Резистивный элемент: Резистивный элемент

Содержание

Резистивный элемент

Энергетика Резистивный элемент

просмотров — 297

Характеристики и параметры пассивных элементов цепи

Элементы, которые потребляют электрическую энергию из цепи, называются пассивными.

Простейшими пассивными элементами являются резистивный, емкостной и индуктивный элементы.

Резистором называют пассивный элемент, в котором электрическая энергия необратимо преобразуется в другие виды энергии, к примеру, в тепловую, световую или механическую.

Основная характеристика резистивного элемента͵ которая определяет меру преобразования электрической энергии в тепловую, является его сопротивление. По этой причине резистивный элемент часто называют сопротивлением.

На зажимах резистивного элемента с линœейной его вольт- амперной характеристикой зависимость между током и напряжением подчиняется закону Ома:

(1.8)

или , (1.9)

где — проводимость, единица измерения которой сименс.

Основные электрические величины (ток, напряжение, мощность, энергия) на зажимах пассивных элементов приведены в таблице 1.1.


Читайте также


  • — Резистивный элемент.

    Идеализированных двухполюсных пассивных элементов Комплексные частотные характеристики Пассивные элементы – сопротивление, индуктивность и емкость являются двухполюсниками (рис. 1.7). Они обладают только входными КЧХ: комплексным входным сопротивлением и… [читать подробенее]


  • — Резистивный элемент

    Элементов Комплексные частотные характеристики пассивных Идеализированные пассивные элементы (сопротивление, емкость и индуктивность) являются двухполюсниками и поэтому обладают только входными комплексными частотными характеристиками, а именно: комплексным… [читать подробенее]


  • — Резистивный элемент (резистор)

    Условное графическое изображение резистора приведено на рис. 1,а. Резистор – это пассивный элемент, характеризующийся резистивным сопротивлением. Последнее определяется геометрическими размерами тела и свойствами материала: удельным сопротивлением r (Ом´ м) или… [читать подробенее]


  • — Резистивный элемент R

        По этому выражению можно найти комплексные сопротивление ZR(j&… [читать подробенее]


  • — Резистивный элемент

    Операторные схемы замещения элементов цепи Соотношения между мгновенными значениями тока и напряжения на зажимах резистивного элемента устанавливаются выражениями: . (12.13) Учитывая, что умножению функции времени на постоянное число соответствует умножение… [читать подробенее]


  • — Резистивный элемент

    Элементы цепи постоянного тока Основными элементами цепи постоянного тока являются:Резистором называется элемент электрической цепи, оказывающий сопротивление току проводимости, в котором происходит необратимое преобразование электрической энергии в… [читать подробенее]


  • — Резистивный элемент

    Элементы цепи постоянного тока Основными элементами цепи постоянного тока являются:Резистором называется элемент электрической цепи, оказывающий сопротивление току проводимости, в котором происходит необратимое преобразование электрической энергии в. .. [читать подробенее]


  • — Резистивный элемент (резистор)

    Основные понятия Лекция 1.Элементы электрических цепей и электрических схем Цель лекции:ознакомить с основными понятиями электрических цепей.Электромагнитные процессы, протекающие в электрических цепях можно описать с помощью таких интегральных понятий,… [читать подробенее]


  • — Резистивный элемент

    Характеристики и параметры пассивных элементов цепи Элементы, которые потребляют электрическую энергию из цепи, называются пассивными. Простейшими пассивными элементами являются резистивный, емкостной и индуктивный элементы. Резистором называют пассивный… [читать подробенее]


  • — Резистивный элемент (резистор)

    Основные понятия Лекция 1.Элементы электрических цепей и электрических схем Цель лекции:ознакомить с основными понятиями электрических цепей.Электромагнитные процессы, протекающие в электрических цепях можно описать с помощью таких интегральных понятий,.

    .. [читать подробенее]


  • Высокое качество Nichrom лист для Nicr8020 резистивный элемент

    Высокая температура NiCr2080 для промышленности


    Описание
    Модель № Ni80CR20 Происхождения Китай
           
    Товарный знак Ni80CR20 Код СС 75062000
           
    Транспортный пакет Золотник, картонная коробка, деревянная упаковка Товарный знак HUONA
     
    Химический состав  И  Propertes:
    Propertes/категории NiCr 80/20 NiCr 70/30 NiCr 60/15 NiCr 35/20
    NiCr 30/20
    Основных  Химических  
      Состав (%)
    Ni Бал. Бал. 55.0-61.0 34.0-37.0 30.0-34.0
    Cr 20.0-23.0 28.0-31.0 15.0-18.0 18.0-21.0
    18.0-21.0
    Fe ≤  1, 0 ≤  1, 0 Бал. Бал. Бал.
    Максимальная  Рабочая  
    Температура воздуха(C)
    1200 1250 1150 1100 1100
    Сопротивления  На  20ºC
    (Μ  Ω  ·  М)
    1.09 1.18 1.12 1.04 1.04
    Плотность (г/см3)   8.4 8.1 8.2 7.9 7.9
    Теплопроводности  
    (Кдж/м·  H·  ºC)
    60, 3 45.2 45.2 43, 8 43, 8
    Коэффициент    
    Тепловое  Расширение
    (Α  №  10-6/ºC)
    18 17 17 19 19
      Точка плавления(C) 1400 1380 1390 1390 1390
    Удлинение при разрыве (%) >   20 >   20 >   20 >   20 >   20
    Micrographic  
    Структура
    Austenite Austenite Austenite Austenite Austenite
    Магнитные  Свойства Немагнитных Немагнитных Немагнитных Немагнитных Немагнитных

    Подробная информация о
     

    Химический состав 80% никеля и хромированными 20%
    Сопротивления:   1, 09 Ом мм2/m
    Жесткость: Мягкий, жесткий или полутвердоскорлупному
    Преимущества   Структура  nichrome металлургии
    Предоставляет им очень хорошей пластичностью при холодном двигателе.
    Характеристики Стабильной производительности; Против окисления; Сопротивление коррозии; Высокая стабильность температуры; Отличная катушка на способности; Единообразные и красивых состояние поверхности без пятен.
    Использование Сопротивление погружных подогревателей; Материала в металлургии; Бытовая техника; Механические узлы и агрегаты производства и других отраслей промышленности.

    Качество изображения









    Часто задаваемые вопросы  
    1.   Как  долго  я могу    получить    отзыв  после того как  мы  отправили    запрос?
    A:   мы  будем  ответить  вам  в течение  12  часов  в    день.

    2.   Каким образом    я могу  получить  некоторые  образцы?
    A:   Мы  рады    предложить    вам  образец,     срок поставки    составляет  около  4-7  дней.

    3.   Вы    на  заводе?
    A:   «Да».   Мы  .   Мы    специализированных  в  этой  области  на протяжении  10  года.

    4.   Каков      срок поставки  ?
    A: 15  дней,   как правило,   подробно  дата доставки    должен  решаться    в зависимости от      сезона  и  количество заказа на производство  .

             

    Резистивный элемент

    Математика Резистивный элемент

    Количество просмотров публикации Резистивный элемент — 1688

     Наименование параметра  Значение
    Тема статьи: Резистивный элемент
    Рубрика (тематическая категория) Математика

     

    Резистивный элемент (резистор) — ϶ᴛᴏ двухполюсный элемент, в котором происходит необратимое преобразование электромагнитной энергии в тепловую и другие виды энергии. Связь между током через резистор и напряжением на резисторе отражается его ВАХ, варианты которых приведены на рис. 1.8. В случае если ВАХ резистора является прямой линией (линия 1 на рис.1.8), то такой резистор считают линœейным. В случае если ВАХ резистора не является прямой линией (линия 2 на рис.1.8), то такой резистор считают нелинœейным.

    Рис. 1.8

    Обозначение линœейного и нелинœейного резисторов на схемах приведено на рис. 1.9 и 1.10, соответственно.

           
       
     

    Рис. 1.9 Рис.1.10

    Линœейный резистивный элемент характеризуется такими параметрами как сопротивление и проводимость . Единицей сопротивления является ом (Ом). [ R ] = 1 Ом = 1 В / 1 А. Единицей проводимости является сименс (См). [ G ] = 1 См = 1 Ом-1.

    Мощность, которая преобразуется резистором, определяется согласно закону Джоля-Ленца:

    и измеряется в ваттах (Вт). [P] = 1 Вт = 1 В‣‣‣1 А.


    Резистивный элемент — понятие и виды. Классификация и особенности категории «Резистивный элемент» 2017, 2018.

    Читайте также


  • — Резистивный элемент (резистор)

    Условное графическое изображение резистора приведено на рис. 1,а. Резистор – это пассивный элемент, характеризующийся резистивным сопротивлением. Последнее определяется геометрическими размерами тела и свойствами материала: удельным сопротивлением r (Ом´ м) или… [читать подробнее].


  • — Резистивный элемент

      Резистивный элемент (резистор) – это двухполюсный элемент, в котором происходит необратимое преобразование электромагнитной энергии в тепловую и другие виды энергии. Связь между током через резистор и напряжением на резисторе отражается его ВАХ, варианты которых… [читать подробнее].


  • — ЦЕПЬ, СОДЕРЖАЩАЯ РЕЗИСТИВНЫЙ ЭЛЕМЕНТ С АКТИВНЫМ СОПРОТИВЛЕНИЕМ r

    В общем случае электрическая цепь переменного тока может содержать резистивные, индуктивные и емкостные элементы, параметрами которых соответственно являются сопротивление r, индуктивность L и емкость С. Анализ и расчет таких цепей значительно сложней, чем цепей… [читать подробнее].


  • — Сопротивление или резистивный элемент.

    Под резистивным элементом или сопротивлением понимают такой идеализированный пассивный элемент, в котором электрическая энергия необратимо преобразуется в какой-либо другой вид энергии, например, в тепловую, механическую, световую. Запасания энергии электрического или… [читать подробнее].


  • Русско-казахский словарь

    ` 1 2 3 4 5 6 7 8 9 0 - = Backspace Tab q w e r t y u i o p [ ] \ Delete CapsLock a s d f g h j k l ; ‘ Enter Shift z x c v b n m , . /

    МФА:

    син.

    Основная словарная статья:

    Нашли ошибку? Выделите ее мышью!

    Короткая ссылка:

    Слово/словосочетание не найдено.

    В словаре имеются схожие по написанию слова:

    Вы можете добавить слово/фразу в словарь.

    Не нашли перевода? Напишите Ваш вопрос в форму ВКонтакте, Вам, скорее всего, помогут:

    Правила:

    1. Ваш вопрос пишите в самом верхнем поле Ваш комментарий…, выше синей кнопки Отправить. Не задавайте свой вопрос внутри вопросов, созданных другими.
    2. Ваш ответ пишите в поле, кликнув по ссылке Комментировать или в поле Написать комментарий…, ниже вопроса.
    3. Размещайте только небольшие тексты (в пределах одного предложения).
    4. Не размещайте переводы, выполненные системами машинного перевода (Google-переводчик и др.)
    5. Не засоряйте форум такими сообщениями, как «привет», «что это» и своими мыслями не требующими перевода.
    6. Не пишите отзывы о качестве словаря.
    7. Рекламные сообщения будут удалены. Авторы получают бан.

    1 резистивный элемент учитывает необратимые преобразования электрической

    1 – резистивный элемент учитывает необратимые преобразования электрической энергии в тепловую энергию

    Резистивный u. R i R

    Вольт-амперная характеристика u. R(i) u. R u=Ri 0 i — сопротивление, Ом

    Ток и напряжение на резистивном элементе совпадают по форме u, i u i 0 t

    2. Индуктивный элемент учитывает накопление энергии в магнитном поле катушки индуктивности

    Индуктивный u. L i L

    Веберамперная характеристика 0 i — индуктивность, Гн

    u i Изменения напряжения и тока в индуктивном элементе u i t При i=const напряжение на индуктивности равно нулю

    Если ток меняется по линейному закону: то напряжение на этих участках времени будет постоянным

    3. Емкостный элемент учитывает накопление энергии в электрическом поле конденсатора

    Емкостный i u. С С

    Кулонвольтная характеристика 0 u — емкость, Ф

    u i Изменения напряжения и тока в емкостном элементе u i t При u=const ток в емкости равен нулю

    Если напряжение меняется по линейному закону: то ток на этих участках времени будет постоянным

    Схемы замещения реальных элементов: резистора, катушки индуктивности и конденсатора

    Где: — мгновенное значение — амплитудное значение (рад/с) — угловая частота (1/с) или (Гц) — циклическая частота

    Векторная диаграмма — это изображение синусоиды в виде вектора в прямоугольной системе координат, длина которого равна амплитуде синусоиды, а угол поворота равен начальной фазе и отсчитывается от оси абсцисс против часовой стрелки. Волновая диаграмма — это развертка вращающегося вектора во времени.

    Действующие значения гармонических токов и напряжений

    Действующие значения тока и напряжения характеризуют тепловое действие в линейном резистивном элементе с сопротивлением R

    При токе и напряжении:

    R i + u ПО ЗАКОНУ ДЖОУЛЯ – ЛЕНЦА: ПО ЗАКОНУ ОМА:

    Действующее значение тока

    Действующее значение напряжения

    Действующее значение гармонического тока i численно равно такому постоянному току I , который за время Т в том же сопротивлении R выделяет такое же количества тепла W

    Действующие значения тока и напряжения не зависят от угловой частоты и начальной фазы

    В результате

    Синусоидальный ток в резисторе Для действующих значений:

    Ток и напряжение в резисторе совпадают по фазе. Мгновенная активная мощность равна: Средняя за период Т активная мощность:

    Р — называется активной мощностью и используется в балансе активных мощностей

    Синусоидальный ток в индуктивности

    Для действующих значений: где — индуктивное реактивное сопротивление В индуктивности напряжение опережает ток на. Мгновенная активная мощность равна:

    Где реактивная индуктивная мощность, применяется в балансе реактивных мощностей

    Когда индуктивность потребляет энергию, которая запасается в магнитном поле; запасенная энергия Когда возвращается в сеть. Средняя за период Т активная мощность Р=0.

    Синусоидальный ток в ёмкости i С

    Для действующих значений:

    В ёмкости напряжение отстаёт от тока на Мгновенная активная мощность равна:

    Где — реактивная емкостная мощность, применяется в балансе реактивных мощностей Средняя за период Т активная мощность Р=0.

    Когда ёмкость потребляет энергию, которая запасается в электрическом поле; запасенная энергия Когда возвращается в сеть. Средняя за период Т активная мощность Р=0.

    Последовательное соединение R, L, C

    По второму закону Кирхгофа: Построим векторную диаграмму для действующих значений

    Получим: а) треугольник напряжений abc — мгновенное значение входного напряжения

    б) треугольник сопротивлений Где: Z (Ом) – полное сопротивление — угол нагрузки

    в) треугольник мощностей Где: S (ВА) – полная мощность

    На основании треугольника мощностей составляется баланс мощности в эл. цепи а) мощность источников: б) потребляемая мощность

    Параллельное соединение R, L, C

    По первому закону Кирхгофа для входного тока: Построим векторную диаграмму для действующих значений токов

    Получим: а) треугольник токов abc

    б) треугольник проводимостей Где: — полная проводимость

    — активная проводимость — реактивная проводимость — мгновенное значение входного тока

    Моделирование системы — резистивный элемент — x-engineer.

    org

    Поведение некоторых механических систем идентично поведению некоторых электрических систем. Таким образом, мы можем иметь единый подход к моделированию при моделировании механических и электрических систем.

    Механические и электрические системы с сосредоточенными параметрами можно моделировать с помощью базовых элементов. Этими элементами являются: инерционный элемент, податливый элемент и резистивный элемент.

    Резистивный элемент   сопротивляется внезапному (ступенчатому) изменению положения в механических системах или изменению электрического заряда в электрических системах.Резистивный элемент действует как демпфер для динамической системы.

    Механические системы

    Амортизатор предназначен для демпфирования колебаний в механической системе. Представьте демпфер в автомобильной подвеске, когда колесо движется, катушка подвески аккумулирует механические удары, а демпфер гасит колебания.

    Изображение: Поступательный демпфер

    Явления демпфирования возникают естественным образом при наличии вязкого трения между двумя телами. Вязкое трение возникает, когда поверхности двух соприкасающихся движущихся тел разделены слоем жидкости (смазки). Трение между телами создает демпфирующую силу   F [Н] , которая является произведением коэффициента вязкого трения c [Нс/м] и относительной скорости v [м/с] между телами:

    \[F = c \frac{dx}{dt}=cv \tag{1}\]

    Изображение: Вращательный демпфер

    Демпфирование происходит также во вращательных системах. Вал, вращающийся в ступице, создает вязкое трение, которое создает демпфирующий момент Т [Нм] , равный произведению коэффициента вязкого трения c [Нмс/рад] на угловую скорость вала ω [рад/с] :

    \[T = c \frac{d \alpha}{dt}=c \omega \tag{2}\]

    Электрические системы

    Эквивалентом механического демпфирования в электрических системах является электрическое сопротивление .Из закона Ома можно написать, что падение напряжения на резисторе U R [В] равно произведению сопротивления R [Ом] на электрический ток i [А] , протекающий через резистор :

    \[U_R = R \frac{dq}{dt} = Ri \tag{3}\]

    Изображение: Электрический резистор

    Теперь мы можем написать таблицу эквивалентности между механической (поступательной и вращательной) и электрической системой для резистивный элемент .

    Механический Электрический
    Поступательное Вращательное
    Сила, F Крутящий момент, Т Напряжение, U R
    Линейное ускорение, A Угловое ускорение, ε Вариация тока, ди / дт
    линейная скорость, V угловой скорость, Ω электричество Текущий, I I
    линейная позиция, x Угловое положение, α Электрический заряд, Q
    Коэффициент трения, C Коэффициент трения, c Стойкость e, R

    Если мы посмотрим на отношения силы (1), крутящего момента (2) и напряжения (3), мы увидим, что коэффициент трения и сопротивление действуют как наклон линейных зависимостей.

    Изображение: характеристика резистивного элемента

    При моделировании механических и электрических динамических систем всегда присутствует резистивный элемент , поскольку все реальные системы имеют естественное демпфирование.

    Для любых вопросов, замечаний и запросов по этой статье используйте форму комментариев ниже.

    Не забудьте поставить лайк, поделиться и подписаться!

    Резистивный элемент — обзор

    С ветвями, источником и детектором моста переменного тока связаны распределенные емкости относительно земли.Использование экранов вокруг этих элементов позволяет определить паразитные емкости с точки зрения их местоположения, величины и влияния. На рис. 27.61(а) показаны эти емкости, а на рис. 27.61(б) показана эквивалентная схема с преобразованием паразитных емкостей в проводимости на ветвях моста, источника и детектора. Паразитные проводимости источника и детектора не влияют на условие баланса. Состояние баланса моста с точки зрения полных проводимостей ветвей и полных проводимостей паразитных емкостей на них определяется как

    РИСУНОК 27. 61. (а) Паразитные емкости в четырехплечевом мосте переменного тока; (б) эквивалентная схема четырехплечевого моста переменного тока с паразитными проводимостями.

    (Y1+YAB)(Y4+YCD)undefined=undefined(Y3+YAD)(Y2+YCB)

    где, например,

    YAB=YAYBYA+YB+YC+YD=YAYBΔ;Δ=YA+ YB+YC+YD

    и, таким образом, условие баланса определяется как

    (Y1Y4–Y2Y3)+1∆(Y1YCYD+Y4YAYB–Y3YCYB–Y2YAYD)=0

    Если паразитные емкости не должны влиять на условие баланса , это должно быть задано как

    Y1Y4=Y2Y3

    , а второй член условия баланса должен быть равен нулю.Легко показать, что это может быть достигнуто либо с помощью

    YAYC=Y1Y2=Y3Y4 , либо с помощью YBYD=Y1Y3=Y2Y4

    Таким образом, паразитные импедансы относительно земли не влияют на условие баланса, если проводимости на одной противоположной паре ветвей точки находятся в том же отношении, что и проводимости шунтируемых ими пар ветвей.

    Схема заземления Wagner, показанная на рис. 27.62, гарантирует, что точки D и B сбалансированного моста находятся под потенциалом земли; таким образом устраняется влияние паразитных импедансов в этих точках. Это достигается с помощью вспомогательного рычага моста, состоящего из элементов Y 5 и Y 6 . Мост сначала уравновешивается детектором между D и B путем регулировки Y 3 . Детектор перемещается между B и E и балансируется вспомогательным мостом путем регулировки Y 5 и Y 6 . Это гарантирует, что точка B находится под потенциалом земли. Два процесса балансировки повторяются до тех пор, пока мост не сбалансируется с детектором в обоих положениях.Тогда условия балансировки основного моста и вспомогательного рычага задаются как

    РИСУНОК 27.62. Схема заземления Вагнера.

    Y1Y4=Y2Y3 and Y3(Y6+YC)undefined=Y4(Y5+YA)

    07. Резистивные элементы – мегарезисторы

    Резистор – это электрическое устройство, которое противодействует электрическому току, создавая падение напряжения между двумя его концами. это можно аппроксимировать законом Ома: V = I x R. Электрическое сопротивление равно падению напряжения на резисторе, деленному на ток через резистор при постоянной температуре.

    Мощный резистор:  

    Мощный резистор — это резистор, используемый в мощных промышленных устройствах. Этот тип резистора варьируется от размера обувной коробки до размера автомобиля. Что касается мощности, то она варьируется от сотен до тысяч ватт.

    Применение: 
    Силовые резисторы используются в таких приложениях, как динамическое торможение локомотивов и других типов машин; заземление нейтрали для промышленного распределения электроэнергии; управление двигателем для кранов и тяжелой техники; зарядка и разрядка конденсаторных батарей, реакторов и сверхпроводящих магнитных катушек; фильтрация гармоник для электрических подстанций.

    Типы силовых резисторов: 

    Разработано множество различных типов силовых резисторов в соответствии с требуемым сопротивлением и допустимой нагрузкой по току, например, силовые резисторы с проволочной обмоткой для высоких сопротивлений и малых токов, силовые резисторы с краевой обмоткой для со средним омическим сопротивлением и током, а также силовые резисторы со штампованной сеткой и ленточным сопротивлением для низкого омического сопротивления и высокого тока.

    Компоненты силового резистора:
    Основными компонентами являются резистивные, изолирующие, опорные и соединительно-защитные элементы.

    Резистивные элементы: 
    Резистивные элементы, как правило, представляют собой металлический сплав с точным сопротивлением и допустимой нагрузкой по току. В силовых резисторах с проволочной обмоткой используется металлическая проволока. В силовых резисторах Edgewound используется металлическая лента, а в резисторах с штампованной решеткой используются перфорированные металлические листы.

    Изолирующие элементы:
    Непроводящие компоненты, такие как фарфоровые и слюдяные изоляторы, используются в качестве электрического барьера между металлическими элементами.

    Опорные элементы:
    Обеспечивают структурную поддержку и средства для установки и сборки нескольких резисторов в блоки.

    Соединительные элементы:
    Обеспечивают проводку или подключение силового резистора к электрической цепи.

    Защитные элементы:
    Защитные коробки или покрытия, защищающие силовые резисторы от условий окружающей среды и случайного контакта.

    Сопротивление: 

    Электрическое сопротивление – это мера сопротивления объекта протекающему через него электрическому току, измеряемая в омах. Его обратной величиной является электрическая проводимость, измеряемая в сименсах.В предположении однородной плотности тока электрическое сопротивление объекта является функцией как его физической геометрии, так и удельного сопротивления материала, из которого оно изготовлено: R = l·p/A, где «l» — длина, «A» — площадь поперечного сечения, а «p» — удельное сопротивление материала. Электрическое сопротивление имеет некоторые концептуальные параллели с механическим понятием трения. Единицей электрического сопротивления в системе СИ является ом, символ р (греческая буква ро). Сопротивление объекта определяет величину тока, протекающего через объект при заданной разности потенциалов на объекте: R = V / I, где «R» — сопротивление объекта, измеренное в омах, эквивалентное Дж·с/C2. , «V» — это разность потенциалов на объекте, измеренная в вольтах, а «I» — это ток через объект, измеренный в амперах.Для самых разных материалов и условий электрическое сопротивление не зависит от величины тока, протекающего через объект, или величины напряжения на объекте, а это означает, что сопротивление R является постоянным.

    Blue Pot: бесконтактный потенциометр с магниторезистивным элементом

    Характеристики

    1. Электрически бесшумный

    На выходе отсутствуют электрические помехи независимо от скорости перемещения.

    2. Резолюция

    Выходное разрешение практически бесконечно.

    3. Выходная гладкость

    По сравнению с контактным потенциометром, таким как проволочный потенциометр и потенциометр из проводящего пластика, поскольку благодаря бесконтактной конструкции отсутствует скользящий электрический шум, плавность выходного сигнала Blue Pot намного выше, чем у контактного потенциометра.

    4. Низкий крутящий момент, низкое трение

    Крутящий момент и трение на валу очень малы благодаря бесконтактной конструкции.

    5. Высокочастотная характеристика

    Теоретически магниторезистивный эффект независимости от частоты составляет до 10 ГГц.

    6. Быстрота

    Превосходит быстрое реагирование (кроме встроенной схемы AMP).

    7. Низкое потребление тока

    Комбинация магнита и полупроводника редко нуждается в электромагнитной энергии, такой как источник света, необходимый в оптическом датчике (за исключением встроенной схемы типа AMP).

    8. Долгий срок службы

    Механическое трение между деталями отсутствует, за исключением подшипника вала.Blue Pot имеет превосходную долгую жизнь.

    Магниторезистивный элемент для датчика угла поворота

    Принцип

    1. Метод обнаружения

    Blue Pot состоит из комбинации магниторезистивного элемента и магнита. Существуют следующие методы измерения:
    (1) Создание изменения выходного напряжения путем плоскостного перемещения магнита вблизи магниторезистивного элемента.
    (2) Создайте изменение выходного напряжения, перемещая резистивный элемент магнита рядом с магнитом.
    (3) Закрепите магниторезистивный элемент и магнит близко друг к другу и переместите ярмо из магнитного материала, чтобы создать изменение выходного напряжения.

    2. Соотношение между рабочим объемом и выпуском

    При подаче входного напряжения Vin на клеммы 1 и 3, а затем путем смещения положения магнита на валу, соотношения
    между выходным напряжением Vвых с клемм 1 и 2 и Vin следующие:
    (1) Когда магнит находится в сторона MR2, значение сопротивления магниторезистивного элемента MR1 < MR2.Выходное напряжение Vout < 1/2Vin
    (2) Когда магнит находится посередине между MR1 и MR2, значение сопротивления магниторезистивного элемента равно MR1 = MR2. Выходное напряжение Vout = 2/1Vin
    (3) Когда магнит находится сбоку от MR1, значение сопротивления магниторезистивного элемента равно MR1 > MR2. Выходное напряжение Vout > 1/2Vin

    Метод преобразования сигнала

    Blue Pot использует множество различных методов преобразования.
    Ниже приведен типичный метод преобразования Blue Pot.

    Температурные характеристики

    Blue Pot имеет превосходные температурные характеристики по сравнению с контактным потенциометром.
    Магниторезистивный элемент для продуктов Blue Pot имеет температурные характеристики сопротивления, как показано на диаграмме 3.

    Также как показано на графике 4, температурные характеристики зависят от величины плотности магнитного потока.
    Температурные характеристики MR1 и MR2 во втором квадранте магниторезистивных элементов отличаются от индивидуальных, что обусловлено производственными отклонениями.
    Поскольку магниторезистивный эффект в зависимости от температуры не является однородным состоянием, выходное напряжение Blue Pot колеблется, как показано на графике 5, при изменении температуры.

    Температурный дрейф в среднем угловом положении (50% выходного напряжения) меньше, чем в другом угловом положении.
    Температурный дрейф увеличивается по мере увеличения расстояния от среднего угла.

    Температурная компенсация

    Как показано на графике 6-1, температурные характеристики в среднем угловом положении улучшаются в диапазоне от низкой до высокой температуры
    при использовании последовательно-параллельного сопротивления.
    Как показано на диаграмме 6-2, с помощью термистора можно улучшить температурные характеристики всего электрического угла.

    Инструкция по монтажу

    Способ монтажа

    (1) Втулочное крепление (Метод монтажа А)
    • Вставьте резьбовую часть бака с обратной стороны монтажной платы и закрепите бак гайкой с шайбой.
    •Обязательно поместите шайбу за гайкой.
    •Что касается горшка со стопорным штифтом, сделайте отверстие для стопорного штифта на монтажной плате.
    • Не вращайте сам горшок при затягивании гайки. Это может привести к неисправности датчика.
    • Не затягивайте гайку слишком сильно. Это может повредить резьбовую часть горшка.
    •В случае установки горшка в местах с сильной вибрацией, крепежные винты можно зафиксировать клеем.

    (2) Винтовое крепление (Метод монтажа B1 и B2)
    • Закрепите бак винтами в резьбовых отверстиях на монтажной поверхности горшка.
    •Используйте винт определенной длины.
    • В случае выбора метода монтажа «B1», создайте отверстие для вала на монтажной плате, диаметр которого больше диаметра вала горшка.

    Усилитель для синего горшка

    1. Входное напряжение

    Подайте напряжение на клеммы с 1 по 3, оно должно быть ниже указанного напряжения. В противном случае магниторезистивный элемент будет генерировать тепло при более высоком напряжении, что вызовет отклонение выходного сигнала.

    2. Входное сопротивление усилителя

    Добавленный входной импеданс AMP должен быть более чем в 500 раз больше импеданса Blue Pot.
    Если входное сопротивление ниже, это приведет к снижению температурных характеристик Blue Pot.

    3. Экзогенный шум

    Уменьшение расстояния между синим горшком и AMP уменьшит влияние внешних шумов. В случае увеличения внешних шумов соедините Blue Pot и AMP витой парой или экранированным проводом или добавьте фильтр нижних частот перед AMP.

    Инструкция по обращению

    Потенциометры точно собраны и отрегулированы.Пожалуйста, обращайтесь с ними осторожно, как с точным устройством.

    1.

    • Не разбирать кастрюлю.
    • Не модифицируйте потенциометр
    (может повлиять на точность и привести к неисправности.)

    2.

    • Не роняйте горшок.
    • Не ударяйте одну деталь о другую
    (может повредить клеммы или привести к отсоединению проводов.)

    3.

    • Не применяйте чрезмерное напряжение или ток.
    (может повредить резистивный элемент и электронные компоненты.)
    • Обязательно используйте цифровой тестер.
    (может повредить резистивный элемент и электронные компоненты, если используется аналоговый тестер.)

    4.

    • Устанавливайте без постукиваний и вдавливания в панель.
    •Используйте подходящие инструменты
    (Может сломаться или привести к поломке.)

    5.

    •Используйте провод достаточной длины для подключения клемм.
    •Используйте провод меньше 0,3 мм 2  (AWG22) в поперечном сечении.
    (Недостаточная длина провода или использование провода большего диаметра может привести к повреждению клемм или отключению внутри потенциометра.)

    6.

    •Обязательно подключите правильно.
    •Не подавайте напряжение на выходные клеммы.
    (Может повредить резистивный элемент и электронные компоненты.)

    7.

    • Пайка не более 5 секунд при 300°C МАКС.
    (Высокая температура может повредить кастрюлю внутри.)

    8.

    • Не прикладывайте чрезмерный крутящий момент к механическому стопору вращающегося потенциометра.
    (может привести к поломке стопора. Прочность стопора: МАКС. 0,3–0,5 Н·м, тип.)

    9.

    • Не погружайте в воду и не лейте воду или химикаты на кастрюлю.
    (может привести к сбою вывода)

    10.

    • Соблюдайте меры предосторожности при обращении с устройствами, чувствительными к электростатическому разряду.
    (Orange Pot использует полупроводниковые схемы, чувствительные к электростатическому разряду.)

    11.

    Не храните кастрюлю в следующих условиях.
    – Высокая влажность
    – Запыленная среда
    – Место, где присутствуют соленые или коррозионно-активные газы.
    – Виброместо

    Единиц

    Единицами на веб-сайте являются Международная система единиц (СИ).

    В дополнение к Инструкции по обращению на этом веб-сайте, пожалуйста, прочитайте следующие инструкции и хорошо разберитесь в их содержании:
    – Указание даты изготовления (EIAJ RC0901)
    http://www.jeita.or.jp/japanese/standard /book/RC-0901/#page=3

    – Меры предосторожности при использовании потенциометра (EIAJRCR-2191A)
    http://www. jeita.or.jp/cgi-bin/standard/pdfpage.cgi?jk_n=181

    – Руководство по безопасному применению компонентов электрических устройств и электрических изделий (JEITA RCR-1001A)
    http://www.jeita.or.jp/japanese/standard/book/RCR-1001A/

    Гарантия

    1. Если наши продукты предназначены для использования в каких-либо приложениях, требующих высокой надежности, таких как ядерная энергетика, спутники
    и медицинские устройства, пожалуйста, свяжитесь с нами перед покупкой.

    2. Характеристики окружающей среды, указанные в этом веб-каталоге, гарантируются на основе условий испытаний, установленных нашей компанией.Производительность при фактическом использовании не гарантируется. Принимая решение о внедрении наших продуктов, обязательно проверьте их, предварительно установив и протестировав их на свой страх и риск.

    3. Несмотря на то, что в этом веб-каталоге представлены спецификации и инструкции по обращению с каждым продуктом, функциональность может быть ограничена в зависимости от условий обращения. Принимая решение о внедрении нашей продукции, пожалуйста, получите от нас подробную документацию на продукцию.

    4.Как правило, мы не можем предоставить компенсацию за любой ущерб оборудованию или устройству клиента, вызванный поломкой или неисправностью нашей продукции.

    5. Наша продукция представляет собой электронные компоненты. Ремонт или замена не поддерживаются, за исключением некоторых продуктов.

    6. Мы не принимаем возврат или обмен товара. Пожалуйста, внимательно ознакомьтесь с техническими характеристиками товара перед размещением заказа.

    7. Содержание этого веб-сайта может быть изменено без предварительного уведомления в целях улучшения.

    8. Пожалуйста, свяжитесь с отделом продаж, если у вас есть какие-либо вопросы или проблемы.

    Пример продукции Blue Pot

    Однооборотные потенциометры

    Серия CP-16U

    Серия CP-2UN

    КП-2УКН-А

    Об этом веб-каталоге

    Информация в этом веб-каталоге может быть изменена без предварительного уведомления.

    Резистивный нагревательный элемент из пиролитического графита: Journal of Vacuum Science & Technology A: Vol 5, No 3

    Метрики статьи

    Просмотры

    11

    Цитаты

    перекрестная ссылка 4

    Сеть науки

    ИСИ 2

    Альтметрика

    Обратите внимание: Количество просмотров соответствует просмотру полного текста с декабря 2016 г. по настоящее время.Просмотры статей до декабря 2016 года не учитываются.

    Влияние смазки на электрические и механические параметры резистивного элемента потенциометра

    Постоянные резисторы обычно защищают от воздействия окружающей среды. Для этой цели, используются специальные лаки. Многие экологические качества такого резистора непосредственно связано с его корпусом. Резистивный элемент потенциометра не может быть защищен таким же образом. производители качественных потенциометров, особенно тонкопленочных, разработали эффективную уплотнения их корпуса, но это приводит к увеличению производственных затрат. Первые исследования тонкопленочных резистивных элементов для потенциометров доказали большая чувствительность агрегата к циклированию влаги из-за высокой хемосорбции воды на поверхности резистивного элемента. Эффект хемосорбции оказывает основное влияние на температурный коэффициент сопротивление (ТКС), так как при более высокой температуре происходит десорбция воды и меняется сопротивление пленки. Однако стандарт IEC рекомендует просушить резистивные элементы перед TCR. измерение; пользователи потенциометра чувствуют, что общее сопротивление изменяется как сумма изменение температуры и изменение высыхания. Настоящая статья посвящена испытаниям по устранению этого недостатка тонкопленочных материалов. потенциометры защитой от влаги. Защитное покрытие должно из-за своего сродства к резистивной пленке образовывать длительную защиту от воздействий окружающей среды, но не должны увеличивать контактное сопротивление стеклоочистителя (CRV).Такое покрытие также не должно увеличивать коэффициент трения грязесъемника. Для проверки гипотезы о том, что полярные смазки могут играть роль в защитном покрытии тонкопленочных потенциометров было исследовано несколько различных смазочных материалов.

    Авторское право

    Авторское право © 1985 Hindawi Publishing Corporation. Это статья в открытом доступе, распространяемая под Лицензия Creative Commons Attribution, которая разрешает неограниченное использование, распространение и воспроизведение на любом носителе при условии надлежащего цитирования оригинальной работы.

    Встроенный резистивный элемент из оксида графена в настраиваемых ВЧ-фильтрах

    2. Schuster, C., Schynol, Lu., Polat, E., Schwab, E., Schmidt, S., Jakoby, R. & Maune, H. “ Реконфигурируемый фильтр шпильки с настраиваемой центральной частотой, полосой пропускания и нулевой передачей». in 2019 IEEE MTT-S International Microwave Workshop Series on Advanced Materials and Processing for RF and THz Applications (IMWS-AMP) , 16–18 июля 2019 г., Бохум.

    3. Чен, Р. и Хашеми, Х. «Реконфигурируемый приемник SDR с улучшенной избирательностью входной частоты, подходящий для внутридиапазонной и междиапазонной агрегации несущих».in IEEE International Solid-State Circuits Conference, (ISSCC) , февраль 2015 г., стр. 1–3.

    5. Guo, J., You, B. & Qing Luo, G. Миниатюрный встроенный в подложку волноводный фильтр восьмого режима с настраиваемой центральной частотой и полосой пропускания. Микрофон IEEE. Провод. комп. Письмо . 29 (7) (2019).

    6. Ю Б., Лу С., Чен Л., Гу К.Дж. Полумодовый интегрированный в подложку фильтр с настраиваемой центральной частотой и реконфигурируемой полосой пропускания. IEEE Микров. Беспроводной компонент.лат. 2016;26(3):189–191. doi: 10.1109/LMWC.2016.2526031. [CrossRef] [Google Scholar]

    7. Симпсон, Д.Дж., Гарсия, Р.Г. & Psychogiou, D. «Настраиваемые многополосные ВЧ-фильтры от полосы пропускания к полосе заграждения. в 2018 IEEE/MTT-S International Microwave Symposium , стр. 1363–1366.

    8. Шариф Х., Смади Л., Фаури Ю.С., Эбрахими А., Баум Т., Скотт Дж. и Горбани К. Непрерывно настраиваемый двухрежимный полосовой фильтр. Микрофон IEEE. Провод. комп. Письмо . 28 (5) (2018).

    9. Ловато, Р.Э., Ли, Т. и Гонг, X. Интеграция перестраиваемого фильтра/антенны с управлением полосой пропускания. IEEE Trans. Микров. Теория Тех . 67 (10) (2019).

    10. Чуа Л. Мемристор – недостающий элемент схемы. IEEE транс. Теория цепей. 1971; 18 (5): 507–519. doi: 10.1109/TCT.1971.1083337. [Перекрестная ссылка] [Академия Google] 11. Струков Д.Б., Снайдер Г.С., Стюарт Д.Р., Уильямс Р.С. Пропавший мемристор найден. Природа. 2008;453(7191):80. doi: 10.1038/nature06932. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar] 12.Abunahla H, Jaoude MA, O’Kelly CJ, Mohammad B. Мемристоры микротолщины TiO 2 с золь-гелевым/капельным покрытием для измерения γ-излучения. Матер. хим. физ. 2016; 184:72–81. doi: 10.1016/j.matchemphys.2016.09.027. [Перекрестная ссылка] [Академия Google] 13. Абунахла Х., Шехада Д., Юн С.И., Мохаммад Б., Жауд М.А. Новые методы генерации секретных ключей с использованием мемристорных устройств. АИП Пров. 2016;6(2):025107. doi: 10.1063/1.4942041. [Перекрестная ссылка] [Академия Google] 14. Лебде М.А., Абунахла Х., Мохаммад Б., Аль-Кутайри М. Эффективный гетерогенный мемристив xnor для вычислений в памяти.IEEE транс. Цепи Сист. Я Регул. Пап. 2017;64(9):2427–2437. doi: 10.1109/TCSI.2017.2706299. [Перекрестная ссылка] [Академия Google] 15. Абунахла Х., Мохаммад Б., Махмуд Л., Дарвиш М., Альхавари М., Жауд М.А., Хитт Г.В. Memsens: датчик излучения на основе мемристора. IEEE Sens. J. 2018;18(8):3198–3205. doi: 10.1109/JSEN.2018.2808285. [CrossRef] [Google Scholar]

    16. Abunahla, H., Shehada, D., Yeun, C.Y., OKelly, CJ, Jaoude, M.A., & Mohammad, B. Новый микромасштабный мемристор со свойством уникальности для защиты связи.В 2016 г. на 59-м Международном симпозиуме IEEE по схемам и системам Среднего Запада (MWSCAS) 1–4 (IEEE, Нью-Йорк,‏ 2016 г.).

    17. Абунахла Х., Мохаммад Б., Алаззам А., Жауд М.А., Аль-Кутайри М., Хади С.А., Аль-Сарави С.Ф. MOMSense: «Элементарный датчик глюкозы металл-оксид-металл» Sci. Отчет 2019;9(1):5524. doi: 10.1038/s41598-019-41892-w. [Бесплатная статья PMC] [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]

    18. Пи С., И-Садрабади М. Г., Бардин Дж. К. и Ся К. Мемристоры как радиочастотные переключатели. в 2016 Международный симпозиум IEEE по схемам и системам (ISCAS) , 22–25 мая 2016 г.

    19. Грегори, М. Д., и Вернер, Д. Х. Применение мемристора в реконфигурируемых электромагнитных устройствах. Распространение антенн IEEE. Маг. 57 (1) (2015).

    20. Адесина Н.О., Сривастава А. Конструкция фильтра контура на основе мемристоров для контура фазовой автоподстройки частоты. Дж. Электрон малой мощности. заявл. 2019;9:24. doi: 10.3390/jlpea24. [CrossRef] [Google Scholar]

    21. Мутлу Р., Каракулак Э. Фазовращатели на основе мемристоров. in 2018 2-й Международный симпозиум по междисциплинарным исследованиям и инновационным технологиям (ISMSIT) , 19–21 октября 2018 г.

    22. Сюй, К.Д., Чжан, Ю.Х., Ван, Л., Юань, М.К., Фан, Ю., Джойнс, В.Т., Товарищ, IEEE, и Лю, К.Х. Две модели мемристоров SPICE и их применение в микроволновых устройствах. IEEE Trans. нанотехнологии. 13 (3), 607 (2014)

    23. Ali, S., Hassan, A., Hassan, G., Bae, J., & Lee, CH. от частоты и полосы пропускания. in 25-я Международная конференция по волоконно-оптическим датчикам, Proceedings of SPIE, Vol. 10323.

    24. Визенберг Р., Хиат А., Бердан Р., Папавассилиу К. и Продромакис Т. Применение твердотельных мемристоров в настраиваемых фильтрах. в 2014 Международный симпозиум IEEE по схемам и системам (ISCAS) , 1–5 июня 2014 г.

    25. Драгоман М., Олдриго М., Адам Г. Фазированные антенные решетки на основе энергонезависимых резистивных переключателей. ИЭТ Микров. Антенны Распространение. 2017;11(8):1169–1173. doi: 10.1049/iet-map.2016.0974. [Перекрестная ссылка] [Академия Google] 26. Потребич М., Тошич Д., Биолек Д.Реконфигурируемые микроволновые фильтры на мемристорах. Междунар. J. Приложение теории цепей. 2018;46(1):113–121. doi: 10.1002/cta.2345. [Перекрестная ссылка] [Академия Google] 27. Потребич М., Тошич Д., Плазинич А. Реконфигурируемый многослойный двухрежимный полосовой фильтр на основе мемристивного переключателя. АЕУ-Международный Дж. Электрон. коммун. 2018;97:290–298. doi: 10.1016/j.aeue.2018.10.032. [Перекрестная ссылка] [Академия Google] 28. Ву Б, Ху И, Чжао ЮТ, Лу ВБ. ТГц-антенна с большим углом наклона, использующая активную частотно-избирательную поверхность на основе гибридной структуры графен-золото.Опц. Выражать. 2018;26(12):15353. doi: 10.1364/OE.26.015353. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar] 29. Тарик А., Гафури-Шираз Х. Несимметричные антенны с перестраиваемой частотой. IEEE транс. Антенны Распространение. 2012;60(1):44–50. doi: 10.1109/TAP.2011.2167929. [CrossRef] [Google Scholar]

    30. Lugo, C. & Papapolymerou. J. Реконфигурируемый полосовой фильтр с одним переключателем и переменной полосой пропускания с использованием двухрежимного треугольного патч-резонатора. in IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest, 2005, Лонг-Бич, Калифорния, 2005 , с.4.

    31. Лысенко И., Ткаченко А., Шерова Е., Никитин А. Аналитический подход в разработке радиочастотных МЭМС-переключателей. Электроника. 2018;7(12):415. doi: 10.3390/electronics7120415. [Перекрестная ссылка] [Академия Google] 32. Porro S, Accornero E, Pirri CF, Ricciardi C. Мемристивные устройства на основе оксида графена. Углерод. 2015; 85: 383–396. doi: 10.1016/j.carbon.2015.01.011. [Перекрестная ссылка] [Академия Google] 33. Чон ХИ, Ким ЧЖИ, Ким ЧЖВ, Хван ЧЖО, Ким ЧЖИ, Ли ЧЖИ, Чхве СЫ. Тонкие пленки оксида графена для гибких приложений энергонезависимой памяти.Нано Летт. 2010;10(11):4381–4386. doi: 10.1021/nl101902k. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar] 34. Yan X, Zhang L, Chen H, Li X, Wang J, Liu Q, Zhou P. Мемристоры на основе квантовых точек на основе оксида графена с прогрессивной настройкой проводимости для искусственного синаптического обучения. Доп. Функц. Матер. 2018;28(40):1803728. doi: 10.1002/adfm.201803728. [Перекрестная ссылка] [Академия Google] 35. Алаззам А. Гибкие и прозрачные электроды из восстановленного оксида графена на основе раствора на основе раствора для приложений «лаборатория на кристалле». Нанотехнологии.2019;31:075302. doi: 10.1088/1361-6528/ab50ee. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]

    36. Matthaei, G., L. Young, & E. M. T. Jones. Микроволновые фильтры, схемы согласования импеданса и соединительные структуры 614–647 (Artech House, Бостон, 1985).

    37. Хонг, Дж.С. & Lancaster, M.J. Микрополосковый фильтр для ВЧ/СВЧ-приложений . ISBN: 0-471-38877-7.

    38. Weibler, J., & Enclosures, L.R. Свойства металлов, используемых для радиочастотного экранирования. Испытание на электромагнитную совместимость Des. 100 (1993).

    39. Мохаммад Б., Жауд М.А., Кумар В., Аль-Хомуз Д.М., Нахла Х.А., Аль-Кутайри М., Христофору Н. Современное состояние мемристорных устройств на основе оксидов металлов. нанотехнологии. 2016;5(3):311–329. doi: 10.1515/ntrev-2015-0029. [Перекрестная ссылка] [Академия Google] 40. Ки Хонг С., Ын Ким Дж., Ким С.О., Джин Чо Б. Анализ механизма переключения резистивного запоминающего устройства на основе оксида графена. Дж. Заявл. физ. 2011;110(4):044506. дои: 10.1063/1.3624947. [Перекрестная ссылка] [Академия Google] 41. Абунахла Х., Мохаммад Б. , Хомуз Д., Окелли С.Дж.Моделирование мемристорного устройства с изменением валентности: толщина оксида, тип материала и температурные эффекты. IEEE транс. Цепи Сист. Я Регул. Пап. 2016;63(12):2139–2148. doi: 10.1109/TCSI.2016.2622225. [Перекрестная ссылка] [Академия Google] 42. Абунахла Х., Хомоуз Д., Халавани Й., Мохаммад Б. Моделирование и разработка параметров устройства для улучшения времени сброса в мемристорах с бинарным оксидом. заявл. физ. А. 2014;117(3):1019–1023. doi: 10.1007/s00339-014-8786-4. [CrossRef] [Google Scholar]

    43. Абунахла Х., Эль Начар Н., Хомуз Д., Мохаммад Б. и Жауд М.А. Физическая модель мемристорных устройств с различными активными материалами. в Международный симпозиум IEEE по схемам и системам 2016 г. ( ISCAS ) 1590–1593. (IEEE, Нью-Йорк, 2016).‏

    44. Кватинский С., Фридман Э.Г., Колодный А., Вайзер UC. КОМАНДА: Пороговая адаптивная мемристорная модель. IEEE транс. Цепи Сист. Я Регул. Пап. 2012;60(1):211–221. doi: 10.1109/TCSI. 2012.2215714. [Перекрестная ссылка] [Академия Google] 45. Лю Б., Лю З., Чиу И. С., Ди М., Ву Ю., Ван, Дж. К., и Лай, К. С. Программируемая синаптическая метапластичность и выброс энергии ниже фемтоджоуля, реализованные в нейроморфном мемристоре на основе графена. Приложение ACS Матер. Интерфейсы . (2018).‏ [PubMed]

    46. Спарволи, М., и Марма, Дж. С. Разработка резистивной памяти на основе оксида графена, легированного серебром, для моделирования нейронов. в 2018 Международная объединенная конференция по нейронным сетям (IJCNN) 1–6. (IEEE, Нью-Йорк, 2018).‏

    47. Бинти Изам, Н. И., Азиз, Т.Н. Т. А., Рахман Р. А., Малек М. Ф., Герман С. Х. и Зулкифли З. Влияние скорости покрытия погружением на пленки ZnO, декорированные графеном, для применения мемристоров. в 2016 Студенческая конференция IEEE по исследованиям и разработкам (SCORED) . 1–6. (IEEE, New York, 2016).‏

    48. He C, Li J, Wu X, Chen P, Zhao J, Yin K, Liu D. Настраиваемая электролюминесценция в планарных мемристорах графен/SiO 2 . Доп. Матер. 2013;25(39):5593–5598. doi: 10.1002/adma.201302447. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]49.Вайс Н.О., Чжоу Х., Ляо Л., Лю Ю., Цзян С., Хуан Ю., Дуань Х. Графен: новый электронный материал. Доп. Матер. 2012;24(43):5782–5825. doi: 10.1002/adma.201201482. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]51. Руссо У., Лелмини Д., Кальи С., Лакаита А.Л. Модель самоускоряющегося теплового растворения для программирования сброса в устройствах памяти с однополярным резистивным переключением (RRAM). IEEE транс. Электрон Дев. 2009; 56: 193–200. doi: 10.1109/TED.2008.2010584. [CrossRef] [Google Scholar]52. Экиз О.О., Урел М., Гунер Х., Мизрак А.К., Дана А.Обратимое электрическое восстановление и окисление оксида графена. АКС Нано. 2011;5(4):2475–2482. doi: 10.1021/nn1014215. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]53. Валов И., Васер Р., Джеймсон Дж. Р., Козицкий М. Н. Память об электрохимической металлизации — основы, приложения, перспективы. Нанотехнологии. 2011;22(25):254003. doi: 10.1088/0957-4484/22/25/254003.

    Добавить комментарий

    Ваш адрес email не будет опубликован.