Транзистор высоковольтный: 2SC5411, Мощный высоковольтный NPN транзистор, управление горизонтальной (строчной) разверткой ТВ, [TO-3P], Toshiba

Содержание

Качество высоковольтный транзистор для электронных проектов Free Sample Now

О продукте и поставщиках:
Alibaba.com предлагает большой выбор. высоковольтный транзистор на выбор в соответствии с вашими потребностями. высоковольтный транзистор являются жизненно важными частями практически любого электронного компонента. Их можно использовать для создания материнских плат, калькуляторов, радиоприемников, телевизоров и многого другого. Выбирая правильно. высоковольтный транзистор, вы можете быть уверены, что создаваемый вами продукт будет высокого качества и очень хорошо работает. Ключевые факторы выбора продуктов включают предполагаемое применение, материал и тип, среди прочего. 

высоковольтный транзистор состоят из полупроводниковых материалов и обычно имеют не менее трех клеммы, которые можно использовать для подключения к внешней цепи. Эти устройства работают как усилители или переключатели в большинстве электрических цепей. высоковольтный транзистор охватывают два типа областей, которые возникают из-за включения примесей в процессе легирования. В качестве усилителей. высоковольтный транзистор скрывают низкий входной ток в большую выходную энергию, и они направляют небольшой ток для управления огромными приложениями, работающими как переключатели.

Изучите прилагаемые таблицы данных вашего. высоковольтный транзистор для определения опорных ног, эмиттера и коллектора для безопасного и надежного соединения. Файл. высоковольтный транзистор на сайте Alibaba.com используют кремний в качестве первичной полупроводниковой подложки благодаря их превосходным свойствам и желаемому напряжению перехода 0,6 В. Основные параметры для. высоковольтный транзистор для любого проекта включает в себя рабочие токи, рассеиваемую мощность и напряжение источника.

Откройте для себя удивительно доступный. высоковольтный транзистор на Alibaba. com для всех ваших потребностей и предпочтений. Доступны различные материалы и стили для безопасной и удобной установки и эксплуатации. Некоторые аккредитованные продавцы также предлагают послепродажное обслуживание и техническую поддержку.

Мощные радиочастотные VDMOS-транзисторы фирмы Microsemi и модули на их основе

     Радиочастотные полевые транзисторы с изолированным затвором класса VDMOS объединяют достоинства полевых транзисторов с вертикальным каналом и приборов DMOS, изготовляемых методом двойной диффузии. Широкую номенклатуру VDMOS выпускает американская компания Microsemi, с вошедшей в нее фирмой Advanced Power Technology (APT). В статье описаны приборы этих компаний с выходной мощностью от нескольких Вт до 2кВт на частоте от 10 до 200МГц и усилители мощности на их основе.

Введение
     После освоения в СССР в конце 1970-х годов серийного производства первых в мире мощных полевых транзисторов с горизонтальным каналом КП901–КП904 [1, 2] во многих странах бурное развитие получили мощные полевые транзисторы с V- и U-образной структурой и вертикальным расположением канала. Первыми советскими приборами этого типа были транзисторы КП905, КП907, КП908, КП909, КП913 и др. [3, 5–7]. Их рабочая частота достигала 1–2 ГГц, и на них были отработаны принципы построения радиочастотных усилителей мощности [6, 7].

     К сожалению, дно и стенки V-образной канавки, получаемой методом анизотропного травления, имели неидеальную структуру полупроводника, что вело к локализации электрического поля под ней и вызывало снижение максимального рабочего напряжения стока.
     В конце 1970-х и особенно в 1980-х годах большое развитие получили приборы с двойной диффузией — DMOS. Они, по сути, являются гибридом полевого транзистора с горизонтальным каналом и транзистора с вертикальной структурой. Приборы класса DMOS имеют три важных преимущества по сравнению с приборами с V- и U-образной канавками: отсутствие дефектных областей, улучшенное качество затвора и повышенная подвижность носителей в канале. В то же время они характерны большой емкостью структуры и меньшей рабочей частотой.
Две серии таких приборов (с выходной мощностью 300 Вт) созданы Воронежским ФГУП и «НИИ электронной техники» [4].

Мощные VDMOS фирмы Microsemi
     Мощные полевые транзисторы за рубежом сейчас производит множество фирм, например ST Microelectronics, Mictosemi, IXYS, International Rectifiers, Philips и др. Компания Microsemi (www.microsemi.com) выпускает мощные радиочастотные полевые транзисторы VDMOS (Vertical Diffusion Metal Oxide Seniconductor), в которых объединены достоинства приборов с вертикальной структурой и DMOS-транзисторов.

     Структура VDMOS-транзистора показана на рис. 1. Как нетрудно заметить, V- или U-образная канавка у прибора отсутствует, что заметно упрощает технологию его изготовления. Линии тока истока сначала от его металлических областей проходят через тонкий канал под поликристаллическим горизонтальным затвором и затем, переходя в вертикальное положение, собираются стоком в его N-области и низкоомной подложке типа N+.
     Параметры ряда серийных VDMOS даны в таблице 1.
В основном это высоковольтные приборы. По сравнению с приборами LDMOS (ST Microelectronics и Philips [5]) значения рабочей частоты приборов ниже (до 200МГц), но зато они имеют выдающиеся энергетические показатели — выходную мощность до 750Вт и максимальное напряжение на стоке 1200В. Некоторые приборы хорошо приспособлены для применения в усилителях мощности с низковольтным питанием от 12 до 50В).


     VDMOS-транзисторы имеют различное корпусное исполнение, обусловленное реализуемыми схемотехническими решениями. Основные типы корпусов, применяемые при производстве мощных VDMOS транзисторов компании Microsemi, представлены на рис. 2. Характерной особенностью всех представленных корпусов является то, что они имеют малую высоту, это позволяет размещать их на достаточно тонкой печатной плате или теплоотводящей пластине.

     Знакомство с силовыми VDMOS-транзисторами компании Microsemi начнем с прибора ARF1519. В качестве основных параметров приборов производитель указывает напряжение питания усилителя мощности, выходную мощность и частоту выходного сигнала. У этого прибора они равны 250В, 750Вт и 25МГц соответственно. При работе резонансного усилителя в классе C напряжение на стоке достигает значений в 3–4 раза выше напряжения питания. Поэтому максимальное рабочее напряжение у этого транзистора нормируется на уровне 1000В. Из приведённых технических характеристик видно, что компонент ARF1519 Microsemi является высоковольтным мощным транзистором с умеренной (для такого класса приборов) максимальной рабочей частотой. В то же время отметим, что она на порядок выше, чем рабочая частота сопоставимого по мощности и напряжению на стоке силового (ключевого) транзистора.
     Выходные и передаточные характеристики транзистора ARF1519 показаны на рис. 3. Уровень остаточного напряжения на стоке включенного транзистора достаточно высок: до 15–20В при максимальном рабочем токе. Семейство передаточных характеристик имеет характерную термостабильную точку: в ней кривые пересекаются. Пороговое напряжение транзистора лежит в диапазоне от 2 до 3В.


     Постоянный ток стока у VDMOS-транзистора ARF1519 нормируется на уровне 20А, а импульсный ток может превышать 40А. Естественно, такой сильноточный прибор имеет большую ёмкость. Зависимость ёмкости от напряжения «сток-исток» UDS характеризуется резкой нелинейностью (рис. 4). Средние значения ёмкостей: входная — 4600пФ, выходная — 310пФ, проходная — 90пФ. Столь большие значения ёмкости указывают на то, что импедансы входа и выхода у транзистора очень малы, и поэтому особое значение приобретает согласование импедансов транзистора с импедансами источника входного сигнала и нагрузки (обычно 50Ом).

     Степень нагрева транзистора определяется значением его термического импеданса Rth (°C/Вт). Зависимость термического импеданса транзистора ARF1519 от длительности импульса тока стока представлена на рис. 5 и позволяет оценить степень допустимого увеличения тока стока от длительности импульса тока при заданном периоде повторения сигнала.
     Основные квалификационные параметры транзистора оцениваются при его работе в составе тестовых схем усилителей мощности. Такие схемы SPICE-модели транзисторов для их расчета и моделирования компания Microsemi приводит практически для всех своих транзисторов.
На рис. 6 представлена тестовая схема для транзистора ARF1519. Там же приведена спецификация компонентов этой схемы и чертеж варианта монтажа схемы на печатной плате.


     Выбор ARF1519 в качестве первого транзистора для ознакомления с продукцией Microsemi не случаен: тестовая схема для него, показанная на рис. 6, — самая простая и наглядная. Это обычный однотактный каскад усилителя мощности на транзисторе, включенном с общим истоком. Для согласования выходного сопротивления генератора входного сигнала (50Ом) с низким входным импедансом полевого транзистора служит обычный ВЧ-трансформатор с большим коэффициентом трансформации (10:1). В стоке транзистора установлен последовательный резонансный контур с емкостной цепью согласования с нагрузкой (тоже 50Ом). Усилитель работает в классе C и развивает на частоте 13,56МГц мощность 750Вт (!). В схеме усилителя нет никакой «экзотики».

 Низковольтные сильноточные VDMOS
     Теперь рассмотрим транзистор VRG154, предназначенный для применения в устройствах с малым напряжением питания (от 12 до 50В). Максимальное напряжение на стоке этого прибора 170В, непрерывный ток коллектора 60A, а импульсный может достигать удвоенных значений. При этом прибор способен развивать мощность 600Вт на частоте 80 МГц при напряжении питания усилителя мощности 50 В и КПД 75%. Максимальная рассеиваемая на стоке мощность у этого прибора 1350 Вт!

     Выходные и передаточные характеристики транзистора VRG154 представлены на рис. 7. Выходные характеристики (рис. 7а) демонстрируют малые значения напряжения «сток-исток» при больших (до 60A) токах стока. Именно это обстоятельство позволяет применять эти транзисторы в схемах с низковольтным напряжением питания и рекордно большой выходной мощностью.


     На рис. 8 показаны графики зависимости емкостей транзистора от напряжения «сток-исток». Этот мощный прибор имеет большую и резко нелинейную зависимость ёмкости.

     Зависимость выходной мощности от входной на частоте 30 и 55МГц для транзистора VRG154 показана на рис. 9. Видно, что выходная мощность транзистора при этих значениях частоты может превышать 1000Вт.


     Зависимость теплового импеданса от длительности импульса в импульсном режиме работы дана на рис. 10. Подобные графики зависимости приводятся практически для всех мощных полевых транзисторов фирмы Microsemi.


     Тестовая схема однотактного генератора, в которой испытывается транзистор VRG154, показана на рис. 11. Для согласования импедансов используются сложные LC-цепи (двухъячейчатые фильтры) на входе и на выходе с настройкой их с помощью триммеров. Напряжение питания усилителя мощности составляет 50В.


     В схеме двухтактного усилителя мощности (рис. 12) пара транзисторов VRG154 способна при напряжении питания 40В отдавать на выходе мощность 1кВт. Для стабилизации напряжения смещения мощных полевых транзисторов и температурной компенсации используется специальный термочувствительный стабилизатор напряжения смещения на интегральной микросхеме IC1. Согласование импедансов источника входного сигнала и входа усилителя обеспечивается с помощью ВЧ-трансформаторов T1. Для согласования выходного импеданса с импедансом нагрузки применены цепи на отрезках линий передачи их коаксиального кабеля [13].

 Сверхвысоковольтные VDMOS с напряжением на стоке более 1000 В
     Транзистор ARF1505 (рис. 13) — это сверхвысоковольтный мощный полевой транзистор с максимальным напряжением на стоке 1200В, током стока 25А и рассеиваемой мощностью 1500Вт.
     Для обеспечения стабильной работоспособности такого мощного транзистора необходимо жестко закрепить его на поверхности радиатора или теплоотводящей пластины. Способ крепления и размеры корпуса этого транзистора представлены на рис. 14.


     Графики зависимости емкости от напряжения «сток-исток» у этого прибора нелинейные (рис. 15). При напряжении «сток-исток» 1В они превышают 10 000 пФ, но с ростом этого напряжения быстро падают. В технических данных на этот транзистор указаны следующие средние значения емкостей:
     • входная — 5400пФ;
     • выходная — 400пФ;
     • проходная — 160пФ.
     Выходные ВАХ транзистора ARF1505 показаны на рис. 16. Пороговое напряжение отсечки у этих приборов от 3 до 6В. Для сверхвысоковольтного прибора видимые на рис. 16 уровни остаточного напряжения малы. Температурный диапазон работы транзистора лежит в пределах от -55 до +175°C.
     Тестовая схема усилителя мощности на частоту 27МГц с напряжением питания 300В показана на рис. 17. Схема проста и от простейших схем отличается отрезком линии передачи во входной цепи. На рис. 17 справа показана конструкция этого усилителя на печатной плате. Выходная мощность усилителя — 750Вт при коэффициенте полезного действия 75% и коэффициенте усиления 17 дБ. Усилитель работает в классе C.

 Мощные VDMOS с частотой выходного сигнала более 100 МГц
     Представительную, хотя и не очень многочисленную группу VDMOS составляют транзисторы с повышенной (100МГц и выше) частотой выходного сигнала. Их данные приведены в таблице 2.


     Одним из таких приборов является высокочастотный транзистор VRF151, изображённый на рис. 18. Свои рабочие параметры он реализует при напряжении питания 50В.
     Почти аналогичный транзистор VRF150 имеет мощность выходного сигнала 150Вт на немного более низкой частоте — 150 МГц. А транзистор VRF141 позволяет получать мощность 150Вт на частоте 175МГц при более низком напряжении питания — 28 В. VRF151 имеет рабочее напряжение на стоке до 170В, ток стока 16A, рассеиваемую на стоке мощность до 300Вт и температурный диапазон работы от -65 до +150°C. Выходные и передаточные характеристики прибора показаны на рис. 19.
     Высокочастотные мощные полевые транзисторы имеют на порядок меньшие показатели емкости, чем их менее высокочастотные собратья. Это видно на представленном рис. 20. Средние значения емкостей составляют: входная — 375пФ, выходная — 200пФ и проходная емкость — 12пФ. Эти, вполне умеренные значения емкостей расширяют частотный диапазон работы транзисторов до частот примерно 200МГц.

     Графики зависимости выходной мощности от мощности входного сигнала показаны на рис. 21 при двух значениях напряжения питания тестовой схемы — 50 и 40В. Вид этих графиков типовой, и каких-либо особенностей они не имеют.
     Для ВЧ- и СВЧ-транзисторов часто указывают параметры вносимых ими искажений. На рис. 22 представлены кривые интермодуляционных искажений для транзистора VRF151.


     Тестовая схема однотактного усилителя мощности на частоту 175МГц показана на рис. 23.
     Ряд транзисторов этой группы выпускается в более дешевых пластмассовых корпусах, рассчитанных на меньшую мощность. Например, это транзистор ARF449 (рис. 24).


     Он тестируется в схеме на частоте 81,36МГц. Зависимость мощности выходного сигнала от мощности входного сигнала для усилителя мощности на транзисторе ARF449 показана на рис. 25.
     На рис. 26 представлена тестовая схема усилителя мощности на транзисторе ARF449, работающего в классе C. Усилитель обеспечивает мощность выходного сигнала 90Вт, КПД 75% и коэффициент усиления 13дБ.

Сдвоенный мощный низковольтный VDMOS транзистор VRF141G
     Для создания двухтактных СВЧ-усилителей мощности с низковольтным 28В питанием (напряжение 28В) служит сдвоенный мощный низковольтный VDMOS VRF141G (рис. 27). Под маркой MRF141G этот прибор выпускает и другой производитель высокочастотных компонентов — компания Motorola. Усилители мощности на этих транзисторах обеспечивают мощность 300Вт на частоте 175 МГц при напряжении питания 28В.
     Выходные ВАХ и передаточные характеристики одного транзистора VRF141G показаны на рис. 28, а зависимость емкостей этих приборов от напряжения «сток-исток» приведена на рис. 29. Это типичные характеристики для мощных низковольтных VDMOS полевых транзисторов.
     Типовой является и характеристика зависимости параметров емкостей (для одного транзистора) от напряжения «сток-исток».


     На рис. 30 представлена тестовая схема двухтактного усилителя мощности на сдвоенном мощном VDMOS VRF141G. Входной фазоинвертор и устройство согласования входного импеданса с импедансом источника входного сигнала выполнены по схеме широкополосного трансформатора на трех отрезках коаксиального кабеля. Выходной трансформатор также построен на трех отрезках коаксиального кабеля. Приняты меры по ослаблению проникновения гармоник выходного сигнала в цепь источника питания с напряжением 28В. Усилитель обеспечивает КПД в 50% и типовой коэффициент усиления 14дБ на частоте 175МГц.

Мощные высоковольтные сверхскоростные VDMOS транзисторы со встроенными драйверами
     Особенно высокими энергетическими показателями обладают мощные высоковольтные VDMOS со встроенным драйвером управления затвором (табл. 3). По существу, это гибридные микросхемы, содержащие мощные транзисторы с драйверами и ряд бескорпусных компонентов внутри единого корпуса. Применение встроенного драйвера (или двух драйверов в приборах с двумя мощными транзисторами) обеспечивает время переключения мощных приборов в единицы нс, что позволяет использовать их в усилителях класса D (работающих в ключевом режиме) с частотой выше 10МГц с высоким КПД до 90%.


     На рис. 31 показан одиночный (N = 1) мощный высоковольтный транзистор DRF1200 со встроенным драйвером управления затвором. Драйвер требует дополнительного напряжения питания 15–18В. Входное напряжение драйвера 3В. Прибор DRF1201 содержит два параллельно включенных VDMOS транзистора, что увеличивает ток стока до 26A.
     Функциональная схема драйвера показана на рис. 32. Драйвер построен на основе скоростного триггера Шмитта и двухтактной схемы быстрого заряда-разряда входной емкости мощного полевого транзистора, куда входят комплементарные полевые транзисторы средней мощности.
     На рис. 33 представлена схема, в которой тестируется прибор. По существу, это схема ключа на мощном полевом транзисторе с резистивной нагрузкой RL.
     На рис. 34 приведены осциллограммы процессов переключения ключа на транзисторе DRF1200 с драйвером. Напряжение питания ключа 800В, сопротивление нагрузки 51Ом. Время выключения ключа в 3,4нс — это очень малое значение для такого мощного ключа. Сопротивление «сток-исток» включенного транзистора 0,9Ом. Максимальное напряжение на стоке полевого транзистора — 1000В, максимальная рассеиваемая транзистором мощность — 360Вт. Типовые значения емкостей: входная — 2000пФ, выходная — 165пФ, проходная — 75пФ.


     Печатная плата тестовой схемы ключа на транзисторе DRF1200 показана на рис. 35. Благодаря тестированию во временной, а не в частотной области, конструкция платы заметно упрощена. Разумеется, прибор можно использовать и в частотной области для построения усилителей мощности с частотой до 30МГц. Транзистор DRF1200 предназначен для построения усилителей мощности класса E и преобразователей с импульсным регулированием.


     Выпускаются также мощные двойные (N = 2) высоковольтные VDMOS DRF1301 (рис. 36) для двухтактных устройств. Их применение может упростить построение некоторых устройств мощной усилительной и преобразовательной техники.
     Для демонстрации возможностей мощных VDMOS со встроенными драйверами фирма Microsemi выпускает ряд генераторов мощных синусоидальных сигналов с выходной мощностью от 600 до 2500Вт. Два из них показаны на рис. 37.


     Прибор VDMOS DRF1400 содержит полумост из двух высоковольтных транзисторов с драйверами затвора [13]. Он предназначен для построения усилителей, работающих в классе D (в ключевом режиме) (рис. 38). Их транзисторы управляются прямоугольными импульсами с широтно-импульсной модуляцией. Когда верхний транзистор открыт, нижний — закрыт. И наоборот.
     На рис. 39 показаны платы, образующие тестовый генератор c усилителем класса D на приборе DRF1400. Усилитель обеспечивает на рабочей частоте 13,56 МГц выходную мощность 1,7кВт при КПД 87%.

Моделирование устройств на VDMOS в системе MATLAB+Simulink
     Сложность расчета и построения мощных высокоскоростных устройств и трудности их экспериментальной отладки делают важным математическое моделирование таких устройств. В последние годы одной из основных систем для такого моделирования является матричная система MATLAB с пакетом блочного имитационного моделирования Simulink [9–11].
     В последней реализации этой системы MATLAB+Simulink R2012 a имеются пакеты расширения SimPowerSystem и SimElectronics, библиотеки моделей которых содержат мощные MOSFET и средства их контроля, в том числе расчета температуры внутренней области и рассеиваемой мощности. При этом есть как упрощенные модели, так и SPICE-совместимые. Встроенный пример моделирования характериографа позволяет легко подобрать параметры MOSFET c ВАХ нужного вида.
     Для примера рассмотрим моделирование мощного усилителя звуковой частоты с широтно-импульсным регулятором. Диаграмма модели усилителя представлена на рис. 40. В правой ее части показано окно установки входного сигнала — две синусоиды с частотами 2000 и 2500Гц и амплитудой 15В. В диаграмме использован блок Feedback Controller широтно-импульсного регулятора из пакета расширения SimElectronics. Преобразование идет на частоте 1МГц.
     Субмодель мостового регулятора на двух полумостах с мощными MOSFET представлена блоком MOSFETS&Filters. Сделав на этом блоке двойной щелчок правой клавишей мыши, можно вывести диаграмму моделей ключей: она показана на рис. 41 сверху. Там же показаны диаграммы субмоделей LC-фильтров, которые гасят пульсации сигнала, связанные с широтно-импульсным характером регулирования.
     Эта модель с помощью виртуального осциллографа строит временные диаграммы работы усилителя (рис. 42 сверху) и спектр мощности частот входного и выходного сигналов. Он показан на рис. 42 снизу. Для получения этих данных модель запускают на исполнение кнопкой с изображением черного треугольника в панели инструментов диаграммы модели (рис. 40).


     Входной сигнал в виде двух синусоид дает характерные биения, в результате чего он напоминает сигнал модуляции. Он позволяет оценить динамику и динамический диапазон усилителя. На осциллограммах (рис. 42) представлены выходной сигнал, сигнал ошибки и входной сигнал широтно-импульсного регулятора. Нетрудно заметить, что на глаз входной и выходной сигнал имеют одинаковую форму и отличаются только масштабом.

Заключение
     Мощные полевые радиочастотные транзисторы класса VDMOS удачно сочетают достоинства VMOS-транзисторов с приборами класса DMOS. Несколько уступая приборам VMOS по значениям максимальной рабочей частоты, они заметно превосходят их по основным энергетическим параметрам — выходной мощности, рабочим напряжениям и токам стока. Обширная номенклатура выпускаемых фирмой Microsemi полевых транзисторов класса VDMOS позволяет строить на них усилители с мощностью выходного сигнала от единиц Вт до 1–2,5 кВт на частоте от 10 до 150 МГц. Такие усилители применяются в телевизионной, спутниковой, радиолокационной, медицинской аппаратуре и аппаратуре для связи, успешно заменяя применяемые ранее устройства на электронных лампах и биполярных транзисторах.

Литература
1. Бачурин В. В., Дьяконов В. П., Сопов О. В. Мощные высокочастотные и сверхвысокочастотные МДП-транзисторы // Электронная промышленность. 1979. № 8.
2. Бачурин В. В., Дьяконов В. П., Сопов О. В. Мощный высокочастотный МДП-транзистор КП904 // Электронная промышленность. 1979. № 5.
3. Бачурин В. В., Бычков С. С., Дьяконов В. П., Прушинский А. К. Мощный кремниевый сверхвысокочастотный МДП-транзистор КП908 // Электронная промышленность. 1980. № 1.
4. Асессоров В., Кожевников В., Дикарев В., Цоцорин А. Мощные ВЧ и СВЧ полевые транзисторы для аппаратуры средств радиосвязи // Компоненты и технологии. 2006. № 5.
5. Захаров В. Мощные СВЧ-транзисторы фирмы Philips Semicomductor // Компоненты и технологии. 2003. № 6.
6. Дьяконов В. П. Мощные полевые транзисторы: история, развитие и перспективы. Аналитический обзор // Силовая электроника. 2011. № 3.
7. Бачурин В. В., Ваксембург В. Я., Дьяконов В. П. и др. Схемотехника устройств на мощных полевых транзисторах: Справочник. М.: Радио и связь, 1994.
8. Дьяконов В. П., Максимчук А. А., Ремнев А. М., Смердов В. Ю. Энциклопедия устройств на полевых транзисторах. М.: СОЛОН-Р, 2002.
9. Дьяконов В. П. Физическое моделирование схем на полевых транзисторах в Simulink и SimElectronics // Компоненты и технологии. 2011. № 11.
10. Дьяконов В. П. Моделирование в MATLAB+Simulink электронных компонентов, систем и устройств // Компоненты и технологии. 2011. № 4.
11. Дьяконов В. П. MATLAB и Simulink для радиоинженеров. М.: ДМК-Пресс, 2011.
12. Ред Э. Справочное пособие по высокочастотной схемотехнике. М.: Мир, 1990.
13. Gui Shoi. 13.56 MHz. Class-D Half Bridge, RF Generator with EDF1400. Application Note 1817. Microsemi. March 2012.

Скачать в PDF

Как сделать простой высоковольтный преобразователь из 3-х деталей » трансформатор, транзистор, резистор.

Тема о различных устройствах, повышающих напряжение до величин свыше 1000 вольт весьма популярна. Эти высоковольтные преобразователи можно использовать для таких целей как электрические зажигалки, ионизаторы воздуха, источники питания для газоразрядных ламп, электрошокеры, различные светящиеся шары (внутри которых играют молнии) и т.д. И вовсе нет особой необходимости в том, чтобы собирать преобразователь высокого напряжения по какой-то сложной схеме. Допустим я сделал очень простой вариант такого устройства, которое содержало в себе всего три детали: трансформатор с ферритовым Ш-образным сердечником, полевой транзистор и резистор.

В этой схеме простого высоковольтного преобразователя, что был собран своими руками, основные силы уходят на намотку повышающего трансформатора. Сам трансформатор был снят с платы обычного компьютерного блока питания. Также такие трансформаторы можно найти в различной современной технике, где имеются блоки питания с высокочастотными преобразователям. Либо его можно просто купить на радиорынке, цена относительно низкая.

Магнитопровод такого высокочастотного трансформатора должен быть из феррита (подойдет любая марка). У меня нормально работал этот преобразователь на трансформаторе Ш-образной формы (должна подойти и П-образная форма), в то время как на круглом сердечнике схема не запускалась. Размеры трансформатора в большей степени зависят от того провода, что будет намотан на магнитопровод (диаметра, количества витков, изоляционных слоев между обмотками). Допустим свой первый трансформатор я намотал до полного его заполнения, а в итоге оказалось, что было недостаточным количество витков во вторичной обмотке. Пришлось брать трансформатор чуть больших размеров. Что касается мощности таких высокочастотных трансформаторов, то ее скорее можно назвать резиновой. То есть, электрическая мощность, которую можно получить из подобного транса, напрямую зависит от рабочей частоты тока, что подается на входные обмотки. Повышая только лишь частоту тока, оставляя размеры трансформатора прежними, можно увеличивать его общую мощность.

Если вы сняли с устройства, достали где-нибудь подходящий трансформатор с ферритовым сердечником то его нужно будет перемотать. Обычно магнитопровод этих трансов между собой склеен. Банальные попытки просто соединить сердечник путем механического воздействия (отковыривать ножом, отверткой и т.д.) в большинстве случаев приводят к раскалыванию феррита. Правильнее будет сначала имеющийся трансформатор опустить на полминуты в кипящую воду. После этого сцепление клея ослабевает и части ферритового сердечника легко отсоединяются друг от друга без повреждений.

Теперь что касается самой перемотки трансформатора под наш самодельный высоковольтный преобразователь. Итак, первичная обмотка содержит 8 витков с отводом от середины (диаметр провода около 0. 8-1,5 мм). Ее проще наматывать шиной из нескольких проводов, допустим берем 6 проводов диаметром по 0.4 миллиметров каждый. Все эти провода аккуратно и равномерно наматываем на каркас трансформатора. Мотаем 4 витка. Далее выходящие концы этих проводов разделяем по 3 штуки, спаивая их между собой. В общем получается что мы имеем первичку, состоящую из двух проводов, каждый из которых имеет 4 витка, а каждый провод состоит из трех жил, соединенных параллельно между собой. Начало одной (любой) первичной обмотки соединяем с концом другой первичной обмотки. Это соединение и будет отводом от середины, образуя среднюю точку.

Для изоляционного отделения обмоток можно использовать ленту обычного скотча. Намотали первичную обмотку, нанесли изоляционный слой в несколько витков. Поверх первичной начинаем мотать вторичную, повышающую обмотку высоковольтного трансформатора. Также отделяем слоем скотча. К примеру, один слой вторичной обмотки содержит у меня по 200 витков, после чего изолирую одним витком скотча. Далее мотаю следующий слой в 200 витков. Всего вторичная обмотка должна содержать около 1600 витков провода 0,1 мм. Это получается 8 слоев по 200 витков каждый. Следим, чтобы витки различных слоев были отдалены друг от друга на некоторое расстояние (примерно 0.4 мм), что уменьшает вероятность электрического пробоя.

После завершения намотки вставляем в каркас части ферритового сердечника. Для их фиксации достаточно обмотать несколькими витками ленты скотча. Вот и все, наш высоковольтный трансформатор готов. Теперь осталось к нему припаять полевой транзистор и резистор. Подсоединяем питание. В моем случае высоковольтный преобразователь хорошо начинал работать от напряжения 5 вольт. Просто сам полевой транзистор, который я поставил, имеет пороговое напряжение 2-4 вольта. Путем подбора полевых транзисторов (имеющих другие пороговые напряжения) можно уменьшить величину питающего напряжения, к примеру, запитать схему от обычного литиевого аккумулятора, получив в итоге компактную электрическую зажигалку для газа.

Видео по этой теме:

P.S. В моем случае при напряжении питания в 5 вольт схема высоковольтного преобразователя, что сделан был своими руками, потребляла ток 0,5 и более ампер. Полевой транзистор начинал греться. Следовательно, чтобы избежать его чрезмерного перегрева к нему нужно прикрепить небольшой охлаждающий радиатор. Так что после сборки данной схемы обратите внимания на нагрев транзистора, при необходимости установите радиатор подходящих размеров.

Транзисторы для строчной развертки телевизоров и мониторов

Существующие стандарты телевизионных разверток используют значение частоты, примерно равное 16 кГц. Системы телевидения высокой четкости (HDTV, ТВВЧ) используют вдвое большее значение (32 кГц). Причем в первом случае минимальный собственный период транзистора должен быть не менее 26 мкс, а во втором — не менее 13 мкс. Минимальные значения задержки включения для этих двух систем также определены и составляют соответственно 6,5 и 4 мкс. Задержку включения в конкретной схеме можно минимизировать, например, путем использования транзистора с максимальным отрицательным током базы (равным примерно половине тока коллектора). Отрицательное напряжение на базе при этом должно быть в пределах —2…—5 В.

Эти транзисторы в большинстве своем служат в устройствах формирования рабочих напряжений, в том числе для питания оконечных каскадов усилителей мощности звукового сигнала.

Схему отклонения лучей можно считать разработаной удачно, если обеспечены высокий КПД и низкий уровень электромагнитного излучения, а также низка себестоимость.

Транзистор выходного каскада строчной развертки с высоким напряжением на коллекторе позволил бы при малом токе отклоняющих катушек уменьшить уровень собственных электромагнитных излучений, однако при этом вследствие повышенного напряжения питания в нем увеличились бы собственные потери.

Наличие большого тока в катушках строчного отклонения лучей позволяет использовать выходной транзистор с низким напряжением на коллекторе и, соответственно, пониженное напряжение питания всей схемы строчной развертки. Это дает выигрыш в минимизации потерь переключения, однако большой ток в катушках влечет за собой большие колебания электромагнитного поля и необходимость намотки катушек толстым проводом.

На практике в цепях строчной развертки применяют биполярные транзисторы с допустимым напряжением 1500В. Максимальное значение тока коллектора должно при этом находиться в пределах 2…8А, в зависимости от угла отклонения лучей кинескопа (90 или 110°), мощности высоковольтного источника питания и частоты отклонения.

В таблице приведены основные данные для транзисторов, используемых в устройствах строчной развертки телевизоров и мониторов:

ТранзисторМаксимальное напряжение
коллектор-эмиттер, В
Ток коллектора, АМощность, Вт КорпусВозможность использования
ТелевизорМонитор
BU505D
BU505DF
1500
1500
2
2
75
20
TO220АВ
SOT186
Черно-белый 14″
BU506D
BU506DF
1500
1500
3
3
100
20
Т0220АВ
SOT186
Цветной 90°, 14. ..17″
BU508AD
BU508ADF
1500
1500
4,5
4,5
125
125
SOT93
SOT199
Цветной 110°, 21. ..25″
BU705D
BU705DF
1500
1500
2
2
75
29
SOT93A
SOT199
Черно-белый 14″
BU1508DX15004,535SOT186AЦветной 110°, 21…25″VGA 14″
BU2506DF15003,545SOT199Цветной 90°, 21″
BU2508AD
BU2508ADF
1500
1500
4,5
4,5
125
45
SOT93
SOT199
Цветной 110°, 21. ..25″VGA 14″
BU2520AD
BU2520ADF
1500
1500
6
6
125
45
SOT93
SOT199
Цветной 110°, 25…29″ SVGA 15… 17″
BU2525ADF1500860SOT199Цветной 110°, 25. ..29″SVGA 15…21″

Если в обозначении транзистора имеется буква D, то внутри транзистора имеется встроенный (демпфирующий) диод Шоттки.

Изолированные корпуса, позволяют устанавливать транзистор на радиатор без изолирующих прокладок, имеют в обозначении букву F.

Транзистор BU2508A спроектирован специально для выходных каскадов строчной развертки телевизоров: в нем минимизированы потери при переключении в сочетании с высоким коэффициентом усиления по мощности. Он допускает значительные изменения управляющего сигнала на базе и разброс сопротивлений нагрузки. Указанный транзистор можно с успехом использовать взамен транзисторов S2000А, 2SD1577, BU508A. Транзистор BU2508A имеет коэффициент усиления, равный 5, при токе коллектора 4А, тогда как BU2520A имеет такое же усиление, но при токе коллектора 6А. Это позволяет достигать больших мощностей от высоковольтных цепей, что в свою очередь позволяет получить высококонтрастные изображения.

Основные данные для транзисторов, используемых в выходных каскадах строчной развертки мониторов, также приведены в таблице.

В монохромных компьютерных мониторах с частотами строчной развертки 31,5… 48 кГц наиболее часто используется транзистор BU2508A.

В цветных мониторах SVGA с углом отклонения 90° чаще всего используется транзистор BU2520A, а в цветных телевизорах с крупногабаритными кинескопами (угол отклонения 110°) и мониторов с кинескопами от 15″ — транзистор BU2525A. Этот транзистор специально спроектирован для телевизоров высокого класса с экранами формата 16:9 и высоковольтным напряжением до 30кВ. Ток коллектора этого транзистора достигает 8А, а ток базы 1,6А.

На рисунке показаны стандартные корпуса, в которых выпускаются транзисторы для выходных каскадов строчной развертки телевизоров и мониторов, и их цоколевки:

Тиристоры, симисторы, динисторы Philips основные характеристики и типы корпусов

Справочник по высоковольтным транзисторам PHILIPS для импульсных блоков питания на Времонт.su

Транзисторы сверхвысокого напряжения нацелены на увеличение дальности и эффективности электромобилей

Команда Университета в Буффало предложила новую форму мощного MOSFET-транзистора, который может работать с невероятно высокими напряжениями при минимальной толщине, предвещая повышение эффективности силовой электроники электромобилей. .

Металл-оксид-полупроводниковые полевые транзисторы или полевые МОП-транзисторы являются чрезвычайно распространенными компонентами во всех видах бытовой электроники, особенно в автомобильной электронике.Мощные полевые МОП-транзисторы — это тип переключателей, специально разработанный для работы с нагрузками большой мощности. Ежегодно отгружается около 50 миллиардов таких вещей, если это дает вам ощущение масштаба для работы.

По сути, это трехконтактные плоские электронные компоненты, которые действуют как переключатели, управляемые напряжением; когда на контакт затвора подается достаточное (обычно довольно небольшое) напряжение, оно создает соединение между двумя другими контактами, замыкая цепь. Они могут очень быстро включать и выключать мощную электронику и являются неотъемлемой частью электромобилей.

Создавая полевые МОП-транзисторы на основе оксида галлия, команда Buffalo утверждает, что они разработали способ работы с чрезвычайно высокими напряжениями с помощью транзисторов толщиной с бумагу. При «пассивировании» слоем SU-8, обычного полимера на основе эпоксидной смолы, транзистор на основе оксида галлия смог выдержать более 8000 вольт в лабораторных испытаниях, прежде чем он сломался, что, по словам исследователей, значительно выше, чем аналогичный показатель. транзисторы из карбида кремния или нитрида галлия.

Ключевым свойством, о котором идет речь, является впечатляющая ширина запрещенной зоны оксида галлия, равная 4.8 электронвольт. Ширина запрещенной зоны измеряет, сколько энергии требуется, чтобы перевести электрон в проводящее состояние; чем шире запрещенная зона, тем лучше. Кремний, наиболее распространенный материал в силовой электронике, имеет ширину запрещенной зоны 1,1 электрон-вольт. Карбид кремния и нитрид галлия имеют ширину запрещенной зоны 3,4 и 3,3 электрон-вольт соответственно. Таким образом, ширина запрещенной зоны оксида галлия в 4,8 электрон-вольт ставит его на элитную территорию.

Разрабатывая полевой МОП-транзистор, способный выдерживать чрезвычайно высокие напряжения при крошечной толщине, команда Buffalo надеется, что их работа может способствовать созданию более компактной и эффективной силовой электроники в мире электромобилей, а также в локомотивах, самолетах, технологиях микросетей и потенциально твердотельные трансформаторы.

«Чтобы действительно продвинуть эти технологии в будущее, нам нужны электронные компоненты нового поколения, способные выдерживать более высокие нагрузки без увеличения размера систем силовой электроники», — говорит ведущий автор исследования Уттам Сингизетти. Эти высокоэффективные системы могут в конечном итоге помочь вам увеличить запас хода электромобиля.

Требуются дальнейшие эксперименты, особенно для проверки напряженности поля этих новых транзисторов.

Исследование доступно по адресу IEEE Electron Device Letters .

Источник: University at Buffalo

Высоковольтный силовой транзистор TIP48 Motorola

Стоимость доставки почтой первого класса:

Сумма заказа Минимум
Сумма заказа Максимум
Тарифы на доставку первого класса в США
$00,01
25,00 $
5,85 $
25,01 $
$35,00
6 долларов. 85
35,01 $
45,00 $
8,85 $
45,01 $
$55,00
9,85 $
55,01 $
75,01 $
11,85 $
75,01 $
100,00 $
12,85 $
100,01 $
200 долларов.00
14,85 $
200,01 $
300,00 $
15,85 $
300,01 $
$500,00
17,85 $
500,01 $
+
18,85 $

Стоимость доставки приоритетной почтой:

Сумма заказа Минимум
Сумма заказа Максимум
Стоимость доставки Priority Mail в США
$00. 01
25,00 $
10,50 $
25,01 $
$35,00
11,50 $
35,01 $
45,00 $
12,50 $
45,01 $
$55,00
13,50 $
55,01 $
75,01 $
14 долларов.50
75,01 $
100,00 $
16,50 $
100,01 $
200,00 $
18,50 $
200,01 $
300,00 $
21,50 $
300,01 $
$500,00
24,50 $
500,01 $
+
25 долларов. 50

Канада, первый класс, международный (исключения см. на странице доставки)

Сумма заказа Минимум
Сумма заказа Максимум
Канада Первый класс Международный
$00,01
45,00 $
15,95 $
45,01 $
90,00 $
29,95 $
90 долларов.01
150,00 $
49,95 $
150,01 $
300,00 $
59,95 $
300,01 $
700,00 $
79,95 $
700,01 $
2000,00 $
99,95 $

Приоритетная почта Канады (исключения см. на странице доставки)

Сумма заказа Минимум
Сумма заказа Максимум
Приоритетная почта Канады
$00.01
45,00 $
29,95 $
45,01 $
90,00 $
39,95 $
90,01 $
150,00 $
59,95 $
150,01 $
300,00 $
79,95 $
300,01 $
700,00 $
99 долларов. 95
700,01 $
2000,00 $
109,95 $

Международный — за пределами США/Канады (исключения см. на странице доставки)

Сумма заказа Минимум
Сумма заказа Максимум
Международный — за пределами США/Канады
100,00 $
150,00 $
79 долларов.95
150,01 $
300,00 $
99,95 $
300,01 $
$500,00
139,95 $
500,01 $
1000,00 $
169,95 $

2SC3320 NPN Высоковольтный переключающий транзистор TO-3PN Пакет купить онлайн по низкой цене в Индии

2SC3320 — это полупроводниковое устройство, используемое для усиления или переключения электронных сигналов и электроэнергии. Он состоит из полупроводникового материала, обычно с не менее чем тремя клеммами для подключения к внешней цепи. Напряжение или ток, подаваемые на одну пару выводов транзистора, управляют током через другую пару выводов. Поскольку управляемая (выходная) мощность может быть выше, чем управляющая (входная) мощность, транзистор может усиливать сигнал. Сегодня некоторые транзисторы упакованы по отдельности, но многие другие встроены в интегральные схемы.

Особенности:-

• Усовершенствованный технологический процесс

• Низкое напряжение ошибки

• Высокая скорость переключения

• Работа при полном напряжении

• Высокая мощность и возможность обработки по току

Подробные характеристики:-

Полярность транзистора НПН
Напряжение коллектор-база (VCBO) 500В
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO) 400В
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
Непрерывный ток коллектора (IC) 15А
Базовый ток (IB)
Ток отключения эмиттера (IEBO) 1 мА
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) 10
Диапазон рабочих температур -65 — 150°С
Рассеиваемая мощность коллектора (ПК) 80 Вт

Связанные документы:-

 2SC3320 Транзистор Техническое описание

Торговая марка/Производитель Универсальный
Страна происхождения Китай
Адрес упаковщика/импортера Constflick Technologies Limited, здания № 13 и 14, 3-й этаж, 2-й главный, Сиддайя-роуд, Бангалор, штат Карнатака, 560027, Индия.
ППМ рупий. 141,6 (включая все налоги)

* Изображения продукта показаны только в иллюстративных целях и могут отличаться от фактического продукта.

Высоковольтный транзистор с изолированным затвором

Разработка и организация производства серии силовых биполярных транзисторов с изолированным затвором (БТИЗ)

Техническая область/область

  • INF-ELE/Микроэлектроника и оптоэлектроника/Информация Связь

Статус
3 Утверждено без финансирования

Дата регистрации
14.06.1998

Головной институт
НПФ «Белмикросистемы», Беларусь, Минск

Вспомогательные институты

  • Научно-практический центр материаловедения НАН Беларуси, Беларусь, Минск Минская обл. , Молодечно\nБелорусский государственный университет, Беларусь, Минск

Сотрудники

  • Japan Semiconductor, Engineering & Consulting Co. Ltd., Япония, Осака

Краткое описание проекта

Бурное развитие силовой электроники в последнее десятилетие связано с успехами в разработке полупроводниковых силовых устройств, которые широко используются в автомобильной электронике, электроприводах промышленных автоматизированных систем.

В настоящее время значительное внимание уделяется полупроводниковому силовому приборостроению. Особенно интенсивно ведутся исследования по улучшению существующего уровня электрических параметров, разработке и внедрению в производство быстродействующих высоковольтных транзисторов и переключающих сильноточных транзисторных устройств.

Силовые транзисторы широко применяются на всех этапах производства, распределения и потребления энергии и служат одним из связующих звеньев между устройствами, применяемыми в микроэлектронике и электротехнике . Основными областями их применения по количеству применяемых устройств и разнообразию видов применения являются: электроснабжение с переключаемыми режимами работы, управление электродвигателями, электронные схемы различных автомобилей, системы управления блоками технологического оборудования.

Среди силовых транзисторов наиболее перспективными являются биполярные транзисторы с изолированным затвором, иностранное название IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor).

IGBT сочетают в себе достоинства биполярных (высокая проводимость) и полевых (низковольтное управление) транзисторов и благодаря конструктивным свойствам позволяют увеличить плотность тока примерно в 10 раз. Поэтому они используются в производстве электронных силовых приборов широкого применения взамен использовавшихся ранее биполярных и полевых транзисторов. Только в Японии объем потребления IGBT в 1996 г. достиг $1 млрд. при ежегодном росте на 25-30%. Ассортимент типов IGBT фирмы International Rectifier (США) превышает несколько сотен.

Цель проекта — разработка и организация производства серии IGBT для применения в источниках питания, электронных системах управления и других силовых устройствах. В рамках проекта планируется разработка серии IGBT на 600-1200 В и 10-50 А.

В настоящее время IGBT в СНГ не производятся. Проектирование и организация производства IGBT позволит построить мощные и компактные электронные системы управления, уменьшить вес и габариты электротехнических устройств, сэкономить материальные и энергетические ресурсы, используемые в процессе изготовления и эксплуатации.

Конструктивно-технологический процесс, разработанный в рамках Проекта, положен в основу высоковольтных силовых ИС.

Реализация Проекта направлена ​​на решение проблем энерго- и ресурсосбережения и переориентацию специалистов СНГ, занятых в производстве продукции военного назначения. В перспективе Проекта планируется проведение работ по расширению номенклатуры IGBT, улучшению динамических/статических характеристик, что позволит расширить области их применения.

Развитие биполярных силовых устройств в 60-х годах привело к необходимости создания более мощных электронных устройств. Биполярные силовые устройства можно разделить на две группы: силовые тиристоры и силовые транзисторы. В 80-х годах благодаря внедрению новых технологий господству биполярных устройств был положен конец. Разработан новый класс силовых приборов, сочетающий в себе преимущества биполярных и МОП-транзисторов. Ток в этих устройствах регулируется напряжением затвора. Мощность принимаемого сигнала на затворе значительно ниже, чем в биполярных транзисторах, что позволяет использовать цепи управления меньшей мощности.Благодаря своему быстродействию эти устройства позволяют повысить рабочую частоту энергосистем и за счет этого улучшить КПД и габариты, т.е. решить проблемы энерго- и ресурсосбережения. В эволюции мощных BiMOS-устройств выделяются три этапа:


1. Создание мощных МОП-транзисторов
2. Сочетание МОП и биполярных
3. Функциональная интеграция МОП и биполярных

1. Мощный МОП-транзистор имеет высокую скорость переключения (1-10 нс до 1 с в биполярном) и высокое входное сопротивление.Тем не менее, высокое сопротивление в открытом состоянии и высокая стоимость производства МОП-транзисторов ограничивали их использование приложениями с высокой частотой переключения и низковольтными цепями (до 100 В), где сопротивление в открытом состоянии выглядело подходящим.

2. Для получения устройства с высоким входным и низким остаточным сопротивлением в открытом состоянии была разработана технология объединения дискретных МОП и биполярных транзисторов на одном кристалле в схеме Дарлингтона (управление биполярными с помощью силовых МОП).Недостатки этой схемы связаны со слабыми сторонами биполярных силовых устройств (малый коэффициент усиления <10, потребность в больших управляющих токах).

3. Для максимальной реализации преимуществ, обеспечиваемых МОП-управлением и биполярной проводимостью, оказалось необходимым отказаться от совмещения отдельных дискретных МОП-транзисторов и биполярных транзисторов и пойти по пути объединения физических принципов работы этих устройств в одной структуре, что в конечном итоге привело для построения IGBT.

Первый IGBT показал хорошие рабочие характеристики при плотности тока в 20 раз выше, чем в МОП-транзисторах, и в 5 раз выше, чем в биполярных транзисторах с коэффициентом усиления , равным 10.Однако время переключения составляло 10-20 с. Относительно медленное переключение ограничивало применение этих устройств низкочастотной областью. Для расширения области применения, в том числе драйверов для электрических устройств, возникла необходимость разработки технологического процесса, позволяющего контролировать время жизни носителей заряда и, таким образом, управлять временем выключения транзистора без ухудшения параметров МОП. Это было достигнуто за счет облучения кремниевых пластин электронным пучком . Процесс позволяет контролировать время переключения в диапазоне 0.2-20 с, что сделало igbt уникальным многофункциональным устройством. БТИЗ был впервые разработан в исследовательской лаборатории General Elektrik и выпущен на рынок компанией Motorola. Устройство выполнено на p+ подложке с последующим наращиванием эпитаксиального дрейфа N-слоя, на котором построена вертикальная ДМОП-структура. Во включенном состоянии IGBT ведет себя как P-i-N диод с прямым сдвигом и способен работать при высокой плотности тока.

По конструкции IGBT отличается от вертикального МОП-транзистора тем, что в МОП-транзисторе используется подложка P+ вместо N+подложки.В рабочем состоянии на подложку и затвор подается положительное напряжение. Инжекция малых носителей заряда из подложки значительно снижает сопротивление области дрейфа азота. Поэтому сопротивление IGBT в открытом состоянии (остаточное сопротивление) значительно ниже по сравнению с МОП-транзистором. Напряжение затвора может управлять током через IGBT.

IGBT сочетает в себе лучшие качества силовых МОП-транзисторов (управление напряжением при очень высоком входном сопротивлении) и биполярных транзисторов (высокая плотность допустимого постоянного тока).Еще одним важным свойством этих устройств является возможность управления характеристиками IGBT электронным излучением в широком диапазоне частот. Сочетание вышеперечисленных свойств делает IGBT наиболее привлекательным силовым устройством.

Целью проекта является разработка и организация производства серии силовых биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) с улучшенными динамическими характеристиками, предназначенных для применения в источниках питания, электронных системах управления электродвигателями и других силовых электронных устройствах .

Основные усилия в рамках Проекта будут сосредоточены на:

· поиск новых конструктивно-технологических решений, позволяющих улучшить рабочие характеристики IGBT-транзисторов;

· разработка технологических процессов для возведения толстых (60-200) и высокоомных (20-100 Омґсм) эпиструктур;

· проведение экспериментов по радиационной обработке чипов с целью контроля динамических параметров и определения ее оптимальных режимов;

· CAD-моделирование профилей распределения примесей, статических/динамических параметров, распределения тепла в транзисторной ячейке с целью оптимизации конструкции и процесса изготовления.

Для проведения работ по проекту требуется привлечь группу специалистов в области проектирования микроэлектроники и иностранных сотрудников .

Планируется привлечение иностранных сотрудников для участия в разработке предложений к Проекту и Плану работ. Кроме того, ожидается обмен данными о текущем состоянии проекта с зарубежными участниками, совместное рассмотрение технических отчетов, проведение консультаций по правам интеллектуальной собственности, проведение совместной оценки изготовленных образцов.

Проект планируется выполнить в БМС НИОК «Интеграл» — крупнейшего разработчика микроэлектроники в Беларуси.

Оборудование, необходимое для изготовления эпиструктур, производства пластин и упаковки TO-218, TO-220, доступно на фабриках Integral. Комплектация силовых IGBT на ток более 50 А планируется на ОАО «Электромодуль» г. Молодечно, где имеется хороший опыт изготовления силовых высоковольтных модулей.

Оборудование для радиационной обработки пластин с целью контроля динамических параметров имеется в ИПСС АН РБ и БГУ.

Измерительное оборудование для оценки статических характеристик находится в Интеграле. Проектирование и изготовление оборудования для измерения динамических характеристик будет осуществляться на заводе «Эльмаш» Интеграла совместно с БГУ. Станцию ​​измерения статических/динамических параметров IGBT M3020 также можно приобрести в Германии. В ходе проекта будет разработана серия IGBT на 600-1200 В и 10-50 А с последующей организацией их производства.

Разработка и производство IGBT позволит построить мощные и компактные системы управления, уменьшить вес и габариты электротехнических устройств, сэкономить материальные и энергетические ресурсы, используемые в процессе изготовления и эксплуатации.Разработанная в рамках Проекта конструкция и технологический процесс служат основой для высоковольтных силовых ИС.

Ожидаемые результаты:

Целью проекта является разработка архитектуры и организация производства серии силовых биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) на напряжение 600-1200 В и ток 10-50 А, обладающих улучшенными динамическими параметрами и предназначенных для питания, управления электродвигателями электронные системы и другие силовые электронные блоки.

В ходе выполнения проекта будет изучено влияние архитектурно-технологических параметров на статические и динамические параметры транзистора, выполнено компьютерное моделирование профиля распределения примесей, статических и динамических параметров, распределения тепла в ячейке транзистора.

Функция иностранных сотрудников:


· набран для участия в разработка предложений к Проекту и Плану работ,
· для совместного рассмотрения технических отчетов,
· для проведения консультаций по правам интеллектуальной собственности,
· для проведения совместной оценки изготовленных образцов.

Качественный транзисторный переключатель высокого напряжения для электронных проектов. Бесплатный образец сейчас. Высоковольтный транзисторный переключатель

является жизненно важной частью практически любого типа электронного компонента. Их можно использовать для изготовления материнских плат, калькуляторов, радиоприемников, телевизоров и многого другого. Выбрав правильный высоковольтный транзисторный ключ , вы можете быть уверены, что продукт, который вы создаете, будет высокого качества и будет работать очень хорошо.Ключевыми факторами выбора продуктов являются предполагаемое применение, материал и тип, среди прочих факторов.

высоковольтный транзисторный переключатель изготовлен из полупроводниковых материалов и обычно имеет не менее трех выводов, которые можно использовать для подключения к внешней цепи. Эти устройства работают как усилители или переключатели в большинстве электрических цепей. высоковольтный транзисторный переключатель охватывает два типа областей, которые возникают в результате включения примесей в процессе легирования.В качестве усилителей высоковольтный транзисторный переключатель преобразует низкий входной ток в большую выходную энергию, и они направляют небольшой ток для управления огромными приложениями, работающими в качестве переключателей.

Изучите сопроводительные листы технических данных вашего высоковольтного транзисторного переключателя , чтобы определить основные ножки, эмиттер и коллектор для безопасного и надежного соединения. В высоковольтном транзисторном переключателе на Alibaba.com в качестве основной полупроводниковой подложки используется кремний благодаря его превосходным свойствам и желательному 0.Напряжение перехода 6В. Основные параметры высоковольтного транзисторного переключателя для любого проекта включают рабочие токи, рассеиваемую мощность и напряжение источника.

Откройте для себя невероятно доступный высоковольтный транзисторный переключатель на Alibaba.com, отвечающий всем вашим потребностям и предпочтениям. Доступны различные материалы и стили для безопасной и удобной установки и эксплуатации. Некоторые аккредитованные продавцы также предлагают послепродажное обслуживание и техническую поддержку.

Исследование параметров силовых транзисторов для проектирования высокочастотных высоковольтных наносекундных ключей

  • 1

    Грехов И.В., Вестник Рус. акад. наук, 2008, т. 1, с. 78, нет. 1, с. 22.

    Артикул Google Scholar

  • 2

    Коликов В.А., Курочкин В.Е., Панина Л.К., Рутберг А.Ф., Рутберг Ф.Г., Снетов В.Н., Стогов А.Ю., Тех. Phys., 2007, т. 1, с. 52, нет. 2, с. 263.

    Артикул Google Scholar

  • 3

    Хакам, Р. и Акияма, Х., IEEE Trans. Диэлектр. электр. Инсул., 2000, том. 7, нет. 5, с. 654. doi 10.1109/ 94.879361

    Статья Google Scholar

  • 4

    Андерс, А., Справочник по плазменно-иммерсионной ионной имплантации и осаждению: Pulser Technology, Нью-Йорк: Wiley, 2000, стр. 501–511. http://www6.cityu.edu.hk/appkchu/Publications/2000/00.12.pdf.

    Google Scholar

  • 5

    Небогаткин С.В., Ребров И.Е., Хомич В.Ю., Ямщиков В.А. Plasma Phys. Респ., 2016, т. 1, с. 42, нет. 1, с. 104. https://doi.org/10.1134/ S1063780X16010128

    ОБЪЯВЛЕНИЯ Статья Google Scholar

  • 6

    Новицкий В., Рузгис П., Грайнис А., Саткаускас С., Биоэлектрохимия, 2018, №1.119, с. 92. https://doi. org/10.1016/j.bioelechem.2017.09.006

  • 7

    Мошкунов С.И., Ребров И.Е., Хомич В.Ю., Усп. прикл. физ., , 2013, т. 2, с. 1, нет. 5, с. 630.

    Google Scholar

  • 8

    Хомич В.Ю., Малашин М.В., Мошкунов С.И., Ребров И.Е., Шершунова Е.А., EPE J., 2013, vol. 23, нет. 4, с. 51. https://doi.org/10.1080/09398368. 2013.11463867

    Артикул Google Scholar

  • 9

    Блейк, К.и Булл, К., Igbt или Mosfet: выбирайте с умом, International Rectifier, Application Note, 2001. http: //application-notes.digchip.com/014/14-15474.pdf.

  • 10

    Ryu, S.H., Capell, C., Jonas, C., Cheng, L., O’Loughlin, M., Burk, A., и Hefner, A., Proc. 24-я Международная конференция IEEE. Симпозиум по силовым полупроводниковым устройствам и ИС (ISPSD), Bruge s , 2012, с. 257. doi 10.1109/ISPSD. 2012.6229072

  • 11

    Дас М.К., Bodo’s Power Syst. Р, 2013, вып.22, с. 22.

  • 12

    Воронин П.А., Силовые полупроводниковые ключи: семья, характеристики, применение , Москва: Додека-XXI, 2001.

  • ., Море, Х., и Аммоус, А., IEEE Trans. Инструм. мер., 2010, т. 1, с. 59, нет. 12, с. 3218. doi 10.1109/TIM.2010.2047302

    Статья Google Scholar

  • 14

    Шершунова Е., Малашин М., Мошкунов С., Хомич В., Acta Polytech., 2015, vol. 55, нет. 1, с. 59. https://dspace.cvut.cz/handle/10467/67175.

    Артикул Google Scholar

  • 15

    Хомич В.Ю., Малашин М.В., Мошкунов С.И., Proc. Международный IEEE. Симпозиум по силовой электронике, электроприводам, автоматизации и движению (SPEEDAM), Anacapri, 2016, с. 968. doi 10.1109/SPEEDAM.2016. 7525946

  • 16

    Форсайт, Дж.Б., Параллельное соединение мощных полевых МОП-транзисторов для повышения выходной мощности, 1981 г. http://citeseerx.ist.psu. edu/viewdoc/summary?doi=10.1.1.305.913.

  • 17

    Area, SO, Application Characterization of IGBT, International Rectifier, INT990. http://chtechnology.thomaswebs.net/pdf/AN-990%20Application%20Characterization%20of%20IGBT’s.pdf.

  • 18

    International Rectifier «Биполярный транзистор с изолированным затвором IRGPS40B120U», техпаспорт, PD-94295B. http://www.irf.ru/pdf/irgps40b120u.пдф.

  • MPS42- Высоковольтный- NPN- Транзистор

    Код продукта: Высоковольтный транзистор NPN

    Основные характеристики
    • Высоковольтный эпитаксиальный кремниевый NPN-транзистор
    • Поставляется в пластиковом корпусе SOT54
    • Используется в общих схемах переключения и усиления
    Посмотреть больше функций


    сопутствующие товары