Цоколевка транзисторов: Цоколевка биполярных транзисторов 49-64 — РадиоСхема

Содержание

Определение цоколевки и типа транзистора

Иногда возникает необходимость определить тип транзистора (p-n-p или n-p-n), выводы эмиттера, коллектора и базы (при стертой маркировке, для импортных транзисторов и т.д). Это можно сделать с помощью омметра.

В качестве испытуемого возмем транзистор КТ 3107 рис. 1.

 

Рис.1

Сначала определяем вывод базы по прямым и обратным сопротивлениям переходов эмиттера и коллектора. Поскольку вывод базы как правило расположен либо посередине, либо справа, то начнем с этих выводов. Подсоеденим красный и черный щуп таким образом рис. 2.

 

Рис. 2

Индикатор показывает  бесконечно большое сопротивление т.е «1» рис. 3.

 

Рис. 3

Перепробовав всевозможные комбинации получили что база у нас посередине т.к на индикаторе 725 Ом рис. 4-5.

 

Рис.

4

 

Рис. 5

Поскольку к выводу базы подсоеденен черный щуп, то тип транзистора p-n-p. Теперь подсоеденим щупы вот так: рис. 6.

 

Рис. 6

Индикатор показывает сопротивление 728 Ом рис. 7.

 

Рис. 7

Так как у перехода эмиттера прямое сопротивление больше чем у перехода коллектора (728 > 725 в нашем случае) то вывод коллектора слева, а эммитера справа. Для достоверности проверим его на спец. разъеме для определения коэффициента передачи. Индикатор показавает 94 рис. 8  значит выводы мы определили правильно рис. 9.

 

Рис. 8

 

Рис. 9

Схематически это можно изобразить вот так: рис. 10 .

 

Рис. 10

Данная статья является собственностью сайта «Схематехник». Перепечатка запрещена!

©Савицкий А. 2007 г.

 

SMD ТРАНЗИСТОРЫ

   Привет друзья и читатели сайта «РАДИОСХЕМЫ», продолжаем вместе с вами знакомиться с современными SMD радиодеталями. Сегодняшний обзор — обзор SMD транзисторов, которые вы наверно уже видели в современных различных электронных устройствах.

   Транзисторы в SMD корпусе, очень удобны, особенно где каждый миллиметр платы важен. Представьте, как бы изменился мобильный телефон (плата которого полностью из SMD деталей), если бы там использовали обычные выводные DIP детали.

   Выше фото SMD транзистора на фоне обычного, в TO 92.

   Это фото различных СМД транзисторов, справа — обычный в TO92. Как правило, цоколёвка всех таких транзисторов одинакова — это тоже огромный плюс.

   Название различных корпусов, DIP и SMD. Фото можно увеличить.

   Как сделаны планарные транзисторы, вы можете увидеть ниже.

   У планарных, как и у обычных транзисторов, есть множество видов, составные (Дарлингтон), полевые, биполярные и IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором).

   Обратите внимание, на платах и схемах транзисторы маркируются «Q» и «VT» (так должно быть, хотя некоторые производители брезгуют этим), зачем я это пишу? Часто в один и тот-же корпус, изготовитель может впихнуть всё, что ему хочется — от диода и до линейного стабилизатора напряжения (78хх), даже различных датчиков. Ещё существует внутренняя маркеровка завода, к примеру детали фирмы Epcos. На такие детали очень трудно найти даташит, а иногда его вовсе нет в интернете.

Пайка

   Паять такие транзисторы не трудно, особенно ускоряет и делает более легким, процесс пайки различных SMD деталек — микроскоп, пинцет (просто незаменимые вещи) различные флюсы и паяльные жиры с BGA-пастой. Сначала лудим контактные площадки нашего транзистора и платы (не перегрейте). 

   Затем позиционируем наш транзистор, я делаю это пинцетом.

   Припаиваем любую из ножек. Отпускаем пинцет, и позиционируем нашу детальку как можно ровнее, для отличного вида, так сказать 🙂

   Припаиваем оставшиеся «ножки» радиоэлемента.

   И вот наш транзистор крепко и хорошо припаян к плате. В следующих статьях, буду писать об этом всём подробнее (флюсы, пинцеты, пайка и т.д). А по поводу обозначений и цоколёвок разных типов транзисторов — на форуме есть несколько очень полезных ссылок. Статью написал BIOS.

   Форум по планарным деталям

   Форум по обсуждению материала SMD ТРАНЗИСТОРЫ



SMD ПРЕДОХРАНИТЕЛИ

Приводятся основные сведения о планарных предохранителях, включая их технические характеристики и применение.


ПРОВОДНИКИ И ИЗОЛЯТОРЫ

Что такое изолятор и чем он отличается от токопроводящего материала. Занимательная теория радиоэлектроники.


ПРОСТЕЙШИЙ ГАУСС ГАН

Обзор электромагнитного пистолета из китайского набора для самостоятельной сборки.



Определение цоколевки транзистора | ldsound.ru

Если обозначение транзистора, нанесенное на его корпусе, стерлось или нет под рукой справочника по полупроводниковым приборам, то цоколевку транзистора и структуру его проводимости можно определить с помощью тестера.

         Сначала находят базовый вывод транзистора. Для этого плюсовой щуп тестера (в режиме измерения малых сопротивлений) подключают к одному из выводов транзистора, а минусовый – поочередно к двум остальным. Если тестер в обоих случаях показывает высокое сопротивление или в одном случае низкое, а в другом высокое, то его плюсовой щуп нужно подключить к другому выводу и снова измерить сопротивление между ним и остальными двумя выводами, пока не удастся найти вывод, имеющий малое сопротивление относительно двух других выводов.

Найденый таким образом вывод является базовым, а транзистор имеет структуру n-p-n.

         Если приведенным выше способом найти базовый вывод не удается, значит, транзистор имеет структуру p-n-p. Необходимо изменить полярность подключения тестера, т.е. к одному из выводов подключить минусовый щуп тестера и затем найти базовый вывод.

Определение базового вывода у большинства широкого распространенных низкочастотных транзисторов упрощается, если помнить, что они выполнены с выводом базы на корпус.

С помощью тестера можно определить и выводы эмиттера и коллектора маломощных транзисторов. Для этого между предполагаемым выводом коллектора и базовым выводом подключают резистор сопротивлением 1 кОм. Затем плюсовой щуп тестера подключают к предполагаемому выводу коллектора, а минусовой – к предполагаемому выводу эмиттера n-p-n транзистора и определяют сопротивление по прибору. После этого предполагают ионное расположение выводов коллектора и эмиттера и снова измеряют сопротивление. Плюсовой щуп тестера будет соединен с коллектором, когда сопротивление между выводами окажется меньшим.

У транзисторов со структурой p-n-p коллекторный и эмиттерный выводы можно определить таким же способом, но сопротивление между эмиттером и коллектором окажется меньшим, когда с коллектором будет соединен минусовый щуп тестера.

При этом нужно помнить, что у всех мощных транзисторов, предназначенных для крепления на радиаторах, коллектор выведен на корпус. У всех высокочастотных транзисторов, кроме экранированных и коаксиальной конструкции, вывод коллектора тоже соединен с корпусом.

КТ503 транзистор: характеристики, цоколевка, аналоги, параметры

Транзистор КТ503 – кремниевый эпитаксиально-планарный низкочастотный, маломощный биполярный транзистор n-p-n структуры. Применяется в усилителях низкой частоты и генераторных схемах. Выпускается в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.

Цоколевка транзистора КТ503

Цветовая маркировка транзисторов кт503

Маркируют этот транзистор одним из двух способов:
1. Кодовая маркировка (в виде белого круга на передней части корпуса слева). Группу(букву) указывают справа.
2. Цветовая маркировка (в виде белой точки на передней части корпуса). Группу(букву) указывают точкой определенного цвета на верхней части транзистора:

А – темно-красная
Б – жёлтая
В – темно-зелёная
Г – голубая
Д – синяя
Е – белая

Характеристики транзистора КТ503

Транзистор Uкбо(и),В Uкэо(и), В Iкmax(и), мА Pкmax(т), мВт h31э fгр., МГц
КТ503А 40 25 150(350) 350 40-120 5
КТ503Б 40 25 150(350) 350 80-240 5
КТ503В 60 40 150(350) 350 40-120 5
КТ503Г 60 40 150(350) 350 80-240 5
КТ503Д 80 60 150(350) 350 40-120 5
КТ503Е 100 80 150(350) 350 40-120 5

Uкбо(и) — Максимально допустимое напряжение (импульсное) коллектор-база
Uкэо(и) — Максимально допустимое напряжение (импульсное) коллектор-эмиттер
Iкmax(и) — Максимально допустимый постоянный (импульсный) ток коллектора
Pкmax(т) — Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода (с теплоотводом)
h31э — Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером
fгр — граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером

Аналоги транзистора КТ503

КТ503А: MPS2711
КТ503Б: MPS2712, KSD227O, KSD227Y
КТ503Г: KSC853O, KSC853Y, KSC853R
КТ503Е: BSS38

Транзистор ГТ701А, основные характеристики и цоколевка


Рис. 1. Внешний вид и цоколевка транзистора ГТ701А.

ГТ701А — Транзистор германиевый сплавной структуры p-n-p универсальный.
Область применения: для применения в системах зажигания и преобразователях напряжения. Допускается применять в условиях импульсных перегрузок по напряжению и мощности.
Выпускается в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и гибкими выводами.

Технические характеристики биполярного транзистора ГТ701А

Параметр Обозначение Еди-
ница
Тип транзистора
ГТ701А
Обратный ток коллектора при UКБ, В*1 IКБО мА 6/60
Обратный ток эмиттера при UЭБ, В*1 IЭБО мА
Режим измерения h-параметров
напряжение коллектора
UК В 2
ток коллектора IК мА 5
Коэффициент передачи тока h21э ≥10
Граничная частота коэффициента передачи fгр кГц 50
Максимально допустимые параметры
постоянное напряжение коллектор-база
UКБ max В
постоянное напряжение коллектор-эмиттер UKЭ max В 55
постоянное напряжение эмиттер-база UЭБ max В 15
постоянный ток коллектора
IK max А 12
постоянный ток базы IБ max А
рассеиваемая мощность без теплоотвода Рmax Вт
рассеиваемая мощность с теплоотвода РТmax Вт 50
Максимальная температура окружающей среды Tmin °С +70
Минимальная температура окружающей среды Tmin °С -55
Общее тепловое сопротивление транзистора RТ п. с °С/мВт
внутреннее тепловое сопротивление RТ п.к °С/мВт 1,2
Тип перехода, материал
p-n-p германий
Основное назначение
Для устройств зажигания двигателей

Зарубежный аналог: 2N2137A; 2N2138A; 2N2142A; 2N2143A; 2N5887; 2N5888; 2N5889; 2N5890; 2N5891; 2NU74; ASZ15; ASZ18
См. Советские транзисторы и их зарубежные аналоги

Каталог отечественных транзисторов и микросхем

Транзистор КТ3107: параметры, аналог, цоколевка, datasheet

Транзистор КТ3107 – кремниевый биполярный транзистор, эпитаксиально-планарный, имеющий структуру p-n-p. Этот транзистор используется в основном в схемах усилителей низкой частоты (УНЧ), в генераторах НЧ и ВЧ, в устройствах переключения. Транзистор КТ3107 выпускается в пластмассовом корпусе и имеет гибкие выводы. Масса транзистора менее 0,4 грамма.

Параметры транзистора КТ3107

  • h31э — статический коэффициент передачи тока транзистора КТ3107 в схеме с ОЭ (общий эмиттер)
  • Iкmax — max разрешенный ток коллектора
  • Iкmax(и) — max разрешенный ток (импульсный) коллектора
  • Uкэо — max разрешенное напряжение коллектор-эмиттер
  • Pк max — max разрешенная стабильная рассеиваемая мощность коллектора без радиатора
  • Fгр — граничная частота h31э в схеме с общим эмиттером 

Габаритные и установочные размеры транзистора КТ3107

Производить пайку контактов транзистора следует не ближе 5 мм от корпуса. Температура припоя должна быть не более 250 гр.С при погружении выводов в припой на период менее 3 сек.

Цоколевка КТ3107 транзистора

Ниже приведена цоколевка транзистора КТ3107 в корпусе ТО-92

Маркировка транзистора КТ3107

 

Согласно цветовой маркировки транзистора КТ3107:

Верхняя слева точка означает тип транзистора ( голубая – КТ3107)

Верхняя справа точка указывает на группу (букву) транзистора:

  • А = розовая
  • Б = желтая
  • В = синяя
  • Г = бежевая
  • Д = оранжевая
  • Е = электрик
  • Ж = салатовая
  • И = зеленая
  • К = красная
  • Л = серая

Подробно о цветовой маркировке транзисторов можно прочитать здесь.

Аналоги транзистора КТ3107

Транзистор КТ3107 можно заменить на отечественный аналог: КТ361, либо на его зарубежный аналог: BC307, ВC308, BC309

Скачать datasheet КТ3107 (82,3 KiB, скачано: 4 211)

Цоколёвки полевых транзисторов.

У полевых транзисторов, выполненных по технологии МОП (металл-оксид-полупроводник) или МДП (металл-диэлектрик-полупроводник) или MOSFET (Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor) расположение выводов (цоколевка) Затвор (Gate) – Сток (Drain) – Исток (Source) может быть различным. Чаще всего выводы транзистора можно определить по маркировке на плате ремонтируемого аппарата (обычно выводы маркируются латинскими буквами G, D, S). Если такой маркировки нет, то желательно воспользоваться справочными данными (datasheet), которые можно найти в инете (например на сайте alldatasheet.com).

Рассмотрим основные типы корпусов и цоколевку полевых транзисторов импортного производства:

1) Корпус типа D²PAK, так же известен как TO-263-3 (встречается в основном на «пожилых» платах, на современных используется редко).

 

2)Корпус типа DPAK, так же известен как TO-252-3(используется наиболее часто, представляет собой уменьшенный D²PAK).

 

3)Корпус типа SO-8 (встречается на материнских платах ПК и видеокартах, внутри может скрываться один или два полевых транзистора).

 

4)Корпус типа SuperSO-8, он же — TDSON-8 (отличается от SO-8 тем, что 4 вывода соединены с подложкой транзистора, что облегчает температурный режим, корпус характерен для продуктов фирмы Infineon и легко заменяется на аналог в корпусе SO-8).

 

5)Корпус типа IPAK так же известен как TO-251-3 (полный аналог DPAK, но с полноценной второй ногой, этот тип транзисторов очень часто использует фирма Intel на ряде своих плат).

 

Для электронных компонентов иностранного производства справочные данные берутся из Datasheet — официального документа от производителя электронных компонентов, в котором приводятся описание, параметры, характеристики изделия, типовые схемы и т. д. (Datasheet обычно представляет собой файл в формате PDF). Ниже показаны примеры цоколевок MOSFET-транзисторов:

  • на рис. 1 — uPA2724UT1A,

  • на рис. 2 — TexasInstrumentsMOSFETCSD16321Q5C,

  • на рис. 3 — LowRDS(on) мосфеты K03В7 и K0393 (RJK0393DPA),

  • на рис. 4 — MOSFET-транзисторы NTMFS4834N,

  • на рис. 5 — VishaySiliconixDualN-Channel 30-V (D-S) MOSFET (withSchottkyDiode) Si4370DY.

 

Рис. 1. MOSFET-транзисторы uPA2724UT1A

 

Рис. 2. Texas Instruments MOSFET CSD16321Q5C

 

Рис. 3. LowRDS(on) мосфеты K03В7 и K0393 (RJK0393DPA)

 

Рис. 4. MOSFET-транзисторы NTMFS4834N

 Рис. 5. Vishay Siliconix Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET (with Schottky Diode) Si4370DY

Схема контактов транзистора 2N3906, техническое описание и эквивалент

Транзистор

2N3906 — это популярный транзистор с биполярным переходом PNP, используемый в приложениях с малой мощностью и током и средним напряжением. Он широко используется для усиления и переключения малой мощности.

2N3906 дополняет биполярный транзистор 2N3904 NPN.

2н3906 ПНП-транзистор в корпусе ТО-92

Он имеет номинальный ток 200 мА, номинальное напряжение 40 В и номинальную мощность 625 мВт. И обеспечивает усиление по току 100 при протекании через коллектор тока 10 мА.2N3N06 популярен благодаря высокому коэффициенту усиления и низкому напряжению насыщения.

Примечание. Транзистор 2N3906 был впервые изготовлен компанией Motorola.

2N3906 Схема контактов транзистора 2N3906 Распиновка Распиновка

2N3906 имеет три контакта: эмиттер, база и коллектор соответственно слева направо (плоская сторона с выводами, направленными вниз).

2N3906 Технический паспорт транзистора

Этот транзистор доступен в корпусах для сквозных отверстий и в различных корпусах для поверхностного монтажа (SOT23, SOT223 и т. д.), наиболее популярным из которых является TO-92.2N3906 называется MMBT3906 в корпусе SOT23 или SMD. Или, другими словами, MMBT3906 — это SMD-версия 2N3906.

Ниже приведен паспорт транзистора 2N3906 в корпусе ТО-92:

Скачать техническое описание транзистора 2N3906.

Электрические характеристики, номинальные ток-напряжение и физические размеры транзистора 2n3906 подробно приведены в этом техническом паспорте.

Ниже приведено техническое описание 2N3906 (MMBT3906) в корпусе SOT23:

Скачать техническое описание транзистора MMBT3906.

2N3906 аналог

Ниже приведен список популярных транзисторов, которыми можно заменить 2N3906:

BC557, BC527, BC558, BC559, 2N2907, BC556, A1015, C945, 2N4403, 9014.

Технические характеристики транзистора 2N3906 9 5 2N3906 Транзисторные характеристики Таблица

2N3906 до-92 Размеры упаковки

Ниже представлено изображение размеров корпуса 2Н3906 ТО-92.Все размеры указаны в мм.

Размеры упаковки 2N3906

Проекты электроники на базе 2N3906:

Детектор низкой освещенности с использованием 23906 с LDR

Эта схема обнаруживает слабое освещение, включая светодиод, подключенный между коллектором и землей. При слабом освещении вокруг эмиттерный ток течет от эмиттера к коллектору на землю, зажигая светодиод на своем пути.

Схема детектора низкой освещенности на 2N3906

На схеме, приведенной выше, 2N3906 используется в качестве переключателя для включения/выключения светодиода (в зависимости от окружающего освещения), подключенного к клемме коллектора.Вся схема питается от источника питания 9 В.

Резистор 5,6 кОм подключен между нагрузкой (светодиодом) и землей для защиты светодиода от перегрузки по току. Требуемое сопротивление резистора можно легко рассчитать по закону Ома.

При значительном падении света на LDR (низкое сопротивление) база транзистора не смещена. И нулевой ток течет на базу транзистора. Благодаря этому 2N3906 остается в состоянии отсечки и светодиод не светится.

Когда на LDR падает слабый свет (высокое сопротивление), база транзистора смещается, и на базу транзистора течет -ve ток. Из-за этого тока смещения 2N3906 переходит в состояние насыщения и включается светодиод.

Распиновка транзистора

BC547, технические характеристики, техническое описание, эквивалент и использование

Распиновка или схема выводов транзистора

BC547 имеет три вывода, начиная слева: коллектор, эмиттер и база соответственно. Он доступен в двух упаковках: SMD и TO-92.

Транзистор — это полупроводниковое устройство, используемое для усиления или переключения электронного сигнала.

BC547 представляет собой транзистор с биполярным переходом NPN. И, как и все другие транзисторы, BC547 имеет три вывода, которые называются эмиттером, коллектором и базой соответственно.

Транзистор

BC547 действует как переключатель между коллектором и эмиттером. Если на базу транзистора подается достаточный ток, этот ключ закрывается, и ток течет от коллектора к эмиттеру.

Таким образом, небольшой ток на выводе базы транзистора переключает большой ток между коллектором и эмиттером.

BC547 также используется для усиления входных сигналов. Небольшой ток на базе используется для управления большим током между коллектором и эмиттером. Таким образом, основные области применения BC547 — коммутация и усиление.

Распиновка BC547: Схема контактов

Распиновка транзистора BC547 показывает 3 вывода слева: коллектор, база и эмиттер соответственно.

Распиновка транзистора BC547
PNP PNP
Пакет (THT) до-92
Комплектор-базовое напряжение 60 V
Коллектор-эмиттер напряжение: 40 V
Эмиттер-базовое напряжение: 6 V
Коллектор Ток: 0.2 A
Коллекторное рассеивание — 0. 625
DC Account GAIN (H Fe ) 100 до 300
Переход частоты 300 МГц
SHOOL 5 DB
Дальность температуры соединения 55 до +150 ° C
9002
PIN-код PIN-код Описание
1 Collector Этот PIN-код действует как вход, поскольку ток входит в транзистор отсюда.Коллектор обозначается буквой «С».
2 Основание Этот вывод управляет смещением транзистора. Основание обозначается буквой «В».
3 Эмиттер Этот контакт действует как выход, и отсюда ток выходит из транзистора. Излучатель обозначается буквой «Е».

 

BC547 Технический паспорт:

BC547 поставляется в двух упаковках: SMD-пакете и TO-92.

Нажмите на эту ссылку, чтобы просмотреть все технические характеристики BC547

Вы можете найти подробную информацию о BC547 в таблице данных, приведенной выше. Спецификации и характеристики, такие как абсолютные максимальные значения, блок-схема, методы смещения и размеры корпуса, можно найти в техническом описании.

Технические характеристики BC547:
  • Тип пакета: до-92
  • Тип транзистора: NPN
  • Макс. Коллектор Ток (I C ): 100 мА
  • Max Collector-Emitter напряжение (V CE ): 45V
  • Max Collector-базовое напряжение (V CB ): 50V
  • 9029
  • Максимальная эмиттер-базовое напряжение (VEBO): 6V
  • Максимальный коллекторный рассеиватель (ПК): 500 Milliwatt
  • 9 Максимальная частота перехода (fT):  300 МГц
  • Минимальное и максимальное усиление постоянного тока (h FE ):  110–800
  • Максимальная температура хранения и эксплуатации Должна быть:  От -65 до +155 °C 0 Нет 0 Нет 0 : 2-10 дБ

Транзистор BC547 Использование и применение:
  • Максимальная частота перехода BC547 составляет 300 МГц. Таким образом, его также можно использовать в радиочастотных цепях.
  • Усиление тока
  • Аудио Усилители
  • Коммутационные нагрузки <100 мА
  • Транзистор Дарлингтон Пары
  • Усилители, такие как аудио, сигнал и т. Д.
  • Краткое переключение
  • PWM (модуляция ширины импульса)

BC547 Транзистор Эквивалент Транзистор

BC547 можно использовать как альтернативу многим транзисторам:

BC548, BC549, BC636, BC639, 2N2222 TO-92, 2N2222 TO-18, 2N2369, 2N3055 и 2N3904 эквивалентны транзисторам BC547.

BC547 TO-92 Размеры упаковки Размеры корпуса транзистора BC547

Проекты транзисторов BC547 Транзистор

BC547 можно использовать для создания многих крутых проектов. Некоторые из проектов транзисторов для начинающих, использующих B547, перечислены ниже:

Не затвор с использованием транзистора на макетной плате

NOR Gate с использованием транзистора на макетной плате

Аварийный сигнал датчика дождя с использованием двух транзисторов BC547

Рабочие состояния ИЛИ режимы работы BC547:

Как и любой другой транзистор, транзистор BC547 работает в трех областях:

  • Активная область.
  • Область насыщения.
  • Зона отключения
Режимы работы BC547

(а) Активная область

Активная область находится между областями отсечки и насыщения. В активной области эмиттерный переход транзистора смещен в прямом направлении, а коллекторный — в обратном. В активной области ток коллектора в β раз больше тока базы, т. е.

I C = β I B

здесь, I C  = ток коллектора

Β = текущий коэффициент усиления

I B = базовый ток

Таким образом, ток коллектора увеличивается пропорционально току базы.

(б) Область насыщения

В этой области транзистор работает как короткое замыкание. Токи коллектора и эмиттера максимальны в этой области. В области насыщения и эмиттерный, и коллекторный переходы смещены в прямом направлении. Другими словами, транзистор работает как замкнутый переключатель или короткое замыкание с максимальным током, что подразумевает:

I C = I E

здесь I C = ток коллектора и I E = ток эмиттера.

(c) Зона отсечения

В этой области транзистор работает как разомкнутый переключатель или разомкнутая цепь. Коллекторный, эмиттерный и базовый токи в этой области равны нулю. В области отсечки и эмиттерный, и коллекторный переходы смещены в обратном направлении. Как и в области отсечки, ток коллектора, эмиттера и базы равен нулю, что дает

I C = I E = I B =0

здесь I C = ток коллектора, I E = ток эмиттера и I B = ток базы.

ТРАНЗИСТОР BC547 КАК ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬ

Областями, отвечающими за работу транзистора в качестве переключателя, являются область насыщения и область отсечки. Когда мы подаем достаточно большой ток на базу транзистора, он создает путь для тока коллектора, который проходит через базу к эмиттеру.

Чтобы использовать транзистор в качестве ключа, его необходимо перевести в область насыщения с достаточным базовым током. А транзистор работает как замкнутый ключ в области насыщения.

Транзистор как замкнутый ключ

Как только положительный сигнал (в виде напряжения и тока) удаляется через базу транзистора, поток электрического тока между коллектором и эмиттером становится равным нулю. И транзистор ведет себя как разомкнутый ключ под зоной отсечки.

Транзистор как открытый ключ

Это просто означает, что если мы подадим сигнал (напряжение/ток) на коллектор и эмиттер, но не на базу, транзистор не будет работать.Но небольшого сигнала на базе достаточно, чтобы он заработал.

ТРАНЗИСТОР BC547 КАК УСИЛИТЕЛЬ

Транзистор действует как усилитель, увеличивая силу слабого сигнала, подаваемого на его базу. Транзисторы работают как усилитель в активной области или линейной области. На приведенном ниже рисунке показано, как использовать транзистор в качестве эмиттерного усилителя.

Транзистор BC547 в качестве усилителя

**Источник изображения: инструментальные средства

В этой области с увеличением тока базы пропорционально увеличивается и ток коллектора по формуле:

I C = β I B

Здесь I C = ток коллектора

Β = текущий коэффициент усиления

I B = базовый ток

Таким образом, небольшой входной сигнал приводит к большому выходному сигналу, что означает, что транзистор работает как усилитель.

Схема контактов транзистора

2N2222, примеры, применение и техническое описание

Транзистор 2N2222 NPN обычно используется для коммутации и усилителей очень высокой частоты (ОВЧ). Он изготовлен из кремниевого материала и специально разработан для приложений с низким напряжением, малым и средним током и усилителями малой мощности.

 2N2222 Транзистор NPN Введение

2N2222 обеспечивает постоянный ток коллектора 800 мА. Это означает, что у него высокий коллектор, поэтому он в основном используется в цепях, где требуется ток от низкого до среднего.Он работает на высокой частоте перехода 250 МГц с временем задержки 10 нс, временем нарастания 25 мс, временем хранения 225 мс и временем спада 60 мс. Это удобный и легко доступный онлайн-рынок в пакете TO-92.

Схема контактов 2N2222

Конфигурация контактов транзистора 2N2222 NPN: Этот транзистор 2N2222 NPN имеет три контакта: эмиттер, базу и коллектор. Эти контакты используются в схеме для включения или выключения транзистора. Его диаграмма конфигурации PIN-контакт отображается здесь в соответствии с таблицей данных:

PIN-код конфигурации

5 PIN-код PIN-код Функция
1
Emitter PIN-код излучения используется для слива полный ток транзистора.
2 Основание Базовый контакт является управляющим и используется для управления током между эмиттером и базой.
3 Коллектор Контакт коллектора является выходным контактом и используется для подачи тока транзистора на выходную нагрузку.

2N2222 Транзистор NPN Электрические характеристики

  • Напряжение между коллектором и эмиттером VCEO = 50 В, когда база открыта
  • Напряжение между эмиттером и базой VEBO= 6 В, когда коллектор открыт 75 при открытом эмиттере
  • Непрерывный постоянный ток коллектора IC = 800 мА
  • Общая рассеиваемая мощность устройства PT = 1 Вт
  • Максимальное тепловое сопротивление от перехода к корпусу R0JC= 150C0/Вт Ambient R0ja = 325C0 / W
  • входная емкость = 25PF
  • выходной емкость = 8PF
  • Включение времени = 25ns
  • Time = 60NS
  • Time = 60NS

альтернативные варианты

MPSA42, 2N3906

эквиваленты

  • 2N2907 (ПНП) ​​
  • 2N3904(ПНП) ​​
  • 2N3906 (ПНП) ​​
  • BC637
  • S9014
  • BC148
  • 2N4403 2 М PS2222
  • PN222262
  • PN2222
  • KN22222
  • KN2222
  • KTN2222

, где 2N2222 NPN транзистор

  • Этот транзистор NPN 2N2222 NPN имеет практически те же технические характеристики, что и транзистор NPN BC547 NPN
  • , но единственная разница между ними является постоянный ток и общее количество постоянного коллектора рассеиваемая мощность этого транзистора
  • Следовательно, его можно использовать в таких приложениях, как коммутация и усиление, где используется транзистор BC547.В переключающем приложении он работает в двух областях, таких как область насыщения и область отсечки
  • В области насыщения полный ток течет от эмиттера к коллектору в диапазоне от 110 до 800 мА, и в этом состоянии он действует как включение переключателя. Поэтому пользователь не может подключить нагрузку, ток которой превышает 800 мА
  • Аналогично, в области отсечки ток не течет от эмиттера к коллектору, тогда он действует как выключатель выключения
  • Токоограничивающий резистор также присутствует в цепи для ограничения тока базы, так как это может привести к повреждению транзистора, если ток источника больше 5 мА

Режимы конфигурации

Аналогично, в усилителе его можно подключить в трех конфигурациях, таких как общий эмиттер, общий коллектор и общая база .Ток, напряжение и мощность могут быть легко усилены с помощью этих режимов конфигурации.

2N2222 Примеры схем

В этом разделе мы обсудим несколько примеров использования этого транзистора NPN. Сначала мы увидим пример простого примера управления светодиодом с помощью переключателя. После этого мы увидим пример управления двигателем постоянного тока с помощью Arduino Uno.

Пример управления светодиодом

В этом примере схемы мы прикрепляем кнопку к базовой клемме. 5 вольт с клеммой коллектора через резистор 220 Ом.

  • Подключите светодиод к клемме эмиттера через резистор 220 Ом. По ошибке 10кОм использовали как токоограничивающий резистор со светодиодом.
  • При использовании 10 кОм светодиод не будет светиться при включении выключателя из-за низкого тока, проходящего через светодиод.
  • Резистор 10 кОм будет ограничивать ток ниже прямого тока, необходимого для включения светодиода.
  • Кроме того, используйте резистор 220 Ом между переключателем и базовой клеммой.
  • Теперь, если подать 5-вольтовую логику на базовый вход, вы увидите свечение светодиода.В противном случае он останется выключенным.

Пример подключения двигателя постоянного тока в качестве коммутатора с использованием Arduino

В этом примере транзистор 2N2222 NPN используется в режиме конфигурации с общим эмиттером. Эта схема управляет двигателем постоянного тока через транзистор, который используется в качестве переключателя. Мы можем использовать Arduino Uno или любой микроконтроллер для управления этой схемой. Работа этой схемы точно такая же, как вы видели в предыдущем разделе, за исключением того, что используется двигатель постоянного тока.

Вы можете прочитать это руководство для получения дополнительной информации:

Применение 2N2222 Транзистор NPN

  • Этот транзистор 2N2222 NPN может использоваться в нагрузках, где требуется ток более 800 мА .
  • Инверторы постоянного тока и схемы выпрямителей.
  • Пара транзисторов Дарлингтона, где более одного транзистора соединены параллельно для получения большого тока от эмиттера к коллектору.
  • Может использоваться как усилитель для усиления тока, напряжения и мощности.

2D-диаграмма с размерами

2D-диаграмма помогает при разработке схемы печатной платы и при сборке электронных компонентов. Вы можете скачать техническое описание для получения диаграммы размеров других пакетов.

Распиновка, эквивалент, характеристики, техническое описание и применение [Видео]

IRF530 — это N-канальный полевой МОП-транзистор , предназначенный для высокоскоростных и мощных приложений. Он способен выдерживать постоянный ток 14 А при напряжении 100 В. В импульсном режиме он может управлять нагрузкой до 56 А. В этой серии доступны другие транзисторы с немного отличающимися характеристиками, например IRF531 , IRF532 и IRF533 .

 

Каталог

 

IRF530 MOSFET Объяснение / Описание

IRF530 — это N-канальный MOSFET , способный непрерывно управлять нагрузкой 14 А при напряжении нагрузки 100 В. В этой серии также доступны другие транзисторы IRF531 . IRF532 и IRF533 Все эти транзисторы немного отличаются друг от друга, но их можно использовать вместо друг друга, если ваша нагрузка не соответствует номинальным значениям этих транзисторов.

IRF530 предназначен для высокоскоростных и мощных приложений, высокоскоростное приложение может быть в электронном устройстве или цепи прибора, в котором разработчику схемы требуется очень быстрое переключение за наносекунды, приложениями могут быть цепи ИБП, цепи зарядного устройства батареи и др.

Он также имеет низкую способность управления затвором, благодаря чему пользователь может управлять им непосредственно с выхода микросхем или микроконтроллеров. Он также может управлять нагрузкой до 56 А в импульсном режиме ,

.

Помимо этого  IRF530  также можно использовать как отдельный аудиоусилитель или можно использовать в более мощных аудиоусилителях .

 

Тест IRF530, часть 1

 

 

 

Распиновка IRF530

 

 

IRF530 Распиновка

 

 

Описание контактов IRF530

Номер контакта Имя контакта Описание контакта
1 Ворота Управление смещением MOSFET
2 Слив Втекание тока через сток
3 Источник Утечка тока через источник

 

 

IRF530 CAD Медель

Символ

 

след

 

 

Характеристики переключения

  • Время задержки включения td(on): 10 нс
  • Время нарастания tr: 34 нс
  • Время задержки выключения td(off): 23 нс
  • Время спада tf: 24 нс

 

Характеристики/технические характеристики

  • Тип упаковки: TO-220AB и другие упаковки
  • Тип транзистора: N-канальный
  • Максимальное напряжение от стока к источнику: 100 В
  • Максимальное напряжение между затвором и источником должно быть: ±20 В
  • Максимальный ток Ток стока   составляет: 14 А
  • Макс. импульсный Ток стока  : 56 А
  • Максимальная рассеиваемая мощность: 79 Вт
  • Минимальное напряжение, необходимое для проведения: от 2 В до 4 В
  • Максимальная температура хранения и рабочая температура должна быть: от -55 до +150 по Цельсию

Замена и эквивалентные

BUZ20, IRFI530G, IRFS530, MTP12N10E, RFP12N10, STP13N10, STP18N10, BUK453-100B, BUK453-100A, BUZ72, IRF641, IRF642, IRFB4620, IRFB5620.

 

Приложения

  • Источники бесперебойного питания
  • Зарядные устройства и схемы BMS
  • Применение солнечной энергии
  • Драйверы двигателей
  • ИБП
  • Преобразователи постоянного и переменного тока
  • Регуляторы
  • Аудиоусилитель
  • Драйверы соленоидов и реле

 

2D-модель и размеры

Если вы проектируете печатную плату или плату Perf с этим компонентом, следующее изображение из таблицы данных IRF530 будет полезно, чтобы узнать тип и размеры его упаковки.

 

2D-модель и размеры

 

Цена и запас

 

Цена и запас

 

 

Технические характеристики

Физические характеристики  
Количество контактов 3
Технический  
Непрерывный ток стока (ID) 14 А
Текущий 14 А
Текущий рейтинг 17 А
Сопротивление стока к источнику 160 м
Напряжение сток-исток (Vdss) 100 В
Напряжение от затвора к источнику (Vgs) 20 В
Упаковка оптом
Рассеиваемая мощность 88 Вт
Время нарастания 34 нс
Напряжение 100 В
Номинальное напряжение (пост. ток) 100 В
Соответствие  
Бессвинцовый Содержит свинец
RoHS Не соответствует

 

 

Цепь IRF530

 

Нефиксированная цепь индуктивной нагрузки

 

 


Схема проверки времени переключения для резистивной нагрузки

 

Тестовая схема заряда затвора

 

 

Где мы можем его использовать и как использовать?

IRF530 может использоваться в любом типе универсального и высокоскоростного коммутатора, который соответствует его спецификациям.Помимо этого, его также можно использовать для создания мощных аудиоусилителей . Процедура использования/эксплуатации этого МОП-транзистора такая же, как и у других МОП-транзисторов.

 

Как обеспечить длительный срок службы?

Для обеспечения долговременной работы всегда используйте компонент, номинал которого не менее чем на 20 % ниже максимальных номинальных значений. То же самое относится к транзистору IRF530  . Максимальный ток стока составляет 14 А, поэтому не подключайте нагрузку более 11.2А. Максимальное напряжение нагрузки составляет 100 В, поэтому не подключайте нагрузку более 80 В. Используйте соответствующий радиатор с транзистором и всегда храните или эксплуатируйте этот транзистор при температуре от -55 до +150 градусов по Цельсию.

 

IRF530 VS IRF530FP

Исходный контент uid ИРФ530 ИРФ530ФП
Код RoHS
Код жизненного цикла детали Устаревший Передано
Изготовитель ПО ПОЛУПРОВОДНИКАМ МЕЖДУНАРОДНАЯ КОРПОРАЦИЯ ВЫПРЯМИТЕЛЕЙ
Код комплекта деталей ТО-220АБ  
Описание упаковки ФЛАНЕЦ, R-PSFM-T3 ФЛАНЕЦ, R-PSFM-T3
Количество контактов 3  
Код упаковки производителя ДЕЛО 221А-09  
Достичь кода соответствия не соответствует соответствует
Код ECCN EAR99 EAR99
Время выполнения заказа 1 неделя  
Дополнительная функция ДОСТУПНЫ ВАРИАНТЫ ЛИДЕРОВ  
Номинальная мощность лавинной защиты (Eas) 98 мДж  
Соединение корпуса СЛИВ СЛИВ
Конфигурация ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ ОДИНОЧНЫЙ
Напряжение пробоя DS – мин. 100 В 100 В
Максимальный ток стока (абс.) (ID) 14 А  
Максимальный ток стока (ID) 14 А  
Слив-исток На сопротивлении-макс. 0.14 0,16
Технология FET МЕТАЛЛ-ОКСИД ПОЛУПРОВОДНИК МЕТАЛЛ-ОКСИД ПОЛУПРОВОДНИК
Код JEDEC-95 ТО-220АБ ТО-220АБ
JESD-30 Код Р-ПСФМ-Т3 Р-ПСФМ-Т3
JESD-609 Код е0 е0
Количество элементов 1 1
Количество клемм 3 3
Режим работы РЕЖИМ РАСШИРЕНИЯ РЕЖИМ РАСШИРЕНИЯ
Максимальная рабочая температура 175 С  
Материал корпуса упаковки ПЛАСТИК/ЭПОКСИД ПЛАСТИК/ЭПОКСИД
Форма упаковки ПРЯМОУГОЛЬНЫЙ ПРЯМОУГОЛЬНЫЙ
Тип упаковки ФЛАНЕЦ ФЛАНЕЦ
Пиковая температура оплавления (Цель) 235 225
Полярность/Тип канала N-КАНАЛ N-КАНАЛ
Максимальная рассеиваемая мощность (абс.) 75 Вт  
Максимальный импульсный ток стока (IDM) 49 А  
Квалификационный статус Не соответствует требованиям Не соответствует требованиям
Поверхностный монтаж НЕТ НЕТ
Финишная отделка Олово/свинец (Sn/Pb) ОЛОВЯННЫЙ СВИНЦ
Терминальная форма СКВОЗНОЕ СКВОЗНОЕ
Положение терминала ОДИНОЧНЫЙ ОДИНОЧНЫЙ
Время при пиковой температуре оплавления – макс. (с) 30 30
Применение транзистора ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ  
Материал элемента транзистора СИЛИКОН СИЛИКОН
Базовый номер соответствует 2 4
Pbбесплатный код  

 

 IRF530 Техническое описание

 IRF530 Техническое описание

 

 

Часто задаваемые вопросы IRF530

1.Что такое IRF530?

IRF530 — это N-канальный МОП-транзистор, способный непрерывно управлять нагрузкой 14 А при напряжении нагрузки 100 В. Помимо этого, IRF530 также можно использовать в качестве отдельного аудиоусилителя или использовать в аудиоусилителях большей мощности.

2.Где используются МОП-транзисторы?

Мощные МОП-транзисторы

обычно используются в автомобильной электронике, в частности, в качестве переключающих устройств в электронных блоках управления и в качестве преобразователей мощности в современных электромобилях.Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), гибридный МОП-биполярный транзистор, также используется для широкого спектра приложений.

3. Как безопасно запустить IRF520 в цепи?

Чтобы обеспечить долговременную работу, всегда используйте компонент как минимум на 20 % ниже его максимальных номинальных значений, то же самое относится и к транзистору IRF530. Максимальный ток стока составляет 14 А, поэтому не подключайте нагрузку более 11,2 А. Максимальное напряжение нагрузки составляет 100 В, поэтому не подключайте нагрузку более 80 В.Используйте подходящий радиатор с транзистором и всегда храните или эксплуатируйте этот транзистор при температуре от -55 до + 150 градусов по Цельсию.

4. Какой тип МОП-транзистора IRF530?

N-канальный МОП-транзистор

5. С каким напряжением совместим IRF530?

100 В

6.Как называются транзисторы, доступные в IRF530?

IRF531

7.Какие возможности вождения имеет IRF530?

Низкая пропускная способность ворот

8.Что может IRF530 управлять в импульсном режиме?

56А

9. С каким аудиоусилителем можно использовать IRF530?

Аудиоусилители большей мощности

D400 Схема контактов транзистора, эквивалент, характеристики, применение и многое другое

D400 или 2SD400 представляет собой NPN-транзистор, доступный в корпусе TO-92MOD или TO-92LM. В этом посте описывается распиновка транзистора D400, эквивалент, особенности, области применения и другие подробности об этом транзисторе.

Характеристики/технические характеристики:
  • Тип упаковки: TO-92LM / TO-92MOD
  • Тип транзистора: NPN
  • Макс. ток коллектора (I C ): 1A
  • Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (В CE ): 25 В
  • Макс. напряжение коллектор-база (В CB ): 25 В
  • Максимальное напряжение эмиттер-база (VEBO):  5 В
  • Максимальное рассеивание коллектора (шт.): 900 мВт
  • Максимальная частота перехода (fT): 180 МГц
  • Минимальное и максимальное усиление постоянного тока (h FE 60– 560
  • Максимальная температура хранения и рабочая температура должна быть: от -55 до +150 по Цельсию

 

Замена и аналог

2SD2206, 2SC3207, 2SC3070, 2SD1930, 2SD400MP, 2SD400P-1, 2SC4781, CE2F3P, 2SD1140, 2SD2213, KTD2854, NTE2341, STX112, 2SC4682, ZTX690B, 2SC3225, ZTX692B, 2SC3726, 2SD1153, 2SD1929, 2SD1984, 2SD2088, 2SD2206A.

 

Транзистор 2SD400 Объяснение / Описание:

2SD400 — это NPN-транзистор, доступный в корпусе TO-92LM или TO-92MOD. Этот транзистор в основном предназначен для использования в электронных усилителях низкой частоты, а также в электронных схемах регуляторов. Электронный регулятор представляет собой схему, которая регулирует скорость машины. Помимо этих применений, этот транзистор также можно использовать во множестве других приложений общего назначения. Максимальный ток коллектора транзистора составляет 1 А, благодаря чему его можно использовать для управления различными нагрузками в цепи, ток которой не превышает 1 А при использовании в качестве переключателя.Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер транзистора составляет всего 0,3 В, а обычно всего 0,1 В. Для управления нагрузкой 500 мА базовый ток должен составлять 50 мА, а для управления нагрузкой 1 А базовый ток должен составлять 100 мА.

Кроме того, его также можно использовать в качестве аудиоусилителя общего назначения, а также в ВЧ-цепях, максимальная частота перехода транзистора составляет до 180 МГц, благодаря чему его также можно использовать в ВЧ-цепях до 180 МГц.

Кроме того, максимальное рассеивание коллектора транзистора составляет 900 мА, а минимальное и максимальное усиление по постоянному току составляет от 60 до 560, однако транзистор доступен в четырех различных категориях в соответствии с коэффициентом усиления по постоянному току, который можно определить по первой букве, написанной под номер части.Если эта буква «D», то усиление будет от 60 до 120, если буква «E», то усиление будет от 100 до 200, если это «F», то усиление будет от 160 до 320, а если « G», то прирост составит от 280 до 560.

 

Где мы можем его использовать и как использовать

Как сказано выше, транзистор D400 в основном предназначен для низкочастотных усилителей и электронных регуляторов, но не ограничивается этим и может также использоваться для широкого спектра других приложений общего назначения.Например, его можно использовать в различных коммутационных приложениях, аудиоусилителях, а также в радио- и радиочастотных приложениях на частотах ниже 180 МГц.

 

Приложения

Усилители низкой частоты

Цепи управления скоростью

Аудиоусилители

Коммутация нагрузки до 1А

Цепи радиочастотные

 

Как безопасно длительно работать в цепи

Чтобы обеспечить долгосрочную производительность транзистора D400, рекомендуется всегда использовать его на 20% ниже максимального значения.Максимальный ток коллектора транзистора составляет 1 А, поэтому не подключайте нагрузку более 800 мА. Максимальное напряжение между коллектором и эмиттером составляет 25 В, поэтому не подключайте нагрузку более 20 В и всегда храните и эксплуатируйте транзистор при температуре выше -55 градусов по Цельсию и ниже +150 по Цельсию.

 

Технический паспорт

Чтобы загрузить техническое описание, просто скопируйте и вставьте ссылку ниже в адресную строку браузера.

https://cdn.datasheetspdf.com/pdf-down/D/4/0/D400_SanyoSemiconDevice.пдф

TIP31A NPN Биполярный силовой транзистор — Спецификация и распиновка

TIP31A представляет собой биполярный силовой транзистор NPN. Он легко доступен и дешев. Среди многих причин, почему он популярен, из-за его многочисленных электрических характеристик. Он имеет хороший коэффициент усиления и линейный коэффициент усиления. Вы также можете управлять транзистором с помощью микроконтроллера из-за его высокой скорости отклика и усиления.

Если вы ищете случайное переключающее устройство, вам следует обратить внимание на этот транзистор.Вы можете использовать транзистор в разных случаях. Транзистор может переключать ваше устройство на нагрузки средней мощности.

Техническое описание TIP31A

Согласно техническому описанию, некоторые из основных характеристик транзистора:

  • Ток коллектора 3А
  • Напряжение базы эмиттера 5В
  • Напряжение базы коллектора 60В
  • Напряжение коллектор-эмиттер 60В
  • Выпускается в корпусе То-92
  • Диапазон температур хранения и эксплуатации от -65 до +65 150 oC
  • Частота перехода 3 МГц
  • Коэффициент усиления по постоянному току от 10 до 50hfe
  • Рассеиваемая мощность коллектора 40 Вт

Ниже приведены ключевые области применения транзистора:

0
  • Усилители сигналов
  • Аудиоусилители
  • Драйверы реле
  • Системы освещения
  • Регулятор скорости двигателя постоянного тока
  • ШИМ-приложения
  • Импульсный источник питания
  • 2

    Как и все транзисторы, TIP31A имеет три контакта.Контакт 1 — это базовый контакт, который включает транзистор, поскольку он является триггером. Контакт 2 является коллектором и подключен к нагрузке. Контакт 3 является эмиттером и соединен с землей.

    Взгляните на схему выводов TIP31A выше.

    Эквиваленты TIP31A и сведения о замене

    TIP31A NPN Биполярный силовой транзистор имеет эквиваленты TIP31A: TIP31E, TIP31D, TIP31CGM, TIP31CF, TIP31C, TIP31BG, TIP31B, TIP31AG, MJF31CG, MJF31C, BDT31C, BDT31B и BDT31A.Дополнительным транзистором для TIP31A является TIP32A. Существует также бессвинцовая версия TIP31A; Транзистор ТИП31АГ.

    Перед заменой рекомендуется тщательно проверить конфигурацию и параметры контактов. Замена без учета параметров усиления, тока и напряжения может привести к необратимым потерям.

    MMBT3904 Распиновка транзистора, базовые знания, применение и эквивалент

    Что такое MMBT3904 Транзистор

    BT3904 представляет собой маломощный NPN-транзистор с поверхностным монтажом, поэтому коллектор и эмиттер остаются открытыми (смещены в обратном направлении), когда вывод базы находится на земле, и будут закрыты (смещены в прямом направлении), когда на базовый вывод подается сигнал.Максимальное усиление BT3904 — 300; это значение определяет усилительную способность транзистора. Максимальный ток через вывод коллектора составляет 200 мА, поэтому этот транзистор нельзя использовать для подключения нагрузок, потребляющих более 200 мА. Чтобы сместить транзистор, мы должны подать ток (Ib) на базовый вывод, который должен быть ограничен 5 мА. Когда этот транзистор полностью смещен, он может пропускать максимум 200 мА через коллектор и эмиттер. Эта стадия называется зоной насыщения, и типичное напряжение, проходящее через коллектор-эмиттер (Vce) или коллектор-база (Vcb), составляет 40 В и 60 В соответственно.При снятии тока базы транзистор полностью отключается. Эта стадия называется областью отсечки. Напряжение эмиттер-база (Veb) может составлять около 6В.

    MMBT3904 Схема контактов транзистора

    Базовые знания о параметрах транзистора MMBT3904

    Тип:НПН

    Напряжение коллектор-база (Vcb) составляет 60 В

    Напряжение коллектор-эмиттер (Vce) равно 40 В

    Напряжение эмиттер-база (Veb) равно 6 В

    Ток коллектора 200 мА

    Рассеиваемая мощность коллектора 200 мВт

    Температура перехода 150 ℃

    Температура хранения -55~+150 ℃

    Размеры упаковки MMBT3904

    MMBT3904 — это SMD-транзистор, доступный в корпусе SOT-23.Размеры пакета SOT-23 показаны ниже.

    Применение MMBT3904

    Приводные модули, такие как привод светодиодов, релейный привод и т. д.

    Усилительные модули, такие как усилители сигналов, аудиоусилители и т. д.

    Vcb и Vce очень высокие, поэтому его можно использовать для управления нагрузками до 40В.

    MMBT3904 Эквивалентные транзисторы NPN

    БК636, БК639, БК549, 2Н3904, 2Н2222, 2Н3055, 2Н3906, 2Н2369, 2СК5200

    Кстати, если вы хотите узнать больше о MMBT3904, вы можете обратиться к техническому описанию в Seeed Open Parts Library (OPL).Seeed Fusion регулярно обновляет Seeed OPL, поэтому следите за новыми компонентами и модулями. Выбирая все детали из Seeed OPL, можно сократить все время производства печатной платы до 7 рабочих дней.

    Продолжить чтение

    .

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован.