Схема реле времени на полевом транзисторе: Простая схема реле времени, задержки выключения нагрузки на одном полевом транзисторе, как ее сделать.

Содержание

Простая схема реле времени, задержки выключения нагрузки на одном полевом транзисторе, как ее сделать.

Порой возникает необходимость в выключении тех или иных электронных устройств через определенный промежуток времени в автоматическом режиме. К примеру, всем известный электронный мультиметр типа DT830 (самая простая модель тестера) не имеет внутри себя автоматического выключения. И когда забываешь после измерений его выключать, то к следующему измерению его батарейка уже успевает полностью разрядится. Естественно, это нуждается в доработке. В более дорогостоящих мультиметрах такая функция имеется, и если тестером не пользуешься несколько минут, то он автоматически выключается. Вот эту схему, что я предлагаю на Ваше рассмотрение, как раз и можно использовать для подобных случаев. И как видно сама схема автоматического выключения электрической нагрузки через заданное время очень проста.

Ну, а для новичков поясню сам принцип действия этой схемы. Итак, по сути эта схема является схемой самого обычного реле времени, только роль реле тут выполняет полевой транзистор n-типа, с индуцируемым каналом.

Как известно, полевые транзисторы подобного типа имеют три вывода – затвор, исток и сток. Канал сток-исток является силовым, через который протекает основной ток относительно большой величины.

И в изначальном состоянии, когда между управляющим каналом затвор-исток нет нужного напряжения, этот полевой транзистор закрыт. В таком состоянии его силовой переход имеет бесконечно большое сопротивление. Но как только мы подадим на управляющий канал затвор-исток нужное напряжение, то силовой канал откроется. Именно у этого транзистора (BS170), что стоит в схеме, сопротивление канала сток-исток в полностью открытом состоянии равно 5 Ом. Что для небольших нагрузок является крайне незначительным сопротивлением.

Основные характеристики полевого транзистора BS170:

» тип проводимости – n-канальный;
» максимальный ток сток-исток – до 0,5 А;
» максимальная рассеиваемая мощность – 0,83 Вт;
» пороговое напряжение открытия транзистора – 3 В;
» максимальное напряжение между сток-исток – до 60 В;
» максимальное напряжение между затвор-исток – до 20 В;
» сопротивление канало сток-исток в открытом состоянии – 5 Ом;
» максимальная температура канала – 150 °C;

Итак, на вход схемы автоматического отключения нагрузки подается постоянное напряжение от источника питания (к примеру 9 вольтовой батарейки).

Плюс с входа сразу идет на выход схемы. А вот минус входа проходит через силовой переход сток-исток полевого транзистора, который в изначально состоянии полностью закрыт и не проводит через себя ток. То есть, изначально на выходе схемы отсутствует напряжение для питания нагрузки. Чтобы транзистор открылся, мы должны на его затвор подать положительный потенциал, а на исток отрицательный. Минус сразу подается на исток от источника питания, а вот плюс проходит через нормально разомкнутый выключатель B1. Параллельно управляющему переходу транзистора стоят электролитический конденсатор и подстроечный (или можно взять переменный) резистор.

Когда мы кратковременно нажимаем  переключатель B1, то полюс от источника питания поступает на затвор полевика и открывает его. При этом также происходит быстрая зарядка емкости конденсатора C1. И когда уже кнопка B1 отпущена, и через нее плюс не подается на затвор, то транзистор остается открытым из-за наличия электрического заряда на конденсаторе. Ну, а чтобы был эффект реле времени в данной схеме, то есть произошло закрытие полевого транзистора через определенное время, параллельно конденсатору стоит сопротивление, которое с некоторой скоростью разряжает его. И чем меньше будет сопротивление R1, тем быстрее разрядится конденсатор и закроется полевой транзистор.

В итоге работа схемы такова. Изначально на выходе схемы напряжения питания нагрузки отсутствует. Мы кратковременно нажимает переключатель B1. Конденсатор заряжается, а транзистор открывается, на выходе схемы появляется напряжение питания нагрузки. Поскольку резистор разряжает конденсатор, то спустя определенное время, когда величина напряжения на конденсаторе достигнет порогового уровня закрытия полевого транзистора VT1 (а это 3 вольта), то транзистор закроется и на выходе схемы пропадет напряжение питания нагрузки. Вот такая простая работа у данной схемы. Причем стоит заметить, что время ожидания схемы перед закрытием полевика зависит как от резистора, так и от емкости конденсатора.

Чем больше будет емкость у конденсатора C1, и чем меньше сопротивление резистора R1, тем это время будет больше. Само же время может быть от нуля до очень много (часы, а то и больше).

Эта схема реле времени на полевом транзисторе может работать с нагрузками, у которых ток потребления до пол ампера (0,5 А). Поскольку такой максимальный ток имеет силовой переход полевого транзистора. Если этого тока Вам будет мало, то просто стоит в схему поставить другой полевой транзистор подобного типа с нужной величиной максимального тока силового перехода полевика. Естественно, при выборе обращайте внимание на сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии. По возможности его сопротивление должно быть как можно меньше. Это положительно повлияет на экономию электроэнергии и уменьшит нагрев транзистора при его работе.

Помимо этого учтите, что обычно у полевых транзисторов подобного типа максимальное напряжение перехода затвор-исток около 20 вольт. Это значит, что напряжение питания на входе схемы не должно превышать этого значения, поскольку в противном случае полевик попросту выйдет из строя.

Если все же имеется такая необходимость в напряжении более 20 вольт, то параллельно переходу затвор-исток нужно поставить стабилитрон, который будет ограничивать напряжение на данном переходе полевика, что защитит его от выхода из строя. Ну, и конденсатор C1 должен быть рассчитан на напряжение чуть более, чем напряжение на входе схемы. Иначе, он также может испортится.

Видео по этой теме:

P.S. Естественно, данную схему автоматического выключения электронной нагрузки через заданное время можно использовать не только для мультиметров. Как я сказал вначале, это аналого схемы обычного реле времени, только вместо реле тут стоит полевой транзистор. Так что схема может работать с любыми электрическими, электронными нагрузками постоянного тока, которые нуждаются в автоматическом отключении через нужный интервал времени.

Реле времени на полевом транзисторе.

Простое реле времени (или простое реле времени для начинающих 2) на биполярном транзисторе не сложно в изготовлении но на таком реле нельзя получить большие задержки. Длительность задержки определяет RC-цепь состоящая (для реле времени да биполярном транзисторе) из конденсатора, резистора в цепи базы и перехода база-эмиттер транзистора. Чем больше ёмкость конденсатора тем больше задержка. Чем больше суммарное сопротивление резистора в цепи базы и перехода база-эмиттер тем больше задержка. Увеличить сопротивление перехода база-эмиттер, для получения большой задержки, нельзя т.к. это неизменный параметр используемого транзистора. Сопротивление резистора в цепи базы нельзя увеличивать до бесконечности т.к. транзистору для открытия требуется ток, как минимум, в h31э меньший чем ток для необходимый для включения реле. Если например для включения реле требуется 100мА, h31э=100 то для открытия транзистора требуется ток базы Iб=1мА. Для открытия полевого транзистора с изолированным затвором большой ток не требуется, в данном случае можно даже пренебречь этим током и считать что ток для открытия такого транзистора не требуется.
Полевой транзистор с изолированным затвором управляется напряжением поэтому можно использовать RC цепь с любым сопротивлением и следовательно делать любые задержки. Рассмотрим схему:

Рисунок 1 — Реле времени на полевом транзисторе

Эта схема похожа на схему с биполярным транзистором из предыдущей стати только здесь вместо биполярного транзистора n-MOSFET (n канальный полевой транзистор с изолированным затвором (и индуцированным каналом)) и добавлен резистор (R1) для разряда конденсатора C1. Резистор R3 не обязателен:

Рисунок 2 — Реле времени на полевом транзисторе без R3

Полевые транзисторы с изолированным затвором могут быть испорчены статическим электричеством поэтому с ними нужно обращаться аккуратно: стараться не касаться вывода затвора руками и заряженными предметами, по возможности заземлять вывод затвора и т.д. 

Процесс проверки транзистора и готового устройства показан на видео:

Т.к. на параметры RC цепи пренебрежимо мало влияют параметры транзистора то расчёт длительности задержки осуществить достаточно несложно. В данной схеме на длительность задержки по прежнему влияет длительность удерживания кнопки и чем меньше сопротивление резистора R2 тем слабее это влияние, но не стоит забывать о том что этот резистор нужен для ограничения тока в момент замыкания контактов кнопки, если его сопротивление сделать слишком низким или заменить перемычкой то при нажатии на кнопку может выйти из строя блок питания или сработать его защита от к. з. (если она есть), контакты кнопки могут приплавиться друг к другу, к тому же данный резистор ограничивает ток при установке резистором R1 минимального сопротивления. Резистор R2 также понижает напряжение (UCmax) до которого заряжается конденсатор C1, при нажатой кнопке SB1, что приводит к уменьшению длительности задержки. Если сопротивление резистора R2 низкое то на длительность задержки оно влияет незначительно. На длительность задержки влияет напряжение на затворе относительно истока при котором транзистор закрывается (далее напряжение закрытия). Для расчёта длительности задержки можно воспользоваться программой: 



КАРТА БЛОГА (содержание)

Устройства выдержки больших интервалов времени

Автор предлагает вниманию читателей несколько простых устройств выдержки времени из доступных деталей. Эти устройства — аналоговые с времязадающими RC-цепями. В них применены схемные решения, позволяющие увеличить длительность формируемых интервалов времени.

На рис. 1 представлена схема простого реле времени, собранного на микросхеме параллельного стабилизатора напряжения TL431ACLP (DA1). При нажатии на кнопку SB1 на управляющий вход стабилизатора DA1 через резисторы R1 и R3 поступает напряжение, близкое к напряжению питания, вследствие чего стабилизатор замыкает цепь обмотки реле K1. Контакты K1.1 срабо-
тавшего реле блокируют кнопку, которую теперь можно отпустить. Они же отключают резистор R1 от времязадающего конденсатора C1, который начинает заряжаться током, текущим через времязадающий резистор R2. Контакты реле K1.2 включают исполнительное устройство или выключают его.

По мере зарядки конденсатора напряжение на управляющем входе микросхемы DA1 относительно её анода уменьшается. Как только оно опустится ниже 2,5 В, ток через обмотку реле K1 уменьшится настолько, что реле отпустит якорь, возвратив исполнительное устройство в исходное состояние. Резистор R1 вновь будет подключён параллельно конденсатору C1 и разрядит его. Теперь можно ещё раз нажимать на кнопку SB1.

С элементами, типы и номиналы которых указаны на рис. 1, получена выдержка около 45 мин. Её можно изменить, подбирая конденсатор C1 и резистор R2. Но увеличивать сопротивление этого резистора не рекомендуется, так как при этом возрастает доля нестабильного тока управляющего входа микросхемы DA1 в токе зарядки конденсатора C1. Соответственно растёт нестабильность выдержки.

Рис. 1. Схема простого реле времени

 

Можно увеличить сопротивление резистора R2, одновременно повысив напряжение питания устройства вплоть до 30 В — максимального для микросхемы серии TL431. При этом и конденсатор C1 следует выбирать с номинальным напряжением, не меньшим напряжения питания. В качестве K1 нужно применить реле с рабочим напряжением обмотки, равным напряжению питания, либо включить последовательно с обмоткой реле, рассчитанной на меньшее напряжение, гасящий избыток напряжения стабилитрон. Ток обмотки реле не должен превышать 100 мА, допустимых для микросхемы серии TL431.

На рис. 2 показана ещё одна схема реле задержки включения или выключения исполнительного устройства, построенная на той же микросхеме. После перевода выключателя SA1 в положение «Включено» (верхняя по схеме группа его контактов замкнута, а нижняя разомкнута) начинается зарядка конденсатора C1 через резистор R2. Когда напряжение на конденсаторе превысит сумму напряжения стабилизации стабилитрона VD2 (5,6 В), порогового напряжения стабилизатора DA1 (2,5 В) и падения напряжения на резисторе R3 и диоде VD1, микросхема DA1 замкнёт цепь обмотки реле K1. Сработавшее реле изменит состояние исполнительного устройства. В этом состоянии устройство останется до тех пор, пока выключатель SA1 не будет возвращён в исходное выключенное состояние. При показанных на рис. 2 типах и номиналах элементов получена выдержка около одного часа.

Рис. 2. Схема реле задержки включения или выключения исполнительного устройства

 

В качестве пороговых элементов в подобных устройствах можно использовать не микросхему серии TL431, а полевой транзистор с изолированным затвором. Такие транзисторы имеют, как известно, предельно малый ток затвора. Это позволяет значительно увеличить выдержку, применяя времязадающие резисторы сопротивлением до нескольких мегаом и даже их десятков.

К тому же применение, например, полевого транзистора 2N7000 позволяет повысить напряжение питания до 60 В и использовать при необходимости электромагнитное реле с рабочим током обмотки до 250 мА. Но следует принять меры, чтобы напряжение между затвором и истоком транзистора не выходило из допустимого интервала от -20 В до +20 В.

Пример схемы реле задержки включения на полевом транзисторе 2N7000 показан на рис. 3. Реле K1 — импортное серии BT с обмоткой сопротивлением 62,5 Ом. При указанных на схеме номиналах элементов получена выдержка около шести часов. Большую часть интервала выдержки устройство практически не потребляет ток от источника питания. Но в последней трети этого интервала ток плавно нарастает до тока срабатывания реле K1. В этом промежутке времени транзистор VT1 находится в активном режиме и на нём рассеивается довольно значительная мощность, достигающая максимума (в рассматриваемом случае около 150 мВт) примерно в середине промежутка, а затем спадающая.

Рис. 3. Схема реле задержки включения на полевом транзисторе 2N7000

 

После срабатывания реле K1 ток продолжает нарастать до значения, равного разности напряжения питания устройства и напряжения стабилизации стабилитрона, делённой на сопротивление обмотки реле. Достигнув его, он остаётся таким до выключения реле времени выключателем SA1.

В устройстве, схема которого изображена на рис. 4, использована та же идея, что и в предыдущем, но для уменьшения тока, потребляемого после срабатывания, применено поляризованное реле с двумя устойчивыми состояниями РПС20 исполнения РС4.521.751. Оно имеет две группы контактов на переключение.

Рис. 4. Схема реле

 

После нажатия на кнопку SB1 напряжение, поступающее через резистор R1 и делитель напряжения R2R3 на затвор полевого транзистора VT1, открывает этот транзистор. Напряжение, поданное на левую по схеме обмотку реле K1, переводит его подвижные контакты в нижнее по схеме положение, чем блокирует кнопку SB1 и разрешает зарядку конденсаторов C1 и C2.

Спустя некоторое время, требующееся для зарядки конденсатора C1, транзистор VT1 будет закрыт, а ток через левую обмотку реле прекратится, что не изменит состояние его контактов. После зарядки конденсатора C2 и достижения током стока транзистора VT2 значения, достаточного для перевода правой обмоткой реле его контактов в исходное (верхнее по схеме) положение, к времязадающим конденсаторам будут подключены разрядные резисторы R1 и R5, а питание от устройства будет отключено. Теперь оно не потребляет тока и после разрядки конденсаторов готово к следующему нажатию на кнопку SB1.

Очевидно, предельная выдержка времени устройствами, собранными по схемам, изображённым на рис. 3 и рис. 4, одинакова. Резисторы R2 и R3 в последнем выбирают такими, чтобы напряжение затвор-исток транзистора VT1 не превысило допустимого. Поскольку большая выдержка от узла на этом транзисторе не требуется, он может быть и биполярным. В этом случае резисторы R2 и R3 должны обеспечить, чтобы от зарядного тока конденсатора C1 транзистор VT1 находился в режиме насыщения.

На рис. 5 представлена схема генератора импульсов большой длительности, который можно использовать для периодического включения и выключения каких-либо приборов. По существу, это два устройства по рассмотренной ранее схеме рис. 3, образующие благодаря использованию поляризованного реле с двумя устойчивыми состояниями своеобразный мультивибратор. Длительность каждого из двух повторяющихся интервалов времени можно устанавливать независимо, подбирая элементы цепей R2C1 и R3C2.

Рис. 5. Схема генератора импульсов большой длительности

 

Следует отметить, что все описанные устройства для получения стабильной выдержки следует питать стабилизированным напряжением. Установка в них оксидных конденсаторов равных номиналов, но выпущенных в разное время разными производителями, даёт значительный разброс значений выдержки. Заметно влияют на выдержку токи утечки времязадающих конденсаторов и изменения температуры окружающей среды. Поэтому все указанные на схемах номиналы времязадающих элементов — ориентировочные. Их придётся подбирать при налаживании устройства.

Чтобы при проверке работы описанных устройств не ждать часами их срабатывания, рекомендуется временно заменить в них времязадающие резисторы другими, имеющими сопротивление в 100…1000 раз меньше указанного на схеме или расчётного. Лишь убедившись в работе устройства и замерив даваемую им выдержку, замените временные резисторы постоянными, увеличив их сопротивление во столько раз, во сколько требуемая выдержка больше измеренной. Но учтите, что при большом сопротивлении времязадающего резистора пропорциональность выдержки его сопротивлению может быть нарушена. Причина этого — влияние тока утечки конденсатора и входного тока микросхемы или биполярного транзистора.

Чтобы не пропустить момент окончания выдержки, в процессе налаживания удобно подключить к выходу реле времени пьезоизлучатель звука со встроенным генератором. В этом случае до его сигнала можно спокойно заниматься другими делами.    

Автор: М. Муратов, г. Уфа

электронное реле

Электронные реле

  При эксплуатации различных бытовых устройств мы часто задумывались о том, как эти машины понимают, что нужно отключиться, или включиться через определенное время или при достижении какой-то температуры. Эту роль в бытовом устройстве выполняет электронное реле, которое производит коммутацию различных электронных блоков (электродвигатели, нагревательные элементы и т. д.), в зависимости от требуемых условий: время, температура, уровень жидкости, влажность, акустика и многое другое. В последнее время широко применяются электронные реле на основе различных программируемых микроконтроллерах, достаточно высоко выполняющих свои функции. Устройства реле на дискретных элементах уходят в прошлое, однако порой они просто не заменимы. Да и разобраться в принципе работы электронных реле более понятно на основе простых устройств. В нашем случаи мы рассмотрим схему электронного реле времени на полевом и биполярном транзисторе. Схема достаточно проста в изготовлении и налаживании.

Главным компонентом данной схемы является одновибратор, собранный на транзисторах VT1 – VT3, один из которых является полевым. Максимальное время ожидания такой схемы составляет примерно 50 секунд при общем максимальном сопротивлении R2 и R3 – 1 Мом. Отклонение от максимального времени составляет всего 5%.

Принцип работы

  В исходном состоянии VT1 закрыт из-за падения напряжения на VD2, а VT3 и VT2 открыты (рис.1). При кратковременном нажатии на кнопку SA1 транзистор VT3 закроется, так как на базе будет положительный потенциал, а VT1 откроется и включит реле К1, которое своими контактами включит исполняемое устройство У. При этом полевой транзистор VT2 будет закрыт зарядным напряжением на конденсаторе C1. Такое состояние будет продолжаться до тех пор, пока конденсатор не разрядится на столько, чтобы открылся VT2. При открывании VT2 схема вернется в исходное состояние (VT2 и VT3 открыты, а VT1 закрыт). Таким образом, при кратковременном нажатии на SA1 исполняемое устройство У будет работать в течении максимального времени, определяемым номиналами резисторов R2 и R3.

  Простое реле времени, схема которого показана на рис.1 очень проста в повторении и не требует дефицитных деталей. Здесь применены: реле типа РЭС-42, биполярные транзисторы (VT1, VT3, VT4) типа МП42, полевой транзистор VT2 типа КП201А, но могут быть заменены на КП103 с любым индексом.

Реле времени с регулируемой выдержкой

  Недостатком вышеописанной схемы является очень малое время выдержки и составляет всего лишь около 1 минуты. Ниже рассмотрим схему, в которой устранены эти недостатки, и дополнительно, можно устанавливать различные пределы по времени. Схема электронного реле времени, которое позволяет устанавливать выдержку с периодами 1…60 секунд или 1…60 минут, показана на рис.2. При этом отклонение от заданных значений может составлять не более 5%. Схема содержит три основные блоки: блок питания, выполненный по бестрансформаторной схеме; времязадающий блок и двухкаскадный усилитель VT1, VT2. Времязадающий блок состоит из переключателя SA2, при помощи которого устанавливают диапазон длительности выдержки; конденсаторов C3, C4; резисторов R4, R5; диода VD7; стабилитрона VD6. С помощью переключателя SA2 устанавливают нужный диапазон по времени, а с помощью R5 добиваются точной настройки выдержки.

  Работа схемы заключается в следующем. В исходном состоянии реле устройства обесточено, так как транзистор VT2 закрыт. При нажатии на кнопку SA1 начинает заряжаться конденсатор C3 или C4 – это зависит от положения переключателя SA2. Конденсатор будет заряжаться до напряжения питания. Отпустив кнопку SA1, конденсатор C3 или C4 начнет разряжаться по цепи R4 → R5 → обратное сопротивление VD7. Транзистор VT1 закрывается, так как к его затвору через стабилитрон VD6 прикладывается положительное напряжение от C3 или C4, а VT2 открывается, и срабатывает реле К1. В таком состоянии схема будет находиться, пока С3 или С4 не разрядится до напряжения стабилизации VD6. Когда это произойдет, транзистор VT1 снова откроется, а транзистор VT2 закроется, и реле К1 будет обесточено, т. е. схема возвратится в исходное состояние.

Таймер

  Таймер – это устройство по своим функциям аналогично реле времени, но с более расширенными возможностями. В состав таймера обычно входят различные блоки, одним из которых обязательно является реле времени. На рис. 3 показана схема таймера, подающего звуковой сигнал по окончанию времени выдержки. Период длительности выдержки устройства составляет 1…90 минут и устанавливается при помощи переключателей SA2, SA3.

  Схема собрана на логической микросхеме DD1 К176ЛА7. В ее состав входит реле времени, выполненное на элементе DD1.1, генератор – на элементах DD1.2 и DD1.2 и инвертор, выполненный на DD1.4. На транзисторе VT1 выполнен усилитель сигнала, поступающего с инвертора DD1.4.

  Для запуска таймера нажимают кнопку SA1, при этом конденсатор C1 или C2, в зависимости от положения переключателя SA2, разряжается. Отпустив кнопку, конденсатор снова начинает заряжаться через цепь последовательно подключенных резисторов R2 – R13. И как только напряжение на входе DD1.1 достигнет значения порога переключения, на выходе элемента появится логическая единица (напряжение высокого уровня). С ее появлением включится генератор, который создаст колебания 1000 Гц, которые, в свою очередь, поступят через инвертор и VT1 на громкоговоритель ВА1. Важным достоинством данной схемы является ее экономичность, так как при отсутствии сигнала на выходе инвертора транзистор закрыт, и схема потребляет не более 0,5 мА.


   Литература:
«Справочная книга радиолюбителя – конструктора» под редакцией Н. И. Чистякова. 1990 г.

Таймер выключатель на полевом транзисторе — Конструкции простой сложности — Схемы для начинающих

Устройство представляет собой таймер, который выключает нагрузку через заданное время. Оно включается последовательно с нагрузкой, может коммутировать как активную, так и индуктивную нагрузку, не создает электромагнитных помех и запускается нажатием маломощной кнопки. Предлагаются три варианта построения таймера. Схема простого таймера на полевом транзисторе показана на рис. 1.

РИС. 1

Устройство включается последовательно с нагрузкой в сеть 220 В и работает следующим образом. В исходном состоянии кнопка SB1 разомкнута, конденсаторы C1, C2 разряжены и напряжение затвор-исток полевого транзистора VT2 равно нулю. При подаче через нагрузку EL1 напряжения сети 220 В транзистор VT2 остается в закрытом состоянии, напряжение сток-исток этого транзистора представляет двухполупериодное выпрямленное диодным мостом VD1 напряжение сети. В результате протекания тока через резистор R1 и светодиод HL1 происходит зарядка конденсатора С1 до опорного напряжения стабилитрона VD2, которое равно 15 В. После зарядки конденсатора ток продолжает течь по цепи +VD1, HL1, R1, VD2, -VD1, светодиод, HL1 светится. При кратковременном нажатии на кнопку без фиксации SB1 происходит быстрая зарядка конденсатора С2 но цепи +С1, R2, SB1, С2, -C1. Резистор R2 ограничивает ток через контакты кнопки SB 1. Время зарядки конденсатора С2 определяется постоянной времени цепочки R2C2 и составляет приблизительно 0,5 мс. При достижении напряжения на затворе транзистора VT2 порогового значения этот транзистор открывается и замыкает диодный мост VD1. Загорается осветительная лампа EL1, гаснет индикаторный светодиод HL1. Транзистор VT2 будет находиться в открытом состоянии до тех нор, пока напряжение на конденсаторе С2 не снизится до его порогового напряжения. Время разрядки С2 определяется постоянной времени цепочки C2R6 и для номиналов, указанных на схеме, составляет около 3 мин. Транзистор VT1 служит для уменьшения времени закрывания транзистора VT2 и тем самым предотвращает его разогрев. В начале процесса закрывания транзистора V12 на его стоке появляется напряжение, через делитель R3R4 поступающее на базу транзистора VT1, который открывается и через резистор R5 разряжает конденсатор С2. Процесс имеет лавинообразный характер, поскольку транзистор VT1 совместно с резисторами R3—R5 образуют цепь положительной обратной связи для транзистора VT2. Резистор R5 ограничивает ток через транзистор VT1. В результате закрывания транзистора VT2 прекращается ток через нагрузку, гаснет лампа EL1 и включается светодиод НL1. Устройство готово к повторному запуску.

Устройство, схема которого приведена на рис. 2, отличается от первого следующими дополнительными функциями: повторным нажатием кнопки SB1 можно отключать нагрузку, не дожидаясь автоматического выключения; имеется защита от перегрузки — при превышении тока нагрузки выше порогового значения происходит ее отключение. Для реализации функции поочередного включения и выключения применена кнопка SB1 с переключающими контактами и диод VD3. При первом нажатии кнопки SB1 нагрузка включается, после отпускания кнопки конденсатор C1 разряжается через резистор R2, нормально замкнутый контакт кнопки SB1, диод VD3 и от­крытый транзистор VT2. При повторном нажатии на кнопку SB1 времязадающий конденсатор С2 разряжается через резистор R2 на конденсатор С1, транзистор VT2 закрывается и нагрузка отключается. Конденсатор С1 заряжается до напряжения 15 В, за время около 0,2 с, и устройство готово к обычному включению следующим нажатием кнопки SB1. Для защиты от перегрузки по току введен резистор R7, который является датчиком тока нагрузки, и напряжение с которого подается на переход база-эмиттер транзистора VT1. При напряжении на этом резисторе порядка 0,6 В транзистор VT1 открывается и через резистор R5 разряжает времязадающий конденсатор С2, в результате закрывается полевой транзистор VT2. Сопротивление этого резистора должно выбираться из соотношения R7 = 0,6/(3…4)Iн где, Iн — номинальный ток нагрузки в амперах. Время задержки срабатывания защиты составляет около 2 мс. Таймер был испытан с лампой накаливания мощностью 100 Вт. При изменении напряжения сети в диапазоне 187…242 В нестабильность времени срабатывания не превысила 3 %, примерно такой же дрейф по времени был зафиксирован при изменении температуры окружающей среды в диапазоне +27…60 °С. Кроме того, было проведено измерение времени отключения без времязадающего резистора R6, это время при температуре окружающей среды +27 °С превысило двое суток. Из этого можно сделать вывод, что токи утечки времязадающего конденсатора С2 через затвор полевого транзистора VT2 и транзистор VT1 на три порядка меньше тока разрядки этого конденсатора через резистор R6 = 150 МОм. Такая продолжительная работа устройства при отсутствии времязадающего резистора R6 позволяет использовать его в качестве простого выключателя нагрузки с защитой от перегрузки по току и маломощной кнопкой управления.  В последнем варианте устройство прекрасно работает как от сети переменного, так и постоянного тока. Для обеспечения плавного включения потребовалось введение еще одного конденсатора С5 в цепь затвора полевого транзистора VT2 (рис. 3). Теперь при нажатии на кнопку SB1 основной времязадающий конденсатор С2 быстро заряжается до напряжения, близкого к напряжению на С1, а затем через резистор R5 плавно заряжается конденсатор С5 независимо от того, нажата или отпущена кнопка SB1. Однако обеспечить плавное включение удалось только после введения между стоком и затвором транзистора VT2 цепи отрицательной обратной связи R11C4. Кроме этого для блокировки во время плавного пуска положительной обратной связи, которая реализована с помощью цепи R9C3, введена цепь из резистора R8 и диода VD5. Эта цепь работает следующим образом — в исходном состоянии транзистор VT2 закрыт, светится индикатор НL1, конденсатор СЗ через диод VD5 заряжается до максимального значения напряжения сети. При нажатии на кнопку SB1, как было описано выше, медленно заряжается конденсатор С5, полевой транзистор VT2 открывается, амплитуда напряжения на стоке этого транзистора уменьшается, в результате закрывается диод VD5, и теперь амплитуда импульсов, поступающих на базу транзистора VT1 через цепь R8C3R9, недостаточна для его открывания. Конденсатор C3 будет относительно медленно разряжаться через резистор R8 и открытый транзистор VT2. После разрядки СЗ запирающее напряжение с диода VD5 снимается и цепь положительной обратной связи R9C3 готова к работе. Диод VD4 и резистор R6 уменьшают время выключения нагрузки. Для номиналов, указанных на рис. 3, время плавного включения составило 1 с, а время выключения — 0,2 с. Изменением емкости конденсатора С4 можно менять время плавного включения, а номиналом R6 — регулировать время выключения нагрузки. Плавное включение продлевает срок службы ламп накаливания, а при управлении электродвигателями — уменьшает пусковые токи. Время выключения имеет существенное значение в последнем случае, когда нагрузка представляет собой значительную индуктивность и при быстром выключении между выводами сток-исток транзистора VT2 появляется значительный выброс напряжения, что может вывести его из строя. Если в качестве нагрузки используется лампа накаливания, то вместо резистора R6 можно поставить перемычку, чтобы до минимума уменьшить время выключения. Устройство было испытано с лампами накаливания мощностью от 25 до 200 Вт, а также с коллекторным электродвигателем переменного тока мощностью 150 Вт. Для изготовления устройства, но схеме, приведенной на рис. 3, могут быть использованы следующие детали. Конденсатор С1 — импортный оксидный на напряжение не менее 50 В. Остальные конденсаторы — пленочного типа с малыми токами утечки, например К73-17, конденсаторы СЗ, С4 на напряжение 630 В. Резисторы R2—R6, R9, R10— МЛТ, С2-23, С2-33, С1-4 указанной на рис. 3 мощности, резисторы R7, R8, R11 — высокоомные СЗ-13, С23-14, резистор R1 — прово­лочный КNР 1,0 Вт. В качестве SB1 применена миниатюрная кнопка без фиксации PSM100 (B170H). Диодный мост VD1 на напряжение не менее 600 В и ток, превышающий номинальный ток нагрузки не менее чем в три раза, например, КВРС106— 110, BR36—310, КВL06, 07. Диод 1N4148 может быть заменен на КД521, КД522 с любым буквенным индексом. Вместо стабилитрона VD2 BZX55C15 на напряжение 15 В можно установить отечественный КС515А1. Светодиод HL1 — красного цвета свечения с малым рабочим током, например, L-53LSRD, L-53LID. Транзистор ВС547С можно заменить на КТ3102В, КТ3102Г. Полевой транзистор VT2 IRF840 с максимальным напряжением сток-исток 500 В, максимальным током стока 8 А и максимальной мощностью 125 Вт можно заменить на более мощный IRFP450. На транзистор установлен теплоотвод в виде алюминиевой пластины тол­щиной 2 мм и размером 20×30 мм. Поскольку во время плавного включения полевой транзистор работает в активном режиме и сопротивление сток-исток этого транзистора медленно изменяется от бесконечности до минимального значения, максимальная мощность, рассеиваемая этим транзистором, будет при равенстве сопротивления сток-исток полевого транзистора и сопротивления активной нагрузки. Эта максимальная мощность будет равна (Uc/2)x(lн/2) =  Рн/4. Поэтому в устройстве должен использоваться транзистор с максимальной мощностью не менее четверти мощности коммутируемой нагрузки. Если таймер коммутирует нагрузку мощностью не более 200 Вт, можно использовать полевые транзисторы BUZ90A (РМАКС = 75 Вт), SSP6N60, КП707Б1—Е1.Устройство собрано на печатной плате размером 50×50 мм (рис. 4).

Конденсатор С5 должен быть расположен вблизи транзистора VT2, его емкость должна быть как минимум на порядок меньше основной времязадающей емкости С2, но не слишком малой. Особое внимание следует уделить изоляции цепей, непосредственно связанных с затвором VT2, так как попадание токопроводящей пыли или влаги может повлиять на время выдержки таймера. После монтажа плата должна быть тщательно промыта спиртом, хорошо высушена и внимательно проверена на правильность монтажа. Устройство не требует настройки. Единственно, что нужно проверить — это напряжение на нагрузке в момент ее выключения. Это напряжение должно быть меньше номинального на 10… 15 В, в противном случае следует подобрать номинал резистора R9. Время выдержки зависит от номиналов конденсатора С2 и резистора R7 и, как указывалось выше, составляет примерно 3 мин. Для удлинения выдержки необходимо увеличить сопротивление резистора R7 или емкость конденсатора С2, однако пленочные конденсаторы большой емкости достаточно громоздки, поэтому предпочтительнее увеличивать сопротивление резистора R7.

Таймер, схема которого приведена на рис. 3, выполняет те же функции, что и управляемое реле времени для светильника, но не создает помех, может работам, как на активную, так и на индуктивную нагрузку, и имеет аварийное отключение при перегрузке. Кроме того, если удалить времязадающий резистор R7, то также, как и таймер, собранный по схеме на рис. 2, данное устройство можно использовать в качестве простого выключателя нагрузки с плавным включением и защитой от перегрузки. Описанные выше таймеры на полевых транзисторах имеют некоторые недостатки, но сравнению с устройствами на симисторах: меньший КПД, поскольку потери энергии имеют место не только на открытом полевом транзисторе, но и на диодном мосте; относительно небольшая мощность коммутируемой нагрузки.

Схемотехника №11 2004г стр. 5

Реле времени на полевых транзисторах » S-Led.Ru


В последнее время появились в продаже люминесцентные энергосберегающие осветительные лампы мощностью потребления 8…40 Вт на номинальное напряжение 220 В. По сравнению с обычными лампами накаливания они отличаются большим сроком службы, меньшей потребляемой мощностью при равной с лампами накаливания светоотдаче, более приятным спектром света и, к сожалению, большей ценой, но все же, окупаемой примерно за 12-18 месяцев. То, что такие лампы меньше расходуют энергии, вовсе не означает, что её не надо экономить, да и сами лампы не вечны.

Из-за особенностей работы таких ламп, не все симисторные или тиристорные реле времени подходят для них. Поэтому и было разработано устройство, принципиальная схема которого представлена на рисунке выше.

Реле времени построено по классической схеме с RC времязадающей цепью. Узел управления нагрузкой на доступных, в настоящее время, полевых n-канальных транзисторах обогащенного типа. Данная конструкция способна работать с нагрузкой от 0 до 150 Вт (нижний порог для тиристоров и симисторов обычно ограничен мощностью 5-40 Вт). К выходу этого реле без проблем можно подключать нагрузку любого типа, в том числе, коллекторные электродвигатели и маломощные сетевые блоки питания.

Работает устройство следующим образом. После замыкания выключателя SB1 на реле подается сетевое напряжение питания. Конденсатор фильтра питания С3 заряжается по цепочке VD7-R6. Напряжение на его выводах ограничивается на уровне 13-14 В цепочкой из стабилитрона VD8 и светодиода HL2. Так как в момент включения напряжения сети времязадающий конденсатор С2 разряжен, то транзистор VT3 закрыт, VT2 открыт, мощный высоковольтный транзистор VT1 закрыт — нагрузка обесточена.

При замыкании кнопки SЗ «включение» конденсатор С2 заряжается от конденсатора С3 до 12-14 В, транзистор VT3 открывается, VT2 закрывается, VT1 открывается, на нагрузку подается почти полное напряжение питания (Uпит. — 2,3 В). Падение напряжения на открытом транзисторе VT1, указанного на схеме типа, при работе с нагрузкой мощностью 40 Вт не превышает 0,3 В. Соответственно, рассеиваемая его корпусом мощность не превышает 60 мВт.

Каскад на транзисторах VT2, VT3 типа КП501 обладает крутой передаточной характеристикой. И тем не менее, они включены как триггер Шмитта. Положительную обратную связь, необходимую для работы каскада в таком режиме, создает резистор R4. Благодаря такому построению, исключено нахождение транзистора VT1 в неопределенном активном состоянии, т.е. он может быть или полностью открыт, или закрыт, что исключает его перегрев и превышение максимальной рассеиваемой мощности.

Диоды VD5, VD6 защищают дорогостоящий транзистор VT1 при прикосновении к выводу его затвора от пробоя из-за токов утечки или мощных разрядов статического электричества (для повреждения транзистора может быть достаточно прикосновения отвертки к его выводу затвора). Резистор R1 уменьшает броски тока при подаче напряжения питания на некоторые типы нагрузок, такие как аппараты с импульсными блоками питания (телевизоры, видеомагнитофоны, некоторые типы зарядных устройств, уже упомянутые энергосберегающие лампы и т. д.), что создает более щадящий режим для VT1 в момент включения.

Варистор R2 защищает элементы схемы от бросков напряжения в питающей сети, которые могут достигать 5 КВ.
Цепочка R5-C1-HL1 представляет собой индикатор включения нагрузки. Кроме того, она немного демпфирует цепь трансформаторной нагрузки при отключении питания.

О деталях устройства. Резистор R1 проволочный типа С5-37, ПЭВ-7,5 сопротивлением 2,2… 3,6 Ом. Его можно составить из четырех резисторов МЛТ-2 сопротивлением по 12 Ом, включенных параллельно. Остальные резисторы типа С1-4, С2-23, ВС-0,125, МЛТ-0,125. Варистор установлен типа FNR-10K391. Можно взять другие на рабочее напряжение 390-470 В, например, FNR-07K431, FNR-14K431, FNR-10К471.

Конденсатор С1 типа К73-17, К73-16, К73-24, МБГЧ-1 на напряжение не менее 400 В. Оксидные конденсаторы С2, С3 — импортные аналоги К50-35. Конденсатор С2 следует взять с током утечки не более 0,3 мкА при напряжении 10В. На его месте хорошо работают конденсаторы фирм «Rubicon», «DON» на рабочее напряжение 35, 63 В. Можно попробовать и некоторые типы отечественных танталовых или ниобиевых конденсаторов, например, К53-4. Для выдержек, не превышающих 10-20 минут, отлично подходят полиэтилентерефталатные конденсаторы К73-17 на 4,7… 10 мкФ.

Для работы с нагрузкой, мощность которой менее 150 Вт, на месте диодов выпрямительного моста VD1-VD4 могут работать диоды КД243 Г-Е, 1 N4004 — 1N4007, КД247 В-Д, КД226 В-Е, КД411 А-Г, диодные мосты КЦ402 А-В, КЦ405 А-В, RB155, W10M. Диоды VD5, VD6 могут быть любыми из серий КДЮ2, КД103, КД521, 1N4148. Двухкристальный светодиод НИ — серий КИПД23, КИПД41, КИПД45, L-57EGW, L117EGW. Светодиод HL2 можно взять из серий АЛ307, КИПД35, КИПД36, КИПД40, L-934SGC, L-1503SRC. При монтаже необходимо следить за его полярностью. Стабилитрон подойдет любой маломощный на 12…13 В, —Д814Д, КС512А.

Рис. 2


Транзисторы VT2, VT3 можно взять любые из серий КП501, КП505, КР1014КТ1. Транзистор VT3 желательно подобрать с возможно меньшим пороговым напряжением (1…1. 5 В). Сделать это можно так, как показано на рис.2. Мощный транзистор VT1 можно использовать любой аналогичный на напряжение сток-исток не менее 400 В и максимальный ток стока от 6А, например КП707А1, КП707Б2, КП707Д1, КП776А, КП777А, IRF840. Его желательно установить на небольшой теплоотвод с площдью охлаждающей поверхности 40… 120 см2. Кнопки SB2, SB3 любые без фиксации, например, ПКН-150, TD-06XEX. SB1 — тумблер ТП1-2 или другой на напряжение не ниже 250 В и ток от 2А.

С указанными на схеме параметрами время-задающей цепи C2-R8-R9-R10 при использовании оксидного конденсатора фирмы «DON», время выдержки превышает 2 часа. Если С2 взять пленочный на 4,7 мкФ, то выдержка составит 6 минут. Можно установить несколько конденсаторов разной емкости и коммутировать их, в зависимости от требуемой длительности работы нагрузки, галетным или кнопочным переключателем.

Рис. 3


На рисунке 3. показано, как просто переделать реле времени в чувствительное фотореле, если использовать датчик освещенности на фототранзисторе. Здесь, нагрузка включается при освещении датчика. Если нужна обратная логика, то VT4 и R8 нужно поменять местами. При наладке и эксплуатации этого устройства следует помнить, что все его элементы находятся под напряжением сети переменного тока и соблюдать необходимые меры осторожности.

При желании,применив более мощный выпрямительный диодный мост и установив на соответствующий теплоотвод несколько параллельно включенных транзисторов, указанного на схеме типа, можно управлять нагрузкой в несколько сотен Вт. При этом, резистор R1 можно исключить, а предохранитель FU1 взять на соответствующий ток.

Ключ на полевом транзисторе своими руками

Пожалуй, даже далёкий от электроники человек слышал, что существует такой элемент, как реле. Простейшее электромагнитное реле содержит в себе электромагнит, при подаче на который напряжения происходит замыкание двух других контактов. С помощью реле мы может коммутировать довольно мощную нагрузку, подавая или наоборот, снимая напряжение с управляющих контактов. Наибольшее распространение получили реле, управляющиеся от 12-ти вольт. Также встречаются реле на напряжение 3, 5, 24 вольта.

Однако коммутировать мощную нагрузку можно не только с помощью реле. В последнее время широкое распространение получили мощные полевые транзисторы. Одно из их главных предназначений – работа в ключевом режиме, т.е. транзистор либо закрыт, либо полностью открыт, когда сопротивление перехода Сток – Исток практически равно нулю. Открыть полевой транзистор можно подав напряжение на затвор относительно его истока. Сравнить работу ключа на полевом транзисторе можно с работой реле – подали напряжение на затвор, транзистор открылся, цепь замкнулась. Сняли напряжение с затвора – цепь разомкнулась, нагрузка обесточена.
При этом ключ на полевом транзисторе имеет перед реле некоторые преимущества, такие, как:
  • Большая долговечность. Довольно часто реле выходят из строя из-за наличия механически подвижных частей, транзистор же при правильных условиях эксплуатации имеет гораздо больший срок службы.
  • Экономичность. Обмотка реле потребляет ток, причём иногда весьма значительный. Затвор транзистора же потребляет ток только в момент подачи на него напряжения, затем он практически не потребляет тока.
  • Отсутствие щелчков при переключении.

Схема


Схема ключа на полевого транзистора представлена ниже:

Резистор R1 в ней является токоограничивающим, он нужен для того, чтобы уменьшить ток, потребляемый затвором в момент открытия, без него транзистор может выйти из строя. Номинал этого резистора можно спокойно изменять в широких пределах, от 10 до 100 Ом, это не скажется на работе схемы.
Резистор R2 подтягивает затвор к истоку, тем самым уравнивая их потенциалы тогда, когда на затвор не подаётся напряжение. Без него затвор останется «висеть в воздухе» и транзистор не сможет гарантированно закрыться. Номинал этого резистора также можно менять в широких пределах – от 1 до 10 кОм.
Транзистор Т1 – полевой N-канальный транзистор. Его нужно выбирать исходя из мощности, потребляемой нагрузкой и величины управляющего напряжения. Если оно меньше 7-ти вольт, следует взять так называемый «логический» полевой транзистор, который надёжно открывает от напряжения 3.3 – 5 вольт. Их можно найти на материнских платах компьютеров. Если управляющее напряжение лежит в пределах 7-15 вольт, можно взять «обычный» полевой транзистор, например, IRF630, IRF730, IRF540 или любые другие аналогичные. При этом следует обратить внимание на такую характеристику, как сопротивление открытого канала. Транзисторы не идеальны, и даже в открытом состоянии сопротивление перехода Сток – Исток не равно нулю. Чаще всего оно составляет сотые доли Ома, что совершенно не критично при коммутации нагрузки небольшой мощности, но весьма существенно при больших токах. Поэтому, чтобы снизить падение напряжения на транзисторе и, соответственно, уменьшить его нагрев, нужно выбирать транзистор с наименьшим сопротивлением открытого канала.
«N» на схеме – какая-либо нагрузка.
Недостатком ключа на транзисторе является то, что он может работать только в цепях постоянного тока, ведь ток идёт только от Стока к Истоку.

Изготовление ключа на полевом транзисторе


Собрать такую простую схему можно и навесным монтажом, но я решил изготовить миниатюрную печатную плату с помощью лазерно-утюжной технологии (ЛУТ). Порядок действий, следующий:
1) Вырезаем кусок текстолита, подходящий под размеры рисунка печатной платы, зачищаем его мелкой наждачной бумагой и обезжириваем спиртом или растворителем.

2) На специальной термотрансферной бумаге печатаем рисунок печатной платы. Можно использовать глянцевую бумагу из журналов или кальку. Плотность тонера на принтере следует выставить максимальную.

3) Переносим рисунок с бумаги на текстолит, используя утюг. При этом следует контролировать, чтобы бумажка с рисунком не смещалась относительно текстолита. Время нагрева зависит от температуры утюга и лежит в пределах 30 – 90 секунд.

4) В итоге на текстолите появляется рисунок дорожек в зеркальном отображении. Если тонер местами плохо прилип к будущей плате, можно подправить огрехи в помощью женского лака для ногтей.

5) Далее, кладём текстолит травиться. Существует множество способов изготовить раствор для травления, я пользуюсь смесью лимонной кислоты, соли и перекиси водорода.

После травления плата приобретает такой вид:

6) Затем необходимо удалить тонер с текстолита, проще всего это сделать с помощью жидкости для снятия лака для ногтей. Можно использовать ацетон и другие подобные растворители, я применил нефтяной сольвент.

7) Дело за малым – теперь осталось просверлить отверстия в нужных местах и залудить плату. После этого она приобретает такой вид:


Плата готова к запаиванию в неё деталей. Потребуются всего два резистора и транзистор.

На плате имеются два контакта для подачи на них управляющего напряжения, два контакта для подключения источника, питающего нагрузку, и два контакта для подключения самой нагрузки. Плата со впаянными деталями выглядит вот так:


В качестве нагрузки для проверки работы схемы я взял два мощных резистора по 100 Ом, включенных параллельно.

Использовать устройство я планирую в связке с датчиком влажности (плата на заднем плане). Именно с него на схему ключа поступает управляющее напряжение 12 вольт. Испытания показали, что транзисторный ключ прекрасно работает, подавая напряжение на нагрузку. Падение напряжение на транзисторе при этом составило 0,07 вольта, что в данном случае совсем не критично. Нагрева транзистора на наблюдается даже при постоянной работе схемы. Успешной сборки!



Скачать плату и схему:
plata.zip [4.93 Kb] (cкачиваний: 1424)

Полевой транзистор в статическом реле

Полевой транзистор в статическом реле: Полевой транзистор

в статическом реле является униполярным устройством по сравнению с уже рассмотренным биполярным транзистором. Он состоит из стержня из полупроводникового материала, сопротивление которого модулируется путем изменения либо площади поперечного сечения стержня, либо плотности носителей тока в нем, либо того и другого с помощью некоторых электрических средств. Используются две конструкции. Один из них — это универсальное устройство, в котором управляемая модуляция затрагивает только поперечное сечение проводящего канала.Обычно это соединение FET . Другая структура, называемая полевым транзистором с изолированным затвором (IGFET) или кремниевым полевым транзистором (MOSFET) (MOSFET) , включает модуляцию как поперечного сечения канала, так и плотности носителей тока в нем.

Junction FET показан в поперечном сечении на рис. (10.11). Брусок германия n-типа фланкирован двумя участками германия p-типа. Модулируемый ток проводимости проходит между концами стержня n-типа.Площадь поперечного сечения, доступная для проводимости между двумя областями p-типа, является функцией величины обратного смещения между двумя областями p-типа и полосой n-типа. Входное сопротивление этого устройства довольно высокое, а выходное сопротивление умеренно высокое.

Этот тип устройства показывает меньшую внутреннюю обратную связь между входом и выходом, чем обычный транзистор. Типичные характеристические кривые переходного полевого транзистора показаны на рис. (10.12). Он имеет характеристики, аналогичные пентодной трубке.Отрицательное смещение в несколько вольт на затворе блокирует ток между стоком и истоком благодаря полевому транзистору в статическом реле.

Структура полевого МОП-транзистора показана на рис. (10.13). Здесь видно, что две диффузные p-области, исток и сток, разделены материалом n-типа исходного кристалла. Поверх этого изолирующего оксида между областями истока и стока нанесен металлический электрод затвора из алюминия. Алюминиевые контакты также сделаны к областям истока и стока.Если на электрод затвора поместить отрицательный заряд в несколько вольт, такой же положительный заряд будет собираться на поверхности полупроводникового кристалла прямо под оксидом. Этот положительный заряд теперь соединяет области истока и стока p-типа, и, поскольку он подвижен, он образует между ними тонкий проводящий канал. У него очень высокий входной импеданс. Основное преимущество устройства состоит в том, что высокий входной импеданс сохраняется как для положительного, так и для отрицательного входного напряжения, поскольку затвор изолирован от остальной структуры слоем SiO 2 .Это поведение контрастирует с переходом полевого транзистора, где затвор представляет собой смещенный в обратном направлении переход для одной входной полярности, но прямой смещенный переход для другой входной полярности.

Полевой транзистор как коммутатор:

На низких частотах полевой транзистор не имеет напряжения смещения. Порогового значения коммутируемого сигнала не требуется. В обычном биполярном транзисторе переключаемый сигнал должен превышать напряжение перегиба в прямой диодной характеристике коллектора, прежде чем появится заметный сигнал через переключатель во включенном состоянии.Здесь канал, когда он открывается затвором, представляет собой линейное сопротивление, не требующее такого порога. При высокой частоте переключения возникает ток из-за быстрой зарядки и разрядки емкости затвора через канал, создавая падение ИК-излучения в канале, которое действует как напряжение смещения.

Снижение затрат на переключение в автоматизированной испытательной системе с полевыми транзисторами и твердотельными реле

Устройства

FET и SSR помогают снизить затраты на автоматизированные испытательные системы за счет снижения первоначальных затрат, увеличения срока службы системы коммутации и минимизации времени тестирования.

Компактный размер полевых транзисторов и твердотельных реле помогает снизить первоначальные затраты на системы коммутации PXI. Стоимость модуля переключателя PXI основана на стоимости компонентов реле, внутренних схем и материалов, таких как печатная плата (PCB), которые используются для сборки модуля. Малый форм-фактор полевых транзисторов и твердотельных реле упрощает создание однослотовых коммутационных модулей PXI с очень высокой плотностью размещения. Это помогает уменьшить количество модулей PXI и, следовательно, слотов PXI, используемых в шасси, при построении систем коммутации высокой плотности, таких как те, которые используются в проверочных тестерах полупроводников. Используя меньше модулей, вы меньше расходуете сырье и внутреннюю архитектуру. Матрица 544 точек коммутации PXI-2535 является примером модуля коммутации PXI с очень высокой плотностью размещения, построенного с использованием технологии полевых транзисторов.

Неограниченный механический срок службы и более высокие скорости переключения переключателей на полевых транзисторах также помогают минимизировать затраты на испытательные системы. Рассмотрим пример системы, которая используется для проведения 10 тестов на микросхеме с 500 точками ввода-вывода. Чип используется во многих устройствах, а его совокупные продажи оцениваются в 1 миллион в месяц.Требуется, чтобы тестовая система, построенная с использованием одного источника измерения источника (SMU) NI PXI-4130 и коммутирующего интерфейса, который используется для маршрутизации всех 500 точек на SMU, работала непрерывно. Ниже приводится сравнение затрат на использование коммутатора на основе полевых транзисторов и устройства на основе электромеханического реле.

Используя скорость сканирования 50 000 каналов в секунду переключателя на полевых транзисторах PXI-2535 с 544 точками пересечения, вы можете протестировать все 1 миллион микросхем менее чем за 12 дней. Поскольку механический срок службы полевых транзисторов неограничен, вы не несете никаких затрат на замену модуля переключения во время процесса.

Рис. 4. Тестирование микросхемы с SMU и переключателем на полевых транзисторах 544-Crosspoint

Если бы вы использовали коммутационный модуль на базе электромеханического реле с такой же плотностью, затраты были бы намного выше. Электромеханические реле имеют типичный срок службы 1 миллион замыканий и скорость 250 каналов в секунду. Поскольку каждое реле замыкается 10 миллионов раз в процессе тестирования всех 1 миллиона микросхем, модуль реле необходимо заменять 10 раз.Это увеличит общие расходы на обслуживание системы. Более низкая скорость электромеханических реле также увеличивает затраты по сравнению с решением на основе полевых транзисторов. Время, затраченное на тестирование 1 миллиона микросхем с использованием электромеханических реле, составляет 231 день. Таким образом, использование электромеханических реле увеличило бы стоимость обслуживания и эксплуатации производственного цеха на 219 дополнительных дней по сравнению с модулем на основе полевых транзисторов. Более продолжительное время тестирования также создает проблемы при управлении запасами и доставке продуктов клиентам.

Хотя этот пример является гипотетическим, он показывает реальную экономию затрат, которую вы можете достичь благодаря преимуществам технологий FET и SSR.

Простая схема задержки времени с использованием полевого МОП-транзистора

Мой сын хочет узнать больше о полевом МОП-транзисторе. Я рекомендую попробовать создать схему с длительной выдержкой времени. Он сказал, что это легче, чем транзисторы могут выдавать мощность, и он хорош для коммутации и усилителя.

1. Выключен после задержки с использованием полевого МОП-транзистора

2. Включен после задержки с использованием полевого МОП-транзистора

Металлооксидный полупроводниковый полевой транзистор, сокращенно обозначаемый как MOSFET.Это один из важнейших транзисторов.

Мы используем их в памяти микрокомпьютера, чтобы разместить большое количество полевых МОП-транзисторов на серебре кремния.

Поскольку полевые МОП-транзисторы просты в изготовлении, они имеют небольшие размеры и потребляют намного меньше энергии. Так что новые типы силовых полевых МОП-транзисторов очень полезны.

Обычно я использую полевой МОП-транзистор как хороший переключатель и очень хорошо усиливаю звук.

Работа MOSFET

Я рекомендую сыну использовать номер MOSFET-IRF540N. Из-за высокой производительности, дешевой, простой в использовании.Он работает как транзистор, но имеет другие ножки.

Внутренняя структура N-MOSFET по сравнению с NPN
И P-MOSFET по сравнению с PNP.

Когда на затворе полевого МОП-транзистора есть положительное напряжение, он будет притягивать электроны в область под затвором. Ток, протекающий через источник и сток, становится выше, чем напряжение затвора.

Ниже, при использовании полевого МОП-транзистора для управления лампой. Мы используем меньшее напряжение на затворе, лампа намного ярче, если мы используем более высокое напряжение затвора.

Также мы можем использовать MOSFET — это простой лайнер-диммер.

Схема линейного регулятора яркости света с использованием силового полевого МОП-транзистора

Когда мы уменьшаем значение R2 (переменный резистор). Лампа тоже погаснет. В этой схеме используется N-канальный силовой МОП-транзистор.

Соединяем R1, R2 и R3 в виде делителя напряжения. Если низкое напряжение на затворе MOSFET. Это приводит к тому, что он работает меньше. И ток, идущий к нагрузке, тоже меньше.

Это просто? Да, вы можете использовать нагрузку — лампу или катушку. Если вы используете блок питания на 6 В. Можно использовать лампочки от 4В до 6В.

В любом случае, вернемся, чтобы продолжить обучение:

ВЫКЛ.

После задержки в цепи с использованием полевого МОП-транзистора

Нажимаем S2 (нажимаем нижний переключатель), чтобы закрыть. Ток будет течь для зарядки в C1, теперь падение напряжения на затворе — это напряжение батареи (9 В). Это заставляет MOSFET работать, текущий поток проходит через Source to Drain MOSFET, зуммер будет активен.

Затем отпускаем S1 (ОТКРЫТЬ) Зуммер будет активен. После внутренней разрядки C1 или через R1 (опция) Q1 отключается и выключает зуммер.Возможность управления с большой задержкой через C1 и R1, 100 мкФ в течение часа.

Если время очень велико, но нам нужно остановиться раньше времени. Мы помещаем S2 для сброса или короткого замыкания, ток в C1 сначала равен нулю.

ПРИМЕЧАНИЕ: В нагрузке мы используем пьезобузер (или переносное радио, свет, светодиоды и т. Д.). Не превышайте номинальную мощность Q1. Используйте резистор серии R2, чтобы уменьшить ток через Q1 и нагрузку. Ниже мы тестируем его, используя светодиод в качестве нагрузки.

Как это проверить

Мой сын тестирует эту схему на макетной плате, все заработало.

Схема выключения после задержки на макетной плате с использованием полевого МОП-транзистора
Вам понадобятся детали

Q1: IRF540N, МОП-транзистор TO-220 N-Channel 33A 100 В
C1: 100 мкФ 25 В, электролитические конденсаторы
R1: 10 МОм, 1/4 Вт Допуск резисторов: 5 %
R2: 390 Ом, 1/4 Вт Допуск резисторов: 5%
BZ1: Пьезоэлектрический преобразователь
LED1: Светодиод как вы хотите

Тестирование

1. Подключите батарею 9 В к цепи
2. Измерьте напряжение на C1 теперь равен нулю
3.Нажмите S1, напряжение C1 составляет около 9В, та же батарея
4. LED1 загорится
5. Проходит время, напряжение C1 постепенно уменьшается
6. Когда напряжение падает ниже 3V LED1, он постепенно гаснет. Пока светодиод LED1 не погаснет полностью.
7. Во время этого нажимаем S2, это дает LED1 погаснуть в качестве сброса.

Включен после задержки с MOSFET

Включен после задержки. Выше мы используем полевой МОП-транзистор, как в схеме для переключателя задержки, который проще, чем транзистор.

Теперь мы добавляем Q2, чтобы инвертировать состояние Q1.Таким образом, зуммер звучит по истечении времени задержки.

Как это работает

Когда мы нажимаем S1 (ЗАКРЫТЬ), электрический звонок внезапно перестает громко, также над схемой, теперь напряжение C1 высокое, поэтому полевой МОП-транзистор Q1 активен. Напряжение на Drain -Source равно нулю.

Транзистор Q2 NPN не имеет тока смещения к базе, поэтому ток не проходит через коллектор-эмиттер. При этом звонка электроники нет.

Далее, мы выпустили S1, но звука все равно нет.

Со временем, постепенно.MOSFET постепенно перестает работать. Значит, напряжение сток-исток выше.

Делает Q2 активным, база смещается для управления большим током на коллектор-эмиттер до включения зуммера.

Примечание: Резисторы R2 сохраняют для уменьшения популярности электрического звонка, R1 добавляют для уменьшения времени и уменьшения шума, обеспечиваемого полевым МОП-транзистором. Q2 использует 2N2222 или BC549 или C1815 все транзисторы NPN

Детали вам понадобятся

Q1: IRF540N, TO-220 MOSFET N-Channel 33A 100V
Q2: 2N2222, 75V 0.6A TO-18 NPN транзистор
C1: 100 мкФ 25 В, электролитические конденсаторы
R1: 10 м, 1/4 Вт Допуск резисторов: 5%
R2: 390 Ом, 1/4 Вт Допуск резисторов: 5%
BZ1: пьезоэлектрический преобразователь

Не только что мы также изучаем задержку полевого транзистора

Базовая схема таймера с использованием полевого транзистора

Это простые схемы задержки времени, использующие полевой транзистор. Что он будет сигнализировать звуком зуммера. В схемах есть несколько деталей. И важным компонентом является 2N3819-FET — малосигнальный N-канальный транзистор.

Также с помощью конденсатора заряжается и разряжается через резисторы. Затем используйте напряжение на них для управления включением затвора 2N3819. Будет звучать зуммер или на выходе долгое время будет высокий уровень емкости.

Идеально для разучивания простых таймеров. Вы можете сделать это в схемах с двухкратной задержкой, используя JFET — усилитель VHF / UHF N-Channel,

Как это работает

Этот электронный звонок подает звуковой сигнал до времени задержки длительностью 1,5 минуты.

Прежде всего, нажмите выключатель питания (S2).Затем переключатель S1 в положении «Сброс» вызывает громкий электрический звонок или зуммер.

Если мы переключим S1, возврат в установленное время, электрический звонок будет молчать, пока время не установится.

Мы снова остановим электрический звонок. Если друзья меняют номинал конденсатора С1 или резистора R1 за задержку, давно подорожают. И уменьшите R2, оставаясь в положении Reset for Reset, быстро поднимитесь.

Надеемся, друзья получат удовольствие от простой схемы таймера с будильником.

Детали, которые вам понадобятся

Q1: 2N3819 JFET 2N3819-JFET Малосигнальный транзистор с каналом N
BZ1: Электронный звонок или пьезозуммер 3 В
R1: Резисторы 1 кОм 0,25 Вт
R2: Потенциометр 2,2 м
C1: 4700 мкФ Электролитический конденсатор 16 В
S1: Ползунковый переключатель SPDT

Таймер задержки на 10 минут полевого транзистора

В этой схеме используется основная функция полевого транзистора 2N3819. Которая действует как переключатель. По проводимости, а не по проводимости. Он работает против транзистора.

Схема может использоваться для задержки цикла мала.Например, задержка, 9-вольтовая лампочка или задержка двигателя до 9-вольт постоянного тока. При поднятии цепи питания полевой транзистор Q1 работает. D и S стоят у ножек мебели к Tong Q1 будут течь вместе, ток течет через R2, поэтому поток от ножек через ножку S. D и через R4 на землю.

Значит, ток не течет в R3, который транзистор Q2 не проводит. В результате на выходе появляется напряжение 12 вольт, но когда я нажимаю переключатель S1, ток полностью течет в конденсатор C1.

Затем перейдите к ножкам G полевого транзистора. Q1 перестал работать. Следовательно, ток, протекающий через R2, вместо этого течет к R3, и для смещения транзистора Q2 для работы на выходном транзисторе Q2 не работает в течение 10 минут, потому что C1 разряжен.

S2 — переключатель сброса. При действии разряда С1 разрядиться в ближайшее время. Что время задержки зависит от C1. Если задержка будет намного дольше, если меньше, то задержка будет меньше.

Детали, которые вам понадобятся

Q1: 2N3819 JFET 2N3819-JFET Малосигнальный транзистор с каналом N
Q2: 2N3906_40V 0.2A BJT PNP-транзистор
BZ1: электронный звонок или пьезозуммер 3 В
R1: 3,3 МОм Резисторы 0,25 Вт
R2, R3, R6: 10 кОм Резисторы 0,25 Вт
R4: 470 Ом Резисторы 0,25 Вт
R5: 2,7 кОм 0,25 Вт резисторы
C1: 100 мкФ 16 В электролитический конденсатор
S1: нормально разомкнутый кнопочный переключатель

Схема задержки простого выключения с использованием 2N4871

Эта схема предотвращает скачки напряжения. При открытом выключении или сбое питания. Повреждение электроприборов. Схема переключится на использование за короткий период перед тем, как сработает схема повышения мощности.

При поднятии блока питания на 9 вольт цепь то. Задержка цепи. Продолжительность зарядки C1. VR1 корректируется со временем.

Когда C1 полностью заряжен, на штырь G полевого транзистора 2N4891 будет оказываться давление. Q1 для выполнения работы по запуску контакта G SCR для запуска.

Затем сработает реле SCR, чтобы включить работу проточного контура. Если вы хотите отложить это на более длительный срок, добавьте C1.

ПОЛУЧИТЬ ОБНОВЛЕНИЕ ПО ЭЛЕКТРОННОЙ ПОЧТЕ

Я всегда стараюсь сделать Electronics Learning Easy .

(PDF) Интегральные схемы на органических полевых транзисторах, использующие технологию самовыравнивания

Интегральные схемы на органических полевых транзисторах, использующие технологию самонастройки

Tsutomu NAGAI, Shigeki NAKA, Hiroyuki OKADA

, и Hiroyoshi ONNAGAWA

Высшая школа науки и инженерии, Университет Тоямы, 3190 Гофуку, Тояма 930-8555, Япония

(Получено 14 сентября 2006 г. ; принято 12 декабря 2006 г.; опубликовано в Интернете 24 апреля 2007 г.)

Органическое поле Интегральные схемы -эфектные транзисторы (OFET) были исследованы с применением технологии процесса самонастройки

.Чтобы получить больший логический размах и более короткое время переключения, был принят инвертор смещения уровня с конфигурацией супербуфера

. Оптимизированы параметры схемы и изготовлен семиступенчатый кольцевой генератор с длиной канала

9 мм. Полученная задержка распространения составила 24 мс / ступень, которая будет увеличена до 2–3 мс / ступень за счет уменьшения длины канала

и повышения мобильности несущей. [DOI: 10.1143 / JJAP.46.2666]

КЛЮЧЕВЫЕ СЛОВА: транзистор с органическим полевым эффектом, процесс самонастройки, интегральная схема, кольцевой генератор

1.Введение

В последнее время активно изучаются органические светодиоды (OLED) и

полевые транзисторы на органической основе (OFET)

.

1–7)

В частности, в OFET с пентаценом

в качестве активного слоя наивысшая подвижность на сегодняшний день достигает

, что для полевых транзисторов из аморфного кремния (a-Si), и это типы

OFET будет многообещающим для применения в качестве задней панели

дисплея с активной матрицей на гибкой подложке. Однако в

, чтобы получить более быструю интегральную схему, необходимо достичь не только более высокой мобильности носителей

, но также уменьшения паразитного эффекта

. В этом исследовании мы исследовали

интегральных схем, состоящих из органических тонкопленочных транзисторов

, изготовленных по технологии самонастройки,

7)

и

предварительная работа семиступенчатого кольцевого генератора

продемонстрировано.

2. Методика эксперимента

2.1 Процесс изготовления самовыравнивающихся OFET

Процесс изготовления самовыравнивающихся (SA) OFET

7)

, показанный на рис. 1. Во-первых, электрод затвора из Ti (10 нм) / Au

(100 нм) / Ti (10 нм) испаряется на формованном плавлением носиликатном стекле из алюминия

(Corning 1737) и структурируется реактивным ионным травлением

(RIE). Во-вторых, верхний слой титана травится на

o с помощью RIE, а изолятор затвора из Ta2O5 (200 нм) наносится

с использованием распылительного устройства.Для открытия контактного отверстия использовался подъемник

. В-третьих, выполняется экспонирование задней поверхности

, где электрод затвора используется в качестве фотошаблона

. Омический электрод Cr (8 нм) / Au (50 нм) испаряют

и проводят процесс снятия напряжения. После процесса подъема-отключения

длина перекрытия между затвором и электродами истока / стока

составляет всего 0,5 мм. Таким образом,

будет достигнута меньшая емкость затвора.В-четвертых, после процесса литографии

омический электрод протравливают до

с использованием царской водки и раствора нитрида церия (IV) диаммония

. Во время этих процессов самонастройки никакое соединение между затвором и истоком / стоком не может быть сформировано. Следовательно, чтобы изготовить интегральную схему, необходимо выполнить дополнительное формирование межсоединений

.

Таким образом, соединение Ti (10 нм) / Al (100 нм) — это

, испаренный и структурированный методом подъема-выключения.Наконец, пентацен

(50 нм) испаряется при температуре подложки

, равной 70 C, и давлении около 8104 Па.

2.2 Экспериментальная установка

Ручной пробник (Micronics 705A-6) и анализатор параметров

(HP 4155B) использовались для измерения электрических характеристик

. Для подтверждения превосходных характеристик схемы

использовался оригинальный симулятор схемы на основе подхода

к нордальной проводимости [аналогичный программе моделирования

с акцентом на интегральную схему (SPICE)] был использован

,

8,9 )

, где этот симулятор может использоваться для расчета статических

и переходных процессов с произвольными элементами схемы, например.г., резистор

, конденсатор, транзистор (в том числе OFET) и OLED.

Рис. 2 показывает типичное напряжение стока в зависимости от тока стока.

Рис. 1. Этапы изготовления самовыравнивающегося органического полевого транзистора.

-5-4-3-2-10

-1

-0,8

-0,6

-0,4

-0,2

0

ID (мкА)

VD (V)

VG = -5 (В)

-4

-3

-2

-1

Рис.2. Характеристики напряжения стока в зависимости от тока стока.

Адрес электронной почты: [email protected]

Японский журнал прикладной физики

Vol. 46, No. 4B, 2007, pp. 2666–2668

# 2007 Японское общество прикладной физики

2666

Сегнетоэлектрические полевые транзисторы: прогресс и перспективы: APL Materials: Vol 9, No. 2

Layer Изолятор 62,64 62. К. Рен, Г. Чжун, К.Сяо, К. Тан, М. Фэн, X. Чжун, Ф. Ан, Дж. Ван, М. Цзы, М. Тан, Ю. Тан, Т. Цзя и Дж. Ли, «Эффект высоконадежного гибкого сегнетоэлектрического поля. транзисторы, работающие при высоких температурах с низким энергопотреблением », Adv. Функц. Матер. 30 , 11 (2020). https://doi.org/10.1002/adfm.201164. К. Ко, Й. Ли, Ю. Чен, Дж. Сух, Д. Фу, А. Суслу, С. Ли, Дж. Д. Кларксон, Х. С. Чоу, С. Тонгай, Р. Рамеш и Дж. Ву, «С сегнетоэлектрическим затвором. атомарно тонкие дихалькогениды переходных металлов как энергонезависимая память », Adv.Матер. 28 , 2923 (2016). https://doi.org/10.1002/adma.201504779 Изолятор 40 40. Ю. Р. Ли, Т. К. Трунг, Б.-У. Хван, Н.-Э. Ли, «Гибкий искусственный внутренне-синаптический тактильный сенсорный орган», Nat. Commun. 11 , 2753 (2020). https://doi.org/10.1038/s41467-020-16606-w Изолятор 41,127 41. L. Chen, L. Wang, Y. Peng, X. Feng, S. Sarkar, S. Li, B Ли, Л. Лю, К. Хан, X. Гонг, Дж. Чен, Ю. Лю, Г. Хан, К. В. Анг, «Ван-дер-ваальсовый синаптический транзистор на основе сегнетоэлектрика Hf 0.5 Zr 0,5 O 2 и 2D дисульфид вольфрама, Adv. Электрон. Матер. 6 , 2000057 (2020). https://doi.org/10.1002/aelm.202000057127. В. Сяо, К. Лю, Ю. Пэн, С. Чжэн, К. Фэн, К. Чжан, Дж. Чжан, Ю. Хао, М. Ляо, Ю. Чжоу, «Окно памяти и улучшение выносливости Hf . 0,5 Zr 0,5 O 2 FeFET на основе с ZrO 2 затравочных слоев, характеризуемых измерениями быстрых импульсов напряжения ”, Nanoscale Res. Lett. 14 , 254 (2019).https://doi.org/10.1186/s11671-019-3063-2 Semiconductor 30,140 30. М. Си, А. К. Саха, С. Гао, Г. Цю, Дж. Цинь, Ю. Дуань, Дж. Jian, C. Niu, H. Wang, W. Wu, SK Gupta и PD Ye, «Полевой транзистор из сегнетоэлектрического полупроводника», Nat. Электрон. 2 , 580 (2019). https://doi.org/10.1038/s41928-019-0338-7140. К. К. Квон, Ю. Чжан, Л. Ван, В. Ю, X. Ван, И.-Х. Park, HS Choi, T. Ma, Z. Zhu, B. Tian, ​​C. Su, KP Loh и KP Loh, «Плоский сегнетоэлектрический моносульфид олова и его применение в сегнетоэлектрическом аналоговом синаптическом устройстве», ACS Nano 14 , 7628 (2020).https://doi.org/10.1021/acsnano.0c03869
Толщина (нм) 10–340 149 149. Т.П. Маанд Н. Гонг, «Удержание и долговечность ячеек памяти FeFET», в 2019 г. IEEE 11-й международный семинар по памяти IMW (IEEE, 2019), Vol. 2019, стр.1. 200∼ 69 69. X. Chen, X. Han, and Q.-D. Шен, «Сегнетоэлектрические полимеры на основе ПВДФ в современной гибкой электронике», Adv. Электрон. Матер. 3 , 1600460 (2017). https://doi.org/10.1002 / aelm.201600460 ∼10 149 149. Т. П. Маанд Н. Гонг, «Сохранение и выносливость ячеек памяти FeFET», в , 2019 IEEE 11th International Memory Workshop IMW (IEEE, 2019), Vol. 2019, стр.1. Двумерный
Метод осаждения Растворный процесс 52–58 52. Б. В. Ли, «Синтез и характеристика композиционно модифицированного PZT путем влажного химического приготовления из водного раствора», J. Eur. Ceram. Soc. 24 , 925 (2004).https://doi.org/10.1016/s0955-2219(03)00428-x53. Х. Хирасима, Э. Ониши и М. Накагава, «Получение порошков PZT из алкоксидов металлов», J. Non. Cryst. Твердые вещества 121 , 404 (1990). https://doi.org/10.1016/0022-3093(90)
-j54. S. Linardos, Q. Zhang и J. R. Alcock, «Исследование параметров, влияющих на размер агломерата керамического порошка PZT, полученного золь-гель методом», J. Eur. Ceram. Soc. 27 , 231 (2007). https://doi.org/10.1016/j.jeurceramsoc.2006.04.17955. Ľ. Medvecký, M. Kmecová и K. Saksl, «Исследование образования твердого раствора PbZr 0,53 Ti 0,47 O 3 при взаимодействии фаз перовскита», J. Eur. Ceram. Soc. 27 , 2031 (2007). https://doi.org/10.1016/j.jeurceramsoc.2006.05.10056. Б. Саху, В. А. Джалил и П. К. Панда, «Разработка порошков PZT мокрым химическим методом и изготовление многослойных пакетов / приводов», Mater. Sci. Англ. В 126 , 80 (2006). https://doi.org/10.1016 / j.mseb.2005.09.04557. Л. Б. Конганд Дж. Ма, «Керамика PZT, образованная непосредственно из оксидов путем реактивного спекания», Mater. Lett. 51 , 95 (2001). https://doi.org/10.1016/s0167-577x(01)00272-558. К. Бесляга, Р. Раду, Л.-М. Балеску, В. Станку, А. Костас, В. Думитру, Г. Стан и Л. Пинтили, «Сегнетоэлектрические полевые транзисторы на основе PZT и IGZO», IEEE J. Electron Devices Soc. 7 , 268 (2019). https://doi.org/10.1109/jeds.2019.2895367 (золь-гель процесс и мокрый химический метод)
Раствор 83–87 83.Х. Ли, Р. Ван, С. Т. Хан и Ю. Чжоу, «Сегнетоэлектрические полимеры для устройств энергонезависимой памяти: обзор», Polym. Int. 69 , 533 (2020). https://doi.org/10.1002/pi.598084. С. Чунг, К. Чо и Т. Ли, «Последние достижения в области тонкопленочных транзисторов для струйной печати», Adv. Sci. 6 , 1970031 (2019). https://doi.org/10.1002/advs.20197003185. М.-К. Гарсиа-Гутьеррес, А. Линарес, И. Мартин-Фабиани, Дж. Дж. Эрнандес, М. Соччио, Д. Р. Руэда, Т. А. Эскерра и М. Рейнольдс, «Понимание особенностей кристаллизации сополимеров P (VDF-TrFE) при ограничении для оптимизации сегнетоэлектричества в наноструктуры », Nanoscale 5 , 6006 (2013).https://doi.org/10.1039/c3nr00516j86. Z. Zhou, J. Li, W. Xia, X. Zhu, T. Sun, C. Cao, and L. Zhang, «Улучшенные пьезоэлектрические и акустические характеристики пленок поливинилиденфторид-трифторэтилен для гидроакустических применений», Phys. . Chem. Chem. Phys. 22 , 5711 (2020). https://doi.org/10.1039/c9cp06553a87. Б. Амедури, «От винилиденфторида (VDF) до применения VDF-содержащих полимеров и сополимеров: последние разработки и будущие тенденции», Chem. Ред. 109 , 6632 (2009).https://doi.org/10.1021/cr800187m (распыление, струйная печать и рулонная печать) ALD 29,41,127 29. Ким С.Дж., Дж. Мохан, С.Р. Саммерфельт и Дж. Ким, «Ферроэлектрик. Hf 0,5 Zr 0,5 O 2 тонких пленок: обзор последних достижений », JOM 71 , 246 (2019). https://doi.org/10.1007/s11837-018-3140-541. Л. Чен, Л. Ван, Ю. Пэн, Х. Фэн, С. Саркар, С. Ли, Б. Ли, Л. Лю, К. Хан, X. Гонг, Дж. Чен, Ю. Лю, Г. Хан, К.В. Анг, «Синаптический транзистор Ван-дер-Ваальса на основе сегнетоэлектрика Hf 0.5 Zr 0,5 O 2 и 2D дисульфид вольфрама, Adv. Электрон. Матер. 6 , 2000057 (2020). https://doi.org/10.1002/aelm.202000057127. В. Сяо, К. Лю, Ю. Пэн, С. Чжэн, К. Фэн, К. Чжан, Дж. Чжан, Ю. Хао, М. Ляо, Ю. Чжоу, «Окно памяти и улучшение выносливости Hf . 0,5 Zr 0,5 O 2 FeFET на основе с ZrO 2 затравочных слоев, характеризуемых измерениями быстрых импульсов напряжения ”, Nanoscale Res. Lett. 14 , 254 (2019).https://doi.org/10.1186/s11671-019-3063-2 Передача 30,140 30. М. Си, АК Саха, С. Гао, Г. Цю, Дж. Цинь, Ю. Дуань, Дж. Jian, C. Niu, H. Wang, W. Wu, SK Gupta и PD Ye, «Полевой транзистор из сегнетоэлектрического полупроводника», Nat. Электрон. 2 , 580 (2019). https://doi.org/10.1038/s41928-019-0338-7140. К. К. Квон, Ю. Чжан, Л. Ван, В. Ю, X. Ван, И.-Х. Park, HS Choi, T. Ma, Z. Zhu, B. Tian, ​​C. Su, KP Loh и KP Loh, «Плоский сегнетоэлектрический моносульфид олова и его применение в сегнетоэлектрическом аналоговом синаптическом устройстве», ACS Nano 14 , 7628 (2020).https://doi.org/10.1021/acsnano.0c03869
Коэрцитивное поле E c (МВ / см) 0,1 150 150. Т. Миколаджик, У. Шредер и С. Слезазек, «Сегнетоэлектрические устройства на основе оксида гафния для запоминающих устройств и не только», на Международном симпозиуме 2018 по технологии, системам и приложениям СБИС (IEEE, 2018), Vol. 1. 0,5 150 150. Т. Миколаджик, У. Шредер и С. Слезазек, «Сегнетоэлектрические устройства на основе оксида гафния для запоминающих устройств и не только», на Международном симпозиуме 2018 по технологии, системам и приложениям СБИС (IEEE , 2018), Т.1. 0,8–2 150 150. Т. Миколаджик, У. Шредер и С. Слезазек, «Сегнетоэлектрические устройства на основе оксида гафния для запоминающих устройств и не только», на Международном симпозиуме 2018 по технологии, системам и приложениям СБИС (IEEE, 2018), т. 1. 200 кВ / см (α-In 2 Se 3 ) 151 151. Й. Ли, М. Гонг и Х. Цзэн, «Атомно тонкий α-In 2 Se 3 : возникающий двумерный сегнетоэлектрический полупроводник при комнатной температуре », J.Полуконд. 40 , 061002 (2019). https://doi.org/10.1088/1674-4926/40/6/061002
20 кВ / см (SnS) 140 140. KC Kwon, Y. Zhang, L. Wang, W. Yu, X. Wang, I.-H. Park, HS Choi, T. Ma, Z. Zhu, B. Tian, ​​C. Su, KP Loh и KP Loh, «Плоский сегнетоэлектрический моносульфид олова и его применение в сегнетоэлектрическом аналоговом синаптическом устройстве», ACS Nano 14 , 7628 (2020). https://doi.org/10.1021/acsnano.0c03869
Поляризация 2 P r (мкКл / см 2 ) 30–60 150 150.Т. Миколаджик, У. Шредер и С. Слезазек, «Сегнетоэлектрические устройства на основе оксида гафния для запоминающих устройств и не только», на Международном симпозиуме 2018 по технологии, системам и приложениям СБИС (IEEE, 2018), Vol. 1. ∼10 150 150. Т. Миколаджик, У. Шредер и С. Слезазек, «Сегнетоэлектрические устройства на основе оксида гафния для запоминающих устройств и не только», на Международном симпозиуме 2018 по технологии, системам и приложениям СБИС ( IEEE, 2018), т. 1. 30–60 150 150.Т. Миколаджик, У. Шредер и С. Слезазек, «Сегнетоэлектрические устройства на основе оксида гафния для запоминающих устройств и не только», на Международном симпозиуме 2018 по технологии, системам и приложениям СБИС (IEEE, 2018), Vol. 1. 0,92 (α-In 2 Se 3 ) 152 152. Дж. Р. Родригес, В. Мюррей, К. Фудзисава, Ш. Ли, А. Л. Котрик, Ю. Чен, Н. Макки, С. Ли , М. Терронес, С. Тролье-Маккинстри, Т. Н. Джексон, З. Мао, З. Лю и Ю. Лю, «Металлическое поведение, индуцированное электрическим полем в тонких кристаллах сегнетоэлектрического α-In 2 Se 3 », Прил.Phys. Lett. 117 , 052901 (2020). https://doi.org/10.1063/5.0014945
∼17,5 (SnS) 140 140. К. К. Квон, Ю. Чжан, Л. Ван, В. Ю, X. Ван, И.-Х. Park, HS Choi, T. Ma, Z. Zhu, B. Tian, ​​C. Su, KP Loh и KP Loh, «Плоский сегнетоэлектрический моносульфид олова и его применение в сегнетоэлектрическом аналоговом синаптическом устройстве», ACS Nano 14 , 7628 (2020). https://doi.org/10.1021/acsnano.0c03869
Диэлектрическая проницаемость (ε F ) ∼200 149 149.Т. П. Маанд Н. Гонг, «Сохранение и выносливость ячеек памяти FeFET», в , 2019 IEEE 11th International Memory Workshop IMW (IEEE, 2019), Vol. 2019, стр.1. ∼12 153 153. К. К. Чианганд Р. Попиеларц, «Полимерные композиты с высокой диэлектрической проницаемостью», Сегнетоэлектрики 275 , 1 (2002). https://doi.org/10.1080/001501
285
∼30 149 149. Т.П. Маанд Н. Гонг, «Сохранение и выносливость ячеек памяти FeFET», в , 2019 IEEE 11th International Memory Workshop IMW (IEEE, 2019 ), Т.2019, стр.1. ∼100 (простой оксид) 31 31. М. Осада и Т. Сасаки, «Возникновение 2D-диэлектриков / сегнетоэлектриков», APL Mater. 7 , 120902 (2019). https://doi.org/10.1063/1.5129447
200∼ (перовскит) 31 31. М. Осада и Т. Сасаки, «Возникновение 2D-диэлектриков / сегнетоэлектриков», APL Mater. 7 , 120902 (2019). https://doi.org/10.1063/1.5129447
Диапазон напряжения затвора (В) ± 20 62 62.К. Рен, Г. Чжун, К. Сяо, К. Тан, М. Фэн, X. Чжун, Ф. Ан, Дж. Ван, М. Цзы, М. Тан, Ю. Тан, Т. Цзя и Дж. Ли, «Высокопрочные гибкие сегнетоэлектрические полевые транзисторы, работающие при высоких температурах с низким энергопотреблением», Adv. Функц. Матер. 30 , 11 (2020). https://doi.org/10.1002/adfm.2011 ± 60 62,69 62. К. Рен, Г. Чжун, К. Сяо, К. Тан, М. Фэн, X. Чжун, Ф. Ан, Дж. Ван, М. Цзы, М. Тан, Й. Тан, Т. Цзя и Дж. Ли, «Высокопрочные гибкие сегнетоэлектрические полевые транзисторы, работающие при высоких температурах с низким энергопотреблением», Adv.Функц. Матер. 30 , 11 (2020). https://doi.org/10.1002/adfm.201169. X. Chen, X. Han, и Q.-D. Шен, «Сегнетоэлектрические полимеры на основе ПВДФ в современной гибкой электронике», Adv. Электрон. Матер. 3 , 1600460 (2017). https://doi.org/10.1002/aelm.201600460 ± 3 29,41,127 29. SJ Kim, J. Mohan, SR Summerfelt и J. Kim, «Ferroelectric Hf 0,5 Zr 0,5 O 2 тонких пленок: обзор последних достижений », JOM 71 , 246 (2019).https://doi.org/10.1007/s11837-018-3140-541. Л. Чен, Л. Ван, Ю. Пэн, Х. Фэн, С. Саркар, С. Ли, Б. Ли, Л. Лю, К. Хан, X. Гонг, Дж. Чен, Ю. Лю, Г. Хан и К.В. Анг, «Синаптический транзистор Ван-дер-Ваальса на основе сегнетоэлектрика Hf 0,5 Zr 0,5 O 2 и двумерного дисульфида вольфрама», Adv. Электрон. Матер. 6 , 2000057 (2020). https://doi.org/10.1002/aelm.202000057127. В. Сяо, К. Лю, Ю. Пэн, С. Чжэн, К. Фэн, К. Чжан, Дж. Чжан, Ю. Хао, М. Ляо, Ю.Чжоу, «Окно памяти и повышение выносливости Hf 0,5 Zr 0,5 O 2 FETFET на основе с ZrO 2 затравочных слоев, характеризующихся измерениями быстрых импульсов напряжения», Nanoscale Res. Lett. 14 , 254 (2019). https://doi.org/10.1186/s11671-019-3063-2 В зависимости от изолятора
Advantage Простой синтез 52–58 52. Б. В. Ли, «Синтез и характеристика композиционно модифицированного ЦТС мокрым химическим приготовлением из водного раствора », J.Евро. Ceram. Soc. 24 , 925 (2004). https://doi.org/10.1016/s0955-2219(03)00428-x53. Х. Хирасима, Э. Ониши и М. Накагава, «Получение порошков PZT из алкоксидов металлов», J. Non. Cryst. Твердые вещества 121 , 404 (1990). https://doi.org/10.1016/0022-3093(90)
-j54. S. Linardos, Q. Zhang и J. R. Alcock, «Исследование параметров, влияющих на размер агломерата керамического порошка PZT, полученного золь-гель методом», J. Eur. Ceram. Soc. 27 , 231 (2007).https://doi.org/10.1016/j.jeurceramsoc.2006.04.17955. Ľ. Medvecký, M. Kmecová и K. Saksl, «Исследование образования твердого раствора PbZr 0,53 Ti 0,47 O 3 при взаимодействии фаз перовскита», J. Eur. Ceram. Soc. 27 , 2031 (2007). https://doi.org/10.1016/j.jeurceramsoc.2006.05.10056. Б. Саху, В. А. Джалил и П. К. Панда, «Разработка порошков PZT мокрым химическим методом и изготовление многослойных пакетов / приводов», Mater. Sci. Англ. В 126 , 80 (2006).https://doi.org/10.1016/j.mseb.2005.09.04557. Л. Б. Конганд Дж. Ма, «Керамика PZT, образованная непосредственно из оксидов путем реактивного спекания», Mater. Lett. 51 , 95 (2001). https://doi.org/10.1016/s0167-577x(01)00272-558. К. Бесляга, Р. Раду, Л.-М. Балеску, В. Станку, А. Костас, В. Думитру, Г. Стан и Л. Пинтили, «Сегнетоэлектрические полевые транзисторы на основе PZT и IGZO», IEEE J. Electron Devices Soc. 7 , 268 (2019). https://doi.org/10.1109/jeds.2019.2895367 и высокая поляризация 154 154.Х. Чжай, Ю. Цзян, Х. Ли, П. Чжан, Ю. Хэ, Д. Ши, Х. Чжан и Дж. Ян, «Измерения поляризации и диэлектрических свойств на месте свинца (Zr 0,52 Ti 0,48 ) O 3 сегнетоэлектрических нанокристаллов », Heliyon 3 , e00313 (2017). https://doi.org/10.1016/j.heliyon.2017.e00313
Легкий синтез 83–87 83. Х. Ли, Р. Ван, С. Т. Хан и Ю. Чжоу, «Сегнетоэлектрические полимеры для не- энергозависимые устройства памяти: обзор », Полит. Int. 69 , 533 (2020).https://doi.org/10.1002/pi.598084. С. Чунг, К. Чо и Т. Ли, «Последние достижения в области тонкопленочных транзисторов для струйной печати», Adv. Sci. 6 , 1970031 (2019). https://doi.org/10.1002/advs.20197003185. М.-К. Гарсиа-Гутьеррес, А. Линарес, И. Мартин-Фабиани, Дж. Дж. Эрнандес, М. Соччио, Д. Р. Руэда, Т. А. Эскерра и М. Рейнольдс, «Понимание особенностей кристаллизации сополимеров P (VDF-TrFE) при ограничении для оптимизации сегнетоэлектричества в наноструктуры », Nanoscale 5 , 6006 (2013).https://doi.org/10.1039/c3nr00516j86. Z. Zhou, J. Li, W. Xia, X. Zhu, T. Sun, C. Cao, and L. Zhang, «Улучшенные пьезоэлектрические и акустические характеристики пленок поливинилиденфторид-трифторэтилен для гидроакустических применений», Phys. . Chem. Chem. Phys. 22 , 5711 (2020). https://doi.org/10.1039/c9cp06553a87. Б. Амедури, «От винилиденфторида (VDF) до применения VDF-содержащих полимеров и сополимеров: последние разработки и будущие тенденции», Chem. Ред. 109 , 6632 (2009).https://doi.org/10.1021/cr800187m и гибкость 87 87. Б. Амедури, «От винилиденфторида (VDF) до приложений VDF-содержащих полимеров и сополимеров: последние разработки и будущие тенденции», Chem. Ред. 109 , 6632 (2009). https://doi.org/10.1021/cr800187m Высокая промышленная применимость, 122 122. Черникова А., Козодаев М., Маркеев А., Негров Д., Спиридонов М., Зарубин С., Бак О. Бурагохайн П., Лу Х., Суворова Э., Груверман А., Зенкевич А. Ультратонкий Hf 0.5 Zr 0,5 O 2 сегнетоэлектрических пленок на Si. Матер. Интерфейсы 8 , 7232 (2016). https://doi.org/10.1021/acsami.5b11653 высокая поляризация, 29 29. Ким С.Дж., Дж. Мохан, С.Р. Саммерфелт и Дж. Ким, «Сегнетоэлектрик Hf 0,5 Zr 0,5 O 2 тонкие пленки: обзор последних достижений », JOM 71 , 246 (2019). https://doi.org/10.1007/s11837-018-3140-5 и тонкая толщина 29 29. С. Дж. Ким, Дж. Мохан, С.Р. Саммерфельт и Дж. Ким, «Сегнетоэлектрик Hf 0,5 Zr 0,5 O 2 тонких пленок: обзор последних достижений», JOM 71 , 246 (2019). https://doi.org/10.1007/s11837-018-3140-5 High retention 30 30. M. Si, AK Saha, S. Gao, G. Qiu, J. Qin, Y. Duan, J Цзянь, Ч. Ниу, Х. Ван, В. Ву, С. К. Гупта и П. Д. Е, «Сегнетоэлектрический полупроводниковый полевой транзистор», Nat. Электрон. 2 , 580 (2019). https://doi.org/10.1038/s41928-019-0338-7 и улавливание низкого заряда 30 30.М. Си, А. К. Саха, С. Гао, Г. Цю, Дж. Цинь, Ю. Дуань, Дж. Цзянь, К. Ню, Х. Ван, В. Ву, С. К. Гупта и П. Д. Е, «Сегнетоэлектрический полупроводник. полевой транзистор. Электрон. 2 , 580 (2019). https://doi.org/10.1038/s41928-019-0338-7
Недостаток Слой объемных чешуек, 59–61 59. Х. Ци, Х. Ся, К. Чжоу, П. Сяо , Y. Wang, Y. Deng, «Сегнетоэлектрические свойства гибкой Pb (Zr 0,52 Ti 0,48 ) O 3 тонкой пленки на слюде», J.Матер. Sci. Матер. Электрон. 31 , 3042 (2020). https://doi.org/10.1007/s10854-019-02848-y60. Д. Акаи, М. Йокава, К. Хирабаяси, К. Мацусита, К. Савада и М. Исида, «Сегнетоэлектрические свойства золь-гель-доставленного эпитаксиального свинца (Zr x , Ti 1− x ). ) O 3 тонких пленок на Si с использованием эпитаксиальных γ -Al 2 O 3 слоев », Прил. Phys. Lett. 86 , 202906 (2005). https://doi.org/10.1063/1.1921.К.-Л. Цзя, В. Нагараджан, Ж.-К. Он, Л. Хубен, Т. Чжао, Р. Рамеш, К. Урбан и Р. Васер, «Картирование сегнетоэлектричества и тетрагональности в масштабе элементарной ячейки в эпитаксиальных сверхтонких сегнетоэлектрических пленках», Nat. Матер. 6 , 64 (2007). https://doi.org/10.1038/nmat1808 environmental issues, 48,50 48. Й. Лианд К. Мун, «Электроника без свинца», Science 308 , 1419 (2005). https://doi.org/10.1126/science.111016850. Н. Изюмская, Ю.-И. Аливов, С.-Ж. Чо, Х. Моркоч, Х. Ли и Ю.-S. Канг, “Обработка, структура, свойства и применение тонких пленок PZT”, Крит. Rev. Solid State Mater. Sci. 32 , 111 (2007). https://doi.org/10.1080/10408430701707347 и низкая ширина запрещенной зоны 27,28,104–107 27. SJ Kim, J. Mohan, J. Lee, JS Lee, AT Lucero, CD Young, L. Colombo, SR Summerfelt, Т. Сан и Дж. Ким, «Влияние толщины пленки на сегнетоэлектрические и диэлектрические свойства низкотемпературных (400 ° C) пленок Hf 0,5 Zr 0,5 O 2 », Прил.Phys. Lett. 112 , 172902 (2018). https://doi.org/10.1063/1.502671528. T. S. Böscke, J. Müller, D. Bräuhaus, U. Schröder, U. Böttger, “Сегнетоэлектричество в тонких пленках оксида гафния”, Прикл. Phys. Lett. 99 , 102903 (2011). https://doi.org/10.1063/1.3634052104. J. Müller, P. Polakowski, S. Mueller и T. Mikolajick, «Сегнетоэлектрические материалы и устройства на основе оксида гафния: оценка текущего состояния и будущих перспектив», ECS J. Solid State Sci. Technol. 4 , N30 (2015).https://doi.org/10.1149/2.0081505jss105. Дж. А. Родригес, К. Ремак, К. Боку, К. Р. Удаякумар, С. Аггарвал, С. Саммерфельт, Ф. Сели, С. т Мартин, Л. Холл, К. Тейлор, Т. Моис, Х. Макадамс, Дж. Макферсон , Р. Бейли, Г. Фокс и М. Депнер, «Свойства надежности низковольтных сегнетоэлектрических конденсаторов PZT и массивов», Annu. Proc. Надежный. Phys. 4 , 436 (2004). https://doi.org/10.1109/tdmr.2004.837210106. М. Х. Парк, Й. Х. Ли, Х. Дж. Ким, Ю. Дж. Ким, Т. Мун, К. Д. Ким, Дж. Мюллер, А. Керш, У.Шредер, Т. Миколаджик и К. С. Хванг, «Сегнетоэлектричество и антисегнетоэлектричество легированных тонких пленок на основе HfO 2 », Adv. Матер. 27 , 1811 (2015). https://doi.org/10.1002/adma.201404531107. Х. П. Макадамс, Р. Аклин, Т. Блейк, X.-H. Du, J. Eliason, J. Fong, WF Kraus, D. Liu, S. Madan, T. Moise, S. Natarajan, N. Qian, Y. Qiu, KA Remack, J. Rodriguez, J. Roscher, A. Сешадри и С.Р. Саммерфельт, «Встроенная FRAM объемом 64 МБ, использующая логический процесс 5LM Cu / FSG с длиной волны 130 нм», IEEE J.Твердотельные схемы 39 , 667 (2004). https://doi.org/10.1109/jssc.2004.825241 Термическая стабильность, 62 62. C. Ren, G. Zhong, Q. Xiao, C. Tan, M. Feng, X. Zhong, F. An , J. Wang, M. Zi, M. Tang, Y. Tang, T. Jia и J. Li, «Высокопрочные гибкие сегнетоэлектрические полевые транзисторы, работающие при высоких температурах с низким энергопотреблением», Adv. Функц. Матер. 30 , 11 (2020). https://doi.org/10.1002/adfm.2011 режим высокой мощности, 62,69 62.К. Рен, Г. Чжун, К. Сяо, К. Тан, М. Фэн, X. Чжун, Ф. Ан, Дж. Ван, М. Цзы, М. Тан, Ю. Тан, Т. Цзя и Дж. Ли, «Высокопрочные гибкие сегнетоэлектрические полевые транзисторы, работающие при высоких температурах с низким энергопотреблением», Adv. Функц. Матер. 30 , 11 (2020). https://doi.org/10.1002/adfm.201169. X. Chen, X. Han, и Q.-D. Шен, «Сегнетоэлектрические полимеры на основе ПВДФ в современной гибкой электронике», Adv. Электрон. Матер. 3 , 1600460 (2017). https://doi.org/10.1002 / aelm.201600460 и низкая поляризация 150 150. Т. Миколаджик, У. Шредер и С. Слезазек, «Сегнетоэлектрические устройства на основе оксида гафния для запоминающих устройств и не только», на Международном симпозиуме 2018 по технологии, системам и применению СБИС. (IEEE, 2018), т. 1. Высокий внутренний дефект 46 46. Э. Юрчук, Дж. Мюллер, С. Мюллер, Дж. Пол, М. Пешич, Р. Ван Бентум, У. Шредер и Т. Миколаджик, «Улавливание заряда. явления в энергонезависимой памяти типа FeFET на основе HfO 2 ”, IEEE Trans.Электронные устройства 63 , 3501 (2016). https://doi.org/10.1109/ted.2016.2588439 Низкая поляризация 155 155. Ч. Цуй, Ф. Сюэ, У. Дж. Ху и Л. Дж. Ли, «Двумерные материалы с пьезоэлектрическими и сегнетоэлектрическими функциями», Npj 2D Mater. Прил. 2 , 24 (2018). https://doi.org/10.1038/s41699-018-0067-1 и низкая промышленная применимость 147 147. М. Лонг, П. Ван, Х. Фанг и В. Ху, «Прогресс, проблемы и возможности. для фотоприемников на основе 2D материалов », Adv.Функц. Матер. 29 , 1803807 (2019). https://doi.org/10.1002/adfm.201803807

N-канальный режим повышения логического уровня Полевой транзистор

% PDF-1.4 % 1 0 объект > эндобдж 5 0 объект > эндобдж 2 0 obj > эндобдж 3 0 obj > эндобдж 4 0 объект > ручей BroadVision, Inc.2021-11-05T10: 02: 25-07: 002021-11-05T09: 56: 54-07: 002021-11-05T10: 02: 25-07: 00application / pdf

  • BSS138 — N-Channel Logic Полевой транзистор
  • в режиме повышения уровня
  • на полу
  • Полевой транзистор режима повышения логического уровня с N-каналом
  • Акробат Дистиллятор 21.0 (Windows) uuid: 43c5ffc0-4cdb-4705-89fd-4a79792eda95uuid: c49a6b25-7868-45e4-9b5d-27d424d65de8 конечный поток эндобдж 6 0 объект > эндобдж 7 0 объект > эндобдж 8 0 объект > эндобдж 9 0 объект > эндобдж 10 0 объект > эндобдж 11 0 объект > эндобдж 12 0 объект > эндобдж 13 0 объект > эндобдж 14 0 объект > эндобдж 15 0 объект > эндобдж 16 0 объект > эндобдж 17 0 объект > ручей HTVKn, 7) Ќ) ୃ @ IV} L`V $ * VQ5᷵srUTpa4JmW-7` _-_ irZ * dBc, I0G ^> i ׅ ԇ ~] r ^ ~% кВт {? R # jIW¤ , Q_w * ШiYIkK, T [kȕ? 1r ‘| oe] ~ iYw «= @ 3D5bUC ~ o (( εM \ e, v> CCNb ߆ BfM-It ^ ƣX 싺 wX

    Vyt] rW% H «# iP, m8xU> 36 = |] Arԉ uIXhY ‘ Hf.nr0N † 0Fvj @ Hzuh ’60BHBoNΊ> HRqj’ě \ G7 {7? f23o tf8ZkCg $ = V0Hoxtt ٓ MFy \ _9p # 8F + $ — {h5MOw {D ዗! YM˽ װ? 1 O? H | n_x6_! ߋ hw 2_MfRcy;!

    Схема усилителя

    mrf151g Неделя №1: Аудиоусилитель Неделя №2: Схема микрофона Проект звукового усилителя более сложен и требует много времени, чем микрофонный предусилитель, поэтому часть недели №2 может быть использована для завершения работы над аудиоусилителем. Контроллер, переключатели на полевых транзисторах, фильтр нижних частот, антенные реле и гистограмма от W6PQL.Усилитель мощности HF 25 Вт IRF830 — VU3VJY SSPA Описание схемы и принцип работы SSPA разработан с парой LDMOS MRF151G на основе конструкции встроенного автоматического антенного тюнера H. Схема тестирования МГц + R1 C4 C5 C9 C10 На рисунке 1 показана принципиальная схема усилителя TH781 400 кВт. Помните, что поддержка приложений — это всего лишь один телефонный звонок. Я работаю над аналогичным дизайном, используя 4 x MRF151G, и не могу решить, какую стратегию использовать в дизайне сплиттера / комбайнера.Поваренная книга инженера по аналоговым схемам: операционные усилители (первое издание) Сообщение от редакции: The. (Для получения дополнительной информации см. Техническое описание TEA2025) На стороне входа вы должны использовать двойной потенциометр. 1PCS MA / COM MRF151G RF / VHF / UHF Транзистор 100% подлинный и новый. В драйвере-усилителе используется пара MRF151G. 13 апреля 2016 г. · Вы должны подключить амперметр последовательно к источнику питания и медленно увеличивать смещение, пока он не будет потреблять правильную величину тока покоя (IDQ).Схема ниже представляет собой простой, но эффективный усилитель, который дает удивительное улучшение характеристик. 91 На рисунке 1 показана принципиальная схема усилителя TH781 400 кВт. 2. Бесплатные принципиальные схемы. OP-AMP COOKBOOK — Часть 1. Возможность программируемого переключения 6 антенн (разъемы SO239). Схема усилителя мощности K5TRA T. 27 апреля 2016 г. · Я всегда использую предохранитель на 10 А на своих платах BLF278. FM Pallet FM-усилитель 88-108 МГц. Усилителю мощности MRF172 требуется около 4 Вт RF MRF151G. Эти биполярные транзисторы M / A-COM Tech идеальны для авионики, связи, радаров, а также для промышленных, научных и медицинских приложений.На вашем тюбике есть хорошее видео. Я работаю над аналогичным дизайном, используя 4 x MRF151G, и не могу решить, какую стратегию использовать в дизайне сплиттера / сумматора. HG MRF151G. MRF136 / D. Схемы Щелкните здесь, чтобы перейти к библиотеке схем мира EL34 Для правильной работы нашей корзины покупок необходимо, чтобы в вашем браузере были разрешены файлы cookie. Начало работы Все файлы на Schematic Heaven находятся в форме Adobe Acrobat. Он обеспечивает выходную мощность до 600 Вт на модулях нижнего диапазона. С — Выход усилителя должен иметь резистивную нагрузку 50 Ом для оптимальной линейности.2 июня 2021 г. · Графический усилитель Alienware был впервые представлен в 2014 г. по цене 299 долл. США и разработан как дополнение к Alienware 13 среднего уровня компании, давая ему большую часть мощности настольного компьютера 23 ноября 2018 г. · Плата звукового усилителя Lmono MOSFET Комплект. Этот усилитель, разработанный для FM-радиопередатчиков, включает микрополосковую технологию и MOSFET-транзистор для повышения прочности и надежности. МГц, в самый раз для мониторинга. Все макетирование и тестирование можно и нужно проводить в лаборатории.27 августа 2012 г. · Пара новейших высокочастотных МОП-транзисторов MRF151G, разработанных Motorola, используется в каскаде усилителя мощности для достижения стабильной выходной мощности макс. 500 Вт. Он сказал, что это его первый проект в области электроники и над ним много работы. Широкополосная конструкция устранила сложную операцию настройки, которая необходима для линейного усилителя лампового типа. Функции. Драйвер-усилитель основан на двухкаскадном твердотельном усилителе класса AB мощностью 1 кВт, описанном в примечании к приложениям Motorola AN7582. 9 января 2003 г. · Плата объединителя FM Я хотел бы построить усилитель мощности на 500 Вт.• Работа класса AB (180 ° <угол проводимости <360 °). Подробная информация о M / A-COM MRF151G MRF151 ВЧ усилитель мощности на транзисторе 300 Вт, 50 В, 175 МГц Будьте первым, кто напишет отзыв. blogspot. С присвоенным рейтингом 5/5 на основании 1 отзывов покупателей. Этот усилитель перестраивали многие любители, в том числе DL5DBM, DL6YEH, VK3OF. Усилитель мощности на полевом МОП-транзисторе, 27 МГц, 400 Вт. Испытательная схема 175 МГц Рис. 3. Вес в упаковке составляет около 23 кг / 51 фунт. Пик напряжения возбуждения находится в центре активной зоны с входной цепью.Бесплатная загрузка принципиальных схем электроники, программное обеспечение САПР для электроники, электрические схемы и электрические схемы электроники, электрические схемы гитар, схемы ламповых усилителей, руководства по ремонту электроники, схемы расположения усилителей, программное обеспечение для изготовления печатных плат, программное обеспечение для проектирования усилителей САПР для рисования принципиальных схем бесплатно . довольно низкая эффективность, но я знаю, что MRF151G - довольно хороший исполнитель. Для просмотра этого сайта вы должны включить JavaScript или перейти на браузер с поддержкой JavaScript.Стереоусилитель 5 Вт * 2. Их можно очень легко разрушить, если перегрузить. Он приводится в действие трансивером мощностью 100 Вт на 6 м. 160-метровая радиочастотная дека, класс E, K1KBW. 66 долларов. 3035 евро. com e_mail info @ linear-amp. Каталог: Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-транзисторы - РФ. Паолуцци - 28 марта 2008 г. Обзор • С 1993 г. в ускоряющих резонаторах PSB в ЦЕРНе используются твердотельные драйверы, построенные на основе МОП-транзисторов MRF151G RF. . Я хотел бы получить полный набор схем, заводская поддержка или поддержка дилера здесь нет. Схема широкополосной испытательной схемы 880 МГц C8 Z23 Z22 Z10 Z11 BLF278 FM-усилитель на поддоне мощностью 300 Вт.б.п. Технологические решения MACOM - MRF151G. sspa 23 cm 200w- blf6g15ls-250: pa 6 m gs35 b: vhf pa 6 m 2x gi7b: vhf pa gs35b - yu1aw дизайн: sspa 2m 1 квт mrfe6vp61k25: sspa 432 mhz 500w: spa 144 mhz 1 квт ламповая гитара Champ Усилитель представляет собой компактный тренировочный усилитель, который очень легко собрать, в нем используются две лампы 12A * 7 и выдает 0. Добавить в корзину Via di Monte Verde 33 - 00152 Рим - Италия. Любые другие идеи, указатели и / или мысли по этому поводу приветствуются. - Выгодно отличается от лампового усилителя, если мы включаем ламповый нагреватель и входную мощность экрана.24 августа 2015 г. · Твердотельный линейный усилитель Gemini_2_144MHz. Мне нужен дизайн делителя мощности и делителя мощности. 5 МГц (1 - 30 МГц) 250 Вт 50 дБ ВЧ усилитель с MRF151G Kalmus LA250H. Каждый модуль усилителя содержит MRF151G, который состоит из пары транзисторов, как и другие части LDMOS. Усилитель LDMOS мощностью 70 см, мощностью 1 кВт, W6PQL. 7 Вт на входе, 300 Вт на выходе, 108 МГц. 309 долларов. 96 23 ноября 2018 г. · Комплект платы аудиоусилителя Lmono MOSFET. MHz-700MHZ 2W HF VHF UHF FM-передатчик RF Усилитель мощности для Ham.mrf151g доступен в виде комплекта из двухступенчатого усилителя с blw86 и двух blv25, 1. Усилитель мощности ВЧ 10 Вт - DL6GL. УВЧ КРЕМНИЙНЫЙ УСИЛИТЕЛЬ МОЩНОСТИ R3. - FM 87. sspa 23 см 200 Вт- blf6g15ls-250: pa 6 м gs35 b: vhf pa 6 м 2x gi7b: vhf pa gs35b - yu1aw дизайн: sspa 2 м 1 квт mrfe6vp61k25: sspa 432 мгц 500 Вт: спа 144 мгц 1 квт Marshall Схема усилителя, которая поможет вам с ремонтом и модификацией усилителя. В апреле 2005 года он прислал мне фотографии своей незавершенной работы. Широкополосный усилитель 5-108 МГц, 300 Вт.FM-усилитель мощности от 88 МГц до 108 МГц, 1 Вт. Обычный операционный усилитель (операционный усилитель) можно описать просто как `` блок '' усилителя с прямой связью с высоким коэффициентом усиления, который имеет одну выходную клемму, но имеет как инвертирующие, так и неинвертирующие входные клеммы, что позволяет устройству функционировать как инвертирующий, неинвертирующий или дифференциальный усилитель. 26 августа 2016 г. · Усилитель управляется контроллером pic, который контролирует все аспекты, от напряжения, тока, мощности, swr до температуры. ВЧ силовой полевой транзистор 300 Вт, 50 В, 175 МГц N-канальный широкополосный полевой МОП-транзистор Rev.Также из него можно сделать моноусилитель мощностью 5 Вт. предоставляет идеи подсхем операционного усилителя (ОУ), которые могут быть схемами гитарного усилителя. малошумящие линейные усилители, переключатели и генераторы. Если вам нужна схема гитарного усилителя для ремонта усилителя, которого нет в списке, свяжитесь с нами, и мы постараемся найти ее. К группам применения монолитных интегральных схем относятся переключение, функции приемника и функции передатчика. Высокая мощность, высокое усиление и широкополосные характеристики этого устройства делают возможным использование твердотельных передатчиков для диапазонов частот FM-вещания или телеканалов.L1 R2 L4 ВЧ ВХОД C8 + ВЧ ВЫХОД R1 C4 C5 C2 C3 + C6 C10 L3 RFC2 1000 500 200 100 50 0 20 0 1020 304050 C, ЕМКОСТЬ (пФ) VDS, DRAIN M / A-COM Tech MRF Series Биполярные ВЧ транзисторы. Содержание 13 апреля 2016 г. · Вы должны подключить амперметр последовательно к источнику питания и медленно увеличивать смещение до тех пор, пока он не будет потреблять правильную величину тока покоя (IDQ). линейный усилитель. Разветвитель мощности 70 см. Вы не можете перегрузить PA - когда выходная мощность возрастает, предохранитель перегорает - до FET! 3.КСВ 5: 1 на 6 м. Чтобы избежать любой возможности перегрузки, я купил керамический аттенюатор 10 дБ от Florida RF Labs на Ebay. 2–10 МГц - 58 дБ - усилитель 1 кВт - sch (EDA 00097) Документ Adobe Acrobat Документ Adobe Acrobat Документ Adobe Acrobat От 50 кГц до 80 МГц, усилитель 15 Вт (EDA 00098) Документ Adobe Acrobat Усиление мощности двухтонального усилителя с общим источником (VDD = 26 В постоянного тока, Pout = 120 Вт PEP, IDQ = 1000 мА, Рисунок 1. В модулях мощностью 1 кВт используются четыре MRF151G и 1. MRAL2327-12H / D. Схема широкополосной тестовой цепи 880 МГц C8 Z23 Z22 Z10 Z11 Просмотрите изображение студента Дэна. Усилитель Леверетта здесь.Вы не можете перетянуть полевой транзистор - предохранитель перегорел! Пара новейших высокочастотных МОП-транзисторов MRF151G, разработанных Motorola, используется на каскаде усилителя мощности для достижения стабильной выходной мощности не более 500 Вт. Широкополосная конструкция устранила сложную операцию настройки, которая требуется для линейного усилителя лампового типа. Включите выключатель питания переменного тока, и вы будете в эфире? Со структурой воздуховода для охлаждающего воздуха 22 ноября 2021 г. комбайнер.Из таблицы mrf151g это похоже на 500 мА. ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ПОЛУПРОВОДНИКА MRF151G / D Усиление мощности усилителя с общим источником 300 Вт, 50 В, 175 МГц (VDD = 50 В, рис. 1. Ящик изготовлен из фанеры толщиной 3/8 дюйма и имеет стороны 2x4. Принципиальная схема усилителя TH781 400 кВт. 5 Вт на выход 1000 Вт, опять же, waw. 5 Вт на дюйм 2. Во времена цветных сенсорных экранов его дисплей может показаться немного устаревшим. С уважением, pioneer 007 21 февраля 2011 г. · У меня есть усилитель, состоящий из четырех MOSFET-устройств MRF151G . (MACOM) и его аффилированные лица оставляют за собой право вносить изменения в продукт (ы) или информацию, содержащуюся здесь, без предварительного уведомления.В качестве примечания я получил одну печатную плату MRF151G Larcan (полного усилителя) и построил ее на новом радиаторе. Ваттный линейный усилитель с входной мощностью 3 Вт с коаксиальным реле для автоматического переключения передачи и приема. До 3-х антенн в одном диапазоне. ! А при эффективности 78% это означает, что усилитель мощности FM 50 Вт 144 МГц, M0UKD. MRF151G MACOM RF MOSFET-транзисторы 5–175 МГц 300 Вт 50 В, усиление 14 дБ, техническое описание, инвентарь и цены. Транзистор добавить удалить. Выносной усилитель 222 МГц на чердаке T.У меня есть 2 отдельно стоящие платы с MRF151G - 300Вт каждая. Трасса A является входом, а трасса B - выходом. 2 - 10 МГц - 58 дБ - усилитель 1 кВт - кабина (EDA 00097) 0. Если выходное соответствие через фильтр неправильное, предохранитель перегорает. 95-26. Содержание Линейный усилитель УВЧ с GS-31: Линейный усилитель ОВЧ с GS-31: Суперусилитель УВЧ 432 с yl-1056: Линейный усилитель ОВЧ 144 МГц с th428: Линейный усилитель УВЧ 432 МГц с th428. (39-6) 58209429 Факс (39-6) 58209647 Веб-сайт www. Производитель: M / A-Com Technology Solutions.05 июля 2010 г. • В полупроводниковых линейных усилителях мощности FM, SSB и CW используются 2 полевых высокочастотных МОП-транзистора Motorola MRF151G с максимальной выходной мощностью 500 Вт (входная мощность 50 Вт), встроенный импульсный источник питания с автоматическим напряжением 100 ~ 220 В переменного тока. Схема усилителя Marshall, которая поможет вам с ремонтом и модификацией усилителя. Включите выключатель питания переменного тока, и вы будете в эфире. Есть хорошее видео о ламповом линейном усилителе УВЧ с GS-31: линейный усилитель УВЧ с GS-31: суперусилитель УВЧ 432 с yl-1056: линейный усилитель УВЧ 144 МГц с th428: линейный усилитель УВЧ 432 МГц с th428.V1 MRF151G 1 M / A-COM Technology Solutions Inc. Устройства серии M / A-COM Tech MRF обладают высокой производительностью от 1 МГц до 3. Выходная мощность: 300 Вт • Усиление мощности: 16 дБ, тип. При 175 м, 50 В, мин. 14 дБ при 175 м, 50 В • КПД: 50% мин. При 175 м, 5. Схема является схемой из примечания к приложению Motorola AR305 и была продана в виде комплекта компанией Communications Concepts Inc. В TH628 схема анода / экрана подключена на каждом конце цепи. трубка, в то время как входная схема катода / сетки загнута назад внутрь центра структуры нити и подключается только в нижней части трубки.Твердотельный возбудитель мощностью 1 кВт На рис. 2 показан твердотельный возбудитель мощностью 1 кВт, который состоит из четырех усилителей мощностью 300 Вт на силовых транзисторах MRF151G. Вы можете связаться с ними для получения более подробной информации. В этой заметке по применению приведены примеры рабочих схем. Фиксированная цена 89 долларов США. В модулях мощностью 5 кВт используется шесть MRF151G. Будучи самым дешевым радиолюбителем, я хотел превратить этот усилитель в более приятное устройство. ДИНАМИЧЕСКИЙ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬ PLL CLOCK DRIVER R1. усилие. Тел. Апель 19 222. О. Схема неба, лампы, схемы усилителя. M / A-COM MRF151G MRF151 ВЧ усилитель мощности Транзисторный усилитель 300 Вт, 50 В, 175 МГц.219 долларов. ДИОД, ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЙ МОСТ, SCR, GTO, СИЛОВЫЕ МОДУЛИ MOSFET, ПЛК. Они рассчитаны на 300 Вт на устройство (пару), поэтому шесть из них дают теоретическую мощность 1800 Вт. - Технология LDMOS с BLF278 или эквивалентным. ЛИНИЯ ВЧ МОП-транзистора ВЧ МОЩНОСТЬ ПОЛЕВОЙ ЭФФЕКТ TRANS R7. Устройство мощностью 25 кВт с пиковым коэффициентом усиления и КПД 26 дБ и 78% соответственно на частоте 144 МГц, это означает, что для выходной мощности 1 кВт привод должен быть только 2. Продавец HK. Принципиальная схема blf177. Каждый усилитель состоит из двух MRF151G TMOS-Fet в двухтактной конфигурации.УКВ-усилитель мощностью 300 Вт MRF151G. Это модуль VHF диапазона высоких частот, который будет работать на частоте 222 МГц без каких-либо изменений. Гранберг в документе AR305. 22 ноября 2021 г. · MRF151G MACOM RF MOSFET-транзисторы, 5–175 МГц, 300 Вт, 50 В, усиление, 14 дБ, техническое описание, инвентарь и цены. Печатная плата и все компоненты. Усилитель мощности HF MOSFET 15 Вт - F5VOA. 00. Описание: FET RF 2CH 125V 175MHZ 375-04 / Trans RF MOSFET N-CH 125V 40A 5-контактный корпус 375-04. Зависимость емкости от напряжения сток – исток. ТИПИЧНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ Рисунок 4.Схема одноканального предусилителя Champ Micro была вдохновлена ​​каналом Hi 5F1 Champ. 1 ВЧ-мощный MSOFET-транзистор 300 Вт, 50 В, 175 МГц N-канальный широкополосный полевой МОП-транзистор. изменен на MRF151G для VHF или MRF372 для UHF. Из-за номинальных характеристик выходного соединителя выходная мощность для диапазона высоких частот составляет всего 400 Вт. 2 Конструкции усилителя усилителя AN-272Op SNOA600B - сентябрь 1981 г. - пересмотренный апрель 2013 г. MRF151G MACOM RF MOSFET-транзисторы 5–175 МГц, 300 Вт, 50 В, усиление 14 дБ, техническое описание, инвентарь и цены. Общая задержка времени прохождения каскада драйвера должна быть менее 30 нс. Усилитель мощности Каскад усилителя мощности разработан для работы в классе AB и в конфигурации с заземленной сетью.В-третьих, в полосе частот транзисторы дополнительно группируются по рабочему напряжению и, наконец, выходной мощности. Биполярные РЧ транзисторы 5 ГГц. 125 долларов. Усилитель мощности 144 МГц, 150 Вт и малошумящий усилитель SRF3417. BLF278 300 Вт FM-транзистор P1dB. Привод 10 Вт обеспечивает легкий выход в киловатт. FM-фильтр низких частот мощностью 1200 Вт с направленным ответвителем. MRF151G работает от источника питания 50 В и легко может обеспечивать мощность 250 Вт в SSB в диапазоне от 10 МГц до 144 МГц. Цена за собранную плату с включенным питанием fet blf278 или mrf151g.51 Цена. 10 ноября 2009 г. · Окончательно выбранная схема усилителя для обеспечения требуемой выходной мощности представляет собой конструкцию «Push-Pull» с использованием «сдвоенного» корпусного транзистора, то есть схема, в которой два устройства изготовлены на одном кристалле, так что их характеристики соответствуют как можно ближе к матчу. com Приложение 6: Руководство пользователя Внешний линейный усилитель радиочастоты, модель Expert 2K-FA Exhbit 6 - Стр. 144 МГц, 1500 Вт, 8877 усилитель мощности, KL7UW. Этот усилитель может иметь отрицательное сопротивление при низких настройках потенциометра 500 Ом, что приводит к дополнительному усилению или даже к колебаниям.Несмотря на большую нагрузку, отклик чистый внизу и быстрый с общими искажениями в цепи 0. 3,05% (кривая C). • Опыт эксплуатации (16 единиц) очень хорош, поскольку в прошлом не происходило отказов усилителя (за исключением случая FM-усилителя BLF278 на 300 Вт на поддонах. Усилитель мощности на полевых МОП-транзисторах HF 300 Вт VRF151. Схемы LM358. 11 сентября 2016 г. · Практически безграничный срок службы усилительные устройства ((6 MOSFETs MRF151G). Схема в действии, возбуждающая волну 100 кГц 20 Vp-psine в нагрузку 50 Ом, параллельную 10000 пФ.Разрабатываемый мной резонаторный усилитель LANSCE - это то, что я работаю над аналогичной конструкцией, используя 4 x MRF151G, и не могу решить, какую стратегию выбрать для конструкции сплиттера / сумматора. Apel 9 222 МГц PA ДИЗАЙН. Усилитель диапазона высоких частот был разработан для 174–230 МГц. Чистая выходная мощность 75 Вт, которая очень хорошо управляет динамиком Weber 12A125A 12 "Alnico. На рисунке 2 показан твердотельный возбудитель мощностью 1 кВт, который состоит из четырех усилителей мощностью 300 Вт, сделанных на силовых транзисторах MRF151G. Я думаю, что теперь это лучше, чем транзисторы Харриса, так как эти транзисторы теперь Unobtanium, я полагаю.Мне нравится схема Ларкана, так как потери в трансформаторе очень низкие. Рис. 2. E: Этот усилитель мощности использует транзистор MRF141g на полевом транзисторе в своей основной прикладной схеме, как это описано в таблице данных, особенно в примечаниях к применению, опубликованных во второй части справочника радиочастотных устройств Motorola. com Kapasitor berfungsi sebagai filter pada sebuah rangkaian power supply, yang saya maksud disini adalah kapasitor sebagai ripple filter, disini sifat dasar Авторизованный дилер и поставщик РЧ-транзисторов TP9383, TP9380, MRF151G, MRF141G, MRF150, V50RVARTV, V50RIS, V50RV, V50IS СДЕЛАЙТЕ ПЕРЕДАТЧИК MW и FM 05 июля 2010 г. • Твердотельный линейный усилитель мощности FM, SSB, CW использует 2 полевых высокочастотных МОП-транзистора Motorola MRF151G с максимальной выходной мощностью 500 Вт (входная мощность 50 Вт), встроенный импульсный источник питания с автоматическим напряжением 100 ~ 220 В переменного тока.Мы всегда добавляем больше, когда находим их, так что проверяйте почаще. Поваренная книга аналогового инженера: операционные усилители. Эти интересные схемы и проекты «сделай сам» подробно объясняются с помощью схем, рабочих схем и видео. Таким образом, схему можно фактически рассматривать как регенеративный приемник с внешним детектором. T. Как создать усилитель мощности на 1000 Вт - электронная схема из 1. ИНВЕРТОРА, ДАТЧИКА REL AY, ВЫКЛЮЧАТЕЛЯ, ВЫКЛЮЧАТЕЛЯ, ЭНКОДЕРА И. Джон Митчелл получил свои печатные платы усилителя в сентябре 2004 года.14 мая 2013 г. · На принципиальной схеме усилителя показан усилитель на поддоне 2. BLF278 300 Вт FM. Что касается схемы компаратора операционного усилителя, приведенной выше, давайте сначала предположим, что V IN меньше, чем уровень постоянного напряжения при V REF (V IN

    d9q q2m jdf wwi yxm vao qad miz 0pb zzi 9f7 cqf wcr 60c tc9 rlu ekr glt p6k ygi

    .

    Добавить комментарий

    Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *

    2022 © Все права защищены.