Конденсатор — Википедия
Ин калима маъноҳои дигар низ дорад.
Аломати шартии конденсатор 
Конденсаторҳои гуногун 
Конденсатори ғунҷоишаш тағйирёбандаКонденсатор — қисми афзори электронӣ, ки ғунҷоиши электрикии муайян дорад. Асосан барои ҷамъ кардани заряди майдони электрӣ ба кор бурда мешавад. Конденсатор қисми пассиви радиоэлектронӣ мебошад. Одатан аз ду электрод (дар шакли пластина) ва диэлектрик иборат аст. Конденсатор аз ҷиҳати ғунҷоиш ду намуд: доимӣ ва тағйирёбанда мешавад.
Истифодаи конденсатор[вироиш]
Мақола дар асоси маводи Энсиклопедияи Советии Тоҷик навишта шудааст.
Тендер-конденсатор — Википедия
Материал из Википедии — свободной энциклопедии
Текущая версия страницы пока не проверялась опытными участниками и может значительно отличаться от версии, проверенной 12 марта 2013; проверки требует 1 правка. Текущая версия страницы пока не проверялась опытными участниками и может значительно отличаться от версии, проверенной 12 марта 2013; проверки требует 1 правка. Тендер-конденсатор паровоза 25 4-8-4;обратите внимание на большую секцию радиатора.
Те́ндер-конденса́тор — вид паровозного тендера, в котором помимо обычных ёмкостей для хранения топлива и запаса воды располагается специальное оборудование для конденсации отработанного при работе паровой машины пара (так называемого мятого пара
Дымовытяжное устройство находится в дымовой коробке. Перед поступлением пара в турбины он пропускается через маслоотделитель. Воздушные вентиляторы всасывают наружный воздух, выпуская его на проходящие через холодильные секции трубки. В трубки поступает пар, отработавший в турбинах вентиляторов, где он охлаждается, а образовавшийся при этом горячий конденсат самотёком поступает в специальный водосборник, откуда засасывается насосом и вновь подаётся в котёл. Небольшие потери за счёт утечек пара пополняются из обычной ёмкости с водой. Охлаждение пара в зависимости от температуры наружного воздуха регулируется с помощью жалюзи. На стоянках в случае необходимости используется острый пар для работы турбин.
Тендер-конденсатор П11 использовался с паровозом серии СО, Э.
Квантовая ёмкость — Википедия
Материал из Википедии — свободной энциклопедии
Квантовая ёмкость — дополнительная электрическая ёмкость между затвором и двумерным электронным газом (ДЭГ), возникающая благодаря низкой по сравнению с металлами плотностью состояний в ДЭГ. Была впервые введёна Serge Luryi в1988 году
ДЭГ и затвор представляют собой обычный конденсатор с включённой последовательно квантовой ёмкостью.
Если одна из обкладок конденсатора представляет собой металл с высокой плотностью состояний, а другая, расположенный на расстоянии d, — ДЭГ с много меньшей плотностью состояний, то изменение напряжения δV на этом конденсаторе приводит к изменению электрического поля между обкладками δE, а также к сдвигу химического потенциала δμ, что можно записать в виде:
- δV=δEd+δμe=δEd+∂μ∂nδne.{\displaystyle \delta V=\delta Ed+{\frac {\delta \mu }{e}}=\delta Ed+{\frac {\partial \mu }{\partial n}}{\frac {\delta n}{e}}.}
Это выражение можно переписать с учётом вариации заряда δρ=eδn и, воспользовавшись теоремой Гаусса δE=δρ/ε, где ε=εdε0 произведение диэлектрической постоянной материала диэлектрика и диэлектрической постоянной вакуума, через ёмкость, нормированную на площадь обкладок C/A=δρ/δV в упрощённом виде
- AC=dε+1e2∂μ∂n{\displaystyle {\frac {A}{C}}={\frac {d}{\varepsilon }}+{\frac {1}{e^{2}}}{\frac {\partial \mu }{\partial n}}}
Первое слагаемое — это обратная ёмкость плоского конденсатора, а второе слагаемое связано с понятием квантовой ёмкости, которая пропорциональна плотности состояний
- CQ=e2⋅D2D{\displaystyle C_{Q}=e^{2}\cdot D_{2D}},
где e — элементарный заряд. Если переписать ёмкость в терминах длины экранирования
- λ=εe2∂μ∂n{\displaystyle \lambda ={\frac {\varepsilon }{e^{2}}}{\frac {\partial \mu }{\partial n}}},
то выражение примет ещё более прозрачный вид
- CA=ε(d+λ),{\displaystyle {\frac {C}{A}}={\frac {\varepsilon }{(d+\lambda )}},}
поясняющий влияние конечной длины проникновения электрического поля в материал с меньшей плотностью состояний, чем у металла. Фактически расстояние между обкладками увеличивается на длину экранирования.[2]
Для ДЭГ плотность состояний равна (учтено только спиновое вырождение)
- D2D=m∗πℏ2 {\displaystyle D_{2D}={\frac {m^{*}}{\pi \hbar ^{2}}}\ },
где m∗{\displaystyle m^{*}} — эффективная масса носителей тока. Так как плотность состояний ДЭГ не зависит от концентрации, то квантовая ёмкость тоже не зависит от концентрации, хотя при учёте электрон-электронных взаимодействий квантовая ёмкость зависит от энергии[3][4].
Связь со сжимаемостью электронного газа[править | править код]
Для электронного газа, как и для обычного идеального газа можно ввести понятие сжимаемости K, обратная величина которой определяется как взятое с отрицательным знаком произведение объёма газа V и изменения давления P электронного газа при изменении объёма с сохранением числа частиц N:
- 1K=−V(dPdV)N.{\displaystyle {\frac {1}{K}}=-V\left({\frac {dP}{dV}}\right)_{N}.}
Другое важное соотношение получается из теоремы Зейтца[5]:
- 1K=n2dμdn.{\displaystyle {\frac {1}{K}}=n^{2}{\frac {d\mu }{dn}}.}
Отсюда следует, что измеряя квантовую ёмкость мы также получаем информацию о сжимаемости электронного газа.
Термодинамическая плотность состояний[править | править код]
Для того чтобы учесть распределение электронов по энергии (распределение Ферми — Дирака f(ε-μ)) из-за конечной температуры T, вводят так называемую термодинамическую плотность состояний, определяемую как[6][7]
- D(μ)=∫−∞∞dεN(ε)(−∂f(ε)∂ε)=∫−∞∞N(ε)dε4kBTcosh3(ε−μ2kBT),{\displaystyle D(\mu )=\int _{-\infty }^{\infty }d\varepsilon N(\varepsilon )\left(-{\frac {\partial f(\varepsilon )}{\partial \varepsilon }}\right)=\int _{-\infty }^{\infty }{\frac {N(\varepsilon )d\varepsilon }{4k_{B}T{\textrm {cosh}}^{2}\left({\frac {\varepsilon -\mu }{2k_{B}T}}\right)}},}
где N(ε) — плотность состояний при нулевой температуре, kB — постоянная Больцмана.
Для графена, где плотность состояний пропорциональна энергии, квантовая ёмкость зависит от концентрации[8]:
- CQ=2πe2ℏvFn,{\displaystyle C_{Q}={\frac {2}{\sqrt {\pi }}}{\frac {e^{2}}{\hbar v_{F}}}{\sqrt {n}},}
где ℏ{\displaystyle \hbar } — редуцированная постоянная Планка, vF — фермиевская скорость.
- ↑ Serge Luryi (1988). «Quantum capacitance devices». Appl.Phys.Lett. 52(6). Pdf
- ↑ G. F. Giuliani and G. Vignale Quantum theory of the electron liquid Cambridge university press, 2005.
- ↑ J. P. Eisenstein, L. N. Pfeiffer, and K. W. West Negative compressibility of interacting two-dimensional electron and quasiparticle gases Phys. Rev. Lett. 68, 674—677 (1992)
- ↑ B. Tanatar and D. M. Ceperley Ground state of the two-dimensional electron gas Phys. Rev. B 39, 5005-5016 (1989)
- ↑ G. D. Mahan Many-particle Physics 3rd edition Kluwer Academic/Plenum Publishers 2000
- ↑ M. I. Katsnelson Graphene: carbon in two dimensions Cambridge University Press 2012.
- ↑ D. L. John, L. C. Castro, and D. L. Pulfrey Quantum capacitance in nanoscale device modeling J. Appl. Phys. 96, 5180 (2004).
- ↑ L. A. Ponomarenko et al. Density of States and Zero Landau Level Probed through Capacitance of Graphene Phys. Rev. Lett. 105, 136801 (2010).
Файл:Конденсатор граф.svg — Википедия
Материал из Википедии — свободной энциклопедии
Перейти к навигации Перейти к поискуКраткое описание
| ОписаниеКонденсатор граф.svg | Русский: Зависимость модуля импеданса реального конденсатора от частоты. |
| Дата | |
| Источник | собственная работа |
| Автор | Д.Ильин |
Лицензирование
Я, владелец авторских прав на это произведение, добровольно публикую его на условиях следующей лицензии:
| Этот файл доступен по лицензии Creative Commons Attribution-Share Alike 4.0 International | |
https://creativecommons.org/licenses/by-sa/4.0 CC BY-SA 4.0 Creative Commons Attribution-Share Alike 4.0 truetrue |
История файла
Нажмите на дату/время, чтобы посмотреть файл, который был загружен в тот момент.
| Дата/время | Миниатюра | Размеры | Участник | Примечание | |
|---|---|---|---|---|---|
| текущий | 00:19, 15 мая 2015 | 645 × 418 (154 Кб) | Д.Ильин | User created page with UploadWizard |
Использование файла
Следующая 1 страница использует данный файл:
- Электрический конденсатор
Файл содержит дополнительные данные, обычно добавляемые цифровыми камерами или сканерами. Если файл после создания редактировался, то некоторые параметры могут не соответствовать текущему изображению.
Керамічний конденсатор — Вікіпедія
Матеріал з Вікіпедії — вільної енциклопедії.
Вивідні і чип-конденсаториКерамі́чний конденса́тор — конденсатор,у якому як діелектрик використано керамічний матеріал. Керамічні конденсатори є природним елементом практично будь-якої електронної схеми. Вони мають здатність працювати з сигналами мінливої полярності, хороші частотні характеристики, малі втрати, незначні струми витоку, невеликі габаритні розміри й низьку вартість. Там же, де ці вимоги перетинаються, вони практично незамінні. Але проблеми, пов’язані з технологією їх виробництва, відводили цьому типу конденсаторів нішу пристроїв малої ємності. Керамічний конденсатор на 10 мкФ ще недавно сприймався як дивовижна екзотика, і коштувало таке диво, як жменя алюмінієвих електролітичних тій же ємності і напруги, чи як кілька аналогічних танталових. Однак розвиток технологій дав змогу відразу декільком фірмам заявити про досягнені їхніми керамічними конденсаторами ємності в 100 мкФ і анонсувати початок виробництва ще більших значень. А безперервне падіння цін на всі вироби цієї групи змушує уважніше придивитися до вчорашньої екзотики, щоб не відстати від технічного прогресу і зберегти конкурентоспроможність[1].
З розвитком напівпровідникових технологій в 1950-х були розроблені багатошарові конденсатори з використанням легованої сегнетокераміки. Цей «багатошаровий керамічний конденсатор» (англ.
Конденсатори з неорганічним діелектриком можна розділити на три групи: низьковольтні, високовольтні і зневадні. Обкладки виконуються у вигляді тонкого шару металу, нанесеного на діелектрик шляхом безпосередньої його металізації, або у вигляді тонкої фольги.
Група низьковольтних конденсаторів включає в себе низькочастотні і високочастотні конденсатори.
За призначенням вони поділяються на три типи:
- тип 1 — конденсатори, призначені для використання в резонансних контурах або інших колах, де малі втрати і висока стабільність ємності мають істотне значення ;
- тип 2 — конденсатори, призначені для використання в колах фільтрів, блокування і розв’язки або інших колах, де малі втрати і висока стабільність ємності не мають істотного значення ;
- тип 3 -керамічні конденсатори з бар’єрним шаром, призначені для роботи в тих же колах, що і конденсатори типу 2, але мають дещо менше значення опору ізоляції і більше значення тангенса кута діелектричних втрат, що обмежує область застосування низькими частотами.
Зазвичай конденсатори типу 1 вважаються високочастотними, а типів 2 і 3 — низькочастотними. Визначеної межі за частотою між конденсаторами типів 1 і 2 не існує. Високочастотні конденсатори працюють в колах з частотою до сотень мегагерц, а деякі типи використовують в гігагерцовому діапазоні[2].
Температурний коефіцієнт залежності ємності керамічних конденсаторів типу 1 зазвичай виражається іменами, на кшталт «NP0», «N220» і т.д. Ці імена включають температурний коефіцієнт (α). У стандарті IEC/EN 60384-8/21, температурний коефіцієнт і толерантність замінено літерним кодом (див. таблицю).
| Ceramic names | Temperature coefficient α 10−6 /K | α-Tolerance 10−6 /K | Sub- class | IEC/ EN- letter code | EIA letter code |
|---|---|---|---|---|---|
| P100 | 100 | ±30 | 1B | AG | M7G |
| NP0 | 0 | ±30 | 1B | CG | C0G |
| N33 | −33 | ±30 | 1B | HG | h3G |
| N75 | −75 | ±30 | 1B | LG | L2G |
| N150 | −150 | ±60 | 1B | PH | P2H |
| N220 | −220 | ±60 | 1B | RH | R2H |
| N330 | −330 | ±60 | 1B | SH | S2H |
| N470 | -470 | ±60 | 1B | TH | T2H |
| N750 | −750 | ±120 | 1B | UJ | U2J |
| N1000 | −1000 | ±250 | 1F | QK | Q3K |
| N1500 | −1500 | ±250 | 1F | VK | P3K |
| Символьний код Нижній робочий діапазон температур. | Цифровий код Верхній діапазон температур. | Символьний код Зміна ємності в діапазоні температур. |
|---|---|---|
| X = −55 °C (−67 °F) | 4 = +65 °C (+149 °F) | P = ±10% |
| Y = −30 °C (−22 °F) | 5 = +85 °C (+185 °F) | R = ±15% |
| Z = +10 °C (+50 °F) | 6 = +105 °C (+221 °F) | S = ±22% |
| 7 = +125 °C (+257 °F) | T = +22/−33% | |
| 8 = +150 °C (+302 °F) | U = +22/−56% | |
| 9 = +200 °C (+392 °F) |
Пароконденсатор — Вікіпедія
Матеріал з Вікіпедії — вільної енциклопедії.
Конденсаторний блок для централізованої системи охолодженняКонденса́тор — (від лат. condense — ущільнюю, згущую) — теплообмінний апарат для здійснення переходу (конденсації) речовини з газоподібного (пароподібного) стану у рідкий або твердий.
Конденсація пари в конденсаторі відбувається в результаті зіткнення її з поверхнею твердого тіла (поверхневі конденсатори) або рідини (контактні конденсатори), що мають температуру нижчу, ніж температура насичення пари за даного тиску. Конденсація пари супроводжується виділенням тепла, витраченого раніше на випаровування рідини, яке повинно відводитися якимось охолоджувальним середовищем.
Якщо температура конденсації газів більша, ніж температура навколишнього середовища, то для конденсації може бути використане водне або повітряне охолодження.
Конденсатори присутні в багатьох технологічних лініях хімічних виробництв для скраплення газу (азот, повітря, гелій, хлор, аміак), системах охолодження в багатьох пристроях — таких, як холодильники, у випарних установках для отримання дистиляту, розділення сумішей пари тощо.
Є багато різновидів конденсаторів (включаючи пластинчасті, трубчасті, пальцеві, барабанні), але завжди їх функцією є отримання швидкого тепла від газового потоку за допомогою охолоджувального середовища, які зазвичай циркулюють у напрямі, протилежному до напрямку циркуляції потоку.