Полевой транзистор и биполярный отличия: Эта страница ещё не существует

Содержание

Управление биполярным транзистором. Отличие полевого транзистора от биполярного. Сфера их применения

В следующих статьях будут устройства, которые должны управлять внешней нагрузкой. Под внешней нагрузкой я понимаю все, что прицеплено к ножкам микроконтроллера – светодиоды, лампочки, реле, двигатели, исполнительные устройства … ну Вы поняли. И как бы не была заезжена данная тема, но, чтобы избежать повторений в следующих статьях, я все-же рискну быть не оригинальным — Вы уж меня простите:). Я кратенько, в рекомендательной форме, покажу наиболее распространенные способы подключения нагрузки (если Вы что-то захотите добавить – буду только рад).
Сразу договоримся, что речь идет о цифровом сигнале (микроконтроллер все-таки цифровое устройство) и не будем отходить от общей логики: 1 -включено, 0 -выключено. Начнем.

Нагрузкой постоянного тока являются: светодиоды, лампы, реле, двигатели постоянного тока, сервоприводы, различные исполнительные устройства и т.д. Такая нагрузка наиболее просто (и наиболее часто) подключается к микроконтроллеру.

1.1 Подключение нагрузки через резистор.
Самый простой и, наверно, чаще всего используемый способ, если речь идет о светодиодах.

Резистор нужен для того, чтобы ограничить ток протекающий, через ножку микроконтроллера до допустимых 20мА . Его называют балластным или гасящим. Примерно рассчитать величину резистора можно зная сопротивление нагрузки Rн.

Rгасящий = (5v / 0.02A) – Rн = 250 – Rн

Как видно, даже в самом худшем случае, когда сопротивление нагрузки равно нулю достаточно 250 Ом для того, что бы ток не превысил 20мА. А значит, если неохота чего-то там считать — ставьте 300 Ом и Вы защитите порт от перегрузки. Достоинство способа очевидно – простота.

1.2 Подключение нагрузки при помощи биполярного транзистора.
Если так случилась, что Ваша нагрузка потребляет более 20мА, то, ясное дело, резистор тут не поможет. Нужно как-то увеличить (читай усилить) ток. Что применяют для усиления сигнала? Правильно. Транзистор!


Для усиления удобней применять n-p-n транзистор, включенный по схеме ОЭ . При таком способе можно подключать нагрузку с большим напряжением питания, чем питание микроконтроллера. Резистор на базе – ограничительный. Может варьироваться в широких пределах (1-10 кОм), в любом случае транзистор будет работать в режиме насыщения. Транзистор может быть любой

n-p-n транзистор. Коэффициент усиления, практически не имеет значения. Выбирается транзистор по току коллектора (нужный нам ток) и напряжению коллектор-эмиттер (напряжение которым запитывается нагрузка). Еще имеет значение рассеиваемая мощность — чтоб не перегрелся.

Из распространенных и легко доступных можно заюзать BC546, BC547, BC548, BC549 с любыми буквами (100мА), да и тот-же КТ315 сойдет (это у кого со старых запасов остались).
— Даташит на биполярный транзистор BC547

1.3 Подключение нагрузки при помощи полевого транзистора.
Ну а если ток нашей нагрузки лежит в пределах десятка ампер? Биполярный транзистор применить не получиться, так как токи управления таким транзистором велики и скорей всего превысят 20мА. Выходом может служить или составной транзистор (читать ниже) или полевой транзистор (он же МОП, он же MOSFET). Полевой транзистор просто замечательная штука, так как он управляется не током, а потенциалом на затворе. Это делает возможным микроскопическим током на затворе управлять большими токами нагрузки.

Для нас подойдет любой n-канальный полевой транзистор. Выбираем, как и биполярный, по току, напряжению и рассеиваемой мощности.


При включении полевого транзистора нужно учесть ряд моментов:
— так как затвор, фактически, является конденсатором, то в моменты переключения транзистора через него текут большие токи (кратковременно). Для того чтобы ограничить эти токи в затвор ставиться ограничивающий резистор.

— транзистор управляется малыми токами и если выход микроконтроллера, к которому подключен затвор, окажется в высокоимпедансном Z-состоянии полевик начнет открываться-закрываться непредсказуемо, вылавливая помехи. Для устранения такого поведения ножку микроконтроллера нужно «прижать» к земле резистором порядка 10кОм.
У полевого транзистора на фоне всех его положительных качеств есть недостаток. Платой за управление малым током является медлительность транзистора. ШИМ, конечно, он потянет, но на превышение допустимой частоты он Вам ответит перегревом.

1.4 Подключение нагрузки при помощи составного транзистора Дарлингтона.

Альтернативой применения полевого транзистора при сильноточной нагрузке является применение составного транзистора Дарлингтона. Внешне это такой-же транзистор, как скажем, биполярный, но внутри для управления мощным выходным транзистором используется предварительная усилительная схема. Это позволяет малыми токами управлять мощной нагрузкой. Применение транзистора Дарлингтона не так интересно, как применение сборки таких транзисторов. Есть такая замечательная микросхема как ULN2003. В ее составе аж 7 транзисторов Дарлингтона, причем каждый можно нагрузить током до 500мА, причем их можно включать параллельно для увеличения тока.


Микросхема очень легко подключается к микроконтроллеру (просто ножка к ножке) имеет удобную разводку (вход напротив выхода) и не требует дополнительной обвязки. В результате такой удачной конструкции ULN2003 широко используется в радиолюбительской практике. Соответственно достать ее не составит труда.

— Даташит на сборку Дарлингтонов ULN2003

Если Вам нужно управлять устройствами переменного тока (чаще всего 220v), то тут все сложней, но не на много.

2.1 Подключение нагрузки при помощи реле.
Самым простым и, наверное, самым надежным есть подключение при помощи реле. Катушка реле, сама собой, является сильноточной нагрузкой, поэтому напрямую к микроконтроллеру ее не включишь. Реле можно подключить через транзистор полевой или биполярный или через туже ULN2003, если нужно несколько каналов.


Достоинства такого способа большой коммутируемый ток (зависит от выбранного реле), гальваническая развязка. Недостатки: ограниченная скорость/частота включения и механический износ деталей.
Что-то рекомендовать для применения не имеет смысла — реле много, выбирайте по нужным параметрам и цене.

2.2 Подключение нагрузки при помощи симистора (триака).
Если нужно управлять мощной нагрузкой переменного тока а особенно если нужно управлять мощностью выдаваемой на нагрузку (димеры), то Вам просто не обойтись без применения симистора (или триака). Симистор открывается коротким импульсом тока через управляющий электрод (причем как для отрицательной, так и для положительной полуволны напряжения). Закрывается симистор сам, в момент отсутствия напряжения на нем (при переходе напряжения через ноль). Вот тут начинаются сложности. Микроконтроллер должен контролировать момент перехода через ноль напряжения и в точно определенный момент подавать импульс для открытия симистора — это постоянная занятость контроллера. Еще одна сложность это отсутствие гальванической развязки у симистора. Приходится ее делать на отдельных элементах усложняя схему.


Хотя современные симисторы управляются довольно малым током и их можно подключить напрямую (через ограничительный резистор) к микроконтроллеру, из соображений безопасности приходится их включать через оптические развязывающие приборы. Причем это касается не только цепей управления симистором, но и цепей контроля нуля.

Довольно неоднозначный способ подключения нагрузки. Так как с одной стороны требует активного участия микроконтроллера и относительно сложного схемотехнического решения. С другой стороны позволяет очень гибко манипулировать нагрузкой. Еще один недостаток применения симисторов — большое количество цифрового шума, создаваемого при их работе — нужны цепи подавления.

Симисторы довольно широко используются, а в некоторых областях просто незаменимы, поэтому достать их не составляет каких либо проблем. Очень часто в радиолюбительстве применяют симисторы типа BT138.

Здравствуйте, дорогие читатели. В данной статье рассмотрим отличие полевого транзистора от биполярного, узнаем в каких сферах применяются и те, и другие транзисторы.

И так, начнём…

Среди полупроводниковых приборов существуют две большие группы, в состав которых входят полевые и биполярные . Они широко используются в электронике и радиотехнике в качестве генераторов, усилителей и преобразователей электрических сигналов. Чтобы понять, в чем основное различие этих устройств, необходимо рассмотреть их более подробно.

Биполярные транзисторы

Проводящая область конструкции состоит из трёх «спаянных» полупроводниковых частей, с чередованием по типу проводимости. Полупроводник с донорной (электронной) проводимостью обозначается как n-тип, с акцепторной (дырочной) – p-тип. Таким образом, мы можем наблюдать только два варианта чередования – p-n-p, либо n-p-n. По этому признаку различают биполярные транзисторы с n-p-n и p-n-p структурой.

Общая часть транзисторного кристалла, контактирующая с двумя другими, называется «база». Две другие – «коллектор» и «эмиттер». Степень насыщенности базы носителями заряда (электронами или электронными вакансиями «дырками») определяет степень проводимости всего кристалла транзистора. Таким образом, осуществляется управление проводимостью переходов транзистора, что позволяет использовать его в качестве элемента усиления мощности сигнала, или ключа.

Полевые транзисторы

Проводящая часть конструкции представляет собой полупроводниковый канал p- или n-типа в металле. Ток нагрузки протекает по каналу через электроды, называемые «стоком» и «истоком». Величина сечения проводящего канала и его сопротивление зависит от обратного напряжения на p-n переходе границы металла и полупроводника канала. Управляющий электрод, соединённый с металлической областью называется «затвор».

Канал полевого транзистора может иметь электрическую связь с металлом затвора — неизолированный затвор, а может быть и отделён от него тонким слоем диэлектрика — изолированный затвор.

Какие транзисторы лучше полевые или биполярные?

И так, мы узнали, что главное отличие этих двух видов транзисторов в управление. Давайте рассмотрим прочие преимущества полевых транзисторов по сравнению с биполярными:

  • высокое входное сопротивление по постоянному току и на высокой частоте, отсюда и малые потери на управление
  • высокое быстродействие (благодаря отсутствию накопления и рассасывания неосновных носителей)
  • почти полная электрическая развязка входных и выходных цепей, малая проходная ёмкость поскольку усилительные свойства полевых транзисторов обусловлены переносом основных носителей заряда, их верхняя граница эффективного усиления выше, чем у биполярных
  • квадратичность вольт — амперной характеристики (аналогична триоду)
  • высокая температурная стабильность
  • малый уровень шумов, так как в полевых транзисторах не используется явление инжекции неосновных носителей заряда, которое и делает биполярные транзисторы «шумными»
  • малое потребление мощности

Накопление и рассасывание неосновных носителей заряда отсутствует в полевых транзисторах, от того и быстродействие у них очень высокое (что отмечается разработчиками силовой техники). И поскольку за усиление в полевых транзисторах отвечают переносимые основные носители заряда, то верхняя граница эффективного усиления у полевых транзисторов выше чем у биполярных.


Здесь же отметим высокую температурную стабильность, малый уровень помех (в силу отсутствия инжекции неосновных носителей заряда, как то происходит в биполярных), экономичность в плане потребления энергии.

Ток или поле, управление транзисторами

Большинству людей, так или иначе имеющими дело с электроникой, принципиальное устройство полевых и биполярных транзисторов должно быть известно. По крайней мере, из названия «полевой транзистор», очевидно, что управляется он полем, электрическим полем затвора, в то время как биполярный транзистор управляется током базы.

Ток и поле, различие здесь кардинальное. У биполярных транзисторов управление током коллектора осуществляется путем изменения управляющего тока базы, в то время как для управления током стока полевого транзистора, достаточно изменить приложенное между затвором и истоком напряжение, и не нужен уже никакой управляющий ток как таковой.

Разная реакция на нагрев

У биполярных транзисторов температурный коэффициент сопротивления коллектор-эмиттер отрицательный (т. е. с ростом температуры сопротивление уменьшается и ток коллектор — эмиттер растет). У полевых транзисторов все наоборот — температурный коэффициент сток-исток положительный (с ростом температуры сопротивление растет, и ток сток-исток уменьшается).

Важное следствие из этого факта — если биполярные транзисторы нельзя просто так включать параллельно (с целью умощнения), без токовыравнивающих резисторов в цепи эмиттера, то с полевыми все намного проще — благодаря автобалансировке тока сток-исток при изменении нагрузки/нагрева — их можно свободно включать параллельно без выравнивающих резисторов. Это связано с температурными свойствами p-n перехода и простого полупроводника p- или n-типа. По этой причине у полевых транзисторов гораздо реже случается необратимый выходной тепловой пробой, чем у биполярных.

Так для достижения высоких показателей коммутационных токов, можно легко набрать составной ключ из нескольких параллельных полевых транзисторов, что и используется много где на практике, например в инверторах.

А вот биполярные транзисторы нельзя просто так параллелить, им нужны обязательно токовыравнивающие резисторы в цепях эмиттеров. Иначе, из-за разбаланса в мощном составном ключе, у одного из биполярных транзисторов рано или поздно случится необратимый тепловой пробой. Полевым составным ключам названная проблема почти не грозит. Эти характерные тепловые особенности связаны со свойствами простого n- и p-канала и p-n перехода, которые кардинально отличаются.

Сферы применения тех и других транзисторов

Различия между полевыми и биполярными транзисторами четко разделяют области их применений. Например в цифровых микросхемах, где необходим минимальный ток потребления в ждущем состоянии, полевые транзисторы применяются сегодня гораздо шире. В аналоговых же микросхемах полевые транзисторы помогают достичь высокой линейности усилительной характеристики в широком диапазоне питающих напряжений и выходных параметров.

Схемы типа reel-to-reel удобно реализуются сегодня с полевыми транзисторами, ведь легко достигается размах напряжений выходов как сигналов для входов, совпадая почти с уровнем напряжения питания схемы. Такие схемы можно просто соединять выход одной с входом другой, и не нужно никаких ограничителей напряжения или делителей на резисторах.

Что касается биполярных транзисторов, то их типичными сферами применения остаются: усилители, их каскады, модуляторы, детекторы, логические инверторы и микросхемы на транзисторной логике.

Полевые побеждают, почему?

Выдающиеся примеры устройств, построенных на полевых транзисторах, — наручные электронные часы и пульт дистанционного управления для телевизора. За счёт применения КМОП-структур эти устройства могут работать до нескольких лет от одного миниатюрного источника питания — батарейки или аккумулятора, потому что практически не потребляют энергии.

В настоящее время полевые транзисторы находят все более широкое применение в различных радиоустройствах, где уже с успехом заменяют биполярные. Их применение в радиопередающих устройствах позволяет увеличить частоту несущего сигнала, обеспечивая такие устройства высокой помехоустойчивостью.

Обладая низким сопротивлением в открытом состоянии, находят применение в оконечных каскадах усилителей мощности звуковых частот высокой мощности (Hi-Fi), где опять же с успехом заменяют биполярные транзисторы и даже электронные лампы.

В устройствах большой мощности, например в устройствах плавного пуска двигателей, биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) — приборы, сочетающие в себе как биполярные, так и полевые транзисторы, уже успешно вытесняют тиристоры.

Видео, отличие полевого транзистора от биполярного

06 Jan 2017

На практике часто возникает необходимость управлять при помощи цифровой схемы (например, микроконтроллера) каким-то мощным электрическим прибором. Это может быть мощный светодиод, потребляющий большой ток, или прибор, питающийся от сети 220 В. Рассмотрим типовые решения этой задачи.

Условно можно выделить 3 группы методов:

  1. Управление нагрузкой постоянного тока.
    • Транзисторный ключ на биполярном транзисторе.
    • Транзисторный ключ на МОП-транзисторе (MOSFET).
    • Транзисторный ключ на IGBT.
  2. Управление нагрузкой переменного тока.
    • Тиристорный ключ.
    • Симисторный ключ.
  3. Универсальный метод.

Выбор способа управления зависит как от типа нагрузки, так и от вида применяемой цифровой логики. Если схема построена на ТТЛ-микросхемах, то следует помнить, что они управляются током, в отличие от КМОП, где управление осуществляется напряжением. Иногда это важно.

Для тока $I_{LED} = 0{,}075\,А$ управляющий ток должен быть в $\beta = 50$ раз меньше:

Падение напряжения на переходе эмиттер — база примем равным $V_{EB} = 0{,}7\,В$.

Сопротивление округлялось в меньшую сторону, чтобы обеспечить запас по току.

Таким образом, мы нашли значения сопротивлений R1 и R2.

Транзистор Дарлингтона

Если нагрузка очень мощная, то ток через неё может достигать нескольких ампер. Для мощных транзисторов коэффициент $\beta$ может быть недостаточным. (Тем более, как видно из таблицы, для мощных транзисторов он и так невелик.)

В этом случае можно применять каскад из двух транзисторов. Первый транзистор управляет током, который открывает второй транзистор. Такая схема включения называется схемой Дарлингтона.

В этой схеме коэффициенты $\beta$ двух транзисторов умножаются, что позволяет получить очень большой коэффициент передачи тока.

Для повышения скорости выключения транзисторов можно у каждого соединить эмиттер и базу резистором.


Сопротивления должны быть достаточно большими, чтобы не влиять на ток база — эмиттер. Типичные значения — 5…10 кОм для напряжений 5…12 В.

Выпускаются транзисторы Дарлингтона в виде отдельного прибора. Примеры таких транзисторов приведены в таблице.

В остальном работа ключа остаётся такой же.

В дальнейшем полевым транзистором мы будет называть конкретно MOSFET, то есть полевые транзисторы с изолированным затвором (они же МОП, они же МДП). Они удобны тем, что управляются исключительно напряжением: если напряжение на затворе больше порогового, то транзистор открывается. При этом управляющий ток через транзистор пока он открыт или закрыт не течёт. Это значительное преимущество перед биполярными транзисторами, у которых ток течёт всё время, пока открыт транзистор.

Также в дальнейшем мы будем использовать только n-канальные MOSFET (даже для двухтактных схем). Это связано с тем, что n-канальные транзисторы дешевле и имеют лучшие характеристики.

Простейшая схема ключа на MOSFET приведена ниже.

Опять же, нагрузка подключена «сверху», к стоку. Если подключить её «снизу», то схема не будет работать. Дело в том, что тразистор открывается, если напряжение между затвором и истоком превышает пороговое. При подключении «снизу» нагрузка будет давать дополнительное падение напряжения, и транзистор может не открыться или открыться не полностью.

При управлении типа push-pull схема разряда конденсатора образует, фактически, RC-цепочку, в которой максимальный ток разряда будет равен

где $V$ — напряжение, которым управляется транзистор.

Таким образом, достаточно будет поставить резистор на 100 Ом, чтобы ограничить ток заряда — разряда до 10 мА. Но чем больше сопротивление резистора, тем медленнее он будет открываться и закрываться, так как постоянная времени $\tau = RC$ увеличится. Это важно, если транзистор часто переключается. Например, в ШИМ-регуляторе.

Основные параметры, на которые следует обращать внимание — это пороговое напряжение $V_{th}$, максимальный ток через сток $I_D$ и сопротивление сток — исток $R_{DS}$ у открытого транзистора.

Ниже приведена таблица с примерами характеристик МОП-транзисторов.

Модель $V_{th}$ $\max\ I_D$ $\max\ R_{DS}$
2N7000 3 В 200 мА 5 Ом
IRFZ44N 4 В 35 А 0,0175 Ом
IRF630 4 В 9 А 0,4 Ом
IRL2505 2 В 74 А 0,008 Ом

Для $V_{th}$ приведены максимальные значения. Дело в том, что у разных транзисторов даже из одной партии этот параметр может сильно отличаться. Но если максимальное значение равно, скажем, 3 В, то этот транзистор гарантированно можно использовать в цифровых схемах с напряжением питания 3,3 В или 5 В.

Сопротивление сток — исток у приведённых моделей транзисторов достаточно маленькое, но следует помнить, что при больших напряжениях управляемой нагрузки даже оно может привести к выделению значительной мощности в виде тепла.

Схема ускоренного включения

Как уже было сказано, если напряжение на затворе относительно истока превышает пороговое напряжение, то транзистор открывается и сопротивление сток — исток мало. Однако, напряжение при включении не может резко скакнуть до порогового. А при меньших значениях транзистор работает как сопротивление, рассеивая тепло. Если нагрузку приходится включать часто (например, в ШИМ-контроллере), то желательно как можно быстрее переводить транзистор из закрытого состояния в открытое и обратно.


Ещё раз обратите внимание на расположение нагрузки для n-канального транзистора — она расположена «сверху». Если расположить её между транзистором и землёй, из-за падения напряжения на нагрузке напряжение затвор — исток может оказаться меньше порогового, транзистор откроется не полностью и может перегреться и выйти из строя.

Драйвер полевого транзистора

Если всё же требуется подключать нагрузку к n-канальному транзистору между стоком и землёй, то решение есть. Можно использовать готовую микросхему — драйвер верхнего плеча. Верхнего — потому что транзистор сверху.

Выпускаются и драйверы сразу верхнего и нижнего плеч (например, IR2151) для построения двухтактной схемы, но для простого включения нагрузки это не требуется. Это нужно, если нагрузку нельзя оставлять «висеть в воздухе», а требуется обязательно подтягивать к земле.

Рассмотрим схему драйвера верхнего плеча на примере IR2117.


Схема не сильно сложная, а использование драйвера позволяет наиболее эффективно использовать транзистор.

IGBT

Ещё один интересный класс полупроводниковых приборов, которые можно использовать в качестве ключа — это биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT).

Они сочетают в себе преимущества как МОП-, так и биполярных транзисторов: управляются напряжением, имеют большие значения предельно допустимых напряжений и токов.

Управлять ключом на IGBT можно так же, как и ключом на MOSFET. Из-за того, что IGBT применяются больше в силовой электронике, они обычно используются вместе с драйверами.

Например, согласно даташиту, IR2117 можно использовать для управления IGBT.


Пример IGBT — IRG4BC30F.

Все предыдущие схемы отличало то, что нагрузка хоть и была мощной, но работала от постоянного тока. В схемах была чётко выраженные земля и линия питания (или две линии — для контроллера и нагрузки).

Для цепей переменного тока нужно использовать другие подходы. Самые распространённые — это использование тиристоров, симисторов и реле. Реле рассмотрим чуть позже, а пока поговорим о первых двух.

Тиристоры и симисторы

Тиристор — это полупроводниковый прибор, который может находится в двух состояниях:

  • открытом — пропускает ток, но только в одном направлении,
  • закрытом — не пропускает ток.

Так как тиристор пропускает ток только в одном направлении, для включения и выключения нагрузки он подходит не очень хорошо. Половину времени на каждый период переменного тока прибор простаивает. Тем не менее, тиристор можно использовать в диммере. Там он может применяться для управления мощностью, отсекая от волны питания кусочек требуемой мощности.

Симистор — это, фактически двунаправленный тиристор. А значит он позволяет пропускать не полуволны, а полную волну напряжения питания нагрузки.

Открыть симистор (или тиристор) можно двумя способами:

  • подать (хотя бы кратковременно) отпирающий ток на управляющий электрод;
  • подать достаточно высокое напряжение на его «рабочие» электроды.

Второй способ нам не подходит, так как напряжение питания у нас будет постоянной амплитуды.

После того, как симистор открылся, его можно закрыть поменяв полярность или снизив ток через него то величины, меньшей чем так называемый ток удержания. Но так как питание организовано переменным током, это автоматически произойдёт по окончании полупериода.

При выборе симистора важно учесть величину тока удержания ($I_H$). Если взять мощный симистор с большим током удержания, ток через нагрузку может оказаться слишком маленьким, и симистор просто не откроется.

Симисторный ключ

Для гальванической развязки цепей управления и питания лучше использовать оптопару или специальный симисторный драйвер. Например, MOC3023M или MOC3052.

Эти оптопары состоят из инфракрасного светодиода и фотосимистора. Этот фотосимистор можно использовать для управления мощным симисторным ключом.

В MOC3052 падение напряжения на светодиоде равно 3 В, а ток — 60 мА, поэтому при подключении к микроконтроллеру, возможно, придётся использовать дополнительный транзисторный ключ.

Встроенный симистор же рассчитан на напряжение до 600 В и ток до 1 А. Этого достаточно для управления мощными бытовыми приборами через второй силовой симистор.

Рассмотрим схему управления резистивной нагрузкой (например, лампой накаливания).


Таким образом, эта оптопара выступает в роли драйвера симистора.

Существуют и драйверы с детектором нуля — например, MOC3061. Они переключаются только в начале периода, что снижает помехи в электросети.

Резисторы R1 и R2 рассчитываются как обычно. Сопротивление же резистора R3 определяется исходя из пикового напряжения в сети питания и отпирающего тока силового симистора. Если взять слишком большое — симистор не откроется, слишком маленькое — ток будет течь напрасно. Резистор может потребоваться мощный.

Нелишним будет напомнить, что 220 В в электросети — это значение действующего напряжения. Пиковое напряжение равно $\sqrt2 \cdot 220 \approx 310\,В$.

Управление индуктивной нагрузкой

При управлении индуктивной нагрузкой, такой как электродвигатель, или при наличии помех в сети напряжение может стать достаточно большим, чтобы симистор самопроизвольно открылся. Для борьбы с этим явлением в схему необходимо добавить снаббер — это сглаживающий конденсатор и резистор параллельно симистору.


Снаббер не сильно улучшает ситуацию с выбросами, но с ним лучше, чем без него.

Керамический конденсатор дожен быть рассчитан на напряжение, большее пикового в сети питания. Ещё раз вспомним, что для 220 В — это 310 В. Лучше брать с запасом.

Типичные значения: $C_1 = 0{,}01\,мкФ$, $R_4 = 33\,Ом$.

Есть также модели симисторов, которым не требуется снаббер. Например, BTA06-600C.

Примеры симисторов

Примеры симисторов приведены в таблице ниже. Здесь $I_H$ — ток удержания, $\max\ I_{T(RMS)}$ — максимальный ток, $\max\ V_{DRM}$ — максимальное напряжение, $I_{GT}$ — отпирающий ток.

Модель $I_H$ $\max\ I_{T(RMS)}$ $\max\ V_{DRM}$ $I_{GT}$
BT134-600D 10 мА 4 А 600 В 5 мА
MAC97A8 10 мА 0,6 А 600 В 5 мА
Z0607 5 мА 0,8 А 600 В 5 мА
BTA06-600C 25 мА 6 А 600 В 50 мА

Электромагнитные реле

С точки зрения микроконтроллера, реле само является мощной нагрузкой, причём индуктивной. Поэтому для включения или выключения реле нужно использовать, например, транзисторный ключ. Схема подключения и также улучшение этой схемы было рассмотрено ранее.

Реле подкупают своей простотой и эффективностью. Например, реле HLS8-22F-5VDC — управляется напряжением 5 В и способно коммутировать нагрузку, подтребляющую ток до 15 А.

Твердотельные реле

Главное преимущество реле — простота использования — омрачается несколькими недостатками:

  • это механический прибор и контакты могу загрязниться или даже привариться друг к другу,
  • меньшая скорость переключения,
  • сравнительно большие токи для переключения,
  • контакты щёлкают.

Часть этих недостатков устранена в так называемых твердотельных реле . Это, фактически, полупроводниковые приборы с гальванической развязкой, содержащие внутри полноценную схему мощного ключа.

Таким образом, в арсенале у нас достаточно способов управления нагрузкой, чтобы решить практически любую задачу, которая может возникнуть перед радиолюбителем.

  • Ключ на плечо! – особенности применения высоковольтных драйверов производства IR
  • Все схемы нарисованы в KiCAD . В последнее время для своих проектов использую именно его, очень удобно, рекомендую. С его помощью можно не только чертить схемы, но и проектировать печатные платы.

    Здесь же я отдельно вынес такой важный практический вопрос, как подключение индуктивных датчиков с транзисторным выходом, которые в современном промышленном оборудовании — повсеместно. Кроме того, приведены реальные инструкции к датчикам и ссылки на примеры.

    Принцип активации (работы) датчиков при этом может быть любым — индуктивные (приближения), оптические (фотоэлектрические), и т.д.

    В первой части были описаны возможные варианты выходов датчиков. По подключению датчиков с контактами (релейный выход) проблем возникнуть не должно. А по транзисторным и с подключением к контроллеру не всё так просто.

    Ниже для примера даны схемы подключения датчиков с транзисторным выходом. Нагрузка — как правило, это вход контроллера.

    Датчика. Нагрузка (Load) постоянно подключена к «минусу» (0V), подача дискретной «1» (+V) коммутируется транзистором. НО или НЗ датчик — зависит от схемы управления (Main circuit)

    Датчика. Нагрузка (Load) постоянно подключена к «плюсу» (+V). Здесь активный уровень (дискретный «1») на выходе датчика — низкий (0V), при этом на нагрузку подается питание через открывшийся транзистор.

    Призываю всех не путаться, работа этих схем будет подробно расписана далее.

    На схемах ниже показано в принципе то же самое. Акцент уделён на отличия в схемах PNP и NPN выходов.


    На левом рисунке — датчик с выходным транзистором NPN . Коммутируется общий провод, который в данном случае — отрицательный провод источника питания.

    Справа — случай с транзистором PNP на выходе. Этот случай — наиболее частый, так как в современной электронике принято отрицательный провод источника питания делать общим, а входы контроллеров и других регистрирующих устройств активировать положительным потенциалом.

    Как проверить индуктивный датчик?

    Для этого нужно подать на него питание, то есть подключить его в схему. Затем — активировать (инициировать) его. При активации будет загораться индикатор. Но индикация не гарантирует правильной работы индуктивного датчика. Нужно подключить нагрузку, и измерить напряжение на ней, чтобы быть уверенным на 100%.

    Замена датчиков

    Как я уже писал, есть принципиально 4 вида датчиков с транзисторным выходом, которые подразделяются по внутреннему устройству и схеме включения:

    Все эти типы датчиков можно заменить друг на друга, т.е. они взаимозаменяемы.

    Это реализуется такими способами:

    • Переделка устройства инициации — механически меняется конструкция.
    • Изменение имеющейся схемы включения датчика.
    • Переключение типа выхода датчика (если имеются такие переключатели на корпусе датчика).
    • Перепрограммирование программы — изменение активного уровня данного входа, изменение алгоритма программы.

    Ниже приведён пример, как можно заменить датчик PNP на NPN, изменив схему подключения:


    PNP-NPN замена. Слева — исходная схема, справа — переделанная.

    Понять работу этих схем поможет осознание того факта, что транзистор — это ключевой элемент, который можно представить обычными контактами реле (примеры — ниже, в обозначениях).

    Итак, схема слева. Предположим, что тип датчика — НО. Тогда (независимо от типа транзистора на выходе), когда датчик не активен, его выходные «контакты» разомкнуты, и ток через них не протекает. Когда датчик активен, контакты замкнуты, со всеми вытекающими последствиями. Точнее, с протекающим током через эти контакты)). Протекающий ток создает падение напряжения на нагрузке.

    Внутренняя нагрузка показана пунктиром неспроста. Этот резистор существует, но его наличие не гарантирует стабильную работу датчика, датчик должен быть подключен к входу контроллера или другой нагрузке. Сопротивление этого входа и является основной нагрузкой.

    Если внутренней нагрузки в датчике нет, и коллектор «висит в воздухе», то это называют «схема с открытым коллектором». Эта схема работает ТОЛЬКО с подключенной нагрузкой.

    Может, это будет интересно:

    Так вот, в схеме с PNP выходом при активации напряжение (+V) через открытый транзистор поступает на вход контроллера, и он активизируется. Как того же добиться с выходом NPN?

    Бывают ситуации, когда нужного датчика нет под рукой, а станок должен работать «прям щас».

    Смотрим на изменения в схеме справа. Прежде всего, обеспечен режим работы выходного транзистора датчика. Для этого в схему добавлен дополнительный резистор, его сопротивление обычно порядка 5,1 — 10 кОм. Теперь, когда датчик не активен, через дополнительный резистор напряжение (+V) поступает на вход контроллера, и вход контроллера активизируется. Когда датчик активен — на входе контроллера дискретный «0», поскольку вход контроллера шунтируется открытым NPN транзистором, и почти весь ток дополнительного резистора проходит через этот транзистор.

    Да, не совсем то, что мы хотели. В данном случае происходит перефазировка работы датчика. Зато датчик работает в режиме, и контроллер получает информацию. В большинстве случаев этого достаточно. Например, в режиме подсчета импульсов — тахометр, или количество заготовок.

    Как добиться полного функционала? Способ 1 — механически сдвинуть либо переделать металлическую пластинку (активатор). Либо световой промежуток, если речь идёт об оптическом датчике. Способ 2 — перепрограммировать вход контроллера чтобы дискретный «0» был активным состоянием контроллера, а «1» — пассивным. Если под рукой есть ноутбук, то второй способ и быстрее, и проще.

    Условное обозначение датчика приближения

    На принципиальных схемах индуктивные датчики (датчики приближения) обозначают по разному. Но главное — присутствует квадрат, повёрнутый на 45° и две вертикальные линии в нём. Как на схемах, изображённых ниже.

    НО НЗ датчики. Принципиальные схемы.

    На верхней схеме — нормально открытый (НО) контакт (условно обозначен PNP транзистор). Вторая схема — нормально закрытый, и третья схема — оба контакта в одном корпусе.

    Цветовая маркировка выводов датчиков

    Существует стандартная система маркировки датчиков. Все производители в настоящее время придерживаются её.

    Однако, нелишне перед монтажом убедиться в правильности подключения, обратившись к руководству (инструкции) по подключению. Кроме того, как правило, цвета проводов указаны на самом датчике, если позволяет его размер.

    Вот эта маркировка.

    Синий (Blue) — Минус питания

    Коричневый (Brown) — Плюс

    Чёрный (Black) — Выход

    Белый (White) — второй выход, или вход управления, надо смотреть инструкцию.

    Система обозначений индуктивных датчиков

    Тип датчика обозначается цифро-буквенным кодом, в котором зашифрованы основные параметры датчика. Ниже приведена система маркировки популярных датчиков Autonics.


    Скачать инструкции и руководства на некоторые типы индуктивных датчиков:

    / Индуктивные датчики приближения. Подробное описание параметровэ, pdf, 135.28 kB, скачан:1183 раз./

    Реальные датчики

    Датчики купить проблематично, товар специфический, и в магазинах электрики такие не продают. Как вариант, их можно купить в Китае, на АлиЭкспрессе.

    Всем спасибо за внимание, жду вопросов по подключению датчиков в комментариях!

    Разница между IGBT и MOSFET | Сравните разницу между похожими терминами — Технология

    IGBT против MOSFET

    MOSFET (полевой транзистор с металлическим оксидом и полупроводником) и IGBT (биполярный транзистор с изолированным затвором) — это два типа транзисторов, и оба они относятся к категории управляемых затвором. Оба устройства имеют похожие структуры с разными типами полупроводниковых слоев.

    Полевой транзистор на основе оксида металла и полупроводника (МОП-транзистор)

    MOSFET — это тип полевого транзистора (FET), который состоит из трех выводов, известных как «Gate», «Source» и «Drain». Здесь ток стока регулируется напряжением затвора. Следовательно, полевые МОП-транзисторы являются устройствами, управляемыми напряжением.

    Полевые МОП-транзисторы доступны в четырех различных типах, таких как n-канальный или p-канальный, с режимом истощения или улучшения. Сток и исток сделаны из полупроводника n-типа для полевых МОП-транзисторов с n-каналом, а также для устройств с p-каналом. Затвор сделан из металла и отделен от истока и стока с помощью оксида металла. Эта изоляция вызывает низкое энергопотребление, и это преимущество MOSFET. Поэтому MOSFET используется в цифровой логике CMOS, где p- и n-канальные MOSFET используются в качестве строительных блоков для минимизации энергопотребления.

    Хотя концепция MOSFET была предложена очень рано (в 1925 г.), она была практически реализована в 1959 г. в Bell labs.

    Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT)

    IGBT — это полупроводниковое устройство с тремя выводами, известными как «эмиттер», «коллектор» и «затвор». Это тип транзистора, который может обрабатывать большую мощность и имеет более высокую скорость переключения, что делает его высокоэффективным. IGBT был представлен на рынке в 1980-х годах.

    IGBT имеет комбинированные функции как MOSFET, так и биполярного переходного транзистора (BJT). Он управляется затвором, как MOSFET, и имеет характеристики напряжения тока, как у BJT. Следовательно, он обладает преимуществами как способности выдерживать высокие токи, так и простоты управления. Модули IGBT (состоящие из нескольких устройств) могут выдерживать киловатты мощности.

    Разница между IGBT и MOSFET

    1. Хотя IGBT и MOSFET являются устройствами, управляемыми напряжением, IGBT имеет характеристики проводимости, подобные BJT.

    2. Клеммы IGBT известны как эмиттер, коллектор и затвор, тогда как MOSFET состоит из затвора, истока и стока.

    3. IGBT лучше обрабатывают мощность, чем MOSFET.

    4. IGBT имеет PN-переходы, а MOSFET не имеют их.

    5. IGBT имеет меньшее прямое падение напряжения по сравнению с MOSFET.

    6. MOSFET имеет долгую историю по сравнению с IGBT.

    преимущества и недостатки • Статьи • UB.UA

    Для людей, которые сталкиваются с электроникой, важно понимать в чем разница между полевым и биполярным транзистором. Для начала выясним в чем же разница?

    Полевой транзистор — это полупроводниковое устройство, в котором сила тока между истоком и стоком регулируется напряжением, приложенным к затвору. Так, в полевом транзисторе содержится три электрода — исток, сток и затвор. В биполярном транзисторе существует три электрода — эмиттер, база и коллектор. Один из этих электродов «руководит» током, образуется между двумя другими. Биполярный транзистор работает благодаря взаимодействию электрического поля между носителями заряда. Таким образом образуется как положительный, так и отрицательный заряд. От этого и название — биполярный.

    Полевые транзисторы имеют высокое выходное сопротивление, не приводит к большим затратам энергии. Также полевые транзисторы имеют высокое быстродействие. Это вызвано тем, что накопление и рассеяние неосновных носителей заряда в полевых транзисторах отсутствует. Из-за этого эффективность полевых транзисторов больше.

    Реакция на нагрев в транзисторах также разная: в полевых транзисторах с ростом температуры повышается и сопротивление канала, а в биполярный транзистор при работе нагревается, при этом его коэффициент сопротивления уменьшается. Для достижения высоких показателей коммутационных токов несколько полевых транзисторов подключают параллельно. Биполярные транзисторы параллельно подключить нельзя — произойдет необратимый тепловой пробой через малое сопротивление при нагревании транзистора. Благодаря этому, коэффициент полезного действия полевых транзисторов выше, чем в биполярных. Однако, стоит заметить, что полевые транзисторы эффективны при низких напряжениях и могут работать на более высоких частотах. Биполярные лучше использовать для высоких напряжений.

    В соответствии с характеристиками транзисторов меняется и сфера их применения. Конечно, благодаря значительным преимуществам полевые транзисторы используются чаще и имеют более широкую сферу применения. Полевые транзисторы применяют в цифровых и аналоговых микросхемах.

    Подводя итоги, можно сказать, что полевые транзисторы, благодаря своим характеристикам и высокому коэффициенту полезного действия вытесняют биполярные транзисторы. Однако, и биполярные транзисторы имеют сферу применения.

    Полевой транзистор и биполярный транзистор купить Вы можете на сайте нашего интернет-магазина для радиодеталей и электронных компонентов «Техноглобус». Заказы принимаем со всей Украины. Гарантируем быструю обработку заказов. Заказать товар можно воспользовавшись корзиной.

    Транзистор биполярный — Справочник химика 21


        Существуют три основных вида полевых транзисторов, различающихся способом управления проводимостью канала. В транзисторах с управляемым р- -переходом (рис. 1.5, а) на слаболегированной полупроводниковой монокристаллической подложке исток, канал и сток образованы областью проводимости -типа. В средней части этой области между истоком и стоком создается область с противоположным типом проводимости и высокой концентрацией примеси (р -область). Под образовавшимся / — -переходом находится канал -типа. Для функционирования транзистора к затвору относительно истока прикладывается управляющее напряжение (рис. 1.4, в), смещающее р — -переход в обратном направлении (при канале -типа СЛ сток-исток [/с, создающее ток через канал, должно обеспечивать обратное смещение всего р — -перехода ([/ > О для -канала). При этом обедненный носителями тока и выполняющий роль изоляционного слоя р» — -переход располагается в основном в области канала, поскольку толщина перехода с каждой стороны от границы раздела р — и -областей обратно пропорциональна концентрации в них примесей. В то же время толщина перехода, а значит, и проводимость канала, и ток через него зависят от величины С/,. Так происходит эффективное управление током стока с, протекающего через канал, с помощью малых изменений напряжения на затворе. Поскольку / — -переход остается закрытым, входное сопротивление между затвором и истоком полевого транзистора в отличие от биполярного, оказывается весьма большим (10 … 10 Ом). [c.30]

        Полевые транзисторы (как и биполярные) находят применение в различных аналоговых и цифровых схемах — как с дискретными элементами, так и в интегральных. В последних наиболее широко применяются МДП-транзисторы с индуцированным каналом. Высокое входное сопротивление таких транзисторов является ценным качеством при создании электронных средств для потенциометрических измерений. На основе МДП-транзисторов созданы рН-метрические, ионоселективные и биосенсоры, используемые в биологии и медицине, а также для контроля за содержанием загрязнителей в объектах окружающей среды. В таких сенсорах затвор транзистора выполняет роль индикаторного электрода. [c.34]

        Транзисторы биполярные. Система параметров. — Взамен [c.283]

        Кроме биполярных транзисторов существуют и находят применение полевые (униполярные) транзисторы (рис. 1.5, в). В таких транзисторах управляемый ток через канал между стоком (с) и истоком (и) создается носителями заряда только одного типа (электронами или дырками), а управление током осуществляется электрическим полем, создаваемым управляющим напряжением между затвором (з) и истоком (п — подложка). [c.30]


        Транзисторы биполярные мощные высоковольтные. Методы измерения скорости нарастания обратного напряжения Транзисторы биполярные генераторные. Устойчивость работы на рассогласованную нагрузку. Требования и методы испытаний [c.310]

        Базовый монокристаллический полупроводник (Ое, 81 или ОаАз) с определенным типом проводимости, в котором тем или иным способом (сплавлением, диффузией, ионным легированием и др.) образована область с другим типом проводимости, вместе с двумя внешними контактами образует полупроводниковый диод с вольт-амперной характеристикой типа (1.37). Соответственно кристалл с двумя /7-и-переходами и тремя внешними выводами (эмиттер, база, коллектор) образует биполярный транзистор. [c.28]

        На рис. 1.4, б показано семейство статических выходных характеристик биполярного -р-и-транзистора в схеме с общим эмиттером (рис. 1.4, а), представляющее собой зависимости тока /к коллектора от напряжения С/ на нем при отличающихся на одинаковую величину значениях входного (управляющего) тока базы /б. Верхняя кривая соответствует максимальному /б, а нижняя — нулевому значению. На семейство кривых наложена нагрузочная прямая, соответствующая зависимости = (Е — и )1Кн между выходным током к и напряжением 11 при заданных значениях сопротивления нагрузки и напряжения питания Е. Нагрузочная прямая представляет собой геометрическое место точек, определяющих и и, при изменениях управляющего (входного) сигнала нагруженного транзистора (Л 0). В средней части нагрузочной прямой на участке между точками В и С одинаковым изменениям управляющего тока Д/б соответствуют одинаковые, но несравненно большие изменения выходного тока Д/. Следовательно, закон изменения Д/к(0 на этом участке в увеличенном виде будет повторять закон изменения входного тока А/б(0- Происходящее одновременно с этим изменение выходного напряжения Д 7к(0 = при дос- [c.29]

        Таким образом, при включении биполярного транзистора по схеме с общим эмиттером в усилительном (линейном) режиме в пределах участка ВС происходит многократное усиление сигнала по току и напряжению с соответствующими коэффициентами уси- [c.29]

        Выходные характеристики полевых транзисторов разных видов имеют однотипный характер (рис. 1.4, г). Как и в биполярных транзисторах при включении нагрузки в цепь полевого транзистора (рис. 1.4, в) нагрузочная прямая, описываемая зависимостью /с = ( — и наложенная на семейство выходных характери- [c.33]

        Арсенид галлия. В настоящее время лидером среди полупроводниковых соединений по праву считается арсенид (мышьяковистый) галлия. Его универсальные по сравнению с германием и кремнием электрофизические свойства — большая ширина запрещенной зоны, малая эффективная масса и большая подвижность электронов и т. д.— определяют специфические области применения арсенида галлия. Он перспективен для изготовления туннельных и излучательных диодов, СВЧ-диодов и диодов Ганна, биполярных и полевых транзисторов, импульсных и переключающих приборов, варакторов и инжек-ционных лазеров и т. п. Интегральные схемы на основе арсенида галлия только начинают разрабатываться, но уже можно предположить, [c.137]

        При достаточно больших значениях входного (разностного) сигнала /д режим работы дифференциального каскада становится нелинейным. Нелинейную зависимость токов коллектора от [/д можно установить с учетом равенства (1.38) и известных для биполярных транзисторов соотношений  [c.36]

        Для обеспечения больших входных сопротивлений первый дифференциальный каскад часто вьшолняется по схеме с общим коллектором на биполярных транзисторах или же в нем используются полевые транзисторы. [c.37]

        РиС- 2. Схема отдельного биполярного р п—р -транзистора  [c.10]

        Эпитаксиальные пленки кремния перспективны в микроэлектронике их применяют при изготовлении герметизированных сопротивлений, тонкопленочных конденсаторов, биполярных и униполярных транзисторов, интегральных схем бытового и специального назначения. [c.212]

        Этот прибор работает на совершенно иной основе, чем биполярный транзистор, рассмотренный выше. Обсудим схему на рис. 27-6. Полоска кремния я-типа, называемая каналом, соединена с двух сторон с истоком 5 и стоком О. Канал находится между слоями р-материала (соединенными вместе), называемого затвором О. В некоторых моделях затвор полностью окружает канал. Существуют ПТ с каналами п- и р-типа. [c.557]

        Решение проблемы очистки ОаАз позволит улучшить параметры и их воспроизводимость для таких важных приборов, как диоды Ганна, лазеры, светодиоды, и эффективно использовать этот материал для создания детекторов заряженных частиц, биполярных и полевых транзисторов и солнечных батарей. Замена кремния в солнечных батареях на арсенид галлия позволила бы при условии получения максимально чистых пленок повысить к. н. д. преобразования солнечной энергии до 20—28% [7] (для лучших солнечных элементов из кремния к. п. д. — около 15%). В настоящее время для элементов из ОаАз к. п. д. не превышает 13—14% (нри комнатной температуре). [c.157]

        Наличие изолированного затвора обусловливает еще одно важное преимущество полевого триода по сравнению с обычными биполярными транзисторами — его большое входное сопротивление (порядка 10 ом). [c.167]


        В инфранизкочастотной технике принято оценивать шум по максимальному размаху шумовой дорожки на самописце. Этот параметр называют еще шумом от пика до пика (П — П). Обычно связь между и i/m(n-n) выражается соотношением С/ш(п-и)—(5-4-6) /ш-Необходимо отметить, что биполярные транзисторы, обладая большими токовыми шумами по сравнению с полевыми, одновременно имеют большие входные токи, меньшие входные сопротивления и меньшие уровни шумовых генераторов напряжения вт- Отсюда вытекает, что усилители с большими шумовыми токами дают меньший шумовой вклад в усиливаемый сигнал от низкоомных источников. На самом деле, шумовой источник тока (рис. 5.21) выделит напряжение на выходном сопротивлении ЭКП 5 МОм для биполярного транзистора в полосе 1 Гц, равное 6 пА-5 М0м=30 мкВ, а на 100 Ом всего лишь 0,6 нВ. Для полевых транзисторов в случае 5 МОм получим вклад шумового тока всего лишь 5 МОм-0,3 пА=1,5 мкВ. [c.232]

        В работе Ц50] показана возможность применения пленок двуокиси кремния, осаждаемых из растворов, для создания пленарных биполярных приборов, МОП-транзисторов и конденсаторов. Пленкообразующий раствор готовили смешением тетраэтоксисилана, воды и спирта при рН среды 3—4. На кремниевую пластину марки КЭФ-0,5 раствор наносили с помощью центрифуги со скоростью вращения около 1000 об/мин в течение 30—35 сек. Толщина слоя пленки могла изменяться в диапазоне 0,08—0,4 мкм регули- [c.449]

        ТКИ — биполярный транзистор с изолированным затвором  [c.142]

        Пример изготовления биполярного и-р-и-траизистора методами П. т. представлен на рисунке. На подложке из монокристаллич. 81 окислением получают маскирующий слой 8102. В этом слое с помощью фотолитографии формируют окна ддя введения акцепторной примеси (В), в результате чего образуется базовая область транзистора (р-51). Затем пластину снова окисляют и во вновь образованной пленке 8Ю2 повторной фотолитографией создают окна для формирования путем введения донорной примеси ( ) эмиттерной области и контакта к коллекторной области (п -8 ). В результате цикла окисление-фотолитография вскрываются контактные окна к областям эмиттера и коллектора. На подготовленную таким образом пластину наносят (напылением вакуумным, пиролизом летучих металлоорг. соед. и др. способами) слой металла (чаще всего А1), из к-рого посредством фотолитографии формируют контактные площадки для присоединения металлич. выводов к соответствующим областям транзистора. [c.556]

        Все сказанное о линейном (усилительном) и импульсном (ключевом) режимах работы биполярных транзисторов относится и к полевым транзисторам, за исключением того, что управление выходным током полевого транзистора осуществляется не входным током, а входным напряжением ввиду весьма большого входного сопротивления. Это обстоятельство (Сказывается весьма важным при последовательном включении транзисторных схем, когда выход предыдущей транзисторной цепи подключается к входу следующей. При использовании полевых транзисторов легко обеспечивается условие, при котором входное сопротивление следующего транзисторного каскада оказывается больше выходного сопротивления предыдущего каскада. Данное условие устраняет нежелательное обратное влияние последующего каскада на предыдущий. Заметим, что на высоких частотах входное сопротивление полевых транзисторов уменьшается из-за неравной нулю емкости Сз , проводимость которой шСзи растет с увеличением частоты. По этой причине на частотах в сотни МГц входные сопротивления полевого и биполярного транзисторов становятся соизмеримыми. [c.33]

        Особое место среди этих материалов занимает арсенид галлия GaAs, обладающий уникальными электрофизическими свойствами большой шириной запрещенной зоны, малой эффективной массой и большой под. вижностью электронов. Арсенид галлия перспективен для изготовления туннельных и излучательиых диодов, СВЧ-днодов и диодов Ганна, биполярных и нолевых транзисторов, импульсных и переключающих приборов и инжекционных лазеров и т. д. Предполагается, что интегральные схемы на основе арсенида галлня будут иметь преимущество в оптоэлектронике и СВЧ-технике. [c.282]

        Реле времени в пульте А80 (рис. 45,6) собрано на полевом транзисторе Т8 и транзисторе Т9. Полевой транзистор отличается от обычного (биполярного) очень высоким входным сопротивлением, что позволяет увеличить время задержки срабатывания при сравнительно малой емкости конденсатора С14. Реле Р1, включая компрессор, одновременно дает питание в схему реле времени. Через R23 отрицательный заряд накапливается на конденсаторе С14 и отпирает транзистор Т8. Положительный заряд через R25 и Т8 попадает на базу транзистора Т9 и отпирает его. Срабатывает выходное реле Р4. Контакт Р 2 обеспечивает самопитание катушке Р4, а контакт Р4 через R22 разряжает конденсатор. Стабилитрон Д21 стабилизирует питающее напряжение. Диод Д23 шунтирует катушку реле Р4, уменьшая иакрение контактов при их разрыве и защищая транзистор Т9 от больших положительных потенциалов в пусковых режимах. [c.90]

        Выпрямители Варакгоры Туннельные диоды Лавинопролетные диоды Биполярные транзисторы Полевые транзисторы Генераторы Ганна Акустические усилители Датчики Холла Источники света, светодиоды [c.155]

        Первоначальным импульсом к развитию процессов ХОГФ эпитаксиальных пленок кремния и германия послужила необходимость улучшения характеристик биполярных кремниевых и германиевых транзисторов. Впоследствии кремниевые эпитаксиальные структуры (монокристаллическая кремниевая подложка с одним или несколькими эпитаксиальными слоями, отличающимися типом проводимости и удельным сопротивлением (степенью легирования)) оказались незаменимыми дпя производства высококачественных микропроцессоров и устройств памяти по КМОП технологии. Эпитаксиальные структуры позволяют получать [28, 29]  [c.107]

        Значения ш.у и /ш,у зависят от типа усилительного элемента, стоящего в первом каскаде. Так, например, в области инфранизких частот 0,1—10 Гц биполярные транзисторы имеют спектральную плотность шумов ш.у—50 нВ-Гц- / и /ш,у 6-г-80 пА-Гц- / а полевые транзисторы с р-п переходом еш,у=150- -500 нВ-Гц->/ и /ш,у= = 0,3 пЛТц- / — Это означает, что генератор еш,у=50 нВ-Гц- / в полосе 2 Гц создает среднеквадратичное напряжение шума 50V 2 г= 70 Нв. [c.232]

        Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) — преобразователи мощностью до единиц мегаватт-ампер для электроприводов переменного тока, АБП, статических компенсаторов реактивной мощности и активных фильтров, ключевых источников питания. [c.137]

        По прогнозам в ближайшие годы IGBT полностью заменят традиционные биполярные транзисторы и GTO в преобразовательном оборудовании мощностью до единиц мегавольт-ампер. В области малых мощностей и низковольтных преобразователей будут доминировать MOSFET, а в области больших мощностей (выше 3 МВ-А) — GTO. [c.138]


    Анализ и расчет статических параметров транзистора в схеме с общим затвором

    1.Введение

    Данная курсовая работа посвящена рассмотрению статических параметров одного из самых распространенных и самых универсальных усилительных приборов – полевого транзистора (ПТ).

    Полевой транзистор в качестве элемента схемы представляет собой активный трехполюсник, поэтому включение его в схему можно осуществить шестью различными способами. Однако практический интерес представляют лишь те способы включения, которые позволяют получить усиление по мощности. Таких схем три:

    1)  схема с общим истоком и входом па затвор;

    2)  схема с общим стоком и входом на затвор;

    3)  схема с общим затвором и входом на исток.

     

    Входное и выходное сопротивления, а также функции прямой и обратной передач усилительного каскада на полевом транзисторе будут, зависеть от выбранной схемы включения. Поэтому одна из схем должна быть принята за типовую, тогда параметры двух остальных схем могут быть, рассчитаны из параметров типовой схемы с помощью соответствующих преобразований.

    Основными преимуществами полевого транзистора являются его большое входное сопротивление по постоянному току и высокая технологичность. Последнее обусловливает широкое применение полевых транзисторов при разработке цифровых интегральных схем.

    2.ОБЩИЕ СВЕДЕНИЯ О ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОАХ.

    Полевыми транзисторами называют такие транзисторы, в которых ток создается носителями заряда одной полярности и ток в канале управляется электрическим полем. В транзисторе с p-каналом ток проводят дырки, а в транзисторе с n-каналом – электроны.

    Полевой транзистор – полупроводниковый прибор, усилительные свойства которого обусловлены потоком основных носителей протекающим через проводящий канал, и управляемым электрическим полем.

    Полевой транзистор в отличие от биполярного иногда, называют униполярным, так как его работа основана на использовании только основных носителей заряда – либо электронов, либо дырок. Поэтому в полевых транзисторах, отсутствуют процессы, изменения (накопления и рассасывания) объемного заряда неосновных носителей, оказывающие заметное влияние на быстродействие биполярных транзисторов. Основным способом движения носителей заряда, образующих ток полевого транзистора, является их дрейф в электрическом поле. Проводящий слой, в котором создается рабочий ток полевого транзистора, называют каналом.

    Полевой транзистор – полупроводниковый усилительный прибор, которым управляет не ток (как биполярным транзистором), а напряжение (электрическое поле, отсюда и название – полевой), осуществляющее изменение площади поперечного сечения проводящего канала, в результате изменяется выходной ток транзистора. Управление же электрическим полем предполагает отсутствие статического входного тока, что позволяет уменьшить мощность, требуемую для управления транзистором.

    Токопроводящие каналы могут быть приповерхностными (транзисторы с изолированным затвором) и объемными (транзисторы с управляющим р-п-переходом). Приповерхностный канал представляет собой либо обогащенный слой, образующийся за счет донорных примесей в полупроводнике, либо инверсный слой, возникающий под действием внешнего поля. Такой полевой транзистор имеет классическую структуру металл-диэлектрик-полупроводник (МДП-структуру), в которой роль диэлектрика, как правило, играет оксид (например, двуокись кремния SiO2). Поэтому полевой транзистор с такой структурой часто называют МДП- или МОП-транзистором (металл-оксид-полупроводник).

    Металлический электрод, создающий эффект поля, называют затвором (З), два других электрода – истоком (И) и стоком (С). Исток и сток в принципе обратимы. Истоком служит тот из них, из которого при соответствующей полярности напряжения между истоком и стоком в канал поступают основные носители заряда, а стоком – тот, через который эти носители уходят из канала. В зависимости от того, какой из выводов является общим для входа и выхода, различают три схемы включения полевого транзистора:

    – с общим истоком (ОИ),

    – с общим затвором (ОЗ),

    – с общим стоком (ОС).

    Наибольшее распространение на практике нашла схема с ОИ.

    3.Принцип работы полевого транзистора с p-n-переходом.

    В полевом транзисторе с объемным каналом площадь поперечного сечения канала меняется за счет изменения площади обедненного слоя обратно включенного р-n-перехода. На (рис. 1) показан полевой транзистор с управляющим р-п-переходом, включенный по схеме с ОИ. При ее анализе все напряжения будем рассматривать с учетом их знаков.

    На p-n-переход (затвор – исток) подается обратное напряжение Uзи. При его уменьшении глубина d обедненного слоя (заштрихованная область на рис.1 – область объемного заряда) возрастает, а токопроводящее сечение b канала сужается. При этом увеличивается сопротивление канала, а следовательно, снижается выходной ток Iс транзистора. Поскольку напряжение Uзи прикладывается к p-n-переходу в обратном направлении, ток Iз ничтожно мал и практически не зависит от управляющего напряжения.

     

    Рис.1 Полевой транзистор с управляющим р-n-псреходом.

    Для полевых транзисторов входная характеристика (зависимость Iз от Uзи при фиксированном значении Uси) не имеет практического применения и при расчетах используют только передаточные и выходные ВАХ. На (рис.2) приведены выходные и передаточные характеристики полевого транзистора с управляющим p-n-переходом для схемы включения с ОИ. Эти характеристики, подобно характеристикам биполярного транзистора, имеют нелинейный характер, а, следовательно, полевой транзиcтoр, как и биполярный, является управляемым нелинейным элементом цепи. Однако при сравнении их выходных характеристик очевидны существенные различия.

     

                                              а)                                                       б)

     

    Рис.2 Статические вольт-амперные характеристики полевых транзисторов с управляющим р-п-переходом (схема ОИ):

    а – выходные,

    б – передаточные.:

    На начальном участке изменения выходного напряжения полевого транзистора крутизна его ВАХ с изменением входного сигнала не остается постоянной. Как видно из рис.2 а) с уменьшением Uзи крутизна ВАХ уменьшается, а следовательно, возрастает выходное сопротивление транзистора. Это указывает на зависимость выходного сопротивления полевого транзистора от управляющего напряжения на этом участке ВАХ.

    Изменение выходного тока Iс полевого транзистора при изменении Uси происходит до определенного значения выходного напряжения, равного напряжению насыщения Uси нас. (проекция на ось абсцисс точки пересечения штриховой кривой ОА с соответствующей ВАХ транзистора). Это напряжение равно

     

                                      

                                             ( 1 )

     

    где Uзи отс.- управляющее напряжение, при котором Ic = 0 (режим отсечки), а Uзи – управляющее напряжение, соответствующее рассматриваемой ВАХ транзистора.

    При дальнейшем возрастании выходного напряжения ток Iс остается неизменным вплоть до пробивного напряжения Uси проб.

    Физику происходящих при этом процессов в полевом транзисторе можно объяснить следующим образом.

    Как уже отмечалось, при входном напряжении Uзи = Uзи отс., соответствующем обратному напряжению на р-п-переходе (затвор – исток), при котором токопроводящий канал транзистора будет полностью перекрыт, выходной ток Iс транзистора будет равен нулю (см. рис. 2б). При Uзи > Uзи отс. в токопроводящем канале появляется проток шириной b и по нему от стока к истоку начинает протекать ток Iс, создающий на сопротивлении канала падение напряжения. Это напряжение, складываясь с напряжением Uзи, по мере приближения к стоку, приводит к увеличению напряжения на обратно смещенном р-n-переходе, т.е. к сужению канала при приближении к истоку, как это показано на (рис.1). Рост тока Ic приводит к увеличению падения напряжения на канале и к уменьшению его ширины, в результате уменьшается ток Iс, протекающий между стоком и истоком.

    Однако уменьшение тока стока приводит к уменьшению падения напряжения на канале и к уменьшению фактического (суммарного) напряжения на обратно смещенном p-n-переходе, что увеличивает ширину b канала, а следовательно, и ток Iс. В результате, в структуре полевого транзистора, приведенного на (рис.1), устанавливается динамическое равновесие и при Uси > Uси нас. ток стока поддерживается на уровне насыщения Iс нас.

    Как видно из рис. 2 а с уменьшением напряжения Uзи пробивное напряжение транзистора Uси проб. уменьшается. При этом всегда выполняется равенство

     

                        Uси. проб = Uси проб (при Uзи = 0) + Uзи                        ( 2 )

     

    Если Uзи = Uзи отс., транзистор заперт (режим отсечки) и Iс = 0. В случае открытого транзистора для любого значения выходного тока Iс будет соблюдаться равенство        

     

                         Uзи – Uси нас. = Uзи отс. = -Uзс нас.,                              ( 3 )

     

    где Uзи нас. – напряжение между стоком и затвором в режиме насыщения транзистора.

    Из сравнения приведенных на рис.2 ВАХ видно, что полярности управляющего и выходного напряжений полевого транзистора с управляющим р-n-переходом не совпадают.

    4.Основные параметры ПТ.

     

    Основными параметрами, характеризующими полевой транзистор как нелинейный элемент, являются:

    -коэффициент усиления по напряжению

     

                          

        при Ic=const                                    ( 4 )

     

    -крутизна (определяется по передаточной характеристике)

     

                          

        при Uси=const;                                     ( 5 )-дифференциальное выходное (внутреннее Ri) сопротивление

     

                            

        при Uзи=const;                          ( 6 )

     

    -дифференциальное сопротивление участка затвор – сток

     

                            

                                                                 ( 7 )

    Это сопротивление учитывает обратную связь между выходом и входом полевого транзистора.

    Входное сопротивление r вх полевого транзистора очень велико (несколько мегаом), поскольку значение тока затвора Iз очень мало.

    Значение параметра Ri определяют при работе транзистора в режиме насыщения как котангенс угла наклона выходной характеристики. Так как для полевых транзисторов режиму насыщения соответствует пологая часть выходной характеристики, то в рабочей области этот угол мал и, следовательно, внутреннее сопротивление оказывается достаточно большим (сотни килоом).

    Крутизна S передаточной характеристики отражает степень влияния входного напряжения на выходной ток, т. е. эффективность управляющего действия затвора, и составляет 1 … 5 мА/В. Первые три параметра связаны соотношением

     

                                           

                                                               ( 8 )

    5.Эквивалентные схемы полевых транзисторов.

     

    Рассмотрим наиболее распространенные схемы замещения полевых транзисторов. На (рис.3 а) приведена схема замещения ПТ с управляющим p-n-переходом, а, на (рис.3б) – с изолированным затвором. В этих схемах принято, что вывод подложки электрически соединен с истоком. Такое включение наиболее часто используется при разработке схем на ПТ.

    Следует отметить, что входное и выходное сопротивления ПТ носят явно выраженный емкостный характер. Активная составляющая входного тока для ПТ управляющим р-n-переходом обусловлена током обратно смещенного p-n-перехода и весьма мала.

     

     

                                        а)

     

     

                                         б)

    Рис.3 Эквивалентные схемы полевого транзистора с управляющим р-п-переходом (а) и изолированным затвором (б)

     

    6.Отличительные особенности полевого транзистора.

    Из принципа действия полевого транзистора вытекают две основные его особенности:

    -в установившемся режиме работы входной ток полевого транзистора стремится к пулю (т. е. rвх стремится к бесконечности),

    -инерционность полевого транзистора в отличие от биполярного обусловлена только процессами перезаряда его входной и выходной емкостей.

    Казалось бы, что отсутствие процессов изменения объемного заряда неосновных носителей дает преимущество полевому транзистору в быстродействии перед биполярным транзистором. Однако, следует отметить, что конструкция полевого транзистора предполагает получение больших значений его входных и выходных емкостей. Последнее с увеличением частоты входного сигнала приводит к фактическому падению коэффициента усиления каскада на полевом транзисторе. Действительно, по постоянному току коэффициент усиления полевых транзисторов стремится к бесконечности (входной ток стремится к нулю). При увеличении частоты входного сигнала входной ток полевого транзистора, определяемый его входной емкостью, растет, что эквивалентно снижению значения коэффициента усиления. Поэтому принято считать, что в общем случае по быстродействию, усилению и частотным свойствам полевой транзистор, как правило, не имеет преимуществ перед биполярным транзистором.

    Полевые транзисторы имеют преимущество перед биполярными транзисторами в большей температурной стабильности их характеристик. Это объясняется тем, что основная температурная нестабильность характеристик биполярного транзистора обусловлена сильной зависимостью количества неосновных носителей заряда в полупроводнике. Учитывая, что полевой транзистор работает с использованием только основных носителей зарядов, которые в меньшей степени подвержены температурному влиянию, в нем отсутствует положительная обратная связь по температуре, присущая биполярным транзисторам.

    Что такое полевой транзистор?

    Полевой транзистор (FET) — это электронный компонент, обычно используемый в интегральных схемах. Они представляют собой уникальный тип транзистора, который предлагает переменное выходное напряжение в зависимости от того, что было введено в них. Это в отличие от биполярных переходных транзисторов (BJT), которые предназначены для включения и выключения состояний в зависимости от тока. Наиболее распространенный тип используемого полевого транзистора, полевой транзистор металл-оксид-полупроводник (MOSFET) часто включается в конструкцию компьютерной памяти, поскольку он предлагает более высокую скорость при меньшем энергопотреблении, чем BJT.

    Транзисторы имеют множество различных функций и функций для схем, для которых они предназначены. Органические полевые транзисторы (OFET) построены на подложке из органического слоя, которая обычно является формой полимера. Эти транзисторы обладают гибкими и биоразлагаемыми качествами и используются при изготовлении таких вещей, как пластиковые дисплеи и листы солнечных элементов. Другой тип изменения полевого транзистора — это полевой транзистор с коммутацией (JFET), который действует в виде диода в цепи, проводя ток только в случае изменения напряжения.

    Полевые транзисторы с углеродными нанотрубками (CNTFET) представляют собой форму экспериментального полевого транзистора, который построен на одиночных углеродных нанотрубках вместо типичной кремниевой подложки. Это делает их примерно в 20 раз меньше, чем самые маленькие транзисторы, которые могут быть изготовлены с использованием обычной технологии тонких пленок. Их обещание состоит в том, чтобы предлагать гораздо более высокие скорости компьютерной обработки и больший объем памяти при меньших затратах. Они были успешно продемонстрированы с 1998 года, но такие проблемы, как разрушение нанотрубок в присутствии кислорода и долговременная надежность при температурах или напряжениях электрического поля, сделали их экспериментальными.

    Другие типы полевых транзисторов, обычно используемых в промышленности, включают в себя затворные транзисторы, такие как биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), который может выдерживать напряжения до 3000 вольт и действовать как быстрые переключатели. Они имеют разнообразные применения во многих современных приборах, электрических системах автомобилей и поездов, а также широко используются в усилителях звука. Полевые транзисторы с обедненным режимом являются еще одним примером изменения конструкции полевого транзистора и часто используются в качестве фотонных датчиков и схемных усилителей.

    Множество сложных потребностей в компьютерном и электронном оборудовании продолжают способствовать диверсификации конструкции как транзисторов, так и материалов, из которых они изготовлены. Полевой транзистор является основным компонентом практически во всех схемах. Принцип полевого транзистора был впервые запатентован в 1925 году, однако постоянно создаются новые концепции использования этой идеи.

    ДРУГИЕ ЯЗЫКИ

    Разница между BJT и FET в табличной форме

    BJT против FET

    BJT и FET являются электронными устройствами. Основное различие между BJT и FET заключается в том, что транзистор с биполярным переходом является биполярным устройством управления током, а FET (полевой транзистор) является однопереходным транзистором. Это устройство контроля напряжения.

    Разница между бджт и фэт

                               BJT                                                  
    1:BJT (биполярный переходной транзистор) — это биполярное устройство. 1:FET (полевой транзистор) представляет собой однопереходный транзистор.
    2: Его работа зависит как от основных, так и от неосновных носителей заряда. 2: Его работа зависит от основных носителей заряда, которыми могут быть дырки или электроны.
    3: Входной импеданс биполярного транзистора очень мал, т.е. (1 кОм -3 кОм) 3: Входной импеданс полевого транзистора очень большой.
    4: Это текущее устройство управления. 4: Это устройство, управляемое напряжением.
    5: Шумнее. 5:Меньше шума.
    6: Изменения частоты влияют на их производительность. 6:Высокочастотный отклик.
    7:Это устройство, зависящее от температуры. 7: Обладает лучшей термостойкостью.
    8: Это дешевле. 8:Это дороже, чем бджт.
    9: больше по размеру, чем FET. 9: меньше по размеру, чем BJT.
    10: Имеет напряжение смещения. 10: Напряжение смещения отсутствует.
    11:Увеличение усиления. 11:Усиление меньше.
    12: Имеет высокое выходное сопротивление из-за высокого коэффициента усиления. 12: Имеет низкий выходной импеданс из-за меньшего коэффициента усиления.
    13: Его коллектор и база более положительны, чем эмиттер. 13:Сток положительный, ворота отрицательные w.р. т. к источнику.
    14: Его база отрицательна по отношению к эмиттеру. 14:Его врата более негативны по отношению к источнику.
    15:Bjt состоит из трех частей (основа, излучатель и коллектор). 15:Фет состоит из трех частей (Слив, Источник и Врата).
    16: Имеет высокий коэффициент усиления по напряжению. 16: низкий коэффициент усиления по напряжению.
    17: Низкий коэффициент усиления по току. 17: Имеет высокий коэффициент усиления по току.
    18: Среднее время переключения. 18: Быстрое время переключения.
    19:Легко поддается смещению.  19: Его смещение затруднено.
    20: Предпочтительны для слаботочных приложений. 20: предпочтительнее для приложений с низким напряжением.
    21: Для поддержания требуется небольшой ток. 21:Для их работы требуется небольшое напряжение.
    22: потребляет больше энергии.
    23: Имеет отрицательный температурный коэффициент.
    22:Потребляет меньше энергии.
    23: Имеет положительный температурный коэффициент.

    Разница между BJT и FET

    Основное отличие

    — BJT против FET

    BJT (биполярные транзисторы) и FET (полевые транзисторы) — это два разных типа транзисторов .Транзисторы — это полупроводниковые устройства, которые можно использовать в качестве усилителей или переключателей в электронных схемах. Основное различие между BJT и FET заключается в том, что BJT является типом биполярного транзистора , в котором ток включает поток как основных, так и неосновных носителей. Напротив, FET представляет собой тип униполярного транзистора , в котором протекают только основные носители.

    Что такое BJT

    BJT состоит из двух переходов p-n .В зависимости от конструкции BJT подразделяются на типы npn и pnp . В биполярных транзисторах npn небольшой слаболегированный кусок полупроводника типа p- зажат между двумя сильнолегированными полупроводниками типа n-. И наоборот, pnp BJT формируется путем прокладывания полупроводника n-типа между полупроводниками p-типа . Давайте посмотрим, как работает npn BJT.

    Структура BJT показана ниже.Один из полупроводников типа n- называется эмиттерным (отмечен буквой E), а другой полупроводник типа n- называется коллектором (отмечен буквой C). Область типа p- называется базой (обозначена буквой B).

    Структура npn BJT

    Большое напряжение подключено в обратном смещении между базой и коллектором. Это вызывает образование большой обедненной области на переходе база-коллектор с сильным электрическим полем, которое препятствует протеканию дырок из базы в коллектор.Теперь, если эмиттер и база соединены в прямом смещении, электроны могут легко течь от эмиттера к базе. Оказавшись там, некоторые электроны рекомбинируют с дырками в базе, но, поскольку сильное электрическое поле на переходе база-коллектор 90 183 притягивает 90 184 электрона, большинство электронов в конечном итоге попадает в коллектор, создавая большой ток. Поскольку (большой) ток, протекающий через коллектор, можно контролировать (малым) током через эмиттер, BJT можно использовать в качестве усилителя.Кроме того, если разность потенциалов на переходе база-эмиттер недостаточно велика, электроны не смогут попасть в коллектор, и ток через коллектор не будет течь. По этой причине BJT также можно использовать в качестве переключателя.

    Соединения pnp работают по аналогичному принципу, но в этом случае основание выполнено из материала типа n-, а основными несущими являются отверстия.

    Что такое полевой транзистор

    Существует два основных типа полевых транзисторов: полевой транзистор с переходом (JFET) и полевой транзистор на основе оксида металла и полупроводника (MOSFET).У них схожие принципы работы, хотя есть и отличия. МОП-транзисторы сегодня используются чаще, чем JFETS. В этой статье объяснялось, как работает полевой МОП-транзистор, поэтому здесь мы сосредоточимся на работе JFET.

    Так же, как BJT выпускаются в типах npn и pnp , JFETS также выпускаются в типах каналов n- и p-. Чтобы объяснить, как работает JFET, мы рассмотрим канал p- JFET:

    .

    Схема p-канального полевого транзистора

    В этом случае «дыры» текут от терминала истока (обозначенного буквой S) к терминалу стока (обозначенного буквой D).Затвор подключен к источнику напряжения с обратным смещением, так что на затворе и в области канала, по которой текут заряды, образуется обедненный слой. При увеличении обратного напряжения на затворе обедненный слой растет. Если обратное напряжение становится достаточно большим, то обедненный слой может разрастись настолько, что может «отщипнуть» и остановить протекание тока от истока к стоку. Следовательно, изменяя напряжение на затворе, можно управлять током от истока к стоку.

    Разница между BJT и FET

    Биполярный против униполярного

    BJT — это биполярные устройства , в которых есть поток как основных, так и неосновных носителей.

    Полевые транзисторы — это однополярные устройства , в которых протекают только основные несущие.

    Управление

    BJT — это устройства с управлением по току.

    Полевые транзисторы являются устройствами, управляемыми напряжением.

    Использовать

    Полевые транзисторы используются чаще, чем BJT s в современной электронике.

    Транзисторные клеммы

    Клеммы BJT называются эмиттером, базой и коллектором

    Клеммы FET называются истоком, зерном и затвором .

    Полное сопротивление

    FET имеют более высокий входной импеданс по сравнению с BJT . Следовательно, полевые транзисторы дают больший коэффициент усиления.

     

    Изображение предоставлено:

    «Основная работа NPN BJT в активном режиме» от Inductiveload (собственный рисунок, выполненный в Inkscape) [общественное достояние], через Wikimedia Commons

    «Эта схема полевого транзистора с обратным затвором (JFET)…» от Rparle на en.wikipedia (перенесено из en.wikipedia в Commons пользователем: Wdwd с использованием CommonsHelper) [CC BY-SA 3.0], через Wikimedia Commons

    Junction Полевые транзисторы — Полевые транзисторы

    Полевые транзисторы

    Хотя он произвел революцию в разработке электронного оборудования, у биполярного (PNP/NPN) транзистора есть одна очень нежелательная характеристика. Низкий входной импеданс, связанный с переходом база-эмиттер, вызывает проблемы согласования импедансов межкаскадных усилителей.

    В течение многих лет ученые искали решение, которое сочетало бы в себе высокую входное сопротивление вакуумной лампы со многими другими преимуществами транзистор. Результатом этих исследований является полевой транзистор . ( ФЭТ ). В отличие от биполярного транзистора, в котором используется ток смещения между базой и эмиттером для контроля проводимости полевой транзистор использует напряжение для управлять электростатическим полем внутри транзистора.

    Элементы одного типа полевых транзисторов, переход полевой транзистор ( JFET ), сравниваются с биполярным транзистором на рисунке ниже.Как видно из рисунка, JFET представляет собой трехэлементное устройство, сравнимое с другой. Элемент «затвор» полевого транзистора JFET очень точно соответствует в работе к базе биполярного транзистора. Элементы «исток» и «сток» JFET соответствуют эмиттеру и коллектору биполярного транзистора.

    Сравнение символов JFET (N-канальный) и биполярного транзистора (NPN).


    Структура JFET

    Конструкция JFET показана на рисунке ниже.Твердый брусок, сделанный либо из материала N-типа, либо из материала P-типа, образует основной корпус устройства. По обеим сторонам этого стержня рассредоточены два отложения материала противоположного типа из брускового материала, из которого формируются «ворота». порция бруска между отложениями воротного материала меньшего сечения сечение, чем остальная часть стержня, и образует «канал», соединяющий источник и слив. На рисунке ниже показан брусок из материала N-типа и ворота. из материала П-типа. Поскольку материал в канале N-типа, устройство называется N-канальным JFET.В P-канальном JFET канал изготовлен из материала P-типа, а ворота из материала N-типа.

    Структура JFET

    .


    Символы JFET

    На рисунке ниже схематические символы для двух типов JFET сравниваются. с биполярными транзисторами NPN и PNP. Как биполярный транзистор типы, два типа JFET отличаются только конфигурацией напряжений смещения требуется и в направлении стрелки внутри символа. Так же, как это в символах биполярных транзисторов стрелка в символе JFET всегда указывает к материалу N-типа.Таким образом, символ N-канального JFET показывает стрелка указывает на канал сток/исток, тогда как P-канал символ показывает стрелку, указывающую от канала стока/истока к каналу ворота.

    Обозначения и напряжения смещения для биполярных транзисторов и JFET.


    JFET Смещение

    Ключом к работе полевого транзистора является эффективная площадь поперечного сечения канала, которым можно управлять, изменяя напряжение, подаваемое на затвор. Это продемонстрировано на следующих рисунках.

    На рисунке ниже показано, как JFET работает в условиях нулевого смещения затвора. На JFET подается пять вольт, так что электронный ток течет через бар от истока до стока, как указано стрелкой. Терминал ворот привязан к земле. Это условие нулевого смещения затвора. В этом состоянии типичный бар представляет собой сопротивление около 500 Ом. Миллиамперметр, подключен последовательно с выводом стока и питанием постоянного тока, указывает количество текущего потока. С питанием стока ( V DD ) 5 вольт, миллиамперметр дает ток стока ( I D ) чтение 10 миллиампер.Нижние буквы напряжения и тока ( V DD , I D ) используется для FET соответствует к элементам полевого транзистора так же, как и к элементам транзисторов.

    Работа JFET с нулевым смещением затвора.

    На рисунке ниже на затвор подается небольшое напряжение обратного смещения. JFET. Напряжение затвор-исток ( В ГГ ) минус 1 вольт нанесенный на материал затвора P-типа, вызывает соединение между Материал P- и N-типа становится обратно смещенным.Так же, как это было в варикап, условие обратного смещения приводит к тому, что «область обеднения» формируются вокруг PN-перехода JFET. Поскольку этот регион имеет уменьшенный число носителей тока, эффект обратного смещения заключается в уменьшении эффективная площадь поперечного сечения «канала». Это уменьшение площади увеличивает сопротивление исток-сток устройства и уменьшает ток.

    JFET с обратным смещением.

    Приложение достаточно большого отрицательного напряжения к затвору вызовет область обеднения становится настолько большой, что проводимость тока через бар вообще останавливается.Напряжение, необходимое для уменьшения тока стока ( I D ) к нулю называется напряжение отсечки (или пороговое напряжение) и сравнимо для отключения напряжения в вакуумной трубке. На рисунке выше отрицательный 1 вольт применяется, хотя и недостаточно велико, чтобы полностью остановить проводимость, имеет вызвало заметное снижение тока стока (с 10 миллиампер при условия нулевого смещения затвора до 5 миллиампер). Расчет показывает, что Смещение затвора на 1 вольт также увеличило сопротивление полевого транзистора. (от 500 Ом до 1 кОм).Другими словами, изменение напряжения затвора на 1 вольт удвоил сопротивление устройства и вдвое сократил ток.

    Эти измерения, однако, показывают только то, что JFET работает так, как похож на биполярный транзистор, хотя они сконструированы по-другому. Как указывалось ранее, основным преимуществом полевого транзистора является то, что его входное сопротивление значительно выше, чем у биполярного транзистор. Более высокий входной импеданс полевого транзистора с обратным затвором условия смещения можно увидеть, подключив микроамперметр последовательно с напряжение затвор-исток ( В ГГ ), как показано на рисунке ниже.

    Входной импеданс JFET

    .

    При В ГГ в 1 вольт микроамперметр показывает 0,5 микроампер. Применение закона Ома (1 В / 0,5 мкА) показывает, что это очень маленькое количество протекающего тока приводит к очень высокому входному импедансу (около 2 МОм). Напротив, биполярный транзистор в подобных обстоятельствах потребуется более высокий ток (например, от 0,1 до 1 мА), что приведет к значительному более низкое входное сопротивление (около 1000 Ом или меньше). Более высокое входное сопротивление JFET возможен из-за того, как напряжение затвора обратного смещения влияет на площадь поперечного сечения канала.

    В предыдущем примере работы JFET используется N-канальный JFET. Однако, P-канальный JFET работает на тех же принципах. Различия между два типа показаны на рисунке ниже.

    символы JFET и напряжения смещения.

    Поскольку материалы, используемые для изготовления бара и ворот, меняются местами, потенциалы напряжения источника также должны быть инвертированы. P-канальный JFET поэтому требуется, чтобы положительное напряжение затвора было смещено в обратном направлении, и электронный ток течет через него от стока к истоку.

    Кривые выходных характеристик JFET

    График (рисунок ниже) стокового (выходного) тока I D по отношению к напряжению сток-исток В DS , с усилением-исток напряжение В GS в качестве параметра показывает две области: омическая область , в которой JFET действует как резистор переменной сопротивление в зависимости от напряжения на затворе, и область насыщения в ток стока практически не зависит от напряжения сток-исток ( область постоянного тока ).Обратите внимание, что когда напряжение сток-исток становится слишком большим, происходит внезапное увеличение тока, что указывает на ионизационный пробой полупроводникового кристалла.

    Типовые выходные характеристики JFET (N-канальный).

    Рабочие характеристики JFET

    Тремя наиболее важными рабочими характеристиками устройства являются:

    1. Напряжение отсечки В P
    2. Ток стока I DSS в области отсечки (насыщения) при смещение нулевого затвора ( В GS = 0)
    3. крутизна г м

    Напряжение отсечки представляет собой значение напряжения смещения затвор-исток. (при нулевом или малом напряжении сток-исток), для которого область обеднения проникает (с обеих сторон) на всю толщину канала тем самым «пережимая» текущий поток (см. выше).С нулевым смещением затвор-исток напряжение ток протекания является максимальным.

    Несколько характеристик передачи ( I D V GS ) с использованием различных упрощающих приближений. Самый полезный может быть адаптировано из Richer and Middlebrook [1], который заявил, что ток стока в области отсечки (насыщения) равен

    Для многих устройств JFET n очень близко к 2.

    Полевые транзисторы JFET обеспечивают коэффициент усиления, измеряемый крутизной , г м .Крутизна в области отсечки (насыщения) определяется выражением

    Если n = 2, крутизна является линейной функцией входного напряжения. ( В ГС ).

    Усилитель JFET

    На рисунке ниже показана базовая схема усилителя с общим истоком, содержащая N-канальный JFET. Характеристики этой схемы включают высокий входной импеданс и высокий коэффициент усиления по напряжению. Функция компонентов схемы на этом рисунке очень похоже на биполярный переход транзистора Схема усилителя с общим эмиттером. С 1 и С 3 входные и выходные разделительные конденсаторы. Р 1 резистор возврата затвора. Это предотвращает нежелательное накопление заряда на затворе за счет обеспечение пути разгрузки для C 1 . Р 2 и C 2 обеспечивают собственное смещение источника для JFET, который работает как самосмещение эмиттера. R 3 резистор нагрузки стока, который действует как резистор нагрузки коллектора.

    JFET усилитель с общим истоком.

    Фазовый сдвиг на 180 градусов между входным и выходным сигналами одинаков. как у схем на транзисторах с общим эмиттером. Причину фазового сдвига легко увидеть, наблюдая работа N-канального полевого транзистора. При положительном чередовании входной сигнал, величина обратного смещения на материале затвора P-типа составляет уменьшается, что увеличивает эффективную площадь поперечного сечения канала и уменьшение сопротивления исток-сток.Когда сопротивление уменьшается, ток поток через JFET увеличивается. Это увеличение вызывает падение напряжения на R3 увеличивается, что, в свою очередь, приводит к уменьшению напряжения на стоке. При отрицательном чередовании цикла величина обратного смещения на затвор JFET увеличивается, и действие схемы меняется на противоположное. В результате получается выходной сигнал, усиленный на 180 градусов по фазе. вариант входного сигнала.

    Использованная литература:

    1. Ричер И.и Миддлбрук, Р. Д., «Степенной закон природы полевого эффекта». Экспериментальные характеристики транзистора», Proceedings, IEEE, Vol. 51, стр. 1145—1146, август 1963 г.

    Разница между BJT и FET транзисторами » H-educate

    Разница между BJT и FET транзисторами

    БДЖТ

    Расшифровывается как Bipolar Junction Transistors . Транзистор типа BJT использует как основные, так и неосновные носители заряда. Основная функция биполярного транзистора заключается в усилении тока.Биполярные транзисторы можно использовать в качестве переключателей и усилителей. Биполярный транзистор состоит из двух p-n переходов. Делятся на два типа PNP и NPN. Он имеет три вывода, такие как эмиттер, база и коллектор.

    ФЕТ

    FET расшифровывается как Полевой транзистор. Он также известен как Униполярный транзистор : его работа зависит от большинства носителей заряда, которые могут быть дырками или электронами. носители заряда этого транзистора перетекают от вывода истока к выводу стока через активный канал.Полевые транзисторы делятся на два типа, такие как JFET и MOSFET.

    Разница между BJT и FET транзисторами

    Коэффициент усиления
    Биполярные переходные транзисторы (BJT) Полевой транзистор (FET)
    Биполярные переходные транзисторы. FET расшифровывается как полевой транзистор.
    Он имеет три вывода, такие как база, эмиттер и коллектор. Он имеет три терминала, такие как Drain, Source и Gate.
    Колебания частоты влияют на их работу. Имеет высокочастотную характеристику.
    Больше по размеру по сравнению с FET. Меньше по размеру, чем BJT.
    Прирост BJT больше. FET меньше.
    Очень низкий входной импеданс. Большой входной импеданс .
    предпочтительны для слаботочных приложений. предпочтительнее для приложений с низким напряжением.
    Средний Время переключения. Быстрое время переключения.
    Потребляемая мощность выше, чем у полевых транзисторов. Потребляемая мощность ниже, чем у биполярных транзисторов.
    Похожие сообщения:-

    Произошла ошибка при настройке пользовательского файла cookie

    Этот сайт использует файлы cookie для повышения производительности. Если ваш браузер не принимает файлы cookie, вы не можете просматривать этот сайт.


    Настройка браузера на прием файлов cookie

    Существует множество причин, по которым файл cookie не может быть установлен правильно. Ниже приведены наиболее распространенные причины:

    • В вашем браузере отключены файлы cookie. Вам необходимо сбросить настройки браузера, чтобы принять файлы cookie, или спросить вас, хотите ли вы принимать файлы cookie.
    • Ваш браузер спрашивает, хотите ли вы принимать файлы cookie, и вы отказались. Чтобы принять файлы cookie с этого сайта, нажмите кнопку «Назад» и примите файл cookie.
    • Ваш браузер не поддерживает файлы cookie. Попробуйте другой браузер, если вы подозреваете это.
    • Дата на вашем компьютере в прошлом. Если часы вашего компьютера показывают дату до 1 января 1970 г., браузер автоматически забудет файл cookie. Чтобы это исправить, установите правильное время и дату на своем компьютере.
    • Вы установили приложение, которое отслеживает или блокирует установку файлов cookie. Вы должны отключить приложение при входе в систему или проконсультироваться с системным администратором.

    Почему этому сайту требуются файлы cookie?

    Этот сайт использует файлы cookie для повышения производительности, запоминая, что вы вошли в систему, когда переходите со страницы на страницу. Предоставить доступ без файлов cookie потребует от сайта создания нового сеанса для каждой посещаемой вами страницы, что замедляет работу системы до неприемлемого уровня.


    Что сохраняется в файле cookie?

    Этот сайт не хранит ничего, кроме автоматически сгенерированного идентификатора сеанса в файле cookie; никакая другая информация не фиксируется.

    Как правило, в файле cookie может храниться только та информация, которую вы предоставляете, или выбор, который вы делаете при посещении веб-сайта. Например, сайт не может определить ваше имя электронной почты, если вы не решите ввести его. Разрешение веб-сайту создавать файлы cookie не дает этому или любому другому сайту доступ к остальной части вашего компьютера, и только сайт, создавший файл cookie, может его прочитать.

    Полевой транзистор | Викитроника | Fandom

    Полевой транзистор (FET) представляет собой тип транзистора, который использует электрическое поле для управления формой и, следовательно, проводимостью «канала» в полупроводниковом материале.Концепция полевого транзистора предшествовала биполярному переходному транзистору (BJT), однако полевые транзисторы были реализованы после BJT из-за ограничений полупроводниковых материалов и относительной простоты изготовления BJT по сравнению с полевыми транзисторами в то время.

    Клеммы[]

    Все полевые транзисторы, кроме J-FET, имеют четыре контакта, которые известны как затвор , сток , исток и корпус/основание/объем . Сравните их с терминами, используемыми для BJT: база , коллектор и эмиттер .BJT и J-FET не имеют корпуса.

    Файл:Lateral mosfet.svg

    Поперечное сечение полевого МОП-транзистора n-типа

    Названия клемм относятся к их функциям. Терминал ворот можно рассматривать как управляющий открытием и закрытием физических ворот. Эти ворота пропускают электроны или блокируют их прохождение. Электроны текут от клеммы истока к клемме стока, если на них воздействует приложенное напряжение. Тело просто относится к объему полупроводника, в котором находятся затвор, исток и сток.Обычно клемма корпуса подключается к самому высокому или самому низкому напряжению в цепи, в зависимости от типа. Клемма корпуса и клемма истока иногда соединяются вместе, поскольку источник также иногда подключается к самому высокому или самому низкому напряжению в цепи, однако есть несколько применений полевых транзисторов, которые не имеют такой конфигурации, например передающие затворы и каскодные схемы. .

    Состав[]

    Полевой транзистор может быть изготовлен из нескольких полупроводников, наиболее распространенным из которых является кремний.Большинство полевых транзисторов изготавливаются с использованием традиционных методов объемной обработки полупроводников с использованием монокристаллической полупроводниковой пластины в качестве активной области или канала.

    Среди наиболее необычных материалов корпуса можно назвать аморфный кремний, поликристаллический кремний или другие аморфные полупроводники в тонкопленочных транзисторах или органические полевые транзисторы, которые основаны на органических полупроводниках и часто используют органические изоляторы затвора и электроды.

    Типы полевых транзисторов[]

    Файл:Сравнение полевых транзисторов.png

    Полевые транзисторы с истощением при типичных напряжениях. JFET, поликремниевый MOSFET, MOSFET с двойным затвором, MOSFET с металлическим затвором, MESFET. истощение, электроны, дырки, металл, изолятор. Верх = источник, низ = сток, лево = ворота, право = основная часть. Напряжения, приводящие к образованию канала, не показаны

    Template:Mergefrom Корпус полевого транзистора либо легирован для получения полупроводника N-типа, либо полупроводника P-типа. Сток и исток могут быть легированы противоположным типом по отношению к корпусу, в случае полевых транзисторов режима улучшения, или легированы того же типа по отношению к корпусу, что и в полевых транзисторах режима истощения.Полевые транзисторы также отличаются способом изоляции между корпусом и затвором. Типы полевых транзисторов:

    • В полевом транзисторе MOSFET (полевой транзистор металл-оксид-полупроводник) используется изолятор (обычно SiO 2 ) между затвором и корпусом.
    • JFET (полевой транзистор) использует p-n переход с обратным смещением для отделения затвора от корпуса.
    • MESFET (металл-полупроводниковый полевой транзистор) заменяет p-n переход JFET барьером Шоттки; используется в GaAs и других полупроводниковых материалах III-V.
    • Использование конструкции запрещенной зоны в тройном полупроводнике, таком как AlGaAs, дает HEMT (транзистор с высокой подвижностью электронов), также называемый HFET (гетероструктурный полевой транзистор). Полностью обедненный широкозонный материал образует изоляцию между затвором и корпусом.
    • В MODFET (полевом транзисторе с модуляционным легированием) используется структура с квантовыми ямами, сформированная путем постепенного легирования активной области.
    • IGBT (биполярный транзистор с изолированным затвором) — это устройство для управления мощностью.Он имеет структуру, аналогичную MOSFET, в сочетании с биполярным основным каналом проводимости. Они обычно используются в диапазоне рабочих напряжений сток-исток 200–3000 В. Мощные полевые МОП-транзисторы по-прежнему являются предпочтительными устройствами для напряжений сток-исток от 1 до 200 В.

    Работа полевых транзисторов[]

    Полевой транзистор управляет потоком электронов от истока к стоку, влияя на размер и форму «проводящего канала», создаваемого и находящегося под влиянием напряжения (или отсутствия напряжения), приложенного к клеммам затвора и истока.(Для простоты обсуждения предполагается, что тело и источник связаны). Этот проводящий канал представляет собой «поток», по которому электроны текут от истока к стоку.

    Рассмотрим n-канальное устройство «режим истощения» . Отрицательное напряжение затвор-исток вызывает расширение обедненной области по ширине и вторгается в канал с боков, сужая канал. Если область истощения расширяется, чтобы полностью закрыть канал, сопротивление канала от истока до стока становится большим, и полевой транзистор эффективно выключается, как переключатель.Точно так же положительное напряжение затвор-исток увеличивает размер канала и позволяет электронам легко течь.

    Теперь рассмотрим n-канальное устройство «расширенного режима» . Положительное напряжение между затвором и истоком необходимо для создания проводящего канала, поскольку в транзисторе его нет в природе. Положительное напряжение притягивает свободно плавающие электроны внутри тела к затвору, образуя проводящий канал. Но сначала к затвору должно быть притянуто достаточное количество электронов, чтобы противодействовать ионам легирующей примеси, добавленным к корпусу полевого транзистора; это формирует область, свободную от мобильных носителей, называемую областью истощения, и это явление упоминается как пороговое напряжение полевого транзистора.Дальнейшее увеличение напряжения затвор-исток привлечет к затвору еще больше электронов, которые смогут создать проводящий канал от истока к стоку; этот процесс называется инверсией .

    Для устройств, работающих как в режиме улучшения, так и в режиме истощения, при напряжениях сток-исток намного меньше, чем напряжения затвор-исток, изменение напряжения затвора изменит сопротивление канала. В этом режиме полевой транзистор работает как переменный резистор, и говорят, что полевой транзистор работает в линейном режиме .Этот режим не используется, когда требуется усиление.

    Увеличение напряжения сток-исток приводит к значительному асимметричному изменению формы канала из-за градиента потенциала напряжения от истока к стоку. Форма области инверсии становится «защемленной» вблизи стокового конца канала. При дальнейшем увеличении напряжения сток-исток точка отсечки канала начинает смещаться от стока к истоку. Говорят, что полевой транзистор находится в режиме насыщения .

    Несмотря на то, что проводящий канал, образованный напряжением затвор-исток, больше не соединяет исток со стоком в режиме насыщения, поток носителей не блокируется. Снова рассматривая n-канальное устройство, в корпусе p-типа существует обедненная область, окружающая проводящий канал и области стока и истока. Электроны, составляющие канал, могут свободно перемещаться из канала через обедненную область, если их притягивает к стоку напряжение сток-исток. Область обеднения свободна от носителей и имеет сопротивление, аналогичное кремнию.Любое увеличение напряжения сток-исток будет увеличивать расстояние от стока до точки отсечки, увеличивая сопротивление из-за области обеднения пропорционально приложенному напряжению сток-исток. Это пропорциональное изменение приводит к тому, что ток сток-исток остается относительно постоянным независимо от изменений напряжения сток-исток, что совершенно не похоже на работу в линейном режиме. Таким образом, в режиме насыщения полевой транзистор ведет себя как источник постоянного тока, а не как резистор, и его можно наиболее эффективно использовать в качестве усилителя напряжения.В этом случае напряжение затвор-исток определяет уровень постоянного тока через канал.

    Использование[]

    Наиболее часто используемым полевым транзистором является MOSFET. Технологический процесс КМОП (полупроводниковый металл-оксид с дополнительной симметрией) является основой для современных цифровых интегральных схем. В этом технологическом процессе используется схема, в которой p-канальный полевой МОП-транзистор и n-канальный полевой МОП-транзистор (обычно «режим улучшения») соединены последовательно, так что, когда один включен, другой выключен.

    Хрупкий изолирующий слой МОП-транзистора между затвором и каналом делает его уязвимым для электростатического повреждения при обращении. Обычно это не проблема после установки устройства.

    В полевых транзисторах электроны могут течь в любом направлении через канал при работе в линейном режиме, и соглашение об именах выводов стока и истока несколько произвольно, поскольку устройства обычно (но не всегда) построены симметрично от истока к стоку .Это делает полевые транзисторы подходящими для переключения аналоговых сигналов между трактами (мультиплексирование). С помощью этой концепции можно, например, построить твердотельный микшерный пульт.

    %PDF-1.3 % 3693 0 объект > эндообъект внешняя ссылка 3693 210 0000000016 00000 н 0000004575 00000 н 0000004826 00000 н 0000004968 00000 н 0000005026 00000 н 0000005164 00000 н 0000020500 00000 н 0000021042 00000 н 0000021112 00000 н 0000021201 00000 н 0000021365 00000 н 0000021472 00000 н 0000021530 00000 н 0000021624 00000 н 0000021725 00000 н 0000021783 00000 н 0000021910 00000 н 0000021968 00000 н 0000022075 00000 н 0000022133 00000 н 0000022248 00000 н 0000022306 00000 н 0000022415 00000 н 0000022473 00000 н 0000022583 00000 н 0000022641 00000 н 0000022778 00000 н 0000022836 00000 н 0000023010 00000 н 0000023068 00000 н 0000023197 00000 н 0000023254 00000 н 0000023385 00000 н 0000023443 00000 н 0000023501 00000 н 0000023566 00000 н 0000023681 00000 н 0000023746 00000 н 0000023884 00000 н 0000023983 00000 н 0000024085 00000 н 0000024211 00000 н 0000024326 00000 н 0000024391 00000 н 0000024447 00000 н 0000024512 00000 н 0000024632 00000 н 0000024702 00000 н 0000024805 00000 н 0000024870 00000 н 0000024927 00000 н 0000024984 00000 н 0000025040 00000 н 0000025110 00000 н 0000025170 00000 н 0000025230 00000 н 0000025287 00000 н 0000025365 00000 н 0000025511 00000 н 0000025731 00000 н 0000025996 00000 н 0000027001 00000 н 0000027024 00000 н 0000028245 00000 н 0000028462 00000 н 0000041670 00000 н 0000041808 00000 н 0000042091 00000 н 0000042356 00000 н 0000042638 00000 н 0000042903 00000 н 0000044017 00000 н 0000044040 00000 н 0000045261 00000 н 0000045478 00000 н 0000058686 00000 н 0000059795 00000 н 0000059818 00000 н 0000061039 00000 н 0000061256 00000 н 0000074464 00000 н 0000075551 00000 н 0000075574 00000 н 0000076795 00000 н 0000077012 00000 н 00000 00000 н 00000 00000 н 00000 00000 н 0000091048 00000 н 0000091312 00000 н 0000092414 00000 н 0000092437 00000 н 0000093658 00000 н 0000093875 00000 н 0000107083 00000 н 0000108184 00000 н 0000108207 00000 н 0000109428 00000 н 0000109645 00000 н 0000122853 00000 н 0000123939 00000 н 0000123962 00000 н 0000125183 00000 н 0000125400 00000 н 0000138608 00000 н 0000138890 00000 н 0000139152 00000 н 0000139431 00000 н 0000139693 00000 н 0000140667 00000 н 0000140690 00000 н 0000141879 00000 н 0000142095 00000 н 0000172018 00000 н 0000172992 00000 н 0000173015 00000 н 0000174204 00000 н 0000174420 00000 н 0000204343 00000 н 0000205297 00000 н 0000205320 00000 н 0000206509 00000 н 0000206725 00000 н 0000236648 00000 н 0000236930 00000 н 0000237192 00000 н 0000237471 00000 н 0000237733 00000 н 0000238704 00000 н 0000238727 00000 н 0000239916 00000 н 0000240132 00000 н 0000270055 00000 н 0000271025 00000 н 0000271048 00000 н 0000272237 00000 н 0000272453 00000 н 0000302376 00000 н 0000303328 00000 н 0000303351 00000 н 0000304540 00000 н 0000304756 00000 н 0000334679 00000 н 0000335238 00000 н 0000335717 00000 н 0000351647 00000 н 0000351991 00000 н 0000352363 00000 н 0000352838 00000 н 0000353241 00000 н 0000356527 00000 н 0000356935 00000 н 0000357230 00000 н 0000361806 00000 н 0000362306 00000 н 0000362731 00000 н 0000373566 00000 н 0000373900 00000 н 0000374348 00000 н 0000374371 00000 н 0000375182 00000 н 0000375205 00000 н 0000375920 00000 н 0000375943 00000 н 0000376643 00000 н 0000376666 00000 н 0000377325 00000 н 0000377348 00000 н 0000378035 00000 н 0000378058 00000 н 0000378801 00000 н 0000379365 00000 н 0000395295 00000 н 0000395774 00000 н 0000396199 00000 н 0000396674 00000 н 0000407509 00000 н 0000407955 00000 н 0000408299 00000 н 0000408709 00000 н 0000409004 00000 н 0000412290 00000 н 0000412787 00000 н 0000413190 00000 н 0000417766 00000 н 0000418138 00000 н 0000418472 00000 н 0000418495 00000 н 0000419236 00000 н 0000419259 00000 н 0000419538 00000 н 0000419589 00000 н 0000419647 00000 н 0000419696 00000 н 0000419747 00000 н 0000419805 00000 н 0000419914 00000 н 0000419965 00000 н 0000420120 00000 н 0000420572 00000 н 0000420684 00000 н 0000420839 00000 н 0000421291 00000 н 0000421403 00000 н 0000421558 00000 н 0000421623 00000 н 0000421679 00000 н 0000421746 00000 н 0000005207 00000 н 0000020475 00000 н трейлер ] >> startxref 0 %%EOF 3694 0 объект > эндообъект 3695 0 объект [\n%ׅ6Ģ{q0Z!/) / U ({ӭ8fLP Πh^E~l) /П-64 /В 1 >> эндообъект 3696 0 объект > эндообъект 3697 0 объект р ^) >> эндообъект 3698 0 объект > эндообъект 3901 0 объект > поток +\-Х; s’̖[email protected]$ ׎(|Q,lAA6ovAi72ы˜=&Y\TB/^O2}h2\[email protected]+KpNi\ =’bN0!l!mo̍fh*)D!rcbpsVJjUG LYT#38 «-57҉.

    Добавить комментарий

    Ваш адрес email не будет опубликован.