Силовой Транзистор 2sc6073 C6073 To-3pf Электроника Ic Запчасти

Силовой транзистор 2SC6073 C6073 TO-3PF Электроника ic части

 

 

Вопросы и ответы

Вопросы, которые задают большинство наших партнеров
Q1.Как насчет качества?
О: мы протестировали 100% перед отправкой. Мы предлагаем 90-180 дней гарантии качества.
Q2. Каковы Ваши условия оплаты?
A: заказ ниже 10000 долл. составляет T/T 100% заранее.
B: заказ свыше 10000 долл. T/T 50% суммы в качестве депозита, чтобы организовать товары. и отдыха 50% перед поставкой.
C: заказ образца мы можем поддержать
Paypal, WERTERN UNION, UnionPay и Alipay.
Q3. Каковы Ваши условия доставки?
A: EXW, FOB, CFR, CIF. (по умолчанию EXW предложение
Q4.Как насчет времени выполнения заказа?
О: нет времени выполнения заказа на Товары в наличии. Мы можем отправить товар в течение 1-3 дней после подтверждения оплаты.
B: индивидуальный продукт, мы отправим товар в рамках нашего профессионального счета-фактуры.

Q5.Какова ваша политика в отношении образцов?
О: Большинство товары, мы можем предложить бесплатные образцы; вам просто нужно оплатить стоимость доставки.
Q6: Можем ли мы попросить поддержки, если у вас возникнут проблемы?
Конечно, если есть какие-либо проблемы качества или вопросы; мы можем предложить техническую поддержку или обратное обслуживание.
Q7.Можем ли мы вернуть товар?
О: Конечно, если вы не удовлетворены качеством; вы можете отправить оригинальную коробку обратно для обмена или возврата. вы оплачиваете стоимость обратной доставки. Мы оплачиваем обратную стоимость.
B: Если вы получили неправильный товар и ошибку, совершенную самостоятельно; мы можем предложить возврат тоже. Но вы должны оплатить стоимость доставки и. и вы можете попросить нас обменять или вернуть деньги.

Q8.Заказ безопасен?
Недавно мы получить некоторое количество запросов от наших клиентов; большинство из них-первый раз, когда заказ на Alibaba.
Пожалуйста, обратите внимание: если вы знаете alibaba, вы должны доверять этому;
1. Все заказы будут защищены, как только вы оплатите наш правильный счет;
2. Если вам действительно нужна защита высокого качества, вы можете выбрать гарантию торговли,
Плата за обработку только немного выше, чем другие способы;
3. пожалуйста, свяжитесь с нами, когда у вас возникнут проблемы!

 

 

 

Добро пожаловать наShenzhen E-era Electronic co., LTD

 

 

Информация о компании

 

Наша компания как профессиональный электронный оптовик в течение нескольких лет быстро развивающаяся уже стала известной торговой корпорацией.

 

Специализируемся на

 

 

Мы предоставляем Вам единый сервис электронных компонентов. Конкурентоспособные цены и профессиональные услуги, чтобы помочь вам сэкономить затраты на покупку и ценное время.

 

 

 

 

 

 

Наши услуги

1.Мы предоставляем гарантийное время 30-90 дней.
2.Мы можем организовать доставку в течение 1-3 дней, как правило, после подтверждения заказ.

 

 

 

Силовой транзистор 2SC6073 C6073 TO-3PF ic Электроника

Силовой транзистор 2SC6073 C6073 TO-3PF ic Электроника

Силовой транзистор 2SC6073 C6073 TO-3PF ic Электроника

Характеристики транзистора- основные параметры

Характеристики транзистора – диаграмма, которая отображает взаимоотношения между электрическим током и напряжением транзистора в конкретной конфигурации. Учитывая, что схемы конфигураций транзисторов аналогичны по отношению к двухпортовым схемам, они могут быть проанализированы с использованием кривых для характеристик, которые могут быть следующих типов:

1. Характеристики входа: они описывают изменения в токе на входе с изменением значений напряжения на входе, удерживающим напряжение на выходе постоянным.

2. Характеристики выхода: это диаграмма, отображающая противостояние тока на выходе и напряжения на выходе при неизменном токе на входе.

3. Характеристики передачи тока: это кривая характеристик, показывающая изменение тока на выходе в соответствии с током на входе, при этом напряжение на выходе постоянное.

Транзистор, который включен по схеме с общей базой

При такой конфигурации базовый вывод транзистора будет общим между выводами входа и выхода, как показано на рисунке 1. Данная конфигурация демонстрирует низкое полное сопротивление на входе, высокое полное сопротивление на выходе, высокий коэффициент усиления сопротивления и высокий коэффициент усиления напряжения.

Рисунок 1 Схема с общей базой

Характеристики входа

Рисунок 2 показывает характеристики входа схемы вышеописанной конфигурации, которые описывают изменение тока на эмиттере, IE с напряжением на базе-эмиттере, VBE удерживает напряжение на коллекторе-базе, VCB постоянно.

Выражение для сопротивления на входе выглядит следующим образом:

Характеристики выхода

Характеристики выхода для такой конфигурации (Рисунок 3) демонстрируют изменение тока на коллекторе, IC с VCB, где ток на эмиттере, IE является удерживаемой постоянной. Из показанного графика следует, что сопротивление на выходе может быть получено как:

Рисунок 3 Характеристики выхода

Характеристики передачи тока

Рисунок 4 демонстрирует характеристики передачи тока для вышеназванной конфигурации, которые объясняют изменение IC с IE, удерживающим VCB постоянным. Получившийся коэффициент усиления тока имеет значение меньше единицы и может быть математически выражен следующим образом:

Рисунок 4 Характеристики передачи тока

Транзистор, который включен по схеме с общим коллектором

Эта конфигурация транзистора имеет общий вывод коллектора между выводами входа и выхода (Рисунок 5) и также имеет отношение к конфигурации эмиттера. Это обеспечивает высокое полное сопротивление на входе, низкое полное сопротивление на выходе, коэффициент усиления напряжения меньше единицы и значительный коэффициент усиления тока.

Рисунок 5 Схема с общим коллектором

Характеристики входа

Рисунок 6 демонстрирует характеристики входа для этой конфигурации, которые описывают изменение в IB в соответствии с VCB, для обеспечения постоянного значения напряжения на коллекторе-эмиттере, VCE.

Рисунок 6 Характеристики входа

Характеристики выхода

Рисунок 7 показывает характеристики выхода для данной конфигурации, которые демонстрируют изменения в IE против изменений в VCE для постоянных значений IB.

Рисунок 7 Характеристики выхода

Характеристики передачи тока

Эти характеристики данной конфигурации (Рисунок 8) показывают изменение IE с IB, удерживающим VCE постоянным.

Транзистор, который включен по схеме с общим эмиттером

В данной конфигурации вывод эмиттера является общим между выводами входа и выхода, как показано на рисунке 9. Эта конфигурация обеспечивает среднее полное сопротивление на входе, среднее полное сопротивление на выходе, средний коэффициент усиления тока и коэффициент усиления напряжения.

Рисунок 9 Схема с общим эмиттером

Характеристики входа

Рисунок 10 показывает характеристики входа для данной конфигурации, которая объясняет изменение в IB в соответствии с VBE, где VCE является постоянной.

Рисунок 10 Характеристики входа

Исходя из рисунка, сопротивление на входе может быть представлено как:

Характеристики выхода

Характеристики выхода у такой конфигурации (Рисунок 11) также рассматриваются как характеристики коллектора. Этот график показывает изменение в IC с изменениями в VCE, когда IB удерживается постоянной. Исходя из графика, можно получить сопротивление на выходе следующим образом:

Рисунок 11 Характеристики выхода

Характеристики передачи тока

Эти характеристики данной конфигурации показывают изменение IC с IB, удерживающим VCE в качестве постоянной. Это может быть математически выражено как:

Это соотношение рассматривается как коэффициент усиления тока с общим эмиттером, и оно всегда больше единицы.

Рисунок 12 Характеристики передачи тока

Наконец, важно отметить, что несмотря на то, что кривые характеристик были объяснены касательно биполярных плоскостных транзисторов, аналогичный анализ является подходящим даже по отношению к полевым транзисторам.

Пишите комментарии, дополнения к статье, может я что-то пропустил. Загляните на карту сайта, буду рад если вы найдете на моем сайте еще что-нибудь полезное.

Поделиться ссылкой:

S9012 характеристики транзистора, datasheet, цоколевка и аналоги

 

По своим техническим характеристикам биполярный кремниевый транзистор S9012 (он же SS9012, C9012, 2sc9012), выделяется хорошей линейностью коэффициента передачи тока H_fe, высокой частотой и может выдерживать значительный коллекторный ток. Изготавливается по эпитаксальной технологии и имеет структуру p-n-p. Наиболее часто используется в предварительных каскадах усилителей. Его можно также встретить в выходных каскадах УНЧ небольшой мощности.

Роспиновка

Производители выпускают цоколевку s9012 в двух корпусах SOT-23 (SMD) и в классическом пластиковом ТО-92. Маркируются транзисторы в корпусе для SMD монтажа обозначением 2T1. Ниже приведена схема рассматриваемого изделия этих типах упаковки. Здесь цифрой 1 обозначен эмиттер, 2 – база, 3 – коллектор.

Технические характеристики

При проектировании нового электронного устройства в первую очередь следует обратить внимание на предельно допустимые характеристики используемых транзисторов. Если один или несколько значений превысят их, то прибор выйдет из строя. Поэтому надо чтобы рабочие значения параметров при эксплуатации были на 20 % меньше максимальных. Для S9012, согласно технической документации от разных производителей, они имеют такие величины:

• наибольшее возможное напряжение между коллектором и базой V_CBO (U_{кб max}) = -40 В;
• предельно допустимое напряжение между коллектором и эмиттером V_CEO (U_{кэ max}) = -25 В;
• максимально возможное напряжение между эмиттером и базой V_EBO (U_{эб max}) = -5 В;
• предельно возможный постоянный ток коллектора I_C (I_{к max}) = -500 мА;
• максимально допустимая мощность, рассеиваемая на коллекторе Р_С (Р_{к max}) = 625 мВт;
• наибольшая возможная температура на кристалле T_С до +150^ОС;
• диапазон рабочих температур T_stg = -55 … 150^ОС;

Выше приведены данные для изделий, выполненных в корпусе ТО-92. Устройства в SOT-23 имеют меньшую допустимую мощность рассеивания 300 мВт. Некоторые фирмы-производители в своей документации пишут разные значения для максимального напряжения коллектор-эмиттер V_CEO (U_{кэ max}). Например у компании Nanjing International Group оно равно 30 В, а у фирмы Tiger Electronic – 20 В.

Электрические параметры

Рассмотрим электрические параметры S9012. Они не менее важны для инженера, занимающегося разработкой устройств на данном транзисторе. Их значения также тестировались в лаборатории при температуре +25^ОС:

Классификация по h_fe

Транзистор S9012 делится на несколько классов, в зависимости от коэффициента передачи тока h_fe1 измеренного, при V_CE (U_кэ) = 1В и I_C (I_к) =50 мА. Большинство компаний подразделяют свои изделия на три класса: L с коэффициентом передачи тока от 120 до 200, H от 200 до 350 и J от 300 до 400. Однако некоторые, например Jiangsu High diode Semiconductor (для своей продукции в корпусе ТО-92) и Weitron Technology делят свои изделия на шесть категорий:

Категория	D	E	F	G	H	I
hfe1	64-91	78-112	96-135	112-166	144-202	190-300

Комплементарная пара

У рассматриваемого устройства существует комплементарная пара, рекомендуемая всеми фирмами-производителями — S9013.

Аналоги

В качестве аналогов для транзистора S9012 можно использовать такие зарубежные устройства: 2S A708, BC 527, KSA 708, KSP 55, MPS 6652G, MPSA 92, MPSA 93, MPSW 51, MPSW 51A, MPSW 51AG, MPSW 51G, MPSW 55, MPSW 55G, MPSW 56, MPSW 56G, MPSW 92, MPSW 92G, PN 4354, ZTX 554, ZTX 555, ZTX 556, ZTX 557. В качестве альтернативы для замены также можно рассмотреть 2SA562, но у него другая цоколевка — ЭКБ.  Имеются и отечественная замена: КТ681А, КТ6109А, КТ6109Б, КТ6109В, КТ6109Г, КТ6109Д.

Транзисторы с маркировкой 2sc9012, ss9012, c9012 являются «близнецами-братьями» для рассмотренного s9012, с полностью идентичными параметрами.

Производители

DataSheet от транзистора S9012 можно скачать от фирм которые занимаются их производством: SeCoS Halbleitertechnologie, Galaxy Semi-Conductor Holdings, Jiangsu Changjiang Electronics Technology, Jiangsu High diode Semiconductor, KEC Semiconductor, Weitron Technology, Nanjing International Group, Tiger Electronic, SHENZHEN SLS TECHNOLOGY, Diode Semiconductor Korea, Daya Electric Group, SHIKE Electronics, SHENZHEN KOO CHIN ELECTRONICS, GUANGDONG HOTTECH INDUSTRIAL, DONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS, Shenzhen Jin Yu Semiconductor.

На отечественном рынке данные изделия представлены несколькими конторами: Weitron Technology, KEC Semiconductor.

 

2SC5696 — кремниевый NPN диффузионный транзистор — DataSheet

Корпус транзистора 2SC5696 и его обозначение на схеме

Описание

Кремниевый NPN диффузионный транзистор для выходных каскадов строчной развертки телевизионных приемников с ЭЛТ высокой четкости.

Особенности:

• Высокая скорость переключения.
• Высокое напряжение пробоя (Vcbo = 1600 В).
• Встроенный демпферный диод.

Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символы	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс. значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	—	—	—	1600	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	—	—	—	800	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	—	—	—	5	В
Ic	Ток коллектора	—	—	—	12	А
Icp	Ток коллектора импульсный	—	—	—	36	А
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	T = 25 °C	—	—	85	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 800 В, Ie = 0	—	—	10	мкА
		Vce = 1600 В, Rbe = 0	—	—	1,0	мА
Iebo	Обратный ток эммитера	Veb = 4 В, Ic = 0	80	—	800	мА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 5 В, Ic = 1,0 A	3	—	11	—
		Vce = 5 В, Ic = 8,0 A	4	—	7
Vce_sat	Напряжение насыщения К-Э	Ic = 7,2 A, Ib = 1,8 А	—	—	3	В
Vbe_sat	Напряжение насыщения Б-Э	Ic = 7,2 A, Ib = 1,8 А	—	—	1,5	В
Tf	Время спада импульса	Ic = 6 А, Ib = 1,2 А	—	—	0,2	мкс
Tstg	Время установления	Ic = 6 А, Ib = 1,2 А	—	—	3,0	мкс
Vf	Падение напряжения на прямосмещенном диоде	Ice = 10 А	—	—	2,2	В

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

2SC5682 — кремниевый NPN диффузионный транзистор — DataSheet

Корпус транзистора 2SC5682 и его обозначение на схеме

Описание

Кремниевый NPN диффузионный транзистор для выходных каскадов строчной развертки телевизионных приемников с ЭЛТ высокой четкости.

Особенности:

• Высокая скорость переключения.
• Высокое напряжение пробоя (Vcbo = 1500 В).

Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символы	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс. значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	—	—	—	1500	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	—	—	—	800	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	—	—	—	5	В
Ic	Ток коллектора	—	—	—	20	А
Icp	Ток коллектора импульсный	—	—	—	40	А
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	T = 25 °C	—	—	95	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 800 В, Ie = 0	—	—	10	мкА
		Vce = 1500 В, Rbe = 0	—	—	1,0	мА
Iebo	Обратный ток эммитера	Veb = 4 В, Ic = 0	—	—	1,0	мА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 5 В, Ic = 1,0 A	15	—	—	—
		Vce = 5 В, Ic = 16,0 A	4	—	7
Vce_sat	Напряжение насыщения К-Э	Ic = 14,4 A, Ib = 3,6 А	—	—	3	В
Vbe_sat	Напряжение насыщения Б-Э	Ic = 14,4 A, Ib = 3,6 А	—	—	1,5	В
Tf	Время спада импульса	Ic = 10 А, Ib = 2,0 А	—	—	0,2	мкс
Tstg	Время установления	Ic = 10 А, Ib = 2,0 А	—	—	3,0	мкс

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

s9014 транзистор характеристики и его российские аналоги

 

Эпитаксиальный биполярный кремниевый транзистор S9014 (или SS9014) по своим характеристикам является высокочастотным, средней мощности, NPN-структуры. Характеризуется большим коэффициентом передачи тока, низким уровнем шумов и хорошей линейностью. В связи с этим, он часто встречаются в радио-приемниках (передатчиках), различных схемах предварительного усиления сигнала.

Распиновка

Полупроводниковый кристалл s9014 размещен в стандартном пластиковом корпусе TO-92 для дырочного монтажа. Существуют также SMD-экземпляры в SOT-23, для поверхностного монтажа. Оба корпуса имеют три контакта и его цоколевка выглядит стандартно для такого типа транзисторов: эмиттер, коллектор, база.

Транзисторы S9014 (A, B, C ,D) выпускаются в корпусе ТО-92, а S9014 (H и L) в корпусе для поверхностного монтажа SOT-23.

Характеристики

У всех устройств серии s9014 одинаковые предельно допустимые режимы эксплуатации и электрические характеристики. Различия есть только в значениях коэффициента усиления по току (H_FE)_. Так же следует обратить внимание на то, что у SMD-транзисторов в корпусе SOT-23 максимальная допустимая рассеиваемая мощность на коллекторе не более 200 мВ (mW), а в остальном предельные характеристики схожи с  параметрами устройств в корпусе ТО-92.

Предельно допустимые режимы эксплуатации

Рассмотрим подробнее значения предельно допустимых электрических режимов эксплуатации (при температуре окружающей среды 25°С).

Электрические параметры

Одной из важнейших характеристик для всех высокочастотников является коэффициент шума (F_Ш), во многом он предопределяет возможность применения транзистора в схемах усиления слабых сигналов. Значение F_Ш определяется при заданном сопротивлении источника сигнала (R_s) на частоте генерации 1 кГц. У s9014 коэффициент шума, в параметрах большинства производителей, не превышает 10 дБ. Поэтому этот высокочастотный транзистор относят к малошумящим. Чтобы добиться наименьшего уровня шума, его применяют при пониженных значениях напряжения коллектор-база и тока эмиттера. Температура при этом должна быть низкой, так как при её возрастании собственные шумы транзистора увеличиваются.

Классификация H_FE

Как указывалось ранее, серия s9014 имеет разный коэффициент усиления по току, который может достигать величины в 1000 H_FE. Выбрать транзистор с необходимым коэффициентом усиления можно по следующей классификации.

Аналоги

Аналогов зарубежных и российских у транзистора s9014 достаточно много. Из иностранных можно обратить внимание на такие: BC547, BC141, BC550, 2SC2675, 2SC2240. Отечественный аналог можно подобрать из КТ3102, КТ6111.

 

Комплементарная пара

Комплементарной парой к s9014 является транзистор с p-n-p-структурой s9015.

Маркировка

SS9014 это один из популярнейших транзисторов южнокорейской компании Samsung. Часто они маркируется на корпусе без префикса “S”. Похожие по характеристикам устройства выпускаются разными производителями и могут встретится с другой маркировкой, например: С9014, Н9014, L9014 и К9014. Корпус SMD-транзисторов S9014H, S9014L маркируется цифро-буквенным кодом “j6”.

Применение

Устройство нашло широкое применение в различных схемах усиления звука приемо-передающей аппаратуры, микрофонных усилителей, жучков (подслушивающих приборов) и других шпионских приспособлений. Очень часто встречаются в блоках питания к бытовым приборам, электронных таймерах, схемах стабилизации тока, разных мигалках, пищалках  и др. А вот пример схемы по сборке простейшего «Катчера Бровина».

Безопасность при эксплуатации

Не допускайте предельно допустимые значения эксплуатационных параметров при использовании устройства в своих схемах.

При пайке контактов не допустимо приближать жало паяльника к устройству ближе, чем на 5 миллиметров. Температура пайки не должна быть более +250 градусов, а временной период пайки каждого вывода не более 3 секунд.

Производители

Вы можете скачать datasheet от s9014 на русском языке. Ниже перечислены некоторые производители данного устройства с документацией.

 

2SC3675 — кремниевый диффузионный NPN транзистор — DataSheet

Корпус транзистора 2SC3675 и его обозначение на схеме

Описание

Кремниевый NPN диффузионный транзистор для схем динамической фокусировки телевизионных приемников.

Особенности:

• Высокое напряжение пробоя.
• Малая выходная емкость (Cob = 2,8 пФ).
• Высокая надежность.

Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символы	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс. значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	—	—	—	1500	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	—	—	—	900	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	—	—	—	5	В
Ic	Ток коллектора	—	—	—	100	мА
Icp	Ток коллектора импульсный	—	—	—	300	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	T = 25 °C	—	—	10	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 900 В, Ie = 0	—	—	10	мкА
Iebo	Обратный ток эммитера	Veb = 4 В, Ic = 0	—	—	10	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 5 В, Ic = 1,0 мA	30	—	—	—
Vce_sat	Напряжение насыщения К-Э	Ic = 20 мA, Ib = 4 мА	—	—	1,0	В
Vbe_sat	Напряжение насыщения Б-Э	Ic = 20 мA, Ib = 4 А	—	—	1,5	В
Ft	Граничная частота эффективного усиления	Vce = 10 В, Iс = 10,0 мА	—	6	—	МГц
Cob	Выходная емкость	Vcb = 100 В, fT= 1 МГц	—	2,8	—	пФ

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.