Транзистор қазақша: Транзисторлар реферат қазақша — Топиктер ағылшынша — Қазақша кітаптар — Қазақша тесттер мен шпорлар

Содержание

Транзисторлар реферат қазақша — Топиктер ағылшынша — Қазақша кітаптар — Қазақша тесттер мен шпорлар

Жоспары:
1.    Кіріспе
2.    Транзисторлар, олардың түрлері
3.    Өрістік және биполярлы транзисторлар
4.    Жұмыс істеу принципі
5.    Қорытынды

Транзисторлар және олардың түрлері


Транзистор (ағылш. transfer — тасымалдау және resistor — кедергіш) — токты күшейтуге, түрлендіруге арналған үш электродты жартылай өткізгіш құрал. Транзисторға жіберілген аз ток (кернеу) үлкен ток ағынын басқарады.
Транзистор — электр тербелістерін күшейтуге, оны тудыруға және түрлендіруге арналып жартылай өткізгіш кристалл негізінде жасалған электрондық прибор.Электрондық лампа сияқты қызмет атқаратын транзисторлар одан өлшемінің едәуір кішілігімен, электр энергиясын тұтынудағы аса үнемділігімен, механикалық аса беріктігімен және бүлінбей ұзақ жұмыс істейтіндігімен, бірден әсер етуге әзірлігімен ерекшеленеді. Радиолампа орнына қолданылатын жартылай өткізгіш аспаптар (транзисторлар) негізінде жасалған өте кішкентай радиоқабылдағыштарды көбінесе транзисторлар деп дұрыс атамайды; оның дұрыс атауы — транзисторлы қабылдағыш немесе транзистор негізінде жасалған қабылдағыш.


Ең бірінші транзистор алтын фольгасына оралған үшкір пластиктен, аз мөлшерде германийден тұратын. Көпшілік те, ғалымдар да бұл нәрсенің қалай істейтінін түсіндіре алмады, ол құрал арқылы тек радио тыңдады.
Алғаш өріс эффектсіне негізделген транзисторге патентті Канадада Julius Edgar Lilienfeld 1925 жылы 22 қазанда тіркеді. Бірақ ол өзінің құрылғысы туралы мәлімет таратпағандықтан, жетістігі ескерілмеді. Кейін, 1934 жылы неміс ғалымы Oskar Heil өріс эффектсіне негізделген басқа тразисторге патент алады.
1947 ж. желтоқсанның 16 Уильям Шокли (William Shockley), Джон Бардин (John Bardeen), Уолтер Брэттэйн (Walter Brattain) істейтін транзистор жасағандығы туралы хабарлады. Бұл кезде олар Bell Labs. -та істейтін еді.
 
 
Алғашқы жұмыс істейтін транзистордың көшірмесі.
Bell Labs. патент алып, нарыққа шығады. Бірақ Bell Labs. барлық қиындықтарды жеңе алмай, 1952 жылы транзисторға патентті сатып жібереді. Сол уақыттан бері транзисторлар барлық жерде таралды.

Транзистор өрістік (униполярлы) және биполярлы деп бөлінеді.
Өрістік (арналық) транзистор – жұмыстық токтың өзгеруі кіріс сигналы тудыратын, оған перпендикуляр бағытталған электр өрісі әрекетінен болатын транзистор. Өрістік транзисторларда кристалл арқылы өтетін токты тек бір таңбалы заряд тасушы –электрон немесе кемтік тудырады. Заряд тасушыларды басқаруға негізделетін физикалық эффектілерге қарай өрістік транзисторлар шартты түрде 2 топқа: басқаратын р-п электрон-кемтіктік ауысуы бар немесе металл-шалаөткізгіш түйіспелі, оқшауланған, жапқылы металл-диэлектрик-шалаөткізгіш (МДШ) транзисторлар деп бөлінеді.

Өрістік транзисторлар әдетте кремний немесе галий арсениді негізінде жасалады. Олардың тұрақты ток бойынша кірістік және шығыстық кедергілері жоғары, инерциялығы төмен, жиіліктік шегі жоғары болып келеді. Өрістік транзисторлар байланыс, есептеуіш техникаларында, теледидарда шусыз, қуатты және ауыстырып-қосқыш (кілттік) ретінде қолданылады. Металл-диэлектрик-шалаөткізгіш (МДШ) құрылымды өрістік транзисторлар интегралдық сұлбаларда кеңінен қолданылады.
Өрістік транзистор күшейту қасиеті өткізуші арна арқылы өтетін негізгі тасымалдағыштар ағымымен және басқарушы электрлік өріспен анықталынатын шала өткізгішті аспап. Өрістік транзистор униполерлы транзистор да, өйткені оның жұмысы тек негізгі тасымалдағыштарды қолдануға ғана негізделген. Сондықтан өрістік транзисторда негізгі емес зарядтардың жиналып қалған үлкен көлемін сору сияқты үрдістер болмайды. 
Құрастыру және технологиялық дайындау жолдары бойынша өрістік транзисторды екі топқа бөлуге болды: басқарушы р-п ауысуы бар өрістік транзистор және оқшауланған затворы бар транзистор. 
Басқарушы p-n ауысуы бар өрістік транзторлар сызықтық сұлбалар, сызықтық күшейткіштер, аналогты кілттер және т.б жасауда қолданылады. Бекітпесі оқшауланған  МОП- транзисторлар екіге бөлінеді: орнатылған арналы (біріккен тип) және индуцияланған арналы (қанықан тип). Соңғысы цифрлық интегралдық сұлбаларда кеңінен қолданылады.
Артықшылығы: Статикада қолданылатын (p) қуатының аздығы, Rкір= 1012-1014 Ом кіріс кернеуінің жоғарылығына байланысты кіріс Uбекітпе бастау кернеуі мен алынатын (p) қуаттың аздығы.
Кіріс және шығыс кернеулер деңгейлері тең:  Uкір= Uшығ. Жоғары температура кезінде бекітпе тоғының аздығы. Логикалық сұлбалары каскады арасында тікелей байланыс орнатуға мүмкіндік береді. Интегралды сұлбаларда қолданылады, бағасы арзан.
Төменде n МОП транзистрлардың шартты графикалық белгіленулері көрсетілген. 
                                                                                                 
Басқарушы p-n ауысуы және n-арнасы бар өрістік транзистор    Орнатылған арнасы бар МДП-транзистор    Индуцирленген арнасы бар  
МОП транзисторлардың кіріс Rкір кедергісі басқарушы Uбекітпе бастау кернеуінің шамасы мен өрістілігіне тәуелсіз.
Басқарушы р-п ауысуы бар өрістік транзисторлар –бекітпесі электрлік тұрғыда р-п ауысыз мен арнадан жекеленген, кері бағытта ауытқыған өрістік транзистор.
    Арнаға заряд тасымалдағыштарын кіргізетін электрод – бастауда; арнадан заряд тасымалдарын шығаратын электрод құйма д.а; арнаның көлденең қимасын реттеуге арналған электрод – бекітпе деп аталынады. Бастауға ( n арналған үшін) теріс, ал құймаға оң кернеу берген кезде арнада бастаудан кұймаға қарай бет алған электрондарын, яғни негізгі заряд тасымалдағыш транзистордың қозғалысы нәтижесінде қалыптасқан электр тоғы пайда болды. Заряд тасымалдағыштарының электронды кемтіктік ауысу арқылы қозғалысы өрістік транзистордың тағы бір ерекшелігі болып табылады. Бекітпе және арка арасында пайда болған электрлік өріс арнадағы заряд тасымалдағыштарының тығыздығыны, яғни ағып өтетін тоқ шамасын өзгертеді. Басқару кері ығысқан р-п ауысуы арқылы орындалатындықтан басқарушы электрод пен арна арасындағы кедергі жоғары болды да, ал бекітпе тізбгінде сигнал көзінен тұтынатын қуат өте аз болады. Сондықтан өрістік транзистор электромагниттік тербелістерді қуат бойынша, тоқ бойынша сондай-ақ тернеу бойынша күшейте алады.
    Үлкен көлемді арнасы бар. Өрістік транзисторда арнаның көлденең кесіндісі кері қосылған р-п ауысуының біріктен қабаттарының ауданының өзгеру есебінен өзгеріп тұрады төмендегі суретте басқарушы р-п ауысуы ортақ басталулы сұлба бойынша қосылған өрістік транзистордың құрылымы көрсетілген р-п ауысуына (Бекітпе-бастау) Uбб кері кернеуі беріледі.
Uбб кернеуін төмендеткенде біріккен қабат (көлемдік зарядаймағы) тереңдігі  өседі, ал арнадағы тоқ өткізу қабаты жіңішкереді. Бұл жағдайда арна, кедергісі жоғарылап, транзистордың Іқ шығыс тоғы азаяды. Uбб тоғы р-п ауысуына кері бағытта ығысқандықтан Ібекітпе тоғы айтарлықтай аз және басқарушы кернеден тәуелді емес. Өрістік транзистор үшін кіріс сипаттамасы (Ібекітпе тоғының Uқұйма-бастау кернеудің тиянақты мәні кезіндегі U бекітпе –бастау кернеуінен тәуелділігі) қолданылмайды, және есептеулер кезінде тек беріліс сипаттамалары мен вольт-амперлік шығыс сипаттамалары қолданылады.
  Оқшауланған бекітпесі бар өрістік транзистор – бекітпесі электрлік тұрғыда арнадан диэлектрик қабаты арқылы бөлінген. Оқшауланған бекітпесі бар өрістік транзисторлар айтарлықтай  жоғары меншікті кедергісі бар шалаөткізгіш пластинадан тұрады, мұнда қарама-қарсы бағытта электр тоғын өткізетін екі аймақ қалыптасқан. Бұл аймаққа металлдық электродтар еңгізілген – бастау және құйма. Бастау мен құйма арасындағы шалаөткізгіштің үсті жұқа қабатты диэлектрикпен (әдетте, оксид кремний қабатымен) жабылған.
Диэлектрик қабатына металлдық электрод еңгізілген — бекітпе. Нәтижесінде металлдан, диэлектриктен және шалаөткізгіштен тұратын құрылым пайда болады. Сондықтан оқшауланған бекітпесі бар МДП- трпнзисторлар немесе МОП транзисторлар (металл-оксид- шалаөткізгіш (полупроводник)) д.а. 
Индуцирленген арнасы бар МДП транзистрлардың қатты біріккен бастау мен құйма арасындағы өткізгіш арна, яғни тоқ нақты 1 өрістілік кезінде немесе бастаумен байланысқан бекітпедегі кернеудің нақты мәнінде (p-арнада теріс, n арнада оң болатын) пайда болады. Бұл кернеу (Uбекітпе бастау  таб) табылдырықтық кернеу деп аталады. Индуцирленген арнадағы өткізгіш қабілетінің пайда болуы және өсуі негізгі заряд тасымалдағыштарының көбеюіне байланысты.
Орнатылған арнасы бар МДП тразистордағы өткізгіш арна бекітпедегі кернеу 0-ге тең кезінде технологиялық  жолмен қалыптасады. Құймадағы тоқты бекітпедегі кернеу мәнін және бекітпе мен бастау кернеулерінің өрісін өзгерте отырып басқаруға болады. p арналы транзисторларының бекітпе – бастау оң кернеуі кезінде немесе n арналы теріс кернеу кезінде құйма тізбегіндегі  тоқ жойылады. Бұл кернеу қиылу(жабу) кернеу депт аталады. Орнатылған арнасы бар МДП транзисторлары қанығу режимінде де, қанықпаған режимде де жұмыс істей алады. 
 Өрістік транзисторлардың параметрлері. Кіріс өткізу қабілеті бекіте – бастау бөлімінің өткізу қабілеті мен анықталады: Yбекітпе бастау = Y11+ Y12;  шығыс өткізу қабілеті құйма — бастау бөлімінің өткізу қабілетімен анықталады: Yкима бастау  = Y22+ Y21; тасымалдау функциясы вольт-амперлі сипаттама қисығымен анықталады S=Y21+ Y12; кері тасымалдау функциясы — өтпелі өткізу қабілетімен                  Yбекітпе құйма=Y11  анықталады. Бұл параметрлер ширекөрістілік ретінде қолданылатын өрістік транзисторлардың бастапқы параметрлері деп қабылдайды. Ширекөрістіліктің ортақ бастаулы сұлбасы үшін бастапқы параметрлері анықталған болағандықтан, өрісті тразистрлардың басқа кез-келген сұлбалары үшін бастапқы параметрлерін есептеп алуға болады:
Құйманың бастапқы тoғы Iқұйма Б – бекітпе және бастау арасындағы кернеу 0-ге тең және құймадағы тоқ қанығу кернеуіне тең және одан асатын кездегі құйма тоғы.
Құйманың қалдық тоғы Iқұйма – бекітпе және бастау арасындағы кернеу қиылысу (жабу) кернеуінен жоғары кездегі құйма тоғы. 
Бекітпе — құйма ауысуының кері тоғы I бекітіс құйма к – бекітпе және құйма арасындағы берілген кері кернеу кезіндегі және де басқа шықпалар жабық кезіндегі бекітпе құйма тізбегінде ағатын тоқ.
Бекітпе-бастау ауысуының кері тоғы I бекітпе-бастау к – бекітпе мен бастау  арасындағы берілген кері кернеу кезіндегі және де басқа шықпалар жабық кезіндегі бекітпе бастау тізбегінде ағатын тоқ.

                            

Биполярлық транзистор — үш рет кезектесіп орналастырылған электрондық (п) немесе кемтіктік (р) типті откізгішті шалаөткізгіш облыстары, екі р-п өткелі бар, яғни п-р-п не р-п-р құрылымды, көбіне үш электроды болатын, электр сигналдарын күшейтуге, түрлендіруге арналған шалаөткізгіш аспап. Биполярлық транзистордың жұмысы база деп аталатын ортаңғы облысы арқылы ағып өтетін негізгі емес заряд тасымалдаушылардың ағынын басқаруга негізделген, әдетте, тікелей бағытта ығысқан және базаға негізгі емес заряд тасымалдаушылардың инжекциясын қамтамасыз ететін электронды-кемтіктік өткел эмиттерлік деп аталады, ал осы өткелмен базадан бөлінген сол жактагы шалаөткізгіш облыс эмиттер деп аталады. Кері бағытта ығысқан және эмиттерден инжекция жасап, база арқылы өзіне тақаған негізгі емес заряд тасымалдаушыларды жинауды қамтамасыз ететін өткел коллекторлық деп аталады. Осы өткелмен базадан бөлінетін және транзисторлық  құрылымның он жақ шетінде орналасқан шалаөткізгіш облыс коллектор деп аталады. Биполярлық транзистор – қуатты күшейтуге арналған электрөткізгіштік түрлері алмасатын үш саладан құрылған электр түрлендіргіш аспап. Биполярлық транзисторда ток екі түрлі заряд тасушылардың  қозғалысымен белгіленеді.Биполярлық транзисторда үш қабатты жартылай өткізгішті құрылымының көмегімен әр түрлі электр өткізгіштері бар жартылай өткізгіштерін екі р-п өткелдер құрылады. Екі үш қабатты құрылым болуы мүмкін: кемтікті-электронды-кемтікті және электронды-кемтікті-электронды. 
Әр түрлі электр өткізгіштері бар участіктері алмасуға сәйкесті барлық биполярлық транзистор екі түрге бөлінеді: p-n-p  жіне n-p-n. Әр аймақтан тоқ жүретін шықпалар (электродтар) шығарылып, олар эмиттер(Э), коллетор(К) және база(Б)деп аталады. Латын тілінен аударганда emitto- эмиттер- «шығарушы»,ол тарнзситорды заряд тасымалдаушылармен қамтамасыз ететін электрод бол.таб. collector- колектор «жинақтаушы»эмиттердан шыққан заряд тасушыларды қабылдайды.ал заряд тасушылардын эмттердан коллеторға қарай қозғалысын реттейтін –база.Ол реттеуші, басқарушы элетроды болып саналады. n-p-n және p-n-n-p тр-ның жұмыс істеу принциптері бірдей, айырмашылық тоқ түзетін заряд тасушыларында. Біріншісінде электрондар, екіншісінде кемтіктер. Б.Т. – әр жақты тағайындауы бар жартылай өткізгіштік күшейткіш аспатар, ал сол себептен әртүрлі күшейткіштерде, генераторларда, логикалы және серпінді құрылғыларда кең қолданылады.


Құрылғы және  жұмыс істеу принципі.
 

Биполярлы npn  транзистордың жеңілетілген схемасы
Алғашқы транзисторлар германийдан жасалынған болатын. Казіргі кезде оларды кремнийден және арсенад галлийдан жасайды.Соңғы жасалынып жатқан транзисторлар көбіне жоғары жиілікті күшейткіш схемаларда қолданылады. Өндірісте жиі кездесетін биполярлық транзистор кезектесе орналасқан үш p және n аймақтарынан тұрады. Осы аймақтардың өзара орналасуына байланысты олар n-p-n немесе p-n-p болып екіге жіктеліп,схемаларда өздеріне тән шартты белгілермен кескінделеді.  

Биполярлық транзисторлардың жұмыс істеуінің физикалық негізі. 
Биполярлық транзистор-токты,кернеудi, қуатты күшейте алатын, үш немесе төрт шықпа-лары бар, p-n-p немесе  p-n-p құрылымды шала өткiзгiш аспап. Транзисторлар электр тербелiстерiн күшейтуге және қоздыруға, сондай-ақ электр тiзбектерiн ажыратып қосуға қолданылады. Биполярлық транзисторларды, қуаты (кiшi,орташа,жоғары) және т.б. көрсеткiштерi бойынша ажыратады. 3.1 -суретте биполярлық транзистордың құрылымдық сұлбасы, 3.2-суретте p-n-p және n-р-n – типтi транзисторлардың шартты белгiлерi көрсетiлген. Суретте сол жақтағы р-типтi облысы эмиттер (э), ортадағы n-типтi облыс база (э), оң жақтағы р-типтi шеткi облыс коллектор (к) деп аталады. Эмиттер мен база аралығындағы р-n-өткелi эмиттерлiк деп, ал коллектор мен база арасындағы р-n-өткелi коллекторлық деп аталады.
Транзисторда өтетiн процесстер және транзистордағы токтар. Сигналдарды күшейту үшiн транзистордың эмиттерлiк р-n-өткелi кернеуге тiкелей, ал коллекторлық өткелi кернеуге керi қосылады. Бұл жағдайда эмиттерлiк өткелдiң потенциалдық тосқауылы төмендеп, заряд тасымалдаушылар (кемтiктер) эмиттерлiк өткел арқылы базаға инжекция жасайды, ал базадағы электрондар эмиттерге қарай инжекция жасайды, осыдан эмиттер тогы пайда болады: Iэ=Iэр+Iэn.
                             
                
                                3.1 -Сурет. р-n-типтi транзистордың құрылымы.
                       1-эмиттерлiк өткел (ЭӨ), 2- коллекторлық өткел (КӨ).

Бiрақ базадағы электрондар эмиттердегi электрондардан әлдеқайда артық болғандықтан (рnnn ) IэIэр. Осы эмиттердiң кемтiктiк тогы эмиттер тогының қанша үлесiн алатынын көрсету үшiн эмиттер тиiмдiлiгi (эффективтiгi деген коэффициент 
енгiзедi): Iэр/Iэ. 
                                                
             а)                     б)
       3.2-Сурет. n-р-n – (а) және p-n-p  (б) — типтi транзисторлардың шартты белгiлерi

База қалыңдығы (енi) кiшкентай болғандықтан (бiрнеше мкм) эмиттерден шыққан кемтiктердiң көбi коллекторларға қарай өтiп кетедi коллекторлық өткелге берiлген керi үлкен кернеу есебiнен коллектор облысына өтiп кетедi. Бұл процесс экстракция деп аталады. Ал кемтiктердiң кiшкентай бiр бөлiгi базаның электрондарымен кездесiп, рекомбинация тогын құрайды. Эмиттерден  коллекторға кемтiктердiң қанша бөлiгi өткенiн бiлу үшiн база арқылы кемтiктердiң тасымалдану коэффициентiн енгiзедi:
                                       Iкр/Iэр.
Сөйтiп коллектор тiзбегiнде айтарлықтай ток жүредi, яғни  Ik=nIэ+IкБо, мұнда n  эмиттер тогын берудiң интегралдық коэффициентi, IкБо – коллектордың негiзгi емес заряд тасымалдаушылардан тұратын керi тогы. Сонымен Iэ=IБ+Iк .
Транзистордың жұмыс режимдерi. Эмиттерлiк және коллекторлық өткелдерге сыртқы кернеулердi қосу түрiне қарай келесi жұмыс режимдерi болады:
1)активтi режим: Uэ O , UкO;
2)токты тиып тастау режимi: Uэ O , UкO;
3)қанығу режимi: Uэ O , UкO;
4)инверстiк режим: Uэ O , UкO;

Қорытынды
    Қазіргі кезде транзисторлар өмірімізде түпкілікті орын алады. Аналогты және сандық құралдар құрамында бола отырып, олар электр құралдарының негізі саналады. Қолданылатын аялары: компьютерлер, күшейткіштер, электр кілттері, т.б. 
    Жалпы, бұл жұмыс барысында транзисторлар мен және олардың түрлерімен таныстық. Олардың жұмыс істеу принциптері мен қолданылу аясы толығымен қамтылды. 
 

Пайдаланылған әдебиеттер: 
•    А. К. Криштафович, В. В. Трифонюк. Основы промышленной электроники. — 2-е изд. — М.: «Высшая школа», 1985. — 287 с.
•    Н. И Овсянников Кремниевые биполярные транзисторы: Справ. пособие. — Мн.: «Высшая школа», 1989. — 302 с.


Ұнады ма? Онда достарыңмен бөліс!


Транзистор қазақша — Физика,механика — Қазақша рефераттар — Қазақша тесттер мен шпорлар

Транзистор (ағылш. transfer — тасымалдау және resistor — кедергіш) — электр тербелістерін күшейтуге, оларды тудыруға және түрлендіруге арналып жартылай өткізгіш кристалл негізінде жасалған электрондық құрал. Электрондық лампа сияқты қызмет атқаратын транзисторлар одан өлшемінің едәуір кішілігімен, электр энергиясын тұтынудағы аса үнемділігімен, механикалық аса беріктігімен және бүлінбей ұзақ жұмыс істейтіндігімен, бірден әсер етуге әзірлігімен ерекшеленеді. Радиолампа орнына қолданылатын жартылай өткізгіш аспаптар (транзисторлар) негізінде жасалған өте кішкентай радиоқабылдағыштарды көбінесе транзисторлар деп дұрыс атамайды; оның дұрыс атауы — транзисторлы қабылдағыш немесе транзистор негізінде жасалғанқабылдағыш.
1956 жылы қос полярлық транзисторды ойлап шығарғандары үшін Уильям Шокли, Джон Бардин және Уолтер Браттейн физикадан Нобель премиясын алған болатын.
Түрлері
Транзистор өрістік (униполярлы) және биполярлы деп бөлінеді.
1.    Өрістік (арналық) транзистор – жұмыстық токтың өзгеруі кіріс сигналы тудыратын, оған перпендикуляр бағытталған электр өрісі әрекетінен болатын транзистор. Өрістік транзисторларда кристалл арқылы өтетін токты тек бір таңбалы заряд тасушы –электрон немесе кемтік тудырады. Заряд тасушыларды басқаруға негізделетін физикалық эффектілерге қарай өрістік транзисторлар шартты түрде 2 топқа: #басқаратын р-п электрон-кемтіктік ауысуы бар немесе металл-шалаөткізгіш түйіспелі
2.    оқшауланған жапқылы металл-диэлектрик-шалаөткізгіш (МДШ) транзисторлар деп бөлінеді.

Өрістік транзисторлар әдетте кремний немесе галий арсениді негізінде жасалады. Олардың тұрақты ток бойынша кірістік және шығыстық кедергілері жоғары, инерциялығы төмен, жиіліктік шегі жоғары болып келеді. Өрістік транзисторлар байланыс, есептеуіш техникаларында, теледидарда шусыз, қуатты және ауыстырып-қосқыш (кілттік) ретінде қолданылады. Металл-диэлектрик-шалаөткізгіш (МДШ) құрылымды өрістік транзисторлар интегралдық сұлбаларда кеңінен қолданылады.
•    Биполярлы транзисторлар үш кезектелген электрондық (п) немесе кемтіктік (р) өткізгіштік облыстардан тұрады. Олар р-п-р және п-р-п типті болып ажыратылады. Биполярлы транзистордың ортаңғы облысы база, қалған екеуі эмиттер және коллектор деп аталады. База эмиттер мен коллектордан тиісінше эмиттерлік және коллекторлық р-п ауысуларымен бөлінген. Биполярлық транзистордың жұмыс істеу принципі база арқылы өтетін негізгі емес заряд тасушылардың ағынын бақылауға негізделген. Эмиттерлік ауысу тура бағытта ығысқан және ол негізгі емес заряд тасушылардың инжексиясын (итерілуін, ендірілуін) қамтамасыз етеді, ал коллекторлық ауысу кері бағытта ығысқан, ол эмиттер итерген негізгі емес заряд тасушыларды жинап алуды қамтамасыз етеді. Биполярлық транзисторлар негізінен электр сигналдарын өндіруге, күшейтуге арналған. Транзисторлар физикалық және басқа да параметрлеріне байланысты төмен (3 МГц-ке дейін), жоғары (300 МГц-ке дейін), аса жоғары жиілікті (300 МГц-тен жоғары), аз қуатты (шектік сейілу қуаты 1 Вт-қа дейін), үлкен қуатты (шектік сейілу қуаты 1 Вт-тан жоғары), жоғары және төмен кернеулі, дрейфтік, т.б. түрлерге бөлінеді. Транзистор қазіргі кездегі микроэлектроника құ-рылғыларының негізгі элементі болып табылады.
Қолданылуы
Қазіргі кезде транзисторлар өмірімізде түпкілікті орын алады. Аналогты және сандық құралдар құрамында бола отырып, олар электр құралдарының негізі саналады. Қолданылатын аялары: компьютерлер, күшейткіштер, электр кілттері, т.б.


Ұнады ма? Онда достарыңмен бөліс!


Орысша-қазақша сөздік

` 1 2 3 4 5 6 7 8 9 0 - = Backspace Tab q w e r t y u i o p [ ] \ Delete CapsLock a s d f g h j k l ; ‘ Enter Shift z x c v b n m , . /

ХФӘ:

син.

Негізгі сөздік мақала:

Қате таптыңыз ба? Оны тінтуірмен белгілеңіз!

Қысқа сілтеме:

Сөз/тіркес табылмады.

Сөздікте жазылуы ұқсас сөздер бар:

Сөз/тіркес қоса аласыз сөздікке.

Аударма табылмады ма? Сұрағыңызды ВКонтакте-дегі нысанға жазыңыз, сізге көмектеседі:

Ережелер:

  1. Сіздің сұрағыңызды ең жоғарғы жолға жазыңыз Сіздің пікіріңіз…, көк батырманың үстінде Жөнелту. Сұрақты басқалар жазған сұрақ ішінде қоймаңыз.
  2. Сіздің жауабыңызды Түсінік беру сілтемесін басып, немесе Түсінік жазу алаңына…, сұрақтан төмен жерге жазыңыз.
  3. Шағын мәтіндерді ғана жазыңыз (бір сөйлем шегінде).
  4. Машиналық аударма жүйелері орындаған аудармаларды қоймаңыз (Google-аудармашы және басқ.)
  5. Форумға «сәлем», «бұл не» деген сияқты хабарламалар және аударманы қажет етпейтін пікірлеріңізді жаза бермеңіз.
  6. Сөздіктің сапасы жайлы пікірлер жазбаңыз.
  7. Жарнамалық хабарламалар жойылады. Авторлар банға кетеді.

Полевой транзистор

 

Транзистор-үш электродты,электр сигналдарын күшейту мен      түрлендіруге арналған жартылай өткізгіш диод.

 

Ток түзетуге қатысатын заряд тасымалдаушыларына байланысты                   екіге бөлінеді

 

                Биполяр                                           Униполяр

  Ток екі түрлі заряд  Ток тек электрондардан

  тасымалдаушылардан немесе кемтіктерден

  кемтік пен электроннан тұрады тұрады

 

 

Транзистордың көп тараған бір  түрі биполярлы транзистор болып табылады. Биполярлы транзисторлар үш кезектелген электрондық (п) немесе кемтіктік (р) өткізгіштік облыстардан тұрады. Олар р-п-р және п-р-п типті болып ажыратылады. Биполярлы транзистордың ортаңғы облысы база, қалған екеуі эмиттер және коллектор деп аталады. База эмиттер мен коллектордан тиісінше эмиттерлік және коллекторлық р-п ауысуларымен бөлінген. Биполярлық транзистордың жұмыс істеу принципі база арқылы өтетін негізгі емес заряд тасушылардың ағынын бақылауға негізделген. Эмиттерлік ауысу тура бағытта ығысқан және ол негізгі емес заряд тасушылардың инжексиясын (итерілуін, ендірілуін) қамтамасыз етеді, ал коллекторлық ауысу кері бағытта ығысқан, ол эмиттер итерген негізгі емес заряд тасушыларды жинап алуды қамтамасыз етеді. Биполярлық транзисторлар негізінен электр сигналдарын өндіруге, күшейтуге арналған. Транзисторлар физикалық және басқа да параметрлеріне байланысты төмен (3 МГц-ке дейін), жоғары (300 МГц-ке дейін), аса жоғары жиілікті (300 МГц-тен жоғары), аз қуатты (шектік сейілу қуаты 1 Вт-қа дейін), үлкен қуатты (шектік сейілу қуаты 1 Вт-тан жоғары), жоғары және төмен кернеулі, дрейфтік, т. б. түрлерге бөлінеді. Транзистор қазіргі кездегі микроэлектроника құрылғыларының негізгі элементі болып табылады.

 

 

 

                            

                        БИПОЛЯРЛЫҚ ТРАНЗИСТОРЛАР

 

Екі немесе бірнеше электрлік р-п  өткелі бар, қуатты күшейтуге жарайтын,  үш немесе одан да көп сыртқы қосылғышы  бар электрлік түрлендіргіш шала өткізгіш аспапты биполярлық транзисторлар дейміз. Транзисторларды қолданады күшейту және электрлік толқындарды генерациялау  немесе электрлік тізбекті коммутациялау үшін қолданылады.  Биполярлық  транзисторыларды түрлеріне байланысты бөледі  p-n-p және  n-p-n типтерге, қуат бойынша (кіші , орташа және үлкен ), жұмыстық жиілік бойынша(төменгі, орташа және  үлкен жиілікті)  және де басқа жағдайлар бойынша.  Суретте биполярлық транзистордың құрылымдық схемасы мен шартты белгісі көрсетілген.Электрлік қосылғышы бар кристаллдың ортанғы бөлімін база деп атаймыз  (Б), тікелей қосылған өткелді  – эмиттер дейміз (Э), екіншісі кері қосылғанды  — коллектор деп атаймыз (К). Эмиттер, база және  коллектор арасында  екі р-п өткел бар, ол эмиттерлік өткел және коллекторлық өткел аталады. 

Биполярлық транзистордың жалпы  құрылымы: 

1-эмиттерлік өткел  (ЭӨ), 2-коллекторлық  өткел   (КӨ)

 

 

    

 

 

      Транзистордың p-n-p және  n-p-n типтерінің шартты белгілері:

 

 

 

 

 

 

2-сурет. Транзистордың p-n-p және  n-p-n типтерінің белгіленуі

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

БИПОЛЯРЛЫҚ  ТРАНЗИСТОРДЫҢ МАҢЫЗДЫ ПАРАМЕТРЛЕРІ

 

Транзисторларда бір-бірімен  байланысты төрт шама бар. Олар: кіріс  және шығыс тогы, сонымен қатар  кіріс және шығыс кернеуі:

Uкір = U1,  Iкір = I1,   Uшығ = U2,     Iшығ = I2.

          Осы келтірілген параметрлерден  басқа, транзисторларда басқа  да параметрлер жүйесі қолданылады,  ол жүйені транзистордың һ  параметрі деп те атайды.

  Транзистордың   h-параметрін анықтау. Транзисторлар сұлбаларын есептегенде және анализдегенде транзистордың эквивалентті схемасын және оған арналған параметрлер жүйесіне сүйенеміз. Транзисторлардың физикалық параметрлер жүесінің кемшілігі, олардың  ішінен барлығы да   өлшене бермейді. h-параметрлер жүйесінде транзисторлардың параметрлері активті сызықты 4-ұштықты параметрлермен анықталады. h-параметрлер жүйесінде тәуелді емес айнымалы бойынша кіріс токты қабылдайды(I1) және шығыс кернеу(U2). Осыдан , U1 = h11 I1 + h12 U2,  I2 = h21 I1 + h22 U2 біз төрт параметрді анықтаймыз ,ол  қысқаша тұйықталу режимінде (U2=0)   және бос жүріс режимінде болады (I1=0).  h11— кіріс сипаттамасы, h12-кері байланыс коэффициентті, h21— токты беру коэффициентті, h22— шығыс өткізгіштік.

Һ параметрінің бұл түрлерінің әр қайсысына жеклей тоқталсақ:

1. Кіріс сипаттамасы:

h11 = DU1/DI1      U2 = const  болғанда.     

айнымалы кіріс тогына шығысында қысқа тұйықталу болатын, яғни шығысында айнымалы кернеу болмайтын транзистордың кедергісі болып табылады.

2. Кернеу бойынша кері байланыс коэффициенті:

h12 = DU1/DU2      I1 = const болғанда.

кірістегі айнымалы кернеудің  кандай мөлшері кері байланыс салдарынан транзистордың кірісіне берілетінін  көрсетеді.

3. Токтың күшейту коэффициенті (токты беру коэффициенті):

h21 = DI2/DI1         U2 = const  болғанда.

жүктемесіз жұмыс істеу  кезінде транзистордың айнымалы тогының күшейтуін көрсетеді.

4. Шығыс өткізгіштік:

h22 = DI2/DU2          I1 = const  болғанда.

бұл, транзистордың шығыс қысқыштарының арасындағы айнымалы токтың өткізгіштігін сипаттайды.

      

 

 Бұл параметрлердің  ортақ эмиттер арқылы қосылу сұлбасында келесі теңдіктерді аламыз:

мұндағы

                           һ11Э = DUБЭ/DІБ      UКЭ = const;

                 h12Э = DUБЭ/DUКЭ       ІБ = const; 

                 h21Э = DIК/DIБ       UКЭ = const; 

                 h22 = DIК/DUК          ІБ = const. 

Коллекторлық ауысудың қызуына  жол бермеу үшін одан коллекторлық ток өткенде шығарылатын қуатты белгілі бір максимал шамадан  асырмау керек:

Сонымен қатар коллекторлық кернеуге де шектеулер бар:

және коллектролық ток  үшін де:

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

БИПОЛЯРЛЫҚ  ТРАНЗИСТОРДЫҢ ҚОСЫЛУ СҰЛБАЛАРЫ

Транзистордың кез-келген қосылулары екі маңызды көрсеткішпен сипатталады:

  • Ток бойынша күшейту коэффициенті  Ішығкір;
  • Кіріс кедергісі Rкір= Uкіркір.

Ортақ базамен қосылу сұлбасы  :

Бұл схема үшін, кіріс тогы эмиттер  тогы болып саналады, ал шығыс –  коллектор тогы болады.Дифференциалды  Rкір  транзисторы ОБ схемасында аз, ал Rшығ көп. Коллекторлық кернеу эмиттер тогына әсер етеді. ОБ сұлбасы диффернциалды тікелей токты беру коэффициентті сипатталады: α = ΔΙк / ΔΙэ

Ток бойынша күшейту коэффициенті көп жағдайда бірден кіші болады:

Ток бойынша  статикалық күшейту коэффициенті (токтың берілу коэффициенті), ОБ сұлбасында α деп белгіленеді. Ол жүктемесіз (Rж=0) режим үшін, яғни коллектор-база тұрақты кернеуі үшін анықталады:                                                        uк-б=const.

Статикалық күшейту коэффициенті α, 1-ге жақындаған сайын транзистор жақсара түседі. Ток бойынша күшейту коэффициенті ki, α-дан аз мөлшерге кіші, сол себепті жүктеме Rж қосылғанда коллектор тогы азаяды.

 Кернеу  бойынша күшейту коэффициенті:                                         

Қуат  бойынша күшейту коэффициенті:

 kp=ki · ku.              екенін ескерсек, сонда .

Кіріс кедергісі  :             

Артықшылығы температура және жиіліктік сипаттамаларының икемділігі, сонымен қатар ОЭ сұлбасына қарағанда күшейтулердің аз бұрмалануы.

Кемшілігі ішкі кедергісінің төмендігі және база мен коллектордың түрлі қорек көзінен қоректенуі.

 

Ортақ эмиттер қосылу сұлбасы :

 

Базаның кішігірім тогы кіріс тогы болып саналды, ал шығыс- коллекторлық болады. ОЭ сұлбасы кернеу және токты   күшейтеді . Rкір және  Rшығ ОБ схемасына қарағанда көбірек. ОЭ сұлбасы диффернциалды тікелей токты беру коэффициентті сипатталады: β = ΔΙк / ΔΙб онда  β = α / (1-α), егер  ΔΙк / ΔΙб = 1/ α.

Ток бойынша  күшейту коэффициенті ki – бұл кіріс және шығыс айнымалы ток амплитудаларының қатынасы:

.

Ток бойынша  статикалық күшейту коэффициенті β жүктемесіз (Rж=0) режим үшін, яғни коллектор-эмиттер тұрақты кернеуі үшін анықталады: , при uк-э=const.

Кернеу  бойынша күшейту коэффициенті айнымалы кернеудің амплитудалық немесе кіріс шығыс мәндерінің қатынасымен анықталады:

Қуат  бойынша күшейту коэффициенті kp шығыс және кіріс қуаттарының қатынасымен анықталады. Бұл қуаттардың әрқайсысы ток пен кернеудің жартысына тең:

Сондықтан             

Транзистордың тағы бір басты  мәні ол – Ом заңы арқылы анықталатын кіріс кедергісі. ОЭ үшін:

ОЭ сұлбасының күшейтуі кезінде каскад кернеу фазасына бұрылады, яғни кіріс кернеуінің фазасын 180°-қа ығыстырады.

ОЭ сұлбасының артықшылығы – коллектордың және базаның бір қорек көзінен қоректенуі.

Кемшілігі – температуралық және жиіліктік сипаттамаларының нашарлығы. Жиіліктің аз ғана жоғарылауы оның күшейтуінің өте көп төмендеуіне алып келеді. ОЭ сұлбасының жұмыс істеу режимі температураға да өте көп байланысты.

Ортақ коллектормен қосылу сұлбасы :

Ортақ коллектор сұлбасында кіріс  тогы база тогы болып есептелінеді, ал шығыс – эмиттер тогы болады.Бұл сұлба ток және қуат бойынша күшейтеді, бірақ кернеу бойынша күшейтпейді,сондықтан көп қолданбайды. ОК сұлбасында шығыс кедергісі аз және транзистордың барық қосылу сұлбасында кірісі көп . Бұл сұлба үшін тікелей токты беру коэффициетті:

ΔΙэ / ΔΙб=  β + 1

Кіріс кернеуі база-эмиттер және шығыс кернеуінің қосындысынан тұрады:

Ток бойынша  күшейту коэффициенті:

Бұл схема ОЭ сұлбасының сипаттамаларына ұқсас.

Кернеу  бойынша күшейту коэффициенті 1-ге жақын, бірақ әрқашан одан аз:

Қуат  бойынша күшейту коэффициенті

Бұл сұлба эмиттерлік қайталағыш деп аталады. Өткені жүктеме кедергі эмиттерге қосылған және шығыс кернеуі эмиттерден бөлініп алынады.

Кіріс кедергісі:

Бұл сұлбаның негізгі артықшылығы үлкен кіріс кедергісінің болуы.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ТРАНЗИСТОРДЫҢ СТАТИКАЛЫҚ СИПАТТАМАСЫ

Ортақ базамен транзистордың  статикакалық сипаттамасы. Кіріс сипаттамсы – тұрақты шығыс кернеу кезінеде, кіріс кернеуден кіріс токтың тәуелділігі Iэ=j(Uэб) тең болады Uкб –const  болғанда. Шығыс сипаттамасы – Iк және Uкб.тәуелді  Iк=j(Uкб) болғанда  Iэ = const.

                  Кіріс сипаттамасы                              Шығыс сипаттамасы  

Ортақ эмиттермен транзистордың  статикалық сипаттамсы. Кіріс сипаттмасы: Iб=j(Uбэ) болғанда  Uкэ= const. Шығыс сипаттмасы тәуелділігі   Iк және  Uкэ ,  Iк=j(Uкэ) болғанда  Iб = const

          Кіріс сипаттамасы                                      Шығыс сипаттамасы

 

Ортақ коллектормен  транзистордың  статикалық сипаттамсы.

Кіріс сипаттмасы тәуелділігі  Iб  және Uбк,

Iб=j(Uбк) болғанда Uэк = const

Шығыс сипаттамасы тәуелділігі  Iб=j(Uкэ) болғанда Iб = const

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 


Транзистор өрістік (униполярлы) және биполярлы деп бөлінеді

Транзистор


Уикипедия — ашық энциклопедиясынан алынған мәлімет

Транзисторлар (жанындағы сызғыш арқылы олардың өлшемдерін білуге болады.)

Транзистор (ағылш. transfer — 

тасымалдау және resistor — кедергіш) — электр тербелістерін күшейтуге, оларды тудыруға және түрлендіруге арналып жартылай өткізгіш кристалл негізінде жасалған электрондық құрал. Электрондық лампасияқты қызмет атқаратын транзисторлар одан өлшемінің едәуір кішілігімен, электр энергиясын тұтынудағы аса үнемділігімен, механикалық аса беріктігімен және бүлінбей ұзақ жұмыс істейтіндігімен, бірден әсер етуге әзірлігімен ерекшеленеді. Радиолампа орнына қолданылатын жартылай өткізгіш аспаптар (транзисторлар) негізінде жасалған өте кішкентай радиоқабылдағыштарды көбінесе транзисторлар деп дұрыс атамайды; оның дұрыс атауы — транзисторлы қабылдағыш немесе транзистор негізінде жасалған қабылдағыш.

1956 жылы қос полярлық 

транзисторды  ойлап шығарғандары үшін Уильям  Шокли, Джон Бардин және Уолтер  Браттейн физикадан Нобель премиясын алған болатын.

Тарихы

Ең бірінші транзистор алтын фольгасына оралған үшкір пластиктен, аз мөлшерде германийден тұратын. Көпшілік те, ғалымдар да бұл нәрсенің қалай істейтінін түсіндіре алмады, ол құрал арқылы тек радио тыңдады.

Алғаш өріс эффектсіне негізделген транзисторге патентті Канадада Julius Edgar Lilienfeld 1925 жылы 22 қазанда тіркеді. Бірақ ол өзінің құрылғысы туралы мәлімет таратпағандықтан, жетістігі ескерілмеді. Кейін, 1934 жылы неміс ғалымы Oskar Heil өріс эффектсіне негізделген басқа тразисторге патент алады.

1947 ж. желтоқсанның 16 Уильям Шокли (William Shockley), Джон Бардин (John Bardeen), Уолтер Брэттэйн (Walter Brattain) істейтін транзистор жасағандығы туралы хабарлады. Бұл кезде олар Bell Labs. -та істейтін еді.


Алғашқы жұмыс істейтін транзистордың көшірмесі.

Bell Labs. патент алып, нарыққа шығады. Бірақ Bell Labs. барлық қиындықтарды жеңе алмай, 1952 жылы транзисторға патентті сатып жібереді. Сол уақыттан бері транзисторлар барлық жерде таралды.

ТүрлеріТранзистор өрістік (униполярлы) және биполярлы деп бөлінеді.


  1. Өрістік (арналық) транзистор – жұмыстық токтың өзгеруі кіріс сигналы тудыратын, оған перпендикуляр бағытталған электр өрісі әрекетінен болатын транзистор. Өрістік транзисторларда кристалл арқылы өтетін токты тек бір таңбалы заряд тасушы –электрон немесе кемтік тудыра

    ды. Заряд тасушыларды басқаруға негізделетін физикалық эффектілерге қарай өрістік транзисторлар шартты түрде 2 топқа: #басқаратын р-п электрон-кемтіктік ауысуы бар немесе металл-шалаөткізгіш түйіспелі
  1. оқшауланған жапқылы металл-диэлектрик-шалаөткізгіш (МДШ) транзисторлар деп бөлінеді.

 
Өрістік транзисторлар әдетте кремний немесе галий арсениді негізінде жасалады. Олардың тұрақты ток бойынша кірістік және шығыстық кедергілері жоғары, инерциялығы төмен, жиіліктік шегі жоғары болып келеді. Өрістік транзисторлар байланыс, есептеуіш техникаларында, теледидарда шусыз, қуатты және ауыстырып-қосқыш (кілттік) ретінде қолданылады. Металл-диэлектрик-шалаөткізгіш (МДШ) құрылымды өрістік транзисторлар интегралдық сұлбаларда кеңінен қолданылады.

  • Биполярлы транзисторлар үш кезектелген электрондық (п) немесе кемтіктік (р) өткізгіштік облыстардан тұрады. Олар р-п-р және п-р-п типті болып ажыратылады. Биполярлы транзистордың ортаңғы облысы база, қалған екеуі эмиттер және коллекторде

    п аталады. База эмиттер мен коллектордан тиісінше эмиттерлік және коллекторлық р-п ауысуларымен бөлінген. Биполярлық транзистордың жұмыс істеу принципі база арқылы өтетін негізгі емес заряд тасушылардың ағынын бақылауға негізделген. Эмиттерлік ауысу тура бағытта ығысқан және ол негізгі емес заряд тасушылардың инжексиясын (итерілуін, ендірілуін) қамтамасыз етеді, ал коллекторлық ауысу кері бағытта ығысқан, ол эмиттер итерген негізгі емес заряд тасушыларды жинап алуды қамтамасыз етеді. Биполярлық транзисторлар негізінен электр сигналдарын өндіруге, күшейтуге арналған. Транзисторлар физикалық және басқа да параметрлеріне байланысты төмен (3 МГц-ке дейін), жоғары (300 МГц-ке дейін), аса жоғары жиілікті (300 МГц-тен жоғары), аз қуатты (шектік сейілу қуаты 1 Вт-қа дейін), үлкен қуатты (шектік сейілу қуаты 1 Вт-тан жоғары), жоғары және төмен кернеулі, дрейфтік, т.б. түрлерге бөлінеді. Транзистор қазіргі кездегі микроэлектроника құ-рылғыларының негізгі элементі болып табылады.

Қолданылуы

Қазіргі кезде транзисторлар өмірімізде түпкілікті орын алады. Аналогты және сандық құралдар құрамында бола отырып, олар электр құралдарының негізі саналады. Қолданылатын аялары: компьютерлер, күшейткіштер, электр кілттері, т.б.

           

                                                  

   

Резистор[1] (ағыл. resіstor, лат. resіsto — қарсыласамын) — электр тізбегінің әр түрлі тармақтарындағы ток күшін, не кернеуді шектеу немесе реттеу үшін қолданылатын радиотех.

немесе электртех. бұйым. Радиоэлектрондық құрылғылардағы барлық бөлшектердің жартысынан астамы (80%-ға дейін) Резисторлар болады. Резистордың негізгі сипаттамаларына кедергісінің номинал мәні (0,1 Ом-нан 1 ГОм-ға дейін),кедергінің номинал мәннен ауытқу мүмкіндігі (0,25%-дан 20%-ға дейін), макс. сейілу қуаты (Вт-тың жүздік үлесінен бірнеше МВт-қа дейін) жатады. Ток өткізгіш бөлігінің материалына қарай Резисторлар металдық, шалаөткізгіштік, сымдық, таспалық, т.б.; құрылымына қарай тұрақты, айнымалы болады. Айнымалы Резистор кедергісі жылжымалы тетік арқылы, не ток күші мен кернеу арасындағы бейсызықтық тәуелділікке байланысты өзгеруі мүмкін.

 

 

 

 

 

Диод.

Дио́д (көне грекше: δις[1] — екі және -од[2] шекті)  — екі электродты, электр тогының бағытына байланысты әр-түрлі өтімділігі бар электронды аспап (прибор).

     
 
     
     
 

 

Жасау және даму тарихы[өңдеу]

 


Сол жақтағы — жартылай өтізгішті диодтың қарапайым түрі.

Жоғарғы және сол жақтағы — диодтың сұлбадағы шартты белгісі (ГОСТ 2.730-73 бойынша) .

Схемотехникалық кескінді электровакуумды диод: 


ортасындағы жылытқыш шыны лампалы — катод, шеткі жағындағы — анод. Оң жағындағы — лампалы диодтың сұлбадағы белгіленуі.   Диодтарды дамыту бiрден екі бағытта XIX ғасырдың үшiншi ширегiнде басталды: 1873 жылы британдық ғалым Фредерик Гутри термиондық (вакуум шамды тікелей қыздыру арқылы), ал 1874 жылы германдық ғалымды Карл Фердинанд Браун (қатты денелi ) кристалды диодтарды жұмыс істеу принципн ашты. 1880 жылдың 13 ақпанында Томас Эдисонды қайтадан термионды диодтың жұмыс істеу принципін қайта ашты, және содан соң 1883 жылы патенттеген(№ 307031-шi АҚШ патентi). Дегенменде Эдисон жұмыстарын ары қарай дамытуға идея болмады. 1899 жылы германдық ғалым Карлы Браун Фердинанд кристаллды түзеткiштi патенттады.

1. Екі электродты электровакуумдық аспап немесе жартылай өткізгіштікдиод, токты бір бағытта өткізетін құрал.  Радиоаппаратуралардаайнымалы токты түзету, модуляцияланған тербелістерді детекторлеу, жиіліктерді өзгерту, электр тізбектерін қайта қосу үшін қолданылады.

2. Екі электродты вакуумдық, газразрядты немесе шалаөткізгіш аспап; электр тогы бағытына байланысты өткізгіштігі әр түрлі болады: тура бағыттагы токтар үшін өткізгіштігі жоғары және кері бағыттағы токтар үшін — төмен. Электр және радиоэлектрондық аппараттарда айнымалы токты түзету, детекторлеу, электр тербелістерін түрлендіру, электр тізбектерін ажыратып-қосу үшін қолданылады. [3]


Транзистор

Қабаттай — жүйедегi материалдардың мұқият таңдауы және ерекше ортақ тазалықтың сүйемелдеу талап ететiн өте күрделi процесс өсiру мүлтiксiз эпитаксиаль. Жiк бумен фазадан химия тұнбасының әдiсiмен өсiредi, SiCl4тiң кремниiнiң тетрахлоридының буларынан әдетте. Сонымен бiрге содан соң OKтың температурасының жанында төс етек бiлiгетiн таза кремниге дейiн SiCl4iн қалпына келтiрген сутегi қолданылады. 1200 бе? Қабаттай — мкм/мин 1 шамасында өсудi С.жылдамдық эпитаксиаль, бiрақ ол реттеуге болады. Жұмыс камерасына қабаттай (nның қоспасы — түр) мышьяктердi ендiредi қоспалаулар үшiн, (n — түр) фосфор немесе (p — түр) Орман.Мысалы, бiр-ақ жiктер әдетте өсiредi, бiрақ басқа мағнада көп қабатты тиристорлардың жасауында, екi қабаттай — басқа pлар бiр nдер-шi — түр алады. Қабаттай жоғарғы вольтты тиристорлар үшiн 100 мкмге жоғары жиiлiктi транзисторлары үшiн бiрнеше микрометрлерден құрайды жуандық эпитаксиаль. Эпитаксиаль материалы күшейткiштер және электрондық кiлттер үшiн транзисторларды даярлауға мүмкiншiлiк бередi. Диффузияның жанында жартылай өткiзгiштiң барлық бетi арналған бiр қалыпты болған мезаструктуралардың технологиялары қарсы планар технологиясы диффузия талап етедi iрiктелдi. Беттер қалған бөлiк үшiн маска қажеттi. Маскалар үшiн тамаша материал кремнидiң үстiненi өсiп жетiлдiруге болатын кремнидiң диоксидi болып табылады. Осылай, дымқыл оттектiң атмосферасында бастапқыда 1100 болғанда ма? OKтың жуандығын диоксидтiң жiктерi өсiредi. (бұл ширегi бар сағатта шамамен орналасады) 1000 нм. Екпе жiкке ультракөгiлдiр жарықты әсер ету үшiн сенситизирован бола алатын фоторезист келтiредi. Фоторезистке (олардың мыңдаған бiр төс етегiнде) диффузия жүргiзiлуi керек болатын негiздi облыстардың нобайлары бар маскасын және жарықпен фоторезисттер көрмеге қояды үстiне қояды. Бөлiмшелер, жабулы емес мөлдiр емес маскамен, фоторезистке жарықтың әсерiнен қатады. Кәзiр ендi фоторезист, ол ол қатпаған, және орындар бұл кремнидiң ашық диоксидiн ашылған орындар ерiткiшпен сол оңай алып тастауға айқындалған. Ашық диоксидтiң диффузияға төс етегiнiң әзiрлеулерi үшiн кетiредi және пластинкаларды жуады. Терiс фоторезист туралы бұл жерде сөз болады. Керiсiнше, жарықтан кейiн оңай ашып тастайтын оң фоторезист сонымен бiрге бар болады.) диффузияны екi стадиялы процесстер сияқты өткiзедi: (npnның жағдайындағы Орман — транзисторлар) бiраз легирлеушi қоспа бастапқыда негiздi шалағай жiктерге ендiредi, содан соң — керек тереңдiкке. Бiрiншi кезеңдi әртүрлi әдiстермен жүзеге асыруға болады. . Вариант кең таралғандарға оттек сұйық Орман трихлориды арқылы өткiзедi; диффузант бетке газымен тасымалданады және кiрбiк құрамында бор бар шыны және өзi бұл жiкте астында осаждается. Керек тереңдiкке Ормандарды мұндай шынының бастапқы диффузиясынан кейiн алып тастап ендiредi, коллектор p-nдары нәтижеде не пайда болады — nның эпитаксиаль жiгiндегi өткел — түр. Бұдан әрi эмиттер диффузияларын орындайды. Негiздi, және ондағы үстiнен (фосфор әдетте) қоспаларды диффузиямен бiр кезеңге арқылы эмиттер нақ сол қалыптастыра ендiретiн терезе қабаттай диоксидтер өсiп жетiлдiредi кеседi. Эмиттердiң қоспалауын дәреже кем дегенде 100 есе эмиттердiң биiк тиiмдiлiгiнiң қамтамасыз етуi үшiн керек базасының қоспалауын дәрежеге қарағандасы көбiрек. Кремнидiң диоксидiмен бүйiрлеу бағытта, ықтындыл қоршаған ортаның әсерiненгi олары дегенмен де, қоршаған ортаның да екi диффузиялық процесстерде, жоғарыда айтылған, өткелдердi тiгiнен жылысады, сол сияқты. Көп құрылымдар OKтың жуандығын кремнидiң нитридiнiң шалағай жiктерiмен тығыз бекiтедi. 200 нм. Кремнидiң нитридi натри және кремнидiң диоксидi арқылы кiру қабiлеттi және өткелдердегi бетi улайтын және олар жақын маңда қалиған мұндайлар үшiн өтпеймiз.Мысалы, құрылымның бетiне фотолитографиялар бұдан әрi әдiстердi қолданып (алюмини немесе вольфрамды басқа металлды кремни бөлген алтын ), платина немесе ақсақ) байланысуды металлдар шаңдатады.Арамен кесулер немесе сындыру содан соң жартылай өткiзгiш пластинканы жолымен алтын түске боялған кристалл ұстаушыға немесе шығаратын (кремни жиiрек эвтектиялық дәнекерлемемен — алтын) шеңберлерге бекiткен жеке микрокристаллдарға кесуден кейiн бөледi.Эмиттер және базасын корпустар қорытындылармен алтындай созушылықтармен жалғастырады.Транзистор металлдық корпустарда тығыз бекiтедi немесе (соңғы арзандау) пластикке бiтеуi жолымен. Байланысулар бастапқы алюминилардан iстедi, бiрақ алюмини биiк кедергi ие болатын морт Қосу алтынмен құрастырғанын көрсеттi. Алюмини немесе алтындай созушылықтан сым байланысулары сондықтан басқа металлды кремниден бөле бастады — вольфраммен, платина немесе ақсақ.Жалпы тағайындаудың транзисторларының шектi жиiлiгi бiрнеше жүзiншi мегагерцтi құрайды — шамамен ерте жоғары жиiлiктi германи транзисторларында болатыны соншама. Бұл шекаралардың жоғары жиiлiктi түрлерi үшiн дәл қазiр 10 000 мгцтi асады. Қуатты транзисторлар 200 Вттiң қуатының жанында жұмыс iстей алады және (корпустың түрiне байланысты) көп, және бiрнеше жүзiншi вольтке сирек емес коллектор кернеулерi. Бiрнеше сантиметрлердiң өлшемiнiң кремилiк пластинкаларын қолданылады, және де бiр мұндай пластинкада кемiнде 500 мың транзисторлар қалыптасады.Транзистор құрылымдары әртүрлi түр бола алады. Сигналдың аласа деңгейi бар төмен жиiлiктi схемалары үшiн транзисторлар (нүкте — эмиттер, сақина — базасы) нүктелiк — сақиналық кескiндердi жиi алады. Бұл жағдайда және көп төмен жиiлiктi түрлердiң транзисторларындағы қарсы — тарақты құрылымды жиiрек қолданылады. Тiстердiң арасындағы бұл кең аралықтары бар сияқты екi тарақтар тiстердiң арасындағы бiреуiн кiрлердi тiстер басқаның бет орналасқан. Солардың бiрi эмиттер болып табылады, басқа — базасы. Базасы эмиттердi әрдайым толық қамтиды. Негiзгi тарақтың бiр бөлiгi тоқ бiр қалыпты үлестiретiн тоқ шинасымен қызмет көрсетедi барлық эмиттер тiстерi дегенмен бiрдей жылжуларды алады және бiрдей тоқтарды бередi. Тоқтың салдарынан жергiлiктi өсiп келе жатуын жылжуды жергiлiктi бiртектi еместiкке нүктелiк қызып кетуге келтiре алған күштi дәл құралдар үшiн бұл өте маңызды. Транзисторлардағы өткелдiң температурасы нормалы жұмыс тәртiбiнде болуы керек пе? 150 болғанда ма? Құрал өзгереуге параметрiң барасың, және схеманың жұмысын бұзады ), қуатты транзисторларда сондықтан ол аудандардыңның барлық бойынша тоқтың бiр қалыпты үлестiрiлуi дегенiне жетуге керек. Күштi дәл құрылымдар өзара тоқ кез келген дерлiк сөздiк емес мәлiметi және өздiң сөзi екiлiк ауыстырып қосу үшiн құрылымдармен өзгере алуға бiрлескен (Зубцовтың тобы, немесе аз транзисторлар) секцияларға жиi бөледi. Коллектордың тоқтың импульсi уақытқа қайсiбiр қанығуға жету үшiн осылай ету мүмкiн коллектордың тоқтың импульсi уақытқа қайсiбiр қанығуға жету үшiн осылай ету мүмкiн схема тиiстi түрмен есептеп. Коллектор өткелiнде бұл кернеуде, номиналды тең номиналды тең 5, бiрнеше оныншы вольттерге дейiн құлайды. Транзистор қашан жабулы күйге көшедi, бұл кернеу бұрынғы мәнге қайтарылады. Сайып келгенде, транзисторда екi күйлерде болады — логикалық ауыстырып қосуды тiлде 0 және 1 сәйкес келетiнi ашық және жабулы. Мұндай екiлiк цифрларға тiлге кез келген мәлiмет ауыстыра алады, ғарыштан суреттерi, телефон әңгiмесi, коммерциялық мәмiленiң шарты жеке алғанда.Коллектордың төңiрегiдегiн тоқтың импульсi және базасының уақытына заряд жинақталады. Транзистор үлкен кернеудi өз жабулы күйiне қайтып келу үшiнжиналған заряд айығуы керек. Бiраздағы алтынның атомдары — Мұндай процесстiң үдеулерi үшiн рекомбинацияның орталарын ендiредi, қай мол электрондар және тесiктердiң рекомбинацияларын жеңiлдетедi,- деп әдетте. Дұрыс жобалы транзисторда наносекундтер жабулы күйге ауыстырып қосуды заман бiрнеше шамасында жете алады. Мұндай жылдамдық аз кедергiсi бар цифрларға переключенияшинами үшiн транзисторлардың қолдануы кең мүмкiншiлiктiң көзiн табады.Диапазон үшiн транзисторлардағы аса жоғары жиiлiк — басқа қиындықтар. Олардың максимал жұмыс жиiлiгi (өткелдердiң заряды кернеуден тәуелдi болатындығы, ол) эмиттер және коллектор өткелдерiн зарядтау үшiн керек болатын тоқтауды уақытпен шектеледi. Бұл уақыттар минимумға эмиттердiң ауданының шегiне дейiн кiшiрейтiп түйiстiруге болады. Тек қана шеттегi эмиттердiң бiр бөлiгi, тiстер тиiмдi жұмыс iстеп iстейтiндiгi жiп-жiңiшке; қатарында бiрақ керек тоқты алынғандай етiп үлкейтедi. Типтi жоғары жиiлiктi эмиттердiң тiсiнiң енi тiстердiң арасындағы 1 2 мкм, және осындай аралықтарды құрайды. Базасы 0, 1 0, 2 мкм жуандықты әдетте алады. Зарядтың тасымалдауын уақытты жоғары 2000 мгц жиiлiкте анықтайтын мiнездеме базасы арқылы ендi болып табылмайды — тасымалдауды уақыт сонымен бiрге айтарлықтай коллектордың облысы арқылы; бұл параметр дегенмен коллектордағы сыртқы кернеудi кiшiрейту тек қана жолымен кiшiрейтуге болады.  
 

Иондық имплантация.

СВЧ-ты жасау үшiн қажеттi базасының жуандығына бақылау қажеттi — транзисторлар иондық имплантацияның әдiсiмен iске асырудың сәтi түстi. Керек легирлеушi қоспаның иондары сызықты үдеткiштерде жылдамдатады және (бұл тереңдiк ионның түрi және үдеткiштiң кернеуiнен тәуелдi болады) бiрнеше шамасында оныншы микрометрлер (кремни ) жартылай өткiзгiшке тереңдiкке имплантация жасайды. Енгiзудi тереңдiктi және енгiзiлетiн қоспаны сан өте тура реттеу мүмкiн иондық шоқтың тоғы өлшей өте тура реттеу мүмкiн. Содан соң кремни радиациялық зақымдануларды жою үшiн күйдiрiп алады. Иондық имплантацияның процедурасын әдетте керек өткелдiң тереңдiгiнiң табысы үшiн диффузиялармен толықтырады. Иондық имплантация диффузиялық резисторлардың дәл құрастыруы үшiн сонымен бiрге интегралды ып-ыңғайлы. 

Екiлiк  ауыстырып қосу.Тиристорлар.

Кернеулермен  және керемет үлкен тоқтармен схемалар үшiн өте биiк тиристор деп аталатын жартылай өткiзгiш құралдар жасалған. Бiр тиристор кернеулерде 4000ге дейiн жұмыс iстей алады және тиристорлар 4000 А.Впреобразователяхқа дейiн тоқ миллион вольт ширекке және көп өлшеулi каскадтарда жалғастырады.

Тиристор npnның коллекторы бөлiк pnpның коллектор тиристордың бiр бөлiгi npnның базасы болып табылады орналасқан (npn және pnp) екi транзисторлардан тұрады — бөлiк — pnpның базасымен — бөлiк. Егер npnның базасына ептеген тоқ инжектировать — болса бөлiк болса, онда ол төте жылжуды эмиттер үшiн жасайды, және эмиттердiң тоғы пайда болады. Npnның коллекторымен — жиюлы бөлiктер бұл тоқ, pnpның базасының тоқ болып қалыптасады — бұл бөлiктiң эмиттерiнiң тоғы пайда қылатын бөлiк. Осылай тиристордың қосындысында болады. «Тұтқыр тоқ деп аталатын кейбiр табалдырықты деңгей ол тоқтың төмендеуiнде төменде сөндiрiледi. Егер эмиттердiң ауданын жасалсын үлкен жеткiлiктi, онда мол тоқтар оңай ауыстырып қосуға болады.Тиристорлар айнымалы тоқ тоқ мерзiмшең өткiзедi; тек қана симисторды өнертабыспен электр қозғағыштарының реттеуiштерi үшiн айнымалы тоқтың осы жартылай өткiзгiш ауыстырып қосқышы пайда болды, реттеуiш тағы басқа құрылымдарды жарықтық. Симистор екi iстелiнген параллель қосылған тиристорлардың бiр кремилiк пластинкаларында тұрады, бiрақ. Тиристорлардың бiрлерi бiр жартылай периодтағы тоқ өткiзедi, басқа – келесi. Симистордың қосындылары үшiн бағдарлаушы электрод ескерiледi. Тоқ үзу керек оны өшiрсiн үзу керегу үшiн. Симисторларды қызықты ерекшелiк олар кез келген бағыттың ЄдЄлары өткiзетiн және оң, немесе терiс бағдарлаушы сигналмен де ауыстырып қоса алатын болып табылады. 

Фототранзистор.

Транзисторға қашан жарық құлайды үлкен энергия жеткiлiктi, яғни аз толқын ұзындығы, онда жеткiлiктi электронды-көп тесiктi буларды босайды. Рекомбинируют олар нормалы шарттардағы және жоғалады. Егер булар p-nдар осы маңай пайда болса — керi қызметтен алуды кернеуi бар өткел болса, бiрақ, олар өткелдiң төңiрегiдегi сiңiре алады. Сақтаушылардың бiрлерi өткел бар кернеумен сонда оның қабiлеттiлiгiн шапшаңдатуға соқтығысу процесстерiндегi қосымша зарядтар босатуға алатын бола алады. Nның материалында — түр тесiк, pның материалында үдейдi — түр — зарядтар электрон. тоқ өткел арқылы алып жүрiп, ол пайда болатындығы және сыртқы шынжырда, яғни жарық электр тогiне өзгертедi. 

Дала  транзисторлары.

1930 Лилиенфельдке әлi өткiзу қабiлетiмен шалағай жартылай өткiзгiш материалда қабаттай басқаруға талпынысты iстедi. 1948 Шокли және Пирсонға арқасында шалағай дала эффектiнiң тоқтарын басқару туралы мөрлерде хабарлады. Басында 1960-шi жылдар бiрақ тек қана (металл — оксид — жартылай өткiзгiш) iс жүзiнде жарамды Моп пайда болды. Екi полярлық кремилiк транзистордан айырмашылыққа, Моп бiр полюсты болып табылады, яғни негiзгi сақтаушыларды басқаруда негiзделгеннiң оның әсерi. Шалағай да, көлемдi де бiр полюсты дала транзисторының әрекет ету қағидаты айтамыз.

Лот №46245 — Лоттар — Сатып алудың тізбесі

Сегодня: 04.03.2022 06:00

Хабарландырулар № 15508

Сатып алудың орыс тіліндегі атауы Закупка товаров радиодеталей
Сатып алу тәсілі Баға ұсыныстарын сұрату
Мәртебе Аяқталды
Тапсырыс беруші Солтүстік Қазақстан Облыстық РадиоТелехабар тарату Дирекциясы «Казтелерадио» акционерлік қоғамының филиалы
Ұйымдастырушы Солтүстік Қазақстан Облыстық РадиоТелехабар тарату Дирекциясы «Казтелерадио» акционерлік қоғамының филиалы
Жарияланған мерзімі 2016-08-19 11:17:49
Өтінімді қабылдау мерзімінің басы 2016-08-19 12:00:00
Өтінімді қабылдау мерзімінің аяғы 2016-08-26 12:00:00
Өтінімдерді ұсыну орны Республика Казахстан, Северо-Казахстанская область, город Петропавловск, улица Брусиловского, дом 1 / Республика Казахстан, Северо-Казахстанская область, город Петропавловск, улица Брусиловского, дом 1
ur_address_nogz Республика Казахстан, Северо-Казахстанская область, город Петропавловск, улица Брусиловского, дом 1
WEB сайт new. kazteleradio.kz/zakupki

Лот туралы ақпарат № 46245

Лоттың атауы Кабель
Лотты сипаттау RG-6
Қосымша сипаттама ВЧ RG 6 коаксильді кабель
Саны 500
Өлшем бірлік Ұзындық метр
Бірлік бағасы 70
Жоспарланған сома 35000
Аванс 0
Жеткізу мерзімдері Согласно условиям договора
Жеткізу орны КАЗАХСТАН ,Северо-Казахстанская область, Петропавловск Г.А., г.Петропавловск, ул. Брусиловского, 1

Сондай-ақ осы хабарландыруда

Отчет о рынке транзисторов Казахстана 2022

Объем рынка транзисторов в Казахстане

Казахстанский рынок транзисторов резко вырос до X долларов в 2020 году, увеличившись на X% по сравнению с предыдущим годом. Этот показатель отражает общую выручку производителей и импортеров (без учета затрат на логистику, затрат на розничный маркетинг и наценок розничных продавцов, которые будут включены в конечную потребительскую цену). За рассматриваемый период потребление продемонстрировало скромный рост. Темпы роста оказались самыми быстрыми в 2010 году, увеличившись на X% в годовом исчислении.Потребление транзисторов достигло X долларов в 2014 году; однако с 2015 по 2020 год потребление не набрало обороты.

Экспорт транзисторов

Экспорт из Казахстана

В 2020 году зарубежные поставки транзисторов, кроме фоточувствительных транзисторов, сократились на -X% до X кг, падая второй год подряд после пяти лет роста. В целом экспорт продолжает демонстрировать резкое сокращение. Наиболее заметные темпы роста были зафиксированы в 2018 году, увеличившись на Х% по сравнению с предыдущим годом.Экспорт достиг своего пика в X кг в 2007 году; однако с 2008 по 2020 год экспорт оставался на более низком уровне.

В стоимостном выражении экспорт транзисторов значительно увеличился до X долларов в 2020 году. За рассматриваемый период экспорт значительно увеличился. Наиболее заметные темпы роста были зафиксированы в 2018 году, когда экспорт увеличился на X% в годовом исчислении. Пик экспорта пришелся на 2020 год, и ожидается, что он сохранит рост в ближайшие годы.

Экспорт по странам

Россия (X кг) и США (X кг) были основными направлениями экспорта транзисторов из Казахстана.

С 2007 по 2020 год наиболее заметные темпы роста поставок среди основных стран назначения были достигнуты США

В стоимостном выражении Россия ($X) стала ключевым зарубежным рынком для транзисторов экспорт из Казахстана, составляющий X% от общего объема экспорта. Вторую позицию в рейтинге заняли США ($X) с долей X% в общем экспорте.

С 2007 по 2020 год среднегодовой темп роста в стоимостном выражении по России составил +X%.

Экспортные цены по странам

В 2020 году средняя экспортная цена транзисторов составила X долларов за тонну, увеличившись на X% по сравнению с предыдущим годом. За рассматриваемый период экспортная цена значительно увеличилась. Темпы роста были самыми быстрыми в 2009 году, когда средняя экспортная цена увеличилась на Х% по сравнению с предыдущим годом. Экспортная цена достигла пика в 2020 году и, вероятно, будет устойчиво расти в ближайшие годы.

Цены заметно различались в зависимости от страны назначения; страной с самой высокой ценой была Россия (X долларов за тонну), а средняя цена экспорта в США.S. составил X долларов за тонну.

С 2007 по 2020 год наиболее заметные темпы роста цен были зафиксированы при поставках в Россию.

Импорт транзисторов

Импорт в Казахстан

В 2020 году закупки за рубежом транзисторов, кроме светочувствительных, сократились на -X% до X тонн, падая третий год подряд после двух лет роста. В целом по импорту зафиксировано выраженное снижение. Темпы роста оказались самыми быстрыми в 2010 году, увеличившись на X% по сравнению с предыдущим годом.Пик импорта составил X тонн в 2014 году; однако с 2015 по 2020 год импорту не удалось набрать обороты.

В стоимостном выражении импорт транзисторов резко вырос до X долларов в 2020 году. В целом импорт продемонстрировал устойчивый рост. Темпы роста были наиболее выраженными в 2010 году с увеличением X% г-к-г. За рассматриваемый период импорт достиг максимума в $X в 2014 г.; однако с 2015 по 2020 год импорт был несколько ниже.

Импорт по странам

Германия (X кг), Китай (X кг) и Россия (X кг) были основными поставщиками импорта транзисторов в Казахстан, на долю которых приходилось X% от общего объема импорта.США, Беларусь, Вьетнам и Индия несколько отстали, что в совокупности составило еще Х с 2007 по 2020 год, самый большой рост был в Беларуси (+Х% в год), в то время как закупки для других лидеров росли более скромными темпами.

В стоимостном выражении Германия (X долларов США) была крупнейшим поставщиком транзисторов в Казахстан, что составляет X% от общего объема импорта. Вторую позицию в рейтинге занял Китай ($X) с долей X% в общем объеме импорта. За ним последовал У. С., с долей X%.

С 2007 по 2020 год среднегодовой темп роста стоимости в Германии составил +X%. Остальные страны-поставщики зафиксировали следующие среднегодовые темпы роста импорта: Китай (+X% в год) и США (+X% в год).

Цены на импорт по странам

Средняя цена импорта транзисторов в 2020 году составила X долларов за тонну, увеличившись на X% по сравнению с предыдущим годом. В целом цены на импорт продолжают демонстрировать заметный рост. Темпы роста оказались самыми быстрыми в 2008 году, увеличившись на Х% по сравнению с предыдущим годом.За рассматриваемый период средние цены на импорт достигли максимума в 2020 году и, вероятно, продолжат рост в ближайшие годы.

Цены заметно различались в зависимости от страны происхождения; страной с самой высокой ценой была Германия (X долларов за тонну), а цена для Индии (X долларов за тонну) была одной из самых низких.

С 2007 по 2020 год наиболее заметные темпы роста цен были достигнуты в Беларуси, в то время как цены других крупных поставщиков росли более скромными темпами.

Источник: платформа IndexBox

Часто задаваемые вопросы (FAQ):

Странами с наибольшим объемом потребления транзисторов в 2020 году были Китай (13 тыс. тонн), США.S. (10 тыс. тонн) и САР Гонконг (9,4 тыс. тонн), на которые вместе приходится 38% мирового потребления. За этими странами следуют Япония, Германия, Мексика, Индонезия, Венгрия, Сингапур, Польша, Индия, Испания и Южная Корея, на которые вместе приходится еще 36%.

Странами с наибольшим объемом производства транзисторов в 2020 году были Китай (32 тыс. тонн), США.Южная Корея (19 тыс. тонн) и Япония (12 тыс. тонн), на долю которых приходится 70% мирового производства.

В стоимостном выражении Германия ($316 тыс.) была крупнейшим поставщиком транзисторов в Казахстан, на долю которого пришлось 54% всего импорта.Вторую позицию в рейтинге занял Китай ($100 тыс.) с долей 17% в общем объеме импорта. За ним следуют США с долей 15%.

В стоимостном выражении Россия (22 тысячи долларов США) стала ключевым внешним рынком для экспорта транзисторов из Казахстана, на долю которого приходится 71% от общего объема экспорта. Вторую позицию в рейтинге заняли США ($5,9 тыс.) с долей 19% в общем объеме экспорта.

Средняя экспортная цена транзисторов в 2020 году составила $187 613 за тонну, увеличившись на 60% по сравнению с предыдущим годом.

В 2020 году средняя цена импорта транзисторов составила $375 893 за тонну, увеличившись на 96% по сравнению с предыдущим годом.

BAM40 P1dB Мощный ВЧ-транзистор|RFMW

НАЖИМАЯ КНОПКУ «ПРИНЯТЬ», «ВЫ» (имеется в виду ВЫ ЛИЧНО ИЛИ КОМПАНИЯ, КОТОРУЮ ВЫ ПРЕДСТАВЛЯЕТЕ И ОТ ИМЕНИ ЧЬЕЙ ВЫ ПОЛНО УПОЛНОМОЧЕНЫ ЗАКЛЮЧИТЬ НАСТОЯЩЕЕ СОГЛАШЕНИЕ) СОГЛАШАЕТЕСЬ СОБЛЮДАТЬ НАСТОЯЩЕЕ ЛИЦЕНЗИОННОЕ СОГЛАШЕНИЕ И СТАНОВИТЕСЬ СТОРОНОЙ ЛИЦЕНЗИОННОГО СОГЛАШЕНИЯ ( «СОГЛАШЕНИЕ»).ЕСЛИ ВЫ НЕ СОГЛАСНЫ СО ВСЕМИ УСЛОВИЯМИ НАСТОЯЩЕГО СОГЛАШЕНИЯ, НАЖМИТЕ КНОПКУ «ОТМЕНА», И ПРОЦЕСС ЗАГРУЗКИ/УСТАНОВКИ НЕ ПРОДОЛЖИТСЯ. ЕСЛИ ЭТИ УСЛОВИЯ СЧИТАЮТСЯ ПРЕДЛОЖЕНИЕМ, ПРИНЯТИЕ ЯВНО ОГРАНИЧИВАЕТСЯ ЭТИМИ УСЛОВИЯМИ. 1. ГРАНТ. В соответствии с условиями настоящего Соглашения («Компания») настоящим предоставляет вам (и только вам) ограниченную, личную, не подлежащую сублицензированию, не подлежащую передаче, безвозмездную, неисключительную лицензию на внутреннее использование программного обеспечения, которое вы собираетесь загружать/устанавливать («Программное обеспечение») только в соответствии с настоящим Соглашением и документацией Компании, прилагаемой к Программному обеспечению, и без каких-либо модификаций, кроме модификаций, предоставленных непосредственно Компанией. 2. ОГРАНИЧЕНИЯ. Вы не можете (и соглашаетесь не делать этого, а также не разрешаете или не позволяете другим) прямо или косвенно: (a) копировать, распространять или иным образом использовать Программное обеспечение в интересах третьих лиц; (b) дизассемблировать или иным образом перепроектировать Программное обеспечение; или (c) удалить любые уведомления о праве собственности из Программного обеспечения. Вы понимаете, что Компания может изменить или прекратить предлагать Программное обеспечение в любое время. 3. ПОДДЕРЖКА И ОБНОВЛЕНИЯ. Настоящее Соглашение не дает вам права на какую-либо поддержку, обновления, исправления, усовершенствования или исправления для Программного обеспечения (совместно именуемые «Поддержка»).Любая такая Поддержка Программного обеспечения, которая может быть предоставлена ​​Компанией, становится частью Программного обеспечения и подпадает под действие настоящего Соглашения. 4. ОТКАЗ ОТ ГАРАНТИИ. КОМПАНИЯ ПРЕДОСТАВЛЯЕТ ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ «КАК ЕСТЬ» И БЕЗ КАКИХ-ЛИБО ГАРАНТИЙ, И НАСТОЯЩИМ КОМПАНИЯ ОТКАЗЫВАЕТСЯ ОТ ВСЕХ ЯВНЫХ ИЛИ ПОДРАЗУМЕВАЕМЫХ ГАРАНТИЙ, ВКЛЮЧАЯ, ПОМИМО ПРОЧЕГО, ГАРАНТИИ КОММЕРЧЕСКОЙ ПРИГОДНОСТИ, ПРИГОДНОСТИ ДЛЯ ОПРЕДЕЛЕННОЙ ЦЕЛИ, ПРОИЗВОДИТЕЛЬНОСТИ, ТОЧНОСТИ, НАДЕЖНОСТИ И НЕНАРУШЕНИЯ ПРАВ. НАСТОЯЩИЙ ОТКАЗ ОТ ГАРАНТИИ СОСТАВЛЯЕТ НЕОТЪЕМЛЕМУЮ ЧАСТЬ НАСТОЯЩЕГО СОГЛАШЕНИЯ.5. ОГРАНИЧЕНИЕ ОТВЕТСТВЕННОСТИ. КОМПАНИЯ ИЛИ ЕЕ ЛИЦЕНЗИАРЫ, ПОСТАВЩИКИ ИЛИ ТОРГОВЫЕ ПРОДАВЦЫ НЕ НЕСУТ ОТВЕТСТВЕННОСТИ ПЕРЕД ВАС ИЛИ ЛЮБЫМ ДРУГИМИ ЛИЦАМИ ЗА (A) ЛЮБОЕ КОСВЕННОЕ, СПЕЦИАЛЬНОЕ, СЛУЧАЙНЫЕ ИЛИ КОСВЕННЫЕ УБЫТКИ ЛЮБОГО ХАРАКТЕРА, ВКЛЮЧАЯ, ПОМИМО ПРОЧЕГО, УЩЕРБ В ОТНОШЕНИИ УПУЩЕННОЙ ПРИБЫЛИ, ПОТЕРИ РЕЛИГИИ, ОСТАНОВКИ РАБОТЫ, ТОЧНОСТИ РЕЗУЛЬТАТОВ, СБОЯ ИЛИ НЕИСПРАВНОСТИ КОМПЬЮТЕРА, УЩЕРБА В РЕЗУЛЬТАТЕ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ ПРОГРАММНОГО ОБЕСПЕЧЕНИЯ ИЛИ (B) ЛЮБОЙ ПРЕВЫШЕННОЙ СУММЫ 100 долларов.6. ПРЕКРАЩЕНИЕ. Вы можете прекратить действие настоящего Соглашения и предоставленной в нем лицензии в любое время, уничтожив или удалив со всех компьютеров, сетей и носителей все копии Программного обеспечения. Компания может немедленно расторгнуть настоящее Соглашение и предоставленную в нем лицензию, если вы нарушите какое-либо положение настоящего Соглашения. После получения от Компании уведомления о расторжении вы должны уничтожить или удалить со всех компьютеров, сетей и носителей все копии Программного обеспечения. Разделы со 2 по 7 остаются в силе после прекращения действия настоящего Соглашения.7. РАЗНОЕ. Вы должны соблюдать все применимые экспортные законы, ограничения и правила в связи с использованием вами Программного обеспечения и не будете экспортировать или реэкспортировать Программное обеспечение в нарушение этих правил. Настоящее Соглашение является личным для вас, и вы не имеете права переуступать или передавать Соглашение или Программное обеспечение какой-либо третьей стороне ни при каких обстоятельствах; Компания может переуступить или передать настоящее Соглашение без согласия. Настоящее Соглашение представляет собой полное соглашение между сторонами в отношении этой лицензии и заменяет собой все предыдущие соглашения и заверения между ними.Оно может быть изменено только в письменной форме, подписанной обеими сторонами. Если какое-либо положение настоящего Соглашения будет признано неисполнимым по какой-либо причине, такое положение должно быть изменено только в той мере, в какой это необходимо для обеспечения его исковой силы. Настоящее Соглашение регулируется и толкуется в соответствии с Калифорнией без учета каких-либо коллизионных норм.

Государственный тендер Казахстана на транзистор, объявление о закупке товаров …

Сводка закупок

Страна : Казахстан

Резюме: Транзистор, Объявление о закупке Товаров Спецодежды методом Запроса Ценовых Предложений, Кол-во: 2

Крайний срок: 25 февраля 2022 г.

Другая информация

Тип уведомления: Тендер

TOT Ref.№: 63430128

Документ № №: 46754949-PSP1

Конкуренция: ICB

Финансист: Самофинансирование

Право собственности покупателя: Государственная

Данные покупателя

Приобретатель : ФИЛИАЛ АКЦИОНЕРНОГО ОБЩЕСТВА «КАЗТЕРАДИО» КЫЗЫЛОРДИНСКАЯ ОБЛАСТНАЯ ДИРЕКЦИЯ РАДИОШИТЬЯ
Юр. Переводчики Организатор: 431010000, 120005, Казахстан, г. Алматы, ул. Кызылорда, ул. Мырзабек Дуйсенов, р. 69 б, оф.
Fiyo Представитель: Хисамов Рустам Фаридович
Казахстан
Электронная почта: [email protected]

Детали тендера

Транзистор, объявление о закупке товаров спецодежды методом запроса ценовых предложений, Кол-во: 2 Сумма закупки: 1 210 920,00
Количество: 2
Номер лота: 46754949-ЗДП1 Наименование лота: Транзистор

Время приема заявки: 2022- 02-18 10:00:00 Крайний срок приема заявок: 2022-02-25 10:00:00

Дополнительные документы

Дополнительных документов нет..!

Cardean Transistors™ доступны для компаний и государственных учреждений, желающих создавать портативные устройства для обнаружения коронавируса

Cardea Bio, биотехнологическая компания из Сан-Диего, разработала новую технологию, сочетающую в себе небольшие элементы биологии и полупроводниковой электроники, которую можно использовать для разработки портативного устройства для быстрого тестирования на коронавирус.

Транзисторы с биологическим управлением на основе графена (транзисторы Cardean) напрямую считывают молекулярные сигналы активной биологии с помощью современной электроники. Этот запатентованный технологический прорыв может быстро обнаруживать и идентифицировать маркеры заболеваний, навсегда изменяя отслеживание текущих и будущих инфекционных заболеваний, поскольку оно становится почти в реальном времени и портативным.

Революционные возможности обнаружения этой технологии были опубликованы в многочисленных рецензируемых публикациях, включая Nature Biomedical Engineering.Используя это нововведение, несколько партнерских организаций уже приступили к работе, необходимой для интеграции Cardean Transistor в портативные устройства, но требуется больше партнеров.

Настоящим Cardea активно обращается ко всем крупным компаниям и государственным организациям, которые хотят срочно вывести на рынок портативное устройство для обнаружения коронавируса первого поколения.

Справочная информация:

Биологические системы общаются посредством сигналов, называемых молекулярными взаимодействиями. В случае с вирусами эти молекулярные взаимодействия осуществляются через РНК и белковые сигналы. В чем сейчас нуждается мир, так это в возможности обнаруживать эти сигналы с помощью портативного инструмента — в режиме реального времени — потенциально у сотен тысяч людей одновременно. Эти простые, но мощные устройства должны быть подключены к Интернету, чтобы программное обеспечение для облачного анализа позволяло немедленно получить цифровую информацию о невидимой вирусной атаке. В то время как полупроводниковая электроника может оказаться эффективным способом обнаружения этих сигналов, кремний не является биосовместимым, то есть он не работает при прямом воздействии образцов человека и вирусов.

Графен — биосовместимый наноматериал, превосходный полупроводник, такой как кремний, который можно использовать в производстве электронных транзисторов. Транзисторы Cardean, правильно настроенные, могут перехватывать и считывать молекулярные взаимодействия биологических сигналов. Cardea фактически обеспечила новый технологический прорыв и готова сотрудничать с компаниями и государственными учреждениями, чтобы вывести эту инновацию на нуждающиеся рынки по всему миру.

Эти партнерские отношения позволят быстро идентифицировать и обмениваться данными, что приведет к тому, что каждый будет иметь доступную полезную информацию.

Cardea дает значительные преимущества по сравнению с существующими методами тестирования на вирусы:

1) Точка оказания медицинской помощи: образцы не нужно доставлять в лабораторию, поскольку технология обнаружения помещается внутри портативного устройства с использованием типа «лаборатория на чипе». технология.

2) Дополнительная полезная информация: технология позволяет одновременно тестировать несколько представляющих интерес молекулярных сигналов. Например, эту технологию можно использовать для дифференциации того, инфицирован ли пациент коронавирусом или просто гриппом, а также для проверки наличия у человека иммунитета к определенному штамму коронавируса.Общие подходы к биологическому тестированию, такие как ПЦР и ИФА, совместимы с технологией Cardea, и во многих случаях длительное время ожидания и дополнительные реагенты, необходимые для этих методов, могут быть устранены путем построения анализа на транзисторе Cardean.

3) Технология обнаружения с большим количеством форм-факторов и вариантов использования. Существует множество форм-факторов и вариантов использования, в которые можно интегрировать эту технологию. Помимо портативных устройств, версия технологии может быть создана, например, для сидеть в туалете для постоянного наблюдения или в качестве пропускной системы в залах ожидания больниц.

(Био)технология Cardea хорошо охарактеризована и недавно получила признание во всемирно известных рецензируемых журналах. В частности, в июне 2019 года CRISPR-чип Cardea (версия Cardean Transistor) стал главной статьей журнала Nature Biomedical Engineering и стал самой читаемой публикацией в 2019 году. В беспристрастной реакции на эту статью доктор Кан Динсер из Лаборатории датчиков Департамент микросистемной инженерии (IMTEK) Фрайбургского университета отметил в журнале Nature News & Views: «Распространенность и распространение устойчивости к противомикробным препаратам во всем мире, (повторное) появление в последнее время вспышек инфекционных заболеваний Денге и Зика (…) требуют дальнейших технологий. развитие тестирования нуклеиновых кислот.(…) Технология CRISPR обеспечивает простые и легко масштабируемые подходы к созданию биосенсорных устройств для широкого спектра целей, включая вирусы, бактерии и раковые мутации».

Генеральный директор Cardea Майкл Хелтцен заявляет: «Наши транзисторы Cardean объединены с естественными поисковыми возможностями CRISPR, что дает возможность быстрее и эффективнее обнаруживать коронавирус благодаря дифференцированным преимуществам продукта, заключающимся в том, что он является портативным, быстрым, точным и подключенным к Интернету. подключенное устройство.Это впервые позволяет использовать облачные вычисления и другие интернет-приложения для получения результатов биологических исследований без необходимости отправлять образец обратно в лабораторию и ждать несколько дней, прежде чем вы получите результат».

Хельтцен продолжает: «Мы твердо верим, что у нас есть критически важный компонент для борьбы с текущими, а также будущими вирусными атаками. Сказав это, нам нужна поддержка крупных компаний и государственных организаций, чтобы передать этот новый тип технологии в руки масс.

Инструкции по установке для Motorola, Toshiba, Mitsubishi и аналогичных силовых ВЧ транзисторов и модулей – Bext

Инструкции по установке для Motorola, Toshiba, Mitsubishi и аналогичных силовых ВЧ транзисторов и модулей

ПРИМЕЧАНИЕ. Настоящие инструкции были подготовлены компанией RF Parts Company, 435 South Pacific Street, San Marcos, CA 92069. Телефон: (619) 744-0750, (800) 737-2787. [email protected] Авторские права принадлежат RF Parts Company, 1996 г.

Прочтите эти указания по установке силовых ВЧ-транзисторов и модулей.Мы обнаружили, что большинство сбоев в радиочастотных компонентах можно отнести к неправильной установке или процедурам настройки.

Установка модуля и обращение с ним

(1) Перед установкой новой детали удалите весь старый термопаста или загрязнения с радиатора. Поверхность должна быть гладкой и чистой, небольшие заусенцы на монтажных отверстиях или кусочки припоя или металла будут препятствовать надлежащей передаче тепла.

(2) Убедитесь, что между компонентами и печатной платой имеется достаточный зазор.Недостаточный зазор может привести к тому, что крышка или подложка треснут или оторвется от базы транзистора.

(3) Нанесите тонкий слой свежей герметика на новую деталь. Соединение обеспечивает теплопроводность через небольшие пустоты, существующие между двумя поверхностями. (Чрезмерное количество компаунда фактически снижает теплопроводность.) Мы рекомендуем компаунд «Thermalcote». (Его можно приобрести у нас и у других дистрибьюторов электроники.)

(4) Следует соблюдать осторожность, чтобы не уронить деталь на твердую поверхность.

Пайка

(1) Припой ведет к печатной плате. Избегайте чрезмерного изгиба проводов.

(2) Рекомендуемым растворителем для очистки остаточного флюса является этиловый спирт.

Советы по настройке модуля

(1) Проверьте цепь передатчика перед включением. Например, в некоторых трансиверах VHF/UHF мы обнаружили неисправные PIN-диоды переключения антенны (до 20%). Это указывает на то, что неисправная антенна могла привести к отказу схемы переключения антенны, что привело к повреждению модуля.Мы предлагаем проверить каждый диод в цепи переключения на утечку и высокое прямое/низкое обратное сопротивление. Это легко сделать, подняв один конец тестируемого диода и подключив обычный аналоговый омметр (шкала X 10). Ищите обычные высокие показания обратного/низкого прямого сопротивления.

(2) Проверьте правильность работы цепи управления питанием. Неисправность PIN-диода может быть вызвана негерметичным или недостаточно включенным управляющим транзистором. Если есть сомнения, замените.

(3) Во избежание повреждения нового компонента на этапе настройки необходимо проверить правильность работы и настройки цепи смещения.

(4) Первоначальный тест должен проводиться при малой мощности; если все нормально, переходите к следующему шагу.

(5) Информацию о регулировке мощности см. в руководстве по эксплуатации вашего оборудования. Поскольку новый модуль может иметь более высокий коэффициент усиления, чем исходный, вам следует уменьшить уровень возбуждения перед проверкой высокой мощности.

(6) Большинство модулей превышают указанную номинальную мощность, однако рекомендуется не превышать номинальную мощность модуля или оборудования, поскольку надежность быстро снижается с увеличением мощности.

(7) Если новый модуль в преобразователе выйдет из строя, будет разумно предположить, что осталась проблема, которая не была обнаружена, т.е.e.: (a) Антенна или кабель прерывистого действия; (b) Периодически неисправный PIN-диод или связанная с ним схема управления, холодная пайка и т. д.; (c) Установка мощности выше номинальной выходной мощности передатчика.

Советы по настройке транзисторов

Согласованные транзисторы

можно приобрести в компании RF Parts. Транзисторы выбираются в наборы на основе различных критериев, в том числе выбора по низкой утечке Icbo, равномерному коэффициенту усиления по мощности и линейности, аналогичному постоянному току. Бета и нормальные показания индикатора кривой. Тест RF Power Test не представляет максимальную мощность, а только измерение выходного сигнала для выбранного уровня возбуждения.Пример: Мы тестируем каждый MRF454 в тестовом приспособлении с входной мощностью 3 Вт. Соответствующий выход измеряется. Типичная тестовая выходная мощность 80 Вт составляет около 75% от пиковой мощности транзистора. Транзисторы группируются по коэффициенту бета и мощности. Таким образом, мы можем поставлять подобранные пары, наборы из 4, 8, 16, 32 и т. д. с очень похожими характеристиками. Вы должны сохранить оболочку транзистора, так как она дает тестовую информацию о деталях внутри. В случае, если вам потребуется замена транзистора в более позднее время, вы можете заказать аналогичную замену по данным испытаний.

(1) Установка транзистора практически такая же, как и для ВЧ силовых модулей. Следует соблюдать осторожность, чтобы не перетянуть транзисторы со «шпильками», т. е. MRF1946A/MRF454 455A и т. д., так как винт изготовлен из меди.

(2) Транзисторы и ВЧ силовые модули могут быть повреждены одним или комбинацией следующих факторов: чрезмерная температура корпуса, чрезмерное напряжение или ток, чрезмерная мощность привода, колебания в цепи, чрезмерный КСВ и т. д.

(3) Некоторые усилители в основном нестабильны, и следует соблюдать осторожность, чтобы избежать чрезмерного смещения.Оптимальным напряжением смещения в цепях КЛАССА AB1 является ток коллектора (при нулевом возбуждении ВЧ) менее 0,5% от нормального максимального тока коллектора. Хорошая линейность будет достигнута без перевода транзисторов в класс A (что часто вызывает колебания).

(4) Технический специалист должен сначала провести проверку при малой мощности (низкая мощность или установка низкой мощности на усилителе). Вы можете увеличить мощность привода, если цепь остается стабильной и в пределах нормального уровня тока. Когда достигается пик мощности, увеличение привода не приведет к значительному увеличению выходной мощности.В этот момент выходная настройка должна быть настроена на немного меньшую емкость. Например, в широкополосном усилителе настроечный конденсатор на выходной обмотке должен иметь немного меньшую емкость, чем при пиковой мощности.

(5) Детали типа МОП требуют особого ухода в отношении статического электричества (аналогично МОП-ИС)

Предоставлено RF Parts Co.

Просто лифт использует 16 входов 12 выходов транзисторный ПЛК DVP28SS211T

Просто лифт использует 16 входов 12 выходов транзисторный ПЛК DVP28SS211T Дома / ПЛК / Просто лифт использует 16 входных 12 выходных транзисторов plc DVP28SS211T

Простое использование лифта 16 входных 12 выходных транзисторов plc DVP28SS211T

Код продукта:

ДВП28СС211Т  

Источник питания:

+24 В пост. тока  

Ввод высокоскоростных счетчиков:

8 точек из 4 высокоскоростных счетчиков: X0~X3 (максимальная входная частота: 20 кГц); X4~X7 (максимальная входная частота: 10 кГц)   

Высокоскоростной импульсный выход:

4 точки: Y0~Y3 (максимальная выходная частота: 10 кГц)   

Максимальное количество расширений ввода/вывода:

480  

Встроенный коммуникационный порт:

1 порт RS-232 и 1 порт RS-485 (ведущий/ведомый)  

Дополнительный модуль расширения:

Цифровой модуль, аналоговый модуль, модуль датчика нагрузки, модуль измерения температуры, модуль позиционирования, подчиненный модуль связи DeviceNet, модуль связи Ethernet, ведущий модуль связи CANopen, подчиненный модуль связи PROFIBUS DP, RS-485 / RS-422, модуль последовательной связи, Profibus подчиненный модуль, модуль удаленного ввода/вывода  

Сертификация:

CE、UL、CUL

Описания

Тонкий ПЛК Delta DVP

ПЛК Delta DVP Slim — самый простой ПЛК среди продуктов Delta. DVP Slim plc включает в себя стандартный тонкий ПЛК, расширенный тонкий ПЛК, аналоговый ввод-вывод тонкий ПЛК, расширенный тонкий ПЛК сетевого типа, высокопроизводительный тонкий ПЛК. Он может быть оснащен цифровым модулем, аналоговым модулем, модулем тензодатчика, модулем измерения температуры. , Модуль позиционирования, Ведомый модуль связи DeviceNet, Модуль связи Ethernet, Ведущий модуль связи CANopen, Ведомый модуль связи PROFIBUS DP, RS-485 / RS-422, Модуль последовательной связи, Ведомый модуль Profibus, Модуль удаленного ввода/вывода.Пользователи могут выбирать подходящие продукты в соответствии со спросом. DVP SS2 plc может удовлетворить потребности в логической работе и управлении движением в общих случаях.

DVP SS2 Стандартный тонкий ПЛК

    ПЛК DVP SS2 – это стандартный тонкий ПЛК.

  • Встроенный 1 аппаратный порт RS-485; 1 аппаратный порт RS-232.
  • Функции управления движением: 4 точки импульсного выхода 10 кГц; 8 точек скоростных счетчиков: 20 кГц/4 точки, 10 кГц/4 точки
Документы
  • Инструкция по эксплуатации ПЛК Delta DVP-28SS2 английский Скачать
  • ПО для программирования ПЛК Delta Руководство пользователя ISPSoft английский Скачать
  • Программное обеспечение для программирования ПЛК серии Delta SS2 Многоязычный Скачать
  • Программное обеспечение для управления связью ПЛК серии Delta SS2 Многоязычный Скачать
  • Примеры программирования приложений DVP-PLC английский Скачать
  • Инструкции по установке пароля ПЛК с помощью программного обеспечения английский Скачать

© 2021 Zhangjiagang Haina Automation Equipment Co., ООО. Все права защищены.

Анализ новостей (03.03.2022)

Для Prelims : Конвенция Монтрё, расположение Черного моря, проливов Босфор и Дарданеллы.

Для сетей: Война России за Украину, влияние политики и политики стран на интересы Индии.

Почему в новостях?

Турция собирается активировать Конвенцию Монтрё в ответ на Войну России за Украину.

  • Заявление о том, что ситуация на Украине переросла в войну, уполномочивает Турцию активировать Конвенцию Монтрё и запрещает российским военным кораблям заходить в Черное море через проливы Босфор и Дарданеллы.

Где расположены проливы Босфор и Дарданеллы?

  • Проливы Босфор и Дарданеллы, также известные как Турецкие проливы или Черноморские проливы, соединяют Эгейское и Черное моря через Мраморное море.
  • Это единственный проход , через который черноморские порты могут выйти в Средиземное море и за его пределы.
  • Более три миллиона баррелей нефти , около 3% ежедневной мировой добычи, в основном производится в России, Азербайджане и Казахстане, проходят через этот водный путь каждый день.
  • Маршрут также перевозит большое количество железа, стали и сельскохозяйственной продукции с побережья Черного моря в Европу и остальной мир.

Что такое Конвенция Монтре?

  • Международное соглашение было подписано Австралией, Болгарией, Францией, Грецией, Японией, Румынией, Югославией, Великобританией, Советским Союзом и Турцией и действует с ноября 1936 года.
  • Конвенция Монтрё о режиме проливов дает Турции контроль над водным путем между Черным морем.
    • Россия имеет крупную военно-морскую базу в Севастополе, на Крымском полуострове.
    • Однако для того, чтобы суда двигались в Средиземное море и из него — и за его пределы — они должны пройти через два пролива, контролируемых Турцией в соответствии с Конвенцией Монтрё.
  • Устанавливает ограничения на проход гражданских и военных кораблей через проливы Дарданеллы и Босфор. Ключевыми элементами Конвенции Монтрё являются:
    • В случае войны пакт дает Турции право регулировать транзит военно-морских кораблей и блокировать проливы для военных кораблей, принадлежащих странам, участвующим в конфликте.
    • Любая страна с береговой линией на Черном море – Румыния, Болгария, Грузия, Россия или Украина – должна уведомить Турцию за восемь дней до о своем намерении отправить военные корабли через проливы.
      • Другие страны, которые не граничат с Черным морем, должны уведомить Турцию за 15 дней.
  • Турция уже использовала полномочия конвенции раньше. Во время Второй мировой войны Турция не позволила державам Оси направить свои военные корабли для нападения на Советский Союз – и заблокировала советский флот от участия в боевых действиях в Средиземном море.

Какова роль Турции в нынешнем кризисе?

  • В текущей ситуации правительство Турции оказалось в затруднительном положении, поскольку и Украина, и Россия являются важными партнерами по важнейшим энергетическим и военно-торговым соглашениям.
  • Турция, член НАТО с 1952 , хочет укрепить свои связи с Западом, не расстраивая при этом Россию. Его контроль над этими ключевыми проливами может стать проверкой баланса .
  • В этом контексте Турция заявила, что не может заблокировать доступ всех российских военных кораблей в Черное море из-за пункта пакта, освобождающего тех, кто возвращается на свою зарегистрированную базу.
  • Статья 19 договора содержит исключение для стран Черного моря, которое может эффективно подорвать мощь Турции в блокировании входа или выхода российских военных кораблей из Черного моря.
    • Военные корабли, принадлежащие воюющим державам, независимо от того, являются ли они черноморскими державами или нет, которые отделились от своих баз, могут вернуться туда.
  • Это исключение предоставляет России альтернативный способ использования Конвенции Монтрё, , который заключался бы в переводе части своих судов в Черное море.

Источник: IE

Предварительно: Генеральная Ассамблея Организации Объединенных Наций (ГА ​​ООН), Совет Безопасности ООН (СБ ООН), Международный суд, Характер резолюций ООН.

Для сетей: Война России за Украину, влияние политики и политики стран на интересы Индии.

Почему в новостях?

Недавно Индия воздержалась на Генеральной Ассамблее Организации Объединенных Наций (ГА ​​ООН) , чтобы осудить вторжение России в Украину. Резолюция призвала Россию безоговорочно вывести свои войска.

Каковы ключевые моменты резолюции?

  • Резолюция, поддержанная 96 странами , нуждалась в поддержке двух третей присутствующих и голосующих, чтобы она была принята.
  • Осуждает проведенную 24 th февраля 2022 «специальную военную операцию» России над Украиной.
  • В нем говорится, что никакие территории, приобретенные силой, не будут признаны, и содержится призыв к России «немедленно, полностью и безоговорочно» выйти из состава Украины.

Какова позиция и опасения Индии?

  • Постоянный представитель Индии при ООН Т. С. Тирумурти заявил, что «безопасный и непрерывный проезд» граждан Индии, особенно студентов, является «главным приоритетом» Индии.
    • Индия также призвала к «немедленному прекращению огня» и гуманитарному доступу в зоны конфликта.
    • Индия надеялась, что второй раунд переговоров между Россией и Украиной даст положительные результаты.
  • Действия России поставили Индию в неудобное положение, поскольку она пытается сбалансировать свои интересы как с Россией, так и со странами Запада.
  • Учитывая свой опыт в собственном соседстве с Китаем и Пакистаном , Индия также настороженно относится к последствиям отказа от осуждения одной страны в одностороннем порядке изменить границы, которые она разделяет с другой.
  • Индия призывает все государства-члены продемонстрировать свою приверженность принципам Устава ООН, международному праву и уважению суверенитета и территориальной целостности всех государств.
  • Резолюцию поддержали соседних с Индией стран — например, Бутан, Непал и Мальдивы. Афганистан, которым в настоящее время управляет военизированная организация (Талибан), и Мьянма, которой в настоящее время управляет хунта (военная), также проголосовали за это.
    • Бангладеш, Пакистан и Шри-Ланка, как и Индия , воздержались. Китай также воздержались.

Обязательны ли резолюции ООН?

  • Резолюции и решения являются официальным выражением мнения или воли органов ООН.
  • Характер резолюции определяет, считается ли она обязательной для государств.
  • В статьях 10 и 14 Устава ООН резолюции Генеральной Ассамблеи называются «рекомендациями».
    • Рекомендательный характер резолюций Генеральной Ассамблеи неоднократно подчеркивался Международным Судом.
    • Однако некоторые резолюции Генеральной Ассамблеи, касающиеся вопросов, внутренних для Организации Объединенных Наций, таких как бюджетные решения или инструкции для нижестоящих органов, явно имеют обязательную силу.
  • В целом, резолюции, принятые Советом Безопасности, действующим на основании главы VII Устава, считаются обязательными, в соответствии со статьей 25 Устава.
    • Однако на них распространяется право вето постоянных членов СБ ООН.

Источник: TH

Для Prelims: Проводники, полупроводники, изоляторы, использование полупроводников, примеры полупроводников.

Для сети: Причина кризиса полупроводников, его последствия и возможные решения.

Почему в новостях?

Продолжающийся конфликт между Россией и Украиной усугубляет глобальный кризис нехватки чипов.

  • Ранее прогнозировалось, что нехватка чипов продлится как минимум до 2023 года.
  • Прогноз был , основанный на влиянии пандемии на компонент, который стал спасательным кругом для большинства гаджетов, которые мы используем каждый день.
  • Прогнозируется, что мировой рынок полупроводников вырастет на 8,8% до 601 миллиарда долларов США , что обусловлено двузначным ростом категории датчиков и логики, а также последними тенденциями в области электрической мобильности, автомобильной безопасности и Интернета. Things (IoT) , спрос на полупроводники будет только расти.

Как начался кризис дефицита?

  • Блокировки увеличили рост продаж ноутбуков до самого высокого уровня за десятилетие.
    • Домашнее сетевое оборудование, веб-камеры и мониторы были раскуплены, когда офисная работа переместилась из офиса, а ноутбуки какое-то время пользовались спросом, когда школы закрывались.
  • Правила самоизоляции также заставили некоторых людей переключиться на консольные игры.
  • Эти устройства, пользующиеся большим спросом, работают на миниатюрных полупроводниковых элементах (или кусках когда-то) , выполняя различные функции на одном устройстве, и производители выпускают их в виде 200-мм или 300-мм пластин. Далее они делятся на крошечные чипы.
    • В то время как большие пластины дороги и в основном используются для передового оборудования, устройства, которые пользовались большим спросом, нуждались в пластинах меньшего диаметра.
    • Но производственного оборудования, необходимого для их изготовления, не хватало еще до начала пандемии. Это потому, что отрасль двигалась в направлении 5G , для чего требовались дорогие пластины.
  • Высокий потребительский спрос на недорогие продукты в сочетании с крупными заказами от технологических компаний задушили производителей чипов , чьи заводы также были закрыты во время карантина.
    • По мере того, как отрасль постепенно пыталась выйти из кризиса поставок, логистические сложности усугубляли проблему.
    • А затем стоимость перевозки контейнеров по всему миру привела к росту цен на основные компоненты, используемые в большинстве электронных устройств и автомобилей.

Почему российское вторжение влияет на нехватку чипов?

  • Украина поставляет редких газов, используемых для производства полупроводниковых лазеров, , а Россия экспортирует редких металлов, таких как палладий, для производства полупроводников.
    • Эта комбинация необходима для создания наборов микросхем , которые питают целый ряд устройств, от автомобилей до смартфонов.
  • Россия и Южная Африка являются двумя крупнейшими производителями палладия. В 2021 году Россия поставила 2,35 миллиона унций (66 миллионов граммов) палладия.
  • Серебристо-белый рынок перешел бы в серьезный дефицит без этих поставок, подтолкнув цену вверх.
    • В то время как платина и родий могут быть заменены на палладий, Россия также является ведущим производителем других металлов платиновой группы.
  • По мере эскалации российского вторжения в Украину страна попадает под санкции Запада, которые могут нарушить экспорт страны, оставив полупроводниковым фирмам меньше возможностей для получения сырья для производства наборов микросхем.

Что такое палладий и каковы его применения?

  • Палладий часто используется в качестве альтернативы золоту при изготовлении различных устройств , так как металл очень пластичен и устойчив к коррозии.
  • Редкий металл считается более мягким, чем золото , но все же намного тверже и долговечнее желтого металла.
  • Это качество палладия дает ему большую защиту от ударов и большую устойчивость к вмятинам. Так, производители автомобилей, производители электроники и биомедицинских устройств отдают предпочтение серебристо-белому металлу.
  • Палладий используется почти во всех электронных устройствах , а металл является ключом для изготовления наборов микросхем и печатных плат .Он используется для изготовления многослойных керамических конденсаторов (MLCC) , , которые важны для изготовления экранов смартфонов, стереосистем и автоматических выключателей.

Как предприятия и правительства адаптируются к этим изменениям?

  • Предприятия меняют свои планы офшоринга. Они рассматривают «переначаливание» как вариант для защиты от глобальных сбоев в цепочке поставок.
    • Решоринг, также известный как оншоринг, является противоположностью офшоринга и включает возвращение производства и производства товаров в исходную страну компании.
  • В феврале 2022 года Intel объявила о выделении 20 миллиардов долларов США на строительство двух новых заводов по производству микросхем в штате Огайо (США). Компания планирует инвестировать 100 миллиардов долларов США в течение следующего десятилетия и построить еще восемь заводов в штате.
    • Intel — одна из немногих компаний, которые разрабатывают и производят собственные чипсеты.
  • На другом конце спектра находится государственная поддержка, направленная на создание благоприятных условий для создания предприятиями предприятий по строительству полупроводниковых заводов.
  • Правительство США собирается принять закон о чипах, который предоставит полупроводниковым компаниям субсидии в размере 52 миллиардов долларов США для развития производства микросхем в стране.

Что такое полупроводниковый чип?

  • Это электрическая цепь с множеством компонентов , таких как транзисторы и проводка, сформированная на полупроводниковой пластине. Электронное устройство, состоящее из многих из этих компонентов, называется интегральной схемой (IC), , и его можно найти в электронных устройствах, таких как компьютеры, смартфоны, бытовая техника, игровое оборудование и медицинское оборудование.
  • Эти устройства находят широкое применение практически во всех отраслях промышленности, особенно в автомобилестроении.
    • Полупроводники представляют собой материалы, которые имеют проводимость между проводниками и изоляторами . Это могут быть чистые элементы, кремний или германий или их соединения; галлия, арсенида или селенида кадмия.

Как насчет спроса на полупроводники в Индии и связанных с этим инициатив?

  • Индия в настоящее время импортирует все чипы, и рынок , по оценкам, достигнет 100 миллиардов долларов США к 2025 году с 24 миллиардов долларов США в настоящее время.
  • Кабинет министров Союза недавно выделил сумму в размере 76 000 крор рупий на поддержку развития «экосистемы производства полупроводников и дисплеев».
    • Это запоздалое, но долгожданное признание стратегической важности интегральных схем или микросхем для современной экономики.
  • Индия также запустила Схему по содействию производству электронных компонентов и полупроводников (SPECS) , в соответствии с которой бюджетные расходы в размере 3 285 крор рупий распределены на восьмилетний период для производства электронных компонентов и полупроводников.

Источник: TH

Для предварительной версии : Одноразовые пластмассы, Цели устойчивого развития, Ассамблея ООН по окружающей среде, Парижское соглашение 2015 г.

Для сети : Одноразовые пластмассы и связанные с этим проблемы, загрязнение окружающей среды и деградация, сохранение.

Почему в новостях?

Недавно Пятая ассамблея ООН по окружающей среде приняла 14 резолюций по усилению действий в отношении природы для достижения Целей в области устойчивого развития.

  • Общей темой для UNEA-5 была «Усиление деятельности в интересах природы для достижения целей устойчивого развития», , которая была организована Программой ООН по окружающей среде .
  • За Ассамблеей последует «[email protected]» , двухдневная специальная сессия Ассамблеи, посвященная 50-летию ЮНЕП , на которой ожидается, что государства-члены рассмотрят вопрос о том, как построить устойчивый и инклюзивный постпандемический мир. , , а также одобрить проект Политической декларации.

Что такое Ассамблея ООН по окружающей среде?

  • Это руководящий орган Программы ООН по окружающей среде .
  • Это высший в мире орган, принимающий решения по вопросам окружающей среды.
  • Ассамблея состоит из 193 государств-членов ООН и созывается каждые два года для продвижения глобального экологического управления.
  • Он был создан в июне 2012 года во время Конференции Организации Объединенных Наций по устойчивому развитию , также называемой RIO+20.

Каковы ключевые моменты сессии?

  • Резолюция о прекращении загрязнения пластиком:
    • Министры окружающей среды стран мира согласились создать Межправительственный комитет по переговорам (INC) с мандатом на заключение международного юридически обязывающего соглашения о прекращении пластикового загрязнения.
    • INC начнет свою работу в 2022 году с целью завершения проекта глобального юридически обязывающего соглашения к концу 2024 года.
    • Эта разработка считается самой важной экологической сделкой со времен Парижского соглашения 2015 года.
      • В соответствии с юридически обязывающим соглашением ожидается, что стран разработают, осуществят и обновят национальные планы действий , отражающие подходы стран к достижению целей инструмента.
      • Ожидается, что они будут продвигать национальные планы действий по предотвращению, сокращению и устранению пластикового загрязнения и поддерживать региональное и международное сотрудничество.
  • Постановление об управлении химическими веществами и отходами:
    • Он поддерживает создание всесторонней и амбициозной группы научной политики по рациональному управлению химическими веществами и отходами и предотвращению загрязнения.
    • В Декларации министров признается неспособность человечества управлять химическими веществами и отходами, угроза, которая еще больше усугубляется пандемией Covid-19 из-за широкого использования одноразовых пластмасс и дезинфицирующих химикатов.
  • Резолюция, ориентированная на природные решения:
    • В духе Десятилетия ООН по восстановлению экосистем (2021–2030 гг.), фокусируется на природных решениях : действиях по защите, сохранению, восстановлению, устойчивому использованию и управлению экосистемами.
    • Резолюция призывает ЮНЕП поддержать реализацию таких решений, которые защищают права общин и коренных народов.
  • Резолюция о приоритете восстановления экосистемы:
    • В трех резолюциях приоритет отдается восстановлению экосистем, защите биоразнообразия, эффективности использования ресурсов, моделям потребления и производства, смягчению последствий изменения климата и адаптации к ним, созданию рабочих мест и сокращению бедности.
  • Резолюция о минералах и металлах:
    • Он призывает к разработке предложений для повышения их экологической устойчивости на протяжении всего жизненного цикла.
  • Резолюция об устойчивом управлении озерами:
    • Он призывает государств-членов защищать, сохранять и восстанавливать, а также устойчиво использовать озера, при включении озер в национальные и региональные планы развития.
  • Резолюция об устойчивой и отказоустойчивой инфраструктуре:
    • Он призывает государства-члены учитывать экологические соображения во всех своих инфраструктурных планах.
  • Резолюция
  • о защите животных:
    • Он призывает государств-членов защищать животных, защищать их среду обитания и выполнять требования по их благополучию.
      • Он признал риск будущих пандемий и других рисков для здоровья, если человечество не пересмотрит свои модели взаимодействия с природой, приняв целостный подход, такой как «Единое здоровье».
  • Резолюция о биоразнообразии и здоровье:
    • Он призывает государства-члены снизить риски для здоровья, связанные с торговлей живыми дикими животными , отловленными для производства продуктов питания, разведения в неволе, лекарств и торговли домашними животными, посредством регулирования и санитарного контроля.
  • Резолюция по сокращению отходов азота:
    • Он призывает к ускоренным действиям по значительному сокращению отходов азота из всех источников, особенно за счет сельскохозяйственных методов, и ежегодной экономии 100 миллиардов долларов США.
  • Резолюция об усилении мер Post Covid:
    • Ассамблея приняла резолюцию об экологическом аспекте устойчивого, устойчивого и инклюзивного восстановления после пандемии Covid-19, чтобы усилить меры по достижению устойчивого, устойчивого и инклюзивного глобального восстановления.
  • Другие разрешения:
    • Дополнительные резолюции и решения Ассамблеи касаются даты и места проведения UNEA-6, будущего Global Environment Outlook (GEO) и справедливого географического представительства и баланса в секретариате ЮНЕП.

Какой проект резолюции был предложен Индией?

  • Индийский проект резолюции под названием Рамки решения проблемы загрязнения пластмассовыми изделиями , включая одноразового использования пластмасс загрязнение изделиями , был основан на принципе немедленных коллективных добровольных действий стран.
  • Но Индия согласилась на создание INC для нового, международного и юридически обязывающего договора.
    • Ожидается, что INC представит юридически обязывающий документ , в котором будут отражены различные альтернативы для решения вопросов полного жизненного цикла пластмасс, разработки повторно используемых и перерабатываемых продуктов и материалов, а также необходимость расширения международного сотрудничества для облегчения доступа к технологиям, наращивание потенциала и научно-техническое сотрудничество.
  • Ранее в Индии были объявлены Правила обращения с пластиковыми отходами (поправка) , 2022 , в которых уведомлялись инструкции о расширенной ответственности производителя (EPR) в отношении пластиковой упаковки. В Правила обращения с пластиковыми отходами
    • 2016 г. были внесены поправки , чтобы ускорить отказ от одноразового пластика и продвигать альтернативы.

Источник: BS

Для предварительных испытаний: Температура по влажному термометру, Температура по сухому термометру, Температура точки росы, Межправительственная группа экспертов по изменению климата, водяной пар, повышение уровня моря.

Для сети: Загрязнение и ухудшение состояния окружающей среды, консервация, температура смоченного термометра, влияние повышения температуры смоченного термометра.

Почему в новостях?

Недавно в части 2 шестой оценки доклада Межправительственной группы экспертов по изменению климата (МГЭИК) была подчеркнута тенденция «влажного термометра» температуры в Южной Азии.

  • Тенденция предоставит индекс воздействия тепла и влажности в сочетании с — и его влияние на здоровье.

Какая температура по влажному термометру?

  • Температура по влажному термометру — это самая низкая температура, до которой воздух может быть охлажден путем испарения воды в воздух при постоянном давлении.
  • WBT — это предел, учитывающий температуру и влажность, за пределами которых люди не могут переносить высокие температуры.
  • Температура по влажному термометру — это температура адиабатического насыщения. Это температура, показанная смоченной грушей термометра, подвергаемой воздействию потока воздуха.
    • Адиабатический процесс — это процесс, при котором система не получает и не теряет тепло.
  • Температура мокрого термометра может быть измерена с помощью термометра с термометром, завернутым во влажную муслиновую ткань.

  • На адиабатическое испарение воды из термометра и эффект охлаждения указывает «температура по влажному термометру» ниже, чем «температура по сухому термометру» в воздухе.
  • Скорость испарения с мокрой повязки на колбе и разница температур между сухим и влажным термометром зависит от влажности воздуха.
    • Испарение уменьшается, когда воздух содержит больше водяного пара.
  • Температура смоченного термометра всегда ниже температуры сухого термометра , но будет идентична при 100% относительной влажности (воздух находится на линии насыщения).
  • Температура по влажному термометру 31°C чрезвычайно вредна для человека, а при температуре 35°C человек не может выжить более 6 часов.

Что такое точка росы и температура по сухому термометру?

  • Температура сухого термометра:
    • Температура по сухому термометру, обычно называемая «температурой воздуха», — наиболее часто используемая характеристика воздуха. Когда люди говорят о температуре воздуха , они обычно имеют в виду температуру по сухому термометру.
    • Температура по сухому термометру в основном относится к температуре окружающего воздуха. Он называется «сухой термометр», потому что температура воздуха показывается термометром, на который не влияет влажность воздуха.
    • Температуру по сухому термометру можно измерить с помощью обычного термометра, находящегося на открытом воздухе, но защищенного от радиации и влаги.
    • Температура по сухому термометру является индикатором содержания тепла.
  • Температура точки росы:
    • Точка росы – это температура, при которой водяной пар начинает конденсироваться из воздуха (температура, при которой воздух становится полностью насыщенным).
      • Выше этой температуры влага остается в воздухе.
    • Если температура точки росы близка к температуре сухого воздуха — относительная влажность высокая.
    • Если точка росы значительно ниже температуры сухого воздуха — относительная влажность низкая.
    • Температура точки росы всегда ниже температуры по сухому термометру и будет идентична 100% относительной влажности (воздух находится на линии насыщения).

Как эта тенденция повлияет на Индию?

  • Лакхнау и Патна были среди городов, в которых, по прогнозам, достигнут температуры по влажному термометру 35°C, если выбросы продолжат расти , в то время как Бхубанешвар, Ченнаи, Мумбаи, Индор и Ахмадабад «подвержены риску» достижения температуры по влажному термометру 35°C, температуры колбы 32°C-34°C с продолжающимися выбросами.
  • Из-за продолжающихся выбросов в некоторых частях центральной Индии, включая Видарбху, существует риск превышения температуры по влажному термометру в 32-34°C.
  • Это будет иметь такие последствия, как рост числа смертей, связанных с аномальной жарой, или снижение производительности.
  • Если полагаться на искусственное охлаждение , чтобы справиться с растущим нагревом, это приведет к чрезмерному увеличению спроса на энергию, а поставит многих людей в опасное положение с перебоями в подаче электроэнергии.
    • Это также оставит самых уязвимых членов общества и не поможет тем, кто вынужден выходить на улицу.

Источник: TH

Предварительный запрос: Археологическая служба Индии (ASI), Храм Солнца Конарк, Архитектура Калинги, объект всемирного наследия ЮНЕСКО.

Для электросети: Индийская культура — основные аспекты форм искусства, шаги, предпринятые для возобновляемых источников энергии.

Почему в новостях?

Конарк станет первым модельным городом в Одише , который перейдет от сети к зеленой энергии.

  • В связи с этим правительство штата Одиша издало директиву .
  • В мае 2020 года центральное правительство запустило схему соляризации храма Солнца Конарк и города Конарк в Одише.

Каковы принципы политики?

  • Согласно руководящим принципам, к концу 2022 года в штате поставлена ​​цель вырабатывать 2750 мегаватт (МВт) из возобновляемых источников энергии, таких как солнце, ветер, биомасса, малая гидроэнергетика и энергия из отходов (WTE) и т. д.
  • Штат также планирует вырабатывать 2200 МВт за счет солнечной энергии , и часть этого будет использоваться для работы Храма Солнца и города Конарк на солнечной энергии.
  • Переход
  • Konark на возобновляемые источники энергии является частью амбициозного плана Союза новых и возобновляемых источников энергии (MNRE).

Насколько важным является этот шаг и каковы связанные с ним проблемы?

  • Переход от сети к солнечной энергии поможет снизить потребление электроэнергии Храма Солнца.
  • Финансовая выгода от солнечной энергии поможет отвлечь расходы на другие работы по развитию храма.
  • Одиша сталкивается со многими проблемами при создании огромных солнечных электростанций.
    • Штат имеет 480 км береговой линии и подвержен регулярным циклонам.На данный момент он столкнулся с 10 циклонами, включая Super Cyclone, Phailin, Hudhud , Titli , Amphan и Fani за 22 года.
  • Помимо этого, приобретение земли является еще одной серьезной проблемой в создании солнечных электростанций.
    • В то время как прибрежные районы подвержены циклонам, в некоторых частях Одиши есть густые леса, тогда как земля в густонаселенных районах стоит дорого.

Что мы знаем о храме Конарк?

  • Храм Солнца Конарк, , расположенный в Восточной Одише недалеко от священного города Пури.
  • Построен в 13 -м веке королем Нарасимхадевой I (1238-1264 гг. н.э.). Его масштаб, утонченность и концепция представляют силу и стабильность Империи Восточной Ганги , а также системы ценностей исторической среды.
    • Восточная династия Ганга , также известная как Рудхи Ганга или Прачья Ганга.
    • Это была крупная индийская королевская династия средневековой эпохи, правившая от Калинги с 5-го по начало 15-го века.
    • Начало того, что стало династией Восточная Ганга, произошло, когда Индраварма I победил царя Вишнукундина.
  • Храм выполнен в форме колоссальной колесницы.
  • Это , посвященный богу солнца.
  • Храм Конарк широко известен не только своим архитектурным величием , но также сложностью и изобилием скульптурных работ.
    • Это высшая точка достижения архитектуры Калинги, изображающая изящество, радость и ритм жизни во всем ее чудесном разнообразии.
  • Он был объявлен объектом всемирного наследия ЮНЕСКО в 1984 году.
  • С каждой стороны храма солнца Конарк расположены два ряда по 12 колес. Некоторые говорят, что колеса представляют 24 часа в сутках, а другие говорят, что 12 месяцев.
  • Говорят, что семь лошадей символизируют семь дней недели.
  • Моряки когда-то называли этот Храм Солнца в Конарке Черной Пагодой , потому что он должен был притягивать корабли к берегу и вызывать кораблекрушения.
  • Конарк является бесценным звеном в истории распространения культа Сурьи, который зародился в Кашмире в 8 веке и, наконец, достиг берегов Восточной Индии.

Другие важные памятники в Одише

Источник: DTE

Для предварительных занятий: Совет по управлению Bhakra Beas (BBMB), плотина Bhakra Nangal, договор по водным ресурсам Инда.

Для сетей: Договор о водах Инда и связанные с ним вопросы, государственная политика и вмешательство.

Почему в новостях?

Недавно центральное правительство приняло решение принять новый критерий для отбора членов Правления Bhakra Beas (BBMB).

Какие изменения были внесены в правила BBMB?

  • Выпущено уведомление о внесении поправок в Правила BBMB 1974 , тем самым изменяя критерии отбора постоянных членов Совета.
    • В соответствии с Правилами BBMB, 1974 , член (власть) в BBMB был из Пенджаба, а член (ирригация) был из Харьяны, но требование было удалено в измененных правилах.
  • Новые правила определяют техническую квалификацию для назначений и прокладывают путь для назначения членов со всей Индии, а не только из Пенджаба и Харьяны.
  • Против новых правил выступили братство инженеров, фермеров, а также политические партии Пенджаба.
    • Инженеры указали, что вряд ли кто-то из инженеров сможет претендовать на назначение в соответствии с новыми спецификациями , которые, по-видимому, специально разработаны для некоторых сотрудников, назначаемых из-за пределов Пенджаба и Харьяны.
  • С другой стороны, официальные лица утверждали, что изменения были внесены в в соответствии с решением Высокого суда Пенджаба и Харьяны по делу Джагмохан Сингх против Союза Индии.

Каково происхождение BBMB?

  • Происхождение BBMB связано с Договором о водах Инда , подписанным между Индией и Пакистаном в 1960 году.
    • По договору воды трех восточных рек — Рави, Беас и Сатледж — были переданы Индии в исключительное пользование, а реки Инд, Ченаб и Джелум — Пакистану.
  • В Индии был разработан генеральный план по использованию потенциала этих рек для обеспечения гарантированного орошения, выработки электроэнергии и борьбы с наводнениями.
    • Проекты Bhakra and Beas составляют основную часть этого плана и были созданы как совместное предприятие тогда еще неразделенных Пенджаба и Раджастхана.
  • После реорганизации Пенджаба 1 ноября 1966 года и создания штата Харьяна Правление Бхакра было создано в соответствии со статьей 79 Закона о реорганизации Пенджаба 1966 года.
  • Администрирование, техническое обслуживание и эксплуатация проекта Бхакра Нангал были переданы Бхакра Менеджмент 1 st октября 1967 года.
  • Проектные работы Beas после завершения были переданы из Строительного совета Beas (BCB) в Правление Bhakra в соответствии с положениями раздела 80 Закона о реорганизации Пенджаба 1966 года.
    • В соответствии с этим Правление Bhakra было переименовано в Правление Bhakra Beas (BBMB) w.e.f. 15 мая 1976 г.
  • С тех пор BBMB регулирует подачу воды и электроэнергии в Пенджаб, Харьяну, Раджастхан, Химачал-Прадеш, Дели и Чандигарх.

Что такое Устав управления BBMB?

  • В его состав входят председатель и два постоянных члена из штатов-партнеров Пенджаб и Харьяна.
    • Они обозначены как Member (Энергетика) и Member (Ирригация) из Пенджаба и Харьяны соответственно.
  • Представлены каждого государства-члена, включая Раджастхан и Химачал-Прадеш , назначенные правительствами соответствующих штатов.
  • Общая численность BBMB составляет около 12 000 сотрудников , из них 696 являются офицерами группы А и отправлены из стран-партнеров.

Что такое проект Beas?

  • Схема соединения Беас-Сатлуй состоит из каменной отводной плотины высотой 76,2 м в Пондо на реке Беас в районе Манди (HP).
  • Понг — многоцелевая земляная и каменно-набросная плотина на реке Беас, , в 40 км от Мукериана, район Мукерян, штат Химачал-Прадеш.Он расположен в предгорьях Гималаев ниже по течению от плотины Пандох. BBMB сдал проект в эксплуатацию в 1978-83 гг.

Каковы особенности плотины Бхакра Нангал?

  • Плотина Бхакра — это бетонная гравитационная плотина через реку Сатледж, расположенная недалеко от границы между Пенджабом и Химачал-Прадешем на севере Индии.
  • Это второе по высоте место в Индии с высотой 225,55 м рядом с 261-метровой плотиной Техри.
  • Его резервуар, , известный как «Гобинд Сагар», вмещает до 9.34 миллиарда кубометров воды.
  • Плотина Нангал — еще одна плотина ниже по течению от плотины Бхакра. Иногда обе плотины вместе называются плотиной Бхакра-Нангал, хотя это две отдельные плотины.

Источник: IE

Почему в новостях?

Недавно правительство штата Тамил Наду приняло решение о создании первого в Индии заповедника для дюгоней в заливе Маннар, залив Палк .

  • Это помогает Индии выступать в качестве ведущей страны в субрегионе Южной Азии в отношении сохранения дюгоней.

Кто такие дюгони?

  • О:
    • Дюгонь ( Дюгонь дюгонь ) также называемый «Морская корова» который обитает исключительно в море в том числе в Индии.
    • Дюгони являются важной частью морской экосистемы , и их истощение повлияет на всю пищевую цепочку.
  • Распространение и среда обитания: Они обитают более чем в 30 странах, а в Индии их можно увидеть в Маннарском заливе, заливе Кач, заливе Полк, а также на Андаманских и Никобарских островах.
  • Статус консервации:
  • Угрозы:
    • Дюгони пасутся на водорослях и потеря зарослей водорослей из-за траления на дне океана является одним из наиболее важных факторов сокращения популяций дюгоней во многих частях мира.
      • Траловый лов — это метод рыболовства , который включает протягивание рыболовной сети по воде за одной или несколькими лодками.
      • вреден для окружающей среды потому что наносит ущерб морскому дну, коралловым рифам и другим морским животным.
    • Человеческая деятельность , такая как разрушение и изменение среды обитания, загрязнение, необузданная незаконная рыболовная деятельность, забастовки судов, неустойчивая охота или браконьерство и незапланированный туризм, являются основными угрозами для дюгоней.
      • Мясо дюгоней употребляют в пищу, полагая, что оно снижает температуру человеческого тела.
  • Шаги, предпринятые для сохранения:
    • В феврале 2020 года в Индии прошла 13 Конференция сторон (COP) Конвенции об охране мигрирующих видов диких животных, экологическая договор под эгидой Программы ООН по окружающей среде (ЮНЕП).
      • Правительство Индии подписало CMS с 1983 года.
      • Индия подписала не имеющих обязательной юридической силы Меморандумов о взаимопонимании (МоВ) с CMS по сохранению и управлению стерхами (1998 г.), морскими журавлями черепахами (2007 г.), дюгонями (2007 г.) и Рапторы (2016).
    • Министерство окружающей среды, лесов и изменения климата создало «Целевую группу по сохранению дюгоней » для изучения вопросов, связанных с сохранением дюгоней и выполнением «Меморандума о взаимопонимании ЮНЕП/CMS по дюгоням» в Индии.
      • Это также помогает Индии выступать в качестве ведущей страны в субрегионе Южной Азии в отношении сохранения дюгоней.

Что такое заповедники?

  • Заповедники и общественные заповедники — это термины, обозначающие охраняемые территории страны, которые обычно служат буферными зонами или связующими звеньями и миграционными коридорами между созданными национальными парками, заповедниками дикой природы и зарезервированными и охраняемыми лесами.
  • Такие территории определяются как охраняемые территории, если они необитаемы и полностью принадлежат правительству Индии , но используются общинами для обеспечения средств к существованию и общинными территориями, если часть земель находится в частной собственности.
  • Эти категории охраняемых территорий были впервые введены в Законе о поправках к Закону об охране дикой природы от 2002 г. – поправке к Закону об охране дикой природы от 1972 г.
  • Эти категории были добавлены из-за ослабления защиты в существующих или предполагаемых охраняемых районах и вокруг них из-за частной собственности на землю и землепользования.

Источник: DTE

.

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован.