Микросхемы для импульсных источников питания: Микросхемы для импульсных источников питания. Справочник

Микросхемы ШИМ — контроллеров для импульсных источников питания.

Микросхемы ШИМ — контроллеров для импульсных источников питания (ИИП).

  • Контроллеры с интегрированным силовым ключом для высоковольтных дроссельных понижающих преобразователей (без гальваноразвязки)
  • Контроллеры с интегрированным силовым ключом для трансформаторных ИИП
  • ШИМ — контроллеры для однотактных ИИП
  • ШИМ — контроллеры для двухтактных ИИП

В справочник отобраны распространенные недорогие микросхемы







Наименование PDF Ucc, В Uвых, В Iмакс, A Примечание
   
— простое схемное решение для маломощных источников питания, не требующих гальваноразвязки.
Надежные встроенные токовая и температурная защиты.
LNK302-306 50…450* .5..24… 0.36 регулирование выпусканием импульсов шим контроллер с встроенным ключом
Viper12 40…450* 10..35… 0.2* ШИМ, Pвых до 13Вт контроллер для простого импульсного источника питания. может использоваться для питания светодиодов, микроконтроллеров от сетевого напряжения
Viper22 40…450* 10..35… 0.35* ШИМ, Pвых до 20Вт
высоковольтный понижающий стабилизатор напряжения
BP5048-15 250…358 15 0.2 нужен только дроссель простой понижающий импульсный DC/DC источник питания на 15В
BP5048-24 250…358 24 0.2 нужен только дроссель DC/DC бестрансформаторный импульсный источник питания на 24В на 24В
для маломощных трансформаторных источников питания. Минимум внешних компонентов. Встроенные токовая и температурная защиты.
LNK362-364 100..400*   0.2…0.4 встроенный источник собственного питания ШИМ контроллер для простого импульсного источника питания
LNK623-626 100..400*   0.4…0.7 до 7Вт ШИМ контроллер со встроенным силовым ключом для простого блока питания
TOP252-262 100..460*   0.68…11 до 244Вт шим контроллер для источников питания средней мощности
TOP264-271 100..400*   2…11 для качественных источников, до 244Вт микросхема контроллера для импульсных источников питания
TNY274-280 100..400*   0.4…1.3 встроенный источник собственного питания, до 36Вт  
NCP1010-1014 100. .400*   0.1…0.5 встроенный источник собственного питания,  
ICE2Axxx 100..400*   0.5…7 от 23 до 240Вт  
ALTAIR05-800 ?…400*   1 квазирезонансный,
ключ на 800В
ШИМ контроллер для импульсных источников питания, работающих в квазирезонансном режиме
ALTAIR04-900 ?…400*   0.7 квазирезонансный ключ на 900В  
UC3842-3845
КР1033ЕУ10, ЕУ11
7…30   1 шим контроллер обратноходовых источников питания
NCP1230-1238 7…18   0.5/0.8 3 фиксированных частоты, непосредственное подключение оптрона ОС шим контроллер для обратноходовых импульсных преобразователей напряжения
UCC28600 8.
..32
  1/0.8 квазирезонансный режим шим контроллер для преобразователей напряжения
L6565 10…18   0.7 квазирезонансный режим микросхема для обратноходовых преобразователей
TDA4605
КР1033ЕУ2
7…20     квазирезонансный режим шим контроллер для Flyback преобразователей
UCC38083-38086 4…15*   1/0.5 шим контроллер для источников питания мостовой и полумостовой схемой включения транзисторов
MC33025 9…30   2*/0.5 шим контроллер для двухтактных источников питания
NCP1395 10…20   резонансный шим контроллер для двухтактных источников питания
  На главную
 

Микросхема для импульсных источников питания мощностью до 65 Вт в DIP корпусе от ON Semiconductor

Компания ON Semiconductor выпустила микросхему, которая объединяет ШИМ-контроллер в режиме пикового тока, использующий технологию mWSaver, и высоконадёжный полевой МОП-транзистор SJ 800 В, обеспечивающий улучшенные характеристики в обратноходовых преобразователях NCP11187.

Технология mWSaver снижает частоту коммутации и рабочий ток контроллера в условиях малой нагрузки, что помогает избежать проблем с акустическим шумом и обеспечивает соответствие международным стандартам энергосбережения, таким как Energy Star®.

Кроме того, NCP11187 включает: высоковольтную пусковую схему, функцию скачкообразной перестройки частоты, цепь компенсации, лимит выходной мощности, а также различные средства защиты, которые обеспечивают простоту проектирования, меньшее количество компонентов, меньший размер печатной платы и быстрый вывод на рынок сетевых источников питания. В защитных механизмах предусмотрена защита от разомкнутого контура вывода обратной связи, короткого замыкания резистора измерения тока, обрыва цепи и перенапряжения линии с использованием вывода измерения линейного напряжения, которые работают в режиме автоматического восстановления.

Особенности NCP11187:

  • встроенный полевой МОП-транзистор с напряжением пробоя 800 В
  • встроенный высоковольтный пуск, плавный пуск
  • технология mWSaver обеспечивает экономичный в отрасли режим ожидания
  • вариант частоты переключения: 65 кГц
  • запатентованный метод асинхронного скачкообразного изменения частоты для лучшего EMI
  • программируемый постоянный предел выходной мощности для всего диапазона входного напряжения
  • точная защита от обесточивания и защита от перенапряжения (LOVP) с гистерезисом
  • защита от короткого замыкания с датчиком тока (CSSP) и защита от аномальной перегрузки по току (AOCP)
  • термическое отключение (TSD) с гистерезисом
  • все средства защиты, управляемые автоматическим восстановлением: блокировка при понижении напряжения VCC (UVLO), защита от разомкнутой цепи обратной связи (OLP), защита от перенапряжения VCC (OVP)
  • не содержат свинца, галогенов/бромсодержащего антипирена и соответствуют требованиям RoHS.

Типичные области применения микросхемы NCP11187:

  • промышленные вспомогательные источники питания, ИИП приборов учета
  • источники питания для бытовой электроники

В дальнейшем планируется расширение серии рабочими частотами в 100 и 130 кГц и транзисторами для мощностей от 33 до 65 Вт.

Более подробно можно ознакомиться в документации по ссылке.


Данный материал является частной записью члена сообщества Club.CNews.
Редакция CNews не несет ответственности за его содержание.

Микросхемы для современных импульсных источников питания — флипбук страница 1-50

ЭНЦИКЛОПЕДИЯ РЕМОНТА® ВЫПУСК 11 Микросхемы для современных импульсных источников питания 2010

ББК 32.85 М59 УДК 621.375(03) Материалы к изданию подготовили: Э. Т. Тагворян, М. М. Степанов Верстка: С. В. Шашков, Ю. В. Наторова Графическое оформление: А. Ю. Анненков, Ф. Н. Баязитов Дизайн обложки: А. А. Бахметьев, И. О. Люско Ответственный редактор серии ”Энциклопедия ремонта”: А. В. Перебаскин Размещение рекламы: рекламное агентство ”Мир электронных компонентов” Энциклопедия ремонта. Выпуск 11 : Микросхемы для современных импульсных источников питания — М.: ДОДЭКА, 288 с. ISBN 978 5 87835 043 3 Книга продолжает серию “Энциклопедия ремонта” и является первым выпуском, посвященным интегральным микросхемам управления импульсными источниками питания. Приводятся данные по микросхемам основных мировых производителей, предназначенных для построения как простых схем источников питания, так и многофункциональных схем источников современных компьютерных систем с цифровым интерфейсом, а также зарядных устройств и узлов питания люминесцентных ламп. Приведе ны основные особенности микросхем, назначение выводов, структурные схемы и основные схемы применения.

Издание рассчитано на подготовленных радиолюбителей, работников сервисных служб и технических специа листов в области силовой электроники. © Издательство “ДОДЭКА” ® Серия “Энциклопедия ремонта” Формат 70 х 100/16. Гарнитура “Прагматика”. Печать офсетная. Объем 18 печ. л. Тираж 10000 экз. Заказ № Отпечатано с готовых диапозитивов в ОАО ”Типография Новости”. 107005, Москва, ул. Ф. Энгельса, 46. Издательство ”ДОДЭКА” 105318, Москва, а/я 70. Тел.: (495) 366 24 29, 366 81 45; E mail: [email protected]; [email protected] Редколлегия: А. В. Перебаскин, А. А. Бахметьев, В. М. Халикеев Главный редактор: А. В. Перебаскин Директор издательства: А. В. Огневский Все права защищены. Никакая часть этого издания не может быть воспроизведена в любой форме или любыми средствами, электронными или механическими, включая фотографирование, ксерокопирование или иные средства копирования или сохранения информации без письменного разрешения издательства.

ВСЕ ДЕЛО В ДЕТАЛЯХ пр ва СНГ + Mitsubishi, Microchip, Atmel, Intel, Altera, Holtek, International Rectifier, Aries, Wells, Wintek, Paralight, Vishay, Hitano, Ersa… Почта: 195196 СПб, а/я 29; [email protected] www.symmetron.ru Микросхемы, транзисторы, АССОРТИМЕНТНЫЙ СКЛАД диоды, силовые приборы, ШИРОКИЙ выбор со склада СВЧ приборы, отечественных (в т.ч.с “приемкой заказчика”) оптоприборы, и зарубежных компонентов индикаторы, светодиоды, Оперативная доставка лампы, Гарантия качества кварцы, Бесплатный каталог реле, панельки, С. Петербург (812) 278 8484 Москва (095) 214 0556 Новосибирск (3832) 119 081 Ставрополь разъемы, (8652) 357 775 Ростов на Дону (8632) 423 273 Киев (044) 516 5444 Харьков (0572) 303 577 переключатели, Минск (017) 222 5959 Розничная продажа — фирменная сеть магазинов “МИКРОНИКА”: резисторы, С. Петербург, Новочеркасский, 51 (812) 444 0488; Новосибирск, Геодезическая, 2 (3832) 119 045 конденсаторы, SMD, паяльное оборудование, монтажный и измерительный инструменты Перечень микросхем Тип Фирма Функциональное назначение Стр. 3 HIP5061 HARRIS-SEMICONDUCTOR Ìîùíûé ØÈÌ-ïðåîáðàçîâàòåëü. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9 ЭНЦИКЛОПЕДИЯ РЕМОНТА® HIP6002 HARRIS-SEMICONDUCTOR Ïîíèæàþùèé ñèíõðîííûé ïðåîáðàçîâàòåëü . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10 HIP6003 HARRIS-SEMICONDUCTOR Ïîíèæàþùèé ØÈÌ-ïðåîáðàçîâàòåëü. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11 HIP6004 HARRIS-SEMICONDUCTOR Ïîíèæàþùèé ñèíõðîííûé ïðåîáðàçîâàòåëü . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13 HIP6005 HARRIS-SEMICONDUCTOR Ïîíèæàþùèé ØÈÌ-ïðåîáðàçîâàòåëü. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15 HIP6006 HARRIS-SEMICONDUCTOR Ïîíèæàþùèé ñèíõðîííûé ïðåîáðàçîâàòåëü . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17 HIP6007 HARRIS-SEMICONDUCTOR Ïîíèæàþùèé ñèíõðîííûé ïðåîáðàçîâàòåëü . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18 HIP6008 HARRIS-SEMICONDUCTOR Ïîíèæàþùèé ØÈÌ-ïðåîáðàçîâàòåëü. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11 HIP6012 HARRIS-SEMICONDUCTOR Ïîíèæàþùèé ñèíõðîííûé ïðåîáðàçîâàòåëü . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17 HIP6013 HARRIS-SEMICONDUCTOR Ïîíèæàþùèé ñèíõðîííûé ïðåîáðàçîâàòåëü . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18 ICL7660 MAXIM Ñõåìà óïðàâëåíèÿ DC-DC ïðåîáðàçîâàòåëåì . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20 L296 SGS-THOMSON Ñõåìà óïðàâëåíèÿ èìïóëüñíûì èñòî÷íèêîì ïèòàíèÿ. . . . . . . . . . . . . . . 21 L4960 SGS-THOMSON Ñõåìà óïðàâëåíèÿ èìïóëüñíûì èñòî÷íèêîì ïèòàíèÿ. . . . . . . . . . . . . . . 22 L4962 SGS-THOMSON Ñõåìà óïðàâëåíèÿ èìïóëüñíûì èñòî÷íèêîì ïèòàíèÿ. . . . . . . . . . . . . . . 23 L4963 SGS-THOMSON Ñõåìà óïðàâëåíèÿ èìïóëüñíûì èñòî÷íèêîì ïèòàíèÿ. . . . . . . . . . . . . . . 24 L4964 SGS-THOMSON Ñõåìà óïðàâëåíèÿ èìïóëüñíûì èñòî÷íèêîì ïèòàíèÿ. . . . . . . . . . . . . . . 25 L4970A SGS-THOMSON Ñõåìà óïðàâëåíèÿ èìïóëüñíûì èñòî÷íèêîì ïèòàíèÿ. . . . . . . . . . . . . . . 26 L4972A SGS-THOMSON Ñõåìà óïðàâëåíèÿ èìïóëüñíûì èñòî÷íèêîì ïèòàíèÿ. . . . . . . . . . . . . . . 29 L4973V3/V5/ D3/D5 SGS-THOMSON Ñõåìà óïðàâëåíèÿ èìïóëüñíûì èñòî÷íèêîì ïèòàíèÿ. . . . . . . . . . . . . . . 30 L4974A SGS-THOMSON Ñõåìà óïðàâëåíèÿ èìïóëüñíûì èñòî÷íèêîì ïèòàíèÿ. . . . . . . . . . . . . . . 29 L4975A SGS-THOMSON Ñõåìà óïðàâëåíèÿ èìïóëüñíûì èñòî÷íèêîì ïèòàíèÿ. . . . . . . . . . . . . . . 26 L4977A SGS-THOMSON Ñõåìà óïðàâëåíèÿ èìïóëüñíûì èñòî÷íèêîì ïèòàíèÿ. . . . . . . . . . . . . . . 26 L4981A/B SGS-THOMSON Êîððåêòîð êîýôôèöèåíòà ìîùíîñòè . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31 L4985 SGS-THOMSON Ñõåìà óïðàâëåíèÿ èìïóëüñíûì èñòî÷íèêîì ïèòàíèÿ. . . . . . . . . . . . . . . 27 L4990 SGS-THOMSON Ñõåìà óïðàâëåíèÿ èìïóëüñíûì ñåòåâûì èñòî÷íèêîì ïèòàíèÿ . . . . . . . 33 L4992 SGS-THOMSON Òðåõêàíàëüíàÿ ñõåìà óïðàâëåíèÿ èñòî÷íèêîì ïèòàíèÿ . . . . . . . . . . . . . 36 L6213 SGS-THOMSON Ñõåìà óïðàâëåíèÿ èìïóëüñíûì èñòî÷íèêîì ïèòàíèÿ è äðàéâåð ñîëåíîèäà . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 34 L6560 SGS-THOMSON Êîððåêòîð êîýôôèöèåíòà ìîùíîñòè . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 38 LT1070 LINEAR TECHNOLOGY Ñõåìà óïðàâëåíèÿ èìïóëüñíûì èñòî÷íèêîì ïèòàíèÿ. . . . . . . . . . . . . . . 39 LT1071 LINEAR TECHNOLOGY Ñõåìà óïðàâëåíèÿ èìïóëüñíûì èñòî÷íèêîì ïèòàíèÿ. . . . . . . . . . . . . . . 39 LT1072 LINEAR TECHNOLOGY Ñõåìà óïðàâëåíèÿ èìïóëüñíûì èñòî÷íèêîì ïèòàíèÿ. . . . . . . . . . . . . . . 39 LT1073 LINEAR TECHNOLOGY Ñõåìà óïðàâëåíèÿ èìïóëüñíûì èñòî÷íèêîì ïèòàíèÿ. . . . . . . . . . . . . . . 40 LT1074 LINEAR TECHNOLOGY Ñõåìà óïðàâëåíèÿ èìïóëüñíûì èñòî÷íèêîì ïèòàíèÿ. . . . . . . . . . . . . . . 41 LT1076 LINEAR TECHNOLOGY Ñõåìà óïðàâëåíèÿ èìïóëüñíûì èñòî÷íèêîì ïèòàíèÿ. . . . . . . . . . . . . . . 41 LT1082 LINEAR TECHNOLOGY Ñõåìà óïðàâëåíèÿ èìïóëüñíûì èñòî÷íèêîì ïèòàíèÿ. . . . . . . . . . . . . . . 44 LT1105 LINEAR TECHNOLOGY Ñõåìà óïðàâëåíèÿ èìïóëüñíûì èñòî÷íèêîì ïèòàíèÿ. . . . . . . . . . . . . . . 45


Статьи

«Электронные Компоненты» №5, 2021 г.

Blaž KloBučar

CEM SOM

CHRISTIAN MERZ

DAVID LEVETT

Dr. Zhihui Yuan

lightingmedia.ru №5/2020

Szukang Hsien, Nazzareno Rossetti

TIM FRANK

ZIQING ZHENG

Александр Герфер

Алексей Наймушин

Аманда Мак-Грегор (Amanda McGregor)

БИЛЛ ШВЕБЕР

Василий Червинский, Компоненты и технологии • No 5 ‘2020

Владимир Рентюк

Игорь Залогин

Марк Володарский

Павел Лысенко

Питер Грин

ПИТЕР ФРИДРИХС (PETER FRiEDRiCHS), Infineon Technologies

Ричард Блейки

Тимур Улудаг

Шиа Лин

ЭРИК ПЕРСОН (ERIC PERSSON), Infineon Technologies

Примеры проектов импульсных источников питания с ШИМ

На современном рынке импульсных источников питания существует два подхода к проектированию: разработка «в лоб» «с нуля» или на основании спецификаций. Хотя сегодня на рынке имеется много хороших микросхем управления, для многих из которых в спецификациях уже описана процедура проектирования, цель данной книги — дать читателю более глубокое и фундаментальное понимание этого вопроса. Таким образом, представленные ниже примеры проектов содержат схемы управления, требующие для завершения системы питания проведения проектной экспертизы. Эти примеры содержат базовые правила проектирования импульсных источников питания, идущие дальше «простых» методов, описанных некоторыми поставщиками микросхем. Также остается в силе необходимость проектирования магнитных компонентов, компенсации контура обратной связи, а также входных и выходных фильтров.

Следующие примеры, хотя они и скучноваты, помогут хорошо разобраться в процессе проектирования импульсных источников питания с ШИМ.

3.15.1. Встроенный на плату понижающий преобразователь на 10 Вт

Область применения

Этот импульсный источник питания может быть использован для встроенного на плату стабилизатора, в котором линейный стабилизатор выделяет слишком много тепла для того, чтобы плата могла его рассеивать. Предварительный стабилизатор, выполняющий неточную стабилизацию, выдает распределенное напряжение + 10 – +18 В. Выходное напряжение встроенного на плату стабилизатора составляет +3,3 В.

В этом проекте мы умышленно избегаем применения микросхемы понижающего контроллера с высокой степенью интеграции, поскольку наша цель — продемонстрировать процесс выбора и проектирования элементов, относящихся к импульсным источникам питания. Схема понижающего преобразователя на 10 Вт представлена на рис. 3.64.

Рис. 3.64. Понижающий преобразователь на 10 Вт

Спецификация проекта

Диапазон входного напряжения: +10 – +14 VDC. Выходное напряжение: +5 VDC. Максимальный выходной ток: 2 А.

Выходное напряжение пульсаций: +30 мВ (полный размах амплитуды). Стабилизация выхода: ± 1%.

Предпроектные оценки «черного ящика»

Выходная мощность: +5 В • 2 А = 10,0 Вт (максимум).

Входная мощность: Pout / Ожидаемый КПД = 10,0 Вт / 0,8 = 12,5 Вт.

Потери на ключе: (12,5 – 10) Вт ■ 0,4 = 1,0 Вт.

Потери на ограничивающем диоде: (12,5 – 10) Вт • 0,6 =1,5 Вт.

Средние значения входных токов

Входной сигнал низкого уровня: 12,5 Вт /10 В = 1,25 А. Входной сигнал высокого уровня: 12,5 Вт / 14 В = 0,9 А. Оценка максимального тока: 1,4 • /out(rated)= 1,4 • 2 А = 2,8 А.

Проектирование индуктора (см. раздел 3.5.5)

Наихудшие условия эксплуатации — при высоком входном напряжении.

где: V;11(тах) — максимально возможное входное напряжение; Vout— выходное напряжение; /out(min)— минимальный ожидаемый ток нагрузки;/sw — рабочая частота.

Индуктором должен быть кольцевой сердечник для поверхностного монтажа на пластиковой монтажной панели с J-образными выводами. Существуют стандартные индукторы для поверхностного монтажа, поставляемые многими компаниями. В данном примере был выбрал индуктор D03340P-104 компании Coilcraft.

Выбор ключа и ограничивающего диода

Ключ

В качестве ключа должен выступать мощный полевой МОП-транзистор с каналом р-типа. Максимальное входное напряжение — 18 VDC, следовательно, удовлетворительным будет номинал VDSS от +30 VDC и выше. Максимальный ток составляет 2,8 А. Также желательно обеспечить рассеяние тепла менее 1 Вт, поэтому оценка RDS (при замыкании ключа) должна быть ниже, чем значение

В данном примере был выбран распространенный полевой МОП-транзистор FDS9435 с сопротивлением в проводящем состоянии 45 мОм, в корпусе S08.

Ограничивающий диод

В качестве ограничивающего диода должен использоваться диод Шотки для минимизации потерь на электропроводность и потерь переключений. Подходящее падение прямого напряжения при максимальном токе 3 А характерно для диода MBRD330 с падением 0,45 В (при температуре +25°С).

Выходной конденсатор (см. раздел 3.6)

Емкость выходного конденсатора вычисляется по следующей формуле:

В первую очередь для конденсаторов как входного, так и выходного фильтра следует определить пульсирующий ток. В рассматриваемом примере пульсирующий ток идентичен переменному току через индуктор. Максимальные пределы тока через индуктор составляют 2,8 А для /реак и около половины максимального выходного тока, или 1,0 А. Таким образом, двойная амплитуда пульсирующего тока составляет 1,8 А, или в оценке RMS — 0,6 А (около трети двойной амплитуды).

В данном примере должны использоваться танталовые конденсаторы для поверхностного монтажа, поскольку они обычно показывают около 50% ESR электролитических конденсаторов. Кроме того, номиналы выбираемых конденсаторов следует уменьшить на 30% при температуре окружающей среды +85°С.

Лучшие кандидаты на эту роль — конденсаторы компании AVX, у которых очень низкое значение ESR, и потому они могут справиться с пульсирующим током очень большой силы. Эти конденсаторы необычны и нетипичны, но часть из них может удовлетворить требования, предъявляемые к выходным сигналам.

Конденсаторы компании AVX:

. TPSE477M010R0050 — 470 мкФ (20%), 10 В, 50 мОм, 1,625 Amls;

. TPSE477M010R0100 — 470 мкФ (20%), 10 В, 100 мОм, 1,149 А™,.

Конденсаторы компании Nichicon:

. F751A477MD — 470 мкФ (20%), 10 В, 120 мОм, 0,920 Аш.

Существует совсем немного конденсаторов для поверхностного монтажа с требуемой емкостью, номиналом напряжения и низким значением ESR одновременно. Более консервативным решением будет включение двух параллельных конденсаторов с емкостью не ниже, чем половина желаемой величины, каждый. Это позволит использовать намного больше второстепенных конденсаторов и снизить значение ESR. Давайте используем два параллельно включенных танталовых конденсатора с емкостью 330 мкФ и напряжением 10 В.

Конденсатор компании КЕМЕТ:

. T510X337M010AS — 330 мкФ (20%), 10 В, 35 мОм, 2,0 Аш.

Конденсатор компании Nichicon:

. F751A337MD — 330 мкФ (20%), 10 В, 150 мОм, 0,8 Ams.

Конденсатор входного фильтра

Этот конденсатор испытывает воздействие той же трапецеидальной волны тока, что и на ключе, — волны с начальной силой тока около 1 А, которая затем повышается до 2,8 А, с очень крутыми фронтами. .

Конденсатор компании AVX (требуется три на систему):

. TAJ476M016 — 47 мкФ (20%), 16 В, 900 мОм, 0,27 А.

Конденсатор компании Nichicon (требуется три на систему):

. F721C476MD — 47 мкФ (20%), 16 В, 750 мОм, 0,19 А.

Выбор микросхемы контроллера

Свойства, которым должна удовлетворять микросхема понижающего контроллера:

•                способность работать напрямую от входного напряжения;

•                межимпульсное ограничение перегрузки по току;

•                драйверы с двухтактным каскадом на полевых МОП-транзисторах.

На рынке имеется много микросхем понижающего контроллера, однако в данном примере мы используем микросхему UC3873. Внутреннее опорное напряжение, подаваемое на усилитель ошибки, составляет 1,5 В ± 2%.

Установка частоты функционирования (СЗ)

По спецификации определяем частоту по формуле:

Ближайшее значение составляет 680 пФ.

Резистор считывания тока (R1)

В выбранной микросхеме контроллера используется защита с помощью межимпульсного опроса тока, при которой ключ сразу же размыкается при превышении порога в 0,47 В. Допустим 25% зазор между ожидаемым максимальным током и порогом защитного размыкания. Таким образом, защита будет срабатывать при токе 1,25 • 2,8 А = 3,5 А. Рассчитаем сопротивление резистора R1:

RI =0,47 В /3,5 А = 0,134 Ом.

Ближайшее стандартное резисторов сопротивлением до 1 Ом равно 0,1 Ом.

Резисторный делитель напряжения на считывающих резисторах (R3 и R4)

R4 (нижний резистор):

R4 = 1,5 В / 1 мА = 1,49 кОм 1%.

Это делает фактический ток считывания равным 1,006 мА.

R3 (верхний резистор):

R3 = (5,0 В – 1,5 В) /1,006 мА = 3,48 кОм 1%.

Компенсация контура обратной связи по напряжению (см. Приложение Б)

Это — прямоходовый преобразователь, работающий в режиме напряжения. Чтобы получить оптимальную продолжительность переходных процессов, воспользуемся двухполюсной компенсацией с двумя «нулями».

Определение характеристики «схема управления – выход»

Полюс выходного фильтра определяется по индуктору фильтра и конденсатору и составляет спад —40 дБ/лекалу. Его номинальная частота излома АЧХ составляет:

Нулевая точка, обусловленная конденсатором выходного фильтра, равна (значение ESR дают два параллельно включенных конденсатора емкостью 120 Ом):

Рис. 3.65. Графики Боде усиления и фазы для рассмотренного примера понижающего преобразователя: а — диаграмма усиления; б — фазовая диаграмма

Особенности построения блоков питания принтеров.

Особенности построения блоков питания принтеров.

 

                В современных принтерах применяются импульсные блоки питания, преобразующие переменное напряжение сети в несколько выходных шин питания постоянного тока для различных компонентов принтера (см. рис. 1). Блоки питания располагаются внутри принтера на отдельной плате или на плате источников питания вместе с высоковольтными источниками питания для системы создания изображения (узла первичного заряда, узла проявки, узла переноса и т. д.).
                Силовая часть блока питания чаще других представлена импульсным обратноходовым преобразователем напряжения с управляющей микросхемой или без нее. Регулировка и стабилизация выходных напряжений источника осуществляется методом широтно-импульсной модуляции (ШИМ) и осуществляется, как правило, специализированной микросхемой ШИМ-контроллером на основе сигнала обратной связи. Так как микросхема ШИМ — контроллер включена в первичную цепь блока питания, обратная связь снимаемая с одной или нескольких выходных шин питания подается на микросхему через гальваническую развязку - оптопару. 
                Цепи защиты блока питания от перенапряжения на выходе и повышенного токопотребления или короткого замыкания также реализованы через блокировку работы управляющей микросхемы ШИМ - контроллера. Сигнал блокировки со вторичных цепей блока питания на управляющую микросхему подается также через оптопару.  
                На входе любого импульсного источника питания, имеется цепь входных фильтров, призванная обеспечить защиту от разных проблем первичной сети. Наиболее важными элементами этой части блока питания, которые подлежат проверке на этапе выявления неисправности можно отнести входной предохранитель и варистор. Эти два элемента обеспечивают защиту от короткого замыкания в первичной цепи источника питания и в цепи нагревательного элемента печки , а также и защиту от превышения входного напряжения блока питания. Практически все входные цепи блока питания принтера имеют защиту диодного моста от токового импульса при включении принтера, она обеспечивается терморезистором.
                Количество выходных шин питания колеблется от одной до трех и все они формируются классическим способом — выпрямлением ЭДС со вторичных обмоток силового трансформатора. Типовым вариантом является формирование на выходе шин +3. 3В, +5В и +24В.

                Назначение напряжений следующее:
1. Шина +5V — используется в качестве дежурного напряжения, а также для питания цифровых, аналоговых схем, и т.д.
2. Шина +3.3V — напряжение питания цифровых микросхем, контроллеров, микросхем на интерфейсной плате, датчика начала строки в блоке лазер-сканер.
3. Шина +24V- напряжение питания для силовых компонентов принтера: двигателей, электромагнитных муфт, соленоидов, источников питания ламп сканеров и т.д.

 

Рис. 1.

                Полноценный и качественный ремонт импульсных блоков питания будет выполнен только в том случае если мастер четко владеет знаниями работы блока питания его схемой, и владеет практическими приемами нахождения и устранения дефектов. Ремонт будет производиться с меньшими затратами времени и с использованием минимального, действительно необходимого количества радиодеталей лишь в том случае, если радиомеханик в полной мере владеет основными методами ремонта радиоаппаратуры.               

                При ремонте импульсных блоков питания принтеров следует строго выполнять общие правила электробезопасности, основные положения которых сводятся к следующему.
                Одним из наиболее опасных путей протекания тока по телу человека является направление рука — ноги, поэтому запрещается ремонтировать импульсные БП в сырых помещениях или в помещениях с цементными и другими токопроводящими полами. Использование диэлектрического коврика уменьшает вероятность протекания тока в рассматриваемом направлении.
                Не менее опасным является путь тока по участку рука — рука. Поэтому запрещается ремонт импульсных блоков питания вблизи заземленных конструкций (батарей центрального отопления и т. п.). Выполнение всех манипуляций на включенном импульсном БП должно осуществляться только одной рукой в одежде с длинными рукавами, нарукавниками, инструментом с изолированными ручками. Все эти моменты уменьшают вероятность поражения электрическим током. Категорически запрещается производить пайку на включенном импульсном БП.
                Ремонт блоков питания принтеров во включенном состоянии, должен производиться в стационарных мастерских на специальных рабочих местах, где присутствует разделительный трансформатор.
                Особую опасность для жизни человека представляет та часть схемы импульсного блока питания, которая находится под напряжением входной сети (на печатной плате БП она обычно отмечается штриховкой). 
                Следует помнить, что под сетевым напряжением находятся и элементы узла закрепления тонера - «печки». 
                После выключения импульсного блока питания (при его ремонте) необходимо разряжать электролитические конденсаторы его схемы, или выдерживать некоторую паузу после выключения, что бы конденсаторы разрядились через элементы схемы.

Современные микросхемы infineon и shindengen для импульсных источников питания

Микросхемы для импульсных источников питания (SMPS) выпускает огромное число компаний, что часто не позволяет разработчикам сделать осознанный выбор определенных типов микросхем при разработке импульсных источников питания. Для некого прояснения ситуации создателем был проведен анализ применяемости микросхем в источниках питания бытовой аппаратуры и офисной техники Panasonic. В итоге анализа сервисной документации нескольких 10-ов моделей DVD-проигрывателей и рекордеров компании выяснилось, что в их импульсных источниках питания в главном употребляются микросхемы нескольких определенных производителей, или они построены на дискретных компонентах.

Введение

Из практики ремонта понятно, что выход из строя микросхем SMPS — более всераспространенная причина отказов техники. Panasonic выпускает бытовую аппаратуру миллионными тиражами, и надежность источников питания для нее должна быть на высочайшем уровне. В DVD-проигрывателях и рекордерах Panasonic, вошедших в обзор, использованы микросхемы SMPS компаний Sanken, Fuji Electric, Shindengen, Infineon и неких других. В микросхемах серий CoolSET Infineon и неких микросхемах серии MR5000 Shindengen употребляются полевые транзисторы CoolMOS (зарегистрированная торговая марка Infineon), микросхемы SMPS этих компаний и являются предметом рассмотрения.

Обе компании при разработке микросхем SMPS повышенное внимание уделили вопросам понижения употребления электроэнергии источниками питания в дежурном режиме. Неувязка экономии электроэнергии аппаратурой широкого внедрения в недалеком будущем может стать животрепещущей и для русских производителей электрической техники: идет речь о скором внедрении в стране цифрового наземного телевидения DVB-T. Для воплощения этого проекта потребуются 10-ки миллионов приставок к телекам, создание которых подразумевается сделать на российских предприятиях. Хотя в Рф на муниципальном уровне еще не приняты решения о понижении употребления электроэнергии бытовой аппаратурой, разработка эконом источников питания приставок, огромную часть времени работающих в дежурном режиме, в недалеком будущем может стать животрепещущей. (В Стране восходящего солнца и ряде европейских государств требования и советы производителям аппаратуры широкого употребления, работающей в дежурном режиме, законодательно сформированы и производятся.)

Компания Shindengen Electric Manufacturing Co., Ltd (Токио, Япония) базирована 16 августа 1949 года, численность персонала — 5940 человек, консолидированный объем продаж — 85 239 млн йен (на 31 марта 2009 года). Президент компании — Коджиро Ода (Kojiroh Oda). Shindengen выпускает дискретные полупроводниковые приборы, микросхемы источников питания, DC/DC-конверторы, системы питания, продукты для авто электроники, оборудование для силовой электроники. Неизменными покупателями продукции Shindengen являются более 50 ведущих глобальных производителей радиоэлектронной аппаратуры и ряд автомобилестроительных компаний, в том числе: LG, Canon, Sanyo, Sharp, Suzuki Motor, Seiko Epson, Sony, Toshiba, NTT, IBM Japan, Самсунг, NEC, Pioneer, Panasonic, Hitachi, Fuji, Fujitsu, Honda Motor, Митсубиши, Yamaha Motor, Ricoh, Бмв, Daewoo, Ericsson, Nokia, Philips, Тоета Tsusho [1]. Компания выпускает информационно-технический журнальчик «PassWord», европейский кабинет базируется в Велвин-Гарден-Сити, Англия (www. shindengen. co. uk), имеется подразделение в Дюссельдорфе, Германия (www. shindengen. de).

Infineon Technologies AG (Нойбиберг, Германия) 1 апреля 1999 года была выделена в отдельную компанию из подразделения полупроводниковых устройств концерна Siemens (рис. 1). Число служащих — 41,3 тыс., оборот — 4,32 миллиардов евро (на 2008 год). По исследования IMS Research компания является наикрупнейшим в мире производителем силовых полупроводниковых устройств с толикой рынка 9,7% (2007 год), на втором и 3-ем местах расположились STM и Fairchild [2]. Компания отлично известна в Рф, ее интересы представляют 8 дистрибьюторов в Москве, в Санкт-Петербурге — субдистрибьютор «ЭФО&#187-. Энтузиазм к компании проявило правительство Рф: на состоявшейся в августе 2009 года встрече президента Дмитрия Медведева с канцлером ФРГ Ангелой Меркель был обсужден вопрос о вхождении АФК «Система&#187- в капитал Infineon. Идет речь о производителе запоминающих устройств Qimonda, 77,47% капитала которой принадлежит Infineon [3].

Рис. 1. Предприятие Infineon в Нойбиберге

Микросхемы SMPS Shindengen

Компания выпускает микросхемы SMPS под общим заглавием Partial Resonance Power Supply — отчасти резонансные источники питания (более обычное заглавие — квазирезонансные преобразователи). В 2002 году были представлены микросхемы серий MR1000, MR2000, в 2005 — MR4000, MR5000. Основная цель разработки серии MR1000 состояла в выполнении советов Министерства экономики, торговли и индустрии Стране восходящего солнца об уменьшении употребления электроэнергии аппаратами, работающими в дежурном режиме. В итоге мощность употребления SMPS на микросхемах серии в дежурном режиме при стандартном сетевом напряжении 100 В/60 Гц была снижена до 100 мВт. Для реализации отчасти резонансного (квазирезонансного) режима в микросхемах применены сенсоры нулевого тока (Z/C — zero current detection), дозволяющие обеспечить коммутацию силовых в ключей при наименьшем значении тока, что и является основной особенностью квазирезонансных преобразователей. Эффективность микросхем серии MR1000 в рабочем режиме составляет 82-85% (при Рвых более 10 Вт), в дежурном — 70-80% (при Рвых более 0,5 Вт). В качестве выходных ключей в микросхемах 1000-й серии применены MOSFET-транзисторы, 2000-й серии — быстродействующие IGBT на напряжение 900 В (в исполнениях для сетей 180-276 В/50/60 Гц).

Усовершенствования микросхем серий MR4000/MR5000 в главном свелись к применению в качестве силовых ключей новых MOSFET, CoolMOS Infineon и быстродействующих IGBT 2-го поколения (своей патентованной разработки). Эффективность SMPS на микросхемах 4000-й серии добивается 90%, с корректорами коэффициента мощности — до 94% при выходной мощности более 50 Вт [4]. В каталоге компании 2009 года представлены микросхемы SMPS 4000-й серии [5], их классификационные характеристики приведены в таблице 1. Все микросхемы выполнены в корпусах FTO-7P, набросок внешнего облика и нумерация выводов микросхем приведены на рис. 2.

Таблица 1. Классификационные характеристики микросхем серии MR4000

Тип микросхемы Uсети, В Pвых, Вт Тип выходного ключа Рвых (Uc = 90-276 B), Вт MR4500 90-132 12 MOSFET — MR4510 90-132 25 MOSFET — MR4520 90-132 50 MOSFET — MR4530 90-132 80 MOSFET — MR4710 180-276 25 MOSFET 12 MR4720 180-276 50 MOSFET 25 MR4010 180-276 65 IGBT 45 MR4011 180-276 65 IGBT 45 MR4020 180-276 105 IGBT 70 MR4030 180-276 135 IGBT 90 MR4040 180-276 180 IGBT 120

Рис. 2. Набросок внешнего облика корпуса FTO-7P

Предназначения выводов:

1 (Z/C) — вывод схемы сенсора нулевого тока, при понижении напряжения на этом выводе до 4,1 В и наименее происходит переключение микросхемы в дежурный режим (для реализации требуется гальваническая развязка с наружной схемой управления, зачем обычно употребляется дополнительный оптрон).

2 (F/B) — вход оборотной связи для регулировки продолжительности ШИМ-импульсов, к вторичным узлам SMPS вывод подключается через оптрон.

3 (GND) — общий корпус.

4 (VCC) — напряжение питания схем управления.

5 (Source/Emitter/OCL) — вывод истока MOSFET либо эмиттера IGBT, служит для подключения резистора схемы защиты от перегрузки по току, являющегося датчиком выходного тока главного транзистора.

7 (Vin) — вход пуска (подключается к сетевому выпрямителю SMPS), ток по цепи VCC поступает лишь на интервале пуска и автоматом прерывается после вхождения в рабочий либо дежурный режимы.

9 (Drain/Collector) — вывод стока MOSFET либо коллектора IGBT. Микросхемы SMPS Infineon Technology AG

В каталоге компании 2009 года микросхемы SMPS находятся в разделе Power Management [6], подразделах AC/DC — Integrated Power ICs — CoolSET-F2/CollSET-F3, классификационные характеристики микросхем серии CoolSET-F2 из листов данных 2006 г. приведены в таблице 2, CoolSET-F3 из листов данных 2005-2009 гг. — в таблице 3.

Таблица 2. Классификационные характеристики микросхем серии CoolSET-F2

Тип микросхемы Uси, В Iс, A Rси откр, Ом Fr, кГц Рвых1 (при сетевом напряжении 230В ±15%), Вт Рвых2 (при сетевом напряжении 85- 265 В), Вт Корпус ICE2A0565Z 650 0,5 4,7 100 23 13 PG-DIP-7 ICE2A180Z 800 1 3 100 29 17 PG-DIP-7 ICE2A280Z 800 2 0,8 100 50 31 PG-DIP-7 ICE2A0565 650 0,5 4,7 100 23 13 PG-DIP-8 ICE2A165 650 1 3 100 31 18 PG-DIP-8 ICE2A265 650 2 0,9 100 52 32 PG-DIP-8 ICE2A365 650 3 0,45 100 67 45 PG-DIP-8 ICE2B0565 650 0,5 4,7 67 23 13 PG-DIP-8 ICE2B165 650 1 3 67 31 18 PG-DIP-8 ICE2B265 650 2 0,9 67 52 32 PG-DIP-8 ICE2B365 650 3 0,45 67 67 45 PG-DIP-8 ICE2A0565G 650 0,5 4,7 100 23 13 PG-DSO-12 ICE2A380P2 800 3 2,1 100 111 60 TO-220 ICE2A765P2 650 7 0,45 100 240 130 TO-220 ICE2B765P2 650 7 0,45 67 240 130 TO-220

Таблица 3. Классификационные характеристики микросхем серии CoolSET-F3

Тип микросхемы Корпус Іс, A Rси откр, Ом Рвых1 (при сетевом напряжении 230 В ±15%), Вт Рвых2 (при сетевом напряжении 85- 265 В), Вт Fr, кГц ICE3A0565Z DIP-7 0,5 4,7 25 12 100 ICE3A2065Z DIP-7 2 0,92 57 28 100 ICE3A0365 DIP-8 0,3 6,45 22 12 100 ICE3B1565 DIP-8 1,5 1,7 42 20 67 ICE3B2065 DIP-8 2 0,92 57 28 67 ICE3B2565 DIP-8 2,5 0,65 68 33 67 ICE3B0365J DIP-8 0,3 6,45 22 10 67 ICE3B0565J DIP-8 0,5 4,7 25 12 67 ICE3B1565J DIP-8 1,5 1,7 42 20 67 ICE3A1065L DIP-8 1 2,95 32 16 100 ICE3A1565L DIP-8 1,5 1,7 42 20 100 ICE3B0365L DIP-8 0,3 6,45 22 10 67 ICE3A1065LJ DIP-8 1 2,95 32 16 100 ICE3A0565 DIP-8 0,5 4,7 25 12 100 ICE3A1065 DIP-8 1 2,95 32 16 100 ICE3A1565 DIP-8 1,5 1, 7 42 20 100 ICE3A2065 DIP-8 2 0,92 57 28 100 ICE3A2565 DIP-8 2,5 0,65 68 33 100 ICE3B0365 DIP-8 0,3 6,45 22 10 67 ICE3B0565 DIP-8 0,5 4,7 25 12 67 ICE3B1065 DIP-8 1 2,95 32 16 67 ICE3BR4765J DIP-8 0,5 4,7 27 18 65 ICE3B2065J DIP-8 2 0,92 57 29 67 ICE3BR0665J DIP-8 2,5 0,65 74 49 65 ICE3BR1765J DIP-8 1,5 1,7 46 31 65 ICE3A1065ELJ DIP-8 1 2,95 32 16 100 ICE3A2065ELJ DIP-8 2 0,92 57 28 100 ICE3B0365JG DSO-12 0,3 6,4 22 10 67 ICE3B0565JG DSO-12 0,5 4,7 25 12 67 ICE3A2065P TO-220 2 3 102 50 100 ICE3B2065P TO-220 2 3 102 50 67 ICE3B3065P TO-220 3 2,1 128 62 67 ICE3B3565P TO-220 3,5 1,55 170 83 67 ICE3B5065P TO-220 5 0,95 220 105 67 ICE3B5565P TO-220 5,5 0,79 240 120 67 ICE3A3065P TO-220 3 2,1 128 62 100 ICE3A3565P TO-220 3,5 1,55 170 83 100 ICE3A5065P TO-220 5 0,95 220 105 100 ICE3A5565P TO-220 5,5 0,79 240 120 100 ICE3BR0665JF TO-220 4,8 0,59 259 173 67 ICE3BR2565JF TO-220 1,8 2,5 106 81 67 ICE3BR1065JF TO-220 3 1 178 120 67

Особенности микросхем SMPS Infineon 2-го поколения CoolSET-F2 (Feature):

транзисторы CoolMOS на напряжение 650/800 В-

маленькое число наружных компонентов-

частота коммутации 67/100 кГц-

экономный дежурный режим, рекомендованный европейской комиссией-

схемы защиты от перегрева, перегрузки по току, напряжению и от маленьких замыканий-

наибольшая скважность импульсов 72%-

точность срабатывания схемы защиты по току ±5% от установленного наружным резистором значения-

пользовательская установка режима мягенького запуска-

режим «мягкого&#187- управления для обеспечения низкого уровня электрических помех (Soft driving for low EMI).

Типовое включение микросхем по схемеобратноходового преобразователя напряжения (Flyback SMPS) приведено на рис. 3.

Рис. 3. Включение микросхем CoolSET-F2

В состав микросхем входят последующие узлы:

схема включения экономного дежурного режима (Low Power Standby)-

распределитель напряжения питания (Power Management)-

схема мягенького пуска (Soft-Start control)-

схемы защиты (Protection Unit)- ШИМ-контроллер с токовым управлением (PWM Controller Current Mode)-

схема прецизионной установки тока срабатывания схемы защиты (Precise Low Tolerance Peak Current Limitation)-

полевой CoolMOS-транзистор. Предназначение и нумерация выводов микросхем в корпусах DIP-7/DIP-8/DSO-12/TO-220.

SoftS (1/1/2/6) — Soft Start & Auto Restart Control — вывод может быть применен для установки режима мягенького пуска либо режима автоматического перезапуска.

FB (2/2/3/7) — Feedback — вход сигнала оборотной связи для конфигурации скважности ШИМ-импульсов.

Isense (3/3/4/3) — вывод для подключения наружного резистора Rsense (датчика выходного тока), подключен к истоку главного транзистора (от сопротивления этого резистора зависит порог срабатывания схемы защиты от перегрузки по току). Сигнал с резистора Rsense подается на внутренний ОУ (PWM OP) с Ку = 3,65, с выхода которого усиленный сигнал подается на ШИМ-контроллер.

Drain (5/4,5/5,6,7,8/1) — вывод стока CoolMOS-транзистора.

VCC (7/7/11/5) — напряжение питания схем управления +(8,5-21) В.

GND (8/8/12/4) — общий корпус. Приведем главные характеристики и свойства микросхем (не вошедшие в табл. 2):

Очень допустимые напряжения на выводах микросхем: VCC — (-0,3-22) B, VFB — (-0,3-6,5) B, SoftS — (-0,3-6,5) B, Isense — (-0,3-3) B.

Электростатическая крепкость (ESD Robustness) — 2 кВ.

Ток употребления IVCC (по цепи VCC) — 5,3-8 мА.

Напряжение включения Vccon (VCC Turn-On Threshold) — 13-14 B.

Напряжение выключения VCCOF (VCC Turn-Off Threshold) — 8,5 B (при наименьших напряжениях главный CoolMOS-транзис-тор отключается).

Частота внутреннего генератора: fOSC1 — 93-107/62-72 кГц (табл. 2), измеряется при напряжении 4 В на выводах FB-

fOSC2 — 21,5/20 кГц, измеряется при UFB = 1 В.

Наибольшая скважность импульсов — 0,67-0,77.

Спектр рабочих напряжений UFB — 0,3-4,6 B.

Спектр рабочих температур выводов микросхем—40.. .150 &#176-С.

Микросхемы CoolSET-F2 могут работать в режиме мягенького пуска (Soft-Start), что позволяет минимизировать воздействие перегрузок главного транзистора в моменты включения. Условия для таких перегрузок часто появляются при питании цифровых устройств, к примеру микросхем программируемой логики. На рис. 4 приведены временные диаграммы, иллюстрирующие работу микросхем в режиме мягенького пуска. Этот режим реализуется при помощи цепи из внутреннего резистора и наружного конденсатора CSo — (рис. 3). Напряжение мягенького пуска (VSof) определяется временем заряда конденсатора CSft через внутренний резистор Rsqft-start до напряжения 5,3 В. Емкость конденсатора определяется по формуле:

где Ts0ft_start — время заряда конденсатора до напряжения 5,3 В — RSof—Start равно 42-62 кОм, типовое значение — 50 кОм для всех типов микросхем.

Рис. 4. Временная диаграмма напряжения на выводе VsoftS

Частота задающего генератора микросхем определяется параметрами внутренних вре-мязадающих цепей и величиной напряжения на выводах FB. Зависимость частоты генератора микросхем ICE2A… от напряжения на выводах FB приведена на рис. 5 (частота генератора микросхем ICE2B. меняется в границах 20-67 кГц).

Рис. 5. Зависимость частоты внутреннего генератора от напряжения на выводе FB

Возникающие при переключении CoolMOS-транзисторов выбросы подавляются схемой бланкирования фронтального фронта (Leading Edge Blanking, LEB). На рис. 6 показана временная диаграмма напряжения на VSense на резисторе RSense (рис. 3) в момент переключения, уровень ограничения пикового тока главного транзистора (Peak Current Limitation) определяется напряжением Vcstll = 0,95-1,05 В для всех типов микросхем. Прохождение выброса на фронтальном фронте импульса переключения (Leading Spike) блокируется схемой LEB, формирующей импульс продолжительностью 220 нс, запирающий драйвер затвора главного транзистора на этом интервале времени.

Рис. 6. Временная диаграмма напряжения на выводе ISense

Микросхемы обеспечивают защиту от перегрузки по току (Overload), разрыва петли регулирования ООС (Open Loop), по напряжению (Overvoltage) и от перегрева (Thermal Shut Down). При появлении перечисленных состояний SMPS через 5 мкс после окончания импульса LEB срабатывает схема фиксации ошибок (Error-Latch), и главный транзистор отключается (задержка употребляется для исключения неверных срабатываний схем защиты на интервалах переключения

CoolMOS-транзисторов). На рис. 7 приведена реализация схемы защиты от перегрузки по току и от разрыва петли ООС при обычной нагрузке. Эти аварийные состояния детектируются компараторами С3, С4, сигналы с которых через схему И (AND-gate) G2 поступают на схему фиксации ошибок Error-Latch, управляющую триггером драйвера затвора (PWM-Latch) главного транзистора (Gate driver). Перегрузка по току детектируется компаратором С4 при превышении напряжения +5,3 В на выводе SoftS. Компаратор С3 детектирует состояние разрыва ООС SMPS при превышении напряжения +4,8 В на выводе FB, при всем этом напряжение на выводе VCC миниатюризируется до 8,5 В и микросхема перебегает в пассивное состояние.

Рис. 7. Схема токовой защиты

На рис. 8 приведена схема защиты от перенапряжений, возникающих при разрыве ООС либо выключении нагрузки. Сенсорами перенапряжения служат компараторы С1 и С2, сигналы с которых через логический элемент И G1 поступают на схему фиксации ошибок Error-Latch. Порог срабатывания компаратора С2 = +4 В достигается при напряжении на выводе FB = +4,8 В. При возрастании напряжения на выводе VCC до значения +16,5 В срабатывает компаратор С1. Схема температурной защиты срабатывает, когда температура выводов контроллера подымается до 140 &#176-С, в данном случае микросхема перебегает в режим автоматического перезапуска.

Рис. 8. Схема защиты от перенапряжений

Особенности микросхем SMPS Infineon 3-го поколения

Микросхемы серии CoolSET-F3 являются развитием серии CoolSET-F2, направленным на предстоящее понижение потребляемой SMPS мощности в дежурном режиме при малых токах в нагрузке. Микросхемы обеих серий совместимы по предназначению и нумерации выводов (в соответственных корпусах). В дежурном режиме новые микросхемы работают в «интеллектуальном&#187- активном прерывающемся режиме (Intelligent Active Burst Mode). В этом режиме микросхема выслеживает конфигурации тока нагрузки вторичных узлов SMPS, при определенном уменьшении тока нагрузки либо при ее выключении микросхемы автоматом переключаются в экономный дежурный режим с потребляемой мощностью менее 100 мВт. В микросхемах использованы полевые Depl. CoolMOS-транзисторы, работающие в режиме обеднения (Depletion MOS — обедненный МОП-транзистор) со встроенными коммутирующими элементами (Startup Cell), что позволяет отрешиться от использования отдельного источника питания VCC и еще больше уменьшить потребляемую мощность микросхемы.

Классификационные характеристики микросхем CoolSET-F3 из каталога 2009 г. приведены в таблице 3. Наибольшее напряжение иси для всех типов микросхем — 650 В.

Перечислим особенности микросхем в сопоставлении с микросхемами CoolSET-F2:

Транзисторы Depl. CoolMOS на 650В со встроенными коммутирующими элементами (элементами пуска).

Активный прерывающийся режим (Active Burst Mode) для обеспечения малого употребления мощности в дежурном режиме при отсутствии нагрузки (наименее 100 мВт).

Контроль наличия нагрузки при помощи сигнала ООС.

Резвое реагирование на включение нагрузки в дежурном режиме.

Другие свойства — как у микросхем CoolSET-F2. Типовое включение микросхем по схеме обратноходового преобразователя приведено на рис. 9. В состав микросхем входят в главном те же узлы, что и в CoolSET-F2 (рис. 3), дополнительно использованы схема активного прерывающегося режима (Active Burst Mode), схема автоматического перезапуска (Auto Restart Mode) и полевой Depl. CoolMOS-транзистор со интегрированным элементом пуска (Startup Cell). Нумерация и предназначение выводов микросхем такие же, как у микросхем CoolSET-F2 (заместо ISense употребляется обозначение CS).

Рис. 9. Включение микросхем CoolSET-F3

Приведем главные характеристики и свойства микросхем, не вошедшие в таблицу 3 и отличающиеся от соответственных характеристик микросхем CoolSET-F2:

Ток пуска полевого транзистора (Start Up Current) — менее 220 мкА (типовое значение — 160 мкА).

Ток употребления в режиме отключенного затвора Depl. CoolMOS транзистора (Supply Current with inactive Gate) — 5,5-7 мА.

Ток употребления в активном режиме (Supply current with Actives Gate) — 5,6-10,2 мА для всех типов микросхем.

Ток употребления в режиме автоматического перезапуска — 300 мкА (типовое значение).

Ток употребления в активном прерывающемся режиме — 0,95-1,25 мА.

Активный прерывающийся режим работы микросхем CoolSET-F3 позволяет существенно уменьшить потребление электроэнергии аппаратурой, питающейся от сетей переменного тока, работающей огромную часть времени в режиме ожидания команд (спящем режиме). При низком потреблении тока во вторичных узлах SMPS микросхемы пребывают в экономном режиме (потребляемая мощность не превосходит 100 мВт).

При возрастании тока в нагрузке микросхема стремительно заходит в рабочий режим, при уменьшении тока нагрузки до определенной величины микросхема опять перебегает в режим экономии электроэнергии. В качестве датчиков, выявляющих уровень токопотреб-ления SMPS, употребляются выходные сигналы оптронов, присоединенных к выводам FB микросхем. Собственное питание микросхем осуществляется от элемента Startup Cell в структуре Depl. CoolMOS-транзистора, присоединенного к его стоку.

Схемная реализация активного прерывающегося режима показана на рис. 10, а временные диаграммы, иллюстрирующие процесс, на рис. 11. Компаратор С5 срабатывает при напряжении на выводе FB наименее 1,32 В, что соответствует наименьшему потребляемому от SMPS току, ключ S1 замыкается, и конденсатор CSoftS (рис. 9) начинает заряжаться от напряжения 4,4 В. При достижении напряжения VSoftS значения 5,4 В срабатывает компаратор С3, выходной сигнал которого через логический элемент И G6 запускает схему Active Burst Mode. На диаграммах (рис. 11) это момент входа в экономный дежурный режим (Entering Active Burst Mode). Продолжительность интервала вхождения в активный прерывающийся режим (Blanking Window) определяется соотношением напряжений на выводах FB и SoftS и может регулироваться конфигурацией емкости конденсатора CSoftS (рис. 9). В момент входа в экономный режим ток IVCC миниатюризируется до значения 1,05 мА. Краткосрочный выход из режима экономии в рабочий режим происходит при уменьшении напряжения на выводе FB до 3,4 В, что вызывает срабатывание компаратора С6Ь, логический элемент И G11 генерирует маленький импульс, увеличивающий напряжение VCC, дальше процесс повторяется. В течение периода работы микросхемы в экономном режиме напряжение Vfg изменяется в границах от 3,4 до 4 В. Неравномерность выходного напряжения VOUT SMPS в активном прерывающемся режиме не превосходит 1%. Момент выхода из экономного режима (Leaving Active Burst Mode), вызванный подключением нагрузки, происходит при увеличении напряжения на выводе FB до 4,8 В.

Рис. 10. Схема реализации активного прерывающегося режима

Рис. 11. Временные диаграммы узла активного прерывающегося режима

Ряд однотипных микросхем, приведенных в таблице 3, выпускается в разных исполнениях (обозначаются знаками в окончаниях наименований микросхем). Главные электронные характеристики таких микросхем, обычно, схожи, но имеются и отличия. Микросхемы серии J (Jitter Version, листы данных 2007 г.) имеют режим качания частоты внутреннего импульсного генератора (frequency Jittering) относительно центральной частоты в границах ±4% (67 ±2,7 кГц), что обеспечивает более малый уровень электрических излучений, возникающих при работе SMPS. В микросхемах выполнения ELJ (листы данных, май 2009 г.) реализованы режимы качания частоты и аварийного выключения — Latched and frequency jitter Mode. Обозначение вывода SoftS в этих микросхемах заменено на BL (Blanking and Latch). Качание частоты внутреннего генератора микросхем осуществляется в границах 100 ±4 кГц с периодом 4 мс. В режим аварийного выключения (Latched Off Mode) микросхема заходит при срабатывании схем защиты от перегрева (Overtemperature) и от превышения напряжения VCC (VCC Overvoltage). Выход из режима Latch Off происходит при понижении напряжения VCC наименее 6 В. Микросхемы JF (Frequency jitter Mode in FullPak) выполнены в корпусах TO-220 FullPak, в их использованы CoolMOS-транзисторы с малым сопротивлением открытого канала и реализован режим качания частоты. Эти микросхемы созданы для SMPS с выходной мощностью до 200 Вт и поболее. Чертежи корпусов микросхем SMPS Infineon приведены на веб-сайте журнальчика — http://www. kit-e. ru/articles/Chertez. rar.

Заключение

Разглядим особенности применяемых в микросхемах Shindengen и Infineon полевых транзисторов CoolMOS («прохладный&#187- полевой транзистор). Главные достоинства CoolMOS в сопоставлении с MOSFET:

Резкое уменьшение утрат мощности в проводящем состоянии, сопротивление Rds on (Rси откр ) при напряжении на стоке 600 В в 5 раз меньше (при 1000 В — в 10 раз).

Уменьшение активной площади кристалла в 3 раза, при всем этом утраты мощности снижены на 20%.

Существенное понижение заряда затвора и утрат при переключении (до 50%).

Компактность корпусов: микросхемы CoolSET, в каких употребляются CoolMOS-транзисторы, не требуют в неотклонимом порядке использования радиаторов остывания.

Литература

http://www. shindengen. co. jp/company_e/outline. html

http://www. russianelectronics. ru/developer-r/news/company/2123/doc19673.phtml

http://www. vedomosti. ru/newsline/index. shtml?2009/08/14/819355

Okamoto S. MR4000/5000 Series Partial Resonance Power Supply IC Modules // Password. July, 2005. Vol. 05-07-e (http://www. shindengen. co. jp/password_e/index. html)

http://www. shindengen. co. jp/product_e/semi/result. php

http://www. infineon. com/cms/en/product/index. html

Скачать статью в формате PDF

Другие статьи по этой теме:

Новый номер журнальчика &#171-Компоненты и технологии&#187-

Новый аудиоусилитель класса D для портативных приложений

Демократичная разработка CAN

Устройства силовой электроники компании Zicon Electronics. Часть 3

Новые составляющие IDT для мультимедиа и телекоммуникаций

Новый номер журнальчика &#171-Компоненты и технологии&#187-

Новый номер журнальчика &#171-Компоненты и технологии&#187-

% PDF-1.2 % 2811 0 объект > эндобдж xref 2811 298 0000000016 00000 н. 0000006316 00000 н. 0000011144 00000 п. 0000011306 00000 п. 0000011393 00000 п. 0000011501 00000 п. 0000011655 00000 п. 0000011788 00000 п. 0000011942 00000 п. 0000012097 00000 п. 0000012268 00000 п. 0000012401 00000 п. 0000012591 00000 п. 0000012766 00000 п. 0000012949 00000 п. 0000013168 00000 п. 0000013279 00000 п. 0000013389 00000 п. 0000013541 00000 п. 0000013718 00000 п. 0000013861 00000 п. 0000013995 00000 п. 0000014167 00000 п. 0000014355 00000 п. 0000014493 00000 п. 0000014659 00000 п. 0000014812 00000 п. 0000014924 00000 п. 0000015036 00000 п. 0000015164 00000 п. 0000015336 00000 п. 0000015492 00000 п. 0000015625 00000 п. 0000015775 00000 п. 0000015916 00000 п. 0000016060 00000 п. 0000016277 00000 п. 0000016439 00000 п. 0000016610 00000 п. 0000016738 00000 п. 0000016922 00000 п. 0000017114 00000 п. 0000017254 00000 п. 0000017437 00000 п. 0000017619 00000 п. 0000017826 00000 п. 0000018013 00000 п. 0000018185 00000 п. 0000018334 00000 п. 0000018507 00000 п. 0000018646 00000 п. 0000018830 00000 п. 0000018973 00000 п. 0000019124 00000 п. 0000019272 00000 н. 0000019419 00000 п. 0000019576 00000 п. 0000019723 00000 п. 0000019871 00000 п. 0000020014 00000 п. 0000020165 00000 п. 0000020306 00000 п. 0000020444 00000 п. 0000020571 00000 п. 0000020710 00000 п. 0000020870 00000 п. 0000021016 00000 п. 0000021182 00000 п. 0000021363 00000 п. 0000021529 00000 п. 0000021677 00000 п. 0000021814 00000 п. 0000021960 00000 п. 0000022124 00000 п. 0000022271 00000 п. 0000022423 00000 п. 0000022574 00000 п. 0000022733 00000 п. 0000022874 00000 п. 0000023045 00000 п. 0000023204 00000 п. 0000023344 00000 п. 0000023490 00000 п. 0000023641 00000 п. 0000023798 00000 п. 0000023931 00000 п. 0000024097 00000 п. 0000024250 00000 п. 0000024387 00000 п. 0000024543 00000 п. 0000024694 00000 п. 0000024831 00000 п. 0000024970 00000 п. 0000025106 00000 п. 0000025241 00000 п. 0000025379 00000 п. 0000025533 00000 п. 0000025655 00000 п. 0000025789 00000 п. 0000025981 00000 п. 0000026125 00000 п. 0000026262 00000 п. 0000026452 00000 п. 0000026596 00000 п. 0000026766 00000 п. 0000026928 00000 п. 0000027098 00000 п. 0000027248 00000 п. 0000027389 00000 п. 0000027548 00000 п. 0000027682 00000 п. 0000027808 00000 п. 0000027937 00000 н. 0000028082 00000 п. 0000028217 00000 п. 0000028358 00000 п. 0000028509 00000 п. 0000028649 00000 п. 0000028779 00000 п. 0000028916 00000 п. 0000029055 00000 н. 0000029196 00000 п. 0000029337 00000 п. 0000029465 00000 п. 0000029584 00000 п. 0000029727 00000 п. 0000029861 00000 п. 0000030014 00000 п. 0000030148 00000 п. 0000030283 00000 п. 0000030416 00000 п. 0000030537 00000 п. 0000030658 00000 п. 0000030953 00000 п. 0000031133 00000 п. 0000031420 00000 п. 0000031660 00000 п. 0000031817 00000 п. 0000032081 00000 п. 0000032317 00000 п. 0000032596 00000 п. 0000032781 00000 п. 0000033062 00000 п. 0000033325 00000 п. 0000033711 00000 п. 0000034057 00000 п. 0000034265 00000 п. 0000034473 00000 п. 0000034699 00000 п. 0000034877 00000 п. 0000035129 00000 п. 0000035360 00000 п. 0000035569 00000 п. 0000035659 00000 п. 0000035700 00000 п. 0000035871 00000 п. 0000035939 00000 п. 0000036029 00000 п. 0000036244 00000 п. 0000036486 00000 п. 0000036752 00000 п. 0000037004 00000 п. 0000037255 00000 п. 0000037425 00000 п. 0000037576 00000 п. 0000037837 00000 п. 0000038911 00000 п. 0000038934 00000 п. 0000046145 00000 п. 0000046254 00000 п. 0000046451 00000 п. 0000047148 00000 п. 0000047463 00000 п. 0000047788 00000 п. 0000048110 00000 п. 0000048459 00000 п. 0000048792 00000 п. 0000049090 00000 н. 0000049236 00000 п. 0000049504 00000 п. 0000049768 00000 п. 0000049858 00000 п. 0000050009 00000 п. 0000050099 00000 н. 0000050251 00000 п. 0000050596 00000 п. 0000050860 00000 п. 0000051009 00000 п. 0000051343 00000 п. 0000051765 00000 п. 0000051969 00000 п. 0000052273 00000 п. 0000052479 00000 п. 0000052781 00000 п. 0000052984 00000 п. 0000053406 00000 п. 0000053710 00000 п. 0000054004 00000 п. 0000054390 00000 п. 0000054600 00000 п. 0000054690 00000 п. 0000054824 00000 п. 0000055173 00000 п. 0000055370 00000 п. 0000055668 00000 п. 0000055970 00000 п. 0000056392 00000 п. 0000056778 00000 п. 0000057080 00000 п. 0000057374 00000 п. 0000057532 00000 п. 0000057723 00000 п. 0000057920 00000 п. 0000058254 00000 п. 0000058599 00000 п. 0000058715 00000 п. 0000058941 00000 п. 0000059119 00000 п. 0000059371 00000 п. 0000059602 00000 п. 0000059936 00000 н. 0000060172 00000 п. 0000060380 00000 п. 0000060565 00000 п. 0000060722 00000 п. 0000060958 00000 п. 0000061198 00000 п. 0000061479 00000 п. 0000061766 00000 п. 0000062008 00000 п. 0000062248 00000 п. 0000062491 00000 п. 0000062714 00000 п. 0000062871 00000 п. 0000063083 00000 п. 0000063246 00000 п. 0000063395 00000 п. 0000063638 00000 п. 0000063866 00000 п. 0000064118 00000 п. 0000064296 00000 н. 0000064583 00000 п. 0000064786 00000 п. 0000065065 00000 п. 0000065302 00000 п. 0000065564 00000 п. 0000065984 00000 п. 0000066400 00000 п. 0000066595 00000 п. 0000066825 00000 п. 0000067022 00000 п. 0000067272 00000 п. 0000067436 00000 п. 0000067662 00000 п. 0000067841 00000 п. 0000068011 00000 п. 0000068228 00000 п. 0000068432 00000 п. 0000068637 00000 п. 0000068800 00000 п. 0000068976 00000 п. 0000069130 00000 п. 0000069220 00000 п. 0000069410 00000 п. 0000069560 00000 п. 0000069763 00000 п. 0000069999 00000 н. 0000070170 00000 п. 0000070386 00000 п. 0000070592 00000 п. 0000070781 00000 п. 0000071122 00000 п. 0000071212 00000 п. 0000071440 00000 п. 0000071610 00000 п. 0000072020 00000 п. 0000072211 00000 п. 0000072415 00000 п. 0000072632 00000 п. 0000072804 00000 п. 0000072996 00000 п. 0000073215 00000 п. 0000073496 00000 п. 0000073704 00000 п. 0000073861 00000 п. 0000074101 00000 п. 0000074431 00000 п. 0000074639 00000 п. 0000074815 00000 п. 0000074944 00000 п. 0000075034 00000 п. 0000075217 00000 п. 0000075368 00000 п. 0000075604 00000 п. 0000075868 00000 п. 0000076009 00000 п. 0000006458 00000 п. 0000011120 00000 н. трейлер ] >> startxref 0 %% EOF 2812 0 объект > эндобдж 3107 0 объект > ручей HVPSg {s ށ` @ L & «y \ 0 (| u» ԮAE + hj2 Ơ ֝ t`U @ Zv70XQ; [] T | w ν

FPGA на рынке телекоммуникаций, чтобы получить новый импульс: Aero Flex, S2C, Microsemi

Этот пресс-релиз был первоначально распространен SBWire

.

Эдисон, штат Нью-Джерси — (SBWIRE) — 27/12/2021 — Компания Advance Market Analytics опубликовала новую исследовательскую публикацию «FPGA в Telecom Market Insights, до 2026 года» на 232 страницах, дополненную самоочевидными таблицами и диаграммами в презентабельном формате. В исследовании вы найдете новые развивающиеся тенденции, движущие силы, ограничения и возможности, возникающие в результате нацеливания на заинтересованные стороны, связанные с рынком. Рост числа FPGA на рынке телекоммуникаций в основном был обусловлен увеличением расходов на НИОКР во всем мире.

Некоторые из ключевых игроков, представленных в исследовании:
Xilinx Inc. (США), Microsemi Corporation (США), Lattice Semiconductor (США), Achronix Semiconductor Corporation (США), Atmel Corporation (США), S2C Inc.(США), Texas Instruments (США), Cypress Semiconductor (США), Intel Corporation (США), Aero flex Inc. (США), Achronix Semiconductor Corporation (США), Quick Logic Corporation (США) , Silicon Blue Technologies (США), Applied Microcircuits Corporation (США), Other.

Получите бесплатный эксклюзивный образец этого исследования в формате PDF @ https://www.advancemarketanalytics.com/sample-report/43148-global-fpga-in-telecom-market

Объем отчета ПЛИС в телекоммуникационной отрасли
Ожидается, что в телекоммуникационном секторе произойдет значительный рост числа программируемых вентильных матриц (FGPA). FGPA — это полупроводниковая интегральная схема, предназначенная для программирования заказчиком после изготовления и имеющая множество приложений в телекоммуникационных и сетевых системах, таких как оптическая транспортная сеть, коммутация и обработка пакетов. Кроме того, предоставление пропускной способности поставщику услуг для создания совместимых сетей от 3G до LTE и от 2G до 3G является ключевым фактором, стимулирующим FGPA на рынке телекоммуникаций.

Тенденции рынка:
Рост Интернета вещей

Возможности:
Растущая потребность в беспроводной связи
Новаторские продукты

Драйверы рынка:
Растущий спрос на мобильные телефоны и доступ в Интернет
Растущая потребность в энергоэффективных интегральных схемах

Проблемы:
Отсутствие стандартизированных систем проверки

Названные сегменты и подразделы рынка освещены ниже:
по типу (ПЛИС с программированием SRAM, ПЛИС с защитой от предохранителя, ПЛИС с программированием с EEPROM), по применению (коммерческое, оборонное / аэрокосмическое, другое), по конфигурации (ПЛИС низкого уровня. , ПЛИС среднего уровня, ПЛИС высокого класса), По размеру узла (менее 28 нм, 28-90 нм, более 90 нм)

Включенные регионы: Северная Америка, Европа, Азиатско-Тихоокеанский регион, Океания, Южная Америка, Ближний Восток и Африка

Разделение на страновой уровень: США, Канада, Мексика, Бразилия, Аргентина, Колумбия, Чили, Южная Африка, Нигерия, Тунис, Марокко, Германия, Великобритания (Великобритания), Нидерланды, Испания, Италия, Бельгия, Австрия, Турция, Россия, Франция, Польша, Израиль, Объединенные Арабские Эмираты, Катар, Саудовская Аравия, Китай, Япония, Тайвань, Южная Корея, Сингапур, Индия, Австралия и Новая Зеландия и т. Д.

У вас есть какие-либо вопросы относительно отчета о глобальном рынке FPGA в телекоммуникационном рынке, задавайте нашим экспертам @ https://www.advancemarketanalytics.com/enquiry-before-buy/43148-global-fpga-in-telecom-market

Стратегические точки, описанные в таблице содержания глобальных ПЛИС на рынке телекоммуникаций:
Глава 1: Введение, продукт движущей силы рынка Цель исследования и объем исследования ПЛИС на рынке телекоммуникаций
Глава 2: Эксклюзивное резюме — основная информация о ПЛИС в Телеком Рынок.
Глава 3: Отображение динамики рынка — драйверы, тенденции, проблемы и возможности FPGA в телекоммуникациях
Глава 4: Представление FPGA в анализе факторов рынка телекоммуникаций, пять сил портеров, цепочка поставок / создания стоимости, анализ PESTEL, рыночная энтропия, патенты / Анализ товарных знаков.
Глава 5: Отображение по типу, конечному пользователю и региону / стране 2015-2020
Глава 6: Оценка ведущих производителей ПЛИС на рынке телекоммуникаций, которая включает в себя их конкурентную среду, анализ группы аналогов, матрицу BCG и профиль компании
Глава 7: Оценка рынка по сегментам, странам и производителям / компаниям с долей выручки и продаж по ключевым странам в этих различных регионах (2021-2026 гг.)
Глава 8 и 9: Отображение приложения, методологии и источника данных

, наконец, FPGA на рынке телекоммуникаций является ценным источником рекомендаций для частных лиц и компаний.

Прочтите подробный указатель полного исследования по адресу @ https://www. advancemarketanalytics.com/reports/43148-global-fpga-in-telecom-market

Свяжитесь с нами:
Крейг Фрэнсис (менеджер по связям с общественностью и маркетингу)
AMA Research & Media LLP
Unit No. 429, Parsonage Road Edison, NJ
New Jersey USA — 08837
Телефон: +1 (206) 317 1218
sales @ advancemarketanalytics .com

Свяжитесь с нами по адресу
https://www.linkedin.com/company/advance-market-analytics
https: // www.facebook.com/AMA-Research-Media-LLP-344722399585916
https://twitter.com/amareport

Для получения дополнительной информации об этом пресс-релизе посетите: http://www.sbwire.com/press-releases/fpga-in-telecom-market-to-get-a-new-boost-aero-flex-s2c-microsemi- 1351033.htm

Рынок полупроводниковых устройств из нитрида галлия 2021 Технологические стратегии, развитие бизнеса и ситуация с ведущими поставщиками до 2030 года

В недавно опубликованном отчете Kenneth Research обновила рыночный отчет по рынку полупроводниковых устройств из нитрида галлия за период с 2021 по 2030 год. Отчет далее обсуждается; различные стратегии, которые будут приняты или будут приняты участниками бизнеса по всему миру на различных уровнях цепочки создания стоимости. С учетом глобального экономического спада, по нашим оценкам, Китай, Индия, Япония и Южная Корея будут восстанавливаться быстрее всех стран азиатского рынка. Больше всего пострадают Германия, Франция, Италия, Испания, и ожидается, что к концу 2021 года этот показатель восстановится на 25% — положительный рост экономического спроса и предложения.

Рынок США быстро восстанавливается; В сообщении от 4 мая 2021 года Бюро экономического анализа и переписи населения США упоминает восстановление международной торговли США в марте 2021 года. Экспорт в стране достиг 200 миллиардов долларов, увеличившись на 12,4 миллиарда долларов в феврале 2021 года. Тенденция импорта составила 274,5 млрд долларов, увеличившись на 16,4 млрд долларов в феврале 2021 года. Однако, поскольку COVID19 по-прежнему преследует экономики по всему миру, в годовом исчислении экспорт в США не превышает аналогичных показателей. С марта 2020 года по март 2021 года S. снизился на 7,0 млрд долларов, тогда как импорт увеличился на 20,7 млрд долларов за то же время. Это определенно показывает, как рынок пытается восстановиться, и это окажет прямое влияние на здравоохранение / ИКТ / химическую промышленность, создав огромный спрос на продукцию рынка полупроводниковых устройств из нитрида галлия.

Загрузить образец этого стратегического отчета: https://www.kennethresearch.com/sample-request-10078431

С другой стороны, по оценкам, каждую секунду около 300 кг токсичных химикатов выбрасываются промышленными предприятиями в воду, землю и воздух.Кроме того, прогнозируется рост рынка за счет роста мировой торговли химическими веществами. Европейский Союз стал крупнейшим экспортером химической продукции в мире в 2019 году. Регион также был вторым по величине импортером химической продукции после США в том же году. Экспорт химических веществ в Европе, согласно статистике Евростата, вырос с 323,49 млрд долларов США в 2010 году до 504,83 млрд долларов США в 2020 году. Более того, импорт химических веществ в регионе вырос с 205 долларов США.64 миллиарда в 2010 году до 285,91 миллиарда долларов в 2020 году.

«В окончательный отчет будет добавлен анализ воздействия COVID-19 на эту отрасль».

Глобальный рынок полупроводниковых устройств из нитрида галлия к 2025 году достигнет 29,19 млрд долларов США. Ожидается, что в 2016 году глобальный рынок полупроводников из нитрида галлия (GaN), оцениваемый примерно в 17 млрд долларов США, будет расти со здоровыми темпами роста более 6,19% по сравнению с прогнозируемым периодом 2017 года. -2025. Растущее использование ноутбуков, телевизоров, мобильных телефонов и других гаджетов, растущая потребность в электронных устройствах с низким энергопотреблением, спрос на радиочастоты в силовой электронике, энергоэффективность в потребительских товарах, рост использования электромобилей — вот основные факторы, движущие мировым сообществом. Рынок полупроводниковых приборов из нитрида галлия (GaN). Нитрит галлия — это в основном полупроводник, который используется в производстве светодиодов, силовых устройств и высокочастотных устройств.

Полупроводник из нитрида галлия имеет несколько преимуществ по сравнению с устройствами на основе кремния, такими как очень высокая рабочая температура, низкое сопротивление, высокое напряжение пробоя и высокая коммутационная способность, что делает его хорошей альтернативой кремниевой технологии. С использованием нитрида галлия стоимость производства интегральных схем снизилась.Полупроводники GaN используются в транзисторах, усилителях, диодах, системах переключения, инверторах и осветительной промышленности. Кроме того, использование полупроводников на основе GaN растет в сфере обороны, авиакосмической промышленности и здравоохранения. Использование полупроводниковых устройств из нитрида галлия растет в различных отраслях промышленности, таких как бытовая электроника, автомобилестроение, промышленность и телекоммуникации, а рост использования электрических и гибридных транспортных средств открывает новые перспективы в общем росте рынка полупроводников на основе GaN.Однако общая стоимость производства полупроводников на основе GaN очень высока по сравнению с полупроводниками на основе кремния, и это является причиной препятствий на глобальном рынке полупроводниковых устройств из нитрида галлия (GaN).

Региональный анализ глобального рынка полупроводниковых приборов из нитрида галлия (GaN) рассматривается для таких ключевых регионов, как Азиатско-Тихоокеанский регион, Северная Америка, Европа, Латинская Америка и остальной мир. Северная Америка является ведущим / значительным регионом мира с точки зрения доли рынка.Принимая во внимание, что благодаря таким странам, как Китай, Япония и Индия, ожидается, что Азиатско-Тихоокеанский регион продемонстрирует более высокие темпы роста / CAGR в прогнозируемый период 2018-2025 гг.

Цель исследования — определить размеры рынка для различных сегментов и стран за последние годы и спрогнозировать их значения на ближайшие восемь лет. Отчет предназначен для включения как качественных, так и количественных аспектов отрасли в каждом из регионов и стран, участвовавших в исследовании.Кроме того, отчет также содержит подробную информацию о важнейших аспектах, таких как движущие факторы и проблемы, которые будут определять будущий рост рынка. Кроме того, отчет должен также включать доступные возможности на микрорынках для инвестирования заинтересованных сторон, а также подробный анализ конкурентной среды и продуктовых предложений ключевых игроков.

Загрузить образец этого стратегического отчета: https://www.kennethresearch.com/sample-request-10078431

Основными участниками рынка полупроводниковых устройств из нитрида галлия (GaN) являются Cree, Samsung, Infineon, Qorvo, MACOM, Microsemi Corporation, Analog Devices, Mitsubishi Electric, Efficient Power Conversion, GaN Systems, Exagan, VisIC Technologies, Integra Technologies, Transphorm, Navitas Semiconductor, Nichia, Panasonic, Texas Instruments, Ampleon, Sumitomo Electric, Northrop Grumman Corporation, Dialog Semiconductor, Epistar, RF Micro Devices Corporation, Osram Opto-semiconductors, Aixtron SE, Gallia Semiconductor, ROHM Company Limited и так далее.

Сегментация рынка полупроводниковых устройств из нитрида галлия (GaN):
По типу устройства:

* Opto
* Power
* RF

По размеру пластины:
* 2 — дюйм
* 4 — дюйм
* 6 — дюйм и выше

По применению:
* Силовые приводы
* Блок питания и инвертор
* RF
* Освещение и лазер
* Информационные технологии и телекоммуникации

По вертикали:
* Телекоммуникации
* Потребитель
* Автомобилестроение

По регионам:
Северная Америка
* США
* Канада
Европа
* Германия
* U.K.
* Франция
* Италия
* Остальная Европа
APAC
* Китай
* Индия
* Япония
* Остальная часть Азиатско-Тихоокеанского региона
ПЗ
* Латинская Америка
* Ближний Восток и Африка

Загрузить образец этого стратегического отчета: https://www.kennethresearch.com/sample-request-10078431

О компании Kenneth Research

Kenneth Research — агентство по перепродаже, предлагающее решения для маркетинговых исследований в различных сферах, таких как автомобилестроение и транспорт, химия и материалы, здравоохранение, продукты питания и напитки, а также упакованные потребительские товары, полупроводники, электроника и ИКТ, упаковка и другие.Наше портфолио включает в себя набор аналитических данных о рыночных исследованиях, таких как определение размера и прогнозирование рынка, анализ доли рынка и ключевые позиции игроков (производители, сделки, дистрибьюторы и т. Д.), Понимание конкурентной среды и их бизнеса на начальном уровне и многое другое. Наши эксперты-исследователи доставляют предложения эффективно и результативно в оговоренные сроки. Исследование рынка, предоставленное Kenneth Research, помогает ветеранам / инвесторам отрасли думать и действовать разумно при формулировании общей стратегии

Свяжитесь с нами

Kenneth Research
Электронная почта: Sales @ kennethresearch.

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *