение источника питания до 35 – 45 вольт , что не всегда возможно и удобно.

Устройство управления, собранное на тиристоре, для включения – выключения нагрузки с помощью одной кнопки показано на рис 2.

Устройство работает следующим образом.
♦ В исходном состоянии тиристор закрыт и лампочка не горит.
Нажмем на кнопку Кн в течении 1 – 2 секунды . Контакты кнопки размыкаются, цепь катода тиристора разрывается.

В этот момент конденсатор С заряжается от источника питания через резистор R1 . Напряжение на конденсаторе достигает величины U источника питания.
Отпускаем кнопку Кн .
В этот момент конденсатор разряжается по цепи: резистор R2 – управляющий электрод тиристора – катод — замкнутые контакты кнопки Кн – конденсатор.
В цепи управляющего электрода потечет ток, тиристор «откроется» .
Загорается лампочк а по цепи: плюс батареи – нагрузка в виде лампочки – тиристор — замкнутые контакты кнопки – минус батареи.
В таком состоянии схема будет находиться сколько угодно долго .
В этом состоянии конденсатор разряжен: резистор R2, переход управляющий электрод – катод тиристора, контакты кнопки Кн.
♦ Для выключения лампочки необходимо кратковременно нажать на кнопку Кн . При этом основная цепь питания лампочки обрывается. Тиристор «закрывается» . Когда контакты кнопки замкнутся, тиристор останется в закрытом состоянии, так как на управляющем электроде тиристора Uynp = 0 (конденсатор разряжен).

Мною опробованы и надежно работали в этой схеме различные тиристоры: КУ101, Т122, КУ201, КУ202, КУ208 .

♦ Как уже упоминалось, динистор и тиристор имеют свой транзисторный аналог .

Схема аналога тиристора состоит из двух транзисторов и изображена на рис 3 .
Транзистор Тр 1 имеет p-n-p проводимость, транзистор Тр 2 имеет n-p-n проводимость. Транзисторы могут быть как германиевые, так и кремниевые.

Аналог тиристора имеет два управляющих входа.
Первый вход: А – Уэ1 (эмиттер — база транзистора Тр1).
Второй вход: К – Уэ2 (эмиттер – база транзистора Тр2).

Аналог имеет: А – анод, К — катод, Уэ1 – первый управляющий электрод, Уэ2 – второй управляющий электрод.

Если управляющие электроды не использовать, то это будет динистор, с электродами А — анод и К — катод .

♦ Пару транзисторов, для аналога тиристора, надо подбирать одинаковой мощности с током и напряжением выше, чем необходимо для работы устройства. Параметры аналога тиристора (напряжение пробоя Unp, ток удержания Iyд) , будут зависеть от свойств применяемых транзисторов.

♦ Для более устойчивой работы аналога в схему добавляют резисторы R1 и R2 . А с помощью резистора R3 можно регулировать напряжение пробоя Uпр и ток удержания Iyд аналога динистора – тиристора. Схема такого аналога изображена на рис 4 .

Если в схеме генератора звуковых частот (рис 1) , вместо динистора КН102 включить аналог динистора, получится устройство с другими свойствами (рис 5) .

Напряжение питания такой схемы составит от 5 до 15 вольт . Изменяя величины резисторов R3 и R5 можно изменять тональность звука и рабочее напряжение генератора.

Переменным резистором R3 подбирается напряжение пробоя аналога под используемое напряжение питания.

Потом можно заменить его на постоянный резистор.

Транзисторы Тр1 и Тр2: КТ502 и КТ503; КТ814 и КТ815 или любые другие.

♦ Интересна схема стабилизатора напряжения с защитой от короткого замыкания в нагрузке (рис 6) .

Если ток в нагрузке превысит 1 ампер , сработает защита.

Стабилизатор состоит из:

• — управляющего элемента– стабилитрона КС510 , который определяет напряжение выхода;
• — исполнительного элемента–транзисторов КТ817А, КТ808А , исполняющих роль регулятора напряжения;
• — в качестве датчика перегрузки используется резистор R4 ;
• — исполнительным механизмом защиты используется аналог динистора, на транзисторах КТ502 и КТ503 .

♦ На входе стабилизатора в качестве фильтра стоит конденсатор С1 . Резистором R1 задается ток стабилизации стабилитрона КС510 , величиной 5 – 10 мА. Напряжение на стабилитроне должно быть 10 вольт .
Резистор R5 задает начальный режим стабилизации выходного напряжения.

Резистор R4 = 1,0 Ом , включен последовательно в цепь нагрузки.Чем больше ток нагрузки, тем больше на нем выделяется напряжение, пропорциональное току.

В исходном состоянии, когда нагрузка на выходе стабилизатора мала или отключена, аналог тиристора закрыт. Приложенного к нему напряжения 10 вольт (от стабилитрона) не хватает для пробоя. В этот момент падение напряжения на резисторе R4 почти равно нулю.
Если постепенно увеличивать ток нагрузки, будет увеличиваться падение напряжения на резисторе R4 . При определенном напряжении на R4, аналог тиристора пробивается и установится напряжение, между точкой Тчк1 и общим проводом, равное 1,5 — 2,0 вольта .
Это есть напряжение перехода анод — катод открытого аналога тиристора.

Одновременно загорается светодиод Д1 , сигнализируя об аварийной ситуации. Напряжение на выходе стабилизатора, в этот момент, будет равно 1,5 — 2,0 вольта .
Чтобы восстановить нормальную работу стабилизатора, необходимо выключить нагрузку и нажать на кнопку Кн , сбросив блокировку защиты.
На выходе стабилизатора вновь будет напряжение 9 вольт , а светодиод погаснет.
Настройкой резистора R3 , можно подобрать ток срабатывания защиты от 1 ампера и более . Транзисторы Т1 и Т2 можно ставить на один радиатор без изоляции. Сам же радиатор изолировать от корпуса.

Добрый вечер хабр. Поговорим о таком приборе, как тиристор. Тиристор — это полупроводниковый прибор с двумя устойчивыми состояниями, имеющий три или больше взаимодействующих выпрямляющих перехода. По функциональности их можно соотнести к электронным ключам. Но есть в тиристоре одна особенность, он не может перейти в закрытое состояние в отличие от обычного ключа. Поэтому обычно его можно найти под названием — не полностью управляемый ключ.

На рисунке представлен обычный вид тиристора. Состоит он из четырех чередующихся типов электро-проводимости областей полупроводника и имеет три вывода: анод, катод и управляющего электрод.
Анод — это контакт с внешним p-слоем, катод — с внешним n-слоем.
Освежить память о p-n переходе можно .

Классификация

В зависимости от количества выводов можно вывести классификацию тиристоров. По сути все очень просто: тиристор с двумя выводами называется динисторами (соответственно имеет только анод и катод). Тиристор с тремя и четырьмя выводами, называются триодными или тетродными. Также бывают тиристоры и с большим количеством чередующихся полупроводниковых областей. Одним из самых интересных является симметричный тиристор (симистор), который включается при любой полярности напряжения.

Принцип работы

Обычно тиристор представляют в виде двух транзисторов, связанных между собой, каждый из которых работает в активном режиме.

В связи с таким рисунком можно назвать крайние области — эмиттерными, а центральный переход — коллекторным.
Чтобы разобраться как работает тиристор стоит взглянуть на вольт-амперную характеристику.


К аноду тиристора подали небольшое положительное напряжение. Эмиттерные переходы включены в прямом направлении, а коллекторный в обратном. (по сути все напряжение будем на нем). Участок от нуля до единицы на вольт-амперной характеристике будет примерно аналогичен обратной ветви характеристики диода. Этот режим можно назвать — режимом закрытого состояния тиристора.
При увеличении анодного напряжения происходит происходит инжекция основных носителей в области баз, тем самым происходит накопление электронов и дырок, что равносильно разности потенциалов на коллекторном переходе. С увеличением тока через тиристор напряжение на коллекторном переходе начнет уменьшаться. И когда оно уменьшится до определенного значения, наш тиристор перейдет в состояние отрицательного дифференциального сопротивления (на рисунке участок 1-2).
После этого все три перехода сместятся в прямом направлении тем самым переведя тиристор в открытое состояние (на рисунке участок 2-3).
В открытом состоянии тиристор будет находится до тех пор, пока коллекторный переход будет смещен в прямом направлении. Если же ток тиристора уменьшить, то в результате рекомбинации уменьшится количество неравновесных носителей в базовых областях и коллекторный переход окажется смещен в обратном направлении и тиристор перейдет в закрытое состояние.
При обратном включении тиристора вольт-амперная характеристика будет аналогичной как и у двух последовательно включенных диодов. Обратное напряжение будет ограничиваться в этом случае напряжением пробоя.

Общие параметры тиристоров

1. Напряжение включения — это минимальное анодное напряжение, при котором тиристор переходит во включенное состояние.
2. Прямое напряжение — это прямое падение напряжения при максимальном токе анода.
3. Обратное напряжение — это максимально допустимое напряжение на тиристоре в закрытом состоянии.
4. Максимально допустимый прямой ток — это максимальный ток в открытом состоянии.
5. Обратный ток — ток при максимальной обратном напряжении.
6. Максимальный ток управления электрода
7. Время задержки включения/выключения
8. Максимально допустимая рассеиваемая мощность

Заключение

Таким образом, в тиристоре существует положительная обратная связь по току — увеличение тока через один эмиттерный переход приводит к увеличению тока через другой эмиттерный переход.
Тиристор — не полностью управляющий ключ. То есть перейдя в открытое состояние, он остается в нем даже если прекращать подавать сигнал на управляющий переход, если подается ток выше некоторой величины, то есть ток удержания.

Тиристорный ключ постоянного тока

радиоликбез

Описанный ниже тринисторный ключ постоянного тока может быть применен в различных устройствах, в частности в импульсных стабилизаторах напряжения постоянного тока.

 Управляют ключом путем подачи коротких импульсов положительной полярности на управляющий электрод тринисторов VS1 и VS2 (см. схему).

В исходном состоянии тринисторы закрыты, конденсатор С1 заряжен до напряжения питания Uпит через резистор R1. При поступлении включающего импульса тринистор VS2 открывается, напряжение питания поступает к нагрузке Rн и конденсатор С2 заряжается через резистор R1 до напряжения Uпит.

Выключающий импульс открывает тринистор VS1, и напряжение заряженного конденсатора С2 прикладывается к тринистору VS2 в обратной полярности. В результате он закрывается и отключает нагрузку от источника питания. Одновременно конденсатор C1 начинает разряжаться через катушку L1 и открытый тринистор VS1. Процесс в контуре L1C1 имеет колебательный характер из-за чего заряд конденсатора C1 изменяет знак на противоположный, и в некоторый момент, определенный собственной частотой контура, ток разрядки конденсатора начинает действовать в цепи тринистора VS1 встречно его анодному току. Как только ток через тринистор VS1 приближается к нулю, тринистор закрывается и конденсатор С1 перезаряжается через резиcтop R1. Ключ возвращается в исходное состояние.

Тринисторный ключ прост в управлении — он не требует разделительных цепей для связи управляющих электродов тринисторив с элементами импульсного стабилизатора напряжения или другого устройства, формирующего управляющие (включающие и выключающие) импульсы. Ключ имеет высокий (96…98%) КПД, так как потери мощности в нем кратковременны и происходят только в моменты зарядки конденсаторов С1, С2. Когда же тринисторы VS1, VS2 закрыты, потребление энергии практически отсутствует.

Работа ключа не нарушается при изменении порядка чередования включающих и выключающих импульсов Так, если первым откроется тринистор VS1, заряд конденсатора С1 обеспечивает его закрывание вследствие колебательного процесса в контуре L1C1 и ключ прилет в исходное состояние. Время включенного и выключенного состояния тринистора VS2, который коммутирует нагрузку, зависит от частоты и скважности управляющих импульсов.

Работоспособность описываемого тринисторного ключа проверена в широтно-импульсном стабилизаторе напряжения постоянного тока, питающем лампу накаливания мощностью 1000 Вт. Он обеспечивает стабильное среднее напряжение на лампе 110±3 В при изменении напряжения первичного источника питания от 110 до 160 В. Частота следования управляющих импульсов в стабилизаторе равна 64 Гц. Катушка L1 — без магнитопровода. Обмотка содержит 200 витков привода ПЭВ-1 0,75. Витки уложены в четыре стоя по 50 витков на каркасе квадратного сечения со стороной 25 мм. Изоляция между слоями — электрокартон толщиной 0.1 мм. Для уменьшения температуры резистора R1 он выбран с большим запасом по мощности (100 Вт). Номинальное напряжение конденсаторов С1, С2 нужно выбирать с учетом снижения допустимых норм при увеличении частоты коммутации ключа.

Б.Диченский

Простой тиристорный регулятор

Включение тиристоров — Энциклопедия по машиностроению XXL

Управление необходимо осуществлять узкими пачками высокочастотных импульсов, причем амплитуда и длительность каждого импульса должны обеспечить надежное включение тиристоров.  [c.75]

В схеме ИПИ-2 напряжение на накопителе достигает сравнительно высоких значений, поэтому в плечах выпрямителя-коммутатора применено последовательное соединение диодов и тиристоров. Управление последовательно включенными тиристорами в схемных зарядных устройств имеет некоторые особенности. Подача управляющих сигналов на открывание тиристоров обычно производится с помощью импульсного трансформатора с несколькими, по числу тиристоров, вторичными обмотками. Каждая из обмоток принимает потенциал катода тиристора, к которому она подключена. В последовательной цепочке на катодах потенциал возрастает от тиристора к тиристору, соответственно возрастает потенциал от обмотки к обмотке. Между крайними тиристорами и обмотками образуется разность потенциалов, почти равная полному напряжению, приложенному к последовательной цепочке тиристоров. Отсюда вытекает требование к конструкции импульсного трансформатора изоляция между его обмотками должна выдерживать полное напряжение на цепочке закрытых тиристоров.  [c.64]

Одной из особенностей, которую следует учитывать при разработке схем, является то, что системы управления работают в условиях сильных импульсных помех, возникающих как внутри самой установки, так и вне ее. Например, внутри установки помехи появляются в момент включения тиристоров зарядного и разрядного коммутаторов, при срабатывании блоков зажигания, во время зарядки и разрядки накопителя и т. п. Без принятия специальных мер по подавлению помех и повышению помехоустойчивости узлов системы управления оказываются практически неработоспособными.  [c.76]

На рис. 1.1 приведены схемы однофазных контактных машин. В машинах переменного тока коммутация тока первичной обмотки сварочного трансформатора ТС и плавное регулирование сварочного тока 1 производятся с помощью контактора К, который состоит из двух включенных антипараллельно тиристоров. Меняя угол включения тиристоров, в каждом полупериоде тока производят плавное изменение амплитуды и длительности импульсов сварочного тока.  [c.168]

Если в точках 1 подавать импульсы на включение тиристора VS1, анод которого находится под положительным потенциалом, а в точках 2 включать тиристор VS2, который может проводить ток, так как произошла смена полярности, то через нагрузку потечет переменный ток синусоидальной формы. Длительность этого тока определяется числом импульсов управления. После прекращения подачи импульсов на управляющие электроды тиристоров ток через трансформатор прерывается с окончанием проводимости последнего включенного тиристора.  [c.218]

Регулирование угла включения тиристоров осуществляется посредством управляющих импульсов, синхронизированных с частотой питающего напряжения. Угол включения при этом изменяется соответствующим сдвигом импульсов в зависимости от сигнала рассогласования. Сигнал рассогласования представляет собой разность двух напряжений напряжения задатчика R и напряжения обратной связи (от измерительного трансформатора).  [c.156]

Принципиально возможны два варианта схем включения тиристоров с силовым трансформатором на первичной и вторичной сторонах.  [c.162]

Включение тиристоров на вторичной стороне силового трансформатора позволяет совместить выполнение функций управляющих и выпрямительных элементов. Однако получение больших токов в нагрузке (10 кА и выше) требует параллельного включения большого числа тиристоров, что значительно снижает надежность, усложняет схему управления и повышает стоимость источника. В мощных источниках питания для размерной ЭХО регулирующий блок целесообразно устанавливать на первичной стороне силового трансформатора, а блок выпрямления собирать из неуправляемых вентилей [165].  [c.162]

При коммутации трехфазного трансформатора подключение каждой фазы к сети должно производиться с учетом направления намагничивания стержня данной фазы от предыдущего его намагничивания при включении других фаз. При использовании симметричных или несимметричных коммутаторов направление намагничивания стержней трансформатора может быть согласовано с последовательностью включения тиристоров. В этом случае схема управления должна обеспечивать необходимую последовательность импульсов запуска тиристоров коммутатора. Для обеспечения такой последовательности схема управления должна иметь запоминающие элементы.  [c.166]

Помимо метода замыкания цепи управления существует и другой метод включения тиристора — увеличение анодного напряжения при отключенной цепи управ-  [c.39]

Надежное включение тиристоров будет обеспечено, если реальные значения тока и напряжения управления будут выше показанных на рис. 19 минимальных граничных величин, т. е. внешние характеристики цепей  [c.43]

Помимо выпрямителей с регулировкой напряжения тиристорами, включенными во вторичную цепь силового трансформатора, применяются устройства, предусматривающие включение тиристоров в цепь первичной обмотки трансформатора. В этом случае в цепь вторичной обмотки трансформатора включают неуправляемые силовые вентили (рис. 20, б). Так как в автоматических катодных станциях и усиленных электродренажах используются понижающие трансформаторы, применение схемы с регулировкой напряжения тиристорами, включенными в первичную цепь, может дать определенные преимущества, связанные с отказом от устройств принудительного воздушного охлаждения. Подробнее методика проверки полупроводниковых приборов изложена ниже. Здесь можно только сказать, что отказ от вентиляторов в установках защиты от подземной коррозии требует, повышая в целом их надежность, определенного увеличения числа  [c.45]

К настоящему времени схемы с регулировкой напряжения тиристорами, включаемыми во вторичную цепь трансформатора, разработаны значительно полнее, чем схемы регулировки напряжения тиристорами, включаемыми в первичную цепь. Поэтому в серийно выпускаемых автоматических противокоррозионных установках в значительном большинстве случаев применяется первая схема включения тиристоров.  [c.46]

Таким образом, для работы выпрямительного регулируемого с помощью тиристоров блока автоматической катодной станции или усиленного электродренажа необходимо обеспечить включение тиристоров в строго определенные моменты времени, которые в свою очередь устанавливаются в зависимости от воспринимаемого сигнала — разности потенциалов между защищаемым сооружением и электродом сравнения. Система управления тиристорами может быть выполнена по горизонтальному или вертикальному принципу. При горизонтальном управлении система осуществляет сдвиг синусоиды питающей сети, а затем из нее при необходимости формируются импульсы управления. Сдвиг фазы напряжения, как правило, осуществляется с помощью фазовращателя. На рис. 21,а показана схема фазовращателя, где в цепь вторичной обмотки трансформатора цепи управления включены постоянная емкость и мостовой выпрямитель однофазного тока, который можно рассматривать как переменное активное сопротивление с величиной, определяемой напряжением сигнала С/вх-  [c.46]

Параллельно включенными тиристорами можно управлять как по отдельным каналам, так и от одного канала при параллельном включении цепей управления. Для выравнивания входных сопротивлений параллельно  [c.47]

Для снятия вольт-амперных характеристик тиристоров целесообразно иметь простейшие стенды, аналогичные тем, которые были описаны выше. Измерение времени включения тиристора, допустимой скорости нарастания прямого тока и времени выключения тиристора требует наличия специальной аппаратуры [4].  [c.48]

Задержка открытия тиристора — а применяется для измерения угла фазового управления — задержки по отношению к углу включения тиристоров, при котором получается максимальное выпрямленное напряжение. Среднее значение выпрямленного напряжения зависит от а и характера нагрузки. При чисто активной нагрузке кривая выпрямленного тока повторяет кривую выпрямленного напряжения. Задержка момента естественной коммутации на  [c.136]

Коммутация при помощи параллельно включенного конденсатора, разряжаемого посредством другого рабочего тиристора. Этот способ легко проследить на примере простейшего мультивибратора. Рассмотрим его подробнее. При протекании тока через тиристор Т1 (рис. 126, а) конденсатор С заряжается с указанной полярностью. После включения тиристора Т2 разряд конденсатора выключает тиристор В1. Затем конденсатор С перезаряжается до напряжения противоположной полярности, подготовляясь к выключению тиристора Т2. На рассматриваемом принципе построены параллельные инверторы.  [c.142]

Коммутация при помощи последовательного ЬС-контура, включенного последовательно с тиристором (рис, 126, в). При включении тиристора Т конденсатор С заряжается, причем анодный ток имеет синусоидальную форму. Выключение тиристора происходит благодаря естественному спаданию анодного тока (тока 1С-контура) до нуля. Резистор В необходим для разряда конденсатора к моменту очередного включения тиристора. Интервал проводимости тиристора равен половине периода собственных колебаний С-контура. С использованием рассмотренного принципа работают последовательные инверторы. Хотя такие инверторы отличаются повышенной устойчивостью к опрокидыванию, их применение ограничено резкой зависимостью напряжения на тиристорах и формы выходного напряжения от нагрузки.  [c.143]

Силовые кремниевые тиристоры предусматриваются ГОСТом на предельные токи от 10 до 1000 А. Тиристоры могут соединяться параллельно. Как и для неуправляемых диодов применяют индуктивные делители тока и выравнивающие резисторы. Задача распределения нагрузки между тиристорами несколько усложняется. При одновременной подаче отпирающего импульса на управляющие электроды параллельно соединенных тиристоров первым перейдет в открытое состояние тиристор, обладающий наименьшим временем включения, поэтому падение напряжения на нем и на параллельно включенных тиристорах снизится, что затрудняет включение остальных тиристоров. По прямому падению напряжения тиристоры делятся на группы  [c.148]

В большей части устройств тиристоры включаются подачей сигнала к управляющему электроду. Напряжение включения будет определяться допустимым током нагрузки вкд/ н (точки 1 -> 1 ) (типичное время включения около 10 мкс). При снятии тока управления ( у = 0) тиристор остается включенным. Для подачи сигнала управления используется ключ Къ который может быть полупроводниковым или магнитным. Отключение вентиля может быть произведено понижением напряжения до отк (точки 2 -> 2 ), после чего ток н будет н = /ут (точка 2 ). Как видно, зависимость выходных параметров ( н, / ) от входа /у имеет релейный характер. Снижение напряжения чаще всего достигается шунтированием тиристора источником импульса запирающего напряжения, цепь которого замыкается посредством ключа Кг-При этом время выключения вентиля / ыкл = 5ч-25 мкс. Ключ /Са выполняется бесконтактным (транзистор, вспомогательный тиристор) и др. В качестве источника запирающего напряжения используется обычно коммутирующий конденсатор С . При включенном тиристоре конденсатор заряжается через резистор При замыкании ключа Кг полярность на катоде тиристора меняется и он выключается. Емкость коммутирующего конденсатора приближенно подсчитывается по соотношению [19]  [c.159]

В канале регулирования скорости на вход элемента тах подаются все шесть сигналов от тахогенераторов, в канал ограничения по коммутации электродвигателей вводятся сигналы от первого и шестого тахогенераторов. Тормозной режим поддерживается воздействием сигнала рассогласования (разность между сигналом обратной связи и уставки) по регулируемым величинам на блок управления БУ устройства БА1, изменяющего угол включения тиристоров в цепи возбуждения тягового генератора. Тем самым требуемым образом регулируется ток возбуждения тягового генератора и электродвигателей. Максимальное открытие тиристоров — при нулевом. токе управления, закрытое состояние тиристоров — при наибольшем токе управления.  [c.207]

Такой автоколебательный режим называют еще режимом наибольшей отдачи в отличие от режима холостого хода. В режиме наибольшей отдачи через обмотку возбуждения течет наибольший ток, определяемый продолжительностью включения тиристора Т4 (в цепи ОВ нет дополнительных ограничивающих ток элементов). В режиме холостого хода через обмотку возбуждения течет наименьший ток, определяемый сопротивлением резистора Я6 (цепь ОВ замыкается через открытый транзистор ТЗ). Периодическое запирание Т4 в режиме автоколебаний позволяет обеспечить при необходимости возвращение в режим холостого хода с задержкой, не превышающей периода автоколебаний.  [c.192]

В проводящем направлении тиристор имеет прямое падение напряжения //пр несколько большее, чем у диодов. При номинальном токе /пр.ном, силовые тиристоры имеют //пр =0,7-т-1,4 в. Будучи включенным, тиристор остается в таком состоянии (при снятом сигнале управления) до тех пор, пока ток, протекающий через него, превышает величину тока /уд, называемого током удержания нли выключения.  [c.16]

Для обеспечения устойчивой работы инвертора при зарегулированном выпрямителе в преобразователе используется сглаживающий реактор с индуктивностью 3,5 мГн. Инвертор собран на 36 тиристорах по мостовой схеме. Для работы в преобразователе были отобраны тиристоры со временем восстановления не более 50 мкс. В каждом плече инвертора применено параллельное соединение трех ветвей по три последовательно включенных тиристора в каждой. Антипараллельпо каждому тиристорному плечу включено три последовательно соединенных диода типа ВК-2-200-7.  [c.214]

Т — собственно трансформатор а — угол включения тиристора X — угол работы тиристора fg — начало периода колебаний питающего напряжения / , /3 — время начала пропускания тока тиристами 2 — время окончания пропускания тока тиристорами и — окончание периода колебаний питающего напряжения i/2— питающее напряжение / — напряжение нагрузки /2 — сила тока нагрузки БФУ — блок фазового управления БЗ — блок задания — активная нагрузка ySl—yS2 — блок силовых тиристоров  [c.122]

Регулятор может устанавливаться как в первичной, так и во вторичной цепи трансформатора, поэтому его коммутирующие элементы VS я VS 2 должны иметь достаточную мощность. В этом качестве чаще всего используются силовые управляемые вентили — тиристоры. В состав регулятора входят также блок фазового управления (БФУ), формирующий импульсные сигналы для включения тиристоров, и блок задания (БЗ), с помощью которого настраива-  [c.122]

В схеме рис. 1.8,6 коммутатором является тлристор Д1. Схема запускается в момент подачи сигнала на включение тиристора. Поскольку тиристор проводит лишь в одном направлении, то Параллельно ему включают диод Д2, обеспечивающий прохождение отрицательной полуволны при колебательной разрядке формирующего конденсатора С1. Питание схемы осуществляется от источника постоянного напряжения. Зарядка С1 происходит через ограничительный резистор Яз. С повышением частоты запускающих импульсов может Наступить момент, когда С1 не будет успевать заряжаться до максимального напряжения к следующему циклу. В этом случае уменьшают постоянную времени зарядной цепи за счет уменьшения сопротивления Лз. Но это может привести к тому, что тиристор перестанет закрываться и будет находиться в открытом состоянии из-за подпитки через малое Rs (ток через Яз больше тока удержания тиристора). Для надежного закрывания тиристора в подобных случаях предусматривают цепочку принудительного запирания Lk k и включают ее параллельно тиристору. В момент отпирания тиристора возникают два процесса— разрядки С1 и перезарядки С . Пвре-полюсовка напряжения на Ск закрывает тиристор.  [c.16]

Помимо фазового, возможен потенциальный способ управления тиристорами. В этом случае в течение всего зарядного цикла на тиристоры подают постоянный управляющий потенциал, который приводит к открыва-Чнию тиристоров, как только полярность напряжения на анодах становится положительной. Здесь не требуется фазовой синхронизации с сетью, однако- передача длинных импульсов (доли и единицы секунд) через импульсный трансформатор на последовательно включенные тиристоры практически не осуще-. ствима.  [c.65]

Особенность применения тиристорных контакторов в стыковых машинах состоит в том, что в процессе сварки коэффициент мощности изменяется от 0,98 (режим оплавления) до 0,4 (режим короткого замыкания), тогда как в контактных точечных машинах можно заранее настроиться на требуемый со8ф. Поэтому при переключении напряжения в ходе оплавления угол включения тиристоров может не соответствовать текущему значению коэффициента мощности. В сварочной цепи возникают переходные процессы и сила тока может быть больше, чем при коротком замыкании. Для исключения аварийных ситуаций схема тиристорного регулятора напряжения должна предусматривать, чтобы угол включения вентилей в первый полупериод питающего напряжения находился в пределах 88 90″. При этом магнитный поток трансформатора должен быть близок к нулю и переходные процессы отсутствуют [1]. Ограничение области применения тиристорных контакторов в стыковых машинах обусловлено недостаточной мощностью серийных контакторов и трудностью охлаждения тиристоров в полевых условиях, особенно в зимний период.  [c.222]

Чтобы не превысить допустимой температуры структуры и не вывести ее из строя, для каждого типа тиристора при рдзных относительных длительностях управляющего сигнала строят кривые допустимой мощности цепи управления 1, 2. 3, 4). Для того чтобы не повредить кремниевой структуры, параметры управляющего сигнала должны находиться ниже и левее кривых 1, 2, 3 и 4 при данной относительной длительности сигнала в цепи управления. Вместе с тем значения тока и напряжения управления должны быть выше некоторых минимальных значений. Эти минимальные граничные значения показаны на рисунке в левой нижней части. Минимальные значения тока и напряжения управления существенно зависят от температуры монокристаллической структуры. При увеличении температуры для включения тиристора значения тока и напряжения цепи управления уменьшаются.  [c.43]

Время включения тиристоров зависит от времени, необходимого для восстановления его запирающих свойств в прямом направлении. По существу время выключения тиристора определяет предельную частоту его возможных включений. Время выключения тиристоров типа ВКДУ-150 находится в пределах 80—200 мксек.  [c.44]

Наличие контактных аппаратов усложняет эксплуатацию противокоррозионных защитных ухтановок. Включение тиристоров в первичные тени трансформаторов автоматических противокоррозионных защитных уетанойок позволяет полностью исключить контз ктные элементы в этих установках, так как обеспечивает снятие напряжения со схемы при возникновении коротких замыканий.  [c.73]

В схеме, изображенной на рис. 120, а используется встречнопараллельное включение тиристоров. Через один тиристор пропускается положительная полуволна переменного напряжения, через второй — отрицательная. Схема требует применения двух тиристоров на каждый ключ. Кроме того, тиристоры должны 226  [c.226]

Принципы построения систем управления и автоматического регулирования. Для работы выпрямителя на тиристорах необходимо их включение в определенные моменты времени. При этом должно соблюдаться о достаточной точностью равенство углов запаздывания (регулирования) плеч выпрямителя, иначе называемое симметрией углов а. Асимметрия углов регулирования приводит к неравномерной загрузке вентилей и фаз обмоток генератора, увеличению пульсаций и появлению их в выпрямленном токе обмоток генератора, увеличению пульсаций и появлению в выпрямленном токе трудно сглаживаемой низкочастотной составляющей, уменьшению к.п.д. выпрямителя, увеличению искажения первичного тока и сужению диапазона регулирования. Асимметрия углов регулирования особенно вредна в выпрямителе трехфазного тока в уравнительным реактором, где она вызывает его подмагничивание. Включение тиристоров постоянным током не обеспечивает необходимой симметрии углов а, приводит к излишнему рассеиванию мощности и нагреву вентиля вблизи управляющего электрода, поэтому его применение не рекомендуется. Также нецелесообразно с точки зрения симметрии углов регулирования включение синусоидальным током. Единственно приемлемым методом включения тиристоров является подача на управляющий электрод импульсов с достаточно крутым передним фронтом. Для выработки таких импульсов служат специальные системы, получившие название систеж зажигания. Ош же называются системами управления, системами включения тиристоров или просто генераторами импульсов.  [c.140]

Значение SPymax зависит от относительной длительности импульса управления. Для обеспечения надежного включения тиристоров в рабочем диапазоне температур система управления должна обеспечивать токи и напряжения, превышающие граничные значения. Поэтому внешняя характеристика системы управления не должна проходить через заштрихованную область на диаграмме управления, а может лишь касаться ее (прямая /). Значения тока и напряжения управления не могут быть и бесконечно большими. Они ограничены максимально допустимыми значениями средней мощности потерь, тока и напряжения в цепи управления. Поэтому внешняя характеристика 2 не должна пересекать кривую допустимой мощности, а может лишь касаться ее.  [c.146]

Меняя момент замыкания ключа Кг в каждый положительный полу пер иод напряжения питания, изменяют тем самым момент включения тиристора ig, а значит, и среднее за период значение напряжения на нагрузке и . Пренебрега,я током утечки через запертый тиристор и остаточным напряжением при его насыщении, получаем  [c.160]

Станции серии ТСУР изготовляются на напряжение питающей сети 200/380 В. Структурная схема станции дана на рис. 11.2. Коммутацию силовых цепей двигателя М обеспечивают силовые блоки БС, содержащие по два параллельно включенных тиристора. Управление-каждым силовых блоком осуществляет свой блок управления Б У подачей управляющих импульсов на тиристоры. Формирование заданного режима работы обеспечивают блоки режима БР, подавая дискретные команды на открытие тиристоров. Заданные значения частоты вращения двигателя и жесткости  [c.194]

Тиристорами называются управляемые полупроводниковые приборы — диоды. Диод благодаря полупроводниковым кристаллам обладает свойством односторонней проводимости тока. Тиристоры—более сложные управляемые диоды. Тиристорный силовой трансформатор (рис. 4.7) с повышенным магнитным рассеянием состоит из двух катушек — первичной обмотки 2 и вторичной 1. Для создания диапазона малых и средних токов служит реакторная воздушная дисковая обмотка 3, установленная в окне трансформатора в плоскости, параллельной его стержням. Тиристорный трансформатор имеет фазорегулятор, с помощью которого синусоидальные гармонические колебания переменного тока преобразовываются в знакопеременные импульсы , амплитуда и длительность которых зависят от угла (фазы) включения тиристоров фазорегулятора. Сейчас разработан ряд конструкций тиристорных трансформаторов, например серии ТДФЖ, в которых предусмотрены возможность автоматизации процесса сварки, программирование режима и т.п.  [c.54]

---

Тиристоры — обзор | Темы ScienceDirect

Характеристики переключения GTO немного отличаются от характеристик обычного тиристора, и по этой причине необходимо дать некоторые дополнительные пояснения. Характеристики включения GTO такие же, как у обычного тиристора, но их характеристики отключения значительно отличаются. Для понимания динамического поведения выключения GTO будет использована схема на рис. 10.41. Силовая цепь представляет собой преобразователь постоянного тока (прерыватель), где GTO используется как полупроводниковый переключатель, который включается и выключается таким образом, чтобы прерывать входное напряжение V _в , подавая его на клеммы R – L нагрузка.Это означает, что при включении и выключении GTO на клеммах нагрузки генерируется импульсное напряжение. К клеммам GTO подключена схема защиты (демпфер), состоящая из элементов D _s , R _s и C _s . Эта схема обеспечивает защиту переключателя GTO от возможных перенапряжений на анодных и катодных выводах.

Рисунок 10.41. Схема питания DC – DC преобразователя (прерывателя) ГТО.

Поперек клемм нагрузки установлен диод свободного хода, необходимый для протекания тока через индуктор при выключении GTO.L _L и L _S — это паразитные индуктивности нагрузки и схем защиты соответственно. Эти индуктивности вызваны проводкой и подключениями силовой цепи. Демпферная цепь снижает уровень напряжения dv / dt на выводах GTO (при переключении в состояние выключения), но улучшает характеристики переключения при выключении. Демпферная емкость C _s заряжается до входного напряжения V _в перед включением GTO. Конденсатор C _s заряжается через входной источник, V _в , и цепь цепи R – L – L _L –L _s –D _s –C _s .Когда GTO находится в состоянии проводимости, емкость C _s разряжается через демпферное сопротивление R _s и GTO, потребляя большую часть своей мощности на сопротивлении R _s . Когда GTO выключается, емкость снова заряжается до входного напряжения через цепь R – L – L _L –L _s –D _s –C _s с помощью резонансного тока (из-за емкость цепи и собственная индуктивность), что приводит к уменьшению значения dv / dt на клеммах GTO.

На рис. 10.42 представлены динамические характеристики переключения ГТО. Характеристики отключения ГТО отличаются от характеристик обычного тиристора (см. Рис. 3.6). Как показано на рис. 10.42, когда на GTO подается отрицательный ток затвора, анодный ток i _A начинает уменьшаться после времени задержки t _s (время хранения). В дальнейшем анодный ток требует определенного временного интервала t _f (время спада), чтобы упасть с 0,9 до 0,1I _A . Однако во время выключения GTO, когда его ток падает, а его напряжение растет, анодный ток имеет тенденцию течь через схему защиты и, следовательно, создавать через паразитную индуктивность L _s пик напряжения. (V _{AK (пик)} ), показанный на рис.10,42. Пик высокого напряжения слишком опасен, поскольку может вызвать локальный перегрев внутри полупроводникового прибора, который будет иметь катастрофические последствия (второй пробой). По этой причине всегда необходимо соблюдать осторожность, чтобы уменьшить паразитную индуктивность L _s схемы защиты. После пика напряжения V _{AK (пик)} анодное напряжение GTO повышается, создавая еще один пик напряжения (V _{AK (max)} , рис. 10.42), который является результатом резонансного контура L _s –C _s схемы защиты, заканчивая затем до напряжения источника, В _в .В течение периода перенапряжения анодный ток i _A , как показано на рис. 10.42, не достигает нулевого значения, но создает хвост I _tail , который длится в течение временного интервала t _tail . Задержка может быть уменьшена за счет уменьшения емкости конденсатора схемы защиты C _с . При уменьшении времени t _tail также уменьшаются потери мощности при выключении GTO, и, следовательно, преобразователь демонстрирует более высокий КПД по мощности. Выбор C _s должен быть сделан после компромисса между хвостовым временным интервалом и потерями в схеме защиты.При увеличении скорости нарастания тока затвора время перехода при выключении GTO уменьшается. Что касается рис. 10.42, время перехода при выключении GTO определяется следующим образом: t _off = t _s + t _f + t _tail .

Рисунок 10.42. Осциллограммы динамического переключения GTO.

Разница между транзистором и тиристором

Ключевые различия между транзистором и тиристором «SCR»

Переключатели очень широко используются в электротехнике и электронике.Транзистор и тиристор являются твердотельными устройствами, изготовленными из полупроводникового материала, то есть полупроводникового материала P-типа и N-типа. Они используются для превосходных и бесшумных операций переключения.

Оба устройства являются трехконтактными (трехполюсными) устройствами, имеющими высокую скорость переключения, малым весом и очень низкими требованиями к техническому обслуживанию. Они используются вместо электрохимических переключателей. Однако транзистор и тиристор совершенно разные, и каждый из них используется в своих областях применения.

Прежде чем перейти к списку различий между транзистором и тиристором, мы сначала обсудим их основы.

Транзистор

Транзистор представляет собой трехконтактное полупроводниковое устройство, используемое для переключения и усиления сигнала. Это трехслойный полупроводниковый прибор, состоящий из трех полупроводниковых слоев. В качестве слоев используются полупроводники разных типов, то есть N-типа и P-типа. Следовательно, транзисторы бывают двух типов: i.е. Транзисторы PNP и NPN. Тип транзистора зависит от его конструкции, а также влияет на тип основных носителей в нем.

Полезно знать: Название транзистора происходит от комбинации двух слов, например, Transfer и Resistance = Transistor . Другими словами, транзистор передает сопротивление от одного конца к другому. Короче говоря, транзистор имеет высокое сопротивление на входе и низкое сопротивление на выходе.

На следующем рисунке, приведенном ниже, показана структура и символическое представление транзистора.

Три вывода транзистора называются эмиттером, коллектором и базой. В транзисторе 2 p-n перехода. Эмиттер и коллектор изготовлены из материала одного типа. Однако коллектор сильно легирован по сравнению с эмиттером.

Если транзистор правильно смещен (подает сигнал затвора), он начнет передачу основных несущих от одного конца к другому.Однако стробирующий сигнал является непрерывным и не должен удаляться во время работы. Транзистор не проводит ток при отсутствии сигнала затвора.

Транзистор начинает проводить ток, когда переход база-эмиттер находится в прямом смещении, а переход коллектор-база находится в обратном смещении.

Транзисторы в основном используются для увеличения или усиления слабых сигналов, например, в аудиоусилителях, а также используются в качестве переключателей и т. Д.

Поскольку они используются только для переключения или усиления слабого сигнала, они предназначены для приложений с низким энергопотреблением и рассчитаны на в ваттах.Однако по размеру они довольно малы по сравнению с тиристором.

Связанные сообщения:

Тиристор

Тиристор или SCR представляет собой трехконтактное полупроводниковое устройство, используемое для переключения. Он также известен как SCR (кремниевый управляемый выпрямитель), потому что он может преобразовывать переменный ток в однонаправленный постоянный ток, мощностью которого можно управлять. Это четырехуровневое устройство, то есть PNPN.

Полезно знать: Слово «тиристор» образовано от сочетания двух слов i.е. Thyratron и Транзистор = Тиристор . Где тиратрон — это газонаполненное трубчатое устройство, используемое для управляющих выпрямителей и электрических переключателей большой мощности.

На следующем рисунке ниже показана конструкция и символическое изображение тиристора.

Три вывода тиристоров называются анодом, катодом и затвором. Есть 3 соединения P-N.

Тиристор — это фиксирующее устройство, то есть ему нужен только импульс запуска на мгновение, чтобы начать проводимость.Он не остановит проводимость, пока не прекратится поток заряда между анодом и катодом. После этого SCR потребуется еще один пусковой импульс для возобновления проводимости тока.

Поскольку тиристор не прекращает проводимость при снятии стробирующего сигнала, требуется дополнительная схема для отключения тиристора по команде.

Тиристор или тиристор в основном используется для управляемого выпрямления и для управления мощностью, подаваемой на любую нагрузку, например, для регулировки яркости ламп, регуляторов и управления двигателем.

Тиристоры используются для управления и контроля большой мощности, поэтому они рассчитаны на киловатты.и они больше по размеру по сравнению с транзистором.

Различия между транзистором и тиристором

В следующей сравнительной таблице показаны некоторые из основных различий между транзистором и тиристором.

Транзистор	Тиристор
Это трехслойный полупроводниковый прибор	Это четырехслойный полупроводниковый прибор.
Имеет 3 клеммы i.е. эмиттер, база и коллектор.	Он имеет 3 вывода: анод, затвор и катод.
Его можно использовать для усиления слабых сигналов, а также для переключения.	Он не может усилить какой-либо сигнал, но используется только для переключения.
Он имеет два типа в зависимости от его конструкции, то есть PNP и NPN.	Имеет только один тип в зависимости от конструкции PNPN.
Требуется непрерывный стробирующий сигнал для проведения.	Для начала проводимости требуется только запускающий импульс на затворе.
Транзистор сразу включается и выключается.	Тиристор имеет большое время включения и выключения.
Не требует схемы отключения.	Требуется дополнительная цепь отключения для прекращения проводимости по команде.
Выходной ток транзистора пропорционален его входному току.	Его цикл проводимости (подача питания) зависит от задержки запускающего импульса.
Транзистор имеет меньшее падение напряжения по сравнению с тиристором.	Имеет большое падение напряжения по сравнению с транзистором.
Внутренние потери мощности выше, чем у тиристора.	Внутренние потери мощности ниже по сравнению с транзистором.
Транзистор имеет сравнительно низкий КПД.	Имеет сравнительно более высокий КПД.
Это устройство с управлением по току, которое постоянно полагается на входной токовый сигнал.	Это фиксирующее устройство, которому для работы на мгновение требуется пусковой импульс.
Они имеют низкую выходную мощность, следовательно, имеют низкие номинальные мощности в ваттах.	Они контролируют высокую мощность с номинальной мощностью в киловаттах.
Они чувствительны и не выдерживают высоких импульсных токов.	Тиристоры предназначены для защиты от сильных скачков тока.
Они имеют небольшие размеры по сравнению с тиристорами.	Они имеют большие размеры по сравнению с транзисторами.
Транзисторы дешевле тиристоров.	Тиристор дороже транзистора.
Лучше всего подходит для высокочастотных и маломощных приложений.	Лучше всего подходит для низкочастотных и высокомощных приложений.
Используется для переключения и усиления сигналов.	Используется для переключения в основном в выпрямителях и приложениях управления мощностью.

Связанные сообщения:

Свойства и характеристики транзисторов и тиристоров

Следующие различные свойства различают как транзисторы, так и тиристоры, имеющие разные характеристики и применения.

Конструкция

По конструкции тиристор и транзистор отличаются друг от друга. Транзистор изготовлен из 3-х слоев чередующегося полупроводникового материала P-типа и N-типа. Поэтому транзисторы могут быть двух типов: PNP и NPN. С другой стороны, тиристор состоит из 4 слоев чередующегося полупроводникового материала P-типа и N-типа. Можно также сказать, что тиристор состоит из двух жестко связанных (PNP и NPN) транзисторов.

Клемма

Транзистор и тиристор являются трехконтактными устройствами i.е. это трехногие компоненты. Три вывода транзистора — это коллектор, база и эмиттер. Сигнал на клемме базы управляет током между коллектором и эмиттером.

В тиристоре три вывода — анод, затвор и катод. Импульс на выводе затвора запускает ток между анодом и катодом.

Работа

Транзистор начинает проводить проводимость, когда на его базовый вывод подается импульс. Однако для поддержания его в проводящем состоянии требуется постоянная подача базового сигнала.

Тиристор, с другой стороны, требует только мгновенного импульса затвора, чтобы зафиксировать устройство в состоянии проводимости.

Номинальное напряжение и ток

Номинальные значения напряжения и тока транзистора и тиристора зависят от его конструкции. Хотя это одна из многих особенностей, которые их различают. Тиристор обычно предназначен для работы при высоких номинальных напряжениях и токах по сравнению с транзистором.

Номинальная мощность

Мощность транзистора отличается от тиристора.Транзисторы имеют сравнительно очень низкую номинальную мощность в ваттах. В то время как тиристоры предназначены для работы и обработки высокой мощности в диапазоне киловатт кВт.

Обработка скачков тока

Транзисторы не обладают способностью выдерживать импульсные токи, поскольку они рассчитаны на низкий ток и могут выдерживать только небольшую скорость изменения тока. С другой стороны, тиристоры рассчитаны на большие импульсные токи.

Коммутационная схема

Как мы знаем, транзистор автоматически отключается и прекращает проводимость после удаления базового сигнала.Но тиристор остается в состоянии проводимости даже после снятия стробирующего сигнала.

Следовательно, тиристору требуется дополнительная схема коммутации для отключения тиристора по команде.

Связанные сообщения:

Внутренние потери

Существуют внутренние потери мощности как в транзисторе, так и в тиристоре. Но потери в транзисторе больше, чем в тиристоре. Следовательно, транзисторы имеют низкий КПД по сравнению с тиристорами.

Размер

Схема, состоящая из транзисторов и тиристоров, отличается друг от друга размерами.Транзисторы меньше по размеру, а тиристоры больше. Таким образом, схема на транзисторе будет более компактной и компактной по сравнению с схемой на тиристоре.

Стоимость

По стоимости схема на транзисторах дешевле схемы на тиристорах, поскольку транзисторы сравнительно меньше и дешевле.

Скорость переключения

Транзистор может очень быстро включаться и выключаться, имея очень высокую скорость переключения.Поэтому они идеально подходят для высокочастотного применения.

Тиристор не может переключаться так быстро, как транзистор. У них низкая скорость переключения, поэтому они не подходят для высокочастотных приложений.

Управление питанием

Поскольку тиристоры предназначены для передачи большого тока при высоких напряжениях. Они способны работать с очень большой мощностью. Таким образом, они лучше всего подходят для приложений с высокой мощностью.

Хотя транзистор работает при очень низком токе и напряжении, он не может работать с большой мощностью.Поэтому они используются для приложений с низким энергопотреблением.

Как усилитель

Усилитель — это устройство, которое преобразует слабые сигналы в большой сигнал. Транзистор можно использовать в качестве усилителя для слабого сигнала, в то время как тиристор не может выполнять такое усиление.

Похожие сообщения:

Разница между диодом и тиристором (со сравнительной таблицей)

Одно из важнейших различий между диодом и тиристором состоит в том, что диод представляет собой устройство с двумя выводами, используемое для выпрямления и переключения.В отличие от тиристора, это трехконтактное устройство, предназначенное для коммутации. Это создает основную разницу в их работе.

Мы знаем, что и диод, и тиристор являются полупроводниковыми устройствами, образованными комбинацией полупроводникового материала p- и n-типа. Однако существуют различные факторы, которые различают их.

Содержание: диод против тиристора

1. Сравнительная таблица
2. Определение
3. Ключевые отличия
4. Заключение

Сравнительная таблица

Основа для сравнения	Диод	Тиристор (SCR)
Символ
Тип устройства	Неуправляемое выпрямительное устройство (поскольку запускающий импульс не требуется).	Управляемое устройство включения (при необходимости запускающего импульса).
Количество слоев	2	4
Количество переходов	1	3
Количество выводов	2 (анод и катод)	3 (анод, катод и затвор)
Способность выдерживать нагрузку	Хорошо	Лучше
Рабочее напряжение	Низкое	Сравнительно высокое
Стоимость	Дешевле	Дороже
Вес	Легкий	Сравнительно тяжелый

Определение диода

Диод — это устройство с двумя выводами, образованное комбинацией полупроводникового материала p- и n-типа, которое допускает проводимость только в одном направлении.На практике говорят, что диод допускает проводимость только при прямом смещении и ограничивает прохождение тока при обратном смещении.

На приведенном ниже рисунке показан диод с прямым смещением p-n-перехода:

Первоначально, когда внешний потенциал не предусмотрен, тогда также основные носители обеих областей дрейфуют через соединение, чтобы объединиться. По прошествии определенного времени неподвижные ионы осаждаются по обе стороны от перехода, тем самым создавая область обеднения.

После образования обедненного слоя дальнейшее движение носителей заряда будет происходить только тогда, когда будет обеспечено внешнее смещение. Таким образом, при прямом смещении дырки и электроны со стороны p и n соответственно отталкиваются положительной и отрицательной клеммами батареи. Это уменьшает ширину обедненной области и уменьшает дрейф носителей через переход под действием внешнего потенциала.

Это движение носителей генерирует электрический ток через устройство, и направление потока тока будет противоположным направлению потока электронов.

На приведенном ниже рисунке показано состояние обратного смещения диода p-n-перехода:

Здесь мы можем ясно видеть, что область p подключена к отрицательной клемме, а область n подключена к положительной клемме батареи.

Итак, теперь большинство носителей заряда обоих регионов испытывают силу притяжения от клеммы аккумулятора. Это приводит к расширению обедненной области и, следовательно, потенциал барьера увеличивается.Таким образом, это не вызовет дальнейшего протекания тока через устройство.

Определение тиристора

Тиристор представляет собой 4-слойное устройство, образованное альтернативной комбинацией полупроводниковых материалов p- и n-типа. Это устройство, используемое для выпрямления и переключения. SCR — наиболее часто используемый член семейства тиристоров, и это название обычно используется, когда мы говорим о тиристорах. SCR также позволяет протекать току в одном направлении, и его действие контролируется внешним запускающим импульсом, подаваемым на его вывод затвора.

В основном SCR — это 4-х уровневое устройство в конфигурации P-N-P-N . Эта конфигурация создает 3 перехода в структуре тринистора. Давайте теперь вкратце разберемся, как в основном работает SCR:

Как мы уже обсуждали, работа тиристора во многом зависит от приложенного внешнего потенциала на выводе затвора. Итак, давайте разберемся в случае, когда на выводе затвора отсутствует какой-либо внешний потенциал, но между анодом и катодом приложено прямое напряжение.

Следовательно, как мы можем видеть на рисунке, показанном выше, между анодом и катодом прикладывается прямое напряжение, которое вызывает прямое смещение перехода J ₁ и J ₃ . Но при этом переход J ₂ будет обратносмещенным. Это приведет к образованию области истощения около ₂ юаней. Следовательно, через устройство не будет протекать прямой ток, и через него будет протекать только пренебрежимо малый ток утечки. Это состояние называется практически выключенным состоянием тиристора (SCR).

Теперь предположим, что никакой внешний потенциал затвора не применяется, но между анодом и катодом применяется обратный потенциал. Это смещающее устройство смещает в обратном направлении разветвление J ₁ и J ₃ , но смещает в прямом направлении разветвление J ₂ . Тем не менее, через устройство будет протекать только ток утечки.

Следовательно, мы можем сказать, что без потенциала затвора, тиристор не будет проводить ни в прямом, ни в обратном смещенном состоянии. Рассмотрим теперь случай, когда клемма затвора срабатывает с прямым потенциалом.Также между катодом и анодом имеется прямое напряжение.

Итак, в этом случае электроны, присутствующие в области n, испытывают отталкивание от отрицательной клеммы батареи. Это движение генерирует ток затвора через устройство. Также отверстия в p-области отталкиваются от положительного полюса батареи и дрейфуют через переход J ₂ , тем самым вызывая анодный ток.

Это регенеративное действие позволяет SCR вести тяжелую работу.Однако здесь следует отметить, что как только SCR начинает проводить, потенциал затвора больше не играет никакой роли в проводимости. И устройство продолжает находиться во включенном состоянии.

Ключевые различия между диодом и тиристором

1. Диод представляет собой двухслойное устройство , имеющее p- и n-области. А тиристор — это четырехслойный полупроводниковый прибор, образованный чередованием материалов p- и n-типа.
2. Из-за 2 слоев в диоде существует один переход в случае диода.Тогда как за счет 4 слоев тиристор имеет 3 перехода.
3. Диод — это 2 клемма устройства, а именно анод и катод. Но тиристор — это устройство с 3 контактами, из 3 контактов 2 являются анодом и катодом, а другой — затвором, который используется для внешнего запуска схемы.
4. Энергетическая способность тиристоров сравнительно лучше, чем у диодов.
5. Диоды демонстрируют низкое рабочее напряжение почти около 5000 В.В то время как рабочее напряжение составляет около 7000 В в случае тиристоров, что сравнительно выше, чем у диодов.
6. Диод — это такое устройство, которое не требует внешнего запускающего импульса для инициирования проводимости. А тиристору для работы схемы необходим внешний запускающий импульс.
7. Диоды на меньше дороже по сравнению с тиристорами.
8. Тиристоры сравнительно громоздки, чем диоды, .

Заключение

Итак, из приведенного выше обсуждения мы можем сказать, что хотя и диод, и тиристор являются полупроводниковыми приборами.Но работа этих двух устройств совершенно разная, поэтому они находят применение в разных областях.

Также диоды широко используются в выпрямительных схемах, ограничителях и фиксаторах, логических вентилях и в схемах умножителей напряжения. В то время как тиристоры широко используются в двигателях большой мощности, инверторах, в схемах управляемого выпрямления, синхронизации и схемах защиты от перенапряжения.

Разница между тиристором и транзистором (со сравнительной таблицей)

Тиристор — это полупроводниковое устройство, которое обладает высокими номинальными значениями напряжения и тока, а также способно выдерживать большую мощность.Напротив, транзистор не может обрабатывать большую мощность, эквивалентную мощности тиристора. Кроме того, ток и напряжение транзисторов также довольно низки. Таким образом, допустимая мощность отличает оба этих устройства.

Хотя тиристор и транзистор являются ключевыми устройствами для коммутационных приложений, тем не менее, из-за различий в характеристиках они имеют свои собственные области применения.

Еще одно различие между тиристором и транзистором, которое проявляется в его конструктивной особенности, состоит в том, что тиристор образован четырьмя слоями материала P-типа и N-типа, расположенными альтернативным образом.С другой стороны, транзистор формируется путем размещения слоя полупроводникового материала P-типа или N-типа между слоями материала N-типа и P-типа соответственно.

Теперь вы, должно быть, получили общее представление о различиях между тиристором , и транзистором . Но на этом различия не заканчиваются; Между вышеупомянутым четырехслойным и трехслойным устройством есть много другого различия. Мы обсудим все это с помощью таблицы сравнения .

Но прежде, чем я займусь сравнительной таблицей, давайте быстро взглянем на дорожную карту этой статьи.

Содержимое: тиристор против транзистора

1. Сравнительная таблица
2. Определение
3. Ключевые отличия
4. Заключение

Сравнительная таблица

Параметры	Тиристор	Транзистор
Определение	Тиристор — это четырехслойное полупроводниковое устройство, которое используется для выпрямления и переключения.	Транзистор представляет собой трехслойное полупроводниковое устройство, которое используется в основном для усиления и переключения.
Допустимая мощность	Больше по сравнению с транзистором.	Меньше по сравнению с тиристорами.
Номинальные значения тока и напряжения	Номинальные значения высокого тока и напряжения.	Низкие значения тока и напряжения
Внутренние потери	Меньше по сравнению с транзисторами.	Больше по сравнению с тиристорами.
Время включения и выключения	Требуется больше времени на включение и выключение.	На включение и выключение требуется меньше времени.
Стоимость	Дорого.	Это дешево и, следовательно, экономично для использования в нескольких приложениях.
Вес	Он громоздкий.	Он легкий.
Процедура запуска	Чтобы переключить его в состояние проводимости, достаточно всего одного импульса.	Ему необходим постоянный ток, чтобы поддерживать его в проводящем состоянии.
Высокочастотное применение	Не подходит.	Подходит
Применение с высокой мощностью	Подходит для приложений с высокой мощностью.	Не подходит для применения с большой мощностью.

Определение

Транзистор

Транзистор представляет собой полупроводниковое устройство, состоящее из трех выводов, которые являются эмиттером, базой и коллектором.Его можно использовать как усилитель или переключатель в зависимости от смещения перехода транзистора. Эмиттерный и базовый вывод составляют переход эмиттер-база , в то время как коллектор и базовый вывод составляют переход коллектор-база.

Вывод эмиттера сильно легирован и поэтому состоит из большого количества носителей заряда. Эти носители текут к коллектору через базовую область, и благодаря этому ток течет в транзисторе. Транзистор работает в трех областях активной области, области насыщения и области отсечки .

Характеристики активной области транзисторов используются для усиления слабого сигнала, в то время как характеристики области насыщения и отсечки транзисторов используются в коммутационных приложениях.

Тиристор

Тиристор состоит из четырех слоев полупроводникового материала. Он состоит из трех выводов: катод , анод и вывод затвора . Вывод затвора тиристора используется в качестве управляющего вывода.Тиристор переключается в состояние ВКЛ. путем подачи начального тока на транзистор, после чего он остается в состоянии ВКЛ.

Это похоже на два транзистора PNP и NPN, соединенных вместе через клемму база-коллектор. Коллектор PNP подключен к базе NPN, и, таким образом, транзистор NPN переключится в состояние ON, а коллектор NPN подключен к базе транзистора PNP. Таким образом, оба транзистора будут оставаться включенными при первоначальном запуске, подаваемом на транзистор PNP.

Ключевые различия между тиристором и транзистором

1. Номинальное напряжение и ток: Важнейшим свойством, которое создает большую разницу между тиристором и транзистором, являются номинальные значения напряжения и тока. Номинальные значения напряжения и тока тиристора высоки из-за его конструкции и конструкции, в то время как номинальное напряжение и ток транзистора низкие по сравнению с тиристором.
2. Допустимая мощность: Допустимая мощность тиристора и транзистора отличается друг от друга.Тиристоры обладают большей мощностью, чем транзисторы. Номинальная мощность тиристоров всегда составляет кВт (киловатт) и , тогда как мощность транзистора всегда составляет Вт (ватт).
3. Конструирование: Тиристор и транзистор имеют разную конструкцию. Тиристор образован четырьмя слоями полупроводникового материала, в котором материал P-типа и материал N-типа соединены альтернативным способом, в то время как транзистор образован путем соединения трех слоев полупроводников.
4. Вывод: Тиристор и транзистор имеют по три вывода, но три вывода транзисторов — это эмиттер, база и коллектор, а три вывода тиристоров — это катод, анод и вывод затвора. Тиристор состоит из управляющего терминала, то есть терминала затвора, в то время как транзисторы не требуют никакого управляющего терминала.
5. Внутренние потери: Тиристоры обладают меньшими внутренними потерями по сравнению с транзисторами. Внутренние потери в устройстве снижают его эффективность.Таким образом, тиристоры считаются намного более эффективными, чем транзисторы, в случае применения с большой мощностью.
6. Размер схемы: Размеры тиристорной и транзисторной схемы также отличаются друг от друга. Схема тиристора более громоздка, чем схема транзистора. Таким образом, если вам нужна небольшая схема для высокочастотного применения, вам необходимо использовать силовые транзисторы, потому что силовые транзисторы малы по размеру.
7. Стоимость схемы: Силовые транзисторы небольшие и дешевые.Таким образом, схемы, в которых используется силовой транзистор, будут дешевле, чем схемы, использующие тиристоры.
8. Требование схемы коммутации: Схема коммутации не требуется в случае транзистора, в то время как она требуется в случае тиристора, что делает тиристорную схему громоздкой.
9. Время включения и выключения : Транзистор можно выключить немедленно, но тиристор нельзя выключить мгновенно. Таким образом, тиристоры обладают большим временем выключения, что не подходит для высокочастотных приложений.Более того, транзистор может включаться быстрее, чем тиристор. Поэтому транзисторы предпочтительнее тиристоров для высокочастотного переключения.
10. High Power Application: Тиристоры из-за своей высокой допустимой мощности считаются лучшими для приложений высокой мощности. Напротив, транзистор используется для приложений с низким энергопотреблением.
11. Запуск: Запуск, необходимый для тиристора, представляет собой одиночный импульс, и после подачи питания он остается в состоянии проводимости.Напротив, транзисторам требуется постоянная подача тока, чтобы поддерживать их в состоянии проводимости.

Заключение

Тиристор и транзистор, оба являются переключающими устройствами, но тиристор не подходит для высокочастотного применения, а транзистор не подходит для применения с высокой мощностью. В высокочастотных приложениях мы должны использовать транзистор из-за его небольшого времени включения , и выключения. Но в приложениях большой мощности следует использовать тиристоры из-за их высокой пропускной способности по току.

Что делать, если вы будете использовать тиристор для высокочастотного переключателя? Это приведет к снижению эффективности полученной схемы. Таким образом, мы можем использовать устройства в соответствующем приложении только тогда, когда мы знакомы с различиями между ними.

Разница между транзистором и тиристором (со сравнительной таблицей)

И транзистор, и тиристор относятся к типу полупроводниковых устройств. Но существуют некоторые факторы, которые их различают.Ключевое различие между транзистором и тиристором заключается в том, что транзистор представляет собой трехслойное устройство, которому для обеспечения проводимости требуется регулярный импульс тока.

Напротив, тиристор — это 4-слойное устройство, которому нужен только один запускающий импульс для инициирования и поддержания проводимости.

И транзистор, и тиристор представляют собой 3 оконечные устройства. Но три контакта транзистора — это эмиттер, база и коллектор, а у тиристора — анод, катод и затвор.

В следующем разделе этой статьи вы получите представление о других важных различиях между ними. Но перед этим ознакомьтесь с содержанием, которое будет обсуждаться здесь.

Содержание: транзистор против тиристора

1. Сравнительная таблица
2. Определение
3. Ключевые отличия
4. Заключение

Сравнительная таблица

Параметр	Транзистор	Тиристор
Basic	Это трехслойное устройство, используемое для усиления.	Это 4-х слойное устройство, используемое для ректификации.
Количество стыков	Имеет 2 стыка.	Состоит из 3 узлов.
Срабатывание устройства	Для обеспечения правильной проводимости устройства на него должен подаваться постоянный импульс тока.	Для запуска и поддержания проводимости требуется одиночный запускающий импульс в исходном состоянии.
Номинальная мощность	Номинальная мощность указывается в ваттах.	Его рейтинг в киловаттах.
Стоимость	Низкая стоимость	Достаточно дороже транзистора.
Размер	Маленький по размеру и менее громоздкий.	Он имеет сравнительно больший размер, поэтому более громоздкий, чем транзистор.
Номинальный ток	Обладает низким номинальным током.	Номинальный ток для тиристора сравнительно высокий.
Время включения	Включается быстрее тиристора.	Этому устройству требуется больше времени для включения.
Схема коммутации	Не требуется	Требуется
Потери мощности	Показывает большие потери мощности.	В случае тиристора потери мощности сравнительно ниже, чем у транзистора.
Пригодность для приложений	Подходит для высокочастотных приложений, но не для приложений с высокой мощностью	Подходит для приложений с высокой мощностью, но не для высокочастотных приложений.

Определение транзистора

Транзистор — это устройство из полупроводникового материала, состоящее из 3 слоев и 3 выводов. Слово транзистор является объединением двух разных слов, которые: tran sfer и re sistor . Это просто определяет работу транзистора. Это устройство, которое передает сопротивление из одной области в другую, чтобы обеспечить проводимость, тем самым усиливая сигнал.

В основном, кремний и германий являются полупроводниковыми материалами, которые используются для изготовления транзисторов.

Здесь мы можем видеть символическое изображение транзистора:

Транзисторы в основном классифицируются как транзисторы NPN и PNP. Эта классификация полностью зависит от типа используемого материала и связанных с ним основных носителей заряда, ответственных за проводимость.

На рисунке ниже представлен NPN-транзистор со смещением:

Здесь мы можем ясно видеть, что транзистор представляет собой устройство с 2 pn переходом. Три вывода транзистора — это эмиттер, база и коллектор.

Когда на устройство подается надлежащее смещение, большинство носителей заряда перетекают от одного конца к другому, что в результате вызывает проводимость.

Поскольку мы рассмотрели здесь NPN-транзистор, то основными носителями заряда, ответственными за протекание тока здесь, являются электроны.

Итак, когда прямое напряжение прикладывается к переходу эмиттер-база транзистора, электроны из области эмиттера дрейфуют через область базы после преодоления барьерного потенциала этого перехода.

Достигнув тонкой базовой области, где основными носителями являются дырки, только некоторые из электронов объединяются с дырками, а остальные перемещаются к области коллектора. Затем большинство носителей заряда собираются на коллекторе.

Благодаря этому движение происходит через устройство, и ток течет от коллектора к эмиттеру (противоположно направлению потока электронов) через транзистор.

Определение тиристора

Тиристор — это полупроводниковый прибор, состоящий из 4 слоев и 3 выводов.Тиристор представляет собой объединение слов тир атрон и транс истор . Поскольку он выполняет выпрямление как тиратрон и управление как транзистор.

Это в основном альтернативное расположение полупроводниковых материалов p- и n-типа; это ясно показано на рисунке ниже:

Также на рисунке ниже показано символическое изображение тиристора:

Тиристор — это устройство, которое начинает проводить ток только тогда, когда на его вывод подается импульс запуска затвора.Когда прямое или обратное напряжение подается на устройство без какого-либо импульса запуска строба, устройство не проводит.

Необходимо подать напряжение прямого затвора для запуска и поддержания проводимости через тиристор.

На рисунке ниже представлена ​​схема смещения тиристора:

Здесь прямое напряжение подается на анод относительно катода. Кроме того, вывод затвора смещен в прямом направлении относительно катода.

Это вызывает прямое смещение всех трех переходов, поэтому основные носители начинают дрейфовать от эмиттера к области коллектора.Если потенциал затвора не приложен, то промежуточный переход останется в состоянии обратного смещения и блокирует поток носителей.

Как только приложенный потенциал затвора смещает вперед средний переход, это позволяет непрерывно протекать ток. Даже после снятия импульса запуска затвора устройство продолжает вести себя за счет кумулятивного действия.

Ключевые различия между транзистором и тиристором

1. Транзистор может выдерживать только небольшую выходную мощность , следовательно, он измеряется в ваттах.В то время как тиристор демонстрирует лучшую способность управлять большой мощностью, чем транзистор, он оценивается в киловаттах.
2. Транзистор состоит из 3 слоев, а именно npn или pnp, а тиристор состоит из 4 слоев, то есть pnpn.
3. Когда в электронных схемах используются силовые транзисторы, это снижает общую стоимость системы. Тогда как использование тиристоров в схемах увеличивает стоимость. Тем самым делая это дорого.
Транзистор
4. не имеет характеристики емкости импульсного тока . , таким образом, способен выдерживать только небольшую скорость изменения тока.В отличие от этого, тиристор демонстрирует характеристику импульсного тока и, следовательно, может выдерживать сравнительно высокую скорость изменения тока, чем транзистор.
5. Транзистор включается быстро, поэтому время включения у него быстрее, чем у тиристора.
Схема транзистора
6. не требует схемы коммутации . Однако в случае тиристорной коммутации схема не требуется.
7. Внутренние потери мощности в случае, если транзистор больше по сравнению с тиристором.
Транзисторы
8. подходят для высокочастотных приложений, но не для приложений с высокой мощностью. Напротив, тиристоры подходят для приложений с большой мощностью, но не для высокочастотных приложений.

Заключение

Итак, из приведенного выше обсуждения мы можем сделать вывод, что и транзистор, и тиристор имеют свои собственные преимущества в своих соответствующих приложениях. Но тиристор несколько более надежен, чем транзистор.

ProTek Devices — Тиристоры

инженерных решений

Основные характеристики

Тиристорные устройства подавления перенапряжения

ProTek предназначены для защиты телекоммуникационного оборудования от молний и переходных процессов, вызванных линиями электропередачи переменного тока. Эти устройства идеально подходят для использования в оборудовании центрального офиса, PBX, DSU, OCU, цифровых телефонах, факсах, модемах и радиоуправляемом оборудовании.

Тиристоры предлагаются в двунаправленной конфигурации. Дискретный корпус для поверхностного монтажа позволяет индивидуально размещать устройство на печатных платах или в других местах, где многокомпонентные устройства не обеспечивают универсальной компоновки дорожек на плате.

Эти устройства обеспечивают защиту в соответствии с отраслевыми стандартами защиты, такими как FCC Part 68, ANSI C62.41, UL 1459 и GR-1089-CORE. Кроме того, тиристоры ProTek разработаны в соответствии с требованиями к невосприимчивости к EFT IEC 61000-4-4 (40 А, 5/50 нс) и требованиям к устойчивости к скачкам напряжения (питание, линия на землю и линия на линию) IEC 61000-4-5 (уровни зависят от по серии продуктов).

• Максимальный импульсный ток
• Низкая емкость
• Пиковое напряжение в закрытом состоянии от 25 до 300 В
• Защита от электростатического разряда
• Соответствует RoHS и REACH

Серия продуктов	Описание
Серия PP-SM	Тиристорный ограничитель перенапряжения
ПСМП30-240	Тиристорный ограничитель перенапряжения
TRV24-2LC	Рулевой диод со сверхнизкой емкостью / Тризорная матрица
TRV24-4LC	Матрица управляющих диодов / тиристоров сверхнизкой емкости

Объем рынка тиристоров

в 2021 году: 3.6% CAGR с данными ведущих стран, драйверами, проблемами, долей, отраслевым анализом по ведущим производителям, аналитическими данными о росте и прогнозами до 2026 года | Последний отчет из 147 страниц

Отдел новостей MarketWatch не участвовал в создании этого контента.

24 августа 2021 г. (Expresswire) — Рост спроса: от 899,6 млн долларов США. В 2020 году «Рынок тиристоров » в 2021 году будет регистрировать среднегодовой темп роста выручки 3,6%. В течение следующих пяти лет, а размер мирового рынка достигнет 1155.5 миллионов долларов США к 2026 году. Высокий спрос на тиристоры, которые используются в различных приложениях, таких как промышленный сектор, гражданский сектор и другие, будет стимулировать рынок тиристоров. Отчет об исследованиях содержит ключевой анализ состояния рынка производителей тиристоров с лучшими фактами и цифрами, значениями, определениями, SWOT-анализом, мнениями экспертов и последними разработками по всему миру. Отчет распространяется на 147 страницах, а также рассчитывает размер рынка. , Продажи, цена, доход, валовая прибыль и доля рынка, структура затрат, темпы роста и просматривать таблицы данных и цифры с подробным ТОС на рынке тиристоров.

Какое влияние COVID-19 оказал на мировой рынок тиристоров?

Внезапная вспышка пандемии COVID-19 привела к введению строгих правил изоляции в нескольких странах, что привело к сбоям в импорте и экспорте тиристоров.

COVID-19 может повлиять на мировую экономику тремя основными способами: путем прямого воздействия на производство и спрос, путем нарушения цепочки поставок и рынка и финансового воздействия на фирмы и финансовые рынки.Наши аналитики, отслеживающие ситуацию по всему миру, объясняют, что рынок создаст перспективу прибыльности для производителей после кризиса COVID-19. Отчет призван предоставить дополнительную иллюстрацию последнего сценария, замедления экономического роста и влияния COVID-19 на отрасль в целом.

Заключительный отчет добавит анализ воздействия COVID-19 на эту отрасль.

ЧТОБЫ ПОНЯТЬ, КАК В ДАННОМ ОТЧЕТЕ РАССМАТРИВАЕТСЯ ВОЗДЕЙСТВИЕ COVID-19 — ЗАПРОСИТЕ ОБРАЗЕЦ

Отчет о рынке тиристоров предназначен для включения как качественных, так и количественных аспектов отрасли в отношении каждого из регионов и стран, участвующих в изучение.В этом отчете также представлен сбалансированный и подробный анализ текущих тенденций в области тиристоров, возможностей / областей быстрого роста, драйверов рынка тиристоров, которые помогут инвесторам разработать и согласовать свои рыночные стратегии в соответствии с текущей и будущей динамикой рынка.

Получите образец отчета в формате PDF — https://www.360researchreports.com/enquiry/request-sample/18088601

Кто являются ведущими игроками на мировом рынке тиристоров?

● Infineon
● ON Semiconductor
● Mitsubishi Electric
● STMicroelectronics
● Vishay
● Renesas Electronics
● Littelfuse
● Fuji Electric
● Toshiba
● JieJie Microelectronics ● JieJie Microelectronics ● 9057-3 ● ABB
● SanRex

Краткое описание о рынке тиристоров 2021:

Тиристор — это твердотельное полупроводниковое устройство, состоящее из четырех слоев чередующихся материалов p-типа и N.Тиристор с тремя выводами разработан для управления большим током с помощью двух своих выводов путем комбинирования тока с током меньшего тока от другого вывода, известного как контрольный вывод. Двухпроводный тиристор используется для переключения, если разность потенциалов между его выводами велика. Тиристор также известен как кремниевый выпрямитель. Он используется для управления элементами в контроллерах, запускаемых по углу фазы, которые также известны как контроллеры с фазовым запуском. Он также может использоваться для низких потерь проводимости Bjt, это поможет удовлетворить потребность в текущей электрической системе.

Концентрация отрасли высока, основные производственные предприятия сосредоточены в Европе, США и Японии. Infineon, ON Semiconductor, Mitsubishi Electric, STMicroelectronics занимают доминирующее положение на мировом рынке, формируя первый эшелон рыночной конкуренции тиристоров в мире. Из основных поставщиков тиристоров Infineon Technologies снова сохранила первое место в рейтинге в 2017 году. На долю Infineon Technologies AG приходилось 18,59% мирового рынка выручки от тиристоров в 2017 году.На других игроков приходилось 9,26%, 5,71% и 5,35%, включая ON Semiconductor, STMicroelectronics и STMicroelectronics, соответственно.

Анализ мирового рынка тиристоров и аналитическая информация:

В 2021 году, из 899,6 млн долларов США в 2020 году, объем рынка тиристоров достигнет 1155,5 млн долларов США к концу 2026 года, при этом среднегодовой темп роста 3,6% в течение 2021-2026 годов.

Объем и сегментация рынка тиристоров:

Рынок тиристоров сегментирован по типу и применению.Игроки, заинтересованные стороны и другие участники глобального рынка тиристоров смогут получить преимущество, поскольку они используют отчет как мощный ресурс. Сегментный анализ фокусируется на производственных мощностях, выручке и прогнозе по типам и приложениям на период 2016-2027 гг.

Получить образец отчета о рынке тиристоров за 2021 год

Рынок тиристоров в 2021 году сегментирован по типу продукта и применению. Каждый сегмент тщательно анализируется для изучения его рыночного потенциала.Все сегменты подробно изучаются на основе размера рынка, CAGR, доли рынка, потребления, выручки и других важных факторов.

Какой сегмент продукции, как ожидается, получит наибольшее распространение на рынке тиристоров?

В зависимости от продукта рынок тиристоров делится на однонаправленные тиристоры, двунаправленные тиристоры и другие. Сегмент тиристоров доминировал на рынке тиристоров в 2021 году. Ожидается, что рост продаж и запуск новых продуктов будут стимулировать рост сегмента.

Каковы ключевые факторы развития рынка тиристоров?

Растущее использование тиристоров в промышленном секторе, гражданском секторе и других отраслях промышленности стимулирует рост рынка тиристоров во всем мире.

Какие регионы, как ожидается, будут доминировать на рынке тиристоров?

● Северная Америка (США, Канада и Мексика) ● Европа (Германия, Великобритания, Франция, Италия, Россия и Турция и т. Д.) ● Азиатско-Тихоокеанский регион (Китай, Япония, Корея, Индия, Австралия, Индонезия, Таиланд, Филиппины , Малайзия и Вьетнам) ● Южная Америка (Бразилия, Аргентина, Колумбия и др.)) ● Ближний Восток и Африка (Саудовская Аравия, ОАЭ, Египет, Нигерия и Южная Африка)

Этот отчет по исследованию и анализу рынка тиристоров содержит ответы на следующие вопросы

● Какая технология производства используется для тиристоров? Какие разработки происходят в этой технологии? Какие тенденции вызывают эти изменения? ● Кто являются ключевыми игроками на этом рынке тиристоров? Каков профиль их компании, информация о продукте и контактная информация? ● Каков был статус рынка тиристоров на мировом рынке? Каковы были мощность, производственная стоимость, стоимость и прибыль рынка тиристоров? ● Каково текущее состояние рынка тиристорной промышленности? Какова рыночная конкуренция в этой отрасли, как в компании, так и в стране? Что такое рыночный анализ рынка тиристоров с учетом приложений и типов? ● Каковы прогнозы мировой индустрии тиристоров с учетом мощности, производства и стоимости производства? Какова будет оценка затрат и прибыли? Что будет с долей рынка, предложением и потреблением? А как насчет импорта и экспорта? ● Что такое анализ цепочки рынка тиристоров по добывающим и перерабатывающим отраслям? ● Какое экономическое влияние на тиристорную промышленность? Каковы результаты анализа глобальной макроэкономической среды? Каковы глобальные тенденции развития макроэкономической среды? ● Какова динамика рынка тиристоров? Какие проблемы и возможности? ● Какими должны быть стратегии выхода на рынок, меры противодействия экономическому воздействию и маркетинговые каналы для индустрии тиристоров?

Если у вас есть какие-либо вопросы по этому отчету или вы ищете какой-либо конкретный сегмент, приложение, регион или любые другие пользовательские требования, тогда свяжитесь с экспертом для настройки отчета.

Узнайте больше и поделитесь вопросами, если таковые имеются, перед покупкой в ​​этом отчете по адресу — https://www.360researchreports.com/enquiry/pre-order-enquiry/18088601

Основные моменты из содержания:

Отчет об исследовании мирового рынка тиристоров 2021-2026 гг., По производителям, регионам, типам и областям применения

1 Охват исследования
1.1 Введение в тиристоры 1.3 Рынок по приложениям
1.3.1 Темпы роста размера мирового рынка тиристоров по приложениям
1.4 Цели исследования
Рассмотрение на 1,5 года

2 Мировое производство тиристоров
2.1 Глобальное производство тиристоров (2016-2026)
2.2 Глобальное производство тиристоров по регионам : 2016 VS 2021 VS 2026
2.3 Мировое производство тиристоров по регионам
2.3.1 Глобальное историческое производство тиристоров по регионам (2016-2021)
2.3.2 Глобальное прогнозируемое производство тиристоров по регионам (2021-2026)

3 Мировые продажи тиристоров в оценках и прогнозах объемов и стоимости
3.1 Оценки и прогнозы мировых продаж тиристоров на 2016-2026 гг.
3.2 Глобальные оценки и прогнозы доходов от тиристоров на 2016-2026 гг.
3.3 Глобальные доходы от тиристоров по регионам: 2016 VS 2021 VS 2026
3.4 Мировые крупнейшие регионы по продажам тиристоров
3.4.1 Глобальные основные регионы тиристоров по продажам (2016-2021)
3.4.2 Мировые ведущие регионы тиристоров по продажам (2021-2026)
3.5 Мировые ведущие регионы тиристоров по выручке
3.5.1 Мировые ведущие регионы тиристоров по доходам (2016-2021)
3.5.2 Глобальные Ведущие тиристорные регионы по выручке (2021-2026)
3.6 Северная Америка
3,7 Европа
3,8 Азиатско-Тихоокеанский регион
3,9 Латинская Америка
3,10 Ближний Восток и Африка

4 Конкуренция производителей
4.1 Мировые поставки тиристоров производителями
4.1.1 Крупнейшие мировые производители тиристоров по производственной мощности (2020 VS 2021)
4.1.2 Крупнейшие мировые производители тиристоров по объему производства (2016-2021)
4.2 Мировые продажи тиристоров по производителям
4.2.1 Мировые ведущие производители тиристоров по продажам (2016-2021)
4.2.2 Доля крупнейших мировых производителей тиристоров по продажам (2016-2021)
4.2.3 Мировая топ-10 и топ-5 компаний по продажам тиристоров в 2020 году
4.3 Мировая выручка от производителей тиристоров
4.3.1 Мировые крупнейшие производители тиристоров по выручке (2016- 2021)
4.3.2 Доля крупнейших мировых производителей тиристоров по выручке (2016-2021)
4.3.3 Мировая топ-10 и топ-5 компаний по выручке от тиристоров в 2020 году
4,4 Мировая цена продажи тиристоров по производителям
4,5 Анализ конкурентной среды
4.5.1 Коэффициент концентрации рынка производителей (CR5 и HHI)
4.5.2 Доля мирового рынка тиристоров по типу компании (уровень 1, уровень 2 и уровень 3)
4.5.3 Глобальное географическое распределение производителей тиристоров
4.6 Слияния и поглощения, планы расширения

Получите образец отчета о рынке тиристоров за 2021 год

5 Объем рынка по типу
5.1 Глобальные продажи тиристоров по типу
5.1.1 Глобальные продажи тиристоров по типу (2016-2021)
5.1.2 Прогнозируемые мировые продажи тиристоров по типам (2021-2026)
5.1.3 Доля мирового рынка тиристоров по типам (2016-2026)
5.2 Мировая выручка от тиристоров по типам
5.2.1 Мировая историческая выручка от тиристоров по типам (2016-2021)
5.2.2 Глобальная прогнозируемая выручка от тиристоров по типу (2021-2026)
5.2.3 Глобальная доля рынка тиристоров по типу (2016-2026) 2021)
5.3.2 Глобальный прогноз цен на тиристоры по типу (2021-2026)

6 Объем рынка по приложениям
6.1 Глобальные продажи тиристоров по приложениям
6.1.1 Исторические глобальные продажи тиристоров по приложениям (2016-2021)
6.1.2 Глобальные прогнозируемые продажи тиристоров по приложениям (2021-2026)
2026)
6.2 Глобальный доход от тиристоров по приложениям
6.2.1 Глобальный исторический доход от тиристоров по приложениям (2016-2021)
6.2.2 Глобальный прогнозируемый доход от тиристоров по приложениям (2021-2026)
6.2.3 Доля мирового рынка доходов от тиристоров по приложениям (2016-2026)
6.3 Глобальная цена на тиристоры по приложениям
6.3.1 Глобальная цена на тиристоры по приложениям (2016-2021)
6.3.2 Глобальный прогноз цен на тиристоры по приложениям (2021-2026)

7 Потребление тиристоров по регионам
7.1 Глобальное потребление тиристоров по Регионы
7.1.1 Глобальное потребление тиристоров по регионам
7.1.2 Доля мирового рынка потребления тиристоров по регионам
7.2 Северная Америка
7.2.1 Потребление тиристоров в Северной Америке по приложениям
7.2.2 Потребление тиристоров в Северной Америке по странам
7.2.3 США
7.2.4 Канада
7.2.5 Мексика
7.3 Европа
7.3.1 Потребление тиристоров в Европе по приложениям
7.3.2 Потребление тиристоров в Европе по странам
7.3.3 Германия
7.3.4 Франция
7.3.5 Великобритания
7.3.6 Италия
7.3.7 Россия
7.4 Азиатско-Тихоокеанский регион
7.4.1 Азиатско-Тихоокеанский регион Потребление тиристоров приложениями
7.4.2 Азиатско-Тихоокеанский регион Потребление тиристоров по странам
7.4.3 Китай
7.4.4 Япония
7.4.5 Южная Корея
7.4.6 Индия
7.4.7 Австралия
7.4.8 Индонезия
7.4.9 Таиланд
7.4.10 Малайзия
7.4.11 Филиппины
7.4.12 Вьетнам
7.7 Центральная и Южная Америка
7.7.1 Центральная и Южная Америка Потребление тиристоров приложениями
7.7.2 Центральная Потребление тиристоров в странах и Южной Америке
7.7.3 Бразилия
7.7 Ближний Восток и Африка
7.7.1 Ближний Восток и Африка Потребление тиристоров по приложениям
7.7.2 Потребление тиристоров в странах Ближнего Востока и Африки
7.7.3 Турция
7.7.4 Страны ССЗ
7.7.5 Египет
7.7.6 Южная Африка

Получите образец отчета в формате PDF — https://www.360researchreports.com/enquiry/request-sample/18088601

12 Корпоративные профили
12.1.1 Информация о компании
12.1.2 Обзор компании
12.1.3 Продажи тиристоров компании, цена, выручка и валовая прибыль (2016-2021)
12.1.4 Компания Тиристоры Описание продукта
12.1.5 Связанные с компанией События

13 Анализ отраслевой цепочки и каналов продаж
13.1 Анализ производственной цепочки тиристоров
13.2 Основное сырье для тиристоров
13.2.1 Основное сырье
13.2.2 Основные поставщики сырья
13.3 Режим и процесс производства тиристоров
13.4 Продажа и маркетинг тиристоров
13.4.1 Каналы продаж тиристоров
13.4.2 Дистрибьюторы тиристоров
13.5 Потребители тиристоров

14 Драйверы рынка, возможности, проблемы и факторы риска Анализ
14.1 Тенденции развития тиристорной отрасли
14.2 Драйверы рынка тиристоров
14.3 Проблемы рынка тиристоров
14.4 Ограничения рынка тиристоров

15 Ключевой вывод глобального исследования тиристоров
16 Приложение
16.1 Методология исследования
16.1.1 Методология / подход к исследованию
16.1.2 Источник данных
16.2 Подробная информация об авторе

Продолжение …

Приобрести этот отчет (цена 4900 долларов США за однопользовательскую лицензию) — https://www.360researchreports.com/purchase/18088601

О нас:

360 Research Reports является надежным источником для получения рыночных отчетов, которые предоставят вам информацию, необходимую для вашего бизнеса.В 360 Research Reports наша цель — предоставить платформу для многих первоклассных исследовательских фирм по всему миру, чтобы они могли публиковать свои исследовательские отчеты, а также помочь лицам, принимающим решения, найти наиболее подходящие решения для маркетинговых исследований под одной крышей. Наша цель — предоставить лучшее решение, которое точно соответствует требованиям заказчика. Это побуждает нас предоставлять вам индивидуальные или синдицированные отчеты об исследованиях.

Свяжитесь с нами:
Имя: г-н Аджай Море
Электронная почта: sales @ 360researchreports.com
Организация: 360 исследовательских отчетов
Телефон: +44 20 3239 8187 / +14242530807

Для получения дополнительных отчетов нажмите здесь:

Рынок промышленных вилочных погрузчиков в 2021 году: среднегодовой темп роста 3,5% с данными по основным странам, размеру рынка, доле, анализу приложений, Региональный прогноз, тенденции роста, ключевые игроки, конкурентные стратегии и прогнозы на 2026 год | Последний отчет на 150 страницах

Размер рынка альдегидов в 2021 году: среднегодовой темп роста 2,2% с данными по ведущим странам, статусом будущего развития, долей, отраслевым анализом по ведущим производителям, аналитическими данными о росте и прогнозами до 2026 года | Последний отчет на 114 страницах

Объем рынка считывателей бокового потока в 2021 году с данными по ведущим странам, ведущими производителями, включая Becton, Dickinson и Company, и ключевыми выводами на период до 2025 года | Обновленный отчет на 119 страницах

Пресс-релиз, распространенный Express Wire

Чтобы просмотреть исходную версию на Express Wire, посетите раздел «Размер рынка тиристоров в 2021 году: 3».