Транзистор фото: D1 82 d1 80 d0 b0 d0 bd d0 b7 d0 b8 d1 81 d1 82 d0 be d1 80 картинки, стоковые фото D1 82 d1 80 d0 b0 d0 bd d0 b7 d0 b8 d1 81 d1 82 d0 be d1 80

Содержание

IRFB7787PBF, Силовой МОП-транзистор, HEXFET, N Канал, 75 В, 76 А, 0.0084 Ом, TO-220, Through Hole, Infineon

Transistor Mounting Through Hole
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура 175 C
Напряжение Измерения Rds(on) 10В
Напряжение Истока-стока Vds 75В
Непрерывный Ток Стока 76А
Полярность Транзистора N Канал
Пороговое Напряжение Vgs 3.7В
Рассеиваемая Мощность 125Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 0.0084Ом
Стиль Корпуса Транзистора TO-220
Maximum Operating Temperature +175 °C
Максимальный непрерывный ток стока 76 A
Package Type TO-220AB
Maximum Power Dissipation 125 Вт
Тип монтажа Монтаж на плату в отверстия
Ширина 4. 83мм
Высота 16.51мм
Материал транзистора Кремний
Количество элементов на ИС 1
Length 10.67мм
Конфигурация транзистора Одинарный
Brand Infineon
Серия HEXFET
Minimum Operating Temperature -55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage 3.7V
Minimum Gate Threshold Voltage 2.1V
Максимальное сопротивление сток-исток 8,4 мΩ
Maximum Drain Source Voltage 75 В
Pin Count 3
Typical Gate Charge @ Vgs 73 нКл при 10 В
Channel Mode Поднятие
Channel Type N
Maximum Gate Source Voltage -20 В, +20 В
Forward Diode Voltage 1.
2V
Тип корпуса TO-220AB
Максимальное рассеяние мощности 125 W
Прямая активная межэлектродная проводимость 154s
Размеры 10.67 x 4.83 x 16.51мм
Длина 10.67мм
Transistor Configuration Одинарный
Типичное время задержки включения 11 ns
Производитель Infineon
Типичное время задержки выключения 51 нс
Минимальная рабочая температура -55 °C
Максимальное напряжение сток-исток 75 V
Число контактов 3
Категория Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs 73 нКл при 10 В
Номер канала Поднятие
Типичная входная емкость при Vds 4020 пФ при 25 В
Тип канала N
Максимальное напряжение затвор-исток -20 В, +20 В
Прямое напряжение диода 1. 2V
Id — непрерывный ток утечки 76 A
Pd — рассеивание мощности 125 W
Qg — заряд затвора 73 nC
Rds Вкл — сопротивление сток-исток 8.4 mOhms
Vds — напряжение пробоя сток-исток 75 V
Vgs — напряжение затвор-исток 20 V, + 20 V
Vgs th — пороговое напряжение затвор-исток 3.7 V
Вид монтажа Through Hole
Время нарастания 48 ns
Время спада 39 ns
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Коммерческое обозначение StrongIRFET
Конфигурация Single
Крутизна характеристики прямой передачи — Мин. 154 S
Подкатегория MOSFETs
Размер фабричной упаковки 1000
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 N-Channel
Типичное время задержки при включении 11 ns
Торговая марка Infineon / IR
Упаковка Tube
Упаковка / блок TO-220-3
Base Product Number IRFB7787 ->
Current — Continuous Drain (Id) @ 25В°C 76A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 75V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
ECCN EAR99
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 109nC @ 10V
HTSUS 8541. 29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4020pF @ 25V
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55В°C ~ 175В°C (TJ)
Package Tube
Package / Case TO-220-3
Power Dissipation (Max) 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.4mOhm @ 46A, 10V
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Series HEXFETВ®, StrongIRFETв„ў ->
Supplier Device Package TO-220AB
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) В±20V
Vgs(th) (Max) @ Id
3. 7V @ 100ВµA
Вес, г 13.15

Ученые Сколтеха и их зарубежные коллеги разработали первый в мире сверхбыстрый полностью оптический транзистор, работающий при комнатной температуре

Группа ученых Сколтеха в сотрудничестве с коллегами из Исследовательского центра IBM в Цюрихе (Швейцария) и Университета Вупперталя (Германия) разработала полностью оптический транзистор нового типа на основе поляритонов в органических структурах. Этому научному достижению посвящена статья, опубликованная в ведущем научном журнале Nature Photonics [1], разместившим анонс этого исследования на своей обложке. В статье представлены результаты более чем двухлетнего тесного сотрудничества между Лабораторией гибридной фотоники Сколтеха под руководством профессора Павлоса Лагудакиса и Исследовательским центром IBM в Цюрихе. Ученым удалось создать первый в мире полностью оптический поляритонный транзистор, способный работать при комнатной температуре и имеющий беспрецедентно высокий коэффициент усиления.

Специалисты считают, что данная разработка является большим шагом на пути к созданию  сверхбыстрых оптических логических схем и приближает появление реальных оптических компьютеров [2].

 

Фото: Органический поляритонный транзистор

 

Мы редко задумываемся над тем как устроены окружающие нас вычислительных системы, такие как ноутбуки и смартфоны, сегодня все они основаны на слаженной работе миллиардов электрических транзисторов, которые, пожалуй, являются одним из самых важных изобретений 20-го века. В основе работы транзистора лежит принцип управляемого протекания электрического тока (потока электронов). При протекании тока по электрическим цепям микросхем неизбежно происходит выделение энергии в виде тепла (это легко почувствовать, если просто держать телефон в руке). Количество тепловой энергии, выделяемой одним смартфоном, ничтожно мало, но ведь в мире существуют миллиарды таких устройств и тысячи центров обработки данных, в совокупности вырабатывающих колоссальное количество энергии впустую… Подсчитано, что мировая индустрия информационных и коммуникационных технологий, которая уже сейчас потребляет вдвое больше электроэнергии, чем вся Россия, к 2025 году будет потреблять до 1/5 мировых запасов электричества.

Если вместо электронов использовать фотоны (элементарные частицы света), то эту серьезную проблему можно было бы решить при помощи оптического компьютера, позволяющего обрабатывать информацию со скоростью света, потребляя при этом гораздо меньше энергии. Ученые, разработавшие полностью оптический транзистор сделали большой шаг на пути к заветной мечте ‒ созданию оптического компьютера.

На первый взгляд может показаться, что фотоны являются идеальной заменой электронов, однако, до сих пор крайне низкая степень взаимодействия между фотонами существенно осложняла построение логических операций. Действительно, какой толк в получении идеальных сигналов на микросхеме, если их нельзя обработать? Для решения этой проблемы ученые Сколтеха и их коллеги из Исследовательского центра IBM в Цюрихе разработали новую структуру на базе органических полупроводников, в которой можно «смешивать» свет и вещество. Свет, попадающий в эту структуру, остается внутри нее и взаимодействует с веществом. В процессе этого взаимодействия образуются так называемые поляритоны, т. е. некий гибрид света (фотоны) и вещества (электроны). Придавая фотонам массу, поляритоны приобретают способность взаимодействовать между собой, что позволяет создавать оптические транзисторы и строить оптическую логику. Представленный исследователями новый полностью оптический поляритонный транзистор обеспечивает сверхвысокую скорость работы и рекордную эффективность. Показано, что тактовая частота нового транзистора может достигать 2 ТГц, что примерно в 1000 раз выше по сравнению с лучшими традиционным процессором. Если ранее разработки в данном направлении велись в основном в области сверхнизких температур, то с появлением органических полупроводников, способных работать при комнатной температуре, можно уже всерьез говорить о реализации реальных устройств на принципах поляритоники.

 

Фото: Лаборатория гибридной фотоники Сколтеха (слева экспериментальная установка демонстрирующая принцип работы органического поляритонного транзистора расположена слева).

 

Создание оптического транзистора, несомненно, является крупным достижением, тем не менее, корректное выполнение логических операций требует подключения сразу нескольких транзисторов, что является значительной трудностью для многих ранее предложенных концептов. В частности, каскадное подключение нескольких транзистор в единую «фотонную цепь» оказалось весьма сложной, а в некоторых случаях и вовсе невыполнимой задачей.. Ученые из Сколтеха и исследовательского центра IBM осуществили одновременноеб каскадное подключение 3-х транзисторов для создания полнофункциональных логических вентилей «И» и «ИЛИ и тем самым наглядно продемонстрировав масштабируемость своей технологии. Логический вентиль, являющийся базовым элементом любой цифровой схемы, принимает на каждый из своих двух входов сигнал с уровнем 0 или 1, а на выходе возвращает сигнал 0 или 1 в соответствии с предварительно заданными правилами. Так поляритонный логический вентиль «И» на выходе возвращает  1, только если на обоих входах он принимает уровень сигнала 1, в противном случае вентиль возвращает уровень 0. Тогда как вентиль «ИЛИ» на выходе возвращает 1, если хотя бы на одном из двух входов он принимает сигнал с уровнем 1. При каскадном подключении выход одного транзистора подключают к входам нескольких транзисторов, что приводит к существенным потерям мощности сигнала. Для снижения потерь необходимо значительно усилить входной сигнал таким образом, чтобы на выходе получить сигнал гораздо большей мощности. Это условие является принципиальным требованием для осуществления сложной обработки цифровых сигналов. Исследователи продемонстрировали возможность усиления входного оптического сигнала в 6500 раз и получили рекордно высокие коэффициенты усиления в микромасштабе ‒ до 10 дБ/мкм. В ближайшие годы эта группа ученых планирует расширить рамки исследования и создать полные логические схемы на базе поляритонов, а также разработать более сложный «универсальный логический вентиль», на основе которого можно будет строить все логические операции.

За менее чем три года своего существования группа молодых исследователей под руководством профессора Павлоса Лагудакиса смогла добиться значительных успехов в разработке и демонстрации возможностей сложных фотонных технологий. Аспирант Сколтеха и соавтор исследования Антон Бараников отмечает: «Получить такие результаты удалось во многом благодаря сложнейшей оптической системе, над созданием которой я и остальные члены нашей группы трудились днем и ночью». Научный сотрудник Сколтеха и первый автор статьи Антон Заседателев добавляет: «Лаборатория гибридной фотоники Сколтеха ‒ это уникальное сочетание почти неограниченных экспериментальных возможностей – высококлассного, передового оборудования и команды молодых, талантливых, мотивированных исследователей. В этом состоит успех этой работы! Думаю, однажды фотонные процессоры работающие со скоростью света станут для нас такой же реальность, какой сегодня для нас является оптическая связь.»

Фото: Аспирант Сколтеха Антон Бараников и научный сотрудник Сколтеха Антон Заседателев.

Прорывные результаты, опубликованные в журнале Nature Photonics, служат наглядным примером плодотворного сотрудничества Сколтеха с международными промышленными партнерами. Ноу-хау Лаборатории гибридной фотоники, талант ее сотрудников и опыт специалистов Исследовательского центра IBM в Цюрихе ‒ главные слагаемые успеха этого проекта, который позволил не только продемонстрировать работоспособность полностью оптического транзистора нового типа, но и интегрировать его в базовые элементы логической схемы. Эта технология, находящаяся в процессе патентования, может лечь в основу будущих высокопроизводительных и мощных вычислительных платформ.

 

Литература:

[1] A. V. Zasedatelev, A. V. Baranikov, D.Urbonas, F.Scafirimuto, U.Scherf, T.Stöferle, R. F. Mahrt&P. G. Lagoudakis, “A room-temperature organic polariton transistor”, Nature Photonics 13, 378–383 (2019). Html link.

[2] Z. Sun &D. W. Snoke, “Optical switching with organics”, Nature Photonics 13, 370–371 (2019). Html link.

*protected email*

Дисульфид молибдена назвали ключом к уменьшению двумерных транзисторов / Хабр

Международная команда исследователей заявила о создании новых двумерных транзисторов из полуметалла дисульфида молибдена. Толщина элементов составляет от одного до нескольких атомов. 

Транзисторы — радиоэлектронные компоненты из полупроводникового материала, необходимые для усиления, генерирования, коммутации и преобразования электрических сигналов в электронике. Гонка за уменьшением размера транзисторов стала ключом в развитии современной вычислительной техники.

Двумерные транзисторы от Университета Юты. Фото: Дан Хиксон

Среди всех перспективных технических изысков в последние годы оборот набирают 2D-транзисторы, которые уменьшают толщину электронных устройств. В 2016 году в Университете Юты в США прошли испытания первых двумерных транзисторов на основе монооксида олова. Использование этого полуметалла снизило стоимость схемы и уменьшило высоту транзистора до размера атома. Кроме того, новые транзисторы быстрее кремниевых и меньше нагреваются при работе.

12 мая этого года международная команда исследователей заявила о создании нового способа изготовления 2D-транзисторов из дисульфида молибдена — химического соединения серы и металла молибдена из семейства дихалькогенидов. 

На стыке металлов и полупроводников появляются индуцированные металлом запрещённые зоны, приводящие к образованию барьера Шоттки. Полуметалл в сочетании с выравниванием энергии между двумя материалами устранил эту проблему.

Двумерный дисульфид молибдена снижает длину канала с 5—10 нанометров в современных передовых чипах до субнанометрового масштаба. Это ключевой параметр для минимизации электронных устройств. 

Сейчас изучается множество переходных материалов из семейства дихалькогенидов, но фундаментальным исследованиям мешает проблема достижения контакта этих материалов с металлами с низким сопротивлением. Существующие методы соединения имеют высокое сопротивление, и сигналы, необходимые для отслеживания поведения электронов в материале, слишком слабые, чтобы пройти через них. 

С двумерным материалом исследователи надеются обойти ограничения по минимизации транзисторов, благодаря чему уменьшится и размер готовых устройств. Они продолжают изучать полуметаллы и искать новые соединения, которые обеспечат работоспособные электрические контакты с другими типами носителей заряда. Требуются дальнейшие исследования, чтобы понять, как масштабировать и внедрить двумерные материалы на коммерческом уровне. Но, по словам исследователей, многие области физики уже могут извлечь выгоду из открытия. 

Материалы о создании транзисторов из дисульфида молибдена опубликованы в статье «Ultralow contact resistance between semimetal and monolayer semiconductors» на сайте Nature. DOI: 10.1038/s41586-021-03472-9

Транзистор толщиной в атом: что означает новый прорыв в IT-отрасли

В последние полвека вычислительные ресурсы компьютеров росли темпами, невиданными ни в какой другой области техники. Это стало возможным благодаря стремительной миниатюризации транзисторов — главных строительных блоков любой микросхемы.

Недавно исследователи из Китая отчитались в журнале Nature о создании транзистора, ключевая деталь которого (затвор) имеет толщину буквально в один атом углерода. Внедрение этой технологии сделает компьютеры куда мощнее, чем сегодня. Но станет ли это последним прорывом? И что будет с мировой экономикой, если прогресс микроэлектроники действительно упрется в «атомный барьер»?

Гормон экономического роста

В 2021 году мировые расходы на IT-продукты (включая устройства, программное обеспечение и услуги) составили $4,2 трлн. Информационные технологии все сильнее меняют производство, потребление, торговлю, логистику и управление во всех отраслях. Удаленная работа и интернет-магазины, промышленные роботы и искусственный интеллект, сбор информации о клиенте и автоматизированная разработка новых продуктов — этот список можно продолжать очень долго.

Реклама на Forbes

В 1987 году нобелевский лауреат по экономике Роберт Солоу пришел к выводу, что компьютеризация не увеличивает производительность труда. Этот «парадокс продуктивности» стал предметом пристального внимания экономистов. И хотя споры по его поводу продолжаются, новые данные скорее показывают, что мэтр поторопился. Экономике потребовалось время, чтобы освоить новый инструмент, да и сам инструмент за прошедшие десятилетия стал куда мощнее.

Так, в США в 1995–2002 годах именно внедрение IT-технологий обеспечило практически весь рост производительности труда и две трети роста общей факторной производительности (то есть увеличения выпуска продукции, не вызванного затратами труда и капитала). В остальном мире компьютеризация тоже стала одним из драйверов экономического роста.

Стратегия стрекозы

Какими бы мощными ни были сегодняшние компьютеры, некоторые задачи даются им с трудом. Все более востребованной становится отрасль «больших данных»: компании хотят знать все о своих клиентах, сотрудниках и процессах. Огромных вычислительных ресурсов требует и искусственный интеллект. Обучение какого-нибудь далекого от совершенства голосового помощника вполне может занять неделю-другую даже на серверах, битком набитых самыми современными процессорами. Упорная ставка бизнеса на завтрашний компьютер вторгается даже в быт рядовых потребителей. Купленные несколько лет назад смартфоны и планшеты приходится менять не потому, что они вырабатывают ресурс, а потому, что в их памяти уже не умещаются бесконечные обновления все более громоздких приложений (если бы еще при этом они становились более удобными или полезными). 

Расчет на светлое завтра микроэлектроники оправдывается уже более полувека. Но наивно полагать, что так будет всегда. Возможности любого устройства ограничены законами физики, которые невозможно отменить или переписать. Судя по некоторым признакам, предел роста уже близок.

Нарушение закона

Производительность компьютера зависит от многих вещей, но прежде всего от количества транзисторов. Транзистор — это элемент, который по команде переключается из режима проводника в режим изолятора. Отсутствие и наличие тока можно отождествить с нулем и единицей.

Это и есть мост между «железом» и данными. Символы 0 и 1 образуют двухбуквенный алфавит, который ничем принципиально не отличается от русского или латинского. С его помощью можно записать любой текст, а значит, выразить любую информацию. То, что программисты пользуются для этого искусственными языками, сути не меняет.

Любой файл или программа — это в конечном счете длинная последовательность нулей и единиц. Чтобы хранить и обрабатывать ее, нужно достаточное количество транзисторов. А чтобы последние уместились на чипе, они должны быть достаточно маленькими.

Десятилетиями миниатюризация транзисторов шла так успешно, что количество их на чипе росло по экспоненте. У экспоненциального роста есть простое математическое свойство: через каждые N лет накопленный результат удваивается. По каким-то техническим и экономическим причинам оказалось, что в данном случае N=2. Это и есть знаменитый закон Мура: количество транзисторов на чипе удваивается каждые два года. Соучредитель Intel Гордон Мур впервые обратил внимание на эту закономерность еще на заре отрасли, когда число транзисторов на чипе измерялось десятками. Спустя некоторое время упомянутый закон, похоже, стал самосбывающимся пророчеством: менеджеры закладывали его в планы и требовали от инженеров соответствовать.

Тренд сломался в начале 2010-х. Число транзисторов продолжало расти, и быстро, но все же медленнее, чем требовал закон Мура. С тех пор «отставание от графика» нарастает, хотя количество транзисторов на одном чипе измеряется уже десятками миллиардов.

Дело в том, что уменьшать классические кремниевые транзисторы становится все труднее. Эти трудности вынудили гигантов индустрии пойти на маркетинговые уловки. Читая, что IBM представила первый в мире чип, изготовленный «по технологии 2 нм», следует помнить, что эти два нанометра — не размер транзистора, а довольно абстрактная величина, которая сложно вычисляется, зато хорошо звучит. Размеры же транзисторов на новом чипе начинаются с 15 нм. Но чересчур иронизировать не стоит: даже 15 нанометров — это всего 36 выстроенных в ряд атомов кремния.

Есть ли жизнь после кремния

Возможно, кремниевые транзисторы удастся уменьшить еще в несколько раз, не нарушив их работоспособности. Но этот ресурс уже почти исчерпан. Чтобы вычислительная мощность продолжала расти, пусть и не по Муру, нужны новые пути развития.

Самая очевидная мысль: если более миниатюрные транзисторы не получаются из кремния, нужно сделать их из чего-нибудь другого. Особенно соблазнительны двумерные материалы, то есть пленки толщиной в один атом. По крайней мере, с ними карту «уменьшение транзисторов» можно разыграть до конца: что может быть тоньше единственного атома?

Самые доступные из таких материалов — это графен (плоский двумерный углерод) и углеродные нанотрубки с двумерными стенками. Из нанотрубок уже делали не только отдельные элементы, но и целый микропроцессор с тысячами транзисторов. Авторы статьи в Nature пошли по другому пути и использовали графен.

Говоря точнее, из графена сделан только затвор транзистора (переключатель режимов «проводник» и «изолятор»). Именно он имеет толщину в один атом углерода, или 0,34 нм. Толщина затвора — одно из ключевых ограничений на размер транзистора в целом. Теперь, когда затвор предельно тонок, можно попробовать «подтянуть» и остальные параметры.

В качестве полупроводника в новом транзисторе применяется не кремний, а дисульфид молибдена. Он не двумерен, но тоже способен образовывать чрезвычайно тонкий слой, что также уменьшает транзистор. Остальные использованные компоненты — это алюминий и его оксид, а также оксид гафния. 

Реклама на Forbes

Со всеми этими веществами уже экспериментировали многие научные группы. Ноу-хау авторов не в составе транзистора, а в технологии его изготовления. Она не требует устанавливать графеновый элемент в нужное место с атомарной точностью. Где бы ни оказалась кромка графена, она займет правильную ориентацию и будет выполнять функции затвора. Это, безусловно, упрощает и удешевляет производство.

Впрочем, новой технологии еще далеко до коммерциализации, поэтому сложно сказать, какова будет итоговая стоимость чипа. Это еще одна трудность на пути к новой электронике. Десятилетия в кремниевом раю приучили нас, что вычислительная техника становится мощнее, но не дороже. Даже если завтра будут изобретены субнанометровые транзисторы из какого-нибудь «хлорида пандемония», им придется выдержать еще и ценовую конкуренцию с кремниевыми. Иначе компьютеры нового поколения достанутся лишь тем, кто будет готов заплатить больше.

Впрочем, уменьшение транзисторов — не единственный путь улучшить быстродействие чипов. Уже сейчас специалисты работают над новыми архитектурами микросхем, новыми системами команд и другими направлениями, остававшимися без внимания, пока удвоить число транзисторов было проще и дешевле. А где-то за горизонтом маячат квантовые компьютеры, обещающие новую эру в вычислениях, которая наступит то ли через 10 лет, то ли через 100.

Конечно, никакие усилия не продлят до бесконечности взрывной рост вычислительной мощности, к которому мы так привыкли. Но мы вполне можем дождаться еще одной технологической революции, которая сделает смартфон таким же раритетом, как арифмометр. Ну а если нет, придется искать источник роста на других фронтах прогресса, благо их предостаточно.

Мнение редакции может не совпадать с точкой зрения автора

Реклама на Forbes

Транзисторы — фото-каталог | скупка, покупка радиодеталей

 

 

Покупка, скупка, прием транзисторов разных марок. Подробнее полный список см. в разделе (ПРАЙС-ЦЕНЫ)

А также цена зависит от кол-ва, года выпуска желательно до 91 года, и длины выводов.

 ТРАНЗИСТРОРЫ

 

А также цена зависит от вида корпусов и длины выводов

 Белые

 КТ201, 203, 326, 3102
 ГТ 311, КТ325
 КТ312, 301, 306, 316
 КТ 601, 603, 605, 608
 КТ 602, 604
 К1 ЖГ

 Желтые

 КТ 201, 203, 326, 3102
 КТ 312, 301, 306
 КТ325
 КТ601, 603, 605, 608, П 307
 КТ602, 604
 КТ630, 830, 631, 831
 КТ610, 916
 КТ909
 КТ911
 КТ 920, 922, 925
 КТ 930, 931, 958
 КТ 803, 808, 809(до80г. ), 908, 812, 802, (до80г)

Считаем детали поштучно

Транзисторы импортные (по весу)
2Т827А,В / 2Т819А / 2Т841А / 2Т826А / 2Т825Б / 2Т818Б до 89 г.
27980 А (после проверки прибором)
процессор керамический (по весу)
процессор текстолитный celeron (по весу)
Транзисторы КТ 814, 815, 816
Транзисторы КТ 315
ПКН 150, 100
КТ 944, 2Т 944 (б\у, новые и негодные)

Постараемся предложить лучшие цены!

Цены от различных факторов могут изменяться: каждый месяц, день, неделю.
Цены на сегодняшний день уточняйте по телефону!

Комментарии

Первый спиновый транзистор на основе кремния — ФПФЭ

Исследовательской группе во главе с Ианом Аппельбаумом из Делавэрского университета (США) удалось передать спин-электронный ток на марафонскую по меркам микроэлектроники дистанцию в 350 мкм сквозь беспримесную кремниевую подложку. Эта пионерская работа обозначила путь к разработке более дешевых, более быстрых и мало энергопотребляющих устройств для обработки и хранения информации.

Рис. 1. Слева: Иан Аппельбаум, создавший вместе с Бицинем Хуаном (на заднем плане) и Доу Монмой первый спиновый транзистор на кремнии, способный перемещать спины электронов на расстояния в сотни мкм и управлять ими. Справа: кремниевый спиновый чип, содержащий более десятка спиновых транзисторов. Фото с сайтов www.udel.edu и www.sciencedaily.com

Спинтроника — электроника нового поколения

Достаточно молодая область современной физики — спиновая электроника, или спинтроника, — притягивает всё больше исследователей многообещающими практическими применениями. Если в традиционной электронике используется обычный электрический ток (перемещаются заряды), то электроника нового поколения основана на ином физическом принципе — в ней перемещаются спины электронов.

Спин электрона (собственный момент количества движения) — это внутренняя характеристика электрона, имеющая квантовую природу и не зависящая от движения электрона. Спин электрона может находиться в одном из двух состояний — либо «спин-вверх» (направление спина совпадает с направлением намагниченности магнитного материала), либо «спин-вниз» (спин и намагниченность разнонаправлены). Обычно электроны в веществе в среднем неполяризованы — электронов со спином вверх и со спином вниз примерно поровну. Орудием спинтроники является ток, создаваемый электронами с однонаправленными спинами (спиновый ток). Для получения достаточно сильного тока необходимо поляризовать спины, упорядочив их в одном направлении. Важно, чтобы еще и время жизни спина (время, в течение которого направление спина не меняется) было достаточно большим для передачи его на нужные расстояния.

Если традиционные электронные устройства, основанные на электрических свойствах вещества, управляются преимущественно приложенным напряжением, то для манипуляции спиновыми свойствами, характеризующимися направлением спина и временем его жизни, необходимо использовать внешнее магнитное поле.

В чём секрет повышенного интереса к спинтронике? Во-первых, спиновые приборы будут многофункциональны — они позволят совмещать на одном чипе функции накопителя для хранения информации, детектора для ее считывания, логического анализатора для ее обработки и коммутатора для последующей ее передачи к другим элементам чипа.

Во-вторых, такие устройства будут обладать высокой скоростью реагирования на управляющий сигнал и потреблять значительно меньше энергии, чем устройства традиционной электроники. Это объясняется тем, что переворот спина, в отличие от перемещения заряда, практически не требует затрат энергии, а в промежутках между операциями спинтронное устройство отключается от источника питания. При изменении направления спина кинетическая энергия электрона не меняется, и значит, тепла почти не выделяется. Скорость же изменения положения спина очень высока: эксперименты показали, что переворот спина осуществляется за несколько пикосекунд (триллионных долей секунды).

Эти преимущества позволят спинтронным устройствам стать основой для ЭВМ нового поколения — квантовых компьютеров. Но чтобы это стало возможно, необходимо создать ключевые элементы «спиновых микросхем» — спиновые транзисторы, то есть устройства, в которых можно усиливать, ослаблять или выключать спиновый ток. А на базе спинового транзистора уже будут создаваться новые компьютерные процессоры, сенсоры, перепрограммируемые логические устройства и энергонезависимая быстродействующая память высокой плотности.

Спиновый транзистор: трудно сделать первый шаг

В спиновом транзисторе состояния «включен» и «выключен» зависят от направления спинов электронов, участвующих в токе. Любое спин-электронное устройство, в том числе и спиновый транзистор, должно содержать три основных элемента:

    1) механизм для электрического инжектирования (проще говоря «впрыска») спин-поляризованных (то есть выстроенных в выбранном направлении) электронов в полупроводник (будем называть этот механизм «инжектор»),
    2) средства для управления спиновым током в полупроводнике (например, приложенное напряжение, заставляющее двигаться электроны),
    3) электрическая схема для прецизионного детектирования (измерения) результирующего спинового тока (будем называть ее «детектор»).

Но наличия этих трех кирпичиков недостаточно, чтобы построить конечное устройство. Нужно еще добиться высокой эффективности электрической инжекции спинов в полупроводник и достаточной длины диффузии (перемещения) спина. А чтобы спин смог преодолеть это расстояние в полупроводнике и достичь детектора, он должен обладать достаточным временем жизни. И желательно, чтобы всё это происходило при комнатной температуре (трудно себе представить домашний компьютер с процессором на базе спиновых транзисторов, который работает только при охлаждении его до температуры жидкого гелия!).

Человечество уже десять лет вкушает плоды спинтроники в виде компьютерных жестких дисков и прецизионных сенсоров магнитного поля, в которых использован эффект гигантского магнетосопротивления. Именно за открытие этого явления Альбер Фер и Петер Грюнберг были удостоены Нобелевской премии по физике в этом году. Но создание спинового транзистора и спиновой памяти до сих пор оставалось неразрешимой задачей. Все предыдущие попытки с использованием дорогостоящих технологий и материалов (таких как GaAs, ZnO, CdS) не увенчались успехом: получавшиеся спиновые транзисторы либо работали только при очень низких температурах, либо работали при температурах, близких к комнатной, но имели при этом очень малую величину эффективности, либо позволяли передавать спиновый ток на очень незначительные расстояния, измеряемые сотнями нанометров.

Революция в спинтронике свершилась

И вот настал момент, когда с уверенностью можно сказать, что создан первый в мире спин-электронный транзистор, удовлетворяющий всем перечисленным выше критериям! Причем он создан на базе кремния, которому пророчили позицию аутсайдера в современной электронике.

Исследовательская группа в составе Иана Аппельбаума (Ian Appelbaum) и его аспиранта Бициня Хуана (Biqin Huang) из Делавэрского университета (University of Delaware), а также Доу Монмы (Douwe Monsma) из компании «Кембридж НаноТех» (Cambridge NanoTech) показала, что спин может быть транспортирован (перемещен) на марафонскую по меркам микроэлектроники дистанцию — 350 мкм!!! — сквозь беспримесную кремниевую подложку (использование беспримесной подложки позволяет добиться протекания «чистого» спинового тока в полупроводнике, что очень важно для точного детектирования результирующего сигнала).

Результаты этой пионерской работы были опубликованы 26 октября этого года в престижнейшем физическом журнале Physical Review Letters. До этого та же группа ученых впервые экспериментально продемонстрировала, что спиновый ток можно инжектировать (впрыскивать) в кремниевую подложку, управлять им и измерять его (см. статью в Nature за 17 мая 2007 года).

В работе, опубликованной 13 августа 2007 года в авторитетном журнале Applied Physics Letters , исследователи показали, как достичь очень высокой (на сегодняшний день) степени спиновой поляризации — 37%. Это означает, что от общего числа спинов, поступивших на инжектор, 37% однонаправленных спинов удалось доставить до детектора. Стопроцентной поляризации соответствует случай, когда все спины, выстроенные в выделенном направлении (чаще всего «спин-вверх»), дошли до детектора. Так как в реальных системах есть различного рода рассеивания и поглощения (система не идеальная), стопроцентной эффективности пока получить не удается.

Открытие подтверждает, что с кремния — рабочей лошадки современной электроники — можно не снимать упряжку еще многие десятилетия, используя его для создания спин-электронных устройств, таких как спиновый транзистор и спиновая память. Исследователи показали, что кремний уже сейчас может быть использован для совершения многочисленных манипуляций над спином на масштабе в несколько сот микрометров и в течение времени, достаточном для осуществления нескольких тысяч логических операций (десятки наносекунд), тем самым открывая широкую дорогу для спин электронных систем на базе кремния. Соединив в единую схему сотни или даже тысячи созданных спиновых чипов (рис. 1, справа), можно получить сверхбыстродействующее устройство для обработки информации, по своей эффективности превышающее современные процессоры в десятки раз!

Как работает спиновый транзистор

Методика экспериментов, вкратце, такова. Вначале авторы изготовили слоистую структуру, составленную из слоя ферромагнетика, слоя чистого кремния, затем второго слоя ферромагнетика, но уже другого, и наконец слоя кремния с примесями. К разным слоям этой структуры прикладывается специально подобранное напряжение, управляющее течением электронов. Поток электронов на входе неполяризован, но после прохождения ферромагнитной прослойки он приобретает поляризацию — то есть становится спиновым током. Эти электроны попадают в прослойку из чистого кремния, проходят достаточно большую дистанцию, затем попадают во второй ферромагнитный слой и выходят наружу.

Эксперименты показали, что при движении через кремний поляризация электронов частично сохраняется. Благодаря этому, изменяя взаимную ориентацию магнитных полей в двух слоях ферромагнетика, можно включать или выключать спиновый ток на выходе. Это позволяет для осуществления сверхбыстрых логических операций над информацией использовать два устойчивых состояния прибора, при которых ток либо есть (логическая «1»), либо нет (логический «0»), по аналогии с традиционным транзистором, для осуществления сверхбыстрых логических операций над информацией.

Вначале исследователи работали со слойками толщиной примерно 10 мкм, но в последней статье, опубликованной в Physical Review Letters, они увеличили промежуточный слой чистого кремния до 350 мкм — а это уже вполне макроскопический размер. Даже на таких больших расстояниях спиновый ток по-прежнему сохранялся. Таким образом, представленное устройство демонстрирует долгое время жизни спина электрона, за которое он способен преодолеть слой полупроводника толщиной до 350 мкм.

Вид транзистора, принцип действия и зонная диаграмма (диаграмма энергетических состояний барьеров, которые встречают электроны, при прохождении через вещества) показаны на рис. 2.

Рис. 2. а — изображение кремниевого спинового транзистора, b — схема работы и c — зонная диаграмма его компонентов. При постоянном напряжении на эмиттере Ve измерялся «первый коллекторный ток» Ic1 на NiFe-контакте и «второй коллекторный ток» Ic2 на индиевом контакте, осажденном на кремниевой подложке n-типа. Рис. из обсуждаемой статьи в Phys. Rev. Lett.

На первом этапе при приложенном напряжении Ve неполяризованные электроны инжектируются из алюминиевого эмиттера (источника) в ферромагнитный слой Co84Fe16. Благодаря спин-зависимому рассеиванию электронов в магнитном слое, электроны с выделенным направлением спина (например, «спин-вниз») отсеиваются, так как направление намагниченности слоя Co84Fe16 не совпадает с направлением спинов. Отобранные электроны с однонаправленными спинами туннелируют через тонкий слой Al2O3. В данном случае туннельный барьер проходят только «горячие» электроны (с энергией, достаточно высокой для преодоления энергетических барьеров), создавая эмиттерный ток (ток источника). «Горячие» электроны нужны для увеличения эффективности прибора.

Пройдя через барьер Шоттки (потенциальный барьер, возникающий на границе металл—полупроводник) в беспримесный монокристаллический слой кремния, электроны занимают свободные места в зоне проводимости полупроводника и, под действием приложенного к нему напряжения Vc1,  начинают упорядоченное движение. При этом возникает коллекторный ток Ic1 (ток на детекторе). После прохождения через 350-микрометровый слой кремния, спин-поляризованные электроны детектируются вторым спиновым транзистором. Ферромагнитный слой Ni80Fe20 регистрирует спины электронов, которые инжектируются в кремний n-типа (то есть кремний, основными носителями тока в котором являются электроны) для увеличения чувствительности детектора (в зоне проводимости n-типа кремния есть избыточные электроны, которые усиливают спиновый ток), создавая коллекторный ток Ic2. Спиновый ток зависит от относительной намагниченности обоих ферромагнитных слоев.

Рис. 3. Механизм работы инжектора и детектора. а — слои Co84Fe16 и Ni80Fe20 намагничены параллельно, b — антипараллельно (emmiter — источник тока, F — первый и второй ферромагнитные слои соответственно, silicon — кремниевая прослойка, collector — приемник спинового тока). Рис. с сайта noorderlicht.vpro.nl

На рис. 3 показан механизм работы детектора. В случае параллельного направления намагниченностей в слоях Co84Fe16 и Ni80Fe20 (рис. 3а) ток выше, чем при антипараллельном направлении намагниченностей (рис.  3b). Первый режим функционирования детектора можно сравнить с футбольным матчем без вратаря: все мячи, посланные в сетку ворот, оборачиваются голом. Второму же режиму соответствует игра с очень хорошим голкипером, отражающим все летящие в ворота мячи.

Следует отметить, что при комнатной температуре транзистор всё же имеет не очень высокую эффективность работы. Хорошие результаты работы прибор показал при температуре –73°C (150 K). Так что исследователям еще нужно поработать над увеличением температурных интервалов функционирования транзистора. Авторы уверены, что с помощью их устройства вполне достижима стопроцентная спиновая поляризация, при которой все инжектированные электроны имеют ориентацию либо «спин-вверх», либо «спин-вниз» . Высокая степень поляризация позволяет более точно определять величину спинового тока, избавляя логическое устройство (в данном случае подразумевается конечное устройство на базе массива из спиновых транзисторов) от ошибок при анализе и обработке информации.

Итак, создание революционного устройства — спинового транзистора на кремнии, способного перемещать спины с выделенным направлениям на сотни микрометров в пространстве, — состоялось, ознаменовав тем самым старт для создания сверхбыстрой и низко энергопотребляющей электроники нового поколения. Это первое в мире спин-электронное устройство на кремнии, имеющее высокую степень спиновой поляризации при температуре, близкой к комнатной. По своей важности это событие может быть сравнимо с открытием классического полупроводникового транзистора шесть десятилетий назад. Нам остается только пожелать исследователям новых научных успехов и ждать появления электронной техники нового поколения.

 

Александр Самардак

Эта статья на «Элементах».

Транзистор — полупроводниковый элемент, устройство.

Как транзистор работает, из чего состоит, для чего нужен?

Транзистор (transistor) – полупроводниковый элемент с тремя выводами (обычно), на один из которых (коллектор) подаётся сильный ток, а на другой (база) подаётся слабый (управляющий ток). При определённой силе управляющего тока, как бы «открывается клапан» и ток с коллектора начинает течь на третий вывод (эмиттер).

То есть транзистор – это своеобразный клапан, который при определённой силе тока, резко уменьшает сопротивление и пускает ток дальше (с коллектора на эмиттер). Происходит это потому, что при определенных условиях, дырки имеющие электрон, теряют его принимая новый и так по кругу. Если к базе не прилагать электрический ток, то транзистор будет находиться в уравновешенном состоянии и не пропускать ток на эмиттер.

В современных электронных чипах, количество транзисторов исчисляется миллиардами. Используются они преимущественно для вычислений и состоят из сложных связей.

Полупроводниковые материалы, преимущественно применяемые в транзисторах это: кремний, арсенид галлия и германий. Также существуют транзисторы на углеродных нанотрубках, прозрачные для дисплеев LCD и полимерные (наиболее перспективные).

 

Разновидности транзисторов:

Биполярные – транзисторы в которых носителями зарядов могут быть как электроны, так и «дырки». Ток может течь, как в сторону эмиттера, так и в сторону коллектора. Для управления потоком применяются определённые токи управления.

Полевые транзисторы – распротранёные устройства в которых управление электрическим потоком происходит посредством электрического поля. То есть когда образуется большее поле – больше электронов захватываются им и не могут передать заряды дальше. То есть это своеобразный вентиль, который может менять количество передаваемого заряда (если полевой транзистор с управляемым p—nпереходом). Отличительной особенностью данных транзисторов являются высокое входное напряжение и высокий коэффи­циент усиления по напряжению.

Комбинированные – транзисторы с совмещёнными резисторами, либо другими транзисторами в одном корпусе. Служат для различных целей, но в основном для повышения коэффициента усиления по току.

 

Подтипы:

Био-транзисторы – основаны на биологических полимерах, которые можно использовать в медицине, биотехнике без вреда для живых организмов. Проводились исследования на основе металлопротеинов, хлорофилла А (полученного из шпината), вируса табачной мозаики.

Одноэлектронные транзисторы – впервые были созданы российскими учёными в 1996 году. Могли работать при комнатной температуре в отличии от предшественников. Принцип работы схож с полевым транзистором, но более тонкий. Передатчиком сигнала является один или несколько электронов. Данный транзистор также называют нано- и квантовый транзистор. С помощью данной технологии, в будущем рассчитывают создавать транзисторы с размером меньше 10 нм, на основе графена.

 

Для чего используются транзисторы?

Используются транзисторы в усилительных схемах, лампах, электродвигателях и других приборах где необходимо быстрое изменение силы тока или положение вклвыкл. Транзистор умеет ограничивать силу тока либо плавно, либо методом импульспауза. Второй чаще используется для ШИМ-управления. Используя мощный источник питания, он проводит его через себя, регулируя слабым током.

Если силы тока недостаточно для включения цепи транзистора, то используются несколько транзисторов с большей чувствительностью, соединённые каскадным способом.

Мощные транзисторы соединённые в один или несколько корпусов, используются в полностью цифровых усилителях на основе ЦАП. Часто им требуется дополнительное охлаждение. В большинстве схем, они работают в режиме ключа (в режиме переключателя).

Применяются транзисторы также в системах питания, как цифровых, так и аналоговых (материнские платы, видеокарты, блоки питания & etc).

Центральные процессоры, микроконтроллёры и SOC тоже состоят из миллионов и миллиардов транзисторов, соединённых в определённом порядке для специализированных вычислений.

Каждая группа транзисторов, определённым образом кодирует сигнал и передаёт его дальше на обработку. Все виды ОЗУ и ПЗУ памяти, тоже состоят из транзисторов.

Все достижения микроэлектроники были бы практически невозможны без изобретения и использования транзисторов. Трудно представить хоть один электронный прибор без хотя бы одного транзистора.

STANLEY ELECTRIC CO., LTD. ФОТО ТРАНЗИСТОР — Поиск продуктов

Фототранзистор, 800 нм, 0,05 А I(C)

PD202 Спецификация

ПОСЛЕДНИЕ НИЗКИЕ Н/Д

ПОСЛЕДНИЕ ВЫСОКИЕ Н/Д

Проверить доступность

Фототранзистор, 800 нм, 0,02 А I(C)

PD502 Лист данных

ПОСЛЕДНИЕ НИЗКИЕ Н/Д

ПОСЛЕДНИЕ ВЫСОКИЕ Н/Д

Проверить доступность

Фототранзистор, 800нм, 0. 03А Я(С)

PS302 Спецификация

ПОСЛЕДНИЕ НИЗКИЕ Н/Д

ПОСЛЕДНИЕ ВЫСОКИЕ Н/Д

Проверить доступность

Фототранзистор, 800 нм, 0,03 А I(C)

PD403 Лист данных

ПОСЛЕДНИЕ НИЗКИЕ Н/Д

ПОСЛЕДНИЕ ВЫСОКИЕ Н/Д

Проверить доступность

Фототранзистор, 800нм, 0.03А Я(С)

PD302 Спецификация

ПОСЛЕДНИЕ НИЗКИЕ Н/Д

ПОСЛЕДНИЕ ВЫСОКИЕ Н/Д

Проверить наличие

Фототранзистор, 800 нм, 0,03 А I(C)

PD504 Технический паспорт

ПОСЛЕДНИЙ НИЗКИЙ Н/Д

ПОСЛЕДНИЙ ВЫСОКИЙ Н/Д

Проверить доступность

Фототранзистор, 800нм, 0. 02А Я(С)

PS504 Спецификация

ПОСЛЕДНИЕ НИЗКИЕ Н/Д

ПОСЛЕДНИЕ ВЫСОКИЕ Н/Д

Проверить наличие

Фототранзистор, 800 нм, 0,03 А I(C)

PD307 Спецификация

ПОСЛЕДНИЕ НИЗКИЕ Н/Д

ПОСЛЕДНИЕ ВЫСОКИЕ Н/Д

Проверить наличие

Фототранзистор, 800нм, 0.02А Я(С)

PS505 Спецификация

ПОСЛЕДНИЕ НИЗКИЕ Н/Д

ПОСЛЕДНИЕ ВЫСОКИЕ Н/Д

Проверить наличие

Фототранзистор, 800 нм, 0,03 А I(C)

PD306 Лист данных

ПОСЛЕДНИЕ НИЗКИЕ Н/Д

ПОСЛЕДНИЕ ВЫСОКИЕ Н/Д

Проверить наличие

Фототранзистор, 800нм, 0. 02А Я(С)

PS502 Спецификация

ПОСЛЕДНИЕ НИЗКИЕ Н/Д

ПОСЛЕДНИЕ ВЫСОКИЕ Н/Д

Проверить доступность

Фототранзистор, 800 нм, 0,03 А I(C)

PS202 Спецификация

ПОСЛЕДНИЕ НИЗКИЕ Н/Д

ПОСЛЕДНИЕ ВЫСОКИЕ Н/Д

Проверить наличие

Фототранзистор, 880нм, 0.03А Я(С)

PS3022 Спецификация

ПОСЛЕДНИЕ НИЗКИЕ Н/Д

ПОСЛЕДНИЕ ВЫСОКИЕ Н/Д

Проверить наличие

Фототранзистор, 880 нм, 0,03 А I(C)

PS3062 Спецификация

ПОСЛЕДНИЕ НИЗКИЕ Н/Д

ПОСЛЕДНИЕ ВЫСОКИЕ Н/Д

Проверить наличие

Фототранзистор, 880нм

PS5132 Лист данных

ПОСЛЕДНИЕ НИЗКИЕ Н/Д

ПОСЛЕДНИЕ ВЫСОКИЕ Н/Д

Проверить доступность

Фототранзистор, 880нм, 0. 03А Я(С)

PS5022 Лист данных

ПОСЛЕДНИЕ НИЗКИЕ Н/Д

ПОСЛЕДНИЕ ВЫСОКИЕ Н/Д

Проверить доступность

Фототранзистор, 880 нм, 0,03 А I(C)

PS3072 Лист данных

ПОСЛЕДНИЕ НИЗКИЕ Н/Д

ПОСЛЕДНИЕ ВЫСОКИЕ Н/Д

Проверить наличие

Фототранзистор, 880нм, 0.03А Я(С)

PS4032 Лист данных

ПОСЛЕДНИЕ НИЗКИЕ Н/Д

ПОСЛЕДНИЕ ВЫСОКИЕ Н/Д

Проверить наличие

Фототранзистор, 880нм

PS5042 Технический паспорт

ПОСЛЕДНИЙ НИЗКИЙ Н/Д

ПОСЛЕДНИЙ ВЫСОКИЙ Н/Д

Проверить доступность

Фототранзистор, 880нм

PS3322 Лист данных

ПОСЛЕДНИЕ НИЗКИЕ Н/Д

ПОСЛЕДНИЕ ВЫСОКИЕ Н/Д

Проверить доступность

Фототранзистор, 880нм, 0. 03А Я(С)

PS5052 Лист данных

ПОСЛЕДНИЕ НИЗКИЕ Н/Д

ПОСЛЕДНИЕ ВЫСОКИЕ Н/Д

Проверить наличие

Фототранзистор, 880 нм, 0,05 А I(C)

PS2022 Лист данных

ПОСЛЕДНИЕ НИЗКИЕ Н/Д

ПОСЛЕДНИЕ ВЫСОКИЕ Н/Д

Проверить доступность

Фототранзистор, 880нм

PS1192F Лист данных

ПОСЛЕДНИЙ НИЗКИЙ Н/Д

ПОСЛЕДНИЙ ВЫСОКИЙ Н/Д

Проверить наличие

Фототранзистор, 880нм

PS1102H Лист данных

ПОСЛЕДНИЕ НИЗКИЕ Н/Д

ПОСЛЕДНИЕ ВЫСОКИЕ Н/Д

Проверить наличие

Фототранзистор, 880нм N/A

История транзистора («Хрустальный триод»)

 

 

«Природа не терпит вакуумных ламп. »

— Дж. Р. Пирс, Bell Labs инженер, который ввел термин «транзистор»

 


Нажмите, чтобы увеличить

С веб-сайта Bell Labs:

«Колокол Labs является родиной Транзистора, изобретающего устройство, которое привело к коммуникационная революция.

Джон Бардин, Уолтер Браттейн и Уильям Шокли открыли эффект транзистора и разработал первое устройство в декабре 1947 года, в то время как все трое были членами технического персонала Bell Laboratories в Мюррей Хилл, Нью-Джерси. [Кому посмотреть патент, см. Патент США № 02569347, выданный 25 сентября 1951 г.]  Они были удостоены Нобелевской премии по физике в 1956 г.

 

Разработан как замена громоздким и неэффективным электронные лампы и механические реле, позже транзистор произвел революцию весь мир электроники. Транзистор положил начало новой эре современной технических достижений от пилотируемых космических полетов и компьютеров до портативные радиоприемники и стереосистемы.Сегодня миллиарды транзисторов производится еженедельно.»

 

Вот несколько страниц из лабораторных тетрадей Уолтера Браттейна от 24 декабря 1947 год, когда был успешно испытан первый в мире транзистор. То Пресс-релиз Bell Labs о транзисторе от 1 июля 1948 г. просмотрено по клику ЗДЕСЬ .

 

По лабораториям Белла был разослан бюллетень для название транзистора. ЗДЕСЬ является (плохой) копией этого бюллетеня.

 

И как многие из вас знают о Транзисторной водонапорной башне в Bell Labs? Нажмите ЗДЕСЬ , чтобы узнать.

Мы предлагаем индивидуальные встречи один на один Оказание услуг!

Позвоните нам сегодня по телефону (651) 787-DIAL (3425)


Источник: Bell Labs
Щелкните изображение выше, чтобы увеличить его

» Изображение первого транзистора когда-либо собранный , изобретенный в Bell Labs в 1947 году. Это называлось точечным контактом. транзистор, потому что усиление или действие транзистора произошло, когда два остроконечных металлические контакты прижимались к поверхности полупроводникового материала. То контакты, поддерживаемые клиновидным куском изоляционного материала, расположены очень близко друг к другу, так что их разделяют лишь несколько тысячные доли дюйма. Контакты сделаны из золота, а полупроводник германий. Полупроводник опирается на металлическую основу.

 


Источник: Bell Labs
Щелкните изображение выше, чтобы увеличить его

Форма транзистора изменилась с тех пор, как он был изобретен в Bell Labs в 1947 году в качестве замены вакуумная труба.По часовой стрелке сверху: вакуумная трубка 1941 года, использованная для телефона. коммуникации; транзистор с точечным контактом, представленный 30 июня 1948 г. миру через шесть месяцев после его изобретения; Транзистор 1955 года, который заменил электронные лампы в сетевом коммуникационном оборудовании; 1957 высокий диффузор частотный широкополосный усилитель; Микрочип 1967 года, используемый для воспроизведения тонов в кнопочный телефонный аппарат, содержащий два транзистора; и (в центре) Lucent Чип цифрового сигнального процессора, который может содержать до 5 миллионов транзисторов, используемых в модемах и сотовой связи.

 


Германиевый транзистор Bell Laboratories был изготовлен в 1950 году

PDF-файл, содержащий изображения страниц в настоящей лабораторной тетради, использовавшейся во время изобретения транзистор можно посмотреть ЗДЕСЬ .

Основные вехи в Transistor Electronics
из журнала Bell Laboratories Record — январь 1975 г., стр.74

1948 — ТОЧЕЧНЫЙ КОНТАКТ ТРАНЗИСТОР

1950 — ГЕРМАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ

1951 — ВЫРАЩЕННЫЙ ТРАНЗИСТОР

1952 — ТРАНЗИСТОР СОЕДИНЕНИЯ СПЛАВА

1952 — ЗОНА ПЛАВКИ И РАФИНАЦИИ

1952 — МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ КРЕМНИЙ

1955 — ТРАНЗИСТОРЫ С РАССЕЯННОЙ БАЗОЙ

1957 — МАСКИРОВКА ОКСИДОМ

1960 — ПЛАНАРНЫЙ ТРАНЗИСТОР

1960 — МОП-транзистор

1960 — ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР

1961 — ИНТЕГРАЛЬНЫЕ СХЕМЫ

 

Гордон Тил в Texas Instruments (TI) руководил разработкой кремниевого транзистора. Инструменты Техаса’ кремниевое устройство с тремя длинными выводами стало известным, сделав TI единственным поставщик кремниевых транзисторов в течение нескольких лет в 1950-х годах. Моррис Таненбаум из Bell Labs на самом деле сделал первый кремниевый транзистор, но он чувствовал, «это не выглядело привлекательным» с производственной точки зрения.

 


АРХИВЫ AT&T


ПРЕДШЕСТВЕННИК КРЕМНИЯ:
Гордон Тил [слева], во время работы в Bell Labs, и его коллега-химик Морган Спаркс успешно изготовили первый рабочий переход транзистора из германиевого кристалла.

Архивы AT&T — Транзистор, официальный телефон Bell Фильм Лаборатории об изобретении транзистора под названием » Транзистор « .

PBS недавно показал отличный документальный фильм о транзисторе. изобретение под названием « Transistorized! » . Я купил видеокассету шоу и очень рекомендую ее.

«Родина г. Транзистор» — Bell Labs 1953 реклама изобретения транзистор. (Скан предоставлен Марком Берденом)

Рейтеон Реклама транзисторов CK722 и CK721 в феврале 1953 г. выпуск журнала «Новости радио и телевидения».

Звонок Лаборатории Рекорд — 50 лет Транзисторы

 

Лаборатории Белла: Более 50 лет Транзистора — Этот документ был когда-то доступен на Веб-сайт Bell Labs , но с тех пор исчез.Однако он сохраняется в виде архива на этом веб-сервере.

Кто на самом деле изобрел транзистор?

Некоторые историки говорят, что Bell Labs не должна получать все кредит. Чтобы прочитать статью о других, которые способствовали этому изобретение, нажмите ЗДЕСЬ.

 

Моя винтажная коллекция Транзисторы

Я собрал десятки транзисторов с тех пор, как был подросток.Другие дети моего возраста собирали пластинки, но транзисторы занимают намного меньше места, чем пластинки!

На первом фото мое последнее приобретение редкого транзистор с точечным контактом Western Electric под номером 2N23. На самом деле у меня их трое, два до сих пор запечатаны в конверты из фольги внутри картонного контейнера.

 


Крупный план верхней части транзистора 2Н23 изготовлен компанией Western Electric в 1954 г.

 

Нажмите на следующие ссылки, чтобы просмотреть больше фотографий этого редкий транзистор 2N23:

Фото 1 — Фото 2 — Фото 3 — Фото 4 — Фото 5

 

Существует отличный веб-сайт по истории полупроводников. в котором есть некоторая информация об этом транзисторе 2N23, а также о многих других изготовлены первые транзисторы.Нажмите ЗДЕСЬ для входа на страницу этого сайта на 2N23.


Далее мой Western Electric 2N110, код даты 1967. Нажмите на изображения для просмотра в полном размере.


Тип корпуса «Top Hat»
был довольно популярен среди
нескольких производителей в
1960-х, включая General
Electric (GE). Здесь показан номер
моей детали Western Electric
под номером 2N110.


Крупный план нижней части, где
провода выходят из металлического корпуса
, заполненного эпоксидной смолой.
Обратите внимание на фантомный «четвертый» вывод
 , который обрезан на поверхности
эпоксидной смолы.

Пара  Белл В наборах для научных экспериментов Labs (Bell System) были Western Electric транзисторы в них. Один комплект, От Солнца до Звук, понравилось позолоченный транзистор в нем. Вот еще несколько фото крупным планом этого золотого красота и свинцовые обозначения (нажмите на картинку для увеличения):

Вот несколько фотографий из моей личной коллекции не — Транзисторы Western Electric:

Нажмите на изображения выше для просмотра полноразмерный

 

Для некоторых ОТЛИЧНЫХ персональных сайтов по истории транзисторы и транзисторные приборы см.:


Пресс-папье «Транзистор» Bell Labs

 

 


Нажмите на изображение выше, чтобы увидеть весь «Первый день Конверт «Обложка»

 

 

Может ли транзистор быть результатом «обратной разработки» электронного Останки НЛО, приземлившегося в Розуэлле в 1947 году?

Органический тонкопленочный транзистор с использованием фотоотверждаемой органики/неорганики…: Ингента Коннект

В качестве диэлектрика затвора органического полевого транзистора использовали полиэдрическое олигомерное производное силсесквиоксана (POSS-OXT), содержащее фотоотверждаемые 4-членные циклические оксетановые функциональные группы. POSS-OXT был сшит и полностью затвердел под действием УФ-облучения в присутствии выбранного генератора фотокислоты, и была получена однородная тонкая пленка без точечных отверстий. Мы изготовили устройство металл/изолятор/металл Au/POSS-OXT (300 нм)/Au площадью 0,7 мм 2 и измерили ток утечки и емкость устройства для оценки изолирующих свойств тонкой пленки POSS-OXT.Максимальный ток составлял около 0,25 нА при подаче на устройство 40 В. Наблюдаемые значения емкости на единицу площади и коэффициента рассеяния составили 11,4 нФ/см 2 и 0,025 соответственно. Мы изготовили органический тонкопленочный транзистор с пентаценом. в качестве активного полупроводника и фотосшитый POSS-OXT в качестве изолятора. С помощью устройства была получена подвижность носителей полевого эффекта 0,03 см 2 /В·с.

Справочная информация отсутствует. Войдите, чтобы получить доступ.

Информация о цитировании отсутствует. Войдите, чтобы получить доступ.

Нет дополнительных данных.

Нет статьи Носитель

Нет показателей

Ключевые слова: ОРГАНИЧЕСКИЙ ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР; ФОТОРИСУНОК ИЗОЛЯТОР; ПОЛИЭДРИЧЕСКИЙ ОЛИГОМЕРНЫЙ СИЛСЕСКВИОКСАН

Тип документа: Исследовательская статья

Дата публикации: 1 сентября 2008 г.

Подробнее об этой публикации?
  • Journal for Nanoscience and Nanotechnology (JNN) — это международный междисциплинарный рецензируемый журнал с широким охватом, объединяющий исследовательскую деятельность во всех областях нанонауки и нанотехнологии в единый и уникальный справочный источник.JNN является первым междисциплинарным журналом, в котором публикуются оригинальные полные исследовательские статьи, оперативные сообщения о важных новых научных и технологических открытиях, своевременные обзоры современного состояния с фотографией автора и краткой биографией, а также текущие новости исследований, охватывающие фундаментальные и прикладные исследования. исследования во всех областях науки, техники и медицины.

  • Редколлегия
  • Информация для авторов
  • Подписаться на этот заголовок
  • Положения и условия
  • Ingenta Connect не несет ответственности за содержание или доступность внешних веб-сайтов

Sony разрабатывает первую в мире многослойную технологию КМОП-сенсора изображения с двухслойным транзисторным пикселем|Новости|Sony Semiconductor Solutions Group

Пресс-релизы на этом веб-сайте предназначены только для исторической справки.
Обратите внимание, что некоторая информация могла измениться с момента выпуска.

Sony разрабатывает первый в мире

*1 составной датчик изображения CMOS
с двухслойным транзистором Pixel
расширяет динамический диапазон и снижает уровень шума на
Приблизительно удвоение *2 Уровень сигнала насыщения *3

Корпорация Sony Semiconductor Solutions

*1: По состоянию на 16 декабря 2021 г.

*2: На основе сравнения в эквиваленте одного квадратного микрометра между существующим датчиком изображения и новой технологией, примененной к CMOS-датчику изображения Sony с тыловой подсветкой; на момент объявления 16 декабря 2021 г.

*3: Максимальная емкость хранения электронов одного пикселя.

Sony Semiconductor Solutions Corporation («Sony») преуспела в разработке первой в мире *1 многослойной КМОП-матрицы с технологией 2-Layer Transistor Pixel.В то время как фотодиоды и пиксельные транзисторы обычных КМОП-датчиков изображения занимают одну и ту же подложку, новая технология Sony разделяет фотодиоды и пиксельные транзисторы на разных слоях подложки. Эта новая архитектура приблизительно удваивает уровень сигнала насыщения * 2 по сравнению с обычными датчиками изображения, расширяет динамический диапазон и уменьшает шум, тем самым существенно улучшая характеристики изображения. Структура пикселей новой технологии позволит пикселям сохранять или улучшать свои существующие свойства не только при текущих, но и при меньших размерах пикселей.
Sony объявила об этом прорыве на международной конференции IEEE по электронным устройствам, которая началась в субботу, 11 декабря 2021 года.

■ Многослойные архитектуры датчиков изображения CMOS

Многоуровневый КМОП-датчик изображения использует многоуровневую структуру, состоящую из пиксельного чипа, состоящего из пикселей с задней подсветкой, сложенных поверх логического чипа, где формируются схемы обработки сигналов. Внутри пиксельного чипа фотодиоды для преобразования света в электрические сигналы и пиксельные транзисторы для управления сигналами расположены рядом друг с другом на одном слое.Повышение уровня сигнала насыщения в рамках ограничений форм-фактора играет важную роль в реализации высокого качества изображения с широким динамическим диапазоном.

Новая архитектура

Sony — это шаг вперед в многоуровневой технологии датчиков изображения CMOS. Используя запатентованную технологию стекирования, Sony разместила фотодиоды и пиксельные транзисторы на отдельных подложках, уложенных друг на друга.
Напротив, в обычных многослойных КМОП-датчиках изображения фотодиоды и пиксельные транзисторы располагаются рядом друг с другом на одной подложке.Новая технология стекирования позволяет использовать архитектуры, которые позволяют оптимизировать каждый слой фотодиода и пиксельного транзистора, тем самым приблизительно удваивая уровень сигнала насыщения по сравнению с обычными датчиками изображения и, в свою очередь, расширяя динамический диапазон.

Кроме того, поскольку пиксельные транзисторы, отличные от вентилей передачи (TRG), включая транзисторы сброса (RST), транзисторы выбора (SEL) и транзисторы усилителя (AMP), занимают слой, свободный от фотодиодов, транзисторы усилителя могут быть увеличены в размерах.Увеличив размер транзистора усилителя, Sony удалось существенно снизить шум, которому подвержены изображения в ночное время и в других темных местах.
Расширенный динамический диапазон и шумоподавление, обеспечиваемые этой новой технологией, предотвратят недодержку и передержку в условиях с сочетанием яркого и тусклого освещения (например, при контровом освещении) и позволят получать высококачественные изображения с низким уровнем шума даже при слабом освещении (например, , в помещении, в ночное время).
Sony будет способствовать реализации все более высококачественных изображений, таких как фотографии смартфонов, с помощью технологии 2-Layer Transistor Pixel.

Применение к тройному инвертору с фотоуправлением — Корейский университет

@article{f7016f97f3af4019b424d4300af27f08,

title = «Фоточувствительный полевой транзистор с гетеропереходом MoS2/органический рубрен: применение к тройному инвертору с фотозапуском»,

7

аннотация = «Схемы многозначной логики (MVL) с более высокой эффективностью, такие как троичный инвертор, можно рассматривать как многообещающие структуры для преодоления ограничений двоичной системы.Исследованы фоточувствительные характеристики двумерного (2D) MoS2 и органического рубренового нанолиста (NS) np-гетеропереходного полевого транзистора (FET) с целью создания нового трехкомпонентного инвертора с фотоуправлением в виде схемы MVL. . Характеристики антиамбиполярного транзистора (AAT) наблюдались для полевых транзисторов с гетеропереходом MoS2/органический рубрен-NS с n-p гетеропереходом. Последовательно соединенные устройства, состоящие из ААТ с одним полевым транзистором на основе MoS2 (n-типа) или с одним полевым транзистором на основе рубрена-NS (p-типа), были изготовлены для исследования характеристик инвертора, которые могут иметь преимущества по сравнению с обычными дополнительными металл-оксид-полупроводник, используемый в двоичной логической схеме.Интересно, что инверторы, использующие ААТ, соединенные последовательно с полевым транзистором p-типа на основе рубрена-НС, успешно работали в качестве цепей MVL при световом облучении. Характеристики новых трехкомпонентных инверторов с фотоуправлением обусловлены отличной фоточувствительностью органического рубрена-НС p-типа, а также положительным сдвигом порогового напряжения ААТ и полевого транзистора на основе рубрена-NS p-типа на основе эффект фотозатвора, достигаемый при определенных условиях светового облучения. В этой работе новый фото-триггер (т.е. фотоуправляемый) тройной инвертор с использованием 2D-MoS2 и органических полупроводниковых полевых транзисторов с гетеропереходом рубрен-NS был успешно реализован. Гетеропереходы 2D неорганических и органических полупроводников обладают большим потенциалом для разработки новых светочувствительных схем MVL и многофункциональных транзисторов с исключительными характеристиками и производительностью, включая энергосбережение.»,

ключевых слов = «полевой транзистор, дисульфид молибдена, фотозатвор , rubrene, троичный инвертор»,

автор = «Пак, {Чхоль Джун} и Пак, {Хён Чжон} и Ким, {Джун Ён} и Ли, {Сан Хун} и Ёнджун Ли, Чонён Ким и Джинсу Джу»,

год = «2020»,

месяц = ​​июнь,

дои = «10.1088/1361-6641/ab843a»,

язык = «английский»,

том = «35»,

журнал = «Semiconductor Science and Technology»,

issn = «0268-1242»,

издатель = «IOP Publishing Ltd.»,

номер = «6»,

}

Знакомство с фототранзистором | LEARN.PARALLAX.COM

из трех его терминалов.Третий вывод контролирует, сколько тока проходит через два других. В зависимости от типа транзистора протекание тока может регулироваться напряжением, током или, в случае фототранзистора, светом.

На приведенном ниже рисунке показана схема и чертеж части фототранзистора из комплекта Robotics Shield. Яркость света, падающего на клемму базы (B) фототранзистора, определяет, сколько тока он пропускает на клемму коллектора (C) и выходит через клемму эмиттера (E).Более яркий свет приводит к большему току; менее яркий свет приводит к меньшему току.

Фототранзистор немного похож на светодиод. Два устройства действительно имеют два сходства. Во-первых, если вы подключите фототранзистор в схеме наоборот, он не будет работать правильно. Во-вторых, он также имеет два контакта разной длины и плоское пятно на пластиковом корпусе для идентификации клемм. Более длинный из двух контактов указывает на вывод коллектора фототранзистора. Более короткий контакт указывает на эмиттер и соединяется ближе к плоскому пятну на прозрачном пластиковом корпусе фототранзистора.

Световые волны

В океане можно измерить расстояние между пиками двух соседних волн в футах или метрах. Для света, который также распространяется волнами, расстояние между соседними пиками измеряется в нанометрах (нм), что составляет миллиардные доли метра. На рисунке ниже показаны длины волн для цветов света, с которыми мы знакомы, а также для некоторых цветов, которые человеческий глаз не может обнаружить, таких как ультрафиолетовый и инфракрасный.

Фототранзистор в комплекте Robotics Shield наиболее чувствителен к длинам волн 850 нм, что находится в инфракрасном диапазоне.Инфракрасный свет не виден человеческому глазу, но многие различные источники света излучают его в значительных количествах, включая галогенные лампы и лампы накаливания и особенно солнце. Этот фототранзистор также реагирует на видимый свет, хотя он менее чувствителен, особенно к длинам волн ниже 450 нм.

Схемы фототранзисторов, описанные в этой главе, предназначены для работы в помещении с флуоресцентным освещением или лампами накаливания. Обязательно избегайте попадания прямых солнечных лучей и прямых галогенных ламп; они зальют фототранзисторы слишком большим количеством инфракрасного света.

  • В зоне робототехники закройте жалюзи, чтобы не допустить попадания прямых солнечных лучей, и направьте все галогенные лампы вверх, чтобы свет отражался от потолка.

 

Photo Transistor, ट्रांजिस्टर्स in Camp, Pune, Dhwaj International


О компании

Год основания2007

Юридический статус фирмы Физическое лицо — Собственник

Характер деятельностиОптовый торговец

Количество сотрудниковДо 10 человек

Годовой оборотRs.1–2 крор

IndiaMART Участник с июля 2012 г.

GST27AADPJ7898Q1ZM

Код импорта-экспорта (IEC) 03090 *****

Экспорт в Венесуэлу, Польшу, США

Основанная в 2007 , Dhwaj International , является ведущей организацией, занимающейся экспортером и оптовиком, поставщиком, поставщиком услуг, импортером и торговцем качественными электронными компонентами.Наша широкая гамма продуктов включает в себя интегральные схемы, электронные компоненты и полупроводники, а также IGBT, силовые модули и тиристоры, которые используются в различном оборудовании, таком как системы сигнализации, кабельное телевидение, коммуникационное оборудование, электронные кассовые аппараты, электроинструменты, системы на солнечных батареях и телекоммуникационные системы. . С момента образования нашей организации мы были связаны с сочтенными продавцами рынка, которые достаточно эффективны, чтобы удовлетворить оптовые & срочные заказы покровителей в пределах указанного графика времени.Кроме того, мы считаем нашу команду самой сильной стороной нашей фирмы, которая помогает нам на каждом этапе всей нашей бизнес-процессы. Мы экспортируем нашу качественную продукцию по всему миру . Для лучшего результата пришлите нам электронный номер детали.

Мы построили внутренний отдел контроля качества, в котором наша предлагаемая гамма подвергается строгим испытаниям по заранее определенным отраслевым параметрам. Каждый продукт тщательно проверяется нашими инспекторами по качеству перед его окончательной доставкой клиенту.В дополнение к этому, у нас есть просторная и большая единица складирования, которая помогает нам держать наш предлагаемый диапазон под безопасной и надежной окружающей средой. С помощью этих эффективных и умных профессионалов мы предоставляем клиентам продукцию самого высокого качества, и мы поддерживаем дружеские деловые отношения с нашими престижными клиентами по всему рынку. Мы следуем этической политике ведения бизнеса и поддерживаем прозрачность в сделках, что позволило нам добиться максимального удовлетворения наших клиентов по всему миру и завоевать репутацию в отрасли .

Видео компании

.

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован.

2022 © Все права защищены.